JP2022189284A - 基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体 - Google Patents

基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板の撮像画像に基づく欠陥検査を、立ち上げ時の手間の増加を抑制しながら、精度良く行う。【解決手段】基板の欠陥の有無によらない基礎状態に応じたグループを定義し、グループを検査対象の基板毎に設定する設定部と、検査部と、レシピ作成部と、グループの設定対象の基板が定義済のグループに属するか否かの判定を行う判定部と、を有し、判定部はグループの設定対象の基板と定義済のグループに属する基板とで処理が一致するか否か、及び、撮像画像から推定される当該設定対象の基板の基礎状態と定義済のグループに属する基板の基礎状態とが一致するか否かを判定し、設定対象の基板が定義済のグループに属する場合、該当するグループを設定対象の基板に対し設定し、設定対象の基板が定義済のグループに属さない場合、新たなグループを定義すると共に設定対象の基板に対し設定し、レシピ作成部は新たなグループに対応する検査レシピを作成する。【選択図】図７

Description

本開示は、基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体に関する。
特許文献１には、検査対象画像パターンを基準画像パターンと比較して欠陥の検出を行う画像パターンの検査方法が開示されている。
特開２０１６－２１２００８号公報
本開示にかかる技術は、基板の撮像画像に基づく欠陥検査を、立ち上げ時の手間の増加を抑制しながら、精度良く行う。
本開示の一態様は、基板を検査する基板検査装置であって、基板の欠陥の有無によらない基礎状態に応じたグループを定義し、定義した前記グループを検査対象の基板毎に設定する設定部と、検査対象の基板の撮像画像と、前記検査対象の基板が属する前記グループに対応する、基準画像を含む検査レシピと、に基づいて、欠陥を検査する検査部と、前記検査レシピを前記グループ毎に作成するレシピ作成部と、前記設定部による前記グループの設定対象の基板が、前記設定部により定義済のグループに属するか否かの判定を行う判定部と、を有し、前記判定部は、前記グループの設定対象の基板と前記定義済のグループに属する基板とで、当該基板に対し行われた処理が一致するか否か、及び、前記グループの設定対象の基板の撮像画像から推定される当該設定対象の基板の前記基礎状態と前記定義済のグループに属する基板の前記基礎状態とが一致するか否かに基づいて、前記判定を行い、前記設定対象の基板が前記定義済のグループに属すると判定された場合、前記設定部は、該当するグループを前記設定対象の基板に対し設定し、前記設定対象の基板が前記定義済のグループに属さないと判定された場合、前記設定部は、新たなグループを定義すると共に前記設定対象の基板に対し設定し、前記レシピ作成部は、前記設定対象の基板の撮像画像に基づいて、前記新たなグループに対応する前記検査レシピを作成する。
本開示によれば、基板の撮像画像に基づく欠陥検査を、立ち上げ時の手間の増加を抑制しながら、精度良く行うことができる。
本実施形態にかかる基板検査装置としての全体制御装置を備えるウェハ検査システムの構成の概略を模式的に示す図である。 ウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 ウェハ処理システムの正面側の内部構成の概略を示す図である。 ウェハ処理システムの背面側の内部構成の概略を示す図である。 検査用撮像装置の構成の概略を示す縦断面図である。 検査用撮像装置の構成の概略を示す横断面図である。 ウェハＷの撮像画像に基づくウェハの検査に関する全体制御装置の制御部の機能ブロック図である。 全体制御装置による検査の事前処理の一例を示すフローチャートである。 全体制御装置による検査処理の一例を示すフローチャートである。
半導体デバイス等の製造工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等が順次行われ、ウェハ上にレジストパターンが形成される。そして、レジストパターンの形成処理後に、このレジストパターンをマスクとしたエッチング対象層のエッチング等が行われ、当該エッチング対象層に予め定められたパターンが形成される。なお、レジストパターンの形成の際に、レジスト膜の下層に、レジスト膜以外の膜を形成することもある。
また、上述のようにレジストパターンを形成する際や、レジストパターンを用いてエッチングする際に、各種処理後のウェハに対して欠陥検査が行われることがある。この欠陥検査では、例えば、レジストパターンが適切に形成されているか否かや、ウェハへ異物の付着があるか否か等が検査される。近年では、この欠陥検査に、処理後の検査対象のウェハ（具体的にはそのの処理面すなわち表面）を撮像した撮像画像が用いられる場合がある。この場合、検査対象のウェハの撮像画像と検査の基準になる基準画像とを比較することで、欠陥検査が行われる（特許文献１参照）。
ところで、検査対象のウェハの状態は、当該ウェハに対し行われた今までの処理の種類等に応じて、欠陥の有無によらず、大きく異なってくる。例えば、レジストパターンが形成されていない現像処理前すなわちレジスト塗布処理後とレジストパターンが形成された現像処理後とではウェハの状態が大きく異なってくる。また、現像処理後同士であっても、露光条件が異なれば、レジストパターンの形状やピッチが異なってくる。さらに、レジスト塗布処理後同士であっても、下地膜の状態や塗布条件が異なれば、ウェハの撮像画像における全体的な色合いや場所毎の色合いが異なってくる。
そのため、検査対象のウェハの状態に応じた基準画像を用いなければ、検査対象のウェハの撮像画像に基づく欠陥検査を正確に行うことができない。例えば、適切な基準画像を用いなければ、欠陥ではないレジストパターンの輪郭を、誤って欠陥として検出してしまうことがある。つまり、疑似欠陥が発生することがある。したがって、多種のウェハそれぞれについて、当該ウェハの撮像画像に基づいて欠陥検査を正確に行うには、基準画像を多数用意する必要がある。しかし、欠陥検査を行う検査装置の立ち上げ時に、基準画像を多数用意するのは手間である。
そこで、本開示にかかる技術は、基板の撮像画像に基づく欠陥検査を、立ち上げ時の手間の増加を抑制しながら、精度良く行う。
以下、本実施形態にかかる基板検査装置及び基板検査方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜ウェハ処理システム及び検査用撮像装置＞
図１は、本実施形態にかかる基板検査装置としての全体制御装置を備えるウェハ検査システムの構成の概略を模式的に示す図である。
