JP2022537379A - マルチステージマルチゾーン基板位置決めシステム - Google Patents

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Abstract

第１ｘｙ並進ステージ、第２ｘｙ並進ステージ及びチャックをチャンバ内に配置する。そのチャックを第２ｘｙ並進ステージの上方に配置しその第２ｘｙ並進ステージに結合させ、またその第２ｘｙ並進ステージを第１ｘｙ並進ステージの上方に配置しその第１ｘｙ並進ステージに結合させる。そのチャックを、基板を支持するよう、且つ第１及び第２ｘｙステージによりｘ方向及びｙ方向、即ちチャックの表面のうちその上に基板が載置される面に対し実質的に平行な方向に沿い並進されるよう構成する。更に第１障壁及び第２障壁をそのチャンバ内に配置する。チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第２ゾーンから分離させるべく第１障壁を第１ｘｙ並進ステージに結合させる。チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第３ゾーンから分離させるべく第２障壁を第２ｘｙ並進ステージに結合させる。

Description

本件開示は基板（例．半導体ウェハやレティクル）を位置決めするシステムに関し、より具体的には複数個の並進ステージを有する基板位置決めシステムに関する。
（関連出願）
本願では、２０１９年６月１８日付米国仮特許出願第６０／８６２８９５号に基づき優先権を主張し、当該仮特許出願の全容をその目的を問わず参照により本願に繰り入れるものとする。
基板を並進させるためチャンバ（例．真空チャンバ）内で並進ステージが用いられている。例えば、ｘｙｚ並進ステージを真空チャンバ内で用い、基板を三方向（即ちｘ、ｙ及びｚ方向）に並進させることができる。こうしたステージを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて用いることができる。並進ステージでは潤滑剤が用いられており、それがアウトガス（脱ガス）を起こすためチャンバ及び基板が汚染される。並進ステージ内のプラスチック素材（例．絶縁体及びモータ部材）でもアウトガスが起き、それによってもチャンバ及び基板が汚染される。並進ステージは、除熱剤（冷却材）供給に可撓配管が用いられ、それがもう一つのアウトガス源となることもあるため、除熱（冷却）するのが困難である。
並進ステージ、特にｘｙｚ並進ステージは重くなりがちである。典型的なｘｙｚ並進ステージの重さは約１００ｋｇにもなろう。この重量のせいでステージの動きがゆっくりとなり（例．数ミリメートル動くのに２００～５００ミリ秒がかかり）、またそのセトリング時間即ち振動が減衰する期間が長くなる。
米国特許出願公開第２０１０／００４３２１４号 米国特許第６１８３５６４号
従って、基板位置決めシステム及び方法の改善が求められている。
ある種の実施形態に係るシステムは、チャンバ内に配置された第１ｘｙ並進ステージ、第２ｘｙ並進ステージ及びチャックを有する。第２ｘｙ並進ステージは第１ｘｙ並進ステージの上方に配置されその第１ｘｙ並進ステージに結合される。チャックは第２ｘｙ並進ステージの上方に配置されその第２ｘｙ並進ステージに結合される。チャックは、基板を支持しうるよう、且つ第１及び第２ｘｙステージによりｘ方向及びｙ方向に沿い並進されうるよう構成される；但し、ｘ方向及びｙ方向は、チャックの表面のうちその上に基板が載置される面に対し実質的に平行とする。チャンバ内には第１障壁及び第２障壁も配置される。第１障壁は、チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第２ゾーンから分離させるべく第１ｘｙ並進ステージに結合される。第２障壁は、チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第３ゾーンから分離させるべく第２ｘｙ並進ステージに結合される。第１ゾーンはチャックの上方及び脇の空間を含むゾーンである。第２ゾーンは第１ｘｙ並進ステージ脇の空間を含むゾーンである。第３ゾーンは第２ｘｙ並進ステージ脇の空間を含むゾーンである。
ある種の実施形態に係る方法では、第１ｘｙ並進ステージ及び第２ｘｙ並進ステージによりチャンバ内で並進されるチャック上に基板が載置される。第２ｘｙ並進ステージは第１ｘｙ並進ステージの上方に配置されその第１ｘｙ並進ステージに結合される。チャックは第２ｘｙ並進ステージの上方に配置されその第２ｘｙ並進ステージに結合される。第１障壁を、チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第２ゾーンから分離させるべく第１ｘｙ並進ステージに結合させる。第２障壁を、チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第３ゾーンから分離させるべく第２ｘｙ並進ステージに結合させる。第１ゾーンはチャックの上方及び脇の空間を含むゾーンである。第２ゾーンは第１ｘｙ並進ステージ脇の空間を含むゾーンである。第３ゾーンは第２ｘｙ並進ステージ脇の空間を含むゾーンである。チャンバ内のチャック上に基板が載置された状態で、第１ｘｙ並進ステージを第１位置まで並進させる。第１ｘｙ並進ステージを第１位置まで並進させた状態で、基板の第１部分を走査すべく第２ｘｙ並進ステージを並進させる。
ある種の実施形態に係る方法では、第２ｘｙ並進ステージが第１ｘｙ並進ステージの上方に配置されるよう、第１ｘｙ並進ステージを第２ｘｙ並進ステージに結合させる。基板を支持しうるよう構成されたチャックを、そのチャックが第２ｘｙ並進ステージの上方に配置されるよう第２ｘｙ並進ステージに結合させる。それらチャック、第１ｘｙ並進ステージ及び第２ｘｙ並進ステージをチャンバ内に実装する。チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第２ゾーンから分離させるべく、第１障壁を実装し第１ｘｙ並進ステージに結合させる。チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第３ゾーンから分離させるべく、第２障壁を実装し第２ｘｙ並進ステージに結合させる。第１ゾーンはチャックの上方及び脇の空間を含むゾーンである。第２ゾーンは第１ｘｙ並進ステージ脇の空間を含むゾーンである。第３ゾーンは第２ｘｙ並進ステージ脇の空間を含むゾーンである。
記載されている様々な実現形態をより良好に理解するには、以下の図面と併せ、後掲の詳細記述を参照すべきである。
ある種の実施形態に係り、蛇腹付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステムが入っているチャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、ｚステージ及び蛇腹付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステムが入っているチャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、蛇腹により囲まれているチャックの平面図である。 ある種の実施形態に係り、蛇腹付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステムが入っており、その蛇腹それぞれがコンチェルティーナ化側面の連鎖を２個有しているチャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、部分重複平板付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステムが入っているチャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、ｚステージ及び部分重複平板付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステムが入っているチャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、蛇腹付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステム及び検査ツールヘッドを有する真空チャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、平板付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステム及び検査ツールヘッドを有する真空チャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、蛇腹付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステムが入っており、且つ大気圧にて動作するよう構成されているチャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、平板付のマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステムが入っており、且つ大気圧にて動作するよう構成されているチャンバの断面図である。 ある種の実施形態に係り、リニアアクチュエータ向けステーション群と共に半導体ウェハのマップを示す図である。 ある種の実施形態に係る基板位置決め方法を示すフローチャートである。 ある種の実施形態に係る基板位置決めシステム作成方法を示すフローチャートである。 ある種の実施形態に係る基板並進実行システム（例．検査システム）のブロック図である。
類似する参照符号は、図面及び明細書の全体を通じ、対応する部分を指し示している。
以下、添付図面にその例が描かれている様々な実施形態を子細に参照する。以下の詳細記述では、記載されている様々な実施形態につき一貫した理解をもたらすべく、多数の具体的細部が説明されている。しかしながら、本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）には明らかな通り、それら記載されている様々な実施形態を、そうした具体的細部抜きで実施することもできる。他方、周知な方法、手順、部材、回路及びネットワークが詳述されていないのは、諸実施形態の諸態様を不必要に曖昧化させないためである。
図１は、ある種の実施形態に係りマルチステージマルチゾーン基板位置決めシステムが入っているチャンバ１０２の断面図である。本基板位置決めシステムは、第１ｘｙ並進ステージ１０４、第２ｘｙ並進ステージ１０６及びチャック１０８を有している。第２ｘｙ並進ステージ１０６は第１ｘｙ並進ステージ１０４の上方に配置されており、その第１ｘｙ並進ステージ１０４に結合（例．直接連結）されている。第１ｘｙ並進ステージ１０４のことを下ステージ又は下プラットフォームとも呼び、第２ｘｙ並進ステージ１０６のことを上ステージ又は上プラットフォームとも呼ぶ。チャック１０８は第２ｘｙ並進ステージ１０６の上方に配置されており、その第２ｘｙ並進ステージ１０６に結合（例．直接連結）されている。こうして、図１の例では、チャック１０８が第２ｘｙ並進ステージ１０６を介し第１ｘｙ並進ステージ１０４に結合されている。チャック１０８は基板１１０（例．半導体ウェハやレティクル）を支持しうるよう構成されている。実施形態によっては、そのチャンバ１０２が、基板１１０を検査する検査システムの一部分とされる。基板１１０をチャック１０８上に載せ、検査した上で、チャンバ１０２から出せばよい。第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６は、その検査プロセスの途上でチャック１０８及び基板１１０を並進させる。実施形態によっては、その第１ｘｙ並進ステージ１０４及び／又は第２ｘｙ並進ステージ１０６がエアベアリング又はメカニカルベアリングを用いるものやフレクシャベースのものとされる。
第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６はｘｙ平面内で（即ちｘ方向及びｙ方向に）運動する。図１ではそのｘ方向が横方向、ｙ方向が紙面に対し垂直な方向とされており（その逆でもよい）、またｚ方向が上下方向とされている。ｘ方向及びｙ方向は、チャックの表面のうちその上に基板１１０が載る面（或いは、基板１１０がまだないもののこれから載ることとなる面）に対し、実質的に（例．製造公差の範囲内で）平行である。第１ｘｙ並進ステージ１０４の動きにより第２ｘｙ並進ステージ１０６及びチャック１０８が並進（即ち駆動）される。第２ｘｙ並進ステージ１０６の動きによりチャック１０８が並進されるが、第１ｘｙ並進ステージ１０４は並進されない。第１ｘｙ並進ステージ１０４は、第１ｘｙ並進ステージ１０４に対し第２ｘｙ並進ステージ１０６が静止している状態で動かすことができる。第２ｘｙ並進ステージ１０６は、第１ｘｙ並進ステージ１０４が静止している状態で動かすことができる。
実施形態によっては、基板１１０全体を走査する行程（例．図７及び図８中の検査ツールヘッド７０４の下方でのそれ）が、第１ｘｙ並進ステージ１０４・第２ｘｙ並進ステージ１０６間で分担される。第１ｘｙ並進ステージ１０４は、基板１１０全体を走査するには不十分な第１行程量しか担わないよう構成される（即ちある第１最大行程量を有する）。第２ｘｙ並進ステージ１０６は、やはり基板１１０全体を走査するには不十分な第２行程量しか担わないよう構成される（即ちある第２最大行程量を有する）。但し、それら第１及び第２行程量を合せたものを、基板１１０全体を走査するのに十分なものとする：即ち、足し合わせたときに、基板１１０全体を走査するのに必要な行程量以上になるようにする。例えば、第１行程量，第２行程量それぞれを、基板１１０全体を走査するのに必要な行程量の半分に等しくしてもよい。そうした例では、基板１１０が半導体ウェハであるとするなら、第１行程量，第２行程量それぞれが、ｘ方向及びｙ方向の双方に沿いウェハ直径の±１／４倍とされる。もし本例における半導体ウェハが３００ｍｍウェハである（即ち３００ｍｍの直径を有している）のなら、第１行程量はｘ方向に沿い±７５ｍｍ、ｙ方向に沿い±７５ｍｍとなり、第２行程量はｘ方向に沿い±７５ｍｍ、ｙ方向に沿い±７５ｍｍとなる。これ以外の例では、第１行程量，第２行程量それぞれが、基板１１０全体を走査するのに必要な行程量の半分に等しくない量になる。例えば、第１行程量を、基板１１０全体を走査するのに必要な行程量の半分超（例．７０％）とし、第２行程量を、基板１１０全体を走査するのに必要な行程量の半分未満（例．３０％）としてもよい。
