JP2023041080A - 弾性波デバイスチップ、弾性波デバイス、その弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えたモジュールおよび弾性波デバイスチップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルタ特性を改善しつつ、小型化を図る弾性波デバイスチップ及びその製造方法を提供する。【解決手段】弾性波デバイスにおいて、弾性波デバイスチップ５は、圧電基板２０と、圧電基板の主面に形成された配線パターン５４と、圧電基板の主面に形成され、配線パターンと電気的に接続された複数の共振器Ｓ１－Ｒ～Ｓ４ーＲ、Ｐ１－Ｒ～Ｐ４～Ｒ、Ｓ１－Ｔ～Ｓ５ーＴ、Ｐ１－Ｔ～Ｐ４ーＴと、を有する。圧電基板２０には、凹凸パターンが形成されている。凹凸パターンは、第１圧電性部材２０ａと、第２圧電性部材２０ｂと、を有する。第１圧電性部材は、凹凸パターンの凸部の端面で主面の第１領域を形成している。第２圧電性部材は、第１圧電性部材の特性とは異なる特性を有し、凹凸パターンの凹部を埋め、主面の第１領域とは異なる第２領域を形成している。【選択図】図２

Description

本開示は、弾性波デバイスチップ、弾性波デバイス、その弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えたモジュールおよび弾性波デバイスチップの製造方法に関連する。

特許文献１は、弾性波デバイスを開示する。当該弾性波デバイスによれば、フィルタ特性を改善し得る。

国際公開第２０１３／１２８６３６号

しかしながら、特許文献１に記載の弾性波デバイスにおいては、複数の圧電基板を要する。このため、弾性波デバイスの小型化が困難である。

本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、フィルタ特性を改善しつつ、小型化を図ることができる弾性波デバイスチップ、弾性波デバイス、その弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えたモジュールおよび弾性波デバイスチップの製造方法を提供することである。

本開示に係る弾性波デバイスチップは、
圧電基板と、
前記圧電基板の主面に形成された配線パターンと、
前記圧電基板の前記主面に形成され、前記配線パターンと電気的に接続された複数の共振器と、
を備え、
前記圧電基板は、
凹凸パターンが形成され、前記凹凸パターンの凸部の端面で前記主面の第１領域を形成した第１圧電性部材と、
前記第１圧電性部材の特性とは異なる特性を有し、前記凹凸パターンの凹部を埋め、前記主面の第１領域とは異なる第２領域を形成した第２圧電性部材と、
を備えた弾性波デバイスチップとした。

前記凹凸パターンの前記凹部において前記第１圧電性部材と前記第２圧電性部材との間に配置された中間層、
を備えたことが、本開示の一形態とされる。

前記複数の共振器は、
受信フィルタの機能を有する複数の受信側共振器と、
送信フィルタの機能を有する複数の送信側共振器と、
を含み、
前記複数の送信側共振器の少なくとも１つは、前記第２圧電性部材に形成され、前記送信フィルタの通過帯域の高周波側の周波数特性を得ることが、本開示の一形態とされる。

前記複数の共振器は、
ラダー型フィルタの一部として前記第１圧電性部材に形成された複数の直列共振器と、
前記ラダー型フィルタの他部として前記第２圧電性部材に形成された複数の並列共振器と、
を含んだことが、本開示の一形態とされる。

サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成され、前記圧電基板に接合された支持基板、
を備えたことが、本発明の一形態とされる。

前記弾性波デバイスチップと、
前記弾性波デバイスチップと電気的に接続された配線基板と、
を備えた弾性波デバイスが、本発明の一形態とされる。

前記弾性波デバイスチップまたは前記弾性波デバイスを備えたモジュールが、本開示の一形態とされる。

本開示に係る弾性波デバイスチップの製造方法は、
第１ウエハの表面に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、
前記凹凸パターン形成工程の後、前記第１ウエハの特性とは異なる特性を有した第２圧電性部材を前記第１ウエハの表面の側に成膜する成膜工程と、
前記成膜工程の後、前記第１ウエハにおいて前記凹凸パターンの凸部が露出し、かつ前記凹凸パターンの凹部において前記第２圧電性部材が残存するように、前記第２圧電性部材の側から研磨する研磨工程と、
を含んだ弾性波デバイスの製造方法とした。

前記成膜工程は、パルスレーザーデポジション法で前記第２圧電性部材を成膜する工程であることが、本開示の一形態とされる。

前記凹凸パターン形成工程の後、六方晶系の元素を主成分とした中間層を前記第１ウエハの表面の側に成膜する中間層形成工程、
を含み、
前記成膜工程は、前記中間層形成工程の後、前記第２圧電性部材を前記第１ウエハの表面の側に成膜する工程であることが、本開示の一形態とされる。

前記研磨工程の後、前記第２圧電性部材が成膜されていない領域で前記第１ウエハを切断する切断工程、
を含んだことが、本開示の一形態とされる。

前記凹凸パターン形成工程は、
前記凹凸パターンの前記凹部の底部を洗浄する洗浄工程、
を含み、
前記成膜工程は、前記洗浄工程の後に行われることが、本開示の一形態とされる。

前記研磨工程の後において前記凹凸パターンの凸部の露出部と前記凹凸パターンの凹部における前記第２圧電性部材の残存部とで所望の周波数特性が得られるように、前記第１ウエハの厚みと前記凹凸パターンの凹部の深さとを決定して前記第１ウエハを形成する第１ウエハ形成工程、
を含み、
前記凹凸パターン形成工程は、前記第１ウエハ形成工程で形成された前記第１ウエハの表面に凹凸パターンを形成する工程であることが、本開示の一形態とされる。

