JP2022053208A - データ生成方法、荷電粒子ビーム照射装置及びプログラム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004556 laser interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30405—Details
- H01J2237/30416—Handling of data
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
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Abstract
Description
図1は、第1の実施形態に係る描画装置100の概略構成図である。図1に示すように、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイプレート203、ブランキングアパーチャアレイプレート204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207及び偏向器208が配置されている。
a・h2+b・h+c=0
a=(1/β-1/α)×0.5
b=2×LB
c=Ac
P1y=h
P2x=LB+h/β
P2y=h
P3x=la+(h/α)
P3y=h=2×Ac/LB
la=La×LB/(La+Lb)
α=My(Mx-la)
P4x=LB/2
P4y=h=2×Ac/LB
電子ビーム描画では、必要な照射量を複数回の描画(露光)に分ける多重描画が行われることがある。この場合、描画(パス)毎に異なる頂点を用いてポリゴン化を行い、照射量を算出してもよい。
110 制御計算機
111 面積密度算出部
112 照射時間算出部
113 データ処理部
114 描画制御部
Claims (13)
- 荷電粒子ビームの照射対象を所定サイズで分割した複数のピクセルの各々におけるポリゴンによる被覆率を計算するデータ生成方法であって、
パターン形状を定義するパラメトリック曲線を、複数のパラメトリック曲線に分割し、
分割後の複数のパラメトリック曲線の各々について、該パラメトリック曲線の制御点の端点を結ぶ線分と該パラメトリック曲線とで囲まれた領域の面積を算出し、
前記制御点の端点を結ぶ線分を一辺とし、算出した前記面積と同等の面積を有する図形の頂点の位置を算出し、
前記頂点を用いて前記ポリゴンを生成する、データ生成方法。 - 前記パラメトリック曲線はベジェ曲線であることを特徴とする請求項1に記載のデータ生成方法。
- 前記図形は、前記制御点の端点を結ぶ線分を底辺とする台形又は三角形であることを特徴とする請求項2に記載のデータ生成方法。
- 前記パラメトリック曲線の制御点を頂点とする図形を囲うバウンディングボックスのサイズが所定値以下となるまで、パラメトリック曲線の分割を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のデータ生成方法。
- 荷電粒子ビームの照射対象を所定サイズで分割した複数のピクセルの各々におけるポリゴンによる被覆率を計算するステップをコンピュータに実行させるプログラムであって、
パターン形状を定義するパラメトリック曲線を、複数のパラメトリック曲線に分割するステップと、
分割後の複数のパラメトリック曲線の各々について、該パラメトリック曲線の制御点の端点を結ぶ線分と該パラメトリック曲線とで囲まれた領域の面積を算出するステップと、
前記制御点の端点を結ぶ線分を一辺とし、算出した前記面積と同じ面積を有する図形の頂点の位置を算出するステップと、
前記頂点を用いて前記ポリゴンを生成するステップと、
を前記コンピュータに実行させるプログラム。 - 対象物上に荷電粒子ビームを照射する照射部と、
パターン形状を定義するパラメトリック曲線を、複数のパラメトリック曲線に分割し、分割後の複数のパラメトリック曲線の各々について、該パラメトリック曲線の制御点の端点を結ぶ線分と該パラメトリック曲線とで囲まれた領域の面積を算出し、前記制御点の端点を結ぶ線分を一辺とし、算出した前記面積と同じ面積を有する図形の頂点の位置を算出し、前記頂点を用いてポリゴンを生成し、前記荷電粒子ビームの照射対象を所定サイズで分割した複数のピクセルの各々における前記ポリゴンによる被覆率を計算し、前記被覆率に基づいて各ピクセルの照射量を算出し、算出した照射量となるように前記照射部を制御する制御部と、
を備える荷電粒子ビーム照射装置。 - 前記荷電粒子ビームの照射対象を所定サイズで分割した複数のピクセルの各々におけるポリゴンによる被覆率を計算するデータ生成方法であって、
パターン形状を定義するパラメトリック曲線を、複数のパラメトリック曲線に分割し、
分割後の複数のパラメトリック曲線の各々に対応する複数の制御点の内、荷電粒子ビームの多重描画のパス毎に異なる制御点を使用し、前記パス毎に異なる形状の前記ポリゴンを生成し、
前記パス毎に、前記ポリゴンによる被覆率を計算する、データ生成方法。 - 前記パラメトリック曲線はベジェ曲線であることを特徴とする請求項7に記載のデータ生成方法。
- 前記複数の制御点のうち、曲線上のパス毎に位置が異なる点を使用して、前記ポリゴンを生成することを特徴とする請求項8に記載のデータ生成方法。
- 前記複数の制御点のうち、パス毎に異なる方向点を使用して、前記ポリゴンを生成することを特徴とする請求項8に記載のデータ生成方法。
- 前記パラメトリック曲線の制御点を頂点とする図形を囲うバウンディングボックスのサイズが所定値以下となるまで、パラメトリック曲線の分割を行うことを特徴とする請求項7乃至10のいずれかに記載のデータ生成方法。
- 前記荷電粒子ビームの照射対象を所定サイズで分割した複数のピクセルの各々におけるポリゴンによる被覆率を計算するステップをコンピュータに実行させるプログラムであって、
パターン形状を定義するパラメトリック曲線を、複数のパラメトリック曲線に分割するステップと、
分割後の複数のパラメトリック曲線の各々に対応する複数の制御点の少なくとも一部を使用し、荷電粒子ビームの多重描画のパス毎に異なる形状のポリゴンを生成するステップと、
前記パス毎に、前記ポリゴンによる被覆率を計算するステップと、
を前記コンピュータに実行させるプログラム。 - 対象物上に荷電粒子ビームを照射する照射部と、
パターン形状を定義するパラメトリック曲線を、複数のパラメトリック曲線に分割し、分割後の複数のパラメトリック曲線の各々に対応する複数の制御点の少なくとも一部を使用し、前記荷電粒子ビームの多重描画のパス毎に異なる形状のポリゴンを生成し、前記パス毎に、前記荷電粒子ビームの照射対象を所定サイズで分割した複数のピクセルの各々における前記ポリゴンによる被覆率を計算し、前記被覆率に基づいて各ピクセルの照射量を算出し、算出した照射量となるように前記照射部を制御する制御部と、
を備える荷電粒子ビーム照射装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020159904A JP2022053208A (ja) | 2020-09-24 | 2020-09-24 | データ生成方法、荷電粒子ビーム照射装置及びプログラム |
TW110116239A TWI807316B (zh) | 2020-09-24 | 2021-05-05 | 資料產生方法以及帶電粒子束照射裝置 |
CN202110696247.1A CN114253084B (zh) | 2020-09-24 | 2021-06-23 | 数据生成方法以及带电粒子束照射装置 |
US17/412,775 US11749499B2 (en) | 2020-09-24 | 2021-08-26 | Data generation method and charged particle beam irradiation device |
