JP2022082619A - Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 - Google Patents
Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022082619A JP2022082619A JP2022046216A JP2022046216A JP2022082619A JP 2022082619 A JP2022082619 A JP 2022082619A JP 2022046216 A JP2022046216 A JP 2022046216A JP 2022046216 A JP2022046216 A JP 2022046216A JP 2022082619 A JP2022082619 A JP 2022082619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- plating layer
- nickel
- terminal
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 29
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 181
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 138
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 106
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 106
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 106
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 35
- 239000002585 base Substances 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 19
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 7
- 229960003975 potassium Drugs 0.000 description 7
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 7
- SDKPSXWGRWWLKR-UHFFFAOYSA-M sodium;9,10-dioxoanthracene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)[O-] SDKPSXWGRWWLKR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- -1 cyanide alkali salt Chemical class 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N gold(1+);cyanide Chemical compound [Au+].N#[C-] IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 5
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 5
- UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N platinum titanium Chemical compound [Ti].[Pt] UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000001508 potassium citrate Substances 0.000 description 4
- 229960002635 potassium citrate Drugs 0.000 description 4
- QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K potassium citrate (anhydrous) Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 235000011082 potassium citrates Nutrition 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 2
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- FGRVOLIFQGXPCT-UHFFFAOYSA-L dipotassium;dioxido-oxo-sulfanylidene-$l^{6}-sulfane Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=S FGRVOLIFQGXPCT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 2
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(1+);dicyanide Chemical compound [K+].[Au+].N#[C-].N#[C-] XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 2
- ZWZLRIBPAZENFK-UHFFFAOYSA-J sodium;gold(3+);disulfite Chemical group [Na+].[Au+3].[O-]S([O-])=O.[O-]S([O-])=O ZWZLRIBPAZENFK-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- UCGZDNYYMDPSRK-UHFFFAOYSA-L trisodium;gold;hydroxy-oxido-oxo-sulfanylidene-$l^{6}-sulfane Chemical group [Na+].[Na+].[Na+].[Au].OS([S-])(=O)=O.OS([S-])(=O)=O UCGZDNYYMDPSRK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N Acrolein Chemical compound C=CC=O HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYPZCTCULRIASE-ZVGUSBNCSA-L [Pb+2].C([C@H](O)[C@@H](O)C(=O)[O-])(=O)[O-] Chemical compound [Pb+2].C([C@H](O)[C@@H](O)C(=O)[O-])(=O)[O-] AYPZCTCULRIASE-ZVGUSBNCSA-L 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- YNCZNSWQAGQAJY-UHFFFAOYSA-N but-2-yne-1,1-diol Chemical compound CC#CC(O)O YNCZNSWQAGQAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- BVTBRVFYZUCAKH-UHFFFAOYSA-L disodium selenite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Se]([O-])=O