JP2022100954A - 硬質炭素膜とその成膜方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基材上の潤滑剤が接触する部位の少なくとも一部を被覆する硬質炭素膜であって、
1つ以上の角を備えた孔が、表面に複数形成されていることを特徴とする硬質炭素膜である。
前記孔の最長部の長さが、10~200μmであることを特徴とする請求項1に記載の硬質炭素膜である。
前記孔の膜表面に占める比率が、7~23%であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の硬質炭素膜である。
表面の算術平均粗さRaが、0.01~0.07μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の硬質炭素膜である。
前記孔の最大谷深さRvが、0.04~0.23μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の硬質炭素膜である。
前記孔の油溜り深さRvkが、0.03~0.35μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の硬質炭素膜である。
前記基材上に形成された中間層上に形成されており、
前記中間層が、クロムまたはタングステンを含む金属含有硬質炭素層であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の硬質炭素膜である。
前記基材が、基材本体部、および、前記基材本体部上に形成されたクロムまたはタングステンの金属下地層から構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の硬質炭素膜である。
請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の硬質炭素膜の成膜方法であって、
前記基材上に、硬質炭素膜を形成する硬質炭素膜形成工程と、
形成された前記硬質炭素膜に対して、複数の前記孔を形成する孔形成工程とを備えており、
前記硬質炭素膜形成工程が、炭化水素を原料とするプラズマCVD法による成膜と、固形炭素をスパッタカソードに用いたスパッタ法による成膜とを、同一真空チャンバー内で並行して行う複合プロセス工程であり、
前記孔形成工程が、前記スパッタカソードから発生して前記硬質炭素膜の表面に定着した炭素フレークを、研磨、除去することにより、前記孔を形成する工程であることを特徴とする硬質炭素膜の成膜方法である。
請求項7に記載の硬質炭素膜の成膜方法であって、
前記基材上に、中間層として、クロムまたはタングステンを含む金属含有硬質炭素層を形成する中間層形成工程と、
前記中間層上に、硬質炭素膜を形成する硬質炭素膜形成工程と、
形成された前記硬質炭素膜に対して、複数の前記孔を形成する孔形成工程とを備えており、
前記中間層形成工程が、炭化水素を原料とするプラズマCVD法による成膜と、クロムまたはタングステンをスパッタカソードに用いたスパッタ法による成膜とを、同一真空チャンバー内で並行して行う複合プロセス工程であり、
前記硬質炭素膜形成工程が、炭化水素を原料とするプラズマCVD法による成膜と、固形炭素をスパッタカソードに用いたスパッタ法による成膜とを、同一真空チャンバー内で並行して行う複合プロセス工程であり、
前記孔形成工程が、前記中間層形成工程において前記スパッタカソードの表面に付着した炭素被膜が崩れて発生した炭素片を除去することにより、前記孔を形成する工程であることを特徴とする硬質炭素膜の成膜方法である。
基材本体部上に、クロムまたはタングステンの金属下地層を形成して前記基材を形成する基材形成工程が設けられていることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の硬質炭素膜の成膜方法である。
前記基材の表面を、予め、水素ガス、酸素ガスおよび希ガスから成る群より選ばれた少なくとも1種のガスのプラズマに曝すことによりクリーニングすることを特徴とする請求項9ないし請求項11のいずれか1項に記載の硬質炭素膜の成膜方法である。
1.硬質炭素膜の概要
はじめに、本発明に係る硬質炭素膜(以下、「DLC膜」ともいう)の概要について説明する。本発明に係る硬質炭素膜は、基材上の潤滑剤が接触する部位の少なくとも一部を被覆する硬質炭素膜であって、1つ以上の角を備えた孔が、硬質炭素膜の表面に複数形成されていることを特徴としている。
以下、本発明について、実施の形態に基づき、図面を用いて具体的に説明する。
(1)表面の状態
はじめに、硬質炭素膜の表面状態について説明する。図1は、本実施の形態に係るDLC膜の表面SEM画像であり、後述する実施例における試料AのDLC膜の表面を撮影したものである。図1に示すように、DLC膜の表面には多数の微細な孔が形成されており、孔はDLC膜の表面にほぼ一様に分布している。また、個々の孔は、膜を表面から見た時に円形ではなく不定形であり、1個または複数個の角部を有している。
DLC膜の種類および膜厚は、特に限定されず、公知のDLC膜を公知の膜厚で使用することはできる。
次に、DLC膜の成膜方法について説明する。図2は、本実施の形態に係るDLC膜の形態を模式的に示す断面図であり、(a)は孔形成前の状態、(b)は孔形成後の状態を示している。図2において、1はDLC膜、2は基材、Fは炭素フレーク(以下、単に「フレーク」ともいう)、Hは孔である。なお、図2においては、DLC膜1と基材2の間に、下地3が形成されている。
本実施の形態のDLC膜は、前記のように、膜を表面から見た時に個々の孔は、円形ではなく不定形で、1個または複数個の角部を有し、さらに孔のサイズが大きいという特徴を有している。このことを明らかにするため、従来のDLC膜との比較を行った。図6および図7に、従来のDLC膜の表面SEM画像を示す。図6はアーク蒸着、図7はプラズマCVDで成膜されたDLC膜の表面SEM画像であり、それぞれ後述する実施例における試料B、試料Cの表面を撮影したものである。
本実施の形態において、上記したDLC膜およびその成膜方法は、以下の態様をとることが好ましい。
DLC膜は、以下に示す各態様をとることが好ましい。
孔Hのサイズは、最長部の長さが、10~200μmであることが好ましい。これにより、孔を潤滑剤溜りとして、適切に機能させることができる。
孔Hの膜表面に占める比率(面積比率)は、7~23%であることが好ましい。これにより、潤滑剤溜りとしての孔から、適切に潤滑剤を供給することができる。なお、孔Hの膜表面に占める比率は、例えば膜表面のマイクロスコープによる撮像データの総ピクセル数に対する孔Hのピクセル数の比率で求められる。
DLC膜の表面の算術平均粗さRaは、0.01~0.07μmであることが好ましい。これにより、DLC膜の摺動特性を適切に発揮させることができる。なお、「算術平均粗さRa」とは、JIS B601:2013に準拠する方法で測定された表面粗さにおける算術平均粗さを指している。
孔の最大谷深さRvは、0.04~0.23μmであることが好ましい。これにより、孔を潤滑剤溜りとして、適切に機能させることができる。なお、「最大谷深さRv」とは、JIS B601:2013に準拠する方法で測定された表面粗さにおける最大谷深さを指している。
孔の油溜り深さRvkは、0.03~0.35μmであることが好ましい。これにより、孔を潤滑剤溜りとして、適切に機能させることができる。なお、「孔の油溜り深さRvk」とは、JIS B601:2013に準拠する方法で測定された表面粗さにおける突出谷部深さを指している。
DLC膜は、基材上に接着層としてクロム(Cr)またはタングステン(W)などを含む金属下地層を形成した後、中間層として形成されたクロム(Cr)またはタングステン(W)を含む金属含有硬質炭素層の上に形成されていることが好ましい。これにより、DLC膜と基材の密着性を向上させることができる。
本実施の形態において、基材としては、基材本体部、および、前記基材本体部上に形成されたCrまたはWの金属下地層から構成されている基材を使用することが好ましい。これにより、DLC膜を基材とより密着させることができる。なお、金属下地層の厚みとしては、0.2~0.7μm程度が好ましく、例えば、スパッタ蒸着法やアーク蒸着法を用いて形成することができる。
DLC膜の成膜方法は、以下に示す各態様をとることが好ましい。
前記したように、DLC膜は、基材上に中間層として形成されたクロム(Cr)またはタングステン(W)を含む金属含有硬質炭素層の上に形成されていることが好ましい。図8は、この表層(DLC膜)と中間層の2層構造の形成を説明する図である。なお、図8において、11は表層、12は中間層である。
孔Hの形成は、成膜されたDLC膜1に対して、例えば、ラッピング加工などの研磨処理により行うことが好ましい。これにより、表面に付着したフレークFを、効率良く離脱させることができる。具体的には、ブラシラップ、フィルムラップ、バレル研磨などが適用される。
