JP2022035945A - Multilayer structure manufacturing method, multilayer structure, and touch sensor - Google Patents

Multilayer structure manufacturing method, multilayer structure, and touch sensor Download PDF

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Abstract

To provide a method for manufacturing the multilayer structure of a touch sensor by flexographic printing.SOLUTION: The method for manufacturing the multilayer structure includes: providing a substrate (S1); printing a catalyst layer that includes a grid pattern and a conductor pattern connected to the grid pattern onto the substrate by flexographic printing (S2); plating a metal layer that includes a metal grid located at a position that corresponds to the grid pattern of the catalyst layer and a metal conductive wire located at a position that corresponds to the conductive pattern of the catalyst layer onto the catalyst layer by chemical plating (S3); and printing a silver nanowire layer that overlaps the metal grid at least in part on the metal layer by flexographic printing (S4). The multilayer structure comprises the substrate, the catalyst layer, the metal layer, and the silver nanowire layer.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、積層構造体の製造方法に関し、特に、フレキソ印刷法による積層構造体の製造方法に関する。本開示は、積層構造体に関し、特に、金属グリッドを有する金属層を含む積層構造体に関する。本開示は、さらに、タッチセンサに関し、特に、積層構造体を含むタッチセンサに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a laminated structure, and more particularly to a method for manufacturing a laminated structure by a flexographic printing method. The present disclosure relates to a laminated structure, and more particularly to a laminated structure including a metal layer having a metal grid. The present disclosure further relates to touch sensors, and in particular to touch sensors including laminated structures.

銀ナノワイヤ及び金属層を含む積層構造体は、タッチセンサに適用可能である。従来の積層構造体の製造方法では、銅及びナノ銀の存在下でリソグラフィにより１回のエッチング処理（one-time etching process）を行い、トレース領域ＴＡ及び可視領域ＶＡを形成していた。このように従来技術によって製造された従来の積層構造体を図１、図２、及び図３に示す。図１及び図２を参照すると、従来の積層構造体１０は、基板１１；基板１１上に配置された、金属シート１３１及び金属導電性ワイヤ１３２を含む金属層１３；及び金属層１３上に配置された銀ナノワイヤ層１４を含む。図３に示す別の実施の形態では、従来の積層構造体１０は、基板１１と金属層１３との間に配置された触媒層１２をさらに含む。従来の積層構造体は、金属導電性ワイヤ１３２を含むトレース領域ＴＡ；金属シート１３１内に画定され、金属導電性ワイヤ１３２に近接して配置される領域を含む第１の重ね合わせ領域１５；金属シート１３１内に画定され、金属導電性ワイヤ１３２に対して遠位に配置された領域を含む第２の重ね合わせ領域１６；銀ナノワイヤ層１４で覆われており、金属シート１３１で覆われていない、金属シート１３１の一方のエッジに近接して配置された領域を含む可視領域ＶＡ；を含む。 Laminated structures containing silver nanowires and metal layers are applicable to touch sensors. In the conventional method for manufacturing a laminated structure, a one-time etching process is performed by lithography in the presence of copper and nanosilver to form a trace region TA and a visible region VA. The conventional laminated structure thus manufactured by the prior art is shown in FIGS. 1, 2, and 3. Referring to FIGS. 1 and 2, the conventional laminated structure 10 is arranged on the substrate 11; the metal layer 13 including the metal sheet 131 and the metal conductive wire 132 arranged on the substrate 11; and the metal layer 13. Contains the silver nanowire layer 14 that has been made. In another embodiment shown in FIG. 3, the conventional laminated structure 10 further includes a catalyst layer 12 disposed between the substrate 11 and the metal layer 13. The conventional laminated structure is a trace region TA containing the metal conductive wire 132; a first laminated region 15 including a region defined in the metal sheet 131 and placed in close proximity to the metal conductive wire 132; metal. A second overlay region 16 defined within the sheet 131 and including a region located distal to the metal conductive wire 132; covered with a silver nanowire layer 14 and not covered with the metal sheet 131. , Includes a visible region VA; including a region located close to one edge of the metal sheet 131.

