TW202242999A - 處理容器和電漿處理裝置、及處理容器之製造方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 提供可以謀求微粒之發生的抑制和放電之穩定化的處理容器和電漿處理裝置、及處理容器之製造方法。 [解決手段] 為一種處理容器，其係構成電漿處理裝置，將基板收容於內部而進行電漿處理的處理容器，其中，在上述處理容器之中，在被曝露於電漿之第一內側面之至少一部分，形成第一絕緣膜，在至少保護上述第一內側面遠離電漿的保護面材之中，與上述第一絕緣膜對向之背面，形成第二絕緣膜，上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜面接觸。

Description

處理容器和電漿處理裝置、及處理容器之製造方法
本揭示係關於處理容器和電漿處理裝置、及處理容器之製造方法。
在專利文獻1中，揭示在內部收容被處理體而進行電漿處理的處理容器。該處理容器具備具有開口部分的容器本體，和保護容器本體避免由於電漿及/或腐蝕性氣體而導致損傷之保護構件。保護構件具有沿著容器本體之內壁面而被配設的第1保護構件，和在開口部分之周圍，被配設成能與第1保護構件分離而裝卸的第2保護構件。若藉由專利文獻1揭示的處理容器時，可以容易進行保護處理容器之內面的保護構件之更換作業，可以抑制零件成本。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-140939號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供可以謀求微粒之發生的抑制和放電之穩定化的處理容器和電漿處理裝置、及處理容器之製造方法。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣所致的處理容器係構成電漿處理裝置，將基板收容於內部而進行電漿處理的處理容器，其中，在上述處理容器之中，在被曝露於電漿之第一內側面之至少一部分，形成第一絕緣膜，在至少保護上述第一內側面遠離電漿的保護面材之中，與上述第一絕緣膜對向之背面，形成第二絕緣膜，上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜面接觸。 [發明之效果]
若藉由本揭示，可以謀求微粒之發生的抑制和放電的穩定化。
以下，針對本揭示之實施型態所涉及的處理容器和電漿處理裝置、及處理容器之製造方法，一面參照附件圖面一面予以說明。另外，本說明書及圖面中，針對實質上相同之構成要素，有藉由賦予相同之符號，省略重複之說明的情況。
[實施型態所涉及之處理容器和電漿處理裝置、及處理容器之製造方法] 參照圖1及圖2，針對本揭示之實施型態所涉及之處理容器和電漿處理裝置、及處理容器之製造方法之一例予以說明。在此，圖1係表示實施型態所涉及之處理容器之一例，和實施型態所涉及之電漿處理裝置之一例的縱剖面圖，圖2為放大圖1之II部的縱剖面圖。
圖1所示之電漿處理裝置100係對平面顯示器(Flat Panel Display，以下稱為「FPD」)用之俯視矩形之基板G(以下，單稱為「基板」)，進行各種基板處理方法的感應耦合型電漿(Inductive Coupled Plasma: ICP)處理裝置。作為基板之材料，主要使用玻璃，也有依用途不同，使用透明之合成樹脂等之情形。在此，基板處理包含蝕刻處理或使用CVD(Chemical Vapor Deposition)法的成膜處理等。作為FPD，例示有液晶顯示器(Liquid Crystal Display: LCD)或電致發光(Electro Luminescence: EL)顯示器、電漿顯示面板(Plasma Display Panel: PDP)等。基板除了在其表面圖案製作電路的型態之外，也包含支持基板。再者，FPD用基板之平面尺寸隨著世代的變遷而大規模化，藉由電漿處理裝置100被處理之基板G之平面尺寸至少包含例如從第6世代的1500mm×1800mm左右之尺寸至第10.5世代的3000mm×3400mm左右之尺寸。再者，基板G之厚度為0.2mm至數mm程度。
