JP2022112948A - 光源装置およびプロジェクター - Google Patents
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Abstract
【課題】励起光を効率良く利用できる、光源装置およびプロジェクターを提供する。【解決手段】本発明の光源装置は、励起光を射出する励起光源と、第1面および第2面を含み、励起光源から射出されて第1面から入射する励起光の一部を波長変換して生成した蛍光を第2面から射出するセラミック蛍光体と、セラミック蛍光体の第1面を支持する基板と、を備え、励起光源から射出された励起光は、セラミック蛍光体の第1面のうち基板から露出される露出部分に入射し、露出部分において励起光の照射領域から基板までの距離は、0.34mm以上である。【選択図】図3
Description
本発明は、光源装置およびプロジェクターに関する。
従来、光源から射出された励起光を蛍光体に照射した際に蛍光体から発せられる蛍光を利用した光源装置が提案されている。下記特許文献1には、励起光を入射させた面と反対の面から蛍光を射出させる透過型の蛍光体ユニットが開示されている。この蛍光体ユニットでは、透明基板上に蛍光体を設けている。
上記特許文献1の蛍光体ユニットでは、透明基板を透過して蛍光体に励起光が入射するため、励起光の一部が蛍光体と透明基板との界面で反射されることで透明基板内で迷光となり、励起光の利用効率を低下させていた。
上記の課題を解決するために、本発明の1つの態様によれば、基板と、前記基板の一方の面に支持され、第1面の一部が前記基板から露出された露出面を含む透過型のセラミック蛍光体と、前記セラミック蛍光体の前記露出面に励起光を照射する励起光源と、を備え、前記露出面における前記励起光の照射領域から、前記基板までの距離は、0.34mm以上である光源装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、上記第2態様の光源装置と、前記光源装置から射出される光を画像情報に応じて変調して画像光を形成する光変調装置と、前記画像光を投射する投射光学装置と、を備えるプロジェクターが提供される。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るプロジェクターの概略構成を示す図である。図2は光源装置の概略構成を示す図である。
図1に示すように、本実施形態のプロジェクター1は、スクリーンSCR上に映像を表示する投射型画像表示装置である。プロジェクター1は、光源装置2と、色分離光学系3と、光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bと、合成光学系5と、投射光学装置6とを備えている。
図1は、第1実施形態に係るプロジェクターの概略構成を示す図である。図2は光源装置の概略構成を示す図である。
図1に示すように、本実施形態のプロジェクター1は、スクリーンSCR上に映像を表示する投射型画像表示装置である。プロジェクター1は、光源装置2と、色分離光学系3と、光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bと、合成光学系5と、投射光学装置6とを備えている。
光源装置2は、色分離光学系3に向けて白色の照明光WLを射出する。
色分離光学系3は、光源装置2から射出された照明光WLを赤色光LRと、緑色光LGと、青色光LBとに分離する。色分離光学系3は、第1のダイクロイックミラー7a及び第2のダイクロイックミラー7bと、第1の全反射ミラー8a、第2の全反射ミラー8b及び第3の全反射ミラー8cと、第1のリレーレンズ9a及び第2のリレーレンズ9bとを備えている。
色分離光学系3は、光源装置2から射出された照明光WLを赤色光LRと、緑色光LGと、青色光LBとに分離する。色分離光学系3は、第1のダイクロイックミラー7a及び第2のダイクロイックミラー7bと、第1の全反射ミラー8a、第2の全反射ミラー8b及び第3の全反射ミラー8cと、第1のリレーレンズ9a及び第2のリレーレンズ9bとを備えている。
第1のダイクロイックミラー7aは、光源装置2からの照明光WLを赤色光LRと、その他の光(緑色光LG及び青色光LB)とに分離する。第1のダイクロイックミラー7aは、赤色光LRを透過すると共に、その他の光(緑色光LG及び青色光LB)を反射する。一方、第2のダイクロイックミラー7bは、緑色光LGを反射すると共に青色光LBを透過することによって、その他の光(緑色光LG及び青色光LB)を緑色光LGと青色光LBとに分離する。
第1の全反射ミラー8aは、赤色光LRの光路中に配置されて、第1のダイクロイックミラー7aを透過した赤色光LRを光変調装置4Rに向けて反射する。一方、第2の全反射ミラー8b及び第3の全反射ミラー8cは、青色光LBの光路中に配置されて、第2のダイクロイックミラー7bを透過した青色光LBを光変調装置4Bに導く。緑色光LGは、第2のダイクロイックミラー7bから光変調装置4Gに向けて反射される。
第1のリレーレンズ9a及び第2のリレーレンズ9bは、青色光LBの光路中における第2の全反射ミラー8bの光射出側に配置されている。第1のリレーレンズ9a及び第2のリレーレンズ9bは、青色光LBの光路長が赤色光LRや緑色光LGの光路長よりも長くなることに起因した青色光LBの光損失を補償する機能を有している。
光変調装置4Rは、赤色光LRを画像情報に応じて変調し、赤色光LRに対応した画像光を形成する。光変調装置4Gは、緑色光LGを画像情報に応じて変調し、緑色光LGに対応した画像光を形成する。光変調装置4Bは、青色光LBを画像情報に応じて変調し、青色光LBに対応した画像光を形成する。
光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bには、例えば透過型の液晶パネルが用いられている。また、液晶パネルの入射側及び射出側各々には、偏光板(図示せず。)が配置されている。
また、光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bの入射側には、それぞれフィールドレンズ10R,フィールドレンズ10G,フィールドレンズ10Bが配置されている。フィールドレンズ10R,フィールドレンズ10G,フィールドレンズ10Bは、光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bそれぞれに入射する赤色光LR,緑色光LG,青色光LBそれぞれを平行化する。
