JP2022073188A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022073188A JP2022073188A JP2020183010A JP2020183010A JP2022073188A JP 2022073188 A JP2022073188 A JP 2022073188A JP 2020183010 A JP2020183010 A JP 2020183010A JP 2020183010 A JP2020183010 A JP 2020183010A JP 2022073188 A JP2022073188 A JP 2022073188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- substrate
- emitting element
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 5
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
- H01L31/147—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/153—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0291—Details of output amplifiers or buffers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
- G09G2360/141—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light conveying information used for selecting or modulating the light emitting or modulating element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】受光素子と発光素子とを備える新たな表示装置を提供すること。【解決手段】表示装置は、第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面とを含む基板と、前記基板の側方に配置された第1発光素子と、前記基板の前記第2面側に配置された複数の受光素子と、前記基板の前記第1面上に配置された複数の第2発光素子と、前記受光素子の出力に基づいて前記第2発光素子の駆動を制御する第1駆動素子と、を備え、前記第1発光素子の光出射面は前記第1面から前記第2面に向かう第1方向に向けられ、前記第2発光素子の光出射面は前記第2面から前記第1面に向かう第2方向に向けられる。【選択図】図4
Description
本発明は、表示装置に関する。
受光素子と発光素子とを有する半導体装置が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3参照)。
本発明は、受光素子と発光素子とを備える新たな表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、表示装置は、第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面とを含む基板と、前記基板の側方に配置された第1発光素子と、前記基板の前記第2面側に配置された複数の受光素子と、前記基板の前記第1面上に配置された複数の第2発光素子と、前記受光素子の出力に基づいて前記第2発光素子の駆動を制御する第1駆動素子と、を備え、前記第1発光素子の光出射面は前記第1面から前記第2面に向かう第1方向に向けられ、前記第2発光素子の光出射面は前記第2面から前記第1面に向かう第2方向に向けられる。
本発明によれば、受光素子と発光素子とを備える新たな表示装置を提供することができる。
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。
図1は、本発明の一実施形態の表示装置1の模式斜視図である。
表示装置1は、複数の表示部分2と、複数の表示部分2を保持する保持部材10とを含む。表示部分2が1つの場合と比べて、複数の表示部分2を用いることにより、表示範囲を広げることができる。
表示装置1は、複数の表示部分2と、複数の表示部分2を保持する保持部材10とを含む。表示部分2が1つの場合と比べて、複数の表示部分2を用いることにより、表示範囲を広げることができる。
図2は、図1において保持部材10を取り除いた複数の表示部分2の模式斜視図である。複数の表示部分2は、例えばマトリクス状に配置されている。
図3は、1つの表示部分2の模式斜視図である。
図4は、図3におけるIV-IV線に沿った模式断面図である。
なお、図2、図3は、説明を簡単にするために、一部の部材を省略して図示している。
図4は、図3におけるIV-IV線に沿った模式断面図である。
なお、図2、図3は、説明を簡単にするために、一部の部材を省略して図示している。
本発明の一実施形態の表示装置1は、第1面21と、第1面21の反対側に位置する第2面22とを含む基板20と、基板20の側方に配置された第1発光素子30R、30IRと、基板20の第2面22側に配置された複数の受光素子50と、基板20の第1面21上に配置された複数の第2発光素子40と、受光素子50の出力に基づいて第2発光素子40の駆動を制御する第1駆動素子60と、を備え、第1発光素子30R、30IRの光出射面31は第1面21から第2面22に向かう第1方向Aに向けられ、第2発光素子40の光出射面41は第2面22から第1面21に向かう第2方向Bに向けられる。これにより、第1発光素子30R、30IRからの光が照射された被対象物の形状を反映して第2発光素子40によって表示することができる。