フレークFの存在率、即ちフレークFの膜表面に対する面積比率と、DLC膜の膜厚との間には相関性がある。図9は、膜厚が0.8μm、1.4μm、2.0μm、3.8μmのDLC膜表面のマイクロスコープによる撮像データから求めたフレークFの存在率と、DLC膜の膜厚との関係を示す図である。図9より、フレークFの存在率とDLC膜の膜厚との間には高い相関性があることが分かる。
また、DLC膜の算術平均粗さRa、最大谷深さRv、油溜り深さRvkと、DLC膜の膜厚との間には相関性がある。図11~図13は、それぞれ膜厚が0.8μm、1.4μm、2.0μm、3.8μmのDLC膜の算術平均粗さRa、最大谷深さRv、油溜り深さRvkと、膜厚の関係を示す図である。これらの図は、膜厚を制御することで、算術平均粗さRa、最大谷深さRv、油溜り深さRvkを調整することが可能であることを示しており、これらの相関性に基づいて、算術平均粗さRa、最大谷深さRv、油溜り深さRvkを所望の値に調整することができる。
なお、DLC膜の形成に際しては、基材の表面を、予め、水素ガス、酸素ガスおよび希ガスから成る群より選ばれた少なくとも1種のガスのプラズマに曝すことによりクリーニングすることが好ましい。これにより、基材の表面の不純物を除去して、クリーンな状態とすることができ、DLC膜と基材との密着力を向上させることができる。
1.基材
表1に示す通り、30mm径、3mm厚のSCM415浸炭(HRC60)で作製した基材を準備した。
(1)試料A
試料Aは、上記の基材上に、本発明に従い、スパッタ蒸着法とプラズマCVD法を併用してDLC膜を作製した試料である。具体的には、以下の設定で成膜し、基材上に膜厚0.8μmを形成した。
クリーニング工程 :Ar150ccm、圧力0.4Pa
フィラメントエミッション電流8A
基板バイアス電圧800V
金属下地(Cr)工程 :Ar250ccm、圧力0.9Pa
スパッタ電源出力5kW
基板バイアス電圧150V
Cr含有DLC(中間層)工程:Ar500ccm、C2H210~200ccm
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スパッタ電源出力3kW
基板バイアス電圧100~600V
DLC工程 :Ar250ccm、C2H2100ccm
圧力0.5Pa
スパッタ電源出力4kW
基板バイアス電圧550V
試料Bは、上記の基材上に、アーク蒸着法によりDLC膜を作製した試料である。具体的には、以下の設定で成膜し、基材上に膜厚1.0μmを形成した。
クリーニング工程 :Ar200ccm、圧力1.0Pa
基板バイアス電圧1000V
金属下地(Cr)工程:Ar10ccm、圧力0.1Pa
アーク電流45A
基板バイアス電圧400V
DLC工程 :Ar10ccm、圧力0.1Pa
アーク電流45A
基板バイアス電圧45V
試料Cは、上記の基材上に、プラズマCVDによりDLC膜を作製した試料である。具体的には、以下の設定で成膜し、基材上に膜厚3.0μmを形成した。
クリーニング工程 :Ar50ccm、圧力0.2Pa
放電電流20A、電磁コイル通電電流5A
基板バイアス電圧500V
スパッタ工程 :Ar50ccm、圧力0.3Pa
放電電流20A、電磁コイル通電電流0A
基板バイアス電圧100V
時間40分
Si含有DLC工程:Ar50ccm、TMS100ccm、C2H2100ccm
圧力0.1Pa
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基板バイアス500V
DLC工程 :Ar50ccm、C2H2100ccm、圧力0.1Pa
放電電流20A、電磁コイル通電電流5A
基板バイアス500V
次に、各試料のDLC膜の密着性を、ベアリングによる転動試験(スラスト試験)により評価した。
試験は、図14に示すスラスト試験機を使用して行った。具体的には、DLC膜が形成された各試料54のDLC膜の表面に所定量の潤滑剤を供給した後、一定荷重で軌道輪52に装着された鋼球51を押し付け、軌道輪52を同一軌道に沿って転動周回させ、鋼球51の周回軌道部にあらかじめ定めた回数、繰り返し荷重を与えることにより行った。試験条件の詳細を表1に示す。
(1)成膜時の表面状態
成膜時の各試料の表面状態を示すSEM画像として、図1に試料A、図6に試料B、図7に試料Cの表面状態を示す。