合成光学系5には、光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bからの画像光が入射する。合成光学系5は、各々が赤色光LR,緑色光LG,青色光LBに対応した画像光を合成し、この合成された画像光を投射光学装置6に向けて射出する。合成光学系5には、例えばクロスダイクロイックプリズムが用いられている。
投射光学装置6は、投射レンズ群からなり、合成光学系5により合成された画像光をスクリーンSCRに向けて拡大投射する。これにより、スクリーンSCR上には、拡大された映像が表示される。
(光源装置)
続いて、光源装置2の構成について説明する。
図2に示すように、光源装置2は、励起光源10と、アフォーカル光学系11と、ホモジナイザー光学系12と、集光光学系13と、波長変換素子20と、ピックアップ光学系30と、均一照明光学系80と、を備える。
続いて、光源装置2の構成について説明する。
図2に示すように、光源装置2は、励起光源10と、アフォーカル光学系11と、ホモジナイザー光学系12と、集光光学系13と、波長変換素子20と、ピックアップ光学系30と、均一照明光学系80と、を備える。
励起光源10は、レーザー光からなる青色の励起光Eを射出する複数の半導体レーザー10aと、複数のコリメーターレンズ10bとから構成される。複数の半導体レーザー10aは、照明光軸100axと直交する一つの平面内においてアレイ状に配置されている。コリメーターレンズ10bは、各半導体レーザー10aに対応するように、照明光軸100axと直交する一つの平面内においてアレイ状に配置されている。コリメーターレンズ10bは、対応する半導体レーザー10aから射出された励起光Eを平行光に変換する。
アフォーカル光学系11は、例えば凸レンズ11aと、凹レンズ11bと、を備えている。アフォーカル光学系11は、励起光源10から射出された平行光束からなる励起光Eの光束径を縮小する。
ホモジナイザー光学系12は、例えば第1マルチレンズアレイ12aと、第2マルチレンズアレイ12bと、を備えている。ホモジナイザー光学系12は、励起光の光強度分布を後述する波長変換素子20上で均一な状態、いわゆるトップハット分布にする。ホモジナイザー光学系12は、第1マルチレンズアレイ12aおよび第2マルチレンズアレイ12bの複数のレンズから射出された複数の小光束を、集光光学系13とともに、波長変換素子20上で互いに重畳させる。これにより、波長変換素子20上に照射する励起光Eの光強度分布を均一な状態とする。
集光光学系13は、例えば第1レンズ13aと、第2レンズ13bと、を備えている。本実施形態において、第1レンズ13aおよび第2レンズ13bは、それぞれ凸レンズから構成されている。集光光学系13は、ホモジナイザー光学系12から波長変換素子20までの光路中に配置され、励起光Eを集光させて波長変換素子20に入射させる。波長変換素子20の構成については後述する。
ピックアップ光学系30は、例えば第1コリメートレンズ31と、第2コリメートレンズ32と、を備えている。ピックアップ光学系30は、波長変換素子20から射出された光を略平行化する平行化光学系である。第1コリメートレンズ31および第2コリメートレンズ32は、それぞれ凸レンズから構成されている。ピックアップ光学系30で平行化された光は均一照明光学系80に入射する。
均一照明光学系80は、第1レンズアレイ81と、第2レンズアレイ82と、偏光変換素子83と、重畳レンズ84とを含む。
第1レンズアレイ81は、光源装置2からの照明光WLを複数の部分光束に分割するための複数の第1レンズ81aを有する。複数の第1レンズ81aは、照明光軸100axと直交する面内においてマトリクス状に配列されている。
第2レンズアレイ82は、第1レンズアレイ81の複数の第1レンズ81aに対応する複数の第2レンズ82aを有する。複数の第2レンズ82aは、照明光軸100axに直交する面内においてマトリクス状に配列されている。
第2レンズアレイ82は、重畳レンズ84とともに、第1レンズアレイ81の各第1レンズ81aの像を光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bの画像形成領域の近傍にそれぞれ結像する。
偏光変換素子83は、第2レンズアレイ82から射出された光を直線偏光に変換する。偏光変換素子83は、例えば、偏光分離膜及び位相差板(図示略)を備えている。
重畳レンズ84は、偏光変換素子83から射出された各部分光束を集光して光変調装置4R,光変調装置4G,および光変調装置4Bの画像形成領域の近傍にそれぞれ重畳する。
(波長変換素子)
次に、波長変換素子の構成について説明する。
図3は、波長変換素子20の要部構成を示す断面図である。なお、図3は、図2の照明光軸100axを含む平面で波長変換素子20を切断した断面に相当する。
次に、波長変換素子の構成について説明する。
図3は、波長変換素子20の要部構成を示す断面図である。なお、図3は、図2の照明光軸100axを含む平面で波長変換素子20を切断した断面に相当する。
図3に示すように、本実施形態の波長変換素子20は、基板21と、セラミック蛍光体22と、ダイクロイック層(光学層)23と、接合部材24とを備えている。本実施形態の波長変換素子20は、セラミック蛍光体22に対する励起光Eの入射位置を時間的に変化させない固定型蛍光体である。
基板21は、例えばアルミニウムや銅等の放熱性に優れた金属材料で構成されている。基板21は、セラミック蛍光体22を支持する支持部材である。本実施形態の基板21は非透光性部材で構成されている。基板21は、例えば、アルミニウム、銅等の放熱性に優れた金属材料で構成されている。本実施形態の基板21は、セラミック蛍光体22よりも熱伝導率が高い。基板21は、セラミック蛍光体22を支持する支持面21aを有する。
セラミック蛍光体22は、第1面22aと、第1面22aとは異なる第2面22bと、を有する。第1面22aは、励起光源10から射出された励起光Eが入射する側の面である。第2面22bは、蛍光Yを射出させる側の面である。本実施形態のセラミック蛍光体22は、第1面22aから入射した励起光Eにより生成された蛍光Yを第1面22aとは反対側の第2面22bから射出させる、透過型の波長変換素子である。