実施形態によっては、第１ｘｙ並進ステージ１０４が第２ｘｙ並進ステージ１０６よりも重いステージとされる。例えば、第１ｘｙ並進ステージ１０４を７０～８０ｋｇとする一方、第２ｘｙ並進ステージ１０６を２～１５ｋｇ（例．１０～１５ｋｇ又は２～１０ｋｇ又は２～３ｋｇ）としてもよい。第２ｘｙ並進ステージ１０６の重量が少ないと、速度が増し、停止時間が縮まり、且つセトリング時間即ち第２ｘｙ並進ステージ１０６に係る振動が減衰する期間が縮まる。第２ｘｙ並進ステージ１０６の重量は第２行程量とトレードオフの関係にあるので、第２行程量を減らし第１行程量を相応に増やすことで第２ｘｙ並進ステージ１０６の重量を減らすことができ、それでいて基板１１０全体をなおも走査することができる。例えば、第２行程量を、基板１１０全体を走査するのに必要な行程量の半分未満とし、第１行程量を、基板１１０全体を走査するのに必要な行程量の半分超とすることができる。
基板１１０全体を走査する行程を第１ｘｙ並進ステージ１０４・第２ｘｙ並進ステージ１０６間で分かち合うことで、個々の障壁を用いチャンバ１０２を区画し、相互封止された個別ゾーンに分けることが可能となる。ある種の実施形態ではそれら障壁が蛇腹とされる。そのチャンバ１０２では、第１蛇腹１１２が第１ｘｙ並進ステージ１０４に結合（例．直接連結）される。第２蛇腹１１４が第２ｘｙ並進ステージ１０６に結合（例．直接連結）される。第１蛇腹１１２により、第１ｘｙ並進ステージ１０４とチャンバ１０２の壁（例．チャンバ１０２の内側を巡り延びる内表面）との間をつなぐことができる。第２蛇腹１１４により、第２ｘｙ並進ステージ１０６（例．第２ｘｙ並進ステージ１０６の外側面）と第１ｘｙ並進ステージ１０４（例．第１ｘｙ並進ステージ１０４の隅部又は上面）との間をつなぐことができる。第１蛇腹１１２は、チャンバ１０２の第１ゾーン１１６をそのチャンバ１０２の第２ゾーン１１８から分離させる第１障壁である。第２蛇腹１１４は、チャンバ１０２の第１ゾーン１１６をそのチャンバ１０２の第３ゾーン１２０から分離させる第２障壁である。第１蛇腹１１２及び第２蛇腹１１４はステンレス鋼とすることができる。
第１蛇腹１１２，第２蛇腹１１４は、第１ｘｙ並進ステージ１０４，第２ｘｙ並進ステージ１０６を取り巻くめいめいの可撓スカートとして働き、その働きによりゾーン１１６、１１８及び１２０を分離させる。図１に示す通り、第１ゾーン１１６にはチャック１０８の上方及び脇の空間が含まれており、第２ゾーン１１８には第１ｘｙ並進ステージ１０４脇の空間が含まれており、第３ゾーン１２０には第２ｘｙ並進ステージ１０６脇の空間が含まれている。蛇腹１１２及び１１４にはそれらのコンチェルティーナ化側面（アコーディオン面）に由来する可撓性があり、蛇腹１１２，１１４の諸部分がｘｙ平面内で伸縮することで、第１ｘｙ並進ステージ１０４，第２ｘｙ並進ステージ１０６それぞれの行程に順応している。この行程及びそれに付随する蛇腹１１２及び１１４の変形により、ゾーン１１６、１１８及び１２０の形状及び所在個所が相応に変化する。単一の並進ステージから延びる単一の蛇腹ではなく、第１ｘｙ並進ステージ１０４，第２ｘｙ並進ステージ１０６に係る別々な蛇腹１１２，１１４が用いられ、ひいては蛇腹１１２，１１４それぞれの規模が制限されているので、蛇腹がつぶれにくく、しかも蛇腹の相連なる側面同士がこすれ合いにくい。そうしたこすれ合いは摩擦を引き起こして粒子を発生させるであろうし、その粒子によりチャンバ１０２及び基板１１０が汚染されるであろう。蛇腹１１２及び１１４は、第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６の二次元運動（即ちｘｙ平面内運動）に順応するので、二次元（２Ｄ）蛇腹であると考えられる。
実施形態によっては、チャンバ１０２に備わる基板位置決めシステム内に、チャック１０８及び基板１１０をｚ方向に（即ち鉛直方向上下に）動かすｚステージも設けられる。図２は、図１の諸部材に加えｚステージ１２２を有する基板位置決めシステムが備わるチャンバ１０２の断面図である。ｚステージ１２２により、第１ｘｙ並進ステージ１０４・第２ｘｙ並進ステージ１０６間をつなぐことができる。ひいては、第２ｘｙ並進ステージ１０６及びｚステージ１２２を介し第１ｘｙ並進ステージ１０４にチャック１０８を結合させることができる。ｚステージ１２２により、第２ｘｙ並進ステージ１０６、チャック１０８及び基板１１０（基板１１０がチャック１０８上に載っているものとする）が上下に動かされるが、第１ｘｙ並進ステージ１０４は動かされない。第１ｘｙ並進ステージ１０４の動きにより、ｚステージ１２２と、第２ｘｙ並進ステージ１０６、チャック１０８及び基板１１０（基板１１０がチャック１０８上に載っているものとする）とが並進される。
図３は、ある種の実施形態に係り蛇腹３０２により囲まれているチャック３００の平面図である。チャック３００はチャック１０８（図１及び図２）の一例であり、チャック３００により隠されていて図３では見えない第２ｘｙ並進ステージ１０６（図１及び図２）上に載っている。蛇腹３０２は蛇腹１１４（図１及び図２）の一例である。実施形態によっては、蛇腹３０２の内周縁が第２ｘｙ並進ステージ１０６の側面に連結され、蛇腹３０２の外周縁が第１ｘｙ並進ステージ１０４に連結される（図示せず）。
図３の例におけるチャック３００は、中央位置から図３の右下側にずれた位置へと並進された後のものである。蛇腹３０２の右下部分が相応に圧縮されており、蛇腹３０２の左上部分が相応に伸長されている。
チャック３００は円形である。蛇腹３０２は円形の２Ｄ蛇腹である。これに代え、チャック３００及び蛇腹３０２を別の形状としてもよい。例えば、チャック３００を長方形（例．半導体ウェハを受け入れるための円形窪み面を有するもの）とすることができ、蛇腹３０２を、長方形の２Ｄ蛇腹とすることができる。同様に、蛇腹１１２（図１及び図２）を円形の２Ｄ蛇腹とすることも長方形の２Ｄ蛇腹とすることもできる。
蛇腹１１２及び１１４は、それぞれ、図１及び図２に示す通りコンチェルティーナ化側面の連鎖を１個有している。これに代え、各蛇腹を、コンチェルティーナ化側面の連鎖２個を用い実施することもできる。図４は、ある種の実施形態に係り、蛇腹１１２，１１４が対応する蛇腹４００，４０６で以て置き換えられていて、それら蛇腹４００，４０６それぞれがコンチェルティーナ化側面の連鎖を２個有しているチャンバ１０２の断面図である。
蛇腹４００は第１ｘｙ並進ステージ１０４に結合（例．直接連結）されており、第１のコンチェルティーナ化側面連鎖４０２と、それにつながる第２のコンチェルティーナ化側面連鎖４０４とを有している。実施形態によっては、第１ｘｙ並進ステージ１０４とチャンバ１０２の壁（例．チャンバ１０２の内側を巡り延びる内表面）との間に、それら連鎖４０２及び４０４が連続配置される。蛇腹４００が全面的に伸長していないときの第１連鎖４０２は、自身対第１ｘｙ並進ステージ１０４の結合点から自身対第２連鎖４０４の連結点へと、下向きに延びている。第２連鎖４０４は、自身対第１連鎖４０２の連結点から自身とチャンバ１０２の壁との結合点へと、上向きに延びている。