図示するように、ウェハ検査システム１は、ウェハ処理システム１０と、全体制御装置２０と、を備えている。
ウェハ処理システム１０は、基板としてのウェハを処理するものであり、本例では、ウェハ上にレジストパターンを形成するための処理等をウェハに対し行う。
図２は、ウェハ処理システム１０の構成の概略を模式的に示す平面図である。図３及び図４はそれぞれ、ウェハ処理システム１０の正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。
ウェハ処理システム１０は、図２に示すように、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１００と、ウェハＷに予め定められた処理を施す複数の処理装置を有する処理ステーション１０１と、を有する。ウェハ処理システム１０は、カセットステーション１００と、処理ステーション１０１と、処理ステーション１０１に隣接する露光装置１０２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１０３と、を一体に接続した構成を有している。
カセットステーション１００には、カセット載置台１１０が設けられている。カセット載置台１１０には、ウェハ処理システム１０の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板１１１が複数設けられている。
カセットステーション１００には、Ｘ方向に延びる搬送路１１２上を移動自在なウェハ搬送装置１１３が設けられている。ウェハ搬送装置１１３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１１１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１０１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
処理ステーション１０１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロック、すなわち第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４が設けられている。例えば処理ステーション１０１の正面側（図２のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１０１の背面側（図２のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１０１のカセットステーション１００側（図２のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１０１のインターフェイスステーション１０３側（図２のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
第１のブロックＧ１には、処理液を用いてウェハＷを処理する基板処理装置である液処理装置が配列されている。具体的には、第１のブロックＧ１には、液処理装置として、図３に示すように、例えば現像処理装置１２０、下層膜形成装置１２１、中間層膜形成装置１２２、レジスト塗布装置１２３が下からこの順に配置されている。
現像処理装置１２０は、ウェハＷを現像処理する。具体的には、現像処理装置１２０は、ウェハＷのレジスト膜上に現像液を供給し、レジストパターンを形成する。
下層膜形成装置１２１は、ウェハＷのレジスト膜の下地膜である下層膜を形成する。具体的には、下層膜形成装置１２１は、下層膜を形成するための材料となる下層膜材料をウェハＷ上に塗布し、下層膜を形成する。
中間層膜形成装置１２２は、ウェハＷの下層膜上であってレジスト膜の下方の位置に中間層膜を形成する。具体的には、中間層膜形成装置１２２は、ウェハＷの下層膜上に、中間層膜を形成するための材料となる中間層膜材料を塗布し、中間層膜を形成する。
レジスト塗布装置１２３は、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する。具体的には、レジスト塗布装置１２３は、ウェハＷの中間層膜の上に、レジスト液を塗布し、レジスト膜を形成する。
例えば現像処理装置１２０、下層膜形成装置１２１、中間層膜形成装置１２２、レジスト塗布装置１２３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置１２０、下層膜形成装置１２１、中間層膜形成装置１２２、レジスト塗布装置１２３の数や配置は、任意に選択できる。
これら現像処理装置１２０、下層膜形成装置１２１、中間層膜形成装置１２２、レジスト塗布装置１２３では、例えば、スピン塗布法により、予め定められた処理液がウェハＷ上に塗布される。スピン塗布法では、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。
第２のブロックＧ２には、ウェハＷが載置される熱板や冷却板を用いてウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う基板処理装置である熱処理装置１３０が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置１３０の数や配置は、任意に選択できる。また、熱処理装置１３０には、それぞれ公知の装置を用いることができる。
第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置１４０、１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置１５０、１５１、１５２が下から順に設けられ、その上に検査用撮像装置１５３が設けられている。
ここで、検査用撮像装置１５３の構成について説明する。
図５及び図６はそれぞれ、検査用撮像装置１５３の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
検査用撮像装置１５３は、図５及び図６に示すように、ケーシング２００を有している。ケーシング２００内には、ウェハＷが載置される載置台２０１が設けられている。この載置台２０１は、モータ等の回転駆動部２０２によって、回転、停止が自在である。ケーシング２００の底面には、ケーシング２００内の一端側（図６中のＸ方向負方向側）から他端側（図６中のＸ方向正方向側）まで延伸するガイドレール２０３が設けられている。載置台２０１と回転駆動部２０２は、ガイドレール２０３上に設けられ、駆動装置２０４によってガイドレール２０３に沿って移動できる。