表示部分2は、基板20と、第1発光素子30R、30IRと、複数の受光素子50と、複数の第2発光素子40とを含む。
保持部材10は、可撓性を有する材料であることが好ましい。各表示部分2の間が可撓性の材料からなる保持部材10で保持されることで、多様な形状の物体に対して取り付けることができる。図4において、保持部材10は、樹脂部材であってもよい。樹脂部材は可撓性を有する保持材料として用いることができる。樹脂部材は、少なくとも第1樹脂部材11と、第1樹脂部材11上に配置された第2樹脂部材12とを含む。第1樹脂部材11は、第1発光素子30R、30IRが発する光、および受光素子50が受光する光に対して透過性を有する。第1樹脂部材11は、例えば、透過率が50%以上100%以下の材料を用いることができる。好ましくは、第1樹脂部材11は、透過率が80%以上100%以下の材料を用いることができる。第2樹脂部材12は、第1発光素子30R、30IRおよび第2発光素子40が発する光に対して反射性を有する。第2樹脂部材12は、例えば、積分球を用いたときの反射率が50%以上100%以下の材料を用いることができる。第2樹脂部材12は、好ましくは、積分球を用いたときの反射率が80%以上100%以下の材料を用いることができる。第2樹脂部材12は、例えば、酸化チタンなどの粒子を含む。また、保持部材10は、透光性のハイドロゲルを含んでいてもよい。
基板20は、第1面21と、第1面21の反対側に位置する第2面22とを含む。基板20は、第2面22を第1樹脂部材11の上面と接触して配置されている。基板20は、例えばシリコン基板である。シリコン基板は、受光素子50を第2面22側に設けることが容易である。また、受光素子50および後述する第1駆動素子60をシリコン基板内に作製することもできるので好ましい。また、基板20がシリコン基板であれば、第2駆動素子70もシリコン基板内に作製することができる。
第1発光素子30R、30IRは、基板20の側方において第1樹脂部材11上に配置されている。第1発光素子30R、30IRの光出射面31は、基板20の第1面21から第2面22に向かう第1方向Aに向けられる。第1発光素子30R、30IRは、例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)、またはレーザーダイオード(Laser Diode)である。レーザーダイオードの場合は、垂直共振器型端面発光レーザー(Vertical Cavity Surface Emitting Laser ; VCSEL)のような面発光レーザーを用いることが好ましい。面発光レーザーは、光出射面と同一面側に電極を設けることができるので、端面発光型レーザーと比べて容易に第1発光素子30R、30IRとして配置することができる。
第1発光素子30R、30IRが発する光の波長は、受光素子50が受光することができる波長である。第1発光素子30R、30IRが発する光に応じた光を受光素子50は受光し、第2発光素子40によって表示することができる。第1発光素子30R、30IRが発する光は、例えば波長変換部材もしくは被照射対象物との相互作用によって波長変換され、これが受光素子50が受光することができる波長の光となってもよい。1つの表示部分2において、発光ピーク波長が互いに異なる複数の第1発光素子30R、30IRが配置されている。これにより、可視化することができる対象が増える。また、第1発光素子30R、30IRが発する光の照射対象が有する吸収率や反射率の波長依存性に応じて適切な発光ピーク波長の光を用いることができる。第1発光素子30R、30IRの発光ピーク波長は、例えば、10nm以上400nm以下の間隔で離すことができる。第1発光素子30R、30IRの発光ピーク波長は、20nm以上100nm以下の間隔で離れていてもよい。これにより、光の照射対象の吸収端が立ち上がる前と後のピーク波長を有する第1発光素子30R、30IRを参照光として用いることができるので、適切な波長を選択し、表示させることできる。第1発光素子30R、30IRのピーク波長の差は、被照射対象物の吸収端に応じて適宜変更することができ、例えば、1nm以上にすることもできる。また、第1発光素子30R、30IRが発する光の発光ピーク波長の間隔が10nm以上400nm以下とすることで、第1発光素子30Rが発する光が、照射対象によって反射された反射光と、第1発光素子30IRが発する光が照射対象によって反射された反射光とを、受光素子50が受光したときに、両者を区別しやすくなる。第1発光素子30R、30IRが発する光として、例えば紫外光、青色光、緑色光、黄色光、赤色光、近赤外光を用いることができる。これらの波長の光は、受光素子50が受光することができる波長から適宜選択することができる。第1発光素子30R、30IRの半値幅は、例えば、30nm以下である。例えば、第1発光素子30Rは赤色光を発し、第1発光素子30IRは赤外光を発する。
なお、本明細書において紫外光とは、発光ピーク波長が365nm以上410nm未満の範囲にあるものを指す。また、青色光とは、発光ピーク波長が410nm以上500nm未満の範囲にあるものを指す。また、緑色光とは、発光ピーク波長が500nm以上570nm未満の範囲にあるものを指す。また、黄色光とは、発光ピーク波長が570nm以上600nm未満の範囲にあるものを指す。また、赤色光とは、発光ピーク波長が600nm以上750nm未満の範囲にあるものを指す。また、近赤外光とは、発光ピーク波長が750nm以上1300nm以下の範囲にあるものを指す。紫外領域に特異な吸収がある場合は、紫外光を用いることが好ましい。紫外領域に特異な吸収がある材料として、例えば、酸化チタンが挙げられる。例えば生体観察を行う場合は、赤色光と近赤外光を用いることが好ましい。赤色光と近赤外光は生体を透過しやすい波長領域といわれている。例えば、このことを利用して血液の状態を観察することができる。