圖1所示之電漿處理裝置100具有長方體狀之箱型處理容器20，和被配設在處理容器20內而載置基板G之俯視矩形之外形的基板載置台70，和控制部90。另外，即使處理容器為圓筒狀之箱型或橢圓筒狀之箱型等的形狀亦可，在該型態中，基板載置台也成為圓形或橢圓形，被載置於基板載置台的基板也成為圓形等。
處理容器20係藉由金屬窗30被區劃成上下兩個空間，作為上方空間的天線室A藉由上腔室13被形成，作為下方空間的處理室S藉由下腔室17被形成。處理容器20中，在成為上腔室13和下腔室17之境界的位置，以朝處理容器20之內側突出設置之方式配設矩形環狀之支持框14，在支持框14安裝金屬框30。
形成天線室A的上腔室13係藉由側壁11和頂板12形成，作為全體，藉由鋁或鋁合金等之金屬形成。
在內部具有處理室S的下腔室17係藉由側壁15和底板16被形成，作為全體，藉由鋁或鋁合金等之金屬而被形成。再者，側壁15係藉由接地線21而被接地。
側壁15和底板16之中，各者之面臨處理室S的第一內側面18a、18b為被曝露於電漿的側面。在下腔室17中，在側壁15和底板16之第一內側面18a、18b之全區域，或尤其被要求電漿侵蝕耐性的區域中，安裝圖2所示的保護面材40。另外，針對第一內側面18係藉由保護面材40的構成，以下詳細說明。
支持框14係藉由導電性之鋁或鋁合金等之金屬而被形成，也可以稱為金屬框。
在下腔室17之側壁15之上端，形成矩形環狀(無端狀)的密封溝22，在密封溝22嵌入O形環等之密封構件23，藉由支持框14之抵接面保持密封構件23，形成下腔室17和支持框14之密封構造。
在下腔室17之側壁15，開口設置用以對下腔室17搬出搬入基板G之搬出搬入口15a，搬出搬入口15a被構成藉由閘閥24開關自如。在下腔室17鄰接內含搬運機構的搬運室(皆無圖示)，開關控制閘閥24，以搬運機構經由搬出搬入口15a，進行基板G之搬出搬入。
再者，在下腔室17之有的底部16，開口設置複數排氣口16a，在各排氣口16a連接氣體排氣管25，氣體排氣管25經由開關閥26而被連接於排氣裝置27。藉由氣體排氣管25、開關閥26及排氣裝置27，形成氣體排氣部28。排氣裝置27被構成具有渦輪分子泵等之真空泵，成為在製程中將下腔室17內自如地抽真空至特定真空度。另外，在下腔室17之適當位置設置壓力計(無圖示)，成為壓力計所致的監視資訊被發送至控制部90。
基板載置台70具有基材71、和被形成在基材71之上面71a的靜電夾具76。
基材71之俯視形狀為矩形，具有與被載置於基板載置台70之基板G相同程度的平面尺寸。基材71之長邊的長度可以設定為1800mm至3400mm程度，短邊之長度可以設定為1500mm至3000mm程度。針對該平面尺寸，基材71之厚度可以設為例如50mm至100mm程度。
在基材71，設置以覆蓋矩形平面之全區域之方式蛇行的調溫媒體流路72a，由不鏽鋼或鋁、鋁合金等形成。另外，即使調溫媒體流路72a被設置在靜電夾具76亦可。再者，即使基材71非如圖示例般一構件，而係藉由鋁或鋁合金等所致的二構件之疊層體形成亦可。
在下腔室17之底板16上固定藉由絕緣材料形成而在內側具有段部的箱型台座78，在台座78之段部上載置基板載置台70。
在基材71之上面71a，形成直接載置基板G的靜電夾具76。靜電夾具76具有熔射氧化鋁等之陶瓷而形成的作為介電體覆膜的陶瓷層74，和被埋設於陶瓷層74之內部而具有靜電吸附機能的導電層75(電極)。
導電層75係經供電線84而連接於直流電源85。藉由控制部90當介於供電線84的開關(無圖示)被開啟時，藉由直流電壓從直流電源85被施加至導電層75而產生庫倫力。藉由該庫倫力，基板G被靜電吸附於靜電夾具76之上面，以被載置於基材71之上面71a的狀態被保持。
