JP2023002708A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023002708A JP2023002708A JP2022168808A JP2022168808A JP2023002708A JP 2023002708 A JP2023002708 A JP 2023002708A JP 2022168808 A JP2022168808 A JP 2022168808A JP 2022168808 A JP2022168808 A JP 2022168808A JP 2023002708 A JP2023002708 A JP 2023002708A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- thin film
- pixel
- film transistor
- scanning line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 214
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 59
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 43
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 249
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 138
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 4
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000628 photoluminescence spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 etc. Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDHHCQZDFGDHMP-UHFFFAOYSA-N Chloramine Chemical compound ClN QDHHCQZDFGDHMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- HPDFFVBPXCTEDN-UHFFFAOYSA-N copper manganese Chemical compound [Mn].[Cu] HPDFFVBPXCTEDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- MDQRDWAGHRLBPA-UHFFFAOYSA-N fluoroamine Chemical compound FN MDQRDWAGHRLBPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QEHKBHWEUPXBCW-UHFFFAOYSA-N nitrogen trichloride Chemical compound ClN(Cl)Cl QEHKBHWEUPXBCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/13606—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit having means for reducing parasitic capacitance
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/103—Materials and properties semiconductor a-Si
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
- H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Geometry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
tically Aligned)型の液晶表示装置が提供されている。また、VA型液
晶表示装置において、一画素に複数の画素電極と、それぞれの画素電極に接続し、画素電
極の電位を制御する薄膜トランジスタを有するマルチドメイン構造の液晶表示装置が提供
されている。一画素に複数の画素電極を設けることで、各画素電極によって液晶の配向を
異ならせることが可能であるため、従来のVA型液晶表示装置と比較して、更に視野角を
広げることが可能である(特許文献1参照)。
には、対角120インチ以上の画面サイズも視野に入れた開発が行われている。加えて、
画面の解像度も、ハイビジョン画質(HD、1366×768)、フルハイビジョン画質
(FHD、1920×1080)と高精細化の傾向にあり、解像度が3840×2048
または4096×2180といった、いわゆる4Kデジタルシネマ用の液晶表示装置の開
発も急がれている。
)の高速駆動とすることが行われており、さらには4倍速以上の高速駆動が検討されてい
る。また、3次元(3D)表示の液晶表示装置を実現するには、右目用と左目用の画像を
交互に表示する必要があるため、2倍速駆動以上の高速動作で液晶表示装置を動作させる
ことが求められる。
加し、一画素当たりの書き込み時間が短くなる。このため、画素電極の電位を制御する薄
膜トランジスタには、高速動作及び高いオン電流等が求められている。
を引き起こす。この結果、表示ムラや階調不良などの表示品質の低下や、消費電力の増加
が生じてしまう。
表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、表示品質を向上させた
表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、消費電力を低減できる
表示装置を提供することを課題とする。
と、信号線から突出する第1の電極と、該第1の電極と対向する第2の電極と、該第2の
電極と接続する画素電極とを有する。また、走査線の一部はループ形状で開口部を有して
おり、第1の電極の一部は、走査線の開口部と重畳する領域に位置する。即ち、第1の電
極の一部は、走査線と重畳しない。
、該信号線と交差する走査線と、信号線から突出する第1の電極と、該第1の電極と対向
する複数の第2の電極と、該複数の第2の電極と接続する複数の画素電極とを有する。ま
た、走査線の一部はループ形状で開口部を有する。また、走査線、第1の電極、ゲート絶
縁膜、半導体膜、及び複数の第2の電極の一により第1の薄膜トランジスタを構成し、走
査線の開口部と第1の電極とが重畳する。また、走査線、第1の電極、ゲート絶縁膜、半
導体膜、及び複数の第2の電極の二により第2の薄膜トランジスタを構成し、走査線の開
口部と第1の電極とが重畳する。
他部は信号線と交差する方向に延伸する領域であり、走査線の一部において、開口部を挟
んだ走査線の幅の合計は、走査線の他部の幅以上であることが好ましい。また、走査線の
一部の端部は、走査線の他部の端部より外側に位置することが好ましい。更には、当該走
査線の一部の端部が、走査線の他部の端部より外側に位置する領域において、走査線は上
記ループ形状を有する。
及びドレイン電極の一方として機能する。また、複数の第2の電極の一は、第1の薄膜ト
ランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方として機能し、複数の第2の電極の二は
、第2の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。
よい。または、第2の電極及び第3の電極は、上面形状において、前記第1の電極の一方
の辺側に設けられてもよい。
1の電極が共通している。このため、ソース電極及びドレイン電極の一方並びに走査線の
重畳面積を低減することが可能であり、画素の開口率を維持しつつ、且つ走査線及び第1
の電極の間に生じる寄生容量を低減することができる。
薄膜トランジスタにおいてソース電極及びドレイン電極の一方として機能する第1の電極
が位置する。このため、ループ形状の走査線と、第1の電極との重畳面積を低減すること
が可能であり、走査線と第1の電極の寄生容量を低減することができる。
つ、且つ配線間の寄生容量を低減することができる。また、本発明の一態様を適用するこ
とで、表示装置の表示品質を向上させることができる。また、本発明の一態様を適用する
ことで、表示装置の消費電力を低減することができる。
説明に限定されるものではない。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解されるからである。し
たがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容のみに限定して解釈されるものでは
ない。なお、図面を用いて本発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異な
る図面間でも共通して用いる。
要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記す
る。
本実施の形態では、配線容量を低減した液晶表示装置の一画素の構成について、図1~図
3、及び図8を用いて説明する。なお、本実施の形態では、1画素に複数のサブ画素を設
けた画素を、画素100として説明するがこれに限定されるものではない。
を示し、図2(A)は、図1に示す画素100の回路図を示し、図2(B)は従来の画素
の回路図を示し、図3(A)は、図1に示す一点鎖線A-Bの断面図を示し、図3(B)
は、図1に示す一点鎖線C-Dの断面図を示す。図8(A)は、図1における薄膜トラン
ジスタ136及び薄膜トランジスタ137の近傍の拡大上面図である。図8(B)は、図
8(A)の走査線103、走査線103a、及び走査線103bの形状を見やすくするた
め、走査線103、走査線103a、走査線103b、容量配線105a、及び容量配線
105bのみハッチングを用いて示した上面図である。図8(C)は、図8(A)の第1
の電極123の形状を見やすくするため、信号線121、第1の電極123、第2の電極
125a、及び第3の電極125bのみハッチングを用いて示した上面図である。なお、
図8(B)及び図8(C)は、図1の一部を縮小して表示している。
差する信号線121とを有する。また、走査線103と同じ方向に延びる容量配線105
a及び容量配線105bを有する。なお、容量配線105aと、容量配線105bとの間
に、走査線103を有する。
ランジスタ137を有する。薄膜トランジスタ136は、走査線103に重畳する半導体