ケーシング２００内の他端側（図６のＸ方向正方向側）の側面には、撮像部２１０が設けられている。撮像部２１０には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられている。
ケーシング２００の上部中央付近には、ハーフミラー２１１が設けられている。ハーフミラー２１１は、撮像部２１０と対向する位置に、鏡面が鉛直下方を向いた状態から撮像部２１０の方向に向けて４５度上方に傾斜した状態で設けられている。ハーフミラー２１１の上方には、照明装置２１２が設けられている。ハーフミラー２１１と照明装置２１２は、ケーシング２００内部の上面に固定されている。照明装置２１２からの照明は、ハーフミラー２１１を通過して下方に向けて照らされる。したがって、照明装置２１２の下方にある物体によって反射した光は、ハーフミラー２１１でさらに反射して、撮像部２１０に取り込まれる。すなわち、撮像部２１０は、照明装置２１２による照射領域にある物体を撮像することができる。そして、撮像部２１０による撮像結果は、後述の撮像制御装置２５１に入力される。
図２～図４を用いたウェハ処理システム１０の説明に戻る。
図２に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１６０ａを有する、ウェハ搬送装置１６０が複数配置されている。ウェハ搬送装置１６０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所望の装置にウェハＷを搬送できる。
また、ウェハ搬送領域Ｄには、図４に示すように、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置１７０が設けられている。
シャトル搬送装置１７０は、例えば図４のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置１７０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置１４２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置１５２との間でウェハＷを搬送できる。
図２に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置１８０が設けられている。ウェハ搬送装置１８０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１８０ａを有している。ウェハ搬送装置１８０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。
インターフェイスステーション１０３には、ウェハ搬送装置１９０と受け渡し装置１９１が設けられている。ウェハ搬送装置１９０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１９０ａを有している。ウェハ搬送装置１９０は、例えば搬送アーム１９０ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１９１及び露光装置１０２との間でウェハＷを搬送できる。
また、ウェハ処理システム１０には、制御装置２５０が設けられている。
制御装置２５０は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。このプログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置等の駆動系の動作を制御して、後述のウェハ処理を行うためのプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、検査用撮像装置１５３の撮像部や駆動系の動作を制御して、ウェハＷの撮像処理を制御するプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御装置２５０にインストールされたものであってもよい。記憶媒体は、一時的なものであっても、非一時的なものであってよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
また、制御装置２５０は、検査用撮像装置１５３の撮像部２１０でのウェハＷの撮像結果に基づいて、ウェハＷの撮像画像を取得する。具体的には、制御装置２５０は、撮像部２１０で撮像された画像に対して必要な画像処理を施し、これにより、ウェハＷの撮像画像として、当該ウェハＷの表面全体の状態を示す画像を生成する。
制御装置２５０が生成したウェハＷの撮像画像は全体制御装置２０に出力される。
図１を用いたウェハ検査システム１の説明に戻る。
ウェハ検査システム１は、前述のように、全体制御装置２０を有する。
全体制御装置２０は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、記憶部２６０と、制御部２６１とを有する。
記憶部２６０は、各種情報を記憶するものであり、ＲＡＭ等のメモリやＨＤＤ等のストレージデバイスを有する。記憶部２６０には、制御部２６１における、ウェハＷの撮像画像に基づく検査にかかるプログラム等が記憶されている。上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから全体制御装置２０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
制御部２６１は、全体制御装置２０を制御する。制御部２６１は、例えばＣＰＵ等のプロセッサを有している。
＜ウェハ処理＞
続いて、以上のように構成されたウェハ処理システム１０で行われるウェハ処理について説明する。なお、以下の処理は、例えばロット毎に設定されるウェハＷの処理レシピに基づいて行われ、処理時のウェハＷの搬送は、上記処理レシピに対応したウェハＷの搬送レシピに基づいて行われる。処理レシピ及び搬送レシピは記憶部（図示せず）に記憶されている。
まず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、カセットステーション１００に搬入される。そして、制御装置２５０の制御の下、ウェハＷが、第１のブロックＧ１の下層膜形成装置１２１に搬送され、ウェハＷ上に下層膜が形成される。
続いて、ウェハＷが、第２のブロックＧ２の下層膜用の熱処理装置１３０に搬送され、下層膜の加熱処理が行われる。
その後、ウェハＷが、検査用撮像装置１５３へ搬送される。そして、制御装置２５０の制御の下、撮像部２１０による下層膜形成後のウェハＷの撮像が行われ、当該下層膜形成後のウェハＷの撮像画像が取得される。取得されたウェハＷの撮像画像は、当該ウェハＷの識別情報が紐づけられて、全体制御装置２０に出力される。また、ウェハＷの撮像画像は、当該ウェハＷに適用された搬送レシピ（具体的には検査用撮像装置１５３に至るまでの経路を示す搬送レシピ）の識別情報と紐づけられて、全体制御装置２０に出力される。全体制御装置２０に出力されたウェハＷの撮像画像は記憶部２６０に記憶される。