本開示によれば、フィルタ特性を改善しつつ、小型化を図ることができる弾性波デバイスチップ、弾性波デバイス、その弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えたモジュールおよび弾性波デバイスチップの製造方法を提供することができる。

実施の形態１における弾性波デバイスチップが実装された弾性波デバイスの縦断面図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの平面図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの弾性波素子の例を示す図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの圧電基板のカット角を説明するための模式図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの圧電基板のカット角と周波数特性との関係を示す図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの第１例と比較例との周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの第１例と比較例との周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの第１例と比較例との周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの第１例と比較例との周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの第２例と比較例との周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの第２例と比較例との周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。 実施の形態１における弾性波デバイスチップの第２例と比較例との周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。 実施の形態２における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。 実施の形態３における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。 実施の形態４における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。 実施の形態５における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。 実施の形態６における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。 実施の形態７における弾性波デバイスチップが実装された弾性波デバイスを備えたモジュールの縦断面図である。

実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。

実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスチップが実装された弾性波デバイスの縦断面図である。

図１は、弾性波デバイス１として、デュプレクサの弾性表面波デバイスの例を示す。図１に示されるように、弾性波デバイス１は、配線基板３と複数のバンプ１５と弾性波デバイスチップ５と封止部１７とを備える。

例えば、配線基板３は、樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板３は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。

複数のバンプ１５は、配線基板３と電気的に接続される。例えば、バンプ１５は、金バンプである。例えば、バンプ１５の高さは、２０μｍから５０μｍである。複数のバンプ１５は、弾性波デバイスチップ５の主面（図１においては下面）の配線と電気的に接続される。

弾性波デバイスチップ５は、複数のバンプ１５を介して配線基板３とボンディングされることで電気的に接続される。例えば、弾性波デバイスチップ５は、圧電基板２０と支持基板２１と受信フィルタ２２と送信フィルタ２３とを備える。

例えば、圧電基板２０は、２つの第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂと２つの固定部材２０ｃとを備える。

例えば、２つの第１圧電性部材２０ａは、タンタル酸リチウムで形成される。図１において、第１圧電性部材２０ａの一方は、圧電基板２０の左側部に配置される。第１圧電性部材２０ａの他方は、圧電基板２０の右側部に配置される。第１圧電性部材２０ａの一方および他方は、圧電基板２０の主面の第１領域を形成する。

例えば、第２圧電性部材２０ｂは、タンタル酸リチウムで形成される。図１において、第２圧電性部材２０ｂは、圧電基板２０の中央部に配置される。第２圧電性部材２０ｂは、圧電基板２０の主面の第２領域を形成する。

例えば、２つの固定部材２０ｃは、エポキシ樹脂で形成される。図１において、固定部材２０ｃの一方は、圧電基板２０の主面の側から見た際に左側の第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとの間に配置される。固定部材２０ｃの一方は、左側の第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとを固定する。固定部材２０ｃの他方は、圧電基板２０の主面の側から見た際に右側の第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとの間に配置される。固定部材２０ｃの他方は、右側の第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとを固定する。

例えば、支持基板２１は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成される。支持基板２１は、圧電基板２０の主面とは反対側の面（図１においては上面）に接合される。

受信フィルタ２２は、圧電基板２０の主面に形成される。図１において、受信フィルタ２２は、左側の第１圧電性部材２０ａの第１領域に形成される。受信フィルタ２２は、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信フィルタ２２は、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

送信フィルタ２３は、圧電基板２０の主面に形成される。図１において、送信フィルタ２３は、右側の第１圧電性部材２０ａの第１領域と第２圧電性部材２０ｂの第２領域とにわたって形成される。送信フィルタ２３は、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信フィルタ２３は、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

封止部１７は、弾性波デバイスチップ５を覆うように形成される。封止部１７は、配線基板３とともに、弾性波デバイスチップ５を封止する。例えば、封止部１７は、合成樹脂等の絶縁体で形成される。例えば、封止部１７は、金属で形成される。例えば、封止部１７は、絶縁層と金属層とで形成される。

封止部１７が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミドなどである。好ましくは、封止部１７は、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。

次に、図２を用いて、弾性波デバイスチップ５の構成を説明する。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスチップの平面図である。

図２は、バンド２に対応した弾性波デバイスチップ５の例を示す。図２において、第１圧電性部材２０ａのカット角は、第１角度である。例えば、第１角度は、３６度以上であり４２度以下である。好ましくは、第１角度は、４２度である。

第２圧電性部材２０ｂの特性は、第１圧電性部材２０ａの特性とは異なる。第２圧電性部材２０ｂのカット角は、第１角度とは異なる第２角度である。例えば、第２角度は、４３度以上であり５６度以下である。好ましくは、第２角度は、４８度である。

弾性波デバイスチップ５は、配線パターン５４と複数の弾性波素子５２とを備える。配線パターン５４と複数の弾性波素子５２とは、圧電基板２０の主面に形成される。

例えば、配線パターン５４は、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金で形成される。例えば、配線パターン５４は、複数の金属層を積層してなる積層金属膜で形成される。例えば、配線パターン５４の厚みは、１５００ｎｍから４５００ｎｍである。