膜135と、半導体膜135と重畳する第1の電極123及び第2の電極125aを有す
る。第1の電極123は、信号線121から突出した領域である。第1の電極123及び
第2の電極125aは、薄膜トランジスタ136においてソース電極及びドレイン電極と
して機能する。
と重畳する第1の電極123及び第3の電極125bとを有する。第1の電極123及び
第3の電極125bは、薄膜トランジスタ137においてソース電極及びドレイン電極と
して機能する。
る。即ち、薄膜トランジスタ136は、第2の電極125aにより画素電極139aを含
む液晶素子142と接続する。また、容量素子140の一方の電極は画素電極139a及
び薄膜トランジスタ136の第2の電極125aと接続し、他方の電極は容量配線105
aと接続する(図2(A)参照。)。
る。即ち、薄膜トランジスタ137は、第3の電極125bにより画素電極139bを含
む液晶素子143と接続する。また、容量素子141の一方の電極は画素電極139b及
び薄膜トランジスタ137の第3の電極125bと接続し、他方の電極は容量配線105
bと接続する(図2(A)参照。)。即ち、薄膜トランジスタ136及び薄膜トランジス
タ137は、上面形状において画素100の略中央に位置し、画素100における各サブ
画素の画素電極139a及び画素電極139bの間に形成される。薄膜トランジスタ13
6及び薄膜トランジスタ137を画素電極139a及び画素電極139bの間に設けるこ
とにより、第2の電極125a及び画素電極139a、並びに第3の電極125b及び画
素電極139bの接続距離を短くすることが可能であるため、第2の電極125a及び画
素電極139a、並びに第3の電極125b及び画素電極139bの間に発生する寄生容
量を低減すると共に、画素100における開口率の低減を防ぐことができる。
一方である第1の電極123が共通している。即ち、各画素において、信号線から突出す
る電極が第1の電極123一つであり、且つ薄膜トランジスタ136及び薄膜トランジス
タ137において共通であるため、走査線103と信号線121から突出された第1の電
極123との間に発生する寄生容量を低減することができる。
る領域近傍においてループ形状であり、走査線103a及び走査線103bとなっており
、開口部126を有する。即ち、走査線は、信号線121と交差する方向に延伸する領域
である走査線103と、間に開口部126を挟むことでループ形状を形成する走査線10
3a及び走査線103bとで構成される。このとき、開口部126を挟む走査線103a
及び走査線103bの幅の合計は、走査線103の幅以上である。また、ループ形状とな
っている走査線103a及び走査線103bにおいては、走査線103の端部より走査線
103a及び走査線103bの端部が外側に突出している(図8(B)参照。)。また、
ループ形状を形成する走査線103a及び走査線103bの間に設けられる開口部におい
て、第1の電極123の一部が配置される(図8(C)参照。)。走査線103a及び走
査線103bの幅の合計は、走査線103の幅以上であるため、走査線103から分岐し
た走査線103a及び走査線103bにおいて、配線抵抗の増加を防ぐことができると共
に、発熱、静電破壊等による半導体装置の不良の発生を低減することができる。
査線103a及び第1の電極123の重畳部において寄生容量C4が発生する。また、走
査線103a及び第2の電極125aの重畳部において寄生容量C5が発生する。薄膜ト
ランジスタ137においては、走査線103b及び第1の電極123の重畳部において寄
生容量C6が発生する。また、走査線103b及び第3の電極125bの重畳部において
寄生容量C7が発生する。
直線状である走査線203を有し、薄膜トランジスタ236及び薄膜トランジスタ237
それぞれにおいて、信号線121と接続する電極が異なる画素200の回路図を図2(B
)に示す。図2(A)と同様の構成においては、同じ符号を用いて示し、構成の説明を省
略する。
号線121とを有する。また、走査線203と同じ方向に延びる容量配線105a及び容
量配線105bを有する。なお、容量配線105aと、容量配線105bとの間に、走査
線203を有する。
ランジスタ237を有する。薄膜トランジスタ236は、走査線203に接続するゲート
電極と、信号線121から突出する第1の電極と、液晶素子142と接続する第2の電極
とを有する。また、容量素子140の一方の電極は、液晶素子142に含まれる画素電極
及び薄膜トランジスタ236の第2の電極に接続し、容量素子140の他方の電極は、容
量配線105aに接続する。
出する第3の電極と、液晶素子143と接続する第4の電極とを有する。また、容量素子
141の一方の電極は、液晶素子143に含まれる画素電極及び薄膜トランジスタ237
の第4の電極に接続し、容量素子141の他方の電極は、容量配線105bに接続する。
て寄生容量C14が発生する。また、走査線203及び第2の電極の重畳部において寄生
容量C15が発生する。薄膜トランジスタ237においては、走査線203及び第3の電
極の重畳部において寄生容量C16が発生する。また、走査線203及び第4の電極の重
畳部において寄生容量C17が発生する。
a、203、及び第1の電極の重畳部の面積が略同一であれば、寄生容量C4及び寄生容
量C14は略同一である。また、走査線103a、203、及び第2の電極の重畳部の面
積が略同一であれば、寄生容量C5及び寄生容量C15は略同一である。薄膜トランジス
タ137及び薄膜トランジスタ237において、走査線103b及び第1の電極の重畳部
の面積と、走査線203及び第3の電極の重畳部の面積とが略同一であれば、寄生容量C
6及び寄生容量C16は略同一である。また、走査線103b及び第3の電極の重畳部の
面積と、走査線203及び第4の電極の重畳部の面積とが略同一であれば、寄生容量C7
及び寄生容量C17は略同一である。
である走査線203を有する画素200は、図2(B)に示すように、走査線203及び
信号線121の間において、寄生容量C11が発生している。また、薄膜トランジスタ2
36及び薄膜トランジスタ237において、ソース電極及びドレイン電極の一方となる電
極が異なる電極(薄膜トランジスタ236においては第1の電極、薄膜トランジスタ23
7においては第3の電極)の場合、即ち、薄膜トランジスタ236の第1の電極及び薄膜
トランジスタ237の第3の電極のそれぞれと、信号線121とが接続する場合、走査線
203及び第1の電極の間に寄生容量C12が発生し、走査線203及び第3の電極の間
に寄生容量C13が発生する。
ランジスタ137が形成される領域近傍においてループ形状であり、図1及び図8(B)
に示すように、走査線103a及び走査線103bとなっており、開口部126を有する
。また、ループ形状である走査線103a及び走査線103bの間に設けられる開口部1
26において、第1の電極123が配置している(図8(C)参照。)。このため、当該
領域における第1の電極123において、走査線との寄生容量は生じていない。即ち、図
8(A)における寄生容量C3はゼロである。なお、走査線103a及び信号線121の
間、並びに走査線103b及び信号線121の間においては、それぞれ寄生容量C1及び
寄生容量C2が生じている。
すると、画素200における寄生容量C11と、画素100における寄生容量C1及び寄
生容量C2の合計とは、略同一とすることが可能であるため、画素100と比較して、画
素200においては、寄生容量C12及び寄生容量C13が多い。
トランジスタ137は、ソース電極及びドレイン電極の一方である第1の電極123が共
通している(図8(C)参照)。このため、第1の電極123において、抵抗が生じる。
237において、ソース電極及びドレイン電極の一方となる電極が異なる電極の場合、即
ち、薄膜トランジスタ236の第1の電極及び薄膜トランジスタ237の第3の電極のそ
れぞれと、信号線121とが接続する場合、薄膜トランジスタ236の第1の電極及び薄
膜トランジスタ237の第3の電極のそれぞれにおいて、抵抗が生じる。
電極123を、薄膜トランジスタ136及び薄膜トランジスタ137それぞれのソース電
極及びドレイン電極の一方とすることで、走査線103及び第1の電極123の重畳面積
を低減することが可能であり、配線幅を広げることなく、即ち、開口率を維持しつつ、走
査線103及び第1の電極123の間に生じる寄生容量を低減することができる。なお、
ここでは、走査線103a及び走査線103bの幅の合計を走査線203の幅と、概略同
一としたが、走査線103a及び走査線103bの幅の合計は、走査線103の幅以上で
あればよい。この結果、画素における走査線の抵抗の増加を防ぐことができる。
25a、及び第3の電極125bと、走査線103a、走査線103b、容量配線105
a、及び容量配線105bとが交差する領域近傍において、信号線121、第1の電極1
23、第2の電極125a、及び第3の電極125bと、走査線103a、走査線103
b、容量配線105a、及び容量配線105bとの交差部の外側に、半導体膜135の端
部が位置する。即ち、走査線103a及び信号線121、走査線103b及び信号線12
1、容量配線105a及び信号線121、容量配線105b及び信号線121、走査線1
03a及び第1の電極123、走査線103a及び第2の電極125a、走査線103b
及び第3の電極125bの間において、ゲート絶縁膜のみでなく、半導体膜135が形成
されるため、配線間の寄生容量を低減できる。
極125a及び第3の電極125bが設けられている。このため、第1の電極123から
第2の電極125aに流れる電流の方向と、第1の電極123から第3の電極125bに
流れる電流の方向が反対である。画素を2分割し、それぞれにチャネル方向(電流の流れ
る方向)の異なる薄膜トランジスタを設けることにより、半導体膜135の結晶性のばら
つきを原因とする、画素ごとの薄膜トランジスタの電気特性のばらつきを低減することが
できる。また、薄膜トランジスタ136及び薄膜トランジスタ137において、共通の半
導体膜を有するため、薄膜トランジスタ136及び薄膜トランジスタ137において、第
1の電極123及び半導体膜が接する領域を共有することができる。この結果、画素10
0における薄膜トランジスタ136及び薄膜トランジスタ137の専有面積を低減するこ
とが可能である。
が、これに限定されない。一画素に3つ以上の複数の薄膜トランジスタ及び当該薄膜トラ
ンジスタに接続する複数の画素電極を有してもよい。
ある。
線103及び半導体膜135の間に設けられるゲート絶縁膜107と、半導体膜135に
接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜127及び不純物半導
体膜129と、不純物半導体膜127に接する第1の電極123と、不純物半導体膜12