セラミック蛍光体22は、蛍光体相25と、マトリックス相26とを有する。蛍光体相25は、賦活剤が添加された酸化物蛍光体を含有している。蛍光体相25は、例えば、賦活剤としてセリウム(Ce)が添加されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG(Y3Al5O12):Ce)を含んでいる。
YAG:Ceを例にとると、蛍光体粒子として、Y2O3、Al2O3、CeO3等の構成元素を含む原料粉末を混合して固相反応させた材料、共沈法、ソルゲル法等の湿式法により得られるY-Al-Oアモルファス粒子、噴霧乾燥法、火炎熱分解法、熱プラズマ法等の気相法により得られるYAG粒子等を用いることができる。
蛍光体相25を構成する酸化物蛍光体は、Y3Al5O12の他、Y3(Al,Ga)5O12,Lu3Al5O12,TbAl5O12の少なくともいずれか一つを含んでいてもよい。また、蛍光体相25は、賦活剤として、セリウム(Ce)に代えて、ユーロピウム(Eu)を含んでいてもよい。
マトリックス相26は、蛍光体相25を構成する複数の蛍光体粒子同士を結合するバインダーとして機能する。マトリックス相26は、透光性セラミックスとしてMgO(酸化マグネシウム)を含む材料で構成されている。マトリックス相26を構成する酸化マグネシウムの熱伝導率は約50W/m・Kであり、蛍光体相25を構成するYAGの熱伝導率は約12W/m・Kである。本実施形態において、マトリックス相26は、蛍光体相25よりも熱伝導率の高い透光性セラミックスを含有する。
マトリックス相26を構成する金属酸化物は、上記のMgOに加えて、Al2O3,ZnO,TiO2,Y2O3,YAlO3,BeO,MgAl2O4の少なくともいずれか一つを含んでいてもよい。
なお、Al2O3の熱伝導率は約30W/m・Kであり、ZnOの熱伝導率は約25W/m・Kであり、TiO2の熱伝導率は約43W/m・Kであり、Y2O3の熱伝導率は約27W/m・Kであり、YAlO3の熱伝導率は約12W/m・Kであり、BeOの熱伝導率は約250W/m・Kであり、MgAl2O4の熱伝導率は約14W/m・Kである。
このようなセラミック蛍光体22は、例えば、以下の工程によって製造することができる。
YAG:Ceの原料粉体である所定量のAl2O3粉体、Y2O3粉体、およびCeO2粉体と所定量のエタノールとを混ぜ、ポット内でボールミーリングを行ってスラリーを生成する。スラリーを乾燥させ、造粒後に脱脂、焼結させてYAG:Ce粉体を得る。
YAG:Ceの原料粉体である所定量のAl2O3粉体、Y2O3粉体、およびCeO2粉体と所定量のエタノールとを混ぜ、ポット内でボールミーリングを行ってスラリーを生成する。スラリーを乾燥させ、造粒後に脱脂、焼結させてYAG:Ce粉体を得る。
上記工程で得られた所定量のYAG:Ce粉体と、MgO粉体と所定量のエタノールとを混ぜ、ポット内でボールミーリングを行ってスラリーを生成する。その後、スラリーを乾燥させて造粒し、成形、脱脂、焼結を順次行うことによって、YAG:Ce,YAGとMgO(酸化マグネシウム)とのコンポジット焼結体からなる本実施形態のセラミック蛍光体22を得ることができる。なお、焼結体の密度を上げるために、圧力を加えた状態で焼結する熱間等方圧加圧加工を加えてもよい。
ダイクロイック層23は、特定の波長を反射する反射層として、セラミック蛍光体22の第1面22aに設けられている。ダイクロイック層23は、励起光Eを透過し、セラミック蛍光体22から射出される蛍光Yを反射する特性を有する。このようなダイクロイック層23を設けることで、セラミック蛍光体22内で生成された蛍光Yが外部に射出されるのを抑制できる。これにより、セラミック蛍光体22で生成した蛍光Yをセラミック蛍光体22から効率良く取り出すことができる。
本実施形態の基板21には、貫通孔(開口)210が形成されている。セラミック蛍光体22の第1面22aの一部は貫通孔210を介して露出されている。以下、セラミック蛍光体22において、第1面22aのうちの貫通孔210を介して露出される部分を露出部分211と称す。本実施形態のセラミック蛍光体22において、励起光Eは露出部分211に入射される。
セラミック蛍光体22は接合部材24を介して基板21に接合されている。本実施形態の接合部材24は熱伝導率の高い導電性フィラーを含有する。接合部材24に含有される導電性フィラーの材料としては、例えば、金属やAl2O3、ZrO2、MgO、AlNの少なくとも1種類が用いられる。このように導電性フィラーを含有した接合部材24を用いることで、セラミック蛍光体22の熱を基板21側に効率良く伝達できる。
基板21は、セラミック蛍光体22における励起光の入射領域とは異なる領域に当接する。そのため、基板21は、セラミック蛍光体22で生じる熱を放熱する部材としても機能する。基板21は、貫通孔210の除いた部分でセラミック蛍光体22に当接している。
本実施形態のセラミック蛍光体22は、励起光源10から射出された青色の励起光Eのうち、波長変換されずに第2面22bから射出される励起光Eの一部である青色光(透過光)E1と、セラミック蛍光体22による励起光Eの波長変換によって生成される黄色の蛍光Yと、を合成した白色の照明光WLを射出する。
セラミック蛍光体22から射出される照明光WLのホワイトバランスは、青色光E1の光量と蛍光Yの光量との光量比で決まる。以下、本明細書において、この光量比をBY比と呼ぶ。プロジェクターに用いる照明光WLとして実用的なホワイトバランスを得るための条件はBY比30%~50%である。
BY比はセラミック蛍光体22の厚さの影響を受けることが分かっている。例えば、セラミック蛍光体22の厚さを相対的に薄くするとセラミック蛍光体22を透過する青色光E1の光量を増やすことができる。しかしながら、セラミック蛍光体22の厚さが40μmよりも薄くなると、セラミック蛍光体22を製造することが難しくなる。そのため、製造の観点から、セラミック蛍光体22の厚さの下限値は40μmとするのが望ましい。
