JP2022093158A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a technique capable of stably discharging gas inside a process liquid stored in a processing tank.SOLUTION: A substrate processing device according to an embodiment of the present disclosure includes a processing tank, a first gas nozzle group, a second gas nozzle group, and a control unit. In the processing tank, a plurality of arranged substrates are immersed in a process liquid to be processed. The first gas nozzle group is located below the plurality of substrates at the inside of the processing tank, and discharges gas into the process liquid stored in the processing tank. The second gas nozzle group is located close to the first gas nozzle group and discharges gas into the process liquid stored in the processing tank. The control unit controls each unit. The control unit also discharges gas into the process liquid from one gas nozzle group of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group during the plurality of substrates are immersed in the process liquid to be processed. The control unit also switches gas discharge from the one gas nozzle group to the other gas nozzle group when given switching conditions are detected.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The disclosed embodiments relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

従来、処理槽に貯留した処理液に複数の基板を浸漬させることにより、かかる複数の基板に一括で液処理を行う技術が知られている（特許文献１参照）。 Conventionally, there is known a technique of immersing a plurality of substrates in a treatment liquid stored in a treatment tank to perform liquid treatment on the plurality of substrates at once (see Patent Document 1).

特開２０１９－５０３４９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-50349

本開示は、処理槽に貯留される処理液の内部にガスを安定して吐出することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of stably discharging a gas into a treatment liquid stored in a treatment tank.

本開示の一態様による基板処理装置は、処理槽と、第１ガスノズル群と、第２ガスノズル群と、制御部と、を備える。処理槽は、配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う。第１ガスノズル群は、前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する。第２ガスノズル群は、前記第１ガスノズル群に近接して配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する。制御部は、各部を制御する。また、前記制御部は、前記複数の基板が前記処理液に浸漬されて処理されている際に、前記第１ガスノズル群および前記第２ガスノズル群のうち一方のガスノズル群から前記処理液にガスを吐出する。また、前記制御部は、所与の切替条件を検出した場合に、前記一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替える。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a processing tank, a first gas nozzle group, a second gas nozzle group, and a control unit. In the treatment tank, a plurality of arranged substrates are immersed in a treatment liquid for treatment. The first gas nozzle group is arranged inside the treatment tank below the plurality of substrates, and discharges gas to the treatment liquid stored in the treatment tank. The second gas nozzle group is arranged close to the first gas nozzle group, and discharges gas to the treatment liquid stored in the treatment tank. The control unit controls each unit. Further, when the plurality of substrates are immersed in the treatment liquid for treatment, the control unit transfers gas from one of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group to the treatment liquid. Discharge. Further, when the control unit detects a given switching condition, the control unit switches the gas discharge from the one gas nozzle group to the other gas nozzle group.

本開示によれば、処理槽に貯留される処理液の内部にガスを安定して吐出することができる。 According to the present disclosure, gas can be stably discharged into the treatment liquid stored in the treatment tank.

図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す概略ブロック図である。FIG. 1 is a schematic block diagram showing a configuration of a substrate processing system according to an embodiment. 図２は、実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す概略ブロック図である。FIG. 2 is a schematic block diagram showing the configuration of the etching processing apparatus according to the embodiment. 図３は、実施形態に係る第１ガスノズル群の構成を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the first gas nozzle group according to the embodiment. 図４は、実施形態に係る第２ガスノズル群の構成を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of the second gas nozzle group according to the embodiment. 図５は、実施形態に係るガス吐出部に接続される配管の構成を示す概略ブロック図である。FIG. 5 is a schematic block diagram showing a configuration of a pipe connected to a gas discharge portion according to an embodiment. 図６は、実施形態に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the arrangement of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the embodiment. 図７は、実施形態に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing an example of the arrangement of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the embodiment. 図８は、実施形態に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the embodiment. 図９は、実施形態の変形例１に係るガス吐出部に接続される配管の構成を示す概略ブロック図である。FIG. 9 is a schematic block diagram showing a configuration of a pipe connected to a gas discharge portion according to a modification 1 of the embodiment. 図１０は、実施形態の変形例２に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example of the arrangement of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the second modification of the embodiment. 図１１は、実施形態の変形例３に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the arrangement of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the third modification of the embodiment. 図１２は、実施形態の変形例４に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す側面図である。FIG. 12 is a side view showing an example of the arrangement of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the modified example 4 of the embodiment. 図１３は、実施形態の変形例５に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the modified example 5 of the embodiment. 図１４は、実施形態の変形例６に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the modified example 6 of the embodiment. 図１５は、実施形態の変形例７に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the modified example 7 of the embodiment. 図１６は、実施形態の変形例８に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group and the second gas nozzle group according to the modified example 8 of the embodiment. 図１７は、実施形態に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 17 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing according to the embodiment. 図１８は、実施形態に係るノズル切替処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 18 is a flowchart showing a processing procedure of the nozzle switching process according to the embodiment. 図１９は、実施形態の変形例５に係るノズル切替処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 19 is a flowchart showing a processing procedure of the nozzle switching process according to the modified example 5 of the embodiment. 図２０は、実施形態の変形例６に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 20 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing according to the modification 6 of the embodiment. 図２１は、実施形態の変形例７に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 21 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing according to the modified example 7 of the embodiment. 図２２は、実施形態の変形例８に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 22 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing according to the modified example 8 of the embodiment.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。 Hereinafter, embodiments of the substrate processing apparatus and the substrate processing method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present disclosure is not limited to the embodiments shown below. In addition, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the dimensions of each element, the ratio of each element, etc. may differ from the reality. Further, even between the drawings, there may be a portion where the relationship and ratio of the dimensions of the drawings are different from each other.

従来、処理槽に貯留した処理液に複数の基板を浸漬させることにより、かかる複数の基板を一括でエッチング処理する技術が知られている。また、かかるエッチング処理においては、処理槽内の温度均一性や薬液の置換効率を向上させるため、処理槽の底部に配置されるガスノズルから処理液内にガスを吐出し、処理槽内に上昇流を形成する場合がある。 Conventionally, there is known a technique of collectively etching a plurality of such substrates by immersing a plurality of substrates in a treatment liquid stored in a treatment tank. Further, in such an etching process, in order to improve the temperature uniformity in the processing tank and the replacement efficiency of the chemical solution, gas is discharged into the processing solution from a gas nozzle arranged at the bottom of the processing tank, and an ascending flow is made into the processing tank. May form.

しかしながら、上記の従来技術では、かかるガスノズルの内部でエッチングされた成分が結晶化することにより、ガスノズルが詰まる場合があった。これにより、処理液の内部にガスを安定して吐出することができないことから、処理槽内の温度均一性や薬液の置換効率が低下する恐れがあった。 However, in the above-mentioned conventional technique, the gas nozzle may be clogged due to crystallization of the etched component inside the gas nozzle. As a result, the gas cannot be stably discharged into the treatment liquid, which may reduce the temperature uniformity in the treatment tank and the replacement efficiency of the chemical liquid.

そこで、上述の問題点を克服し、処理槽に貯留される処理液の内部にガスを安定して吐出することができる技術の実現が期待されている。 Therefore, it is expected to realize a technique that can overcome the above-mentioned problems and stably discharge the gas into the treatment liquid stored in the treatment tank.

＜基板処理システムの構成＞
まず、実施形態に係る基板処理システム１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す概略ブロック図である。基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。 <Configuration of board processing system>
First, the configuration of the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic block diagram showing a configuration of a substrate processing system 1 according to an embodiment. The substrate processing system 1 is an example of a substrate processing apparatus.

図１に示すように、実施形態に係る基板処理システム１は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを備える。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 according to the embodiment is controlled by a carrier loading / unloading unit 2, a lot forming unit 3, a lot loading unit 4, a lot transport unit 5, and a lot processing unit 6. A unit 7 is provided.

キャリア搬入出部２は、キャリアステージ２０と、キャリア搬送機構２１と、キャリアストック２２、２３と、キャリア載置台２４とを備える。 The carrier loading / unloading section 2 includes a carrier stage 20, a carrier transport mechanism 21, carrier stocks 22 and 23, and a carrier mounting table 24.

キャリアステージ２０は、外部から搬送された複数のキャリア９を載置する。キャリア９は、複数（たとえば、２５枚）のウェハＷを水平姿勢で上下に並べて収容する容器である。キャリア搬送機構２１は、キャリアステージ２０、キャリアストック２２、２３およびキャリア載置台２４の間でキャリア９の搬送を行う。 The carrier stage 20 mounts a plurality of carriers 9 transported from the outside. The carrier 9 is a container for accommodating a plurality of (for example, 25) wafers W side by side in a horizontal posture. The carrier transfer mechanism 21 transfers the carrier 9 between the carrier stage 20, the carrier stocks 22 and 23, and the carrier mounting table 24.

キャリア載置台２４に載置されたキャリア９からは、処理される前の複数のウェハＷが後述する基板搬送機構３０によりロット処理部６に搬出される。また、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９には、処理された複数のウェハＷが基板搬送機構３０によりロット処理部６から搬入される。 From the carrier 9 mounted on the carrier mounting table 24, a plurality of wafers W before being processed are carried out to the lot processing unit 6 by the substrate transfer mechanism 30 described later. Further, a plurality of processed wafers W are carried into the carrier 9 mounted on the carrier mounting table 24 from the lot processing unit 6 by the substrate transfer mechanism 30.

ロット形成部３は、基板搬送機構３０を有し、ロットを形成する。ロットは、１または複数のキャリア９に収容されたウェハＷを組合せて同時に処理される複数（たとえば、５０枚）のウェハＷで構成される。１つのロットを形成する複数のウェハＷは、互いの板面を対向させた状態で一定の間隔をあけて配列される。 The lot forming unit 3 has a substrate transfer mechanism 30 and forms a lot. The lot is composed of a plurality of (for example, 50) wafers W that are simultaneously processed by combining the wafers W accommodated in one or a plurality of carriers 9. A plurality of wafers W forming one lot are arranged at regular intervals with their plate surfaces facing each other.

基板搬送機構３０は、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９とロット載置部４との間で複数のウェハＷを搬送する。 The substrate transfer mechanism 30 transfers a plurality of wafers W between the carrier 9 mounted on the carrier mounting table 24 and the lot mounting portion 4.

ロット載置部４は、ロット搬送台４０を有し、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットを一時的に載置（待機）する。ロット搬送台４０は、ロット形成部３で形成された処理される前のロットを載置する搬入側載置台４１と、ロット処理部６で処理されたロットを載置する搬出側載置台４２とを有する。搬入側載置台４１および搬出側載置台４２には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで載置される。 The lot loading unit 4 has a lot transfer table 40, and temporarily stores (stands by) a lot transferred between the lot forming unit 3 and the lot processing unit 6 by the lot transport unit 5. The lot transfer table 40 includes a carry-in side loading table 41 formed by the lot forming unit 3 on which the unprocessed lot is placed, and a carry-out side loading table 42 on which the lot processed by the lot processing unit 6 is placed. Has. A plurality of wafers W for one lot are placed side by side in an upright position on the loading-in side mounting table 41 and the carrying-out side mounting table 42.

ロット搬送部５は、ロット搬送機構５０を有し、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部でロットの搬送を行う。ロット搬送機構５０は、レール５１と、移動体５２と、基板保持体５３とを有する。 The lot transfer unit 5 has a lot transfer mechanism 50, and transfers lots between the lot loading unit 4 and the lot processing unit 6 or inside the lot processing unit 6. The lot transfer mechanism 50 includes a rail 51, a moving body 52, and a substrate holding body 53.

レール５１は、ロット載置部４およびロット処理部６に渡って、Ｘ軸方向に沿って配置される。移動体５２は、複数のウェハＷを保持しながらレール５１に沿って移動可能に構成される。基板保持体５３は、移動体５２に配置され、起立姿勢で前後に並んだ複数のウェハＷを保持する。 The rail 51 is arranged along the X-axis direction across the lot loading section 4 and the lot processing section 6. The moving body 52 is configured to be movable along the rail 51 while holding a plurality of wafers W. The substrate holding body 53 is arranged on the moving body 52 and holds a plurality of wafers W arranged in a standing posture in the front-rear direction.

ロット処理部６は、１ロット分の複数のウェハＷに対し、エッチング処理や洗浄処理、乾燥処理などを一括で行う。ロット処理部６には、２台のエッチング処理装置６０と、洗浄処理装置７０と、洗浄処理装置８０と、乾燥処理装置９０とが、レール５１に沿って並んで配置される。 The lot processing unit 6 collectively performs etching processing, cleaning processing, drying processing, and the like on a plurality of wafers W for one lot. In the lot processing unit 6, two etching processing devices 60, a cleaning processing device 70, a cleaning processing device 80, and a drying processing device 90 are arranged side by side along the rail 51.

エッチング処理装置６０は、１ロット分の複数のウェハＷに対してエッチング処理を一括で行う。洗浄処理装置７０は、１ロット分の複数のウェハＷに対して洗浄処理を一括で行う。洗浄処理装置８０は、基板保持体５３の洗浄処理を行う。乾燥処理装置９０は、１ロット分の複数のウェハＷに対して乾燥処理を一括で行う。なお、エッチング処理装置６０、洗浄処理装置７０、洗浄処理装置８０および乾燥処理装置９０の台数は、図１の例に限られない。 The etching processing apparatus 60 collectively performs etching processing on a plurality of wafers W for one lot. The cleaning processing apparatus 70 collectively performs cleaning processing on a plurality of wafers W for one lot. The cleaning processing apparatus 80 cleans the substrate holder 53. The drying processing apparatus 90 collectively performs drying processing on a plurality of wafers W for one lot. The number of the etching processing device 60, the cleaning processing device 70, the cleaning processing device 80, and the drying processing device 90 is not limited to the example of FIG.

エッチング処理装置６０は、エッチング処理用のエッチング処理槽６１と、リンス処理用のリンス処理槽６２と、基板昇降機構６３、６４とを備える。 The etching processing apparatus 60 includes an etching processing tank 61 for etching processing, a rinsing processing tank 62 for rinsing processing, and substrate elevating mechanisms 63 and 64.

エッチング処理槽６１は、起立姿勢で配列された１ロット分のウェハＷを収容可能であり、エッチング処理用の薬液（以下、「エッチング液」とも呼称する。）が貯留される。エッチング処理槽６１の詳細については後述する。 The etching treatment tank 61 can accommodate one lot of wafers W arranged in an upright posture, and stores a chemical liquid for etching treatment (hereinafter, also referred to as “etching liquid”). The details of the etching treatment tank 61 will be described later.

リンス処理槽６２には、リンス処理用の処理液（脱イオン水等）が貯留される。基板昇降機構６３、６４には、ロットを形成する複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。 A treatment liquid (deionized water or the like) for rinsing treatment is stored in the rinsing treatment tank 62. A plurality of wafers W forming a lot are held side by side in an upright posture on the substrate elevating mechanisms 63 and 64.

エッチング処理装置６０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構６３で保持し、エッチング処理槽６１のエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行う。 The etching processing apparatus 60 holds the lot transferred by the lot transfer unit 5 by the substrate elevating mechanism 63 and immerses it in the etching solution of the etching processing tank 61 to perform the etching process.

