JP2022101052A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing device and a substrate processing method, which can supply processing fluid from a single processing fluid supply source to a substrate processing unit which performs processing using processing fluid in a supercritical state.SOLUTION: The substrate processing device includes: a first supply line; a plurality of second supply lines connected to the first supply line; a pump provided between the processing fluid supply source and the plurality of second supply lines on the first supply line; a plurality of substrate processing units connected to the plurality of second supply lines, respectively; a branch point provided on the downstream side of the pump on the first supply line; a connection point provided on the upstream side of the pump on the first supply line; a branch line connecting the branch point and the connection point; a pressure adjustment unit provided between he branch point and the connection point on the branch line; and a control unit which controls the pressure adjustment unit. The control unit controls the pressure adjustment unit according to the number of the substrate processing units to which processing fluid is supplied, so as to change an amount of processing fluid made to flow into the branch line to thereby control the pressure of the processing fluid at the branch point.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

半導体ウェハ（以下、ウェハという）などの基板の表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液洗浄あるいはウエットエッチング等の液処理が行われる。こうした液処理にてウェハの表面に付着した液体などを除去する際に、近年では、超臨界状態の処理流体を用いた乾燥方法が用いられつつある。 In the manufacturing process of a semiconductor device that forms a laminated structure of integrated circuits on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), liquid treatment such as chemical cleaning or wet etching is performed. In recent years, a drying method using a processing fluid in a supercritical state has been used when removing a liquid or the like adhering to the surface of a wafer by such liquid treatment.

特許文献１には、処理容器に供給ラインを通じて流体供給タンクが繋がれた基板処理装置が開示されている。 Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus in which a fluid supply tank is connected to a processing container through a supply line.

特開２０１８－８１９６６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-81966

本開示は、超臨界状態の処理流体を用いた処理を行う基板処理部に１つの処理流体供給源から処理流体を供給できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 The present disclosure provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of supplying a processing fluid from one processing fluid supply source to a substrate processing unit that performs processing using a processing fluid in a supercritical state.

本開示の一態様による基板処理装置は、処理流体供給源に接続された第１供給ラインと、前記第１供給ラインに接続され、前記第１供給ラインを流れる処理流体が流入する複数の第２供給ラインと、前記第１供給ライン上で前記処理流体供給源と複数の前記第２供給ラインとの間に設けられたポンプと、複数の前記第２供給ラインの各々に接続され、前記第２供給ラインを介して供給される前記処理流体を超臨界状態にして、表面に液体が付着した基板を乾燥させる複数の基板処理部と、前記第１供給ライン上で前記ポンプよりも下流側に設けられた分岐点と、前記第１供給ライン上で前記ポンプよりも上流側に設けられた接続点と、前記分岐点と前記接続点とを繋ぐ分岐ラインと、前記分岐ライン上で前記分岐点と前記接続点との間に設けられた圧力調整部と、前記圧力調整部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記処理流体が供給される前記基板処理部の数に応じて前記圧力調整部を制御することにより、前記分岐ラインに流す処理流体の量を変化させて前記分岐点における処理流体の圧力を制御する。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a first supply line connected to a processing fluid supply source, and a plurality of second supplies connected to the first supply line and into which the processing fluid flowing through the first supply line flows. The supply line, a pump provided between the processing fluid supply source and the plurality of second supply lines on the first supply line, and the second supply line connected to each of the plurality of second supply lines. A plurality of substrate processing units for making the processing fluid supplied via the supply line into a supercritical state and drying the substrate on which the liquid adheres to the surface are provided on the first supply line on the downstream side of the pump. A branch point, a connection point provided on the first supply line on the upstream side of the pump, a branch line connecting the branch point and the connection point, and the branch point on the branch line. It has a pressure adjusting unit provided between the connection point and a control unit for controlling the pressure adjusting unit, and the control unit corresponds to the number of the substrate processing units to which the processing fluid is supplied. By controlling the pressure adjusting unit, the amount of the processing fluid flowing through the branch line is changed to control the pressure of the processing fluid at the branch point.

本開示によれば、超臨界状態の処理流体を用いた処理を行う基板処理部に１つの処理流体供給源から処理流体を供給できる。 According to the present disclosure, the processing fluid can be supplied from one processing fluid supply source to the substrate processing unit that performs processing using the processing fluid in the supercritical state.

実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 液処理ユニットの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a liquid processing unit. 乾燥ユニットの構成例を示す模式斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the structural example of a drying unit. 乾燥ユニットの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a drying unit. 供給ユニットの第１の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 1st configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第１の構成例の具体的な動作を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the specific operation of the 1st configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第１の構成例の具体的な動作を示す図（その２）である。It is a figure (the 2) which shows the specific operation of the 1st configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第１の構成例の具体的な動作を示す図（その３）である。It is a figure (the 3) which shows the specific operation of the 1st configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第１の構成例の具体的な動作を示す図（その４）である。It is a figure (the 4) which shows the specific operation of the 1st configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第２の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第２の構成例の具体的な動作を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the specific operation of the 2nd configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第２の構成例の具体的な動作を示す図（その２）である。It is a figure (the 2) which shows the specific operation of the 2nd configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第２の構成例の具体的な動作を示す図（その３）である。It is a figure (the 3) which shows the specific operation of the 2nd configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第２の構成例の具体的な動作を示す図（その４）である。It is a figure (the 4) which shows the specific operation of the 2nd configuration example of a supply unit. 供給ユニットの第２の構成例の具体的な動作を示す図（その５）である。It is a figure (the 5) which shows the specific operation of the 2nd configuration example of a supply unit.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理システムおよび処理流体供給方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。 Hereinafter, embodiments of the substrate processing system and the processing fluid supply method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present disclosure is not limited to the embodiments shown below. In addition, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the dimensions of each element, the ratio of each element, etc. may differ from the reality. Further, even between the drawings, there may be a portion where the relationship and ratio of the dimensions of the drawings are different from each other.

＜基板処理装置の構成＞
まず、実施形態に係る基板処理装置１の構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成例を示す図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 <Configuration of board processing equipment>
First, the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of the substrate processing device 1 according to the embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertical upward direction.

図１に示すように、基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing device 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12. A plurality of carriers C for accommodating a plurality of semiconductor wafers W (hereinafter, referred to as “wafer W”) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting unit 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。 The transport unit 12 is provided adjacent to the carrier mounting unit 11. A transfer device 13 and a delivery unit 14 are arranged inside the transfer unit 12.

搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。 The transfer device 13 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the transfer device 13 is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and turning around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery portion 14 by using the wafer holding mechanism. ..

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数の処理ブロック５と、複数の供給ユニット１９とを備える。 The processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12. The processing station 3 includes a transport block 4, a plurality of processing blocks 5, and a plurality of supply units 19.

搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。 The transport block 4 includes a transport area 15 and a transport device 16. The transport area 15 is, for example, a rectangular parallelepiped region extending along the arrangement direction (X-axis direction) of the carry-in / out station 2 and the processing station 3. A transport device 16 is arranged in the transport area 15.

搬送装置１６は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウェハＷの搬送を行う。 The transfer device 16 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the transfer device 16 is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and turning around the vertical axis, and the wafer W is connected between the delivery unit 14 and the plurality of processing blocks 5 by using the wafer holding mechanism. Perform transportation.

複数の処理ブロック５は、搬送エリア１５の両側において搬送エリア１５に隣接して配置される。具体的には、複数の処理ブロック５は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（Ｙ軸正方向側）および他方側（Ｙ軸負方向側）に配置される。 The plurality of processing blocks 5 are arranged adjacent to the transport area 15 on both sides of the transport area 15. Specifically, the plurality of processing blocks 5 are arranged on one side (Y-axis positive direction side) of the transport area 15 in a direction (Y-axis direction) orthogonal to the arrangement direction (X-axis direction) of the loading / unloading station 2 and the processing station 3. ) And the other side (Y-axis negative direction side).

また、図示してはいないが、複数の処理ブロック５は、鉛直方向に沿って多段（たとえば、３段）に配置される。そして、各段に配置された処理ブロック５と受渡部１４との間のウェハＷの搬送は、搬送ブロック４に配置された１台の搬送装置１６によって行われる。なお、複数の処理ブロック５の段数は３段に限定されない。 Further, although not shown, the plurality of processing blocks 5 are arranged in multiple stages (for example, three stages) along the vertical direction. Then, the wafer W is transferred between the processing block 5 arranged in each stage and the delivery unit 14, by one transfer device 16 arranged in the transfer block 4. The number of stages of the plurality of processing blocks 5 is not limited to three.

各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８とを備える。乾燥ユニット１８は基板処理部の一例である。 Each treatment block 5 includes a liquid treatment unit 17 and a drying unit 18. The drying unit 18 is an example of a substrate processing unit.

液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行う。また、液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの上面に液膜を形成する液膜形成処理を行う。液処理ユニット１７の構成については後述する。 The liquid treatment unit 17 performs a cleaning treatment for cleaning the upper surface of the wafer W, which is the pattern forming surface. Further, the liquid treatment unit 17 performs a liquid film forming treatment for forming a liquid film on the upper surface of the wafer W after the cleaning treatment. The configuration of the liquid treatment unit 17 will be described later.

乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷに対して超臨界乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体（以下、「超臨界流体」とも呼称する。）と接触させることによって同ウェハＷを乾燥させる。乾燥ユニット１８の構成については後述する。 The drying unit 18 performs a supercritical drying treatment on the wafer W after the liquid film forming treatment. Specifically, the drying unit 18 dries the wafer W after the liquid film forming treatment by contacting the wafer W with a processing fluid in a supercritical state (hereinafter, also referred to as “supercritical fluid”). The configuration of the drying unit 18 will be described later.

液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８は、搬送エリア１５に沿って（すなわち、Ｘ軸方向に沿って）並べられる。液処理ユニット１７は乾燥ユニット１８よりも搬入出ステーション２に近い側に配置される。 The liquid treatment unit 17 and the drying unit 18 are arranged along the transport area 15 (that is, along the X-axis direction). The liquid treatment unit 17 is arranged closer to the loading / unloading station 2 than the drying unit 18.

このように、各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と乾燥ユニット１８とをそれぞれ１つずつ備える。すなわち、基板処理装置１には、液処理ユニット１７と乾燥ユニット１８とが同じ数だけ設けられる。 As described above, each treatment block 5 includes one liquid treatment unit 17 and one drying unit 18. That is, the substrate processing apparatus 1 is provided with the same number of liquid processing units 17 and drying units 18.

また、乾燥ユニット１８は、超臨界乾燥処理が行われる処理エリア１８１と、搬送ブロック４と処理エリア１８１との間でのウェハＷの受け渡しが行われる受渡エリア１８２とを備える。これら処理エリア１８１および受渡エリア１８２は、搬送エリア１５に沿って並べられる。 Further, the drying unit 18 includes a processing area 181 in which supercritical drying processing is performed, and a delivery area 182 in which the wafer W is transferred between the transfer block 4 and the processing area 181. The processing area 181 and the delivery area 182 are arranged along the transport area 15.

具体的には、受渡エリア１８２は処理エリア１８１よりも液処理ユニット１７に近い側に配置される。すなわち、各処理ブロック５には、液処理ユニット１７、受渡エリア１８２および処理エリア１８１が、搬送エリア１５に沿ってこの順番で配置される。 Specifically, the delivery area 182 is arranged closer to the liquid treatment unit 17 than the treatment area 181. That is, in each processing block 5, the liquid processing unit 17, the delivery area 182, and the processing area 181 are arranged in this order along the transport area 15.

３つの処理ブロック５に対して１つの供給ユニット１９が配置される。例えば、鉛直方向に積まれた３つの処理ブロック５に対して１つの供給ユニット１９が配置される。 One supply unit 19 is arranged for the three processing blocks 5. For example, one supply unit 19 is arranged for three processing blocks 5 stacked in the vertical direction.

供給ユニット１９は、乾燥ユニット１８に対して処理流体を供給する。具体的には、供給ユニット１９は、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。本実施形態において、供給ユニット１９は、処理流体としてＣＯ２を乾燥ユニット１８に供給する。供給ユニット１９の構成については後述する。１つの供給ユニット１９から３つの処理ブロック５に処理流体を供給することが可能である。 The supply unit 19 supplies the processing fluid to the drying unit 18. Specifically, the supply unit 19 includes a supply equipment group including a flow meter, a flow rate regulator, a back pressure valve, a heater, and the like, and a housing for accommodating the supply equipment group. In this embodiment, the supply unit 19 supplies CO 2 to the drying unit 18 as a processing fluid. The configuration of the supply unit 19 will be described later. It is possible to supply the processing fluid from one supply unit 19 to the three processing blocks 5.

図１に示すように、基板処理装置１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部７と記憶部８とを備える。 As shown in FIG. 1, the substrate processing device 1 includes a control device 6. The control device 6 is, for example, a computer, and includes a control unit 7 and a storage unit 8.

