JP2022095681A - クリーニング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
クリーニング方法及びプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022095681A JP2022095681A JP2022043940A JP2022043940A JP2022095681A JP 2022095681 A JP2022095681 A JP 2022095681A JP 2022043940 A JP2022043940 A JP 2022043940A JP 2022043940 A JP2022043940 A JP 2022043940A JP 2022095681 A JP2022095681 A JP 2022095681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- high frequency
- lower electrode
- plasma processing
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 24
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 23
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
・チャンバ12cの圧力:20mTorr(2.66Pa)
・チャンバ12cに供給されたガスの流量
C4F8ガス:24sccm
O2ガス:16sccm
Arガス:150sccm
・第1の高周波:100MHz、500Wの連続波
・下部電極18に対する負極性の直流電圧
電圧値:-3000V
周波数:200kHz
・処理時間:60秒
・チャンバ12cの圧力:20mTorr(2.66Pa)
・チャンバ12cに供給されたガスの流量
C4F8ガス:24sccm
O2ガス:16sccm
Arガス:150sccm
・第1の高周波:100MHz、500Wの連続波
・下部電極18に対する負極性の直流電圧
電圧値:-3000V
周波数:200kHz
デューティー比:35%
・処理時間:60秒
・チャンバ12cの圧力:20mTorr(2.66Pa)
・チャンバ12cに供給されるガスの流量
C4F8ガス:24sccm
O2ガス:16sccm
Arガス:150sccm
・第1の高周波:100MHz、500Wの連続波
・第2の高周波:400kHz、2500Wの連続波
・処理時間:60秒
Claims (10)
- プラズマ処理装置において実行されるクリーニング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバを提供するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に設けられたステージであり、下部電極を含み、その上に載置される基板を支持するように構成された、該ステージと、
前記チャンバに供給されるガスを励起させるための高周波を供給する高周波電源と、
前記下部電極に印加される負極性を有する直流電圧を発生する一以上の直流電源と、
を備え、該クリーニング方法は、
前記チャンバに供給されるガスのプラズマを生成するために前記高周波電源から高周波を供給する工程と、
前記プラズマ中のイオンを前記チャンバ本体の内壁に引き込むために、前記一以上の直流電源から前記下部電極に負極性を有する直流電圧を印加する工程と、
を含み、
前記プラズマ中の前記イオンを前記チャンバ本体の内壁に引き込むための工程として、前記一以上の直流電源のみをバイアス用の電源として用いて、直流電圧を印加する前記工程のみが行われ、
直流電圧を印加する前記工程では、前記直流電圧を前記下部電極に印加することと、前記直流電圧を前記下部電極に印加しないことと、を周期的に繰り返し、各々の周期内において前記直流電圧が前記下部電極に印加される期間が占める割合が40%より大きい値に設定される、
クリーニング方法。 - 前記プラズマ処理装置は、前記一以上の直流電源として複数の直流電源を備え、
各々の周期内において前記下部電極に印加される前記直流電圧は、前記複数の直流電源から順に出力される複数の直流電圧により形成される、
請求項1に記載のクリーニング方法。 - 前記複数の直流電圧は、互いに同一の電圧レベルを有する、請求項2に記載のクリーニング方法。
- 前記直流電圧の印加の開始と同時に前記高周波の供給が開始され、前記直流電圧の印加の停止と同時に前記高周波の供給が停止される、請求項1~3の何れか一項に記載のクリーニング方法。
- 前記直流電圧の印加の開始と同時に前記高周波の供給が停止され、前記直流電圧の印加の停止と同時に前記高周波の供給が開始される、請求項1~3の何れか一項に記載のクリーニング方法。
- チャンバを提供するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に設けられたステージであり、下部電極を含み、その上に載置される基板を支持するように構成された、該ステージと、
前記チャンバに供給されるガスを励起させるための高周波を供給する高周波電源と、
前記下部電極に印加される負極性を有する直流電圧を発生する一以上の直流電源と、
前記下部電極に対する前記直流電圧の印加を停止可能に構成された切替ユニットと、
前記切替ユニットを制御するように構成されたコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記チャンバ内で生成されたガスのプラズマ中のイオンを前記チャンバ本体の内壁に引き込むために前記一以上の直流電源からの負極性の直流電圧を前記下部電極に印加することと、前記一以上の直流電源からの負極性の直流電圧を前記下部電極に印加しないことと、を周期的に繰り返し、且つ、各々の周期内において前記直流電圧が前記下部電極に印加される期間が占める割合を40%より大きい値に設定するよう、前記切替ユニットを制御し、
前記コントローラは、前記プラズマ中の前記イオンを前記チャンバ本体の内壁に引き込むために用いるバイアス用の電源として、前記一以上の直流電源のみを用いる、
プラズマ処理装置。 - 前記一以上の直流電源として複数の直流電源を備え、
前記コントローラは、各々の周期内において前記下部電極に印加される前記直流電圧を前記複数の直流電源から順に出力される複数の直流電圧により形成するよう、前記切替ユニットを制御する、
請求項6に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数の直流電圧は、互いに同一の電圧レベルを有する、請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コントローラは、前記直流電圧の印加の開始と同時に前記高周波の供給が開始され、前記直流電圧の印加の停止と同時に前記高周波の供給が停止されるよう、前記高周波電源を制御する、請求項6~8の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コントローラは、前記直流電圧の印加の開始と同時に前記高周波の供給が停止され、前記直流電圧の印加の停止と同時に前記高周波の供給が開始されるよう、前記高周波電源を制御する、請求項6~8の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022043940A JP7302060B2 (ja) | 2017-08-18 | 2022-03-18 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