エッチング処理槽６１においてエッチング処理されたロットは、ロット搬送部５によってリンス処理槽６２に搬送される。そして、エッチング処理装置６０は、搬送されたロットを基板昇降機構６４にて保持し、リンス処理槽６２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。リンス処理槽６２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で洗浄処理装置７０の洗浄処理槽７１に搬送される。 The lot etched in the etching treatment tank 61 is conveyed to the rinsing treatment tank 62 by the lot transfer unit 5. Then, the etching processing apparatus 60 holds the conveyed lot by the substrate elevating mechanism 64 and immerses it in the rinsing liquid of the rinsing processing tank 62 to perform the rinsing process. The lot that has been rinsed in the rinsing tank 62 is transferred to the cleaning tank 71 of the cleaning treatment device 70 by the lot transfer unit 5.

洗浄処理装置７０は、洗浄用の洗浄処理槽７１と、リンス処理用のリンス処理槽７２と、基板昇降機構７３、７４とを備える。洗浄用の洗浄処理槽７１には、洗浄用の薬液（以下、「洗浄薬液」とも呼称する）が貯留される。洗浄薬液は、たとえば、ＳＣ－１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）などである。 The cleaning processing apparatus 70 includes a cleaning processing tank 71 for cleaning, a rinsing processing tank 72 for rinsing processing, and substrate elevating mechanisms 73 and 74. A cleaning chemical solution (hereinafter, also referred to as “cleaning chemical solution”) is stored in the cleaning treatment tank 71 for cleaning. The cleaning chemical solution is, for example, SC-1 (a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and water).

リンス処理用のリンス処理槽７２には、リンス処理用の処理液（脱イオン水等）が貯留される。基板昇降機構７３、７４には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。 A treatment liquid (deionized water or the like) for rinsing treatment is stored in the rinsing treatment tank 72 for rinsing treatment. A plurality of wafers W for one lot are held side by side in an upright posture on the substrate elevating mechanisms 73 and 74.

洗浄処理装置７０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構７３にて保持し、洗浄処理槽７１の洗浄液に浸漬させることによって洗浄処理を行う。 The cleaning processing device 70 performs cleaning processing by holding the lot transferred by the lot transfer unit 5 by the substrate elevating mechanism 73 and immersing it in the cleaning liquid of the cleaning processing tank 71.

洗浄処理槽７１において洗浄処理されたロットは、ロット搬送部５によってリンス処理槽７２に搬送される。そして、洗浄処理装置７０は、搬送されたロットを基板昇降機構７４にて保持し、リンス処理槽７２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。リンス処理槽７２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で乾燥処理装置９０の乾燥処理槽９１に搬送される。 The lot that has been washed in the washing tank 71 is conveyed to the rinsing tank 72 by the lot transport unit 5. Then, the cleaning treatment device 70 holds the conveyed lot in the substrate elevating mechanism 74 and immerses it in the rinsing liquid of the rinsing treatment tank 72 to perform the rinsing treatment. The lot that has been rinsed in the rinsing tank 72 is transferred to the drying treatment tank 91 of the drying treatment apparatus 90 by the lot transfer unit 5.

乾燥処理装置９０は、乾燥処理槽９１と、基板昇降機構９２とを有する。乾燥処理槽９１には、乾燥処理用の処理ガスが供給される。基板昇降機構９２には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。 The drying processing apparatus 90 includes a drying processing tank 91 and a substrate elevating mechanism 92. A processing gas for drying processing is supplied to the drying processing tank 91. A plurality of wafers W for one lot are held side by side in an upright posture in the substrate elevating mechanism 92.

乾燥処理装置９０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構９２で保持し、乾燥処理槽９１内に供給される乾燥処理用の処理ガスを用いて乾燥処理を行う。乾燥処理槽９１で乾燥処理されたロットは、ロット搬送部５でロット載置部４に搬送される。 The drying processing apparatus 90 holds the lot conveyed by the lot transport unit 5 by the substrate elevating mechanism 92, and performs the drying treatment using the processing gas for the drying treatment supplied in the drying processing tank 91. The lot that has been dried in the drying tank 91 is conveyed to the lot loading unit 4 by the lot transfer unit 5.

洗浄処理装置８０は、ロット搬送機構５０の基板保持体５３に洗浄用の処理液を供給し、さらに乾燥ガスを供給することで、基板保持体５３の洗浄処理を行う。 The cleaning processing apparatus 80 supplies a processing liquid for cleaning to the substrate holding body 53 of the lot transfer mechanism 50, and further supplies a drying gas to perform cleaning processing of the substrate holding body 53.

制御部７は、基板処理システム１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。制御部７は、スイッチや各種センサなどからの信号に基づいて、基板処理システム１の各部の動作を制御する。 The control unit 7 controls the operation of each unit of the substrate processing system 1 (carrier loading / unloading unit 2, lot forming unit 3, lot loading unit 4, lot transport unit 5, lot processing unit 6, etc.). The control unit 7 controls the operation of each unit of the board processing system 1 based on signals from switches, various sensors, and the like.

制御部７は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。制御部７は、図示しない記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 The control unit 7 includes a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output port, and various circuits. The control unit 7 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing a program stored in a storage unit (not shown).

制御部７は、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体８を有する。記憶媒体８には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御する上記プログラムが格納される。プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体８にインストールされたものであってもよい。 The control unit 7 has a storage medium 8 that can be read by a computer. The storage medium 8 stores the above-mentioned program that controls various processes executed in the substrate processing system 1. The program may be stored in a storage medium 8 readable by a computer, and may be installed in the storage medium 8 of the control unit 7 from another storage medium.

コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 Examples of the storage medium 8 readable by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

＜エッチング処理装置の構成＞
次に、ウェハＷのエッチング処理を実施するエッチング処理装置６０の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係るエッチング処理装置６０の構成を示す概略ブロック図である。 <Structure of etching processing equipment>
Next, the configuration of the etching processing apparatus 60 that performs the etching processing of the wafer W will be described with reference to FIG. 2. FIG. 2 is a schematic block diagram showing the configuration of the etching processing apparatus 60 according to the embodiment.

エッチング処理装置６０は、エッチング液供給部１００と、基板処理部１１０とを備える。エッチング液供給部１００は、エッチング液Ｌを基板処理部１１０に供給する。エッチング液Ｌは、処理液の一例である。実施形態に係るエッチング液Ｌは、たとえば、ＳＣ－１である。 The etching processing apparatus 60 includes an etching liquid supply unit 100 and a substrate processing unit 110. The etching solution supply unit 100 supplies the etching solution L to the substrate processing unit 110. The etching solution L is an example of a processing solution. The etching solution L according to the embodiment is, for example, SC-1.

エッチング液供給部１００は、エッチング液供給源１０１と、エッチング液供給路１０２と、流量調整器１０３とを有する。 The etching liquid supply unit 100 includes an etching liquid supply source 101, an etching liquid supply path 102, and a flow rate regulator 103.

エッチング液供給路１０２は、エッチング液供給源１０１とエッチング処理槽６１の外槽１１２とを接続し、エッチング液供給源１０１から外槽１１２にエッチング液Ｌを供給する。 The etching liquid supply path 102 connects the etching liquid supply source 101 and the outer tank 112 of the etching processing tank 61, and supplies the etching liquid L from the etching liquid supply source 101 to the outer tank 112.

流量調整器１０３は、エッチング液供給路１０２に配置され、外槽１１２に供給されるエッチング液Ｌの流量を調整する。流量調整器１０３は、開閉弁、流量制御弁および流量計などを有する。 The flow rate adjuster 103 is arranged in the etching liquid supply path 102 and adjusts the flow rate of the etching liquid L supplied to the outer tank 112. The flow rate regulator 103 includes an on-off valve, a flow rate control valve, a flow meter, and the like.

基板処理部１１０は、エッチング液供給部１００から供給されたエッチング液ＬにウェハＷを浸漬して、かかるウェハＷにエッチング処理を施す。ウェハＷは、基板の一例である。基板処理部１１０は、たとえば、ウェハＷ上に形成されたポリシリコン膜をエッチング処理する。 The substrate processing unit 110 immerses the wafer W in the etching liquid L supplied from the etching liquid supply unit 100, and performs the etching process on the wafer W. The wafer W is an example of a substrate. The substrate processing unit 110 etches, for example, the polysilicon film formed on the wafer W.

基板処理部１１０は、エッチング処理槽６１と、基板昇降機構６３と、循環路１２０と、ガス吐出部１３０とを備える。エッチング処理槽６１は、処理槽１１１と、外槽１１２とを有する。 The substrate processing unit 110 includes an etching processing tank 61, a substrate elevating mechanism 63, a circulation path 120, and a gas discharge unit 130. The etching treatment tank 61 has a treatment tank 111 and an outer tank 112.

処理槽１１１は、エッチング液Ｌ中にウェハＷを浸漬させるための槽であり、浸漬用のエッチング液Ｌを収容する。処理槽１１１は、上部に開口部を有し、エッチング液Ｌがかかる開口部付近まで貯留される。 The processing tank 111 is a tank for immersing the wafer W in the etching solution L, and contains the etching solution L for immersing. The treatment tank 111 has an opening at the upper part, and is stored up to the vicinity of the opening to which the etching solution L is applied.

処理槽１１１では、基板昇降機構６３を用いて複数のウェハＷがエッチング液Ｌに浸漬され、ウェハＷにエッチング処理が行われる。かかる基板昇降機構６３は、昇降可能に構成され、複数のウェハＷを垂直姿勢で前後（Ｙ軸方向）に並べて保持する。 In the processing tank 111, a plurality of wafers W are immersed in the etching solution L using the substrate elevating mechanism 63, and the wafer W is subjected to etching processing. The substrate elevating mechanism 63 is configured to be able to elevate and elevate, and holds a plurality of wafers W side by side (in the Y-axis direction) in a vertical posture.

外槽１１２は、処理槽１１１の周囲を囲むように処理槽１１１の外側に配置され、処理槽１１１の開口部から流出するエッチング液Ｌを受ける。図２に示すように、外槽１１２の液位は、処理槽１１１の液位よりも低く維持される。 The outer tank 112 is arranged outside the treatment tank 111 so as to surround the periphery of the treatment tank 111, and receives the etching solution L flowing out from the opening of the treatment tank 111. As shown in FIG. 2, the liquid level of the outer tank 112 is maintained lower than the liquid level of the processing tank 111.

外槽１１２と処理槽１１１とは、循環路１２０によって接続される。循環路１２０の一端は外槽１１２の底部に接続され、循環路１２０の他端は処理槽１１１内に位置する処理液供給ノズル１２４に接続される。 The outer tank 112 and the treatment tank 111 are connected by a circulation path 120. One end of the circulation path 120 is connected to the bottom of the outer tank 112, and the other end of the circulation path 120 is connected to the processing liquid supply nozzle 124 located in the processing tank 111.

循環路１２０には、外槽１１２側から順に、ポンプ１２１と、ヒータ１２２と、フィルタ１２３とが配置される。ポンプ１２１は、外槽１１２から循環路１２０を経て処理槽１１１に送られるエッチング液Ｌの循環流を形成する。 In the circulation path 120, the pump 121, the heater 122, and the filter 123 are arranged in order from the outer tank 112 side. The pump 121 forms a circulating flow of the etching solution L sent from the outer tank 112 to the processing tank 111 via the circulation path 120.

また、エッチング液Ｌは、処理槽１１１の開口部からオーバーフローすることで、再び外槽１１２へと流出する。このようにして、基板処理部１１０内にエッチング液Ｌの循環流が形成される。すなわち、かかる循環流は、外槽１１２、循環路１２０および処理槽１１１において形成される。 Further, the etching solution L overflows from the opening of the processing tank 111 and flows out to the outer tank 112 again. In this way, a circulating flow of the etching solution L is formed in the substrate processing unit 110. That is, such a circulating flow is formed in the outer tank 112, the circulation passage 120, and the processing tank 111.

ヒータ１２２は、循環路１２０を循環するエッチング液Ｌの温度を調整する。フィルタ１２３は、循環路１２０を循環するエッチング液Ｌを濾過する。処理液供給ノズル１２４は、処理槽１１１内においてウェハＷの下方に配置され、エッチング液Ｌを処理槽１１１に供給する。 The heater 122 adjusts the temperature of the etching solution L circulating in the circulation path 120. The filter 123 filters the etching solution L circulating in the circulation path 120. The processing liquid supply nozzle 124 is arranged below the wafer W in the processing tank 111, and supplies the etching liquid L to the processing tank 111.

ガス吐出部１３０は、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌ中に不活性ガス（たとえば、窒素ガスやアルゴンガスなど）を吐出する。不活性ガスは、ガスの一例である。かかるガス吐出部１３０は、処理槽１１１の内部に不活性ガスを吐出することによって、処理槽１１１の内部にエッチング液Ｌの上昇流を発生させる。 The gas discharge unit 130 discharges an inert gas (for example, nitrogen gas, argon gas, etc.) into the etching solution L stored in the processing tank 111. The inert gas is an example of a gas. The gas discharge unit 130 discharges the inert gas into the processing tank 111 to generate an ascending flow of the etching solution L inside the processing tank 111.

ガス吐出部１３０は、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０を有する。かかる第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０は、処理槽１１１内においてウェハＷおよび処理液供給ノズル１２４の下方に配置され、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌに不活性ガスの気泡を吐出する。 The gas discharge unit 130 has a first gas nozzle group 140 and a second gas nozzle group 150. The first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 are arranged below the wafer W and the processing liquid supply nozzle 124 in the processing tank 111, and bubbles of inert gas are brought into the etching liquid L stored in the processing tank 111. Discharge.

＜ガス吐出部の構成＞
つづいて、実施形態に係るガス吐出部１３０の詳細な構成について、図３～図７を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る第１ガスノズル群１４０の構成を示す斜視図である。 <Structure of gas discharge part>
Subsequently, the detailed configuration of the gas discharge unit 130 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 7. FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the first gas nozzle group 140 according to the embodiment.

図３に示すように、第１ガスノズル群１４０は、複数（図では６本）のガスノズル１４０－１～１４０－６を有する。かかるガスノズル１４０－１～１４０－６は、複数のウェハＷ（図２参照）の配列方向（すなわち、Ｙ軸方向）に沿って延在する。また、ガスノズル１４０－１～１４０－６は、この順にＸ軸方向に沿って並んで配置される。 As shown in FIG. 3, the first gas nozzle group 140 has a plurality of (six in the figure) gas nozzles 140-1 to 140-6. The gas nozzles 140-1 to 140-6 extend along the arrangement direction (that is, the Y-axis direction) of the plurality of wafers W (see FIG. 2). Further, the gas nozzles 140-1 to 140-6 are arranged side by side along the X-axis direction in this order.

すなわち、ガスノズル１４０－２、１４０－５は、ガスノズル１４０－１、１４０－６よりもウェハＷの径方向内側に配置され、ガスノズル１４０－３、１４０－４は、ガスノズル１４０－２、１４０－５よりもウェハＷの径方向内側に配置される。 That is, the gas nozzles 140-2 and 140-5 are arranged radially inside the wafer W with respect to the gas nozzles 140-1 and 140-6, and the gas nozzles 140-3 and 140-4 are gas nozzles 140-2 and 140-5. It is arranged inside the wafer W in the radial direction.