在構成基板載置台70之基材71，設置有以覆蓋矩形平面之全區域之方式蛇行的調溫媒體流路72a。在調溫媒體流路72a之兩端，連通對調溫媒體流路72a供給調溫媒體的送出配管72b，和在調溫媒體流路72a流通而被升溫的調溫媒體被排出的返回配管72c。
如圖1所示般，在送出配管72b和返回配管72c分別連通送出流路87和返回流路88，送出流路87和返回流路88與冷卻器86連通。冷卻器86具有控制調溫媒體之溫度或吐出流量的本體部，和壓送調溫媒體的泵浦(皆無圖示)。另外，作為調溫媒體適用冷媒，該冷媒適用Galden (註冊商標)或Fluorinert(註冊商標)等。雖然圖示例之調溫型態為使調溫媒體流通至基材71的型態，但是即使為基材71內置加熱器等，藉由加熱器調溫的型態亦可，即使為藉由調溫媒體和加熱器之雙方進行調溫的型態亦可。再者，即使藉由使高溫的調溫媒體流通，進行隨著加熱的調溫，以取代加熱器亦可。另外，作為電阻體的加熱器，係由鎢或鉬，或者該些金屬中的任何一種和氧化鋁或鈦等的化合物形成。再者，雖然圖示例係在基材71形成調溫媒體流路72a，但是即使例如靜電夾具76具有調溫媒體流路亦可。
在基材71配設熱電偶等的溫度感測器(無圖示)，溫度感測器所致的監視資訊隨時被發送至控制部90。而且，根據被發送的監視資訊，基材71及基板G之調溫控制藉由控制部90被實行。更具體而言，藉由控制部90，從冷卻器86被供給至送出流路87的調溫媒體之溫度或流量被調整。而且，藉由進行溫度調整或流量調整後的調溫媒體在調溫媒體流路72a循環，實行基板載置台70之調溫控制。另外，即使熱電偶等之溫度感測器被配設在例如靜電夾具76亦可。
藉由靜電夾具76及基材71之外周，和台座78之上面，形成段部，在該段部載置矩形框狀之聚焦環79。在段部設置聚焦環79之狀態，被設定成聚焦環79之上面低於靜電夾具76之上面。聚焦環79係由氧化鋁等之陶瓷或石英等形成。
在基材71之下面連接供電構件80。在供電構件80之下端連接供電線81，供電線81係經由進行阻抗匹配的匹配器82而被連接於作為偏壓電源的高頻電源83。藉由對基板載置台70從高頻電源83施加例如3.2MHz的高頻電力，可以產生RF偏壓，將在以下說明的作為電漿產生用之來源的高頻電源56生成的離子吸引至基板G。因此，在電漿蝕刻處理中，能夠一起提高蝕刻率和蝕刻選擇比。如此一來，基板載置台70載置基板G，形成使產生RF偏壓的偏壓電極。此時，成為腔室內部的接地電位的部位作為偏壓電極之對向電極而揮發機能，構成高頻電力的返回電路。另外，即使將金屬窗30構成為高頻電力之返回電路之一部分亦可。金屬窗30係藉由複數分割金屬窗31而被形成。形成金屬窗30之分割金屬窗31之數量可以設定12個、24個等之各種數量。
分割金屬窗31具有導體板32，和噴淋板34。導體板32和噴淋板34皆為非磁性且具有導電性，而且藉由作為具有耐蝕性之金屬或被施予耐蝕性之表面加工之金屬的鋁或氧化鋁合金、不鏽鋼等形成。具有耐蝕性之表面加工為例如陽極氧化處理或陶瓷噴塗等。再者，即使在面臨處理室S之噴淋板34之露出面34a，施予陽極氧化處理或陶瓷噴塗所致的耐電漿塗佈亦可。導體板32係經由接地線(無圖示)而被接地，噴淋板34也經由彼此接合的導體板32而被接地。
構成金屬窗30之各分割金屬窗31係藉由複數根的吊桿(無圖示)，從上腔室13之頂板12被垂吊。在各者的分割金屬窗31之上方，配設藉由絕緣構件形成的間隔物(無圖示)，藉由該間隔物，從導體板32間隔開而配設高頻天線51。高頻天線51有助於電漿之生成，藉由將由銅等之良導電性之金屬形成的天線，捲裝成環狀或漩渦狀而形成。例如，即使將環狀天線配設成多圈亦可。由於高頻天線51被配設在分割金屬窗31之上面，故經由分割金屬窗31而從頂板12被垂吊。