配線パターン５４は、アンテナ用バンプパッドＡｎｔと受信用バンプパッドＲｘと送信用バンプパッドＴｘと７つのグランドバンプパッドＧＮＤとを含む。

複数の弾性波素子５２は、複数の直列共振器Ｓ１－Ｒ、Ｓ２－Ｒ、Ｓ３－Ｒ、Ｓ４－Ｒと複数の並列共振器Ｐ１－Ｒ、Ｐ２－Ｒ、Ｐ３－Ｒ、Ｐ４－Ｒとを含む。複数の直列共振器Ｓ１－Ｒ、Ｓ２－Ｒ、Ｓ３－Ｒ、Ｓ４－Ｒと複数の並列共振器Ｐ１－Ｒ、Ｐ２－Ｒ、Ｐ３－Ｒ、Ｐ４－Ｒとは、配線パターン５４と電気的に接続される。アンテナ用バンプパッドＡｎｔと受信用バンプパッドＲｘとの間の配線パターン５４の経路上において、複数の直列共振器Ｓ１－Ｒ、Ｓ２－Ｒ、Ｓ３－Ｒ、Ｓ４－Ｒは、この順番でアンテナ用バンプパッドＡｎｔにより近くなるように配置される。アンテナ用バンプパッドＡｎｔと受信用バンプパッドＲｘとの間の配線パターン５４の経路上において、複数の並列共振器Ｐ１－Ｒ、Ｐ２－Ｒ、Ｐ３－Ｒ、Ｐ４－Ｒは、この順番でアンテナ用バンプパッドＡｎｔにより近くなるように配置される。複数の直列共振器Ｓ１－Ｒ、Ｓ２－Ｒ、Ｓ３－Ｒ、Ｓ４－Ｒと複数の並列共振器Ｐ１－Ｒ、Ｐ２－Ｒ、Ｐ３－Ｒ、Ｐ４－Ｒとは、複数の受信側共振器として、受信フィルタ２２の機能を有する。

複数の弾性波素子５２は、複数の直列共振器Ｓ１－Ｔ、Ｓ２－Ｔ、Ｓ３－Ｔ、Ｓ４－Ｔ、Ｓ５－Ｔと複数の並列共振器Ｐ１－Ｔ、Ｐ２－Ｔ、Ｐ３－Ｔ、Ｐ４－Ｔとを含む。複数の直列共振器Ｓ１－Ｔ、Ｓ２－Ｔ、Ｓ３－Ｔ、Ｓ４－Ｔ、Ｓ５－Ｔと複数の並列共振器Ｐ１－Ｔ、Ｐ２－Ｔ、Ｐ３－Ｔ、Ｐ４－Ｔとは、配線パターン５４と電気的に接続される。送信用バンプパッドＴｘとアンテナ用バンプパッドＡｎｔとの間の配線パターン５４の経路上において、複数の直列共振器Ｓ１－Ｔ、Ｓ２－Ｔ、Ｓ３－Ｔ、Ｓ４－Ｔ、Ｓ５－Ｔは、この順番で送信用バンプパッドＴｘにより近くなるように配置される。送信用バンプパッドＴｘとアンテナ用バンプパッドＡｎｔとの間の配線パターン５４の経路上において、複数の並列共振器Ｐ１－Ｔ、Ｐ２－Ｔ、Ｐ３－Ｔ、Ｐ４－Ｔは、この順番で送信用バンプパッドＴｘにより近くなるように配置される。複数の直列共振器Ｓ１－Ｔ、Ｓ２－Ｔ、Ｓ３－Ｔ、Ｓ４－Ｔ、Ｓ５－Ｔと複数の並列共振器Ｐ１－Ｔ、Ｐ２－Ｔ、Ｐ３－Ｔ、Ｐ４－Ｔとは、複数の送信側共振器として、送信フィルタ２３の機能を有する。

複数の送信側共振器の少なくとも１つは、第２圧電性部材２０ｂに形成される。複数の送信側共振器の少なくとも１つは、送信フィルタ２３の通過帯域の高周波側の周波数特性を得るように形成される。図２においては、よりアンテナ用バンプパッドＡｎｔの側において、複数の直列共振器Ｓ３－Ｔ、Ｓ４－Ｔ、Ｓ５－Ｔと複数の並列共振器Ｐ３－Ｔ、Ｐ４－Ｔとは、第２圧電性部材２０ｂに形成される。

弾性波デバイスチップ５において、アンテナ用バンプパッドＡｎｔは、受信フィルタ２２の入力部となる。アンテナ用バンプパッドＡｎｔは、送信フィルタ２３の出力部となる。受信用バンプパッドＲｘは、受信フィルタ２２の出力部となる。送信用バンプパッドＴｘは、送信フィルタ２３の入力部となる。７つのグランドバンプパッドＧＮＤは、受信フィルタ２２と送信フィルタ２３とのグランド部となる。

電気信号がアンテナ用バンプパッドＡｎｔに入力されると、所望の周波数帯域の電気信号のみが複数の直列共振器Ｓ１－Ｒ、Ｓ２－Ｒ、Ｓ３－Ｒ、Ｓ４－Ｒと複数の並列共振器Ｐ１－Ｒ、Ｐ２－Ｒ、Ｐ３－Ｒ、Ｐ４－Ｒとの全てを通過する。その結果、所望の周波数帯の電気信号が受信用バンプパッドＲｘから出力される。