また、第１ガスノズル群１４０には、ガス供給路１４１が接続される。ガス供給路１４１は、ガス供給路１４１ａと、ガス供給路１４１ｂと、ガス供給路１４１ｃとを有する。 Further, a gas supply path 141 is connected to the first gas nozzle group 140. The gas supply path 141 has a gas supply path 141a, a gas supply path 141b, and a gas supply path 141c.

ガス供給路１４１ａは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１４０－１、１４０－６と不活性ガス供給源１６０（図５参照）との間を接続する。すなわち、ガスノズル１４０－１、１４０－６には、共通のガス供給路１４１ａを用いて不活性ガスが供給される。 The gas supply path 141a has a vertically extending portion that connects the gas nozzles 140-1, 140-6 and the inert gas supply source 160 (see FIG. 5). That is, the gas nozzles 140-1 and 140-6 are supplied with the inert gas using the common gas supply path 141a.

ガス供給路１４１ｂは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１４０－２、１４０－５と不活性ガス供給源１６０との間を接続する。すなわち、ガスノズル１４０－２、１４０－５には、共通のガス供給路１４１ｂを用いて不活性ガスが供給される。 The gas supply path 141b has a vertically extending portion and connects the gas nozzles 140-2, 140-5 and the inert gas supply source 160. That is, the gas nozzles 140-2 and 140-5 are supplied with the inert gas using the common gas supply path 141b.

ガス供給路１４１ｃは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１４０－３、１４０－４と不活性ガス供給源１６０との間を接続する。すなわち、ガスノズル１４０－３、１４０－４には、共通のガス供給路１４１ｃを用いて不活性ガスが供給される。 The gas supply path 141c has a vertically extending portion and connects between the gas nozzles 140-3 and 140-4 and the inert gas supply source 160. That is, the inert gas is supplied to the gas nozzles 140-3 and 140-4 using the common gas supply path 141c.

なお、本開示では、第１ガスノズル群１４０に６本のガスノズル１４０－１～１４０－６が設けられる例について示しているが、第１ガスノズル群１４０に設けられるガスノズルの数は６本に限られず、２本や４本などであってもよい。 In this disclosure, an example in which six gas nozzles 140-1 to 140-6 are provided in the first gas nozzle group 140 is shown, but the number of gas nozzles provided in the first gas nozzle group 140 is not limited to six. It may be two or four.

図４は、実施形態に係る第２ガスノズル群１５０の構成を示す斜視図である。 FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of the second gas nozzle group 150 according to the embodiment.

図４に示すように、第２ガスノズル群１５０は、複数（図では６本）のガスノズル１５０－１～１５０－６を有する。かかるガスノズル１５０－１～１５０－６は、複数のウェハＷ（図２参照）の配列方向（すなわち、Ｙ軸方向）に沿って延在する。また、ガスノズル１５０－１～１５０－６は、この順にＸ軸方向に沿って並んで配置される。 As shown in FIG. 4, the second gas nozzle group 150 has a plurality of (six in the figure) gas nozzles 150-1 to 150-6. The gas nozzles 150-1 to 150-6 extend along the arrangement direction (that is, the Y-axis direction) of the plurality of wafers W (see FIG. 2). Further, the gas nozzles 150-1 to 150-6 are arranged side by side along the X-axis direction in this order.

すなわち、ガスノズル１５０－２、１５０－５は、ガスノズル１５０－１、１５０－６よりもウェハＷの径方向内側に配置され、ガスノズル１５０－３、１５０－４は、ガスノズル１５０－２、１５０－５よりもウェハＷの径方向内側に配置される。 That is, the gas nozzles 150-2 and 150-5 are arranged radially inside the wafer W with respect to the gas nozzles 150-1 and 150-6, and the gas nozzles 150-3 and 150-4 are gas nozzles 150-2 and 150-5. It is arranged inside the wafer W in the radial direction.

また、第２ガスノズル群１５０には、ガス供給路１５１が接続される。ガス供給路１５１は、ガス供給路１５１ａと、ガス供給路１５１ｂと、ガス供給路１５１ｃとを有する。 Further, a gas supply path 151 is connected to the second gas nozzle group 150. The gas supply path 151 has a gas supply path 151a, a gas supply path 151b, and a gas supply path 151c.

ガス供給路１５１ａは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１５０－１、１５０－６と不活性ガス供給源１６０（図５参照）との間を接続する。すなわち、ガスノズル１５０－１、１５０－６には、共通のガス供給路１５１ａを用いて不活性ガスが供給される。 The gas supply path 151a has a vertically extending portion and connects the gas nozzles 150-1, 150-6 and the inert gas supply source 160 (see FIG. 5). That is, the inert gas is supplied to the gas nozzles 150-1 and 150-6 by using the common gas supply path 151a.

ガス供給路１５１ｂは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１５０－２、１５０－５と不活性ガス供給源１６０との間を接続する。すなわち、ガスノズル１５０－２、１５０－５には、共通のガス供給路１５１ｂを用いて不活性ガスが供給される。 The gas supply path 151b has a vertically extending portion and connects the gas nozzles 150-2, 150-5 and the inert gas supply source 160. That is, the inert gas is supplied to the gas nozzles 150-2 and 150-5 using the common gas supply path 151b.

ガス供給路１５１ｃは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１５０－３、１５０－４と不活性ガス供給源１６０との間を接続する。すなわち、ガスノズル１５０－３、
１５０－４には、共通のガス供給路１５１ｃを用いて不活性ガスが供給される。 The gas supply path 151c has a vertically extending portion and connects between the gas nozzles 150-3 and 150-4 and the inert gas supply source 160. That is, the gas nozzle 150-3,
An inert gas is supplied to 150-4 using a common gas supply path 151c.

なお、本開示では、第２ガスノズル群１５０に６本のガスノズル１５０－１～１５０－６が設けられる例について示しているが、第２ガスノズル群１５０に設けられるガスノズルの数は６本に限られず、２本や４本などであってもよい。 In this disclosure, an example in which six gas nozzles 150-1 to 150-6 are provided in the second gas nozzle group 150 is shown, but the number of gas nozzles provided in the second gas nozzle group 150 is not limited to six. It may be two or four.

図５は、実施形態に係るガス吐出部１３０に接続される配管の構成を示す概略ブロック図である。図５に示すように、ガス吐出部１３０に供給される不活性ガスは、不活性ガス供給源１６０から供給される。 FIG. 5 is a schematic block diagram showing a configuration of a pipe connected to the gas discharge unit 130 according to the embodiment. As shown in FIG. 5, the inert gas supplied to the gas discharge unit 130 is supplied from the inert gas supply source 160.

不活性ガス供給源１６０から延びるガス供給路１６１には、圧力計１６２が設けられる。かかる圧力計１６２は、ガス供給路１６１を流れる不活性ガスの圧力を測定する。また、ガス供給路１６１は、圧力計１６２の下流側でガス供給路１４１とガス供給路１５１とに分岐する。 A pressure gauge 162 is provided in the gas supply path 161 extending from the inert gas supply source 160. The pressure gauge 162 measures the pressure of the inert gas flowing through the gas supply path 161. Further, the gas supply path 161 branches into a gas supply path 141 and a gas supply path 151 on the downstream side of the pressure gauge 162.

ガス供給路１６１から分岐したガス供給路１４１には、流量調整器１４２が設けられる。流量調整器１４２は、第１ガスノズル群１４０へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。流量調整器１４２は、開閉弁、流量制御弁および流量計などを有する。 A flow rate regulator 142 is provided in the gas supply path 141 branched from the gas supply path 161. The flow rate regulator 142 adjusts the supply amount of the inert gas supplied to the first gas nozzle group 140. The flow rate regulator 142 includes an on-off valve, a flow rate control valve, a flow meter, and the like.

ガス供給路１４１における流量調整器１４２の下流側には、開放路１４３が接続され、かかる開放路１４３は流量調整器１４４を介して外部雰囲気に接続される。 An open path 143 is connected to the downstream side of the flow rate regulator 142 in the gas supply path 141, and the open path 143 is connected to the external atmosphere via the flow rate regulator 144.

ガス供給路１４１は、開放路１４３との接続部の下流側で、ガス供給路１４１ａと、ガス供給路１４１ｂと、ガス供給路１４１ｃとに分岐する。ガス供給路１４１ａは、ガスノズル１４０－１、１４０－６（図３参照）に接続され、ガス供給路１４１ｂは、ガスノズル１４０－２、１４０－５（図３参照）に接続され、ガス供給路１４１ｃは、ガスノズル１４０－３、１４０－４（図３参照）に接続される。 The gas supply path 141 branches into a gas supply path 141a, a gas supply path 141b, and a gas supply path 141c on the downstream side of the connection portion with the open path 143. The gas supply path 141a is connected to the gas nozzles 140-1 and 140-6 (see FIG. 3), the gas supply path 141b is connected to the gas nozzles 140-2 and 140-5 (see FIG. 3), and the gas supply path 141c. Is connected to the gas nozzles 140-3 and 140-4 (see FIG. 3).

すなわち、実施形態において、第１ガスノズル群１４０のすべてのガスノズル１４０－１～１４０－６に供給される不活性ガスの流量は、共通の流量調整器１４２でまとめて調整される。 That is, in the embodiment, the flow rates of the inert gases supplied to all the gas nozzles 140-1 to 140-6 of the first gas nozzle group 140 are collectively adjusted by the common flow rate regulator 142.

また、ガス供給路１６１から分岐したガス供給路１５１には、流量調整器１５２が設けられる。流量調整器１５２は、第２ガスノズル群１５０へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。流量調整器１５２は、開閉弁、流量制御弁および流量計などを有する。 Further, a flow rate regulator 152 is provided in the gas supply path 151 branched from the gas supply path 161. The flow rate regulator 152 adjusts the supply amount of the inert gas supplied to the second gas nozzle group 150. The flow rate regulator 152 includes an on-off valve, a flow rate control valve, a flow meter, and the like.

ガス供給路１５１における流量調整器１５２の下流側には、開放路１５３が接続され、かかる開放路１５３は流量調整器１５４を介して外部雰囲気に接続される。 An open path 153 is connected to the downstream side of the flow rate regulator 152 in the gas supply path 151, and the open path 153 is connected to the external atmosphere via the flow rate regulator 154.

ガス供給路１５１は、開放路１５３との接続部の下流側で、ガス供給路１５１ａと、ガス供給路１５１ｂと、ガス供給路１５１ｃとに分岐する。ガス供給路１５１ａは、ガスノズル１５０－１、１５０－６（図４参照）に接続され、ガス供給路１５１ｂは、ガスノズル１５０－２、１５０－５（図４参照）に接続され、ガス供給路１５１ｃは、ガスノズル１５０－３、１５０－４（図４参照）に接続される。 The gas supply path 151 branches into a gas supply path 151a, a gas supply path 151b, and a gas supply path 151c on the downstream side of the connection portion with the open path 153. The gas supply path 151a is connected to the gas nozzles 150-1 and 150-6 (see FIG. 4), the gas supply path 151b is connected to the gas nozzles 150-2 and 150-5 (see FIG. 4), and the gas supply path 151c. Is connected to gas nozzles 150-3, 150-4 (see FIG. 4).

すなわち、実施形態において、第２ガスノズル群１５０のすべてのガスノズル１５０－１～１５０－６に供給される不活性ガスの流量は、共通の流量調整器１５２でまとめて調整される。 That is, in the embodiment, the flow rates of the inert gases supplied to all the gas nozzles 150-1 to 150-6 of the second gas nozzle group 150 are collectively adjusted by the common flow rate regulator 152.

図６は、実施形態に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０の配置の一例を示す断面図であり、図７は、実施形態に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０の配置の一例を示す側面図である。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the arrangement of the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the embodiment, and FIG. 7 is a sectional view showing the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the embodiment. It is a side view which shows an example of arrangement.

図６および図７に示すように、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６には、かかるガスノズル１４０－１～１４０－６の延在方向に沿って、すなわち、複数のウェハＷの配列方向に沿って、複数の吐出口Ｈが設けられる。 As shown in FIGS. 6 and 7, the gas nozzles 140-1 to 140-6 of the first gas nozzle group 140 are provided with the gas nozzles 140-1 to 140-6 along the extending direction of the gas nozzles 140-1 to 140-6, that is, a plurality of wafers W. A plurality of discharge ports H are provided along the arrangement direction of.

同様に、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６には、かかるガスノズル１５０－１～１５０－６の延在方向に沿って、すなわち、複数のウェハＷの配列方向に沿って、複数の吐出口Ｈが設けられる。 Similarly, the gas nozzles 150-1 to 150-6 of the second gas nozzle group 150 are provided along the extending direction of the gas nozzles 150-1 to 150-6, that is, along the arrangement direction of the plurality of wafers W. A plurality of discharge ports H are provided.

複数の吐出口Ｈは、不活性ガス供給源１６０（図５参照）から供給される不活性ガスが隣接するウェハＷ（図２参照）同士の間に入り込むように、複数のウェハＷの配列方向において隣接するウェハＷ同士の間の位置に配置される。 The plurality of discharge ports H are arranged in the arrangement direction of the plurality of wafers W so that the inert gas supplied from the inert gas supply source 160 (see FIG. 5) enters between the adjacent wafers W (see FIG. 2). Is arranged at a position between adjacent wafers W.

また、複数の吐出口Ｈは、たとえば、複数のウェハＷにおける全ての隙間に対応して配置される。すなわち、たとえば１つのロットが５０枚のウェハＷで構成される場合、ガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６には、それぞれ４９個の吐出口Ｈが設けられる。 Further, the plurality of ejection ports H are arranged, for example, corresponding to all the gaps in the plurality of wafers W. That is, for example, when one lot is composed of 50 wafers W, the gas nozzles 140-1 to 140-6 and the gas nozzles 150-1 to 150-6 are each provided with 49 discharge ports H.

図６に示すように、複数の吐出口Ｈは、円筒状のガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の下半分に設けられる。これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の内部へのエッチング液Ｌ（図２参照）の浸入を抑制することができる。 As shown in FIG. 6, the plurality of discharge ports H are provided in the lower halves of the cylindrical gas nozzles 140-1 to 140-6 and the gas nozzles 150-1 to 150-6. This makes it possible to suppress the infiltration of the etching solution L (see FIG. 2) into the gas nozzles 140-1 to 140-6 and the gas nozzles 150-1 to 150-6.

また、複数の吐出口Ｈは、ガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の側部よりも下方かつガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の下部よりも上方に設けられる。 Further, the plurality of discharge ports H are below the side portions of the gas nozzles 140-1 to 140-6 and the gas nozzles 150-1 to 150-6, and are below the side portions of the gas nozzles 140-1 to 140-6 and the gas nozzles 140-1 to 140-6 and the gas nozzles 150-1 to 150-6. It is provided above the lower part of.

これにより、吐出口Ｈをガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の下部に設けた場合と比較して、不活性ガスの吐出方向を揃えることができる。 As a result, the ejection directions of the inert gas can be aligned as compared with the case where the discharge port H is provided at the lower part of the gas nozzles 140-1 to 140-6 and the gas nozzles 150-1 to 150-6.