在導體板32之下面，形成氣體擴散溝33，設置連通氣體擴散溝33和上端面32a之貫通孔32b。在該貫通孔32b埋設氣體導入管52。在噴淋板34，開口設置連通導體板32之氣體擴散溝33和處理室S的複數氣體吐出孔35。噴淋板34係藉由金屬製之螺栓(無圖示)對導體板32之氣體擴散溝33之外側的區域之下面緊固。另外，即使氣體擴散溝被開口設置在噴淋板之上面亦可。
各者的分割金屬窗31係藉由絕緣構件37，與支持框14或鄰接的分割金屬窗31互相被電性絕緣。在此，絕緣構件37係藉由PTFE(Polytetrafluoroethylene)等之氟樹脂被形成。面臨絕緣構件37之處理室S的端面37a成為與面臨噴淋板34之處理室S之露出面34a同一平面，具有絕緣性的蓋構件38係一面覆蓋絕緣構件37之端面37a，一面橫跨相鄰接的噴淋板34之露出面34a而被配設。該蓋構件38係藉由氧化鋁等的陶瓷而被形成。
絕緣構件37係絕緣性能高，輕量的PTFE等的樹脂而被形成，但是與氧化鋁等的陶瓷相比，樹脂的耐電漿性不高。而且，難以對樹脂之表面，進行陽極氧化處理或陶瓷噴塗所致的耐電漿塗佈。於是，在電漿處理裝置100中，以例如陶瓷製之蓋構件38覆蓋絕緣構件37之處理室S側之端面37a，保護絕緣構件37避開電漿。使支持框14和分割金屬窗31或相鄰接的分割金屬窗31彼此互相絕緣的各絕緣構件37係藉由蓋構件38而被覆蓋。
在高頻天線51，連接朝上腔室13之上方延伸設置的供電構件53，在供電構件53之上端連接供電線54，供電線54係經由進行阻抗匹配之匹配器55而被連接於高頻電源56。
藉由對高頻天線51，從高頻電源56施加例如13.56MHz之高頻電力，在下腔室17內形成感應電場。藉由該感應電場，從噴淋頭34被供給至處理室S之處理氣體被電漿化而生成感應耦合型電漿，電漿中之離子被提供至基板G。
高頻電源56係電漿產生用之來源，被連接於基板載置台70之高頻電源83成為吸引產生的離子而賦予運動能的偏壓源。如此一來，離子源利用感應耦合而生成電漿，將作為另外電源的偏壓源連接於基板載置台70而進行離子能之控制，依此可以獨立進行電漿之生成和離子能之控制，提高製程的自由度。
如圖1所示般，各者的分割金屬窗31具有的氣體導入管52係在天線室A內被匯集於一處，朝上方延伸的氣體導入管52係氣密地貫通被開口設置在上腔室13之頂板12的供給口12a。而且，氣體導入管52係經由被氣密結合的氣體供給管61而被連接於處理氣體供給源64。
在氣體供給管61之途中位置，安插開關閥62和質量流量控制器般的流量控制器63。藉由氣體供給管61、開關閥62、流量控制器63及處理氣體供給源64，形成處理氣體供給部60。另外，氣體供給管61在途中分歧，在各分歧管，連通開關閥和流量控制器，及因應處理氣體種類的處理氣體供給源(無圖示)。
在電漿處理中，從處理氣體供給部60被供給之處理氣體經由氣體供給管61及氣體導入管52而被供給至各分割金屬窗31具有的導體板32之氣體擴散溝33。而且，從各氣體擴散溝33經由各噴淋板34之氣體吐出孔35而被吐出至處理室S。
另外，即使各分割金屬窗31具有的氣體導入管52並非被匯集成一個，各者單獨地與處理氣體供給部60連通，對每個分割金屬窗31，進行處理氣體之供給控制亦可。再者，即使位於金屬窗30之外側的複數分割金屬窗31具有的氣體導入管52被匯集成一個，位於金屬窗30之內側的複數分割金屬窗31具有的氣體導入管52被匯集成另外一個，各者的氣體導入管52個別地連通於處理氣體供給部60而進行處理氣體之供給控制亦可。即是，前者的型態係對每個分割金屬窗31，實行處理氣體之供給控制的型態，後者的型態係分成金屬窗30之外部區域和內部區域而實行處理氣體之供給控制的型態。而且，即使各分割金屬窗31具有固有之高頻天線，實行對各高頻天線，個別地施加高頻電力的控制亦可。
