JP2022078586A - 減圧乾燥装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の品質を向上させることが可能な減圧乾燥装置を提供する。【解決手段】減圧乾燥装置は、第１面に処理液が付着した基板を減圧によって乾燥する減圧乾燥装置であって、チャンバーと、支持部と、排気部と、加熱部と、を備えている。チャンバーは、基板を収容する処理空間を有する。支持部は、処理空間において第１面を上方に向けた状態で基板の第１面とは逆の第２面を支持する。排気部は、処理空間から気体を排出することで処理空間内を減圧する。加熱部は、支持部に支持された基板をチャンバー外から加熱する。【選択図】図２

Description

本発明は、処理液が付着した基板を減圧によって乾燥する技術に関する。

従来、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用の基板の製造工程では、基板に塗布された処理液を乾燥させるために、減圧乾燥装置が使用される（例えば、特許文献１等）。この減圧乾燥装置は、基板を収容するチャンバーの内部を減圧することで、基板に付着した処理液を乾燥させることができる。

特許文献２には、ベース部にＯリングを介して蓋部が接触することで密閉された処理空間を形成するチャンバーと、このチャンバー内でキャリアガラス板等の基板を支持する複数の支持ピンを有する支持部と、ベース部の上方に水平に取り付けられたホットプレートおよび蓋部に取り付けられたラバーヒータを有する加熱部と、ベース部の底板部の開口から排気を行うことで処理空間の減圧を行う減圧ユニットと、処理空間に窒素ガス等の不活性ガスを供給する給気ユニットと、を備えた減圧乾燥装置が記載されている（例えば、特許文献２の図２等を参照）。この減圧乾燥装置では、ベース部およびホットプレートを貫通してベース部の処理空間に突設された各支持ピンの頭部が基板の下面に当接することで基板が水平に支持され、処理空間に対する基板の搬入あるいは搬出が実行される際には支持部が上昇され、基板上の処理液が乾燥される際には支持部が下降される。このような構成を有する減圧乾燥装置では、加熱部による加熱と処理空間の減圧とが並行して実行されることで、基板上の処理液における液体成分の気化が促進される。

特開平７－２８３１０８号公報 特開２０１８－４０５１２号公報

ところで、上記特許文献２で示される減圧乾燥装置では、例えば、加熱部によって基板が加熱される際に、熱膨張等によって、ホットプレートを構成する複数の部材の相互の擦れおよびホットプレートとその周辺部との間における擦れ等で、塵が発生する虞がある。また、例えば、支持部が昇降される際に、複数の支持ピンとホットプレートとの擦れで塵が発生する虞がある。ここで、例えば、昇降される支持部とチャンバーのベース部との間を密閉させるためにベローズ等が設けられれば、複数の支持ピンおよびベローズ等に塵が堆積する虞がある。また、例えば、支持部を昇降させるための構成および駆動機構等の存在により、ベース部を加熱するための構成を設けにくく、チャンバー内で加熱された処理液からの昇華物が、ベース部の内面で冷却されて付着物となり易い。このため、例えば、減圧後の処理空間内への不活性ガスの供給等によって、ベース部の内面の付着物からパーティクルが生じる虞がある。ここでは、例えば、チャンバー内で発生した塵およびパーティクルが基板に付着することで、基板が汚染され得る。その結果、チャンバー内における塵およびパーティクルの発生数および発生率を所定値以下とすることが難しく、基板の品質が低下し得る。

また、例えば、基板の下面（裏面）に近い位置からホットプレートによって基板が加熱されることで、ホットプレートにおいて複数の支持ピンが貫通する複数の貫通孔等の存在によって基板上の処理液の乾燥にムラ（転写ムラ）が生じ得る。これによっても、例えば、基板の品質が低下し得る。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の品質を向上させることが可能な減圧乾燥装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、第１の態様に係る減圧乾燥装置は、第１面に処理液が付着した基板を減圧によって乾燥する減圧乾燥装置であって、チャンバーと、支持部と、排気部と、加熱部と、を備えている。前記チャンバーは、前記基板を収容する処理空間を有する。前記支持部は、前記処理空間において前記第１面を上方に向けた状態で前記基板の前記第１面とは逆の第２面を支持する。前記排気部は、前記処理空間から気体を排出することで前記処理空間内を減圧する。前記加熱部は、前記支持部に支持された前記基板を前記チャンバー外から加熱する。

第２の態様に係る減圧乾燥装置は、第１の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記加熱部は、前記支持部に支持された前記基板を前記チャンバーの上方から加熱する第１加熱部分と、前記支持部に支持された前記基板を前記チャンバーの下方から加熱する第２加熱部分と、を含む。

第３の態様に係る減圧乾燥装置は、第２の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記加熱部は、前記支持部に支持された前記基板を前記チャンバーの側方から加熱する第３加熱部分、を含む。

第４の態様に係る減圧乾燥装置は、第１から第３の何れか１つの態様に係る減圧乾燥装置であって、前記加熱部および前記排気部を制御することで、前記加熱部による前記基板の加熱と、前記排気部による前記チャンバー内の減圧と、を並行して実行させる制御部、を備えている。

第５の態様に係る減圧乾燥装置は、第１から第４の何れか１つの態様に係る減圧乾燥装置であって、前記チャンバーは、互いに接離可能な、第１チャンバー部分と、該第１チャンバー部分の上方に位置する第２チャンバー部分と、を含む。前記支持部は、前記第１チャンバー部分に取り付けられている。そして、減圧乾燥装置は、前記第１チャンバー部分と前記第２チャンバー部分とを互いに接触させることで前記処理空間を閉じる一方、前記第１チャンバー部分と前記第２チャンバー部分とを互いに離間させることで前記処理空間を開く駆動部、をさらに備えている。

第６の態様に係る減圧乾燥装置は、第５の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記支持部は、前記第２面に接触する接触部分、を含み、前記接触部分は、上下方向において前記第１チャンバー部分の上端よりも高い位置に配されている。

第７の態様に係る減圧乾燥装置は、第１から第６の何れか１つの態様に係る減圧乾燥装置であって、前記処理空間内の前記支持部の下方において水平方向に沿って位置している整流板、を備えている。

第８の態様に係る減圧乾燥装置は、第７の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記チャンバーは、前記整流板の下方に位置し、前記排気部に接続している排気口を有する。

第１の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、チャンバー内に加熱部が存在しておらず、チャンバー内における発塵が低減され得る。これにより、例えば、減圧乾燥装置において基板が汚れにくくなる。その結果、例えば、基板の品質が向上し得る。

第２の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、基板を上方および下方から加熱することで、基板がより均一に加熱され得る。これにより、例えば、処理液が付着した基板における乾燥のムラが生じにくくなる。その結果、例えば、基板の品質が向上し得る。

第３の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、基板を側方からも加熱することで、処理液内の成分から生じる昇華物がチャンバーの内面に付着しにくくなる。これにより、例えば、チャンバーの内面の付着物からのパーティクルが生じにくくなる。その結果、例えば、基板の品質が向上し得る。

第４の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、基板の加熱とチャンバー内の減圧とが並行して行われることで、処理液が付着した基板が迅速に乾燥され得る。

第５の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、チャンバー内へアクセス可能な開口が広くなり、チャンバー内への基板の搬入およびチャンバー内からの基板の搬出が容易となり得る。また、例えば、チャンバー内のメンテナンスが容易となり得る。

第６の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、チャンバー内への基板の搬入およびチャンバー内からの基板の搬出が容易となり得る。

第７の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、整流板の存在によってチャンバー内の気流が制御され、処理液が付着した基板における乾燥のムラが生じにくくなる。その結果、例えば、基板の品質が向上し得る。

第８の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、基板の表面から整流板の下面に沿って流れる気流が集まるように排気口が位置しているため、処理液内の成分から生じる昇華物が排気口を介して排出され易くなる。これにより、例えば、処理液内の成分から生じる昇華物がチャンバーの内面に付着しにくくなる。その結果、例えば、チャンバーの内面の付着物からのパーティクルが生じにくくなる。したがって、例えば、基板の品質が向上し得る。

図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を示す概略図である。 図２は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置の一構成例を示す概略図である。 図３は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置の電気的構成を例示する図である。 図４は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置の動作フローを示す流れ図である。 図５は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置の動作を説明するための図である。 図６は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置の動作を説明するための図である。 図７は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置の動作を説明するための図である。 図８は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置の動作を説明するための図である。 図９は、第２実施形態に係る減圧乾燥装置の一構成例を示す概略図である。 図１０は、第３実施形態に係る減圧乾燥装置の一構成例を示す概略図である。 図１１は、第４実施形態に係る減圧乾燥装置の一構成例を示す概略図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の各種実施形態について説明する。これらの実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面においては、理解を容易にするために、必要に応じて各部の寸法および数が誇張または簡略化されて図示されている。各図においては、各要素の位置関係を説明するために、図２、図５（ａ）から図１１には、右手系のＸＹＺ直交座標系を付している。ここでは、Ｘ軸およびＹ軸が水平方向に延びており、Ｚ軸が鉛直方向（上下方向）に延びているものとする。また、以下の説明では、矢印の先端が向く方を＋（プラス）方向とし、その逆方向を－（マイナス）方向とする。ここでは、鉛直方向上向きが＋Ｚ方向であり、鉛直方向下向きが－Ｚ方向である。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」等）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」等）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」等）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸および面取り等を有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「～の上」とは、特に断らない限り、２つの要素が接している場合のほか、２つの要素が離れている場合も含む場合がある。「特定方向に移動させる」とは、特に断らない限りにおいて、この特定方向と平行に移動させる場合のみならず、この特定方向の成分を持つ方向に移動させることを含む場合がある。

＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１を含む基板処理装置９の概略的な構成の一例を示す図である。基板処理装置９は、例えば、基板Ｇに対して、処理液の塗布、露光および露光後の現像を行う装置である。基板Ｇには、例えば、平板状のガラス基板等が適用される。基板Ｇは、例えば、第１主面としての第１面Ｇ１と、この第１面Ｇ１とは逆の第２主面としての第２面Ｇ２と、を有する平板状の基板である。処理液には、例えば、ポリイミド前駆体と溶媒とを含む液（ＰＩ液ともいう）またはレジスト液等の塗布液が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸（ポリアミック酸）等が適用される。溶媒には、例えば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）が適用される。

基板処理装置９は、例えば、複数の処理部として、搬入部９０、洗浄部９１、デハイドベーク部９２、塗布部９３、減圧乾燥部としての減圧乾燥装置１、プリベーク部９４、露光部９５、現像部９６、リンス部９７、ポストベーク部９８、および搬出部９９を有する。基板処理装置９の各処理部は、例えば、上記の処理部の記載順に互いに隣接して配置されている。基板Ｇは、例えば、搬送ロボット等の搬送機構（図示省略）によって、破線の矢印で示されるように、処理の進行に従って各処理部へ上記の記載順に搬送される。

搬入部９０は、例えば、基板処理装置９において処理される基板Ｇを、基板処理装置９内に搬入する。

洗浄部９１は、例えば、搬入部９０へ搬入された基板Ｇを洗浄し、微細なパーティクルをはじめ、有機汚染、金属汚染、油脂および自然酸化膜等を除去する。

デハイドベーク部９２は、例えば、基板Ｇを加熱し、洗浄部９１において基板Ｇに付着した処理液としての洗浄液を気化させることで、基板Ｇを乾燥させる。

塗布部９３は、例えば、デハイドベーク部９２で乾燥処理が行われた後の基板Ｇの表面に処理液を塗布する。塗布部９３では、例えば、基板Ｇの表面に塗布液としてのＰＩ液等が塗布される。塗布部９３には、例えば、スリットコータが適用される。スリットコータは、例えば、塗布液を吐出口から吐出するスリットノズルを、基板Ｇに対して相対的に移動させることで、基板Ｇ上に塗布膜Ｆを形成することができる。塗布部９３には、その他の塗布方式の塗布装置が適用されてもよい。ここで、塗布膜Ｆの厚さは、例えば、基板Ｇ上に形成したいポリイミドの膜（ＰＩ膜ともいう）の厚さ（所望膜厚ともいう）の１０倍程度とされる。具体的には、例えば、５マイクロメートル（μｍ）から２０μｍ程度のポリイミド膜を形成する場合には、塗布膜Ｆの厚さは、５０μｍから２００μｍ程度とされる。

減圧乾燥装置１は、例えば、表面に付着した処理液を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を行う。ここでは、例えば、基板Ｇの表面に塗布された処理液の溶媒が減圧および加熱によって気化（蒸発）させられることで、基板Ｇが乾燥される。例えば、塗布膜Ｆに対する減圧および加熱による減圧乾燥処理によって塗布膜Ｆ中の溶媒が除去されることで、所望膜厚のポリイミド前駆体の塗膜（ポリイミド前駆体塗膜ともいう）が形成される。

プリベーク部９４は、例えば、減圧乾燥装置１で乾燥された基板Ｇを加熱し、基板Ｇの表面上で、処理液に含まれる成分を固化させる加熱処理部である。ここでは、例えば、基板Ｇの表面に処理液に係る薄膜が形成される。例えば、ポリイミド前駆体塗膜に熱処理が施されることで、ポリイミド前駆体のイミド化によってポリイミド膜が形成される。プリベーク部９４は、例えば、単一の基板Ｇを加熱する枚葉方式の加熱処理部であってもよいし、複数の基板Ｇを一括して加熱するバッチ方式の加熱処理部であってもよい。ここで、例えば、減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理のタクトタイムと、プリベーク部９４における加熱処理のタクトタイムと、が大きく相違しており、プリベーク部９４が枚葉方式の加熱処理部を有する場合が想定される。この場合には、プリベーク部９４は、例えば、並列して加熱処理を行う複数台の枚葉式の加熱処理部を有していてもよい。

露光部９５は、例えば、ＰＩ膜等の薄膜が形成された基板Ｇの表面に対して、露光処理を行う。具体的には、露光部９５は、例えば、回路パターンが描画されたマスクを通して遠紫外線等の特定の波長の光を照射し、ＰＩ膜等の薄膜にパターンを転写する。

現像部９６は、例えば、露光部９５でパターンが露光された基板Ｇを現像液に浸して、現像処理を行う。

リンス部９７は、例えば、現像部９６で現像処理が施された基板Ｇを処理液としてのリンス液ですすぐ。これにより、現像処理の進行を停止させる。

ポストベーク部９８は、例えば、基板Ｇを加熱し、リンス部９７において基板Ｇに付着した処理液としてのリンス液を気化させることで、基板Ｇを乾燥させる。

基板処理装置９の各処理部で処理が施された基板Ｇは、例えば、搬出部９９へ搬送される。そして、例えば、搬出部９９から基板Ｇが基板処理装置９の外部へ搬出される。

第１実施形態では、基板処理装置９は露光部９５を有しているが、本発明の基板処理装置においては、例えば、露光部が省略されていてもよい。その場合には、例えば、基板処理装置を、別体の露光装置と組み合わせて使用してもよい。

