JP2023048293A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】複数の異なるガスを用いて搬送室内にエアフローを形成する際に、搬送室内を所望の雰囲気となるように制御することを容易とする技術を提供する。【解決手段】基板収納容器から搬出された基板が搬送される搬送空間を含む搬送室と、第１パージガスを搬送室内に供給する第１パージガス供給系と、第１パージガスとは異なる第２パージガスを搬送室内に供給する第２パージガス供給系と、搬送室内の雰囲気を排出する排気系と、搬送空間の一端と他端とを接続する循環路と、循環路上又はその端部に設けられ、搬送室内の雰囲気を循環させるファンと、第１パージガス供給系から第１パージガスを供給する第１パージモードと、第２パージガス供給系から第２パージガスを供給する第２パージモードとの何れの状態であるかに応じて、ファンの回転速度が異なるようにファンを制御可能に構成された制御部と、を備える技術が提供される。【選択図】図３

Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラムに関する。

半導体装置（デバイス）の製造工程において用いられる基板処理装置は、例えば、基板が収容されるウェハカセットから基板を搬出／搬入するロードポートユニットと、ロードポートユニットとロードロック室や基板処理室との間で基板が搬送される搬送室を備えることがある。また、搬送室内においてクリーンエアや不活性ガスのエアフローを形成するために、搬送室内においてクリーンエアや不活性ガスを循環させるシステムが設けられることがある。（例えば特許文献１参照）。

国際公開第２０１７／０２２３６６号

搬送室内でガスを循環させる際、状況に応じて、搬送室内を所望の雰囲気となるように調整することが求められることがある。本開示の課題は、複数の異なるガスを用いて搬送室内にエアフローを形成する際に、搬送室内を所望の雰囲気となるように制御することを容易とする技術を提供することにある。

本開示の一態様によれば、
基板収納容器から搬出された基板が搬送される搬送空間を含む搬送室と、
第１パージガスを前記搬送室内に供給する第１パージガス供給系と、
前記第１パージガスとは異なる第２パージガスを前記搬送室内に供給する第２パージガス供給系と、
前記搬送室内の雰囲気を排出する排気系と、
前記搬送空間の一端と他端とを接続する循環路と、
前記循環路上又はその端部に設けられ、前記搬送室内の雰囲気を循環させるファンと、
前記第１パージガス供給系から前記第１パージガスを供給する第１パージモードと、前記第２パージガス供給系から前記第２パージガスを供給する第２パージモードとの何れの状態であるかに応じて、前記ファンの回転速度が異なるように前記ファンを制御可能に構成された制御部と、
を備える技術が提供される。

本開示に係る技術によれば、複数の異なるガスを用いて搬送室内にエアフローを形成する際に、搬送室内を所望の雰囲気となるように制御することを容易とすることができる。

本開示の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置の概略縦断面図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置の第１搬送室及びその周辺機構の構造を示す概略斜視図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置の制御部の構成を示す図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置において、メンテナンス扉の開閉に係る状態遷移を示すフローチャートである。

＜本開示の一実施形態＞
以下に、本開示の一実施形態（第１の実施形態）について、図１～図４を参照して説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

（１）基板処理装置の構成
本実施形態に係る基板処理装置１０は、図１及び図２に示されるように、大気側搬送室（ＥＦＥＭ：Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ－Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）としての第１搬送室１２と、第１搬送室１２に接続され、基板収納容器であるポッド２７－１～２７－３が載置されるとともに、ポッド２７－１～２７－３の蓋を開閉し、基板１００を第１搬送室１２に対して搬入／搬出するための、ポッド開閉機構を備えるロードポートユニット２９－１～２９－３と、圧力制御される予備室としてのロードロック室１４Ａ、１４Ｂと、真空搬送室としての第２搬送室１６と、基板１００に対する処理を行う処理室１８Ａ、１８Ｂとを備えている。また、処理室１８Ａと処理室１８Ｂとの間は、境界壁２０によって遮られている。本実施形態では、基板１００として例えばシリコンウェハ等の半導体装置を製造する半導体ウェハが使用される。

本実施形態では、ロードロック室１４Ａ、１４Ｂの各構成（ロードロック室１４Ａ、１４Ｂに付随する構成も含む）がそれぞれ同様の構成となっている。このため、ロードロック室１４Ａ、１４Ｂを「ロードロック室１４」と総称する場合がある。また、本実施形態では、処理室１８Ａ、１８Ｂの各構成（処理室１８Ａ、１８Ｂに付随する構成も含む）がそれぞれ同様の構成となっている。このため、処理室１８Ａ、１８Ｂを「処理室１８」と総称する場合がある。

ロードロック室１４と第２搬送室１６との間には、図２に示されるように、隣り合う室を連通する連通部２２が形成されている。この連通部２２は、ゲートバルブ２４によって開閉されるようになっている。

第２搬送室１６と処理室１８との間には、図２に示されるように、隣り合う室を連通する連通部２６が形成されている。この連通部２６は、ゲートバルブ２８によって開閉されるようになっている。

第１搬送室１２には、ロードポートユニット２９－１～２９－３にそれぞれ載置されたポッド２７－１～２７－３とロードロック室１４との間において、基板１００を搬送する大気側搬送装置としての第１ロボット３０が設けられている。この第１ロボット３０は、第１搬送室１２内にて同時に複数枚の基板１００を搬送可能に構成されている。また、第１搬送室１２内は、後述するパージガスを循環させることによりパージされるように構成されている。

ポッド２７－１～２７－３の蓋はそれぞれ、ロードポートユニット２９－１～２９－３が備える蓋開閉機構としてのオープナ１３５により開閉され、ポッド２７－１～２７－３は、蓋が開放された状態において、第１搬送室１２の筐体１８０に設けられた開口部１３４を介して、それぞれ第１搬送室１２内と連通するように構成されている。

ロードロック室１４には、第１ロボット３０によって未処理の基板１００が搬入され、搬入された未処理の基板１００が第２ロボット７０によって搬出されるようになっている。一方、ロードロック室１４には、第２ロボット７０によって処理済みの基板１００が搬入され、搬入された処理済みの基板１００が第１ロボット３０によって搬出されるようになっている。

また、ロードロック室１４の室内には、基板１００を支持する支持具としてのボート３２が設けられている。ボート３２は、複数枚の基板１００を所定間隔で多段に支持すると共に、基板１００を水平に収容するように形成されている。このボート３２は、上板部３４と下板部３６とが複数の支柱部３８によって接続された構造となっている。

ロードロック室１４には、ロードロック室１４の内部と連通するガス供給管４２が接続され、不活性ガスをロードロック室１４内に供給可能となるように構成されている。また、ロードロック室１４には、ロードロック室１４の内部と連通する排気管４４が接続されている。排気管４４には、下流側に向ってバルブ４５、排気装置としての真空ポンプ４６が設けられている。

開口部１０２は、ロードロック室１４の外周壁部の第１ロボット３０側に設けられている。第１ロボット３０は、開口部１０２を介して基板１００をボート３２に支持させ、基板１００をボート３２から取り出すようになっている。また、外周壁部には、開口部１０２を開閉するためのゲートバルブ１０４が設けられている。ロードロック室１４の下方には、開口部４８を介してボート３２を昇降及び回転させる駆動装置５０が設けられている。