控制部90係根據從電漿處理裝置100之各構成部，例如冷卻器86或高頻電源56、83、處理氣體供給部60、壓力計被發送的監視資訊，控制氣體排氣部28等的動作。控制部90具備CPU(Central Processing Unit)、ROM (Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)。CPU係依照被儲存於RAM或ROM的記憶區域的配方(製程配方)，實行特定處理。在配方設定相對於製程條件的基電漿處理裝置100之控制資訊。控制資訊包含例如氣體流量或處理容器20內之壓力、處理容器20內之溫度或基材71之溫度、製程時間等。
即使配方及控制部90適用的程式被記憶於例如硬碟、光碟或磁光碟等亦可。再者，即使配方等在被收容在CD-ROM、DVD、記憶卡等之可攜性的藉由電腦可讀取的記憶媒體之狀態，被設定在控制部90，被讀出的型態亦可。控制部90此外具有如進行指令之輸入操作等的鍵盤或滑鼠等之輸入裝置、電漿處理裝置100之運轉狀態可視化而予以顯示的顯示器等的顯示裝置，及印表機等的輸出裝置的使用者介面。
接著，參照圖2，針對從構成處理容器20之下腔室17之側壁15到底板16的第一內側面18之中，安裝有保護面材40之區域的構成予以說明。
在藉由鋁或鋁合金形成的側壁15和底板16之第一內側面18a、18b，為了防止由於氯氣等所致的第一內側面18a、18b之腐蝕或消耗，形成有第一絕緣膜43。
作為第一絕緣膜43，適用氧皮鋁覆膜、釔噴塗膜、氟化釔噴塗膜、包含氧化鋁噴塗膜的陶瓷噴塗膜、或噴塗樹脂膜、鐵氟龍(註冊商標)片材等之定型樹脂膜中之任一種。其中，從施工性或成本等的觀點來看，第一絕緣膜43以氧皮鋁覆膜為佳。
在圖示例之下腔室17中，對第一絕緣膜43之表面43a安裝保護面材40。
保護面材40係與側壁15或底板16相同，藉由鋁或氧化鋁合金形成。從保護面材40之中，被曝露於電漿之前面40a(面臨於處理室S的面)成為鋁等露出的無垢面。另一方面，在保護面材40之中，與第一絕緣膜43對向的背面40b，形成第二絕緣膜41。
第二絕緣膜41係與第一絕緣膜43相同藉由氧皮鋁等而被形成，第二絕緣膜41之表面41a與第一絕緣膜43之表面43a面接觸。
圖示例係相對於被設置在側壁15之第一內側面18a的第一絕緣膜43A，面接觸被設置在保護面材40A之背面40b的第二絕緣膜41A。再者，相對於被設置在底板16之第一內側面18b的第一絕緣膜43B，面接觸被設置在保護面材40B之背面40b的第二絕緣膜41B。
再者，雖然保護面材40A、40B係相鄰接地被安裝，但是在雙方之保護面材40A、40B具有的互相對向的端面40c，也分別形成第二絕緣膜42A、42B。而且，第二絕緣膜42A、42B之表面42a彼此面接觸。
在保護面材40A開口設置貫通孔40d，在側壁15之中，安裝保護面材40A之時與貫通孔40d對應的位置，安裝螺紋溝18c。對貫通孔40d，插通金屬製之緊固構件45，藉由緊固構件45之前端被螺合於螺紋溝18c，保護面材40A被固定於側壁15之第一內側面18a。
另一方面，在保護面材40B開口設置貫通孔40d，在底板16之中，安裝保護面材40B之時與貫通孔40d對應的位置，安裝螺紋溝18d。對貫通孔40d，插通金屬製之緊固構件45，藉由緊固構件45之前端被螺合於螺紋溝18d，保護面材40B被固定於底板16之第一內側面18b。
作為金屬製之緊固構件45，除圖示例的帶頭螺栓之外，適用螺絲等。側壁15和底板16係經由接地線21而被接地，因此，第一內側面18a、18b具備接地電位。而且，相對於具備接地電位之第一內側面18a、18b，經由金屬製之緊固構件45而固定保護面材40A、40B，藉此保護面材40A、40B也具備接地電位。依此，保護面材40A、40B係藉由偏壓用高頻電源83，對載置台70，施加偏壓用高頻電壓之時，可以形成相對於載置台70之對向電極之一部分。
藉由對下腔室17之第一內側面18形成第一絕緣膜43，如上述般，形成能夠防止由於氯系氣體等導致第一內側面18之腐蝕或消耗的保護構造。在圖示例之下腔室17中，由於第一絕緣膜43之表面安裝保護面材40，故形成能夠防止由於氟系氣體導致第一絕緣膜43之消耗的保護構造。