＜１－２．減圧乾燥装置の構成＞
図２は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の概略的な構成の一例を示す図である。図３は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の電気的な構成の一例を示す図である。減圧乾燥装置１は、例えば、第１面Ｇ１にＰＩ液等の処理液が付着した基板Ｇを乾燥させる装置である。より具体的には、例えば、減圧乾燥装置１は、基板Ｇの表面に塗布された処理液の溶媒を減圧および加熱によって気化（蒸発）させることで、基板Ｇを乾燥させる装置である。減圧乾燥装置１は、例えば、図２で示されるように、チャンバー２、支持部３、排気部４および加熱部５を備えている。また、減圧乾燥装置１は、例えば、図２および図３に示すように、制御部８を備えている。制御部８は、例えば、減圧乾燥装置１の各部の動作を統括的に制御する。この制御部８は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ：Central Processing Unit）と、ＲＡＭ（Random access memory）等の揮発性のメモリと、ハードディスクドライブ等の不揮発性の記憶部と、を有するコンピュータによって構成される。また、減圧乾燥装置１は、例えば、整流板６および給気部７を備えている。

チャンバー２は、例えば、第１面Ｇ１に処理液が付着した基板Ｇを収容する処理空間２ｓを有する。このチャンバー２は、基板Ｇに対して減圧乾燥処理を行うための処理空間２ｓを有する耐圧容器である。第１実施形態では、チャンバー２は、例えば、第１チャンバー部分としてのベース部２１と、第２チャンバー部分としての蓋部２２と、を含む。蓋部２２は、ベース部２１の上方に位置する。ベース部２１と蓋部２２とは互いに接触および離間され得る。換言すれば、ベース部２１と蓋部２２とは互いに接離可能である。

ベース部２１は、例えば、装置フレーム（図示省略）上に固定されている。ベース部２１は、例えば、水平に配置された矩形状の底板部２１１と、底板部２１１の各辺に沿って延設された角筒状の側壁部２１２と、を有する。ここでは、底板部２１１は、例えば、矩形状の平坦な上面２１１ｉを有する。側壁部２１２は、例えば、底板部２１１の各辺（すなわち周縁部）から上方へ垂直に突出するように設けられている。例えば、底板部２１１の上面２１１ｉおよび側壁部２１２の内面２１２ｉは、それぞれ平面状の面であり、底板部２１１の上面２１１ｉと側壁部２１２の内面２１２ｉとは、滑らかな曲面で接続されている。例えば、下方に向けて平面視した場合には、ベース部２１は、矩形状の外形を有し、上方へ開口した箱状の形状を有する。ベース部２１は、例えば、側壁部２１２を有していなくてもよい。

蓋部２２は、例えば、水平に配置された矩形状の頂板部２２１と、頂板部２２１の各辺に沿って延設された角筒状の側壁部２２２と、を有する。ここでは、頂板部２２１は、例えば、矩形状の平坦な下面２２１ｉを有する。側壁部２２２は、例えば、頂板部２２１の各辺（すなわち周縁部）から下方へ垂下するように設けられている。例えば、頂板部２２１の下面２２１ｉおよび側壁部２２２の内面２２２ｉは、それぞれ平面状の面であり、頂板部２２１の下面２２１ｉと側壁部２２２の内面２２２ｉとは、滑らかな曲面で接続されている。例えば、上方に向けて平面視した場合には、蓋部２２は、矩形状の外形を有し、下方へ開口した箱状の形状を有する。

また、蓋部２２は、例えば、ベース部２１の上方に配置されており、蓋部２２の側壁部２２２は、ベース部２１の側壁部２１２に＋Ｚ方向から対向する。Ｚ方向において互いに対向するベース部２１と蓋部２２との間に処理空間２ｓが形成される。また、チャンバー２は、例えば、側壁部２２２の上面に沿って配置されたＯリング等のシール材２３を有する。より具体的には、例えば、蓋部２２の側壁部２２２と、ベース部２１の側壁部２１２とは、シール材２３を介して互いに接触する。換言すれば、例えば、蓋部２２とベース部２１とは、シール材２３を介して互いに接触する。

ベース部２１および蓋部２２の素材には、例えば、処理空間２ｓの減圧に耐え得る剛性および強度と、優れた伝熱性と、を有するアルミニウム等の金属が適用される。

ここで、減圧乾燥装置１は、例えば、チャンバー２を開閉するために、図２で概念的に示した開閉駆動部２ｍを備えていてもよい。開閉駆動部２ｍは、例えば、ベース部２１と蓋部２２とを互いに接触させることで処理空間２ｓを閉じる一方で、ベース部２１と蓋部２２とを互いに離間させることで処理空間２ｓを開くことができる。開閉駆動部２ｍには、例えば、蓋部２２をベース部２１に対してＺ方向に駆動させるアクチュエーターが適用される。開閉駆動部２ｍは、例えば、制御部８からの指令（昇降指令ともいう）に応じて動作することで、ベース部２１に対して蓋部２２をＺ方向において昇降させる。例えば、制御部８が開閉駆動部２ｍに下降させる指令（下降指令ともいう）を出力すると、開閉駆動部２ｍが蓋部２２をベース部２１に向けて下降させる。このとき、例えば、蓋部２２がシール材２３を介してベース部２１に押圧される。これにより、例えば、ベース部２１と蓋部２２との間の処理空間２ｓが密閉される。一方、例えば、制御部８が開閉駆動部２ｍに上昇させる指令（上昇指令ともいう）を出力すると、開閉駆動部２ｍが蓋部２２を上昇させる。このとき、例えば、蓋部２２がベース部２１およびシール材２３から上方に離間する。これにより、例えば、ベース部２１と蓋部２２との間の処理空間２ｓが開放される。ここで、例えば、処理空間２ｓが開放されていれば、処理空間２ｓに対する基板Ｇの搬入または搬出を行うことが可能である。

このようにして、例えば、蓋部２２が上下方向においてベース部２１に対して相対的に昇降することで処理空間２ｓが開閉する構成が採用されれば、チャンバー２内へのアクセスが可能な開口が広くなり得る。これにより、例えば、チャンバー２内への基板Ｇの搬入およびチャンバー２内からの基板Ｇの搬出が容易となり得る。また、例えば、チャンバー２内のメンテナンスが容易となり得る。

また、チャンバー２には、例えば、チャンバー２内の圧力を測定する圧力センサが設けられていてもよい。圧力センサは、例えば、ベース部２１または排気用の配管（排気配管ともいう）４１に対して設けられる。

支持部３は、例えば、処理空間２ｓにおいて、基板Ｇを支持する。例えば、支持部３は、処理空間２ｓにおいて第１面Ｇ１を上方に向けた状態で、基板Ｇの第１面Ｇ１とは逆の第２面Ｇ２を支持する。ここでは、例えば、第１面Ｇ１は上方を向いた面（上面とも表（おもて）面ともいう）となり、第２面Ｇ２は下方を向いた面（下面とも裏面ともいう）となる。支持部３は、例えば、ベース部２１に取り付けられている。支持部３は、例えば、複数の支持ピン３ｐを有する。複数の支持ピン３ｐは、例えば、複数の支持ピン３ｐのそれぞれの上端部分（接触部分ともいう）３ｐｔに基板Ｇが載置されることで、基板Ｇを第２面Ｇ２から支持する。換言すれば、各支持ピン３ｐは、例えば、第２面Ｇ２に接触する接触部分３ｐｔを含む。各支持ピン３ｐは、例えば、上方に延びるように位置している。第１実施形態では、例えば、複数の支持ピン３ｐは、整流板６を介してベース部２１に取り付けられている。より具体的には、例えば、各支持ピン３ｐは、水平方向に沿って位置している整流板６の上面から上方に延びるように整流板６上に固定されている。例えば、複数の支持ピン３ｐが水平方向に分散して配置されていれば、基板Ｇは安定して支持される。また、例えば、複数の支持ピン３ｐの本数が、数十本程度とされれば、基板Ｇは安定して支持される。また、ここで、例えば、上下方向において、各支持ピン３ｐの接触部分３ｐｔが、ベース部２１の上端よりも高い位置に配されていれば、開閉駆動部２ｍによって蓋部２２が上昇されて処理空間２ｓが開放された状態で、チャンバー２内の処理空間２ｓへの基板Ｇの搬入およびチャンバー２内の処理空間２ｓからの基板Ｇの搬出が容易に実行され得る。