9に接する第2の電極125aとを有する。また、ゲート絶縁膜107、半導体膜135
、不純物半導体膜127、不純物半導体膜129、第1の電極123、及び第2の電極1
25aを覆う絶縁膜138が形成される。また、絶縁膜138の開口部において第2の電
極125aと接続する画素電極139aが形成される。
る程度の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、基板に透光性
を要しない場合には、ステンレス等の金属の基板の表面に絶縁膜を設けたものを用いても
よい。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。なお、基
板101のサイズに限定はなく、例えば液晶表示装置でよく使われる第3世代乃至第10
世代のガラス基板を用いることができる。
3は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオ
ジム、スカンジウム、ニッケル等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用い
て、単層でまたは積層して形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピン
グした多結晶シリコンに代表される半導体、Ag-Pd-Cu合金、Al-Nd合金、A
l-Ni合金などを用いてもよい。
層した二層の積層構造、または銅膜上にモリブデン膜を積層した二層構造、または銅膜上
に窒化チタン膜若しくは窒化タンタル膜を積層した二層構造、窒化チタン膜とモリブデン
膜とを積層した二層構造、酸素を含む銅-マグネシウム合金膜と銅膜とを積層した二層構
造、酸素を含む銅-マンガン合金膜と銅膜とを積層した二層構造、銅-マンガン合金膜と
銅膜とを積層した二層構造などとすることが好ましい。三層の積層構造としては、タング
ステン膜または窒化タングステン膜と、アルミニウムとシリコンの合金膜またはアルミニ
ウムとチタンの合金膜と、窒化チタン膜またはチタン膜とを積層した三層構造とすること
が好ましい。電気的抵抗が低い膜上にバリア膜として機能する金属膜が積層されることで
、電気的抵抗を低くでき、且つ金属膜から半導体膜への金属元素の拡散を防止することが
できる。
のため、容量配線105a及び容量配線105bは、走査線103と同様の材料及び積層
構造を有する。
化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、ま
たは窒化酸化アルミニウム膜を、単層でまたは積層して形成することができる。なお、ゲ
ート絶縁膜107において、半導体膜135が微結晶シリコン膜の場合、半導体膜135
と接する層を、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の酸化物膜で形成することで、半
導体膜135との界面の窒素濃度を低減できるため、薄膜トランジスタの電気特性の信頼
性を高めることができる。
いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherford
Backscattering Spectrometry)及び水素前方散乱法(H
FS:Hydrogen Forward Scattering Spectrome
try)を用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50~70原子%、窒素が0.
5~15原子%、シリコンが25~35原子%、水素が0.1~10原子%の範囲で含ま
れるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有
量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範
囲として酸素が5~30原子%、窒素が20~55原子%、シリコンが25~35原子%
、水素が10~30原子%の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまた
は窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子%としたとき、窒素、酸素、シリ
コン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。
化物半導体を用いて形成する。酸化物半導体の代表例としては、四元系金属酸化物である
In-Sn-Ga-Zn-O膜や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O膜、I
n-Sn-Zn-O膜、In-Al-Zn-O膜、Sn-Ga-Zn-O膜、Al-Ga
-Zn-O膜、Sn-Al-Zn-O膜や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O膜、
Sn-Zn-O膜、Al-Zn-O膜、In-Ga-O膜などを用いることができる。
導体、または結晶性半導体を、単層または積層して形成することができる。
半導体である。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体で
あって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な半導体であり、混相粒径が2nm以
上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは、20nm以
上50nm以下の柱状または針状の混相粒が基板表面に対して法線方向に成長している。
このため、柱状または針状の混相粒の界面には、粒界が形成される場合もある。
を示す520cm-1より低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す5
20cm-1とアモルファスシリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマ
ンスペクトルのピークがある。また、未結合手(ダングリングボンド)を終端するため水
素またはハロゲンを少なくとも1原子%含んでいる。さらに、ヘリウム、アルゴン、ネオ
ン、クリプトン、キセノンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させること
で、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。このような微結晶半導体に関する記述
は、例えば、米国特許4,409,134号で開示されている。
の積層構造を適用する。
晶質半導体領域133に向かって、先端が狭まる(凸部の先端が鋭角である)凸状(錐形
状)である。なお、微結晶半導体領域131の凹凸の形状は、ゲート絶縁膜107から非
晶質半導体領域133に向かって幅が広がる凸状(逆錐形状)であってもよい。
。また、微結晶半導体領域131に含まれる結晶粒界に、NH基またはNH2基を有して
もよい。二次イオン質量分析法によって計測される微結晶半導体領域131の凸部の領域
に含まれる窒素の濃度を、1×1020atoms/cm3以上1×1021atoms
/cm3以下、好ましくは2×1020atoms/cm3以上1×1021atoms
/cm3以下とすることで、錐形状または逆錐形状を含む凹凸を形成することが可能であ
る。
質半導体に含まれる窒素は、例えばNH基またはNH2基として存在していてもよい。非
晶質半導体としては、アモルファスシリコンを用いて形成する。
photocurrent method)やフォトルミネッセンス分光測定で測定さ
れるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体である
。即ち、窒素を含む非晶質半導体は、従来の非晶質半導体と比較して、欠陥が少なく、価
電子帯のバンド端における準位のテール(裾)の傾きが急峻である秩序性の高い半導体で
ある。窒素を含む非晶質半導体は、価電子帯のバンド端における準位のテール(裾)の傾
きが急峻であるため、バンドギャップが広くなり、トンネル電流が流れにくい。このため
、窒素を含む非晶質半導体を、微結晶半導体領域131と不純物半導体膜127及び不純
物半導体膜129との間に設けることで、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することが
できる。また、窒素を含む非晶質半導体を設けることで、オン電流と電界効果移動度を高
めることが可能である。
ピーク領域が、1.31eV以上1.39eV以下である。なお、微結晶半導体、代表的
には微結晶シリコンを低温フォトルミネッセンス分光により測定したスペクトルのピーク
領域は、0.98eV以上1.02eV以下であり、窒素を含む非晶質半導体は、微結晶
半導体とは異なるものである。
上5nm以下の半導体結晶粒を含ませることで、更に薄膜トランジスタのオン電流と電界
効果移動度を高めることが可能である。
、半導体膜をシリコン膜またはシリコンゲルマニウム膜で形成する場合であって、且つn
チャネル型薄膜トランジスタの場合は、リンが添加されたアモルファスシリコン、リンが
添加された微結晶シリコン等を用いて形成する。また、リンが添加されたアモルファスシ
リコン及びリンが添加された微結晶シリコンの積層構造とすることもできる。なお、pチ
ャネル型薄膜トランジスタの場合は、不純物半導体膜127及び不純物半導体膜129は
、ホウ素が添加された微結晶シリコン、ホウ素が添加されたアモルファスシリコン等を用
いて形成する。
カンジウム、モリブデン、クロム、タンタル若しくはタングステン等により単層で、また
は積層して形成することができる。または、ヒロック防止元素が添加されたアルミニウム
合金(走査線103に用いることができるAl-Nd合金等)により形成してもよい。ド
ナーとなる不純物元素を添加した結晶性シリコンを用いてもよい。ドナーとなる不純物元
素が添加された結晶性シリコンと接する側の膜を、チタン、タンタル、モリブデン、タン
グステンまたはこれらの元素の窒化物により形成し、その上にアルミニウムまたはアルミ
ニウム合金を形成した積層構造としてもよい。更には、アルミニウムまたはアルミニウム
合金の上面及び下面を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元
素の窒化物で挟んだ積層構造としてもよい。
れる。このため、第3の電極125bは、第1の電極123及び第2の電極125aと同
様の材料及び積層構造を有する。また、第1の電極123は、信号線121の一部が突出
した領域である。このため、信号線121は、第1の電極123と同様の材料及び積層構
造を有する。
縁膜138を積層構造とする場合は、半導体膜135に接する層を、酸化シリコン膜、酸
化アルミニウム膜等の酸化物膜で形成することが好ましい。これは、絶縁膜138上にバ