次いで、制御装置２５０の制御の下、ウェハＷが、第１のブロックＧ１の中間層膜形成装置１２２に搬送され、ウェハＷの下層膜上に中間層膜が形成される。
続いて、ウェハＷが、第２のブロックＧ２の中間層用の熱処理装置１３０に搬送され、中間層膜の加熱処理が行われる。
その後、ウェハＷが、第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置１２３に搬送され、ウェハＷの中間層膜上にレジスト膜が形成される。
続いて、ウェハＷが、第２のブロックＧ２のＰＡＢ処理用の熱処理装置１３０に搬送され、ＰＡＢ処理が行われる。
次いで、ウェハＷが、露光装置１０２に搬送され、所望のパターンに露光される。
続いて、ウェハＷが、第２のブロックＧ２のＰＥＢ処理用の熱処理装置１３０に搬送され、ＰＥＢ処理が行われる。
次に、ウェハが、第１のブロックＧ１の現像処理装置１２０に搬送され、現像処理が行われ、当該ウェハＷ上にレジストパターンが形成される。
その後、ウェハＷが、第２のブロックＧ２のポストベーク処理用の熱処理装置１３０に搬送され、ポストベーク処理が行われる。そして、ウェハＷがカセットＣに戻され、一連のウェハ処理が完了する。
上述のウェハ処理は、他のウェハＷについても行われる。
なお、処理レシピ及び搬送レシピが異なれば、検査用撮像装置１５３による撮像タイミングも異なってくる。例えば、以上の例では、下層膜形成後であって中間層膜形成前に検査用撮像装置１５３によりウェハＷの撮像を行っているが、現像処理後に検査用撮像装置１５３によりウェハＷの撮像が行われる場合もある。
＜全体制御装置２０＞
図７は、ウェハＷの撮像画像に基づくウェハの検査に関する全体制御装置２０の制御部２６１の機能ブロック図である。
制御部２６１は、図７に示すように、ＣＰＵ等のプロセッサが記憶部２６０に記憶されたプログラムを読み出して実行することにより実現される、設定部３０１と、検査部３０２と、レシピ作成部３０３と、判定部３０４と、を有する。
設定部３０１は、ウェハＷの基礎状態（正常状態）に応じたグループを定義し、定義したグループをウェハＷ毎に設定する。ウェハＷの基礎状態とは、当該ウェハＷにおける欠陥の有無によらない状態である。このウェハＷの基礎状態は、例えばウェハＷの最表面の膜の厚さや種類、上記最表面の膜によるパターンの形状やピッチ等に応じて変化する。また、ウェハＷの基礎状態は、上記最表面の膜に対する下地膜の厚さや種類、上記下地膜によるパターンの形状やピッチ等に応じても変化する。設定部３０１は、このようなウェハＷにおける膜の積層状態に応じて変化する撮像画像における画素値（画素の輝度値）をもとに、上記グループを定義する。
検査部３０２は、検査対象のウェハＷの撮像画像と、検査対象のウェハＷが属するグループに対応する検査レシピと、に基づいて、検査対象のウェハＷの欠陥を検査する。
検査レシピは、検査対象のウェハＷの撮像画像の比較対象且つ欠陥検査の基準となる基準画像を少なくとも含む。
また、検査レシピは、検査対象のウェハＷの撮像画像と基準画像との比較結果に基づき欠陥を検出するための欠陥条件（すなわち欠陥検査用パラメータ）を含む。
欠陥条件は、例えば、欠陥として検出すべき画素値に関する条件と、欠陥の大きさ（サイズ）に関する条件と、欠陥を検出しない領域の位置に関する条件との組を含む。
欠陥と検出すべき画素値に関する条件とは、例えば、検査対象のウェハＷの撮像画像と基準画像との画素値の差分に関する閾値であり、画素値の差分が閾値を超える部分が欠陥として検出される。
欠陥のサイズに関する条件とは、例えば、欠陥と検出すべき画素値に関する条件に基づいて、欠陥として検出された部分のサイズに関する閾値であり、上記サイズが閾値を超えるもののみ欠陥として検出される。
欠陥を検出しない領域の位置に関する条件とは、具体的には、欠陥を検出しない領域すなわち疑似欠陥の領域の大きさや位置の調節量である。
また、欠陥条件は、例えば、基準画像のウェハ面内全体の画素値の調節量に関する条件と、欠陥のサイズに関する条件と、基準画像をウェハＷの径方向に分割した各領域の、画素値の調節量に関する条件と、の組を含んでもよい。
なお、基準画像毎に、適切な欠陥条件は異なる。
レシピ作成部３０３は、検査レシピを、ウェハＷが属するグループ毎に作成する。
判定部３０４は、検査対象であり設定部３０１によるグループの設定対象であるウェハＷが、設定部３０１が定義済のグループに属するか否かの判定を行う。
具体的には、判定部３０４は、以下の（１）及び（２）に基づいて、上記判定を行う。
（１）グループの設定対象のウェハＷと上記定義済のグループに属するウェハＷとで、ウェハＷに対し行われた処理が一致するか否か
（２）グループの設定対象のウェハＷの撮像画像から推定される当該設定対象のウェハＷの基礎状態と、上記定義済のグループに属するウェハＷの基礎状態と、が一致するか否か
上記（１）は、具体的には、グループの設定対象のウェハＷと上記定義済のグループに属するウェハＷとで、搬送レシピが一致するか否か、である。つまり、グループの設定対象のウェハＷの撮像画像に紐づけられた搬送レシピと、上記定義済のグループに後述のように関連付けられた搬送レシピとが一致するか否かである。
また、上記（２）は、具体的には、定義済のグループに属するウェハＷの基礎状態に対応する、ウェハＷの撮像画像における特徴量（以下、画像基礎特徴量）の範囲内に、グループの設定対象のウェハＷの画像基礎特徴量が収まるか否か、である。
定義済のグループに属すべきウェハＷの画像基礎特徴量の範囲内に、グループの設定対象のウェハＷの画像基礎特徴量が収まることは、グループの設定対象のウェハＷと定義済のグループに属するウェハＷとで、搬送レシピだけでなく、搬送レシピに基づいて行われた処理以前の処理も一致することを意味する。例えば、上記画像基礎特徴量の範囲の基準となる画像基礎特徴量が複数ある場合、上記画像基礎特徴量の範囲は、複数の画像基礎特徴量の分布からのマハラノビス距離で定められる。なお、上記画像基礎特徴量の範囲の基準となる画像基礎特徴量が単数の場合はこの限りではない。
画像基礎特徴量とは、例えば、ウェハＷの撮像画像における画素値の面内傾向に関する特徴量である。
上記面内傾向に関する特徴量とは、より具体的には例えば以下の通りである。すなわち、国際公開第２０２０／２４６３６６号等に開示のように、ウェハＷの撮像画像内の画素値の平面分布は、ゼルニケ（Zernike）多項式を用いて複数の画素値の面内傾向成分にそれぞれ分解することができ、各面内傾向成分のゼルニケ係数をそれぞれ算出することができる。例えば、この各面内傾向成分のゼルニケ係数が上記面内傾向に関する特徴量に該当する。