BVTBRVFYZUCAKH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L nickel chloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Ni+2] LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940093916 potassium phosphate Drugs 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 229940098424 potassium pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- YAZJAPBTUDGMKO-UHFFFAOYSA-L potassium selenate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Se]([O-])(=O)=O YAZJAPBTUDGMKO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940116357 potassium thiocyanate Drugs 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 1
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 1
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011781 sodium selenite Substances 0.000 description 1
- 229960001471 sodium selenite Drugs 0.000 description 1
- 235000015921 sodium selenite Nutrition 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- BUUPQKDIAURBJP-UHFFFAOYSA-N sulfinic acid Chemical compound OS=O BUUPQKDIAURBJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
【課題】優れた耐摩耗特性、電導性、摺動性及び低摩擦性を有し、かつ、高価な金の使用量を低減することができるＰＣＢ端子及びその製造方法を提供する。【解決手段】略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状のＰＣＢ端子であって、前記雄端子の全面に厚さが０．３μｍ～４．０μｍのニッケルめっき層を有し、前記ニッケルめっき層の全面に厚さが０超０．１μｍ以下の薄付け金めっき層が形成されており、前記雄端子の表面及び裏面に形成された前記ニッケルめっき層の表面のみに厚さが０．２μｍ～１．０μｍの厚付け金めっき層が形成されていること、を特徴とするＰＣＢ端子。【選択図】無し
Description
本発明はＰＣＢ端子の製造方法及びＰＣＢ端子に関し、より具体的には、優れた耐摩耗性、電導性、摺動性及び低摩擦性を有し、かつ、経済性に優れたＰＣＢ端子の製造方法及びＰＣＢ端子に関する。
ＰＣＢ端子は車載用及び民生用等の各種コネクタに使用されており、プリント回路基板の実装のために不可欠なものである。一般的には、平らなシート状の金属基板を打ち抜くことにより、複数の端子が櫛歯状に並んだ形状を有している。
また、良好な電気接点を実現するために、ＰＣＢ端子には優れた電気伝導性及び耐摩耗特性等が要求され、雌端子と嵌合する雄端子先端部には表面処理が施されることが多い。例えば、特許文献１（特開２００８－２８７９４２号公報）では、最表面にＳｎめっきが施されたＰＣＢコネクタ用端子が提案されている。
前記特許文献１に記載のＰＣＢコネクタ用端子においては、嵌合部の摩擦係数を０．２６以下、半田付け部のエージング後のゼロクロスタイムを５秒以下とすることができることから、コネクタへの挿入に際しての挿入力の低減と、基板側への半田付け部の半田濡れ性の向上に優れたＰＣＢ端子及びその製造方法を提供することができる、としている。
また、特許文献２（特開２００５－２０６８９３号公報）では、銅、または銅合金からなるコネクタ用端子の表面に、照射により表層部分が所定の溶解状態となるエネルギ密度を持ち、かつ、前記溶解表層部が溶解後直ちに再凝固するエネルギ照射量に制限する照射時間の短い電子ビームのパルスを少なくとも１回以上照射して、前記表面部分に銅アモルファス層を形成させることを特徴とするコネクタ用端子の表面改質方法が提案されている。
前記特許文献２に記載のコネクタ用端子の表面改質方法においては、電子ビームの照射によって銅アモルファス層が形成されるため、表面粗度が著しく改善され、耐摩耗性が増大し、かつ耐酸化等の耐腐食性があって、電気的接触抵抗等の電気的特性が低下することなく持続する優れた特性のコネクタ用端子を得ることができる、としている。
加えて、前記特許文献２に記載のコネクタ用端子の表面改質方法においては、上記特性の銅アモルファス層を形成させることができるため、耐食性及び電気特性を確保するための金めっき処理を施す必要がなく、高価な金の使用を避けることができる、としている。
しかしながら、前記特許文献１に記載のＰＣＢ用端子は摺動特性及び半田濡れ性が改善されているものの、最表面が錫めっき層であり、金めっき層と比較すると電気伝導性や耐久性等に関して十分ではない。
また、前記特許文献２に記載のコネクタ用端子の表面改質方法では電子ビームを使用することから、真空中での処理が必須であり、製造プロセスが煩雑になるだけでなく、コストも増加する。また、銅アモルファス層が必要な領域毎に電子ビームを照射させる必要があり、めっき処理等と比較すると長時間を要することになる。
以上のような従来技術における問題点に鑑み、本発明の目的は、優れた耐摩耗特性、電導性、摺動性及び低摩擦性を有し、かつ、高価な金の使用量を低減することができるＰＣＢ端子及びその製造方法を提供することにある。
本発明者は上記目的を達成すべく、ＰＣＢ端子の表面処理方法について鋭意研究を重ねた結果、雄端子の必要な領域のみに適当な金めっき処理を施すこと等が極めて有効であることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明は、
略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状のＰＣＢ端子の製造方法であって、
前記ＰＣＢ端子の形状とした金属基材にニッケルめっきを施し、前記雄端子の全面にニッケルめっき層を形成させる第一工程と、
前記雄端子の表面及び裏面にマスキング処理を施し、マスキング層を形成させる第二工程と、
前記雄端子の前記全面にレジストを塗布した後、前記マスキング層を剥離し、前記レジストを硬化させて前記雄端子の両側面にレジスト層を形成させる第三工程と、
前記雄端子に金めっき処理を施し、前記雄端子の前記表面及び前記裏面に金めっき層を形成させた後、前記レジスト層を剥離させる第四工程と、を含むこと、
を特徴とするＰＣＢ端子の製造方法を提供する。
略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状のＰＣＢ端子の製造方法であって、
前記ＰＣＢ端子の形状とした金属基材にニッケルめっきを施し、前記雄端子の全面にニッケルめっき層を形成させる第一工程と、
前記雄端子の表面及び裏面にマスキング処理を施し、マスキング層を形成させる第二工程と、
前記雄端子の前記全面にレジストを塗布した後、前記マスキング層を剥離し、前記レジストを硬化させて前記雄端子の両側面にレジスト層を形成させる第三工程と、
