JP2022544687A - X線断層撮影システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
"r"は、エミッタと検出器パネルとの間の点の位置ベクトルであり、エミッタから検出器パネルまでの任意の方向を定義する。
"s"は、単位ベクトルであり、単位球であってもよく、rの全ての可能な値を定義する。
Lは、x線エミッタの点位置とx線エミッタの点位置に最も近い検出器パネル上の点との間の距離である。
lは、x線エミッタの点位置に最も近い検出器パネル上の点から、位置ベクトル"r"の方向における検出器パネル上の点、すなわち、エミッタが検出器パネル上に"r"を投影する点までの、検出器パネルを横切る距離パラメータである。
l0は、x線エミッタの点位置に最も近い検出器パネル上の点から、検出器パネル上の現在の画素(例えば、上記式のこの評価のために選択された画素)の距離である。
θは、検出器パネルを横切るx線エミッタの点位置における方位角パラメータである。
そして、
は、検出器パネルにおける減衰像である。
Claims (5)
- トモグラムを生成する方法であって、
複数の画素を有するx線検出器パネルを提供するステップ、
前記x線検出器パネルから離間されたx線エミッタを提供するステップ、
前記エミッタから検出器パネルに向かってx線放射のコーンを放出するステップ、
前記検出器パネルに衝突するx線放射の前記コーンに応答して、前記検出器パネルにおいて減衰像を生成するステップ、及び、
前記x線検出器パネルを横切って延在する複数の直線のそれぞれの1つについて、ラドン変換反転式を適用することによって、前記x線放射の減衰を示す密度関数を再構成するステップを有し、
前記複数の直線が、
前記x線エミッタの点位置に最も近い前記検出器パネル上の点の原点位置と、
前記複数の画素の周辺上の前記複数の画素の各それぞれの画素の画素位置
によって画定されるそれぞれの固有の直線を含む、方法。 - 前記再構成するステップは、各画素について前記減衰像上で放射線追跡をするステップを含む、請求項1に記載の方法。
- f("r")を前記x線放射の減衰を示す密度関数、
"r"を前記エミッタと前記検出器パネルとの間の点の位置ベクトル、
"s"を"r"の方向の単位ベクトル、
Lを前記x線エミッタの点位置と、前記x線エミッタの前記点位置に最も近い前記検出器パネル上の前記点との間の距離、
lを前記x線放射器の前記点位置に最も近い前記検出器パネル上の前記点から、前記検出器パネルを横切る距離パラメータ、
l0を前記x線エミッタの前記点位置に最も近い前記検出器パネル上の前記点から現在の画素との距離、
θを前記検出器パネルを横切る前記x線エミッタの前記点位置における方位角パラメータ、及び、
を前記検出器パネルにおける前記減衰像として、
前記再構成するステップは、
の式を評価するステップを含む、請求項1又は2に記載の方法。 - 前記式を評価するステップは、Siddonのアルゴリズムを適用することによる、請求項3に記載の方法。
- 複数の画素を含むx線検出器パネル、
前記x線検出器パネルから離間されたx線エミッタ、
前記検出器パネルに衝突するx線放射のコーンに応答して、前記検出器パネルで減衰像を生成するように構成される撮像システム、及び、
前記x線検出器パネルを横切って延在する複数の直線のそれぞれの1つについて、ラドン変換反転式を適用することによって、前記x線放射の減衰を示す密度関数を生成するように構成される再構成システムを有し、
前記複数の直線は、
前記x線エミッタの点位置に最も近い前記検出器パネル上の点の原点位置と、
前記複数の画素の周辺上の前記複数の画素のそれぞれの画素の画素位置
によって画定されるそれぞれの固有の直線を含む、x線トモグラム撮影システム。
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