排気部４は、例えば、処理空間２ｓから気体の排出（排気ともいう）を行うことで、処理空間２ｓ内を減圧する。排気部４は、例えば、排気配管４１と、減圧ポンプ４２と、第１開閉弁４３と、を有する。排気配管４１は、例えば、ベース部２１（より具体的には、底板部２１１）の略中央に取り付けられて、底板部２１１から下方に突出している。排気配管４１の一端（第１端部ともいう）Ｅ１は、底板部２１１の開口（排気口ともいう）１ｏにおいて、チャンバー２内の処理空間２ｓに連通している。ここでは、チャンバー２は、例えば、ベース部２１の略中央に位置している排気口１ｏを有する。そして、例えば、排気部４は、チャンバー２の排気口１ｏに接続している。

また、例えば、排気配管４１には、第１開閉弁４３が介装されている。排気配管４１の他端（第２端部ともいう）Ｅ２は、例えば、減圧ポンプ４２に接続されている。減圧ポンプ４２は、例えば、基板処理装置９が設置された設備に備えられた排気用の用力設備に接続される。第１開閉弁４３には、例えば、バタフライバルブ等が適用される。ここで、例えば、減圧ポンプ４２が常時稼働していれば、制御部８からの指令（開閉指令ともいう）に応答して第１開閉弁４３が開閉されて、処理空間２ｓの減圧が実行または停止される。この場合には、例えば、チャンバー２の処理空間２ｓが密閉された状態で、制御部８から出力される指令（開指令ともいう）に応答して第１開閉弁４３が開いて、減圧ポンプ４２によって処理空間２ｓから排気が行われることで処理空間２ｓが減圧される。一方、例えば、制御部８から出力される指令（閉指令ともいう）に応答して第１開閉弁４３が閉じて、処理空間２ｓの減圧が停止される。

加熱部５は、例えば、支持部３に支持された基板Ｇをチャンバー２外から加熱する。ここでは、加熱部５によって基板Ｇが加熱される温度（加熱温度ともいう）は、例えば、基板Ｇの第１面Ｇ１上に形成された塗布膜Ｆの溶媒の気化を促進させることが可能な温度に設定される。加熱温度は、例えば、摂氏８０度（８０℃）から１００℃の範囲に設定される。加熱部５は、例えば、チャンバー２の外面に沿って配置されている。ここでは、例えば、基板Ｇを加熱するための加熱部５がチャンバー２内に存在していないため、チャンバー２内における発塵が低減され得る。これにより、例えば、減圧乾燥装置１において基板Ｇが汚れにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

第１実施形態では、加熱部５は、例えば、第１加熱部分５１と、第２加熱部分５２と、第３加熱部分５３と、を含む。例えば、第１加熱部分５１は、支持部３に支持された基板Ｇをチャンバー２の上方から加熱する。第１加熱部分５１は、例えば、蓋部２２の上面Ｓｆ１に沿って配置される。例えば、第１加熱部分５１は、蓋部２２の上面Ｓｆ１を覆うように配置される。例えば、第２加熱部分５２は、支持部３に支持された基板Ｇをチャンバー２の下方から加熱する。第２加熱部分５２は、例えば、ベース部２１の外面Ｓｆ２に沿って配置される。外面Ｓｆ２は、例えば、ベース部２１の下面および側面を含む。例えば、第２加熱部分５２は、ベース部２１の外面Ｓｆ２を覆うように配置される。例えば、第３加熱部分５３は、支持部３に支持された基板Ｇをチャンバー２の側方から加熱する。第３加熱部分５３は、例えば、蓋部２２の側面Ｓｆ３に沿って配置される。例えば、第３加熱部分５３は、蓋部２２の側面Ｓｆ３を覆うように配置される。

第１加熱部分５１、第２加熱部分５２および第３加熱部分５３には、例えば、シーズヒータまたはラバーヒータ等の抵抗加熱方式のヒータが適用される。シーズヒータは、例えば、ステンレス製のシームレス管（シーズ管ともいう）と、シーズ管内に螺旋状に配されたニクロム線等の電熱線と、を有する。シーズヒータは、例えば、アルミニウム製の外装部と、断熱材で構成された被覆材と、を有していてもよい。ラバーヒータは、例えば、ニクロム線等の電熱線と、この電熱線を挟む２枚のシリコンゴムのシートと、を有する。

加熱部５は、例えば、制御部８から出力される指令（加熱指令ともいう）に応じて通電加熱等によって発熱し、支持部３に支持された基板Ｇをチャンバー２の外から加熱する。このとき、例えば、加熱部５によって加熱されたチャンバー２からの放射熱によって、支持部３に支持された基板Ｇが均一に加熱され得る。ここでは、例えば、第１加熱部分５１は、蓋部２２の頂板部２２１を上面Ｓｆ１側から加熱し、頂板部２２１の下面２２１ｉからの放射熱によって、支持部３に支持された基板Ｇが上方から加熱される。例えば、第２加熱部分５２は、ベース部２１を外面Ｓｆ２側から加熱し、ベース部２１を介して整流板６が加熱され、さらに整流板６からの放射熱によって、支持部３に支持された基板Ｇが下方から加熱される。例えば、第３加熱部分５３は、蓋部２２の側壁部２２２を側面Ｓｆ３側から加熱し、側壁部２２２の内面２２２ｉからの放射熱によって、支持部３に支持された基板Ｇが側方から加熱される。

ここでは、例えば、第１加熱部分５１、第２加熱部分５２および第３加熱部分５３によって、支持部３に支持された基板Ｇがチャンバー２の上方、下方および側方から加熱されれば、基板Ｇがより均一に加熱され得る。その結果、例えば、基板Ｇ上の塗布膜Ｆにおける乾燥のムラが生じにくくなる。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラが生じにくくなる。したがって、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。また、例えば、支持部３に支持された基板Ｇがチャンバー２の上方、下方および側方から加熱されれば、チャンバー２の内面２ｉが広範囲にわたって加熱され得る。これにより、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１上の塗布膜Ｆ内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。より一般的には、例えば、基板Ｇの加熱時に基板Ｇの第１面Ｇ１に付着した処理液内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。その結果、例えば、チャンバー２の内面２ｉの付着物からのパーティクルが生じにくくなり、基板Ｇが汚染されにくくなる。したがって、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

減圧乾燥装置１では、例えば、制御部８は、加熱部５および排気部４を制御することで、加熱部５による基板Ｇの加熱と、排気部４によるチャンバー２内の減圧と、を並行して実行させる。このように、例えば、基板Ｇの加熱と、チャンバー２内の減圧と、が並行して行われることで、基板Ｇの第１面Ｇ１上に形成された塗布膜Ｆが迅速に乾燥され得る。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇが迅速に乾燥され得る。

