JP2022131171A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Shuichi Shibata
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Abstract

To provide a technique capable of reducing variations in processing speed caused by the film thickness of a processing liquid on the main surface of a substrate.SOLUTION: A substrate processing method includes a holding step, a liquid supply step, a film thickness measurement step, and a plasma step. In the holding step, a substrate holding unit holds a substrate. In the liquid supply step, a processing liquid is supplied from a nozzle to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. In the film thickness measurement step, a sensor measures the film thickness of the processing liquid on the main surface of the substrate. In the plasma step, at least one of a distance between a plasma source and the substrate, an output voltage applied to the plasma source, and a flow rate of processing gas supplied between the plasma source and the substrate is changed on the basis of the measured film thickness, which is the film thickness measured by the sensor to supply active species to the liquid film by the plasma generated by the plasma source.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本願は、基板処理方法および基板処理装置に関する。 The present application relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

従来から、基板の主面に形成されたレジストを除去する基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板の主面に硫酸および過酸化水素水の混合液を供給する。硫酸および過酸化水素水が混合されることで、これらが反応してカロ酸が生成される。このカロ酸は効率的に基板のレジストを除去することができる。 2. Description of the Related Art Conventionally, there has been proposed a substrate processing apparatus that removes a resist formed on a main surface of a substrate (for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200012). In Patent Document 1, a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide is supplied to the main surface of the substrate. When sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed, they react to produce caro's acid. This Caro's acid can efficiently remove the resist on the substrate.

しかしながら、この処理では硫酸および過酸化水素水を供給し続ける必要があり、硫酸および過酸化水素水の消費量が大きい。環境負荷の低減のためには、硫酸の使用量の削減が求められており、薬液消費量の削減が要求されている。この薬液消費量を低減するために、従来から硫酸を回収して再利用している。しかしながら、硫酸および過酸化水素水を混合することにより、硫酸の濃度が低下するので、高い濃度で硫酸を回収することは難しい。 However, in this treatment, it is necessary to continuously supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, and the consumption of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is large. In order to reduce the burden on the environment, it is required to reduce the amount of sulfuric acid used, and thus to reduce the consumption of chemicals. In order to reduce the consumption of this chemical solution, sulfuric acid has been conventionally recovered and reused. However, mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water reduces the concentration of sulfuric acid, making it difficult to recover sulfuric acid at a high concentration.

特開２０２０－８８２０８号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2020-88208

そこで、大気圧プラズマによって酸素ラジカル等の活性種を発生させ、当該活性種を硫酸に作用させることにより、酸化力の高いカロ酸を生成することが考えられる。これによれば、カロ酸の生成に過酸化水素水を供給する必要がないので、より高い濃度で硫酸を回収することができる。なお、硫酸および過酸化水素水を供給する場合であっても、プラズマを用いることで、カロ酸を生成させるための過酸化水素水の必要量を低減させることができるので、プラズマを用いない場合に比べて、より高い濃度で硫酸を回収することができる。 Therefore, it is conceivable to generate active species such as oxygen radicals by atmospheric pressure plasma and allow the active species to act on sulfuric acid to generate caro's acid with high oxidizing power. According to this, since it is not necessary to supply hydrogen peroxide water for producing Caro's acid, sulfuric acid can be recovered at a higher concentration. Even when sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are supplied, the amount of hydrogen peroxide solution required for generating Caro's acid can be reduced by using plasma. Sulfuric acid can be recovered at a higher concentration compared to

より具体的な基板処理装置の構成として、基板を保持しつつ基板を回転させる基板保持部と、回転中の基板の主面に処理液を供給するノズルと、基板の主面上の処理液に活性種を供給するプラズマ源とを設けることが考えられる。これにより、活性種が基板の主面上で処理液に作用して、処理能力の高い成分（例えばカロ酸）を生成させることができる。 As a more specific configuration of the substrate processing apparatus, a substrate holding unit that holds and rotates the substrate, a nozzle that supplies the processing liquid to the main surface of the rotating substrate, and a processing liquid on the main surface of the substrate. It is conceivable to provide a plasma source that supplies the activated species. As a result, the active species can act on the processing liquid on the main surface of the substrate to generate a component with high processing capability (for example, Caro's acid).

ところで、基板の主面上に形成される処理液の膜厚は、例えば複数の基板間において、ばらつき得る。基板の主面上の処理液が薄い場合には、活性種は基板の主面の近傍に到達しやすいため、カロ酸等の成分は基板の主面に到達しやすい。よって、基板に対して高い処理速度で処理を行うことができる。一方で、基板の主面上の処理液が厚い場合、活性種が基板の主面の近傍に到達しにくいため、カロ酸等の成分が基板の主面に到達しにくい。よって、比較的に低い処理速度で処理が行われる。 By the way, the film thickness of the processing liquid formed on the main surface of the substrate may vary, for example, among a plurality of substrates. When the treatment liquid on the main surface of the substrate is thin, active species tend to reach the vicinity of the main surface of the substrate, so components such as Caro's acid easily reach the main surface of the substrate. Therefore, the substrate can be processed at a high processing speed. On the other hand, when the treatment liquid on the main surface of the substrate is thick, the active species are less likely to reach the vicinity of the main surface of the substrate, so components such as Caro's acid are less likely to reach the main surface of the substrate. Therefore, processing is performed at a relatively low processing speed.

以上のように、基板の主面上の処理液の膜厚の相違に起因して、処理速度のばらつきが生じるという問題がある。 As described above, there is a problem that the processing speed varies due to the difference in film thickness of the processing liquid on the main surface of the substrate.

そこで、本願は、基板の主面上の処理液の膜厚に起因した処理速度のばらつきを低減できる技術を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present application is to provide a technique capable of reducing variations in processing speed caused by the film thickness of the processing liquid on the main surface of the substrate.

基板処理方法の第１の態様は、基板保持部が基板を保持する保持工程と、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面にノズルから処理液を供給する液供給工程と、センサが前記基板の前記主面上の前記処理液の膜厚を測定する膜厚測定工程と、前記センサによって測定された前記膜厚である測定膜厚に基づいて、プラズマ源と前記基板との間の距離、前記プラズマ源に印加される出力電圧、および、前記プラズマ源と前記基板との間に供給される処理ガスの流量の少なくともいずれか一つを変化させ、前記プラズマ源が発生させたプラズマによる活性種を前記基板の前記主面上の前記処理液に供給するプラズマ工程とを備える。 A first aspect of a substrate processing method includes a holding step of holding a substrate by a substrate holding portion, a liquid supplying step of supplying a processing liquid from a nozzle to the main surface of the substrate held by the substrate holding portion, and a sensor. a film thickness measuring step of measuring the film thickness of the treatment liquid on the main surface of the substrate; by changing at least one of a distance, an output voltage applied to the plasma source, and a flow rate of a processing gas supplied between the plasma source and the substrate, by plasma generated by the plasma source and a plasma step of supplying active species to the processing liquid on the main surface of the substrate.

基板処理方法の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記プラズマ工程において、前記測定膜厚が第１値であるときの前記プラズマ源と前記基板との間の距離が、前記測定膜厚が前記第１値よりも小さい第２値であるときの前記距離よりも短くなるように、前記プラズマ源の位置を変化させる。 A second aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to the first aspect, wherein in the plasma step, the thickness between the plasma source and the substrate when the measured film thickness is a first value is The position of the plasma source is changed such that the distance is shorter than the distance when the measured film thickness is a second value smaller than the first value.

基板処理方法の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記プラズマ工程において、前記測定膜厚が第１値であるときの前記プラズマ源のプラズマ出力が、前記測定膜厚が前記第１値よりも小さい第２値であるときの前記プラズマ出力よりも大きくなるように、電源から前記プラズマ源への出力電圧を変化させる。 A third aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to the first or second aspect, wherein in the plasma step, the plasma output of the plasma source when the measured film thickness is a first value is and varying the output voltage from a power supply to the plasma source so as to be greater than the plasma output when the measured film thickness is a second value less than the first value.

基板処理方法の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記プラズマ工程において、処理ガスを前記プラズマ源と前記基板との間に供給し、前記測定膜厚が第１値であるときの前記処理ガスの前記流量が、前記測定膜厚が前記第１値よりも小さい第２値であるときの前記処理ガスの前記流量よりも大きくなるように、前記処理ガスの流量を変化させる。 A fourth aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, wherein in the plasma step, a processing gas is supplied between the plasma source and the substrate. and the flow rate of the processing gas when the measured film thickness is a first value is greater than the flow rate of the processing gas when the measured film thickness is a second value smaller than the first value. to change the flow rate of the process gas.

基板処理装置の態様は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に処理液を吐出するノズルと、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面と向かい合う位置に設けられ、プラズマを発生させるプラズマ源と、前記基板の前記主面上の前記処理液の膜厚を測定するセンサと、前記センサによって測定された前記膜厚である測定膜厚に基づいて、前記プラズマ源と前記基板との間の距離、前記プラズマ源に印加される出力電圧、および、前記プラズマ源と前記基板との間に供給される処理ガスの流量の少なくともいずれか一つを制御する制御部とを備える。 A mode of the substrate processing apparatus includes a substrate holding part for holding a substrate, a nozzle for discharging a processing liquid onto a main surface of the substrate held by the substrate holding part, and a nozzle for discharging the substrate held by the substrate holding part. A plasma source that is provided at a position facing the main surface and generates plasma, a sensor that measures the film thickness of the processing liquid on the main surface of the substrate, and a measurement film that is the film thickness measured by the sensor. Based on the thickness, the distance between the plasma source and the substrate, the output voltage applied to the plasma source, and/or the flow rate of process gas supplied between the plasma source and the substrate. and a controller for controlling one.

基板処理方法の第１から第４の態様および基板処理装置の態様によれば、液膜の膜厚の相違に起因した処理速度のばらつきを低減させることができる。また、基板処理方法の第２の態様によれば、高い応答性かつ高い精度で距離を制御できるので、処理速度のばらつきをより低減させることができる。 According to the first to fourth aspects of the substrate processing method and the aspects of the substrate processing apparatus, it is possible to reduce variations in processing speed due to differences in the film thickness of the liquid film. Further, according to the second aspect of the substrate processing method, the distance can be controlled with high responsiveness and high accuracy, so that variations in processing speed can be further reduced.

基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a substrate processing system; FIG. 制御部の内部構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。3 is a functional block diagram schematically showing an example of the internal configuration of a control unit; FIG. 第１および第２の実施の形態にかかる処理ユニット（基板処理装置）の構成の一例を概略的に示す図である。1 is a diagram schematically showing an example of a configuration of a processing unit (substrate processing apparatus) according to first and second embodiments; FIG. プラズマ源の構成の一例を概略的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a plasma source; FIG. 第１の実施の形態にかかる処理ユニットの動作の一例を示すフローチャートである。4 is a flow chart showing an example of the operation of the processing unit according to the first embodiment; 液供給工程における処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of the appearance of the processing unit in a liquid supply process. 膜厚測定工程における処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of the appearance of the processing unit in a film-thickness-measurement process. プラズマ工程における処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of the appearance of the processing unit in a plasma process. プラズマ工程における処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of the appearance of the processing unit in a plasma process. 第２の実施の形態にかかる処理ユニットの動作の一例を示すフローチャートである。9 is a flow chart showing an example of the operation of a processing unit according to the second embodiment; 第３の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。FIG. 11 is a diagram schematically showing an example of a configuration of a processing unit according to a third embodiment; FIG. 第３の実施の形態にかかる処理ユニットの動作の一例を示すフローチャートである。FIG. 11 is a flow chart showing an example of the operation of a processing unit according to the third embodiment; FIG.

以下、添付の図面を参照しながら、実施の形態について説明する。なお、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。 Embodiments will be described below with reference to the accompanying drawings. Note that the components described in this embodiment are merely examples, and the scope of the present disclosure is not intended to be limited to them. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions or number of each part may be exaggerated or simplified as necessary.

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。 Expressions indicating relative or absolute positional relationships (e.g., "in one direction", "along one direction", "parallel", "perpendicular", "center", "concentric", "coaxial", etc.) are used unless otherwise specified. Not only the positional relationship is strictly expressed, but also the relatively displaced state in terms of angle or distance within the range of tolerance or equivalent function. Expressions indicating equality (e.g., "same", "equal", "homogeneous", etc.), unless otherwise specified, not only express quantitatively strictly equality, but also tolerances or equivalent functions can be obtained It shall also represent the state in which there is a difference. Expressions indicating shapes (e.g., "square shape" or "cylindrical shape"), unless otherwise specified, not only represent the shape strictly geometrically, but also to the extent that the same effect can be obtained, such as Shapes having unevenness or chamfering are also represented. The terms "comprise", "comprise", "comprise", "include" or "have" an element are not exclusive expressions that exclude the presence of other elements. The phrase "at least one of A, B and C" includes only A, only B, only C, any two of A, B and C, and all of A, B and C.

＜第１の実施の形態＞
＜基板処理システム１００の全体構成＞
図１は、プラズマ発生装置が適用される基板処理システム１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理システム１００は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。 <First Embodiment>
<Overall Configuration of Substrate Processing System 100>
FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a substrate processing system 100 to which a plasma generator is applied. The substrate processing system 100 is a single wafer processing apparatus that processes substrates W to be processed one by one.

基板Ｗは例えば半導体基板であり、円板形状を有する。なお、基板Ｗには、半導体基板の他、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板および光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。また基板の形状も円板形状に限らず、例えば矩形の板状形状など種々の形状を採用できる。 The substrate W is, for example, a semiconductor substrate and has a disk shape. In addition to the semiconductor substrate, the substrate W includes a photomask glass substrate, a liquid crystal display glass substrate, a plasma display glass substrate, a FED (Field Emission Display) substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, and a magneto-optical substrate. Various substrates such as disk substrates can be applied. Also, the shape of the substrate is not limited to a disk shape, and various shapes such as a rectangular plate shape can be adopted.

基板処理システム１００はロードポート１０１とインデクサロボット１１０と主搬送ロボット１２０と複数の処理ユニット１３０と制御部９０とを含む。 The substrate processing system 100 includes a load port 101 , an indexer robot 110 , a main transfer robot 120 , a plurality of processing units 130 and a controller 90 .

複数のロードポート１０１は水平な一方向に沿って並んで配置される。各ロードポート１０１は、基板Ｗを基板処理システム１００に搬出入するためのインターフェース部である。各ロードポート１０１には、複数の基板Ｗを収納したキャリアＣが外部から搬入される。各ロードポート１０１は、搬入されたキャリアＣを保持する。キャリアＣとしては、例えば、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、または、基板Ｗを外気にさらすＯＣ（Open Cassette）が採用される。 A plurality of load ports 101 are arranged side by side along one horizontal direction. Each load port 101 is an interface section for loading/unloading the substrate W into/from the substrate processing system 100 . A carrier C containing a plurality of substrates W is loaded into each load port 101 from the outside. Each load port 101 holds the loaded carrier C. As shown in FIG. As the carrier C, for example, a FOUP (Front Opening Unified Pod) that stores the substrates W in a closed space, a SMIF (Standard Mechanical Interface) pod, or an OC (Open Cassette) that exposes the substrates W to the outside air is adopted.