画像基礎特徴量は、ウェハＷの撮像画像の単位領域（例えば、露光ショット）に関する特徴量を含んでもよい。ここでいう単位領域とはウェハＷの面を所定の間隔で分割したときの１つの領域であり、例えばウェハ処理システム１０に搬入される前に行われたウェハＷ上の膜の露光処理において対象範囲を分割して露光が行われるときの１つの露光領域単位である、露光ショットが該当する。
ウェハＷの撮像画像の単位領域に関する特徴量とは、具体的には、例えば、当該単位領域の画素値やその平均値等であり、基準画像において対応する単位領域と比較したときの画素値の差であってもよい。また、ウェハＷの撮像画像の単位領域に関する特徴量は、単位領域のピッチを含んでもよい。なお、上記単位領域は、記憶部２６０に予め記憶された、その位置とサイズの情報に基づいて、特定されてもよいし、撮像画像を解析することにより特定されてもよい。
そして、判定部３０４は、
上記（１）に係り、グループの設定対象のウェハＷと定義済のグループに属するウェハＷとで、ウェハＷに対し行われた処理が一致しないこと、及び、
上記（２）に係り、グループの設定対象のウェハＷの撮像画像から推定される当該設定対象のウェハＷの基礎状態と、定義済のグループに属するウェハＷの基礎状態と、が一致しないこと、
の少なくともいずれか一方を満たす場合、グループの設定対象のウェハＷが、定義済のグループに属さないと判定する。
特に、判定部３０４は、以下のときにでも、グループの設定対象のウェハＷが、定義済のグループに属さないと判定する。すなわち、
上記（１）に係り、グループの設定対象のウェハＷと定義済のグループに属するウェハＷとで、ウェハＷに対し行われた処理が一致する場合であっても、つまり搬送レシピが一致する場合であっても、
上記（２）に係り、グループの設定対象のウェハＷの撮像画像から推定される当該設定対象のウェハＷの基礎状態と、定義済のグループに属するウェハＷの基礎状態と、が一致しないとき、である。判定部３０４は、設定対象のウェハＷに形成された膜の厚さや種類、各々の膜のパターンやピッチによる基礎状態が、定義済のグループに対応する基礎状態と総合的に同一か否か、を当該ウェハＷの撮像画像から判定しているとも言える。
判定部３０４により、グループの設定対象のウェハＷが、定義済のグループに属すると判定された場合、設定部３０１が、該当するグループを設定対象のウェハＷに対し設定する。設定後、上記該当するグループに対応する検査レシピが作成済みであれば、検査部３０２が、グループが設定されたウェハＷについて、当該ウェハＷの撮像画像と、設定したグループに対応する検査レシピと、に基づいて、欠陥を検査する。
一方、判定部３０４により、グループの設定対象のウェハＷが、定義済のグループに属さないと判定された場合、設定部３０１が、新たなグループを定義し、設定対象のウェハＷに対し設定する。それに加えて、設定部３０１が、新たなグループに対し、当該新たなグループに属すべきウェハＷの条件を関連付ける。具体的には、新たなグループに属すべきウェハＷの搬送レシピと、当該ウェハＷの画像基礎特徴量の範囲を関連付ける。
また、設定部３０１により、グループの設定対象のウェハＷに対し上記新たなグループが設定されたときは、レシピ作成部３０３が、グループの設定対象のウェハＷの撮像画像すなわち上記新たなグループが設定されたウェハＷの撮像画像に基づいて、上記新たなグループに対応する検査レシピを作成する。具体的には、レシピ作成部３０３は、複数枚の、上記新たなグループが設定されたウェハＷの撮像画像に基づいて、上記新たなグループに対応する検査レシピを作成する。
複数枚のウェハＷの撮像画像から検査レシピに含まれる欠陥検査の基準画像を生成する方法には公知の手法（例えば特開２０１４－１１５１４０号公報に開示の方法）を用いることができる。特開２０１４－１１５１４０号公報に開示の方法では、複数枚のウェハＷの撮像から、欠陥を有していないと推定される、特定の条件を満たすウェハＷの撮像画像を抽出し、抽出したウェハＷの撮像画像に基づいて、上記基準画像を生成する。
また、複数枚の撮像から検査レシピに含まれる前述の欠陥条件を決定する際は、例えば、レシピ作成部３０３は、基準画像の生成に用いられた上記抽出したウェハＷの撮像画像それぞれについて、生成した基準画像に基づいて検査したときに欠陥が検出されないよう、欠陥条件を調整する。例えば、上記抽出したウェハＷの撮像画像の中から、基準画像と比較したときの画素値の差が大きい撮像画像の画素値を選び、欠陥条件の範囲における閾値の目安とする。その画素値をそのまま欠陥条件における閾値としてもよいし、予め設けられた係数を掛けた値を閾値としてもよい。定数倍ウェハＷの面内のある位置または領域（検出領域単位）ごとに欠陥条件を決定する場合は、検出領域単位ごとに上記画素値の差が大きい撮像画像の画素値を選び、欠陥条件における閾値とするとよい。なお、複数画素を含む領域を検出領域単位とするときは、その領域内における平均画素値を基準とした上記と同様の手法で欠陥条件を決定する。
設定部３０１によって検査レシピは例えば、次のように作られる。
まず、ウェハＷの面内の全体的な画素値分布に対する係数（ウェハＷの面内全体の画素値の調節量に関する条件の一例）が設定される。この係数は、１以上の定数であり、上記の輝度分布における各位置の画素値それぞれに掛けられるものであり、上記抽出したウェハＷの撮像画像の各位置の画素値と当該係数の積が全て欠陥条件の範囲外の値（つまり、非欠陥）となるように設定される。その次に、上記の係数がかかる範囲よりウェハＷの半径方向範囲が狭い内側領域と、その内側領域よりも外側に位置する外側領域それぞれに対するオフセット値が決定される。上記オフセット値は、ウェハＷの径方向に分割した各領域の画素値の調節量に関する条件の一例であり、具体的には、各位置の画素値と上記の係数との積に対して加算される値であり、上記内側領域と外側領域それぞれの領域に、その加算された結果の値が欠陥条件の範囲に入らない前提で取り得る最大値が、例えば所定の複数の候補値についての検証結果を経て設定される。
検査対象のウェハＷにパターンが形成されている場合であっても、上述の欠陥条件を含む検査レシピは、パターンに関する設計データ（具体的にはＣＡＤデータ）を用いずに決定・作成される。
上記新たなグループに対応する新検査レシピが作成されると、検査部３０２が、検査が済んでいない上記新たなグループに属するウェハＷについて、当該ウェハＷの撮像画像と、上記新検査レシピと、に基づいて、欠陥を検査する。
＜検査処理及び検査の事前処＞
続いて、全体制御装置２０による検査処理及び検査の事前処理について説明する。
まず、検査の事前処理について説明する。
図８は、全体制御装置２０による検査の事前処理の一例を示すフローチャートである。