中国特許第１０８９３２０７３号明細書Chinese Patent No. 108932073

従来の積層構造体の製造方法で形成された積層構造体では、第１の重ね合わせ領域１５及び第２の重ね合わせ領域１６はいずれも面全体（すなわち、均一又は連続的に）が固体の銅で形成されており、製造工程が複雑で高価である。従って、積層構造体の新規な製造方法、積層構造体、及びタッチセンサを提供する必要がある。 In the laminated structure formed by the conventional method for manufacturing a laminated structure, the first overlapping region 15 and the second overlapping region 16 are both solid copper on the entire surface (that is, uniformly or continuously). The manufacturing process is complicated and expensive. Therefore, it is necessary to provide a new method for manufacturing a laminated structure, a laminated structure, and a touch sensor.

本開示の目的は、従来技術の欠点（すなわち、積層構造体を製造する従来の方法は、複雑で高価である）を克服する目的で、新規な積層構造体の製造方法、積層構造体、及びタッチセンサを提供することである。 An object of the present disclosure is to overcome the shortcomings of prior art (ie, conventional methods of manufacturing laminated structures are complex and expensive), new methods of manufacturing laminated structures, laminated structures, and It is to provide a touch sensor.

少なくとも上記目的を達成するために、本開示は、以下を含む積層構造体の製造方法を提供する：
基板の提供；
フレキソ印刷による、グリッドパターン及び前記グリッドパターンに接続された導線パターンを含む触媒層の基板上への印刷；
化学めっきによる、前記触媒層の前記グリッドパターンに対応する位置にある金属グリッド及び前記触媒層の前記導線パターンに対応する位置にある金属導電性ワイヤを含む金属層の前記触媒層上へのめっき；及び
フレキソ印刷による、前記金属グリッドと少なくとも部分的に重なる銀ナノワイヤ層の前記金属層上への印刷。 At least in order to achieve the above object, the present disclosure provides a method for manufacturing a laminated structure including the following:
Substrate provision;
Printing of a catalyst layer containing a grid pattern and a lead pattern connected to the grid pattern on a substrate by flexographic printing;
Plating on the catalyst layer by chemical plating of a metal grid at a position corresponding to the grid pattern of the catalyst layer and a metal layer containing a metal conductive wire at a position corresponding to the conductor pattern of the catalyst layer; And printing on the metal layer of a silver nanowire layer that at least partially overlaps the metal grid by flexo printing.

この方法において、触媒層は、触媒金属ワイヤ、金属粒子、金属イオン、及び／又は金属シートを含んでもよい。 In this method, the catalyst layer may include catalyst metal wires, metal particles, metal ions, and / or metal sheets.

この方法に関して、触媒層は、アクリレート及び／又はエポキシ樹脂等の非導電性材料を含んでもよく、又は導電性又は非導電性の触媒層を形成するために、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）、メチルセルロース、エチルセルロース、キサンタンガム、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、カルボキシメチルセルロース、及びヒドロキシエチルセルロース等の任意の他のポリマーを含んでもよい。 For this method, the catalytic layer may contain non-conductive materials such as acrylate and / or epoxy resin, or hydroxypropylmethyl cellulose (HPMC), hydroxypropyl to form a conductive or non-conductive catalyst layer. It may contain any other polymer such as cellulose (HPC), methyl cellulose, ethyl cellulose, xanthan gum, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone (PVP), carboxymethyl cellulose, and hydroxyethyl cellulose.

この方法に関して、金属層は、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金、及び／又は銀－鉛合金を含んでもよい。 For this method, the metal layer may include copper, copper-nickel alloys, copper-lead alloys, silver, silver-nickel alloys, and / or silver-lead alloys.

この方法に関して、基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィン共重合体（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、及び／又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）を含んでもよい。 For this method, the substrate is polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COP), colorless polyimide (CPI), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), and / or polyether sulfone (PES). It may be included.