インデクサロボット１１０は、各ロードポート１０１に保持されたキャリアＣと、主搬送ロボット１２０との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットである。インデクサロボット１１０はロードポート１０１が並ぶ方向に沿って移動可能であり、各キャリアＣと対面する位置で停止可能である。インデクサロボット１１０は、各キャリアＣから基板Ｗを取り出す動作と、各キャリアＣに基板Ｗを受け渡す動作とを行うことができる。 The indexer robot 110 is a transport robot that transports the substrate W between the carrier C held at each load port 101 and the main transport robot 120 . The indexer robot 110 can move along the direction in which the load ports 101 are arranged, and can stop at a position facing each carrier C. As shown in FIG. The indexer robot 110 can perform an operation of picking up a substrate W from each carrier C and an operation of transferring a substrate W to each carrier C. As shown in FIG.

主搬送ロボット１２０は、インデクサロボット１１０と各処理ユニット１３０との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットである。主搬送ロボット１２０はインデクサロボット１１０から基板Ｗを受け取る動作と、インデクサロボット１１０に基板Ｗを受け渡す動作とを行うことができる。また、主搬送ロボット１２０は各処理ユニット１３０に基板Ｗを搬入する動作と、各処理ユニット１３０から基板Ｗを搬出する動作とを行うことができる。 The main transport robot 120 is a transport robot that transports substrates W between the indexer robot 110 and each processing unit 130 . The main transport robot 120 can perform an operation of receiving the substrate W from the indexer robot 110 and an operation of transferring the substrate W to the indexer robot 110 . Further, the main transport robot 120 can perform an operation of loading the substrate W into each processing unit 130 and an operation of unloading the substrate W from each processing unit 130 .

基板処理システム１００には、例えば１２個の処理ユニット１３０が配置される。具体的には、鉛直方向に積層された３個の処理ユニット１３０を含むタワーの４つが、主搬送ロボット１２０の周囲を取り囲むようにして設けられる。図１では、３段に重ねられた処理ユニット１３０の１つが概略的に示されている。なお、基板処理システム１００における処理ユニット１３０の数は、１２個に限定されるものではなく、適宜に変更されてもよい。 For example, 12 processing units 130 are arranged in the substrate processing system 100 . Specifically, four towers each including three vertically stacked processing units 130 are provided so as to surround the main transfer robot 120 . In FIG. 1, one of the three-tiered processing units 130 is schematically shown. Note that the number of processing units 130 in the substrate processing system 100 is not limited to twelve, and may be changed as appropriate.

主搬送ロボット１２０は、４つのタワーによって囲まれるように設けられている。主搬送ロボット１２０は、インデクサロボット１１０から受け取る未処理の基板Ｗを各処理ユニット１３０内に搬入する。各処理ユニット１３０は基板Ｗを処理する。また、主搬送ロボット１２０は、各処理ユニット１３０から処理済みの基板Ｗを搬出してインデクサロボット１１０に渡す。 The main transfer robot 120 is provided so as to be surrounded by four towers. The main transport robot 120 loads unprocessed substrates W received from the indexer robot 110 into the processing units 130 . Each processing unit 130 processes a substrate W. FIG. Further, the main transport robot 120 unloads the processed substrate W from each processing unit 130 and passes it to the indexer robot 110 .

制御部９０は、基板処理システム１００の各構成要素の動作を制御する。図２は、制御部９０の内部構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。制御部９０は電子回路であって、例えばデータ処理部９１および記憶媒体９２を有している。図２の具体例では、データ処理部９１と記憶媒体９２とはバス９３を介して相互に接続されている。データ処理部９１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体９２は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）９２１および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））９２２を有していてもよい。非一時的な記憶媒体９２１には、例えば制御部９０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部９１がこのプログラムを実行することにより、制御部９０がプログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９０の機能の一部または全部がハードウェア回路によって実現されてもよい。 The control unit 90 controls operations of each component of the substrate processing system 100 . FIG. 2 is a functional block diagram schematically showing an example of the internal configuration of the control section 90. As shown in FIG. The control unit 90 is an electronic circuit and has, for example, a data processing unit 91 and a storage medium 92 . In the specific example of FIG. 2, the data processing section 91 and the storage medium 92 are interconnected via a bus 93 . The data processing unit 91 may be an arithmetic processing device such as a CPU (Central Processor Unit). The storage medium 92 may have a non-temporary storage medium (eg, ROM (Read Only Memory) or hard disk) 921 and a temporary storage medium (eg, RAM (Random Access Memory)) 922 . The non-temporary storage medium 921 may store, for example, a program that defines processing to be executed by the control unit 90 . By the data processing unit 91 executing this program, the control unit 90 can execute the processing specified in the program. Of course, part or all of the functions of the control unit 90 may be realized by hardware circuits.

制御部９０は主制御部と複数のローカル制御部とを有していてもよい。主制御部は基板処理システム１００の全体を統括し、ローカル制御部は処理ユニット１３０ごとに設けられる。ローカル制御部は主制御部と通信可能に設けられ、主制御部からの指示に基づいて処理ユニット１３０内の各種構成（後述）を制御する。主制御部およびローカル制御部の各々は、図２と同様に、データ処理部９１および記憶媒体９２を有していてもよい。 The controller 90 may have a main controller and a plurality of local controllers. A main controller controls the entire substrate processing system 100 , and a local controller is provided for each processing unit 130 . The local control section is provided so as to be able to communicate with the main control section, and controls various components (described later) within the processing unit 130 based on instructions from the main control section. Each of the main control section and the local control section may have a data processing section 91 and a storage medium 92 as in FIG.

＜基板処理装置（処理ユニット１３０）＞
図３は、処理ユニット（基板処理装置に相当）１３０の構成の一例を概略的に示す図である。なお、基板処理システム１００に属する全ての処理ユニット１３０が図３に示された構成を有している必要はなく、少なくとも一つの処理ユニット１３０が当該構成を有していればよい。 <Substrate processing apparatus (processing unit 130)>
FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the processing unit (corresponding to the substrate processing apparatus) 130. As shown in FIG. It is not necessary for all the processing units 130 belonging to the substrate processing system 100 to have the configuration shown in FIG. 3, and at least one processing unit 130 may have the configuration.

図３に例示される処理ユニット１３０は、プラズマを用いた処理を基板Ｗに対して行う装置である。プラズマを用いた処理は特に制限される必要がないものの、例えば、有機物除去処理を含む。有機物除去処理とは、基板Ｗの主面に形成された有機物を除去する処理である。有機物は例えばレジストである。有機物がレジストである場合、有機物除去処理はレジスト除去処理であるともいえる。以下では、一例としてレジスト除去処理を採用して説明する。基板Ｗは例えば半導体基板であり、円板形状を有する。基板Ｗのサイズは特に制限されないものの、その直径は例えば約３００ｍｍである。 The processing unit 130 illustrated in FIG. 3 is an apparatus that performs processing on the substrate W using plasma. Processing using plasma is not particularly limited, but includes, for example, organic substance removal processing. The organic substance removal process is a process for removing organic substances formed on the main surface of the substrate W. FIG. The organic material is, for example, resist. When the organic matter is a resist, the organic matter removing treatment can also be said to be a resist removing treatment. In the following description, the resist removal process is adopted as an example. The substrate W is, for example, a semiconductor substrate and has a disk shape. Although the size of the substrate W is not particularly limited, its diameter is, for example, about 300 mm.

処理ユニット１３０は基板保持部２とノズル３とセンサ４とプラズマ源６と移動機構５１，５２とを含む。図３に例示されるように、処理ユニット１３０はチャンバ１を含んでいてもよい。チャンバ１は箱形の形状を有しており、その内部空間において基板Ｗに対する処理が行われる。チャンバ１の内部空間には、基板保持部２、ノズル３、センサ４、プラズマ源６および移動機構５１，５２が設けられる。 Processing unit 130 includes substrate holder 2 , nozzle 3 , sensor 4 , plasma source 6 , and moving mechanisms 51 and 52 . As illustrated in FIG. 3, processing unit 130 may include chamber 1 . The chamber 1 has a box-like shape, and the substrate W is processed in its inner space. A substrate holder 2 , a nozzle 3 , a sensor 4 , a plasma source 6 and moving mechanisms 51 and 52 are provided in the internal space of the chamber 1 .

＜基板保持部２＞
基板保持部２はチャンバ１内に設けられており、基板Ｗを水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。図３の例では、基板保持部２はステージ２１と複数のチャックピン２２とを含んでいる。ステージ２１は円板形状を有し、基板Ｗよりも鉛直下方に設けられる。ステージ２１は、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。 <Substrate holding portion 2>
The substrate holding part 2 is provided inside the chamber 1 and holds the substrate W in a horizontal posture. The horizontal posture referred to here is a posture in which the thickness direction of the substrate W is along the vertical direction. In the example of FIG. 3, the substrate holder 2 includes a stage 21 and a plurality of chuck pins 22. As shown in FIG. The stage 21 has a disc shape and is provided below the substrate W in the vertical direction. The stage 21 is provided in such a posture that its thickness direction is along the vertical direction.

複数のチャックピン２２はステージ２１の上面に立設されている。複数のチャックピン２２の各々は、基板Ｗの周縁に接触するチャック位置と、基板Ｗの周縁から離れた解除位置との間で変位可能に設けられる。複数のチャックピン２２がそれぞれのチャック位置に移動すると、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。複数のチャックピン２２がそれぞれの解除位置に移動すると、基板Ｗの保持が解除される。 A plurality of chuck pins 22 are erected on the upper surface of the stage 21 . Each of the plurality of chuck pins 22 is provided so as to be displaceable between a chuck position in contact with the peripheral edge of the substrate W and a released position away from the peripheral edge of the substrate W. As shown in FIG. The plurality of chuck pins 22 hold the substrate W when the plurality of chuck pins 22 move to their respective chuck positions. When the plurality of chuck pins 22 move to their respective release positions, the substrate W is released from being held.

複数のチャックピン２２を駆動する駆動部（不図示）は、例えばモータを含み、モータの駆動力によって複数のチャックピン２２を変位させてもよい。あるいは、駆動部は、各チャックピン２２に連結された第１固定磁石と、当該第１固定磁石に対して相対的に移動する第２可動磁石とを含み、第２可動磁石の位置により、複数のチャックピン２２を変位させてもよい。当該駆動部は制御部９０によって制御される。 A drive unit (not shown) that drives the plurality of chuck pins 22 may include, for example, a motor, and the plurality of chuck pins 22 may be displaced by the driving force of the motor. Alternatively, the drive section includes a first fixed magnet coupled to each chuck pin 22 and a second movable magnet that moves relative to the first fixed magnet. , the chuck pin 22 may be displaced. The driving section is controlled by the control section 90 .

なお、基板保持部２は必ずしも複数のチャックピン２２を有する必要はない。例えば、基板保持部２は基板Ｗの下面を吸引して基板Ｗを吸着してもよく、あるいは、静電方式により基板Ｗの下面を吸着してもよい。 It should be noted that the substrate holding part 2 does not necessarily have to have a plurality of chuck pins 22 . For example, the substrate holding part 2 may attract the substrate W by attracting the lower surface of the substrate W, or may attract the lower surface of the substrate W by an electrostatic method.

図３の例では、基板保持部２は回転機構２３をさらに含んでおり、回転軸線Ｑ１のまわりで基板Ｗを回転させる。回転軸線Ｑ１は基板Ｗの中心部を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。例えば回転機構２３はシャフト２４およびモータ２５を含む。シャフト２４の上端はステージ２１の下面に連結され、ステージ２１の下面から回転軸線Ｑ１に沿って延在する。モータ２５は制御部９０によって制御される。モータ２５はシャフト２４を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させて、ステージ２１および複数のチャックピン２２を一体に回転させる。これにより、複数のチャックピン２２によって保持された基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。このような基板保持部２はスピンチャックとも呼ばれ得る。 In the example of FIG. 3, the substrate holder 2 further includes a rotation mechanism 23, which rotates the substrate W around the rotation axis Q1. The rotation axis Q1 is an axis that passes through the center of the substrate W and extends in the vertical direction. For example, rotating mechanism 23 includes shaft 24 and motor 25 . The upper end of the shaft 24 is connected to the lower surface of the stage 21 and extends from the lower surface of the stage 21 along the rotation axis Q1. Motor 25 is controlled by control unit 90 . The motor 25 rotates the shaft 24 around the rotation axis Q1 to rotate the stage 21 and the plurality of chuck pins 22 integrally. Thereby, the substrate W held by the plurality of chuck pins 22 rotates around the rotation axis Q1. Such a substrate holding part 2 can also be called a spin chuck.

なお、以下では、回転軸線Ｑ１についての径方向および周方向を、それぞれ単に径方向および周方向と呼ぶ。 In addition, below, the radial direction and the circumferential direction about the rotation axis Q1 are simply referred to as the radial direction and the circumferential direction, respectively.

＜ノズル３＞
ノズル３はチャンバ１内に設けられ、基板Ｗの主面への処理液の供給に用いられる。ノズル３は供給管３１を介して処理液供給源３４に接続される。つまり、供給管３１の下流端がノズル３に接続され、供給管３１の上流端が処理液供給源３４に接続される。処理液供給源３４は、例えば、処理液を貯留するタンク（不図示）を含み、供給管３１に処理液を供給する。処理ユニット１３０において、基板Ｗ上のレジスト等の有機物を除去する場合、処理液としては、例えば、硫酸を用いる。その他、硫酸塩、ペルオキソ硫酸およびペルオキソ硫酸塩の少なくともいずれかを含む液、または、過酸化水素を含む液などの薬液を用いてもよい。また基板Ｗにおけるプラズマ処理の目的や、除去する対象に依っては、処理液としてＳＣ１（過酸化水素水とアンモニアとの混合液）およびＳＣ２（過酸化水素水と塩酸との混合液）などのいわゆる洗浄用薬液や、フッ酸、塩酸、リン酸などのエッチング用薬液を用いてもよい。 <Nozzle 3>
A nozzle 3 is provided in the chamber 1 and used to supply the main surface of the substrate W with the processing liquid. The nozzle 3 is connected to a processing liquid supply source 34 via a supply pipe 31 . That is, the downstream end of the supply pipe 31 is connected to the nozzle 3 and the upstream end of the supply pipe 31 is connected to the processing liquid supply source 34 . The processing liquid supply source 34 includes, for example, a tank (not shown) that stores the processing liquid, and supplies the processing liquid to the supply pipe 31 . In the processing unit 130, when removing an organic substance such as a resist on the substrate W, sulfuric acid, for example, is used as the processing liquid. In addition, a chemical solution such as a solution containing at least one of sulfate, peroxosulfuric acid and peroxosulfate, or a solution containing hydrogen peroxide may be used. Depending on the purpose of plasma processing on the substrate W and the object to be removed, SC1 (a mixture of hydrogen peroxide and ammonia) and SC2 (a mixture of hydrogen peroxide and hydrochloric acid) may be used as the treatment liquid. A so-called cleaning chemical or an etching chemical such as hydrofluoric acid, hydrochloric acid, or phosphoric acid may be used.