第２搬送室１６には、ロードロック室１４と処理室１８との間で基板１００を搬送する第２ロボット７０が設けられている。第２ロボット７０は、基板１００を支持して搬送する基板搬送部７２と、この基板搬送部７２を昇降及び回転させる搬送駆動部７４とを備えている。基板搬送部７２には、アーム部７６が設けられている。このアーム部７６には、基板１００が載置されるフィンガ７８が設けられている。

ロードロック室１４から処理室１８への基板１００の移動は、第２ロボット７０によって、ボート３２に支持された基板１００を第２搬送室１６内に移動させ、続いて、処理室１８内へ移動させることにより行われる。また、処理室１８からロードロック室１４への基板１００の移動は、第２ロボット７０によって、処理室１８内の基板１００を第２搬送室１６内に移動させ、続いて、ボート３２に支持させることにより行われる。

処理室１８には、第１処理部８０と、第２処理部８２と、この第２処理部８２と第２ロボット７０との間で基板１００を搬送する基板移動部８４と、が設けられている。第１処理部８０は、基板１００を載置する第１載置台９２と、この第１載置台９２を加熱する第１ヒータ９４とを備える。第２処理部８２は、基板１００を載置する第２載置台９６と、この第２載置台９６を加熱する第２ヒータ９８とを備える。

基板移動部８４は、基板１００を支持する移動部材８６と、境界壁２０近傍に設けられた移動軸８８とにより構成される。また、基板移動部８４は、移動部材８６を第１処理部８０側へ回転させることで、この第１処理部８０側において第２ロボット７０との間で基板１００を授受する。このようにして、基板移動部８４は、第２ロボット７０によって搬送された基板１００を第２処理部８２の第２載置台９６に移動させ、また、第２載置台９６に載置された基板１００を第２ロボット７０へ移動させる。

次に、本実施形態に係る第１搬送室１２の構成について図３を用いて詳述する。なお、本明細書では、第１搬送室１２は、主に筐体１８０やその内部構成、接続されたガス供給／排気系等によって構成されたユニットを意味するものとして用いられる他に、筐体１８０により区画された内部空間を意味するものとして用いられることがある。

（パージガス供給系）
筐体１８０には、第１搬送室１２内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１６２と、第１搬送室１２内に乾燥空気（ドライエア）を供給する乾燥空気供給機構１６３と、第１搬送室１２内に空気を供給する空気供給機構（大気取り込み機構）１５８と、が設けられている。不活性ガス供給機構１６２、乾燥空気供給機構１６３、及び空気供給機構１５８を総称してパージガス供給系（パージガス供給部）と称することもできる。

不活性ガス供給機構１６２は、不活性ガス供給源に接続された供給管１６２ａと、供給管１６２ａ上に設けられた流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１６２ｂとにより構成されている。供給管１６２ａ上であってＭＦＣ１６２ａの下流には、更に開閉弁であるバルブを設けてもよい。主に不活性ガス供給機構１６２により不活性ガス供給系（不活性ガス供給部）が構成される。不活性ガス供給系は、不活性ガス供給源を更に含むものと考えることもできる。

不活性ガスとしては、例えば、 窒素（Ｎ_２）ガスや、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いることができる。不活性ガスとしては、これらのうち１以上を用いることができる。この点は、後述する他の不活性ガスにおいても同様である。

乾燥空気供給機構１６３は、乾燥空気供給源に接続された供給管１６３ａと、供給管１６３ａ上に設けられたＭＦＣ１６３ｂとにより構成されている。供給管１６３ａ上であってＭＦＣ１６３ａの下流には、更に開閉弁であるバルブを設けてもよい。主に乾燥空気供給機構１６３により乾燥空気供給系（乾燥空気供給部）が構成される。乾燥空気供給系は、乾燥空気供給源を更に含むものと考えることもできる。

乾燥空気は、空気（大気）から水分を除去することにより得られる、空気よりも水分濃度の低いガスである。乾燥空気は、水分濃度が例えば１０００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下であることが望ましい。また、乾燥空気は、水分以外の組成は空気と略同一であるガスであることが望ましい。なお、ここで乾燥空気と水分濃度に関して比較される空気とは、主に空気供給機構１５８から取り込まれる空気を意味しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。

また、乾燥空気供給源は、水分除去装置を含み、水分除去装置に取り込まれた空気から水分を除去することにより得られたガスを乾燥空気として供給管１６３ａに供給するようにしてもよい。また、乾燥空気供給源は、乾燥空気が貯留されたボンベやアンプル等により構成してもよい。

空気供給機構１５８は、大気側に連通する筐体１８０の開口に設けられたインテークダンパ１５８ａにより構成されている。主に空気供給機構１５８により空気供給系（空気供給部）が構成される。

なお、不活性ガス及び乾燥空気は、いずれも空気よりも水分濃度の低いガスである。不活性ガス及び乾燥空気は、以下、「乾燥ガス（ドライガス）」と総称されることがある。

（排気系）
筐体１８０には、第１搬送室１２内のガス（雰囲気）を排気する排気系（排気部）を構成する排気路１５２及び圧力制御機構１５０が設けられている。圧力制御機構１５０は、調整ダンパ１５４および排気ダンパ１５６の開閉を制御することで、第１搬送室１２内を任意の圧力に制御することが可能なように構成されている。圧力制御機構１５０は、第１搬送室１２内を所定の圧力に保持するように構成された調整ダンパ１５４と、排気路１５２を全開または全閉にするように構成された排気ダンパ１５６とにより構成される。このような構成により、第１搬送室１２内の圧力制御を行うことができる。調整ダンパ１５４は、第１搬送室１２内の圧力が所定の圧力より高くなると開くように構成されたオートダンパ（背圧弁）１５１と、オートダンパ１５１の開閉を制御するように構成されたプレスダンパ１５３とにより構成される。圧力制御機構１５０の下流側の排気路１５２は、ブロアや排気ポンプ等の排気装置に接続されている。排気装置は、例えば基板処理装置が設置される施設の設備であってもよく、基板処理装置を構成するものであってもよい。また、排気装置を排気系（排気部）の一部と見做すこともできる。

（ガス循環構造）
第１搬送室１２内には、基板が搬送される空間である搬送空間１７５と、搬送空間１７５の一端に設けられた吸出口である開口１６４と、その他端に設けられた送出口である開口１６５と、開口１６４及び開口１６５を接続する循環路を構成する循環ダクト１６８及び上部空間（バッファ空間、バッファ部）１６７と、循環路上又はその端部に設けられ、第１搬送室１２内（循環路及び搬送空間１７５内）のガス（雰囲気）を送出口から吸出口に向かう方向に循環させるファン１７１と、が設けられている。第１搬送室１２内に導入されたパージガスは、これらの構成により、搬送空間１７５を含む第１搬送室１２内で循環する。