基板20の第2面22側に複数の受光素子50が配置されている。受光素子50は、例えば、フォトダイオードである。フォトダイオードの主材料は、無機半導体材料が好ましく、例えば、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、インジウムガリウムヒ素(InGaAs)が挙げられる。基板20がシリコン基板である場合には、フォトダイオードの主材料は、特にSiを用いることが好ましい。これにより、第2面22側に不純物をドーピングすることで、第2面22側の基板20内部にフォトダイオードを設けることができる。基板20の主材料と、後述する第1駆動素子60の主材料と、受光素子50の主材料とが同一となることで、これらを基板20内に一体的に設けることができる。これにより、基板20の内部に受光素子50を設けることができるので、基板20の外部に受光素子50を設ける場合と比べて、表示装置1を薄くすることができる。
基板20の第1面21上に複数の第2発光素子40が配置されている。第2発光素子40の光出射面41は、基板20の第2面22から第1面21に向かう第2方向Bに向けられる。第2発光素子40は、例えばLEDである。LEDの主材料は、無機半導体材料が好ましい。LEDの主材料に無機半導体を用いることで、有機半導体を用いる場合と比べて輝度を向上させることができる。LEDの主材料は、例えば、窒化ガリウム系半導体、ガリウムヒ素系半導体である。例えば、第2発光素子40の発光ピーク波長は、第1発光素子30R、30IRの発光ピーク波長よりも短くてよい。
図5は、受光素子50および第2発光素子40が配置された部分のさらに詳細な模式断面図である。
基板20の第2面22側には第1駆動素子60が配置されている。第1駆動素子60は、受光素子50の出力に基づいて第2発光素子40の駆動を制御する。例えば、受光素子50がフォトダイオードの場合、フォトダイオードで光電変換された電流に応じて第2発光素子40の駆動を制御する。複数の受光素子50の数および複数の第2発光素子40の数に対応して、複数の第1駆動素子60が配置されている。例えば、第1駆動素子60の数は、受光素子50の数と同数である。また、例えば、第1駆動素子60は、複数の第2発光素子40の一つと接続されているか、もしくは2又は3の第2発光素子40と接続されている。第1駆動素子60は、基板20の第2面22側に形成されたトランジスタを含む半導体集積回路として形成されている。
基板20の第2面22には配線部120が配置されている。配線部120は、絶縁層121と、絶縁層121中に配置された多層配線層とを含む。多層配線層の材料は、例えば、銅(Cu)、アルミニウム(Al)又は銀(Ag)である。なお、図5には、多層配線層のうち、最も基板20側に位置する1層の第1配線層122のみを示す。また、絶縁層121中には、多層配線層間を接続するビアも形成されている。絶縁層121は、受光素子50が受光する光に対する透過性を有する。
受光素子50および第1駆動素子60は、第1配線層122と電気的に接続されている。第2発光素子40は、導電性の接合材、例えばバンプ62を介して基板20の第1面21上に配置されている。基板20には、第1面21と第2面22との間を貫通する第1導電部材61が形成されている。第1面21と第2面22とを貫通しない電極を用いる場合と比べて、第2発光素子40と後述する第1配線層122とを短い距離で接続することができるので、電力のロスを低減することができる。基板20がシリコン基板である場合、第1導電部材61は、いわゆるシリコン貫通電極であり、TSV(through-silicon via)と呼ばれる。第1導電部材61の材料は、例えば、銅(Cu)、タングステン(W)又は金(Au)である。
第1導電部材61は、第1面21側に配置されたバンプ62と、第2面22側に配置された第1配線層122とを接続している。第2発光素子40は、光出射面41の反対側に正側と負側の電極を有し、その電極は第1導電部材61と接続されている。第2発光素子40は、バンプ62および第1導電部材61を介して第1配線層122と電気的に接続されている。受光素子50、第1駆動素子60、および第2発光素子40は、第1配線層122を含む多層配線層を介して互いに電気的に接続されている。
図6は、基板20の第1面21側の模式平面図である。
図7は、基板20の第2面22側の模式平面図である。
図8は、図6に示す1つの画素部Pの模式平面図である。
図9は、図7に示す1つの画素部Pの模式平面図である。
図7は、基板20の第2面22側の模式平面図である。
図8は、図6に示す1つの画素部Pの模式平面図である。
図9は、図7に示す1つの画素部Pの模式平面図である。
図6~図9を参照する。複数の受光素子50の一つが、複数の第1駆動素子60の一つを介して、第2発光素子40の少なくとも一つと電気的に接続されている。第1駆動素子60の一つと、複数の受光素子50のうち前記第1駆動素子60の一つと最も近い受光素子50とが接続されている。また、第1駆動素子60の一つと、複数の第2発光素子40のうち前記第1駆動素子60の一つと最も近い第2発光素子40とが接続されている。これにより、第1駆動素子60と最も近い受光素子50および第2発光素子40とを接続しない場合と比べて、互いに接続対象の受光素子50、第1駆動素子60、および第2発光素子40の間の配線長を短くすることができるので、第2発光素子40の駆動時の電力損失を減らすことができる。