JP2023101798A JP2023123635A (ja) | 2017-08-18 | 2023-06-21 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017157832A JP7045152B2 (ja) | 2017-08-18 | 2017-08-18 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP2022043940A JP7302060B2 (ja) | 2017-08-18 | 2022-03-18 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017157832A Division JP7045152B2 (ja) | 2017-08-18 | 2017-08-18 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023101798A Division JP2023123635A (ja) | 2017-08-18 | 2023-06-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022095681A true JP2022095681A (ja) | 2022-06-28 |
JP7302060B2 JP7302060B2 (ja) | 2023-07-03 |
Family
ID=86996668
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022043940A Active JP7302060B2 (ja) | 2017-08-18 | 2022-03-18 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
JP2023101798A Pending JP2023123635A (ja) | 2017-08-18 | 2023-06-21 | プラズマ処理装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023101798A Pending JP2023123635A (ja) | 2017-08-18 | 2023-06-21 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7302060B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11293468A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-26 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 |
JP2010225751A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成長装置 |
JP2011252193A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Kobe Steel Ltd | イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材表面のクリーニング方法 |
US20130049592A1 (en) * | 2010-02-26 | 2013-02-28 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Method for controlling synchronization of pulsed plasma by applying dc power |
CN103785646A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 反应腔室清洗方法 |
-
2022
- 2022-03-18 JP JP2022043940A patent/JP7302060B2/ja active Active
-
2023
- 2023-06-21 JP JP2023101798A patent/JP2023123635A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11293468A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-26 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 |
JP2010225751A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成長装置 |
US20130049592A1 (en) * | 2010-02-26 | 2013-02-28 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Method for controlling synchronization of pulsed plasma by applying dc power |
JP2011252193A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Kobe Steel Ltd | イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材表面のクリーニング方法 |
CN103785646A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 反应腔室清洗方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023123635A (ja) | 2023-09-05 |
JP7302060B2 (ja) | 2023-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7045152B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP7061922B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
KR102494181B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JPWO2020145051A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20200219701A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US11923171B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP2021141050A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2024086851A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2020113753A (ja) | プラズマ処理装置及びエッチング方法 | |
KR20210097027A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
CN113410114A (zh) | 等离子体处理装置 | |
JP2022095681A (ja) | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 | |
JP7238191B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP7412620B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP6960421B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2021015930A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2020113752A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230621 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7302060 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |