JP2022064042A

JP2022064042A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2022064042A
Application number: JP2020172536A
Authority: JP
Inventors: 敦小林; Atsushi Kobayashi; 亘小室; Wataru Omuro
Original assignee: Kelk Ltd
Current assignee: Kelk Ltd
Priority date: 2020-10-13
Filing date: 2020-10-13
Publication date: 2022-04-25
Also published as: CN114360994A; US20220115215A1

Abstract

【課題】省エネルギーを図る。【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理室を有するチャンバと、処理室に設けられ、基板とチャンバとの間に設けられたカバーと、チャンバとカバーとのうちカバーのみに設けられ、カバーを加熱するヒータと、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

基板処理装置として、例えば下記特許文献１には、基板を処理する処理容積を取り囲むチャンバ本体と、ヒータプレートと、スリーブと、を備えた構成が開示されている。チャンバ本体は、チャンバ床と、チャンバ床に結合されたチャンバ壁と、チャンバ壁に結合されたチャンバリッドと、を備える。チャンバ床、チャンバ壁及びチャンバリッドは、熱制御媒体の流れのための通路を有する。ヒータプレートは、チャンバ床に隣接して設けられている。スリーブは、ヒータプレートによって支持されている。

特表２０１６－５３６７９７号公報

しかし、分厚いチャンバ本体を加熱する場合は放熱が多いため、無駄なエネルギー（例えば電力）を消費する可能性がある。

そこで本発明は、省エネルギーを図ることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る基板処理装置は、基板を処理する処理室を有するチャンバと、前記処理室に設けられ、前記基板と前記チャンバとの間に設けられたカバーと、前記チャンバと前記カバーとのうち前記カバーのみに設けられ、前記カバーを加熱するヒータと、を備える。

上記態様によれば、省エネルギーを図ることができる。

実施形態の基板処理装置の断面図。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。実施形態においては、基板処理装置の一例として、プラズマを用いたドライプロセスにより半導体ウエハにエッチング処理を施す装置（プラズマエッチング装置）を挙げて説明する。

＜基板処理装置＞
図１に示すように、基板処理装置１は、チャンバ２と、カバー３と、ヒータ４Ａ，４Ｂと、ステージ５と、圧力調整装置６と、制御装置７と、を備える。例えば、基板処理装置１は、水平な設置面（例えば床面）に設けられている。基板処理装置１の各要素は、制御装置７によって制御される。

＜チャンバ＞
チャンバ２は、基板９を処理する処理室２０を有する。チャンバ２は、上部ケース２１と、上部ケース２１の下方に設けられた下部ケース２２と、上部ケース２１と下部ケース２２とを連結するケース連結部材２３と、を備える。例えば、チャンバ２（上部ケース２１及び下部ケース２２）は、アルミニウム等の金属により形成されている。

例えば、上部ケース２１は、下部ケース２２に対して着脱可能に取り付けられている。上部ケース２１は、下方に開放する筒状を有する。上部ケース２１は、カバー３の上方に設けられたチャンバ上壁２５と、チャンバ上壁２５の外周に連結されたチャンバ上部周壁２６（チャンバ周壁）と、を備える。

チャンバ上壁２５は、カバー３の上部構造体３１の上面と間隔をあけて設けられている。
チャンバ上部周壁２６は、上部構造体３１の外周と間隔をあけて設けられている。チャンバ上部周壁２６は、上部構造体３１の周囲を囲む筒状を有する。以下、チャンバ周壁の中心線Ｏに沿う方向を「軸方向」、中心線Ｏに直交する方向を「径方向」、中心線Ｏ周りの方向を「周方向」とする。

下部ケース２２は、上方に開放する筒状を有する。下部ケース２２は、カバー３の下方に設けられたチャンバ底壁２７と、チャンバ底壁２７の外周に連結されたチャンバ下部周壁２８と、を備える。

チャンバ下部周壁２８は、チャンバ上部周壁２６と同軸の筒状を有する。チャンバ下部周壁２８は、軸方向から見てチャンバ上部周壁２６と全体的に重なる。チャンバ下部周壁２８の軸方向の長さは、チャンバ上部周壁２６の軸方向の長さよりも大きい。

例えば、ケース連結部材２３は、Ｏリングである。ケース連結部材２３は、軸方向から見て環状を有する。ケース連結部材２３は、チャンバ上部周壁２６とチャンバ下部周壁２８との間に設けられている。ケース連結部材２３は、チャンバ上部周壁２６の周方向全体にわたって連続して延びている。