前記雄端子に金めっき処理を施し、前記雄端子の前記表面及び前記裏面に金めっき層を形成させた後、前記レジスト層を剥離させる第四工程と、を含むこと、
を特徴とするＰＣＢ端子の製造方法を提供する。
本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、雌端子と嵌合させた場合に通電に寄与する雄端子の表面及び裏面のみに金めっき層を形成することができ、雌端子と接触しない両側面への金めっき層の形成を防止することができる。その結果、金めっき層の形成に消費される金の量を効率的に低減することができる。
複雑形状を有する櫛歯状の金属基板に対して、任意の領域に良好な金めっき層を形成させることは困難であるが、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、金めっき層を形成させる雄端子の表面及び裏面にマスキング層を形成させることによりレジスト層の形成を抑制し、第四工程で雄端子の表面及び裏面のみに金めっき層を形成させることができる。
本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、前記ニッケルめっき層の表面に金フラッシュめっき処理を施す工程を有すること、が好ましい。ニッケルめっき層の表面に金フラッシュめっき層を形成させることで、第四工程において形成させる金めっき層とニッケルめっき層との密着性を十分に担保することができる。
また、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、前記第一工程の予備処理として、前記金属基材に下地ストライクめっき処理を施す工程を有すること、が好ましい。金属基材に下地ストライクめっき処理を施すことによって、ニッケルめっき層と金属基材との密着性を十分に担保することができる。なお、下地ストライクめっき処理としては、例えば、銅ストライクめっき処理、ニッケルストライクめっき処理等を用いることができる。
また、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、前記レジストの硬化直後に風冷すること、が好ましい。硬化でレジスト層が熱を持つことがあるが、レジストの直後に風冷することで、次工程への影響を排除することができる。
また、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、前記金めっき層の厚さを０．２μｍ～１．０μｍとすること、が好ましい。金めっき層の厚さを０．２μｍ以上とすることで、金の電気的特性や耐久性を十分に活用することができ、１．０μｍ以下とすることで、金の使用量を抑制できることに加え、生産性の悪化を抑制することができる。なお、金めっき層の厚さは０．４μｍ～０．８μｍとすることがより好ましく、０．５μｍ～０．７μｍとすることが最も好ましい。
また、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、前記ニッケルめっき層の表面に形成させる金フラッシュめっき層の厚さを０超０．１μｍ以下とすること、が好ましい。金フラッシュめっき層の厚さを０．１μｍ以下とすることで、金の使用量増加及び生産性の悪化を抑制することができる。なお、金フラッシュめっき層の厚さは０．０８μｍ以下とすることがより好ましく、０．０６μｍ以下とすることが最も好ましい。
また、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、前記ニッケルめっき層の厚さを０．３μｍ～４．０μｍとすること、が好ましい。ニッケルめっき層の厚さを０．３μｍ以上とすることで、金属基材に含まれる元素と金との拡散及び反応に伴う金属間化合物の形成による金めっき層の脆化を抑制することができ、４．０μｍ以下とすることで、ニッケルめっき層が存在することによる導電性及び機械的特性等の低下を抑制することができる。なお、ニッケルめっき層の厚さは、０．４μｍ～２．０μｍとすることがより好ましく、０．５μｍ～１．５μｍとすることが最も好ましい。
更に、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、前記レジストにネガ型のレジストを用いること、が好ましい。ポジ型のレジストを用いると、第三～第四工程を暗室で行う必要があり、装置が複雑化し、製造コストが増加する。これに対し、ネガ型を選択することで、これらの問題点を排除することができる。
また、本発明は、
略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状のＰＣＢ端子であって、
前記雄端子の全面にニッケルめっき層を有し、
前記雄端子の表面及び裏面に形成された前記ニッケルめっき層の表面のみに厚さが０．２μｍ～１．０μｍの厚付け金めっき層が形成されていること、
を特徴とするＰＣＢ端子、も提供する。
略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状のＰＣＢ端子であって、
前記雄端子の全面にニッケルめっき層を有し、
前記雄端子の表面及び裏面に形成された前記ニッケルめっき層の表面のみに厚さが０．２μｍ～１．０μｍの厚付け金めっき層が形成されていること、
を特徴とするＰＣＢ端子、も提供する。
本発明のＰＣＢ端子においては、嵌合時に主として雌端子に接触する雄端子の表面及び裏面に厚付け金めっき層が形成されていることから、十分な通電特性を担保することができる。一方で、通電特性に殆ど寄与しない雄端子の両側面には厚付け金めっき層が形成されておらず、金の使用量が最小限に留められている。
本願明細書において、厚付け金めっき層とは厚さが０．２μｍ～１．０μｍの金めっき層を意味する。金めっき層の厚さを０．２μｍ以上とすることで、金の電気的特性や耐久性を十分に活用することができ、１．０μｍ以下とすることで、金の使用量を抑制できることに加え、生産性の悪化を抑制することができる。なお、厚付け金めっき層の厚さは０．４μｍ～０．８μｍとすることがより好ましく、０．５μｍ～０．７μｍとすることが最も好ましい。
また、本発明のＰＣＢ端子においては端子の全面にニッケルめっきが形成されており、金属基材に含まれる元素と金との拡散及び反応に伴う金属間化合物の形成による金めっき層の脆化を抑制することができる。
また、本発明のＰＣＢ端子においては、前記ニッケルめっき層の全面に厚さが０超０．１μｍ以下の薄付け金めっき層が形成されていること、が好ましい。本願明細書において、薄付け金めっき層とは金フラッシュめっき処理によって形成された厚さが０．１μｍ以下の金めっき層を意味する。なお、薄付け金めっき層の厚さは０．０８μｍ以下とすることがより好ましく、０．０６μｍ以下とすることが最も好ましい。
本発明のＰＣＢ端子及びその製造方法によれば、優れた耐摩耗特性、電導性、摺動性及び低摩擦性を有し、かつ、高価な金の使用量を低減することができるＰＣＢ端子及びその製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照しながら本発明のＰＣＢ端子及びその製造方法の代表的な実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。なお、以下の説明では、同一または相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する場合がある。また、図面は、本発明を概念的に説明するためのものであるから、表された各構成要素の寸法やそれらの比は実際のものとは異なる場合もある。
≪ＰＣＢ端子の製造方法≫
図１は、本発明のＰＣＢ端子の製造方法の工程図である。本発明のＰＣＢ端子の製造方法は、雄端子の表面及び裏面のみに金めっき層を有するＰＣＢ端子の効率的な製造方法であって、ＰＣＢ端子の形状とした金属基材にニッケルめっきを施し、雄端子の全面にニッケルめっき層を形成させる第一工程（Ｓ０１）と、雄端子の表面及び裏面にマスキング層を形成させる第二工程（Ｓ０２）と、雄端子の両側面にレジスト層を形成させる第三工程（Ｓ０３）と、雄端子の表面及び裏面に金めっき層を形成させる第四工程（Ｓ０４）と、を含むことを特徴としている。以下、各工程について詳細に説明する。