表示部分2は、さらに第2駆動素子70と、第2導電部材80とを含む。第2駆動素子70は、トランジスタを含む半導体集積回路として形成されている。第2駆動素子70は基板20の第2面22側に形成されていてもよい。第2駆動素子70は、第1発光素子30R、30IRの駆動を制御する。第2導電部材80は、基板20の側方に配置され、保持部材10に保持され、第1発光素子30R、30IRと第2駆動素子70とを電気的に接続している。これにより、基板20の第2面22側に形成された第2駆動素子70を用いて第1発光素子30R、30IRの駆動を制御することができる。第2駆動素子70を表示装置1の外部に設ける必要がなく、表示装置1を小型化することができる。
第1樹脂部材11中に第2配線層17が配置されている。第2配線層17は、例えば多層配線層である。基板20は第2面22を第1樹脂部材11の上面に対向させて第1樹脂部材11上に配置され、基板20の第2面22側に配置された第2駆動素子70は、導電性の接続部材93を介して第2配線層17と電気的に接続されている。受光素子50の受光面は、第1樹脂部材11の上面に対向している。
基板20の第2面22と、第1樹脂部材11の上面との間には、第3樹脂部材103が設けられている。第3樹脂部材103は接続部材93の側面を覆っている。また、第3樹脂部材103は、受光素子50の受光面と、第1樹脂部材11の上面との間にも設けられている。第3樹脂部材103は、受光素子50が受光する光に対して透過性を有する。第3樹脂部材103は、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。
第2導電部材80は、導電性の接続部材92を介して第2配線層17と電気的に接続されている。第2導電部材80と、第1樹脂部材11の上面との間には第4樹脂部材102が設けられている。第4樹脂部材102は、接続部材92の側面を覆っている。第4樹脂部材102は、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。第2導電部材80は、例えば銅(Cu)からなる金属のチップ(またはブロック)である。または、第2導電部材80は、絶縁体または半導体に上下を貫通する電極が形成された構成であってもよい。または、第2導電部材80は、第2樹脂部材12に形成された貫通孔内に設けられた金属または導電性ペーストであってもよい。
第1発光素子30R、30IRは、接続部材91を介して第2配線層17と電気的に接続されている。第1発光素子30R、30IRと、第1樹脂部材11の上面との間には樹脂101が設けられている。樹脂101は、接続部材91の側面を覆っている。
保持部材10は、基板20、第1発光素子30R、30IR、および第2発光素子40を保持し、第3面13と、第3面13の反対側に位置する第4面14とを含む。第3面13は基板20の第1面21と対向し、第4面14は基板20の第2面22と対向する。これにより、基板20、第1発光素子30R、30IR、および第2発光素子40を一体化でき、実装が容易となる。
第3面13上には、第1発光素子30R、30IRと第2導電部材80とを電気的に接続する第3配線層19が配置されている。第1発光素子30R、30IRは、例えば、光出射面31側と、その反対側にそれぞれの電極を有する。第1発光素子30R、30IRの上側の電極は、第3配線層19、第2導電部材80、接続部材92、第2配線層17、および接続部材93を介して、第2駆動素子70と電気的に接続されている。第1発光素子30R、30IRの下側の電極は、接続部材91、第2配線層17、および接続部材93を介して、第2駆動素子70と電気的に接続されている。
保持部材10は、前述した各構成を保持する。第2樹脂部材12は、第1発光素子30R、30IRの側面、第2導電部材80の側面、第2発光素子40の側面、基板20の側面、および基板20の第1面21を覆っている。第2樹脂部材12は、例えば、白色の樹脂である。具体的には、TiO2粒子を含むシリコーン樹脂である。第2発光素子40が発する光を第2樹脂部材12で反射し、輝度を向上させることにより、表示装置のコントラストを高めることができる。
第1発光素子30R、30IRが発した光は、保持部材10の第4面14から表示装置1の外部に参照光として出射する。この参照光は、後述するように例えば人の血管などの可視化対象物で反射され、この反射光は第4面14から第1樹脂部材11を透過して受光素子50に入射する。
第1発光素子30R、30IRの光出射面31は、基板20の第2面22よりも保持部材10の第4面14側に突出していない。これにより、第1発光素子30R、30IRから出射した光が直接受光素子50に入射することが抑制され、受光素子50による不要な光の誤検出を軽減することができる。
表示部分2は、第1遮光膜81、第2遮光膜82、第3遮光膜83、第4遮光膜84、および第5遮光膜85をさらに含む。これらの遮光膜の色は、例えば、暗色系もしくは黒色系である。第1遮光膜81、第2遮光膜82、第3遮光膜83、第4遮光膜84、および第5遮光膜85は、例えば酸化クロムなどのブラックマトリクス材料からなる。または、遮光膜81~85は、カーボンもしくは顔料を含むシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等からなる。顔料は、好ましくは暗色系もしくは黒色系である。第4遮光膜84および第5遮光膜85は顔料を含むシリコーン樹脂やエポキシ樹脂であることが好ましい。これらの材料は導電性を有していないので、表示装置がショートすることを回避することができる。
第1遮光膜81は、基板20の側面に配置されている。この第1遮光膜81により、第1発光素子30R、30IRから出射した光が基板20の側面を介して受光素子50に入射することが抑制され、受光素子50による不要な光の誤検出を防ぐことができる。
