JP2023008206A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板における光結合の効率及び接続信頼性の向上。【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第１導体パッド１１ａを備える表面２１ａを有する絶縁層２１と、絶縁層２１を部分的に覆う被覆層４１と、表面２１ａの上に設けられていて、光を伝えるコア部５１を含む光導波路５と、第１導体パッド１１ａの上にめっき金属で形成されていて被覆層４１を貫通する導体ポスト６１と、導体ポスト６１に接続される部品に覆われるべき領域である第１部品領域Ａ１と、を含んでいる。コア部５１は絶縁層２１の表面２１ａに沿う第１方向Ｘに沿っている側面５ｃを有し、側面５ｃは、第１部品領域Ａ１内で絶縁層２１と反対方向を向いて光導波路５から露出している露出部５ｃａを有し、露出部５ｃａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離は、被覆層４１の厚さよりも大きい。【選択図】図１

Description

本発明は配線基板に関する。

特許文献１には、光導波路及び光半導体素子が表面に搭載された光部品搭載用基板が開示されている。一端側に光入出射部を有する光導波路と、バンプを介して配線パターンに接続されている光半導体素子の発光部（又は受光部）とが光導波路の他端側で光結合されている。光半導体素子で発せられた光は光導波路のコア部に入光して光入出射部へと伝播し、他方、光入出射部に入光した光はコア部を通って他端側から光半導体素子に入光する。

特開２００８－１２９３８５号公報

特許文献１に開示の基板では、光導波路の他端側のコア部と光半導体素子の発光部（又は受光部）との間には、光導波路のクラッド層が介在している。すなわち、コア部と光半導体素子との間の間隔が大きく、加えて、クラッド層内では光が任意の方向に進むので、光結合に関して高い効率が得られ難いと考えられる。

本発明の配線基板は、第１導体パッドを備える表面を有する絶縁層と、前記絶縁層を部分的に覆う被覆層と、前記表面の上に設けられていて、光を伝えるコア部を含む光導波路と、前記第１導体パッドの上にめっき金属で形成されていて前記被覆層を貫通する導体ポストと、前記導体ポストに接続される部品に覆われるべき領域である第１部品領域と、
を含んでいる。そして、前記コア部は前記絶縁層の前記表面に沿う第１方向に沿っている側面を有し、前記側面は、前記第１部品領域内で前記絶縁層と反対方向を向いて前記光導波路から露出している露出部を有し、前記露出部と前記絶縁層の前記表面との距離は、前記被覆層の厚さよりも大きい。

本発明の実施形態によれば、配線基板に設けられる光導波路と、その光導波路に光結合される部品との間の結合効率を高めることができ、また、その部品と配線基板との接続信頼性を高め得ることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１の配線基板の表面状態の一例を示す平面図。 図１のIII部の拡大図。 本発明の一実施形態における導体ポストの変形例を示す拡大図。 本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 図４に示される変形例の導体ポストの製造工程の一例を示す断面図。 図４に示される変形例の導体ポストの製造工程の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２は、平面視における図１の配線基板１００の一例を示している（図１は図２のＩ－Ｉ線での断面図である）。「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。図３は、図１のIII部の拡大図を示している。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第２面３ｂ）それぞれの上に順に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２における第１面３ａ側の表面及び第２面３ｂ側の表面それぞれに形成されている導体層３１とを含んでいる。絶縁層３２には、絶縁層３２を貫通して両側の導体層３１同士を接続するスルーホール導体３３が設けられている。

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は、「外側」、「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は、「内側」、「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。

配線基板１００は、絶縁層２１及び導体層１１を含んでいる。絶縁層２１は、コア基板３の第１面３ａの上に積層されている。絶縁層２１はコア基板３側と反対側に表面２１ａを有しており、表面２１ａの上に導体層１１が形成されている。配線基板１００は、さらに、被覆層４１を含んでいる。被覆層４１は、絶縁層２１及び導体層１１それぞれを部分的に覆っている。被覆層４１には、導体層１１の一部を露出させる開口４１ａが形成されている。

一方、コア基板３の第２面３ｂ上には、絶縁層２２が積層されている。絶縁層２２の上に導体層１２が形成されており、絶縁層２２及び導体層１２を覆うソルダーレジスト４２が形成されている。ソルダーレジスト４２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。ソルダーレジスト４２には、導体層１２の一部を露出させる開口４２ａが形成されている。絶縁層２１及び絶縁層２２には、それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体２０が形成されている。

配線基板１００は、さらに、絶縁層２１の表面２１ａの上に設けられている光導波路５を含んでいる。光導波路５は、図１～図３に示されるように、絶縁層２１の表面２１ａにおける被覆層４１に覆われていない領域に設けられている。光導波路５は、光を伝えるコア部５１、及び、コア部５１の周囲に設けられているクラッド部５２を含んでいる。クラッド部５２は、コア部５１の延長方向、すなわち、光の伝播方向と直交する任意の方向においてコア部５１を挟み込んでおり、光の伝播方向に直交する面においてコア部５１を囲んでいる。光導波路５は、例えば、接着剤（図示せず）などを用いて絶縁層２１の表面２１ａに固定されている。光導波路５は、接着剤に限らず任意の手段で絶縁層２１の表面２１ａに固定され得る。

配線基板１００は、さらに、導体層１１の上に形成されている導体ポスト６１、６２を含んでいる。導体ポスト６１、６２は、導体層１１から絶縁層２１と反対方向に向かって延びる柱状、錘台状、又は逆錘台状の形状を有する導電体である。導体ポスト６１、６２は、配線基板１００の厚さ方向と直交する断面及び表面において任意の形状を有し得る。導体ポスト６１には、外部の部品Ｅ１が接続され、導体ポスト６２には外部の部品Ｅ２が接続される。すなわち、配線基板１００には、配線基板１００の使用時に部品Ｅ１及び部品Ｅ２が接続される。そのため、配線基板１００は、配線基板１００の使用時に部品Ｅ１に覆われるべき領域である部品領域Ａ１（第１部品領域）、及び部品Ｅ２に覆われるべき領域である部品領域Ａ２（第２部品領域）を含んでいる。部品領域Ａ１には、導体ポスト６１に接続される部品Ｅ１が位置づけられ、部品領域Ａ２には、導体ポスト６２に接続される部品Ｅ２が位置づけられる。部品Ｅ１は、導体ポスト６１及び光導波路５それぞれにおける絶縁層２１側と反対側に搭載される。