整流板６は、例えば、処理空間２ｓ内の支持部３の下方において水平方向に沿って位置している。整流板６には、例えば、水平方向にそれぞれ沿った上面６ａおよび下面６ｂを有する平板状の板材が適用される。上面６ａおよび下面６ｂは、例えば、チャンバー２の底板部２１１の上面２１１ｉと同様に、矩形状の平坦な面である。整流板６は、例えば、上面６ａと下面６ｂとを接続する端面６ｃを有する。この整流板６は、例えば、チャンバー２の側壁部２１２および側壁部２２２の少なくとも一方と端面６ｃとが狭い第１間隙Ｇｐ１を形成し、チャンバー２の底板部２１１と下面６ｂが狭い第２間隙Ｇｐ２を形成するように配置されている。このため、例えば、処理空間２ｓから排気口１ｏを介して排気を行ったときに、基板Ｇの上方から、基板Ｇの第１面Ｇ１および側壁部２２２の内面２２２ｉに沿って、第１間隙Ｇｐ１および第２間隙Ｇｐ２を介して排気口１ｏに吸い込まれる気体の流れが形成される。換言すれば、例えば、整流板６の存在によって、基板Ｇ上の塗布膜Ｆから気化（蒸発）した溶媒が排気口１ｏに至る気体の流れが整えられ得る。換言すれば、例えば、整流板６の存在によってチャンバー２内の気流が制御され得る。そして、例えば、基板Ｇ上の塗布膜Ｆにおける乾燥のムラが生じにくくなる。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラが生じにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

また、例えば、整流板６の端面６ｃと側壁部２１２，２２２との距離、および整流板６の下面６ｂと底板部２１１の上面２１１ｉとの距離が、適宜設定されれば、処理空間２ｓから排気口１ｏを介して単位時間当たりに同一の排気量で排気を行ったときに、排気口１ｏに吸い込まれる気体の流速が大きくなり得る。これにより、例えば、基板Ｇが迅速に乾燥され得る。

また、例えば、整流板６の素材に、優れた伝熱性を有するアルミニウム等の金属が適用されれば、第２加熱部分５２によるベース部２１の加熱に応じて、整流板６が加熱され易くなる。これにより、例えば、基板Ｇが下方からより均一に加熱され、基板Ｇ上の塗布膜Ｆにおける乾燥のムラが生じにくくなる。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラが生じにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

ここで、例えば、整流板６の上面６ａと支持部３に支持された基板Ｇの第２面Ｇ２との距離、すなわち整流板６と支持部３に支持された基板Ｇとの距離を小さくすると、整流板６からの放射熱によって基板Ｇが加熱され易い。ただし、例えば、搬送ロボット等の搬送機構のうちの基板Ｇを保持するロボットハンド等が、整流板６と支持部に支持された基板Ｇとの間に挿入され得る程度の距離に、整流板６と支持部３に支持された基板Ｇとの距離が設定される。これにより、例えば、基板Ｇの第２面Ｇ２と整流板６の上面６ａとの距離がある程度離間し、基板Ｇ上の塗布膜Ｆにおける乾燥のムラ（転写ムラともいう）が生じにくくなる。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラ（転写ムラ）が生じにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

また、例えば、整流板６は、ベース部２１によって支持される。例えば、底板部２１１の上面２１１ｉから上方に延びる複数の柱部６ｓによって整流板６が支持される。この場合には、例えば、各柱部６ｓの下端部は、底板部２１１の上面２１１ｉに連結されており、各柱部６ｓの上端部は、整流板６の下面６ｂに連結されている。複数の柱部６ｓは、例えば、第１間隙Ｇｐ１から排気口１ｏに向かう第２間隙Ｇｐ２における気体の流れが適切に確保される程度に、水平方向において分散して配置されている。ここで、例えば、複数の柱部６ｓの素材に、優れた伝熱性を有するアルミニウム等の金属が適用されれば、第２加熱部分５２によるベース部２１の加熱に応じて、底板部２１１から複数の柱部６ｓを介した整流板６への熱伝導により、整流板６が加熱され易くなる。これにより、例えば、基板Ｇが下方からより均一に加熱され、基板Ｇ上の塗布膜Ｆにおける乾燥のムラが生じにくくなる。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラが生じにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

ここで、例えば、上述したように、排気口１ｏが、チャンバー２のうち、整流板６の下方に位置しており、排気部４に接続されていれば、基板Ｇの第１面Ｇ１から整流板６の下面６ｂに沿って流れる気流が集まるように排気口１ｏが位置する。この場合には、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１上の塗布膜Ｆ内の成分から生じる昇華物が排気口１ｏを介して処理空間２ｓから排出され易くなる。より一般的には、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１に付着した処理液内の成分から生じる昇華物が排気口１ｏを介して処理空間２ｓから排出され易くなる。これにより、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１上の塗布膜Ｆ内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。より一般的には、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１に付着した処理液内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。その結果、例えば、チャンバー２の内面２ｉの付着物からのパーティクルが生じにくくなり、基板Ｇが汚染されにくくなる。したがって、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

給気部７は、例えば、処理空間２ｓに気体の供給（給気ともいう）を行う。これにより、例えば、処理空間２ｓが、減圧された状態（減圧状態ともいう）から減圧されていない状態（常圧状態ともいう）に設定される。給気部７は、例えば、給気配管７１と、気体供給源７２と、第２開閉弁７３と、を有する。給気配管７１は、例えば、ベース部２１の底板部２１１に取り付けられて、底板部２１１から下方に突出している。給気配管７１の一端（第３端部ともいう）Ｅ３は、底板部２１１の開口（給気口ともいう）２ｏにおいて、チャンバー２内の処理空間２ｓに連通している。換言すれば、チャンバー２は、例えば、ベース部２１に位置している給気口２ｏを有する。そして、例えば、給気部７は、チャンバー２の給気口２ｏに接続している。ここでは、給気口２ｏは、例えば、整流板６の下面６ｂに対向している。

また、例えば、給気配管７１には第２開閉弁７３が介装されている。給気配管７１の他端（第４端部ともいう）Ｅ４は、例えば、気体供給源７２に接続されている。気体供給源７２は、例えば、基板処理装置９が設置された設備に備えられた給気用の用力設備に接続される。気体供給源７２は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスを供給する。第２開閉弁７３には、例えば、種々のバルブが適用される。ここで、例えば、制御部８からの開閉指令に応答して第２開閉弁７３が開閉されて、給気口２ｏから処理空間２ｓへの給気が実行または停止される。この場合には、例えば、チャンバー２の処理空間２ｓが密閉された状態で、制御部８から出力される閉指令に応答して第１開閉弁４３が閉じて処理空間２ｓの減圧が停止されるとともに、制御部８から出力される開指令に応答して第２開閉弁７３が開いて給気口２ｏから処理空間２ｓへの給気が行われる。これにより、例えば、処理空間２ｓが減圧状態から常圧状態に設定される。一方、例えば、制御部８から出力される閉指令に応答して第２開閉弁７３が閉じて、給気口２ｏから処理空間２ｓへの給気が停止される。

図２では、減圧乾燥装置１が、２つの給気部７を有する例が示されているが、これに限られない。減圧乾燥装置１は、例えば、１つの給気部７を有していてもよいし、３つ以上の任意の数の給気部７を有していてもよい。換言すれば、減圧乾燥装置１は、例えば、１つ以上の給気部７を有していてもよい。また、給気配管７１は、例えば、蓋部２２に取り付けられ、給気口２ｏが、頂板部２２１の下面２２１ｉおよび側壁部２２２の内面２２２ｉの何れかに形成されていてもよい。また、気体供給源７２は、例えば、複数の給気部７に対して共通化されてもよい。