図１は、本発明のＰＣＢ端子の製造方法の工程図である。本発明のＰＣＢ端子の製造方法は、雄端子の表面及び裏面のみに金めっき層を有するＰＣＢ端子の効率的な製造方法であって、ＰＣＢ端子の形状とした金属基材にニッケルめっきを施し、雄端子の全面にニッケルめっき層を形成させる第一工程（Ｓ０１）と、雄端子の表面及び裏面にマスキング層を形成させる第二工程（Ｓ０２）と、雄端子の両側面にレジスト層を形成させる第三工程（Ｓ０３）と、雄端子の表面及び裏面に金めっき層を形成させる第四工程（Ｓ０４）と、を含むことを特徴としている。以下、各工程について詳細に説明する。
（１）予備処理
適当な金属基材を出発材として、ＰＣＢ端子を製造する。金属基材はＰＣＢ端子の形状に加工されており、略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状となっている。ここで、端子の形状、大きさ及び本数等は特に限定されず、ＰＣＢ端子としての要求に応じて決定すればよい。
適当な金属基材を出発材として、ＰＣＢ端子を製造する。金属基材はＰＣＢ端子の形状に加工されており、略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状となっている。ここで、端子の形状、大きさ及び本数等は特に限定されず、ＰＣＢ端子としての要求に応じて決定すればよい。
金属基材に用いる金属は、電導性を有している限り特に限定されず、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、鉄及び鉄合金（例えば、鉄－ニッケル合金）、チタン及びチタン合金、ステンレス、銅及び銅合金等を挙げることができるが、なかでも、電導性・熱伝導性・展延性に優れているという理由から、銅又は真鍮を用いることが好ましい。
また、各種めっき処理の予備処理として、金属基材の洗浄を施すことが好ましい。金属基材の洗浄方法は本発明の効果を損なわない限りにおいて特に限定されず、従来公知の種々の洗浄方法を用いることができる。洗浄処理液としては、例えば、一般的な浸漬脱脂液や電解脱脂液を使用することができる。
（２）下地ストライクめっき処理
下地ストライクめっき処理は、第一工程（Ｓ０１）の予備処理であり、金属基材とニッケルめっき層との密着性を改善する必要がある場合は施すことが好ましい。下地ストライクめっき処理としては、例えば、銅ストライクめっき処理、ニッケルストライクめっき処理等を用いることができる。
下地ストライクめっき処理は、第一工程（Ｓ０１）の予備処理であり、金属基材とニッケルめっき層との密着性を改善する必要がある場合は施すことが好ましい。下地ストライクめっき処理としては、例えば、銅ストライクめっき処理、ニッケルストライクめっき処理等を用いることができる。
（Ａ）銅ストライクめっき
銅ストライクめっき浴としては、例えば、銅塩・電導塩を含むものを用いることができる。また、光沢剤が添加されていてもよい。
銅ストライクめっき浴としては、例えば、銅塩・電導塩を含むものを用いることができる。また、光沢剤が添加されていてもよい。
銅ストライクめっき処理に好適に用いることができる銅ストライクめっき浴は例えば、シアン化銅浴を用いることができる。シアン化銅浴は、銅塩、シアン化アルカリ塩及び電導塩により構成され、添加剤や光沢剤が添加されてもよい。
銅塩としては、例えば、シアン化銅を用いることが出来る。シアン化アルカリ塩には、例えば、シアン化カリウム及びシアン化ナトリウム等を用いることができる。電導塩には、例えば、炭酸カリウム及び炭酸ナトリウム等を用いることができる。添加剤には、例えば、ロッシェル塩、亜セレン酸カリウム、亜セレン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム、酢酸鉛、酒石酸鉛等を用いることができる。
銅ストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等の銅ストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、電解銅等の可溶性陽極、及び／又は、ステンレス鋼、チタン白金板、酸化イリジウム等の不溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２５～７０℃、電流密度：０．１～６．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：５～６０秒を例示することができる。
（Ｂ）ニッケルストライクめっき
ニッケルストライクめっき浴としては、例えば、ニッケル塩、陽極溶解促進剤及びｐＨ緩衝剤を含むものを用いることができる。また、ニッケルストライクめっき浴には添加剤が添加されていてもよい。
ニッケルストライクめっき浴としては、例えば、ニッケル塩、陽極溶解促進剤及びｐＨ緩衝剤を含むものを用いることができる。また、ニッケルストライクめっき浴には添加剤が添加されていてもよい。
ニッケル塩には、例えば、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル及び塩化ニッケル等を用いることができる。陽極溶解促進剤には、例えば、塩化ニッケル及び塩酸等を用いることができる。ｐＨ緩衝剤には、例えば、ホウ酸、酢酸ニッケル及びクエン酸等を用いることができる。添加剤には、例えば、１次光沢剤（サッカリン、ベンゼン、ナフタレン（ジ、トリ）、スルホン酸ナトリウム、スルホンアミド、スルフィン酸等）、２次光沢剤（有機化合物：ブチンジオール、クマリン、アリルアルデヒドスルホン酸等、金属塩：コバルト、鉛、亜鉛等）及びピット防止剤（ラウリル硫酸ナトリウム等）等を用いることができる。
ニッケルストライクめっき処理に好適に用いることができるニッケルストライクめっき浴の各構成要素の好適な使用量は、ニッケル塩：１００～３００ｇ／Ｌ、陽極溶解促進剤：０～３００ｇ／Ｌ、ｐＨ緩衝剤：０～５０ｇ／Ｌ、添加剤：０～２０ｇ／Ｌである。
ニッケルストライクめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等のニッケルストライクめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、電解ニッケル、カーボナイズドニッケル、デポライズドニッケル、サルファニッケル等の可溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０～３０℃、電流密度：１．０～５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１～３０秒、ｐＨ：０．５～４．５を例示することができる。
（３）ニッケルめっき処理（第一工程（Ｓ０１））
ニッケルめっき処理は、金属基材と金めっき層との間において、金属基材に含まれる元素と金との拡散及び反応を防止するバリア層として機能するニッケルめっき層を形成させるために施される処理である。金属基材と金めっき層との間にニッケルめっき層が存在することで、金属基材に含まれる元素と金との拡散及び反応に伴う金属間化合物の形成による金めっき層の脆化を抑制することができる。
ニッケルめっき処理は、金属基材と金めっき層との間において、金属基材に含まれる元素と金との拡散及び反応を防止するバリア層として機能するニッケルめっき層を形成させるために施される処理である。金属基材と金めっき層との間にニッケルめっき層が存在することで、金属基材に含まれる元素と金との拡散及び反応に伴う金属間化合物の形成による金めっき層の脆化を抑制することができる。