制御部７は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３、１６、液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９等の制御を実現する。 The control unit 7 includes a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output port, and various circuits. The CPU of the microcomputer realizes control of the transfer device 13, 16, the liquid processing unit 17, the drying unit 18, the supply unit 19, and the like by reading and executing the program stored in the ROM.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６の記憶部８にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be stored in a storage medium readable by a computer, and may be installed in the storage unit 8 of the control device 6 from the storage medium. Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

記憶部８は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。 The storage unit 8 is realized by, for example, a semiconductor memory element such as a RAM or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.

上記のように構成された基板処理装置１では、まず、搬入出ステーション２の搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の搬送装置１６によって受渡部１４から取り出されて、液処理ユニット１７へ搬入される。 In the substrate processing device 1 configured as described above, first, the transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C mounted on the carrier mounting section 11, and delivers the taken out wafer W to the delivery section. Place on 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out from the delivery unit 14 by the transfer device 16 of the processing station 3 and carried into the liquid processing unit 17.

液処理ユニット１７へ搬入されたウェハＷは、液処理ユニット１７によって洗浄処理および液膜形成処理が施された後、搬送装置１６によって液処理ユニット１７から搬出される。液処理ユニット１７から搬出されたウェハＷは、搬送装置１６によって乾燥ユニット１８へ搬入され、乾燥ユニット１８によって乾燥処理が施される。 The wafer W carried into the liquid treatment unit 17 is subjected to cleaning treatment and liquid film formation treatment by the liquid treatment unit 17, and then carried out from the liquid treatment unit 17 by the transfer device 16. The wafer W carried out from the liquid treatment unit 17 is carried into the drying unit 18 by the transfer device 16, and is subjected to the drying treatment by the drying unit 18.

乾燥ユニット１８によって乾燥処理されたウェハＷは、搬送装置１６によって乾燥ユニット１８から搬出され、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W dried by the drying unit 18 is carried out from the drying unit 18 by the transfer device 16 and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting unit 11 by the transfer device 13.

＜液処理ユニットの構成＞
次に、液処理ユニット１７の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。 <Structure of liquid treatment unit>
Next, the configuration of the liquid treatment unit 17 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of the liquid treatment unit 17. The liquid treatment unit 17 is configured as, for example, a single-wafer type cleaning device that cleans the wafers W one by one by spin cleaning.

図２に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。 As shown in FIG. 2, the liquid treatment unit 17 holds the wafer W substantially horizontally by the wafer holding mechanism 25 arranged in the outer chamber 23 forming the processing space, and the wafer holding mechanism 25 is held around the vertical axis. The wafer W is rotated by rotating the wafer W.

そして、液処理ユニット１７は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷ上面の洗浄処理を行う。 Then, the liquid treatment unit 17 causes the nozzle arm 26 to enter above the rotating wafer W, and supplies the chemical liquid and the rinse liquid from the chemical liquid nozzle 26a provided at the tip of the nozzle arm 26 in a predetermined order. , The upper surface of the wafer W is cleaned.

また、液処理ユニット１７には、ウェハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの下面も洗浄される。 Further, in the liquid treatment unit 17, a chemical liquid supply path 25a is also formed inside the wafer holding mechanism 25. Then, the lower surface of the wafer W is also cleaned by the chemical solution and the rinsing solution supplied from the chemical solution supply path 25a.

洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われる。次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）によるリンス洗浄が行われる。 In the cleaning treatment, for example, particles and organic contaminants are first removed by SC1 solution (mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide solution) which is an alkaline chemical solution. Next, rinsing with deionized water (hereinafter referred to as "DIW"), which is a rinsing solution, is performed.

次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted HydroFluoric acid：以下、「ＤＨＦ」と記載する）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。 Next, the natural oxide film is removed with a diluted hydrofluoric acid (hereinafter referred to as “DHF”) which is an acidic chemical solution, and then a rinse wash with DIW is performed.

上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。 The above-mentioned various chemicals are received by the outer chamber 23 and the inner cup 24 arranged in the outer chamber 23, and are discharged at the drain port 23a provided at the bottom of the outer chamber 23 and the bottom of the inner cup 24. It is discharged from the liquid port 24a. Further, the atmosphere in the outer chamber 23 is exhausted from the exhaust port 23b provided at the bottom of the outer chamber 23.

液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの上面および下面に液体状態のＩＰＡ（IsoPropyl Alcohol）（以下、「ＩＰＡ液体」とも呼称する）を供給する。これにより、ウェハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。 The liquid film forming treatment is performed after the rinsing treatment in the washing treatment. Specifically, the liquid treatment unit 17 supplies IPA (IsoPropyl Alcohol) (hereinafter, also referred to as “IPA liquid”) in a liquid state to the upper surface and the lower surface of the wafer W while rotating the wafer holding mechanism 25. As a result, the DIW remaining on both sides of the wafer W is replaced with the IPA. After that, the liquid treatment unit 17 gently stops the rotation of the wafer holding mechanism 25.

液膜形成処理を終えたウェハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウェハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。 The wafer W that has completed the liquid film forming process is transferred to the transfer device 16 by a transfer mechanism (not shown) provided in the wafer holding mechanism 25 with the liquid film of IPA liquid formed on the upper surface thereof. It is carried out from the processing unit 17.

ウェハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのウェハＷの搬送中や、乾燥ユニット１８への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。 The liquid film formed on the wafer W evaporates (vaporizes) the liquid on the upper surface of the wafer W during the transfer of the wafer W from the liquid treatment unit 17 to the drying unit 18 and the operation of carrying the wafer W into the drying unit 18. Prevents pattern collapse from occurring.

＜乾燥ユニットの構成＞
つづいて、乾燥ユニット１８の構成について、図３及び図４を参照しながら説明する。図３は、乾燥ユニット１８の構成例を示す模式斜視図である。図４は、乾燥ユニット１８の構成例を示す図である。 <Structure of drying unit>
Subsequently, the configuration of the drying unit 18 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a schematic perspective view showing a configuration example of the drying unit 18. FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of the drying unit 18.

図３に示すように、乾燥ユニット１８は、本体３１と、保持板３２と、蓋部材３３とを有する。筐体状の本体３１には、ウェハＷを搬入出するための開口部３４が形成される。保持板３２は、処理対象のウェハＷを水平方向に保持する。蓋部材３３は、かかる保持板３２を支持するとともに、ウェハＷを本体３１内に搬入したときに、開口部３４を密閉する。本体３１は処理容器の一例である。 As shown in FIG. 3, the drying unit 18 has a main body 31, a holding plate 32, and a lid member 33. The housing-shaped main body 31 is formed with an opening 34 for loading and unloading the wafer W. The holding plate 32 holds the wafer W to be processed in the horizontal direction. The lid member 33 supports the holding plate 32 and seals the opening 34 when the wafer W is carried into the main body 31. The main body 31 is an example of a processing container.

本体３１は、たとえば直径３００ｍｍのウェハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート３５、３６と排出ポート３７とが設けられる。供給ポート３５、３６および排出ポート３７は、それぞれ、乾燥ユニット１８に超臨界流体を流通させるための供給流路および排出流路に接続されている。 The main body 31 is a container in which, for example, a processing space capable of accommodating a wafer W having a diameter of 300 mm is formed, and supply ports 35 and 36 and discharge ports 37 are provided on the wall thereof. The supply ports 35 and 36 and the discharge port 37 are connected to a supply flow path and a discharge flow path for flowing a supercritical fluid through the drying unit 18, respectively.

供給ポート３５は、筐体状の本体３１において、開口部３４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート３６は、本体３１の底面に接続されている。さらに、排出ポート３７は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、図３には２つの供給ポート３５、３６と１つの排出ポート３７が図示されているが、供給ポート３５、３６や排出ポート３７の数は特に限定されない。 The supply port 35 is connected to the side surface of the housing-shaped main body 31 opposite to the opening 34. Further, the supply port 36 is connected to the bottom surface of the main body 31. Further, the discharge port 37 is connected to the lower side of the opening 34. Although two supply ports 35 and 36 and one discharge port 37 are shown in FIG. 3, the number of supply ports 35 and 36 and the number of discharge ports 37 is not particularly limited.

また、本体３１の内部には、流体供給ヘッダー３８、３９と、流体排出ヘッダー４０とが設けられる。そして、流体供給ヘッダー３８、３９には複数の供給口がかかる流体供給ヘッダー３８，３９の長手方向に並んで形成され、流体排出ヘッダー４０には複数の排出口がかかる流体排出ヘッダー４０の長手方向に並んで形成される。 Further, inside the main body 31, fluid supply headers 38 and 39 and a fluid discharge header 40 are provided. The fluid supply headers 38 and 39 are formed side by side in the longitudinal direction of the fluid supply headers 38 and 39 having a plurality of supply ports, and the fluid discharge header 40 has a plurality of discharge ports in the longitudinal direction of the fluid discharge header 40. Formed side by side.

流体供給ヘッダー３８は、供給ポート３５に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３８に並んで形成される複数の供給口は、開口部３４側を向いている。 The fluid supply header 38 is connected to the supply port 35 and is provided adjacent to the side surface of the housing-like main body 31 opposite to the opening 34. Further, the plurality of supply ports formed side by side on the fluid supply header 38 face the opening 34 side.

流体供給ヘッダー３９は、供給ポート３６に接続され、筐体状の本体３１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー３９に並んで形成される複数の供給口は、上方を向いている。 The fluid supply header 39 is connected to the supply port 36 and is provided at the center of the bottom surface inside the housing-shaped main body 31. Further, the plurality of supply ports formed side by side on the fluid supply header 39 face upward.

流体排出ヘッダー４０は、排出ポート３７に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４より下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー４０に並んで形成される複数の排出口は、上方を向いている。 The fluid discharge header 40 is connected to the discharge port 37, and is provided inside the housing-shaped main body 31 adjacent to the side surface on the opening 34 side and below the opening 34. Further, the plurality of discharge ports formed side by side on the fluid discharge header 40 face upward.

流体供給ヘッダー３８、３９は、超臨界流体を本体３１内に供給する。また、流体排出ヘッダー４０は、本体３１内の超臨界流体を本体３１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー４０を介して本体３１の外部に排出される超臨界流体には、ウェハＷの表面から超臨界状態の超臨界流体に溶け込んだＩＰＡ液体が含まれる。 The fluid supply headers 38 and 39 supply the supercritical fluid into the main body 31. Further, the fluid discharge header 40 guides the supercritical fluid in the main body 31 to the outside of the main body 31 and discharges it. The supercritical fluid discharged to the outside of the main body 31 via the fluid discharge header 40 includes an IPA liquid dissolved in the supercritical fluid in the supercritical state from the surface of the wafer W.

図４に示すように、乾燥ユニット１８には、供給ユニット１９の第２供給ライン１６２が接続される。第２供給ライン１６２は乾燥ユニット１８内で供給ライン２０２および２０３に分岐し、供給ライン２０２が供給ポート３５に接続され、供給ライン２０３が供給ポート３６に接続される。供給ライン２０２にバルブ２１１が設けられ、供給ライン２０３にバルブ２１２が設けられている。なお、乾燥ユニット１８には、第２供給ライン１６２を通じて供給された液体の処理流体を加熱し、超臨界状態とするヒータ（図示せず）が設けられている。 As shown in FIG. 4, the second supply line 162 of the supply unit 19 is connected to the drying unit 18. The second supply line 162 branches into the supply lines 202 and 203 in the drying unit 18, the supply line 202 is connected to the supply port 35, and the supply line 203 is connected to the supply port 36. A valve 211 is provided on the supply line 202, and a valve 212 is provided on the supply line 203. The drying unit 18 is provided with a heater (not shown) that heats the processing fluid of the liquid supplied through the second supply line 162 to bring it into a supercritical state.

バルブ２１１および２１２は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の供給ライン２０２、２０３に処理流体を流し、閉状態では下流側の供給ライン２０２、２０３に処理流体を流さない。 The valves 211 and 212 are valves that adjust the on and off of the flow of the processing fluid, and flow the processing fluid to the supply lines 202 and 203 on the downstream side in the open state and to the supply lines 202 and 203 on the downstream side in the closed state. Do not allow the processing fluid to flow.

排出ポート３７に排出ライン２０５が接続されている。排出ライン２０５には、上流側、すなわち本体３１側から順に圧力センサ２２２と、バルブ２１３と、流量計２２３と、背圧弁２２４とが設けられている。また、供給ライン２０３から分岐し、排出ライン２０５のバルブ２１３と流量計２２３との間の区間に繋がる排出ライン２０６が設けられている。排出ライン２０６にバルブ２１４が設けられている。 The discharge line 205 is connected to the discharge port 37. The discharge line 205 is provided with a pressure sensor 222, a valve 213, a flow meter 223, and a back pressure valve 224 in this order from the upstream side, that is, the main body 31 side. Further, a discharge line 206 that branches from the supply line 203 and is connected to a section between the valve 213 of the discharge line 205 and the flow meter 223 is provided. A valve 214 is provided on the discharge line 206.