ックゲート電極を設ける場合、半導体膜135において絶縁膜138に接する領域はチャ
ネル領域として機能する。チャネル領域における窒素濃度を低減させることで、薄膜トラ
ンジスタの信頼性を高めることができるためである。
むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジ
ウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを添加
したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料や、グラフェンを用いて形成する
ことができる。
bは、画素電極139aと同様の材料及び積層構造を有する。
配線105a及び第2の電極125aの間に設けられるゲート絶縁膜107とで構成され
る。また、ゲート絶縁膜107及び第2の電極125aを覆う絶縁膜138が形成される
。また、絶縁膜138上に第2の電極125aと接続する画素電極139aが形成される
。
で構成される。また、薄膜トランジスタ137に接続する容量素子141は、容量素子1
40と同様の構造で構成される。
間、薄膜トランジスタの走査線と、ソース電極及びドレイン電極の一方との寄生容量を低
減することができる。このため、大型である液晶表示装置、高速駆動が可能な液晶表示装
置、解像度の高い液晶表示装置において、表示品質を向上させることができる。また、液
晶表示装置の消費電力を低減することができる。
ることができる。
本実施の形態では、配線容量を低減した液晶表示装置において、実施の形態1と異なる構
造を有する一画素の構成について、図4及び図5を用いて説明する。なお、本実施の形態
では、1画素に複数のサブ画素を設けた画素を、画素150として説明するがこれに限定
されるものではない。
であり、図5は、図4に示す一点鎖線E-Fの断面図を示す。
51とを有する。また、走査線103と同じ方向に延びる容量配線105a及び容量配線
105bを有する。なお、容量配線105aと、容量配線105bとの間に、走査線10
3を有する。
ランジスタ167を有する。薄膜トランジスタ166は、走査線103に重畳する半導体
膜165aと、半導体膜165aと重畳する第1の電極153及び第2の電極155aと
を有する。第1の電極153は、信号線151から突出した領域である。第1の電極15
3及び第2の電極155aは、薄膜トランジスタ166においてソース電極及びドレイン
電極として機能する。
5bと重畳する第1の電極153及び第3の電極155bとを有する。第1の電極153
及び第3の電極155bは、薄膜トランジスタ167においてソース電極及びドレイン電
極として機能する。
る。また、容量配線105aと、第2の電極155a及び画素電極169aのそれぞれ一
部とが重畳している。容量配線105a、ゲート絶縁膜、及び第2の電極155aにより
容量素子を構成する。
る。また、容量配線105bと、第3の電極155b及び画素電極169bのそれぞれ一
部とが重畳している。容量配線105b、ゲート絶縁膜、及び第3の電極155bにより
容量素子を構成する。即ち、薄膜トランジスタ166及び薄膜トランジスタ167は、薄
膜トランジスタ136及び薄膜トランジスタ137と同様に、上面形状において画素15
0の略中央に位置し、画素150における各サブ画素の画素電極169a及び画素電極1
69bの間に形成される。このため、第2の電極155a及び画素電極169a、並びに
第3の電極155b及び画素電極169bの間に発生する寄生容量を低減すると共に、画
素150における開口率の低減を防ぐことができる。
一方である第1の電極153が共通している。即ち、各画素において、信号線から突出す
る電極が第1の電極153一つであり、且つ薄膜トランジスタ166及び薄膜トランジス
タ167において共通であるため、走査線103と信号線151から突出された第1の電
極153との間に発生する寄生容量を低減することができる。
る領域近傍においてループ形状であり、走査線103a及び走査線103bとなっている
。また、ループ形状である走査線103a及び走査線103bとの間に設けられる開口部
において、第1の電極153の一部が配置される。このため、薄膜トランジスタ166及
び薄膜トランジスタ167それぞれに、ソース電極及びドレイン電極の一方が設けられる
場合と比較して、走査線103及び第1の電極153の重畳面積を低減することが可能で
あり、走査線103及び第1の電極153の間に生じる寄生容量を低減することができる
。また、走査線103a及び走査線103bの幅の合計は、走査線103の幅以上である
ため、走査線103から分岐した走査線103a及び走査線103bにおいて、配線抵抗
の増加を防ぐことができると共に、発熱、静電破壊等による半導体装置の不良の発生を低
減することができる。
であり、配線幅を広げることなく、即ち、開口率を維持しつつ、走査線103及び第1の
電極153の間に生じる寄生容量を低減することができる。また、画素における抵抗を低
減することができる。
b及び信号線151、容量配線105a及び信号線151、並びに容量配線105b及び
信号線151の間において、半導体膜165cが設けられている。また、走査線103a
及び信号線151、走査線103b及び信号線151、容量配線105a及び信号線15
1、並びに容量配線105b及び信号線151それぞれの交差部より外側に、半導体膜1
65cの端部が位置する。このため、上記配線間には、ゲート絶縁膜のみでなく、半導体
膜165cが形成されるため、配線間の寄生容量を低減できる。なお、半導体膜165c
の端部は、走査線103の一端部と重畳しているため、走査線103の一端部及び第1の
電極153の一部における寄生容量を低減している。
膜165a及び半導体膜165bの端部は、走査線103の内側に位置する。このため、
半導体膜165a及び半導体膜165bへのバックライトや外光の照射を低減することが
可能であり、薄膜トランジスタ166及び薄膜トランジスタ167の光リーク電流を低下
することができる。
一方の辺側に、第2の電極155a及び第3の電極155bが設けられている。即ち、第
2の電極155a及び第3の電極155bと、信号線151との間に、信号線から突出す
る第1の電極153が設けられる。このため、第1の電極153及び第2の電極155a
の間に流れる電流の方向と、第1の電極153及び第3の電極155bの間に流れる電流
の方向とが略一致する。半導体膜が微結晶半導体膜または結晶性半導体膜の場合、結晶の
配向方向と、上記電流の流れる方向を略一致させることで、薄膜トランジスタの電気特性
を向上させることができる。また、薄膜トランジスタ166及び薄膜トランジスタ167
が有する半導体膜がそれぞれ異なるため、薄膜トランジスタ同士におけるリーク電流が少
なく、更には、一方の薄膜トランジスタの電気特性が悪くとも、一方の薄膜トランジスタ
の電気特性が他方の薄膜トランジスタの電気特性に影響しないため、画素間の電気特性の
ムラを低減することができる。
が、これに限定されない。一画素に3つ以上の複数の薄膜トランジスタ及び当該薄膜トラ
ンジスタに接続する複数の画素電極を有してもよい。
査線103及び半導体膜165aの間に設けられるゲート絶縁膜107と、半導体膜16
5aに接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜157及び不純
物半導体膜159と、不純物半導体膜157に接する第1の電極153と、不純物半導体
膜159に接する第2の電極155aとを有する。また、ゲート絶縁膜107、半導体膜
165a、不純物半導体膜157、不純物半導体膜159、第1の電極153、及び第2
の電極155aを覆う絶縁膜168が形成される。また、絶縁膜168の開口部において
第2の電極155aと接続する画素電極169aが形成される。
いることができる。
165bは、半導体膜165aと同様の材料及び積層構造を有する。
不純物半導体膜157及び不純物半導体膜159を設ける場合は、実施の形態1に示す不
純物半導体膜127及び不純物半導体膜129と同様の材料及び構造を適宜用いることが
できる。
第2の電極125aと同様の材料及び構造を適宜用いることができる。
れる。このため、第3の電極155bは、第1の電極153及び第2の電極155aと同
様の材料及び積層構造を有する。また、第1の電極153は、信号線151の一部が突出
した領域である。このため、信号線151は、第1の電極153と同様の材料及び積層構
造を有する。
とができる。
用いることができる。
169bは、画素電極169aと同様の材料及び積層構造を有する。
間、薄膜トランジスタの走査線と、ソース電極及びドレイン電極の一方との寄生容量を低
減することができる。このため、大型である液晶表示装置、高速駆動が可能な液晶表示装
置、解像度の高い液晶表示装置において、表示品質を向上させることができる。また、液
晶表示装置の消費電力を低減することができる。
ることができる。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2に示す薄膜トランジスタの作製方法に
ついて、図6及び図7を用いて説明する。なお、ここでは、実施の形態1に示す薄膜トラ
ンジスタ136の作製方法を説明するが、適宜実施の形態1に示す薄膜トランジスタ13
7、実施の形態2に示す薄膜トランジスタ166及び薄膜トランジスタ167に適用する
ことができる。なお、薄膜トランジスタは、p型よりもn型の方が、キャリアの移動度が
高い。また、同一の基板上に形成する薄膜トランジスタを全て同じ極性に統一すると、工
程数を抑えることができ、好ましい。そのため、本実施の形態では、n型の薄膜トランジ
スタの作製方法について説明する。
を覆うゲート絶縁膜107を形成し、ゲート絶縁膜107上に微結晶半導体膜109を形
成する。
た材料により導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ法またはインクジェット
法等によりマスクを形成し、該マスクを用いて導電膜をエッチングして形成することがで
きる。また、銀、金または銅等の導電性ナノペーストをインクジェット法により基板上に
吐出し、焼成することで形成することもできる。なお、走査線103及び基板101の密
着性向上を目的として、上記の金属材料の窒化物膜を、基板101と、走査線103との
間に設けてもよい。ここでは、基板101上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程
により形成したレジストで形成されるマスクを用いて、当該導電膜をエッチングする。
、走査線103上に形成される絶縁膜、半導体膜及び配線が、走査線103の段差箇所に
おいて切断されないようにするためである。走査線103の側面をテーパー形状にするた
めには、レジストで形成されるマスクを後退させつつエッチングを行えばよい。
