JP2022163245A - レーザ発光素子およびレーザ発光装置 - Google Patents
レーザ発光素子およびレーザ発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022163245A JP2022163245A JP2019176461A JP2019176461A JP2022163245A JP 2022163245 A JP2022163245 A JP 2022163245A JP 2019176461 A JP2019176461 A JP 2019176461A JP 2019176461 A JP2019176461 A JP 2019176461A JP 2022163245 A JP2022163245 A JP 2022163245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- laser light
- light emitting
- protrusion
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】レーザ発光素子の反りの矯正を容易に行う。【解決手段】レーザ発光素子10は、第1の主面S1側に設けられた第1電極11と、第1の主面の裏面である第2の主面S2側に設けられた第2電極12と、第1の主面S1と第2の主面S2とを連結する端面S3に設けられた出射面14と、第1の主面S1から突出する一又は複数の突起部16と、第1の主面S1と前記第2の主面S2とを連結する端面S3に設けられた出射面14から、出射面14と交わる第1方向にレーザ光を出射するエミッタと、を備える。突起部16は、第1の主面の法線方向において、エミッタと対向している。【選択図】図1
Description
本発明は、レーザ発光素子およびレーザ発光装置に関する。
半導体レーザ装置の製造において、レーザダイオード(LD)チップは、チップの一方の面に治具を接触させ、治具を介して一方の面から加熱したはんだ層にチップを押さえつけることで、ヒートシンクにはんだ付けされ、固定され得る(例えば、特許文献1参照)。
製造後のLDチップには、内部応力による反りが生じている場合がある。しかしながら、上記工程を経ることで、LDチップの治具を介した押圧により、反りはある程度矯正され、平坦面を有するLDチップがヒートシンクに固定され得る。
治具のLDチップを押さえつける面は、通常平坦であり、チップの一方の面と面接触する。治具とチップとの接触が面接触であると、反りの位置に応じてチップとの真の接触部位がばらつき、反りの矯正を十分に行うことが難しい。結果、LDチップの発光点の位置および発光方向がばらつくなど、特性が安定しない。
特に、チップ端面に複数のエミッタおよび複数の発光点を有するLDチップでは、チップの反りにより発光点の位置が上下方向にばらつくことがある。結果、複数の発光点が一直線に整列せず、発光点の一部がチップ端面に沿った直線からずれて整列し得る。しかしながら、上記のチップ装着方法を用いては、発光点の上下方向のばらつきを矯正することが困難である。
上記に鑑み、本発明の一側面は、第1の主面およびその裏面である第2の主面を有するレーザ発光素子であって、前記第1の主面側に設けられた第1電極と、前記第2の主面側に設けられた第2電極と、前記第1の主面から突出する一または複数の突起部と、前記第1の主面と前記第2の主面とを連結する端面に設けられた出射面から、前記出射面と交わる第1方向にレーザ光を出射するエミッタと、を備え、前記突起部は、前記第1の主面の法線方向において前記エミッタと対向している、レーザ発光素子に関する。
本発明の他の側面は、上記レーザ発光素子と、レーザ発光素子が配置されるサブマウントと、前記第2の主面と前記サブマウントとの間の接着層と、を備える、レーザ発光装置に関する。
本発明によれば、レーザ発光素子の反りの矯正を容易に行うことができる。
本実施形態に係るレーザ発光素子は、第1の主面およびその裏面である第2の主面を有するレーザ発光素子であって、第1の主面側に設けられた第1電極と、第2の主面側に設けられた第2電極と、第1の主面から突出する一または複数の突起部と、第1の主面と第2の主面とを連結する端面に設けられた出射面から、出射面と交わる第1方向にレーザ光を出射するエミッタと、を備える。レーザ発光素子は、例えば、チップ形状のレーザダイオード(以下、LDチップと称する)であり、チップの端面からレーザ光を出射する端面発光型のLDチップが好ましく用いられ得る。
上記構成のレーザ発光素子によれば、第1の主面の側から治具を介してレーザ発光素子を押圧することで、レーザ発光素子を取り付けることができる。このとき、治具は、突起部を介してレーザ発光素子と接触し、接触部の面積が低減されている。これにより、突起部に安定した圧力が加わるため、チップの反りの矯正が容易となる。
レーザ発光素子は、通常、上記第1方向にレーザ光を出射するためのエミッタを有している。エミッタは、レーザ発光素子内において光共振器が構成される領域を含み、端面の出射面から光が出射される。突起部は、エミッタと対向するように設けられ、少なくとも一部が端面に設けられた出射面に近接して設けられる。これにより、エミッタの反りの矯正を効率的に行うことができる。なお、突起部がエミッタと対向するとは、突起部およびエミッタ形成領域を第1の主面上に投影したとき、突起部の少なくとも一部がエミッタ形成領域と重なることを意味する。突起部は、第1電極と一体であってもよく、別体であってもよい。
好ましくは、突起部の少なくとも一つにおいて、突起部との離間距離が最短となる出射面の第1位置から、第1位置までの距離が最短となる突起部の第2位置に向かう方向は、第2の主面から第1の主面に向かう方向を向いている。第1位置は、出射面上において、突起部との離間距離が最短となる位置を意味する。第2位置は、突起部の表面(外表面および内表面)にあって、出射面との距離が最短となる位置を意味する。突起部の少なくとも一つは、第1の主面上を第1方向に向かって端面(出射面)の側へ延在し得る。
第2の主面から第1の主面に向かう方向とは、LDチップの厚み方向に略平行な方向を意味する。ただし、第2の主面から第1の主面に向かう方向は、チップの厚み方向に平行であってもよく、厚み方向に対して若干傾いた方向を向いていてもよい。よって、第1位値から第2位置に向かう方向が第2の主面から第1の主面に向かう方向を向くとは、突起部の少なくとも一部が、第1の主面上において、厚み方向において出射面の直上の位置(すなわち、出射面を第1の主面に投影したときの投影像に含まれる位置)を含むように、あるいは当該直上の位置の近傍の領域を含むように設けられていることを意味する。
この場合、突起部は出射面の近傍の位置に設けられているため、発光点の上下方向(チップの厚み方向)における位置ずれを効率的に矯正することができる。
なお、突起部を介して、治具とレーザ発光素子との接触面積が低減される場合であっても、アモントンの法則により、治具とレーザ発光素子との間の摩擦力は制御可能である。
レーザ発光素子は、出射面を複数有していてもよい。エミッタを複数有する場合、出射面は、複数のエミッタのそれぞれと対応するように複数設けられる。また、この場合、複数の出射面のそれぞれと対応するように、複数の突起部が離間して設けられ得る。これにより、それぞれの発光点の上下方向における位置ずれが矯正されるように、複数の出射面(の中心)を端面上の共通の直線に沿って配列させることができる。複数の突起部は、例えば、対応する出射面におけるレーザ光の出射方向(第1方向)に平行に第1の主面上に延在するともに、互いに離間するように配置され得る。
なお、複数の出射面の中心が端面上の共通の直線に沿って配列しているとは、複数の出射面の中心が厳密に共通の直線上に存在する場合に限られるものではなく、複数の出射面のそれぞれの中心から共通の直線までの距離が10μm以下である場合を含む。
以下、本実施形態に係るレーザ発光素子の具体的態様について、図面を参照しながら、より詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の一実施形態に係るレーザ発光素子10、および、レーザ発光素子10を備えるレーザ発光装置100の概略を模式的に示す斜視図である。図2は、レーザ発光素子10を第1の主面S1側から見た上面図であり、突起部16のレイアウトを示している。
図1は、本発明の一実施形態に係るレーザ発光素子10、および、レーザ発光素子10を備えるレーザ発光装置100の概略を模式的に示す斜視図である。図2は、レーザ発光素子10を第1の主面S1側から見た上面図であり、突起部16のレイアウトを示している。
レーザ発光素子10は、第1の主面S1と、第1の主面S1の裏面である第2の主面S2と、第1の主面S1と第2の主面S2とを連結する端面S3と、を有する。レーザ発光素子10は、第1の主面S1側に設けられた第1電極11と、第2の主面S2側に設けられた第2電極12と、端面S3に設けられた出射面14と、第1の主面S1から突出する突起部16と、を備えてなる。なお、以下において、第1の主面S1および第2の主面S2に垂直な方向であって、第1の主面S1から第2の主面S2に向かう方向を下方向と称し、第2の主面S2から第1の主面S1に向かう方向を上方向と称する場合がある。
レーザ発光素子10は、例えば、端面発光型(EEL:Edge Emitting Laser)のレーザダイオード(LD)であり、チップ形状をしたLDチップである。チップの上面(第1の主面S1)側および下面(第2の主面S2)側には、第1電極11および第2電極12が、それぞれ設けられている。図示例の場合、第1の主面S1および第2の主面S2は、それぞれ、第1電極11および第2電極12の表面である。両電極を介してレーザダイオードに電流を供給することで、端面S3に設けられた出射面14からレーザ光が、端面S3と交わる方向に出射される。
第1電極11と第2電極12との間に、半導体層13が挟持されている。半導体層13は、図示しないが、例えば、pn接合が形成された発光層と、発光層を挟持するP型クラッド層およびN型クラッド層との積層体を含む。発光層で生成された光がクラッド層との境界で反射するように、クラッド層は発光層よりも低屈折率に形成されている。これにより、発光層で生成された光は発光層内に閉じ込められ、増幅される。クラッド層に挟まれた積層体内の領域は、光共振器を形成する。