絶縁層２１、２２、及び絶縁層３２は、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂によって形成される。図示されていないが、各絶縁層は、さらに、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）を含んでいてもよく、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラーを含んでいてもよい。

被覆層４１は任意の絶縁性材料で形成される。例えば、被覆層４１は、ソルダーレジスト４２と同様のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂で形成され、各導体ポスト間の短絡を防ぐソルダーレジストとして機能してもよい。或いは、被覆層４１は、絶縁層２１及び絶縁層２２のような層間絶縁層に用いられるエポキシ樹脂やＢＴ樹脂又はフェノール樹脂で形成されてもよい。すなわち、被覆層４１の材料は、絶縁性を有していて導体層１１及び絶縁層２１の所定の領域を覆い得るものであればよく、特定の材料に限定されない。

光導波路５のコア部５１及びクラッド部５２は、適切な屈折率を有する、有機系素材、無機系素材、又は、無機ポリマーのような有機成分と無機成分とを含む混成素材によって構成され得る。無機系素材として、石英ガラスやシリコンなどが例示され、有機系素材として、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、及びエポキシ系樹脂などが例示される。また、ポリシランなどの無機ポリマーが用いられてもよい。コア部５１及びクラッド部５２は、互いに異なる材料で構成されてもよく、互いに同一系統の材料で構成されていてもよい。しかし、コア部５１にはクラッド部５２に用いられる材料よりも高い屈折率を有する材料が用いられる。コア部５１とクラッド部５２との界面に臨界角以上の入射角で入射した光の全反射が可能となるため、コア部５１に入射した光が効率良くコア部５１内を伝播し得る。コア部５１及びクラッド部５２は、同一の屈折率を有する材料で形成された後に、適切な処理によって互いの屈折率を異ならされてもよい。例えば、ポリシランは、紫外線の照射によって屈折率が低下する。

導体層１１、１２及び導体層３１、スルーホール導体３３、ビア導体２０、並びに、導体ポスト６１、６２及び後述される導体ポスト６３（図５参照）は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。これら各導電体は、図１では簡略化されて一層で描かれているが、２以上の膜体を含む多層構造を有し得る。例えば、導体層１１、１２は、無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含む２層構造を有し得る。導体ポスト６１～６３は、例えば、無電解めっき及び／又は電解めっきによって析出されるめっき金属によって形成されている。

導体層１１、１２、及び、導体層３１は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。図１～図３に示されるように、絶縁層２１の表面２１ａに形成されている導体層１１は、少なくとも導体パッド１１ａ（第１導体パッド）を含んでいる。図１の例では、導体層１１は、さらに、導体パッド１１ｂ（第２導体パッド）、導体パッド１１ｄ、及び配線１１ｅも含んでいる。すなわち、絶縁層２１の表面２１ａには、導体パッド１１ａ、１１ｂ、１１ｄ、及び配線１１ｅが備わっている。配線１１ｅは、導体層１１に含まれる配線パターンによって構成されている。導体パッド１１ａと導体パッド１１ｂの少なくとも１つとが配線１１ｅで接続されている。

導体パッド１１ａ上には導体ポスト６１が形成されており、導体ポスト６１と導体パッド１１ａとが接続されている。従って、部品Ｅ１の電極Ｅ１ａは、導体ポスト６１を介して導体パッド１１ａに電気的に接続される。同様に、導体パッド１１ｂ上には導体ポスト６２が形成されており、導体ポスト６２と導体パッド１１ｂとが接続されている。従って、部品Ｅ２の電極Ｅ２ａは、導体ポスト６２を介して導体パッド１１ｂに電気的に接続される。導体ポスト６１は導体パッド１１ａにおける絶縁層２１側と反対側の表面から突出して被覆層４１を貫通している。同様に、導体ポスト６２は導体パッド１１ｂの表面から突出して被覆層４１を貫通している。

配線基板１００の使用時には、光電変換機能を有する受光素子及び／又は発光素子を含む電気部品が部品Ｅ１として部品領域Ａ１に搭載される。そのため、図１～図３の例の部品Ｅ１は、電極Ｅ１ａに加えて受光又は発光部Ｅ１ｂを備えている。電極Ｅ１ａ及び受光又は発光部Ｅ１ｂは、部品Ｅ１における配線基板１００側に向けられる面に備えられている。部品Ｅ１としては、フォトダイオードなどの受光素子、並びに、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）、及び、垂直共振型面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）などの発光素子が例示される。部品Ｅ１が発光素子である場合、部品Ｅ１は、電極Ｅ１ａに入力される電気信号に基づく光を生成し、発光部として機能する受光又は発光部Ｅ１ｂから光を出射する。また、部品Ｅ１が受光素子である場合、受光部として機能する受光又は発光部Ｅ１ｂに入射する光に基づく電気信号が生成されて電極Ｅ１ａから出力される。

また、図１の例において、配線基板１００の使用時に部品領域Ａ２に搭載され得る部品Ｅ２は、配線基板１００側に向けられる面に電極Ｅ２ａを備えている。部品Ｅ２は、部品Ｅ１を発光させる電気信号の生成、及び／又は、部品Ｅ１で生成された電気信号の処理などを行う半導体装置などの電子部品であり得る。部品Ｅ２としては、半導体装置、例えば、汎用オペアンプ、ドライバＩＣ、マイコン、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）などが例示される。