時に形成することができる。
る。ゲート絶縁膜107を形成する際のグロー放電プラズマの生成は、3MHzから30
MHz、代表的には13.56MHz、27.12MHzのHF帯の高周波電力、または
30MHzより大きく300MHz程度までのVHF帯の高周波電力、代表的には、60
MHzを印加することで行われる。また、1GHz以上のマイクロ波の高周波電力を印加
することで行われる。なお、高周波電力がパルス状に印加されるパルス発振や、連続的に
印加される連続発振とすることができる。また、HF帯の高周波電力と、VHF帯の高周
波電力とを重畳させることで、大面積基板においてもプラズマのムラを低減し、均一性を
高めることができると共に、堆積速度を高めることができる。高周波数が1GHz以上で
あるマイクロ波プラズマCVD装置を用いてゲート絶縁膜107を形成すると、ゲート電
極と、ドレイン電極及びソース電極との間の耐圧を向上させることができるため、信頼性
の高い薄膜トランジスタを得ることができる。
膜を形成することで、後に形成する半導体膜の結晶性を高めることが可能であるため、薄
膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることができる。有機シランガスと
しては、テトラメチルシラン(TMS:化学式Si(CH3)4)、テトラメチルシクロ
テトラシロキサン(TMCTS)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)
、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、トリエトキシシラン(SiH(OC2H5)3
)、トリスジメチルアミノシラン(SiH(N(CH3)2)3)等のシリコン含有化合
物を用いることができる。
マニウムを含む堆積性気体と、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。ま
たは、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、
ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを混合し、グロー放電プラズマにより形成す
る。ここでは、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量
を50倍以上1000倍以下にして堆積性気体を希釈する条件により、微結晶シリコン、
微結晶シリコンゲルマニウム等を形成する。このときの堆積温度は、室温~350℃とす
ることが好ましく、より好ましくは150~280℃とする。なお、上部電極及び下部電
極の間隔は、プラズマが発生しうる間隔とすればよい。
、GeH4、Ge2H6等がある。
キセノン等の希ガスを添加することで、微結晶半導体膜109の成膜速度が高まる。この
結果、成膜速度が高まることで、微結晶半導体膜109に混入される不純物量が低減する
。また、高いパワーを供給せずとも安定したプラズマを発生させることが可能である。こ
れらの結果、微結晶半導体膜109のプラズマダメージを低減することが可能であり、微
結晶半導体膜109の結晶性を高めることができる。
、ゲート絶縁膜107形成の際のグロー放電プラズマの生成条件を適宜用いることができ
る。
半導体膜111は、微結晶半導体領域111a及び非晶質半導体領域111bで構成され
る。次に、半導体膜111上に、不純物半導体膜113を形成する。次に、不純物半導体
膜113上にマスクを形成する。
る条件)で、微結晶半導体領域111a及び非晶質半導体領域111bを有する半導体膜
111を形成することができる。
ムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを混合し、グロー放電プラズマにより
形成する。窒素を含む気体としては、アンモニア、窒素、フッ化窒素、塩化窒素、クロロ
アミン、フルオロアミン等がある。グロー放電プラズマの生成は、ゲート絶縁膜107と
同様にすることができる。
半導体膜109と同様に微結晶半導体膜を形成する流量比を用い、さらに原料ガスに窒素
を含む気体を用いる条件とすることで、微結晶半導体膜109の堆積条件よりも、結晶成
長を低減することができる。具体的には、半導体膜111の堆積初期においては、原料ガ
スに窒素を含む気体が含まれるため、部分的に結晶成長が抑制され、錐形状の微結晶半導
体領域が成長すると共に、非晶質半導体領域が形成される。さらに、堆積中期または後期
では、錐形状の微結晶半導体領域の結晶成長が停止し、非晶質半導体領域のみが堆積され
る。この結果、半導体膜111において、微結晶半導体領域111a、及び欠陥が少なく
、価電子帯のバンド端における準位のテール(裾)の傾きが急峻である秩序性の高い半導
体膜で形成される非晶質半導体領域111bを形成することができる。
ウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量が10~2000倍、好ましくは10~
200倍である。なお、通常の非晶質半導体膜を形成するガス流量条件の代表例は、シリ
コンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量は0~5倍である。
ン等の希ガスを導入することで、成膜速度を高めることができる。
は120~250nmとする。
11a及び非晶質半導体領域111bを有する半導体膜111を形成したが、他の半導体
膜111の形成方法として、微結晶半導体膜109の表面を窒素を含む気体に曝して、微
結晶半導体膜109の表面に窒素を吸着させた後、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆
積性気体及び水素を原料ガスとして、微結晶半導体領域111a及び非晶質半導体領域1
11bを有する半導体膜111を形成することができる。
性気体と、水素と、ホスフィン(水素希釈またはシラン希釈)とを混合したグロー放電プ
ラズマにより、リンが添加されたアモルファスシリコン、またはリンが添加された微結晶
シリコンを形成する。なお、p型の薄膜トランジスタを作製する場合は、不純物半導体膜
113として、ホスフィンの代わりに、ジボランを用いて、グロー放電プラズマにより、
ボロンが添加されたアモルファスシリコン、またはボロンが添加された微結晶シリコンを
形成すればよい。
された微結晶シリコンで形成する場合は、半導体膜111と、不純物半導体膜113との
間に、微結晶半導体膜、代表的には微結晶シリコン膜を形成することで、界面の特性を向
上させることができる。この結果、不純物半導体膜113と、半導体膜111との界面に
生じる抵抗を低減することができる。この結果、薄膜トランジスタのソース領域、半導体
膜、及びドレイン領域を流れる電流量を増加させ、オン電流及び電界効果移動度の増加が
可能となる。
13をエッチングする。この工程により、微結晶半導体膜109、半導体膜111、及び
不純物半導体膜113を素子毎に分離し、半導体膜116及び不純物半導体膜117を形
成する。なお、半導体膜116は、微結晶半導体膜109及び半導体膜111の微結晶半
導体領域111aそれぞれ一部を含む微結晶半導体領域114と、半導体膜111の非晶
質半導体領域111bの一部を含む非晶質半導体領域115とを有する。この後、マスク
を除去する(図6(C)参照。)。
119は、CVD法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて形成する。
トで形成されるマスクを用いて導電膜119をエッチングして、ソース電極及びドレイン
電極として機能する第1の電極123及び第2の電極125aを形成する。導電膜119
のエッチングはドライエッチングまたはウェットエッチングを用いることができる。また
は、第1の電極123及び第2の電極125aは、銀、金または銅等の導電性ナノペース
トを用いてスクリーン印刷法またはインクジェット法等を用いて吐出し、焼成することで
形成しても良い。なお、当該工程において、第3の電極125b及び信号線121を形成
する。
びドレイン領域として機能する不純物半導体膜127及び不純物半導体膜129を形成す
る。また、微結晶半導体領域114及び凹部を有する非晶質半導体領域133を有する半
導体膜135を形成する。
び不純物半導体膜129の端部とが揃っているが、第1の電極123及び第2の電極12
5aの端部と、不純物半導体膜127及び不純物半導体膜129の端部とがずれ、断面に
おいて、第1の電極123及び第2の電極125aの端部が、不純物半導体膜127及び
不純物半導体膜129の端部より内側に位置してもよい。
133にダメージが入らず、且つ非晶質半導体領域133に対するエッチング速度が低い
条件を用いる。エッチングガスとしては、代表的にはCl2、CF4、またはN2等を用
いる。また、エッチング方法については特に限定はなく、誘導結合型プラズマ(ICP:
Inductively Coupled Plasma)方式、容量結合型プラズマ(
CCP:Capacitively Coupled Plasma)方式、電子サイク
ロトン共鳴プラズマ(ECR:Electron Cyclotron Resonan
ce)方式、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etchi
ng)方式等を用いることができる。
プラズマ処理、オゾンプラズマ処理、N2Oプラズマ処理、酸素及び水素の混合ガスによ
るプラズマ処理等の酸化ガス雰囲気によるプラズマ処理を行う。この後、マスクを除去す
る。なお、当該マスクの除去は、不純物半導体膜117及び半導体膜116のドライエッ
チング前に行ってもよい。
チングを行うことで、露出した非晶質半導体領域133上に存在する残渣などの不純物を
除去することができる。また、ドライエッチングに続けて、水プラズマ、または水素及び
酸素の混合ガスによるプラズマ処理を行うことで、非晶質半導体領域133の欠陥を低減
することができる。このため、後に完成する薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、電気
的特性のばらつきを低減することができる。
レジストで形成されるマスクを用いて導電膜119をエッチングして、ソース電極及びド
レイン電極として機能する第1の電極123及び第2の電極125aを形成する。次に、
不純物半導体膜117をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する不
純物半導体膜127及び不純物半導体膜129を形成する。この際、半導体膜116の一
部がエッチングされる場合もある。次に、マスクを除去した後、半導体膜116の一部を
エッチングして、非晶質半導体領域133を形成してもよい。当該エッチング工程のエッ