蛇腹４０６は第２ｘｙ並進ステージ１０６に結合（例．直接連結）されており、第１のコンチェルティーナ化側面連鎖４０８と、それにつながる第２のコンチェルティーナ化側面連鎖４１０とを有している。実施形態によっては、それら連鎖４０８及び４１０が、第２ｘｙ並進ステージ１０６と、第１ｘｙ並進ステージ１０４から（例．第１ｘｙ並進ステージ１０４の上面又は隅部から）鉛直に延びる平板４１２との間に、連続配置される。蛇腹４０６が全面的に伸長していないときの第１連鎖４０８は、自身対第２ｘｙ並進ステージ１０６の結合点から自身対第２連鎖４１０の連結点へと、下向きに延びている。第２連鎖４１０は、自身対第１連鎖４０８の連結点から自身対平板４１２の結合点（例．平板４１２の遠端）へと、上向きに延びている。双連鎖構成の蛇腹４００及び４０６であり摩擦が少ないため、第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６を動かすのに用いられる力が少なくなる。
蛇腹１１２及び１１４と同様、蛇腹４００及び４０６も２Ｄ蛇腹であり、第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６の二次元運動（即ちｘｙ平面内運動）に順応している。
蛇腹は一種の障壁であり、それを用いゾーン１１６、１１８及び１２０を分離させることができる。別種の障壁としては、狭い間隙で以て隔てられた部分重複平板が用いられる。
図５は、複数の部分重複平板対がそれぞれ第１障壁５００，第２障壁５０６として働きゾーン１１６、１１８及び１２０を分離させるチャンバ１０２の断面図である。第１障壁５００は、第１ｘｙ並進ステージ１０４から延びる平板５０２と、平板５０２と部分的に重なり合う平板５０４とを有しており（即ち平板５０４の一部分が平板５０２の一部分と重なっており）、その重なる部分が間隙５０５で以て平板５０２から隔てられている。第２障壁５０６は、第２ｘｙ並進ステージ１０６から延びる平板５０８と、平板５０８と部分的に重なり合う平板５１０とを有しており（即ち平板５１０の一部分が平板５０８の一部分と重なっており）、その重なる部分が間隙５１２で以て平板５０８から隔てられている。実施形態によっては平板５０４がチャンバ１０２の壁（例．チャンバ１０２の内側を巡り延びる内表面）に連結される。実施形態によっては平板５１０が第１ｘｙ並進ステージ１０４（例．第１ｘｙ並進ステージ１０４の上面又は隅部）に連結（例．そこから延設）される。平板５１０を撓ませ又は曲げることでこの連結を可能とすることができる。実施形態によっては間隙５０５及び５１２の幅が０．５～１．０ｍｍの範囲内とされる（即ち各平板の重複部分間の距離が０．５～１．０ｍｍとされる）。平板５０２、５０４、５０８及び５１０はステンレス鋼とすることができる。実施形態によってはｚステージ１２２も設けられる（例．実施形態によっては図６に示す如く第１ｘｙ並進ステージ１０４・第２ｘｙ並進ステージ１０６間に結合される）。
第１障壁５００及び第２障壁５０６用に平板を用いることで、第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６を動かすのに用いられる力が少なくなる。ただ、間隙５０５及び５１２が生じているため、ゾーン１１６、１１８及び１２０が完全には相互封止されていない。
実施形態によっては、基板位置決めシステムにて蛇腹１１２又は４００が第１障壁、平板５０６が第２障壁として用いられることもある。実施形態によっては、基板位置決めシステムにて平板５００が第１障壁、蛇腹１１４又は４０６が第２障壁として用いられることもある。
実施形態によってはチャンバ１０２が真空チャンバ（例．電子顕微鏡例えばＳＥＭ用のそれ）とされる。図７及び図８は、ある種の実施形態に係る真空チャンバ７０２の断面図である。真空チャンバ７０２はチャンバ１０２の一例であり、第１ｘｙ並進ステージ１０４、第２ｘｙ並進ステージ１０６及びチャック１０８がその中にあり、その真空チャンバ７０２内へと延びる検査ツールヘッド７０４（例．電子顕微鏡ヘッド例えばＳＥＭヘッド）をも有している。（図７には基板１１０が示されていないが存在していてもよい。必須ではないが、真空チャンバ７０２内にｚステージ、例えば図２及び図６中のｚステージ１２２があってもよい。）チャック１０８はヘッド７０４の下方に位置している。第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６を動かすことで、そのチャック１０８上に載っている基板１１０をヘッド７０４の下方で走査し、その基板１１０の検査を行うことができる。
図７の例では、蛇腹１１２及び１１４により第１ゾーン１１６が第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０から分離されている。図８の例では、平板５００及び５０６により第１ゾーン１１６が第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０から分離されている。第１ゾーン１１６内に真空をもたらすため、１個又は複数個の真空ポンプ７０６が第１ゾーン１１６に連結されている。第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０内に真空をもたらすため、１個又は複数個の真空ポンプ７０８が第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０に連結されている。第１ｘｙ並進ステージ１０４内の１本又は複数本の通路７１０（例．開口又は配管）を通じ、第２ゾーン１１８が第３ゾーン１２０に接続されているので、ポンプ（群）７０８により、第２ゾーン１１８と並び第３ゾーン１２０をポンプダウンすることができる。実施形態によっては、ポンプ（群）７０６により第１ゾーン１１６内に超高真空（ＵＨＶ）がもたらされる一方、ポンプ（群）７０８により第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０内に、より低質（即ちより高圧）な真空（例．ＵＨＶより低質であり従ってより高圧なテクニカル真空）がもたらされる。ＵＨＶは標準的で周知な技術用語であり、１０－９ｔｏｒｒ以下のオーダの圧力を有する真空のことを指している。例えば、ポンプ（群）７０８により、１０－３ｔｏｒｒオーダのテクニカル真空を、第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０内にもたらすことができる。蛇腹１１２及び１１４の両側で相応な真空を保つことで、蛇腹１１２及び１１４に対する圧力、特にそれらが損傷しかねず又はそれらの動作が邪魔されかねないものを回避している。
第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６の固形な外面と並び、蛇腹１１２及び１１４（図７）又は平板５００及び５０６（図８）を用い、第１ゾーン１１６を第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０に対し封止することで、第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０内にアウトガスした汚染物質が第１ゾーン１１６に達することを、防止している。平板５００又は５０６を用いる実施形態では、少量の汚染物質が間隙５０５及び５１２を通じ第１ゾーン１１６に入り込む余地があるが、障壁を欠くシステムに比べるとその汚染レベルは劇的に低くなる。ひいては、それら汚染物質、例えば並進ステージ内の絶縁体及びプラスチック製モータ構成部材や並進ステージ用潤滑剤からアウトガスした汚染物質により、基板１１０やヘッド７０４が汚染されなくなる（或いはそうした汚染が劇的に低減される）。基板１１０の欠陥がそれに伴い低減され、且つヘッド７０４の信頼性が改善される（例．チャンバ７０２のプラズマ清掃を実行する時間間隔が延びる）。ある得策な例によれば、１０－１２ｔｏｒｒオーダの真空を第１ゾーン１１６にて達成することができる。