ところで、上述した第１実施形態に係る減圧乾燥装置１では、例えば、支持部３を昇降させるための構成および駆動機構が存在していない。このため、例えば、ベース部２１の外面Ｓｆ２のより広い範囲に第２加熱部分５２を容易に配置することができる。これにより、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１上の塗布膜Ｆ内の成分から生じる昇華物がベース部２１の底板部２１１の上面２１１ｉに付着しにくくなる。より一般的には、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１に付着した処理液内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。その結果、例えば、チャンバー２の内面２ｉの付着物からのパーティクルが生じにくくなり、基板Ｇが汚染されにくくなる。したがって、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。また、例えば、ベース部２１の外面Ｓｆ２のより広い範囲に第２加熱部分５２が配置されれば、チャンバー２の昇温に要する時間が短縮され、減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理に要する時間が短縮され得る。換言すれば、例えば、減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理のタクトタイムが短縮され得る。

また、上述した第１実施形態に係る減圧乾燥装置１では、例えば、複数の支持ピン３ｐが貫通する複数の貫通孔等を有するホットプレート等の加熱手段が処理空間２ｓ内に存在していない。このため、例えば、基板Ｇの近傍に位置する凹凸または孔部等を有する構造体の存在数が低減され得る。これにより、例えば、基板Ｇ上の塗布膜Ｆにおける乾燥のムラ（転写ムラ）が生じにくくなる。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラ（転写ムラ）が生じにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

＜１－３．減圧乾燥処理の流れ＞
図４は、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１の動作フローの一例を示す流れ図である。図５（ａ）から図８は、減圧乾燥装置１の動作を説明するための図である。図４の動作フローは、例えば、制御部８の制御によって実行される。この動作フローが開始される前には、例えば、第１開閉弁４３および第２開閉弁７３が閉じられており、図５（ａ）で示されるように、チャンバー２の処理空間２ｓが開放されているものとする。ここでは、図４のステップＳ１からステップＳ６の処理が、この記載の順に行われる。

ステップＳ１では、例えば、図５（ｂ）で示されるように、チャンバー２内の処理空間２ｓに、第１面Ｇ１上に塗布膜Ｆが形成された基板Ｇが搬入される。ここでは、例えば、搬送ロボット等の搬送機構によって、複数の支持ピン３ｐの上に基板Ｇが載置される。

ステップＳ２では、例えば、図６（ａ）で示されるように、チャンバー２内の処理空間２ｓが密閉される。ここでは、例えば、制御部８からの下降指令に応答して、開閉駆動部２ｍが蓋部２２を下降させることで、蓋部２２がシール材２３を介してベース部２１に押圧される。これにより、例えば、ベース部２１と蓋部２２との間の処理空間２ｓが密閉される。

ステップＳ３では、例えば、図６（ｂ）で示されるように、加熱部５による基板Ｇの加熱と、排気部４によるチャンバー２内からの排気によるチャンバー２内の減圧と、が並行して実行される。ここでは、例えば、所定時間の経過に応答して、加熱部５による基板Ｇの加熱および排気部４によるチャンバー２内の減圧が停止される。より具体的には、例えば、加熱部５による基板Ｇの加熱および排気部４によるチャンバー２内の減圧のうち、少なくとも一方の処理が開始されてから所定時間が経過すると、加熱部５による基板Ｇの加熱および排気部４によるチャンバー２内の減圧が停止されてもよい。このとき、例えば、加熱部５による基板Ｇの加熱および排気部４によるチャンバー２内の減圧のうち、何れが先に開始または停止されてもよいし、両方が同時に開始または停止されてもよい。図６（ｂ）では、基板Ｇの第１面Ｇ１上に形成された塗布膜Ｆから気化した溶媒が、第１間隙Ｇｐ１、第２間隙Ｇｐ２および排気口１ｏをこの記載の順に介して排気配管４１内に流れ込む経路（排気経路ともいう）が、太い二点鎖線の矢印で示されている。また、図６（ｂ）では、基板Ｇが上方から加熱される様子が、斜線ハッチングが付された下向きの矢印で示され、基板Ｇが下方から加熱される様子が、斜線ハッチングが付された上向きの矢印で示されている。

このステップＳ３では、例えば、加熱部５によって、チャンバー２内の処理空間２ｓにおいて支持部３に支持された基板Ｇがチャンバー２の外部から加熱される。より具体的には、例えば、第１加熱部分５１によって、支持部３に支持された基板Ｇがチャンバー２の上方から加熱され、第２加熱部分５２によって、支持部３に支持された基板Ｇがチャンバー２の下方から加熱される。これにより、例えば、基板Ｇがより均一に加熱され、基板Ｇ上の塗布膜Ｆにおける乾燥のムラが生じにくくなる。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラが生じにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。また、例えば、第１加熱部分５１、第２加熱部分５２および第３加熱部分５３によって、支持部３に支持された基板Ｇがチャンバー２の上方、下方および側方から加熱されれば、チャンバー２の内面２ｉが広範囲にわたって加熱され得る。これにより、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１上の塗布膜Ｆ内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。より一般的には、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１に付着した処理液内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。その結果、例えば、チャンバー２の内面２ｉの付着物からのパーティクルが生じにくくなり、基板Ｇが汚染されにくくなる。したがって、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

ステップＳ４では、例えば、図７（ａ）で示されるように、給気部７によって、窒素ガスなどの不活性ガスが、チャンバー２内の処理空間２ｓに供給される。ここでは、例えば、チャンバー２の処理空間２ｓが密閉された状態で、制御部８から出力される開指令に応答して第２開閉弁７３が開いて給気口２ｏから処理空間２ｓへの給気が行われる。これにより、例えば、処理空間２ｓが減圧状態から常圧状態に設定される。そして、例えば、所定時間の経過に応答して、給気部７による処理空間２ｓへの給気が停止される。より具体的には、例えば、給気部７による処理空間２ｓへの給気が開始されてから所定時間が経過すると、給気部７による処理空間２ｓへの給気が停止されてもよい。図７（ａ）では、給気口２ｏから処理空間２ｓへ供給される気体の流れの経路（給気経路ともいう）が、細い二点鎖線の矢印で示されている。

ステップＳ５では、例えば、図７（ｂ）で示されるように、チャンバー２内の処理空間２ｓが開放される。ここでは、例えば、制御部８からの上昇指令に応答して、開閉駆動部２ｍが蓋部２２を上昇させることで、蓋部２２がベース部２１およびシール材２３から上方に離間する。これにより、例えば、ベース部２１と蓋部２２との間の処理空間２ｓが開放される。

ステップＳ６では、例えば、図８で示されるように、チャンバー２内の処理空間２ｓから、第１面Ｇ１上の塗布膜Ｆが乾燥された基板Ｇが搬出される。ここでは、例えば、搬送ロボット等の搬送機構によって、複数の支持ピン３ｐの上に載置された基板Ｇが、チャンバー２の外に搬出される。

＜１－４．第１実施形態のまとめ＞
以上のように、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１では、例えば、チャンバー２内において支持部３に支持された基板Ｇが、加熱部５によってチャンバー２の外から加熱される。このため、例えば、基板Ｇを加熱するための加熱部５がチャンバー２内に存在していない。これにより、例えば、チャンバー２内における発塵が低減され得る。その結果、例えば、減圧乾燥装置１において基板Ｇが汚れにくくなる。したがって、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