チングガスとして、HBrと、CF4、NF3、及びSF6の一以上と、酸素との混合ガ
スを用いることで、エッチングの残渣物を低減することが可能であるため、薄膜トランジ
スタの特性のバラツキを低減することができる。
半導体領域115の一部をエッチングして、凹部を有する非晶質半導体領域133を形成
する。このため、剥離液及びレジストの残渣物に触れた非晶質半導体領域はエッチングに
より除去されるため、バックチャネルには残存しない。この結果、バックチャネルに残存
した剥離液及びレジストの残渣物によるリーク電流が発生しないため、薄膜トランジスタ
のオフ電流をより低減することができる。
A)参照。)。また、本実施の形態に示す薄膜トランジスタは、逆スタガ型の薄膜トラン
ジスタであるため、オン電流及び電界効果移動度が高く、オフ電流が低く、且つ電気特性
の変動が少ないシングルゲート型の薄膜トランジスタを生産性高く作製することができる
。
膜129、第1の電極123、及び第2の電極125aの上に絶縁膜138を形成する。
絶縁膜138は、ゲート絶縁膜107と同様に形成することができる。
膜138に開口部を形成する。次に、絶縁膜138上に画素電極139aを形成する。
製することができる。
ることができるものとする。
Claims (1)
- 第1の方向に延伸した、第1の容量配線および第2の容量配線と、
前記第1の容量配線と前記第2の容量配線との間において前記第1の方向に延伸し、且つ、開口部を有する走査線と、
前記第1の容量配線、前記第2の容量配線、および前記走査線の各々と交差する領域を有し、前記開口部と重なる領域を有する信号線と、
前記走査線の上方に設けられ、前記開口部と重なる領域を有する半導体膜と、を有する、表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024060072A JP2024094335A (ja) | 2010-12-20 | 2024-04-03 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010282635 | 2010-12-20 | ||
JP2010282635 | 2010-12-20 | ||
JP2020062527A JP2020112822A (ja) | 2010-12-20 | 2020-03-31 | 表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020062527A Division JP2020112822A (ja) | 2010-12-20 | 2020-03-31 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024060072A Division JP2024094335A (ja) | 2010-12-20 | 2024-04-03 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023002708A true JP2023002708A (ja) | 2023-01-10 |
Family
ID=46233747
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011273480A Active JP5864053B2 (ja) | 2010-12-20 | 2011-12-14 | 表示装置 |
JP2015250751A Active JP6077093B2 (ja) | 2010-12-20 | 2015-12-23 | 表示装置 |
JP2016246484A Active JP6207713B2 (ja) | 2010-12-20 | 2016-12-20 | 表示装置 |
JP2017170165A Withdrawn JP2018022165A (ja) | 2010-12-20 | 2017-09-05 | 半導体装置 |
JP2018164390A Active JP6685354B2 (ja) | 2010-12-20 | 2018-09-03 | 表示装置 |
JP2020007487A Withdrawn JP2020077002A (ja) | 2010-12-20 | 2020-01-21 | 表示装置 |
JP2020062527A Withdrawn JP2020112822A (ja) | 2010-12-20 | 2020-03-31 | 表示装置 |
JP2020177042A Active JP6836687B1 (ja) | 2010-12-20 | 2020-10-22 | 液晶表示装置 |
JP2022168808A Withdrawn JP2023002708A (ja) | 2010-12-20 | 2022-10-21 | 表示装置 |
JP2024060072A Pending JP2024094335A (ja) | 2010-12-20 | 2024-04-03 | 表示装置 |
Family Applications Before (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011273480A Active JP5864053B2 (ja) | 2010-12-20 | 2011-12-14 | 表示装置 |
JP2015250751A Active JP6077093B2 (ja) | 2010-12-20 | 2015-12-23 | 表示装置 |
JP2016246484A Active JP6207713B2 (ja) | 2010-12-20 | 2016-12-20 | 表示装置 |
JP2017170165A Withdrawn JP2018022165A (ja) | 2010-12-20 | 2017-09-05 | 半導体装置 |
JP2018164390A Active JP6685354B2 (ja) | 2010-12-20 | 2018-09-03 | 表示装置 |
JP2020007487A Withdrawn JP2020077002A (ja) | 2010-12-20 | 2020-01-21 | 表示装置 |
JP2020062527A Withdrawn JP2020112822A (ja) | 2010-12-20 | 2020-03-31 | 表示装置 |
JP2020177042A Active JP6836687B1 (ja) | 2010-12-20 | 2020-10-22 | 液晶表示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024060072A Pending JP2024094335A (ja) | 2010-12-20 | 2024-04-03 | 表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US9568794B2 (ja) |
JP (10) | JP5864053B2 (ja) |
KR (5) | KR102013734B1 (ja) |
TW (4) | TWI587057B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101773641B1 (ko) * | 2010-01-22 | 2017-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9915848B2 (en) * | 2013-04-19 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9627515B2 (en) * | 2013-10-03 | 2017-04-18 | Joled Inc. | Method of manufacturing thin-film transistor substrate |
US9882014B2 (en) * | 2013-11-29 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9190322B2 (en) * | 2014-01-24 | 2015-11-17 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a copper layer on a semiconductor body using a printing process |
JP6283522B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-02-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び反射型液晶表示装置 |
JP2015191232A (ja) | 2014-03-31 | 2015-11-02 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
US20160155803A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor Device, Method for Manufacturing the Semiconductor Device, and Display Device Including the Semiconductor Device |
CN115542621A (zh) * | 2015-02-12 | 2022-12-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
CN110164880B (zh) * | 2015-06-09 | 2022-05-10 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
JP6542610B2 (ja) | 2015-08-20 | 2019-07-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6844845B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-03-17 | 三国電子有限会社 | 表示装置 |
CN109585491B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-11-03 | 曜凌光电股份有限公司 | 窄边框的有机发光二极管显示器 |
JP6999367B2 (ja) * | 2017-11-01 | 2022-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 基板及び電気泳動装置 |