（搬送空間）
搬送空間１７５は、その内部に第１ロボット３０が設けられ、開口部１３４及び開口部１０２を介して、それぞれポッド２７－１～２７－３及びロードロック室１４と連通可能に構成されている。第１ロボット３０の水平移動アームの直下には、パージガスの流れを整える整流板としての多孔板１７４が設置される。多孔板１７４は複数の孔を有し、例えば、パンチングパネルで形成される。搬送空間１７５は、多孔板１７４を挟んで上側の第一の空間と下側の第二の空間とに区画される。

（循環路）
搬送空間１７５の下部（例えば搬送空間１７５の底部付近）には、搬送空間１７５内を流れたパージガスを吸い出して循環させるための開口１６４が第１ロボット３０を挟んで左右にそれぞれ１つずつ配置されている。また、搬送空間１７５の上部（例えば搬送空間１７５の天井部）には、搬送空間１７５内へパージガスを送出して循環させるための開口１６５が第１ロボット３０を挟んで左右にそれぞれ１つずつ配置されている。

開口１６５を介した搬送空間１７５の上部には、パージガス供給系及び排気系が接続されるバッファ空間（バッファ部）である上部空間１６７が配置されている。

搬送空間１７５の下部に配置された開口１６４と上部空間１６７は、循環ダクト１６８により接続されている。循環ダクト１６８も第１ロボット３０を挟んで左右にそれぞれ配置されている。

上部空間１６７と循環ダクト１６８により循環路が構成されている。すなわち、第１搬送室１２内に供給されたパージガスは、搬送空間１７５と、循環路である循環ダクト１６８及び上部空間１６７を巡るように循環する。

（クリーンユニット）
搬送空間１７５の天井部の開口１６５にはそれぞれ、上部空間１６７内のパージガス（雰囲気）を搬送空間１７５内に送出する第１のファン（送風機）としてのファン１７１が設けられている。換言すると、ファン１７１は、循環路上又はその端部に設けられている。また、ファン１７１の下面側には、送出されるパージガス中の塵や不純物を取り除くためのフィルタとしてのフィルタユニット１７０が設けられている。ファン１７１とフィルタユニット１７０により、クリーンユニット１６６が構成されている。フィルタユニット１７０は、通過するガス中の水分を捕集して除去する水分除去フィルタを含んでいてもよい。水分除去フィルタは、例えば水分を吸着するケミカルフィルタにより構成することができる。

ここで、第１搬送室１２内のパージガスの流れについて説明する。まず、流量制御されたパージガスが、パージガス供給系から上部空間１６７内に導入される。上部空間１６７内のパージガスは、クリーンユニット１６６（ファン１７１）によって搬送空間１７５の天井部から搬送空間１７５内に送出され、搬送空間１７５内に、開口１６５から開口１６４に向かう方向のダウンフローを形成する。搬送空間１７５の下方に流れたパージガスは、開口１６４から循環ダクト１６８を介して、再び上部空間１６７内へと戻される。このようにして、第１搬送室１２内のパージガスを循環させる流路が構成されている。

ファン１７１は、後述するコントローラ１２１からの指示に応じて、最大回転速度である１００％から０％（回転停止）までの間で、所望の回転速度（回転数）となるように制御可能に構成されている。例えば、ＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を介して無段階に制御されるように構成されていてもよい。

なお、循環ダクト１６８のコンダクタンスが小さい場合、左右の開口１６４に、パージガスの循環を促す第２のファン（送風機）としてのファン１７８を設置しても良い。この場合、制御の容易性の観点からは、ファン１７８の回転数は一定として、ファン１７１の回転数を後述のように可変制御することが望ましい。ただし、ファン１７１とファン１７８の両者の回転数を可変制御することを妨げるものではない。

（メンテナンス扉）
ロードポートユニット２９－１～２９－３及び第１ロボット３０を挟んだ第１搬送室１２の両側面にはそれぞれ、第１搬送室１２内をメンテナンスするために用いられる開口部であるメンテナンス開口を閉塞するように構成された扉（開閉部）としてのメンテナンス扉１９０が設けられている。メンテナンス扉１９０はそれぞれ、基板処理装置１０の正面側の鉛直方向に延びる一辺を回転軸として第１搬送室１２の側面に取り付けられている。基板処理装置の保守等を行う作業者は、メンテナンス扉１９０を介して第１搬送室１２内へアクセスし、内部の保守等を行う。

（酸素濃度センサ）
第１搬送室１２内には、第１搬送室１２内の酸素濃度を検出する酸素濃度センサとしての酸素濃度検出器１６０が設けられている。本実施形態では、酸素濃度検出器１６０を、上部空間１６７内であって、パージガス供給系の直下に配置している。ただし、酸素濃度検出器１６０は、搬送空間１７５内や循環ダクト１６８内、排気路１５２内、等に配置してもよく、また、複数の酸素濃度検出器１６０を配置してもよい。例えば搬送空間１７５内の異なる位置に複数の酸素濃度検出器１６０を配置することにより、搬送空間１７５内の酸素濃度の偏りを検出することができる。搬送空間１７５内の酸素濃度の偏りを検出した場合、後述するように、酸素濃度の偏りが小さくなるように、ファン１７１の回転数を大きくするように制御することができる。

（水分濃度センサ）
第１搬送室１２内には、第１搬送室１２内の水分濃度を検出する水分濃度センサとしての水分濃度検出器１６１が設けられている。本実施形態では、水分濃度検出器１６１を、上部空間１６７内であって、排気路１５２の近傍に配置している。ただし、水分濃度検出器１６１は、搬送空間１７５内や循環ダクト１６８内、等に配置してもよく、また、複数の水分濃度検出器１６１を配置してもよい。例えば搬送空間１７５内の異なる位置に複数の水分濃度検出器１６１を配置することにより、搬送空間１７５内の水分濃度の偏りを検出することができる。搬送空間１７５内の水分濃度の偏りを検出した場合、後述するように、水分濃度の偏りが小さくなるように、ファン１７１の回転数を大きくするように制御することができる。また、水分濃度検出器１６１は、水分濃度（絶対湿度）を検出する水分濃度検出器の他、露点温度を測定する露点計、相対湿度を測定する相対湿度計、等で構成されていてもよい。すなわち、水分濃度検出器１６１から取得される水分濃度を示す指標としては、絶対湿度、相対湿度、露点温度の少なくとも何れかを用いることができる。

基板処理装置１０は、図４に示すように、制御部としてのコントローラ１２１を備えている。このコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１Ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１Ｂ、記憶装置１２１Ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１Ｄを備えたコンピュータとして構成されている。

ＲＡＭ１２１Ｂ、記憶装置１２１Ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１Ｄは、内部バス１２１Ｅを介して、ＣＰＵ１２１Ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１Ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１Ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順を、コンピュータとして構成されているコントローラ１２１によって基板処理装置に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１Ｂは、ＣＰＵ１２１Ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１Ｄは、ファン１７１、第１ロボット３０、第２ロボット７０、駆動装置５０、ゲートバルブ２４、ゲートバルブ２８、ゲートバルブ１０４、バルブ４３，４５、真空ポンプ４６、基板移動部８４、第１ヒータ９４、第２ヒータ９８等に接続されている。