第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６の運動により熱が発生する。実施形態によっては、第１ｘｙ並進ステージ１０４に冷却液（例．水）を供給してそのステージを除熱するため、可撓配管７１２が第２ゾーン１１８内に配置される。この配管７１２を第２ｘｙ並進ステージ１０６に延ばせば、そのステージも除熱することができる。この配管はポリマベースのもの（例．プラスチック）とすることができる。そうした素材もアウトガスを起こすが、障壁（例．図７中の蛇腹１１２及び１１４や図８中の平板５００及び５０６）により、そのアウトガス発生による第１ゾーン１１６内真空の劣化や基板１１０及びヘッド７０４の汚染が防止される。
実施形態によってはチャンバ１０２を大気圧にて動作させる。図９及び図１０は、ある種の実施形態に係り、大気圧にて動作するよう構成されているチャンバ９０２の断面図である。実施形態によっては、チャンバ９０２が、基板１１０を光学的に検査する光学検査システムの一部分とされる。チャンバ９０２はチャンバ１０２の一例であり、その中には第１ｘｙ並進ステージ１０４、第２ｘｙ並進ステージ１０６及びチャック１０８がある。（図９には基板１１０が示されていないが存在していてもよい。必須ではないがチャンバ９０２内にｚステージ、例えば図２及び図６中のｚステージ１２２があってもよい。）図９の例では、蛇腹１１２及び１１４により第１ゾーン１１６が第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０から分離されている。図１０の例では、平板５００及び５０６により第１ゾーン１１６が第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０から分離されている。
第１ゾーン１１６には、動作中に第１ゾーン１１６内にガスを導入するためのパージ導入ライン９０４と、動作中に第１ゾーン１１６からそのガスを排出させるためのパージ排出ライン９０６とが、連結されている。そのガスを実質的に無酸素なもの（例．純化能力の範囲内に収まるそれ）とすることで、動作中に第１ゾーン１１６を実質的に無酸素なもの（例．大気圧のそれ）とすることができ、その一方で、動作中に第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０内に酸素を存在させる（例．それにより第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０を大気圧にする）ことができる。実施形態によってはそのガスがＮ２とされる。例えば、動作中の大気圧での窒素パージ向けに第１ゾーン１１６を構成することができ、また動作中に大気圧とされうるよう第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０を構成することができる。
ある種の実施形態（例．図１～図１０のうち何れかに係るそれ）では、第１ｘｙ並進ステージ１０４がリニアアクチュエータを有するものとされ（例．リニアアクチュエータとして実施され）、特定のステーション間にて動くようそのリニアアクチュエータが構成される。ある種の実施形態によれば、それらステーションが、基板１１０がチャック１０８上に装荷（ロード）されるのに先立ち事前定義される。図１１に、ある種の実施形態に係る４個のステーション１１０２と共に半導体ウェハ１１００のマップを示す（そのウェハの中心を第５ステーションとしてもよい）。半導体ウェハ１１００は基板１１０の一例である。半導体ウェハ１１００は複数個の象限１１０１に区画されており、各象限１１０１の中央が都合４個のステーション１１０２とされている。第１ｘｙ並進ステージ１０４は、ウェハの中心からステーション１１０２までの、及び／又は、ステーション１１０２相互間の行程１１０４向けに、構成されている。例えば、行程１１０４に従い、ウェハ１１００を、ヘッド７０４の下方に自身が芯決めされている状態からヘッド７０４の下方にステーション１１０２が芯決めされている状態へと、或いはヘッド７０４の下方にあるステーション１１０２が芯決めされている状態からヘッド７０４の下方に別のステーションが芯決めされている状態へと、動かすことができる。第２ｘｙ並進ステージ１０６は、第１ｘｙ並進ステージ１０４がステーション１１０２に所在している状態で、各象限１１０１の随所を通る（例．その象限１１０１上を連続的に往来する）行程１１０６に従いその象限を走査する（例．その象限１１０１全体をヘッド７０４の下方に通す）よう、構成されている。第２ｘｙ並進ステージ１０６は、このように、ある種の実施形態に従い個々のステーション１１０２に配置されたリニアアクチュエータで以て半導体ウェハ１１００の個々の象限１１０１を走査する行程を提供するよう、構成される。図１１に示したステーション１１０２の配列は、採用しうる配列の一つに過ぎず、他の配列及び個数のステーションにすることもできる。リニアアクチュエータを用いることで、第１ｘｙ並進ステージ１０４の設計が単純化され、その重量及びコストが低減される。
図１２は、ある種の実施形態に係る基板位置決め方法１２００を示すフローチャートである。本方法１２００では、第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６によりチャンバ１０２（例．図７及び図８中のチャンバ７０２や図９及び図１０中のチャンバ９０２）内で並進されるチャック１０８上に、基板１１０が載置される（１２０２）。第２ｘｙ並進ステージ１０６は、第１ｘｙ並進ステージ１０４の上方に配置しそれに結合させる。チャック１０８は、第２ｘｙ並進ステージ１０６の上方に配置しそれに結合させる。第１障壁は、チャンバ１０２の第１ゾーン１１６をそのチャンバ１０２の第２ゾーン１１８から分離させるべく第１ｘｙ並進ステージ１０４に結合させる。第１ゾーン１１６はチャック１０８の上方及び脇の空間を含むゾーンであり、第２ゾーン１１８は第１ｘｙ並進ステージ１０４脇の空間を含むゾーンである。第２障壁は、チャンバ１０２の第１ゾーン１１６をそのチャンバ１０２の第３ゾーン１２０から分離させるべく第２ｘｙ並進ステージ１０６に結合させる。第３ゾーン１２０は、第２ｘｙ並進ステージ１０６脇の空間を含むゾーンである。
実施形態によっては、第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージ１０４とチャンバ１０２の壁との間をつなぐ第１蛇腹（例．蛇腹１１２又は４００）を有するものとされる（１２０４）。第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージ１０６・第１ｘｙ並進ステージ１０４間をつなぐ第２蛇腹（例．蛇腹１１４、３０２又は４０６）を有するものとされる（１２０４）。