レーザ発光素子10は、例えば、第1の主面S1に平行に形成された長尺のバー形状の光共振器(不図示)を備える。光共振器の長手方向の一方の端面(端面S3と反対側の端面に相当)は光が殆ど反射するように高反射率の膜で覆われている。一方、光共振器の長手方向の他方の端面(端面S3に相当)にも高反射率の膜で覆われているが、反射率は一方の端面に設けられた反射膜よりも小さい。よって、両端面からの反射により増幅され位相の揃ったレーザ光が、他方の端面S3の出射面14から出射される。
光共振器の形成方法としては、クラッド層に凹凸を形成し、凸部のリッジ部分に光共振器を形成するリッジ方法と、クラッド層内に電流狭窄層を設け、電流が供給される発光層の領域を制限する電流狭窄方法とが挙げられる。
具体的には、例えば、第1電極11と第2電極12との何れか一方と半導体層13のP型クラッド層との間には、P型のコンタクト層が介在し、第1電極11と第2電極12との何れか他方と半導体層13のN型クラッド層との間には、N型のコンタクト層(基板層であってもよい)が介在している。電流狭窄方法を用いる場合、例えば、P型のコンタクト層内の一部領域にキャリアブロック層(不図示)が設けられ、半導体層13へのキャリアの供給が制限される。これにより、キャリアブロック層の上方または下方に位置する半導体層13の発光層にはキャリアが供給され難く、発光が誘起され難い。キャリアブロック層は、例えば、絶縁性の材料であってもよく、P型のコンタクト層内に設ける場合には、N型の半導体層であってもよい。キャリアブロック層は、例えば、レーザ光の出射方向(第1方向)に平行なストライプ形状に形成され得る。このとき、レーザ発光素子10を上下方向から見たとき、隣接するキャリアブロック層に挟まれた領域に存在する発光層の一部が、光共振器(エミッタ)を構成し得る。リッジ方法を用いる場合、クラッド層のリッジ部分の上方または下方に位置する発光層の一部が、光共振器(エミッタ)を構成する。
具体的には、例えば、第1電極11と第2電極12との何れか一方と半導体層13のP型クラッド層との間には、P型のコンタクト層が介在し、第1電極11と第2電極12との何れか他方と半導体層13のN型クラッド層との間には、N型のコンタクト層(基板層であってもよい)が介在している。電流狭窄方法を用いる場合、例えば、P型のコンタクト層内の一部領域にキャリアブロック層(不図示)が設けられ、半導体層13へのキャリアの供給が制限される。これにより、キャリアブロック層の上方または下方に位置する半導体層13の発光層にはキャリアが供給され難く、発光が誘起され難い。キャリアブロック層は、例えば、絶縁性の材料であってもよく、P型のコンタクト層内に設ける場合には、N型の半導体層であってもよい。キャリアブロック層は、例えば、レーザ光の出射方向(第1方向)に平行なストライプ形状に形成され得る。このとき、レーザ発光素子10を上下方向から見たとき、隣接するキャリアブロック層に挟まれた領域に存在する発光層の一部が、光共振器(エミッタ)を構成し得る。リッジ方法を用いる場合、クラッド層のリッジ部分の上方または下方に位置する発光層の一部が、光共振器(エミッタ)を構成する。
レーザ発光素子10内に光共振器が複数設けられる場合、レーザ光は、それぞれの光共振器に対応する複数の出射面14から出射され得る。複数の出射面14は、端面S3上を一次元的に整列し得る。ただし、製造時に生じるチップの反り等の影響により、複数の出射面14の上下方向の位置がばらつき、複数の出射面14の中心が略同一の直線上にあるとは言い切れない場合がある。しかしながら、本実施形態のレーザ発光素子10では、突起部16を介した押圧によってチップの反りを矯正し、複数の出射面14を共通の直線に沿って配列させることが容易に可能である。
なお、図1では、レーザ発光素子10内に3つの出射面14が示されているが、本発明はエミッタの数に限定されるものではない。
なお、図1では、レーザ発光素子10内に3つの出射面14が示されているが、本発明はエミッタの数に限定されるものではない。
以下において、出射面14から出射されるレーザ光の出射方向(第1方向)と反平行な方向(すなわち、バー形状の光共振器の長手方向)をX方向とする。第1の主面S1からみて端面S3が延びる方向をY方向とする。X方向およびY方向は、図2に示されている。
第1電極11の一部を覆うように、第1の主面S1から突出する突起部16が形成されている。突起部16は、第1の主面S1上を第1方向に向かって端面S3の側へ延在し、端面S3における出射面14の直上に相当する第1の主面S1上の位置Q(すなわち、出射面14との距離が最短となる突起部16の位置)まで、第1方向に延在している。出射面14上において突起部16との離間距離が最短となる位置Pから、突起部16において位置Pまでの距離が最短となる位置Qに向かう方向は、第2の主面S2から第1の主面S1に向かっており、LDチップの厚み方向に平行である。突起部16は、バー形状に形成された光共振器の上を、光共振器の長手方向に沿って第1の主面S1上に延在し得る。すなわち、突起部16は、エミッタの上方に形成され得る。
図1および図2に示す例では、突起部16は、第1の主面S1と端面S3とを連結する辺のうち出射面14の直上の位置Qから、第1方向と反平行な方向(X方向)に延在している。しかしながら、突起部16は、端面S3から離間した第1の主面S1内の位置R(図示せず)を起点として第1方向と反平行な方向に延在していてもよい。その場合、出射面14上の位置Pにおいて突起部16との離間距離が最短となることは変わらず、位置Rにおいて、位置Pまでの距離が最短となる。位置Pから位置Rに向かう方向は、LDチップの厚み方向から傾斜した方向を向く。
