JP2022116688A - 光学モジュール、電気光学装置および画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】混合色の画像光（特に白色の画像光）に色ズレが生じることを抑制可能な光学モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の光学モジュールは、第１の波長域の光を出射する第１の発光素子と、第１の発光素子に対応する第１の発光制御トランジスタと、を有する第１の電気光学装置と、第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する第２の発光素子と、第２の発光素子に対応する第２の発光制御トランジスタと、を有する第２の電気光学装置と、第１の電気光学装置から出射される光と、第２の電気光学装置から出射される光とを合成するプリズムと、を備え、１フレームにおける第１の発光制御トランジスタがオン状態である第１の時間は、１フレームにおける第２の発光制御トランジスタがオン状態である第２の時間よりも短い。
【選択図】図４

Description

本発明は、光学モジュール、電気光学装置および画像表示装置に関する。

互いに異なる色の画像光を出射する複数の電気光学装置と、複数の電気光学装置から出射される画像光を合成するプリズムと、を備える光学モジュールが従来から知られている。電気光学装置として、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルなどの自発光型の電気光学装置が知られている。この種の光学モジュールは、ヘッドマウントディスプレイ及びプロジェクタ等の画像表示装置に従来から用いられている。

下記特許文献１には、各色の発光材料が有する最大発光効率に着目し、最大発光効率における電流密度で白色表示に必要な輝度を得られない色の発光材料に対しては、最大発光効率における電流密度よりも高い電流密度を印加するとともに、その発光材料の駆動デューティー比を最大とする技術が開示されている。この従来技術では、最大発光効率における電流密度で白色表示に必要な輝度を得られる色の発光材料に対しては、最大発光効率における電流密度を印加するとともに、その発光材料の駆動デューティー比を１００％以下にする。

特開２０１２－３２４５３号公報

上記従来技術によれば、白色表示を行う際の消費電力を最も抑えることができる。しかしながら、発光材料の劣化特性（寿命特性）は、発光材料が出射する光の波長域によって異なる。つまり、異なる波長域の光を出射する複数の発光材料を用いて画像光を生成する場合、各発光材料の寿命特性が異なることに起因して各発光材料の劣化速度が異なるため、混合色の画像光（特に白色の画像光）を生成したときに画像光に色ズレが発生する。

上記の課題を解決するために、本発明の一つの態様の光学モジュールは、第１の波長域の光を出射する第１の発光素子と、前記第１の発光素子に対応する第１の発光制御トランジスタと、を有する第１の電気光学装置と、前記第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する第２の発光素子と、前記第２の発光素子に対応する第２の発光制御トランジスタと、を有する第２の電気光学装置と、前記第１の電気光学装置から出射される光と、前記第２の電気光学装置から出射される光とを合成するプリズムと、を備え、１フレームにおける前記第１の発光制御トランジスタがオン状態である第１の時間は、前記１フレームにおける前記第２の発光制御トランジスタがオン状態である第２の時間よりも短い。

本発明の一つの態様の電気光学装置は、第１の波長域の光を出射する第１の画素と、前記第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する第２の画素と、を備え、前記第１の画素は、第１の発光素子と、前記第１の発光素子に対応する第１の発光制御トランジスタと、を含み、前記第２の画素は、第２の発光素子と、前記第２の発光素子に対応する第２の発光制御トランジスタと、を含み、１フレームにおける前記第１の発光制御トランジスタがオン状態である第１の時間は、前記１フレームにおける前記第２の発光制御トランジスタがオン状態である第２の時間よりも短い。

本発明の一つの態様の画像表示装置は、本発明の一つの態様の光学モジュール、または本発明の一つの態様の電気光学装置を備える。

本発明の一実施形態における光学モジュールの概略構成図である。 本実施形態の光学モジュールが備える第１の電気光学装置の全体構成を示す概略構成図である。 第１の電気光学装置に設けられた第１の画素が有する画素回路の構成を示す等価回路図である。 １フレームにおける第１の発光素子の発光状態と、１フレームにおける第２の発光素子の発光状態と、１フレームにおける第３の発光素子の発光状態との時間的な対応関係を示すタイミングチャートである。 第１の発光素子、第２の発光素子および第３の発光素子を１００％のデューティー比で駆動することにより白色の合成画像光を生成したときの、第１の電気光学装置、第２の電気光学装置および第３の電気光学装置の輝度半減寿命（ＬＴ５０）を示す図である。 第３の電気光学装置において一定の視認輝度を得るために必要なデューティー比と駆動輝度との対応関係と、各デューティー比で第３の発光素子を駆動したときの輝度半減寿命とを示す図である。 第２の発光素子を１００％のデューティー比で駆動したときの第２の電気光学装置の輝度半減寿命曲線を示すグラフである。 第１の発光素子を１００％のデューティー比で駆動したときの第１の電気光学装置の輝度半減寿命曲線を示すグラフである。 図７に示した第２の電気光学装置の輝度半減寿命曲線と、図８に示した第１の電気光学装置の輝度半減寿命曲線と、第１の発光素子を４２％のデューティー比で駆動したときの第１の電気光学装置の輝度半減寿命曲線とを示すグラフである。 第１の発光素子の駆動デューティー比と第１の電気光学装置の輝度半減寿命との関係を示す図である。 ３つの実施例と、３つの比較例とのそれぞれについて、色ズレの評価指標であるΔｕ’ｖ’と、第１の発光素子の駆動デューティー比と、第２の発光素子の駆動デューティー比と、第３の発光素子の駆動デューティー比との関係を調査した結果を示す図である。 本実施形態の光学モジュールを備える画像表示装置の一例である頭部装着型表示装置を模式的に示す図である。 頭部装着型表示装置における虚像表示部の光学系の構成を模式的に示す斜視図である。 頭部装着型表示装置における虚像表示部の光学系の光路を示す説明図である。 本実施形態の光学モジュールを備える画像表示装置の一例である投射型表示装置を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態における電気光学装置の概略構成図である。 本実施形態の電気光学装置に設けられた第１の画素、第２の画素および第３の画素が有する画素回路の構成を示す等価回路図である。 本実施形態の電気光学装置を備える画像表示装置の一例である投射型表示装置を模式的に示す図である。 画素回路の変形例を示す図である。

以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。

〔光学モジュール〕
図１は、本発明の一実施形態における光学モジュール１の概略構成図である。図１に示すように、光学モジュール１は、第１の電気光学装置１０Ｒと、第２の電気光学装置１０Ｂと、第３の電気光学装置１０Ｇと、ダイクロイックプリズム２０（プリズム）と、を備える。

第１の電気光学装置１０Ｒは、第１の画像光ＬＲをダイクロイックプリズム２０に出射する自発光型の電気光学装置である。第２の電気光学装置１０Ｂは、第２の画像光ＬＢをダイクロイックプリズム２０に出射する自発光型の電気光学装置である。第３の電気光学装置１０Ｇは、第３の画像光ＬＧをダイクロイックプリズム２０に出射する自発光型の電気光学装置である。自発光型の電気光学装置とは、バックライトなどの光源を必要とせずに、外部から与えられた電気的エネルギーによって自ら光を発生する装置である。本実施形態において、第１の電気光学装置１０Ｒ、第２の電気光学装置１０Ｂ及び第３の電気光学装置１０Ｇは、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルである。

第１の電気光学装置１０Ｒは、複数の第１の画素１１Ｒを有する。複数の第１の画素１１Ｒは、第１の電気光学装置１０Ｒの基板上においてマトリクス状に配置されている。第１の画素１１Ｒは、第１の波長域の光を出射する。本実施形態において、第１の波長域の光は、赤色の光である。すなわち、第１の波長域は、例えば６１０ｎｍから６８０ｎｍまでの波長を含む。以下の説明において、第１の波長域の光を「赤色光」と呼称する場合がある。第１の電気光学装置１０Ｒから出射される第１の画像光ＬＲは、複数の第１の画素１１Ｒの各々から出射される赤色光を含む。従って、第１の画像光ＬＲも、第１の波長域の画像光、すなわち赤色の画像光である。

第１の電気光学装置１０Ｒは、マトリクス状に配置された複数の第１の画素１１Ｒを含む第１の画素領域１２Ｒと、第１の画素領域１２Ｒの周囲を囲む第１の非画素領域１３Ｒと、を有する。第１の電気光学装置１０Ｒは、ダイクロイックプリズム２０の赤色光入射面２３に対向する状態で、透光性を有する第１の接着剤層４０Ｒを介して赤色光入射面２３に接着されている。言い換えれば、第１の画像光ＬＲが赤色光入射面２３に対して垂直に入射されるように、第１の電気光学装置１０Ｒは配置されている。

第２の電気光学装置１０Ｂは、複数の第２の画素１１Ｂを有する。複数の第２の画素１１Ｂは、第２の電気光学装置１０Ｂの基板上においてマトリクス状に配置されている。第２の画素１１Ｂは、第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する。本実施形態において、第２の波長域の光は、青色の光である。すなわち、第２の波長域は、例えば４５０ｎｍから４９０ｎｍまでの波長を含む。以下の説明において、第２の波長域の光を「青色光」と呼称する場合がある。第２の電気光学装置１０Ｂから出射される第２の画像光ＬＢは、複数の第２の画素１１Ｂの各々から出射される青色光を含む。従って、第２の画像光ＬＢも、第２の波長域の画像光、すなわち青色の画像光である。

第２の電気光学装置１０Ｂは、マトリクス状に配置された複数の第２の画素１１Ｂを含む第２の画素領域１２Ｂと、第２の画素領域１２Ｂの周囲を囲む第２の非画素領域１３Ｂと、を有する。第２の電気光学装置１０Ｂは、ダイクロイックプリズム２０の青色光入射面２１に対向する状態で、透光性を有する第２の接着剤層４０Ｂを介して青色光入射面２１に接着されている。言い換えれば、第２の画像光ＬＢが青色光入射面２１に対して垂直に入射されるように、第２の電気光学装置１０Ｂは配置されている。

第３の電気光学装置１０Ｇは、複数の第３の画素１１Ｇを有する。複数の第３の画素１１Ｇは、第３の電気光学装置１０Ｇの基板上においてマトリクス状に配置されている。第３の画素１１Ｇは、第１の波長域よりも短く且つ第２の波長域よりも長い第３の波長域の光を出射する。本実施形態において、第３の波長域の光は、緑色の光である。すなわち、第３の波長域は、例えば４９５ｎｍから５７０ｎｍまでの波長を含む。以下の説明において、第３の波長域の光を「緑色光」と呼称する場合がある。第３の電気光学装置１０Ｇから出射される第３の画像光ＬＧは、複数の第３の画素１１Ｇの各々から出射される緑色光を含む。従って、第３の画像光ＬＧも、第３の波長域の画像光、すなわち緑色の画像光である。

第３の電気光学装置１０Ｇは、マトリクス状に配置された複数の第３の画素１１Ｇを含む第３の画素領域１２Ｇと、第３の画素領域１２Ｇの周囲を囲む第３の非画素領域１３Ｇと、を有する。第３の電気光学装置１０Ｇは、ダイクロイックプリズム２０の緑色光入射面２２に対向する状態で、透光性を有する第３の接着剤層４０Ｇを介して緑色光入射面２２に接着されている。言い換えれば、第３の画像光ＬＧが緑色光入射面２２に対して垂直に入射されるように、第３の電気光学装置１０Ｇは配置されている。