この方法に関して、銀ナノワイヤ層は、０．３μｍより厚くてもよい。 For this method, the silver nanowire layer may be thicker than 0.3 μm.

この方法に関して、銀ナノワイヤ層と金属グリッドとの重なり部分の透過率（Ｔ％）が９０％未満であってもよい。 With respect to this method, the transmittance (T%) of the overlapping portion between the silver nanowire layer and the metal grid may be less than 90%.

少なくとも上記の目的を達成するために、本開示はさらに、以下を含む積層構造体を提供する：
基板；
前記基板上に配置された、グリッドパターンと、前記グリッドパターンに接続された導線パターンとを含む触媒層；
前記触媒層上に配置された、前記触媒層の前記グリッドパターン上に対応して配置された金属グリッドと、前記触媒層の前記導線パターン上に対応して配置された金属導電性ワイヤとを含む金属層；及び
前記金属層上に配置された、前記金属グリッドに少なくとも部分的に重なっている、銀ナノワイヤ層。 To achieve at least the above objectives, the present disclosure further provides a laminated structure including:
substrate;
A catalyst layer including a grid pattern arranged on the substrate and a lead wire pattern connected to the grid pattern;
A metal grid arranged on the catalyst layer corresponding to the grid pattern of the catalyst layer and a metal conductive wire arranged corresponding to the conductor pattern of the catalyst layer are included. Metal layer; and a silver nanowire layer placed on the metal layer and at least partially overlapping the metal grid.

前記積層構造体に関して、前記触媒層は、触媒金属ワイヤ、金属粒子、金属イオン及び／又は金属シートを含む。 With respect to the laminated structure, the catalyst layer comprises catalyst metal wires, metal particles, metal ions and / or metal sheets.

前記積層構造体に関して、前記触媒層が、アクリレート及び／又はエポキシ樹脂を含む。 With respect to the laminated structure, the catalyst layer comprises an acrylate and / or an epoxy resin.

前記積層構造体に関して、前記金属層が、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金、及び／又は銀－鉛合金を含む。 With respect to the laminated structure, the metal layer comprises copper, copper-nickel alloys, copper-lead alloys, silver, silver-nickel alloys, and / or silver-lead alloys.

前記積層構造体に関して、前記基板が、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィン共重合体（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）及び／又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）を含む。 With respect to the laminated structure, the substrate is polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COP), colorless polyimide (CPI), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC) and / or polyether sulfone (PES). )including.

前記積層構造体に関して、前記銀ナノワイヤ層は、０．３μｍより厚い。 With respect to the laminated structure, the silver nanowire layer is thicker than 0.3 μm.

前記積層構造体に関して、前記銀ナノワイヤ層と前記金属グリッドとの重なり部分の透過率（Ｔ％）が９０％未満である。 With respect to the laminated structure, the transmittance (T%) of the overlapping portion between the silver nanowire layer and the metal grid is less than 90%.

前記積層構造体は、前記金属導電性ワイヤが配置されているトレース領域；前記金属グリッド内に画定され、前記銀ナノワイヤ層で覆われていない領域を含む第１の重ね合わせ領域；前記金属グリッド内に画定され、前記銀ナノワイヤ層で覆われている不透明領域と、前記金属グリッドの２つの対向するエッジに近接して配置され、前記銀ナノワイヤ層で覆われているが、前記金属グリッドで覆われていない透明領域とを含む第２の重ね合わせ領域；及び前記金属グリッドのエッジに近接して配置され、前記銀ナノワイヤ層で覆われているが、前記金属グリッドで覆われていない領域を含む可視領域；を備える。 The laminated structure is a trace region in which the metal conductive wire is arranged; a first laminated region including a region defined in the metal grid and not covered by the silver nanowire layer; in the metal grid. An opaque region defined in and covered by the silver nanowire layer and placed close to the two opposing edges of the metal grid and covered by the silver nanowire layer but covered by the metal grid. A second overlay region that includes a non-transparent region; and a visible region that is located close to the edge of the metal grid and is covered by the silver nanowire layer but not covered by the metal grid. Area;

前記積層構造体に関して、前記透明領域は、前記不透明領域よりも前記第２の重ね合わせ領域のより小さい割合を占め、前記透明領域は、前記銀ナノワイヤ層と前記金属グリッドとの重なり部分の５０％未満を占める。 With respect to the laminated structure, the transparent region occupies a smaller proportion of the second superposed region than the opaque region, and the transparent region is 50% of the overlapping portion of the silver nanowire layer and the metal grid. Occupy less than.