また、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１では、例えば、支持部３を昇降させるための構成および駆動機構が存在していない。このため、例えば、ベース部２１の外面Ｓｆ２のより広い範囲に第２加熱部分５２を容易に配置することができる。これにより、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１に付着した処理液内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。その結果、例えば、チャンバー２の内面２ｉの付着物からのパーティクルが生じにくくなり、基板Ｇが汚染されにくくなる。したがって、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。また、例えば、ベース部２１の外面Ｓｆ２のより広い範囲に第２加熱部分５２が配置されることで、チャンバー２の昇温に要する時間が短縮され、減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理のタクトタイムが短縮され得る。

また、第１実施形態に係る減圧乾燥装置１では、例えば、複数の支持ピン３ｐが貫通する複数の貫通孔等を有するホットプレート等の加熱手段が処理空間２ｓ内に存在していない。このため、例えば、基板Ｇの近傍に位置する凹凸または孔部等を有する構造体の存在数が低減され得る。これにより、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラ（転写ムラ）が生じにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

＜２．他の実施形態＞
本発明は上述の第１実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。

＜２－１．第２実施形態＞
上記第１実施形態において、例えば、整流板６が存在していなくてもよい。

図９は、第２実施形態に係る減圧乾燥装置１Ａの概略的な構成の一例を示す図である。図９で示される減圧乾燥装置１Ａは、図２で示された第１実施形態に係る減圧乾燥装置１がベースとされて、整流板６および複数の柱部６ｓが削除され、複数の支持ピン３ｐが、底板部２１１の上面２１１ｉから上方に延びるように変更された形態を有する。この場合には、例えば、各支持ピン３ｐの下端部は、底板部２１１の上面２１１ｉに連結されている。ここでは、例えば、第２加熱部分５２は、ベース部２１を外面Ｓｆ２側から加熱し、ベース部２１の上面２１１ｉおよび内面２１２ｉからの放射熱によって、支持部３に支持された基板Ｇが下方から加熱される。このような構成が採用されれば、例えば、処理空間２ｓ内の構成が簡略化されるため、チャンバー２内のメンテナンスが容易となり得る。

＜２－２．第３実施形態＞
上記各実施形態において、例えば、支持部３に支持された基板Ｇをチャンバー２の側方から加熱する第３加熱部分５３が存在していなくてもよい。

図１０は、第３実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｂの概略的な構成の一例を示す図である。図１０で示される減圧乾燥装置１Ｂは、図２で示された第１実施形態に係る減圧乾燥装置１がベースとされて、加熱部５が、第３加熱部分５３が削除された加熱部５Ｂに変更された形態を有する。換言すれば、加熱部５が、第１加熱部分５１と、第２加熱部分５２と、を含む。このような構成が採用されても、例えば、第１加熱部分５１および第２加熱部分５２によって、基板Ｇが上方および下方から加熱されれば、基板Ｇが均一に加熱され得る。これにより、例えば、基板Ｇ上の塗布膜Ｆにおける乾燥のムラが生じにくくなる。より一般的には、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラが生じにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

＜２－３．第４実施形態＞
上記各実施形態において、例えば、チャンバー２は、ベース部２１とこのベース部２１に対して上下方向に接離可能な蓋部２２とを有する代わりに、側方にシャッターのような開閉部が設けられた形態を有していてもよい。

図１１は、第４実施形態に係る減圧乾燥装置１Ｃの概略的な構成の一例を示す図である。図１１で示される減圧乾燥装置１Ｃは、図２で示された第１実施形態に係る減圧乾燥装置１がベースとされて、チャンバー２が、チャンバー本体部２４と開閉部２５とを含むチャンバー２Ｃに変更され、加熱部５が、開閉部２５の第１方向（－Ｘ方向）の側面（第１側面ともいう）２５ｆに沿って位置する第４加熱部分５４が追加された加熱部５Ｃに変更された形態を有する。

チャンバー本体部２４は、例えば、第１方向（－Ｘ方向）において開口した開口部２ｉｏを有し、外形が略直方体状である箱状の形状を有する。そして、チャンバー本体部２４は、内部に中空の処理空間２ｓを有する。より具体的には、例えば、チャンバー本体部２４は、水平方向にそれぞれ沿った底板部２４１および頂板部２４２と、底板部２４１と頂板部２４２とを接続する側壁部２４３と、を有する。底板部２４１は、例えば、下方から平面視すると、矩形状の形状を有する。頂板部２４２は、例えば、上方から平面視すると、矩形状の形状を有する。側壁部２４３は、例えば、Ｚ方向に延びる角筒状の外形を有するとともに、第１方向（－Ｘ方向）に開口部２ｉｏを有する。

開閉部２５は、例えば、チャンバー本体部２４の開口部２ｉｏの側方に配置されており、チャンバー本体部２４の開口部２ｉｏに対して－Ｘ方向から対向する。開閉部２５は、例えば、開口部２ｉｏに沿った板状の形状を有する。また、チャンバー２Ｃは、例えば、チャンバー本体部２４の開口部２ｉｏの周囲に位置する側面部２４ｓに沿って配置されたＯリング等のシール材２３Ｃを有する。より具体的には、例えば、開閉部２５の第２方向（＋Ｘ方向）の側面（第２側面ともいう）２５ｉと、チャンバー本体部２４の開口部２ｉｏの周囲に位置する側面部２４ｓとは、シール材２３Ｃを介して互いに接触する。換言すれば、例えば、チャンバー本体部２４と開閉部２５とは、シール材２３Ｃを介して互いに接触する。チャンバー本体部２４および開閉部２５の素材には、例えば、処理空間２ｓの減圧に耐え得る剛性および強度と、優れた伝熱性と、を有するアルミニウム等の金属が適用される。

ここで、減圧乾燥装置１Ｃは、例えば、チャンバー２Ｃを開閉するために、図１１で概念的に示した開閉駆動部２ｍＣを備えていてもよい。開閉駆動部２ｍＣは、例えば、チャンバー本体部２４と開閉部２５とを互いに接触させることで処理空間２ｓを閉じる一方で、チャンバー本体部２４と開閉部２５とを互いに離間させることで処理空間２ｓを開くことができる。開閉駆動部２ｍＣには、例えば、開閉部２５をチャンバー本体部２４に対してＸ方向およびＺ方向に移動させる駆動機構が適用される。開閉駆動部２ｍＣは、例えば、制御部８からの指令に応じて動作することで、チャンバー本体部２４に対して開閉部２５を－Ｘ方向に離間させ、さらに開閉部２５をＺ方向において開口部２ｉｏよりも上方まで上昇させる。これにより、例えば、処理空間２ｓが開放される。このとき、例えば、開口部２ｉｏを介した処理空間２ｓに対する基板Ｇの搬入または搬出を行うことが可能である。また、開閉駆動部２ｍＣは、例えば、制御部８からの指令に応じて動作することで、開閉部２５を開口部２ｉｏに対向する位置まで下降させ、さらにチャンバー本体部２４に対して開閉部２５を＋Ｘ方向に移動させる。このとき、例えば、開閉部２５が、シール材２３Ｃを介してチャンバー本体部２４に押圧される。これにより、例えば、チャンバー本体部２４と開閉部２５とによって処理空間２ｓが密閉される。