また、セラミック蛍光体22の厚さを相対的に厚くするとセラミック蛍光体22を透過する青色光E1の光量が減少してしまう。さらに、セラミック蛍光体22の厚さが150μmを超えると、セラミック蛍光体22内において蛍光Yの再吸収が発生し易くなるため、第2面22bから取り出せる蛍光Yの光量が減少してしまう。そのため、蛍光Yの光利用効率の観点から、セラミック蛍光体22の厚さの上限値は150μmとするのが望ましい。
以上の観点に基づいて、本実施形態の光源装置2では、セラミック蛍光体22の厚さを40μm以上150μm以下に設定した。
一般的に、蛍光体において、蛍光の発光領域の幅は励起光の入射領域の幅よりも拡がる。これは、蛍光体に入射した励起光が拡散されて入射領域よりも広い領域に伝播したことで蛍光の発光領域の幅が拡がる、所謂、蛍光のにじみが生じたためである。
図4はセラミック蛍光体22における蛍光の発光状態を示す図である。
本実施形態の光源装置2において、セラミック蛍光体22の露出部分211上には、励起光Eの照射領域SPが形成される。そのため、図4に示すように、本実施形態のセラミック蛍光体22においては、露出部分211における蛍光Yの発光領域の幅W2がにじみの影響によって、照射領域SPの幅W1よりも大きくなる。なお、図4に示すように、蛍光Yの発光領域の幅W2と照射領域SPの幅W1との差が、にじみによる蛍光Yの拡がり幅W3に相当する。
本実施形態の光源装置2において、セラミック蛍光体22の露出部分211上には、励起光Eの照射領域SPが形成される。そのため、図4に示すように、本実施形態のセラミック蛍光体22においては、露出部分211における蛍光Yの発光領域の幅W2がにじみの影響によって、照射領域SPの幅W1よりも大きくなる。なお、図4に示すように、蛍光Yの発光領域の幅W2と照射領域SPの幅W1との差が、にじみによる蛍光Yの拡がり幅W3に相当する。
ここで、露出部分211上において、にじみによって蛍光Yの発光領域が基板21まで到達した場合について考える。蛍光Yの発光領域が基板21まで到達した状態とは、励起光Eが基板21まで到達した状態と等価である。そのため、蛍光Yの発光領域が基板21まで到達してしまうと、励起光Eの一部が基板21に直接入射することで吸収されて光損失となる。
これに対して、本実施形態の光源装置2では、露出部分211において励起光Eの照射領域SPから基板21までの距離を所定値よりも大きくすることで、セラミック蛍光体22に入射した励起光Eが基板21に直接入射しないようにしている。
図5は、にじみによる蛍光の拡がり幅とBY比との関係を示した図である。図5における横軸は、図4に示される、にじみによる蛍光の拡がり幅W3(単位はmm)を示す。図5における縦軸は、BY比(単位は%)に相当する。なお、図5の各グラフは、厚さの異なるセラミック蛍光体22における蛍光の拡がり幅とBY比との関係を示している。
図5からは、セラミック蛍光体22の厚さが40μmから150μmへと増加するにしたがって、蛍光Yのにじみ幅が大きくなることが確認できる。
例えば、セラミック蛍光体22として下限(40μm)の厚さのものを用いると、セラミック蛍光体22から射出される照明光WLとして所望のホワイトバランス(BY比30%~50%)を実現するためには、にじみによる蛍光Yの拡がり幅が約0.15mmとなることが確認できる。
また、セラミック蛍光体22として上限(150μm)の厚さのものを用いると、セラミック蛍光体22から射出される照明光WLとして所望のホワイトバランス(BY比30%)を実現するためには、にじみによる蛍光Yの拡がり幅が約0.31mmとなることが確認できる。また、上限厚さのセラミック蛍光体22を用いる際、照明光WLのホワイトバランス(BY比50%)を実現するためには、蛍光Yの拡がり幅が約0.34mmとなることが確認できる。
また、セラミック蛍光体22として上限(150μm)の厚さのものを用いると、セラミック蛍光体22から射出される照明光WLとして所望のホワイトバランス(BY比30%)を実現するためには、にじみによる蛍光Yの拡がり幅が約0.31mmとなることが確認できる。また、上限厚さのセラミック蛍光体22を用いる際、照明光WLのホワイトバランス(BY比50%)を実現するためには、蛍光Yの拡がり幅が約0.34mmとなることが確認できる。
本実施形態の光源装置2では、厚さ40μmから150μmのセラミック蛍光体22を用いて所望のホワイトバランス(BY比30%~50%)を実現する場合において、蛍光Yにおける拡がり幅の最大値(0.34mm)よりも基板21を離間させるようにしている。
本実施形態の光源装置2では、露出部分211において励起光Eの照射領域SPから基板21の貫通孔210までの距離Dを0.34mm以上とするようにした。これにより、にじみによる蛍光Yの拡がり幅が最も大きくなる、厚さ150μmのセラミック蛍光体22を用いてBY比50%のホワイトバランスを実現する場合でも、基板21まで励起光Eが到達することがない。なお、距離Dとは、基板21の支持面21aに沿う方向における、照射領域SPと貫通孔210の内面との間の距離で規定される。
(第1実施形態の効果)
本実施形態の光源装置2は、励起光Eを射出する励起光源10と、第1面22aを含むセラミック蛍光体22と、セラミック蛍光体22の第1面22aを支持する基板21と、を備え、励起光源10から射出された励起光Eは、第1面22aのうち基板21から露出される露出部分211に入射され、露出部分211において励起光Eの照射領域SPから基板21までの距離Dは0.34mm以上である。
本実施形態の光源装置2は、励起光Eを射出する励起光源10と、第1面22aを含むセラミック蛍光体22と、セラミック蛍光体22の第1面22aを支持する基板21と、を備え、励起光源10から射出された励起光Eは、第1面22aのうち基板21から露出される露出部分211に入射され、露出部分211において励起光Eの照射領域SPから基板21までの距離Dは0.34mm以上である。
本実施形態の光源装置2によれば、露出部分211を介して励起光Eをセラミック蛍光体22に直接入射させるため、透光性基板を介して蛍光体に励起光を入射させる構成に比べて、励起光Eを効率良く利用することができる。
また、本実施形態の光源装置2では、露出部分211において励起光Eの照射領域SPから基板21までの距離Dを0.34mm以上としたので、セラミック蛍光体22内で乱反射され、蛍光Yのにじみを生じさせる励起光Eが基板21に直接入射することが抑制される。これにより、基板21による励起光Eの吸収が抑制されるため、励起光Eの光利用効率を向上させることで蛍光Yの変換効率を向上できる。
また、本実施形態の光源装置2では、露出部分211において励起光Eの照射領域SPから基板21までの距離Dを0.34mm以上としたので、セラミック蛍光体22内で乱反射され、蛍光Yのにじみを生じさせる励起光Eが基板21に直接入射することが抑制される。これにより、基板21による励起光Eの吸収が抑制されるため、励起光Eの光利用効率を向上させることで蛍光Yの変換効率を向上できる。
本実施形態の光源装置2において、セラミック蛍光体22の厚さは、40μm以上150μm以下であり、セラミック蛍光体22は、第1面22aと異なる第2面22bを含み、第1面22aの露出部分211に照射された励起光Eの一部を波長変換して蛍光Yを生成して第2面22bから蛍光Yを射出するとともに、励起光Eの他の一部である青色光E1を第2面22bから射出し、青色光E1と蛍光YとのBY比は30%~50%とするのが望ましい。
このようにすれば、BY比を30%~50%に設定することで適正なホワイトバランスの照明光WLを生成できる。また、セラミック蛍光体22の厚さを40μm以上150μm以下とすることで、セラミック蛍光体22の製造が容易となる。
本実施形態の光源装置2において、基板21は、セラミック蛍光体22よりも熱伝導率が高い非透光性部材で構成される。
この構成によれば、基板21が非透光性部材で構成されるため、励起光Eが基板21内に漏れ出すことによる損失の発生を抑制できる。また、基板21によってセラミック蛍光体22の熱を放出することができる。
本実施形態の光源装置2において、セラミック蛍光体22の露出部分211は、基板21に形成された貫通孔210を介して露出される。
この構成によれば、簡便に露出部分211を構成できるので、光源装置自体の構成を小型化できる。
本実施形態の光源装置2において、セラミック蛍光体22の第1面22aに設けられ、励起光Eを透過させ、蛍光Yを反射するダイクロイック層23をさらに備えている。
この構成によれば、第1面22aにダイクロイック層23を備えるため、セラミック蛍光体22内で生成された蛍光Yが外部に射出されるのを抑制できる。これにより、セラミック蛍光体22で生成した蛍光Yをセラミック蛍光体22から効率良く取り出すことができる。
本実施形態のプロジェクター1は、光源装置2と、光源装置2から射出される光を画像情報に応じて変調して画像光を形成する光変調装置4R,4G,4Bと、画像光を投射する投射光学装置6と、を備える。
本実施形態のプロジェクター1によれば、上記光源装置2により生成された明るい照明光WLを用いて画像光を生成するため、品質の高い画像を表示することができる。
(第2実施形態)
以下、本発明の第2実施形態について、図6を用いて説明する。
第2実施形態のプロジェクターの概略構成は第1実施形態と同様であり、光源装置における波長変換素子の構成が第1実施形態と異なる。そのため、以下では波長変換素子の構成を説明し、他の構成については説明を省略する。
以下、本発明の第2実施形態について、図6を用いて説明する。
第2実施形態のプロジェクターの概略構成は第1実施形態と同様であり、光源装置における波長変換素子の構成が第1実施形態と異なる。そのため、以下では波長変換素子の構成を説明し、他の構成については説明を省略する。
図6は本実施形態の波長変換素子の要部構成を示す断面図である。図6に示すように、本実施形態の波長変換素子120は、基板21と、セラミック蛍光体122と、ダイクロイック層23と、接合部材24とを備えている。
セラミック蛍光体122は、第1面122aと、第2面122bと、を有する。第1面122aは、励起光源10から射出された励起光Eが入射する面である。第2面122bは、蛍光Yを射出させる面である。セラミック蛍光体122は、第2面122bに形成された凹部123を有する。
本実施形態の場合、セラミック蛍光体122は、第1領域A1と、第2領域A2と、を含む。第1領域A1は、励起光Eの照射領域SPを含む領域であり、上記凹部123が設けられた領域である。第2領域A2は、第1領域A1と異なる領域であり、第1領域A1の周囲を囲む領域である。第2領域A2は、第2面22b側から平面視した際、蛍光Yを射出する蛍光射出領域A3よりも基板21側(外側)に位置する領域である。つまり、蛍光Yは第2領域A2から射出されない。
本実施形態の場合、上述のように凹部123が設けられたことで、第1領域A1の厚さは第2領域A2の厚さよりも薄い。なお、第1領域A1および第2領域A2の厚さは、いずれも40μm以上150μm以下である。
本実施形態の場合、上述のように凹部123が設けられたことで、第1領域A1の厚さは第2領域A2の厚さよりも薄い。なお、第1領域A1および第2領域A2の厚さは、いずれも40μm以上150μm以下である。
セラミック蛍光体122において、第1領域A1と第2領域A2との境界BLは、励起光Eの照射領域SPと基板21との間に位置するため、厚さが相対的に薄い第1領域A1と基板21上に配置されない。基板21の厚さ方向(図6中の上下方向)において、第2領域A2の一部は基板21と重なっている。すなわち、第2領域A2は、接合部材24を介して基板21と接合されている。
また、本実施形態の波長変換素子120においても、露出部分211における励起光Eの照射領域SPから基板21までの距離Dは0.34mm以上に設定されている。
(第2実施形態の効果)
本実施形態の波長変換素子120では、励起光Eが入射する第1領域A1の厚さを相対的に薄くすることでセラミック蛍光体122内における蛍光Yの導波を抑制し、蛍光射出領域A3の面積の拡大を抑制できる。よって、蛍光Yのエテンデューの増加を抑制することができる。また、蛍光射出領域A3よりも外側に位置し、基板21に接合される第2領域A2の厚さを相対的に厚くすることで、第1領域A1で発生した熱を基板21に放熱する経路の熱抵抗を小さくできる。これにより、セラミック蛍光体122の放熱性を向上させることで蛍光Yの変換効率を向上させて明るい蛍光Yを生成できる。
また、本実施形態の波長変換素子120では、相対的に厚さが厚い第2領域A2を基板21に接合することでセラミック蛍光体122のせん断力を向上させ、セラミック蛍光体122の破損を抑制することができる。
本実施形態の波長変換素子120では、励起光Eが入射する第1領域A1の厚さを相対的に薄くすることでセラミック蛍光体122内における蛍光Yの導波を抑制し、蛍光射出領域A3の面積の拡大を抑制できる。よって、蛍光Yのエテンデューの増加を抑制することができる。また、蛍光射出領域A3よりも外側に位置し、基板21に接合される第2領域A2の厚さを相対的に厚くすることで、第1領域A1で発生した熱を基板21に放熱する経路の熱抵抗を小さくできる。これにより、セラミック蛍光体122の放熱性を向上させることで蛍光Yの変換効率を向上させて明るい蛍光Yを生成できる。
また、本実施形態の波長変換素子120では、相対的に厚さが厚い第2領域A2を基板21に接合することでセラミック蛍光体122のせん断力を向上させ、セラミック蛍光体122の破損を抑制することができる。
したがって、本実施形態の波長変換素子120を備えた光源装置によれば、基板21による励起光Eの吸収が抑制され、励起光Eを効率良く利用することで蛍光Yの変換効率を向上させることができるので、明るい照明光WLを生成できる。
(第3実施形態)
以下、本発明の第3実施形態について、図7を用いて説明する。
第3実施形態のプロジェクターの概略構成は第1実施形態と同様であり、光源装置における波長変換素子の構成が第1実施形態と異なる。そのため、以下では波長変換素子の構成を説明し、他の構成については説明を省略する。
以下、本発明の第3実施形態について、図7を用いて説明する。
第3実施形態のプロジェクターの概略構成は第1実施形態と同様であり、光源装置における波長変換素子の構成が第1実施形態と異なる。そのため、以下では波長変換素子の構成を説明し、他の構成については説明を省略する。
図7は本実施形態の波長変換素子の要部構成を示す断面図である。図7に示すように、本実施形態の波長変換素子220は、基板121と、セラミック蛍光体222と、ダイクロイック層23と、モーター125とを備えている。本実施形態の波長変換素子220は、セラミック蛍光体222に対する励起光Eの入射位置を時間的に変化させる回転ホイール型波長変換素子である。
基板121は、アルミニウム、銅等の放熱性に優れた金属材料で構成されている。基板121は所定の回転軸Oの周りに回転可能とされた回転基板である。回転軸Oは基板121の中心を通る。モーター125は、円板状の基板121を回転軸Oの周りに回転させる。
本実施形態のセラミック蛍光体222は、回転軸Oの周りに環状に形成されている。セラミック蛍光体222は、第1実施形態のセラミック蛍光体22を環状に整形することで構成される。ダイクロイック層23は、基板121とセラミック蛍光体222との間に設けられている。基板121はセラミック蛍光体222で生じる熱を放熱する。
セラミック蛍光体222の第1面222aにダイクロイック層23が設けられている。環状のセラミック蛍光体222は、第1面222aの径方向内側の端部222a1が接合部材24を介して基板21に固定されている。すなわち、回転軸Oに沿う方向から平面視した際、セラミック蛍光体122は基板21よりも径方向外側に突出するように設けられている。励起光Eは、セラミック蛍光体122における基板21の径方向外側に張り出した張り出し部分(露出部分)1220に入射する。本実施形態において、基板21は、セラミック蛍光体222における励起光Eの入射領域とは異なる領域に当接し、セラミック蛍光体322で生じる熱を放熱する。
本実施形態の波長変換素子220では、励起光Eが回転した状態のセラミック蛍光体122の張り出し部分1220に入射する。セラミック蛍光体222に励起光Eが入射した際には、セラミック蛍光体222の張り出し部分1220において熱が発生する。本実施形態では、モーター125によってセラミック蛍光体222を回転させることにより、セラミック蛍光体222の張り出し部分1220における励起光Eの入射位置を時間的に移動させている。これにより、セラミック蛍光体222の張り出し部分1220の同じ位置に励起光Eが常時照射されることにより、セラミック蛍光体222の一部のみが局所的に加熱され、セラミック蛍光体222が劣化することが抑制される。
本実施形態の場合、セラミック蛍光体222を回転させることで、セラミック蛍光体222の放熱性をさらに高めることができる。
本実施形態の波長変換素子220においても、セラミック蛍光体222に当接する基板21が非透光性部材で構成されている。これにより、波長変換素子220においては、セラミック蛍光体222で生成された蛍光Yが基板121に漏れ出さすことなく、外部に効率良く取り出される。
また、本実施形態の波長変換素子220においても、張り出し部分1220における励起光Eの照射領域SPから基板121までの距離Dが0.34mm以上に設定されている。
(第3実施形態の効果)
本実施形態の波長変換素子220を備えた光源装置によれば、回転型の波長変換素子を用いる場合において、第1実施形態と同様、基板121による励起光Eの吸収を抑制して励起光Eを効率良く利用できる。また、セラミック蛍光体222における放熱性を向上させることで、セラミック蛍光体222の波長変換効率の低下による蛍光量の減少を抑制できる。
本実施形態の波長変換素子220を備えた光源装置によれば、回転型の波長変換素子を用いる場合において、第1実施形態と同様、基板121による励起光Eの吸収を抑制して励起光Eを効率良く利用できる。また、セラミック蛍光体222における放熱性を向上させることで、セラミック蛍光体222の波長変換効率の低下による蛍光量の減少を抑制できる。
(第4実施形態)
以下、本発明の第4実施形態について、図8を用いて説明する。
第4実施形態のプロジェクターの概略構成は第3実施形態と同様であり、光源装置における波長変換素子の構成が第3実施形態と異なる。具体的に本実施形態の波長変換素子は、第3実施形態の波長変換素子に第2実施形態の構成を組み合わせた構造を有する。以下では波長変換素子の構成を説明し、他の構成については説明を省略する。
以下、本発明の第4実施形態について、図8を用いて説明する。
第4実施形態のプロジェクターの概略構成は第3実施形態と同様であり、光源装置における波長変換素子の構成が第3実施形態と異なる。具体的に本実施形態の波長変換素子は、第3実施形態の波長変換素子に第2実施形態の構成を組み合わせた構造を有する。以下では波長変換素子の構成を説明し、他の構成については説明を省略する。
図8は本実施形態の波長変換素子の要部構成を示す断面図である。
図8に示すように、本実施形態の波長変換素子320は、基板121と、セラミック蛍光体322と、ダイクロイック層23と、モーター125とを備えている。本実施形態の波長変換素子320は、セラミック蛍光体322に対する励起光Eの入射位置を時間的に変化させる回転ホイール型波長変換素子である。
図8に示すように、本実施形態の波長変換素子320は、基板121と、セラミック蛍光体322と、ダイクロイック層23と、モーター125とを備えている。本実施形態の波長変換素子320は、セラミック蛍光体322に対する励起光Eの入射位置を時間的に変化させる回転ホイール型波長変換素子である。
セラミック蛍光体322は、励起光源10から射出された励起光Eが入射する第1面322aと、蛍光Yを射出させる第2面322bと、を有する。セラミック蛍光体322は、第2面322bの所定領域に形成された凹部323を有する。
本実施形態のセラミック蛍光体322は、第1領域A11と、第2領域A12と、を含む。第1領域A11は、励起光Eの照射領域SPを含む領域であり、上記凹部323が設けられた領域である。第2領域A12は、第1領域A11と異なる領域であり、第1領域A11の径方向内側に位置するリング状の領域である。第1領域A11の厚さは、第2領域A12の厚さよりも薄い。本実施形態の場合、セラミック蛍光体322の張り出し部分1320は、第1領域A11と、第2領域A12の一部とで構成される。本実施形態の場合、上述のように凹部323が設けられるため、第1領域A11の厚さは第2領域A12の厚さよりも薄い。なお、第1領域A11および第2領域A12の厚さは、いずれも40μm以上150μm以下である。
基板121の厚さ方向(図8中の上下方向)において、第2領域A12の一部は基板121と重なる。すなわち、第2領域A12は、接合部材24を介して基板121と接合されている。セラミック蛍光体322において、第1領域A11と第2領域A12との境界BLは、励起光Eの照射領域SPと基板121との間に位置する。本実施形態の波長変換素子320においても、張り出し部分1220における励起光Eの照射領域SPから基板21までの距離Dが0.34mm以上に設定されている。
(第4実施形態の効果)
本実施形態の波長変換素子320では、回転型の波長変換素子を用いる場合において、第2実施形態と同様、セラミック蛍光体322の放熱性を向上させることで蛍光変換効率を向上させて明るい蛍光Yを生成できる。また、第2領域A12において基板121と接合することでセラミック蛍光体322の破損を抑制することができる。また、セラミック蛍光体322における放熱性を向上させることで、蛍光Yの変換効率が向上するので、より明るい照明光WLを生成することができる。
本実施形態の波長変換素子320では、回転型の波長変換素子を用いる場合において、第2実施形態と同様、セラミック蛍光体322の放熱性を向上させることで蛍光変換効率を向上させて明るい蛍光Yを生成できる。また、第2領域A12において基板121と接合することでセラミック蛍光体322の破損を抑制することができる。また、セラミック蛍光体322における放熱性を向上させることで、蛍光Yの変換効率が向上するので、より明るい照明光WLを生成することができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態においては、基板21,121の全体を非透光性部材(金属)で構成する場合を例に挙げたが、基板21,121は少なくともセラミック蛍光体22,122,222,322のいずれかに当接する部分が非透光性部材で構成されていれば蛍光Yの光漏れを防止できる。そのため、基板21,121はセラミック蛍光体22,122,222,322のいずれかに当接する部分以外は透光性部材で構成されていてもよい。
例えば、上記実施形態においては、基板21,121の全体を非透光性部材(金属)で構成する場合を例に挙げたが、基板21,121は少なくともセラミック蛍光体22,122,222,322のいずれかに当接する部分が非透光性部材で構成されていれば蛍光Yの光漏れを防止できる。そのため、基板21,121はセラミック蛍光体22,122,222,322のいずれかに当接する部分以外は透光性部材で構成されていてもよい。
また、例えば、上記実施形態のセラミック蛍光体22,122,222,322においては、蛍光体相25は酸化物蛍光体を含み、マトリックス相26は金属酸化物を含んでいた。この構成に代えて、蛍光体相25は窒化物蛍光体を含み、マトリックス相26は金属窒化物を含んでいてもよい。窒化物蛍光体として、例えばα-SiAlON,β-SiAlON等のサイアロン蛍光体を用いることができる。金属窒化物としては、例えばAlN等を用いることができる。AlNの熱伝導率は約255W/m・Kである。このように、蛍光体相25が窒化物蛍光体を含み、マトリックス相26が金属酸化物を含む場合、各相において無用な酸化反応等が生じることなく、セラミック蛍光体を安定して製造することができる。
その他、光源装置およびプロジェクターの各構成要素の形状、数、配置、材料、製造方法等の具体的な記載については、上記実施形態に限らず、適宜変更が可能である。上記実施形態では、本発明に係る光源装置を、液晶ライトバルブを用いたプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限定されない。例えば本発明に係る光源装置を、光変調装置としてデジタルマイクロミラーデバイスを用いたプロジェクターに搭載してもよい。
上記実施形態では、本発明による光源装置をプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限られない。本発明による光源装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。
本発明の態様の光源装置は、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置は、励起光を射出する励起光源と、第1面および第2面を含み、励起光源から射出されて第1面から入射する励起光の一部を波長変換して生成した蛍光を第2面から射出するセラミック蛍光体と、セラミック蛍光体の第1面を支持する基板と、を備え、励起光源から射出された励起光は、セラミック蛍光体の第1面のうち基板から露出される露出部分に入射し、露出部分において励起光の照射領域から基板までの距離は、0.34mm以上である。
本発明の一つの態様の光源装置は、励起光を射出する励起光源と、第1面および第2面を含み、励起光源から射出されて第1面から入射する励起光の一部を波長変換して生成した蛍光を第2面から射出するセラミック蛍光体と、セラミック蛍光体の第1面を支持する基板と、を備え、励起光源から射出された励起光は、セラミック蛍光体の第1面のうち基板から露出される露出部分に入射し、露出部分において励起光の照射領域から基板までの距離は、0.34mm以上である。
本発明の一つの態様の光源装置において、セラミック蛍光体の厚さは、40μm以上150μm以下であり、セラミック蛍光体は、励起光の他の一部を透過光として第2面から蛍光とともに射出し、透過光とセラミック蛍光体から射出される蛍光との光量比は、30%~50%であってもよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、セラミック蛍光体は、第1領域と第2領域とを有し、第1領域は、励起光の照射領域を含む領域であり、第2領域は、蛍光を射出する蛍光射出領域よりも基板側に位置する領域であって、第1領域の厚さは、第2領域の厚さよりも厚く、基板は、セラミック蛍光体よりも熱伝導率が高く、基板の厚さ方向において、第2領域の少なくとも一部は基板と重なってよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、セラミック蛍光体において、第1領域と第2領域との境界は、励起光の照射領域と基板との間に位置としてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、セラミック蛍光体の露出部分は、基板に形成された開口を介して露出されてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、セラミック蛍光体の第1面に設けられ、励起光を透過させ、蛍光を反射する光学層をさらに備えてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、基板は、所定の回転軸の周りに回転する回転基板であり、セラミック蛍光体は、基板に対して、基板の径方向外側に突出するように設けられ、セラミック蛍光体の基板から突出する部分が露出部分であってもよい。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、本発明の上記態様の光源装置と、光源装置から射出される光を画像情報に応じて変調して画像光を形成する光変調装置と、画像光を投射する投射光学装置と、を備える。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、本発明の上記態様の光源装置と、光源装置から射出される光を画像情報に応じて変調して画像光を形成する光変調装置と、画像光を投射する投射光学装置と、を備える。
1…プロジェクター、2…光源装置、4B,4G,4R…光変調装置、6…投射光学装置、10…励起光源、21,121…基板、22,122,222,322…セラミック蛍光体、22a,122a,222a,322a…第1面、22b,122b,322b…第2面、23…ダイクロイック層(光学層)、210…貫通孔(開口)、211…露出部分、1220,1320…張り出し部分(露出部分)、A1,A11…第1領域、A2,A12…第2領域、A3…蛍光射出領域、BL…境界(第1領域と第2領域との境界)、D…距離、E…励起光、E1…青色光(透過光)、O…回転軸、SP…照射領域、Y…蛍光。
Claims (9)
- 励起光を射出する励起光源と、
第1面および第2面を含み、前記励起光源から射出されて前記第1面から入射する前記励起光の一部を波長変換して生成した蛍光を前記第2面から射出するセラミック蛍光体と、
前記セラミック蛍光体の前記第1面を支持する基板と、を備え、
前記励起光源から射出された前記励起光は、前記セラミック蛍光体の前記第1面のうち前記基板から露出される露出部分に入射し、
前記露出部分において前記励起光の照射領域から前記基板までの距離は、0.34mm以上である
光源装置。 - 前記セラミック蛍光体の厚さは、40μm以上150μm以下であり、
前記セラミック蛍光体は、前記励起光の他の一部を透過光として前記第2面から前記蛍光とともに射出し、
前記透過光と前記セラミック蛍光体から射出される前記蛍光との光量比は、30%~50%である
請求項1に記載の光源装置。 - 前記基板は、前記セラミック蛍光体よりも熱伝導率が高い非透光性部材で構成される
請求項1または請求項2に記載の光源装置。 - 前記セラミック蛍光体は、第1領域と第2領域とを有し、
前記第1領域は、前記励起光の照射領域を含む領域であり、
前記第2領域は、前記蛍光を射出する蛍光射出領域よりも基板側に位置する領域であって、
前記第1領域の厚さは、前記第2領域の厚さよりも厚く、
前記基板の厚さ方向において、前記第2領域の少なくとも一部は前記基板と重なる
請求項1~3のうちのいずれか一項に記載の光源装置。 - 前記セラミック蛍光体において、前記第1領域と前記第2領域との境界は、前記励起光の照射領域と前記基板との間に位置する
請求項4に記載の光源装置。 - 前記セラミック蛍光体の前記露出部分は、前記基板に形成された開口を介して露出される
請求項1~5のうちのいずれか一項に記載の光源装置。 - 前記基板は、所定の回転軸の周りに回転する回転基板であり、
前記セラミック蛍光体は、前記基板に対して、前記基板の径方向外側に突出するように設けられ、
前記セラミック蛍光体の前記基板から突出する部分が前記露出部分である
請求項1~6のうちのいずれか一項に記載の光源装置。 - 前記セラミック蛍光体の前記第1面に設けられ、前記励起光を透過させ、前記蛍光を反射する光学層をさらに備える
請求項1~7のうちのいずれか一項に記載の光源装置。 - 請求項1~8のうちのいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出される光を画像情報に応じて変調して画像光を形成する光変調装置と、
前記画像光を投射する投射光学装置と、を備える
プロジェクター。
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