突起部16と端面S3との離間距離(位置Rの端面S3までの距離)は、50μm以下であってもよい。突起部16と端面S3との離間距離が50μm以下の場合、位置Pから位置Rに向かう方向は、LDチップの厚み方向から若干傾いた方向を向くものの、第2の主面S2から第1の主面S1に向かう方向であるといえる。この場合には、突起部16は、第1の主面S1上において、出射面14の直上の位置の近傍に設けられているとみなせる。
突起部16と端面S3との離間距離(位置Rの端面S3までの距離)は、50μm以下であってもよい。突起部16と端面S3との離間距離が50μm以下の場合、位置Pから位置Rに向かう方向は、LDチップの厚み方向から若干傾いた方向を向くものの、第2の主面S2から第1の主面S1に向かう方向であるといえる。この場合には、突起部16は、第1の主面S1上において、出射面14の直上の位置の近傍に設けられているとみなせる。
突起部16のY方向における幅L1は、例えば、20μm~100μmであればよい。突起部16のX方向における延在長さL2は、例えば、20μm以上もしくは1mm以上であってもよい。チップのX方向の長さ(共振器長)が1mm以上の高出力のレーザ発光素子において、チップの反りの問題が顕著である。しかしながら、レーザ発光素子10は、延在長さL2が1mm以上の場合においても、突起部16によりチップの反りの矯正が容易に可能である。
図2の例では、突起部16のY方向における幅L1は、出射面14のY方向における幅L3よりも長い。しかしながら、治具との接触面積を低減する観点から、幅L1は、幅L3と同じ長さか、幅L3よりも短くてもよい。端面S3側(第1方向:X方向に反平行な方向)から突起部16を見たとき、突起部16の少なくとも一部が、出射面14の少なくとも一部とY方向において重なりを有していればよい。突起部16のY方向における幅L1は、出射面14のY方向における幅L3の1/4倍~2倍であってもよい。出射面14のY方向における幅L3は、例えば、10μm~200μmもしくは80μm~150μmであってもよい。
レーザ発光素子が出射面14を複数有する場合、突起部16は、複数の出射面14のそれぞれと対応するように複数設けてもよい。この場合、図2に示すように、複数の突起部16のそれぞれは、第1の主面S1上をX方向に延在しているともに、互いに離間して形成されていてもよい。
突起部16の第1の主面S1からの突出高さは、例えば、1μm~2μmであってもよい。
突起部16は、第1電極11上に形成され得る。突起部16は、X方向において第1電極11と重なるように形成され得る。突起部16の材質については、限定されるものではないが、導電性を有する材料が好ましい。導電性を有する材料として、突起部16は、金属材料を含んでいてもよい。金属材料は、例えば、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、チタン(Ti)、錫(Sn)、パラジウム(Pd)などが挙げられる。突起部16は、例えば、メタルマスクを用いた蒸着法により第1の主面S1上に形成することができる。
レーザ発光素子10は、例えば、第2の主面S2とサブマウント30との間に介在する接着層20によって、サブマウント30に固定され、レーザ発光装置100が構成され得る。サブマウントは、例えば、チタン-タングステン合金(TiW)、銅-タングステン合金(CuW)あるいは銅-モリブデン合金(CuMo)であり、例えば銅板の上に配置され得る。接着層20は、例えば、はんだ層であり、より具体的には、例えば金(Au)と錫(Sn)を含むはんだ層であり得る。
レーザ発光素子10のサブマウント30への固定は、例えば、接着層20を介してサブマウント30の上に配置したレーザ発光素子10を、突起部16を介して押圧することにより行われ得る。この場合、突起部16を設けない従来の場合と比べて治具との接触面積が低減されるため、突起部に安定した圧力が加わり、チップの反りの矯正が容易となる。また、突起部が出射面14の近傍の位置に設けられていることで、反りに伴う発光点の上下方向(チップの厚み方向)における位置ずれを効率的に矯正することができる。
図3は、レーザ発光素子における突起部16のレイアウトの別の例を示す図である。図3では、図2の例と異なり、突起部16は、第1の主面S1上内の第1領域A1と、出射面14から出射されるレーザ光の出射方向(第1方向:X方向に反平行な方向)において第1領域A1と対向する第1の主面S1内の第2領域A2と、に離間して形成されている。これらのうち、第1領域A1に形成された突起部16が、端面S3の出射面14が設けられた位置の直上に相当する第1の主面S1上の位置(すなわち、出射面14との離間距離が最短となる位置)に向かって、第1方向に延在している。
レーザ発光素子の他の構成については、上述したレーザ発光素子10と同様である。
図3において、第1領域A1のみに突起部16を設けてもよい。これは、図2のレイアウトにおいて、突起部16のX方向における延在長さL2を、Y方向における幅L1と同程度にまで短くした場合に相当する。