図３の例では、供給管３１には、バルブ３２および流量調整部３３が介装されている。バルブ３２は制御部９０によって制御される。バルブ３２が開くことにより、処理液供給源３４からの処理液が供給管３１を通じてノズル３に供給され、ノズル３の吐出口３ａから吐出される。吐出口３ａは例えばノズル３の下端面に形成される。流量調整部３３は制御部９０によって制御され、供給管３１を流れる処理液の流量を調整する。流量調整部３３は例えばマスフローコントローラである。 In the example of FIG. 3, the supply pipe 31 is provided with a valve 32 and a flow rate adjusting section 33 . Valve 32 is controlled by controller 90 . By opening the valve 32 , the processing liquid from the processing liquid supply source 34 is supplied to the nozzle 3 through the supply pipe 31 and discharged from the discharge port 3 a of the nozzle 3 . The discharge port 3a is formed on the lower end surface of the nozzle 3, for example. The flow rate adjusting section 33 is controlled by the control section 90 to adjust the flow rate of the processing liquid flowing through the supply pipe 31 . The flow rate adjusting unit 33 is, for example, a mass flow controller.

＜移動機構５１＞
図３の例では、ノズル３は移動機構５１によって移動可能に設けられる。移動機構５１は制御部９０によって制御され、ノズル３をノズル処理位置とノズル待機位置との間で移動させる。ノズル処理位置とは、ノズル３が基板Ｗの主面（ここでは上面）に向けて処理液を吐出する位置である。ノズル処理位置は、例えば、基板Ｗよりも鉛直上方であって、基板Ｗの中心部と鉛直方向において対向する位置である（後述の図６も参照）。ノズル待機位置とは、ノズル３が基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出しない位置であり、ノズル処理位置よりも基板Ｗから離れた位置である。ノズル待機位置は、基板Ｗの搬出入時においてノズル３が主搬送ロボット１２０および基板Ｗと干渉しない位置でもある。具体的な一例として、ノズル待機位置は、基板Ｗの周縁よりも径方向外側の位置である。図３の例では、ノズル待機位置で停止するノズル３が示されている。 <Moving mechanism 51>
In the example of FIG. 3, the nozzle 3 is provided so as to be movable by the moving mechanism 51 . The moving mechanism 51 is controlled by the controller 90 to move the nozzles 3 between the nozzle processing position and the nozzle standby position. The nozzle processing position is a position where the nozzle 3 discharges the processing liquid toward the main surface of the substrate W (here, the upper surface). The nozzle processing position is, for example, a position vertically above the substrate W and facing the center of the substrate W in the vertical direction (see also FIG. 6 described later). The nozzle waiting position is a position where the nozzle 3 does not discharge the processing liquid toward the main surface of the substrate W, and is a position further away from the substrate W than the nozzle processing position. The nozzle standby position is also a position where the nozzle 3 does not interfere with the main transfer robot 120 and the substrate W when the substrate W is carried in and out. As a specific example, the nozzle standby position is a position radially outside the peripheral edge of the substrate W. As shown in FIG. The example of FIG. 3 shows the nozzles 3 stopped at the nozzle standby position.

移動機構５１は、例えば、ボールねじ機構またはアーム旋回機構を有する。アーム旋回機構は、いずれも不図示のアームと支持柱とモータとを含む。アームは水平に延在する棒状形状を有し、アームの先端にはノズル３が連結され、アームの基端が支持柱に連結される。支持柱は鉛直方向に沿って延びており、その中心軸のまわりで回転可能に設けられる。モータが支持柱を回転させることにより、アームが旋回し、ノズル３が中心軸のまわりで周方向に沿って移動する。このノズル３の移動経路上にノズル処理位置とノズル待機位置とが位置するように、支持柱が設けられる。 The moving mechanism 51 has, for example, a ball screw mechanism or an arm turning mechanism. The arm turning mechanism includes an arm, a support column, and a motor (none of which are shown). The arm has a horizontally extending rod-like shape, the tip of the arm is connected to the nozzle 3, and the base end of the arm is connected to the support column. The support column extends vertically and is rotatable around its central axis. When the motor rotates the support column, the arm turns and the nozzle 3 moves in the circumferential direction around the central axis. A support column is provided so that the nozzle processing position and the nozzle standby position are positioned on the moving path of the nozzle 3 .

ノズル３がノズル処理位置に位置する状態（図６参照）において、基板保持部２が基板Ｗを回転させながらバルブ３２が開くと、ノズル３から基板Ｗの上面に向かって処理液が吐出される。処理液は基板Ｗの上面に着液し、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの上面を広がって基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、基板Ｗの上面には処理液の液膜Ｆが形成される。基板Ｗの上面に処理液の液膜Ｆが形成されると、バルブ３２が閉じ、移動機構５１がノズル３をノズル待機位置へと移動させる。 When the valve 32 is opened while the substrate holder 2 rotates the substrate W while the nozzle 3 is positioned at the nozzle processing position (see FIG. 6), the processing liquid is discharged from the nozzle 3 toward the upper surface of the substrate W. . The processing liquid lands on the upper surface of the substrate W, receives centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W, spreads over the upper surface of the substrate W, and scatters outward from the peripheral edge of the substrate W. FIG. As a result, a liquid film F of the processing liquid is formed on the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. When the liquid film F of the processing liquid is formed on the upper surface of the substrate W, the valve 32 is closed and the moving mechanism 51 moves the nozzle 3 to the nozzle standby position.

＜ガード５＞
処理ユニット１３０には、基板Ｗの周縁から飛散する処理液を受け止めるガード５が設けられている。ガード５は、基板保持部２によって保持された基板Ｗを取り囲む筒状の形状を有している。基板Ｗの周縁から飛散した処理液はガード５の内周面にあたり、内周面に沿って鉛直下方に流れる。処理液は、例えば、不図示の回収配管を流れて処理液供給源３４のタンクに回収される。これによれば、処理液を再利用することができる。 <Guard 5>
The processing unit 130 is provided with a guard 5 that catches the processing liquid that scatters from the periphery of the substrate W. As shown in FIG. The guard 5 has a tubular shape surrounding the substrate W held by the substrate holding part 2 . The processing liquid scattered from the peripheral edge of the substrate W hits the inner peripheral surface of the guard 5 and flows vertically downward along the inner peripheral surface. The processing liquid flows, for example, through a collection pipe (not shown) and is collected in the tank of the processing liquid supply source 34 . According to this, the treatment liquid can be reused.

なお、図３では図示省略しているものの、処理ユニット１３０は、複数種類の処理液を基板Ｗに供給する構成を有していてもよい。例えば、ノズル３は複数の処理液供給源に接続されていてもよい。あるいは、処理ユニット１３０はノズル３とは別のノズルを含んでいてもよい。当該別のノズルは処理液供給源３４とは別の処理液供給源に接続される。複数種類の処理液としては、例えば硫酸等の薬液の他、純水、オゾン水、炭酸水、および、イソプロピルアルコール等のリンス液を採用できる。ここでは、ノズル３が複数の処理液供給源に接続されており、複数種類の処理液を基板Ｗに個別に供給可能であるものとする。 Although not shown in FIG. 3, the processing unit 130 may have a configuration for supplying the substrate W with a plurality of types of processing liquids. For example, the nozzle 3 may be connected to multiple processing liquid supplies. Alternatively, processing unit 130 may include nozzles other than nozzle 3 . The separate nozzle is connected to a processing liquid supply source other than the processing liquid supply source 34 . As for the plurality of types of treatment liquids, for example, in addition to chemicals such as sulfuric acid, pure water, ozone water, carbonated water, and rinsing liquids such as isopropyl alcohol can be used. Here, it is assumed that the nozzle 3 is connected to a plurality of processing liquid supply sources so that a plurality of types of processing liquid can be supplied to the substrate W individually.

＜センサ４＞
センサ４はチャンバ１内に設けられており、基板Ｗの主面上の処理液の膜厚を測定し、その測定結果を示す信号を制御部９０に出力する。センサ４は膜厚計とも呼ばれ得る。センサ４は、例えば、光の干渉を利用した反射分光膜厚計などの膜厚計を含む。反射分光膜厚計は例えば、発光器と分光器と受光器とを含む。発光器は測定用の光を基板Ｗの上面に照射する。当該光の一部は処理液の液膜Ｆの液面で反射し、当該光の残りの一部は基板Ｗの上面で反射する。これらの反射光が互いに干渉した干渉光は分光器に入射し、分光器は当該干渉光を分光する。受光器は分光器によって分光された光の強度を測定する。当該受光器によって測定された波長ごとの光の強度に基づいて、処理液の膜厚を算出することができる。 <Sensor 4>
The sensor 4 is provided in the chamber 1 , measures the film thickness of the processing liquid on the main surface of the substrate W, and outputs a signal indicating the measurement result to the controller 90 . The sensor 4 may also be called a film thickness gauge. The sensor 4 includes, for example, a film thickness meter such as a reflection spectroscopic film thickness meter using light interference. A reflectance spectrophotometer, for example, includes a light emitter, a spectrometer, and a light receiver. The light emitter irradiates the upper surface of the substrate W with light for measurement. Part of the light is reflected by the liquid surface of the liquid film F of the processing liquid, and the remaining part of the light is reflected by the upper surface of the substrate W. FIG. Interference light resulting from mutual interference of these reflected lights enters a spectroscope, and the spectroscope separates the interference light. A light receiver measures the intensity of the light dispersed by the spectroscope. The film thickness of the treatment liquid can be calculated based on the light intensity for each wavelength measured by the light receiver.

センサ４は測定位置とセンサ待機位置との間で移動可能に設けられてもよい。測定位置とは、センサ４が基板Ｗの主面上の処理液の膜厚を測定するときの位置であり、基板Ｗの主面と鉛直方向において対向する位置である。センサ待機位置は、測定位置よりも基板Ｗから離れた位置であり、基板Ｗの搬出入時において、センサ４が主搬送ロボット１２０および基板Ｗと干渉しない位置でもある。より具体的な一例として、センサ待機位置は基板Ｗの周縁よりも径方向外側の位置である。 The sensor 4 may be provided movably between the measurement position and the sensor standby position. The measurement position is a position when the sensor 4 measures the film thickness of the processing liquid on the main surface of the substrate W, and is a position facing the main surface of the substrate W in the vertical direction. The sensor standby position is a position farther from the substrate W than the measurement position, and is also a position where the sensor 4 does not interfere with the main transport robot 120 and the substrate W when the substrate W is carried in and out. As a more specific example, the sensor standby position is a position radially outside the peripheral edge of the substrate W. As shown in FIG.

図３に例示されるように、センサ４はノズル３に一体に固定されていてもよい。図３の例では、センサ４は水平方向においてノズル３と隣り合う位置で、ノズル３に固定される。センサ４がノズル３に固定されているので、移動機構５１はノズル３およびセンサ４を一体に移動させることができる。この場合、ノズル３がノズル待機位置で停止しているときのセンサ４の位置がセンサ待機位置となる。移動機構５１がノズル３およびセンサ４を一体で移動させる場合には、ノズル３およびセンサ４を互いに独立に移動させる２つの移動機構が設けられる場合に比べて、処理ユニット１３０の構成を簡易にでき、製造コストを低減させることができる。 The sensor 4 may be integrally fixed to the nozzle 3, as illustrated in FIG. In the example of FIG. 3, the sensor 4 is fixed to the nozzle 3 at a position adjacent to the nozzle 3 in the horizontal direction. Since the sensor 4 is fixed to the nozzle 3, the moving mechanism 51 can move the nozzle 3 and the sensor 4 integrally. In this case, the position of the sensor 4 when the nozzle 3 is stopped at the nozzle standby position is the sensor standby position. When the moving mechanism 51 moves the nozzle 3 and the sensor 4 integrally, the configuration of the processing unit 130 can be simplified compared to the case where two moving mechanisms for moving the nozzle 3 and the sensor 4 independently of each other are provided. , the manufacturing cost can be reduced.

＜プラズマ源６＞
プラズマ源６はプラズマを発生させる装置であり、プラズマリアクタとも呼ばれ得る。プラズマ源６はチャンバ１内において、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面（例えば上面）と鉛直方向において対向する位置に設けられる。プラズマ源６は電源８に電気的に接続されており、電源８からの電力を受け取って周囲のガスをプラズマ化させる。なお、ここでは一例として、プラズマ源６は大気圧下でプラズマを発生させる。ここでいう大気圧とは、例えば、標準気圧の８０％以上、かつ、標準気圧の１２０％以下である。 <Plasma source 6>
The plasma source 6 is a device that generates plasma and may also be called a plasma reactor. The plasma source 6 is provided in the chamber 1 at a position facing the main surface (for example, the upper surface) of the substrate W held by the substrate holding part 2 in the vertical direction. The plasma source 6 is electrically connected to a power source 8 and receives power from the power source 8 to turn surrounding gas into plasma. Here, as an example, the plasma source 6 generates plasma under atmospheric pressure. The atmospheric pressure here is, for example, 80% or more of the standard pressure and 120% or less of the standard pressure.

図４は、プラズマ源６の構成の一例を概略的に示す平面図である。図４の例では、プラズマ源６は第１電極部６１と第２電極部６２とを含んでいる。第１電極部６１は複数の第１線状電極６１１と第１集合電極６１２とを含み、第２電極部６２は複数の第２線状電極６２１と第２集合電極６２２とを含む。 FIG. 4 is a plan view schematically showing an example of the configuration of the plasma source 6. As shown in FIG. In the example of FIG. 4, the plasma source 6 includes a first electrode portion 61 and a second electrode portion 62 . The first electrode section 61 includes a plurality of first linear electrodes 611 and first collective electrodes 612 , and the second electrode section 62 includes a plurality of second linear electrodes 621 and second collective electrodes 622 .

第１線状電極６１１は、水平な長手方向Ｄ１に沿って延在する棒状形状を有する。複数の第１線状電極６１１は、長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２において並んで設けられており、理想的には互いに平行に設けられる。 The first linear electrode 611 has a rod-like shape extending along the horizontal longitudinal direction D1. The plurality of first linear electrodes 611 are arranged side by side in a horizontal arrangement direction D2 perpendicular to the longitudinal direction D1, and ideally parallel to each other.

第１集合電極６１２は複数の第１線状電極６１１の長手方向Ｄ１の一方側の端部（基端）どうしを連結する。図４の例では、第１集合電極６１２は、長手方向Ｄ１の一方側に膨らむ円弧状の平板形状を有している。 The first collective electrode 612 connects ends (base ends) on one side of the plurality of first linear electrodes 611 in the longitudinal direction D1. In the example of FIG. 4, the first collective electrode 612 has an arcuate flat plate shape that bulges to one side in the longitudinal direction D1.

第２線状電極６２１は、長手方向Ｄ１に沿って延在する棒状形状を有する。複数の第２線状電極６２１は配列方向Ｄ２において並んで設けられており、理想的には互いに平行に設けられる。第２線状電極６２１の各々は、平面視において、複数の第１線状電極６１１のうち互いに隣り合う二者の間に設けられている。図４の例では、平面視において、第１線状電極６１１および第２線状電極６２１は配列方向Ｄ２において交互に配列される。第１線状電極６１１の各々は第２線状電極６２１と鉛直方向において対向していない。 The second linear electrode 621 has a rod-like shape extending along the longitudinal direction D1. The plurality of second linear electrodes 621 are arranged side by side in the arrangement direction D2 and ideally parallel to each other. Each of the second linear electrodes 621 is provided between two adjacent ones of the plurality of first linear electrodes 611 in plan view. In the example of FIG. 4, the first linear electrodes 611 and the second linear electrodes 621 are alternately arranged in the arrangement direction D2 in plan view. Each of the first linear electrodes 611 does not face the second linear electrodes 621 in the vertical direction.

第２集合電極６２２は複数の第２線状電極６２１の長手方向Ｄ１の他方側の端部（基端）どうしを連結する。図４の例では、第２集合電極６２２は、第１集合電極６１２とは反対側に膨らみ、かつ、第１集合電極６１２と略同径の円弧状の平板形状を有している。 The second collective electrode 622 connects ends (base ends) of the plurality of second linear electrodes 621 on the other side in the longitudinal direction D1. In the example of FIG. 4 , the second collective electrode 622 bulges in the opposite direction to the first collective electrode 612 and has an arcuate plate shape with approximately the same diameter as the first collective electrode 612 .

図４の例では、各第１線状電極６１１は第１誘電管６４に覆われている。第１誘電管６４は石英またはセラミックス等の誘電体材料によって形成される。この第１誘電管６４は、第１線状電極６１１を第１誘電管６４の外側のプラズマから保護することができる。また図４の例では、各第２線状電極６２１は第２誘電管６５に覆われている。第２誘電管６５は石英またはセラミックス等の誘電体材料によって形成される。この第２誘電管６５は、第２線状電極６２１を第２誘電管６５の外側のプラズマから保護することができる。 In the example of FIG. 4, each first linear electrode 611 is covered with the first dielectric tube 64 . The first dielectric tube 64 is made of dielectric material such as quartz or ceramics. This first dielectric tube 64 can protect the first linear electrode 611 from the plasma outside the first dielectric tube 64 . Further, in the example of FIG. 4, each second linear electrode 621 is covered with the second dielectric tube 65 . The second dielectric tube 65 is made of dielectric material such as quartz or ceramics. This second dielectric tube 65 can protect the second linear electrode 621 from the plasma outside the second dielectric tube 65 .

図４の例では、プラズマ源６には仕切部材６６が設けられている。仕切部材６６は石英またはセラミックス等の誘電体材料によって形成される。仕切部材６６は例えば円板状形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。第１電極部６１および第１誘電管６４は仕切部材６６よりも鉛直下方に設けられ、第２電極部６２および第２誘電管６５は仕切部材６６よりも鉛直上方に設けられている。 In the example of FIG. 4, the plasma source 6 is provided with a partition member 66 . The partition member 66 is made of a dielectric material such as quartz or ceramics. The partition member 66 has, for example, a disk-like shape, and is provided in a posture in which the thickness direction thereof extends along the vertical direction. The first electrode section 61 and the first dielectric tube 64 are provided vertically below the partition member 66 , and the second electrode section 62 and the second dielectric tube 65 are provided vertically above the partition member 66 .

＜電源８＞
プラズマ源６には、プラズマ用の電源８によって電圧が印加される。図４の例では、第１電極部６１の第１集合電極６１２が配線８１を介して電源８の第１出力端８ａに電気的に接続され、第２電極部６２の第２集合電極６２２が配線８２を介して電源８の第２出力端８ｂに電気的に接続される。電源８は例えばインバータ回路等のスイッチング電源回路を有しており、第１電極部６１と第２電極部６２との間にプラズマ用の電圧を出力する。より具体的な一例として、電源８はプラズマ用の電圧として高周波電圧を第１電極部６１と第２電極部６２との間に出力する。電源８は例えばパルス電源であり、複数の周期の各々のオン期間において高周波電圧を第１電源部６１と第２電源部６２との間に出力する。これにより、主としてオン期間においてプラズマが点灯する。この電源８の出力は制御部９０によって制御される。よって、プラズマ源６は制御部９０によって制御されるといえる。 <Power supply 8>
A voltage is applied to the plasma source 6 by a power source 8 for plasma. In the example of FIG. 4, the first collective electrode 612 of the first electrode portion 61 is electrically connected to the first output end 8a of the power supply 8 via the wiring 81, and the second collective electrode 622 of the second electrode portion 62 is It is electrically connected to the second output end 8b of the power supply 8 via the wiring 82. FIG. The power supply 8 has a switching power supply circuit such as an inverter circuit, for example, and outputs voltage for plasma between the first electrode portion 61 and the second electrode portion 62 . As a more specific example, the power supply 8 outputs a high-frequency voltage between the first electrode portion 61 and the second electrode portion 62 as a voltage for plasma. The power supply 8 is, for example, a pulse power supply, and outputs a high frequency voltage between the first power supply section 61 and the second power supply section 62 in each ON period of a plurality of cycles. As a result, the plasma is lit mainly during the ON period. The output of this power supply 8 is controlled by a control section 90 . Therefore, it can be said that the plasma source 6 is controlled by the controller 90 .

電源８が第１電極部６１と第２電極部６２との間に電圧を出力することにより、第１線状電極６１１と第２線状電極６２１との間にプラズマ用の電界が生じる。当該電界に応じて、第１線状電極６１１および第２線状電極６２１の周囲のガスがプラズマ化する。逆に言えば、当該ガスがプラズマ化する程度の電圧が電源８によって第１電極部６１と第２電極部６２との間に印加される。電源８がパルス電源である場合、当該電圧は、例えば、十数ｋＶかつ数十ｋＨｚ程度の高周波電圧である。ここでいう周波数は、例えば、上記周期の逆数である。 When the power supply 8 outputs a voltage between the first electrode portion 61 and the second electrode portion 62 , an electric field for plasma is generated between the first linear electrode 611 and the second linear electrode 621 . The gas around the first linear electrode 611 and the second linear electrode 621 turns into plasma according to the electric field. Conversely, the power supply 8 applies a voltage to the extent that the gas becomes plasma between the first electrode portion 61 and the second electrode portion 62 . When the power supply 8 is a pulse power supply, the voltage is, for example, a high frequency voltage of about ten and several kV and several tens of kHz. The frequency here is, for example, the reciprocal of the period.

上述のプラズマ源６によれば、水平な長手方向Ｄ１に沿って延在する第１線状電極６１１および第２線状電極６２１が水平な配列方向Ｄ２において交互に配列される。したがって、プラズマ源６は平面視において広い範囲でプラズマを発生させることができる。 According to the plasma source 6 described above, the first linear electrodes 611 and the second linear electrodes 621 extending along the horizontal longitudinal direction D1 are arranged alternately in the horizontal arrangement direction D2. Therefore, the plasma source 6 can generate plasma over a wide range in plan view.

＜遮断部材７＞
図３を参照して、処理ユニット１３０には遮断部材７が設けられてもよい。遮断部材７は板状形状を有しており、プラズマ源６よりも鉛直上方において、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。遮断部材７は例えば平面視において円形状を有する。遮断部材７はプラズマ源６よりも広くてもよい。つまり、遮断部材７の側面はプラズマ源６よりも径方向外側に位置していてもよい。 <Blocking member 7>
Referring to FIG. 3, the processing unit 130 may be provided with a blocking member 7 . The shielding member 7 has a plate-like shape, and is provided vertically above the plasma source 6 so that its thickness direction extends along the vertical direction. The blocking member 7 has, for example, a circular shape in plan view. The blocking member 7 may be wider than the plasma source 6 . In other words, the side surface of the shielding member 7 may be located radially outside the plasma source 6 .

＜移動機構５２＞
移動機構５２は制御部９０によって制御され、プラズマ源６を鉛直方向に沿って基板保持部２に対して相対的に移動させる。移動機構５２は昇降機構であるともいえる。ここでは一例として、移動機構５２は、制御信号により作動するモータ５２１と、モータ５２１の回転力を鉛直方向の移動に変換するカムと、カムに固設された棒状または板状の柱材とを含む。移動機構５２の柱材はプラズマ源６に固定されており、モータ５２１を回転させることでプラズマ源６が鉛直方向に移動する。 <Moving mechanism 52>
The moving mechanism 52 is controlled by the controller 90 to move the plasma source 6 relative to the substrate holder 2 along the vertical direction. It can also be said that the moving mechanism 52 is an elevating mechanism. Here, as an example, the movement mechanism 52 includes a motor 521 operated by a control signal, a cam that converts the rotational force of the motor 521 into vertical movement, and a rod-shaped or plate-shaped column material fixed to the cam. include. A column member of the moving mechanism 52 is fixed to the plasma source 6, and the plasma source 6 is moved vertically by rotating the motor 521. FIG.

プラズマ源６は遮断部材７に固定し、プラズマ源６および遮断部材７が一体に移動する構成としてもよい。例えばプラズマ源６は不図示の連結部材によって遮断部材７に固定される。この場合、移動機構５２は遮断部材７に固定されていてもよい。移動機構５２がプラズマ源６および遮断部材７を一体に移動させる場合には、プラズマ源６および遮断部材７を互いに独立に移動させる２つの移動部材が設けられる場合に比べて、処理ユニット１３０の構成を簡易にでき、製造コストを低減させることができる。 The plasma source 6 may be fixed to the shielding member 7, and the plasma source 6 and the shielding member 7 may move integrally. For example, the plasma source 6 is fixed to the blocking member 7 by a connecting member (not shown). In this case, the moving mechanism 52 may be fixed to the blocking member 7 . When the moving mechanism 52 moves the plasma source 6 and the blocking member 7 integrally, the configuration of the processing unit 130 is reduced compared to the case where two moving members for moving the plasma source 6 and the blocking member 7 independently of each other are provided. can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced.

以下では、プラズマ源６および遮断部材７の位置を、代表的にプラズマ源６の位置で説明する。移動機構５２は、プラズマ源６をプラズマ処理位置とプラズマ待機位置との間で往復移動させる。 In the following, the positions of the plasma source 6 and the shielding member 7 will be described as the position of the plasma source 6 representatively. The moving mechanism 52 reciprocates the plasma source 6 between the plasma processing position and the plasma standby position.

プラズマ処理位置とは、プラズマ源６によるプラズマを用いて基板Ｗを処理するときの位置である。プラズマ処理位置において、基板保持部２によって保持された基板Ｗの上面とプラズマ源６との間の距離Ｄは例えば数ｍｍ程度である（後述の図８も参照）。 A plasma processing position is a position when the substrate W is processed using plasma from the plasma source 6 . At the plasma processing position, the distance D between the upper surface of the substrate W held by the substrate holding part 2 and the plasma source 6 is, for example, several millimeters (see also FIG. 8 described later).

プラズマ待機位置とは、プラズマを用いた処理を基板Ｗに対して行わないときの位置であり、プラズマ処理位置よりも基板Ｗから離れた位置である。プラズマ待機位置は、基板Ｗの搬出入時において、プラズマ源６が主搬送ロボット１２０および基板Ｗと干渉しない位置でもある。具体的な一例として、プラズマ待機位置はプラズマ処理位置よりも鉛直上方の位置である。図３の例では、プラズマ待機位置で停止するプラズマ源６が示されている。なお、移動機構５２は、例えば、ボールねじ機構またはエアシリンダなどの移動機構を有していてもよい。 The plasma standby position is a position when the substrate W is not processed using plasma, and is a position further away from the substrate W than the plasma processing position. The plasma standby position is also a position where the plasma source 6 does not interfere with the main transfer robot 120 and the substrate W when the substrate W is carried in and out. As a specific example, the plasma standby position is a position vertically above the plasma processing position. The example of FIG. 3 shows the plasma source 6 stopping at the plasma standby position. In addition, the moving mechanism 52 may have a moving mechanism such as a ball screw mechanism or an air cylinder.

プラズマ源６は、例えば、ノズル３がノズル待機位置に退避した状態で、プラズマ待機位置からプラズマ処理位置へと移動することができる。例えば、ノズル処理位置でのノズル３からの処理液の吐出によって基板Ｗの上面に処理液の液膜Ｆが形成されると、バルブ３２が閉じたうえで、移動機構５１がノズル３をノズル処理位置からノズル待機位置に移動させる。その後、移動機構５２がプラズマ源６をプラズマ待機位置からプラズマ処理位置へと移動させる。これによれば、基板Ｗの直上にはノズル３が存在しないので、プラズマ源６を基板Ｗの上面により近づけることができる。言い換えれば、プラズマ処理位置をより基板Ｗの近くに設定することができる。 For example, the plasma source 6 can move from the plasma standby position to the plasma processing position while the nozzle 3 is retracted to the nozzle standby position. For example, when a liquid film F of the processing liquid is formed on the upper surface of the substrate W by discharging the processing liquid from the nozzle 3 at the nozzle processing position, the valve 32 is closed and the moving mechanism 51 moves the nozzle 3 to the nozzle processing position. position to the nozzle waiting position. After that, the moving mechanism 52 moves the plasma source 6 from the plasma standby position to the plasma processing position. According to this, since the nozzle 3 does not exist directly above the substrate W, the plasma source 6 can be brought closer to the upper surface of the substrate W. FIG. In other words, the plasma processing position can be set closer to the substrate W.

そして、プラズマ源６がプラズマ処理位置に位置する状態において、電源８がプラズマ源６に電圧を出力する。これにより、プラズマ源６は周囲のガスをプラズマ化させる。このプラズマの発生に伴って種々の活性種が生じる。例えば、空気がプラズマ化することにより、酸素ラジカル、ヒドロキシルラジカルおよびオゾンガス等の種々の活性種が生じ得る。これらの活性種は基板Ｗの上面の処理液（ここでは硫酸）の液膜Ｆに作用する。逆に言えば、プラズマ処理位置は、活性種が基板Ｗ上の液膜Ｆに作用できる程度の位置に設定される。活性種が処理液に作用することにより、処理液の処理性能が高まる。具体的には、活性種と硫酸との反応により、処理性能（ここでは酸化力）の高いカロ酸が生成される。カロ酸はペルオキソ一硫酸とも呼ばれる。当該カロ酸が基板Ｗのレジストに作用することで、レジストを酸化除去することができる。 The power source 8 outputs a voltage to the plasma source 6 while the plasma source 6 is positioned at the plasma processing position. As a result, the plasma source 6 converts the surrounding gas into plasma. Various active species are generated with the generation of this plasma. For example, plasmatization of air can generate various active species such as oxygen radicals, hydroxyl radicals, and ozone gas. These active species act on the liquid film F of the processing liquid (sulfuric acid in this case) on the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. Conversely, the plasma processing position is set at a position where the active species can act on the liquid film F on the substrate W. As shown in FIG. The action of the active species on the processing liquid enhances the processing performance of the processing liquid. Specifically, the reaction between active species and sulfuric acid produces caro's acid with high processing performance (here, oxidizing power). Caro's acid is also called peroxomonosulfate. The Caro's acid acts on the resist on the substrate W, so that the resist can be removed by oxidation.