前記積層構造体に関して、前記第１の重ね合わせ領域と前記第２の重ね合わせ領域との合計幅が５００μｍ未満であり、第２の重ね合わせ領域の幅に対する第１の重ね合わせ領域の幅の比率が０．１－１０の範囲にある。 With respect to the laminated structure, the total width of the first overlap region and the second overlap region is less than 500 μm, and the ratio of the width of the first overlap region to the width of the second overlap region. Is in the range of 0.1-10.

前記積層構造体に関して、前記第１の重ね合わせ領域と前記第２の重ね合わせ領域との合計幅が０．５ｍｍ－１．０ｍｍの範囲にあり、前記第２の重ね合わせ領域の幅に対する前記第１の重ね合わせ領域の幅の比率が０．０５－２０の範囲にある。 With respect to the laminated structure, the total width of the first overlapping region and the second overlapping region is in the range of 0.5 mm to 1.0 mm, and the width of the second overlap region is relative to the width of the second overlap region. The ratio of the width of the overlapping region of 1 is in the range of 0.05-20.

前記積層構造体に関して、前記第１の重ね合わせ領域と前記第２の重ね合わせ領域との合計幅が１．０ｍｍ－１．５ｍｍの範囲にあり、前記第２の重ね合わせ領域の幅に対する前記第１の重ね合わせ領域の幅の比率が０．０３－３０の範囲にある。 With respect to the laminated structure, the total width of the first overlapping region and the second overlapping region is in the range of 1.0 mm to 1.5 mm, and the width of the second overlap region is relative to the width of the second overlap region. The ratio of the width of the overlapping region of 1 is in the range of 0.03-30.

前記積層体構造体に関して、前記第１の重ね合わせ領域と前記第２の重ね合わせ領域との合計幅が１．５ｍｍ－２．５ｍｍの範囲にあり、前記第２の重ね合わせ領域の幅に対する前記第１の重ね合わせ領域の幅の比率が０．０２－５０の範囲にある。 With respect to the laminated structure, the total width of the first overlap region and the second overlap region is in the range of 1.5 mm to 2.5 mm, and the width of the second overlap region is relative to the width of the second overlap region. The width ratio of the first superposition region is in the range of 0.02-50.

前記積層構造体に関して、前記第１の重ね合わせ領域において、前記金属グリッドのピッチが金属導電性ワイヤのピッチの０．１－１０倍である。 With respect to the laminated structure, in the first overlapping region, the pitch of the metal grid is 0.1-10 times the pitch of the metal conductive wire.

前記積層構造体に関して、前記金属導電性ワイヤは、２０μｍのピッチ、１０μｍの線幅、及び１０μｍの線間隔を有し、前記第１の重ね合わせ領域内の前記金属グリッドは、２μｍ－２００μｍのピッチを有する。 With respect to the laminated structure, the metal conductive wires have a pitch of 20 μm, a line width of 10 μm, and a line spacing of 10 μm, and the metal grid in the first superposition region has a pitch of 2 μm-200 μm. Has.

前記積層構造体に関して、前記第１の重ね合わせ領域内の前記金属グリッドは、２μｍ－５０μｍの線幅及び２μｍ－１０μｍの線間隔を有する。 For the laminated structure, the metal grid in the first superposition region has a line width of 2 μm-50 μm and a line spacing of 2 μm-10 μm.

前記積層構造体に関して、前記第１の重ね合わせ領域において、前記金属グリッドは、４０μｍ／１０μｍ、３０μｍ／１０μｍ、２０μｍ／１０μｍ又は１０μｍ／１０μｍの線幅／線間隔を有する。 For the laminated structure, in the first superposition region, the metal grid has a line width / line spacing of 40 μm / 10 μm, 30 μm / 10 μm, 20 μm / 10 μm or 10 μm / 10 μm.