検査の事前処理では、例えば、図８に示すように、まず、同一のグループに属すべき複数枚のウェハＷの撮像画像であって正常に処理された（すなわち欠陥のない）ウェハＷの撮像画像を、制御部２６１が取得する（ステップＳ１）。ここで制御部２６１が取得する撮像画像は例えばユーザにより選択される。
次いで、制御部２６１が、撮像画像が取得されたウェハＷのグループをグループ１と定義する（ステップＳ２）。
また、制御部２６１が、グループ１に属すべきウェハＷの条件として、グループ１に属すべきウェハＷの搬送レシピと、グループ１に属すべきウェハＷの画像基礎特徴量の範囲とを決定し、これらをグループ１に対し関連付ける（ステップＳ３）。グループ１に属すべきウェハＷの搬送レシピには、例えば、ステップＳ１で取得された撮像画像に紐づけられた搬送レシピが用いられる。また、グループ１に属すべきウェハＷの画像基礎特徴量の範囲は、ステップＳ１で取得された撮像画像から決定される。
また、レシピ作成部３０３が、ステップＳ１で取得された複数枚のウェハＷの撮像画像に基づいて、グループ１に対応する検査レシピを決定する（ステップＳ４）。
これで一連の検査の事前処理は終了する。なお、この事前処理は省略してもよい。
次に、全体制御装置２０による検査処理について説明する。
図９は、全体制御装置２０による検査処理の一例を示すフローチャートである。
まず、判定部３０４が、検査対象のウェハＷの撮像画像を記憶部２６０から取得する（ステップＳ１１）。
次に、判定部３０４が、検査対象のウェハＷにグループを設定すべく、当該検査対象のウェハＷの撮像画像に紐づけられた搬送レシピと、定義済のグループのいずれかに関連付けられた搬送レシピとが一致するか否か判定する（ステップＳ１２）。
一致する場合（ステップＳ１２、ＹＥＳの場合）、判定部３０４が、搬送レシピが一致するグループそれぞれについて、当該グループに属すべきウェハＷの画像基礎特徴量の範囲内に、検査対象のウェハＷの画像基礎特徴量が収まるか否か判定する（ステップＳ１３）。
搬送レシピが一致するいずれかのグループについて、当該グループに属すべきウェハＷの画像基礎特徴量の範囲内に、検査対象のウェハＷの画像基礎特徴量が収まる場合（ステップＳ１４、ＹＥＳの場合）、設定部３０１が、該当するグループを、検査対象のウェハＷに対し設定する（ステップＳ１５）。
そして、検査対象のウェハＷに対し設定されたグループについて検査レシピが既に作成されている場合（ステップＳ１６、ＹＥＳの場合）は、検査部３０２が、検査対象のウェハＷの撮像画像と、既に作成された検査レシピとに基づいて、欠陥を検査する（ステップＳ１７）。その後、制御部２６１が処理を次のウェハＷのステップＳ１に戻す。
検査対象のウェハＷに対し設定されたグループについて検査レシピが作成されていない場合（ステップＳ１６、ＮＯの場合）は、レシピ作成部３０３が、同じグループが設定された検査対象のウェハＷの枚数が閾値を超えたか否か判定する（ステップＳ１８）。
閾値を超えていない場合（ＮＯの場合）、制御部２６１が処理をステップＳ１に戻し、閾値を超えている場合（ＹＥＳの場合）、レシピ作成部３０３が、閾値を超えた枚数の検査対象のウェハＷの撮像画像に基づいて、該当するグループに対応する検査レシピを作成する（ステップＳ１９）。
次いで、検査部３０２が、検査レシピが作成されたグループに属するウェハＷそれぞれについて、当該ウェハＷの撮像画像と、作成された検査レシピと、に基づいて、欠陥を検査する（ステップＳ２０）。その後、制御部２６１が処理を次のウェハＷのステップＳ１に戻す。
また、ステップＳ１２において、検査対象のウェハＷの撮像画像に紐づけられた搬送レシピと、定義済のグループに関連付けられた搬送レシピのいずれとも一致しない場合（ＮＯの場合）、設定部３０１が、新たなグループを定義し、検査対象のウェハＷに対し設定する（ステップＳ２１）。また、設定部３０１が、新たなグループに対し、当該新たなグループに属すべきウェハＷの搬送レシピ及び画像基礎特徴量の範囲を関連付ける（ステップＳ２２）。その後、制御部２６１が処理を次のウェハＷのステップＳ１に戻す。
ステップＳ１４において、搬送レシピが一致するいずれかのグループについても、当該グループに属すべきウェハＷの画像基礎特徴量の範囲内に、検査対象のウェハＷの画像基礎特徴量が収まらない場合（ＮＯの場合）も、ステップＳ１２におけるＮＯの場合と同様である。
＜具体例＞
ここで、前述の検査の事前処理後、図９に示したフローチャートに従って検査が初めて行われる場合であって、検査対象のウェハＷが以下の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）である場合を考える。
（Ａ）検査対象のウェハＷが、検査の事前処理で撮像画像が用いられたウェハＷと搬送レシピが同じで画像基礎特徴量が同様である場合（すなわち、検査対象のウェハＷが検査の事前処理で定義されたグループ１に属すべきウェハＷ１である場合）
この場合、検査処理は、ステップＳ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１４→ステップＳ１５→ステップＳ１６→ステップＳ１７の順で進む。そして、検査対象のウェハＷ１は、検査の事前処理で定義されたグループ１が設定され、検査の事前処理で作成されたグループ１に対応する検査レシピに基づいて検査される。
（Ｂ）検査対象のウェハＷが、検査の事前処理で撮像画像が用いられたウェハＷと搬送レシピが異なる場合（すなわち、検査対象のウェハＷが、前述のウェハＷ１に対する搬送レシピＲ１と異なる搬送レシピＲ２が適用されるウェハＷ２である場合）
この場合、検査処理は、ステップＳ１１→ステップＳ１２→ステップＳ２１→ステップＳ２２と進む。そして、新たなグループ２が定義され、検査対象のウェハＷ２に設定されると共に、新たなグループ２に対し、当該グループ２に属すべきウェハＷの搬送レシピＲ２及び画像基礎特徴量の範囲Ａ２が関連付けられる。
２枚目以降且つステップＳ１８において閾値を超えるまでの検査対象のウェハＷ２については、検査処理は、ステップＳ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１４→ステップＳ１５→ステップＳ１６→ステップＳ１８→ステップＳ１の順で進む。これにより、各ウェハＷ２に、１枚目の検査対象のウェハＷ２に基づいて定義されたグループ２が設定される。ただし、検査はこの時点では行われない。
また、ステップＳ１８において閾値を超える検査対象のウェハＷ２については、Ｓ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１４→ステップＳ１５→ステップＳ１６→ステップＳ１８→ステップＳ１９→ステップＳ２０の順で進む。これにより、２枚目以降の検査対象のウェハＷ２は、１枚目の検査対象のウェハＷ２に基づいて定義されたグループ２が設定され、複数枚の検査対象のウェハＷ２の撮像画像に基づいて、グループ２に対応する検査レシピが作成される。また、グループ２を設定済のウェハＷ２それぞれについて、作成された検査レシピに基づいて検査される。