活性種は主として処理液の液膜Ｆの液面付近から処理液に作用すると考えられる。よって、基板Ｗの主面上の液膜Ｆが薄い場合、活性種は基板Ｗの主面の近傍に到達しやすいため、カロ酸等の成分は基板Ｗの主面に到達しやすい。よって、基板Ｗに対して高い処理速度で処理を行うことができる。一方で、基板Ｗの主面上の液膜Ｆが厚い場合、活性種が基板Ｗの主面の近傍に到達しにくいため、カロ酸等の成分が基板Ｗの主面に到達しにくい。よって、比較的に低い処理速度で処理が行われる。 It is considered that the active species act on the processing liquid mainly from near the liquid surface of the liquid film F of the processing liquid. Therefore, when the liquid film F on the main surface of the substrate W is thin, the active species easily reach the vicinity of the main surface of the substrate W, so components such as Caro's acid easily reach the main surface of the substrate W. Therefore, the substrate W can be processed at a high processing speed. On the other hand, when the liquid film F on the main surface of the substrate W is thick, it is difficult for active species to reach the vicinity of the main surface of the substrate W, so components such as Caro's acid are difficult to reach the main surface of the substrate W. Therefore, processing is performed at a relatively low processing speed.

よって、基板Ｗの主面上に供給される活性種の量が同じであれば、基板Ｗの主面上の液膜Ｆの膜厚の相違に起因して、処理速度のばらつきが生じ得る。 Therefore, if the amount of active species supplied onto the main surface of the substrate W is the same, the processing speed may vary due to the difference in the film thickness of the liquid film F on the main surface of the substrate W.

ところで、活性種は短時間で失活するので、プラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄが長くなるほど、基板Ｗの主面上の液膜Ｆに到達する前に失活してしまう。よって、距離Ｄが長くなるほど、基板Ｗの主面上の液膜Ｆに供給される活性種の量は少なくなる。逆に言えば、移動機構５１がプラズマ源６を基板Ｗに近づけるほど、より多くの活性種を基板Ｗの主面上の液膜Ｆに供給することができる。 By the way, since the active species are deactivated in a short time, they are deactivated before reaching the liquid film F on the main surface of the substrate W as the distance D between the plasma source 6 and the substrate W increases. Therefore, the longer the distance D, the smaller the amount of active species supplied to the liquid film F on the main surface of the substrate W. Conversely, the closer the moving mechanism 51 brings the plasma source 6 to the substrate W, the more active species can be supplied to the liquid film F on the main surface of the substrate W. FIG.

そこで、制御部９０はセンサ４によって測定された膜厚（以下、測定膜厚と呼ぶ）に基づいて、移動機構５２を制御する。つまり、制御部９０は測定膜厚に基づいてプラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄを調整する。具体的には、制御部９０は、測定膜厚が第１値であるときの距離Ｄが、測定膜厚が第１値よりも小さい第２値であるときの距離Ｄよりも短くなるように、移動機構５２を制御する。つまり、制御部９０は測定膜厚が大きいときには、プラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄが短くなるように移動機構５２を制御する。これにより、測定膜厚が大きいときには、液膜Ｆに供給する活性種の量を増加させることができる。一方で、制御部９０は測定膜厚が小さいときにはプラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄが長くなるように移動機構５２を制御する。これにより、測定膜厚が小さいときには、液膜Ｆに供給する活性種の量を低減させることができる。 Therefore, the controller 90 controls the moving mechanism 52 based on the film thickness measured by the sensor 4 (hereinafter referred to as the measured film thickness). That is, the controller 90 adjusts the distance D between the plasma source 6 and the substrate W based on the measured film thickness. Specifically, the controller 90 controls the distance D when the measured film thickness is a first value to be shorter than the distance D when the measured film thickness is a second value smaller than the first value. , controls the moving mechanism 52 . That is, the controller 90 controls the moving mechanism 52 so that the distance D between the plasma source 6 and the substrate W is shortened when the measured film thickness is large. As a result, when the film thickness to be measured is large, the amount of active species supplied to the liquid film F can be increased. On the other hand, the controller 90 controls the moving mechanism 52 so that the distance D between the plasma source 6 and the substrate W increases when the measured film thickness is small. As a result, when the film thickness to be measured is small, the amount of active species supplied to the liquid film F can be reduced.

なお、制御部９０は測定膜厚に対して距離Ｄを連続的に変化させてもよく、あるいは、段階的に変化させてもよい。測定膜厚と距離Ｄとの対応関係は例えば実験またはシミュレーションにより予め設定され得る。当該対応関係を示す対応関係情報は、例えば記憶媒体９２１に予め記憶されていてもよい。当該対応関係情報は、例えばルックアップテーブル形式で記憶されてもよく、あるいは、関数式で記憶されてもよい。 Note that the controller 90 may change the distance D continuously or stepwise with respect to the measured film thickness. A correspondence relationship between the measured film thickness and the distance D can be set in advance by, for example, an experiment or a simulation. Correspondence information indicating the correspondence may be stored in the storage medium 921 in advance, for example. The correspondence information may be stored, for example, in the form of a lookup table, or may be stored in the form of a functional expression.

＜処理ユニットの動作例＞
図５は、処理ユニット１３０の動作の一例を示すフローチャートである。まず、基板保持部２が基板Ｗを保持する（ステップＳ１：保持工程）。具体的には、主搬送ロボット１２０が未処理の基板Ｗを処理ユニット１３０に搬入し、基板保持部２は、搬入された基板Ｗを保持する。ここでは、基板Ｗの上面にレジストが形成されている。 <Operation example of the processing unit>
FIG. 5 is a flow chart showing an example of the operation of the processing unit 130. As shown in FIG. First, the substrate holding part 2 holds the substrate W (step S1: holding step). Specifically, the main transport robot 120 loads an unprocessed substrate W into the processing unit 130, and the substrate holding section 2 holds the loaded substrate W. As shown in FIG. A resist is formed on the upper surface of the substrate W here.

次に、基板Ｗの上面に処理液を供給する（ステップＳ２：液供給成工程）。図６は、液供給工程における処理ユニット１３０の様子の一例を概略的に示す図である。 Next, a processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W (step S2: liquid supply forming step). FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of the state of the processing unit 130 during the liquid supply process.

液供給工程において、まず、移動機構５１がノズル３をノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる。ここでは、ノズル処理位置は基板Ｗの中央部と鉛直方向において対向する位置である。そして、基板保持部２が基板Ｗを回転軸線Ｑ１まわりで回転させ、バルブ３２が開く。バルブ３２が開くと、ノズル３から処理液が基板Ｗの上面の中心部に向けて吐出される。処理液は基板Ｗの上面の中央部に着液し、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの上面を広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、基板Ｗの上面に処理液の液膜Ｆが形成される。 In the liquid supply process, first, the moving mechanism 51 moves the nozzle 3 from the nozzle waiting position to the nozzle processing position. Here, the nozzle processing position is a position facing the central portion of the substrate W in the vertical direction. Then, the substrate holder 2 rotates the substrate W around the rotation axis Q1, and the valve 32 is opened. When the valve 32 is opened, the processing liquid is discharged from the nozzle 3 toward the center of the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. The processing liquid lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W, spreads over the upper surface of the substrate W, and scatters outward from the peripheral edge of the substrate W. FIG. As a result, a liquid film F of the processing liquid is formed on the upper surface of the substrate W. As shown in FIG.

液供給工程では、液膜Ｆの膜厚が所定範囲内となるように、処理液の流量および基板Ｗの回転速度が予め設定される。例えば実験またはシミュレーション等により、これらのパラメータが事前に決定される。液膜Ｆの膜厚の目標値は例えば０．１ｍｍ以上かつ２．０ｍｍ以下である（具体的な一例として３００μｍ）。ただし、液供給工程において形成される液膜Ｆの膜厚は、例えば、処理液の流量ばらつき、および、基板Ｗの回転速度のばらつき等の諸要因により、基板Ｗごとにばらつき得る。 In the liquid supply step, the flow rate of the processing liquid and the rotational speed of the substrate W are set in advance so that the film thickness of the liquid film F is within a predetermined range. These parameters are determined in advance, for example by experiments or simulations. The target value of the film thickness of the liquid film F is, for example, 0.1 mm or more and 2.0 mm or less (300 μm as a specific example). However, the film thickness of the liquid film F formed in the liquid supply process may vary from substrate to substrate W due to various factors such as variations in the flow rate of the processing liquid and variations in the rotational speed of the substrate W, for example.

基板Ｗ上に液膜Ｆが形成されると、バルブ３２が閉じて、処理液の供給が停止する。液膜Ｆの形成後には、基板保持部２は基板Ｗの回転を停止させてもよく、あるいは、基板Ｗの回転を継続してもよい。基板Ｗの回転を継続する場合、基板保持部２は液供給工程における回転速度より低い回転速度で基板Ｗを回転させるとよい。これにより、基板Ｗの周縁から流れ落ちる処理液の量を低減させることができ、液膜Ｆをより確実に維持することができる。言い換えれば、基板保持部２は液膜Ｆを維持できる程度の回転速度で基板Ｗを回転させればよい。より具体的な一例として、基板保持部２は基板Ｗの周縁から処理液が流れ落ちない程度の回転速度で基板Ｗを回転させる。このように処理液の供給を停止しつつ基板Ｗの上面に液膜Ｆを維持する処理は、パドル処理とも呼ばれる。 When the liquid film F is formed on the substrate W, the valve 32 is closed to stop the supply of the processing liquid. After forming the liquid film F, the substrate holder 2 may stop the rotation of the substrate W, or may continue the rotation of the substrate W. FIG. When continuing to rotate the substrate W, the substrate holder 2 preferably rotates the substrate W at a rotation speed lower than the rotation speed in the liquid supply process. As a result, the amount of the processing liquid flowing down from the peripheral edge of the substrate W can be reduced, and the liquid film F can be maintained more reliably. In other words, the substrate holder 2 should rotate the substrate W at a rotational speed that allows the liquid film F to be maintained. As a more specific example, the substrate holding unit 2 rotates the substrate W at a rotational speed at which the processing liquid does not flow down from the periphery of the substrate W. FIG. The process of maintaining the liquid film F on the upper surface of the substrate W while stopping the supply of the processing liquid is also called puddle process.

次に、液膜Ｆの膜厚測定が行われる（ステップＳ３：膜厚測定工程）。図７は、膜厚測定工程における処理ユニット１３０の様子の一例を概略的に示す図である。 Next, the film thickness of the liquid film F is measured (step S3: film thickness measurement step). FIG. 7 is a diagram schematically showing an example of the state of the processing unit 130 in the film thickness measurement process.

膜厚測定工程において、センサ４は液膜Ｆの膜厚を測定する。センサ４は一つ位置で基板Ｗの主面上の液膜Ｆの膜厚を測定してもよく、あるいは、複数の位置で膜厚を測定してもよい。例えば、移動機構５１はセンサ４を基板Ｗの直上で水平方向に移動させつつ、その移動経路上の複数の位置でセンサ４が膜厚を測定してもよい。この移動経路は平面視において、例えば基板Ｗの直径に沿う直線経路または円弧経路である。 In the film thickness measurement process, the sensor 4 measures the film thickness of the liquid film F. FIG. The sensor 4 may measure the film thickness of the liquid film F on the main surface of the substrate W at one position, or may measure the film thickness at a plurality of positions. For example, the moving mechanism 51 may move the sensor 4 right above the substrate W in the horizontal direction, and the sensor 4 may measure the film thickness at a plurality of positions on the moving path. This movement path is, for example, a linear path along the diameter of the substrate W or an arc path in plan view.

センサ４によって測定された膜厚は制御部９０に出力される。複数の測定位置で膜厚が測定された場合、制御部９０は複数の測定位置で測定された膜厚を平均化して測定膜厚を算出してもよい。 The film thickness measured by the sensor 4 is output to the controller 90 . When the film thickness is measured at a plurality of measurement positions, the controller 90 may average the film thicknesses measured at the plurality of measurement positions to calculate the measured film thickness.

センサ４による膜厚測定が終了すると、移動機構５１はノズル３およびセンサ４を一体に待機位置（つまり、ノズル待機位置およびセンサ待機位置）に移動させる。 When the film thickness measurement by the sensor 4 is completed, the moving mechanism 51 moves the nozzle 3 and the sensor 4 together to the waiting positions (that is, the nozzle waiting position and the sensor waiting position).

次に、制御部９０は測定膜厚に基づいて、プラズマ処理位置を決定する（ステップＳ４：決定工程）。言い換えれば、制御部９０は測定膜厚に基づいて、後述のプラズマ工程（ステップＳ５）におけるプラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄを決定する（図８および図９も参照）。具体的には、制御部９０は、測定膜厚が第１値であるときの距離Ｄ（図８参照）が、測定膜厚が第１値よりも小さい第２値であるときの距離Ｄ（図９参照）より短くなるように、距離Ｄを決定する。 Next, the controller 90 determines the plasma processing position based on the measured film thickness (step S4: determination step). In other words, the controller 90 determines the distance D between the plasma source 6 and the substrate W in the plasma process (step S5), which will be described later, based on the measured film thickness (see also FIGS. 8 and 9). Specifically, the controller 90 changes the distance D (see FIG. 8) when the measured film thickness is the first value to the distance D (see FIG. 8) when the measured film thickness is the second value smaller than the first value. (See FIG. 9).

ここでは一例として、測定膜厚と距離Ｄとの対応関係を示す対応関係情報が記憶媒体９２１に予め記憶される。制御部９０は膜厚測定工程において測定された測定膜厚と、記憶媒体９２１に記憶された対応関係情報とに基づいて、プラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄを決定する。 Here, as an example, the correspondence information indicating the correspondence between the measured film thickness and the distance D is stored in advance in the storage medium 921 . The controller 90 determines the distance D between the plasma source 6 and the substrate W based on the measured film thickness measured in the film thickness measurement process and the correspondence information stored in the storage medium 921 .

次に、決定工程において決定された距離Ｄでプラズマ源６の位置を制御しつつ、プラズマ処理が行われる（ステップＳ５：プラズマ工程）。図８および図９は、プラズマ工程における処理ユニット１３０の様子の一例を概略的に示す図である。図８は、液膜Ｆの膜厚が大きい場合の処理ユニット１３０を示しており、図９は、液膜Ｆの膜厚が図８での膜厚よりも小さい場合の処理ユニット１３０を示している。 Next, plasma processing is performed while controlling the position of the plasma source 6 at the distance D determined in the determining step (step S5: plasma step). 8 and 9 are diagrams schematically showing an example of the state of the processing unit 130 in the plasma process. 8 shows the processing unit 130 when the film thickness of the liquid film F is large, and FIG. 9 shows the processing unit 130 when the film thickness of the liquid film F is smaller than that in FIG. there is

プラズマ工程においては、移動機構５２がプラズマ源６および遮断部材７をプラズマ待機位置からプラズマ処理位置に一体に移動させる。このプラズマ処理位置は、決定工程において決定された位置である。つまり、移動機構５２は、決定工程によって決定されたプラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄで、プラズマ源６を停止させる。これによれば、図８および図９に例示されるように、液膜Ｆの膜厚が大きいときの距離Ｄは、液膜Ｆの膜厚が小さいときの距離Ｄよりも短くなる。 In the plasma process, the moving mechanism 52 moves the plasma source 6 and the shielding member 7 integrally from the plasma standby position to the plasma processing position. This plasma processing position is the position determined in the determination step. That is, the moving mechanism 52 stops the plasma source 6 at the distance D between the plasma source 6 and the substrate W determined by the determining step. According to this, as illustrated in FIGS. 8 and 9, the distance D when the film thickness of the liquid film F is large is shorter than the distance D when the film thickness of the liquid film F is small.