実施形態によっては、第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージ１０４から延びる第１平板５０２と、その第１平板５０２の一部分と重なり合う部分を有する第２平板５０４とを有し、その部分が第１間隙５０５で以て第１平板５０２から分離されたものとされる（１２０８）。第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージ１０６から延びる第３平板５０８と、その第３平板５０８の一部分と重なり合う部分を有する第４平板５１０を有し、その部分が第２間隙５１２で以て第３平板５０８から分離されたものとされる（１２０８）。
実施形態によっては、第１ゾーン１１６を（例．図７及び図８中の真空ポンプ（群）７０６により）ポンピングすることでＵＨＶが提供される（１２０８）。第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０を（例．図７及び図８中の真空ポンプ（群）７０８により）ポンピングすることで、第１ゾーン１１６のＵＨＶよりも高い圧力を有する真空レベルが提供される（１２０８）。
実施形態によっては、（例．図９及び図１０中のパージライン９０４及び９０６を用い）大気圧にて第１ゾーン１１６が窒素パージされる（１２１０）。第２ゾーン１１８及び第３ゾーン１２０が大気圧に保たれる（１２１０）。
チャンバ１０２内のチャック１０８上に基板１１０が載置された状態で、第１ｘｙ並進ステージ１０４が、複数通りの位置中の個別位置（例．第１位置、第２位置等々）（例．図１１中の個別ステーション１１０２）まで（例．図１中の行程１１０４で以て）並進される（１２１２）。第１ｘｙ並進ステージ１０４がその個別位置まで並進された状態で、基板１１０の個別部分を走査すべく（例．図１１中の行程１１０６で以て）第２ｘｙ並進ステージ１０６が並進される（１２１４）。当該複数通りの位置のなかに、そこへと第１ｘｙ並進ステージ１０４を並進させたことがない位置が残っている場合は（１２１６－イエス）、ステップ１２１２及び１２１４が当該複数通りの位置中の別の位置（例．図１１中の別のステーション１１０２）に関し反復される。こうして、第１ｘｙ並進ステージ１０４が複数通りの位置中の個別位置へと並進される。複数通りの位置中の各位置に第１ｘｙ並進ステージ１０４が並進された状態で、その基板１１０の個別部分を走査すべく第２ｘｙ並進ステージ１０６が並進される。当該複数通りの位置中の全ての位置に第１ｘｙ並進ステージ１０４が並進され終え（１２１６－ノー）、その基板１１０が相応に走査され終えた後に、その基板１１０がチャンバ１０２から降荷（アンロード）される（１２１８）。
方法１２００には多数の動作が含まれており、それらがある特定の順序で示されているが、方法１２００に含まれる動作をより多数又は少数とすることもできる。諸動作が重なり合っていてもよいし、二通り以上の動作を組み合わせて単一動作にしてもよい。例えば、ステップ１２０８や１２１０は方法１２００内のどこで実行してもよい。
図１３は、ある種の実施形態に係る基板位置決めシステム作成方法１３００を示すフローチャートである。本方法１３００では、第２ｘｙ並進ステージ１０６が第１ｘｙ並進ステージ１０４の上方に配置されることとなるよう、第１ｘｙ並進ステージ１０４を第２ｘｙ並進ステージ１０６に結合させる（１３０２）。チャック１０８が第２ｘｙ並進ステージ１０６の上方に配置されることとなるよう、チャック１０８を第２ｘｙ並進ステージ１０６に結合させる（１３０４）。チャック１０８は、基板１１０を支持しうるように構成する。それらチャック１０８、第１ｘｙ並進ステージ１０４及び第２ｘｙ並進ステージ１０６がチャンバ１０２内に実装される（１３０６）。
チャンバ１０２の第１ゾーン１１６をそのチャンバ１０２の第２ゾーン１１８から分離させるべく、第１ｘｙ並進ステージ１０４に結合された第１障壁が実装される（１３０８）。第１ゾーン１１６はチャック１０８の上方及び脇の空間を含むゾーンである。第２ゾーン１１８は第１ｘｙ並進ステージ１０４脇の空間を含むゾーンである。実施形態によっては、第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージ１０４とチャンバ１０２の壁との間をつなぐ第１蛇腹（例．蛇腹１１２又は４００）を有するものとされる（１３１０）。実施形態によっては、第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージ１０４から延びる第１平板５０２と、その第１平板５０２の一部分と重なり合う部分を有する第２平板５０４とを有し、その部分が第１間隙５０５で以て第１平板５０２から分離されたものとされる（１３１２）。
チャンバ１０２の第１ゾーン１１６をそのチャンバ１０２の第３ゾーン１２０から分離させるべく、第２ｘｙ並進ステージ１０６に結合された第２障壁が実装される（１３１４）。第３ゾーン１２０は第２ｘｙ並進ステージ１０６脇の空間を含むゾーンである。実施形態によっては、第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージ１０６・第１ｘｙ並進ステージ１０４間をつなぐ第２蛇腹（例．蛇腹１１４、３０２又は４０６）を有するものとされる（１３１６）。実施形態によっては、第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージ１０６から延びる第３平板５０８と、その第３平板５０８の一部分と重なり合う部分を有する第４平板５１０とを有し、その部分が第２間隙５１２で以て第３平板５０８から分離されたものとされる（１３１８）。
方法１３００には多数の動作が含まれており、それらがある特定の順序で示されているが、方法１３００に含まれる動作をより多数又は少数とすることもできる。二通り以上の動作の順序を入れ替えてもよいし、それらが重なり合っていてもよいし、二通り以上の動作を組み合わせて単一動作にしてもよい。例えば、チャック１０８、第１ｘｙ並進ステージ１０４及び／又は第２ｘｙ並進ステージ１０６を、チャンバ１０２内に実装されるものであることを踏まえ、一体に結合させてもよい。
図１４は、ある種の実施形態に係り基板１１０の並進を実行するシステム１４００のブロック図である。実施形態によっては、本システム１４００が、基板１１０を検査するための検査システムとされる。例えば、本システム１４００を半導体ウェハ検査システムやレティクル検査システムとすることができる。本システム１４００はツール１４３０（例．基板検査ツール）を有しており、チャンバ１０２（例．図７及び図８中のチャンバ７０２や図９及び図１０中のチャンバ９０２）内マルチステージ基板位置決めシステムがそのツールに備わっている。ツール１４３０の例としては、これに限られるものではないが、ヘッド７０４（図７及び図８）を有する電子顕微鏡（例．ＳＥＭ）や光学検査ツールがある。そのマルチステージ基板位置決めシステムには、第１ｘｙ並進ステージ１０４、第２ｘｙ並進ステージ１０６及びチャック１０８が備わっており、ｚ並進ステージ１２２が備わっていることもある。
本システム１４００はコンピュータシステムをも有しており、それには１個又は複数個のプロセッサ１４０２（例．ＣＰＵ）、ユーザインタフェース１４０６、メモリ１４１０、並びにそれら部材とツール１４３０とを相互接続する通信バス（群）１４０４が備わっている。これに代え、そのコンピュータシステムを、１個又は複数個のネットワーク１４４０を介しツール１４３０と可通信結合させてもよい。このコンピュータシステムは、更に、ツール１４３０及び／又はリモートコンピュータシステムと通信するため１個又は複数個のネットワークインタフェース（有線及び／又は無線、図示せず）を有するものとすることができる。ユーザインタフェース１４１０としては、ディスプレイ１４０７や、１個又は複数個の入力デバイス１４０８（例．キーボード、マウス、ディスプレイ１４０７の接触感知面等々）を設けることができる。ディスプレイ１４０７にて、本システム１４００により生成された諸結果（例．基板検査結果）を表示することができる。
