JP2021015930A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を準備する工程であり、前記基板は、前記チャンバ内で基板支持器上に配置され、該基板支持器は、下部電極及び該下部電極上に設けられた静電チャックを含む、該工程と、
前記基板に対するプラズマ処理のために前記チャンバ内においてプラズマが生成されているときに、前記基板よりも前記チャンバの接地された側壁の近くで延在する導電性部材に、正極性の電圧を印加する工程と、
を含むプラズマ処理方法。 - 前記基板は、前記基板支持器上且つエッジリングによって囲まれた領域内に配置され、
該プラズマ処理方法は、前記基板に対する前記プラズマ処理のために前記チャンバ内において前記プラズマが生成されているときに、前記下部電極にバイアスを供給する工程を更に含み、
前記エッジリングは前記導電性部材であり、
前記バイアスは、高周波バイアス電力又は前記下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であり、
前記正極性の電圧は、前記基板の電位が0以上である期間において前記エッジリングに印加され、該期間において前記エッジリングの電位を前記基板の前記電位よりも高い電位に設定する、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記基板は、基板支持器上且つエッジリングによって囲まれた領域内に配置され、
前記導電性部材は、前記エッジリングから電気的に分離されており、前記エッジリングよりも前記チャンバの前記側壁の近くで延在しており、
該プラズマ処理方法は、前記基板に対する前記プラズマ処理のために前記チャンバ内において前記プラズマが生成されているときに、前記下部電極にバイアスを供給する工程を更に含み、
前記バイアスは、高周波バイアス電力又は前記下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であり、
前記正極性の電圧は、前記基板の電位が負である期間において前記導電性部材に印加される、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記正極性の電圧は、前記基板の電位が0以上である期間においても前記導電性部材に印加される、請求項3に記載のプラズマ処理方法。
- 前記正極性の電圧は、前記基板の電位が負である前記期間及び前記基板の電位が0以上である前記期間の双方において前記導電性部材に連続的に印加される直流電圧である、請求項4に記載のプラズマ処理方法。
- 前記基板の電位が負である前記期間において前記導電性部材に印加される前記正極性の電圧は、前記基板の電位が0以上である前記期間において前記導電性部材に印加される前記正極性の電圧よりも高い、請求項4に記載のプラズマ処理方法。
- 前記基板の電位が0以上である期間において前記エッジリングの電位を前記基板の前記電位よりも高い電位に設定するように、正極性の電圧が、前記エッジリングに印加される、請求項3に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ処理は、前記基板に対するプラズマエッチングである、請求項1〜7の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
- チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器であり、下部電極及び該下部電極上に設けられた静電チャックを含む、該基板支持器と、
前記基板支持器上に載置される基板よりも前記チャンバの接地された側壁の近くで延在する導電性部材に正極性の電圧を印加するように構成された電源装置と、
を備える、プラズマ処理装置。 - 基板に対するプラズマ処理のために前記チャンバ内においてプラズマが生成されているときに、前記下部電極にバイアスを供給するように構成されたバイアス電源を更に備え、
前記バイアスは、高周波バイアス電力又は前記下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であり、
前記導電性部材は、前記基板を囲むように延在するエッジリングであり、
前記電源装置は、前記基板の電位が0以上である期間において前記エッジリングに前記正極性の電圧を印加して、該期間において前記エッジリングの電位を前記基板の前記電位よりも高い電位に設定するように構成されている、
請求項9に記載のプラズマ処理装置。 - 前記基板支持器上に載置された基板を囲むように延在するエッジリングよりも前記チャンバの側壁の近くで延在する前記導電性部材と、
基板に対するプラズマ処理のために前記チャンバ内においてプラズマが生成されているときに、前記下部電極にバイアスを供給するように構成されたバイアス電源と、
を更に備え、
前記バイアスは、高周波バイアス電力又は前記下部電極に周期的に印加されるパルス状の負極性の電圧であり、
前記電源装置は、前記基板の電位が負である期間において、前記導電性部材に前記正極性の電圧を印加するように構成されている、
請求項9に記載のプラズマ処理装置。 - 前記電源装置は、前記基板の電位が0以上である期間においても前記正極性の電圧を前記導電性部材に印加するように構成されている、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電源装置は、前記基板の電位が負である前記期間及び前記基板の電位が0以上である前記期間の双方において前記正極性の電圧として直流電圧を前記導電性部材に連続的に印加するように構成されている、請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の電位が負である前記期間において前記導電性部材に印加される前記正極性の電圧は、前記基板の電位が0以上である前記期間において前記導電性部材に印加される前記正極性の電圧よりも高い、請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の電位が0以上である期間において前記エッジリングの電位を前記基板の前記電位よりも高い電位に設定するように、前記基板の電位が0以上である該期間において前記エッジリングに正極性の電圧を印加するように構成された別の電源装置を更に備える、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
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