ＣＰＵ１２１Ａは、記憶装置１２１Ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１Ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１Ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、第１ロボット３０、第２ロボット７０、駆動装置５０及び基板移動部８４による基板１００の搬送動作、ＭＦＣ１６２ｂ，１６３ｂ及びインテークダンパ１５８ａによるパージガスの流量調整動作、調整ダンパ１５４及び排気ダンパ１５６の開閉動作、ファン１７１による送風量調整動作、オープナ１３５、ゲートバルブ２４、ゲートバルブ２８及びゲートバルブ１０４の開閉動作、バルブ４５及び真空ポンプ４６による流量・圧力調節動作、第１ヒータ９４及び第２ヒータ９８による温度調整動作等を制御することが可能なように構成されている。

コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１Ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１Ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

（２）基板処理工程
次に、基板処理装置１０を用いた半導体装置の製造方法、すなわち、基板１００の処理工程（手順）について説明する。なお、基板処理装置１０の各構成部は上記のようにコントローラ１２１によって制御される。

まず、オープナ１３５により、ポッド２７－１～２７－３の蓋が開かれる。その後、第１ロボット３０によって、ポッド２７－１～２７－３に収納されている基板１００を、第１搬送室１２内に搬出する。

この際、第１搬送室１２内には、パージガス供給系から供給されるパージガスが導入されており、ファン１７１によって第１搬送室１２内のパージガスが循環することにより、第１搬送室１２内がパージされている。ここで、パージガスによって形成される第１搬送室１２（特に搬送空間１７５）内の雰囲気は、搬送される基板１００の状態や処理室１８で行われる処理の内容によって、求められる酸素濃度や水分濃度、雰囲気を形成するガスの種類等が異なる。本実施形態では、後述するように、パージガスとして、不活性ガス、乾燥空気、及び空気のうち、少なくとも何れかを第１搬送室１２内に供給することで、第１搬送室１２内を所望の雰囲気とする。

次に、ガス供給管から不活性ガスをロードロック室１４内へ供給する。このようにして、ロードロック室１４内を大気圧化した後、ゲートバルブ１０４を開放する。

次に、第１ロボット３０によって、第１搬送室１２内に搬入された基板１００をロードロック室１４内に搬送し、ボート３２上に基板１００を載置する。

ボート３２が所定枚数の基板１００を支持した後、ゲートバルブ１０４を閉塞し、排気管４４のバルブ４５を開き真空ポンプ４６によって、ロードロック室１４内を排気する。このようにして、ロードロック室１４内を真空圧化する。なお、このとき、第２搬送室１６及び処理室１８は真空圧化している。

次に、基板１００をロードロック室１４から処理室１８へ搬送する。具体的には、まず、ゲートバルブ２４を開く。このとき、駆動装置５０は、ボート３２に支持された基板１００が第２ロボット７０で取り出せるようにボート３２を昇降させる。更に駆動装置５０は、ボート３２の基板取り出し口が第２搬送室１６側を向くように、このボート３２を回転させる。

第２ロボット７０は、アーム部７６のフィンガ７８に基板１００を載置し、基板１００を処理室１８内へ搬入する。処理室１８において、フィンガ７８に載置された基板１００は、第１処理部８０の第１載置台９２に載置される、又は、第１処理部８０側で待機する移動部材８６に受け渡される。移動部材８６は、基板１００を受け取った後、第２処理部８２側へ回転して第２載置台９６にこの基板１００を載置する。

そして、処理室１８において、基板１００に例えばアッシング処理等の所定の処理を行う。これらの所定の処理において、ヒータにより加熱されたり、処理によって生じる反応熱などにより加熱されたりすることで、基板１００の温度は上昇する。

次に、処理後の基板１００を処理室１８からロードロック室１４へ搬送する。処理室１８からロードロック室１４への基板１００の搬入は、基板１００を処理室１８に搬入させた動作とは逆の手順で行われる。このとき、ロードロック室１４内は真空状態が維持されている。

ロードロック室１４へ処理済みの基板１００が搬入され、ボート３２に基板１００が支持されると、ゲートバルブ２４を閉塞し、ガス供給管から不活性ガスをロードロック室１４内へ供給して、ロードロック室１４内を大気圧化する。

次に、コントローラ１２１は、駆動装置５０を制御して、ボート３２の基板取り出し口が第１搬送室１２側を向くように、このボート３２を回転させた後、ゲートバルブ１０４を開き、第１ロボット３０を用いて第１搬送室１２に基板１００を搬出する。

次に、オープナ１３５により、ポッド２７－１～２７－３の蓋がそれぞれ開かれる。その後、第１ロボット３０によって、ロードロック室１４から搬出され、第１搬送室１２内を搬送された基板１００を、ポッド２７－１～２７－３内に搬入する。このようにして、基板１００の搬送動作を完了する。

（３）第１搬送室内のパージ制御
本実施形態に係る基板処理装置１０は、第１搬送室１２（特に搬送空間１７５）内の雰囲気及びパージ状態（パージガスの供給／排気流量（速度）、循環流量（速度）、等）を異ならせるように、複数のパージモード（パージ状態）を備え、状況に応じてこれらのパージモードを切り替えるように構成されている。

なお、これらのパージモードの切り替えは、例えば、ポッド２７－１～２７－３に収納されている基板１００を第１搬送室１２内へ搬入する前や、第１搬送室１２内からポッド２７－１～２７－３に基板１００を収納（搬出）した後に実行される。

また、これらのパージモードの切り替えは、例えば、プログラムや入出力装置１２２から入力される指示などに応じて、コントローラ１２１を構成するＲＡＭ１２１Ｂ等に確保された、基板処理装置１０がいずれのパージモードであるかを保持するメモリ空間内の情報（フラグ）が変更されることで行われる。このメモリ空間内の情報に基づいて、コントローラ１２１から基板処理装置１０へ、各パージモードの実行が指示される。

以下、複数のパージモードの例を説明する。
（Ａ：不活性ガスパージモード）
不活性ガスパージモードでは、不活性ガス供給機構１６２から第１搬送室１２内へ不活性ガスを供給し、搬送空間１７５内を不活性ガスによりパージする。具体的には、ＭＦＣ１６２ｂを開き、不活性ガスを上部空間１６７内へ供給するとともに、ファン１７１を動作（回転）させて、第１搬送室１２内において不活性ガスを循環させる。また、同時に圧力制御機構１５０の調整ダンパ１５４及び排気ダンパ１５６の開閉及び開度を調整して、第１搬送室１２内の雰囲気（ガス）の排出を行う。これにより、第１搬送室１２内は不活性ガスによりパージされ、本パージモード前における第１搬送室１２内の雰囲気は、導入された不活性ガスにより置換される。

ここで、例えば、本パージモードの前において、第１搬送室１２内が空気によってパージされていた場合、不活性ガスにより第１搬送室１２内をパージすることにより、第１搬送室１２内における酸素濃度及び水分濃度を低下させることができる。
同様に、例えば、本パージモードの前において、第１搬送室１２内が乾燥空気によってパージされていた場合、不活性ガスにより第１搬送室１２内をパージすることにより、第１搬送室１２内における酸素濃度を低下させることができる。