圧力センサ２２２は、本体３１の直後で排出ライン２０５を流れる処理流体の圧力を測定する。すなわち、圧力センサ２２２は、本体３１内の処理流体の圧力を測定することができる。バルブ２１３、２１４は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の排出ライン２０５、２０６に処理流体を流し、閉状態では下流側の排出ライン２０５、２０６に処理流体を流さない。流量計２２３は、排出ライン２０６が合流した後の排出ライン２０５を流れる処理流体の流量を測定する。 The pressure sensor 222 measures the pressure of the processing fluid flowing through the discharge line 205 immediately after the main body 31. That is, the pressure sensor 222 can measure the pressure of the processing fluid in the main body 31. The valves 213 and 214 are valves that adjust the on and off of the flow of the processing fluid, and flow the processing fluid to the downstream discharge lines 205 and 206 in the open state and to the downstream discharge lines 205 and 206 in the closed state. Do not allow the processing fluid to flow. The flow meter 223 measures the flow rate of the processing fluid flowing through the discharge line 205 after the discharge lines 206 have joined.

背圧弁２２４は、排出ライン２０５の一次側圧力が設定圧力を超えた場合には弁開度を調整して二次側に流体を流すことにより、一次側圧力を設定圧力に維持する。例えば、背圧弁２２４の設定圧力は、制御部７により流量計２２３の出力に基づいて調整される。 The back pressure valve 224 maintains the primary side pressure at the set pressure by adjusting the valve opening degree and flowing the fluid to the secondary side when the primary side pressure of the discharge line 205 exceeds the set pressure. For example, the set pressure of the back pressure valve 224 is adjusted by the control unit 7 based on the output of the flow meter 223.

更に、本体３１内の処理流体の温度を検出する温度センサ２２１が設けられている。温度センサ２２１の出力は制御部７に送信される。 Further, a temperature sensor 221 for detecting the temperature of the processing fluid in the main body 31 is provided. The output of the temperature sensor 221 is transmitted to the control unit 7.

かかる乾燥ユニット１８内において、ウェハＷ上に形成されているパターンの間のＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解し、パターンの間は徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、最終的には、超臨界流体のみによってパターンの間が満たされる。 In the drying unit 18, the IPA liquid between the patterns formed on the wafer W gradually dissolves in the supercritical fluid by coming into contact with the supercritical fluid in a high pressure state (for example, 16 MPa). During the pattern, it gradually replaces the supercritical fluid. Finally, only the supercritical fluid fills the space between the patterns.

そして、パターンの間からＩＰＡ液体が除去された後に、本体３１内部の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧することによって、ＣＯ２は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウェハＷの乾燥処理が完了する。 Then, after the IPA liquid is removed from between the patterns, CO 2 changes from the supercritical state to the gas state by reducing the pressure inside the main body 31 from the high pressure state to the atmospheric pressure, and only the gas is between the patterns. Is occupied by. In this way, the IPA liquid between the patterns is removed, and the drying process of the wafer W is completed.

ここで、超臨界流体は、液体（たとえばＩＰＡ液体）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。これにより、超臨界流体を用いた乾燥処理では、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。したがって、実施形態によれば、乾燥処理の際にパターンが倒れることを抑制することができる。 Here, the supercritical fluid has a lower viscosity than a liquid (for example, IPA liquid), has a high ability to dissolve the liquid, and has an interface between the supercritical fluid and the liquid or gas in an equilibrium state. not exist. As a result, in the drying process using a supercritical fluid, the liquid can be dried without being affected by the surface tension. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the pattern from collapsing during the drying process.

なお、実施形態では、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体として超臨界状態のＣＯ２を用いた例について示しているが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、超臨界状態のＣＯ２以外の流体を処理流体として用いてもよい。 In the embodiment, an example in which an IPA liquid is used as the liquid for preventing drying and CO 2 in a supercritical state is used as the processing fluid is shown, but a liquid other than IPA may be used as the liquid for preventing drying. Alternatively, a fluid other than CO 2 in the supercritical state may be used as the processing fluid.

＜供給ユニットの第１の構成＞
つづいて、供給ユニット１９の第１の構成例としての供給ユニット１１９について、図５を参照しながら説明する。図５は、供給ユニット１９の第１の構成例（供給ユニット１１９）を示す図である。図５に示す供給ユニット１１９は３つの乾燥ユニット１８Ａ、１８Ｂおよび１８Ｃに処理流体を供給する。乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃは図４中の乾燥ユニット１８に対応する。 <First configuration of supply unit>
Subsequently, the supply unit 119 as a first configuration example of the supply unit 19 will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing a first configuration example (supply unit 119) of the supply unit 19. The supply unit 119 shown in FIG. 5 supplies the processing fluid to the three drying units 18A, 18B and 18C. The drying units 18A to 18C correspond to the drying units 18 in FIG.

供給ユニット１１９は、処理流体供給源９０に接続された第１供給ライン６１と、第１供給ライン６１に接続された複数の第２供給ライン１６２Ａ、１６２Ｂおよび１６２Ｃとを有する。第２供給ライン１６２Ａ～１６２Ｃは図４中の第２供給ライン１６２に対応する。第２供給ライン１６２Ａは乾燥ユニット１８Ａに接続され、第２供給ライン１６２Ｂは乾燥ユニット１８Ｂに接続され、第２供給ライン１６２Ｃは乾燥ユニット１８Ｃに接続される。 The supply unit 119 has a first supply line 61 connected to the processing fluid supply source 90 and a plurality of second supply lines 162A, 162B and 162C connected to the first supply line 61. The second supply lines 162A to 162C correspond to the second supply line 162 in FIG. The second supply line 162A is connected to the drying unit 18A, the second supply line 162B is connected to the drying unit 18B, and the second supply line 162C is connected to the drying unit 18C.

第１供給ライン６１上に接続点６２と、分岐点６３とが設けられている。接続点６２は分岐点６３よりも処理流体供給源９０側（上流側）に設けられている。供給ユニット１１９は、更に、分岐点６３と接続点６２とを繋ぐ分岐ライン１６３を有する。第２供給ライン１６２Ａ、１６２Ｂおよび１６２Ｃは、第１供給ライン６１に設けられた複数の分岐点７７Ａ、７７Ｂにおいて第１供給ライン６１に接続されている。具体的には、第２供給ライン１６２Ａは分岐点７７Ａにおいて第１供給ライン６１に接続され、第２供給ライン１６２Ｂおよび１６２Ｃは分岐点７７Ｂにおいて第１供給ライン６１に接続されている。 A connection point 62 and a branch point 63 are provided on the first supply line 61. The connection point 62 is provided on the processing fluid supply source 90 side (upstream side) of the branch point 63. The supply unit 119 further has a branch line 163 that connects the branch point 63 and the connection point 62. The second supply lines 162A, 162B and 162C are connected to the first supply line 61 at a plurality of branch points 77A and 77B provided in the first supply line 61. Specifically, the second supply line 162A is connected to the first supply line 61 at the branch point 77A, and the second supply lines 162B and 162C are connected to the first supply line 61 at the branch point 77B.

第１供給ライン６１には、上流側（処理流体供給源９０側）から順に、バルブ６４と、流量調整器６５と、フィルタ６７と、コンデンサ６８と、タンク６９と、ポンプ７０と、圧力センサ７１とが設けられている。分岐点６３は、圧力センサ７１と分岐点７７Ａおよび７７Ｂとの間に設けられ、接続点６２は、流量調整器６５とフィルタ６７との間に設けられている。すなわち、分岐点６３はポンプ７０よりも下流側に設けられ、接続点６２はポンプ７０よりも上流側に設けられている。 The first supply line 61 includes a valve 64, a flow rate regulator 65, a filter 67, a capacitor 68, a tank 69, a pump 70, and a pressure sensor 71 in order from the upstream side (processing fluid supply source 90 side). And are provided. The branch point 63 is provided between the pressure sensor 71 and the branch points 77A and 77B, and the connection point 62 is provided between the flow rate regulator 65 and the filter 67. That is, the branch point 63 is provided on the downstream side of the pump 70, and the connection point 62 is provided on the upstream side of the pump 70.

バルブ６４は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の第１供給ライン６１に処理流体を流し、閉状態では下流側の第１供給ライン６１に処理流体を流さない。 The valve 64 is a valve that adjusts the on / off of the flow of the processing fluid. In the open state, the processing fluid flows through the first supply line 61 on the downstream side, and in the closed state, the processing fluid flows through the first supply line 61 on the downstream side. Do not shed.

流量調整器６５は、処理流体供給源９０から第１供給ライン６１に供給される処理流体の流量を調整する。 The flow rate regulator 65 adjusts the flow rate of the processing fluid supplied from the processing fluid supply source 90 to the first supply line 61.

フィルタ６７は、第１供給ライン６１内を流れる気体状態の処理流体を濾過し、処理流体に含まれる異物を取り除く。かかるフィルタ６７で処理流体内の異物を取り除くことにより、超臨界流体を用いたウェハＷの乾燥処理の際に、ウェハＷ表面にパーティクルが発生することを抑制することができる。 The filter 67 filters the gaseous processing fluid flowing in the first supply line 61 and removes foreign matter contained in the processing fluid. By removing the foreign matter in the processing fluid with the filter 67, it is possible to suppress the generation of particles on the surface of the wafer W during the drying process of the wafer W using the supercritical fluid.

コンデンサ６８は、たとえば、図示しない冷却水供給部に接続され、冷却水と気体状態の処理流体とを熱交換させることができる。これにより、コンデンサ６８は、第１供給ライン６１内を流れる気体状態の処理流体を冷却して、液体状態の処理流体を生成する。 The condenser 68 is connected to, for example, a cooling water supply unit (not shown), and can exchange heat between the cooling water and the processing fluid in a gaseous state. As a result, the capacitor 68 cools the processing fluid in the gaseous state flowing in the first supply line 61 to generate the processing fluid in the liquid state.

タンク６９は、コンデンサ６８で生成された液体状態の処理流体を貯留する。ポンプ７０は、タンク６９に貯留された液体状態の処理流体を、第１供給ライン６１の下流側に送り出す。すなわち、ポンプ７０は、タンク６９から出て、第１供給ライン６１および分岐ライン１６３を通り、タンク６９に戻る処理流体の循環流を形成する。圧力センサ７１は、第１供給ライン６１のポンプ７０より下流側を流れる処理流体の圧力を測定する。すなわち、圧力センサ７１は、分岐点６３における処理流体の圧力を測定することができる。 The tank 69 stores the liquid processing fluid generated by the capacitor 68. The pump 70 sends the liquid processing fluid stored in the tank 69 to the downstream side of the first supply line 61. That is, the pump 70 forms a circulating flow of processing fluid that exits the tank 69, passes through the first supply line 61 and the branch line 163, and returns to the tank 69. The pressure sensor 71 measures the pressure of the processing fluid flowing downstream of the pump 70 of the first supply line 61. That is, the pressure sensor 71 can measure the pressure of the processing fluid at the branch point 63.

分岐ライン１６３には、上流側（分岐点６３側）から順に、ヒータ７４と、圧力調整部１４０と、バルブ７６とが設けられている。 The branch line 163 is provided with a heater 74, a pressure adjusting unit 140, and a valve 76 in this order from the upstream side (branch point 63 side).

ヒータ７４は、例えばスパイラルヒータである。ヒータ７４は、分岐ライン１６３に巻回され、分岐ライン１６３を流れる液体状態の処理流体を加熱して、超臨界状態の処理流体を生成する。 The heater 74 is, for example, a spiral heater. The heater 74 is wound around the branch line 163 and heats the liquid processing fluid flowing through the branch line 163 to generate a supercritical processing fluid.

圧力調整部１４０は、背圧弁４１と、背圧弁４１に並列に接続されたオリフィス４２、４３および４４と、オリフィス４２に直列に接続されたバルブ４６と、オリフィス４３に直列に接続されたバルブ４７と、オリフィス４４に直列に接続されたバルブ４８とを有する。 The pressure adjusting unit 140 includes a back pressure valve 41, an orifice 42, 43 and 44 connected in parallel to the back pressure valve 41, a valve 46 connected in series with the orifice 42, and a valve 47 connected in series with the orifice 43. And a valve 48 connected in series with the orifice 44.

背圧弁４１は、分岐ライン１６３の一次側圧力が設定圧力を超えた場合には弁開度を調整して二次側に流体を流すことにより、一次側圧力を設定圧力に維持する。例えば、背圧弁４１の設定圧力は、制御部７により圧力センサ７１の出力に基づいて調整される。 The back pressure valve 41 maintains the primary side pressure at the set pressure by adjusting the valve opening degree and flowing the fluid to the secondary side when the primary side pressure of the branch line 163 exceeds the set pressure. For example, the set pressure of the back pressure valve 41 is adjusted by the control unit 7 based on the output of the pressure sensor 71.

オリフィス４２～４４は、ヒータ７４で生成された超臨界状態の処理流体の流速を低下させ、圧力を調整する役割を果たす。オリフィス４２～４４は、下流側の分岐ライン１６３に圧力が調整された処理流体を流通させることができる。 The orifices 42 to 44 serve to reduce the flow rate of the supercritical processing fluid generated by the heater 74 and regulate the pressure. Orifices 42 to 44 allow the pressure-adjusted processing fluid to flow through the branch line 163 on the downstream side.