光導波路５のコア部５１は、主に光導波路５に沿ってその一端側から他端側に延びている。コア部５１は、一端側の端面５ａ（第１端面）と、端面５ａと反対側の他方側の端面であって光が入射及び出射する端面５ｂ（第２端面）とを有している。端面５ａ及び端面５ｂは、絶縁層２１の表面２１ａに沿う第１方向Ｘと交差するコア部５１の表面である。図１の配線基板１００には、光コネクタＣが搭載されている。光コネクタＣ及び光導波路５は、光コネクタＣの入出光部とコア部５１の端面５ｂとが光結合するように配置されている。

コア部５１は、さらに、第１方向Ｘに沿っている側面５ｃを有している。側面５ｃは、コア部５１を囲んでいるクラッド部５２に覆われている。しかし側面５ｃは、クラッド部５２に覆われていない露出部５ｃａ（第１露出部）も有している。クラッド部５２は、コア部５１の側面５ｃのうちの露出部５ｃａ以外の部分５ｃｂを覆っている。すなわち、側面５ｃは、クラッド部５２に覆われている部分（露出部５ｃａ以外の部分５ｃｂ）と露出部５ｃａとを有している。光導波路５は、部品Ｅ１が部品領域Ａ１に搭載されたときに、部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂと、コア部５１の側面５ｃの露出部５ｃａとが光結合する位置に配置されている。

図１～図３の例のようなコア部５１を備える光導波路５の形成方法としては、コア部形成用材料を吐出させながらクラッド内でニードルを走査させるＭｏｓｑｕｉｔｏ法、及びインプリント法などが例示される。例えば、Ｍｏｓｑｕｉｔｏ法やインプリント法などを用いた光導波路５の形成において、露出部５ｃａを覆うように形成されたクラッド部５２の一部が、ポストベーキングなどによる完全硬化前に露光及び現像や機械加工によって除去される。そのようにして露出部５ｃａが設けられてもよい。

なおコア部５１は、第１方向Ｘと直交する端面及び断面において任意の形状を有し得る。例えば、コア部５１は、第１方向Ｘと直交する端面及び断面において円形の形状を有していてもよく、矩形のような任意の多角形の形状を有していてもよい。従って、コア部５１の側面５ｃは、平面であってもよく、曲面であってもよく、折れ曲がっている屈曲部を含んでいてもよい。側面５ｃの一部である露出部５ｃａ及び露出部５ｃａ以外の部分５ｃｂも、平面又は曲面であってもよく、屈曲部を含んでいてもよい。また、研磨などの加工によって、曲面部及び／又は屈曲部を含む露出部５ｃａが平坦化されていてもよい。

図１に示されるように、光コネクタＣには、配線基板１００の使用時に光ファイバＦが接続され得る。図１及び図２に示されるように、光ファイバＦを伝播してきた光は、光コネクタＣを介してコア部５１の端面５ｂに入射し、コア部５１内を端面５ａに向かって伝播する。その光の一部は、エバネッセント光として、側面５ｃからコア部５１の外部に漏出する。側面５ｃの露出部５ｃａにおいてコア部５１から漏出した光は、部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂに入射する。すなわち、配線基板１００の使用時には、コア部５１が有する側面５ｃの露出部５ｃａと部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂとがアディアバティック結合される。受光又は発光部Ｅ１ｂに入射した光（エバネッセント光）は、部品Ｅ１で電気信号に変換され、その電気信号は電極Ｅ１ａから出力されて部品Ｅ２に入力されて部品Ｅ２で処理される。反対に、部品Ｅ２から出力された電気信号は、逆の経路で部品Ｅ１に入力されて光に変換される。その光は、部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂから出射して側面５ｃの露出部５ｃａからコア部５１内に入射し、コア部５１内を伝播して、端面５ｂから出射する。そして、出射した光は光ファイバＦに入射して外部に伝播する。

図１～図３の例では、図２に示されるように、光導波路５は、並列する２つのコア部５１を有している。このように、実施形態の配線基板に備えられる光導波路５は、複数のコア部５１を有し得る。また、図２に示されるように、複数の配線１１ｅが備えられている。複数の導体パッド１１ａと複数の導体パッド１１ｂとが、並列する複数の配線１１ｅによって接続されている。本実施形態では、導体パッド１１ａそれぞれの上に導体ポスト６１が形成され、導体パッド１１ｂそれぞれの上には導体ポスト６２が形成されている。従って、隣接する導体パッド１１ａ同士、及び、隣接する導体パッド１１ｂ同士の間の短絡不良が生じ難いと考えられる。そのため、複数の配線１１ｅが、例えば１０μｍ以下のような狭いピッチで配置され得ることがある。

本実施形態では、図１及び図３に示されるように、光導波路５が有するコア部５１の側面５ｃの露出部５ｃａは、部品領域Ａ１内で絶縁層２１と反対方向を向いて、すなわち、配線基板１００の使用時には部品Ｅ１を向いて、光導波路５から露出している。コア部５１の露出部５ｃａを覆うクラッド部５２は存在しない。コア部５１における絶縁層２１と反対側のクラッド部５２において、露出部５ｃａ側の端面が、露出部５ｃａが露出するように端面５ｂ側に後退している。

そして、図３に示されるように、コア部５１の側面５ｃの露出部５ｃａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ１は、被覆層４１の厚さＴよりも大きい。なお、側面５ｃの露出部５ｃａは、前述したように、平面又は曲面であってもよく、屈曲部を含んでいてもよい。露出部５ｃａが曲面である又は屈曲部を含んでいる場合、露出部５ｃａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ１は、少なくとも最長箇所において、被覆層４１の厚さＴよりも大きい。また、被覆層４１の厚さＴは、導体層１１を覆っている部分における被覆層４１の厚さではなく、絶縁層２１の表面２１ａと接している部分における厚さである。すなわち、被覆層４１の厚さＴは、絶縁層２１の表面２１ａと、被覆層４１における絶縁層２１と反対側の表面（上面）との距離である。