なお、搬送空間１７５内に存在する酸素や水分は、基板１００の表面と反応して酸化を生じさせることがあるが、そのような酸化の発生が望ましくない場合がある。本パージモードでは、搬送空間１７５内の酸素濃度及び水分濃度を低下させることにより、これらの望まない酸化の発生を抑制することができる。

（Ｂ：乾燥空気パージモード）
本パージモードでは、乾燥空気供給機構１６３から第１搬送室１２内へ乾燥空気を供給し、搬送空間１７５内を乾燥空気によりパージする。具体的には、ＭＦＣ１６３ｂを開き、乾燥空気を上部空間１６７内へ供給するとともに、ファン１７１を動作（回転）させて、第１搬送室１２内において乾燥空気を循環させる。また、同時に、不活性ガスパージモードと同様に、第１搬送室１２内の雰囲気（ガス）の排出を行う。これにより、第１搬送室１２内は乾燥空気によりパージされ、本パージモード前における第１搬送室１２内の雰囲気は、導入された乾燥空気により置換される。

ここで、例えば、本パージモードの前において、第１搬送室１２内が空気によってパージされていた場合、乾燥空気により第１搬送室１２内をパージすることにより、第１搬送室１２内における水分濃度を低下させることができる。

なお、乾燥空気は、乾燥空気中の水分濃度が十分に低い場合、不活性ガスに比べて、第１搬送室１２内に存在する水分を除去する効率（能力）が高い場合がある。そのような場合、第１搬送室１２内の水分を除去するため、不活性ガスパージモードよりも優先して乾燥空気パージモードが適用されることが望ましい。

（Ｃ：空気パージモード）
本パージモードでは、空気供給機構１５８から第１搬送室１２内へ空気を取り込み、搬送空間１７５内を空気によりパージする。具体的には、インテークダンパ１５８ａを開き、空気を上部空間１６７内へ取り込むとともに、ファン１７１を動作（回転）させて、第１搬送室１２内において空気を循環させる。また、同時に、不活性ガスパージモードと同様に、第１搬送室１２内の雰囲気（ガス）の排出を行う。これにより、第１搬送室１２内は空気によりパージされ、本パージモードの前における第１搬送室１２内の雰囲気は、取り込まれた空気により置換される。

ここで、空気により第１搬送室１２内をパージする場合は、搬送空間１７５内において発生するパーティクルや、基板１００等から発生するアウトガス等の不純物を、空気を循環させることにより搬送空間１７５内から排除するとともに、フィルタユニット１７０によって捕集を行うこと、及び／又は、排気路１５２から排出することを主な目的としている。搬送空間１７５内の酸素濃度や水分濃度が、不活性ガスや乾燥空気を用いずとも、許容値以下である場合には、コスト等の観点から本パージモードが適用されることが望ましい場合がある。

なお、不活性ガスパージモード及び乾燥空気パージモードは、以下、「乾燥ガスパージモード（ドライガスパージモード）」と総称されることがある。

（ファンの回転速度制御）
ここで、上述の複数のパージモードが実行される際には、基板処理装置が各パージモードのいずれかの状態であるかに応じて、回転速度（回転数）が異なるようにファン１７１が制御される。

本実施形態では、乾燥空気パージモードおける回転速度は、空気パージモードにおけるファン１７１の回転速度よりも大きい。同様に、不活性ガスパージモードおける回転速度は、空気パージモードにおけるファン１７１の回転速度よりも大きい。ファン１７１の最大回転速度を１００％とした場合、例えば、空気パージモード時の回転速度を３０％以上６０％未満、乾燥空気パージモード及び不活性ガスパージモード時の回転速度をそれぞれ６０％以上９０％未満となるように、ファン１７１の回転速度が設定される。

乾燥空気パージモードにおけるファン１７１の回転速度を、空気パージモードにおけるものよりも大きくすることにより、第１搬送室１２内における水分濃度をより速やかに、且つ第１搬送室１２内で均一に低下させることができる。すなわち、第１搬送室１２内で水分濃度が局所的に上昇することを抑制し、搬送室内全体において低い値が安定的に維持されるようにすることができる。

また、同様に、不活性ガスパージモードにおけるファン１７１の回転速度を、空気パージモードにおけるものよりも大きくすることにより、第１搬送室１２内における酸素濃度及び水分濃度の少なくとも一方をより速やかに、且つ第１搬送室１２内で均一に低下させることができる。すなわち、酸素濃度及び水分濃度の少なくとも一方が、第１搬送室１２内で局所的に上昇することを抑制し、搬送室内全体において低い値が安定的に維持されるようにすることができる。

ここで、空気を第１パージガス、乾燥空気を第２パージガスとした場合、空気供給系は第１パージガス供給系、乾燥空気供給系は第２パージガス供給系、空気パージモードは第１パージモード、乾燥空気モードは第２パージモードと称することができる。同様に、空気を第１パージガス、不活性ガスを第２パージガスとした場合、空気供給系は第１パージガス供給系、不活性ガス供給系は第２パージガス供給系、空気パージモードは第１パージモード、不活性ガスパージモードは第２パージモードと称することができる。

（酸素濃度センサを用いた制御）
不活性ガスパージモードにおいては、酸素濃度センサとしての酸素濃度検出器１６０で検出された値（酸素濃度値）に基づいて、不活性ガスパージ供給系から第１搬送室１２内に供給される不活性ガスの流量が制御される。具体的には、酸素濃度検出器１６０で検出された酸素濃度値が、所定の値（例えば第１搬送室１２内で搬送される基板１００に対して許容される酸素濃度値）もしくは所定の値以下となるように、ＭＦＣ１６２ｂの開度が制御される。例えば、検出された酸素濃度値が所定の値よりも大きい場合における不活性ガスの流量が、検出された酸素濃度値が所定の値以下である場合における不活性ガスの流量よりも大きくなるように、検出される酸素濃度値に対するＭＦＣ１６２ｂの開度が設定される。

検出される酸素濃度値に基づいて第１搬送室１２内へ供給される不活性ガスの流量を制御することによって、第１搬送室１２内における酸素濃度を所望の値となるように調整することができる。

さらに、不活性ガスパージモードにおいては、不活性ガス供給系から供給される不活性ガスの流量、またはその変化に応じて、ファン１７１の回転速度が制御される。具体的には、例えば不活性ガスの流量（すなわちＭＦＣ１６２ｂの開度）が増大するように変化した際、増大した不活性ガスの流量に応じて、または所定時間の間、回転速度を増大させるようにファン１７１を制御する。

このようにファン１７１の回転速度を制御することにより、不活性ガスの流量を変化させた際に（特に増大させるように変化させた際に）、搬送空間１７５内における酸素濃度の分布がより速く均一となるように（均一に低下するように）第１搬送室１２内の雰囲気を循環させることができる。

また、検出される酸素濃度値に基づいて、ファン１７１の回転速度を制御してもよい。具体的には、例えば、検出された酸素濃度値が所定の値よりも大きい場合における回転速度が、検出された酸素濃度値が所定の値以下である場合における回転速度よりも大きくなるように、検出される酸素濃度値に対するファン１７１の回転速度が設定される。このようにファン１７１の回転速度を制御することによっても、不活性ガスの流量に基づく制御と同様の効果を得ることができる。