バルブ４６～４８は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の分岐ライン１６３に処理流体を流し、閉状態では下流側の分岐ライン１６３に処理流体を流さない。バルブ４６～４８は開閉弁の一例である。 The valves 46 to 48 are valves for adjusting the on / off of the flow of the processing fluid. In the open state, the processing fluid flows through the downstream branch line 163, and in the closed state, the processing fluid flows through the downstream branch line 163. do not have. Valves 46 to 48 are examples of on-off valves.

バルブ７６は、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の分岐ライン１６３に処理流体を流し、閉状態では下流側の分岐ライン１６３に処理流体を流さない。 The valve 76 is a valve that adjusts the on / off of the flow of the processing fluid, and the processing fluid flows through the branch line 163 on the downstream side in the open state and does not flow through the branch line 163 on the downstream side in the closed state.

供給ユニット１１９内において、第２供給ライン１６２Ａにバルブ７３Ａが設けられ、第２供給ライン１６２Ｂにバルブ７３Ｂが設けられ、第２供給ライン１６２Ｃにバルブ７３Ｃが設けられている。バルブ７３Ａ～７３Ｃは、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の第２供給ライン１６２Ａ～１６２Ｃに処理流体を流し、閉状態では下流側の第２供給ライン１６２Ａ～１６２Ｃに処理流体を流さない。 In the supply unit 119, a valve 73A is provided in the second supply line 162A, a valve 73B is provided in the second supply line 162B, and a valve 73C is provided in the second supply line 162C. The valves 73A to 73C are valves that adjust the on and off of the flow of the processing fluid. In the open state, the processing fluid flows through the second supply line 162A to 162C on the downstream side, and in the closed state, the second supply line on the downstream side. Do not allow the processing fluid to flow through 162A-162C.

ここで、供給ユニット１１９の基本的な動作について説明する。 Here, the basic operation of the supply unit 119 will be described.

処理流体供給源９０から第１供給ライン６１に供給された気体の処理流体は、コンデンサ６８により冷却されて液化する。液化した処理流体はタンク６９に貯蔵される。タンク６９に貯蔵された液体の処理流体は、ポンプ７０により高圧流体とされ、その一部が乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃに供給される。乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃに供給された高圧流体は超臨界状態とされて乾燥に用いられる。また、高圧流体の他の一部は分岐ライン１６３に流れ、ヒータ７４により加熱されて超臨界状態とされる。超臨界状態とされた処理流体は圧力調整部１４０において減圧されて気体とされ、接続点６２から第１供給ライン６１に戻る。このようにして処理流体が供給ユニット１１９内を循環する。 The gas processing fluid supplied from the processing fluid supply source 90 to the first supply line 61 is cooled by the capacitor 68 and liquefied. The liquefied processing fluid is stored in the tank 69. The processing fluid of the liquid stored in the tank 69 is made into a high-pressure fluid by the pump 70, and a part thereof is supplied to the drying units 18A to 18C. The high-pressure fluid supplied to the drying units 18A to 18C is put into a supercritical state and used for drying. Further, the other part of the high-pressure fluid flows to the branch line 163 and is heated by the heater 74 to be in a supercritical state. The processing fluid in the supercritical state is depressurized in the pressure adjusting unit 140 to be a gas, and returns from the connection point 62 to the first supply line 61. In this way, the processing fluid circulates in the supply unit 119.

分岐点６３の近傍に分岐ライン１６３にヒータ７４が設けられており、ヒータ７４により処理流体が超臨界状態とされるため、処理流体の圧縮性が高くなり、供給ユニット１１９内での脈動を抑制することができる。 A heater 74 is provided on the branch line 163 in the vicinity of the branch point 63, and the processing fluid is brought into a supercritical state by the heater 74, so that the compressibility of the processing fluid becomes high and pulsation in the supply unit 119 is suppressed. can do.

＜供給ユニットの第１の構成例の具体的な動作＞
つづいて、供給ユニット１１９の具体的な動作について説明する。図６～図９は、供給ユニット１１９の具体的な動作を示す図である。 <Specific operation of the first configuration example of the supply unit>
Subsequently, the specific operation of the supply unit 119 will be described. 6 to 9 are diagrams showing specific operations of the supply unit 119.

図６には、３つの乾燥ユニット１８のいずれにも処理流体が供給されない時の供給ユニット１１９の状態を示す。図６に示す状態では、乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃのいずれにも処理流体が供給されないため、バルブ７３Ａ～７３Ｃが閉状態とされる。また、バルブ４６～４８が開状態とされる。また、図示しないが、ポンプ７０が動作し、バルブ７６は開状態とされる。 FIG. 6 shows the state of the supply unit 119 when the processing fluid is not supplied to any of the three drying units 18. In the state shown in FIG. 6, since the processing fluid is not supplied to any of the drying units 18A to 18C, the valves 73A to 73C are closed. Further, the valves 46 to 48 are opened. Further, although not shown, the pump 70 operates and the valve 76 is opened.

この場合、タンク６９から排出された処理流体は、分岐点６３から分岐ライン１６３に流れる。分岐ライン１６３に導かれた処理流体は、背圧弁４１を経由するとともに、オリフィス４２～４４とバルブ４６～４８とを経由して接続点６２に到達し、更にフィルタ６７およびコンデンサ６８を介してタンク６９に戻る。 In this case, the processing fluid discharged from the tank 69 flows from the branch point 63 to the branch line 163. The processing fluid guided to the branch line 163 reaches the connection point 62 via the back pressure valve 41, the orifices 42 to 44, and the valves 46 to 48, and further passes through the filter 67 and the capacitor 68 to reach the tank. Return to 69.

この一連の動作の間、制御部７は、圧力センサ７１からの出力を受信し、分岐点６３における処理流体の圧力が第１圧力（例えば２０．０ＭＰａ）となるように圧力調整部１４０内の背圧弁４１の設定圧力を調整する。つまり、制御部７は、圧力調整部１４０を制御することにより、分岐ライン１６３に流す処理流体の量を変化させて分岐点６３における処理流体の圧力を制御する。なお、第１圧力はポンプ７０の性能に依存する。 During this series of operations, the control unit 7 receives the output from the pressure sensor 71, and the pressure of the processing fluid at the branch point 63 becomes the first pressure (for example, 20.0 MPa) in the pressure adjusting unit 140. Adjust the set pressure of the back pressure valve 41. That is, the control unit 7 controls the pressure of the processing fluid at the branch point 63 by changing the amount of the processing fluid flowing through the branch line 163 by controlling the pressure adjusting unit 140. The first pressure depends on the performance of the pump 70.

図７には、３つの乾燥ユニット１８のうちの１つの乾燥ユニット１８Ａに処理流体が供給され、他の２つの乾燥ユニット１８Ｂおよび１８Ｃに処理流体が供給されない時の供給ユニット１１９の状態を示す。図７に示す状態では、乾燥ユニット１８Ａに処理流体が供給され、乾燥ユニット１８Ｂおよび１８Ｃに処理流体が供給されないため、バルブ７３Ａが開状態とされ、バルブ７３Ｂおよび７３Ｃが閉状態とされる。また、バルブ４６～４８のうちの１つのバルブ４６が閉状態とされ、他の２つのバルブ４７および４８が開状態とされる。また、図示しないが、ポンプ７０が動作し、バルブ７６は開状態とされる。 FIG. 7 shows the state of the supply unit 119 when the processing fluid is supplied to the drying unit 18A of the three drying units 18 and the processing fluid is not supplied to the other two drying units 18B and 18C. In the state shown in FIG. 7, since the processing fluid is supplied to the drying unit 18A and the processing fluid is not supplied to the drying units 18B and 18C, the valve 73A is opened and the valves 73B and 73C are closed. Further, one of the valves 46 to 48 is closed, and the other two valves 47 and 48 are opened. Further, although not shown, the pump 70 operates and the valve 76 is opened.

この場合、タンク６９から排出された処理流体の一部は、第２供給ライン１６２Ａを介して乾燥ユニット１８Ａに供給され、他の一部は、分岐点６３から分岐ライン１６３に流れる。分岐ライン１６３に導かれた処理流体は、背圧弁４１を経由するとともに、オリフィス４３および４４とバルブ４７および４８とを経由して接続点６２に到達し、更にフィルタ６７およびコンデンサ６８を介してタンク６９に戻る。 In this case, a part of the processing fluid discharged from the tank 69 is supplied to the drying unit 18A via the second supply line 162A, and the other part flows from the branch point 63 to the branch line 163. The processing fluid guided to the branch line 163 reaches the connection point 62 via the back pressure valve 41, the orifices 43 and 44, and the valves 47 and 48, and further passes through the filter 67 and the capacitor 68 to the tank. Return to 69.

この一連の動作の間、制御部７は、圧力センサ７１からの出力を受信し、分岐点６３における処理流体の圧力が第１圧力となるように圧力調整部１４０内の背圧弁４１の設定圧力を調整する。つまり、制御部７は、圧力調整部１４０を制御することにより、分岐ライン１６３に流す処理流体の量を変化させて分岐点６３における処理流体の圧力を制御する。 During this series of operations, the control unit 7 receives the output from the pressure sensor 71, and the set pressure of the back pressure valve 41 in the pressure adjusting unit 140 so that the pressure of the processing fluid at the branch point 63 becomes the first pressure. To adjust. That is, the control unit 7 controls the pressure of the processing fluid at the branch point 63 by changing the amount of the processing fluid flowing through the branch line 163 by controlling the pressure adjusting unit 140.

図８には、３つの乾燥ユニット１８のうちの２つの乾燥ユニット１８Ａおよび１８Ｂに処理流体が供給され、他の１つの乾燥ユニット１８Ｃに処理流体が供給されない時の供給ユニット１１９の状態を示す。図８に示す状態では、乾燥ユニット１８Ａおよび１８Ｂに処理流体が供給され、乾燥ユニット１８Ｃに処理流体が供給されないため、バルブ７３Ａおよび７３Ｂが開状態とされ、バルブ７３Ｃが閉状態とされる。また、バルブ４６～４８のうちの２つのバルブ４６および４７が閉状態とされ、他の１つのバルブ４８が開状態とされる。また、図示しないが、ポンプ７０が動作し、バルブ７６は開状態とされる。 FIG. 8 shows the state of the supply unit 119 when the processing fluid is supplied to two drying units 18A and 18B out of the three drying units 18 and the processing fluid is not supplied to the other one drying unit 18C. In the state shown in FIG. 8, since the processing fluid is supplied to the drying units 18A and 18B and the processing fluid is not supplied to the drying unit 18C, the valves 73A and 73B are opened and the valves 73C are closed. Further, two valves 46 and 47 of the valves 46 to 48 are closed, and the other valve 48 is opened. Further, although not shown, the pump 70 operates and the valve 76 is opened.

この場合、タンク６９から排出された処理流体の一部は、第２供給ライン１６２Ａ、１６２Ｂを介して乾燥ユニット１８Ａ、１８Ｂに供給され、他の一部は、分岐点６３から分岐ライン１６３に流れる。分岐ライン１６３に導かれた処理流体は、背圧弁４１を経由するとともに、オリフィス４４とバルブ４８とを経由して接続点６２に到達し、更にフィルタ６７およびコンデンサ６８を介してタンク６９に戻る。 In this case, a part of the processing fluid discharged from the tank 69 is supplied to the drying units 18A and 18B via the second supply lines 162A and 162B, and the other part flows from the branch point 63 to the branch line 163. .. The processing fluid guided to the branch line 163 reaches the connection point 62 via the back pressure valve 41, the orifice 44 and the valve 48, and further returns to the tank 69 via the filter 67 and the capacitor 68.

この一連の動作の間、制御部７は、圧力センサ７１からの出力を受信し、分岐点６３における処理流体の圧力が第１圧力となるように圧力調整部１４０内の背圧弁４１を調整する。つまり、制御部７は、圧力調整部１４０を制御することにより、分岐ライン１６３に流す処理流体の量を変化させて分岐点６３における処理流体の圧力を制御する。処理流体が供給される乾燥ユニットの数が増えると、分岐点における処理流体の圧力が下がってしまうが、背圧弁４１を調整して分岐点における処理流体の圧力を第１圧力に維持することで、乾燥ユニット１８Ａおよび１８Ｂが同時に処理可能となる。 During this series of operations, the control unit 7 receives the output from the pressure sensor 71 and adjusts the back pressure valve 41 in the pressure adjusting unit 140 so that the pressure of the processing fluid at the branch point 63 becomes the first pressure. .. That is, the control unit 7 controls the pressure of the processing fluid at the branch point 63 by changing the amount of the processing fluid flowing through the branch line 163 by controlling the pressure adjusting unit 140. As the number of drying units supplied with the processing fluid increases, the pressure of the processing fluid at the branch point decreases, but by adjusting the back pressure valve 41 to maintain the pressure of the processing fluid at the branch point at the first pressure. , The drying units 18A and 18B can be processed at the same time.