本実施形態では、このように、光導波路５が有するコア部５１の側面５ｃの露出部５ｃａは、部品領域Ａ１内で、配線基板１００の使用時に部品Ｅ１を向くように絶縁層２１と反対方向を向いてクラッド部５２から露出している。光導波路５は、前述したように、絶縁層２１の表面２１ａのうちの被複層４１に覆われていない領域に設けられている。そして、コア部５１の露出部５ｃａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ１は、少なくともその最長箇所において、絶縁層２１の表面２１ａと被覆層４１の上面との距離（被覆層４１の厚さＴ）よりも大きい。従って、少なくとも部分的に被覆層４１の上に配置される部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂとコア部５１の露出部５ｃａとを近づけ得ることがある。また、コア部５１が、配線基板１００の使用時にクラッド部５２を介さずに部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂと対向し得る。

従って、光導波路５のコア部５１と部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂとを高い結合効率で光結合させ得ると考えられる。光が光導波路５と部品Ｅ１との間を少ない損失で伝播し得ると考えられる。

さらに、本実施形態では、導体パッド１１ａ上には被覆層４１を貫通する導体ポスト６１が形成されている。そのため、光導波路５の上（絶縁層２１と反対側）に搭載される部品Ｅ１の電極Ｅ１ａと導体パッド１１ａとの電気的接続のために物理的に繋がれるべき導電体同士の距離（電極Ｅ１ａと導体パッド１１ａとの絶縁距離）を短くすることができる。すなわち、導体ポスト６１が形成されない場合と比べて電極Ｅ１ａと導体パッド１１ａとの絶縁距離を短くすることができる。従って、部品Ｅ１と配線基板１００との接続信頼性が高まると考えられる。

特に、図１～図３の例では、導体ポスト６１は被覆層４１における絶縁層２１と反対側の表面よりも突出している。従って、電極Ｅ１ａと導体パッド１１ａとの絶縁距離を一層短くすることができ、部品Ｅ１と配線基板１００との接続信頼性が一層高まることがある。

また、配線基板１００への部品Ｅ１の実装のためにはんだバンプなどが用いられる場合には、導体ポスト６１が備わっているので、小さいはんだバンプ、すなわち、低い高さと細い幅を有するはんだバンプを用い得ることがある。そのため、導体ポスト６１が形成されない場合と比べて、導体パッド１１ａ同士を近接させて配置できることがある。従って、より狭いピッチで配列された複数の電極Ｅ１ａを備える部品Ｅ１を実装し得ることがある。また、配線１１ｅ（図１及び図２参照）を狭ピッチで配置できることがある。さらに、大きなバンプを用いる場合と比べてバンプによるインピーダンスの変化が小さいので、より良好な高周波伝送特性が得られることがある。

このように、本実施形態によれば、導体パッドを備える絶縁層の表面に設けられる光導波路のコア部と、導体パッドに接続される部品とを高い結合効率で光結合することができ、しかも、その部品と導体パッドとを良好な接続品質で電気的に接続できることがある。また、配線基板の高密度化や良好な高周波特性の実現に寄与し得ることがある。

図３を参照して、光導波路５及び導体ポスト６１がさらに説明される。なお、導体ポスト６１に対する説明は、導体ポスト６２にも適用され得る。図３に示されるように、光導波路５のコア部５１は、絶縁層２１の表面２１ａに沿う第１方向Ｘと交差する端面５ａを部品領域Ａ１（第１部品領域）内の光導波路５の内部に有している。すなわち、コア部５１の端面５ａは光導波路５から露出していない。コア部５１は、第１方向Ｘにおいて光導波路５を貫通せずに、端面５ａにおいてクラッド部５２と当接している。

そして、端面５ａは絶縁層２１側を向くように第１方向Ｘについての仮想の直交面（図示せず）に対して傾いている。換言すると、コア部５１の端面５ａと接するクラッド部５２の接触面５ｄは、絶縁層２１と反対方向を向くように、すなわち、配線基板１００の使用時には部品Ｅ１を向くように、第１方向Ｘについての仮想の直交面に対して傾いている。そのため、端面５ａが第１方向Ｘと直交している場合と比べて、端面５ｂ（図１参照）から伝播してきた光が端面５ａにおいて側面５ｃの露出部５ｃａに向けて反射し易いと考えられる。同様に、露出部５ｃａから入射して端面５ａにおいてクラッド部５２との界面に入射した光が、端面５ｂ（図１参照）に向けて反射し易いと考えられる。図３の例では、端面５ａは、絶縁層２１の表面２１ａに対して略４５度の角度で傾いている。コア部５１に入射した光が、端面５ｂ又は露出部５ｃａに向けて効率よく伝播すると考えられる。

第１方向Ｘにおける露出部５ｃａの長さＬは、例えば、１００μｍ以上、５００μｍ以下である。或いは、各コア部５１の露出部５ｃａの面積は、１００μｍ²以上、５０００μｍ²以下である。部品Ｅ１との光信号の交換に関して十分な光量の光が入射又は出射され易いと考えられる。また、配線基板１００の無用な肥大化が回避されることがある。

図３の例では、露出部５ｃａは絶縁層２１の表面２１ａと略平行な平面である。部品Ｅ１は、受光又は発光部Ｅ１ｂの受光又は発光面Ｅ１ｃが絶縁層２１の表面２１ａと略平行になるように搭載されると考えられる。従って、絶縁層２１の表面２１ａと略平行な平面である露出部５ｃａは、部品Ｅ１の受光又は発光面Ｅ１ｃと、互いに略平行な状態で対向することができる。そのため、露出部５ｃａが絶縁層２１の表面２１ａに対して傾いている場合と比べて、コア部５１と部品Ｅ１とが高い結合効率で光結合されると考えられる。