KR1020210123895A KR102659835B1 (ko) | 2020-09-24 | 2021-09-16 | 데이터 생성 방법 및 하전 입자빔 조사 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020159904A JP2022053208A (ja) | 2020-09-24 | 2020-09-24 | データ生成方法、荷電粒子ビーム照射装置及びプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022053208A true JP2022053208A (ja) | 2022-04-05 |
Family
ID=80741222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020159904A Pending JP2022053208A (ja) | 2020-09-24 | 2020-09-24 | データ生成方法、荷電粒子ビーム照射装置及びプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11749499B2 (ja) |
JP (1) | JP2022053208A (ja) |
KR (1) | KR102659835B1 (ja) |
CN (1) | CN114253084B (ja) |
TW (1) | TWI807316B (ja) |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10011201A1 (de) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Leica Microsys Lithography Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung eines gekrümmten Linienzuges auf einem strahlungsempfindlichen Resist |
US7302111B2 (en) * | 2001-09-12 | 2007-11-27 | Micronic Laser Systems A.B. | Graphics engine for high precision lithography |
JP3725841B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2005-12-14 | 株式会社東芝 | 電子ビーム露光の近接効果補正方法、露光方法、半導体装置の製造方法及び近接効果補正モジュール |
JP4074240B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2008-04-09 | 株式会社東芝 | 偏向歪み補正システム、偏向歪み補正方法、偏向歪み補正プログラム及び半導体装置の製造方法 |
JP4693660B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 描画装置、描画方法及び描画プログラム |
JP4943304B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-05-30 | 株式会社 Ngr | パターン検査装置および方法 |
JP5294313B2 (ja) | 2008-11-07 | 2013-09-18 | Necシステムテクノロジー株式会社 | ベジェ曲線描画装置、ベジェ曲線描画方法およびプログラム |
CN101901488B (zh) | 2009-05-25 | 2015-09-09 | 富士通株式会社 | 用于曲线近似的方法和装置以及图形显示控制方法和装置 |
JP5530688B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2014-06-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法 |
JP2012230668A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-22 | Canon Inc | 画像処理装置、画像処理方法、及びプログラム |
JP2014056371A (ja) | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 画像処理装置 |
JP6169876B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-07-26 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、描画用図形データ作成装置、電子ビーム描画方法、描画用図形データ作成方法、およびプログラム |
JP6450589B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-01-09 | 株式会社モルフォ | 画像生成装置、電子機器、画像生成方法及びプログラム |
JP6756320B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2020-09-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置 |
JP7119688B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ生成方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP7172420B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ生成方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2020
- 2020-09-24 JP JP2020159904A patent/JP2022053208A/ja active Pending
-
2021
- 2021-05-05 TW TW110116239A patent/TWI807316B/zh active
- 2021-06-23 CN CN202110696247.1A patent/CN114253084B/zh active Active
- 2021-08-26 US US17/412,775 patent/US11749499B2/en active Active
- 2021-09-16 KR KR1020210123895A patent/KR102659835B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114253084B (zh) | 2024-07-09 |
TWI807316B (zh) | 2023-07-01 |
KR20220041001A (ko) | 2022-03-31 |
TW202213413A (zh) | 2022-04-01 |
US11749499B2 (en) | 2023-09-05 |
US20220093360A1 (en) | 2022-03-24 |
CN114253084A (zh) | 2022-03-29 |
KR102659835B1 (ko) | 2024-04-24 |
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