また、このプラズマ工程において、電源８はプラズマ源６に電力を供給する。これにより、プラズマ源６の周囲のガスがプラズマ化する。このプラズマ化に伴って種々の活性種が生成される。例えば、空気がプラズマ化することにより、酸素ラジカル、ヒドロキシルラジカルおよびオゾンガス等の種々の活性種が生じ得る。 The power supply 8 also supplies power to the plasma source 6 in this plasma process. As a result, the gas around the plasma source 6 becomes plasma. Various active species are generated in association with this plasmatization. For example, plasmatization of air can generate various active species such as oxygen radicals, hydroxyl radicals, and ozone gas.

プラズマ源６がプラズマ処理位置に位置する状態でプラズマ源６が周囲のガスをプラズマ化させることにより、活性種が基板Ｗの上面の液膜Ｆに作用する。具体的には、プラズマ源６と基板Ｗとの間で生じた活性種が液膜Ｆに作用する。これにより、処理液の処理性能が高まる。具体的な一例として、活性種と硫酸との反応により、処理性能（ここでは酸化力）の高いカロ酸が生成される。当該カロ酸が基板Ｗのレジストに作用することで、レジストを速やかに酸化除去することができる。 The active species act on the liquid film F on the upper surface of the substrate W when the plasma source 6 converts the surrounding gas into plasma while the plasma source 6 is positioned at the plasma processing position. Specifically, active species generated between the plasma source 6 and the substrate W act on the liquid film F. As shown in FIG. This enhances the processing performance of the processing liquid. As a specific example, the reaction between active species and sulfuric acid produces caro's acid with high processing performance (here, oxidizing power). The Caro's acid acts on the resist on the substrate W, so that the resist can be quickly oxidized and removed.

上述の例では、プラズマ源６は平面視において広い範囲でプラズマを発生させることができるので、基板Ｗの上面に対して広い範囲で活性種を供給することができる。したがって、基板Ｗの上面のレジストをより均一に除去することができる。プラズマ源６は平面視において、基板Ｗの上面と同程度、もしくは、基板Ｗの上面よりも広い範囲でプラズマを発生させる程度のサイズを有しているとよい。 In the above-described example, the plasma source 6 can generate plasma over a wide area in a plan view, so that active species can be supplied to the upper surface of the substrate W over a wide area. Therefore, the resist on the upper surface of the substrate W can be removed more uniformly. The plasma source 6 preferably has a size that is approximately the same as the upper surface of the substrate W or larger than the upper surface of the substrate W so as to generate plasma in a plan view.

基板Ｗの上面のレジストが十分に除去されると、移動機構５２はプラズマ源６および遮断部材７をプラズマ処理位置からプラズマ待機位置へ一体に移動させ、また、電源８がプラズマ源６への電力供給を停止する。 When the resist on the upper surface of the substrate W is sufficiently removed, the moving mechanism 52 moves the plasma source 6 and the blocking member 7 integrally from the plasma processing position to the plasma standby position, and the power source 8 supplies power to the plasma source 6. stop the supply.

次に、処理ユニット１３０は基板Ｗの上面に対するリンス処理を行う（ステップＳ６：リンス工程）。具体的には、処理ユニット１３０はリンス液を基板Ｗの上面に供給し、基板Ｗの上面の処理液をリンス液に置換する。 Next, the processing unit 130 performs a rinse process on the upper surface of the substrate W (step S6: rinse process). Specifically, the processing unit 130 supplies the rinse liquid to the upper surface of the substrate W, and replaces the processing liquid on the upper surface of the substrate W with the rinse liquid.

次に、処理ユニット１３０は基板Ｗに対する乾燥処理を行う（ステップＳ７：乾燥工程）。例えば基板保持部２が液供給工程よりも高い回転速度で基板Ｗを回転させることにより、基板Ｗを乾燥させる（いわゆるスピンドライ）。次に、主搬送ロボット１２０が処理済みの基板Ｗを処理ユニット１３０から搬出する。 Next, the processing unit 130 performs a drying process on the substrate W (step S7: drying process). For example, the substrate holding unit 2 rotates the substrate W at a rotation speed higher than that in the liquid supply step, thereby drying the substrate W (so-called spin drying). Next, the main transport robot 120 unloads the processed substrate W from the processing unit 130 .

以後、未処理の基板Ｗが順次に処理ユニット１３０に搬入され、その都度、ステップＳ１からステップＳ７が行われる。 Thereafter, unprocessed substrates W are sequentially carried into the processing unit 130, and steps S1 to S7 are performed each time.

以上のように、処理ユニット１３０によれば、基板Ｗの上面の液膜Ｆの膜厚に基づいて、プラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄが制御される。具体的には、液膜Ｆの膜厚が大きいほど距離Ｄが短くなるように制御される。よって、膜厚が大きいときには、より多くの活性種を基板Ｗの上面の液膜Ｆに供給することができ、高い処理性能を有する成分（ここではカロ酸）をより多く生成することができる。したがって、膜厚が大きくても当該成分を基板Ｗの上面に到達させやすく、膜厚の増加に伴う処理速度の低下を抑制することができる。 As described above, according to the processing unit 130, the distance D between the plasma source 6 and the substrate W is controlled based on the film thickness of the liquid film F on the upper surface of the substrate W. FIG. Specifically, the distance D is controlled to be shorter as the film thickness of the liquid film F is larger. Therefore, when the film thickness is large, more active species can be supplied to the liquid film F on the upper surface of the substrate W, and more components (here, Caro's acid) having high processing performance can be generated. Therefore, even if the film thickness is large, the component can easily reach the upper surface of the substrate W, and it is possible to suppress the decrease in the processing speed due to the increase in the film thickness.

逆に言えば、液膜Ｆの膜厚が小さいほど距離Ｄが長くなるように制御される。よって、膜厚が小さいときには、より少ない活性種を基板Ｗの上面の液膜Ｆに供給することができ、高い処理性能を有する成分をより少なく生成することができる。したがって、膜厚が小さくても基板Ｗの上面に到達する当該成分を過剰に増やすことなく、膜厚の低下に伴う処理速度の不要な増加を抑制することができる。 Conversely, the distance D is controlled to be longer as the film thickness of the liquid film F is smaller. Therefore, when the film thickness is small, fewer active species can be supplied to the liquid film F on the upper surface of the substrate W, and fewer components having high processing performance can be generated. Therefore, even if the film thickness is small, the component reaching the upper surface of the substrate W does not excessively increase, and an unnecessary increase in the processing speed due to the decrease in the film thickness can be suppressed.

以上のように、液膜Ｆの膜厚の相違に応じた処理速度のばらつきを低減させることができる。つまり、基板Ｗ上に形成される処理液の液膜Ｆの膜厚は基板Ｗごとに相違するものの、その膜厚に起因した基板Ｗ間の処理速度のばらつきを低減させることができる。 As described above, it is possible to reduce the variation in the processing speed according to the difference in the film thickness of the liquid film F. In other words, although the film thickness of the liquid film F of the processing liquid formed on the substrate W differs from substrate to substrate W, it is possible to reduce variations in the processing speed among the substrates W caused by the film thickness.

また、上述の例では、遮断部材７が設けられている。これによれば、プラズマ工程において、遮断部材７よりも鉛直上方の上部空間のガスがプラズマ源６と基板Ｗとの間の処理空間に流入することを抑制できる。これによれば、処理空間内の雰囲気の乱れを抑制することができ、処理空間内の活性種をより適切に基板Ｗの上面の液膜Ｆに供給することができる。 Also, in the above example, the blocking member 7 is provided. According to this, in the plasma process, the gas in the upper space vertically above the blocking member 7 can be prevented from flowing into the processing space between the plasma source 6 and the substrate W. According to this, disturbance of the atmosphere in the processing space can be suppressed, and the active species in the processing space can be supplied to the liquid film F on the upper surface of the substrate W more appropriately.

さて、第１の実施の形態では、既述のように、処理ユニット１３０は液膜Ｆの膜厚に基づいてプラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄを制御することで、液膜Ｆの膜厚に応じて活性種の供給量を制御した。距離Ｄは高い応答性かつ高い精度で制御することができるので、活性種の供給量を高い応答性かつ高い精度で制御することができる。 Now, in the first embodiment, as described above, the processing unit 130 controls the distance D between the plasma source 6 and the substrate W based on the film thickness of the liquid film F so that the liquid film F The supply amount of active species was controlled according to the thickness of the film. Since the distance D can be controlled with high responsiveness and high accuracy, the supply amount of active species can be controlled with high responsiveness and high accuracy.

しかしながら、距離Ｄの制御以外の方法により、液膜Ｆへの活性種の供給量を制御してもよい。以下、各実施の形態において当該方法の例を述べる。 However, the amount of active species supplied to the liquid film F may be controlled by a method other than the control of the distance D. An example of the method will be described below in each embodiment.

＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態にかかる処理ユニット１３０の構成は第１の実施の形態にかかる処理ユニット１３０と同様である。ただし、制御部９０は、センサ４によって測定された測定膜厚に基づいて、電源８の出力を制御する。 <Second Embodiment>
The configuration of the processing unit 130 according to the second embodiment is similar to that of the processing unit 130 according to the first embodiment. However, the controller 90 controls the output of the power supply 8 based on the film thickness measured by the sensor 4 .

制御部９０は、例えば、電源８の周波数を高めることにより、プラズマ出力（プラズマ照射出力）を高めることができる。プラズマ出力とは、プラズマ源６の出力を意味し、プラズマ出力を示す指標としては、例えば、プラズマ源６によって生成されるプラズマの量（例えば電子密度）を採用できる。あるいは、プラズマ出力を示す指標として、例えば、プラズマ発光強度を採用してもよい。プラズマ出力が高いほど、より多くの活性種が生成される。 The control unit 90 can increase the plasma output (plasma irradiation output) by increasing the frequency of the power supply 8, for example. The plasma output means the output of the plasma source 6, and as an indicator of the plasma output, for example, the amount of plasma generated by the plasma source 6 (for example, electron density) can be used. Alternatively, plasma emission intensity, for example, may be employed as an indicator of plasma output. The higher the plasma power, the more active species are produced.

制御部９０は、測定膜厚が第１値であるときのプラズマ源６のプラズマ出力が、測定膜厚が第１値よりも小さな第２値であるときのプラズマ源６のプラズマ出力よりも大きくなるように、電源８を制御する。具体的な一例として、制御部９０は、測定膜厚が第１値であるときの電源８の周波数が、測定膜厚が第１値よりも小さな第２値であるときの周波数よりも高くなるように、電源８を制御する。つまり、制御部９０は測定膜厚が大きいときにはプラズマ出力が大きくなるように電源８を制御する。これにより、測定膜厚が大きいときには、液膜Ｆに供給する活性種の量を増加させることができる。一方で、制御部９０は測定膜厚が小さいときにはプラズマ出力が小さくなるように電源８を制御する。これにより、測定膜厚が小さいときには、液膜Ｆに供給する活性種の量を低減させることができる。したがって、測定膜厚の相違に起因した処理速度のばらつきを低減させることができる。 The control unit 90 controls the plasma output of the plasma source 6 when the measured film thickness is the first value to be greater than the plasma output of the plasma source 6 when the measured film thickness is a second value smaller than the first value. The power supply 8 is controlled so that As a specific example, the control unit 90 sets the frequency of the power supply 8 when the measured film thickness is a first value to be higher than the frequency when the measured film thickness is a second value smaller than the first value. to control the power supply 8. That is, the controller 90 controls the power supply 8 so that the plasma output is increased when the measured film thickness is large. As a result, when the film thickness to be measured is large, the amount of active species supplied to the liquid film F can be increased. On the other hand, the control unit 90 controls the power supply 8 so that the plasma output becomes small when the measured film thickness is small. As a result, when the film thickness to be measured is small, the amount of active species supplied to the liquid film F can be reduced. Therefore, it is possible to reduce variations in processing speed due to differences in measured film thickness.

なお、制御部９０は、測定膜厚に対して電源８の周波数を連続的に変化させてもよく、あるいは、段階的に変化させてもよい。測定膜厚と周波数との対応関係は例えば実験またはシミュレーションにより予め設定され得る。当該対応関係を示す対応関係情報は、例えば記憶媒体９２１に予め記憶されていてもよい。当該対応関係情報は、例えばルックアップテーブル形式で記憶されてもよく、あるいは、関数式で記憶されてもよい。 Note that the control unit 90 may change the frequency of the power supply 8 continuously or stepwise with respect to the film thickness to be measured. A correspondence relationship between the measured film thickness and the frequency can be set in advance by, for example, an experiment or a simulation. Correspondence information indicating the correspondence may be stored in the storage medium 921 in advance, for example. The correspondence information may be stored, for example, in the form of a lookup table, or may be stored in the form of a functional expression.

また、制御部９０は、電源８が高周波電圧をプラズマ源６に出力するオン期間を制御してもよい。オン期間が長くなるほど、プラズマ出力は高くなる。要するに、制御部９０は電源８の周期に対するオン期間の比（＝デューティ）を制御してもよい。デューティが高くなるほど、プラズマ出力は高くなる。あるいは、制御部９０は、デューティに替えて、もしくはデューティとともに、電源８の出力電圧の大きさ（つまり、振幅）を制御してもよい。出力電圧が大きくなるほど、プラズマ出力は高くなる。 The controller 90 may also control the ON period during which the power supply 8 outputs the high frequency voltage to the plasma source 6 . The longer the ON period, the higher the plasma power. In short, the control unit 90 may control the ratio of the ON period to the period of the power supply 8 (=duty). The higher the duty, the higher the plasma output. Alternatively, the control section 90 may control the magnitude (that is, the amplitude) of the output voltage of the power supply 8 instead of or in addition to the duty. The higher the output voltage, the higher the plasma power.

図１０は、第２の実施の形態にかかる処理ユニット１３０の動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１１からステップＳ１３はステップＳ１からステップＳ３とそれぞれ同じである。 FIG. 10 is a flow chart showing an example of the operation of the processing unit 130 according to the second embodiment. Steps S11 to S13 are the same as steps S1 to S3, respectively.

制御部９０は膜厚測定工程（ステップＳ１３）によって測定された測定膜厚に基づいて、プラズマ工程（ステップＳ１５）において電源８が出力する出力電圧を決定する（ステップＳ１４：決定工程）。具体的には、制御部９０は、測定膜厚が第１値であるときの電源８の周波数が、測定膜厚が第１値よりも小さい第２値であるときの周波数よりも高くなるように、周波数を決定する。 The control unit 90 determines the output voltage output from the power supply 8 in the plasma process (step S15) based on the measured film thickness measured in the film thickness measurement process (step S13) (step S14: determination process). Specifically, the control unit 90 controls the frequency of the power supply 8 when the measured film thickness is the first value to be higher than the frequency when the measured film thickness is the second value smaller than the first value. to determine the frequency.

ここでは一例として、測定膜厚と周波数との対応関係を示す対応関係情報が記憶媒体９２１に予め記憶される。制御部９０は膜厚測定工程において測定された測定膜厚と、記憶媒体９２１に記憶された対応関係情報とに基づいて、周波数を決定する。 Here, as an example, the correspondence information indicating the correspondence between the measured film thickness and the frequency is pre-stored in the storage medium 921 . The control unit 90 determines the frequency based on the measured film thickness measured in the film thickness measurement process and the correspondence information stored in the storage medium 921 .

次に、決定工程において決定された周波数でプラズマ源６への出力電圧を制御しつつ、プラズマ処理を行う（ステップＳ１５：プラズマ工程）。プラズマ工程においては、移動機構５２がプラズマ源６および遮断部材７をプラズマ待機位置からプラズマ処理位置に一体に移動させる。このプラズマ処理位置は例えば予め設定された位置であってもよく、第１の実施の形態のように測定膜厚に応じて決定されてもよい。 Next, plasma processing is performed while controlling the output voltage to the plasma source 6 at the frequency determined in the determining step (step S15: plasma step). In the plasma process, the moving mechanism 52 moves the plasma source 6 and the shielding member 7 integrally from the plasma standby position to the plasma processing position. This plasma processing position may be, for example, a preset position, or may be determined according to the measured film thickness as in the first embodiment.

また、このプラズマ工程において、電源８はプラズマ源６に電力を供給する。具体的には、電源８は、決定工程において決定された周波数で高周波電圧をプラズマ源６に出力する。これにより、プラズマ源６の周囲のガスがプラズマ化する。このプラズマ化に伴って種々の活性種が生成される。プラズマ源６がプラズマ処理位置に位置する状態でプラズマ源６が周囲のガスをプラズマ化させることにより、活性種が基板Ｗの上面の処理液の液膜Ｆに作用する。これにより、処理液の処理性能が高まる。具体的には、活性種と硫酸との反応により、処理性能（ここでは酸化力）の高いカロ酸が生成される。当該カロ酸が基板Ｗのレジストに作用することで、レジストを速やかに酸化除去することができる。 The power supply 8 also supplies power to the plasma source 6 in this plasma process. Specifically, the power supply 8 outputs a high frequency voltage to the plasma source 6 at the frequency determined in the determination step. As a result, the gas around the plasma source 6 becomes plasma. Various active species are generated in association with this plasmatization. While the plasma source 6 is positioned at the plasma processing position, the plasma source 6 transforms the surrounding gas into plasma, and active species act on the liquid film F of the processing liquid on the upper surface of the substrate W. FIG. This enhances the processing performance of the processing liquid. Specifically, the reaction between active species and sulfuric acid produces caro's acid with high processing performance (here, oxidizing power). The Caro's acid acts on the resist on the substrate W, so that the resist can be quickly oxidized and removed.

基板Ｗの上面のレジストが十分に除去されると、移動機構５２はプラズマ源６および遮断部材７をプラズマ処理位置からプラズマ待機位置へ一体に移動させ、また、電源８がプラズマ源６への電力供給を停止する。 When the resist on the upper surface of the substrate W is sufficiently removed, the moving mechanism 52 moves the plasma source 6 and the blocking member 7 integrally from the plasma processing position to the plasma standby position, and the power source 8 supplies power to the plasma source 6. stop the supply.

次に、処理ユニット１３０はステップＳ６と同様にリンス処理を行い（ステップＳ１６：リンス工程）、ステップＳ７と同様に乾燥処理を行う（ステップＳ１７：乾燥工程）。 Next, the processing unit 130 performs a rinse process as in step S6 (step S16: rinse process), and a drying process as in step S7 (step S17: drying process).

以上のように、第２の実施の形態では、基板Ｗの上面の液膜Ｆの膜厚に基づいて、プラズマ出力が制御される。具体的には、液膜Ｆの膜厚が大きいほどプラズマ出力が大きくなるように電源８の出力電圧が制御される。よって、膜厚が大きいときには、より多くの活性種を基板Ｗの上面の液膜Ｆに供給することができ、膜厚が小さいときには、より少ない活性種を基板Ｗの上面の液膜Ｆに供給することができる。したがって、液膜Ｆの膜厚の相違に応じた処理速度のばらつきを低減させることができる。 As described above, in the second embodiment, the plasma output is controlled based on the film thickness of the liquid film F on the upper surface of the substrate W. FIG. Specifically, the output voltage of the power supply 8 is controlled so that the plasma output increases as the film thickness of the liquid film F increases. Therefore, when the film thickness is large, more active species can be supplied to the liquid film F on the upper surface of the substrate W, and when the film thickness is small, less active species can be supplied to the liquid film F on the upper surface of the substrate W. can do. Therefore, it is possible to reduce the variation in the processing speed according to the difference in the film thickness of the liquid film F.

＜第３の実施の形態＞
図１１は、第３の実施の形態にかかる処理ユニット１３０の構成の一例を概略的に示す図である。以下では、第３の実施の形態にかかる処理ユニット１３０を処理ユニット１３０Ａと呼ぶ。処理ユニット１３０Ａは、ガス供給部１０を除いて、第１および第２の実施の形態にかかる処理ユニット１３０と同様の構成を有している。 <Third Embodiment>
FIG. 11 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the processing unit 130 according to the third embodiment. The processing unit 130 according to the third embodiment is hereinafter referred to as a processing unit 130A. The processing unit 130A has the same configuration as the processing unit 130 according to the first and second embodiments except for the gas supply section 10. As shown in FIG.

ガス供給部１０は制御部９０によって制御され、基板保持部２によって保持された基板Ｗとプラズマ源６との間に処理ガスを供給する。処理ガスは、プラズマが処理ガスに作用することにより活性種を生成するガスであり、例えば、酸素を含む酸素含有ガスである。酸素含有ガスは、例えば、酸素ガス、オゾンガス、二酸化炭素ガス、空気、または、これらの少なくとも二つの混合ガスを含む。ガス供給部１０は、さらにキャリアガスも供給してもよい。キャリアガスは、アルゴンガス等の希ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれかを含む。 The gas supply unit 10 is controlled by the control unit 90 to supply the processing gas between the substrate W held by the substrate holding unit 2 and the plasma source 6 . The processing gas is a gas that generates active species when plasma acts on the processing gas, and is, for example, an oxygen-containing gas containing oxygen. Oxygen-containing gas includes, for example, oxygen gas, ozone gas, carbon dioxide gas, air, or a mixture of at least two of these gases. The gas supply unit 10 may also supply a carrier gas. The carrier gas contains at least one of a rare gas such as argon gas and nitrogen gas.

ガス供給部１０はガスを吐出する給気口１１ａを有しており、図１１の例では、給気口１１ａは、プラズマ源６と基板Ｗとの間の空間に対して、径方向外側に位置している。図１１の例では、複数の給気口１１ａが設けられている。複数の給気口１１ａは例えばプラズマ源６と基板Ｗとの間の空間に対して径方向外側において、周方向で等間隔に設けられる。 The gas supply unit 10 has an air supply port 11a for discharging gas, and in the example of FIG. positioned. In the example of FIG. 11, a plurality of air supply ports 11a are provided. The plurality of air supply ports 11a are provided, for example, at the outer side in the radial direction with respect to the space between the plasma source 6 and the substrate W at equal intervals in the circumferential direction.

給気口１１ａは給気管１１の下流端に形成されており、給気管１１の上流端はガス供給源１４に接続される。図１１の例では、給気管１１は複数の分岐管１１１と共通管１１２とを含む。各分岐管１１１の下流端が給気口１１ａに相当し、各分岐管１１１の上流端は共通して共通管１１２の下流端に接続される。共通管１１２の上流端はガス供給源１４に接続される。ガス供給源１４は処理ガスを給気管１１の上流端（具体的には共通管１１２の上流端）に供給する。給気管１１（より具体的には共通管１１２）にはバルブ１２および流量調整部１３が介装されている。バルブ１２は制御部９０によって制御される。バルブ１２が開くことにより、ガス供給源１４からの処理ガスが給気管１１を流れて各給気口１１ａから流出する。流量調整部１３は制御部９０によって制御され、給気管１１を流れる処理ガスの流量を調整する。流量調整部１３は例えばマスフローコントローラである。 The air supply port 11 a is formed at the downstream end of the air supply pipe 11 , and the upstream end of the air supply pipe 11 is connected to the gas supply source 14 . In the example of FIG. 11 , the air supply pipe 11 includes multiple branch pipes 111 and a common pipe 112 . The downstream end of each branch pipe 111 corresponds to the air supply port 11 a , and the upstream end of each branch pipe 111 is commonly connected to the downstream end of a common pipe 112 . The upstream end of common pipe 112 is connected to gas supply 14 . The gas supply source 14 supplies process gas to the upstream end of the air supply pipe 11 (specifically, the upstream end of the common pipe 112). A valve 12 and a flow control unit 13 are interposed in the air supply pipe 11 (more specifically, the common pipe 112). Valve 12 is controlled by controller 90 . By opening the valve 12, the processing gas from the gas supply source 14 flows through the air supply pipe 11 and out of each air supply port 11a. The flow rate adjusting section 13 is controlled by the control section 90 and adjusts the flow rate of the processing gas flowing through the air supply pipe 11 . The flow rate adjusting unit 13 is, for example, a mass flow controller.

図１１の例では、給気管１１は遮断部材７に取り付けられている。図１１の例では、遮断部材７はカバー部７１と垂下部７２とを含む。カバー部７１はプラズマ源６よりも鉛直上方に設けられている。カバー部７１は例えば円板形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。カバー部７１の側面はプラズマ源６よりも径方向外側に位置している。垂下部７２はカバー部７１の周縁から鉛直下方に延在し、その先端部がプラズマ源６よりも鉛直下方に位置する。図１１の例では、給気管１１の下流部分は遮断部材７の垂下部７２の先端部を径方向に貫通する。給気口１１ａは例えば垂下部７２の内側面に形成される。 In the example of FIG. 11, the air supply pipe 11 is attached to the blocking member 7 . In the example of FIG. 11 , the blocking member 7 includes a cover portion 71 and a drooping portion 72 . The cover part 71 is provided vertically above the plasma source 6 . The cover portion 71 has, for example, a disc shape, and is provided in a posture in which the thickness direction thereof extends along the vertical direction. The side surface of the cover portion 71 is located radially outside the plasma source 6 . The drooping portion 72 extends vertically downward from the peripheral edge of the cover portion 71 , and its tip portion is located vertically below the plasma source 6 . In the example of FIG. 11, the downstream portion of the air supply pipe 11 radially penetrates the leading end of the drooping portion 72 of the blocking member 7 . The air supply port 11a is formed on the inner surface of the drooping portion 72, for example.

垂下部７２はカバー部７１の周縁の全周に立設されていてもよく、あるいは、給気口１１ａを形成する周方向部分のみに設けられていてもよい。後者の場合、複数の垂下部７２が周方向において間隔を空けて設けられる。 The drooping portion 72 may be provided upright on the entire peripheral edge of the cover portion 71, or may be provided only on the circumferential portion forming the air supply port 11a. In the latter case, a plurality of hanging portions 72 are provided at intervals in the circumferential direction.

プラズマ源６がプラズマ処理位置に位置する状態で、ガス供給部１０が処理ガスをプラズマ源６と基板Ｗとの間の処理空間に供給することにより、処理空間において、酸素ラジカル等の活性種を効果的に発生させることができる。また、この処理ガスの流量が大きいほど、酸素ラジカル等の活性種の発生量を増加させることができる。 With the plasma source 6 positioned at the plasma processing position, the gas supply unit 10 supplies the processing gas to the processing space between the plasma source 6 and the substrate W, thereby generating active species such as oxygen radicals in the processing space. can be generated effectively. In addition, as the flow rate of the processing gas increases, the amount of active species such as oxygen radicals generated can be increased.

第３の実施の形態では、制御部９０は、センサ４によって測定された液膜Ｆの測定膜厚に基づいて、処理ガスの流量を調整する。具体的には、制御部９０は、測定膜厚が第１値であるときの処理ガスの流量が、測定膜厚が第１値よりも小さな第２値であるときの処理ガスの流量よりも大きくなるように、ガス供給部１０（より具体的には、流量調整部１３）を制御する。つまり、制御部９０は測定膜厚が大きいときには処理ガスの流量が大きくなるように、流量調整部１３を制御する。これにより、測定膜厚が大きいときには、液膜Ｆに供給する活性種の量を増加させることができる。一方で、制御部９０は測定膜厚が小さいときには処理ガスの流量が小さくなるように流量調整部１３を制御する。これにより、測定膜厚が小さいときには、液膜Ｆに供給する活性種の量を低減させることができる。したがって、液膜Ｆの膜厚の相違に応じた処理速度のばらつきを低減させることができる。 In the third embodiment, the controller 90 adjusts the flow rate of the processing gas based on the thickness of the liquid film F measured by the sensor 4 . Specifically, the controller 90 controls the flow rate of the processing gas when the measured film thickness is the first value to be higher than the flow rate of the processing gas when the measured film thickness is a second value smaller than the first value. The gas supply unit 10 (more specifically, the flow rate adjustment unit 13) is controlled so as to increase. That is, the control unit 90 controls the flow rate adjusting unit 13 so that the flow rate of the processing gas increases when the measured film thickness is large. As a result, when the film thickness to be measured is large, the amount of active species supplied to the liquid film F can be increased. On the other hand, the control unit 90 controls the flow rate adjusting unit 13 so that the flow rate of the processing gas becomes small when the measured film thickness is small. As a result, when the film thickness to be measured is small, the amount of active species supplied to the liquid film F can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the variation in the processing speed according to the difference in the film thickness of the liquid film F.

なお、制御部９０は、測定膜厚に対して処理ガスの流量を連続的に変化させてもよく、あるいは、段階的に変化させてもよい。測定膜厚と処理ガスの流量との対応関係は例えば実験またはシミュレーションにより予め設定され得る。当該対応関係を示す対応関係情報は、例えば記憶媒体９２１に予め記憶されていてもよい。当該対応関係情報は、例えばルックアップテーブル形式で記憶されてもよく、あるいは、関数式で記憶されてもよい。 The controller 90 may change the flow rate of the processing gas continuously or stepwise with respect to the measured film thickness. The correspondence relationship between the measured film thickness and the flow rate of the processing gas can be set in advance by experiment or simulation, for example. Correspondence information indicating the correspondence may be stored in the storage medium 921 in advance, for example. The correspondence information may be stored, for example, in the form of a lookup table, or may be stored in the form of a functional expression.

図１２は、第３の実施の形態にかかる処理ユニット１３０Ａの動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ２１からステップＳ２３はステップＳ１からステップＳ３とそれぞれ同じである。 FIG. 12 is a flow chart showing an example of the operation of the processing unit 130A according to the third embodiment. Steps S21 to S23 are the same as steps S1 to S3, respectively.

制御部９０は膜厚測定工程（ステップＳ２３）によって測定された測定膜厚に基づいて、プラズマ工程（ステップＳ２５）において供給される処理ガスの流量を決定する（ステップＳ２４：決定工程）。具体的には、制御部９０は、測定膜厚が第１値であるときの処理ガスの流量が、測定膜厚が第１値よりも小さい第２値であるときの処理ガスの流量よりも大きくなるように、処理ガスの流量を決定する。 The controller 90 determines the flow rate of the processing gas supplied in the plasma process (step S25) based on the film thickness measured in the film thickness measurement process (step S23) (step S24: determination process). Specifically, the controller 90 controls the flow rate of the processing gas when the measured film thickness is the first value to be higher than the flow rate of the processing gas when the measured film thickness is a second value smaller than the first value. Determine the flow rate of the process gas so as to increase.

ここでは一例として、測定膜厚と処理ガスの流量との対応関係を示す対応関係情報が記憶媒体９２１に予め記憶される。制御部９０は、膜厚測定工程によって測定された測定膜厚と、記憶媒体９２１に記憶された対応関係情報とに基づいて、処理ガスの流量を決定する。 Here, as an example, the correspondence information indicating the correspondence between the measured film thickness and the flow rate of the processing gas is stored in advance in the storage medium 921 . The control unit 90 determines the flow rate of the processing gas based on the measured film thickness measured in the film thickness measurement process and the correspondence information stored in the storage medium 921 .

次に、決定工程において決定された処理ガスの流量で流量調整部１３を制御しつつ、プラズマ処理を行う（ステップＳ２５：プラズマ工程）。プラズマ工程においては、移動機構５２がプラズマ源６をプラズマ待機位置からプラズマ処理位置に移動させる。このプラズマ処理位置は例えば予め設定された位置であってもよく、第１の実施の形態のように測定膜厚に応じて決定されてもよい。 Next, plasma processing is performed while controlling the flow rate adjusting unit 13 with the flow rate of the processing gas determined in the determining step (step S25: plasma step). In the plasma process, the moving mechanism 52 moves the plasma source 6 from the plasma standby position to the plasma processing position. This plasma processing position may be, for example, a preset position, or may be determined according to the measured film thickness as in the first embodiment.

また、このプラズマ工程において、制御部９０はバルブ１２を開き、決定工程において決定された流量で処理ガスが流れるように流量調整部１３を制御する。処理ガスは当該流量で給気管１１を流れて給気口１１ａから流出し、プラズマ源６と基板Ｗとの間の処理空間内に供給される。 Also, in this plasma process, the control unit 90 opens the valve 12 and controls the flow rate adjustment unit 13 so that the processing gas flows at the flow rate determined in the determination process. The processing gas flows through the air supply pipe 11 at this flow rate, flows out from the air supply port 11a, and is supplied into the processing space between the plasma source 6 and the substrate W. FIG.

また、このプラズマ工程において、電源８はプラズマ源６に電力を供給する。電源８の出力電圧は予め設定されてもよく、あるいは、第２の実施の形態のように測定膜厚に応じて決定されてもよい。プラズマ源６への電力供給により、プラズマ源６の周囲のガスがプラズマ化する。そして、処理空間において、プラズマが処理ガスに作用することにより、酸素ラジカル、ヒドロキシルラジカルおよびオゾンガス等の種々の活性種が生じる。 The power supply 8 also supplies power to the plasma source 6 in this plasma process. The output voltage of the power supply 8 may be set in advance, or may be determined according to the measured film thickness as in the second embodiment. By supplying power to the plasma source 6, the gas around the plasma source 6 becomes plasma. In the processing space, the plasma acts on the processing gas to generate various active species such as oxygen radicals, hydroxyl radicals and ozone gas.

この活性種が基板Ｗの上面の処理液の液膜Ｆに作用する。これにより、処理液の処理性能が高まる。具体的には、活性種と硫酸との反応により、処理性能（ここでは酸化力）の高いカロ酸が生成される。当該カロ酸が基板Ｗのレジストに作用することで、レジストを速やかに酸化除去することができる。 This active species acts on the liquid film F of the processing liquid on the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. This enhances the processing performance of the processing liquid. Specifically, the reaction between active species and sulfuric acid produces caro's acid with high processing performance (here, oxidizing power). The Caro's acid acts on the resist on the substrate W, so that the resist can be quickly oxidized and removed.

基板Ｗの上面のレジストが十分に除去されると、制御部９０はバルブ１２を閉じ、移動機構５２はプラズマ源６をプラズマ処理位置からプラズマ待機位置へ移動させ、また、電源８がプラズマ源６への電力供給を停止する。 When the resist on the upper surface of the substrate W is sufficiently removed, the control unit 90 closes the valve 12, the moving mechanism 52 moves the plasma source 6 from the plasma processing position to the plasma standby position, and the power source 8 is turned on. cut off power to the

次に、処理ユニット１３０はステップＳ６と同様にリンス処理を行い（ステップＳ２６：リンス工程）、ステップＳ７と同様に乾燥処理を行う（ステップＳ２７：乾燥工程）。 Next, the processing unit 130 performs rinsing processing in the same manner as in step S6 (step S26: rinsing process), and performs drying processing in the same manner as in step S7 (step S27: drying process).

以上のように、第３の実施の形態では、基板Ｗの上面の液膜Ｆの膜厚に基づいて、処理ガスの流量が制御される。具体的には、液膜Ｆの膜厚が大きいほど処理ガスの流量が大きくなるように制御される。よって、膜厚が大きいときには、より多くの活性種を基板Ｗの上面の液膜Ｆに供給することができ、膜厚が小さいときには、より少ない活性種を基板Ｗの上面の液膜Ｆに供給することができる。したがって、液膜Ｆの膜厚の相違に応じた処理速度のばらつきを低減させることができる。 As described above, in the third embodiment, the flow rate of the processing gas is controlled based on the film thickness of the liquid film F on the upper surface of the substrate W. FIG. Specifically, control is performed so that the flow rate of the processing gas increases as the film thickness of the liquid film F increases. Therefore, when the film thickness is large, more active species can be supplied to the liquid film F on the upper surface of the substrate W, and when the film thickness is small, less active species can be supplied to the liquid film F on the upper surface of the substrate W. can do. Therefore, it is possible to reduce the variation in the processing speed according to the difference in the film thickness of the liquid film F.

以上のように、第１から第３の実施の形態では、調整対象のパラメータとして、プラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄ、電源８の出力電圧およびプラズマ源６と基板Ｗと間に供給される処理ガスの流量が採用された。これらの調整対象をパラメータという概念でまとめた場合の決定工程およびプラズマ工程は以下のように説明できる。 As described above, in the first to third embodiments, the parameters to be adjusted are the distance D between the plasma source 6 and the substrate W, the output voltage of the power supply 8, and the distance between the plasma source 6 and the substrate W The flow rate of the supplied process gas was employed. The determination process and the plasma process when these adjustment targets are grouped by the concept of parameters can be explained as follows.

各実施の形態における決定工程（ステップＳ４，Ｓ１４，Ｓ２４）は、センサ４によって測定された測定膜厚に基づいて、プラズマ源６と基板Ｗとの間の距離Ｄ、プラズマ源６に印加される出力電圧、および、プラズマ源６と基板Ｗとの間に供給されるガスの流量の少なくともいずれか一つのパラメータの値を決定する工程に相当する。 The determination process (steps S4, S14, S24) in each embodiment is based on the measured film thickness measured by the sensor 4, the distance D between the plasma source 6 and the substrate W, the applied to the plasma source 6 It corresponds to the step of determining the value of at least one of the output voltage and the flow rate of the gas supplied between the plasma source 6 and the substrate W.

また、各実施の形態におけるプラズマ工程（ステップＳ５，Ｓ１５，Ｓ２５）は、当該パラメータを決定工程で決定された値に制御しつつ、プラズマ源６が発生させたプラズマによる活性種を基板Ｗ上の液膜Ｆに供給する工程に相当する。 Further, in the plasma process (steps S5, S15, S25) in each embodiment, active species generated by the plasma generated by the plasma source 6 are placed on the substrate W while controlling the parameters to the values determined in the determination process. It corresponds to the step of supplying to the liquid film F.

以上のように、処理ユニット（基板処理装置）１３０，１３０Ａおよび基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この処理ユニット１３０，１３０Ａおよび基板処理方法がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 As described above, the processing units (substrate processing apparatuses) 130, 130A and the substrate processing method have been described in detail. A processing method is not limited to it. It is understood that numerous variations not illustrated can be envisioned without departing from the scope of this disclosure. Each configuration described in each of the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

例えば、プラズマ源６は図４に限らない。例えば、仕切部材６６が設けられていなくてもよい。この場合、第１電極部６１および第２電極部６２は同一の平面上に設けられてもよい。また、仕切部材６６が設けられていない場合には、ガスがプラズマ源６の第１誘電管６４および第２誘電管６５の間を鉛直方向に通過することができるので、給気口１１ａはプラズマ源６よりも鉛直上方において、プラズマ源６と鉛直方向に対向する位置に形成されてもよい。例えば給気口１１ａは遮断部材７のカバー部７１の下面に形成されていてもよい。 For example, the plasma source 6 is not limited to that shown in FIG. For example, the partition member 66 may not be provided. In this case, the first electrode portion 61 and the second electrode portion 62 may be provided on the same plane. In addition, if the partition member 66 is not provided, the gas can pass vertically between the first dielectric tube 64 and the second dielectric tube 65 of the plasma source 6, so that the air supply port 11a is not connected to the plasma. It may be formed vertically above the source 6 and at a position facing the plasma source 6 in the vertical direction. For example, the air supply port 11a may be formed on the lower surface of the cover portion 71 of the blocking member 7. As shown in FIG.

また、例えば、基板Ｗに対する処理は必ずしもレジスト除去処理に限らない。基板Ｗに対する処理として、活性種により処理液の処理能力を向上させることができる全ての処理を採用することができる。 Further, for example, the processing for the substrate W is not necessarily limited to the resist removal processing. As for the treatment of the substrate W, any treatment that can improve the processing ability of the treatment liquid by means of active species can be employed.

また、上述の例では、基板Ｗ上の処理液の液膜Ｆの膜厚のばらつきは、処理液の流量ばらつきおよび基板Ｗの回転速度のばらつき等の諸要因によって生成されるとした。しかしながら、液膜Ｆの膜厚の目標値が変更される場合もある。この場合であっても、センサ４によって測定された測定膜厚に基づいて、基板Ｗ上の液膜Ｆに供給される活性種の量が適切に調整される。 Further, in the above example, it is assumed that variations in the film thickness of the liquid film F of the processing liquid on the substrate W are caused by various factors such as variations in the flow rate of the processing liquid and variations in the rotation speed of the substrate W. FIG. However, the target value of the film thickness of the liquid film F may be changed. Even in this case, the amount of active species supplied to the liquid film F on the substrate W is appropriately adjusted based on the film thickness measured by the sensor 4 .

１０ ガス供給部
１３０，１３０Ａ 基板処理装置（処理ユニット）
２ 基板保持部
３ ノズル
４ センサ
５２ 移動機構
６ プラズマ源
８ 電源
９０ 制御部
Ｓ１，Ｓ１１，Ｓ２１ 保持工程（ステップ）
Ｓ２，Ｓ１２，Ｓ２２ 液供給工程（ステップ）
Ｓ３，Ｓ１３，Ｓ２３ 膜厚測定工程（ステップ）
Ｓ５，Ｓ１５，Ｓ２５ プラズマ工程（ステップ） 10 gas supply unit 130, 130A substrate processing apparatus (processing unit)
2 Substrate holding part 3 Nozzle 4 Sensor 52 Moving mechanism 6 Plasma source 8 Power supply 90 Control part S1, S11, S21 Holding process (step)
S2, S12, S22 liquid supply step (step)
S3, S13, S23 Film thickness measurement process (step)
S5, S15, S25 plasma process (step)

Claims (5)

基板保持部が基板を保持する保持工程と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面にノズルから処理液を供給する液供給工程と、
センサが前記基板の前記主面上の前記処理液の膜厚を測定する膜厚測定工程と、
前記センサによって測定された前記膜厚である測定膜厚に基づいて、プラズマ源と前記基板との間の距離、前記プラズマ源に印加される出力電圧、および、前記プラズマ源と前記基板との間に供給される処理ガスの流量の少なくともいずれか一つを変化させ、前記プラズマ源が発生させたプラズマによる活性種を前記基板の前記主面上の前記処理液に供給するプラズマ工程と
を備える、基板処理方法。 a holding step in which the substrate holding portion holds the substrate;
a liquid supply step of supplying a processing liquid from a nozzle onto the main surface of the substrate held by the substrate holding part;
a film thickness measuring step in which a sensor measures the film thickness of the treatment liquid on the main surface of the substrate;
Based on the measured film thickness, which is the film thickness measured by the sensor, the distance between the plasma source and the substrate, the output voltage applied to the plasma source, and the distance between the plasma source and the substrate. a plasma step of changing at least one flow rate of the processing gas supplied to the plasma source to supply active species by the plasma generated by the plasma source to the processing liquid on the main surface of the substrate; Substrate processing method. 請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記プラズマ工程において、前記測定膜厚が第１値であるときの前記プラズマ源と前記基板との間の距離が、前記測定膜厚が前記第１値よりも小さい第２値であるときの前記距離よりも短くなるように、前記プラズマ源の位置を変化させる、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 1,
In the plasma step, the distance between the plasma source and the substrate when the measured film thickness is a first value is the distance when the measured film thickness is a second value smaller than the first value. A method of processing a substrate, wherein the position of the plasma source is changed to be shorter than the distance. 請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記プラズマ工程において、前記測定膜厚が第１値であるときの前記プラズマ源のプラズマ出力が、前記測定膜厚が前記第１値よりも小さい第２値であるときの前記プラズマ出力よりも大きくなるように、電源から前記プラズマ源への出力電圧を変化させる、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 1 or 2,
In the plasma step, the plasma output of the plasma source when the measured film thickness is a first value is greater than the plasma output when the measured film thickness is a second value smaller than the first value. and varying an output voltage from a power supply to said plasma source such that: 請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記プラズマ工程において、処理ガスを前記プラズマ源と前記基板との間に供給し、前記測定膜厚が第１値であるときの前記処理ガスの前記流量が、前記測定膜厚が前記第１値よりも小さい第２値であるときの前記処理ガスの前記流量よりも大きくなるように、前記処理ガスの流量を変化させる、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3,
In the plasma process, a processing gas is supplied between the plasma source and the substrate, and the flow rate of the processing gas when the measured film thickness is the first value is set to the first value. changing the flow rate of the process gas to be greater than the flow rate of the process gas at a second value that is less than the second value. 基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に処理液を吐出するノズルと、
前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面と向かい合う位置に設けられ、プラズマを発生させるプラズマ源と、
前記基板の前記主面上の前記処理液の膜厚を測定するセンサと、
前記センサによって測定された前記膜厚である測定膜厚に基づいて、前記プラズマ源と前記基板との間の距離、前記プラズマ源に印加される出力電圧、および、前記プラズマ源と前記基板との間に供給される処理ガスの流量の少なくともいずれか一つを制御する制御部と
を備える、基板処理装置。 a substrate holder that holds the substrate;
a nozzle for ejecting a treatment liquid onto the main surface of the substrate held by the substrate holding part;
a plasma source that is provided at a position facing the main surface of the substrate held by the substrate holding part and generates plasma;
a sensor for measuring the film thickness of the treatment liquid on the main surface of the substrate;
Based on the measured film thickness, which is the film thickness measured by the sensor, the distance between the plasma source and the substrate, the output voltage applied to the plasma source, and the distance between the plasma source and the substrate. and a controller that controls at least one flow rate of a processing gas supplied between the substrate processing apparatus.
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