さらに、図１～図３の例では、導体ポスト６１は、平面である露出部５ｃａと略同じ方向を向く端面６１ａを導体パッド１１ａ側と反対側の端部に有している。換言すれば、導体ポスト６１の端面６１ａと、コア部５１の露出部５ｃａとは略平行であり、従って、端面６１ａは絶縁層２１の表面２１ａと略平行である。部品Ｅ１の電極Ｅ１ａと受光又は発光部Ｅ１ｂとは、電極Ｅ１ａの接続面Ｅ１ｄと受光又は発光部Ｅ１ｂの受光又は発光面Ｅ１ｃとが略平行になるように形成されると考えられる。また、部品Ｅ１は、電極Ｅ１ａの接続面Ｅ１ｄが絶縁層２１の表面２１ａと略平行になるように搭載されると考えられる。導体ポスト６１がコア部５１の露出部５ｃａと略平行な端面６１ａを有しているので、コア部５１と部品Ｅ１とが高い結合効率で光結合されると共に、部品Ｅ１と導体ポスト６１とが安定して接続されると考えられる。

図３の例の導体ポスト６１は、導体パッド１１ａ側から導体パッド１１ａ側と反対側、すなわち、配線基板１００の使用時に部品Ｅ１と向かい合う側まで、略一定の幅を有している。また、導体ポスト６１は一体として形成されている。すなわち、図３の例では、導体ポスト６１全体が一体的に形成されていて、例えば、異なる材料同士の界面や、形成時期の異なる領域同士の界面は導体ポスト６１内に含まれていない。このように、全体的に略一定の幅で一体として形成されている導体ポスト６１では、応力集中によるクラックや界面剥離などが生じ難いと考えられる。

図１～図３の配線基板１００は、図１及び図３に示されるように、さらに、接続層７を含んでいる。接続層７は、導体ポスト６１の端面６１ａの上に形成されている。接続層７は、導体ポスト６１よりも低融点の材料で形成されている。従って、接続層７は、導体ポスト６１（又は導体ポスト６２）と部品Ｅ１（又は部品Ｅ２）との接続に寄与し得る。接続層７の材料としては、例えば、すず系はんだや金系はんだなどが例示される。接続層７を含む配線基板１００では、部品Ｅ１や部品Ｅ２の実装の際に、はんだなどの接合材の供給を省略し得ることがある。

図３の例において、導体ポスト６１の端面６１ａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ２は、コア部５１の露出部５ｃａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ１よりも短い。そのため、コア部５１の露出面５ｃａと部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂとの近接が、導体ポスト６１と部品Ｅ１の電極Ｅ１ａとの当接によって妨げられ難いと考えられる。従って、光導波路５と部品Ｅ１との間の光結合における良好な結合効率が安定して得られ易いと考えられる。

一方、接続層７における導体ポスト６１と反対側の表面の少なくとも一部と絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ３は、コア部５１の露出部５ｃａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ１よりも長い。具体的には、接続層７の表面のうちの少なくとも最上部（絶縁層２１の表面２１ａから最も離れた部分）において距離Ｄ３は、距離Ｄ１よりも長い。すなわち、接続層７の少なくとも一部は、コア部５１の露出部５ｃａよりも、絶縁層２１と反対側に、すなわち、配線基板１００の使用時における部品Ｅ１側に、突出している。従って、配線基板１００への部品Ｅ１の実装時に、接続層７と部品Ｅ１の電極Ｅ１ａとが接触し易く、従って、導体ポスト６１と電極Ｅ１ａとが略確実に接続されると考えられる。なお、接続層７は、部品Ｅ１の実装時に溶融し得るため、コア部５１の露出部５ｃａと部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂとの近接を阻害し難い。

図４には、図１～図３の導体ポスト６１の変形例である導体ポスト６１１が示されている。図４に示されるように、導体ポスト６１１は、下層６１２と上層６１３を有する２層構造を有している。下層６１２は、例えば、無電解めっきやスパッタリングで形成される金属膜である。上層６１３は、例えば、下層６１２を給電層として用いる電解めっきによって形成される電解めっき膜である。導体ポスト６１１は、導体パッド１１ａに向かって先細るテーパー部を被覆膜４１内に有している。従って、導体ポスト６１１を有する図４の例では、導体パッド１１ａの面積よりも大きな面積で、導体ポスト６１１と部品Ｅ１の電極Ｅ１ａとを接続できることがある。また、後述されるように、導体ポスト６１１は、図１～図３の例の導体ポスト６１よりも少ない工程で形成されると考えられる。

図５には、他の実施形態の配線基板の一例である配線基板１０１が示されている。配線基板１０１は、以下に説明する事項を除いて、図１などに示される配線基板１００と同様の構成要素で構成され、配線基板１００と同様の構造を有している。配線基板１００の構成要素と同様の構成要素には、図５において、図１に付されている符号と同様の符号が付されるか適宜省略され、その再度の説明は省略される。

図５に示されるように、配線基板１０１は、図１の配線基板１００に備えられる光導波路５の代わりに、コア部５１の側面５ｃに露出部５ｃａに加えて露出部５ｃｃ（第２露出部）を有する光導波路５０を備えている。光導波路５０のコア部５１は、第１方向Ｘにおける一端側に露出部５ｃａを有し他端側に露出部５ｃｃを有している。また、配線基板１０１では、導体層１１は導体パッド１１ｃ（第３導体パッド）を含んでいる。すなわち、絶縁層２１の表面２１ａには、さらに、第３導体パッド１１ｃが備えられている。導体パッド１１ｃ上には、導体ポスト６３が形成されており、導体ポスト６３と導体パッド１１ｃとが接続している。導体ポスト６３は、導体ポスト６１、６２と同様に、導体層１１から絶縁層２１と反対方向に向かって延びる柱状、錘台状、又は逆錘台状の形状を有する導電体である。導体ポスト６３は導体パッド１１ｃの上面から突出して被覆層４１を貫通している。