前記積層構造体に関して、前記金属導電性ワイヤは、３μｍ－３０μｍの線幅、３μｍ－３０μｍの線間隔を有する。 With respect to the laminated structure, the metal conductive wire has a line width of 3 μm-30 μm and a line spacing of 3 μm-30 μm.

前記積層構造体は、
基板上に配置されたボンディングパッドをさらに備え、
前記ボンディングパッドは、
前記基板上に配置された、ボンディンググリッドパターンを含むボンディング触媒層；及び
前記ボンディング触媒層上に配置された、前記ボンディング触媒層の前記ボンディンググリッドパターン上に対応して配置されたボンディング金属グリッドを含むボンディング金属層；
を備える。 The laminated structure is
Further equipped with a bonding pad placed on the board,
The bonding pad is
A bonding catalyst layer including a bonding grid pattern arranged on the substrate; and a bonding metal grid arranged on the bonding catalyst layer corresponding to the bonding grid pattern of the bonding catalyst layer are included. Bonding metal layer;
To prepare for.

少なくとも上記の目的を達成するため、本開示は、以下を含むタッチセンサをさらに提供する：
前記積層構造体；及び
前記積層構造体の前記銀ナノワイヤ層上に配置された被覆層。 To achieve at least the above objectives, the present disclosure further provides touch sensors including:
The laminated structure; and a coating layer arranged on the silver nanowire layer of the laminated structure.

タッチセンサは、以下をさらに備える：
前記積層構造体において前記基板の下に配置された、第２のグリッドパターン及び前記第２のグリッドパターンに接続された第２の導線パターンを含む第２の触媒層；
前記第２の触媒層の下に配置された、前記第２の触媒層の前記第２のグリッドパターンの下に対応して配置された第２の金属グリッド及び前記第２の触媒層の前記第２の導線パターンの下に対応して配置された第２の金属導電性ワイヤを含む第２の金属層；
前記第２の金属層の下に配置された、前記第２の金属グリッドに少なくとも部分的に重なっている第２の銀ナノワイヤ層；及び
前記第２の銀ナノワイヤ層の下に配置された第２の被覆層。 The touch sensor further comprises:
A second catalyst layer, which is arranged under the substrate in the laminated structure and includes a second grid pattern and a second conductor pattern connected to the second grid pattern;
The second metal grid and the second catalyst layer of the second catalyst layer arranged below the second catalyst layer and correspondingly arranged under the second grid pattern of the second catalyst layer. A second metal layer containing a second metal conductive wire placed correspondingly under the second conductor pattern;
A second silver nanowire layer placed under the second metal layer that at least partially overlaps the second metal grid; and a second placed under the second silver nanowire layer. Coating layer.

したがって、前記積層構造体の製造方法は、前記積層構造体の製造工程を簡略化し、前記積層構造体及び前記積層構造体を含む前記タッチセンサの製造コストを低減することができる。 Therefore, the method for manufacturing the laminated structure can simplify the manufacturing process of the laminated structure and reduce the manufacturing cost of the laminated structure and the touch sensor including the laminated structure.

本発明によれば、前記積層構造体及び該積層構造体を含む前記タッチセンサは、金属原料を節約し、積層構造体及び該積層構造体を含むタッチセンサの製造コストを低減することができる。 According to the present invention, the laminated structure and the touch sensor including the laminated structure can save metal raw materials and reduce the manufacturing cost of the laminated structure and the touch sensor including the laminated structure.