電気信号が送信用バンプパッドＴｘに入力されると、所望の周波数帯域の電気信号のみが複数の直列共振器Ｓ１－Ｔ、Ｓ２－Ｔ、Ｓ３－Ｔ、Ｓ４－Ｔ、Ｓ５－Ｔと複数の並列共振器Ｐ１－Ｔ、Ｐ２－Ｔ、Ｐ３－Ｔ、Ｐ４－Ｔとの全てを通過する。その結果、所望の周波数帯域の電気信号のみがアンテナ用バンプパッドＡｎｔから出力される。

次に、図３を用いて、弾性波デバイスチップ５の製造方法を説明する。
図３は実施の形態１における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。

弾性波デバイスチップ５は、第１圧電性部材形成工程と第２圧電性部材形成工程と固定工程と研磨工程とを経て製造される。

第１圧電性部材形成工程においては、図示されない第１ウエハを短冊状に切断することで、複数の第１圧電性部材２０ａが形成される。第２圧電性部材形成工程においては、図示されない第２ウエハを短冊状に切断することで、複数の第２圧電性部材２０ｂが形成される。

その後、固定工程が行われる。固定工程においては、図３に示されるように、第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとが固定部材２０ｃを介して互い違いに固定されることで、再構築ウエハＷ１が形成される。

その後、研磨工程が行われる。研磨工程においては、再構築ウエハＷ１の主面に対して化学機械研磨が行われる。その結果、再構築ウエハＷ１の主面が平滑な一面となる。

図示されないが、その後、配線パターン５４と複数の弾性波素子５２とが再構築ウエハＷ１の主面に形成される。その後、図２と同様の弾性波デバイスチップ５が得られるように、再構築ウエハＷ１が切断される。

次に、図４を用いて、弾性波素子５２の例を説明する。
図４は実施の形態１における弾性波デバイスチップの弾性波素子の例を示す図である。

図４に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５２ａと一対の反射器５２ｂとは、圧電基板２０の主面に形成される。一対の反射器５２ｂの一方は、ＩＤＴ５２ａの一側に隣接する。一対の反射器５２ｂの他方は、ＩＤＴ５２ａの他側に隣接する。ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、弾性表面波を励振し得るように設けられる。

例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。

ＩＤＴ５２ａは、一対の櫛形電極５２ｃを備える。一対の櫛形電極５２ｃは、互いに対向する。櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄとバスバー５２ｅとを備える。複数の電極指５２ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー５２ｅは、複数の電極指５２ｄを接続する。

次に、図５を用いて、圧電基板２０のカット角を説明する。
図５は実施の形態１における弾性波デバイスチップの圧電基板のカット角を説明するための模式図である。

図５において、ＩＤＴ５２ａは、Ｘ軸の＋方向に弾性表面波を励振する。上面の法線方向は、Ｘ軸を中心にＹ軸からＺ軸に角度θだけ回転した方向である。当該圧電基板２０は、θ°ＹカットＸ伝搬基板と呼ばれる。この際の角度θがカット角である。

次に、図６を用いて、圧電基板２０のカット角と周波数特性との関係を説明する。
図６は実施の形態１における弾性波デバイスチップ５の圧電基板のカット角と周波数特性との関係を示す図である。

図６において、横軸は周波数である。縦軸は通過量である。点線Ａは、タンタル酸リチウムで形成された４２°ＹカットＸ伝搬基板の周波数特性を示す。実線Ｂは、タンタル酸リチウムで形成された４８°ＹカットＸ伝搬基板の周波数特性を示す。

図６に示されるように、点線Ａにおいて、フィルタ特性は、挿入損失が比較的小さい領域において比較的広帯域であるもの、角型は比較的悪い。これに対し、実線Ｂにおいて、フィルタ特性は、挿入損失が比較的小さい領域において比較的狭帯域であるものの、角型は比較的良い。

次に、図７から図１０を用いて、弾性波デバイスチップ５の第１例の周波数特性を説明する。
図７から図１０は実施の形態１における弾性波デバイスチップの第１例の周波数特性と比較例とのシミュレーション結果を示す図である。

図７は弾性波デバイスチップ５の受信フィルタ２２の周波数特性と送信フィルタ２３の周波数特性とを全体的に示す図である。図８は弾性波デバイスチップ５の送信フィルタ２３の周波数特性を全体的に示す図である。図９は図７に対して横軸の範囲を狭めたうえで縦軸の範囲を大幅に狭めた図である。図１０は図８に対して横軸の範囲を大幅に狭めた図である。

図７から図１０において、点線Ｃは、図２の構成においてタンタル酸リチウムで形成された４２°ＹカットＸ伝搬基板で圧電基板２０の全体を形成した比較例の周波数特性である。実線Ｄは、図２の構成における周波数特性である。

図７と図９とに示されるように、点線Ｃと実線Ｄとにおいて、受信フィルタ２２の周波数特性は、ほぼ同じである。

図８と図１０とに示されるように、点線Ｃと実線Ｄとの高周波側において、減衰量が－１．０ｄＢとなる領域まで、送信フィルタ２３の周波数特性は、ほぼ同じである。これに対し、減衰量が－４３．０ｄＢとなる領域において、実線Ｄは、点線Ｃに対して３ＭＨｚ程度だけ急峻である。

次に、図１１から図１３を用いて、弾性波デバイスチップ５の第２例の周波数特性を説明する。
図１１から図１３は実施の形態１における弾性波デバイスチップの第２例と比較例との周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。

図１１は弾性波デバイスチップ５の送信フィルタ２３の周波数特性を全体的に示す図である。図１２は図１１に対して横軸を狭めたうえで縦軸の範囲を大幅に狭めた図である。図１３は図１１に対して横軸の範囲を大幅に狭めた図である。