そして、実施形態では、図６に示すように、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６に対してそれぞれ上下方向に並んで配置される。たとえば、ガスノズル１５０－１～１５０－６は、ガスノズル１４０－１～１４０－６に対してそれぞれ下部に接触するように配置される。 Then, in the embodiment, as shown in FIG. 6, the gas nozzles 150-1 to 150-6 of the second gas nozzle group 150 are vertically oriented with respect to the gas nozzles 140-1 to 140-6 of the first gas nozzle group 140, respectively. Arranged side by side. For example, the gas nozzles 150-1 to 150-6 are arranged so as to be in contact with the lower portions of the gas nozzles 140-1 to 140-6, respectively.

これにより、各ガスノズルが並んで配置される方向（Ｘ軸方向）において、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とで不活性ガスの吐出位置を揃えることができる。 As a result, in the direction in which the gas nozzles are arranged side by side (X-axis direction), the ejection positions of the inert gas can be aligned between the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150.

なお、ガスノズル１５０－１～１５０－６は、ガスノズル１４０－１～１４０－６に対して接触しないように配置されていてもよい。また、ガスノズル１５０－１～１５０－６は、ガスノズル１４０－１～１４０－６に対してそれぞれ上部に接触するように配置されてもよい。 The gas nozzles 150-1 to 150-6 may be arranged so as not to come into contact with the gas nozzles 140-1 to 140-6. Further, the gas nozzles 150-1 to 150-6 may be arranged so as to be in contact with the upper portions of the gas nozzles 140-1 to 140-6, respectively.

また、本開示では、吐出口Ｈがガスノズル１４０－１～１４０－６、１５０－１～１５０－６の下半分に設けられる例について示しているが、吐出口Ｈがガスノズル１４０－１～１４０－６、１５０－１～１５０－６の上半分に設けられていてもよい。また、吐出口Ｈが、ガスノズル１４０－１～１４０－６、１５０－１～１５０－６の側部に設けられていてもよい。 Further, in the present disclosure, an example in which the discharge port H is provided in the lower half of the gas nozzles 140-1 to 140-6 and 150-1 to 150-6 is shown, but the discharge port H is provided in the gas nozzles 140-1 to 140-. 6, 150-1 to 150-6 may be provided in the upper half. Further, the discharge port H may be provided on the side portion of the gas nozzles 140-1 to 140-6 and 150-1 to 150-6.

また、実施形態では、図７に示すように、ガスノズル１５０－１～１５０－６に形成される複数の吐出口Ｈが、ガスノズル１４０－１～１４０－６に形成される複数の吐出口Ｈに対して平面視で同じ位置に配置される。 Further, in the embodiment, as shown in FIG. 7, the plurality of discharge ports H formed in the gas nozzles 150-1 to 150-6 become the plurality of discharge ports H formed in the gas nozzles 140-1 to 140-6. On the other hand, they are arranged at the same position in a plan view.

これにより、各ガスノズルの延伸方向（Ｙ軸方向）において、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とで不活性ガスの吐出位置を揃えることができる。 Thereby, in the stretching direction (Y-axis direction) of each gas nozzle, the ejection positions of the inert gas can be aligned between the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150.

＜不活性ガスの吐出処理＞
つづいて、ここまで説明したエッチング処理装置６０におけるエッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理の詳細について、図８を参照しながら説明する。図８は、実施形態に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。 <Discharge processing of inert gas>
Subsequently, the details of the ejection treatment of the inert gas to the etching solution L in the etching processing apparatus 60 described so far will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the embodiment.

制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。 First, the control unit 7 (see FIG. 1) carries a plurality of wafers W (see FIG. 2) into the processing tank 111 (see FIG. 2) at time T1. Further, the control unit 7 opens the flow rate regulator 142 (see FIG. 5) in the time T1 to start discharging the inert gas from the first gas nozzle group 140 (see FIG. 5).

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ２で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。なお、時間Ｔ１以降でも、流量調整器１５２（図５参照）は閉状態が維持される。これにより、第２ガスノズル群１５０（図５参照）からは不活性ガスは吐出されない。 As a result, the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 measured by the pressure gauge 162 (see FIG. 5) becomes a given pressure value X at time T2, and is maintained at such a pressure value X thereafter. The flow rate regulator 152 (see FIG. 5) is maintained in the closed state even after the time T1. As a result, the inert gas is not discharged from the second gas nozzle group 150 (see FIG. 5).

一方で、時間Ｔ１から実施される不活性ガスの吐出処理中に、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６（図３参照）には、吐出口Ｈ（図６参照）側からエッチング液Ｌが流入（逆流）してくる。 On the other hand, during the ejection process of the inert gas carried out from the time T1, the gas nozzles 140-1 to 140-6 (see FIG. 3) of the first gas nozzle group 140 are connected to the gas nozzles 140-1 to 140-6 (see FIG. 3) from the ejection port H (see FIG. 6) side. The etching solution L flows in (backflow).

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６内の気液界面においてエッチング液Ｌ中のシリカの濃縮が起こり、乾燥することによって結晶化が進む。そして、さらに結晶化が進むことによって、ガスノズル１４０－１～１４０－６内で詰まりが発生する。 As a result, silica in the etching solution L is concentrated at the gas-liquid interface in the gas nozzles 140-1 to 140-6, and crystallization proceeds by drying. Then, as the crystallization progresses further, clogging occurs in the gas nozzles 140-1 to 140-6.

そのため、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間が経過するにつれて徐々に上昇し、時間Ｔ３で所与の第１の閾値Ｘ１以上となる。 Therefore, the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 gradually increases as time elapses, and becomes equal to or higher than the given first threshold value X1 at time T3.

ここで、実施形態では、制御部７が、ガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上となった第１ガスノズル群１４０に詰まりが発生したとみなし、かかる第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０に吐出ノズルを切り替える処理を実施する。 Here, in the embodiment, the control unit 7 considers that the first gas nozzle group 140 having the gas supply pressure equal to or higher than the first threshold value X1 is clogged, and the first gas nozzle group 140 to the second gas nozzle group 150 The process of switching the discharge nozzle is performed.

まず、制御部７は、時間Ｔ３で、流量調整器１４２を開状態から閉状態に変更する。次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ４で、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更することにより、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する。 First, the control unit 7 changes the flow rate regulator 142 from the open state to the closed state at time T3. Next, the control unit 7 changes the flow rate regulator 152 from the open state to the closed state at the time T4 when the gas supply pressure of the first gas nozzle group 140 becomes zero, so that the control unit 7 fails from the second gas nozzle group 150. Start discharging the active gas.

これにより、圧力計１６２で測定される第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧は、時間Ｔ５で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。 As a result, the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 measured by the pressure gauge 162 becomes a given pressure value X at time T5, and is maintained at such a pressure value X thereafter.

次に、時間Ｔ１から所与の処理時間が経過した時間Ｔ６において、複数のウェハＷのエッチング処理が完了すると、制御部７は、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。そして、制御部７は、第２ガスノズル群１５０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ７で、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出する。 Next, when the etching process of the plurality of wafers W is completed at the time T6 when the given processing time has elapsed from the time T1, the control unit 7 changes the flow rate regulator 152 from the open state to the closed state. Then, the control unit 7 carries out the plurality of wafers W from the processing tank 111 at the time T7 when the gas supply pressure of the second gas nozzle group 150 becomes zero.

ここまで説明したように、実施形態では、エッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理において、第１ガスノズル群１４０に詰まりが発生した場合に、かかる第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０に吐出ノズルを切り替える。 As described above, in the embodiment, when the first gas nozzle group 140 is clogged in the treatment of discharging the inert gas to the etching solution L, the first gas nozzle group 140 to the second gas nozzle group 150 are changed. Switch the discharge nozzle.

これにより、第１ガスノズル群１４０に詰まりが発生した場合でも、エッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理を継続することができる。したがって、実施形態によれば、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。 As a result, even if the first gas nozzle group 140 is clogged, the treatment for discharging the inert gas into the etching solution L can be continued. Therefore, according to the embodiment, the inert gas can be stably discharged into the etching solution L stored in the processing tank 111.

また、実施形態では、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へ吐出ノズルを切り替えた時間Ｔ３で、制御部７は、流量調整器１４４（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０を大気開放するとよい。 Further, in the embodiment, the control unit 7 opens the flow rate regulator 144 (see FIG. 5) at the time T3 when the discharge nozzle is switched from the first gas nozzle group 140 to the second gas nozzle group 150. It is preferable to open the 1 gas nozzle group 140 to the atmosphere.

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込むことができることから、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部に付着する結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄することができる。 As a result, the etching solution L can be drawn into the gas nozzles 140-1 to 140-6, so that the etching cleaning can be performed with the etching solution L in which the crystals adhering to the inside of the gas nozzles 140-1 to 140-6 are drawn. can.

すなわち、実施形態では、詰まりが発生した第１ガスノズル群１４０を、不活性ガスの吐出処理に使用していない時に洗浄することができる。これにより、切り替えられた第２ガスノズル群１５０に詰まりが発生した場合でも、洗浄した第１ガスノズル群１４０に吐出ノズルを再度切り替えることができる。 That is, in the embodiment, the clogged first gas nozzle group 140 can be washed when it is not used for the ejection process of the inert gas. As a result, even if the switched second gas nozzle group 150 is clogged, the discharge nozzle can be switched again to the washed first gas nozzle group 140.

したがって、実施形態によれば、第２ガスノズル群１５０に詰まりが発生した場合でも、エッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理を継続することができるから、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。 Therefore, according to the embodiment, even if the second gas nozzle group 150 is clogged, the treatment for discharging the inert gas to the etching liquid L can be continued, so that the etching liquid L stored in the processing tank 111 can be continued. The inert gas can be discharged more stably into the inside of the.

また、実施形態では、複数のウェハＷのエッチング処理を開始した時間Ｔ１で、制御部７は、流量調整器１５２を閉状態で維持するとともに、流量調整器１５４（図５参照）を開状態にすることにより、第２ガスノズル群１５０を大気開放してもよい。 Further, in the embodiment, at the time T1 when the etching process of the plurality of wafers W is started, the control unit 7 keeps the flow rate regulator 152 in the closed state and opens the flow rate regulator 154 (see FIG. 5). By doing so, the second gas nozzle group 150 may be opened to the atmosphere.

これにより、ガスノズル１５０－１～１５０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込むことができることから、以前の使用時にガスノズル１５０－１～１５０－６の内部に付着した結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄することができる。 As a result, the etching solution L can be drawn into the gas nozzles 150-1 to 150-6, so that the etching solution L that draws in the crystals adhering to the inside of the gas nozzles 150-1 to 150-6 during the previous use is used for etching. Can be washed.

したがって、実施形態によれば、第２ガスノズル群１５０がシリコンの結晶で詰まることを抑制することができることから、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。 Therefore, according to the embodiment, since the second gas nozzle group 150 can be prevented from being clogged with silicon crystals, the inert gas is more stably discharged into the etching solution L stored in the processing tank 111. can do.

このように、実施形態では、不活性ガスの吐出処理に使用していないガスノズル群の内部にエッチング液Ｌを引き込んで、かかるガスノズル群を洗浄処理するとよい。これにより、かかるガスノズル群に吐出ノズルが切り替わった際に詰まりが発生することを抑制することができることから、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。 As described above, in the embodiment, the etching solution L may be drawn into the gas nozzle group not used for the ejection treatment of the inert gas, and the gas nozzle group may be cleaned. As a result, it is possible to suppress the occurrence of clogging when the discharge nozzle is switched to the gas nozzle group, so that the inert gas is more stably discharged to the inside of the etching solution L stored in the processing tank 111. be able to.

また、実施形態では、図６に示したように、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６の配管径と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６の配管径とが略等しいとよい。 Further, in the embodiment, as shown in FIG. 6, the pipe diameters of the gas nozzles 140-1 to 140-6 of the first gas nozzle group 140 and the pipe diameters of the gas nozzles 150-1 to 150-6 of the second gas nozzle group 150 And should be approximately equal.

これにより、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とを切り替えた場合でも、略等しい流量の不活性ガスをエッチング液Ｌに吐出することができる。したがって、実施形態によれば、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とを切り替えた場合でも、安定したエッチング処理を実施することができる。 As a result, even when the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 are switched, the inert gas having substantially the same flow rate can be discharged to the etching solution L. Therefore, according to the embodiment, stable etching processing can be performed even when the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 are switched.

なお、本開示では、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６の配管径と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６の配管径とが略等しい場合に限られない。たとえば、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６の配管径が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６の配管径よりも小さくてもよい。 In this disclosure, only when the pipe diameters of the gas nozzles 140-1 to 140-6 of the first gas nozzle group 140 and the pipe diameters of the gas nozzles 150-1 to 150-6 of the second gas nozzle group 150 are substantially the same. do not have. For example, the pipe diameter of the gas nozzles 150-1 to 150-6 of the second gas nozzle group 150 may be smaller than the pipe diameter of the gas nozzles 140-1 to 140-6 of the first gas nozzle group 140.

＜変形例１＞
つづいて、実施形態に係る基板処理システム１の各種変形例について、図９～図１６を参照しながら説明する。図９は、実施形態の変形例１に係るガス吐出部１３０に接続される配管の構成を示す概略ブロック図である。 <Modification 1>
Subsequently, various modifications of the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 16. FIG. 9 is a schematic block diagram showing a configuration of a pipe connected to the gas discharge unit 130 according to the first modification of the embodiment.

なお、以下の各種変形例では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。 In the following various modifications, the same parts as those in the embodiment are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

変形例１では、複数のガス供給路１４１ａ～１４１ｃに対してそれぞれ個別に不活性ガスが供給されるとともに、複数のガス供給路１５１ａ～１５１ｃに対してそれぞれ個別に不活性ガスが供給される。 In the first modification, the inert gas is individually supplied to the plurality of gas supply paths 141a to 141c, and the inert gas is individually supplied to the plurality of gas supply paths 151a to 151c.

具体的には、図９に示すように、不活性ガス供給源１６０から延びるガス供給路１６１は、ガス供給路１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃに分岐する。ガス供給路１６１ａには、圧力計１６２ａが設けられる。 Specifically, as shown in FIG. 9, the gas supply path 161 extending from the inert gas supply source 160 branches into gas supply paths 161a, 161b, 161c. A pressure gauge 162a is provided in the gas supply path 161a.

かかる圧力計１６２ａは、ガス供給路１６１ａを流れる不活性ガスの圧力を測定する。また、ガス供給路１６１ａは、圧力計１６２ａの下流側でガス供給路１４１ａとガス供給路１５１ａとに分岐する。 The pressure gauge 162a measures the pressure of the inert gas flowing through the gas supply path 161a. Further, the gas supply path 161a branches into a gas supply path 141a and a gas supply path 151a on the downstream side of the pressure gauge 162a.

ガス供給路１６１ａから分岐したガス供給路１４１ａには、流量調整器１４２ａが設けられる。流量調整器１４２ａは、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１、１４０－６（図３参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。 A flow rate regulator 142a is provided in the gas supply path 141a branched from the gas supply path 161a. The flow rate regulator 142a adjusts the supply amount of the inert gas supplied to the gas nozzles 140-1 and 140-6 (see FIG. 3) of the first gas nozzle group 140.

ガス供給路１４１ａにおける流量調整器１４２ａの下流側には、開放路１４３ａが接続され、かかる開放路１４３ａは流量調整器１４４ａを介して外部雰囲気に接続される。 An open path 143a is connected to the downstream side of the flow rate regulator 142a in the gas supply path 141a, and the open path 143a is connected to the external atmosphere via the flow rate regulator 144a.

また、ガス供給路１６１ａから分岐したガス供給路１５１ａには、流量調整器１５２ａが設けられる。流量調整器１５２ａは、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１、１５０－６（図４参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。 Further, a flow rate regulator 152a is provided in the gas supply path 151a branched from the gas supply path 161a. The flow rate regulator 152a adjusts the supply amount of the inert gas supplied to the gas nozzles 150-1 and 150-6 (see FIG. 4) of the second gas nozzle group 150.

ガス供給路１５１ａにおける流量調整器１５２ａの下流側には、開放路１５３ａが接続され、かかる開放路１５３ａは流量調整器１５４ａを介して外部雰囲気に接続される。 An open path 153a is connected to the downstream side of the flow rate regulator 152a in the gas supply path 151a, and the open path 153a is connected to the external atmosphere via the flow rate regulator 154a.

また、ガス供給路１６１から分岐するガス供給路１６１ｂには、圧力計１６２ｂが設けられる。かかる圧力計１６２ｂは、ガス供給路１６１ｂを流れる不活性ガスの圧力を測定する。また、ガス供給路１６１ｂは、圧力計１６２ｂの下流側でガス供給路１４１ｂとガス供給路１５１ｂとに分岐する。 Further, a pressure gauge 162b is provided in the gas supply path 161b branching from the gas supply path 161. The pressure gauge 162b measures the pressure of the inert gas flowing through the gas supply path 161b. Further, the gas supply path 161b branches into a gas supply path 141b and a gas supply path 151b on the downstream side of the pressure gauge 162b.

ガス供給路１６１ｂから分岐したガス供給路１４１ｂには、流量調整器１４２ｂが設けられる。流量調整器１４２ｂは、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－２、１４０－５（図３参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。 A flow rate regulator 142b is provided in the gas supply path 141b branched from the gas supply path 161b. The flow rate regulator 142b adjusts the supply amount of the inert gas supplied to the gas nozzles 140-2 and 140-5 (see FIG. 3) of the first gas nozzle group 140.

ガス供給路１４１ｂにおける流量調整器１４２ｂの下流側には、開放路１４３ｂが接続され、かかる開放路１４３ｂは流量調整器１４４ｂを介して外部雰囲気に接続される。 An open path 143b is connected to the downstream side of the flow rate regulator 142b in the gas supply path 141b, and the open path 143b is connected to the external atmosphere via the flow rate regulator 144b.

また、ガス供給路１６１ｂから分岐したガス供給路１５１ｂには、流量調整器１５２ｂが設けられる。流量調整器１５２ｂは、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－２、１５０－５（図４参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。 Further, a flow rate regulator 152b is provided in the gas supply path 151b branched from the gas supply path 161b. The flow rate regulator 152b adjusts the supply amount of the inert gas supplied to the gas nozzles 150-2 and 150-5 (see FIG. 4) of the second gas nozzle group 150.

ガス供給路１５１ｂにおける流量調整器１５２ｂの下流側には、開放路１５３ｂが接続され、かかる開放路１５３ｂは流量調整器１５４ｂを介して外部雰囲気に接続される。 An open path 153b is connected to the downstream side of the flow rate regulator 152b in the gas supply path 151b, and the open path 153b is connected to the external atmosphere via the flow rate regulator 154b.

また、ガス供給路１６１から分岐するガス供給路１６１ｃには、圧力計１６２ｃが設けられる。かかる圧力計１６２ｃは、ガス供給路１６１ｃを流れる不活性ガスの圧力を測定する。また、ガス供給路１６１ｃは、圧力計１６２ｃの下流側でガス供給路１４１ｃとガス供給路１５１ｃとに分岐する。 Further, a pressure gauge 162c is provided in the gas supply path 161c branching from the gas supply path 161. The pressure gauge 162c measures the pressure of the inert gas flowing through the gas supply path 161c. Further, the gas supply path 161c branches into a gas supply path 141c and a gas supply path 151c on the downstream side of the pressure gauge 162c.

ガス供給路１６１ｃから分岐したガス供給路１４１ｃには、流量調整器１４２ｃが設けられる。流量調整器１４２ｃは、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－３、１４０－４（図３参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。 A flow rate regulator 142c is provided in the gas supply path 141c branched from the gas supply path 161c. The flow rate regulator 142c adjusts the supply amount of the inert gas supplied to the gas nozzles 140-3 and 140-4 (see FIG. 3) of the first gas nozzle group 140.

ガス供給路１４１ｃにおける流量調整器１４２ｃの下流側には、開放路１４３ｃが接続され、かかる開放路１４３ｃは流量調整器１４４ｃを介して外部雰囲気に接続される。 An open path 143c is connected to the downstream side of the flow rate regulator 142c in the gas supply path 141c, and the open path 143c is connected to the external atmosphere via the flow rate regulator 144c.

また、ガス供給路１６１ｃから分岐したガス供給路１５１ｃには、流量調整器１５２ｃが設けられる。流量調整器１５２ｃは、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－３、１５０－４（図４参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。 Further, a flow rate regulator 152c is provided in the gas supply path 151c branched from the gas supply path 161c. The flow rate regulator 152c adjusts the supply amount of the inert gas supplied to the gas nozzles 150-3 and 150-4 (see FIG. 4) of the second gas nozzle group 150.

ガス供給路１５１ｃにおける流量調整器１５２ｃの下流側には、開放路１５３ｃが接続され、かかる開放路１５３ｃは流量調整器１５４ｃを介して外部雰囲気に接続される。 An open path 153c is connected to the downstream side of the flow rate regulator 152c in the gas supply path 151c, and the open path 153c is connected to the external atmosphere via the flow rate regulator 154c.

このような配管構成を有する変形例１では、制御部７（図１参照）が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１、１４０－６と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１、１５０－６とで吐出ノズルを切り替えることができる。 In the modified example 1 having such a piping configuration, the control unit 7 (see FIG. 1) has the gas nozzles 140-1 and 140-6 of the first gas nozzle group 140 and the gas nozzles 150-1 and 150 of the second gas nozzle group 150. The discharge nozzle can be switched with -6.

具体的には、上述の実施形態と同様に、変形例１では、制御部７が、流量調整器１４２ａを開状態にしてガスノズル１４０－１、１４０－６から不活性ガスをエッチング液Ｌ内に吐出する。この不活性ガスのガス供給圧は、圧力計１６２ａを用いて測定される。 Specifically, as in the above-described embodiment, in the first modification, the control unit 7 opens the flow rate regulator 142a and introduces the inert gas from the gas nozzles 140-1 and 140-6 into the etching solution L. Discharge. The gas supply pressure of the inert gas is measured using a pressure gauge 162a.

そして、ガスノズル１４０－１、１４０－６に詰まりが発生しガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上になった場合、制御部７は、流量調整器１４２ａを閉状態にするとともに流量調整器１５２ａを開状態にする。これにより、ガスノズル１４０－１、１４０－６からガスノズル１５０－１、１５０－６に吐出ノズルを切り替えることができる。 When the gas nozzles 140-1 and 140-6 are clogged and the gas supply pressure becomes equal to or higher than the first threshold value X1, the control unit 7 closes the flow rate regulator 142a and closes the flow rate regulator 152a. Open it. As a result, the discharge nozzle can be switched from the gas nozzles 140-1 and 140-6 to the gas nozzles 150-1 and 150-6.

さらに、制御部７は、流量調整器１４４ａを開状態にすることにより、ガスノズル１４０－１、１４０－６を大気開放する。これにより、ガスノズル１４０－１、１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込むことができることから、ガスノズル１４０－１、１４０－６の内部を洗浄処理することができる。 Further, the control unit 7 opens the gas nozzles 140-1 and 140-6 to the atmosphere by opening the flow rate regulator 144a. As a result, the etching solution L can be drawn into the gas nozzles 140-1 and 140-6, so that the inside of the gas nozzles 140-1 and 140-6 can be cleaned.

また、変形例１では、上記と同様に、制御部７が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－２、１４０－５と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－２、１５０－５とで吐出ノズルを切り替えることができる。 Further, in the first modification, the control unit 7 discharges the gas nozzles 140-2 and 140-5 of the first gas nozzle group 140 and the gas nozzles 150-2 and 150-5 of the second gas nozzle group 150 in the same manner as described above. The nozzle can be switched.

さらに、変形例１では、上記と同様に、制御部７が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－３、１４０－４と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－３、１５０－４とで吐出ノズルを切り替えることができる。 Further, in the first modification, the control unit 7 discharges the gas nozzles 140-3 and 140-4 of the first gas nozzle group 140 and the gas nozzles 150-3 and 150-4 of the second gas nozzle group 150 in the same manner as described above. The nozzle can be switched.

ここまで説明したように、本開示は、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０のすべてのガスノズルをそれぞれ一括で制御する場合に限られず、個別のガスノズルをそれぞれ独立に制御することができる。 As described above, the present disclosure is not limited to the case where all the gas nozzles of the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 are controlled collectively, and the individual gas nozzles can be controlled independently.

なお、変形例１では、６本のガスノズルを３組に分けてそれぞれ独立に制御する場合について示したが、本開示はかかる例に限られず、たとえば、６本すべてのガスノズルをそれぞれ独立に制御してもよい。 In the first modification, the case where the six gas nozzles are divided into three sets and controlled independently is shown, but the present disclosure is not limited to this example, and for example, all six gas nozzles are controlled independently. You may.

＜変形例２、３＞
図１０および図１１は、実施形態の変形例２および変形例３に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０の配置の一例を示す断面図である。 <Modifications 2 and 3>
10 and 11 are cross-sectional views showing an example of the arrangement of the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the modified examples 2 and 3 of the embodiment.

本開示の第２ガスノズル群１５０は、図６に示したように、第１ガスノズル群１４０に対して上下方向に並んで配置される場合に限られず、図１０に示すように、左右方向（水平方向）に並んで配置されていてもよい。 As shown in FIG. 6, the second gas nozzle group 150 of the present disclosure is not limited to the case where the second gas nozzle group 150 is arranged side by side in the vertical direction with respect to the first gas nozzle group 140, and as shown in FIG. 10, the second gas nozzle group 150 is arranged in the left-right direction (horizontal direction). It may be arranged side by side in the direction).

また、図１１に示すように、本開示の第２ガスノズル群１５０は、第１ガスノズル群１４０に対して千鳥状（すなわち、斜め方向）に並んで配置されていてもよい。 Further, as shown in FIG. 11, the second gas nozzle group 150 of the present disclosure may be arranged side by side in a staggered pattern (that is, in an oblique direction) with respect to the first gas nozzle group 140.

＜変形例４＞
図１２は、実施形態の変形例４に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０の配置の一例を示す側面図である。図１２に示すように、ガスノズル１５０－１～１５０－６に形成される複数の吐出口Ｈは、ガスノズル１４０－１～１４０－６に形成される複数の吐出口Ｈに対して平面視で異なる位置に配置されてもよい。 <Modification example 4>
FIG. 12 is a side view showing an example of the arrangement of the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the modified example 4 of the embodiment. As shown in FIG. 12, the plurality of discharge ports H formed in the gas nozzles 150-1 to 150-6 differ from each other in the plan view with respect to the plurality of discharge ports H formed in the gas nozzles 140-1 to 140-6. It may be placed in a position.

これにより、下部の第２ガスノズル群１５０から不活性ガスを吐出する場合に、吐出した不活性ガスが上部の第１ガスノズル群１４０に入りこむことを抑制することができる。 As a result, when the inert gas is discharged from the lower second gas nozzle group 150, it is possible to prevent the discharged inert gas from entering the upper first gas nozzle group 140.

＜変形例５＞
図１３は、実施形態の変形例５に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。 <Modification 5>
FIG. 13 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the modified example 5 of the embodiment.

変形例５において、制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ１１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ１１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。 In the modification 5, the control unit 7 (see FIG. 1) first carries a plurality of wafers W (see FIG. 2) into the processing tank 111 (see FIG. 2) at time T11. Further, the control unit 7 starts the discharge of the inert gas from the first gas nozzle group 140 (see FIG. 5) by opening the flow rate regulator 142 (see FIG. 5) in the time T11.

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ１２で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。なお、時間Ｔ１１以降でも、流量調整器１５２（図５参照）は閉状態が維持される。これにより、第２ガスノズル群１５０（図５参照）からは不活性ガスは吐出されない。 As a result, the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 measured by the pressure gauge 162 (see FIG. 5) becomes a given pressure value X at time T12, and is maintained at such a pressure value X thereafter. The flow rate regulator 152 (see FIG. 5) is maintained in the closed state even after the time T11. As a result, the inert gas is not discharged from the second gas nozzle group 150 (see FIG. 5).

一方で、時間Ｔ１１から実施される不活性ガスの吐出処理中に、ガスノズル１４０－１～１４０－６内で詰まりが発生する。これにより、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間が経過するにつれて徐々に上昇し、時間Ｔ１３で所与の第１の閾値Ｘ１以上となる。 On the other hand, during the ejection process of the inert gas carried out from the time T11, clogging occurs in the gas nozzles 140-1 to 140-6. As a result, the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 gradually increases with the passage of time, and becomes equal to or higher than the given first threshold value X1 at the time T13.

すると、制御部７は、かかる時間Ｔ１３で、流量調整器１４２を開状態から閉状態に変更するとともに、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。これにより、第１ガスノズル群１４０からの不活性ガスの吐出を停止すると同時に、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する。 Then, the control unit 7 changes the flow rate regulator 142 from the open state to the closed state and changes the flow rate regulator 152 from the open state to the closed state at the time T13. As a result, the discharge of the inert gas from the first gas nozzle group 140 is stopped, and at the same time, the discharge of the inert gas from the second gas nozzle group 150 is started.

これにより、圧力計１６２で測定される第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧は、時間Ｔ１４で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。 As a result, the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 measured by the pressure gauge 162 becomes a given pressure value X at time T14, and is maintained at such a pressure value X thereafter.

また、変形例５では、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へ吐出ノズルを切り替えた時間Ｔ１３で、制御部７は、流量調整器１４４（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０を大気開放する。 Further, in the modified example 5, the control unit 7 opens the flow rate regulator 144 (see FIG. 5) at the time T13 when the discharge nozzle is switched from the first gas nozzle group 140 to the second gas nozzle group 150. The first gas nozzle group 140 is opened to the atmosphere.

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込んで、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部に付着する結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄する。 As a result, the etching solution L is drawn into the gas nozzles 140-1 to 140-6, and the crystals adhering to the inside of the gas nozzles 140-1 to 140-6 are subjected to etching cleaning with the etching solution L.

次に、時間Ｔ１１から所与の処理時間が経過した時間Ｔ１５で、複数のウェハＷのエッチング処理が完了すると、制御部７は、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。そして、制御部７は、第２ガスノズル群１５０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ１６で、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出する。 Next, when the etching process of the plurality of wafers W is completed at the time T15 when the given processing time has elapsed from the time T11, the control unit 7 changes the flow rate regulator 152 from the open state to the closed state. Then, the control unit 7 carries out the plurality of wafers W from the processing tank 111 at the time T16 when the gas supply pressure of the second gas nozzle group 150 becomes zero.

ここまで説明したように、変形例５では、第１ガスノズル群１４０に詰まりが発生した場合に、第１ガスノズル群１４０からの不活性ガスの吐出を停止する処理と、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する処理とを並行して進める。 As described above, in the modified example 5, when the first gas nozzle group 140 is clogged, the process of stopping the discharge of the inert gas from the first gas nozzle group 140 and the process of stopping the discharge of the inert gas from the second gas nozzle group 150 are performed. The process of starting the discharge of the inert gas proceeds in parallel.

これにより、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へのノズル切替処理の際に、ガス吐出部１３０からの不活性ガスの吐出量が一時的に低下することを抑制することができる。したがって、変形例５によれば、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。 As a result, it is possible to prevent the amount of inert gas discharged from the gas discharge unit 130 from temporarily decreasing during the nozzle switching process from the first gas nozzle group 140 to the second gas nozzle group 150. Therefore, according to the modified example 5, the inert gas can be more stably discharged to the inside of the etching solution L stored in the processing tank 111.

＜変形例６＞
図１４は、実施形態の変形例６に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。 <Modification 6>
FIG. 14 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the modified example 6 of the embodiment.

変形例６において、制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ２１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ２１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。 In the modification 6, the control unit 7 (see FIG. 1) first carries a plurality of wafers W (see FIG. 2) into the processing tank 111 (see FIG. 2) at time T21. Further, the control unit 7 starts the discharge of the inert gas from the first gas nozzle group 140 (see FIG. 5) by opening the flow rate regulator 142 (see FIG. 5) in the time T21.

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ２２で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。なお、時間Ｔ２１以降でも、流量調整器１５２（図５参照）は閉状態が維持される。これにより、第２ガスノズル群１５０（図５参照）からは不活性ガスは吐出されない。 As a result, the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 measured by the pressure gauge 162 (see FIG. 5) becomes a given pressure value X at time T22, and is maintained at such a pressure value X thereafter. The flow rate regulator 152 (see FIG. 5) is maintained in the closed state even after the time T21. As a result, the inert gas is not discharged from the second gas nozzle group 150 (see FIG. 5).

一方で、時間Ｔ２１から実施される不活性ガスの吐出処理中にガスノズル１４０－１～１４０－６などに何らかの不具合が生じた場合、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が急激に上昇し、時間Ｔ２３で所与の第２の閾値Ｘ２以上となる。 On the other hand, if any trouble occurs in the gas nozzles 140-1 to 140-6 or the like during the ejection process of the inert gas carried out from the time T21, the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 rises sharply, and the gas supply pressure rises sharply. At time T23, the given second threshold value X2 or more is obtained.

かかる第２の閾値Ｘ２は、第１の閾値Ｘ１よりも大きい値であり、たとえば、Ｘ２＝Ｘ＋２（Ｘ１－Ｘ）である。 The second threshold value X2 is a value larger than the first threshold value X1, and is, for example, X2 = X + 2 (X1-X).

すると、制御部７は、時間Ｔ２３で、流量調整器１４２を開状態から閉状態に変更する。次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ２４で、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更することにより、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する。 Then, the control unit 7 changes the flow rate regulator 142 from the open state to the closed state at time T23. Next, the control unit 7 changes the flow rate regulator 152 from the open state to the closed state at the time T24 when the gas supply pressure of the first gas nozzle group 140 becomes zero, so that the control unit 7 fails from the second gas nozzle group 150. Start discharging the active gas.

これにより、圧力計１６２で測定される第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧は、時間Ｔ２５で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。 As a result, the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 measured by the pressure gauge 162 becomes a given pressure value X at time T25, and is maintained at such a pressure value X thereafter.

また、変形例６では、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へ吐出ノズルを切り替えた時間Ｔ２３で、制御部７は、流量調整器１４４（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０を大気開放する。 Further, in the modification 6, at the time T23 when the discharge nozzle is switched from the first gas nozzle group 140 to the second gas nozzle group 150, the control unit 7 opens the flow rate regulator 144 (see FIG. 5). The first gas nozzle group 140 is opened to the atmosphere.

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込んで、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部に付着する結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄する。 As a result, the etching solution L is drawn into the gas nozzles 140-1 to 140-6, and the crystals adhering to the inside of the gas nozzles 140-1 to 140-6 are subjected to etching cleaning with the etching solution L.

次に、時間Ｔ２１から所与の処理時間が経過した時間Ｔ２６で、複数のウェハＷのエッチング処理が完了すると、制御部７は、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。そして、制御部７は、第２ガスノズル群１５０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ２７で、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出する。 Next, when the etching process of the plurality of wafers W is completed at the time T26 when the given processing time has elapsed from the time T21, the control unit 7 changes the flow rate regulator 152 from the open state to the closed state. Then, the control unit 7 carries out the plurality of wafers W from the processing tank 111 at the time T27 when the gas supply pressure of the second gas nozzle group 150 becomes zero.

ここまで説明したように、変形例６では、第１ガスノズル群１４０に何らかの不具合が生じてガス供給圧が急激に上昇し、かかるガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上になった場合に、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０に吐出ノズルを切り替える。 As described above, in the modified example 6, when some trouble occurs in the first gas nozzle group 140 and the gas supply pressure rises sharply and the gas supply pressure becomes equal to or higher than the second threshold value X2, the first gas supply pressure becomes the second. The discharge nozzle is switched from the 1 gas nozzle group 140 to the 2nd gas nozzle group 150.

このように、変形例６では、一方のガスノズル群に不具合が生じた場合でも、他方のガスノズル群に吐出ノズルを切り替えることにより、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。 As described above, in the modification 6, even if a problem occurs in one gas nozzle group, the inert gas is introduced into the etching liquid L stored in the processing tank 111 by switching the discharge nozzle to the other gas nozzle group. It can be discharged stably.

＜変形例７＞
図１５は、実施形態の変形例７に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。 <Modification 7>
FIG. 15 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the modified example 7 of the embodiment.

変形例７において、制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ３１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ３１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。 In the modification 7, the control unit 7 (see FIG. 1) first carries a plurality of wafers W (see FIG. 2) into the processing tank 111 (see FIG. 2) at time T31. Further, the control unit 7 starts the discharge of the inert gas from the first gas nozzle group 140 (see FIG. 5) by opening the flow rate regulator 142 (see FIG. 5) in the time T31.

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ３２で所与の圧力値Ｘとなる。 As a result, the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 measured by the pressure gauge 162 (see FIG. 5) becomes a given pressure value X at time T32.

しかしながら、何らかの不具合でガス供給圧が圧力値Ｘで安定せず、さらに上昇した場合、たとえガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上になったとしても、不活性ガスの吐出を開始した直後であれば、制御部７は、そのまま第１ガスノズル群１４０からの吐出を継続する。 However, if the gas supply pressure is not stable at the pressure value X due to some trouble and further rises, even if the gas supply pressure becomes equal to or higher than the first threshold value X1, even immediately after starting the discharge of the inert gas. For example, the control unit 7 continues to discharge from the first gas nozzle group 140 as it is.

たとえば、制御部７は、不活性ガスの吐出を開始した時間Ｔ３１から、所与の閾値（たとえば、１２０秒）が経過した時間Ｔ３３までの間には、ガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上になったとしても、第１ガスノズル群１４０からの不活性ガスの吐出を継続する。 For example, in the control unit 7, the gas supply pressure is equal to or higher than the first threshold value X1 between the time T31 when the ejection of the inert gas is started and the time T33 when a given threshold value (for example, 120 seconds) has elapsed. Even if it becomes, the ejection of the inert gas from the first gas nozzle group 140 is continued.

これにより、ガス供給圧が不活性ガスの吐出を開始した直後で安定せず、一時的に第１の閾値Ｘ１以上となった場合に、必要性の低いノズル切替処理が実施されることを抑制することができる。なお、時間Ｔ３３以降の処理は上記の実施形態と同様であることから、説明は省略する。 As a result, when the gas supply pressure is not stable immediately after the start of the discharge of the inert gas and temporarily exceeds the first threshold value X1, it is possible to prevent the nozzle switching process, which is less necessary, from being performed. can do. Since the processing after the time T33 is the same as that of the above embodiment, the description thereof will be omitted.

＜変形例８＞
図１６は、実施形態の変形例８に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。 <Modification 8>
FIG. 16 is a diagram showing changes in the gas supply pressure of the inert gas in the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 according to the modified example 8 of the embodiment.

変形例８において、制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ４１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ４１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。 In the modification 8, the control unit 7 (see FIG. 1) first carries a plurality of wafers W (see FIG. 2) into the processing tank 111 (see FIG. 2) at time T41. Further, the control unit 7 starts the discharge of the inert gas from the first gas nozzle group 140 (see FIG. 5) by opening the flow rate regulator 142 (see FIG. 5) in the time T41.

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ４２で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。なお、時間Ｔ４１以降でも、流量調整器１５２（図５参照）は閉状態が維持される。これにより、第２ガスノズル群１５０（図５参照）からは不活性ガスは吐出されない。 As a result, the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 measured by the pressure gauge 162 (see FIG. 5) becomes a given pressure value X at time T42, and is maintained at such a pressure value X thereafter. The flow rate regulator 152 (see FIG. 5) is maintained in the closed state even after the time T41. As a result, the inert gas is not discharged from the second gas nozzle group 150 (see FIG. 5).

そして、変形例８では、制御部７が、時間Ｔ４３になった際に、ガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上になっていなかったとしても、ノズル切替処理を実施する。かかる時間Ｔ４３は、不活性ガスの吐出を開始した時間Ｔ４１から所与の閾時間（たとえば、３６００秒）が経過した時間である。 Then, in the modification 8, the control unit 7 performs the nozzle switching process even if the gas supply pressure is not equal to or higher than the first threshold value X1 when the time T43 is reached. The time T43 is the time when a given threshold time (for example, 3600 seconds) has elapsed from the time T41 at which the ejection of the inert gas is started.

このように、制御部７は、時間Ｔ４３で、流量調整器１４２を開状態から閉状態に変更する。次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ４４で、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更することにより、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する。 In this way, the control unit 7 changes the flow rate regulator 142 from the open state to the closed state at time T43. Next, the control unit 7 changes the flow rate regulator 152 from the open state to the closed state at the time T44 when the gas supply pressure of the first gas nozzle group 140 becomes zero, so that the control unit 7 fails from the second gas nozzle group 150. Start discharging the active gas.

これにより、圧力計１６２で測定される第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧は、時間Ｔ４５で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。 As a result, the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 measured by the pressure gauge 162 becomes a given pressure value X at time T45, and is maintained at such a pressure value X thereafter.

また、変形例８では、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へ吐出ノズルを切り替えた時間Ｔ４３で、制御部７は、流量調整器１４４（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０を大気開放する。 Further, in the modified example 8, the control unit 7 opens the flow rate regulator 144 (see FIG. 5) at the time T43 when the discharge nozzle is switched from the first gas nozzle group 140 to the second gas nozzle group 150. The first gas nozzle group 140 is opened to the atmosphere.

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込んで、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部に付着する結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄する。 As a result, the etching solution L is drawn into the gas nozzles 140-1 to 140-6, and the crystals adhering to the inside of the gas nozzles 140-1 to 140-6 are subjected to etching cleaning with the etching solution L.

次に、時間Ｔ４１から所与の処理時間が経過した時間Ｔ４６で、複数のウェハＷのエッチング処理が完了すると、制御部７は、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。そして、制御部７は、第２ガスノズル群１５０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ４７で、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出する。 Next, when the etching process of the plurality of wafers W is completed at the time T46 when the given processing time has elapsed from the time T41, the control unit 7 changes the flow rate regulator 152 from the open state to the closed state. Then, the control unit 7 carries out the plurality of wafers W from the processing tank 111 at the time T47 when the gas supply pressure of the second gas nozzle group 150 becomes zero.

ここまで説明したように、変形例８では、一方のガスノズル群（ここでは、第１ガスノズル群１４０）で不活性ガスを吐出した経過時間が所与の閾時間以上になった場合に、他方のガスノズル群（ここでは、第２ガスノズル群１５０）に吐出ノズルを切り替える。 As described above, in the modified example 8, when the elapsed time for discharging the inert gas in one gas nozzle group (here, the first gas nozzle group 140) becomes equal to or longer than a given threshold time, the other gas nozzle group is used. The discharge nozzle is switched to the gas nozzle group (here, the second gas nozzle group 150).

これにより、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０で詰まりが発生することを未然に抑制することができる。したがって、変形例８によれば、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。 As a result, it is possible to prevent clogging from occurring in the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150. Therefore, according to the modified example 8, the inert gas can be more stably discharged to the inside of the etching solution L stored in the processing tank 111.

なお、ここまで説明した実施形態および各種変形例では、圧力計１６２を用いてガスノズル群の詰まりの有無を判定する例について示したが、ガスノズル群の詰まりの有無の判定処理は、圧力計１６２で用いて実施する場合に限られない。 In the embodiments and various modifications described so far, an example of determining the presence or absence of clogging of the gas nozzle group using the pressure gauge 162 has been shown, but the determination process of the presence or absence of clogging of the gas nozzle group is performed by the pressure gauge 162. It is not limited to the case where it is carried out by using.

たとえば、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの水頭圧を測定する水頭圧計を用いて、ガスノズル群の詰まりの有無を判定してもよい。たとえば、かかる水頭圧計によって測定されるエッチング液Ｌの水頭圧が所与の第３の閾値以上になった場合に、制御部７は、不活性ガスを吐出するガスノズル群に詰まりが発生したとみなし、ノズル切替処理を実施してもよい。 For example, the presence or absence of clogging of the gas nozzle group may be determined by using a head pressure gauge that measures the head pressure of the etching solution L stored in the processing tank 111. For example, when the head pressure of the etching solution L measured by the head pressure gauge becomes equal to or higher than a given third threshold value, the control unit 7 considers that the gas nozzle group for discharging the inert gas is clogged. , The nozzle switching process may be carried out.

これにより、一方のガスノズル群に詰まりが発生した場合でも、他方のガスノズル群に吐出ノズルを切り替えることができることから、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。 As a result, even if one gas nozzle group is clogged, the ejection nozzle can be switched to the other gas nozzle group, so that the inert gas is stably discharged into the etching solution L stored in the processing tank 111. can do.