図９には、３つの乾燥ユニット１８の全ての乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃに処理流体が供給される時の供給ユニット１１９の状態を示す。図９に示す状態では、乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃに処理流体が供給されるため、バルブ７３Ａ～７３Ｃが開状態とされる。また、バルブ４６～４８の全てが閉状態とされる。また、図示しないが、ポンプ７０が動作し、バルブ７６は開状態とされる。 FIG. 9 shows the state of the supply unit 119 when the processing fluid is supplied to all the drying units 18A to 18C of the three drying units 18. In the state shown in FIG. 9, since the processing fluid is supplied to the drying units 18A to 18C, the valves 73A to 73C are opened. Further, all the valves 46 to 48 are closed. Further, although not shown, the pump 70 operates and the valve 76 is opened.

この場合、タンク６９から排出された処理流体の一部は、第２供給ライン１６２Ａ～１６２Ｃを介して乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃに供給され、他の一部は、分岐点６３から分岐ライン１６３に流れる。分岐ライン１６３に導かれた処理流体は、背圧弁４１を経由して接続点６２に到達し、更にフィルタ６７およびコンデンサ６８を介してタンク６９に戻る。 In this case, a part of the processing fluid discharged from the tank 69 is supplied to the drying units 18A to 18C via the second supply lines 162A to 162C, and the other part flows from the branch point 63 to the branch line 163. .. The processing fluid guided to the branch line 163 reaches the connection point 62 via the back pressure valve 41, and further returns to the tank 69 via the filter 67 and the capacitor 68.

この一連の動作の間、制御部７は、圧力センサ７１からの出力を受信し、分岐点６３における処理流体の圧力が第１圧力となるように圧力調整部１４０内の背圧弁４１の設定圧力を調整する。つまり、制御部７は、圧力調整部１４０を制御することにより、分岐ライン１６３に流す処理流体の量を変化させて分岐点６３における処理流体の圧力を制御する。処理流体が供給される乾燥ユニットの数が増えると、分岐点における処理流体の圧力が下がってしまうが、背圧弁４１を調整して分岐点における処理流体の圧力を第１圧力に維持することで、乾燥ユニット１８Ａ、１８Ｂおよび１８Ｃが同時に処理可能となる。 During this series of operations, the control unit 7 receives the output from the pressure sensor 71, and the set pressure of the back pressure valve 41 in the pressure adjusting unit 140 so that the pressure of the processing fluid at the branch point 63 becomes the first pressure. To adjust. That is, the control unit 7 controls the pressure of the processing fluid at the branch point 63 by changing the amount of the processing fluid flowing through the branch line 163 by controlling the pressure adjusting unit 140. As the number of drying units supplied with the processing fluid increases, the pressure of the processing fluid at the branch point decreases, but by adjusting the back pressure valve 41 to maintain the pressure of the processing fluid at the branch point at the first pressure. , Drying units 18A, 18B and 18C can be processed at the same time.

このように、供給ユニット１１９を備えた基板処理装置１では、供給ユニット１１９から処理流体が供給される乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃの数に応じて分岐点６３における処理流体の圧力が調整される。従って、処理流体が供給される乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃの数に応じて第１供給ライン６１を流れる処理流体の量が調整され、同時に供給される乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃの数にかかわらず、乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃに安定した流量の処理流体を供給できる。また、供給ユニット１１９内では、処理流体が超臨界状態を経て循環するため、処理流体の脈動を抑制することができる。 As described above, in the substrate processing apparatus 1 provided with the supply unit 119, the pressure of the processing fluid at the branch point 63 is adjusted according to the number of the drying units 18A to 18C to which the processing fluid is supplied from the supply unit 119. Therefore, the amount of the processing fluid flowing through the first supply line 61 is adjusted according to the number of the drying units 18A to 18C to which the processing fluid is supplied, and the drying unit is irrespective of the number of the drying units 18A to 18C supplied at the same time. A processing fluid having a stable flow rate can be supplied to 18A to 18C. Further, in the supply unit 119, the processing fluid circulates through the supercritical state, so that the pulsation of the processing fluid can be suppressed.

なお、圧力調整部１４０の構成は上記の例に限定されない。例えば、背圧弁４１として制御域が広い背圧弁が用いられる場合には、圧力調整部１４０は当該背圧弁４１のみで構成されてもよい。また、オリフィス４２～４４のそれぞれに代えて背圧弁が用いられてもよい。この場合、オリフィス４２～４４に代わる背圧弁（第２背圧弁）により粗調整が行われ、背圧弁４１（第１背圧弁）により微調整が行われる。 The configuration of the pressure adjusting unit 140 is not limited to the above example. For example, when a back pressure valve having a wide control range is used as the back pressure valve 41, the pressure adjusting unit 140 may be composed of only the back pressure valve 41. Further, a back pressure valve may be used instead of each of the orifices 42 to 44. In this case, rough adjustment is performed by the back pressure valve (second back pressure valve) instead of the orifices 42 to 44, and fine adjustment is performed by the back pressure valve 41 (first back pressure valve).

また、処理流体が供給される乾燥ユニット１８の数および組み合わせは特に限定されない。例えば、乾燥ユニット１８Ｂまたは１８Ｃのみに処理流体が供給されてもよく、乾燥ユニット１８Ａおよび１８Ｃに処理流体が供給されてもよく、乾燥ユニット１８Ｂおよび１８Ｃに処理流体が供給されてもよい。また、バルブ４６～４８のうち開状態とされるものおよび閉状態とされるものの数が、処理流体が供給される乾燥ユニット１８の数に対応していればよく、どのバルブ４６～４８が開状態または閉状態とされるかは任意である。また、４つ以上の乾燥ユニット１８が供給ユニット１１９に繋がれてもよい。 Further, the number and combination of drying units 18 to which the processing fluid is supplied are not particularly limited. For example, the processing fluid may be supplied only to the drying units 18B or 18C, the processing fluid may be supplied to the drying units 18A and 18C, and the processing fluid may be supplied to the drying units 18B and 18C. Further, it is sufficient that the number of valves 46 to 48 to be opened and closed corresponds to the number of drying units 18 to which the processing fluid is supplied, and which valve 46 to 48 is open. It is optional whether it is in a closed state or a closed state. Further, four or more drying units 18 may be connected to the supply unit 119.

＜供給ユニットの第２の構成＞
つづいて、供給ユニット１９の第２の構成例としての供給ユニット２１９について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、供給ユニット１９の第２の構成例（供給ユニット２１９）を示す図である。図１０に示す供給ユニット２１９は３つの乾燥ユニット１８Ａ、１８Ｂおよび１８Ｃに処理流体を供給する。乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃは図４中の乾燥ユニット１８に対応する。 <Second configuration of supply unit>
Subsequently, the supply unit 219 as a second configuration example of the supply unit 19 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram showing a second configuration example (supply unit 219) of the supply unit 19. The supply unit 219 shown in FIG. 10 supplies the processing fluid to the three drying units 18A, 18B and 18C. The drying units 18A to 18C correspond to the drying units 18 in FIG.

供給ユニット２１９は、処理流体供給源９０に接続された第１供給ライン６１と、第１供給ライン６１に接続された複数の第２供給ライン２６２Ａ、２６２Ｂおよび２６２Ｃとを有する。第２供給ライン２６２Ａ～２６２Ｃは図４中の第２供給ライン１６２に対応する。第２供給ライン２６２Ａは乾燥ユニット１８Ａに接続され、第２供給ライン２６２Ｂは乾燥ユニット１８Ｂに接続され、第２供給ライン２６２Ｃは乾燥ユニット１８Ｃに接続される。 The supply unit 219 has a first supply line 61 connected to the processing fluid supply source 90 and a plurality of second supply lines 262A, 262B and 262C connected to the first supply line 61. The second supply lines 262A to 262C correspond to the second supply line 162 in FIG. The second supply line 262A is connected to the drying unit 18A, the second supply line 262B is connected to the drying unit 18B, and the second supply line 262C is connected to the drying unit 18C.

第２供給ライン２６２Ａ上に分岐点２７８Ａが設けられ、第２供給ライン２６２Ｂ上に分岐点２７８Ｂが設けられ、第２供給ライン２６２Ｃ上に分岐点２７８Ｃが設けられている。供給ユニット２１９は、更に、分岐点２７８Ａに接続された第１分岐ライン２６６Ａと、分岐点２７８Ｂに接続された第１分岐ライン２６６Ｂと、分岐点２７８Ｃに接続された第１分岐ライン２６６Ｃと、を有する。供給ユニット２１９は、更に、第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃに接続された第２分岐ライン２６７を有する。第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃは、第２分岐ライン２６７に設けられた複数の接続点７８Ａ、７８Ｂにおいて第２分岐ライン２６７に接続されている。具体的には、第１分岐ライン２６６Ａおよび２６６Ｂは接続点７８Ａにおいて第２分岐ライン２６７に接続され、第１分岐ライン２６６Ｃは接続点７８Ｂにおいて第２分岐ライン２６７に接続されている。第２分岐ライン２６７は接続点６２に接続されている。すなわち、第２分岐ライン２６７は、第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃと接続点６２とを繋ぐ。 A branch point 278A is provided on the second supply line 262A, a branch point 278B is provided on the second supply line 262B, and a branch point 278C is provided on the second supply line 262C. The supply unit 219 further includes a first branch line 266A connected to the branch point 278A, a first branch line 266B connected to the branch point 278B, and a first branch line 266C connected to the branch point 278C. Have. The supply unit 219 further has a second branch line 267 connected to the first branch lines 266A-266C. The first branch lines 266A to 266C are connected to the second branch line 267 at a plurality of connection points 78A and 78B provided in the second branch line 267. Specifically, the first branch lines 266A and 266B are connected to the second branch line 267 at the connection point 78A, and the first branch line 266C is connected to the second branch line 267 at the connection point 78B. The second branch line 267 is connected to the connection point 62. That is, the second branch line 267 connects the first branch lines 266A to 266C and the connection point 62.

第２分岐ライン２６７上に接続点２８０が設けられている。供給ユニット２１９は、更に、分岐点６３と接続点２８０とを繋ぐ第３分岐ライン２６３を有する。 A connection point 280 is provided on the second branch line 267. The supply unit 219 further has a third branch line 263 connecting the branch point 63 and the connection point 280.

第１供給ライン６１には、供給ユニット１１９と同様に、上流側（処理流体供給源９０側）から順に、バルブ６４と、流量調整器６５と、フィルタ６７と、コンデンサ６８と、タンク６９と、ポンプ７０と、圧力センサ７１とが設けられている。 Similar to the supply unit 119, the first supply line 61 includes a valve 64, a flow rate regulator 65, a filter 67, a capacitor 68, a tank 69, and the like, in order from the upstream side (processing fluid supply source 90 side). A pump 70 and a pressure sensor 71 are provided.

第２供給ライン２６２Ａには、分岐点７７Ａとバルブ７３Ａとの間に、上流側（分岐点７７Ａ側）から順に、オリフィス２４２Ａと、圧力センサ２７１Ａとが設けられている。第２供給ライン２６２Ｂには、分岐点７７Ｂとバルブ７３Ｂとの間に、上流側（分岐点７７Ｂ側）から順に、オリフィス２４２Ｂと、圧力センサ２７１Ｂとが設けられている。第２供給ライン２６２Ｃには、分岐点７７Ｂとバルブ７３Ｃとの間に、上流側（分岐点７７Ｂ側）から順に、オリフィス２４２Ｃと、圧力センサ２７１Ｃとが設けられている。 The second supply line 262A is provided with an orifice 242A and a pressure sensor 271A in this order from the upstream side (branch point 77A side) between the branch point 77A and the valve 73A. The second supply line 262B is provided with an orifice 242B and a pressure sensor 271B in order from the upstream side (branch point 77B side) between the branch point 77B and the valve 73B. The second supply line 262C is provided with an orifice 242C and a pressure sensor 271C in this order from the upstream side (branch point 77B side) between the branch point 77B and the valve 73C.

オリフィス２４２Ａ～２４２Ｃは、処理流体の流速を低下させ、圧力を調整する役割を果たす。オリフィス２４２Ａ～２４２Ｃは、それぞれ、下流側の第２供給ライン２６２Ａ～２６２Ｃに圧力が調整された処理流体を流通させることができる。圧力センサ２７１Ａ～２７１Ｃは、それぞれ、オリフィス２４２Ａ～２４２Ｃとバルブ７３Ａ～７３Ｃとの間の区間を流れる処理流体の圧力を測定する。すなわち、圧力センサ２７１Ａ～２７１Ｃは、それぞれ分岐点２７８Ａ～２７８Ｃにおける処理流体の圧力を測定することができる。 Orifices 242A-242C serve to reduce the flow rate of the processing fluid and regulate the pressure. Orifices 242A to 242C can each allow a pressure-adjusted processing fluid to flow through the second supply lines 262A to 262C on the downstream side. The pressure sensors 271A to 271C measure the pressure of the processing fluid flowing in the section between the orifices 242A to 242C and the valves 73A to 73C, respectively. That is, the pressure sensors 271A to 271C can measure the pressure of the processing fluid at the branch points 278A to 278C, respectively.