配線基板１０１の使用時には、図５に示されるように、導体ポスト６３に外部の部品Ｅ３が接続される。具体的には部品Ｅ３の電極Ｅ３ａと導体ポスト６３とが接続される。従って、部品Ｅ３は、導体ポスト６３を介して導体パッド１１ｃに電気的に接続される。また、配線基板１０１は、配線基板１０１の使用時に部品Ｅ３に覆われるべき領域である部品領域Ａ３（第３部品領域）を含んでいる。部品領域Ａ３に部品Ｅ３が位置づけられる。部品Ｅ３は、導体ポスト６３及び光導波路５０それぞれにおける絶縁層２１側と反対側に搭載される。

部品Ｅ３は、部品Ｅ１と同様に、光電変換機能を有する受光素子及び／又は発光素子を含む電気部品であり、部品Ｅ１に関して前述された受光素子又は発光素子が部品Ｅ３として配線基板１０１に搭載される。そのため、部品Ｅ３は、電極Ｅ３ａに加えて受光又は発光部Ｅ３ｂを備えている。電極Ｅ３ａ及び受光又は発光部Ｅ３ｂは、部品Ｅ３における配線基板１０１側に向けられる面に備えられている。

光導波路５０は、図１の例の光導波路５と同様に、絶縁層２１の表面２１ａにおける被覆層４１に覆われていない領域に設けられており、コア部５１及びクラッド部５２を含んでいる。光導波路５０のコア部５１及びクラッド部５２は、光導波路５のコア部５１及びクラッド部５２の材料に関して前述された、有機系若しくは無機系の各素材、又はそれらの混成素材によって構成され得る。

光導波路５０が有するコア部５１における第１方向Ｘに沿う側面５ｃは、図１の光導波路５と同様に、第１方向Ｘにおける一端側に、部品領域Ａ１内で絶縁層２１と反対方向を向いて光導波路５０から露出する露出部５ｃａを有している。そして、光導波路５０のコア部５１の側面５ｃは、露出部５ｃａを含むコア部５１の一端側と反対側の他端側に、露出部５ｃｃを有している。すなわち、側面５ｃは、露出部５ｃａ及び露出部５ｃｃと、露出部５ｃａ及び露出部５ｃｃに挟まれていてクラッド部５２に覆われている部分５ｃｄとを有している。露出部５ｃｃは、第１方向Ｘにおける露出部５ｃａ側と反対側において、部品領域Ａ３内で、絶縁層２１と反対方向を向いて光導波路５０から露出している。

すなわち、露出部５ｃｃは、配線基板１０１の使用時に部品Ｅ３を向くように光導波路５０から露出している。露出部５ｃｃは、配線基板１０１の使用時に部品Ｅ３の受光又は発光部Ｅ３ｂと対向するように位置づけられる。配線基板１０１においても、光導波路５０のコア部５１の露出部５ｃａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離は被覆層４１の厚さよりも大きい。コア部５１の他端側の露出部５ｃｃは、好ましくは、一端側の露出部５ｃａと略面一である。従って、露出部５ｃｃと絶縁層２１の表面２１ａとの距離は、被覆層４１の厚さよりも大きくなり得る。光導波路５０のコア部５１の露出部５ｃｃと部品Ｅ３の受光又は発光部Ｅ３ｂとを高い結合効率で光結合させ得ることがある。なお、コア部５１の他端側の露出部５ｃｃと一端側の露出部５ｃａとは面一でなくてもよい。その場合でも、露出部５ｃｃと絶縁層２１の表面２１ａとの距離は、被覆層４１の厚さよりも大きくてもよい。

また、導体パッド１１ｃ上には被覆層４１を貫通して被覆層４１の表面よりも突出する導体ポスト６３が形成されているので、部品Ｅ３と配線基板１０１との接続信頼性が高まることがある。また、配線基板の高密度化や良好な高周波特性が実現されることがある。

つぎに、一実施形態の配線基板を製造する方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図６Ａ～図６Ｈを参照して説明される。

図６Ａに示されるように、コア基板３の両側に、絶縁層２１、２２、及び導体層１１、１２が形成される。例えば、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層を含む両面銅張積層基板にサブトラクティブ法によって所望の導体パターンを有する導体層３１とスルーホール導体３３とが形成される。そして、コア基板３の第１面３ａ上に絶縁層２１が形成され、第２面３ｂ上に絶縁層２２が形成される。絶縁層２１及び絶縁層２２は、例えば、コア基板３上へのフィルム状のエポキシ樹脂の積層、及びその熱圧着によって形成される。各絶縁層には、ビア導体２０を形成するための貫通孔が、例えば、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。そして、絶縁層２１の表面２１ａの上に導体層１１が形成され、絶縁層２２の上には導体層１２が形成される。導体層１１は、導体パッド１１ａ、１１ｂ、１１ｄ及び配線１１ｅを含むように形成される。導体層１１及び導体層１２は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。

図６Ｂには、図６ＡのVIＢ部の拡大図が示されている。セミアディティブ法による導体層１１などの形成では、図６Ｂに示されるように、例えば、絶縁層２１の表面２１ａに無電解めっきやスパッタリングによって金属膜１１１が形成される。その金属膜１１１を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜１１２が形成される。

図１の配線基板１００が製造される場合は、パターンめっきによるめっき膜１１２の形成後、そのパターンめっきに用いられためっきレジスト（図示せず）が除去された後、金属膜１１１が全面的に残されたまま、導体ポスト６１、６２（図１参照）が形成される。導体ポスト６１を例に、導体ポスト６１、６２の形成方法が図６Ｃ～図６Ｅを参照して以下に説明される。図６Ｃ～図６Ｅは、図６Ｂに示される部分と同様の部分を示している。

図６Ｃに示されるように、導体層１１及び絶縁層２１の上に、導体ポスト６１の形成箇所に開口Ｒ１ａを有するめっきレジストＲ１が形成される。例えば、めっきレジストＲ１は感光性樹脂を含み、開口Ｒ１ａは露光及び現像によって形成される。

図６Ｄに示されるように、開口Ｒ１ａ内に、例えば、金属膜１１１を給電層として用いる電解めっきによって導体ポスト６１が形成される。導体ポスト６１は、後工程における被覆層４１（図６Ｇ参照）の形成完了時に被覆層４１を貫通し得る高さ、好ましくは、被覆層４１の上面よりも突出し得る高さを有するように形成される。

さらに、図６Ｄに示されるように、接続層７が、導体ポスト６１の端面６１ａ上に形成される。接続層７として、例えば、すず、すず合金、又は、金合金などからなる金属膜が形成される。接続層７は、金属膜１１１を給電層として用いる電解めっきによって形成され得る。接続層７の形成後、めっきレジストＲ１が適切な剥離剤を用いて除去される。そして、金属膜１１１のうちのめっきレジストＲ１の除去によって露出する部分、すなわち、めっき膜１１２に覆われていない部分が、例えば、クイックエッチングによって除去される。導体パッド１１ａなどの導体層１１の各導体パターンが、他の導体パターンと物理的及び電気的に分離される。

図６Ｅ及び図６Ｆに示されるように、絶縁層２１及び導体層１１、導体ポスト６１、６２、及び接続層７を覆う被覆層４１が形成される。図６Ｆは、配線基板１００全体について図６Ｅと同様に被覆層４１の形成後の状態を示している。被覆層４１は、図６Ｅ及び図６Ｆに示される段階では、導体ポスト６１、６２、及び接続層７を含めて絶縁層２１の表面２１ａ上の全ての構成要素を覆うように形成される。

被覆層４１は、例えば、液状又はシート状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを、印刷、塗布、吹き付け、又は積層などの方法で絶縁層２１の表面２１ａ上、及び表面２１ａ上の各構成要素上に供給することによって形成される。被覆層４１は、適切な成型型を用いたインジェクションモールドによって形成されてもよい。また、感光性を有するエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂が用いられてもよい。被覆層４１は、必要に応じて、加熱又は紫外線照射などによって本硬化又は仮硬化される。なお、図６Ｆに示されるように、コア基板３の第２面３ｂ側には、ソルダーレジスト４２がエポキシ樹脂やポリイミド樹脂の塗布や積層によって形成されており、導体層１２及び絶縁層２２全体が、ソルダーレジスト４２によって覆われている。

図６Ｇに示されるように、導体ポスト６１、６２における絶縁層２１と反対側の端部が接続層７と共に被覆層４１から露出するように、被覆層４１の厚さ方向の一部が除去される。具体的には、被覆層４１における絶縁層２１と反対側の表面から所定の厚さを有する部分が全面的に除去される。被覆層４１の厚さの減少によって、導体ポスト６１、６２における絶縁層２１と反対側の端部が被覆層４１から露出する。

被覆層４１の厚さ方向の一部は、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ₄）ガスを用いるプラズマエッチングなどのドライエッチンングによって除去され得る。また、ブラスト処理によって被覆層４１の一部が除去されてもよい。図示されていないが、コア基板３の第２面３ｂ側の表面は、導体ポスト６１、６２の形成の間、及び／又は、被覆層４１の一部の除去の間、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムのような保護膜の貼付によって保護されてもよい。

図６Ｈに示されるように、被覆層４１における、光導波路５及び光コネクタＣが設けられる領域に対応する部分が、例えば、炭酸ガスレーザー光の照射などによって除去される。絶縁層２１の表面２１ａにおける、光導波路５及び光コネクタＣが設けられる領域が露出する。そのレーザー加工によって開口４１ａが形成され得る。また、コア基板３の第２面３ｂ側では、ソルダーレジスト４２に、露光及び現像、又はレーザー加工によって開口４２ａが形成される。

光導波路５が、前述したように、例えば、Ｍｏｓｑｕｉｔｏ法又はインプリント法などを用いて形成される。また、配線基板１００の用途に応じた任意の適切な光コネクタＣが用意される。被覆層４１から露出している絶縁層２１の表面２１ａの所定の部分に、例えば、熱硬化性、常温硬化性、又は光硬化性などの任意の接着剤Ｂが供給され、その上に光導波路５及び光コネクタＣが配置される。必要に応じて、加熱などによる接着剤Ｂの硬化処理が行われ、光導波路５及び光コネクタＣが固定される。さらに、接続層７が、リフロー処理などによって一旦溶かされて半球状の形状に整形される。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１００が完成する。

先に参照された図４に示される変形例の導体ポスト６１１が形成される場合は、図６Ａ及び図６Ｂに示される状態から、金属膜１１１の露出部分が、例えば、クイックエッチングによって除去される。すなわち、導体ポスト６１１の形成の前に、導体パッド１１ａなどの導体層１１の各導体パターンが他の導体パターンと分離される。

そして、図７Ａに示されるように、被覆層４１及びソルダーレジスト４２が形成される。被覆層４１及びソルダーレジスト４２は、図６Ｅ及び図６Ｆを参照して説明された方法と同様の方法で形成され得る。そして、例えば、露光及び現像、又はレーザー加工などによって、被覆層４１に開口４１ａ及び開口４１ｂが形成されると共に、被覆層４１における、光導波路５及び光コネクタＣ（図１参照）が設けられる領域に対応する部分が除去される。開口４１ｂは、導体ポスト６１１が形成される位置に形成される。ソルダーレジスト４２にも、同様に、例えば、露光及び現像によって開口４２ａが形成される。

そして、図７Ｂに示されるように、導体ポスト６１１の下層６１２を構成する金属膜６１０が、例えば、無電解めっき又はスパッタリングによって形成される。なお、図７Ｂは、図７ＡのVIIＢ部に相当する部分を拡大して示している。金属膜６１０は、被覆層４１上、開口４１ｂの内壁面上、及び被覆層４１に覆われていない絶縁層２１の表面２１ａ上に形成される。そして、開口４１ｂを露出させる開口Ｒ１ａを導体ポスト６１１の形成位置に有するめっきレジストＲ１が形成される。図示されていないが、めっきレジストＲ１は、被覆層４１の開口４１ａ（図７Ａ参照）も覆うように形成される。