ニッケルめっき浴としては、例えば、ワット浴やスルファミン酸浴を用いることができるが、電着応力の低いスルファミン酸浴を用いることが好ましい。なお、強酸性のウッドストライク浴は避ける方が好ましい。ニッケルめっき処理には、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々のニッケルめっき手法を用いることができる。例えば、ニッケルめっき浴は硫酸ニッケル・スルファミン酸ニッケル・塩化ニッケル等のニッケル塩と、塩化ニッケル等の陽極溶解剤と、ホウ酸・酢酸・クエン酸等のｐＨ緩衝剤とで構成された液に、添加剤として少量の光沢剤やレベリング剤、ピット防止剤等を添加したものを用いることができる。各構成要素の好適な使用量は、ニッケル塩：１００～６００ｇ／Ｌ、陽極溶解剤：０～５０ｇ／Ｌ、ｐＨ緩衝剤：２０～５０ｇ／Ｌ、添加剤：～５０００ｐｐｍである。
ニッケルめっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等のニッケルめっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、ニッケル板等の可溶性陽極を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：４０～６０℃、電流密度：０．１～５０Ａ／ｄｍ２、ｐＨ：３．０～５．０を例示することができる。
なお、第一工程のニッケルめっき処理によって形成されるニッケルめっき層は、連続する膜形状であることが好ましく、当該ニッケルめっき層の厚さは０．３μｍ～４．０μｍであることが好ましい。０．３μｍ未満であるとバリア効果に乏しく、４μｍ超であると曲げ加工時にクラックが発生しやすくなる。ニッケルめっき層の厚さは、０．４μｍ～２．０μｍとすることがより好ましく、０．５μｍ～１．５μｍとすることが最も好ましい。なお、ニッケルめっき層は、本発明の効果を損なわない範囲で、粒状や島状の不連続な膜形状であってもよく、その場合、粒状及び島状部分が部分的に連続していてもよい。
（４）金めっきフラッシュ処理
金めっきフラッシュ処理は、第一工程（Ｓ０１）で形成させたニッケルめっき層に対する処理であり、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、ニッケルめっき層の表面に金めっきフラッシュ処理を施す工程を有すること、が好ましい。金めっきフラッシュ処理を施すことで、嵌合部ではない部分（金めっき層を厚くする必要がない部分）に耐食性をもたせることができる。また、ニッケルめっき層の表面に薄い金めっき層を形成させることで、第四工程（Ｓ０４）において形成させる金めっき層とニッケルめっき層との密着性を十分に担保することができる。なお、金めっきフラッシュ処理は金めっき処理後に施してもよい。
金めっきフラッシュ処理は、第一工程（Ｓ０１）で形成させたニッケルめっき層に対する処理であり、本発明のＰＣＢ端子の製造方法においては、ニッケルめっき層の表面に金めっきフラッシュ処理を施す工程を有すること、が好ましい。金めっきフラッシュ処理を施すことで、嵌合部ではない部分（金めっき層を厚くする必要がない部分）に耐食性をもたせることができる。また、ニッケルめっき層の表面に薄い金めっき層を形成させることで、第四工程（Ｓ０４）において形成させる金めっき層とニッケルめっき層との密着性を十分に担保することができる。なお、金めっきフラッシュ処理は金めっき処理後に施してもよい。
金めっきフラッシュ浴としては、例えば、金塩、電導塩、キレート剤及び結晶成長剤を含むものを用いることができる。また、金めっきフラッシュ浴には光沢剤が添加されていてもよい。
金塩には、例えば、シアン化金、シアン化第一金カリウム、シアン化第二金カリウム、亜硫酸金ナトリウム及びチオ硫酸金ナトリウム等を用いることができる。電導塩には、例えば、クエン酸カリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸カリウム及びチオ硫酸カリウム等を用いることができる。キレート剤には、例えば、エチレンジアミン四酢酸及びメチレンホスホン酸等を用いることができる。結晶成長剤には、例えば、コバルト、ニッケル、タリウム、銀、パラジウム、錫、亜鉛、銅、ビスマス、インジウム、ヒ素及びカドミウム等を用いることができる。なお、ｐＨ調整剤として、例えば、ポリリン酸、クエン酸、酒石酸、水酸化カリウム及び塩酸等を添加してもよい。
金めっきフラッシュ処理に好適に用いることができる金めっきフラッシュ浴の各構成要素の好適な使用量は、金塩：１～１０ｇ／Ｌ、電導塩：０～２００ｇ／Ｌ、キレート剤：０～３０ｇ／Ｌ、結晶成長剤：０～３０ｇ／Ｌである。
金めっきフラッシュ浴の浴温度、陽極材料、電流密度等の金めっきフラッシュ条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、チタン白金板及び酸化イリジウム等の不溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０～４０℃、電流密度：０．１～５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１～６０秒、ｐＨ：０．５～７．０を例示することができる。
（５）マスキング処理（第二工程（Ｓ０２））
マスキング処理は、第三工程（Ｓ０３）におけるレジスト層の形成を防止するマスキング層を形成するための処理である。なお、マスキング処理の前には、各種めっき処理を施した金属基材を乾燥機等にて乾燥させておくことが好ましい。ここで、第三工程（Ｓ０３）で雄端子の表面及び裏面にレジスト層が形成することを防止するため、雄端子の表面及び裏面にマスキング処理を行う必要がある。
マスキング処理は、第三工程（Ｓ０３）におけるレジスト層の形成を防止するマスキング層を形成するための処理である。なお、マスキング処理の前には、各種めっき処理を施した金属基材を乾燥機等にて乾燥させておくことが好ましい。ここで、第三工程（Ｓ０３）で雄端子の表面及び裏面にレジスト層が形成することを防止するため、雄端子の表面及び裏面にマスキング処理を行う必要がある。
本発明の効果を損なわない限りにおいてマスキングの方法は特に限定されず、従来公知の種々のマスキング方法を用いることができる。マスキング方法としては、例えば、テープ、スパージャーマスク、ドラムマスク、レジスト、ドライフィルムレジスト、インクジェット方式を挙げることができ、これらのうちの１種類又は２種類以上を組み合わせてマスキングを行うことが好ましい。
特に、基材の側面のみにレジスト層を形成したい場合、１段階目にテープ状もしくはドラムマスク等で表面をマスキングし、２段階目に液状のレジストを用いて側面のみレジスト層を形成することが好ましい。
（６）レジスト層の形成（第三工程（Ｓ０３））
第三工程（Ｓ０３）では、レジストを塗布した後に第二工程で形成させたマスキングを剥離させ、第四工程（Ｓ０４）で金めっき層を形成させたくない領域（雄端子の両側面）にレジストを形成させるための工程である。
第三工程（Ｓ０３）では、レジストを塗布した後に第二工程で形成させたマスキングを剥離させ、第四工程（Ｓ０４）で金めっき層を形成させたくない領域（雄端子の両側面）にレジストを形成させるための工程である。
マスキングを剥離した後、ＵＶライト（水銀ランプ，メタルハライドランプ，ＬＥＤ等）にて露光することで、レジストを硬化させることができる。
なお、レジストにはネガ型、ポジ型、電着レジスト、液レジスト、ドライフィルムレジスト等が存在するが、めっき槽に暗室が不要であるネガ型を使用することが好ましい。
（７）金めっき（第四工程（Ｓ０４））
第四工程（Ｓ０４）は、雄端子の表面及び裏面のみに金めっき層を形成させるための工程である。第三工程（Ｓ０３）までを経ることにより、雄端子の両側面にレジスト層が形成され、雄端子の表面及び裏面はニッケルめっき層又は金めっきフラッシュ処理によって形成された薄い金めっき層となっていることから、第四工程（Ｓ０４）で金めっき処理を施すことにより、雄端子の表面及び裏面のみに金めっき層を形成させることができる。