実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、処理槽１１１と、第１ガスノズル群１４０と、第２ガスノズル群１５０と、制御部７と、を備える。処理槽１１１は、配列された複数の基板（ウェハＷ）を処理液（エッチング液Ｌ）に浸漬させて処理を行う。第１ガスノズル群１４０は、処理槽１１１の内部において複数の基板（ウェハＷ）よりも下方に配置され、処理槽１１１に貯留される処理液（エッチング液Ｌ）にガスを吐出する。第２ガスノズル群１５０は、第１ガスノズル群１４０に近接して配置され、処理槽１１１に貯留される処理液（エッチング液Ｌ）にガスを吐出する。制御部７は、各部を制御する。また、制御部７は、複数の基板（ウェハＷ）が処理液（エッチング液Ｌ）に浸漬されて処理されている際に、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０のうち一方のガスノズル群から処理液（エッチング液Ｌ）にガスを吐出する。また、制御部７は、所与の切替条件を検出した場合に、一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替える。これにより、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。 The substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment includes a processing tank 111, a first gas nozzle group 140, a second gas nozzle group 150, and a control unit 7. The processing tank 111 performs processing by immersing a plurality of arranged substrates (wafers W) in a processing liquid (etching liquid L). The first gas nozzle group 140 is arranged below the plurality of substrates (wafer W) inside the processing tank 111, and discharges gas to the processing liquid (etching liquid L) stored in the processing tank 111. The second gas nozzle group 150 is arranged close to the first gas nozzle group 140, and discharges gas to the processing liquid (etching liquid L) stored in the processing tank 111. The control unit 7 controls each unit. Further, the control unit 7 has a gas nozzle group of one of the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 when a plurality of substrates (wafer W) are immersed in the processing liquid (etching liquid L) for processing. Gas is discharged from the processing liquid (etching liquid L). Further, when the control unit 7 detects a given switching condition, the control unit 7 switches the gas discharge from one gas nozzle group to the other gas nozzle group. As a result, the inert gas can be stably discharged into the etching solution L stored in the processing tank 111.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、切替条件は、一方のガスノズル群に含まれるガスノズルの詰まり情報である。これにより、一方のガスノズル群に詰まりが発生した場合でも、エッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理を継続することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the switching condition is the clogging information of the gas nozzles included in one gas nozzle group. As a result, even if one of the gas nozzles is clogged, the treatment for discharging the inert gas into the etching solution L can be continued.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、ガスノズルの詰まり情報は、ガスノズルのガス供給圧が所与の第１の閾値Ｘ１以上になった場合に検出される。これにより、一方のガスノズル群に詰まりが発生したことを精度よく検出することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the clogging information of the gas nozzle is detected when the gas supply pressure of the gas nozzle becomes equal to or more than a given first threshold value X1. As a result, it is possible to accurately detect that one of the gas nozzle groups is clogged.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、切替条件は、ガスノズルのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１よりも大きい所与の第２の閾値Ｘ２以上になった場合に検出される。これにより、一方のガスノズル群に不具合が生じた場合でも、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the switching condition is detected when the gas supply pressure of the gas nozzle becomes a given second threshold value X2 or more, which is larger than the first threshold value X1. Will be done. As a result, even if a problem occurs in one of the gas nozzle groups, the inert gas can be stably discharged into the etching liquid L stored in the processing tank 111.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、ガスノズルの詰まり情報は、処理槽に１１１貯留される処理液（エッチング液Ｌ）の水頭圧が所与の第３の閾値以上になった場合に検出される。これにより、一方のガスノズル群に詰まりが発生したことを精度よく検出することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the clogging information of the gas nozzle is such that the head pressure of the processing liquid (etching liquid L) stored in 111 in the processing tank is equal to or higher than a given third threshold value. It is detected when it becomes. As a result, it is possible to accurately detect that one of the gas nozzle groups is clogged.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、切替条件は、一方のガスノズル群においてガスを吐出した経過時間が所与の閾時間以上になった場合に検出される。これにより、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０で詰まりが発生することを未然に抑制することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the switching condition is detected when the elapsed time for discharging gas in one of the gas nozzle groups becomes a given threshold time or more. As a result, it is possible to prevent clogging from occurring in the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部７は、一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替えた後に、一方のガスノズル群を大気開放する。これにより、詰まりが発生した一方のガスノズル群を、不活性ガスの吐出処理に使用していない時に洗浄することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the control unit 7 switches the gas discharge from one gas nozzle group to the other gas nozzle group, and then opens one gas nozzle group to the atmosphere. This makes it possible to clean one of the clogged gas nozzles when the inert gas is not being discharged.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第２ガスノズル群１５０は、第１ガスノズル群１４０に対して上下方向に並んで配置される。これにより、各ガスノズルが並んで配置される方向において、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とで不活性ガスの吐出位置を揃えることができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the second gas nozzle group 150 is arranged side by side in the vertical direction with respect to the first gas nozzle group 140. As a result, the ejection positions of the inert gas can be aligned between the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 in the direction in which the gas nozzles are arranged side by side.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第２ガスノズル群１５０に形成される複数の吐出口Ｈは、第１ガスノズル群１４０に形成される複数の吐出口Ｈと平面視で同じ位置に配置される。これにより、各ガスノズルの延伸方向において、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とで不活性ガスの吐出位置を揃えることができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the plurality of discharge ports H formed in the second gas nozzle group 150 are in plan view with the plurality of discharge ports H formed in the first gas nozzle group 140. Will be placed in the same position. As a result, the ejection positions of the inert gas can be aligned between the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 in the stretching direction of each gas nozzle.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第２ガスノズル群１５０に含まれるガスノズル１５０－１～１５０－６は、第１ガスノズル群１４０に含まれるガスノズル１４０－１～１４０－６と略等しい配管径を有する。これにより、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とを切り替えた場合でも、略等しい流量の不活性ガスを吐出することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the gas nozzles 150-1 to 150-6 included in the second gas nozzle group 150 are the gas nozzles 140-1 to 140- included in the first gas nozzle group 140. It has a pipe diameter substantially equal to 6. As a result, even when the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 are switched, the inert gas having substantially the same flow rate can be discharged.

＜基板処理の詳細＞
つづいて、図１７～図２２を参照しながら、実施形態および各種変形例に係る基板処理システム１が実行する基板処理の詳細について説明する。図１７は、実施形態に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。 <Details of board processing>
Subsequently, with reference to FIGS. 17 to 22, details of the substrate processing executed by the substrate processing system 1 according to the embodiment and various modifications will be described. FIG. 17 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing according to the embodiment.

最初に、制御部７は、複数のウェハＷを処理槽１１１に搬入する（ステップＳ１０１）。そして、制御部７は、第１ガスノズル群１４０から不活性ガスを吐出する（ステップＳ１０２）。 First, the control unit 7 carries a plurality of wafers W into the processing tank 111 (step S101). Then, the control unit 7 discharges the inert gas from the first gas nozzle group 140 (step S102).

次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ１０３）。そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ１０３，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ１０４）。 Next, the control unit 7 determines whether or not the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S103). When the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is not equal to or higher than the first threshold value X1 (steps S103, No), the control unit 7 starts the etching process of the plurality of wafers W and then gives a given process time. Is determined (step S104).

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ１０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、不活性ガスの吐出を停止して（ステップＳ１０５）、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出し（ステップＳ１０６）、一連の基板処理を終了する。 Then, when the given processing time has elapsed (step S104, Yes), the control unit 7 stops the discharge of the inert gas (step S105), and carries out the plurality of wafers W from the processing tank 111. (Step S106), a series of substrate processing is completed.

一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ１０４，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ１０３の処理に戻る。 On the other hand, when the given processing time has not elapsed (step S104, No), the control unit 7 returns to the processing of step S103.

また、ステップＳ１０３の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ１０７）。かかるノズル切替処理とは、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０に吐出ノズルを切り替える処理であり、詳細については後述する。 Further, in the process of step S103, when the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the first threshold value X1 (steps S103, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S107). .. The nozzle switching process is a process of switching the discharge nozzle from the first gas nozzle group 140 to the second gas nozzle group 150, and the details will be described later.

かかるノズル切替処理につづいて、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ１０８）。そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ１０８，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ１０９）。 Following the nozzle switching process, the control unit 7 determines whether or not the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S108). When the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is not equal to or higher than the first threshold value X1 (steps S108, No), the control unit 7 starts the etching process of the plurality of wafers W and then gives a given process time. Is determined (step S109).

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ１０９，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ１０５の処理に移行する。一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ１０９，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ１０８の処理に戻る。 Then, when the given processing time has elapsed (steps S109, Yes), the control unit 7 shifts to the processing of step S105. On the other hand, if the given processing time has not elapsed (steps S109, No), the control unit 7 returns to the processing of step S108.

また、ステップＳ１０８の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ１０８，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ１１０）、ステップＳ１０３の処理に移行する。 Further, in the process of step S108, when the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the first threshold value X1 (steps S108, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S110). , The process proceeds to step S103.

図１８は、実施形態に係るノズル切替処理の処理手順を示すフローチャートである。かかるノズル切替処理において、最初に、制御部７は、不活性ガスを吐出してきた一方のガスノズル群からの不活性ガスの吐出を停止する（ステップＳ１２１）。 FIG. 18 is a flowchart showing a processing procedure of the nozzle switching process according to the embodiment. In such a nozzle switching process, first, the control unit 7 stops the ejection of the inert gas from the one gas nozzle group that has ejected the inert gas (step S121).

次に、制御部７は、他方のガスノズル群から不活性ガスを吐出する（ステップＳ１２２）。そして、制御部７は、一方のガスノズル群の内部にエッチング液Ｌを引き込むことにより、かかる一方のガスノズル群を洗浄し（ステップＳ１２３）、一連のノズル切替処理を終了する。 Next, the control unit 7 discharges the inert gas from the other gas nozzle group (step S122). Then, the control unit 7 cleans the one gas nozzle group by drawing the etching solution L into the inside of the one gas nozzle group (step S123), and ends a series of nozzle switching processes.

図１９は、実施形態の変形例５に係るノズル切替処理の処理手順を示すフローチャートである。変形例５のノズル切替処理において、最初に、制御部７は、不活性ガスを吐出してきた一方のガスノズル群からの不活性ガスの吐出を停止する（ステップＳ１３１）。 FIG. 19 is a flowchart showing a processing procedure of the nozzle switching process according to the modified example 5 of the embodiment. In the nozzle switching process of the modified example 5, the control unit 7 first stops the ejection of the inert gas from the one gas nozzle group that has ejected the inert gas (step S131).

また、かかるステップＳ１３１の処理と並行して、制御部７は、他方のガスノズル群から不活性ガスを吐出する（ステップＳ１３２）。そして、制御部７は、一方のガスノズル群の内部にエッチング液Ｌを引き込むことにより、かかる一方のガスノズル群を洗浄し（ステップＳ１３３）、一連のノズル切替処理を終了する。 Further, in parallel with the process of step S131, the control unit 7 discharges the inert gas from the other gas nozzle group (step S132). Then, the control unit 7 cleans the one gas nozzle group by drawing the etching solution L into the inside of the one gas nozzle group (step S133), and ends a series of nozzle switching processes.

図２０は、実施形態の変形例６に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。最初に、制御部７は、複数のウェハＷを処理槽１１１に搬入する（ステップＳ２０１）。そして、制御部７は、第１ガスノズル群１４０から不活性ガスを吐出する（ステップＳ２０２）。 FIG. 20 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing according to the modification 6 of the embodiment. First, the control unit 7 carries a plurality of wafers W into the processing tank 111 (step S201). Then, the control unit 7 discharges the inert gas from the first gas nozzle group 140 (step S202).

次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上であるか否かを判定する（ステップＳ２０３）。そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上でない場合（ステップＳ２０３，Ｎｏ）、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ２０４）。 Next, the control unit 7 determines whether or not the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the second threshold value X2 (step S203). When the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is not equal to or higher than the second threshold value X2 (step S203, No), the control unit 7 has the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 equal to or higher than the first threshold value X1. (Step S204).

そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ２０４，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ２０５）。 When the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is not equal to or higher than the first threshold value X1 (step S204, No), the control unit 7 starts the etching process of the plurality of wafers W and then gives a given process time. Is determined (step S205).

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、制御部７は、不活性ガスの吐出を停止して（ステップＳ２０６）、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出し（ステップＳ２０７）、一連の基板処理を終了する。 Then, when the given processing time has elapsed (step S205, Yes), the control unit 7 stops the discharge of the inert gas (step S206), and carries out the plurality of wafers W from the processing tank 111. (Step S207), a series of substrate processing is completed.

一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ２０３の処理に戻る。 On the other hand, if the given processing time has not elapsed (steps S205, No), the control unit 7 returns to the processing of step S203.

また、ステップＳ２０３の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上である場合（ステップＳ２０３，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ２０８）。 Further, in the process of step S203, when the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the second threshold value X2 (steps S203, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S208). ..

また、ステップＳ２０４の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ２０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ２０８）。 Further, in the process of step S204, when the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S204, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S208). ..

かかるノズル切替処理につづいて、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上であるか否かを判定する（ステップＳ２０９）。そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上でない場合（ステップＳ２０９，Ｎｏ）、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ２１０）。 Following the nozzle switching process, the control unit 7 determines whether or not the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the second threshold value X2 (step S209). When the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is not equal to or higher than the second threshold value X2 (step S209, No), the control unit 7 has the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 equal to or higher than the first threshold value X1. (Step S210).

そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ２１０，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ２１１）。 When the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is not equal to or higher than the first threshold value X1 (step S210, No), the control unit 7 starts the etching process of the plurality of wafers W and then gives a given process time. Is determined (step S211).

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ２１１，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ２０６の処理に移行する。一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ２１１，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ２０９の処理に戻る。 Then, when the given processing time has elapsed (steps S211 and Yes), the control unit 7 shifts to the processing of step S206. On the other hand, if the given processing time has not elapsed (steps S211 and No), the control unit 7 returns to the processing in step S209.

また、ステップＳ２０９の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上である場合（ステップＳ２０９，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ２１２）、ステップＳ２０３の処理に移行する。 Further, in the process of step S209, when the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the second threshold value X2 (step S209, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S212). , The process proceeds to step S203.

また、ステップＳ２１０の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ２１０，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ２１２）、ステップＳ２０３の処理に移行する。 Further, in the process of step S210, when the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S210, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S212). , The process proceeds to step S203.

図２１は、実施形態の変形例７に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。最初に、制御部７は、複数のウェハＷを処理槽１１１に搬入する（ステップＳ３０１）。そして、制御部７は、第１ガスノズル群１４０から不活性ガスを吐出する（ステップＳ３０２）。 FIG. 21 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing according to the modified example 7 of the embodiment. First, the control unit 7 carries a plurality of wafers W into the processing tank 111 (step S301). Then, the control unit 7 discharges the inert gas from the first gas nozzle group 140 (step S302).

次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ３０３）。そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ３０３，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ３０４）。 Next, the control unit 7 determines whether or not the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S303). When the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is not equal to or higher than the first threshold value X1 (steps S303, No), the control unit 7 starts the etching process of the plurality of wafers W and then gives a given process time. Is determined (step S304).

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ３０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、不活性ガスの吐出を停止して（ステップＳ３０５）、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出し（ステップＳ３０６）、一連の基板処理を終了する。 Then, when the given processing time has elapsed (step S304, Yes), the control unit 7 stops the discharge of the inert gas (step S305), and carries out the plurality of wafers W from the processing tank 111. (Step S306), a series of substrate processing is completed.

一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ３０４，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ３０３の処理に戻る。 On the other hand, when the given processing time has not elapsed (step S304, No), the control unit 7 returns to the processing of step S303.

また、ステップＳ３０３の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ３０３，Ｙｅｓ）、制御部７は、第１ガスノズル群１４０が吐出開始直後であるか否かを判定する（ステップＳ３０７）。 Further, in the process of step S303, when the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S303, Yes), the control unit 7 immediately after the first gas nozzle group 140 starts discharging. It is determined whether or not there is (step S307).

かかるステップＳ３０７の処理において、制御部７は、第１ガスノズル群１４０が不活性ガスの吐出を開始してから所与の閾値（たとえば、１２０秒）が経過していないか否かを判定する。 In the process of step S307, the control unit 7 determines whether or not a given threshold value (for example, 120 seconds) has elapsed since the first gas nozzle group 140 started discharging the inert gas.