検査レシピが作成された以降の検査対象のウェハＷ２については、検査処理は、ステップＳ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１４→ステップＳ１５→ステップＳ１６→ステップＳ１７の順で進む。そして、検査対象のウェハＷ２は、グループ２が設定され、上述のようにして作成されたグループ２に対応する検査レシピに基づいて検査される。
（Ｃ）検査対象のウェハＷが、検査の事前処理で撮像画像が用いられたウェハＷと搬送レシピが同じで画像基礎特徴量が異なる場合（すなわち、検査対象のウェハＷが、前述のウェハＷ１と同じ搬送レシピＲ１が適用され且つ画像基礎特徴量が異なるウェハＷ３である場合）
この場合、検査処理は、ステップＳ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１４→ステップＳ２１→ステップＳ２２と進む。そして、新たなグループ３が定義され、検査対象のウェハＷ３に設定されると共に、新たなグループ３に対し、当該グループ３に属すべきウェハＷの搬送レシピＲ３及び画像基礎特徴量の範囲Ａ３が関連付けられる。
２枚目以降且つステップＳ１８において閾値を超えるまでの検査対象のウェハＷ３については、検査処理は、ステップＳ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１４→ステップＳ１５→ステップＳ１６→ステップＳ１８→ステップＳ１の順で進む。これにより、各ウェハＷ３に、１枚目の検査対象のウェハＷ２に基づいて定義されたグループ３が設定される。ただし、検査はこの時点では行われない。
また、ステップＳ１８において閾値を超える検査対象のウェハＷ２については、Ｓ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１４→ステップＳ１５→ステップＳ１６→ステップＳ１８→ステップＳ１９→ステップＳ２０の順で進む。これにより、２枚目以降の検査対象のウェハＷ３は、１枚目の検査対象のウェハＷ３に基づいて定義されたグループ３が設定され、複数枚の検査対象のウェハＷ３の撮像画像に基づいて、グループ３に対応する検査レシピが作成される。また、グループ３を設定済のウェハＷ２それぞれについて、作成された検査レシピに基づいて検査される。
検査レシピが作成された以降の検査対象のウェハＷ３については、検査処理は、ステップＳ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１４→ステップＳ１５→ステップＳ１６→ステップＳ１７の順で進む。そして、検査対象のウェハＷ３は、グループ３が設定され、上述のようにして作成されたグループ３に対応する検査レシピに基づいて検査される。
＜本開示の技術の主な効果＞
以上のように、本実施形態に係る検査方法は、ウェハＷの基礎状態に応じたグループを定義し、定義したグループを検査対象のウェハＷ毎に設定する工程と、検査対象のウェハＷの撮像画像と、検査対象のウェハＷが属するグループに対応する、基準画像を含む検査レシピと、に基づいて、欠陥を検査する工程と、検査レシピをグループ毎に作成する工程と、グループの設定対象のウェハＷが、定義済のグループに属するか否かの判定を行う工程と、を含む。また、判定を行う工程は、前記グループの設定対象のウェハＷと前記定義済のグループに属するウェハＷとで、当該ウェハＷに対し行われた処理が一致するか否か、及び、グループの設定対象のウェハＷの撮像画像から推定される当該設定対象のウェハＷの基礎状態と定義済のグループに属するウェハＷの基礎状態とが一致するか否かに基づいて、上記判定を行う。判定の結果、設定対象のウェハＷが定義済のグループに属すると判定された場合、上記設定する工程において、該当するグループを設定対象のウェハＷに対し設定する。また、設定対象のウェハＷが定義済のグループに属さないと判定された場合、上記設定する工程において、新たなグループを定義すると共に設定対象のウェハＷに対し設定し、レシピを作成する工程において、設定対象のウェハＷの撮像画像に基づいて、新たなグループに対応する検査レシピを作成する。
そのため、本実施形態では、検査対象のウェハＷに適した検査レシピがない場合は、当該検査対象のウェハＷの撮像画像に基づいて当該検査対象のウェハＷに適した検査レシピが作成される。したがって、検査レシピを予め作成する必要がないか、または、予め作成する検査レシピの数は最低限でよい。よって、ウェハ検査システム１の立ち上げ時の手間を抑制することができる。また、本実施形態では、検査対象のウェハＷ毎に当該ウェハＷに適した検査レシピが用いられるため、制度の良い欠陥検査を行うこができる。つまり、本実施形態によれば、ウェハの撮像画像に基づく欠陥検査を、立ち上げ時の手間の増加を抑制しながら、精度良く行うことができる。
さらに、本実施形態では、検査レシピの作成に、ウェハＷに形成されたパターンに関する設計データ（ＣＡＤデータ）を用いる必要がないため、教示用としての設計データを予め入力しておく手間を省くことができる。つまり、本実施形態によれば、様々なウェハＷが処理される中、事前のデータ入力が無くとも、既出タイプのグループが新規のグループかの判定とその判定結果にあった検査を行うという自律的処理が可能となる。
なお、設計データは、ウェハ処理システム１０における塗布処理や熱処理の条件の調整には不要なものである。
また、本実施形態では、検査対象のウェハＷにグループが設定され、当該グループに対応する検査レシピに基づいて検査対象のウェハＷの欠陥が検査される。そして、検査対象のウェハＷに対するグループの設定は、検査対象のウェハＷの搬送レシピや、検査対象のウェハＷの画像基礎特徴量と、に基づいて、行われる。つまり、検査対象のウェハＷに対するグループの設定に、ユーザの操作が不要であり、設定部３０１が自動で行うことができる。したがって、ユーザの手間を省くことができる。
さらに、本実施形態によれば、搬送レシピが同じ検査対象のウェハＷであっても、画像基礎特徴量が異なる場合は、異なる検査レシピを用いることができる。したがって、より正確に欠陥検査を行うことができる。
＜変形例＞
各グループに対応する検査レシピを、当該グループに属する複数のウェハＷの撮像画像に基づいて、所定のタイミングで再作成してもよい。所定のタイミングとは、ロット毎、所定の枚数のウェハＷを処理する毎、所定の時間が経過する毎、である。これにより、検査レシピに基づく欠陥検査をより精度よく行うことができる。