図3において、第1領域A1のみに突起部16を設けてもよい。これは、図2のレイアウトにおいて、突起部16のX方向における延在長さL2を、Y方向における幅L1と同程度にまで短くした場合に相当する。
この場合、治具と突起部16との接触面積を図2よりも小さくしながら、突起部を介して安定にレーザ発光素子10を押圧でき、チップの反りの矯正が一層容易となる。
一方、第1の主面S1上において、第1領域A1および第2領域A2を除く領域には、第1電極11が露出している。よって、第1領域A1および第2領域A2を除く領域を介して、外部電源との電気的接続を行ってもよい。
レーザ発光素子10の外部電源との電気的接続は、通常、突起部16および/または第1電極11上にバンプ電極を配し、バンプ電極を金属板(例えば銅板)と接続することで行われ得る。第1の主面S1を占める突起部16の面積が小さく、第1電極11上のバンプ電極のみで十分な電気的接続を確保できる場合には、突起部16上にバンプ電極を配さなくてもよい。この場合、突起部16は、絶縁膜であっても構わない。
上述した実施形態は本発明の一例に過ぎず、各部の具体的な構成は上述した具体例に限定されるものではなく、本発明の作用効果が奏される範囲で適宜変更設計可能であることはいうまでもない。
本発明のレーザ発光素子は、複数エミッタからのレーザ光を一本のビームに集光することで高出力が容易に得られることから、レーザ加工に用いることができる。
10:レーザ発光素子
11:第1電極
12:第2電極
13:半導体層
14:出射面
16:突起部
20:接着層
30:サブマウント
100:レーザ発光装置
S1:第1の主面
S2:第2の主面
S3:端面
11:第1電極
12:第2電極
13:半導体層
14:出射面
16:突起部
20:接着層
30:サブマウント
100:レーザ発光装置
S1:第1の主面
S2:第2の主面
S3:端面
Claims (8)
- 第1の主面およびその裏面である第2の主面を有するレーザ発光素子であって、
前記第1の主面側に設けられた第1電極と、
前記第2の主面側に設けられた第2電極と、
前記第1の主面から突出する一または複数の突起部と、
前記第1の主面と前記第2の主面とを連結する端面に設けられた出射面から、前記出射面と交わる第1方向にレーザ光を出射するエミッタと、を備え、
前記突起部は、前記第1の主面の法線方向において前記エミッタと対向している、レーザ発光素子。 - 前記突起部の少なくとも一つにおいて、前記突起部との離間距離が最短となる前記出射面の第1位置から、前記第1位置までの距離が最短となる前記突起部の第2位置に向かう方向は、前記第2の主面から前記第1の主面に向かう方向を向いている、請求項1に記載のレーザ発光素子。
- 前記突起部の少なくとも一つは、前記第1の主面上を前記第1方向に向かって前記端面の側へ延在している、請求項1または2に記載のレーザ発光素子。
- 前記出射面を複数有し、
複数の前記出射面の中心が、前記端面上の共通の直線に沿って配列している、請求項1~3のいずれか1項に記載のレーザ発光素子。 - 前記突起部を、前記複数の出射面のそれぞれと対応するように複数有し、
複数の前記突起部は、対応する前記出射面から出射するレーザ光の前記第1方向に平行に前記第1の主面上に延在しているともに、互いに離間している、請求項4に記載のレーザ発光素子。 - 前記突起部は、前記第1の主面内の第1領域と、前記第1方向において前記第1領域と対向する前記第1の主面内の第2領域と、に離間して形成されている、請求項1~5のいずれか1項に記載のレーザ発光素子。
- 前記突起部は導電性を有し、前記第1方向において前記第1電極と重なるように形成されている、請求項1~6のいずれか1項に記載のレーザ発光素子。
- 請求項1~7のいずれか1項に記載のレーザ発光素子と、
前記レーザ発光素子が配置されるサブマウントと、
前記第2の主面と前記サブマウントとの間の接着層と、を備える、レーザ発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019176461A JP2022163245A (ja) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | レーザ発光素子およびレーザ発光装置 |
PCT/JP2020/029864 WO2021059752A1 (ja) | 2019-09-27 | 2020-08-04 | レーザ発光素子およびレーザ発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019176461A JP2022163245A (ja) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | レーザ発光素子およびレーザ発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022163245A true JP2022163245A (ja) | 2022-10-26 |
Family