図１１から図１３において、点線Ｅは、図２の構成においてタンタル酸リチウムで形成された４２°ＹカットＸ伝搬基板で圧電基板２０の全体を形成した比較例の周波数特性である。実線Ｆは、図２の構成において送信フィルタ２３の直列共振器の電気機械結合係数ｋ２を変化させて挿入損失の帯域がほぼ同等となるように調整した場合の周波数特性である。

図１１と図１３とに示されるように、点線Ｅと実線Ｆとにおいて、減衰量が－２．５ｄＢから－４３．０ｄＢの遷移周波数は、ほぼ同じである。

図１１に示されるように、第２例は、第１例よりも高周波側の減衰域においてスプリアスを抑制する。

以上で説明された実施の形態１によれば、圧電基板２０は、互いに特性の異なる第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとで形成される。このため、複数の圧電基板２０を要することなく、広帯域で急峻なフィルタ特性を得つつ、弾性波デバイスチップ５の小型化を図ることができる。例えば、広帯域で急峻なフィルタ特性が求められるバンド２８に対応した弾性波デバイスチップ５の小型化を図ることができる。

また、第１圧電性部材２０ａは、第１角度のカット角を有する。第２圧電性部材２０ｂは、第２角度のカット角を有する。具体的には、第１角度は、３６度以上であり４２度以下である。第２角度は、４３度以上であり５６度以下である。このため、弾性波デバイスチップ５のフィルタ特性をより確実に改善することができる。

また、複数の送信側共振器の少なくとも１つは、第２圧電性部材２０ｂに形成される。当該送信側共振器は、送信フィルタ２３の通過帯域の高周波側の周波数特性を得る。このため、高周波側の領域において急峻なフィルタ特性を得ることができる。

なお、ラダー型フィルタの一部として複数の直列共振器を第１圧電性部材２０ａに形成してもよい。ラダー型フィルタの他部として複数の並列共振器を第２圧電性部材２０ｂに形成してもよい。この場合も、広帯域で急峻なフィルタ特性を得つつ、弾性波デバイスチップ５の小型化を図ることができる。

また、第２圧電性部材２０ｂは、リチウムナイオベートで形成されてもよい。この場合も、広帯域で急峻なフィルタ特性を得つつ、弾性波デバイスチップ５の小型化を図ることができる。

また、固定部材２０ｃは、第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとの間に配置される。このため、第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとを強固に固定することができる。

また、第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂと固定部材２０ｃとは、圧電基板２０の主面として平滑な一面を形成する。このため、圧電基板２０において配線パターン５４と複数の弾性波素子５２とを容易に形成することができる。

また、支持基板２１は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成される。支持基板２１は、圧電基板２０に接合される。このため、弾性波デバイスチップ５の放熱性を向上することができる。

実施の形態２．
図１４は実施の形態２における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

図１４に示されるように、弾性波デバイスチップ５は、接合工程と薄片化工程と第１パターニング工程と第２パターニングと除去工程と化学機械研磨工程を経て製造される。

前工程においては、第１ウエハ３０ａと第２ウエハ３０ｂとが別個に形成される。第１ウエハ３０ａと第２ウエハ３０ｂとにおいては、特性が互いに異なる。第１ウエハ３０ａの特性は、実施の形態１の第１圧電性部材２０ａの特性と同じである。第２ウエハ３０ｂの特性は、実施の形態１の第２圧電性部材２０ｂの特性と同じである。

例えば、第１ウエハ３０ａは、タンタル酸リチウムで形成される。例えば、第１ウエハ３０ａのカット角は、４３度である。例えば、第２ウエハ３０ｂは、タンタル酸リチウムで形成される。例えば、第２ウエハ３０ｂのカット角は、４６度である。

その後、接合工程が行われる。接合工程においては、第１ウエハ３０ａの表面と第２ウエハ３０ｂの裏面とが直接接合されることで複合ウエハＷ２が形成される。その後、薄片化工程が行われる。薄片化工程においては、第２ウエハ３０ｂの表面に対してグラインドと化学機械研磨とが行われる。その結果、第２ウエハ３０ｂが薄片化される。

その後、第１パターニング工程が行われる。第１パターニング工程においては、フォトレジストＰＲがパターニングされる。その後、第２パターニング工程が行われる。第２パターニング工程においては、第２ウエハ３０ｂの表面の露出部がドライエッチングにより除去されることで第１ウエハ３０ａの表面の一部が露出する。その結果、第２ウエハ３０ｂの残余部分は、第１ウエハ３０ａの表面から突出する。この際、第２ウエハ３０ｂの残余部分において、傾斜部Ｌが形成される。傾斜部Ｌは、第２ウエハ３０ｂの残余部分の中央の側から離れるにつれて第１ウエハ３０ａの表面に近づく。

その後、除去工程が行われる。除去工程においては、フォトレジストＰＲが除去される。その後、化学機械研磨工程が行われる。化学機械研磨工程においては、第１ウエハ３０ａの表面と第２ウエハ３０ｂの表面とに対して化学機械研磨が行われる。その結果、複合ウエハＷ２の主面が平滑化される。

図示されないが、その後、配線パターン５４と複数の弾性波素子５２とが複合ウエハＷ２の主面に形成される。この際、配線パターン５４は、第２ウエハ３０ｂの厚みよりも厚く形成される。その後、実施の形態１の図２と同様の弾性波デバイスチップ５が得られるように、複合ウエハＷ２が切断される。