＜カバー＞
カバー３は、処理室２０に設けられている。カバー３は、載置面１０に載置された基板９と、チャンバ２との間に設けられている。カバー３は、基板９の処理（例えばエッチング処理）により生じた異物がチャンバ２に付着することを遮る。例えば、異物としては、基板９をエッチング処理する際に生じた飛散物、基板９の上面（処理面）からの昇華物、載置面１０に堆積した堆積物等が挙げられる。カバー３は、ステージ５の周囲を囲む。カバー３は、下方を開放する筒状を有する。

カバー３は、大気圧を維持可能な内部空間３０Ａ，３０Ｂを有する。カバー３は、ステージ５の上方に設けられた上部構造体３１と、上部構造体３１の外周に連結された下部構造体３２と、を備える。カバー２は、上部構造体３１を構成する天壁（第一天壁３５）と、下部構造体３２を構成する周壁（第一周壁４１）と、を備える。内部空間３０Ａ，３０Ｂは、上部構造体３１及び下部構造体３２のそれぞれに設けられている。以下、上部構造体３１に設けられた内部空間３０Ａを「上部空間３０Ａ」、下部構造体３２に設けられた内部空間３０Ｂを「下部空間３０Ｂ」ともいう。

上部構造体３１は、基板９の上面と対向する第一天壁３５（天壁）と、第一天壁３５と対向する第二天壁３６と、第一天壁３５と第二天壁３６とを連結する天壁側連結部材３７と、を備える。上部空間３０Ａは、第一天壁３５、第二天壁３６及び天壁側連結部材３７によって区画された空間である。

第一天壁３５は、軸方向から見て円板状を有する。第一天壁３５は、基板９の上方に設けられている。第一天壁３５は、軸方向から見て載置面１０よりも大きい外形を有する。

第二天壁３６は、軸方向から見て第一天壁３５と略同じ円板状を有する。第二天壁３６の厚みは、第一天壁３５の厚みよりも小さい。第二天壁３６は、第一天壁３５の上方に設けられている。

例えば、天壁側連結部材３７は、Ｏリングである。天壁側連結部材３７は、軸方向から見て環状を有する。天壁側連結部材３７は、第一天壁３５と第二天壁３６との間に設けられている。天壁側連結部材３７は、第一天壁３５の外周全体にわたって連続して延びている。

下部構造体３２は、基板９の外周を囲む第一周壁４１（周壁）と、第一周壁４１の外周を囲む第二周壁４２と、第一周壁４１と第二周壁４２とを連結する一対の周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂと、を備える。下部空間３０Ｂは、第一周壁４１、第二周壁４２及び一対の周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂによって区画された空間である。

第一周壁４１は、軸方向に延びる円筒状を有する。第一周壁４１は、ステージ５の外周と間隔をあけて設けられている。第一周壁４１の上端は、第一天壁３５の下面外周に連結されている。第一周壁４１の下端は、載置面１０よりも下方に配置されている。第一周壁４１の下端は、チャンバ底壁２７に連結されている。第一周壁４１は、径方向に開口する複数（例えば本実施形態では３つ）の連通孔４５（図中では２つのみ図示）を有する。

第二周壁４２は、軸方向から見て第一周壁４１と同軸の円筒状を有する。第二周壁４２の厚みは、第一周壁４１の厚みよりも小さい。第二周壁４２の内周面は、第一周壁４１の外周面と間隔をあけて設けられている。第二周壁４２の下端は、チャンバ底壁２７よりも上方に配置されている。

例えば、周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂは、Ｏリングである。一対の周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂは、それぞれ軸方向から見て環状を有する。一対の周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂは、それぞれ第一周壁４１と第二周壁４２との間に設けられている。一対の周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂは、それぞれ第一周壁４１の外周全体にわたって連続して延びている。

一対の周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂは、上下方向に間隔をあけて設けられている。以下、上下一対の周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂのうち上方の周壁側連結部材４３Ａを「上部周壁側連結部材４３Ａ」、下方の周壁側連結部材４３Ｂを「下部周壁側連結部材４３Ｂ」ともいう。上部周壁側連結部材４３Ａは、第一周壁４１の上端外周と第二周壁４２の上端内周との間に設けられている。下部周壁側連結部材４３Ｂは、第一周壁４１の下部外周と第二周壁４２の下端内周との間に設けられている。