図１は、従来の積層構造体の概略図である。FIG. 1 is a schematic view of a conventional laminated structure. 図２は、従来の積層構造体の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional laminated structure. 図３は、従来の積層構造体の別の実施の形態の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of another embodiment of the conventional laminated structure. 図４は、本開示による積層構造体の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing a laminated structure according to the present disclosure. 図５は、フレキソ印刷を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing flexographic printing. 図６は、本発明の実施の形態２に係る積層構造体の概略図である。FIG. 6 is a schematic view of the laminated structure according to the second embodiment of the present invention. 図７は、本発明の実施の形態２に係る積層構造体の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the laminated structure according to the second embodiment of the present invention. 図８は、本発明の実施の形態３に係る積層構造体の概略図である。FIG. 8 is a schematic view of the laminated structure according to the third embodiment of the present invention. 図９は、本発明の実施の形態３に係る積層構造体のＡ－Ａ断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along the line AA of the laminated structure according to the third embodiment of the present invention. 図１０は、本発明の実施の形態３に係る積層構造体のＢ－Ｂ断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line BB of the laminated structure according to the third embodiment of the present invention. 図１１は、本発明の実施の形態３に係る積層構造体のＣ－Ｃ断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line CC of the laminated structure according to the third embodiment of the present invention. 図１２は、本発明の実施の形態３に係る積層構造体のＤ－Ｄ断面図である。FIG. 12 is a DD cross-sectional view of the laminated structure according to the third embodiment of the present invention. 図１３は、本発明の実施の形態４に係るタッチセンサ及び方法の処理フローの概略図である。FIG. 13 is a schematic diagram of the processing flow of the touch sensor and the method according to the fourth embodiment of the present invention. 図１４は、本発明の実施の形態５に係るタッチセンサ及び方法の処理フローの概略図である。FIG. 14 is a schematic diagram of the processing flow of the touch sensor and the method according to the fifth embodiment of the present invention.

本発明の実施は、以下の特定の実施の形態によって例示されるため、当業者は、本明細書に開示された内容によって本発明の他の利点及び効果を理解することができる。本発明はまた、他の実施の形態によって実施又は適用されてもよく、本明細書における詳細はまた、種々の修正及び変形のために本発明の精神から逸脱することなく、異なる見解及び適用に基づいてもよい。 Since the implementation of the present invention is exemplified by the following specific embodiments, those skilled in the art can understand other advantages and effects of the present invention by the contents disclosed in the present specification. The invention may also be implemented or applied by other embodiments, the details herein also to different views and applications without departing from the spirit of the invention due to various modifications and variations. May be based.

なお、特に断らない限り、ここで用いる単数の冠詞「ａ」、「ａｎ」、「ｔｈｅ」は、複数を意味すると解釈してもよい。 Unless otherwise noted, the singular articles "a," "an," and "the" used here may be interpreted to mean plural.

なお、特に断らない限り、本明細書で使用される接続詞「又は」は、「及び／又は」を意味すると解釈することもできる。 Unless otherwise specified, the conjunction "or" used in the present specification may be interpreted as meaning "and / or".

ここで、第１の重ね合わせ領域及び第２の重ね合わせ領域の「幅」とは、図８のＡ－Ａ線における第１の重ね合わせ領域及び第２の重ね合わせ領域の断面の幅をいう。 Here, the "width" of the first superposition region and the second superposition region means the width of the cross section of the first superposition region and the second superposition region in the line AA of FIG. ..

ここで、ピッチとは、金属導電性ワイヤの中心軸と隣接する他の金属導電性ワイヤの中心軸との間の最短距離、又は、金属グリッド内における金属線の中心軸と隣接する他の金属線の中心軸との間の最短距離をいう。 Here, the pitch is the shortest distance between the central axis of the metal conductive wire and the central axis of another adjacent metal conductive wire, or other metal adjacent to the central axis of the metal wire in the metal grid. The shortest distance from the central axis of the line.