そして、第１ガスノズル群１４０が吐出開始直後である場合（ステップＳ３０７，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ３０３の処理に戻る。一方で、第１ガスノズル群１４０が吐出開始直後でない場合（ステップＳ３０７，Ｎｏ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ３０８）。 Then, when the first gas nozzle group 140 is immediately after the start of discharge (steps S307, Yes), the control unit 7 returns to the process of step S303. On the other hand, when the first gas nozzle group 140 is not immediately after the start of ejection (step S307, No), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S308).

次に、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ３０９）。そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ３０９，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ３１０）。 Next, the control unit 7 determines whether or not the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S309). When the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is not equal to or higher than the first threshold value X1 (step S309, No), the control unit 7 starts the etching process of the plurality of wafers W and then gives a given process time. Is determined (step S310).

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ３１０，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ３０５の処理に移行する。一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ３１０，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ３０９の処理に戻る。 Then, when the given processing time has elapsed (step S310, Yes), the control unit 7 shifts to the processing of step S305. On the other hand, when the given processing time has not elapsed (step S310, No), the control unit 7 returns to the processing of step S309.

また、ステップＳ３０９の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ３０９，Ｙｅｓ）、制御部７は、第２ガスノズル群１５０が吐出開始直後であるか否かを判定する（ステップＳ３１１）。 Further, in the process of step S309, when the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S309, Yes), the control unit 7 immediately after the second gas nozzle group 150 starts discharging. It is determined whether or not there is (step S311).

かかるステップＳ３１１の処理において、制御部７は、第２ガスノズル群１５０が不活性ガスの吐出を開始してから所与の閾値（たとえば、１２０秒）が経過していないか否かを判定する。 In the process of step S311, the control unit 7 determines whether or not a given threshold value (for example, 120 seconds) has elapsed since the second gas nozzle group 150 started discharging the inert gas.

そして、第２ガスノズル群１５０が吐出開始直後である場合（ステップＳ３１１，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ３０９の処理に戻る。一方で、第２ガスノズル群１５０が吐出開始直後でない場合（ステップＳ３１１，Ｎｏ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ３１２）、ステップＳ３０３の処理に移行する。 Then, when the second gas nozzle group 150 is immediately after the start of discharge (steps S311 and Yes), the control unit 7 returns to the process of step S309. On the other hand, when the second gas nozzle group 150 is not immediately after the start of ejection (steps S311 and No), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S312) and shifts to the process of step S303.

図２２は、実施形態の変形例８に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。最初に、制御部７は、複数のウェハＷを処理槽１１１に搬入する（ステップＳ４０１）。そして、制御部７は、第１ガスノズル群１４０から不活性ガスを吐出する（ステップＳ４０２）。 FIG. 22 is a flowchart showing a processing procedure of the substrate processing according to the modified example 8 of the embodiment. First, the control unit 7 carries a plurality of wafers W into the processing tank 111 (step S401). Then, the control unit 7 discharges the inert gas from the first gas nozzle group 140 (step S402).

次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ４０３）。そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ４０３，Ｎｏ）、制御部７は、第１ガスノズル群１４０で所与の吐出時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ４０４）。 Next, the control unit 7 determines whether or not the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S403). When the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is not equal to or higher than the first threshold value X1 (step S403, No), the control unit 7 determines whether or not a given discharge time has elapsed in the first gas nozzle group 140. (Step S404).

かかるステップＳ４０４の処理において、制御部７は、第１ガスノズル群１４０が不活性ガスの吐出を開始してから所与の閾時間（たとえば、３６００秒）が経過しているか否かを判定する。 In the process of step S404, the control unit 7 determines whether or not a given threshold time (for example, 3600 seconds) has elapsed since the first gas nozzle group 140 started discharging the inert gas.

そして、第１ガスノズル群１４０で所与の吐出時間が経過していない場合（ステップＳ４０４，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ４０５）。 When the given ejection time has not elapsed in the first gas nozzle group 140 (step S404, No), the control unit 7 has elapsed the given processing time since the etching process of the plurality of wafers W was started. It is determined whether or not this is done (step S405).

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ４０５，Ｙｅｓ）、制御部７は、不活性ガスの吐出を停止して（ステップＳ４０６）、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出し（ステップＳ４０７）、一連の基板処理を終了する。 Then, when the given processing time has elapsed (steps S405 and Yes), the control unit 7 stops the discharge of the inert gas (step S406) and carries out the plurality of wafers W from the processing tank 111. (Step S407), a series of substrate processing is completed.

一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ４０５，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ４０３の処理に戻る。 On the other hand, when the given processing time has not elapsed (steps S405 and No), the control unit 7 returns to the processing of step S403.

また、ステップＳ４０３の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ４０３，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ４０８）。 Further, in the process of step S403, when the gas supply pressure to the first gas nozzle group 140 is equal to or higher than the first threshold value X1 (steps S403, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S408). ..

また、ステップＳ４０４の処理において、第１ガスノズル群１４０で所与の吐出時間が経過している場合（ステップＳ４０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ４０８）。 Further, in the process of step S404, when a given discharge time has elapsed in the first gas nozzle group 140 (step S404, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S408).

かかるノズル切替処理につづいて、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ４０９）。そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ４０９，Ｎｏ）、制御部７は、第２ガスノズル群１５０で所与の吐出時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ４１０）。 Following the nozzle switching process, the control unit 7 determines whether or not the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S409). When the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is not equal to or higher than the first threshold value X1 (step S409, No), the control unit 7 determines whether or not a given discharge time has elapsed in the second gas nozzle group 150. (Step S410).

かかるステップＳ４１０の処理において、制御部７は、第２ガスノズル群１５０が不活性ガスの吐出を開始してから所与の閾時間（たとえば、３６００秒）が経過しているか否かを判定する。 In the process of step S410, the control unit 7 determines whether or not a given threshold time (for example, 3600 seconds) has elapsed since the second gas nozzle group 150 started discharging the inert gas.

そして、第２ガスノズル群１５０で所与の吐出時間が経過していない場合（ステップＳ４１０，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ４１１）。 When the given ejection time has not elapsed in the second gas nozzle group 150 (step S410, No), the control unit 7 has elapsed the given processing time since the etching process of the plurality of wafers W was started. It is determined whether or not this is done (step S411).

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ４１１，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ４０６の処理に移行する。一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ４１１，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ４０９の処理に戻る。 Then, when the given processing time has elapsed (steps S411, Yes), the control unit 7 shifts to the processing of step S406. On the other hand, when the given processing time has not elapsed (steps S411 and No), the control unit 7 returns to the processing of step S409.

また、ステップＳ４０９の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ４０９，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ４１２）、ステップＳ４０３の処理に移行する。 Further, in the process of step S409, when the gas supply pressure to the second gas nozzle group 150 is equal to or higher than the first threshold value X1 (step S409, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S412). , The process proceeds to step S403.

また、ステップＳ４１０の処理において、第２ガスノズル群１５０で所与の吐出時間が経過している場合（ステップＳ４１０，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ４１２）、ステップＳ４０３の処理に移行する。 Further, in the process of step S410, when the given discharge time has elapsed in the second gas nozzle group 150 (step S410, Yes), the control unit 7 performs the nozzle switching process (step S412), step S403. Move to the processing of.

実施形態に係る基板処理方法は、上述の基板処理装置（基板処理システム１）において、ガスを吐出する工程（ステップＳ１０２、Ｓ２０２、Ｓ３０２、Ｓ４０２）と、ガスの吐出を切り替える工程（ステップＳ１０７、Ｓ２０８、Ｓ３０８、Ｓ４０８）とを含む。ガスを吐出する工程は、複数の基板（ウェハＷ）が処理液（エッチング液Ｌ）に浸漬されて処理されている際に、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０のうち一方のガスノズル群から処理液（エッチング液Ｌ）にガスを吐出する。ガスの吐出を切り替える工程は、所与の切替条件を検出した場合に、一方のガスノズル群からのガスノズル群にガスの吐出を切り替える。これにより、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。 The substrate processing method according to the embodiment is a step of switching between a gas discharge step (steps S102, S202, S302, S402) and a gas discharge step (steps S107, S208) in the above-mentioned board processing apparatus (board processing system 1). , S308, S408). In the step of discharging gas, when a plurality of substrates (wafer W) are immersed in a processing liquid (etching liquid L) and processed, one of the first gas nozzle group 140 and the second gas nozzle group 150 is gas nozzle group. Gas is discharged from the processing liquid (etching liquid L). In the step of switching the gas discharge, when a given switching condition is detected, the gas discharge is switched from one gas nozzle group to the gas nozzle group. As a result, the inert gas can be stably discharged into the etching solution L stored in the processing tank 111.

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、ウェハＷ上に形成されるポリシリコン膜をＳＣ－１でエッチング処理した場合について示したが、ウェハＷに施される液処理はかかる例に限られない。 Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the spirit of the present disclosure. For example, in the above embodiment, the case where the polysilicon film formed on the wafer W is etched by SC-1 is shown, but the liquid treatment applied to the wafer W is not limited to such an example.

たとえば、ウェハＷ上に形成されるアルミニウム膜などを混酸処理液（リン酸、酢酸および硝酸の混合酸など）でエッチング処理する場合などに本開示の技術を適用してもよい。また、ウェハＷ上に形成されるシード層などをＳＰＭ（硫酸と過酸化水素の混合液）で除去処理する場合などに本開示の技術を適用してもよい。 For example, the technique of the present disclosure may be applied when an aluminum film or the like formed on the wafer W is etched with a mixed acid treatment liquid (mixed acid of phosphoric acid, acetic acid, nitric acid, etc.). Further, the technique of the present disclosure may be applied when the seed layer or the like formed on the wafer W is removed by SPM (mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide).

これらのように、ウェハＷを液処理する場合に、ガス吐出部のガスノズルに詰まりが生じる恐れがある液処理に対して、本開示の技術を適用することができる。 As described above, the technique of the present disclosure can be applied to the liquid treatment in which the gas nozzle of the gas discharge portion may be clogged when the wafer W is liquid-treated.

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. Indeed, the above embodiments can be embodied in a variety of forms. Moreover, the above-mentioned embodiment may be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of the attached claims and the purpose thereof.

１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
７ 制御部
６１ エッチング処理槽
１１１ 処理槽
１３０ ガス吐出部
１４０ 第１ガスノズル群
１４０－１～１４０－６ ガスノズル
１５０ 第２ガスノズル群
１５０－１～１５０－６ ガスノズル
Ｘ１ 第１の閾値
Ｘ２ 第２の閾値
Ｗ ウェハ（基板の一例）
Ｌ エッチング液（処理液の一例）
Ｈ 吐出口 1 Board processing system (an example of board processing equipment)
7 Control unit 61 Etching processing tank 111 Processing tank 130 Gas discharge unit 140 1st gas nozzle group 140-1 to 140-6 gas nozzle 150 2nd gas nozzle group 150-1 to 150-6 gas nozzle X1 1st threshold value X2 2nd threshold value W wafer (example of substrate)
L Etching liquid (example of treatment liquid)
H discharge port

Claims (11)

配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、
前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する第１ガスノズル群と、
前記第１ガスノズル群に近接して配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する第２ガスノズル群と、
各部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記複数の基板が前記処理液に浸漬されて処理されている際に、前記第１ガスノズル群および前記第２ガスノズル群のうち一方のガスノズル群から前記処理液にガスを吐出し、
所与の切替条件を検出した場合に、前記一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替える
基板処理装置。 A treatment tank in which a plurality of arranged substrates are immersed in a treatment liquid for treatment, and
A group of first gas nozzles arranged below the plurality of substrates inside the treatment tank and discharging gas to the treatment liquid stored in the treatment tank.
A second gas nozzle group arranged close to the first gas nozzle group and discharging gas to the treatment liquid stored in the treatment tank, and a second gas nozzle group.
A control unit that controls each unit,
Equipped with
The control unit
When the plurality of substrates are immersed in the treatment liquid for treatment, gas is discharged from one of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group into the treatment liquid.
A substrate processing device that switches gas discharge from one gas nozzle group to the other gas nozzle group when a given switching condition is detected. 前記切替条件は、前記一方のガスノズル群に含まれるガスノズルの詰まり情報である
請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the switching condition is clogging information of gas nozzles included in one of the gas nozzle groups. 前記ガスノズルの詰まり情報は、前記ガスノズルのガス供給圧が所与の第１の閾値以上になった場合に検出される
請求項２に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the clogging information of the gas nozzle is detected when the gas supply pressure of the gas nozzle becomes equal to or higher than a given first threshold value. 前記切替条件は、前記ガスノズルのガス供給圧が前記第１の閾値よりも大きい所与の第２の閾値以上になった場合に検出される
請求項３に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the switching condition is detected when the gas supply pressure of the gas nozzle becomes equal to or higher than a given second threshold value larger than the first threshold value. 前記ガスノズルの詰まり情報は、前記処理槽に貯留される前記処理液の水頭圧が所与の第３の閾値以上になった場合に検出される
請求項２～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The clogging information of the gas nozzle is according to any one of claims 2 to 4, which is detected when the head pressure of the treatment liquid stored in the treatment tank becomes equal to or higher than a given third threshold value. Board processing equipment. 前記切替条件は、前記一方のガスノズル群においてガスを吐出した経過時間が所与の閾時間以上になった場合に検出される
請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the switching condition is detected when the elapsed time of discharging gas in one of the gas nozzle groups becomes a given threshold time or more. 前記制御部は、前記一方のガスノズル群から前記他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替えた後に、前記一方のガスノズル群を大気開放する
請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the control unit opens the one gas nozzle group to the atmosphere after switching the gas discharge from the one gas nozzle group to the other gas nozzle group. .. 前記第２ガスノズル群は、前記第１ガスノズル群に対して上下方向に並んで配置される
請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the second gas nozzle group is arranged side by side in the vertical direction with respect to the first gas nozzle group. 前記第２ガスノズル群に形成される複数の吐出口は、前記第１ガスノズル群に形成される複数の吐出口と平面視で同じ位置に配置される
請求項８に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the plurality of discharge ports formed in the second gas nozzle group are arranged at the same positions in a plan view as the plurality of discharge ports formed in the first gas nozzle group. 前記第２ガスノズル群に含まれるガスノズルは、前記第１ガスノズル群に含まれるガスノズルと略等しい配管径を有する
請求項１～９のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the gas nozzle included in the second gas nozzle group has a piping diameter substantially equal to that of the gas nozzle included in the first gas nozzle group. 配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する第１ガスノズル群と、前記第１ガスノズル群に近接して配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する第２ガスノズル群と、を備える基板処理装置において、
前記複数の基板が前記処理液に浸漬されて処理されている際に、前記第１ガスノズル群および前記第２ガスノズル群のうち一方のガスノズル群から前記処理液にガスを吐出する工程と、
所与の切替条件を検出した場合に、前記一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替える工程と、
を含む基板処理方法。 A gas is applied to a treatment tank in which a plurality of arranged substrates are immersed in a treatment liquid to perform treatment, and a treatment liquid arranged inside the treatment tank below the plurality of substrates and stored in the treatment tank. In a substrate processing apparatus including a first gas nozzle group for discharging and a second gas nozzle group for discharging gas to the processing liquid stored in the processing tank and arranged close to the first gas nozzle group.
A step of discharging gas from one of the first gas nozzle group and the second gas nozzle group into the treatment liquid when the plurality of substrates are immersed in the treatment liquid and processed.
A step of switching gas discharge from one gas nozzle group to the other gas nozzle group when a given switching condition is detected, and
Substrate processing method including.
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