スラスト試験の結果を図15に示す。図15は、スラスト試験後の各試料の軌道部分の表面SEM画像である。
2 基材
3 下地
4 成膜装置
11 表層
12 中間層
41 真空チャンバー
42 スパッタカソード
51 鋼球
52 軌道輪
53 オイル
54 試料
F 炭素フレーク(フレーク)
H 孔
Claims (12)
- 基材上の潤滑剤が接触する部位の少なくとも一部を被覆する硬質炭素膜であって、
1つ以上の角を備えた孔が、表面に複数形成されていることを特徴とする硬質炭素膜。 - 前記孔の最長部の長さが、10~200μmであることを特徴とする請求項1に記載の硬質炭素膜。
- 前記孔の膜表面に占める比率が、7~23%であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の硬質炭素膜。
- 表面の算術平均粗さRaが、0.01~0.07μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の硬質炭素膜。
- 前記孔の最大谷深さRvが、0.04~0.23μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の硬質炭素膜。
- 前記孔の油溜り深さRvkが、0.03~0.35μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の硬質炭素膜。
- 前記基材上に形成された中間層上に形成されており、
前記中間層が、クロムまたはタングステンを含む金属含有硬質炭素層であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の硬質炭素膜。 - 前記基材が、基材本体部、および、前記基材本体部上に形成されたクロムまたはタングステンの金属下地層から構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の硬質炭素膜。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の硬質炭素膜の成膜方法であって、
前記基材上に、硬質炭素膜を形成する硬質炭素膜形成工程と、
形成された前記硬質炭素膜に対して、複数の前記孔を形成する孔形成工程とを備えており、
前記硬質炭素膜形成工程が、炭化水素を原料とするプラズマCVD法による成膜と、固形炭素をスパッタカソードに用いたスパッタ法による成膜とを、同一真空チャンバー内で並行して行う複合プロセス工程であり、
前記孔形成工程が、前記スパッタカソードから発生して前記硬質炭素膜の表面に定着した炭素フレークを、研磨、除去することにより、前記孔を形成する工程であることを特徴とする硬質炭素膜の成膜方法。 - 請求項7に記載の硬質炭素膜の成膜方法であって、
前記基材上に、中間層として、クロムまたはタングステンを含む金属含有硬質炭素層を形成する中間層形成工程と、
前記中間層上に、硬質炭素膜を形成する硬質炭素膜形成工程と、
形成された前記硬質炭素膜に対して、複数の前記孔を形成する孔形成工程とを備えており、
前記中間層形成工程が、炭化水素を原料とするプラズマCVD法による成膜と、クロムまたはタングステンをスパッタカソードに用いたスパッタ法による成膜とを、同一真空チャンバー内で並行して行う複合プロセス工程であり、
前記硬質炭素膜形成工程が、炭化水素を原料とするプラズマCVD法による成膜と、固形炭素をスパッタカソードに用いたスパッタ法による成膜とを、同一真空チャンバー内で並行して行う複合プロセス工程であり、
前記孔形成工程が、前記中間層形成工程において前記スパッタカソードの表面に付着した炭素被膜が崩れて発生した炭素片を除去することにより、前記孔を形成する工程であることを特徴とする硬質炭素膜の成膜方法。 - 基材本体部上に、クロムまたはタングステンの金属下地層を形成して前記基材を形成する基材形成工程が設けられていることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の硬質炭素膜の成膜方法。
- 前記基材の表面を、予め、水素ガス、酸素ガスおよび希ガスから成る群より選ばれた少なくとも1種のガスのプラズマに曝すことによりクリーニングすることを特徴とする請求項9ないし請求項11のいずれか1項に記載の硬質炭素膜の成膜方法。
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