本明細書において使用される用語「線間隔（line spacing）」は、金属導電性ワイヤの縁部と別の隣接する金属導電性ワイヤの縁部との間の最短距離を指すか、又は、金属グリッド内における金属線の縁部と隣接する他の金属線の縁部との間の最短距離を指す。
実施の形態１ As used herein, the term "line spacing" refers to the shortest distance between the edge of a metal conductive wire and the edge of another adjacent metal conductive wire, or metal. Refers to the shortest distance between the edge of a metal wire in the grid and the edge of another adjacent metal wire.
Embodiment 1

図４は、本発明の実施の形態１に係る積層構造体の製造方法１を示すフローチャートである。図４に示すように、製造方法１は、基板を提供するステップＳ１；フレキソ印刷（flexography）により、グリッドパターンと、当該グリッドパターンに接続された導線パターンとを含む触媒層を基板上へ印刷するステップＳ２；化学めっきにより、触媒層のグリッドパターンに対応する位置にある金属グリッドと、触媒層の導線パターンに対応する位置にある金属導電性ワイヤとを含む金属層を触媒層上へめっきするステップＳ３；及び、フレキソ印刷により、金属グリッドと少なくとも部分的に重なる銀ナノワイヤ層を金属層上に印刷するステップＳ４；を備える。 FIG. 4 is a flowchart showing a method 1 for manufacturing a laminated structure according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, in the manufacturing method 1, a catalyst layer including a grid pattern and a lead wire pattern connected to the grid pattern is printed on the substrate by step S1; flexography to provide the substrate. Step S2; A step of plating a metal layer including a metal grid at a position corresponding to the grid pattern of the catalyst layer and a metal conductive wire at a position corresponding to the lead wire pattern of the catalyst layer onto the catalyst layer by chemical plating. S3; and step S4; in which a silver nanowire layer that at least partially overlaps the metal grid is printed on the metal layer by flexo printing.

本実施の形態において、ステップＳ１における基板を構成する材料は、限定されるものではない。例えば、適切な材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィン共重合体（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、及び／又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）が挙げられるが、これらに限定されない。 In the present embodiment, the material constituting the substrate in step S1 is not limited. For example, suitable materials include polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COP), colorless polyimide (CPI), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), and / or polyether sulfone (PES). However, it is not limited to these.

本実施の形態において、ステップＳ２は、従来のフレキソ印刷法によって触媒層を基板上に印刷することを含む。なお、本実施の形態において、触媒層の構成要素は限定されるものではなく、ステップＳ３において、化学めっきにより触媒層上に金属層をめっきすることが可能なものであればよい。例えば、触媒層は、触媒金属ワイヤ、金属粒子、金属イオン、及び／又は金属シートを含むが、これらに限定されない。触媒層は、アクリレート及び／又はエポキシ樹脂を含むが、これらに限定されない。 In the present embodiment, step S2 includes printing the catalyst layer on the substrate by a conventional flexographic printing method. In this embodiment, the components of the catalyst layer are not limited, and any metal layer may be used as long as it can be plated on the catalyst layer by chemical plating in step S3. For example, the catalyst layer includes, but is not limited to, catalyst metal wires, metal particles, metal ions, and / or metal sheets. The catalyst layer includes, but is not limited to, acrylates and / or epoxy resins.

本実施の形態において、ステップＳ３は、従来の化学めっきによって触媒層上に金属層をめっきするステップを含む。本実施の形態において、金属層が適切な導電性を有する場合には、金属層の構成要素は限定されない。例えば、金属層は、限定されるものではないが、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金及び／又は銀－鉛合金を含む。 In the present embodiment, step S3 includes a step of plating a metal layer on the catalyst layer by conventional chemical plating. In the present embodiment, the components of the metal layer are not limited as long as the metal layer has appropriate conductivity. For example, the metal layer includes, but is not limited to, copper, copper-nickel alloys, copper-lead alloys, silver, silver-nickel alloys and / or silver-lead alloys.

本実施の形態において、ステップＳ４は、従来のフレキソ印刷による金属層上への銀ナノワイヤ層の印刷を含む。本実施の形態において、銀ナノワイヤ層が適切な導電性を得ることを条件として、銀ナノワイヤ層の厚さは限定されない。例えば、銀ナノワイヤ層は、０．３μｍより厚い。 In this embodiment, step S4 includes printing a silver nanowire layer onto a metal layer by conventional flexographic printing. In the present embodiment, the thickness of the silver nanowire layer is not limited, provided that the silver nanowire layer obtains appropriate conductivity. For example, the silver nanowire layer is thicker than 0.3 μm.