第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃには、それぞれ、上流側（分岐点２７８Ａ～２７８Ｃ側）から順に、背圧弁２４１Ａ～２４１Ｃと、バルブ２７９Ａ～２７９Ｃとが設けられている。 The first branch lines 266A to 266C are provided with back pressure valves 241A to 241C and valves 279A to 279C in order from the upstream side (branch point 278A to 278C side), respectively.

背圧弁２４１Ａ～２４１Ｃは、第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃの一次側圧力が設定圧力を超えた場合には弁開度を調整して二次側に流体を流すことにより、一次側圧力を設定圧力に維持する。例えば、背圧弁２４１Ａ～２４１Ｃの設定圧力は、制御部７により圧力センサ２７１Ａ～２７１Ｃの出力、または乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃ内の圧力センサ２２２の出力に基づいて調整される。 When the primary side pressure of the first branch lines 266A to 266C exceeds the set pressure, the back pressure valves 241A to 241C adjust the valve opening and allow the fluid to flow to the secondary side to set the primary side pressure. To maintain. For example, the set pressure of the back pressure valves 241A to 241C is adjusted by the control unit 7 based on the output of the pressure sensors 271A to 271C or the output of the pressure sensors 222 in the drying units 18A to 18C.

バルブ２７９Ａ～２７９Ｃは、処理流体の流れのオン及びオフを調整するバルブであり、それぞれ、開状態では下流側の第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃに処理流体を流し、閉状態では下流側の第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃに処理流体を流さない。 The valves 279A to 279C are valves for adjusting the on and off of the flow of the processing fluid, and the processing fluid flows through the first branch line 266A to 266C on the downstream side in the open state and the first on the downstream side in the closed state, respectively. Do not allow the processing fluid to flow through the branch lines 266A-266C.

第３分岐ライン２６３には、上流側（分岐点６３側）から順に、ヒータ７４と、オリフィス２４０と、バルブ７６とが設けられている。 The third branch line 263 is provided with a heater 74, an orifice 240, and a valve 76 in this order from the upstream side (branch point 63 side).

オリフィス２４０は、ヒータ７４で生成された超臨界状態の処理流体の流速を低下させ、圧力を調整する役割を果たす。オリフィス２４０は、下流側の第３分岐ライン２６３に圧力が調整された処理流体を流通させることができる。 The orifice 240 serves to reduce the flow rate of the supercritical processing fluid generated by the heater 74 and regulate the pressure. The orifice 240 can flow a pressure-adjusted processing fluid to the third branch line 263 on the downstream side.

他の構成および基本的な動作は、図５に示す供給ユニット１１９と同様である。 Other configurations and basic operations are similar to the supply unit 119 shown in FIG.

＜供給ユニットの第２の構成例の具体的な動作＞
つづいて、供給ユニット２１９の具体的な動作について説明する。供給ユニット２１９では、乾燥ユニット１８Ａに処理流体が供給される時には、バルブ７３Ａ、背圧弁２４１Ａおよびバルブ２７９Ａが制御される。また、乾燥ユニット１８Ｂに処理流体が供給される時には、バルブ７３Ｂ、背圧弁２４１Ｂおよびバルブ２７９Ｂが制御され、乾燥ユニット１８Ｃに処理流体が供給される時には、バルブ７３Ｃ、背圧弁２４１Ｃおよびバルブ２７９Ｃが制御される。 <Specific operation of the second configuration example of the supply unit>
Subsequently, the specific operation of the supply unit 219 will be described. In the supply unit 219, the valve 73A, the back pressure valve 241A and the valve 279A are controlled when the processing fluid is supplied to the drying unit 18A. Further, when the processing fluid is supplied to the drying unit 18B, the valve 73B, the back pressure valve 241B and the valve 279B are controlled, and when the processing fluid is supplied to the drying unit 18C, the valve 73C, the back pressure valve 241C and the valve 279C are controlled. Will be done.

以下、乾燥ユニット１８Ａを用いて実行される乾燥方法（基板処理方法）に基づいて、供給ユニット２１９の具体的な動作について説明する。図１１～図１５は、供給ユニット２１９の具体的な動作を示す図である。図１１～図１５には、一例として、乾燥ユニット１８Ａに処理流体が供給される時の供給ユニット２１９の具体的な動作を示す。ここでは、ポンプ７０から所定の圧力、例えば２０ＭＰａで処理流体が供給されることとする。 Hereinafter, the specific operation of the supply unit 219 will be described based on the drying method (board processing method) executed by using the drying unit 18A. 11 to 15 are diagrams showing specific operations of the supply unit 219. 11 to 15 show, as an example, a specific operation of the supply unit 219 when the processing fluid is supplied to the drying unit 18A. Here, it is assumed that the processing fluid is supplied from the pump 70 at a predetermined pressure, for example, 20 MPa.

＜待機処理＞
待機処理は、ウェハＷが乾燥ユニット１８Ａに搬送された後で、処理流体の供給を待機する処理である。待機処理では、図１１に示すように、バルブ７３Ａが閉状態とされ、バルブ２７９Ａが開状態とされる。また、図示しないが、ポンプ７０が動作し、バルブ７６は開状態とされる。第２供給ライン２６２Ａに導かれた処理流体は、オリフィス２４２Ａにより所定の圧力、例えば１８ＭＰａに減圧され、分岐点２７８Ａから第１分岐ライン２６６Ａに流れる。第１分岐ライン２６６Ａに導かれた処理流体は、背圧弁２４１Ａ、バルブ２７９Ａおよび第２分岐ライン２６７を経由して接続点６２に到達し、更にフィルタ６７およびコンデンサ６８を介してタンク６９に戻る。 <Standby processing>
The standby process is a process of waiting for the supply of the processing fluid after the wafer W is transferred to the drying unit 18A. In the standby process, as shown in FIG. 11, the valve 73A is closed and the valve 279A is open. Further, although not shown, the pump 70 operates and the valve 76 is opened. The processing fluid guided to the second supply line 262A is depressurized to a predetermined pressure, for example, 18 MPa by the orifice 242A, and flows from the branch point 278A to the first branch line 266A. The processing fluid guided to the first branch line 266A reaches the connection point 62 via the back pressure valve 241A, the valve 279A and the second branch line 267, and further returns to the tank 69 via the filter 67 and the capacitor 68.

この一連の動作の間、制御部７は、圧力センサ２７１Ａからの出力を受信し、第２供給ライン２６２Ａのオリフィス２４２Ａよりも下流を流れる処理流体の圧力が所定の圧力（例えば１８ＭＰａ）となるように背圧弁２４１Ａの設定圧力を調整する。つまり、制御部７は、背圧弁２４１Ａを制御することにより、第１分岐ライン２６６Ａに流す処理流体の量を変化させて分岐点２７８Ａにおける処理流体の圧力を制御する。 During this series of operations, the control unit 7 receives the output from the pressure sensor 271A so that the pressure of the processing fluid flowing downstream of the orifice 242A of the second supply line 262A becomes a predetermined pressure (for example, 18 MPa). Adjust the set pressure of the back pressure valve 241A. That is, the control unit 7 controls the back pressure valve 241A to change the amount of the processing fluid flowing through the first branch line 266A and control the pressure of the processing fluid at the branch point 278A.

＜昇圧処理＞
待機処理後に昇圧処理が行われる。昇圧処理は、本体３１内の圧力を上昇させる処理である。昇圧処理では、まず、一時的に、供給ライン２０３および排出ライン２０６内の異物を除去する処理が行われ、その後に、本体３１内の圧力が上昇させられる。 <Boost processing>
The boost processing is performed after the standby processing. The boosting process is a process of increasing the pressure in the main body 31. In the boosting process, first, a process of temporarily removing foreign matter in the supply line 203 and the discharge line 206 is performed, and then the pressure in the main body 31 is increased.

異物除去の処理では、図１２に示すように、バルブ７３Ａおよびバルブ２７９Ａが開状態とされる。また、図示しないが、ポンプ７０が動作し、バルブ７６は開状態とされる。第２供給ライン２６２Ａに導かれた処理流体は、オリフィス２４２Ａにより所定の圧力、例えば１８ＭＰａに減圧される。 In the process of removing foreign matter, the valve 73A and the valve 279A are opened as shown in FIG. Further, although not shown, the pump 70 operates and the valve 76 is opened. The processing fluid guided to the second supply line 262A is depressurized to a predetermined pressure, for example 18 MPa, by the orifice 242A.

第２供給ライン２６２Ａに導かれた処理流体の一部は、バルブ７３Ａを通過して乾燥ユニット１８Ａに供給され、他の一部は、分岐点２７８Ａから第１分岐ライン２６６Ａに流れる。第１分岐ライン２６６Ａに導かれた処理流体は、背圧弁２４１Ａ、バルブ２７９Ａおよび第２分岐ライン２６７を経由して接続点６２に到達し、更にフィルタ６７およびコンデンサ６８を介してタンク６９に戻る。 A part of the processing fluid guided to the second supply line 262A passes through the valve 73A and is supplied to the drying unit 18A, and the other part flows from the branch point 278A to the first branch line 266A. The processing fluid guided to the first branch line 266A reaches the connection point 62 via the back pressure valve 241A, the valve 279A and the second branch line 267, and further returns to the tank 69 via the filter 67 and the capacitor 68.

また、乾燥ユニット１８Ａでは、バルブ２１１および２１３が閉状態とされ、バルブ２１２および２１４が開状態とされる。従って、処理流体は供給ライン２０３および排出ライン２０６に流れ、排出ライン２０５を通じて排出される。このとき、供給ライン２０３および排出ライン２０６内の異物が除去される。 Further, in the drying unit 18A, the valves 211 and 213 are closed and the valves 212 and 214 are opened. Therefore, the processing fluid flows to the supply line 203 and the discharge line 206 and is discharged through the discharge line 205. At this time, foreign matter in the supply line 203 and the discharge line 206 is removed.

この一連の動作の間、制御部７は、圧力センサ２７１Ａからの出力を受信し、第２供給ライン２６２Ａのオリフィス２４２Ａよりも下流を流れる処理流体の圧力が所定の圧力（例えば１８ＭＰａ）となるように背圧弁２４１Ａの設定圧力を調整する。つまり、制御部７は、背圧弁２４１Ａを制御することにより、第１分岐ライン２６６Ａに流す処理流体の量を変化させて分岐点２７８Ａにおける処理流体の圧力を制御する。 During this series of operations, the control unit 7 receives the output from the pressure sensor 271A so that the pressure of the processing fluid flowing downstream of the orifice 242A of the second supply line 262A becomes a predetermined pressure (for example, 18 MPa). Adjust the set pressure of the back pressure valve 241A. That is, the control unit 7 controls the back pressure valve 241A to change the amount of the processing fluid flowing through the first branch line 266A and control the pressure of the processing fluid at the branch point 278A.

異物除去後の昇圧処理では、図１３に示すように、バルブ７３Ａおよびバルブ２７９Ａが開状態とされる。また、図示しないが、ポンプ７０が動作し、バルブ７６は開状態とされる。第２供給ライン２６２Ａに導かれた処理流体は、オリフィス２４２Ａにより所定の圧力、例えば１８ＭＰａに減圧される。 In the boosting process after removing the foreign matter, the valve 73A and the valve 279A are opened as shown in FIG. Further, although not shown, the pump 70 operates and the valve 76 is opened. The processing fluid guided to the second supply line 262A is depressurized to a predetermined pressure, for example 18 MPa, by the orifice 242A.

第２供給ライン２６２Ａに導かれた処理流体の一部は、バルブ７３Ａを通過して乾燥ユニット１８Ａに供給され、他の一部は、分岐点２７８Ａから第１分岐ライン２６６Ａに流れる。第１分岐ライン２６６Ａに導かれた処理流体は、背圧弁２４１Ａ、バルブ２７９Ａおよび第２分岐ライン２６７を経由して接続点６２に到達し、更にフィルタ６７およびコンデンサ６８を介してタンク６９に戻る。 A part of the processing fluid guided to the second supply line 262A passes through the valve 73A and is supplied to the drying unit 18A, and the other part flows from the branch point 278A to the first branch line 266A. The processing fluid guided to the first branch line 266A reaches the connection point 62 via the back pressure valve 241A, the valve 279A and the second branch line 267, and further returns to the tank 69 via the filter 67 and the capacitor 68.

また、乾燥ユニット１８Ａでは、バルブ２１１、２１３および２１４が閉状態とされ、バルブ２１２が開状態とされる。従って、処理流体は供給ライン２０３に流れ、供給ポート３６から本体３１内に供給され、本体３１内の圧力が上昇する。 Further, in the drying unit 18A, the valves 211, 213 and 214 are closed and the valve 212 is opened. Therefore, the processing fluid flows to the supply line 203, is supplied into the main body 31 from the supply port 36, and the pressure in the main body 31 rises.