第四工程（Ｓ０４）は、雄端子の表面及び裏面のみに金めっき層を形成させるための工程である。第三工程（Ｓ０３）までを経ることにより、雄端子の両側面にレジスト層が形成され、雄端子の表面及び裏面はニッケルめっき層又は金めっきフラッシュ処理によって形成された薄い金めっき層となっていることから、第四工程（Ｓ０４）で金めっき処理を施すことにより、雄端子の表面及び裏面のみに金めっき層を形成させることができる。
金めっき層の厚さは、０．２μｍ～１．０μｍとすること、が好ましい。金めっき層の厚さを０．２μｍ以上とすることで、金の電気的特性や耐久性を十分に活用することができ、１．０μｍ以下とすることで、金の使用量を抑制できることに加え、生産性の悪化を抑制することができる。なお、金めっき層の厚さは０．４μｍ～０．８μｍとすることがより好ましく、０．５μｍ～０．７μｍとすることが最も好ましい。
金めっき処理には、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々の金めっき手法を用いることができるが、通常の金フラッシュめっきと比較して、めっき浴中の金塩の濃度を高く、電導塩の濃度を低くすることが好ましい。
金めっき処理に好適に用いることができる金めっき浴は、例えば、金塩、電導塩、キレート剤及び結晶成長剤を含むものを用いることができる。また、金めっき浴には光沢剤が添加されていてもよい。各構成要素の好適な使用量は、金塩：１～１００ｇ／Ｌ、電導塩：１０～３００ｇ／Ｌ、キレート剤：～３０ｇ／Ｌ、結晶成長材：～３０ｇ／Ｌ、光沢剤：５０～５００ｐｐｍである。
金塩としては、例えば、シアン化金、シアン化第一金カリウム、シアン化第二金カリウム、亜硫酸金ナトリウム及びチオ硫酸金ナトリウム等が挙げられ、電導塩としては、例えば、クエン酸カリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸カリウム及びチオ硫酸カリウム等が挙げられる。
キレート剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸及びメチレンホスホン酸等を用いることができる。結晶成長剤には、例えば、コバルト、ニッケル、タリウム、銀、パラジウム、錫、亜鉛、銅、ビスマス、インジウム、ヒ素及びカドミウム等を用いることができる。なお、ｐＨ調整剤として、例えば、ポリリン酸、クエン酸、酒石酸、水酸化カリウム及び塩酸等を添加してもよい。
金めっき浴の浴温度、陽極材料、電流密度等の金めっき条件は、用いるめっき浴及び必要とするめっき厚さ等に応じて適宜設定することができる。例えば、陽極材料には、ステンレス、チタン白金板及び酸化イリジウム等の不溶性陽極等を用いることが好ましい。また、好適なめっき条件としては、浴温：２０～５０℃、電流密度：０．１～５．０Ａ／ｄｍ２、処理時間：１～１４４０秒、ｐＨ：３．０～７．０を例示することができる。
≪ＰＣＢ端子≫
図２は、本発明のＰＣＢ端子の一例を示す概略斜視図である。ＰＣＢ端子１は金属基材２の端部に複数の略四角柱状の雄端子４が並列した櫛歯状となっている。なお、ＰＣＢ端子１は本発明のＰＣＢ端子の製造方法を用いることで、効率的に製造することができる。
図２は、本発明のＰＣＢ端子の一例を示す概略斜視図である。ＰＣＢ端子１は金属基材２の端部に複数の略四角柱状の雄端子４が並列した櫛歯状となっている。なお、ＰＣＢ端子１は本発明のＰＣＢ端子の製造方法を用いることで、効率的に製造することができる。
基本的に金属基材２と雄端子４は同一の材質であり、電導性を有している限り特に限定されず、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、鉄及び鉄合金（例えば、鉄－ニッケル合金）、チタン及びチタン合金、ステンレス、銅及び銅合金等を挙げることができるが、なかでも、電導性・熱伝導性・展延性に優れているという理由から、銅又は真鍮を用いることが好ましい。
端子４のＡ－Ａ’断面図を図３に示す。雄端子４においては、金属基材２の表面にニッケルめっき層１２が形成されており、ニッケルめっき層１２の表面に薄付け金めっき層（図示せず）を介して厚付け金めっき層１４が形成されている。薄付け金めっき層を形成させることで、ニッケルめっき層１２と厚付け金めっき層１４との密着性を十分に担保することができる。
厚付け金めっき層１４は雄端子４の表面及び裏面のみに形成しており、両側面には形成していない。なお、薄付け金めっき層はニッケルめっき層１２の全面に形成していてもよく、厚付け金めっき層１４を形成させる雄端子４の表面及び裏面のみに形成していてもよい。
厚付け金めっき層１４の厚さは０．２μｍ～１．０μｍとなっている。厚付け金めっき層１４の厚さを０．２μｍ以上とすることで、金の電気的特性や耐久性を十分に活用することができ、１．０μｍ以下とすることで、金の使用量を抑制できることに加え、生産性の悪化を抑制することができる。なお、厚付け金めっき層１４の厚さは０．４μｍ～０．８μｍとすることがより好ましく、０．５μｍ～０．７μｍとすることが最も好ましい。
また、薄付け金フラッシュめっき層の厚さは０超０．１μｍ以下であることが好ましい。なお、薄付け金フラッシュめっき層の厚さは０．０８μｍ以下とすることがより好ましく、０．０６μｍ以下とすることが最も好ましい。薄付け金フラッシュめっき層の厚さを０．１μｍ以下とすることで、金の使用量増加及び生産性の悪化を抑制することができる。
ＰＣＢ端子１では、嵌合時に雌端子と当接する雄端子４の表面及び裏面に厚付け金めっき層１４が形成していることから、厚付け金めっき層１４が有する優れた耐摩耗性、低い電気抵抗、及び良好な耐熱性を利用することができ、ＰＣＢ端子として要求される導電性及び耐久性等を十分に確保することができる。一方で、雄端子４の両側面には厚付け金めっき層１４が形成されておらず、金の使用量が必要最小限に抑えられている。
また、ＰＣＢ端子１では金属基材２と厚付け金めっき層１４との間にニッケルめっき層１２が存在するため、ニッケルめっき層１２が金属基材２に含まれる元素と金との拡散及び反応を防止するバリア層として機能する。つまり、金属基材２と厚付け金めっき層１４との間にニッケルめっき層１２が存在することで、金属基材２に含まれる元素と金との拡散及び反応に伴う金属間化合物の形成による、厚付け金めっき層１４の脆化を抑制することができる。
更に、摺動摩耗が顕著な雄端子４の表面及び裏面の最表面を厚付け金めっき層１４とすることで、摺動摩耗によって飛散した金属片を原因とする、発火及び感電等の重大な事故を防止することができる。
以上、本発明の代表的な実施形態について説明したが、本発明はこれらのみに限定されるものではなく、種々の設計変更が可能であり、それら設計変更は全て本発明の技術的範囲に含まれる。
≪実施例≫
略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状のＰＣＢ端子の形状とした銅製の金属基材を前処理として、被めっき材とＳＵＳ板をアルカリ脱脂液に入れ、被めっき材を陰極とし、ＳＵＳ板を陽極として、電圧３Ｖで３０秒間電解脱脂を行い、洗浄した後、３０ｇ／Ｌの青化第一銅、２０ｇ／Ｌの遊離青化カリ、１５ｇ／Ｌの苛性カリを含む銅ストライクめっき浴を用い、陽極材料を電気銅板、陰極材料を洗浄処理後の金属基板として、浴温：３５℃、電流密度：１Ａ／ｄｍ２の条件で１０秒間、銅ストライクめっき処理（下地ストライクめっき処理）を施した。その後、３００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、５ｇ／Ｌの塩化ニッケル・６水和物、１０ｇ／Ｌのホウ酸、及び０．２ｇ／Ｌのラウリル硫酸ナトリウムを含むニッケルめっき浴を用い、陽極材料をサルファニッケル板、陰極材料を銅ストライクめっき後の金属基板として、浴温：５０℃、電流密度：２Ａ／ｄｍ２の条件で２００秒間、ニッケルめっき処理を施し、端子の全面に厚さ約１μｍのニッケルめっき層を形成させた（第一工程）。