CN110034131B (zh) * | 2019-04-17 | 2022-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
US11024736B2 (en) | 2019-08-09 | 2021-06-01 | Micron Technology, Inc. | Transistor and methods of forming integrated circuitry |
US10964811B2 (en) * | 2019-08-09 | 2021-03-30 | Micron Technology, Inc. | Transistor and methods of forming transistors |
KR20220042416A (ko) | 2019-08-09 | 2022-04-05 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 트랜지스터 및 트랜지스터의 형성 방법 |
CN114067709B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-11-28 | 深超光电(深圳)有限公司 | 导电性测试结构、薄膜晶体管阵列基板及显示面板 |
US11637175B2 (en) | 2020-12-09 | 2023-04-25 | Micron Technology, Inc. | Vertical transistors |
JP2022146450A (ja) | 2021-03-22 | 2022-10-05 | 株式会社Nttドコモ | 端末、基地局、および通信方法 |
KR20230126014A (ko) | 2022-02-22 | 2023-08-29 | (주)메디전자 | 허벅지 운동 시스템 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04204632A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
US20050098781A1 (en) * | 2003-09-04 | 2005-05-12 | Myung-Jae Park | Thin film array panel |
WO2006054386A1 (ja) * | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
WO2006064789A1 (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法 |
JP2007164172A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Au Optronics Corp | 液晶ディスプレイ、及び液晶ディスプレイの製造方法 |
WO2008096483A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネルの製造方法 |
WO2009001578A1 (ja) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機、液晶パネルの製造方法 |
JP2009265348A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Ips Alpha Technology Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
CN101893791A (zh) * | 2009-05-21 | 2010-11-24 | 陈俊 | 一种液晶显示阵列基板 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56122123A (en) | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiamorphous semiconductor |
JPH0646347B2 (ja) | 1985-04-19 | 1994-06-15 | 松下電器産業株式会社 | アクテイブマトリクス基板 |
JPH0691252B2 (ja) * | 1986-11-27 | 1994-11-14 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
GB2212659A (en) | 1987-11-20 | 1989-07-26 | Philips Electronic Associated | Multi-level circuit cross-overs |
JPH05341322A (ja) | 1992-06-12 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置 |
JPH11288006A (ja) | 1998-04-06 | 1999-10-19 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP3796072B2 (ja) | 1999-08-04 | 2006-07-12 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置 |
US6583829B2 (en) * | 2000-03-06 | 2003-06-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display having an opening in each pixel electrode corresponding to each storage line |
WO2001071417A1 (fr) * | 2000-03-21 | 2001-09-27 | Hitachi, Ltd. | Affichage a cristaux liquides |
JP3918496B2 (ja) * | 2001-10-22 | 2007-05-23 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
CN1297012C (zh) * | 2002-02-06 | 2007-01-24 | 株式会社东芝 | 平面检测型固体摄像装置 |
JP4004835B2 (ja) | 2002-04-02 | 2007-11-07 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
JP4248306B2 (ja) | 2002-06-17 | 2009-04-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100913303B1 (ko) | 2003-05-06 | 2009-08-26 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
JP4265788B2 (ja) | 2003-12-05 | 2009-05-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN100504553C (zh) | 2004-02-06 | 2009-06-24 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器 |
JP4627148B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2011-02-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
TW200642268A (en) * | 2005-04-28 | 2006-12-01 | Sanyo Electric Co | Compound semiconductor switching circuit device |
KR101216688B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2012-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
JP4703258B2 (ja) | 2005-05-16 | 2011-06-15 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及び液晶表示パネル |
US7537976B2 (en) * | 2005-05-20 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor |
EP1777690B1 (en) * | 2005-10-18 | 2012-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
TWI276902B (en) * | 2005-12-16 | 2007-03-21 | Innolux Display Corp | Liquid crystal display device |
US8212953B2 (en) * | 2005-12-26 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101189279B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치와 이의 제조방법 |
KR20070117820A (ko) | 2006-06-09 | 2007-12-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
JP2008089646A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sharp Corp | 表示装置 |
TWI336805B (en) * | 2006-12-07 | 2011-02-01 | Chimei Innolux Corp | Liquid crystal display device and driving method thereof |
JP5081444B2 (ja) | 2006-12-21 | 2012-11-28 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
TWI352866B (en) * | 2007-04-12 | 2011-11-21 | Wintek Corp | Liquid crystal display and active matrix substrate |