この一連の動作の間、制御部７は、圧力センサ２７１Ａからの出力を受信し、第２供給ライン２６２Ａのオリフィス２４２Ａよりも下流を流れる処理流体の圧力が所定の圧力（例えば１８ＭＰａ）となるように背圧弁２４１Ａの設定圧力を調整する。つまり、制御部７は、背圧弁２４１Ａを制御することにより、第１分岐ライン２６６Ａに流す処理流体の量を変化させて分岐点２７８Ａにおける処理流体の圧力を制御する。 During this series of operations, the control unit 7 receives the output from the pressure sensor 271A so that the pressure of the processing fluid flowing downstream of the orifice 242A of the second supply line 262A becomes a predetermined pressure (for example, 18 MPa). Adjust the set pressure of the back pressure valve 241A. That is, the control unit 7 controls the back pressure valve 241A to change the amount of the processing fluid flowing through the first branch line 266A and control the pressure of the processing fluid at the branch point 278A.

また、昇圧処理において本体３１内の圧力が、流通処理時の設定圧力よりも低い所定の圧力に達すると、図１４に示すように、制御部７は、圧力センサ２７１Ａに代えて圧力センサ２２２からの出力を受信し、本体３１内の圧力が流通処理時の設定圧力に近づくように背圧弁２４１Ａの設定圧力を調整する。 Further, when the pressure in the main body 31 reaches a predetermined pressure lower than the set pressure during the flow processing in the boosting process, as shown in FIG. 14, the control unit 7 uses the pressure sensor 222 instead of the pressure sensor 271A. Is received, and the set pressure of the back pressure valve 241A is adjusted so that the pressure in the main body 31 approaches the set pressure at the time of flow processing.

＜流通処理＞
昇圧処理後に流通処理が行われる。つまり、本体３１内の圧力が流通処理時の設定圧力に達した後に流通処理が開始される。流通処理は、本体３１内に搬送されているウェハＷ上のＩＰＡ液体の液膜を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる処理である。流通処理では、図１５に示すように、バルブ７３Ａおよびバルブ２７９Ａが開状態とされる。また、図示しないが、ポンプ７０が動作し、バルブ７６は開状態とされる。第２供給ライン２６２Ａに導かれた処理流体は、オリフィス２４２Ａにより所定の圧力、例えば１８ＭＰａに減圧される。 <Distribution processing>
Distribution processing is performed after boosting processing. That is, the distribution process is started after the pressure in the main body 31 reaches the set pressure at the time of the distribution process. The distribution process is a process of drying the liquid film of the IPA liquid on the wafer W conveyed in the main body 31 using a processing fluid in a supercritical state. In the distribution process, as shown in FIG. 15, the valve 73A and the valve 279A are opened. Further, although not shown, the pump 70 operates and the valve 76 is opened. The processing fluid guided to the second supply line 262A is depressurized to a predetermined pressure, for example 18 MPa, by the orifice 242A.

第２供給ライン２６２Ａに導かれた処理流体の一部は、バルブ７３Ａを通過して乾燥ユニット１８Ａに供給され、他の一部は、分岐点２７８Ａから第１分岐ライン２６６Ａに流れる。第１分岐ライン２６６Ａに導かれた処理流体は、背圧弁２４１Ａ、バルブ２７９Ａおよび第２分岐ライン２６７を経由して接続点６２に到達し、更にフィルタ６７およびコンデンサ６８を介してタンク６９に戻る。 A part of the processing fluid guided to the second supply line 262A passes through the valve 73A and is supplied to the drying unit 18A, and the other part flows from the branch point 278A to the first branch line 266A. The processing fluid guided to the first branch line 266A reaches the connection point 62 via the back pressure valve 241A, the valve 279A and the second branch line 267, and further returns to the tank 69 via the filter 67 and the capacitor 68.

また、乾燥ユニット１８Ａでは、バルブ２１２および２１４が閉状態とされ、バルブ２１１および２１３が開状態とされる。従って、処理流体は供給ライン２０２に流れ、供給ポート３５から本体３１内に供給される。また、本体３１から、バルブ２１３、流量計２２３および背圧弁２２４を通じて処理流体が外部に排出される。 Further, in the drying unit 18A, the valves 212 and 214 are closed and the valves 211 and 213 are opened. Therefore, the processing fluid flows to the supply line 202 and is supplied into the main body 31 from the supply port 35. Further, the processing fluid is discharged from the main body 31 to the outside through the valve 213, the flow meter 223 and the back pressure valve 224.

この一連の動作の間、制御部７は、圧力センサ２２２からの出力を受信し、本体３１内の圧力が流通処理時の設定圧力に維持されるように背圧弁２４１Ａの設定圧力を調整する。また、制御部７は、流量計２２３の出力を受信し、排出ライン２０５を流れる処理流体の流量が所定の流量となるように背圧弁２２４の設定圧力を調整する。 During this series of operations, the control unit 7 receives the output from the pressure sensor 222 and adjusts the set pressure of the back pressure valve 241A so that the pressure in the main body 31 is maintained at the set pressure at the time of distribution processing. Further, the control unit 7 receives the output of the flow meter 223 and adjusts the set pressure of the back pressure valve 224 so that the flow rate of the processing fluid flowing through the discharge line 205 becomes a predetermined flow rate.

乾燥ユニット１８Ｂ、１８Ｃに処理流体が供給される場合、乾燥ユニット１８Ａに処理流体が供給される場合と同様に、それぞれ背圧弁２４１Ｂ、２４１Ｃ等の制御が行われる。 When the processing fluid is supplied to the drying units 18B and 18C, the back pressure valves 241B, 241C and the like are controlled as in the case where the processing fluid is supplied to the drying unit 18A, respectively.

このように、供給ユニット２１９を備えた基板処理装置１では、供給ユニット２１９から処理流体が供給される乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃに応じて分岐点２７８Ａ～２７８Ｃにおける処理流体の圧力が調整される。従って、同時に供給される乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃの数にかかわらず、乾燥ユニット１８Ａ～１８Ｃに安定した流量の処理流体を供給できる。また、背圧弁２４１Ａ～２４１Ｃを分岐点２７８Ａ～２７８Ｃの近傍に配置することができるため、脈動を抑制することができる。 As described above, in the substrate processing apparatus 1 provided with the supply unit 219, the pressure of the processing fluid at the branch points 278A to 278C is adjusted according to the drying units 18A to 18C to which the processing fluid is supplied from the supply unit 219. Therefore, regardless of the number of the drying units 18A to 18C supplied at the same time, the processing fluid having a stable flow rate can be supplied to the drying units 18A to 18C. Further, since the back pressure valves 241A to 241C can be arranged in the vicinity of the branch points 278A to 278C, pulsation can be suppressed.

なお、第１供給ライン６１を流れる処理流体の一部は、分岐点６３から第３分岐ライン２６３に流れる。第３分岐ライン２６３に導かれた処理流体は、ヒータ７４により加熱され超臨界状態とされ、その後、オリフィス２４０により減圧されて気体となる。ただし、この処理流体は、比較的高温となっている。 A part of the processing fluid flowing through the first supply line 61 flows from the branch point 63 to the third branch line 263. The processing fluid guided to the third branch line 263 is heated by the heater 74 to a supercritical state, and then decompressed by the orifice 240 to become a gas. However, this processing fluid has a relatively high temperature.

その一方で、背圧弁２４１Ａ～２４１Ｃを通過する際に、処理流体は液体から気体に相変化するため、断熱膨張により温度が急激に低下し、そのままでは、第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃの背圧弁２４１Ａ～２４１Ｃの下流側で凍結が生じるおそれがある。しかし、上記のように、第３分岐ライン２６３を流れる処理流体が加熱されているため、第３分岐ライン２６３、第２分岐ライン２６７および第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃも加熱され、凍結が抑制される。つまり、ヒータ７４により、第３分岐ライン２６３を流れる処理流体を通じて第３分岐ライン２６３、第２分岐ライン２６７および第１分岐ライン２６６Ａ～２６６Ｃを加熱することができる。 On the other hand, when passing through the back pressure valves 241A to 241C, the processing fluid undergoes a phase change from a liquid to a gas, so that the temperature drops sharply due to adiabatic expansion. Freezing may occur on the downstream side of 241A to 241C. However, as described above, since the processing fluid flowing through the third branch line 263 is heated, the third branch line 263, the second branch line 267, and the first branch lines 266A to 266C are also heated, and freezing is suppressed. The fluid. That is, the heater 74 can heat the third branch line 263, the second branch line 267, and the first branch lines 266A to 266C through the processing fluid flowing through the third branch line 263.

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。 Although the preferred embodiments and the like have been described in detail above, they are not limited to the above-described embodiments and the like, and various embodiments and the like described above can be applied without departing from the scope described in the claims. Modifications and substitutions can be added.

例えば、乾燥処理に用いられる処理流体はＣＯ２以外の流体（例えばフッ素系の流体）であってもよく、基板に液盛りされた乾燥防止用の液体を超臨界状態で除去可能な任意の流体を処理流体として用いることができる。また乾燥防止用の液体もＩＰＡには限定されず、乾燥防止用液体として使用可能な任意の液体を使用することができる。処理対象の基板は、上述した半導体ウェハＷに限定されるものではなく、ＬＣＤ用ガラス基板、セラミック基板等の他の基板であってもよい。 For example, the processing fluid used for the drying treatment may be a fluid other than CO 2 (for example, a fluorine-based fluid), and any fluid capable of removing the anti-drying liquid deposited on the substrate in a supercritical state. Can be used as the processing fluid. Further, the anti-drying liquid is not limited to IPA, and any liquid that can be used as the anti-drying liquid can be used. The substrate to be processed is not limited to the above-mentioned semiconductor wafer W, and may be another substrate such as a glass substrate for LCD or a ceramic substrate.

１ 基板処理装置
６ 制御装置
７ 制御部
８ 記憶部
１８、１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ 乾燥ユニット
１９、１１９、２１９ 供給ユニット
４１、２２４、２４１Ａ、２４１Ｂ、２４１Ｃ 背圧弁
４２、４３、４４、２４２Ａ、２４２Ｂ、２４２Ｃ オリフィス
４６、４７、４８、７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ、７６、２７９Ａ、２７９Ｂ、２７９Ｃ バルブ
６１ 第１供給ライン
６２、７８Ａ、７８Ｂ、２８０ 接続点
６３、７７Ａ、７７Ｂ、２７８Ａ、２７８Ｂ、２７８Ｃ 分岐点
６９ タンク
７０ ポンプ
７１、２２２、２７１Ａ、２７１Ｂ、２７１Ｃ 圧力センサ
７４ ヒータ
９０ 処理流体供給源
１４０ 圧力調整部
１６２、１６２Ａ、１６２Ｂ、１６２Ｃ、２６２Ａ、２６２Ｂ、２６２Ｃ 第２供給ライン
１６３ 分岐ライン
２２３ 流量計
２６３ 第３分岐ライン
２６６Ａ、２６６Ｂ、２６６Ｃ 第１分岐ライン
２６７ 第２分岐ライン
Ｗ ウェハ 1 Board processing device 6 Control device 7 Control unit 8 Storage unit 18, 18A, 18B, 18C Drying unit 19, 119, 219 Supply unit 41, 224, 241A, 241B, 241C Back pressure valve 42, 43, 44, 242A, 242B, 242C Orifice 46, 47, 48, 73A, 73B, 73C, 76, 279A, 279B, 279C Valve 61 First Supply Line 62, 78A, 78B, 280 Connection Point 63, 77A, 77B, 278A, 278B, 278C Branch Point 69 Tank 70 Pump 71, 222, 271A, 271B, 271C Pressure sensor 74 Heater 90 Processing fluid source 140 Pressure regulator 162, 162A, 162B, 162C, 262A, 262B, 262C 2nd supply line 163 Branch line 223 Flow meter 263 3 branch line 266A, 266B, 266C 1st branch line 267 2nd branch line W wafer

Claims (16)