略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状のＰＣＢ端子の形状とした銅製の金属基材を前処理として、被めっき材とＳＵＳ板をアルカリ脱脂液に入れ、被めっき材を陰極とし、ＳＵＳ板を陽極として、電圧３Ｖで３０秒間電解脱脂を行い、洗浄した後、３０ｇ／Ｌの青化第一銅、２０ｇ／Ｌの遊離青化カリ、１５ｇ／Ｌの苛性カリを含む銅ストライクめっき浴を用い、陽極材料を電気銅板、陰極材料を洗浄処理後の金属基板として、浴温：３５℃、電流密度：１Ａ／ｄｍ２の条件で１０秒間、銅ストライクめっき処理（下地ストライクめっき処理）を施した。その後、３００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、５ｇ／Ｌの塩化ニッケル・６水和物、１０ｇ／Ｌのホウ酸、及び０．２ｇ／Ｌのラウリル硫酸ナトリウムを含むニッケルめっき浴を用い、陽極材料をサルファニッケル板、陰極材料を銅ストライクめっき後の金属基板として、浴温：５０℃、電流密度：２Ａ／ｄｍ２の条件で２００秒間、ニッケルめっき処理を施し、端子の全面に厚さ約１μｍのニッケルめっき層を形成させた（第一工程）。
その後、１０ｇ／Ｌのシアン化金カリウム、５０ｇ／Ｌのクエン酸カリウム、１０ｇ／Ｌの水酸化カリウム、２ｇ／Ｌの硫酸コバルトを含む金めっき浴を用い、陽極材料をチタン白金板、陰極材料をニッケルめっき後の金属基板として、浴温：４０℃、電流密度：０．５Ａ／ｄｍ２の条件で２秒間、金めっきフラッシュ処理を施し、ニッケルめっき層の全面に厚さ０．１μｍの金めっきフラッシュ層を形成させた。次に、乾燥機を用いて被めっき金属基材を乾燥させた後、雄端子の表面及び裏面にマスキングテープを用いてマスキングを行った（第二工程）。
次に、ネガ型電着レジストを使用して、浴温３５℃、定電圧３０Ｖにて、３０秒間レジストを塗布した。その後、マスキングテープを剥離し、ＵＶライト（水銀ランプ）にて１００秒間露光してレジストを硬化させた（第三工程）。なお、レジスト露光時の発熱は風冷にて速やかに抜熱した。
その後、レジストの剥離を防止するため、電解処理ではなく浸漬処理を用いて洗浄処理を施した。当該洗浄処理の後、１０ｇ／Ｌのシアン化金カリウム、５０ｇ／Ｌのクエン酸カリウム、１０ｇ／Ｌの水酸化カリウム、２ｇ／Ｌの硫酸コバルトを含む金めっき浴を用い、陽極材料をチタン白金板、陰極材料をレジスト処理後の被めっき材として、浴温：４０℃、電流密度：４Ａ／ｄｍ２の条件で３０秒間の条件で金めっき処理を施し、剥離液を用いてレジストを剥離することで端子の表面及び裏面のみに厚さ０．５μｍの金めっき層を形成させ（第四工程）、本発明の実施例であるＰＣＢ端子を得た。
図４に得られたＰＣＢ端子の雄端子先端部分の概観写真を示す。雄端子の表面及び裏面のみに優れた耐摩耗特性、導電性、摺動性及び低摩擦性を有する厚付け金めっき層が形成されており、高価な金の使用量を最小限度に留めつつも、信頼性の高いＰＣＢ端子が得られている。
１・・・ＰＣＢ端子、
２・・・金属基材、
４・・・雄端子、
１２・・・ニッケルめっき層、
１４・・・厚付け金めっき層。
２・・・金属基材、
４・・・雄端子、
１２・・・ニッケルめっき層、
１４・・・厚付け金めっき層。
Claims (2)
- 略四角柱形状の雄端子を複数有する櫛歯状のＰＣＢ端子であって、
前記雄端子の全面に厚さが０．３μｍ～４．０μｍのニッケルめっき層を有し、
前記ニッケルめっき層の全面に厚さが０超０．１μｍ以下の薄付け金めっき層が形成されており、
前記雄端子の表面及び裏面に形成された前記ニッケルめっき層の表面のみに厚さが０．２μｍ～１．０μｍの厚付け金めっき層が形成されていること、
を特徴とするＰＣＢ端子。 - 前記雄端子が銅又は銅合金で構成されていること、
を特徴とする請求項１に記載のＰＣＢ端子。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017106311 | 2017-05-30 | ||
| JP2017106311 | 2017-05-30 | ||
| JP2019522033A JP7079016B2 (ja) | 2017-05-30 | 2018-04-25 | Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 |
| PCT/JP2018/016714 WO2018221089A1 (ja) | 2017-05-30 | 2018-04-25 | Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019522033A Division JP7079016B2 (ja) | 2017-05-30 | 2018-04-25 | Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022082619A true JP2022082619A (ja) | 2022-06-02 |
Family
ID=64454498
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019522033A Active JP7079016B2 (ja) | 2017-05-30 | 2018-04-25 | Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 |
| JP2022046216A Pending JP2022082619A (ja) | 2017-05-30 | 2022-03-23 | Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019522033A Active JP7079016B2 (ja) | 2017-05-30 | 2018-04-25 | Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP7079016B2 (ja) |
| WO (1) | WO2018221089A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021048094A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ピン端子、コネクタ、コネクタ付きワイヤーハーネス、及びコントロールユニット |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09292298A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 圧力センサの製造方法 |
| JP2003243073A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Meiyuu Giken Kk | 複数種の機能メッキを施したピンコンタクトおよびその製造方法 |
| JP2005246424A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Murata:Kk | はんだ上がり防止帯の形成装置および形成方法、ならびにコネクター部材 |
| JP2008287942A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Dowa Metaltech Kk | Ｐｃｂコネクタ用オス端子及びその製造方法 |
| WO2009150915A1 (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | 日本高純度化学株式会社 | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
| JP2010262861A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Kobe Steel Ltd | プレスフィット端子 |