即是，圖示例之下腔室17之第一內側面18成為具有耐氟系氣體規格的保護構造，將來切換成耐氯系氣體規格之處理容器(轉用)之情況，若也在保護面材40之前面40a安裝以第二絕緣膜被覆蓋的保護面材40即可。
然而，在使保護面材40之金屬面對第一絕緣膜43抵接之狀態安裝的情況，由於保護面材40之平坦的金屬面對第一絕緣膜43之表面43a抵接，故在每個位置上絕緣和導通成為不穩定，會成為電性不穩定的狀態。更具體而言，在第一絕緣膜43之表面43a中之微少孔，或由於熱滑動，使得表面43a被磨擦而表面43a之一部分剝離之處，在側壁15或底板16和保護面材40之間會形成電流路徑。而且，藉由被形成的電流路徑斷續性地連接，絕緣和導通會成為不穩定。此情形即使在互相相鄰接的保護面材40之端面的界面也相同。
但是，在圖示例的下腔室17中，相對於被形成在第一內側面18的第一絕緣膜43之表面43a，被形成在保護面材40之背面40b的第二絕緣膜41之表面41a面接觸。而且，在互相相鄰接的保護面材40A、40B之端面40c亦分別形成第二絕緣膜42A、42B，第二絕緣膜42A、42B之表面42a彼此面接觸。藉由此情形，可以謀求表面41a、43a之界面或表面42a彼此之界面中的穩定性絕緣，在每個界面之位置不產生成為絕緣和導通部不穩定的問題。因此，形成具有電性穩定性和放電穩定性之下腔室17。
再者，藉由相對於下腔室17之第一內側面18，安裝保護面材40，在保護面材40中面臨處理室S的面成為金屬露出的無垢面，也不會產生如由於氟系氣體消耗第一絕緣膜43而發生微粒，或消耗所致的局部性無垢面之露出引起的放電不穩定之問題。
如此一來，若藉由圖示之處理容器20和具備此的電漿處理裝置100時，能夠一面抑制或抑止氟系氣體所致的微粒之發生，一面能獲得高的電性穩定性和放電穩定性。
接著，大概說明實施型態所涉及之處理容器20之製造方法之一例。
該製造方法具備在處理容器20之中，被曝露於電漿之第一內側面18之至少一部分形成第一絕緣膜43的工程。
再者，具備在至少保護第一內側面18避開電漿的保護面材40之中，與第一絕緣膜43對向的背面40b，形成第二絕緣膜41的工程。
而且，具備使第一絕緣膜43和第二絕緣膜41面接觸，而相對於第一內側面18安裝保護面材40的工程。
在形成第二絕緣膜41之工程中，在保護面材40之中，與相鄰接之另一方的保護面材40對向的端面40c，也形成第二絕緣膜42。而且，在安裝保護面材40之工程中，使相鄰接的保護面材40具備的第二絕緣膜42彼此面接觸。
若藉由該處理容器20之製造方法時，可以抑制或抑止氟系氣體所致的微粒之發生，可以製造具有高電性穩定性和放電穩定性的處理容器20。
即使為對上述實施型態舉出的構成等，組合其他構成要素等之其他實施型態亦可，再者，本揭示係不限定於在此所示的構成者。關於此點，能夠在不脫離本揭示之主旨的範圍變更，可以因應其應用型態適當地確定。
例如，雖然圖示例的電漿處理裝置100係以具備金屬窗的感應耦合型的電漿處理裝置予以說明，但是即使以具備介電質窗的感應耦合型之電漿處理裝置來代替金屬窗亦可，即使為其他型態的電漿處理裝置亦可。具體而言，可舉出電子迴旋共振等離子體(Electron Cyclotron resonance Plasma; ECP)、螺旋波等離子體(Helicon Wave Plasma; HWP)或電容耦合等離子體(Capacitively coupled Plasma; CCP)。再者，可舉出微波激發表面波電漿(Surface Wave Plasma; SWP)。該些電漿處理裝置包含ICP，皆可以獨立控制離子通量和離子能量，可以自由地控制蝕刻狀或選擇性，同時能獲得10 11至10 13cm -3程度的高電子密度。
18,18a,18b:第一內側面 20:處理容器 40,40A,40B:保護面材 40b:背面 41:第二絕緣膜 43,43A,43B:第一絕緣膜 100:電漿處理裝置 G:基板