例えば、カバー３は、アルミニウム等の金属により形成されている。例えば、対プラズマ性（プラズマに対するカバー３の耐性）を向上する観点から、カバー３の内側面（第一天壁３５の下面及び第一周壁４１の内周面）は膜により覆われていることが好ましい。例えば、対プラズマ性を向上するための膜としては、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）及びアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の溶射膜が挙げられる。

＜ヒータ＞
ヒータ４Ａ，４Ｂは、チャンバ２とカバー３とのうちカバー３のみに設けられている。ヒータ４Ａ，４Ｂは、カバー３を加熱する熱源である。ヒータ４Ａ，４Ｂは、チャンバ２には設けられていない。ヒータ４Ａ，４Ｂは、複数設けられている。複数のヒータ４Ａ，４Ｂは、カバー３の上部構造体３１及び下部構造体３２にそれぞれ設けられている。以下、上部構造体３１に設けられたヒータ４Ａを「上部ヒータ４Ａ」、下部構造体３２に設けられたヒータ４Ｂを「下部ヒータ４Ｂ」ともいう。

上部ヒータ４Ａは、カバー３の第一天壁３５に設けられている。上部ヒータ４Ａは、第一天壁３５を加熱する熱源である。上部ヒータ４Ａは、第一天壁３５の上面に取り付けられている。上部ヒータ４Ａは、大気圧を維持可能な上部空間３０Ａに設けられている。上部ヒータ４Ａは、第一天壁３５の上面のうち上部空間３０Ａに臨む部位（天壁側連結部材３７の周囲を除く部位）の全体にわたって設けられている。

下部ヒータ４Ｂは、カバー３の第一周壁４１に設けられている。下部ヒータ４Ｂは、第一周壁４１を加熱する熱源である。下部ヒータ４Ｂは、第一周壁４１の外周面に取り付けられている。下部ヒータ４Ｂは、大気圧を維持可能な下部空間３０Ｂに設けられている。下部ヒータ４Ｂは、第一周壁４１の外周面のうち下部空間３０Ｂに臨む部位（一対の周壁側連結部材４３Ａ，４３Ｂの周囲を除く部位）の全体にわたって設けられている。

＜ステージ＞
ステージ５は、処理室２０に設けられている。ステージ５は、チャンバ底壁２７に支持されている。ステージ５は、基板９が載置される載置面１０を有する。例えば、基板９は、半導体ウエハである。ステージ５は、基板９をエッチング処理する際にエッチングガスをプラズマ化するための下部電極１１としても機能する。

＜圧力調整装置＞
圧力調整装置６は、処理室２０に開口する排気口５０Ａ，５０Ｂを有する。圧力調整装置６は、処理室２０の圧力を調整可能である。例えば、圧力調整装置６は、処理室２０を減圧可能な減圧装置である。圧力調整装置６は、排気構造体５１と、第一ポンプ５２と、第二ポンプ５３と、を備える。

排気構造体５１は、処理室２０に連通する複数（例えば本実施形態では３つ）の配管５５（図中では２つのみ図示）と、複数の配管５５と第一ポンプ５２とを接続する第一接続管５６と、第一ポンプ５２と第二ポンプ５３とを接続する第二接続管５７と、を備える。

配管５５は、上下方向（軸方向）に沿って延びている。複数の配管５５は、ステージ５の外周に沿って間隔をあけて配置されている。ここで、周方向に隣り合う２つの配管５５の中心とチャンバ２の中心とのなす角度を「中心角」とする。例えば、３つの配管５５は、略１２０°の中心角をなして配置されている。すなわち、３つの配管５５は、周方向に略等間隔をあけて配置されている。

第一ポンプ５２及び第二ポンプ５３は、それぞれ処理室２０を真空にするためのポンプである。例えば、第一ポンプ５２は、ターボ分子ポンプ（TMP:Turbomoleculer pump）である。例えば、第二ポンプ５３は、ドライポンプ（DP:Dry pump）である。

排気口５０Ａ，５０Ｂは、載置面１０よりも下方に配置されている。排気口５０Ａ，５０Ｂは、複数設けられている。複数の排気口５０Ａ，５０Ｂは、ステージ５の外周とカバー３の内周との間に連通する第一排気口５０Ａと、カバー３の外周とチャンバ２の内周との間に連通する第二排気口５０Ｂと、を含む。

第一排気口５０Ａ及び第二排気口５０Ｂは、各配管５５に設けられている。配管５５の上端は、ステージ５の外周と第一周壁４１の内周との間に配置されている。第一排気口５０Ａは、配管５５の上端に設けられている。配管５５の外側側面の一部は、第一周壁４１の連通孔４５上縁とチャンバ底壁２７の上面との間に配置されている。第二排気口５０Ｂは、配管５５の外側側面の前記一部に配置されている。第二排気口５０Ｂは、径方向から見て連通孔４５と重なる。

＜プラズマ生成構造＞
基板処理装置１は、処理室２０にプラズマを生成可能な下部電極１１（第一電極）及び上部電極１２（第二電極）を更に備える。下部電極１１及び上部電極１２は、処理室２０に設けられている。

下部電極１１は、基板９が載置される載置面１０を有する。下部電極１１は、ステージ５の上端部を構成する。
上部電極１２は、載置面１０と対向する。上部電極１２は、下部電極１１から上方に離れて設けられている。上部電極１２は、第一天壁３５の下面に取り付けられている。上部電極１２は、軸方向から見て下部電極１１と略同じ大きさを有する。基板処理装置１は、下部電極１１と上部電極１２との間にプラズマを生成可能に構成されている。

例えば、基板９をエッチング処理する際、圧力調整装置６によって処理室２０は真空引きされる。これにより、処理室２０は、所定の低圧（例えば低真空）に維持される。例えば、処理室２０を真空引きする際は、配管５５上端の第一排気口５０Ａを通じて排気するとともに（図中矢印Ｖ１参照）、配管５５外側側面の第二排気口５０Ｂ及び連通孔４５を通じて排気する（図中矢印Ｖ２参照）。これにより、カバー３の内方及び外方（カバー３とチャンバ２との間）を含む処理室２０は、所定の低圧にされる。

処理室２０が所定の低圧に維持された状態で、不図示のガス導入部から処理室２０にエッチングガスを導入する。次に、導入したエッチングガスを、下部電極１１及び上部電極１２によりプラズマ化し、基板９をエッチング処理する。例えば、チャンバ２は、不図示の温度制御装置から供給される循環流体により目標温度に制御される。

例えば、処理室２０においては、下部電極１１と上部電極１２との間にＲＦ（Radio frequency）電界を印加することにより、容量結合型プラズマが生成される。なお、下部電極１１と上部電極１２との間に生成するプラズマは、容量結合型プラズマに限らず、電子サイクロトロン共鳴プラズマ、ヘリコン波励起プラズマ、誘導結合型プラズマ、あるいはマイクロ波励起表面波プラズマ等であってもよい。

＜作用効果＞
以上説明したように、本実施形態の基板処理装置１は、基板９を処理する処理室２０を有するチャンバ２と、処理室２０に設けられ、基板９とチャンバ２との間に設けられたカバー３と、チャンバ２とカバー３とのうちカバー３のみに設けられ、カバー３を加熱するヒータ４Ａ，４Ｂと、を備える。
この構成によれば、ヒータ４Ａ，４Ｂがカバー３のみに設けられることで、チャンバ２よりも放熱が少ないカバー３を選択的に加熱することができる。そのため、ヒータ４Ａ，４Ｂがチャンバ２に設けられる場合（カバー３よりも大きいチャンバ２を加熱する場合）と比較して、無駄なエネルギー（例えば電力）を消費することを抑制することができる。したがって、省エネルギーを図ることができる。
さらに、ヒータ４Ａ，４Ｂがカバー３を加熱することで、基板９の処理により生じた異物がカバー３に付着することを抑制することができる。
加えて、カバー３はチャンバ２よりも小さいため、カバー３を高温にしやすい。そのため、基板９の処理により生じた異物がカバー３に付着することをより効果的に抑制することができる。したがって、カバー３に付着物が生じにくくなるため、カバー３のメンテナンス性が向上する。

本実施形態では、カバー３は、基板９の上面と対向する第一天壁３５と、第一天壁３５の外周に連結され、基板９の外周を囲む筒状の第一周壁４１と、を備える。ヒータ４Ａ，４Ｂは、第一天壁３５及び第一周壁４１にそれぞれ設けられている。
そのため、基板９の処理により生じた異物が第一天壁３５及び第一周壁４１のそれぞれに付着することを抑制することができる。これにより、第一天壁３５及び第一周壁４１のそれぞれに付着物が生じにくくなるため、カバー３のメンテナンス性がより一層向上する。

本実施形態では、チャンバ２は、第二天壁３６と間隔をあけて設けられたチャンバ上壁２５と、第二周壁４２と間隔をあけて設けられたチャンバ上部周壁２６及びチャンバ下部周壁２８と、を備える。
そのため、チャンバ上壁２５が第二天壁３６に接し、チャンバ上部周壁２６及びチャンバ下部周壁２８が第二周壁４２に接する場合と比較して、放熱が少ないため、無駄なエネルギーを消費することを抑制することができる。したがって、省エネルギーをより一層図ることができる。
さらに、カバー３とチャンバ２との間を真空にした場合は、ヒータ４Ａ，４Ｂでカバー３を加熱した場合であっても、真空断熱によりチャンバ２への放熱が少ない。したがって、真空空間での温調を省エネルギーで実現することができる。

本実施形態では、カバー３は、大気圧を維持可能な内部空間３０Ａ，３０Ｂを有する。ヒータ４Ａ，４Ｂは、内部空間３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ設けられている。
そのため、ヒータ４Ａ，４Ｂの動作環境を保持することができる。例えば、カバー３とチャンバ２との間を真空にした場合であっても、内部空間３０Ａ，３０Ｂは大気圧に維持されるため、ヒータ４Ａ，４Ｂを安定して駆動させることができる。

本実施形態では、基板処理装置１は、処理室２０に設けられ、基板９が載置される載置面１０を有するステージ５と、処理室２０に開口する排気口５０Ａ，５０Ｂを有し、処理室２０の圧力を調整可能な圧力調整装置６と、を更に備える。排気口５０Ａ，５０Ｂは、載置面１０よりも下方に配置されている。
そのため、排気口５０Ａ，５０Ｂが載置面１０の上方に配置される場合と比較して、載置面１０の堆積物の巻き上げに起因する基板９への異物付着を抑制することができる。

本実施形態では、排気口５０Ａ，５０Ｂは、複数設けられている。複数の排気口５０Ａ，５０Ｂは、ステージ５の外周とカバー３の内周との間に連通する第一排気口５０Ａと、カバー３の外周とチャンバ２の内周との間に連通する第二排気口５０Ｂと、を含む。
そのため、第一排気口５０Ａを通じた排気によりステージ５の外周とカバー３の内周との間を所定の低圧にしつつ、第二排気口５０Ｂを通じた排気によりカバー３の外周とチャンバ２の内周との間を所定の低圧にすることができる。
さらに、第一排気口５０Ａ及び第二排気口５０Ｂを通じた排気の流れにより、処理室２０のうちカバー３内方の部分（内方空間）とカバー３外方の部分（外方空間）とを分離することができる。そのため、内方空間をプラズマ空間にした場合であっても、外方空間を真空空間に維持することができる。

本実施形態では、排気口５０Ａ，５０Ｂは、ステージ５の外周に沿って間隔をあけて複数配置されている。
そのため、複数の排気口５０Ａ，５０Ｂを通じて処理室２０をスムーズに排気することができる。
さらに本実施形態では、複数の排気口５０Ａ，５０Ｂは、周方向に等間隔をあけて配置されているため、排気の片寄りを抑制し、処理室２０を均等に排気することができる。

本実施形態では、基板処理装置１は、処理室２０に設けられ、基板９が載置される載置面１０を有する下部電極１１と、載置面１０と対向する上部電極１２と、を更に備える。基板処理装置１は、下部電極１１と上部電極１２との間にプラズマを生成可能に構成されている。
そのため、プラズマを用いたドライプロセスにより基板９にエッチング処理を施す装置（プラズマエッチング装置）において、省エネルギーを図ることができる。

＜その他の実施形態＞
上述した実施形態では、ヒータが第一天壁及び第一周壁のそれぞれに設けられている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、ヒータは、第一天壁に設けられ、第一周壁には設けられていなくてもよい。例えば、ヒータは、第一周壁に設けられ、第一天壁には設けられていなくてもよい。例えば、ヒータの設置態様は、要求仕様に応じて変更することができる。

上述した実施形態では、チャンバは、第二天壁と間隔をあけて設けられたチャンバ上壁と、第二周壁と間隔をあけて設けられたチャンバ上部周壁及びチャンバ下部周壁と、を備える例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、チャンバ上壁が第二天壁から離れ、チャンバ上部周壁及びチャンバ下部周壁が第二周壁に接していてもよい。例えば、チャンバ上壁が第二天壁に接し、チャンバ上部周壁及びチャンバ下部周壁が第二周壁から離れていてもよい。例えば、チャンバ上部周壁及びチャンバ下部周壁の設置態様は、要求仕様に応じて変更することができる。