第1樹脂部材11の上面において光の経路以外に第2遮光膜82、第4遮光膜84、および第5遮光膜85が配置されている。平面視において、第1発光素子30R、30IRと受光素子50との間に第2遮光膜82が配置されている。これにより迷光を低減することができる。また、基板20の第2面22と、第1樹脂部材11の上面との間に第4遮光膜84が配置されている。これにより、受光素子50へ入射する光の入射角度を制限することができる。よって、受光素子50へ入射する迷光を低減することができる。また、平面視において、第1発光素子30R、30IRと保持部材10の端面(側面)との間の第1樹脂部材11の上面に第5遮光膜85が配置されている。これにより、迷光を低減することができる。
受光素子50の受光面は、平面視において、第4遮光膜84と重ならない。この第4遮光膜84により、保持部材10の第4面14側から受光素子50に対する光の入射角度を制限することができる。これにより、可視化対象物(光の照射対象)の形状や位置をより正確に反映した像の取得が可能になる。また、第4遮光膜84は、第1駆動素子60に光の照射対象からの反射光が吸収されることを低減し、第1駆動素子60の誤動作を抑制することができる。
保持部材10の第3面13に第3遮光膜83が配置されている。第2発光素子40の光出射面41は、第3遮光膜83から露出している。この第3遮光膜83により、複数の第2発光素子40の発光によって得られる像のコントラストを向上させることができる。また、第3遮光膜83は第1発光素子30R、30IRの上面のうち、第3配線層19が設けられている部分以外を覆うことができる。これにより、第1発光素子30R、30IRが発する光が表示側へ漏れることを低減し、複数の第2発光素子40の発光によって得られる像のコントラストを向上させることができる。さらに、自然光(外光)が表示装置内部に侵入することを抑制することができる。これにより、迷光を抑制することができる。
第2発光素子40の光出射面41上に、光学部材110を配置してもよい。光学部材110は、例えば、ガラス、または波長変換部材である。波長変換部材は蛍光体を含んでいてもよい。蛍光体は例えば、YAGを含んでよい。また、波長変換部材は、波長変換可能な半導体ナノ粒子を含んでいてもよい。光学部材110を配置する場合、好ましくは、波長変換部材を配置する。これにより、第2発光素子40からの光を目的に応じて波長変換することができる。
保持部材10の第3面13上に、第2発光素子40が発する光に対して透過性を有する保護層111が配置されている。保護層111は、第3遮光膜83および光学部材110を覆っている。または、光学部材110を設けずに、保護層111で第2発光素子40の光出射面41を直接覆ってもよい。
基板20に複数の画素部Pがマトリクス状に配置されている。各画素部Pは、第1面21側に第2発光素子40を含み、第2面22側に受光素子50および受光素子50の出力に基づいて第2発光素子40の駆動を制御する第1駆動素子60を含む。すなわち、基板20の第2面22側に複数の受光素子50がマトリクス状に配置されている。また、基板20の第1面21上に、複数の受光素子50と同数の複数の第2発光素子40がマトリクス状に配置されている。
また、図7に示すように、基板20の第2面22における複数の画素部Pが配置された領域の外側の領域に、第1発光素子30R、30IRを駆動するための第2駆動素子70が配置されている。
図9に示すように、各画素部Pは、基板20の第2面22側に配置された第1駆動素子60をさらに含む。
図10は、各画素部Pにおける受光素子50、第1駆動素子60、および第2発光素子40の接続関係を示すブロック図である。
第1駆動素子60は、カレントアンプ65と、トランスインピーダンスアンプ66と、パルス幅変調回路67と、ドライバ68とを含む。
カレントアンプ65は、図5に示す第1配線層122を介して、受光素子50と電気的に接続され、受光素子50が出力する電流を増幅する。
トランスインピーダンスアンプ66は、カレントアンプ65と電気的に接続され、カレントアンプ65で増幅された電流を電圧に変換する。
パルス幅変調回路67は、トランスインピーダンスアンプ66と電気的に接続され、トランスインピーダンスアンプ66が出力する電圧の大きさに基づいて決定されたデューティ比をもつPWM(Pulse Width Modulation)信号を発振する。
ドライバ68は、パルス幅変調回路67と電気的に接続され、パルス幅変調回路67が出力するPWM信号に基づいて、第2発光素子40に供給する電流を生成する。
ドライバ68は、図5に示す第1配線層122、第1導電部材61、およびバンプ62を介して第2発光素子40の正側と負側の両電極と電気的に接続され、第2発光素子40をPWM制御して、第2発光素子40を発光させる。第2発光素子40は、受光素子50が受光した光の強さに応じた明るさで発光する。
なお、第2発光素子40をPWM制御することに限らず、受光素子50が受光した光の強さに応じて第2発光素子40に供給する電流値を可変することで第2発光素子40が発光する光の明るさを制御してもよい。
図11は、本実施形態の表示装置1の使用例を示す模式図である。
本実施形態の表示装置1は、人体、例えば人の腕200に装着することができる。保持部材10の第4面14が腕200の皮膚の表面に密着する。その状態で、第1発光素子30R、30IRを発光させる。第1発光素子30R、30IRが発した参照光(例えば、赤色光のみ、または赤外光のみ、または赤色光及び赤外光の両方)は皮膚を透過して、血管に照射される。
受光素子50は、例えば、血管で反射した参照光の入射を受け、受光した光を電気信号(電流)に変換する。その電気信号を受けた前述した第1駆動素子60は、受光素子50が受光した光の強さに応じた明るさで第2発光素子40を発光させる。
複数の第2発光素子40と複数の受光素子50とは例えば1対1の関係で配置位置及び電気的接続が対応し、複数の第2発光素子40の発光によって保持部材10の第3面13側に、複数の受光素子50で受けた光の像、すなわち血管の形状が反映された画像が表示される。すなわち、肉眼では見ない皮膚の下の血管を可視化することができる。
本実施形態によれば、表示用の第2発光素子40を駆動するための第1駆動素子60、参照光用の第1発光素子30R、30IRを駆動するための第2駆動素子70、受光素子50、およびそれらを電気的に接続するための第1導電部材61や第1配線層122を、半導体ウェーハ(例えばシリコンウェーハ)に対するウェーハプロセスで形成することができる。これにより、受光素子50の数、第2発光素子40の数、およびこれらに接続された第1駆動素子60の数を増やして解像度を高めつつも、小型化且つ薄型化された表示装置1を安価に得ることができる。
また、図1、図2に示すように、互いに分離された複数の表示部分2を、可撓性を有する保持部材10で保持することで、表示装置1を曲げることが可能となり、皮膚の表面に密着させ、より正確な血管の画像を得ることが可能となる。また、それぞれの表示部分2ごとに第1発光素子30R、30IRを配置することで、参照光を血管にムラを少なく照射できる。
図12は、受光素子50、第1駆動素子60、および第2発光素子40の配置関係の他の例を示す模式断面図である。
この例では、第2発光素子40は、受光素子50の上方における基板20の第1面21上に配置されている。これは、平面視において、受光素子50と、第2発光素子40の少なくとも一部と、が重なることを指す。なお、平面視において、受光素子50と、第2発光素子40の全てと、が重なる方が好ましい。これにより、受光素子50が光を受けた位置、すなわち受光素子50の下方の可視化対象物の位置をより正確に反映した画像を表示できる。基板20の第1面21には、第2発光素子40と接続された配線層69が形成され、配線層69は第1駆動素子60の上方まで延びている。その配線層69と第1駆動素子60との間の基板20内には導電部材(導電ビア)161が形成されている。導電部材161は、配線層69と第1駆動素子60とを接続している。したがって、第2発光素子40は、配線層69および導電部材161を介して、第1駆動素子60と電気的に接続されている。
第1樹脂部材11は、屈折率の異なる複数の層から構成されてもよい。例えば、第4面14側に第1樹脂部材11内の他の層と相対的に屈折率の高い層を配置することで、全反射を利用して、第1発光素子30R、30IRからの参照光が受光素子50に直接入射するのを抑制することができる。
参照光用の第1発光素子30R、30IRは、発光ピーク波長(発光色)が同じ1種類のものだけでもよい。本実施形態のように、発光ピーク波長の異なる2種類の第1発光素子30R、30IRを設けることで、例えば、参照光の波長による血管での反射率の違いや、皮膚の透過率の違いに応じて、適切な第1発光素子を選択できる。また、可視化対象物としては血管に限らず、血管以外の生体情報の可視化も可能である。また、人体以外にも用いることができる。
また、参照光として赤色光と赤外光を血管に照射し、受光素子50が受け取る赤色光の反射光量と赤外光の反射光量との比から、酸素飽和度(SpO2)の測定も可能である。また、赤色領域は、還元ヘモグロビンに対して高い吸収係数を有し、近赤外領域では吸収係数は低い。一方で、酸化ヘモグロビンは、赤色領域では吸収係数が低く、近赤外領域では還元ヘモグロビンよりも高い吸収係数を有する。これらの関係から、赤色光と近赤外光とを比較することにより、ヘモグロビンの酸化状態を観察することができる。例えば、皮膚表面から数mmから十数mmまでに位置する血管に第1発光素子30R、30IRが発する光を照射する場合は、血中酸素の酸素飽和度によって、ヘモグロビンの吸収率が変化するため、照射対象の酸素飽和度によって、適当なピーク波長を選択する必要がある。例えば、酸素飽和度が83%の条件の血管を観察する場合は、第1発光素子30Rは赤色光を発し、第1発光素子30IRは赤外光を発することが好ましい。これにより、第1発光素子30R、30IRが発する光が血管で反射され、受光素子50へ到達しやすくなる。
また、第1発光素子30R、30IRの光出射面31を第2方向Bに設定してもよい。もしくは、第2発光素子40の光出射面41を第1方向Aに設定してもよい。これらの場合、第1発光素子30R、30IRと第2発光素子40の光出射方向を一致させることができる。第1発光素子30R、30IRが発する光の反射光を受光素子50が受光し、反射光の強度や入射角度の情報をもとに、第2発光素子40を発光させることができる。例えば、第1発光素子30R、30をLiDAR用光源として使い、受光素子50が得た情報をもとに第2発光素子40の配光を制御して、表示することもできる。
第2発光素子40の発光色は、単色でもよく、複数色あってもよい。さらに、第2発光素子40は、基板20と一体化していてもよい。例えば、基板20は第2発光素子40の成長基板であってよい。また、受光素子50は基板20と一体化していなくてもよい。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、図1及び図2に示すように、複数の表示部分2が保持部材10で保持されることで、隣り合う表示部分2の間が可撓性を有する保持部材10により多様な形状の物体に対して利用することができる。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。
1…表示装置、2…表示部分、10…保持部材、11…第1樹脂部材、12…第2樹脂部材、13…第3面、14…第4面、20…基板、21…第1面、22…第2面、30R,30IR…第1発光素子、31…第1発光素子の光出射面、40…第2発光素子、41…第2発光素子の光出射面、50…受光素子、60…第1駆動素子、61…第1導電部材、70…第2駆動素子、80…第2導電部材、81…第1遮光膜、82…第2遮光膜、83…第3遮光膜、84…第4遮光膜、111…保護層、P…画素部