[圖1]為表示實施型態所涉及之處理容器之一例，和實施型態所涉及之電漿處理裝置之一例的縱剖面圖。 [圖2]為放大圖1中之II部的縱剖面圖。
15:側壁
16:底板
17:下腔室
18,18a,18b:第一內側面
18c,18d:螺紋溝
40,40A,40B:保護面材
40a,41a,42a,43a:表面
40b:背面
40c:端面
40d:貫通孔
41,41A,41B:第二絕緣膜
42,42A,42B:第二絕緣膜
43,43A,43B:第一絕緣膜
45:緊固構件
S:處理室

Claims (11)

  1. 一種處理容器，其係構成電漿處理裝置，將基板收容於內部而進行電漿處理的處理容器，其特徵在於， 在上述處理容器之中，在被曝露於電漿之第一內側面之至少一部分，形成第一絕緣膜， 在至少保護上述第一內側面遠離電漿的保護面材之中，與上述第一絕緣膜對向之背面，形成第二絕緣膜， 上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜面接觸。
  2. 如請求項1記載之處理容器，其中 在上述第一內側面，複數上述保護面材相鄰接地被安裝， 在一方之上述保護面材之中，與相鄰接之另一方之上述保護面材對向之端面，也形成上述第二絕緣膜， 對向的上述絕緣膜彼此面接觸。
  3. 如請求項1或2記載之處理容器，其中 上述處理容器和上述保護面材皆藉由包含鋁或氧化鋁合金的金屬而形成， 上述保護面材之中，被曝露於上述電漿之第二內側面為上述金屬露出的面。
  4. 如請求項1至3中之任一項記載之處理容器，其中 上述第一內側面具備接地電位， 上述處理容器和上述保護面材經由金屬製之緊固構件而互相連接，上述保護面材具備接地電位。
  5. 如請求項1至4中之任一項記載之處理容器，其中 上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜係氧皮鋁覆膜、釔噴塗膜、氟化釔噴塗膜、包含氧化鋁噴塗膜的陶瓷噴塗膜、噴塗樹脂膜和定型樹脂膜中之任一種。
  6. 一種電漿處理裝置，具有請求項1至5中之任一項記載之處理容器。
  7. 一種處理容器之製造方法，其係構成電漿處理裝置，將基板收容於內部而進行電漿處理的處理容器之製造方法，其特徵在於，具有： 在上述處理容器之中，在被曝露於電漿之第一內側面之至少一部分，形成第一絕緣膜的工程， 在至少保護上述第一內側面遠離電漿的保護面材之中，與上述第一絕緣膜對向之背面，形成第二絕緣膜的工程，及 使上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜面接觸，而相對於上述第一內側面安裝上述保護面材的工程。
  8. 如請求項7之處理容器之製造方法，其中 在形成上述第二絕緣膜之工程中，在上述保護面材之中，與相鄰接之另一方之上述保護面材對向的端面，也形成上述第二絕緣膜， 在安裝上述保護面材之工程中，使相鄰接之上述保護面材具備的上述第二絕緣膜彼此面接觸。
  9. 如請求項7或8記載之處理容器之製造方法，其中 上述處理容器和上述保護面材皆藉由包含鋁或氧化鋁合金的金屬而形成， 上述保護面材之中，被曝露於上述電漿之第二內側面為上述金屬露出的面。
  10. 如請求項7至9中之任一項記載之處理容器之製造方法，其中 進一步具有接地上述第一內側面的工程， 在安裝上述保護面材之工程中，經由金屬製之緊固構件互相連接上述處理容器和上述保護面材，接地上述保護面材。
  11. 如請求項7至10中之任一項記載之處理容器之製造方法，其中 上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜係氧皮鋁覆膜、釔噴塗膜、氟化釔噴塗膜、包含氧化鋁噴塗膜的陶瓷噴塗膜、噴塗樹脂膜和定型樹脂膜中之任一種。
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