ID=75166588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019176461A Pending JP2022163245A (ja) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | レーザ発光素子およびレーザ発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022163245A (ja) |
WO (1) | WO2021059752A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086883A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
DE102015002176A1 (de) * | 2015-02-24 | 2016-08-25 | Jenoptik Laser Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Diodenlasers und Diodenlaser |
JP6390920B2 (ja) * | 2016-02-04 | 2018-09-19 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ光源装置 |
WO2017141347A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ光源 |
-
2019
- 2019-09-27 JP JP2019176461A patent/JP2022163245A/ja active Pending
-
2020
- 2020-08-04 WO PCT/JP2020/029864 patent/WO2021059752A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021059752A1 (ja) | 2021-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10930820B2 (en) | Light emitting device | |
JP6620231B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2017204577A (ja) | 面発光レーザ装置 | |
KR100568275B1 (ko) | Pcb타입 리드프레임을 갖는 반도체 레이저 다이오드장치 | |
JP2017147301A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US11575242B2 (en) | Light emission device | |
KR101517277B1 (ko) | 멀티빔 반도체 레이저 장치 | |
JP2021163922A (ja) | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 | |
US20240014627A1 (en) | Light-emitting device | |
JP2020013820A (ja) | 光半導体素子 | |
WO2021059752A1 (ja) | レーザ発光素子およびレーザ発光装置 | |
JP5410195B2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
JP2007013002A (ja) | 半導体レーザー装置 | |
JP5779214B2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
JPH0878778A (ja) | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 | |
US12000567B2 (en) | Light source device including first substrate supporting first and second laser diodes and second substrate supporting third laser diode | |
US20220238775A1 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device | |
JP2019004064A (ja) | マルチビーム型半導体レーザ素子およびマルチビーム型半導体レーザ装置 | |
JP6334772B2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
JP2024093355A (ja) | 発光装置に用いられる基部の製造方法、発光装置の製造方法、および発光装置 | |
JP7485899B2 (ja) | 光源装置 | |
JP2023015566A (ja) | 光源装置 | |
JP2024058850A (ja) | 発光装置 | |
CN117813735A (zh) | 半导体激光器装置、带焊料副装配件、带焊料集合副装配件及半导体激光器装置的检查方法 | |
JP2017195308A (ja) | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |