JP5779214B2 - マルチビーム半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態は、凸状のリッジ部を有する4ビーム半導体レーザ装置に適用したものであり、図1は、この4ビーム半導体レーザ装置の全体構成を示す要部破断斜視図である。
ここで、Pmは、各ビーム位置に対応する光量加重面積であり、下記の数1で定義される。
ただし、MAX(Pm)=全ビームの中で最大のPm、MIN(Pm)=全ビームの中で最小のPmである。
図13は、本実施の形態の4ビーム半導体レーザ装置におけるサブマウントのチップ実装面を示す概略平面図である。
図15は、本実施の形態の8ビーム半導体レーザ装置におけるサブマウントのチップ実装面を示す概略平面図である。
ただし、h(μm)=サブマウントの上面(チップ実装面)からレーザチップの発光点までの高さ、θFWHM−V(deg)=レーザチップの垂直方向のビーム拡がりの半値全幅である。
Claims (7)
- 複数個のレーザダイオード素子が形成された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップが実装されたサブマウントと、
前記第1半導体チップの第1端面側に配置され、前記第1端面から出射された複数のレーザビームを受光して電流に変換するフォトダイオード素子が形成された第2半導体チップとを備えたマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記複数個のレーザダイオード素子は、4個以上であり、
前記サブマウントは、前記第1半導体チップが実装された面に形成され、前記複数個のレーザダイオード素子のそれぞれと電気的に接続された複数個の電極パターンと、補助電極パターンとを有し、
前記複数個の電極パターンはそれぞれ、前記第1半導体チップの前記第1端面から出射された前記複数のレーザビームの光路に沿った第1電極領域と、前記第1電極領域から屈曲し前記第1半導体チップの周辺部方向へ延びた第2電極領域と、前記第2電極領域と接続されたボンディングパッド部とを含み、
前記複数の第1電極領域の長さは、前記第1半導体チップの中央部より周辺部のほうが短く、
前記補助電極パターンは、前記複数個の電極パターンと同一の光反射率であり、かつ、前記複数個の電極パターンの第1電極領域の長さが異なることに基づく前記サブマウント上における前記複数のレーザビームの各々の反射量の相違を均一とするように、前記周辺部の第2電極領域と前記中央部の第2電極領域との間であって、前記周辺部の前記第1電極領域を延伸した領域に配置され、
前記補助電極パターンは、前記第1半導体チップと、前記第2半導体チップとの間に配置される、
ことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 複数個のレーザダイオード素子が形成された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップが実装されたサブマウントと、
前記第1半導体チップの第1端面側に配置され、前記第1端面から出射された複数のレーザビームを受光して電流に変換するフォトダイオード素子が形成された第2半導体チップとを備えたマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記複数個のレーザダイオード素子は、4個以上であり、
前記サブマウントは、前記第1半導体チップが実装された面に形成され、前記複数個のレーザダイオード素子のそれぞれと電気的に接続された複数個の電極パターンと、補助電極パターンとを有し、
前記複数個の電極パターンはそれぞれ、前記第1半導体チップの前記第1端面から出射された前記複数のレーザビームの光路に沿った第1電極領域と、前記第1電極領域から屈曲し前記第1半導体チップの周辺部方向へ延びた第2電極領域と、前記第2電極領域と接続されたボンディングパッド部とを含み、
前記複数の第1電極領域の長さは、前記第1半導体チップの中央部より周辺部のほうが短く、
前記補助電極パターンは、前記複数個の電極パターンと同一の光反射率であり、かつ、前記複数個の電極パターンの第1電極領域の長さが異なることに基づく前記サブマウント上における前記複数のレーザビームの反射量の相違を均一とするように、前記複数個の電極パターンに対して前記第1半導体チップと反対側に配置され、前記第1半導体チップの中央部から周辺部に向かうに従って前記光路に沿った方向に、距離が長く、
前記補助電極パターンは、前記第1半導体チップと、前記第2半導体チップとの間に配置される、
ことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 複数個のレーザダイオード素子が形成された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップが実装されたサブマウントと、
前記第1半導体チップの第1端面側に配置され、前記第1端面から出射された複数のレーザビームを受光して電流に変換するフォトダイオード素子が形成された第2半導体チップとを備えたマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記複数個のレーザダイオード素子は、4個以上であり、
前記サブマウントは、前記第1半導体チップが実装された面に形成され、前記複数個のレーザダイオード素子のそれぞれと電気的に接続された複数個の電極パターンと、補助電極パターンとを有し、
前記複数個の電極パターンはそれぞれ、前記第1半導体チップの前記第1端面から出射された前記複数のレーザビームの光路に沿った第1電極領域と、前記第1電極領域から屈曲し前記第1半導体チップの周辺部方向へ延びた第2電極領域と、前記第2電極領域と接続されたボンディングパッド部とを含み、
前記複数の第1電極領域の長さは、前記第1半導体チップの中央部より周辺部のほうが短く、
前記補助電極パターンは、前記複数個の電極パターンと同一の光反射率であり、かつ、前記複数個の電極パターンの第1電極領域の長さが異なることに基づく前記サブマウント上における前記複数のレーザビームの各々の反射量の相違を均一とするように、前記周辺部の第2電極領域の隣であって、前記周辺部の第1電極領域と一体となって配置され、
前記補助電極パターンは、前記第1半導体チップと、前記第2半導体チップとの間に配置され、
前記第1電極領域の幅は、前記第1半導体チップの中央部より周辺部のほうが大きい、
ことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 請求項1または2に記載のマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記補助電極パターンは、前記電極パターンと電気的に分離されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載のマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記補助電極パターンは、前記周辺部の電極パターンと一体に構成されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 複数個のレーザダイオード素子が形成された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップが実装されたサブマウントと、
前記第1半導体チップの第1端面側に配置され、前記第1端面から出射された複数のレーザビームを受光して電流に変換するフォトダイオード素子が形成された第2半導体チップとを備えたマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記複数個のレーザダイオード素子は、4個以上であり、
前記サブマウントは、前記第1半導体チップが実装された面に形成され、前記複数個のレーザダイオード素子のそれぞれと電気的に接続された複数個の電極パターンを有し、
前記複数個の電極パターンはそれぞれ、前記第1半導体チップの前記第1端面から出射された前記複数のレーザビームの光路に沿った第1電極領域と、前記第1電極領域から屈曲し前記第1半導体チップの周辺部方向へ延びた第2電極領域と、前記第2電極領域と接続されたボンディングパッド部とを含み、
前記複数の第1電極領域の長さは、前記第1半導体チップの中央部より周辺部のほうが短く、
前記複数個の電極パターンの第1電極領域の長さが異なることに基づく前記サブマウント上における前記複数のレーザビームの各々の反射量の相違を均一とするように、前記中央部の第1電極領域の一部には、前記第1半導体チップの前記第1端面から出射された前記複数のレーザビームの反射率を低減する反射率低減膜が形成され、
前記反射率低減膜は、前記第1半導体チップと、前記第2半導体チップとの間に配置される、
ことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記第1半導体チップは、ジャンクションダウン方式によって前記サブマウントの前記チップ実装面に実装されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。
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