図示されないが、実施の形態２の弾性波デバイスチップ５において、第２圧電性部材２０ｂは、第１圧電性部材２０ａ上に形成される。第２圧電性部材２０ｂは、第１領域から突出するように第２領域を形成する。配線パターン５４は、第２圧電性部材２０ｂの厚みよりも厚く形成される。圧電基板２０の第１領域と第２領域との境界において、第２圧電性部材２０ｂの傾斜部は、第２領域の中央の側から離れるにつれて第１領域に近づく。

以上で説明された実施の形態２によれば、第２圧電性部材２０ｂは、第１圧電性部材２０ａ上に形成される。具体的には、第２圧電性部材２０ｂは、第１領域から突出するように第２領域を形成する。このため、実施の形態１の固定部材２０ｃを要することなく、広帯域で急峻なフィルタ特性を得つつ、弾性波デバイスチップ５の小型化を図ることができる。

また、配線パターン５４は、第２圧電性部材２０ｂの厚みよりも厚く形成される。このため、第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとの境界においても配線パターン５４を容易に形成することができる。

また、第２圧電性部材２０ｂにおいて、傾斜部は、圧電基板２０の第１領域と第２領域との境界において、第２領域の中央の側から離れるにつれて第１領域に近づく。このため、圧電基板２０の第１領域と第２領域との境界において、配線パターン５４が剥がれることを抑制できる。

また、弾性波デバイスチップ５は、実施の形態１の固定部材２０ｃを要する工程を経ずに製造される。このため、弾性波デバイスチップ５を容易に製造することができる。

また、第２パターニング工程の後、除去工程を経て化学機械研磨工程が行われる。このため、第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとに対して配線パターン５４をより容易に形成することができる。

なお、複合ウエハＷ２から弾性波デバイスチップ５を得る際には、配線パターン５４と複数の弾性波素子５２とが複合ウエハＷ２の主面に形成された後、第２ウエハ３０ｂの残余部分が存在しない領域で第１ウエハ３０ａを切断すればよい。この場合、複合ウエハＷ２の切断時の負荷を下げることができる。

実施の形態３．
図１５は実施の形態３における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。なお、実施の形態１または実施の形態２の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

図１５に示されるように、接合工程は、中間層形成工程を含む。中間層形成工程においては、第１ウエハ３０ａと第２ウエハ３０ｂとの間に中間層３１が形成される。例えば、中間層３１は、シリコンで形成される。例えば、接合工程においては、最初に、中間層３１の裏面が第１ウエハ３０ａの表面に直接接合される。その後、第２ウエハ３０ｂの裏面が中間層３１の表面に直接接合される。

第２パターニング工程は、中間層除去工程を含む。中間層除去工程においては、第２ウエハ３０ｂの残余部分が存在しない領域において中間層３１がケミカルエッチングにより除去される。この際、中間層３１は、アンダーカットされないように除去される。

以上で説明された実施の形態３によれば、接合工程は、中間層形成工程を含む。このため、ドライエッチング時における第１ウエハ３０ａの損傷を抑制することができる。

また、第２パターニング工程は、中間層除去工程を含む。このため、ドライエッチング時における第１ウエハ３０ａの損傷を抑制しつつ、第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとで主面を形成する圧電基板２０を得ることができる。

実施の形態４．
図１６は実施の形態４における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。なお、実施の形態１または実施の形態２の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

図１６に示されるように、弾性波デバイスチップ５は、凹凸パターン形成工程と接合工程と研磨工程を経て製造される。

凹凸パターン形成工程は、塗布工程と第１パターニング工程と第２パターニング工程と除去工程とを含む。

塗布工程においては、フォトレジストＰＲが第２ウエハ３０ｂの裏面に塗布される。その後、第１パターニング工程において、フォトレジストＰＲがパターニングされる。その後、第２パターニング工程において、第２ウエハ３０ｂの裏面の露出部がドライエッチングにより所望の深さまで除去される。その後、除去工程において、フォトレジストＰＲが除去される。その結果、第２ウエハ３０ｂの裏面において、凹凸パターンが露出する。

その後、接合工程が行われる。接合工程においては、第１ウエハ３０ａの表面と第２ウエハ３０ｂの裏面の凹凸パターンにおける凸部の端面とが直接接合されることで複合ウエハＷ３が形成される。

その後、研磨工程が行われる。研磨工程においては、第２ウエハ３０ｂが裏面側から凹凸パターンにおける凸部以外の部分が除去されるまで研磨される。具体的には、第２ウエハ３０ｂに対して、グラインドと化学機械研磨とが行われる。この際、第２ウエハ３０ｂの残余部分において、実施の形態２と同様の傾斜部Ｌが形成される。

以上で説明された実施の形態４によれば、実施の形態１の固定部材２０ｃを要する工程を経ずに製造される。このため、弾性波デバイスチップ５を容易に製造することができる。

なお、実施の形態１から実施の形態４の弾性波デバイスチップ５において、所望のフィルタ特性が得られるように、第１角度と第２角度とは、適宜設定されればよい。例えば、第１角度を４３度から５６度とし、第２角度を３６度から４２度としてもよい。この場合も、複数の圧電基板２０を要することなく、広帯域で急峻なフィルタ特性を得つつ、弾性波デバイスチップ５の小型化を図ることができる。

実施の形態５．
図１７は実施の形態５における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。なお、実施の形態１または実施の形態２の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