Claims (14)
- 第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面とを含む基板と、
前記基板の側方に配置された第1発光素子と、
前記基板の前記第2面側に配置された複数の受光素子と、
前記基板の前記第1面上に配置された複数の第2発光素子と、
前記受光素子の出力に基づいて前記第2発光素子の駆動を制御する第1駆動素子と、を備え、
前記第1発光素子の光出射面は前記第1面から前記第2面に向かう第1方向に向けられ、前記第2発光素子の光出射面は前記第2面から前記第1面に向かう第2方向に向けられる表示装置。 - 前記基板の側面に配置された第1遮光膜をさらに備える請求項1に記載の表示装置。
- 平面視において、前記第1発光素子と前記受光素子との間に配置される第2遮光膜をさらに備える請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記基板の前記第1面と前記第2面との間を貫通し、前記第2発光素子と電気的に接続された第1導電部材と、
前記第2面側に配置され、前記第1導電部材および前記第1駆動素子と電気的に接続された配線層と、
をさらに備える請求項1~3のいずれか1つに記載の表示装置。 - 前記第1発光素子が発する光の波長は、前記受光素子が受光することができる波長である請求項1~4のいずれか1つに記載の表示装置。
- 前記第1発光素子として、発光ピーク波長が異なる複数の発光素子が配置される請求項1~5のいずれか1つに記載の表示装置。
- 前記第1駆動素子は複数設けられており、
前記複数の受光素子の一つが、前記複数の第1駆動素子の一つを介して前記第2発光素子の少なくとも一つと接続されている請求項1~6のいずれか1つに記載の表示装置。 - 前記第1駆動素子の一つと、前記複数の受光素子のうち前記第1駆動素子の一つと最も近い前記受光素子と、が接続され、
前記第1駆動素子の一つと、前記複数の第2発光素子のうち前記第1駆動素子の一つと最も近い前記第2発光素子と、が接続される請求項7に記載の表示装置。 - 前記基板、前記第1発光素子、および前記第2発光素子を保持し、前記基板の前記第1面と対向する第3面と、前記基板の前記第2面と対向する第4面とを含む保持部材をさらに備える請求項1~8のいずれか1つに記載の表示装置。
- 前記第1発光素子の前記光出射面は、前記基板の前記第2面よりも前記保持部材の前記第4面側に突出していない請求項9に記載の表示装置。
- 前記第1発光素子の駆動を制御する第2駆動素子と、
前記基板の側方に配置され、前記保持部材に保持され、前記第1発光素子と前記第2駆動素子とを電気的に接続する第2導電部材をさらに備える請求項9または10に記載の表示装置。 - 前記保持部材の前記第3面に配置される第3遮光膜をさらに備え、
前記第2発光素子の前記光出射面は、前記第3遮光膜から露出している請求項9~11のいずれか1つに記載の表示装置。 - 前記基板と、前記第1発光素子と、前記受光素子と、前記第2発光素子と、前記第1駆動素子とを含む表示部分を複数有し、
複数の前記表示部分は、前記保持部材で保持されている請求項9~12のいずれか1つに記載の表示装置。 - 前記保持部材は樹脂部材である請求項9~13のいずれか1つに記載の表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020183010A JP2022073188A (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 表示装置 |
US17/512,673 US11837679B2 (en) | 2020-10-30 | 2021-10-28 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020183010A JP2022073188A (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022073188A true JP2022073188A (ja) | 2022-05-17 |
Family
ID=81379241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020183010A Pending JP2022073188A (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11837679B2 (ja) |
JP (1) | JP2022073188A (ja) |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02203381A (ja) | 1989-01-31 | 1990-08-13 | Nec Home Electron Ltd | ディスプレイ装置 |
JP3637236B2 (ja) | 1999-04-22 | 2005-04-13 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 発光薄膜及びその光デバイスの製造方法 |
JP2006278368A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sony Corp | 光源装置および表示装置 |
JP2007266313A (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2009163408A (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Casio Comput Co Ltd | 撮像装置及び生体認証装置 |
JP2009295834A (ja) | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5581696B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 生体情報検出器及び生体情報測定装置 |
JP6931914B2 (ja) | 2017-03-22 | 2021-09-08 | 株式会社モフィリア | 生体情報取得装置、生体情報取得方法、及び、プログラム |
KR102502405B1 (ko) * | 2017-11-10 | 2023-02-23 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 및 이를 포함하는 충전 모듈 시스템 |
JP6844511B2 (ja) * | 2017-11-21 | 2021-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 携帯型情報処理装置、集積回路、及び、電池パック |
EP3542715B1 (en) * | 2018-03-22 | 2022-05-11 | Nokia Technologies Oy | Detector arrangement suited for optical sensors |
JP6962342B2 (ja) | 2019-02-26 | 2021-11-05 | 株式会社村田製作所 | 貼付型デバイス |
KR20210043892A (ko) * | 2019-10-14 | 2021-04-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 통합 센서 및 디스플레이 장치 |
JP7012057B2 (ja) * | 2019-11-07 | 2022-01-27 | キヤノンプレシジョン株式会社 | 反射型センサおよびこれを備える光学式エンコーダ |
-
2020
- 2020-10-30 JP JP2020183010A patent/JP2022073188A/ja active Pending
-
2021
- 2021-10-28 US US17/512,673 patent/US11837679B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220140174A1 (en) | 2022-05-05 |
US11837679B2 (en) | 2023-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20120130166A1 (en) | Light-emitting apparatus and endoscope having light-emitting apparatus | |
US20200046275A1 (en) | Pulse oximetry device and method of operating a pulse oximetry device | |
KR20190114386A (ko) | 생체 정보 감지 센서 | |
JP6253231B2 (ja) | 被検体観察システム及びその方法、カプセル型内視鏡システム | |
US20180306638A1 (en) | Optical sensor | |
WO2017138327A1 (ja) | 波長変換素子及び光源装置 | |
US20210265323A1 (en) | Display device | |
JP2011176045A (ja) | 積層型半導体発光素子 | |
US20230317699A1 (en) | Display and method for manufacturing a display | |
JP6507670B2 (ja) | 情報取得機器 | |
JP2022073188A (ja) | 表示装置 | |
US20190088186A1 (en) | Display device | |
CN110622308A (zh) | 光电子传感器模块和制造光电子传感器模块的方法 | |
CN115315740A (zh) | 显示装置 | |
CN109155326A (zh) | 用于制造光电子组件的方法和光电子组件 | |
US10299664B2 (en) | Solid-state imaging device and endoscope system | |
JP2019519909A (ja) | 高輝度明白色led光源 | |
US20240040809A1 (en) | Optical sensor and display panel | |
JP2020102600A (ja) | 受発光装置の制御回路、位置検出装置、撮像装置、制御方法 | |
US11931185B2 (en) | Vital sign sensor and method for manufacturing a vital sign sensor | |
JP6788375B2 (ja) | 発光装置および照明装置 | |
US20200315474A1 (en) | Biosignal sensor | |
CN109659423B (zh) | 显示装置 | |
CN115734740A (zh) | 照明设备 | |
US12020660B2 (en) | Electronic sensing device and sensing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240701 |