第１の画像光ＬＲ、第２の画像光ＬＢ、および第３の画像光ＬＧのそれぞれは、偏光特性を有していない。すなわち、第１の画像光ＬＲ、第２の画像光ＬＢ、および第３の画像光ＬＧのそれぞれは、特定の振動方向を有していない無偏光の光である。なお、無偏向の光、すなわち偏光特性を有していない光は、完全に無偏光の状態ではなく、ある程度の偏光成分は含まれているが、例えばダイクロイックミラー等の光学部品に対して光学性能には積極的に影響を及ぼさないとみなされる範囲の偏光度、例えば２０％以下の偏光度を有する光のことである。

ダイクロイックプリズム２０は、四角柱状の形状をなす透光性部材から構成されている。また、四角柱状の透光性部材は、４個の三角柱状の透光性部材が組み合わされて構成されている。ダイクロイックプリズム２０は、青色光入射面２１と、青色光入射面２１に対向する赤色光入射面２３と、青色光入射面２１および赤色光入射面２３と垂直に接する緑色光入射面２２と、緑色光入射面２２に対向する合成光出射面２４と、を有する。

ダイクロイックプリズム２０は、偏光分離特性を有していない第１のダイクロイックミラー２５と、偏光分離特性を有していない第２のダイクロイックミラー２６と、を有する。第１のダイクロイックミラー２５と第２のダイクロイックミラー２６とは、互いに９０°の角度で交差している。第１のダイクロイックミラー２５は、青色光入射面２１を介して入射される第２の画像光ＬＢを合成光出射面２４に向けて反射し、緑色光入射面２２を介して入射される第３の画像光ＬＧを合成光出射面２４に向けて透過する。第２のダイクロイックミラー２６は、赤色光入射面２３を介して入射される第１の画像光ＬＲを合成光出射面２４に向けて反射し、緑色光入射面２２を介して入射される第３の画像光ＬＧを合成光出射面２４に向けて透過する。これら第１のダイクロイックミラー２５及び第２のダイクロイックミラー２６の特性により、第１の画像光ＬＲと、第２の画像光ＬＢと、第３の画像光ＬＧとが合成されて得られた合成画像光ＬＷが合成光出射面２４から出射される。

図２は、第１の電気光学装置１０Ｒの全体構成を示す概略構成図である。
第１の電気光学装置１０Ｒ、第２の電気光学装置１０Ｂ及び第３の電気光学装置１０Ｇの基本構成は共通であるため、以下では代表的に第１の電気光学装置１０Ｒの全体構成について説明する。図２において、第１の電気光学装置１０Ｒの水平方向をＸ方向とし、第１の電気光学装置１０Ｒの垂直方向をＹ方向とする。

図２に示すように、第１の電気光学装置１０Ｒの基板１４の第１面１４ａには、第１の画素領域１２Ｒと、第１の非画素領域１３Ｒとが設けられている。また、第１の非画素領域１３Ｒは、周辺領域１５と、実装領域１６とを含む。第１の画素領域１２Ｒは、複数の第１の画素１１Ｒがマトリクス状に配置された矩形状の領域である。第１の画素領域１２Ｒには、Ｘ方向に延在する複数の走査線３１と、各走査線３１に対応してＸ方向に延在する複数の制御線３２と、Ｘ方向と交差するＹ方向に延在する複数のデータ線３３と、が設けられている。第１の画素１１Ｒは、複数の走査線３１と複数のデータ線３３との各交差に対応した領域である。したがって、複数の第１の画素１１Ｒは、Ｘ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列されている。第１の画素１１Ｒは、図３に示すような画素回路を有する。第１の画素１１Ｒが有する画素回路の構成については後述する。

周辺領域１５は、第１の画素領域１２Ｒを囲む矩形枠状の領域である。３つの駆動回路３５は、周辺領域１５内に設けられている。３つの駆動回路３５は、第１の画素領域１２Ｒ内の各第１の画素１１Ｒを駆動する回路である。駆動回路３５は、２つの走査線駆動回路３６と、データ線駆動回路３７とを含む。第１の電気光学装置１０Ｒは、駆動回路３５が基板１４の第１面１４ａ上に形成されたトランジスタ等の能動素子で構成される回路内蔵型の電気光学装置である。

実装領域１６は、周辺領域１５を挟んで第１の画素領域１２Ｒとは反対側、すなわち、周辺領域１５の外側に設けられている。実装領域１６には、複数の実装端子３９が設けられている。制御信号及び電源電位は、制御回路及び電源回路等を含む各種の外部回路（図示省略）から実装端子３９に供給される。外部回路は、例えば実装領域１６に接続されたフレキシブル配線基板（図示省略）に実装される。

図３は、第１の画素１１Ｒが有する画素回路の構成を示す等価回路図である。
複数の第１の画素１１Ｒの各々が有する画素回路の構成は共通しているため、以下ではｉ行ｊ列に位置する第１の画素１１Ｒが有する画素回路を例に挙げて説明する。なお、「ｉ」は、第１の画素１１Ｒが配置される行の番号を一般的に示す記号であって、１以上且つｍ以下の整数である。「ｊ」は、第１の画素１１Ｒが配置される列の番号を一般的に示す記号であって、１以上且つｎ以下の整数である。

図３に示すように、第１の画素１１Ｒの画素回路は、第１の選択トランジスタ５１Ｒと、第１の駆動トランジスタ５２Ｒと、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒと、第１の発光素子５４Ｒと、第１の保持容量５５Ｒと、を有する。本実施形態において、第１の選択トランジスタ５１Ｒ、第１の駆動トランジスタ５２Ｒ、および第１の発光制御トランジスタ５３Ｒは、それぞれ、Ｐチャネル型のＭＯＳ－ＦＥＴである。

第１の選択トランジスタ５１Ｒのゲート電極は、ｉ行目の走査線３１と電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ５１Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、ｊ列目のデータ線３３と電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ５１Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、第１の駆動トランジスタ５２Ｒのゲート電極、および第１の保持容量５５Ｒの一方の電極と電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ５１Ｒのバックゲートは、電源電位が印加される電源配線６１と電気的に接続されている。

第１の駆動トランジスタ５２Ｒのゲート電極は、第１の選択トランジスタ５１Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の保持容量５５Ｒの一方の電極と電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ５２Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、電源配線６１と電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ５２Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒのソース／ドレイン領域の一方と電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ５２Ｒのバックゲートは、電源配線６１と電気的に接続されている。

第１の発光制御トランジスタ５３Ｒのゲート電極は、ｉ行目の制御線３２と電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ５３Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、第１の駆動トランジスタ５２Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ５３Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、第１の発光素子５４Ｒのアノードと電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ５３Ｒのバックゲートは、電源配線６１と電気的に接続されている。

第１の発光素子５４Ｒは、第１の波長域の光、すなわち赤色光を出射する発光素子である。第１の発光素子５４Ｒは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ＥＬダイオードである。第１の発光素子５４Ｒのアノードは、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第１の発光素子５４Ｒのカソードは、コモン電位が印加されるコモン配線６２と電気的に接続されている。

第１の保持容量５５Ｒは、第１の駆動トランジスタ５２Ｒのゲート電位を保持するためのコンデンサである。第１の保持容量５５Ｒの一方の電極は、第１の選択トランジスタ５１Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の駆動トランジスタ５２Ｒのゲート電極と電気的に接続されている。第１の保持容量５５Ｒの他方の電極は、電源配線６１と電気的に接続されている。なお、第１の保持容量５５Ｒとして、第１の駆動トランジスタ５２Ｒのゲート電極に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。

上記のように構成された画素回路において、ｉ行目の走査線３１に供給される走査信号ＧＷＲ（ｉ）がハイレベルのとき、第１の選択トランジスタ５１Ｒはオフ状態である。一方、走査信号ＧＷＲ（ｉ）がローレベルのとき、第１の選択トランジスタ５１Ｒはオン状態となる。第１の選択トランジスタ５１Ｒがオン状態にあるとき、データ線３３の電位と電源配線６１の電位との電位差Ｖｄに応じて第１の保持容量５５Ｒに充電電流が流れることにより、第１の保持容量５５Ｒの電極間電圧が電位差Ｖｄとなるまで第１の保持容量５５Ｒは充電される。

第１の駆動トランジスタ５２Ｒのソース／ドレイン領域の他方とソース／ドレイン領域の一方との間に流れる電流は、第１の駆動トランジスタ５２Ｒのゲート電位に依存する。第１の駆動トランジスタ５２Ｒのゲート電位は、第１の保持容量５５Ｒによって保持される電圧、すなわち第１の保持容量５５Ｒの電極間電圧と等しい。従って、第１の保持容量５５Ｒによって保持される電圧に応じた電流値を有する電流が、第１の駆動トランジスタ５２Ｒのソース／ドレイン領域の他方とソース／ドレイン領域の一方との間に流れる。以下では、第１の駆動トランジスタ５２Ｒのソース／ドレイン領域の他方とソース／ドレイン領域の一方との間に流れる電流を「駆動電流」と呼称する。

ｉ行目の制御線３２に供給される制御信号ＧＥＬ（ｉ）がハイレベルのとき、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒはオフ状態である。第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオフ状態にあるとき、第１の発光素子５４Ｒのアノードは、第１の駆動トランジスタ５２Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に切り離された状態にあるため、第１の駆動トランジスタ５２Ｒを介して第１の発光素子５４Ｒに駆動電流は流れない。すなわち、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオフ状態にあるとき、第１の発光素子５４Ｒは発光しない。

一方、制御信号ＧＥＬ（ｉ）がローレベルのとき、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒはオン状態となる。第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態にあるとき、第１の発光素子５４Ｒのアノードは、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒを介して第１の駆動トランジスタ５２Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続された状態になるため、第１の駆動トランジスタ５２Ｒを介して、第１の保持容量５５Ｒによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第１の発光素子５４Ｒに流れる。すなわち、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態にあるとき、第１の発光素子５４Ｒは、駆動電流に応じて発光する。第１の発光素子５４Ｒから出射される赤色光の強度は、駆動電流の値、すなわち第１の保持容量５５Ｒによって保持される電圧に依存して変化する。

上記のように、第１の画素１１Ｒは、第１の波長域の光（赤色光）を出射する第１の発光素子５４Ｒと、第１の発光素子５４Ｒに対応する第１の発光制御トランジスタ５３Ｒと、を含む。すなわち、第１の電気光学装置１０Ｒは、第１の波長域の光（赤色光）を出射する第１の発光素子５４Ｒと、第１の発光素子５４Ｒに対応する第１の発光制御トランジスタ５３Ｒと、を有する。

図示は省略するが、第１の画素１１Ｒと同様に、第２の電気光学装置１０Ｂに配置されている第２の画素１１Ｂの画素回路は、第２の選択トランジスタ５１Ｂと、第２の駆動トランジスタ５２Ｂと、第２の発光制御トランジスタ５３Ｂと、第２の発光素子５４Ｂと、第２の保持容量５５Ｂと、を有する。第２の発光素子５４Ｂは、第２の波長域の光、すなわち青色光を出射する発光素子である。第２の発光素子５４Ｂは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ＥＬダイオードである。

第２の画素１１Ｂの画素回路においても、第２の選択トランジスタ５１Ｂがオン状態にあるとき、第２の保持容量５５Ｂの電極間電圧が電位差Ｖｄとなるまで第２の保持容量５５Ｂは充電される。そして、第２の発光制御トランジスタ５３Ｂがオン状態にあるとき、第２の駆動トランジスタ５２Ｂを介して、第２の保持容量５５Ｂによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第２の発光素子５４Ｂに流れる。すなわち、第２の発光制御トランジスタ５３Ｂがオン状態にあるとき、第２の発光素子５４Ｂは、駆動電流に応じて発光する。第２の発光素子５４Ｂから出射される青色光の強度は、駆動電流の値、すなわち第２の保持容量５５Ｂによって保持される電圧に依存して変化する。

このように、第２の画素１１Ｂは、第２の波長域の光（青色光）を出射する第２の発光素子５４Ｂと、第２の発光素子５４Ｂに対応する第２の発光制御トランジスタ５３Ｂと、を含む。すなわち、第２の電気光学装置１０Ｂは、第２の波長域の光（青色光）を出射する第２の発光素子５４Ｂと、第２の発光素子５４Ｂに対応する第２の発光制御トランジスタ５３Ｂと、を有する。

また、図示は省略するが、第１の画素１１Ｒ及び第２の画素１１Ｂと同様に、第３の電気光学装置１０Ｇに配置されている第３の画素１１Ｇの画素回路は、第３の選択トランジスタ５１Ｇと、第３の駆動トランジスタ５２Ｇと、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇと、第３の発光素子５４Ｇと、第３の保持容量５５Ｇと、を有する。第３の発光素子５４Ｇは、第３の波長域の光、すなわち緑色光を出射する発光素子である。第３の発光素子５４Ｇは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ＥＬダイオードである。

第３の画素１１Ｇの画素回路においても、第３の選択トランジスタ５１Ｇがオン状態にあるとき、第３の保持容量５５Ｇの電極間電圧が電位差Ｖｄとなるまで第３の保持容量５５Ｇは充電される。そして、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオン状態にあるとき、第３の駆動トランジスタ５２Ｇを介して、第３の保持容量５５Ｇによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第３の発光素子５４Ｇに流れる。すなわち、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオン状態にあるとき、第３の発光素子５４Ｇは、駆動電流に応じて発光する。第３の発光素子５４Ｇから出射される緑色光の強度は、駆動電流の値、すなわち第３の保持容量５５Ｇによって保持される電圧に依存して変化する。

このように、第３の画素１１Ｇは、第３の波長域の光（緑色光）を出射する第３の発光素子５４Ｇと、第３の発光素子５４Ｇに対応する第３の発光制御トランジスタ５３Ｇと、を含む。すなわち、第３の電気光学装置１０Ｇは、第３の波長域の光（緑色光）を出射する第３の発光素子５４Ｇと、第３の発光素子５４Ｇに対応する第３の発光制御トランジスタ５３Ｇと、を有する。
本実施形態の光学モジュール１において、第１の画素１１Ｒが有する第１の発光素子５４Ｒの面積と、第２の画素１１Ｂが有する第２の発光素子５４Ｂの面積と、第３の画素１１Ｇが有する第３の発光素子５４Ｇの面積とは同じである。なお、各発光素子５４の面積は、平面視でアノードと発光層とカソードとが重なる領域の面積、もしくは、アノードと発光層とが接する領域の面積とも言える。

図４は、１フレームにおける第１の発光素子５４Ｒの発光状態と、１フレームにおける第２の発光素子５４Ｂの発光状態と、１フレームにおける第３の発光素子５４Ｇの発光状態との時間的な対応関係を示すタイミングチャートである。図４において、時刻ｔ１から時刻ｔ１４までの期間が１フレームである。例えば、第１の電気光学装置１０Ｒ、第２の電気光学装置１０Ｂ及び第３の電気光学装置１０Ｇのそれぞれが、１０８０本の走査線３１を有する場合、１フレームの長さは下記（１）式で表される。下記（１）式において、「１Ｈ」は、１水平走査期間、すなわち水平同期信号の１周期に相当する時間である。
１フレーム＝ブランキング期間＋１０８０×１Ｈ …（１）

図４において、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間がブランキング期間である。ブランキング期間は、１水平走査期間（１Ｈ）と等しい。このブランキング期間において、第１の選択トランジスタ５１Ｒがオン状態に制御されることにより、第１の保持容量５５Ｒの電極間電圧が目標電圧に達するまで第１の保持容量５５Ｒは充電される。この目標電圧は、１フレームにおいて第１の発光素子５４Ｒから出射される赤色光の強度が所望の値になる駆動電流が第１の駆動トランジスタ５２Ｒによって生成されるように設定される。目標電圧は、データ線３３の電位と電源配線６１の電位との電位差Ｖｄによって設定され得る。

同様に、ブランキング期間において、第２の選択トランジスタ５１Ｂがオン状態に制御されることにより、第２の保持容量５５Ｂの電極間電圧が目標電圧に達するまで第２の保持容量５５Ｂは充電される。この目標電圧は、１フレームにおいて第２の発光素子５４Ｂから出射される青色光の強度が所望の値になる駆動電流が第２の駆動トランジスタ５２Ｂによって生成されるように設定される。

同様に、ブランキング期間において、第３の選択トランジスタ５１Ｇがオン状態に制御されることにより、第３の保持容量５５Ｇの電極間電圧が目標電圧に達するまで第３の保持容量５５Ｇは充電される。この目標電圧は、１フレームにおいて第３の発光素子５４Ｇから出射される緑色光の強度が所望の値になる駆動電流が第３の駆動トランジスタ５２Ｇによって生成されるように設定される。

図４において、ＲＧＥＬ（ｉ）は、第１の電気光学装置１０Ｒにおいてｉ行目の制御線３２に供給される制御信号である。図４において、ＢＧＥＬ（ｉ）は、第２の電気光学装置１０Ｂにおいてｉ行目の制御線３２に供給される制御信号である。図４において、ＧＧＥＬ（ｉ）は、第３の電気光学装置１０Ｇにおいてｉ行目の制御線３２に供給される制御信号である。以下では、ＲＧＥＬ（ｉ）を第１の制御信号と呼称し、ＢＧＥＬ（ｉ）を第２の制御信号と呼称し、ＧＧＥＬ（ｉ）を第３の制御信号と呼称する。

図４に示すように、ブランキング期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）、第２の制御信号ＢＧＥＬ（ｉ）および第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）は、それぞれハイレベルにセットされる。その結果、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒ、第２の発光制御トランジスタ５３Ｂおよび第３の発光制御トランジスタ５３Ｇは、それぞれオフ状態に制御されるため、ブランキング期間において、第１の発光素子５４Ｒ、第２の発光素子５４Ｂおよび第３の発光素子５４Ｇのそれぞれに駆動電流は流れない。従って、ブランキング期間において、第１の発光素子５４Ｒ、第２の発光素子５４Ｂおよび第３の発光素子５４Ｇのそれぞれは発光しない。

図４に示すように、ブランキング期間が終了する時刻ｔ２から１フレームが終了する時刻ｔ１４までの期間において、第２の制御信号ＢＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ２から時刻ｔ１４までの期間において、第２の発光制御トランジスタ５３Ｂがオン状態に制御されるため、第２の保持容量５５Ｂによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第２の発光素子５４Ｂに流れる。これにより、時刻ｔ２から時刻ｔ１４までの期間において、第２の発光素子５４Ｂは、駆動電流に応じた強度を有する青色光を出射する。

図４に示すように、ブランキング期間が終了する時刻ｔ２から時刻ｔ４までの期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）はハイレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ２から時刻ｔ４までの期間において、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオフ状態に制御されるため、第１の発光素子５４Ｒに駆動電流が流れない。従って、時刻ｔ２から時刻ｔ４までの期間において、第１の発光素子５４Ｒは発光しない。

図４に示すように、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間において、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態に制御されるため、第１の保持容量５５Ｒによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第１の発光素子５４Ｒに流れる。これにより、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間において、第１の発光素子５４Ｒは、駆動電流に応じた強度を有する赤色光を出射する。

図４に示すように、時刻ｔ５から時刻ｔ７までの期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）はハイレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ５から時刻ｔ７までの期間において、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオフ状態に制御されるため、第１の発光素子５４Ｒに駆動電流が流れない。従って、時刻ｔ５から時刻ｔ７までの期間において、第１の発光素子５４Ｒは発光しない。

図４に示すように、時刻ｔ７から時刻ｔ８までの期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ７から時刻ｔ８までの期間において、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態に制御されるため、第１の保持容量５５Ｒによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第１の発光素子５４Ｒに流れる。これにより、時刻ｔ７から時刻ｔ８までの期間において、第１の発光素子５４Ｒは、駆動電流に応じた強度を有する赤色光を出射する。

図４に示すように、時刻ｔ８から時刻ｔ１０までの期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）はハイレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ８から時刻ｔ１０までの期間において、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオフ状態に制御されるため、第１の発光素子５４Ｒに駆動電流が流れない。従って、時刻ｔ８から時刻ｔ１０までの期間において、第１の発光素子５４Ｒは発光しない。

図４に示すように、時刻ｔ１０から時刻ｔ１１までの期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ１０から時刻ｔ１１までの期間において、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態に制御されるため、第１の保持容量５５Ｒによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第１の発光素子５４Ｒに流れる。これにより、時刻ｔ１０から時刻ｔ１１までの期間において、第１の発光素子５４Ｒは、駆動電流に応じた強度を有する赤色光を出射する。

図４に示すように、時刻ｔ１１から時刻ｔ１３までの期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）はハイレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ１１から時刻ｔ１３までの期間において、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオフ状態に制御されるため、第１の発光素子５４Ｒに駆動電流が流れない。従って、時刻ｔ１１から時刻ｔ１３までの期間において、第１の発光素子５４Ｒは発光しない。

図４に示すように、時刻ｔ１３から１フレームが終了する時刻ｔ１４までの期間において、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ１３から時刻ｔ１４までの期間において、第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態に制御されるため、第１の保持容量５５Ｒによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第１の発光素子５４Ｒに流れる。これにより、時刻ｔ１３から時刻ｔ１４までの期間において、第１の発光素子５４Ｒは、駆動電流に応じた強度を有する赤色光を出射する。

図４に示すように、ブランキング期間が終了する時刻ｔ２から時刻ｔ３（ｔ３＜ｔ４）までの期間において、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）はハイレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間において、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオフ状態に制御されるため、第３の発光素子５４Ｇに駆動電流が流れない。従って、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間において、第３の発光素子５４Ｇは発光しない。

図４に示すように、時刻ｔ３から時刻ｔ５までの期間において、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ３から時刻ｔ５までの期間において、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオン状態に制御されるため、第３の保持容量５５Ｇによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第３の発光素子５４Ｇに流れる。これにより、時刻ｔ３から時刻ｔ５までの期間において、第３の発光素子５４Ｇは、駆動電流に応じた強度を有する緑色光を出射する。

図４に示すように、時刻ｔ５から時刻ｔ６（ｔ６＜ｔ７）までの期間において、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）はハイレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間において、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオフ状態に制御されるため、第３の発光素子５４Ｇに駆動電流が流れない。従って、時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間において、第３の発光素子５４Ｇは発光しない。

図４に示すように、時刻ｔ６から時刻ｔ８までの期間において、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ６から時刻ｔ８までの期間において、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオン状態に制御されるため、第３の保持容量５５Ｇによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第３の発光素子５４Ｇに流れる。これにより、時刻ｔ６から時刻ｔ８までの期間において、第３の発光素子５４Ｇは、駆動電流に応じた強度を有する緑色光を出射する。

図４に示すように、時刻ｔ８から時刻ｔ９（ｔ９＜ｔ１０）までの期間において、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）はハイレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ８から時刻ｔ９までの期間において、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオフ状態に制御されるため、第３の発光素子５４Ｇに駆動電流が流れない。従って、時刻ｔ８から時刻ｔ９までの期間において、第３の発光素子５４Ｇは発光しない。

図４に示すように、時刻ｔ９から時刻ｔ１１までの期間において、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ９から時刻ｔ１１までの期間において、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオン状態に制御されるため、第３の保持容量５５Ｇによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第３の発光素子５４Ｇに流れる。これにより、時刻ｔ９から時刻ｔ１１までの期間において、第３の発光素子５４Ｇは、駆動電流に応じた強度を有する緑色光を出射する。

図４に示すように、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２（ｔ１２＜ｔ１３）までの期間において、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）はハイレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間において、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオフ状態に制御されるため、第３の発光素子５４Ｇに駆動電流が流れない。従って、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間において、第３の発光素子５４Ｇは発光しない。

図４に示すように、時刻ｔ１２から１フレームが終了する時刻ｔ１４までの期間において、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）はローレベルにセットされる。その結果、時刻ｔ１２から時刻ｔ１４までの期間において、第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオン状態に制御されるため、第３の保持容量５５Ｇによって保持されている電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第３の発光素子５４Ｇに流れる。これにより、時刻ｔ１２から時刻ｔ１４までの期間において、第３の発光素子５４Ｇは、駆動電流に応じた強度を有する緑色光を出射する。

上記のように、本実施形態の光学モジュール１において、１フレームにおける第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態である第１の時間は、１フレームにおける第２の発光制御トランジスタ５３Ｂがオン状態である第２の時間よりも短い。言い換えれば、１フレームにおいて赤色光を出射する第１の発光素子５４Ｒが駆動電流に応じて発光する第１の時間は、１フレームにおいて青色光を出射する第２の発光素子５４Ｂが駆動電流に応じて発光する第２の時間よりも短い。以下では、第１の時間を「赤色発光時間」と呼称し、第２の時間を「青色発光時間」と呼称する場合がある。

また、本実施形態の光学モジュール１において、１フレームにおける第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオン状態である第３の時間は、第２の時間よりも短く且つ第１の時間よりも長い。言い換えれば、１フレームにおいて緑色光を出射する第３の発光素子５４Ｇが駆動電流に応じて発光する第３の時間は、第２の時間よりも短く且つ第１の時間よりも長い。以下では、第３の時間を「緑色発光時間」と呼称する場合がある。

光学モジュール１は、第１の発光素子５４Ｒを有する第１の電気光学装置１０Ｒから出射される赤色の第１の画像光ＬＲと、第２の発光素子５４Ｂを有する第２の電気光学装置１０Ｂから出射される青色の第２の画像光ＬＢと、第３の発光素子５４Ｇを有する第３の電気光学装置１０Ｇから出射される緑色の第３の画像光ＬＧとを合成することによって、３色混合の合成画像光ＬＷを生成する。
このように、異なる波長域の光を出射する複数の発光素子５４Ｒ、５４Ｂ及び５４Ｇを用いて合成画像光ＬＷを生成する場合、仮に、赤色発光時間、青色発光時間および緑色発光時間を同一とした状態で、各発光素子５４Ｒ、５４Ｂ及び５４Ｇを長時間駆動し続けると、各発光素子５４Ｒ、５４Ｂ及び５４Ｇの寿命特性が異なることに起因して、混合色、特に白色の合成画像光ＬＷを生成するときに色ズレが発生する可能性がある。

図５は、各発光素子５４Ｒ、５４Ｂ及び５４Ｇを１００％のデューティー比で駆動することにより白色の合成画像光ＬＷを生成したときの、第１の電気光学装置１０Ｒ、第２の電気光学装置１０Ｂおよび第３の電気光学装置１０Ｇの輝度半減寿命（ＬＴ５０）を示す。「発光素子を１００％のデューティー比で駆動する」とは、１フレーム内のブランキング期間を除く全期間において、発光制御トランジスタをオン状態に制御することを意味する。

図５において、「Ｒｅｄ」は第１の電気光学装置１０Ｒを表す。図５に示すように、白色の合成画像光ＬＷを生成するために、第１の電気光学装置１０Ｒから出射される赤色の第１の画像光ＬＲの視認輝度が１３７２（ｃｄ／ｍ^２）となるように駆動電流値を設定した状態で第１の発光素子５４Ｒを１００％のデューティー比で駆動したとき、第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命は、６００時間となる。

図５において、「Ｂｌｕｅ」は第２の電気光学装置１０Ｂを表す。図５に示すように、白色の合成画像光ＬＷを生成するために、第２の電気光学装置１０Ｂから出射される青色の第２の画像光ＬＢの視認輝度が３５６（ｃｄ／ｍ^２）となるように駆動電流値を設定した状態で第２の発光素子５４Ｂを１００％のデューティー比で駆動したとき、第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命は、３００時間となる。

図５において、「Ｇｒｅｅｎ」は第３の電気光学装置１０Ｇを表す。図５に示すように、白色の合成画像光ＬＷを生成するために、第３の電気光学装置１０Ｇから出射される緑色の第３の画像光ＬＧの視認輝度が３２７２（ｃｄ／ｍ^２）となるように駆動電流値を設定した状態で第３の発光素子５４Ｇを１００％のデューティー比で駆動したとき、第３の電気光学装置１０Ｇの輝度半減寿命は、４００時間となる。

輝度半減寿命とは、一定の電流密度で駆動した際、画像光の輝度が最大輝度から最大輝度の半分まで低下するのにかかった時間である。図５に示すように、赤色光を出射する第１の発光素子５４Ｒを有する第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命は、青色光を出射する第２の発光素子５４Ｂを有する第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命よりも長い。言い換えれば、青色光を出射する第２の発光素子５４Ｂの劣化速度は、赤色光を出射する第１の発光素子５４Ｒの劣化速度よりも速い。従って、各発光素子５４Ｒ、５４Ｂ及び５４Ｇを１００％のデューティー比で駆動することにより白色の合成画像光ＬＷを生成する場合、所定時間が経過した後の合成画像光ＬＷを観察すると、各発光素子５４Ｒ、５４Ｂ及び５４Ｇの劣化速度が異なることに起因して、白色表示に必要な各色の視認輝度にバラツキが生じ、そのバラツキが色ズレとなって視認されることになる。

図６は、第３の電気光学装置１０Ｇにおいて一定の視認輝度を得るために必要なデューティー比と駆動輝度との対応関係と、各デューティー比で第３の発光素子５４Ｇを駆動したときの輝度半減寿命（ＬＴ５０）とを示す。図６において、例えばデューティー比が５０％の場合、１フレーム内のブランキング期間を除く全期間の５０％の期間において、発光制御トランジスタがオン状態に制御される。また、駆動輝度は駆動電流に依存する物理量であるので、以下では駆動輝度を駆動電流と言い換える場合がある。

図６に示すように、第３の発光素子５４Ｇの駆動デューティー比を小さくし、一定の視認輝度が得られるようにデューティー比に応じて第３の発光素子５４Ｇの駆動電流を増大させると、輝度半減寿命は短くなる。言い換えれば、一定の視認輝度が得られるという条件を満たしながら緑色発光時間を短くすると、第３の発光素子５４Ｇの劣化速度は速くなる。これは、緑色発光時間によって第３の発光素子５４Ｇの劣化速度をコントロールできることを意味する。第１の発光素子５４Ｒおよび第２の発光素子５４Ｂについても同様に、それぞれの発光時間によってそれぞれの劣化速度をコントロールできる。

本願発明者は、上記の知見に基づき、最も長い輝度半減寿命を有する第１の電気光学装置１０Ｒの駆動デューティー比を小さくして、第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命を短縮することにより、第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命を第２の電気光学装置１０Ｂの最も短い輝度半減寿命に近づけることができれば、白色の合成画像光ＬＷに生じる色ズレを抑制できるのではないかと考えた。そして、本願発明者は、色ズレを抑制可能な第１の電気光学装置１０Ｒの駆動デューティー比と第２の電気光学装置１０Ｂの駆動デューティー比との関係、すなわち、色ズレを抑制可能な赤色発光時間と青色発光時間との関係について鋭意研究した。

図７～図１１に研究結果を示す。
図７は、第２の発光素子５４Ｂを１００％のデューティー比で駆動したときの第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命曲線Ｃ１を示すグラフである。図８は、第１の発光素子５４Ｒを１００％のデューティー比で駆動したときの第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命曲線Ｃ２を示すグラフである。図９は、第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命曲線Ｃ１と、第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命曲線Ｃ２と、第１の発光素子５４Ｒを４２％のデューティー比で駆動したときの第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命曲線Ｃ３とを示すグラフである。図９に示すように、第２の発光素子５４Ｂを１００％のデューティー比で駆動し、且つ第１の発光素子５４Ｒを４２％のデューティー比で駆動すれば、第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命を第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命に近づけることができると判明した。

図１０は、第１の発光素子５４Ｒの駆動デューティー比と第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命との関係を示す。図１０に示す結果により、第１の発光素子５４Ｒの駆動デューティー比、すなわち赤色発光時間によって第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命をコントロールできることが実証された。

図１１は、３つの実施例と、３つの比較例とのそれぞれについて、色ズレの評価指標であるΔｕ’ｖ’と、第１の発光素子５４Ｒの駆動デューティー比と、第２の発光素子５４Ｂの駆動デューティー比と、第３の発光素子５４Ｇの駆動デューティー比との関係を調査した結果を示す。一般的に、Δｕ’ｖ’が０．０２未満であれば、人間は色ズレを認識できない。よって、白色の合成画像光ＬＷが生成されるように各発光素子５４Ｒ、５４Ｂ及び５４Ｇを所定のデューティー比で駆動し続け、最も劣化速度が速い第２の電気光学装置１０Ｂが輝度半減寿命に達したときに、合成画像光ＬＷのΔｕ’ｖ’が０．０２未満であれば、白色の合成画像光ＬＷに生じる色ズレを抑制できているといえる。

図１１に示す実施例１では、第１の発光素子５４Ｒを４２％のデューティー比で駆動し、第２の発光素子５４Ｂを１００％のデューティー比で駆動し、第３の発光素子５４Ｇを７０％のデューティー比で駆動することにより、白色の合成画像光ＬＷを生成した。この実施例１では、最も劣化速度が速い第２の電気光学装置１０Ｂが輝度半減寿命に達したとき、合成画像光ＬＷのΔｕ’ｖ’は０．００１未満であった。

図１１に示す実施例２では、第１の発光素子５４Ｒを３０％のデューティー比で駆動し、第２の発光素子５４Ｂを１００％のデューティー比で駆動し、第３の発光素子５４Ｇを７０％のデューティー比で駆動することにより、白色の合成画像光ＬＷを生成した。この実施例２では、最も劣化速度が速い第２の電気光学装置１０Ｂが輝度半減寿命に達したとき、合成画像光ＬＷのΔｕ’ｖ’は０．０１８であった。

図１１に示す実施例３では、第１の発光素子５４Ｒを６０％のデューティー比で駆動し、第２の発光素子５４Ｂを１００％のデューティー比で駆動し、第３の発光素子５４Ｇを７０％のデューティー比で駆動することにより、白色の合成画像光ＬＷを生成した。この実施例３では、最も劣化速度が速い第２の電気光学装置１０Ｂが輝度半減寿命に達したとき、合成画像光ＬＷのΔｕ’ｖ’は０．０１９であった。

図１１に示す比較例１では、第１の発光素子５４Ｒ、第２の発光素子５４Ｂおよび第３の発光素子５４Ｇのそれぞれを１００％のデューティー比で駆動することにより、白色の合成画像光ＬＷを生成した。この比較例１では、最も劣化速度が速い第２の電気光学装置１０Ｂが輝度半減寿命に達したとき、合成画像光ＬＷのΔｕ’ｖ’は０．０２６であった。

図１１に示す比較例２では、第１の発光素子５４Ｒを２９％のデューティー比で駆動し、第２の発光素子５４Ｂを１００％のデューティー比で駆動し、第３の発光素子５４Ｇを７０％のデューティー比で駆動することにより、白色の合成画像光ＬＷを生成した。この比較例２では、最も劣化速度が速い第２の電気光学装置１０Ｂが輝度半減寿命に達したとき、合成画像光ＬＷのΔｕ’ｖ’は０．０２１であった。

図１１に示す比較例３では、第１の発光素子５４Ｒを６１％のデューティー比で駆動し、第２の発光素子５４Ｂを１００％のデューティー比で駆動し、第３の発光素子５４Ｇを７０％のデューティー比で駆動することにより、白色の合成画像光ＬＷを生成した。この比較例３では、最も劣化速度が速い第２の電気光学装置１０Ｂが輝度半減寿命に達したとき、合成画像光ＬＷのΔｕ’ｖ’は０．０２１であった。

図１１に示すように、第１の発光素子５４Ｒの駆動デューティー比を、第２の発光素子５４Ｂの駆動デューティー比の３０％から６０％に設定することにより、白色の合成画像光ＬＷに生じる色ズレを効果的に抑制できるとの結果が得られた。言い換えれば、１フレームにおける赤色発光時間（第１の時間）を、１フレームにおける青色発光時間（第２の時間）の０．３倍から０．６倍に設定することにより、白色の合成画像光ＬＷに生じる色ズレを効果的に抑制できるとの結果が得られた。

とくに、第１の発光素子５４Ｒの駆動デューティー比を、第２の発光素子５４Ｂの駆動デューティー比の４２％に設定することにより、白色の合成画像光ＬＷに生じる色ズレを最も抑制できるとの結果が得られた。この理由は、図９に示したように、赤色光を出射する第１の発光素子５４Ｒの駆動デューティー比を、青色光を出射する第２の発光素子５４Ｂの駆動デューティー比の４２％に設定することにより、第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命を第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命に最も近づけることができるからだと考えられる。

一方、図１１に示すように、第１の発光素子５４Ｒの駆動デューティー比を、第２の発光素子５４Ｂの駆動デューティー比の２９％以下または６１％以上に設定すると、白色の合成画像光ＬＷに人間が認識できる程度の色ズレが生じるとの結果が得られた。とくに、第１の発光素子５４Ｒの駆動デューティー比を、第２の発光素子５４Ｂの駆動デューティー比と同一（１００％）に設定すると、白色の合成画像光ＬＷに大きな色ズレが生じるとの結果が得られた。

以上の研究結果に基づき、本実施形態の光学モジュール１において、１フレームにおける第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態である第１の時間は、１フレームにおける第２の発光制御トランジスタ５３Ｂがオン状態である第２の時間よりも短く設定されているのである。言い換えれば、本実施形態の光学モジュール１において、１フレームにおける赤色発光時間は、１フレームにおける青色発光時間よりも短い。
このような本実施形態によれば、最も劣化速度の遅い第１の発光素子５４Ｒを有する第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命を、最も劣化速度の速い第２の発光素子５４Ｂを有する第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命に近づけることができるため、各発光素子の劣化速度（寿命特性）に起因して白色の合成画像光ＬＷに色ズレが生じるのを抑制することができる。

とくに、本実施形態の光学モジュール１において、１フレームにおける第１の発光制御トランジスタ５３Ｒがオン状態である第１の時間は、１フレームにおける第２の発光制御トランジスタ５３Ｂがオン状態である第２の時間の０．３倍から０．６倍であることが好ましい。言い換えれば、本実施形態の光学モジュール１において、１フレームにおける赤色発光時間は、１フレームにおける青色発光時間の０．３倍から０．６倍であることが好ましい。
これにより、最も劣化速度の遅い第１の発光素子５４Ｒを有する第１の電気光学装置１０Ｒの輝度半減寿命を、最も劣化速度の速い第２の発光素子５４Ｂを有する第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命により近づけることができるため、各発光素子の劣化速度（寿命特性）に起因して白色の合成画像光ＬＷに色ズレが生じるのをより効果的に抑制することができる。

本実施形態の光学モジュール１において、１フレームにおける第３の発光制御トランジスタ５３Ｇがオン状態である第３の時間は、第２の時間よりも短く且つ第１の時間よりも長い。言い換えれば、本実施形態の光学モジュール１において、１フレームにおける緑色発光時間は、青色発光時間よりも短く且つ赤色発光時間よりも長い。
これにより、劣化速度が中間程度の第３の発光素子５４Ｇを有する第３の電気光学装置１０Ｇの輝度半減寿命を、最も劣化速度の速い第２の発光素子５４Ｂを有する第２の電気光学装置１０Ｂの輝度半減寿命に近づけることができるため、各発光素子の劣化速度（寿命特性）に起因して白色の合成画像光ＬＷに色ズレが生じるのを抑制する効果が増す。

本実施形態の光学モジュール１において、第１の画素１１Ｒが有する第１の発光素子５４Ｒの面積と、第２の画素１１Ｂが有する第２の発光素子５４Ｂの面積と、第３の画素１１Ｇが有する第３の発光素子５４Ｇの面積とが同じである。
これにより、第１の発光素子５４Ｒの面積と、第２の発光素子５４Ｂの面積と、第３の発光素子５４Ｇの面積とが互いに異なることに起因して合成画像光ＬＷに色ズレが生じるのを抑制することができる。

また、本実施形態の光学モジュール１は、赤色の第１の画像光ＬＲを出射する第１の電気光学装置１０Ｒと、青色の第２の画像光ＬＢを出射する第２の電気光学装置１０Ｂと、緑色の第３の画像光ＬＧを出射する第３の電気光学装置１０Ｒと、を備える。
これにより、第１の電気光学装置１０Ｒ、第２の電気光学装置１０Ｂ、および第３の電気光学装置１０Ｇのそれぞれにおける１ラインあたりに設けられる制御線３２の数が１本になるため、各電気光学装置の配線数を少なくすることができる。

〔光学モジュール１を備える画像表示装置〕
以下、上記実施形態の光学モジュール１を備える画像表示装置について説明する。
図１２は、光学モジュール１を備える画像表示装置の一例である頭部装着型表示装置（ヘッドマウントディスプレイ）１０００の説明図である。図１３は、図１２に示す虚像表示部１０１０の光学系の構成を模式的に示す斜視図である。図１４は、図１３に示す光学系の光路を示す説明図である。

図１２に示すように、頭部装着型表示装置１０００は、シースルー型のアイグラスディスプレイとして構成されており、テンプル１１１１及び１１１２を左右に備えたフレーム１１１０を有する。頭部装着型表示装置１０００において、虚像表示部１０１０は、フレーム１１１０に支持され、虚像表示部１０１０から射出された画像を使用者に虚像として認識させる。本実施形態において、頭部装着型表示装置１０００は、虚像表示部１０１０として、左眼用表示部１１０１と、右眼用表示部１１０２と、を備えている。左眼用表示部１１０１と右眼用表示部１１０２とは、同一の構成を有し、左右対称に配置されている。

以下の説明では、左眼用表示部１１０１を中心に説明し、右眼用表示部１１０２についての説明は省略する。
図１３および図１４に示すように、頭部装着型表示装置１０００において、左眼用表示部１１０１は、光学モジュール１と、光学モジュール１から射出された合成画像光ＬＷを射出部１０５８に導く導光系１０３０と、を備える。光学モジュール１と導光系１０３０との間には、投写レンズ系１０７０が配置されている。光学モジュール１から射出された合成画像光ＬＷは、投写レンズ系１０７０を介して導光系１０３０に入射する。投写レンズ系１０７０は、正のパワーを有する１つのコリメートレンズによって構成されている。

導光系１０３０は、合成画像光ＬＷが入射する透光性の入射部１０４０と、一方端１０５１側が入射部１０４０に接続された透光性の導光部１０５０と、を備えている。本実施形態において、入射部１０４０と導光部１０５０とは、一体の透光性部材で構成されている。

入射部１０４０は、光学モジュール１から射出された合成画像光ＬＷが入射する入射面１０４１と、入射面１０４１から入射した合成画像光ＬＷを入射面１０４１との間で反射する反射面１０４２と、を備えている。入射面１０４１は、平面、非球面、または自由曲面等からなり、投写レンズ系１０７０を介して光学モジュール１と対向している。投写レンズ系１０７０は、入射面１０４１の端部１４１２との間隔が入射面１０４１の端部１４１１との間隔より広くなるように斜めに配置されている。

入射面１０４１には反射膜が形成されていないが、臨界角以上の入射角で入射した光を全反射する。したがって、入射面１０４１は、光透過性および光反射性を備えている。反射面１０４２は、入射面１０４１と対向する面からなり、端部１４２２が入射面１０４１の端部１４２１よりも入射面１０４１から離間するように斜めに配置されている。したがって、入射部１０４０は、略三角形状の形状を有している。反射面１０４２は、平面、非球面、または自由曲面等からなる。反射面１０４２は、アルミニウム、銀、マグネシウム、クロム等を主成分とする反射性の金属層が形成された構成を有する。

導光部１０５０は、一方端１０５１から他方端１０５２側に向けて延在する第１面１０５６（第１反射面）と、第１面１０５６に平行に対向して一方端１０５１側から他方端１０５２側に向けて延在する第２面１０５７（第２反射面）と、第２面１０５７の入射部１０４０から離間する部分に設けられた射出部１０５８と、を備えている。第１面１０５６と入射部１０４０の反射面１０４２とは、斜面１０４３を介して連続している。第１面１０５６と第２面１０５７との厚さは、入射部１０４０より薄い。第１面１０５６および第２面１０５７は、導光部１０５０と外界（空気）との屈折率差に基づいて、臨界角以上の入射角で入射した光を全反射する。このため、第１面１０５６および第２面１０５７には反射膜が形成されていない。

射出部１０５８は、導光部１０５０の厚さ方向の第２面１０５７側の一部に構成されている。射出部１０５８では、第２面１０５７に対する法線方向に対して斜めに傾いた複数の部分反射面１０５５が互いに平行に配置されている。射出部１０５８は、第２面１０５７のうち、複数の部分反射面１０５５に重なる部分であり、導光部１０５０の延在方向において所定の幅を有する領域である。複数の部分反射面１０５５は、それぞれ誘電体多層膜から構成されている。また、複数の部分反射面１０５５のうちの少なくとも１つは、誘電体多層膜と、アルミニウム、銀、マグネシウム、クロム等を主成分とする反射性の金属層（薄膜）との複合層であってもよい。部分反射面１０５５が金属層を含んでいる場合、部分反射面１０５５の反射率を高める効果、もしくは、部分反射面１０５５の透過率および反射率の入射角依存性や偏光依存性を適正化できる、という効果がある。なお、射出部１０５８については、回折格子やホログラム等の光学素子が設けられた態様であってもよい。

上記構成の頭部装着型表示装置１０００において、入射部１０４０から入射した平行光からなる合成画像光ＬＷは、入射面１０４１で屈折し、反射面１０４２に向かう。次に、合成画像光ＬＷは、反射面１０４２で反射されて再び入射面１０４１に向かう。その際、合成画像光ＬＷは、入射面１０４１に臨界角以上の入射角で入射するため、入射面１０４１で導光部１０５０に向けて反射され、導光部１０５０に向かう。なお、入射部１０４０では、平行光である合成画像光ＬＷが入射面１０４１に入射する構成になっているが、入射面１０４１および反射面１０４２を自由曲面等によって構成し、非平行光である合成画像光ＬＷが入射面１０４１に入射した後、反射面１０４２と入射面１０４１との間で反射する間に平行光に変換される構成を採用してもよい。

導光部１０５０においては、合成画像光ＬＷが第１面１０５６と第２面１０５７との間で反射して進行する。部分反射面１０５５に入射した合成画像光ＬＷの一部は、部分反射面１０５５で反射して射出部１０５８から観察者の眼Ｅに向けて射出される。また、部分反射面１０５５に入射した合成画像光ＬＷの残りは、部分反射面１０５５を透過し、隣り合う次の部分反射面１０５５に入射する。このため、複数の部分反射面１０５５の各々において反射した合成画像光ＬＷは、射出部１０５８から観察者の眼Ｅに向けて射出される。これにより、観察者は、虚像を認識することができる。

その際、外界から導光部１０５０に入射した光は、導光部１０５０に入射した後、部分反射面１０５５を透過して観察者の眼Ｅに到達する。このため、観察者は、光学モジュール１から射出されたカラー画像を視認することができるとともに、外界の景色等をシースルーで視認することができる。
以上のような本実施形態の光学モジュール１を備える頭部装着型表示装置１０００によれば、光学モジュール１から出射された合成画像光ＬＷによって形成されたカラー画像（虚像）に色ズレが生じるのを抑制することができる。

図１５は、本実施形態の光学モジュール１を備える画像表示装置の他の例である投写型表示装置（プロジェクタ）２０００の概略構成図である。図１５に示すように、投写型表示装置２０００は、上記実施形態の光学モジュール１と、光学モジュール１から出射された合成画像光ＬＷをスクリーン等の被投写部材２２００に拡大して投写する投写光学系２１００と、を備えている。
このような本実施形態の光学モジュール１を備える投写型表示装置２０００によれば、被投写部材２２００に投射される合成画像光ＬＷによって形成されたカラー画像に色ズレが生じるのを抑制することができる。

〔電気光学装置〕
次に、本発明の一実施形態における電気光学装置について説明する。
図１６は、本発明の一実施形態における電気光学装置１００の概略構成図である。図１６において、電気光学装置１００の水平方向をＸ方向とし、電気光学装置１００の垂直方向をＹ方向とする。電気光学装置１００は、３色混合の画像光を出射する自発光型の電気光学装置である。本実施形態において、電気光学装置１００は、例えば有機ＥＬパネルである。図１６に示すように、電気光学装置１００は、複数の第１の画素１１０Ｒと、複数の第２の画素１１０Ｂと、複数の第３の画素１１０Ｇと、を備える。

複数の第１の画素１１０Ｒは、電気光学装置１００の基板上においてマトリクス状に配置されている。第１の画素１１０Ｒは、Ｘ方向において第３の画素１１０Ｇの左隣りに配置されている。第１の画素１１０Ｒは、第１の波長域の光を出射する。本実施形態において、第１の波長域の光は、赤色の光である。すなわち、第１の波長域は、例えば６１０ｎｍから６８０ｎｍまでの波長を含む。以下の説明において、第１の波長域の光を「赤色光」と呼称する場合がある。

複数の第２の画素１１０Ｂは、電気光学装置１００の基板上においてマトリクス状に配置されている。第２の画素１１０Ｂは、Ｘ方向において第３の画素１１０Ｇの右隣りに配置されている。第２の画素１１０Ｂは、第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する。本実施形態において、第２の波長域の光は、青色の光である。すなわち、第２の波長域は、例えば４５０ｎｍから４９０ｎｍまでの波長を含む。以下の説明において、第２の波長域の光を「青色光」と呼称する場合がある。

複数の第３の画素１１０Ｇは、電気光学装置１００の基板上においてマトリクス状に配置されている。第３の画素１１０Ｇは、Ｘ方向において第１の画素１１０Ｒと第２の画素１１０Ｂとの間に配置されている。第３の画素１１０Ｇは、第１の波長域よりも短く且つ第２の波長域よりも長い第３の波長域の光を出射する。本実施形態において、第３の波長域の光は、緑色の光である。すなわち、第３の波長域は、例えば４９５ｎｍから５７０ｎｍまでの波長を含む。以下の説明において、第３の波長域の光を「緑色光」と呼称する場合がある。
本実施形態の電気光学装置１００において、第１の画素１１０Ｒが有する第１の発光素子１１４Ｒの面積と、第２の画素１１０Ｂが有する第２の発光素子１１４Ｂの面積と、第３の画素１１０Ｇが有する第３の発光素子１１４Ｇの面積とは同じである。

電気光学装置１００は、第１の画素１１０Ｒ、第２の画素１１０Ｂおよび第３の画素１１０Ｇを含む画素領域１３０と、画素領域１３０の周囲を囲む非画素領域１４０と、を有する。電気光学装置１００の基板１２０の第１面１２１に、画素領域１３０及び非画素領域１４０が設けられている。

非画素領域１４０は、周辺領域１４１と、実装領域１４２とを含む。画素領域１３０は、第１の画素１１０Ｒ、第２の画素１１０Ｂおよび第３の画素１１０Ｇがマトリクス状に配置された矩形状の領域である。画素領域１３０には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１３１と、各走査線１３１に対応してＸ方向に延在する複数の制御線１３２と、Ｘ方向と交差するＹ方向に延在する複数のデータ線１３３と、が設けられている。第１の画素１１０Ｒ、第２の画素１１０Ｂおよび第３の画素１１０Ｇのそれぞれは、複数の走査線１３１と複数のデータ線１３３との各交差に対応した領域である。したがって、第１の画素１１０Ｒ、第２の画素１１０Ｂおよび第３の画素１１０Ｇは、Ｘ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列されている。

周辺領域１４１は、画素領域１３０を囲む矩形枠状の領域である。３つの駆動回路１５０は、周辺領域１４１内に設けられている。３つの駆動回路１５０は、画素領域１３０内の第１の画素１１０Ｒ、第２の画素１１０Ｂおよび第３の画素１１０Ｇを駆動する回路である。駆動回路１５０は、２つの走査線駆動回路１５１と、データ線駆動回路１５２とを含む。電気光学装置１００は、駆動回路１５０が基板１２０の第１面１２１上に形成されたトランジスタ等の能動素子で構成される回路内蔵型の電気光学装置である

実装領域１４２は、周辺領域１４１を挟んで画素領域１３０とは反対側、すなわち、周辺領域１４１の外側に設けられている。実装領域１４２には、複数の実装端子１６０が設けられている。制御信号及び電源電位は、制御回路及び電源回路等を含む各種の外部回路（図示省略）から実装端子１６０に供給される。外部回路は、例えば実装領域１４２に接続されたフレキシブル配線基板（図示省略）に実装される。

図１７は、第１の画素１１０Ｒ、第２の画素１１０Ｂおよび第３の画素１１０Ｇが有する画素回路の構成を示す等価回路図である。以下では、ｉ行ｊ列に位置する第１の画素１１０Ｒと、ｉ行ｊ＋１列に位置する第３の画素１１０Ｇと、ｉ行ｊ＋２列に位置する第２の画素１１０Ｂとが有する画素回路を例に挙げて説明する。

図１７に示すように、第１の画素１１０Ｒの画素回路は、第１の選択トランジスタ１１１Ｒと、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒと、第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒと、第１の発光素子１１４Ｒと、第１の保持容量１１５Ｒと、を有する。本実施形態において、第１の選択トランジスタ１１１Ｒ、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒ、および第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒは、それぞれＰチャネル型のＭＯＳ－ＦＥＴである。

第１の選択トランジスタ１１１Ｒのゲート電極は、ｉ行目の走査線１３１と電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ１１１Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、ｊ列目の第１のデータ線１３３Ｒと電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ１１１Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのゲート電極、および第１の保持容量１１５Ｒの一方の電極と電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ１１１Ｒのバックゲートは、電源電位が印加される電源配線１７１と電気的に接続されている。

第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのゲート電極は、第１の選択トランジスタ１１１Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の保持容量１１５Ｒの一方の電極と電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、電源配線１７１と電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒのソース／ドレイン領域の一方と電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのバックゲートは、電源配線１７１と電気的に接続されている。

第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒのゲート電極は、ｉ行目の第１の制御線１３２Ｒと電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、第１の発光素子１１４Ｒのアノードと電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒのバックゲートは、電源配線１７１と電気的に接続されている。

第１の発光素子１１４Ｒは、第１の波長域の光、すなわち赤色光を出射する発光素子である。第１の発光素子１１４Ｒは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ＥＬダイオードである。第１の発光素子１１４Ｒのアノードは、第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第１の発光素子１１４Ｒのカソードは、コモン電位が印加されるコモン配線１７２と電気的に接続されている。

第１の保持容量１１５Ｒは、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのゲート電位を保持するためのコンデンサである。第１の保持容量１１５Ｒの一方の電極は、第１の選択トランジスタ１１１Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのゲート電極と電気的に接続されている。第１の保持容量１１５Ｒの他方の電極は、電源配線１７１と電気的に接続されている。なお、第１の保持容量１１５Ｒとして、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのゲート電極に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。

第２の画素１１０Ｂの画素回路は、第２の選択トランジスタ１１１Ｂと、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂと、第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂと、第２の発光素子１１４Ｂと、第２の保持容量１１５Ｂと、を有する。本実施形態において、第２の選択トランジスタ１１１Ｂ、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂ、および第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂは、それぞれＰチャネル型のＭＯＳ－ＦＥＴである。

第２の選択トランジスタ１１１Ｂのゲート電極は、ｉ行目の走査線１３１と電気的に接続されている。第２の選択トランジスタ１１１Ｂのソース／ドレイン領域の他方は、ｊ＋２列目の第２のデータ線１３３Ｂと電気的に接続されている。第２の選択トランジスタ１１１Ｂのソース／ドレイン領域の一方は、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのゲート電極、および第２の保持容量１１５Ｂの一方の電極と電気的に接続されている。第２の選択トランジスタ１１１Ｂのバックゲートは、電源配線１７１と電気的に接続されている。

第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのゲート電極は、第２の選択トランジスタ１１１Ｂのソース／ドレイン領域の一方、および第２の保持容量１１５Ｂの一方の電極と電気的に接続されている。第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのソース／ドレイン領域の一方は、電源配線１７１と電気的に接続されている。第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのソース／ドレイン領域の他方は、第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂのソース／ドレイン領域の一方と電気的に接続されている。第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのバックゲートは、電源配線１７１と電気的に接続されている。

第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂのゲート電極は、ｉ行目の第２の制御線１３２Ｂと電気的に接続されている。第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂのソース／ドレイン領域の一方は、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂのソース／ドレイン領域の他方は、第２の発光素子１１４Ｂのアノードと電気的に接続されている。第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂのバックゲートは、電源配線１７１と電気的に接続されている。

第２の発光素子１１４Ｂは、第２の波長域の光、すなわち青色光を出射する発光素子である。第２の発光素子１１４Ｂは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ＥＬダイオードである。第２の発光素子１１４Ｂのアノードは、第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第２の発光素子１１４Ｂのカソードは、コモン配線１７２と電気的に接続されている。

第２の保持容量１１５Ｂは、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのゲート電位を保持するためのコンデンサである。第２の保持容量１１５Ｂの一方の電極は、第２の選択トランジスタ１１１Ｂのソース／ドレイン領域の一方、および第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのゲート電極と電気的に接続されている。第２の保持容量１１５Ｂの他方の電極は、電源配線１７１と電気的に接続されている。なお、第２の保持容量１１５Ｂとして、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのゲート電極に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。

第３の画素１１０Ｇの画素回路は、第３の選択トランジスタ１１１Ｇと、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇと、第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇと、第３の発光素子１１４Ｇと、第３の保持容量１１５Ｇと、を有する。本実施形態において、第３の選択トランジスタ１１１Ｇ、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇ、および第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇは、それぞれＰチャネル型のＭＯＳ－ＦＥＴである。

第３の選択トランジスタ１１１Ｇのゲート電極は、ｉ行目の走査線１３１と電気的に接続されている。第３の選択トランジスタ１１１Ｇのソース／ドレイン領域の他方は、ｊ＋１列目の第３のデータ線１３３Ｇと電気的に接続されている。第３の選択トランジスタ１１１Ｇのソース／ドレイン領域の一方は、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのゲート電極、および第３の保持容量１１５Ｇの一方の電極と電気的に接続されている。第３の選択トランジスタ１１１Ｇのバックゲートは、電源配線１７１と電気的に接続されている。

第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのゲート電極は、第３の選択トランジスタ１１１Ｇのソース／ドレイン領域の一方、および第３の保持容量１１５Ｇの一方の電極と電気的に接続されている。第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのソース／ドレイン領域の一方は、電源配線１７１と電気的に接続されている。第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのソース／ドレイン領域の他方は、第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇのソース／ドレイン領域の一方と電気的に接続されている。第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのバックゲートは、電源配線１７１と電気的に接続されている。

第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇのゲート電極は、ｉ行目の第３の制御線１３２Ｇと電気的に接続されている。第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇのソース／ドレイン領域の一方は、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇのソース／ドレイン領域の他方は、第３の発光素子１１４Ｇのアノードと電気的に接続されている。第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇのバックゲートは、電源配線１７１と電気的に接続されている。

第３の発光素子１１４Ｇは、第３の波長域の光、すなわち緑色光を出射する発光素子である。第３の発光素子１１４Ｇは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ＥＬダイオードである。第３の発光素子１１４Ｇのアノードは、第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第３の発光素子１１４Ｇのカソードは、コモン配線１７２と電気的に接続されている。

第３の保持容量１１５Ｇは、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのゲート電位を保持するためのコンデンサである。第３の保持容量１１５Ｇの一方の電極は、第３の選択トランジスタ１１１Ｇのソース／ドレイン領域の一方、および第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのゲート電極と電気的に接続されている。第３の保持容量１１５Ｇの他方の電極は、電源配線１７１と電気的に接続されている。なお、第３の保持容量１１５Ｇとして、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのゲート電極に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。

上記のように構成された画素回路において、ｉ行目の走査線１３１に供給される走査信号ＧＷＲ（ｉ）がハイレベルのとき、第１の選択トランジスタ１１１Ｒ、第２の選択トランジスタ１１１Ｂおよび第３の選択トランジスタ１１１Ｇは、それぞれオフ状態である。一方、走査信号ＧＷＲ（ｉ）がローレベルのとき、第１の選択トランジスタ１１１Ｒ、第２の選択トランジスタ１１１Ｂおよび第３の選択トランジスタ１１１Ｇは、それぞれオン状態となる。

第１の選択トランジスタ１１１Ｒがオン状態にあるとき、第１のデータ線１３３Ｒの電位と電源配線１７１の電位との電位差ＶＤＲに応じて第１の保持容量１１５Ｒに充電電流が流れることにより、第１の保持容量１１５Ｒの電極間電圧が電位差ＶＤＲとなるまで第１の保持容量１１５Ｒは充電される。第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのソース／ドレイン領域の他方とソース／ドレイン領域の一方との間に流れる駆動電流は、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのゲート電位、すなわち第１の保持容量１１５Ｒの電極間電圧に依存して変化する。

第２の選択トランジスタ１１１Ｂがオン状態にあるとき、第２のデータ線１３３Ｂの電位と電源配線１７１の電位との電位差ＶＤＢに応じて第２の保持容量１１５Ｂに充電電流が流れることにより、第２の保持容量１１５Ｂの電極間電圧が電位差ＶＤＢとなるまで第２の保持容量１１５Ｂは充電される。第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのソース／ドレイン領域の他方とソース／ドレイン領域の一方との間に流れる駆動電流は、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのゲート電位、すなわち第２の保持容量１１５Ｂの電極間電圧に依存して変化する。

第３の選択トランジスタ１１１Ｇがオン状態にあるとき、第３のデータ線１３３Ｇの電位と電源配線１７１の電位との電位差ＶＤＧに応じて第３の保持容量１１５Ｇに充電電流が流れることにより、第３の保持容量１１５Ｇの電極間電圧が電位差ＶＤＧとなるまで第３の保持容量１１５Ｇは充電される。第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのソース／ドレイン領域の他方とソース／ドレイン領域の一方との間に流れる駆動電流は、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのゲート電位、すなわち第３の保持容量１１５Ｇの電極間電圧に依存して変化する。

ｉ行目の第１の制御線１３２Ｒに供給される第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）がハイレベルのとき、第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒはオフ状態である。第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒがオフ状態にあるとき、第１の発光素子１１４Ｒのアノードは、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に切り離された状態にあるため、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒを介して第１の発光素子１１４Ｒに駆動電流は流れない。すなわち、第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒがオフ状態にあるとき、第１の発光素子１１４Ｒは発光しない。

一方、第１の制御信号ＲＧＥＬ（ｉ）がローレベルのとき、第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒはオン状態となる。第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒがオン状態にあるとき、第１の発光素子１１４Ｒのアノードは、第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒを介して第１の駆動トランジスタ１１２Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続された状態になるため、第１の駆動トランジスタ１１２Ｒを介して、第１の保持容量１１５Ｒによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第１の発光素子１１４Ｒに流れる。すなわち、第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒがオン状態にあるとき、第１の発光素子１１４Ｒは、駆動電流に応じて発光する。第１の発光素子１１４Ｒから出射される赤色光の強度は、駆動電流の値、すなわち第１の保持容量１１５Ｒによって保持される電圧に依存して変化する。

ｉ行目の第２の制御線１３２Ｂに供給される第２の制御信号ＢＧＥＬ（ｉ）がハイレベルのとき、第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂはオフ状態である。第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂがオフ状態にあるとき、第２の発光素子１１４Ｂのアノードは、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのソース／ドレイン領域の他方と電気的に切り離された状態にあるため、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂを介して第２の発光素子１１４Ｂに駆動電流は流れない。すなわち、第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂがオフ状態にあるとき、第２の発光素子１１４Ｂは発光しない。

一方、第２の制御信号ＢＧＥＬ（ｉ）がローレベルのとき、第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂはオン状態となる。第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂがオン状態にあるとき、第２の発光素子１１４Ｂのアノードは、第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂを介して第２の駆動トランジスタ１１２Ｂのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続された状態になるため、第２の駆動トランジスタ１１２Ｂを介して、第２の保持容量１１５Ｂによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第２の発光素子１１４Ｂに流れる。すなわち、第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂがオン状態にあるとき、第２の発光素子１１４Ｂは、駆動電流に応じて発光する。第２の発光素子１１４Ｂから出射される青色光の強度は、駆動電流の値、すなわち第２の保持容量１１５Ｂによって保持される電圧に依存して変化する。

ｉ行目の第３の制御線１３２Ｇに供給される第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）がハイレベルのとき、第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇはオフ状態である。第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇがオフ状態にあるとき、第３の発光素子１１４Ｇのアノードは、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのソース／ドレイン領域の他方と電気的に切り離された状態にあるため、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇを介して第３の発光素子１１４Ｇに駆動電流は流れない。すなわち、第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇがオフ状態にあるとき、第３の発光素子１１４Ｇは発光しない。

一方、第３の制御信号ＧＧＥＬ（ｉ）がローレベルのとき、第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇはオン状態となる。第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇがオン状態にあるとき、第３の発光素子１１４Ｇのアノードは、第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇを介して第３の駆動トランジスタ１１２Ｇのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続された状態になるため、第３の駆動トランジスタ１１２Ｇを介して、第３の保持容量１１５Ｇによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第３の発光素子１１４Ｇに流れる。すなわち、第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇがオン状態にあるとき、第３の発光素子１１４Ｇは、駆動電流に応じて発光する。第３の発光素子１１４Ｇから出射される緑色光の強度は、駆動電流の値、すなわち第３の保持容量１１５Ｇによって保持される電圧に依存して変化する。

上記実施形態の光学モジュール１と同様に、本実施形態の電気光学装置１００において、１フレームにおける第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒがオン状態である第１の時間は、１フレームにおける第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂがオン状態である第２の時間よりも短い。言い換えれば、本実施形態の電気光学装置１００において、１フレームにおける赤色発光時間は、１フレームにおける青色発光時間よりも短い。
このような本実施形態の電気光学装置１００によれば、光学モジュール１と同様に、各発光素子の劣化速度（寿命特性）に起因して白色の画像光に色ズレが生じるのを抑制することができる。

また、本実施形態の電気光学装置１００において、１フレームにおける第１の発光制御トランジスタ１１３Ｒがオン状態である第１の時間は、１フレームにおける第２の発光制御トランジスタ１１３Ｂがオン状態である第２の時間の０．３倍から０．６倍であることが好ましい。言い換えれば、本実施形態の電気光学装置１において、１フレームにおける赤色発光時間は、１フレームにおける青色発光時間の０．３倍から０．６倍であることが好ましい。
このような本実施形態の電気光学装置１００によれば、光学モジュール１と同様に、各発光素子の劣化速度（寿命特性）に起因して白色の画像光に色ズレが生じるのをより効果的に抑制することができる。

また、本実施形態の電気光学装置１００において、１フレームにおける第３の発光制御トランジスタ１１３Ｇがオン状態である第３の時間は、第２の時間よりも短く且つ第１の時間よりも長い。言い換えれば、本実施形態の電気光学装置１００において、１フレームにおける緑色発光時間は、青色発光時間よりも短く且つ赤色発光時間よりも長い。
このような本実施形態の電気光学装置１００によれば、光学モジュール１と同様に、各発光素子の劣化速度（寿命特性）に起因して白色の合成画像光ＬＷに色ズレが生じるのを抑制する効果が増す。

また、本実施形態の電気光学装置１００において、第１の発光素子１１４Ｒの面積と、第２の発光素子１１４Ｂの面積と、第３の発光素子１１４Ｇの面積とが同じである。
これにより、第１の発光素子１１４Ｒの面積と、第２の発光素子１１４Ｂの面積と、第３の発光素子１１４Ｇの面積とが互いに異なることに起因して画像光に色ズレが生じるのを抑制することができる。

さらに、本実施形態の電気光学装置１００は、赤色光を出射する第１の画素１１０Ｒと、青色光を出射する第２の画素１１０Ｂと、緑色光を出射する第３の画素１１０Ｇと、を備える。すなわち、本実施形態の電気光学装置１００は、単体で３色混合の画像光を生成する。
このような本実施形態の電気光学装置１００を用いて後述するような画像表示装置を構成することにより、画像表示装置の小型化を実現できる。

〔電気光学装置１００を備える画像表示装置〕
図１８は、本実施形態の電気光学装置１００を備える画像表示装置の一例である投写型表示装置（プロジェクタ）３０００の概略構成図である。図１８に示すように、投写型表示装置３０００は、本実施形態の電気光学装置１００と、電気光学装置１００から出射された３色混合の画像光Ｌをスクリーン等の被投写部材３２００に拡大して投写する投写光学系３１００と、を備えている。
このような本実施形態の電気光学装置１００を備える投写型表示装置３０００によれば、被投写部材３２００に投射される画像光Ｌによって形成されたカラー画像に色ズレが生じるのを抑制することができる。また、上記のように、本実施形態の電気光学装置１００を用いることにより、投写型表示装置３０００の小型化を実現できる。

〔変形例〕
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

例えば、図３に示した第１の画素１１Ｒの画素回路を、図１９に示す画素回路に変更してもよい。図１９に示すように、変形例における第１の画素１１Ｒの画素回路は、第１の選択トランジスタ７１Ｒと、第１の駆動トランジスタ７２Ｒと、第１の発光制御トランジスタ７３Ｒと、第１の発光素子７４Ｒと、第１の保持容量７５Ｒと、第１の補助容量７６Ｒと、を有する。第１の選択トランジスタ７１Ｒ、第１の駆動トランジスタ７２Ｒ、および第１の発光制御トランジスタ７３Ｒは、それぞれ、Ｐチャネル型のＭＯＳ－ＦＥＴである。

第１の選択トランジスタ７１Ｒのゲート電極は、ｉ行目の走査線３１と電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ７１Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、ｊ列目のデータ線３３と電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ７１Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、第１の駆動トランジスタ７２Ｒのゲート電極、および第１の保持容量７５Ｒの一方の電極と電気的に接続されている。第１の選択トランジスタ７１Ｒのバックゲートは、電源配線６１と電気的に接続されている。

第１の駆動トランジスタ７２Ｒのゲート電極は、第１の選択トランジスタ７１Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の保持容量７５Ｒの一方の電極と電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ７２Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、第１の発光制御トランジスタ７３Ｒのソース／ドレイン領域の他方、および第１の保持容量７５Ｒの他方の電極と電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ７２Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、第１の発光素子７４Ｒのアノードと電気的に接続されている。第１の駆動トランジスタ７２Ｒのバックゲートは、電源配線６１と電気的に接続されている。

第１の発光制御トランジスタ７３Ｒのゲート電極は、ｉ行目の制御線３２と電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ７３Ｒのソース／ドレイン領域の一方は、電源配線６１と電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ７３Ｒのソース／ドレイン領域の他方は、第１の駆動トランジスタ７２Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の保持容量７５Ｒの他方の電極と電気的に接続されている。第１の発光制御トランジスタ７３Ｒのバックゲートは、電源配線６１と電気的に接続されている。

第１の発光素子７４Ｒは、第１の波長域の光、すなわち赤色光を出射する発光素子である。第１の発光素子７４Ｒは、例えば有機ＥＬダイオードである。第１の発光素子７４Ｒのアノードは、第１の駆動トランジスタ７２Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第１の発光素子７４Ｒのカソードは、コモン配線６２と電気的に接続されている。

第１の保持容量７５Ｒは、第１の駆動トランジスタ７２Ｒのゲート電位を保持するためのコンデンサである。第１の保持容量７５Ｒの一方の電極は、第１の選択トランジスタ７１Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の駆動トランジスタ７２Ｒのゲート電極と電気的に接続されている。第１の保持容量７５Ｒの他方の電極は、第１の補助容量７６Ｒの一方の電極、第１の駆動トランジスタ７２Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の発光制御トランジスタ７３Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。なお、第１の保持容量７５Ｒとして、第１の駆動トランジスタ７２Ｒのゲート電極に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。

第１の補助容量７６Ｒは、第１の保持容量７５Ｒを補助するコンデンサである。第１の補助容量７６Ｒの一方の電極は、第１の補助容量７６Ｒの他方の電極、第１の駆動トランジスタ７２Ｒのソース／ドレイン領域の一方、および第１の発光制御トランジスタ７３Ｒのソース／ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第１の補助容量７６Ｒの他方の電極は、電源配線６１と電気的に接続される。なお、第１の補助容量７６Ｒとして、第１の発光制御トランジスタ７３Ｒのソース／ドレイン領域の一方とソース／ドレイン領域の他方との間に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。

図１９に示す画素回路は、第１の画素１１Ｒの画素回路だけでなく、第２の画素１１Ｂ、第３の画素１１Ｇ、第１の画素１１０Ｒ、第２の画素１１０Ｂ、および第３の画素１１０Ｇのそれぞれの画素回路として用いてもよい。

上記実施形態では、各発光素子が有機ＥＬダイオードである形態を例示したが、本発明はこれに限定されない。各発光素子として、無機ＥＬ素子、ＬＥＤアレイ、有機ＬＥＤ、レーザーアレイ、および量子ドット発光型素子等の他の自発光素子を用いてよい。

上記実施形態では、光学モジュール１を備える画像表示装置として頭部装着型表示装置１０００と投射型表示装置２０００とを例示したが、本発明の光学モジュールは様々な形態の画像表示装置に適用することができる。また、上記実施形態では、電気光学装置１００を備える画像表示装置として投射型表示装置３０００とを例示したが、本発明の電気光学装置は様々な形態の画像表示装置に適用することができる。

本発明の一態様の光学モジュールは、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一態様の光学モジュールは、第１の波長域の光を出射する第１の発光素子と、前記第１の発光素子に対応する第１の発光制御トランジスタと、を有する第１の電気光学装置と、前記第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する第２の発光素子と、前記第２の発光素子に対応する第２の発光制御トランジスタと、を有する第２の電気光学装置と、前記第１の電気光学装置から出射される光と、前記第２の電気光学装置から出射される光とを合成するプリズムと、を備え、１フレームにおける前記第１の発光制御トランジスタがオン状態である第１の時間は、前記１フレームにおける前記第２の発光制御トランジスタがオン状態である第２の時間よりも短い。

本発明の一態様の光学モジュールにおいて、前記第１の時間は、前記第２の時間の０．３倍から０．６倍であってもよい。

本発明の一態様の光学モジュールにおいて、前記第１の発光素子の面積は、前記第２の発光素子の面積と同じであってもよい。

本発明の一態様の光学モジュールにおいて、前記第１の波長域よりも短く且つ前記第２の波長域よりも長い第３の波長域の光を出射する第３の発光素子と、前記第３の発光素子に対応する第３の発光制御トランジスタと、を有する第３の電気光学装置を備え、前記プリズムは、前記第１の電気光学装置から出射される光と、前記第２の電気光学装置から出射される光と、前記第３の電気光学装置から出射される光と、を合成し、前記１フレームにおける前記第３の発光制御トランジスタがオン状態である第３の時間は、前記第２の時間よりも短く且つ前記第１の時間よりも長くてもよい。

本発明の一態様の光学モジュールにおいて、前記第１の発光素子の面積と、前記第２の発光素子の面積と、前記第３の発光素子の面積とが同じであってもよい。

本発明の一態様の電気光学装置は、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一態様の電気光学装置は、第１の波長域の光を出射する第１の画素と、前記第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する第２の画素と、を備え、前記第１の画素は、第１の発光素子と、前記第１の発光素子に対応する第１の発光制御トランジスタと、を含み、前記第２の画素は、第２の発光素子と、前記第２の発光素子に対応する第２の発光制御トランジスタと、を含み、１フレームにおける前記第１の発光制御トランジスタがオン状態である第１の時間は、前記１フレームにおける前記第２の発光制御トランジスタがオン状態である第２の時間よりも短い。

本発明の一態様の電気光学装置において、前記第１の時間は、前記第２の時間の０．３倍から０．６倍であってもよい。

本発明の一態様の電気光学装置において、前記第１の発光素子の面積は、前記第２の発光素子の面積と同じであってもよい。

本発明の一態様の電気光学装置において、前記第１の波長域よりも短く且つ前記第２の波長域よりも長い第３の波長域の光を出射する第３の画素を備え、前記第３の画素は、第３の発光素子と、前記第３の発光素子に対応する第３の発光制御トランジスタと、を含み、前記１フレームにおける前記第３の発光制御トランジスタがオン状態である第３の時間は、前記第２の時間よりも短く且つ前記第１の時間よりも長くてもよい。

本発明の一態様の電気光学装置において、前記第１の発光素子の面積と、前記第２の発光素子の面積と、前記第３の発光素子の面積とが同じであってもよい。

本発明の一態様の画像表示装置は、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一態様の画像表示装置は、本発明の一態様の光学モジュール、または、本発明の一態様の電気光学装置を備える。

１…光学モジュール、１０Ｒ…第１の電気光学装置、１０Ｂ…第２の電気光学装置、１０Ｇ…第３の電気光学装置、１１Ｒ…第１の画素、１１Ｂ…第２の画素、１１Ｇ…第３の画素、２０…ダイクロイックプリズム（プリズム）、５３Ｒ…第１の発光制御トランジスタ、５４Ｒ…第１の発光素子、５３Ｂ…第２の発光制御トランジスタ、５４Ｂ…第２の発光素子、５３Ｇ…第３の発光制御トランジスタ、５４Ｇ…第３の発光素子、１００…電気光学装置、１１０Ｒ…第１の画素、１１０Ｂ…第２の画素、１１０Ｇ…第３の画素、１１３Ｒ…第１の発光制御トランジスタ、１１４Ｒ…第１の発光素子、１１３Ｂ…第２の発光制御トランジスタ、１１４Ｂ…第２の発光素子、１１３Ｇ…第３の発光制御トランジスタ、１１４Ｇ…第３の発光素子、１０００…頭部装着型表示装置（画像表示装置）、２０００、３０００…投写型表示装置（画像表示装置）

Claims (11)

1. 第１の波長域の光を出射する第１の発光素子と、前記第１の発光素子に対応する第１の発光制御トランジスタと、を有する第１の電気光学装置と、
   前記第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する第２の発光素子と、前記第２の発光素子に対応する第２の発光制御トランジスタと、を有する第２の電気光学装置と、
   前記第１の電気光学装置から出射される光と、前記第２の電気光学装置から出射される光とを合成するプリズムと、
   を備え、
   １フレームにおける前記第１の発光制御トランジスタがオン状態である第１の時間は、前記１フレームにおける前記第２の発光制御トランジスタがオン状態である第２の時間よりも短い、
   光学モジュール。
2. 前記第１の時間は、前記第２の時間の０．３倍から０．６倍である、請求項１に記載の光学モジュール。
3. 前記第１の発光素子の面積は、前記第２の発光素子の面積と同じである、請求項１または請求項２に記載の光学モジュール。
4. 前記第１の波長域よりも短く且つ前記第２の波長域よりも長い第３の波長域の光を出射する第３の発光素子と、前記第３の発光素子に対応する第３の発光制御トランジスタと、を有する第３の電気光学装置を備え、
   前記プリズムは、前記第１の電気光学装置から出射される光と、前記第２の電気光学装置から出射される光と、前記第３の電気光学装置から出射される光と、を合成し、
   前記１フレームにおける前記第３の発光制御トランジスタがオン状態である第３の時間は、前記第２の時間よりも短く且つ前記第１の時間よりも長い、請求項１または請求項２に記載の光学モジュール。
5. 前記第１の発光素子の面積と、前記第２の発光素子の面積と、前記第３の発光素子の面積とが同じである、請求項４に記載の光学モジュール。
6. 第１の波長域の光を出射する第１の画素と、
   前記第１の波長域よりも短い第２の波長域の光を出射する第２の画素と、
   を備え、
   前記第１の画素は、
   第１の発光素子と、
   前記第１の発光素子に対応する第１の発光制御トランジスタと、
   を含み、
   前記第２の画素は、
   第２の発光素子と、
   前記第２の発光素子に対応する第２の発光制御トランジスタと、
   を含み、
   １フレームにおける前記第１の発光制御トランジスタがオン状態である第１の時間は、前記１フレームにおける前記第２の発光制御トランジスタがオン状態である第２の時間よりも短い、
   電気光学装置。
7. 前記第１の時間は、前記第２の時間の０．３倍から０．６倍である、請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記第１の発光素子の面積は、前記第２の発光素子の面積と同じである、請求項６または請求項７に記載の電気光学装置。
9. 前記第１の波長域よりも短く且つ前記第２の波長域よりも長い第３の波長域の光を出射する第３の画素を備え、
   前記第３の画素は、
   第３の発光素子と、
   前記第３の発光素子に対応する第３の発光制御トランジスタと、
   を含み、
   前記１フレームにおける前記第３の発光制御トランジスタがオン状態である第３の時間は、前記第２の時間よりも短く且つ前記第１の時間よりも長い、請求項６または請求項７に記載の電気光学装置。
10. 前記第１の発光素子の面積と、前記第２の発光素子の面積と、前記第３の発光素子の面積とが同じである、請求項９に記載の電気光学装置。
11. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の光学モジュール、または請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、画像表示装置。

Images