（水分濃度センサを用いた制御）
乾燥空気パージモード又は不活性ガスパージモードの少なくとも何れか（以下、総称して「乾燥ガスパージモード」と称することがある）においては、水分濃度センサとしての水分濃度検出器１６１で検出された値（水分濃度値）に基づいて、乾燥空気供給系又は不活性ガスパージ供給系（以下、総称して「乾燥ガス供給系」と称することがある）から第１搬送室１２内に供給される乾燥空気又は不活性ガス（すなわち乾燥ガス）の流量が制御される。

具体的には、乾燥空気パージモードにおいては、水分濃度検出器１６１で検出された水分濃度値が、所定の値（例えば第１搬送室１２内で搬送される基板１００に対して許容される水分濃度値）もしくは所定の値以下となるように、ＭＦＣ１６３ｂの開度が制御される。例えば、検出された水分濃度値が所定の値よりも大きい場合における乾燥空気の流量が、検出された水分濃度値が所定の値以下である場合における乾燥空気の流量よりも大きくなるように、検出される水分濃度値に対するＭＦＣ１６３ｂの開度が設定される。また、不活性ガスパージモードにおいても、同様に、ＭＦＣ１６２ｂの開度が制御される。

検出される水分濃度値に基づいて第１搬送室１２内へ供給される乾燥ガス（乾燥空気又は不活性ガス）の流量を制御することによって、第１搬送室１２内における水分濃度を所望の値となるように調整することができる。

さらに、乾燥ガスパージモードにおいては、乾燥ガス供給系から供給されるパージガスの流量、またはその変化に応じて、ファン１７１の回転速度が制御される。具体的には、例えば乾燥ガスの流量（すなわちＭＦＣ１６２ｂ又はＭＦＣ１６３ｂの開度）が増大するように変化した際、増大した乾燥ガスの流量に応じて、または所定時間の間、回転速度を増大させるようにファン１７１を制御する。

このようにファン１７１の回転速度を制御することにより、乾燥ガスの流量を変化させた際に（特に増大させるように変化させた際に）、搬送空間１７５内における水分濃度の分布がより速く均一となるように（均一に低下するように）第１搬送室１２内の雰囲気を循環させることができる。

また、検出される水分濃度値に基づいて、ファン１７１の回転速度を制御してもよい。具体的には、例えば、検出された水分濃度値が所定の値よりも大きい場合における回転速度が、検出された水分濃度値が所定の値以下である場合における回転速度よりも大きくなるように、検出される水分濃度値に対するファン１７１の回転速度が設定される。このようにファン１７１の回転速度を制御することによっても、乾燥ガスの流量に基づく制御と同様の効果を得ることができる。

さらに、乾燥空気パージモードにおいて、水分濃度検出器１６１で検出された水分濃度値に加えて、酸素濃度検出器１６０で検出された酸素濃度値を含む検出値に基づいて、乾燥空気ガスパージモードから不活性ガスパージモードへ状態を切り替えるように制御を行ってもよい。具体的には、乾燥空気パージモードにおいて、検出された酸素濃度値が所定の値を超えた場合、不活性ガスパージモードに切り替えて、第１搬送室１２内に不活性ガスを供給する。また、不活性ガスパージモードを行うことにより、検出された酸素濃度値が所定の値（又はそれ未満の閾値）未満となった場合、再び乾燥空気パージモードへ状態を切り替えるようにしてもよい。このようにパージモードを切り替えることにより、第１搬送室１２内の酸素濃度値が所定の値を超えないように調整することができる。

また、基板処理装置１０は、上述したパージモード（Ａ，Ｂ，Ｃ）に加えて、またはそれらと組み合わせて、以下のパージモードを実行可能に構成されてもよい。

（Ｄ：水分濃度低減パージモード）
第１搬送室１２内の酸素濃度及び水分濃度を低減させるために、乾燥空気パージモードで乾燥空気によるパージを行った後に、不活性ガスパージモードに移行して不活性ガスによるパージを行う。このパージモードの手順を合わせて「水分濃度低減パージモード」と称することもできる。

水分濃度低減パージモードでは、先に乾燥空気パージモードを実行することにより、第１搬送室１２内の水分濃度を低下させる。その後、不活性ガスパージモードを実行させることにより、第１搬送室１２内の酸素濃度を低下させるとともに、先の乾燥空気パージモードにおいて低下した水分濃度を低い値で維持することができる。

パージガスによって第１搬送室１２内に残留した水分を除去して水分濃度を許容の値まで低減させるために必要な時間は、第１搬送室１２内の酸素濃度を許容の値まで低減させるのに必要な時間よりも長い場合がある。このような場合、先に乾燥空気を用いて水分濃度を十分に低減させた後に不活性ガスを用いることで、不活性ガスの使用量を低減させることができる。また、不活性ガスに比べて乾燥空気の方が水分除去の作用が大きい場合、水分濃度を許容の値まで低減させるのに必要な時間を短縮することもできる。

なお、水分濃度低減パージモードの手順では、乾燥空気パージモードの全期間と、不活性ガスパージモードの少なくとも一部の期間（例えば第１搬送室１２内の酸素濃度が許容される値となるまでの期間）は、ポッド２７－１～２７－３に収納されている基板１００を第１搬送室１２内へ搬入する前の期間において行われる。また、その後の不活性ガスパージモードの期間（例えば第１搬送室１２内の酸素濃度及び水分濃度が許容される値となった後の期間）において、第１搬送室１２内での基板１００の搬送が行われる。

また、水分濃度低減パージモードの手順を行う場合、乾燥空気パージモードおける回転速度は、不活性ガスパージモードにおけるファン１７１の回転速度よりも大きい。例えば、乾燥空気パージモード時の回転速度を８０％以上９０％未満、不活性ガスパージモード時の回転速度を６０％以上８０％未満となるように、ファン１７１の回転速度が設定される。

先に行う乾燥空気パージモードにおけるファン１７１の回転速度を不活性ガスパージモードにおけるものよりも大きくすることにより、第１搬送室１２内における水分濃度をより速やかに、且つ均一に低下させることができる。また、後に行う不活性ガスパージモードにおけるファン１７１の回転速度を、先に行う乾燥空気パージモードにおけるものよりも小さくすることにより、過度なパージガス流速による第１搬送室１２内におけるパーティクルの巻き上げなどの発生を抑制し、第１搬送室１２内において搬送される基板１００へのパーティクル等の付着を抑制することができる。

水分濃度低減パージモードにおいて、乾燥空気を第１パージガス、不活性ガスを第２パージガスとした場合、乾燥空気供給系は第１パージガス供給系、不活性ガス供給系は第２パージガス供給系、乾燥空気パージモードは第１パージモード、不活性ガスモードは第２パージモードと称することができる。