上述した実施形態では、カバーは、大気圧を維持可能な内部空間を有し、ヒータは、内部空間に設けられている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、カバーは、内部空間を有しなくてもよい。例えば、ヒータが所定の低圧への耐性がある場合、ヒータは処理室に露出して設けられていてもよい。例えば、ヒータの設置態様は、要求仕様に応じて変更することができる。

上述した実施形態では、排気口が載置面よりも下方に配置されている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、排気口は、載置面の上方に配置されていてもよい。例えば、排気口の配置態様は、要求仕様に応じて変更することができる。

上述した実施形態では、複数の排気口は、ステージの外周とカバーの内周との間に連通する第一排気口と、カバーの外周とチャンバの内周との間に連通する第二排気口と、を含む例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、排気口は、ステージの外周とカバーの内周との間に連通するとともに、カバーの外周とチャンバの内周との間に連通する部位に１つのみ設けられていてもよい。例えば、排気口は、チャンバ底壁の上面に開口していてもよい。例えば、排気口の設置態様は、要求仕様に応じて変更することができる。

上述した実施形態では、排気口は、ステージの外周に沿って間隔をあけて３つ配置されている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、排気口は、２つ以下または４つ以上設けられていてもよい。例えば、排気口の設置数は、要求仕様に応じて変更することができる。

上述した実施形態では、基板処理装置は、下部電極と上部電極との間にプラズマを生成可能に構成されている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、基板処理装置は、下部電極及び上部電極を備えていなくてもよい。例えば、基板処理装置の構成態様は、要求仕様に応じて変更することができる。

上述した実施形態では、基板処理装置の一例として、プラズマを用いたドライプロセスにより半導体ウエハにエッチング処理を施す装置（プラズマエッチング装置）を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、基板処理装置は、プラズマを使用しない装置に適用されてもよい。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はこれらに限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能であり、上述した実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

１…基板処理装置、２…チャンバ、３…カバー、４Ａ…上部ヒータ（ヒータ）、４Ｂ…下部ヒータ（ヒータ）、５…ステージ、６…圧力調整装置、９…基板、１０…載置面、１１…下部電極（第一電極）、１２…上部電極（第二電極）、２０…処理室、２５…チャンバ上壁、２６…チャンバ上部周壁（チャンバ周壁）、２８…チャンバ下部周壁（チャンバ周壁）、３０Ａ…上部空間（内部空間）、３０Ｂ…下部空間（内部空間）、３５…第一天壁（天壁）、４１…第一周壁（周壁）、５０Ａ…第一排気口（排気口）、５０Ｂ…第二排気口（排気口）

Claims

基板を処理する処理室を有するチャンバと、
前記処理室に設けられ、前記基板と前記チャンバとの間に設けられたカバーと、
前記チャンバと前記カバーとのうち前記カバーのみに設けられ、前記カバーを加熱するヒータと、を備える
基板処理装置。
前記カバーは、
前記基板の上面と対向する天壁と、
前記天壁の外周に連結され、前記基板の外周を囲む筒状の周壁と、を備え、
前記ヒータは、前記天壁及び前記周壁のそれぞれに設けられている
請求項１に記載の基板処理装置。
前記チャンバは、
前記天壁と間隔をあけて設けられたチャンバ上壁と、
前記周壁と間隔をあけて設けられたチャンバ周壁と、を備える
請求項２に記載の基板処理装置。
前記カバーは、大気圧を維持可能な内部空間を有し、
前記ヒータは、前記内部空間に設けられている
請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記処理室に設けられ、前記基板が載置される載置面を有するステージと、
前記処理室に開口する排気口を有し、前記処理室の圧力を調整可能な圧力調整装置と、を更に備え、
前記排気口は、前記載置面よりも下方に配置されている
請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記排気口は、複数設けられ、
複数の前記排気口は、
前記ステージの外周と前記カバーの内周との間に連通する第一排気口と、
前記カバーの外周と前記チャンバの内周との間に連通する第二排気口と、を含む
請求項５に記載の基板処理装置。
前記排気口は、前記ステージの外周に沿って間隔をあけて複数配置されている
請求項５または６に記載の基板処理装置。
前記処理室に設けられ、前記基板が載置される載置面を有する第一電極と、
前記載置面と対向する第二電極と、を更に備え、
前記第一電極と前記第二電極との間にプラズマを生成可能に構成されている
請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。