なお、検査レシピを再作成した場合、古い検査レシピに基づいて検査されたウェハＷについて、再作成された新しい検査レシピに基づいて、欠陥を検査するようにしてもよい。
２０ 全体制御装置
３０１ 設定部
３０２ 検査部
３０３ レシピ作成部
３０４ 判定部
Ｗ ウェハ

Claims (13)

  1. 基板を検査する基板検査装置であって、
    基板の欠陥の有無によらない基礎状態に応じたグループを定義し、定義した前記グループを検査対象の基板毎に設定する設定部と、
    検査対象の基板の撮像画像と、前記検査対象の基板が属する前記グループに対応する、基準画像を含む検査レシピと、に基づいて、欠陥を検査する検査部と、
    前記検査レシピを前記グループ毎に作成するレシピ作成部と、
    前記設定部による前記グループの設定対象の基板が、前記設定部により定義済のグループに属するか否かの判定を行う判定部と、を有し、
    前記判定部は、前記グループの設定対象の基板と前記定義済のグループに属する基板とで、当該基板に対し行われた処理が一致するか否か、及び、前記グループの設定対象の基板の撮像画像から推定される当該設定対象の基板の前記基礎状態と前記定義済のグループに属する基板の前記基礎状態とが一致するか否かに基づいて、前記判定を行い、
    前記設定対象の基板が前記定義済のグループに属すると判定された場合、前記設定部は、該当するグループを前記設定対象の基板に対し設定し、
    前記設定対象の基板が前記定義済のグループに属さないと判定された場合、前記設定部は、新たなグループを定義すると共に前記設定対象の基板に対し設定し、前記レシピ作成部は、前記設定対象の基板の撮像画像に基づいて、前記新たなグループに対応する前記検査レシピを作成する、基板検査装置。
  2. 前記グループの設定対象の基板と前記定義済のグループに属する基板とで、当該基板に対し行われた処理が一致しないこと、及び、前記グループの設定対象の基板の撮像画像から推定される当該設定対象の基板の前記基礎状態と前記定義済のグループに属する基板の前記基礎状態とが一致しないこと、の少なくともいずれか一方を満たす場合、前記判定部は、前記設定対象の基板が前記定義済のグループに属さないと判定する、請求項１に記載の基板検査装置。
  3. 前記グループの設定対象の基板と前記定義済のグループに属する基板とで、当該基板に対し行われた処理が一致するが、前記グループの設定対象の基板の撮像画像から推定される当該設定対象の基板の前記基礎状態と前記定義済のグループに属する基板の前記基礎状態とが一致しない場合に、前記判定部は、前記設定対象の基板が前記定義済みのグループに則さないと判定する、請求項２に記載の基板検査装置。
  4. 前記検査レシピは、前記検査対象の基板の撮像画像と前記基準画像との比較結果に基づき欠陥を検出するための欠陥条件を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板検査装置。
  5. 前記欠陥条件は、欠陥と検出すべき画素値に関する条件、欠陥の大きさに関する条件、及び、欠陥を検出しない領域の位置に関する条件を含む、請求項４に記載の基板検査装置。
  6. 前記欠陥条件は、基板面内全体の画素値の調節量に関する条件、欠陥の大きさに関する条件、及び、基板の径方向に分割した各領域の画素値の調節量に関する条件を含む、請求項５に記載の基板検査装置。
  7. 前記検査対象の基板にはパターンが形成されており、
    前記レシピ作成部は、前記パターンに関する設計データを用いずに前記検査レシピを作成する、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板検査装置。
  8. 前記グループの設定対象の基板の撮像画像から推定される当該設定対象の基板の前記基礎状態と前記定義済のグループに属する基板の前記基礎状態とが一致するか否かは、前記定義済のグループに属する基板の前記基礎状態に対応する、撮像画像における特徴量の範囲内に、前記グループの設定対象の基板の前記基礎状態に対応する、撮像画像における特徴量が収まるか否かに基づいて判定される、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板検査装置。
  9. 前記撮像画像における特徴量は、前記撮像画像における画素値の面内傾向に関する特徴量である、請求項８に記載の基板検査装置。
  10. 前記設定対象の基板が前記定義済のグループに属さないと判定された場合、前記レシピ作成部は、複数の前記設定対象の基板の撮像画像に基づいて、前記新たなグループに対応する前記検査レシピを作成する、請求項１～９のいずれか１項に記載の基板検査装置。
  11. 前記レシピ作成部は、前記グループに対応する前記検査レシピを、当該グループに属する複数の基板の撮像画像に基づいて、所定のタイミングで再作成する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の基板検査装置。
  12. 基板を検査する基板検査方法であって、
    基板の欠陥の有無によらない基礎状態に応じたグループを定義し、定義した前記グループを検査対象の基板毎に設定する工程と、
    検査対象の基板の撮像画像と、前記検査対象の基板が属する前記グループに対応する、基準画像を含む検査レシピと、に基づいて、欠陥を検査する工程と、
    前記検査レシピを前記グループ毎に作成する工程と、
    前記グループの設定対象の基板が、定義済のグループに属するか否かの判定を行う工程と、を含み、
    前記判定を行う工程は、前記グループの設定対象の基板と前記定義済のグループに属する基板とで、当該基板に対し行われた処理が一致するか否か、及び、前記グループの設定対象の基板の撮像画像から推定される当該設定対象の基板の前記基礎状態と前記定義済のグループに属する基板の前記基礎状態とが一致するか否かに基づいて、前記判定を行い、
    前記設定対象の基板が前記定義済のグループに属すると判定された場合、前記設定する工程において、該当するグループを前記設定対象の基板に対し設定し、
    前記設定対象の基板が前記定義済のグループに属さないと判定された場合、前記設定する工程において、新たなグループを定義すると共に前記設定対象の基板に対し設定し、前記検査レシピを作成する工程において、前記設定対象の基板の撮像画像に基づいて、前記新たなグループに対応する前記検査レシピを作成する、基板検査方法。
  13. 請求項１２に記載の基板検査方法を基板検査装置によって実行させるように、当該基板検査装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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