また、第１加熱部分５１は、例えば、頂板部２４２の上面２４２ｆに沿って配置される。例えば、第１加熱部分５１は、頂板部２４２の上面２４２ｆを覆うように配置される。例えば、第２加熱部分５２は、例えば、底板部２４１の外面２４１ｆに沿って配置される。外面２４１ｆは、例えば、底板部２４１の下面および側面を含む。例えば、第２加熱部分５２は、底板部２４１の外面２４１ｆを覆うように配置される。第３加熱部分５３は、例えば、側壁部２４３の外面２４３ｆに沿って配置される。例えば、第３加熱部分５３は、側壁部２４３の外面２４３ｆを覆うように配置される。このような構成が採用されても、例えば、チャンバー２内において支持部３に支持された基板Ｇが、加熱部５Ｃによってチャンバー２の外から加熱される。第４加熱部分５４は、例えば、開閉部２５の第１側面２５ｆに沿って配置される。例えば、第４加熱部分５４は、開閉部２５の第１側面２５ｆを覆うように配置される。ここでは、例えば、基板Ｇを加熱するための加熱部５Ｃがチャンバー２内に存在しておらず、チャンバー２内における発塵が低減され得る。これにより、例えば、減圧乾燥装置１Ｃにおいて基板Ｇが汚れにくくなる。その結果、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。

また、ここでは、例えば、支持部３を昇降させるための構成および駆動機構が存在しておらず、底板部２４１の外面２４１ｆのより広い範囲に第２加熱部分５２を容易に配置することができる。これにより、例えば、基板Ｇの加熱時に、基板Ｇの第１面Ｇ１に付着した処理液内の成分から生じる昇華物がチャンバー２の内面２ｉに付着しにくくなる。その結果、例えば、チャンバー２の内面２ｉの付着物からのパーティクルが生じにくくなり、基板Ｇが汚染されにくくなる。したがって、例えば、基板Ｇの品質が向上し得る。また、例えば、底板部２４１の外面２４１ｆのより広い範囲に第２加熱部分５２が配置されれば、チャンバー２の昇温に要する時間が短縮され、減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理のタクトタイムが短縮され得る。

また、例えば、複数の支持ピン３ｐが貫通する複数の貫通孔等を有するホットプレート等の加熱手段が処理空間２ｓ内に存在しておらず、基板Ｇの近傍に位置する凹凸または孔部等を有する構造体の存在数が低減され得る。これにより、例えば、処理液が付着した基板Ｇにおける乾燥のムラ（転写ムラ）が生じにくくなり、基板Ｇの品質が向上し得る。

＜２－４．その他の実施形態＞
上記各実施形態において、例えば、排気口１ｏは、チャンバー２，２Ｃの底板部２１１，２４１の４隅の部分等といった略中央以外の部分に位置していてもよい。また、例えば、排気口１ｏは、チャンバー２，２Ｃの側方の部分に位置していてもよい。

上記各実施形態では、減圧乾燥装置１，１Ａ～１Ｃは、基板処理装置９の一部であったが、減圧乾燥装置１，１Ａ～１Ｃは、基板処理装置９を構成する他の処理部とともに設置されない独立した装置であってもよい。また、上記各実施形態の減圧乾燥装置１，１Ａ～１Ｃは、ＰＩ液もしくはレジスト液等が付着した基板Ｇを乾燥させるものであったが、減圧乾燥装置１，１Ａ～１Ｃは、その他の処理液が付着した基板Ｇを乾燥させるものであってもよい。例えば、デハイドベーク部９２およびポストベーク部９８の少なくとも１つの部分に、減圧乾燥装置１，１Ａ～１Ｃと同様な構成を有する装置（ベーキング装置ともいう）が適用されてもよい。

上記第１実施形態、上記第３実施形態および上記第４実施形態において、例えば、整流板６に２つ以上の温度計を配するとともに、加熱部５，５Ｂ，５Ｃを複数の部分に分割して、制御部８が、２つ以上の温度計で検出される温度に応じて、整流板６の温度分布がより均一となるように、加熱部５，５Ｂ，５Ｃを制御してもよい。また、例えば、整流板６の温度分布がより均一となるように、複数の柱部６ｓの配置および分布が適宜設定されてもよい。

上記各実施形態において、例えば、排気配管４１には気体の流量を調整する調整弁等の他の構成が介装されてもよいし、給気配管７１には気体の流量を調整する調整弁およびフィルタ等の他の構成が介装されてもよい。

上記各実施形態では、減圧乾燥装置１，１Ａ～１Ｃは、ガラス基板等を処理対象の基板Ｇとしていたが、ガラス基板には、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板等が適用される。また、処理対象の基板Ｇとして、例えば、ガラス基板とは異なる、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板または太陽電池用基板等の他の精密電子装置用の基板が採用されてもよい。

なお、上記各実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

１，１Ａ～１Ｃ 減圧乾燥装置
１ｏ 排気口
２，２Ｃ チャンバー
２１ ベース部（第１チャンバ部分）
２２ 蓋部（第２チャンバ部分）
２３，２３Ｃ シール材
２４ チャンバー本体部
２５ 開閉部
２ｉｏ 開口部
２ｍ，２ｍＣ 開閉駆動部
２ｏ 給気口
２ｓ 処理空間
３ 支持部
３ｐ 支持ピン
３ｐｔ 接触部分
４ 排気部
５，５Ｂ，５Ｃ 加熱部
５１ 第１加熱部分
５２ 第２加熱部分
５３ 第３加熱部分
５４ 第４加熱部分
６ 整流板
７ 給気部
８ 制御部
９２ デハイドベーク部
９８ ポストベーク部
Ｆ 塗布膜
Ｇ 基板
Ｇ１ 第１面
Ｇ２ 第２面

Claims (8)

1. 第１面に処理液が付着した基板を減圧によって乾燥する減圧乾燥装置であって、
   前記基板を収容する処理空間を有するチャンバーと、
   前記処理空間において前記第１面を上方に向けた状態で前記基板の前記第１面とは逆の第２面を支持する支持部と、
   前記処理空間から気体を排出することで前記処理空間内を減圧する排気部と、
   前記支持部に支持された前記基板を前記チャンバー外から加熱する加熱部と、
   を備えている、減圧乾燥装置。
2. 請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記加熱部は、前記支持部に支持された前記基板を前記チャンバーの上方から加熱する第１加熱部分と、前記支持部に支持された前記基板を前記チャンバーの下方から加熱する第２加熱部分と、を含む、減圧乾燥装置。
3. 請求項２に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記加熱部は、前記支持部に支持された前記基板を前記チャンバーの側方から加熱する第３加熱部分、を含む、減圧乾燥装置。
4. 請求項１から請求項３の何れか１つの請求項に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記加熱部および前記排気部を制御することで、前記加熱部による前記基板の加熱と、前記排気部による前記チャンバー内の減圧と、を並行して実行させる制御部、
   を備えている、減圧乾燥装置。
5. 請求項１から請求項４の何れか１つの請求項に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記チャンバーは、互いに接離可能な、第１チャンバー部分と、該第１チャンバー部分の上方に位置する第２チャンバー部分と、を含み、
   前記支持部は、前記第１チャンバー部分に取り付けられており、
   前記第１チャンバー部分と前記第２チャンバー部分とを互いに接触させることで前記処理空間を閉じる一方、前記第１チャンバー部分と前記第２チャンバー部分とを互いに離間させることで前記処理空間を開く駆動部、
   をさらに備えている、減圧乾燥装置。
6. 請求項５に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記支持部は、前記第２面に接触する接触部分、を含み、
   前記接触部分は、上下方向において前記第１チャンバー部分の上端よりも高い位置に配されている、減圧乾燥装置。
7. 請求項１から請求項６の何れか１つの請求項に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記処理空間内の前記支持部の下方において水平方向に沿って位置している整流板、を備えている、減圧乾燥装置。
8. 請求項７に記載の減圧乾燥装置であって、
   前記チャンバーは、前記整流板の下方に位置し、前記排気部に接続している排気口を有する、減圧乾燥装置。

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