（Ｅ：メンテナンスパージモード）
作業者が第１搬送室１２内にアクセスするためにメンテナンス扉１９０を開放した際には、その時点におけるパージモードに拠らず、乾燥空気パージモード又は空気パージモードへとパージモードを強制的に移行させることが望ましい。（以下、強制移行後のパージモードを「メンテナンスパージモード」と総称することがある。）

不活性ガスパージモードの状態において、作業者がメンテナンス扉１９０を開放した場合、第１搬送室１２内は酸素濃度が低減された不活性ガス雰囲気となっている。そのため、開放後も不活性ガスパージモードが継続された場合、酸素濃度が低下した雰囲気によって、第１搬送室１２内における作業者の安全な作業が妨げられる可能性がある。

そのため、本実施形態では、図５に示すように、メンテナンス扉１９０の開放有無を監視し（Ｓ１１）、メンテナンス扉１９０が開放された状態となった場合、その時点におけるパージモードに拠らず、メンテナンスパージモードとしての乾燥空気パージモード又は空気パージモードへと、パージモードを移行させる（Ｓ１２）。メンテナンスパージモードでは、メンテナンス中における第１搬送室１２内の水分濃度の上昇を抑制するという観点から、乾燥空気パージモードが実行されることが望ましい。

メンテナンス扉１９０が開放されている間（すなわち、メンテナンスパージモードである間）は、不活性ガスパージモードへの移行が禁止されるとともに、第１搬送室１２内への不活性ガスの供給が停止されるように不活性ガス供給系が制御される。例えば、メンテナンス扉１９０は開放の有無を検知するセンサを備え、当該センサの検知結果をコントローラ１２１で取得することで開放有無の監視を行うことができる。

また、メンテナンス扉１９０が開放された状態（すなわちメンテナンスパージモード）におけるファン１７１の回転速度が、閉じられた状態における回転速度よりも大きくなるようにファン１７１は制御される。ファン１７１の回転速度を大きくすることで、第１搬送室１２内へのパーティクル等の侵入防止を促進するとともに、第１搬送室１２内が不活性ガスにより満たされていた場合には、速やかに雰囲気を乾燥空気等に置換することで、作業者の安全をより高めることができる。なお、メンテナンス扉１９０が開放された状態（すなわちメンテナンスパージモード）におけるファン１７１の回転速度は、他のいずれのパージモードにおけるものよりも大きいことがより望ましい。例えば、メンテナンスパージモード時の回転速度は９０％以上とし、モード移行前の不活性ガスパージモード時の回転速度を６０％以上９０％未満となるように、ファン１７１の回転速度が設定される。

なお、メンテナンスパージモードに関して、不活性ガスを第１パージガス、乾燥空気を第２パージガスとした場合、不活性ガス供給系は第１パージガス供給系、乾燥空気供給系は第２パージガス供給系、不活性ガスパージモードは第１パージモード、乾燥空気モードは第２パージモードと称することができる。

＜本開示の他の実施形態＞
上述した実施形態では、基板処理装置１０がアニール装置である場合を例に挙げた。しかし、本開示の基板処理装置は、アニール装置に限定されない。すなわち、本開示は、処理室内での処理内容によらず、処理室において基板の昇温が生じる基板処理装置に適用することが可能である。基板処理装置としては、例えば、成膜処理、エッチング処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、又はアッシング処理等の他の処理を行う装置が挙げられる。

また、上述した実施形態では、搬送対象物である基板が基板１００である場合を例に挙げた。しかし、搬送対象物である基板は、基板１００に限定されない。すなわち、本開示において搬送対象物となる基板は、フォトマスク、プリント配線基板、又は液晶パネル等であってもよい。

以上のように、本開示は色々な形態で実施され得るので、本開示の技術的範囲が上述の実施形態に限定されることはない。例えば、上述した実施形態で説明した基板処理装置１０の構成（例えば処理室１８Ａ，１８Ｂ等の構成）は一具体例に過ぎず、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更可能であることはいうまでもない。

＜本開示の好ましい態様＞
以下、本開示の好ましい態様について付記する。

（付記１）
基板収納容器から搬出された基板が搬送される搬送空間を含む搬送室と、
第１パージガスを前記搬送室内に供給する第１パージガス供給系と、
前記第１パージガスとは異なる第２パージガスを前記搬送室内に供給する第２パージガス供給系と、
前記搬送室内の雰囲気を排出する排気系と、
前記搬送空間の一端と他端とを接続する循環路と、
前記循環路上又はその端部に設けられ、前記搬送室内の雰囲気を循環させるファンと、
前記第１パージガス供給系から前記第１パージガスを供給する第１パージモードと、前記第２パージガス供給系から前記第２パージガスを供給する第２パージモードとの何れの状態であるかに応じて、前記ファンの回転速度が異なるように前記ファンを制御可能に構成された制御部と、
を備える基板処理装置が提供される。

（付記２）
付記１記載の装置であって、
前記第１パージガスは空気であり、前記第２パージガスは前記空気よりも水分濃度が低い乾燥空気であり、
前記制御部は、前記第２パージモード（乾燥空気パージモード）における前記ファンの回転速度を、前記第１パージモード（空気パージモード）における前記ファンの回転速度よりも大きくするように、前記ファンを制御可能に構成されている。

（付記３）
付記１記載の装置であって、
前記第１パージガスは空気であり、前記第２パージガスは不活性ガスであり、
前記制御部は、前記第２パージモード（不活性ガスパージモード）における前記ファンの回転速度を、前記第１パージモード（空気パージモード）における前記ファンの回転速度よりも大きくするように、前記ファンを制御可能に構成されている。

（付記４）
付記１記載の装置であって、
前記第１パージガスは空気よりも水分濃度が低い乾燥空気であり、前記第２パージガスは不活性ガスであり、
前記制御部は、前記第１パージモード（乾燥空気パージモード）で前記第１パージガスの供給を行った後に、前記第２パージモード（不活性ガスパージモード）で第２パージガスの供給を行うように、前記第１パージガス供給系、前記第２パージガス供給系、及び前記ファンを制御可能に構成されている。

（付記５）
付記４記載の装置であって、
前記制御部は、前記第１パージモード（乾燥空気パージモード）における前記ファンの回転速度を、前記第２パージモード（不活性ガスパージモード）における前記ファンの回転速度よりも大きくするように、前記ファンを制御可能に構成されている。

（付記６）
付記１記載の装置であって、
前記第２パージガスは不活性ガスであり、
前記搬送室内又は前記排気系を構成する排気路上の少なくともいずれかには酸素濃度センサが設けられ、
前記制御部は、前記第２パージモード（不活性ガスパージモード）において、前記酸素濃度センサにより検出された値に基づいて、前記第２パージガス供給系から前記搬送室内に供給する前記不活性ガスの流量を制御可能に構成されている。

（付記７）
付記６記載の装置であって、
前記制御部は、前記第２パージモード（不活性ガスパージモード）において、前記酸素濃度センサにより検出された値が所定の値となるように、前記第２パージガス供給系から供給する前記不活性ガスの流量を制御可能に構成されている。

（付記８）
付記６又は７記載の装置であって、
前記制御部は、前記第２パージモード（不活性ガスパージモード）において、前記不活性ガスの流量に応じて前記ファンの回転速度を制御可能に構成されている。