メモリ１４１０には揮発性及び／又は不揮発性メモリが包含される。メモリ１４１０（例．メモリ１４１０内不揮発性メモリ）には非一時的コンピュータ可読格納媒体が包含される。必須ではないが、メモリ１４１０は、プロセッサ１４０２から離れたところに所在する１個又は複数個の格納デバイス、及び／又は、本システム１４００に可除挿入される非一時的コンピュータ可読格納媒体が包含される。実施形態によっては、メモリ１４１０（例．メモリ１４１０を構成している非一時的コンピュータ可読格納媒体）内に以下のモジュール及びデータ或いはそのサブセット又はスーパーセットが格納される：様々な基本システムサービスをハンドリングする手順及びハードウェア依存タスクを実行する手順を内包するオペレーティングシステム１４１２、基板１１０を検査するための検査モジュール１４１４、基板１１０を（例．検査中に）並進させるための並進モジュール１４１６、並びに結果（例．検査結果）を通知するための通知モジュール１４１８である。メモリ１４１０（例．メモリ１４１０を構成している非一時的コンピュータ可読格納媒体）内に、方法１２００（図１２）の全体又は一部分を実行するための命令群を、組み込むことができる。メモリ１４１０内に格納されているモジュールそれぞれが、本願記載の機能１個又は複数個を実行するための命令群に対応している。別々のモジュールを別々のソフトウェアプログラムとして実現する必要はない。それらモジュール、並びにそれらモジュールの様々なサブセットを、組み合わせる等、再配置してもよい。例えば、検査モジュール１４１４と並進モジュール１４１６とを、組み合わせてもよい。実施形態によっては、上述したモジュール及び／又はデータ構造のサブセット又はスーパーセットがメモリ１４１０内に格納される。
図１４では、構造的図式よりも、本システム１４００内に存しうる様々な特徴についての機能的記述の方を多く意図している。例えば、本システム１４００内のコンピュータシステムの機能を、複数個のデバイス間で分かつことができる。メモリ１４１０内に格納されている諸モジュールの一部分を、そうするのに代え、１個又は複数個のネットワークを通じ本システム１４００のコンピュータシステムと可通信結合された１個又は複数個のコンピュータシステム内に格納することもできる。
ある種の得策な例によれば、本願記載の基板位置決めシステム（例．方法１３００に従い作成され及び／又は方法１２００に従い動作するそれ）を用いることで、得策なことに、１０～２０ｍｍの行程距離に係る移動－捕捉－計測（ＭＡＭ）時間が３０～４０ｍｓとなり、またそれがナノメートルレベルのセトリング安定性で以て提供される。ある種の得策な例によれば、第２ｘｙ並進ステージ１０６により２０ｍｓにて１～５ｍｍの行程が提供される。
上掲の記述は説明目的のものであり、具体的諸実施形態を参照して記述されている。けれども、上掲の例証的議論は、排他的であることも、諸請求項の技術的範囲を被開示形態そのものに限定することも、意図していない。多くの修正及び変形を上掲の教示に鑑み行うことができる。それら実施形態が選択されたのは、諸請求項の下地をなす諸原理及びそれらの実際的応用を最良に説明するため、ひいては想定されている具体的用途に見合った様々な修正付きでそれら実施形態を他の当業者が最良に用いうるようにするためである。

Claims (28)

  1. 第１ｘｙ並進ステージと、
    第１ｘｙ並進ステージの上方に配置され且つその第１ｘｙ並進ステージに結合されている第２ｘｙ並進ステージと、
    第２ｘｙ並進ステージの上方に配置され且つその第２ｘｙ並進ステージに結合されており、基板を支持すると共に、第１及び第２ｘｙステージによりｘ方向及びｙ方向に沿い並進されるチャックであり、それらｘ方向及びｙ方向が、自チャックの表面のうちその上に基板が載置される面に対し実質的に平行なチャックと、
    チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第２ゾーンから分離させるべく第１ｘｙ並進ステージに結合されている第１障壁であり、その第１ゾーンが前記チャックの上方及び脇の空間を含み第２ゾーンが第１ｘｙ並進ステージ脇の空間を含む第１障壁と、
    前記チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第３ゾーンから分離させるべく第２ｘｙ並進ステージに結合されている第２障壁であり、その第３ゾーンが第２ｘｙ並進ステージ脇の空間を含む第２障壁とを、
    そのチャンバ内に備えるシステム。
  2. 請求項１に記載のシステムであって、
    前記基板全体を走査するには不十分な第１行程量を担うよう第１ｘｙ並進ステージが構成されており、
    前記基板全体を走査するには不十分な第２行程量を担うよう第２ｘｙ並進ステージが構成されており、
    それら第１及び第２行程量の合計が、前記基板全体を走査するのに十分なものであるシステム。
  3. 請求項２に記載のシステムであって、第１行程量及び第２行程量のそれぞれが、前記基板全体が走査される行程量の半分であるシステム。
  4. 請求項１に記載のシステムであって、
    第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージと前記チャンバの壁との間をつなぐ第１蛇腹を備え、
    第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージと第１ｘｙ並進ステージとの間をつなぐ第２蛇腹を備えるシステム。
  5. 請求項１に記載のシステムであって、
    第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージから延びる第１平板と、その第１平板と重なり合う部分を有しその部分が第１間隙で以て第１平板から分離されている第２平板と、を備え、
    第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージから延びる第３平板と、その第３平板と重なり合う部分を有しその部分が第２間隙で以て第３平板から分離されている第４平板と、を備えるシステム。
  6. 請求項５に記載のシステムであって、
    第２平板が前記チャンバの壁に連結されており、
    第４平板が第１ｘｙ並進ステージに連結されているシステム。
  7. 請求項１に記載のシステムであり、前記チャンバが真空チャンバであるシステムであって、更に、
    第１ゾーンを超高真空までポンピングする１個又は複数個の第１ポンプと、
    第２ゾーン及び第３ゾーンを第１ゾーンの超高真空より高い圧力を有する真空レベルまでポンピングする１個又は複数個の第２ポンプと、
    を備えるシステム。
  8. 請求項７に記載のシステムであって、第１ゾーンの超高真空が１０－１２ｔｏｒｒオーダであるシステム。