処理流体供給源に接続された第１供給ラインと、
前記第１供給ラインに接続され、前記第１供給ラインを流れる処理流体が流入する複数の第２供給ラインと、
前記第１供給ライン上で前記処理流体供給源と複数の前記第２供給ラインとの間に設けられたポンプと、
複数の前記第２供給ラインの各々に接続され、前記第２供給ラインを介して供給される前記処理流体を超臨界状態にして、表面に液体が付着した基板を乾燥させる複数の基板処理部と、
前記第１供給ライン上で前記ポンプよりも下流側に設けられた分岐点と、
前記第１供給ライン上で前記ポンプよりも上流側に設けられた接続点と、
前記分岐点と前記接続点とを繋ぐ分岐ラインと、
前記分岐ライン上で前記分岐点と前記接続点との間に設けられた圧力調整部と、
前記圧力調整部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記処理流体が供給される前記基板処理部の数に応じて前記圧力調整部を制御することにより、前記分岐ラインに流す処理流体の量を変化させて前記分岐点における処理流体の圧力を制御する、基板処理装置。 The first supply line connected to the processing fluid source,
A plurality of second supply lines connected to the first supply line and into which the processing fluid flowing through the first supply line flows into the first supply line.
A pump provided between the processing fluid supply source and the plurality of second supply lines on the first supply line, and
With a plurality of substrate processing units connected to each of the plurality of second supply lines, the processing fluid supplied via the second supply line is brought into a supercritical state, and the substrate on which the liquid adheres to the surface is dried. ,
A branch point provided on the first supply line on the downstream side of the pump, and
A connection point provided on the first supply line on the upstream side of the pump,
A branch line connecting the branch point and the connection point,
A pressure adjusting unit provided between the branch point and the connection point on the branch line,
A control unit that controls the pressure adjustment unit and
Have,
The control unit controls the pressure adjusting unit according to the number of the substrate processing units to which the processing fluid is supplied, thereby changing the amount of the processing fluid flowing to the branch line and changing the processing fluid at the branch point. A substrate processing device that controls the pressure of the fluid. 前記第１供給ライン上に設けられた圧力センサを有し、
前記圧力調整部は第１背圧弁を有し、
前記制御部は、前記圧力センサにより測定される圧力に応じて前記第１背圧弁の設定圧力を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。 It has a pressure sensor provided on the first supply line.
The pressure adjusting unit has a first back pressure valve and has a first back pressure valve.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the set pressure of the first back pressure valve according to the pressure measured by the pressure sensor. 前記圧力調整部は、
前記第１背圧弁に並列に接続された複数のオリフィスと、
複数の前記オリフィスの各々に直列に接続された複数の開閉弁と、
を有し、
前記制御部は、前記処理流体が供給される前記基板処理部の数に応じて、複数の前記開閉弁の開閉を制御する、請求項２に記載の基板処理装置。 The pressure adjusting unit is
A plurality of orifices connected in parallel to the first back pressure valve,
A plurality of on-off valves connected in series to each of the plurality of orifices,
Have,
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the control unit controls the opening and closing of a plurality of the on-off valves according to the number of the substrate processing units to which the processing fluid is supplied. 前記オリフィスの数は、前記基板処理部の数と等しい、請求項３に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the number of orifices is equal to the number of substrate processing units. 前記圧力調整部は、
前記第１背圧弁に並列に接続された複数の第２背圧弁と、
複数の前記第２背圧弁の各々に直列に接続された複数の開閉弁と、
を有し、
前記制御部は、前記処理流体が供給される前記基板処理部の数に応じて、複数の前記開閉弁の開閉を制御する制御部を有する、請求項２に記載の基板処理装置。 The pressure adjusting unit is
A plurality of second back pressure valves connected in parallel to the first back pressure valve,
A plurality of on-off valves connected in series to each of the plurality of second back pressure valves,
Have,
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the control unit includes a control unit that controls opening and closing of a plurality of the on-off valves according to the number of the substrate processing units to which the processing fluid is supplied. 前記第２背圧弁の数は、前記基板処理部の数と等しい、請求項５に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the number of the second back pressure valves is equal to the number of the substrate processing units. 前記分岐ライン上で前記圧力調整部よりも上流側に設けられ、前記ポンプから供給された処理流体を圧縮性流体に変化させる加熱部をさらに備え、
前記圧力調整部は前記加熱部によって圧縮性流体に変化した処理流体の量を変化させる、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 Further, a heating unit provided on the branch line on the upstream side of the pressure adjusting unit and changing the processing fluid supplied from the pump into a compressible fluid is further provided.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the pressure adjusting unit changes the amount of the processing fluid changed into a compressible fluid by the heating unit. 前記ポンプよりも上流側に設けられ、前記処理流体供給源から供給された気体の処理流体を液体の処理流体に変化させるコンデンサをさらに備え、
前記接続点は、前記コンデンサよりも上流側に設けられた、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板処理装置。 Further provided with a capacitor provided on the upstream side of the pump to change the gas processing fluid supplied from the processing fluid supply source into a liquid processing fluid.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the connection point is provided on the upstream side of the capacitor. 処理流体供給源に接続された第１供給ラインと、
前記第１供給ラインに接続され、前記第１供給ラインを流れる処理流体が流入する複数の第２供給ラインと、
前記第１供給ライン上で前記処理流体供給源と複数の前記第２供給ラインとの間に設けられたポンプと、
複数の前記第２供給ラインの各々に接続され、前記第２供給ラインを介して供給される前記処理流体を超臨界状態にして、表面に液体が付着した基板を乾燥させる複数の基板処理部と、
複数の前記第２供給ラインの各々の上に設けられた複数の第１分岐点と、
前記第１供給ライン上に設けられた第１接続点と、
複数の前記第１分岐点の各々に接続された複数の第１分岐ラインと、
複数の前記第１分岐ラインと前記第１接続点とを繋ぐ第２分岐ラインと、
複数の前記第１分岐ラインの各々の上に設けられた複数の背圧弁と、
前記背圧弁を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記背圧弁よりも下流側に流す処理流体の量を変化させることにより対応する前記第１分岐点における処理流体の圧力を制御する、基板処理装置。 The first supply line connected to the processing fluid source,
A plurality of second supply lines connected to the first supply line and into which the processing fluid flowing through the first supply line flows into the first supply line.
A pump provided between the processing fluid supply source and the plurality of second supply lines on the first supply line, and
With a plurality of substrate processing units connected to each of the plurality of second supply lines, the processing fluid supplied via the second supply line is brought into a supercritical state, and the substrate on which the liquid adheres to the surface is dried. ,
A plurality of first branch points provided on each of the plurality of second supply lines, and a plurality of first branch points.
The first connection point provided on the first supply line and
A plurality of first branch lines connected to each of the plurality of first branch points,
A second branch line connecting the plurality of first branch lines and the first connection point,
A plurality of back pressure valves provided on each of the plurality of first branch lines, and a plurality of back pressure valves.
A control unit that controls the back pressure valve and
Have,
The control unit is a substrate processing apparatus that controls the pressure of the processing fluid at the corresponding first branch point by changing the amount of the processing fluid flowing downstream of the back pressure valve. 前記第２供給ラインの各々の上に設けられた複数の第１圧力センサを有し、
前記制御部は、前記第１圧力センサにより測定される圧力に応じて、対応する前記背圧弁の設定圧力を制御する、請求項９に記載の基板処理装置。 It has a plurality of first pressure sensors provided on each of the second supply lines.
The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the control unit controls a set pressure of the corresponding back pressure valve according to the pressure measured by the first pressure sensor. 前記制御部は、前記基板処理部への前記処理流体の供給が開始された後に所定の条件が満たされるまでの間、前記第１圧力センサにより測定される圧力に応じての前記背圧弁の設定圧力の制御を継続する、請求項１０に記載の基板処理装置。 The control unit sets the back pressure valve according to the pressure measured by the first pressure sensor until a predetermined condition is satisfied after the supply of the processing fluid to the substrate processing unit is started. The substrate processing apparatus according to claim 10, which continues to control the pressure. 前記基板処理部は、それぞれ、
前記第２供給ラインから前記処理流体が供給され、前記基板を収容する処理容器と、
前記処理容器に接続された排出ラインと、
前記排出ラインに設けられた第２圧力センサと、
を有し、
前記制御部は、前記所定の条件が満たされると、対応する前記第２圧力センサにより測定される圧力に応じて、前記背圧弁の設定圧力を制御する、請求項１１に記載の基板処理装置。 Each of the substrate processing units
A processing container in which the processing fluid is supplied from the second supply line and accommodates the substrate, and a processing container.
The discharge line connected to the processing container and
The second pressure sensor provided in the discharge line and
Have,
The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the control unit controls the set pressure of the back pressure valve according to the pressure measured by the corresponding second pressure sensor when the predetermined condition is satisfied. 前記第１供給ライン上で前記ポンプよりも下流側に設けられた第２分岐点と、
前記第２分岐ライン上に設けられた第２接続点と、
前記第２分岐点と前記第２接続点とを繋ぐ第３分岐ラインと、
前記第３分岐ライン上に設けられ、前記第３分岐ラインを流れる前記処理流体を通じて前記第３分岐ライン、前記第２分岐ラインおよび複数の前記第１分岐ラインを加熱するヒータと、
を有する、請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。 A second branch point provided on the first supply line on the downstream side of the pump, and
The second connection point provided on the second branch line and
A third branch line connecting the second branch point and the second connection point,
A heater provided on the third branch line and heating the third branch line, the second branch line and a plurality of the first branch lines through the processing fluid flowing through the third branch line.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 12, wherein the substrate processing apparatus comprises the above. 前記ポンプよりも上流側に設けられ、前記処理流体供給源から供給された気体の処理流体を液体の処理流体に変化させるコンデンサをさらに備え、
前記第１接続点は、前記コンデンサよりも上流側に設けられた、請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。 Further provided with a capacitor provided on the upstream side of the pump to change the gas processing fluid supplied from the processing fluid supply source into a liquid processing fluid.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 12, wherein the first connection point is provided on the upstream side of the capacitor. 基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
処理流体供給源に接続された第１供給ラインと、
前記第１供給ラインに接続され、前記第１供給ラインを流れる処理流体が流入する複数の第２供給ラインと、
前記第１供給ライン上で前記処理流体供給源と複数の前記第２供給ラインとの間に設けられたポンプと、
複数の前記第２供給ラインの各々に接続され、前記第２供給ラインを介して供給される前記処理流体を超臨界状態にして、表面に液体が付着した基板を乾燥させる複数の基板処理部と、
前記第１供給ライン上で前記ポンプよりも下流側に設けられた分岐点と、
前記第１供給ライン上で前記ポンプよりも上流側に設けられた接続点と、
前記分岐点と前記接続点とを繋ぐ分岐ラインと、
前記分岐ライン上で前記分岐点と前記接続点との間に設けられた圧力調整部と、
を備え、
前記処理流体が供給される前記基板処理部の数に応じて前記圧力調整部を制御することにより、前記分岐ラインに流す処理流体の量を変化させて前記分岐点における処理流体の圧力を制御する工程を有する、基板処理方法。 It is a board processing method using a board processing device.
The substrate processing device is
The first supply line connected to the processing fluid source,
A plurality of second supply lines connected to the first supply line and into which the processing fluid flowing through the first supply line flows into the first supply line.
A pump provided between the processing fluid supply source and the plurality of second supply lines on the first supply line, and
With a plurality of substrate processing units connected to each of the plurality of second supply lines, the processing fluid supplied via the second supply line is brought into a supercritical state, and the substrate on which the liquid adheres to the surface is dried. ,
A branch point provided on the first supply line on the downstream side of the pump, and
A connection point provided on the first supply line on the upstream side of the pump,
A branch line connecting the branch point and the connection point,
A pressure adjusting unit provided between the branch point and the connection point on the branch line,
Equipped with
By controlling the pressure adjusting unit according to the number of the substrate processing units to which the processing fluid is supplied, the amount of the processing fluid flowing to the branch line is changed to control the pressure of the processing fluid at the branch point. A substrate processing method having a process. 基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
処理流体供給源に接続された第１供給ラインと、
前記第１供給ラインに接続され、前記第１供給ラインを流れる処理流体が流入する複数の第２供給ラインと、
前記第１供給ライン上で前記処理流体供給源と複数の前記第２供給ラインとの間に設けられたポンプと、
複数の前記第２供給ラインの各々に接続され、前記第２供給ラインを介して供給される前記処理流体を超臨界状態にして、表面に液体が付着した基板を乾燥させる複数の基板処理部と、
複数の前記第２供給ラインの各々の上に設けられた複数の第１分岐点と、
前記第１供給ライン上に設けられた第１接続点と、
複数の前記第１分岐点の各々に接続された複数の第１分岐ラインと、
複数の前記第１分岐ラインと前記第１接続点とを繋ぐ第２分岐ラインと、
複数の前記第１分岐ラインの各々の上に設けられた複数の背圧弁と、
を備え、
前記背圧弁よりも下流側に流す処理流体の量を変化させることにより対応する前記第１分岐点における処理流体の圧力を制御する工程を有する、基板処理方法。 It is a board processing method using a board processing device.
The substrate processing device is
The first supply line connected to the processing fluid source,
A plurality of second supply lines connected to the first supply line and into which the processing fluid flowing through the first supply line flows into the first supply line.
A pump provided between the processing fluid supply source and the plurality of second supply lines on the first supply line, and
With a plurality of substrate processing units connected to each of the plurality of second supply lines, the processing fluid supplied via the second supply line is brought into a supercritical state, and the substrate on which the liquid adheres to the surface is dried. ,
A plurality of first branch points provided on each of the plurality of second supply lines, and a plurality of first branch points.
The first connection point provided on the first supply line and
A plurality of first branch lines connected to each of the plurality of first branch points,
A second branch line connecting the plurality of first branch lines and the first connection point,
A plurality of back pressure valves provided on each of the plurality of first branch lines, and a plurality of back pressure valves.
Equipped with
A substrate processing method comprising a step of controlling the pressure of the processing fluid at the corresponding first branch point by changing the amount of the processing fluid flowing downstream of the back pressure valve.
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