（付記９）
付記６又は７記載の装置であって、
前記制御部は、前記第２パージモード（不活性ガスパージモード）において、前記酸素濃度センサにより検出された値に基づいて、前記ファンの回転速度を制御可能に構成されている。

（付記１０）
付記１記載の装置であって、
前記第１パージガスは空気であり、前記第２パージガスは前記空気よりも水分濃度が低い乾燥ガス（乾燥空気又は不活性ガス）であり、
前記搬送室内又は前記排気系を構成する排気路上の少なくともいずれかには水分濃度センサが設けられ、
前記制御部は、前記第２パージモード（乾燥ガスパージモード）において、前記水分濃度センサにより検出された値に基づいて、前記第２パージガス供給系から前記搬送室内に供給する前記乾燥ガスの流量を制御可能に構成されている。

（付記１１）
付記１０記載の装置であって、
前記制御部は、前記第２パージモード（乾燥ガスパージモード）において、前記水分濃度センサにより検出された値が所定の値となるように、前記第２パージガス供給系から供給する前記乾燥ガスの流量を制御可能に構成されている。

（付記１２）
付記１０又は１１記載の装置であって、
前記制御部は、前記第２パージモード（乾燥ガスパージモード）において、前記乾燥ガスの流量に応じて前記ファンの回転速度を制御可能に構成されている。

（付記１３）
付記１０又は１１記載の装置であって、
前記制御部は、前記第２パージモード（乾燥ガスパージモード）において、前記水分濃度センサにより検出された値に基づいて前記ファンの回転速度を制御可能に構成されている。

（付記１４）
付記１０記載の装置であって、
前記第１パージガスは不活性ガスであり、前記第２パージガスは乾燥空気であり、
前記搬送室内又は前記排気系を構成する排気路上の少なくともいずれかには酸素濃度センサが設けられ、
前記制御部は、前記第２パージモード（乾燥空気パージモード）において、前記酸素濃度センサにより検出された値が所定の値を超えた場合、前記第１パージモード（不活性ガスパージモード）に切り替えて、前記搬送室内に前記不活性ガスを供給するように前記第１パージガス供給系及び前記第２パージガス供給系を制御可能に構成されている。

（付記１５）
付記１記載の装置であって、
前記第１パージガスは不活性ガスであり、前記第２パージガスは空気よりも水分濃度が低い乾燥空気であり、
前記搬送室内と前記搬送室外とを連通させる開口に設けられた扉を更に備え、
前記制御部は、前記扉が開放された状態では、前記第２パージモード（メンテナンスパージモード）として、前記搬送室内に前記乾燥空気を供給するように、前記第２パージガス供給系を制御可能に構成されている。

（付記１６）
付記１５記載の装置であって、
前記制御部は、前記扉が開放された状態では、前記第１パージモードへの移行を禁止し、前記搬送室内への前記不活性ガスの供給を停止するように、前記第１パージガス供給系を制御可能に構成されている。

（付記１７）
付記１５又は１６記載の装置であって、
前記制御部は、前記扉が開放された状態における前記ファンの回転速度が、前記扉が閉じられた状態における前記ファンの回転速度よりも大きくなるように、前記ファンを制御可能に構成されている。

（付記１８）
（ａ）基板収納容器から搬出された基板を搬送室内において搬送する工程と、
（ｂ）第１パージガス又は前記第１パージガスとは異なる第２パージガスのいずれかを前記搬送室内へ供給しながら前記搬送室内の雰囲気を排出するとともに、前記搬送室内に設けられたファンにより前記搬送室内の雰囲気を循環させる工程と、
を有し、
（ｂ）では、前記第１パージガスを供給する第１パージモードと、前記第２パージガスを供給する第２パージモードとの何れの状態であるかに応じて、前記ファンの回転速度が異なるように前記ファンを制御する、半導体装置の製造方法又は基板処理方法が提供される。

（付記１９）
付記１８における各手順（各工程）をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

１０ 基板処理装置
１２ 第１搬送室
１００ 基板
１２１ コントローラ
１６８ 循環ダクト

Claims (5)

1. 基板収納容器から搬出された基板が搬送される搬送空間を含む搬送室と、
   第１パージガスを前記搬送室内に供給する第１パージガス供給系と、
   前記第１パージガスとは異なる第２パージガスを前記搬送室内に供給する第２パージガス供給系と、
   前記搬送室内の雰囲気を排出する排気系と、
   前記搬送空間の一端と他端とを接続する循環路と、
   前記循環路上又はその端部に設けられ、前記搬送室内の雰囲気を循環させるファンと、
   前記第１パージガス供給系から前記第１パージガスを供給する第１パージモードと、前記第２パージガス供給系から前記第２パージガスを供給する第２パージモードとの何れの状態であるかに応じて、前記ファンの回転速度が異なるように前記ファンを制御可能に構成された制御部と、
   を備える基板処理装置。
2. 前記第１パージガスは空気であり、前記第２パージガスは前記空気よりも水分濃度が低い乾燥空気であり、
   前記第２パージモードにおける前記ファンの回転速度は、前記第１パージモードにおける前記ファンの回転速度よりも大きい、請求項１に記載の基板処理装置。
3. （ａ）基板収納容器から搬出された基板を搬送室内において搬送する工程と、
   （ｂ）第１パージガス又は前記第１パージガスとは異なる第２パージガスのいずれかを前記搬送室内へ供給しながら前記搬送室内の雰囲気を排出するとともに、前記搬送室内に設けられたファンにより前記搬送室内の雰囲気を循環させる工程と、
   を有し、
   （ｂ）では、前記第１パージガスを供給する第１パージモードと、前記第２パージガスを供給する第２パージモードとの何れの状態であるかに応じて、前記ファンの回転速度が異なるように前記ファンを制御する半導体装置の製造方法。
4. （ａ）基板収納容器から搬出された基板を搬送室内において搬送する工程と、
   （ｂ）第１パージガス又は前記第１パージガスとは異なる第２パージガスのいずれかを前記搬送室内へ供給しながら前記搬送室内の雰囲気を排出するとともに、前記搬送室内に設けられたファンにより前記搬送室内の雰囲気を循環させる工程と、
   を有し、
   （ｂ）では、前記第１パージガスを供給する第１パージモードと、前記第２パージガスを供給する第２パージモードとの何れの状態であるかに応じて、前記ファンの回転速度が異なるように前記ファンを制御する基板処理方法。
5. （ａ）基板収納容器から搬出された基板を基板処理装置の搬送室内において搬送する手順と、
   （ｂ）第１パージガス又は前記第１パージガスとは異なる第２パージガスのいずれかを前記搬送室内へ供給しながら前記搬送室内の雰囲気を排出するとともに、前記搬送室内に設けられたファンにより前記搬送室内の雰囲気を循環させる手順と、
   （ｂ）において、前記第１パージガスを供給する第１パージモードと、前記第２パージガスを供給する第２パージモードとの何れの状態であるかに応じて、前記ファンの回転速度が異なるように前記ファンを制御する手順と、
   をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。

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