JP5542296B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP5116359B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP5542297B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
EP2073255B1 (en) * | 2007-12-21 | 2016-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Diode and display device comprising the diode |
JP2009180981A (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリックス基板及びその製造方法 |
US20090213039A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Toppan Printing Co., Ltd. | Display device |
JP5540517B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2014-07-02 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置 |
US7812348B2 (en) * | 2008-02-29 | 2010-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin-film transistor and display device |
JP2009288462A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Ips Alpha Technology Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2010003723A (ja) | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ並びに画像表示装置 |
KR20100067612A (ko) | 2008-12-11 | 2010-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 및 표시 장치 |
JP4743348B2 (ja) | 2009-03-17 | 2011-08-10 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタアレイを用いた画像表示装置 |
TW201118460A (en) * | 2009-11-20 | 2011-06-01 | Innolux Display Corp | Transflective liquid crystal display device and driving method thereof |
US8598586B2 (en) * | 2009-12-21 | 2013-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
JP5133468B2 (ja) * | 2010-05-24 | 2013-01-30 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
US8797487B2 (en) * | 2010-09-10 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof |
-
2011
- 2011-12-07 US US13/313,244 patent/US9568794B2/en active Active
- 2011-12-08 TW TW105139719A patent/TWI587057B/zh active
- 2011-12-08 TW TW105139484A patent/TWI608283B/zh active
- 2011-12-08 TW TW100145330A patent/TWI587056B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-12-08 TW TW105139720A patent/TWI587058B/zh active
- 2011-12-09 KR KR1020110131673A patent/KR102013734B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-14 JP JP2011273480A patent/JP5864053B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-23 JP JP2015250751A patent/JP6077093B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-05 US US15/368,969 patent/US9645463B2/en active Active
- 2016-12-20 JP JP2016246484A patent/JP6207713B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-03 US US15/585,926 patent/US9885932B2/en active Active
- 2017-09-05 JP JP2017170165A patent/JP2018022165A/ja not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-01-31 US US15/884,440 patent/US10564499B2/en active Active
- 2018-09-03 JP JP2018164390A patent/JP6685354B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-24 KR KR1020190047804A patent/KR102095938B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-01-21 JP JP2020007487A patent/JP2020077002A/ja not_active Withdrawn
- 2020-02-13 US US16/790,351 patent/US11181793B2/en active Active
- 2020-03-25 KR KR1020200036137A patent/KR102344940B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-31 JP JP2020062527A patent/JP2020112822A/ja not_active Withdrawn
- 2020-10-22 JP JP2020177042A patent/JP6836687B1/ja active Active
-
2021
- 2021-11-19 US US17/530,899 patent/US11754896B2/en active Active
- 2021-12-24 KR KR1020210187113A patent/KR102392410B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-04-26 KR KR1020220051231A patent/KR102465196B1/ko active IP Right Grant
- 2022-10-21 JP JP2022168808A patent/JP2023002708A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-09-08 US US18/243,987 patent/US20240077773A1/en active Pending
-
2024
- 2024-04-03 JP JP2024060072A patent/JP2024094335A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04204632A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
US20050098781A1 (en) * | 2003-09-04 | 2005-05-12 | Myung-Jae Park | Thin film array panel |
WO2006054386A1 (ja) * | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
WO2006064789A1 (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法 |
JP2007164172A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Au Optronics Corp | 液晶ディスプレイ、及び液晶ディスプレイの製造方法 |
WO2008096483A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネルの製造方法 |
WO2009001578A1 (ja) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機、液晶パネルの製造方法 |
JP2009265348A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Ips Alpha Technology Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
CN101893791A (zh) * | 2009-05-21 | 2010-11-24 | 陈俊 | 一种液晶显示阵列基板 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6685354B2 (ja) | 表示装置 | |
US9525023B2 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230711 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230911 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240109 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20240405 |