  9. 請求項７に記載のシステムであって、前記チャンバが更に、第１ゾーン内へと延びる走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）ヘッドを備えるシステム。
  10. 請求項７に記載のシステムであって、更に、第２ゾーン内にあり第１ｘｙ並進ステージに冷却液を供給する可撓配管を備えるシステム。
  11. 請求項１に記載のシステムであって、
    第１ゾーンが、動作中における大気圧での窒素パージ向けに構成されており、
    第２ゾーン及び第３ゾーンが、動作中に大気圧にしうるよう構成されているシステム。
  12. 請求項１に記載のシステムであって、第１ｘｙ並進ステージが、複数個の規定されたステーション間で動かしうるリニアアクチュエータを備えるシステム。
  13. 請求項１２に記載のシステムであって、
    前記基板が半導体ウェハであり、
    前記複数個の規定されたステーションに、前記半導体ウェハの各象限の中央が含まれており、
    第２ｘｙ並進ステージが、個々のステーションに前記リニアアクチュエータが位置している状態で前記半導体ウェハの個々の象限を走査する行程を提供するよう、構成されているシステム。
  14. 請求項１に記載のシステムであって、第２ゾーンと第３ゾーンとがつながっているシステム。
  15. 請求項１に記載のシステムであって、第１ｘｙ並進ステージが第２ｘｙ並進ステージよりも重いシステム。
  16. 請求項１５に記載のシステムであって、第２ｘｙ並進ステージの重さが２～１５ｋｇであるシステム。
  17. 請求項１に記載のシステムであって、前記基板が半導体ウェハ又はレティクルであるシステム。
  18. 第１ｘｙ並進ステージ及び第２ｘｙ並進ステージによりチャンバ内で並進されるチャック上に基板を載置し、その際に
    第２ｘｙ並進ステージを、第１ｘｙ並進ステージの上方に配置され且つその第１ｘｙ並進ステージに結合されたものとし、
    前記チャックを、第２ｘｙ並進ステージの上方に配置され且つその第２ｘｙ並進ステージに結合されたものとし、
    前記チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第２ゾーンから分離させるべく第１障壁を第１ｘｙ並進ステージに結合させ、但しその第１ゾーンが前記チャックの上方及び脇の空間を含み第２ゾーンが第１ｘｙ並進ステージ脇の空間を含み、且つ
    前記チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第３ゾーンから分離させるべく第２障壁を第２ｘｙ並進ステージに結合させ、但しその第３ゾーンが第２ｘｙ並進ステージ脇の空間を含み、更に
    前記チャンバ内のチャック上に前記基板が載置された状態で、第１ｘｙ並進ステージを第１位置まで並進させ、且つ
    第１ｘｙ並進ステージを第１位置まで並進させた状態で、前記基板の第１部分を走査すべく第２ｘｙ並進ステージを並進させる方法。
  19. 請求項１８に記載の方法であって、
    前記チャンバ内のチャック上に前記基板が載置された状態で、第１ｘｙ並進ステージを複数通りの位置中の個別位置まで順次並進させ、
    前記複数通りの位置中の各位置に第１ｘｙ並進ステージを並進させた状態で、前記基板の個別部分を走査すべく第２ｘｙ並進ステージを並進させる方法。
  20. 請求項１８に記載の方法であって、更に、前記チャンバ内のチャック上に前記基板が載置された状態で、
    第１ゾーンをポンピングすることで超高真空を提供し、
    第２ゾーン及び第３ゾーンをポンピングすることで、第１ゾーンの超高真空よりも高い圧力を有する真空レベルを提供する方法。
  21. 請求項１８に記載の方法であって、更に、前記チャンバ内のチャック上に前記基板が載置された状態で、
    大気圧にて第１ゾーンを窒素パージし、
    第１ゾーンを窒素パージしている間、第２ゾーン及び第３ゾーンを大気圧に保つ方法。
  22. 請求項１８に記載の方法であって、
    第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージと前記チャンバの壁との間をつなぐ第１蛇腹を備え、
    第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージ・第１ｘｙ並進ステージ間をつなぐ第２蛇腹を備える方法。
  23. 請求項１８に記載の方法であって、
    第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージから延びる第１平板と、第１平板の一部分と重なり合う部分を有しその部分が第１間隙で以て第１平板から分離されている第２平板と、を備え、
    第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージから延びる第３平板と、第３平板の一部分と重なり合う部分を有しその部分が第２間隙で以て第３平板から分離されている第２平板と、を備える方法。
  24. 請求項１８に記載の方法であって、前記基板の第１部分を走査すべく第２ｘｙ並進ステージを並進させる際に、２０ｍｓの間に第２ｘｙ並進ステージを１～５ｍｍ動かす方法。
  25. 請求項１８に記載の方法であって、前記基板の第１部分を走査すべく第２ｘｙ並進ステージを並進させる際に、１０～２０ｍｍの行程距離に関し３０～４０ｍｓの移動－捕捉－計測時間を達成する方法。
  26. 第２ｘｙ並進ステージを第１ｘｙ並進ステージの上方に配置し、その際に第１ｘｙ並進ステージを第２ｘｙ並進ステージに結合させ、
    基板を支持しうるよう構成されたチャックを第２ｘｙ並進ステージの上方に配置し、その際にそのチャックを第２ｘｙ並進ステージに結合させ、
    それらチャック、第１ｘｙ並進ステージ及び第２ｘｙ並進ステージをチャンバ内に実装し、
    前記チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第２ゾーンから分離させるべく第１障壁を実装して第１ｘｙ並進ステージに結合させ、但しその第１ゾーンがチャックの上方及び脇の空間を含み第２ゾーンが第１ｘｙ並進ステージ脇の空間を含み、
    前記チャンバの第１ゾーンをそのチャンバの第３ゾーンから分離させるべく第２障壁を実装して第２ｘｙ並進ステージに結合させ、但しその第３ゾーンが第２ｘｙ並進ステージ脇の空間を含む方法。
  27. 請求項２６に記載の方法であって、
    第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージと前記チャンバの壁との間をつなぐ第１蛇腹を備え、
    第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージ・第１ｘｙ並進ステージ間をつなぐ第２蛇腹を備える方法。
  28. 請求項２６に記載の方法であって、
    第１障壁が、第１ｘｙ並進ステージから延びる第１平板と、第１平板の一部分と重なり合う部分を有しその部分が第１間隙で以て第１平板から分離されている第２平板と、を備え、
    第２障壁が、第２ｘｙ並進ステージから延びる第３平板と、第３平板の一部分と重なり合う部分を有しその部分が第２間隙で以て第３平板から分離されている第２平板と、を備える方法。
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