| JP2013011016A (ja) * | 2011-06-03 | 2013-01-17 | Panasonic Corp | 電気接点部品 |
| JP2014191998A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 部分メッキ平角導体、部分メッキ平角導体の製造方法、及び部分メッキ平角導体の製造装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461677B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-10-08 | Molex Incorporated | Method of fabricating an electrical component |
| JP4343735B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2009-10-14 | 東京特殊電線株式会社 | プローブ針 |
| JP4660231B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2011-03-30 | 株式会社シミズ | 表面処理方法およびそれを用いる電子部品の製造方法 |
| JP4945193B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-06-06 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 硬質金合金めっき液 |
| WO2015092979A1 (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | オリエンタル鍍金株式会社 | 銀めっき部材及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-04-25 WO PCT/JP2018/016714 patent/WO2018221089A1/ja active Application Filing
- 2018-04-25 JP JP2019522033A patent/JP7079016B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-23 JP JP2022046216A patent/JP2022082619A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09292298A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 圧力センサの製造方法 |
| JP2003243073A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Meiyuu Giken Kk | 複数種の機能メッキを施したピンコンタクトおよびその製造方法 |
| JP2005246424A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Murata:Kk | はんだ上がり防止帯の形成装置および形成方法、ならびにコネクター部材 |
| JP2008287942A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Dowa Metaltech Kk | Ｐｃｂコネクタ用オス端子及びその製造方法 |
| WO2009150915A1 (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | 日本高純度化学株式会社 | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
| JP2010262861A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Kobe Steel Ltd | プレスフィット端子 |
| JP2013011016A (ja) * | 2011-06-03 | 2013-01-17 | Panasonic Corp | 電気接点部品 |
| JP2014191998A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 部分メッキ平角導体、部分メッキ平角導体の製造方法、及び部分メッキ平角導体の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7079016B2 (ja) | 2022-06-01 |
| WO2018221089A1 (ja) | 2018-12-06 |
| JPWO2018221089A1 (ja) | 2020-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2018221087A1 (ja) | Ｐｃｂ端子 | |
| JP6484844B2 (ja) | 銀めっき材及びその製造方法 | |
| JP6466837B2 (ja) | めっき材の製造方法及びめっき材 | |
| WO2014199547A1 (ja) | めっき積層体の製造方法及びめっき積層体 | |
| JP6734185B2 (ja) | Ｓｎめっき材およびその製造方法 | |
| JP4368931B2 (ja) | オス端子及びその製造方法 | |
| JP6665387B2 (ja) | 銀めっき部材及びその製造方法 | |
| JP2012511105A (ja) | 無電解パラジウムめっき液及び使用法 | |
| JP2014001447A (ja) | 金属接着を向上させる活性化方法 | |
| JP5858698B2 (ja) | 太陽電池用インターコネクタ材料、太陽電池用インターコネクタ、およびインターコネクタ付き太陽電池セル | |
| KR20180004762A (ko) | Sn 도금재 및 그 제조 방법 | |
| JP2015187303A (ja) | 接続部品用導電部材及びその製造方法 | |
| JP2007291457A (ja) | ウィスカーが抑制されたＣｕ−Ｚｎ合金耐熱Ｓｎめっき条 | |
| JP2022082619A (ja) | Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 | |
| JP6651852B2 (ja) | 銀めっき部材及びその製造方法 | |
| JP7187162B2 (ja) | Ｓｎめっき材およびその製造方法 | |
| TW201602337A (zh) | 於其他金屬存在下選擇性處理銅的方法 | |
| JP5185759B2 (ja) | 導電材及びその製造方法 | |
| JP2006127939A (ja) | 電気導体部品及びその製造方法 | |
| JP6182757B2 (ja) | めっき材の製造方法及びめっき材 | |
| JP2008088477A (ja) | 耐ウィスカー性に優れた銅合金リフローＳｎめっき材 | |
| JP5226032B2 (ja) | ウィスカーが抑制されたＣｕ−Ｚｎ合金耐熱Ｓｎめっき条 | |
| JP2009097050A (ja) | 電子部品用Ｓｎめっき材 | |
| JP7162341B2 (ja) | めっき積層体の製造方法及びめっき積層体 | |
| JP2017218663A (ja) | めっき積層体の製造方法及びめっき積層体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230323 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230627 |