開口Ｒ１ａ内及び開口４１ｂ内に、上層６１３を構成する金属が電解めっきによって析出される。金属膜６１０が給電層として用いられ得る。その結果、下層６１２及び上層６１３を有する２層構造の導体ポスト６１１が形成される。さらに、金属膜６１０を給電層として用いる電解めっきによって、接続層７として、すず、すず合金、又は、金合金などからなる金属膜が形成される。

その後、めっきレジストＲ１が除去され、その除去によって露出する金属膜６１０がクイックエッチングなどによって除去される。以上の工程を経ることによって、図４の例の導体ポスト６１１が形成され得る。図７Ａ及び図７Ｂに示される導体ポスト６１１の形成方法は、被覆層４１の厚さ方向の一部の除去が不要なので、図１の例の導体ポスト６１及び被覆層４１の形成よりも容易なことがある。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば、実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。光コネクタＣが設けられなくてもよく、部品Ｅ２を搭載する導体パッド１１ｂ及び導体ポスト６２は形成されていなくてもよく、従って、部品領域Ａ２は含まれていなくてもよい。

１００、１０１ 配線基板
１１、１２ 導体層
１１ａ～１１ｄ 導体パッド
１１ｅ 配線
２１、２２ 絶縁層
２１ａ 絶縁層２１の表面
４１ 被覆層
５、５０ 光導波路
５１ コア部
５ａ、５ｂ 端面
５ｃ 側面
５ｃａ、５ｃｃ 露出部
５２ クラッド部
６１～６３、６１１ 導体ポスト
６１ａ 導体ポストにおける導体パッド側と反対側の端面
７ 接続層
Ａ１ 部品領域（第１部品領域）
Ａ２ 部品領域（第２部品領域）
Ａ３ 部品領域（第３部品領域）
Ｄ１ コア部の露出部と絶縁層の表面との距離
Ｄ２ 導体ポストの端面と絶縁層の表面との距離
Ｄ３ 接続層の表面と絶縁層の表面との距離
Ｅ１～Ｅ３ 部品
Ｌ 露出部の長さ
Ｔ 被覆層の厚さ
Ｘ 第１方向

Claims (15)

1. 第１導体パッドを備える表面を有する絶縁層と、
   前記絶縁層を部分的に覆う被覆層と、
   前記表面の上に設けられていて、光を伝えるコア部を含む光導波路と、
   前記第１導体パッドの上にめっき金属で形成されていて前記被覆層を貫通する導体ポストと、
   前記導体ポストに接続される部品に覆われるべき領域である第１部品領域と、
   を含む配線基板であって、
   前記コア部は前記絶縁層の前記表面に沿う第１方向に沿っている側面を有し、
   前記側面は、前記第１部品領域内で前記絶縁層と反対方向を向いて前記光導波路から露出している露出部を有し、
   前記露出部と前記絶縁層の前記表面との距離は、前記被覆層の厚さよりも大きい。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記光導波路は、前記コア部を挟みこむクラッド部をさらに有し、
   前記クラッド部は、前記コア部の前記側面のうちの前記露出部以外の部分を覆っている。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１方向における前記露出部の長さは、１００μｍ以上、５００μｍ以下である。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記光導波路は、前記絶縁層の前記表面における前記被覆層に覆われていない領域に設けられている。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記コア部は、前記第１方向と交差する端面を、前記第１部品領域内の前記光導波路の内部に有している。
6. 請求項５記載の配線基板であって、前記端面は、前記絶縁層側を向くように前記第１方向の直交面に対して傾いている。
7. 請求項１記載の配線基板であって、前記導体ポストは、前記コア部の前記露出部と略同じ方向を向く端面を前記第１導体パッド側と反対側の端部に有している。
8. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記絶縁層の前記表面には、さらに第２導体パッド及び配線が備えられており、
   前記配線基板は、前記第２導体パッドに電気的に接続される部品に覆われるべき領域である第２部品領域を含み、
   前記第２導体パッドと、前記第１導体パッドとが前記配線で接続されている。
9. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記コア部の前記側面は、前記コア部の一端側に前記露出部を有し、且つ、前記コア部の前記一端側と反対側の他端側において前記絶縁層と反対方向を向いて前記光導波路から露出している。
10. 請求項９記載の配線基板であって、
    前記絶縁層の前記表面には、さらに第３導体パッドが備えられており、
    前記配線基板は、前記第３導体パッドに電気的に接続される部品に覆われるべき領域である第３部品領域を含み、
    前記コア部の前記側面は、前記コア部の前記他端側において前記第３部品領域内で前記光導波路から露出している。
11. 請求項１０記載の配線基板であって、
    前記絶縁層の前記表面には、さらに第２導体パッド及び配線が備えられており、
    前記配線基板は、前記第２導体パッドに電気的に接続される部品に覆われるべき領域である第２部品領域を含み、
    前記第２導体パッドと、前記第１導体パッドとが前記配線で接続されている。
12. 請求項１記載の配線基板であって、前記導体ポストは、前記第１導体パッド側から前記第１導体パッド側と反対側まで略一定の幅で一体として形成されている。
13. 請求項１記載の配線基板であって、前記導体ポストは、前記被覆層における前記絶縁層と反対側の表面よりも突出している。
14. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記導体ポストにおける前記第１導体パッド側と反対側の端面の上に前記導体ポストよりも低融点の材料で形成されている接続層を含んでいる。
15. 請求項１４記載の配線基板であって、
    前記導体ポストにおける前記第１導体パッド側と反対側の端面と前記絶縁層の前記表面との距離は、前記コア部の前記露出部と前記絶縁層の前記表面との距離よりも短く、
    前記接続層における前記導体ポストと反対側の表面と前記絶縁層の前記表面との距離は、前記露出部と前記絶縁層の前記表面との距離よりも長い。

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