図１７に示されるように、弾性波デバイスチップ５は、凹凸パターン形成工程と除去工程と成膜工程と研磨工程とを経て製造される。

第１パターニング工程においては、フォトレジストＰＲが第１ウエハ３０ａの表面にパターニングされる。その後、第２パターニング工程において、第１ウエハ３０ａの表面の露出部がドライエッチングにより所望の深さまで除去される。その結果、凹凸パターンが第１ウエハ３０ａの表面に形成される。その後、洗浄工程において、凹凸パターンの凹部の底部が洗浄される。

その後、除去工程が行われる。除去工程においては、フォトレジストＰＲが除去される。

その後、成膜工程が行われる。成膜工程においては、第２圧電性部材２０ｂがパルスレーザーデポジション法で第１ウエハ３０ａの表面の側に成膜される。第２圧電性部材２０ｂの圧電特性は、第１ウエハ３０ａの圧電特性と異なる。その結果、複合ウエハＷ４が形成される。

その後、研磨工程が行われる。研磨工程においては、複合ウエハＷ４に対して、第２圧電性部材２０ｂの側から化学機械研磨が行われる。その結果、第１ウエハ３０ａにおいて、凹凸パターンの凸部が露出する。この際、凹凸パターンの凹部において、第２圧電性部材２０ｂが残存する。

図示されないが、その後、配線パターン５４と複数の弾性波素子５２とが複合ウエハＷ４の主面に形成される。この際、弾性波素子５２として、バルク圧電素子が形成される。その後、弾性波デバイスチップ５が得られるように、複合ウエハＷ４が切断される。この際、第２圧電性部材２０ｂが成膜されていない領域において、第１ウエハ３０ａが切断される。

図示されないが、実施の形態５の弾性波デバイスチップ５において、第１圧電性部材２０ａは、凹凸パターンの凸部の端面で圧電基板２０の主面の第１領域を形成する。第２圧電性部材２０ｂは、第１圧電性部材２０ａの凹凸パターンの凹部を埋めることで、圧電基板２０の主面の第２領域を形成する。

以上で説明された実施の形態５によれば、第１圧電性部材２０ａは、凹凸パターンの凸部の端面で圧電基板２０の主面の第１領域を形成する。第２圧電性部材２０ｂは、第１圧電性部材２０ａの凹凸パターンの凹部を埋めることで、圧電基板２０の主面の第２領域を形成する。このため、実施の形態１の固定部材２０ｃを要することなく、広帯域で急峻なフィルタ特性を得つつ、弾性波デバイスチップ５の小型化を図ることができる。

なお、第１ウエハ３０ａの厚みと凹凸パターンの凹部の深さとは、研磨工程の後において凹凸パターンの凸部の露出部と凹凸パターンの凹部における第２圧電性部材２０ｂの残存部とで所望の周波数特性が得られるように設定すればよい。この際の設定で第１ウエハ３０ａを形成すればよい。当該第１ウエハ３０ａに対して、設定値を狙って、凹凸パターンを形成すれば、複合ウエハＷ４において所望の周波数特性をより確実に得ることができる。

また、第２圧電性部材２０ｂの圧電特性が第１ウエハ３０ａの圧電特性と異なれば、第１ウエハ３０ａと第２圧電性部材２０ｂとを同類の材料で形成してもよい。例えば、タンタル酸リチウムとリチウムナイオベートと水晶と窒化アルミニウムのうちのいずれかで第１ウエハ３０ａと第２圧電性部材２０ｂとを形成すればよい。

また、第２パターニング工程において、第１ウエハ３０ａの表面の露出部をブラストにより所望の深さまで除去してもよい。この場合、エッチングにより生成された物質が凹凸パターンの凹部の開口付近に再付着することを考慮することなく、凹凸パターンを形成することができる。

実施の形態６．
図１８は実施の形態６における弾性波デバイスチップの製造方法を説明するための模式図である。なお、実施の形態５の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

図１８に示されるように、弾性波デバイスチップ５は、凹凸パターン形成工程と中間層形成工程と除去工程と成膜工程と研磨工程を経て製造される。

凹凸パターン形成工程は、実施の形態５の凹凸パターン形成工程と同じである。

その後、中間層形成工程が行われる。中間層形成工程においては、中間層４０が第１ウエハ３０ａの表面の側に成膜される。この際、中間層４０は、六方晶系の元素を主成分として成膜される。例えば、中間層４０は、チタン、コバルト等を主成分として成膜される。その後、除去工程が行われる。除去工程においては、フォトレジストＰＲがリフトオフにより除去される。

その後、成膜工程が行われる。成膜工程は、実施の形態５の成膜工程と同じである。その後、研磨工程が行われる。研磨工程は、実施の形態５の研磨工程と同じである。

図示されないが、その後、実施の形態５と同じように、配線パターン５４と複数の弾性波素子５２とが形成される。その後、実施の形態５と同じように、複合ウエハＷ４が切断される。

図示されないが、実施の形態６の弾性波デバイスチップ５において、中間層４０は、第１圧電性部材２０ａの凹凸パターンの凹部において第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとの間に配置される。

以上で説明された実施の形態６によれば、中間層４０は、凹凸パターンの凹部において第１圧電性部材２０ａと第２圧電性部材２０ｂとの間に配置される。中間層４０は、六方晶系の元素を主成分とする。このため、第２圧電性部材２０ｂが第１ウエハ３０ａに形成される際に、第２圧電性部材２０ｂにおいて良好な配向性を得ることができる。

実施の形態７．
図１９は実施の形態７における弾性波デバイスチップが実装された弾性波デバイスを備えたモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

図１９において、モジュール１００は、配線基板１３０と集積回路部品ＩＣと弾性波デバイス１とインダクタ１１１と封止部１１７とを備える。

配線基板１３０は、実施の形態１の配線基板３と同等である。

集積回路部品ＩＣは、配線基板１３０に実装される。集積回路部品ＩＣは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。

弾性波デバイス１は、配線基板１３０の主面に実装される。

インダクタ１１１は、配線基板１３０の主面に実装される。インダクタ１１１は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１１１は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。

封止部１１７は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止する。

以上で説明された実施の形態７によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス１を備える。このため、モジュール１００の小型化を図ることができる。

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。

理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。

特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。

本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。

「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。

前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。

１ 弾性波デバイス、 ３ 配線基板、 ５ 弾性波デバイスチップ、 １５ バンプ、 １７ 封止部、 ２０ 圧電基板、 ２０ａ 第１圧電性部材、 ２０ｂ 第２圧電性部材、 ２０ｃ 固定部材、 ２１ 支持基板、 ２２ 受信フィルタ、 ２３ 送信フィルタ、 ３０ａ 第１ウエハ、 ３０ｂ 第２ウエハ、 ３１ 中間層、 ４０ 中間層、 ５２ 弾性波素子、 ５２ａ ＩＤＴ、 ５２ｂ 反射器、 ５２ｃ 櫛形電極、 ５２ｄ 電極指、 ５４ 配線パターン、 １００ モジュール、 １１１ インダクタ、 １１７ 封止部、 １３０ 配線基板

Claims (13)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板の主面に形成された配線パターンと、
   前記圧電基板の前記主面に形成され、前記配線パターンと電気的に接続された複数の共振器と、
   を備え、
   前記圧電基板は、
   凹凸パターンが形成され、前記凹凸パターンの凸部の端面で前記主面の第１領域を形成した第１圧電性部材と、
   前記第１圧電性部材の特性とは異なる特性を有し、前記凹凸パターンの凹部を埋め、前記主面の第１領域とは異なる第２領域を形成した第２圧電性部材と、
   を備えた弾性波デバイスチップ。
2. 前記凹凸パターンの前記凹部において前記第１圧電性部材と前記第２圧電性部材との間に配置された中間層、
   を備えた請求項１に記載の弾性波デバイスチップ。
3. 前記複数の共振器は、
   受信フィルタの機能を有する複数の受信側共振器と、
   送信フィルタの機能を有する複数の送信側共振器と、
   を含み、
   前記複数の送信側共振器の少なくとも１つは、前記第２圧電性部材に形成され、前記送信フィルタの通過帯域の高周波側の周波数特性を得る請求項１または請求項２に記載の弾性波デバイスチップ。
4. 前記複数の共振器は、
   ラダー型フィルタの一部として前記第１圧電性部材に形成された複数の直列共振器と、
   前記ラダー型フィルタの他部として前記第２圧電性部材に形成された複数の並列共振器と、
   を含んだ請求項１または請求項２に記載の弾性波デバイスチップ。
5. サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成され、前記圧電基板に接合された支持基板、
   を備えた請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の弾性波デバイスチップ。
6. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載された弾性波デバイスチップと、
   前記弾性波デバイスチップと電気的に接続された配線基板と、
   を備えた弾性波デバイス。
7. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の弾性波デバイスチップまたは請求項６に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。
8. 第１ウエハの表面に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、
   前記凹凸パターン形成工程の後、前記第１ウエハの特性とは異なる特性を有した第２圧電性部材を前記第１ウエハの表面の側に成膜する成膜工程と、
   前記成膜工程の後、前記第１ウエハにおいて前記凹凸パターンの凸部が露出し、かつ前記凹凸パターンの凹部において前記第２圧電性部材が残存するように、前記第２圧電性部材の側から研磨する研磨工程と、
   を含んだ弾性波デバイスの製造方法。
9. 前記成膜工程は、パルスレーザーデポジション法で前記第２圧電性部材を成膜する工程である請求項８に記載の弾性波デバイスの製造方法。
10. 前記凹凸パターン形成工程の後、六方晶系の元素を主成分とした中間層を前記第１ウエハの表面の側に成膜する中間層形成工程、
    を含み、
    前記成膜工程は、前記中間層形成工程の後、前記第２圧電性部材を前記第１ウエハの表面の側に成膜する工程である請求項８または請求項９に記載の弾性波デバイスの製造方法。
11. 前記研磨工程の後、前記第２圧電性部材が成膜されていない領域で前記第１ウエハを切断する切断工程、
    を含んだ請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
12. 前記凹凸パターン形成工程は、
    前記凹凸パターンの前記凹部の底部を洗浄する洗浄工程、
    を含み、
    前記成膜工程は、前記洗浄工程の後に行われる請求項８から請求項１１のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
13. 前記研磨工程の後において前記凹凸パターンの凸部の露出部と前記凹凸パターンの凹部における前記第２圧電性部材の残存部とで所望の周波数特性が得られるように、前記第１ウエハの厚みと前記凹凸パターンの凹部の深さとを決定して前記第１ウエハを形成する第１ウエハ形成工程、
    を含み、
    前記凹凸パターン形成工程は、前記第１ウエハ形成工程で形成された前記第１ウエハの表面に凹凸パターンを形成する工程である請求項８から請求項１２のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
    
    

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