本実施の形態において、ステップＳ２の触媒層は、グリッドパターンと、グリッドパターンに接続された導線パターンとを含み、ステップＳ３の金属層は、触媒層のグリッドパターンに対応する位置にある金属グリッドと、触媒層の導線パターンに対応する位置にある金属導電性ワイヤとを含み、一方、ステップＳ４の銀ナノワイヤ層は、金属グリッドに少なくとも部分的に重なっている。したがって、本実施の形態の積層構造体は、実施の形態２で説明した構造を有するため、タッチセンサに適用することができる。 In the present embodiment, the catalyst layer of step S2 includes a grid pattern and a conductor pattern connected to the grid pattern, and the metal layer of step S3 is a metal grid at a position corresponding to the grid pattern of the catalyst layer. The silver nanowire layer of step S4 is at least partially overlapped with the metal grid, including the metal conductive wire located at a position corresponding to the lead pattern of the catalyst layer. Therefore, since the laminated structure of the present embodiment has the structure described in the second embodiment, it can be applied to the touch sensor.

積層構造体の１つの実施の形態では、銀ナノワイヤ層と金属グリッドとの重なり部分の可視光（４００ｎｍ～７００ｎｍの波長を有する）に対する透過率（Ｔ％）は、９０％未満である。 In one embodiment of the laminated structure, the transmittance (T%) of the overlapping portion of the silver nanowire layer and the metal grid with respect to visible light (having a wavelength of 400 nm to 700 nm) is less than 90%.

図５は、本開示の例示的な実施の形態によるステップＳ２及びステップＳ４で使用するフレキソ印刷を示す概略図であるが、これに限定されるものではない。図５を参照して、フレキソ印刷とは、例えば、インクディスペンサ２を用いてアニロックスローラ３にインクを１滴ずつ塗布した後、ドクターブレード４を用いてアニロックスローラ３から残留インクを掻き取る方法である。その後、アニロックスローラ３上のインクを版胴５上のフレキソ板６に転写する。最後に、フレキソ板６上のインクを印刷物７に転写し、印刷物７に所望のパターンを印刷する。
実施の形態２ FIG. 5 is a schematic diagram showing flexographic printing used in steps S2 and S4 according to an exemplary embodiment of the present disclosure, but is not limited thereto. With reference to FIG. 5, flexographic printing is, for example, a method of applying ink drop by drop to anilox rollers 3 using an ink dispenser 2 and then scraping residual ink from the anilox rollers 3 using a doctor blade 4. be. Then, the ink on the Anilox roller 3 is transferred to the flexographic plate 6 on the plate cylinder 5. Finally, the ink on the flexographic plate 6 is transferred to the printed matter 7, and a desired pattern is printed on the printed matter 7.
Embodiment 2

図６及び図７は、本発明の実施の形態２に係る積層構造体の概略図である。図６及び図７に示すように、本実施の形態の積層構造体２０は、基板２１（図６には示されていない）；基板２１上に配置された、グリッドパターン２２１と、グリッドパターン２２１に接続された導線パターン２２２とを含む触媒層２２（図６には示されていない）；触媒層２２上に配置された、触媒層２２の対応するグリッドパターン２２１上に配置された金属グリッド２３１と、触媒層２２の対応する導線パターン２２２上に配置された金属導電性ワイヤ２３２とを含む金属層２３；及び、金属層２３上に配置された、少なくとも部分的に、金属グリッド２３１と重なっている銀ナノワイヤ層２４；を備えている。 6 and 7 are schematic views of the laminated structure according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 6 and 7, the laminated structure 20 of the present embodiment is a substrate 21 (not shown in FIG. 6); a grid pattern 221 and a grid pattern 221 arranged on the substrate 21. Catalyst layer 22 (not shown in FIG. 6) including a wire pattern 222 connected to; a metal grid 231 arranged on the corresponding grid pattern 221 of the catalyst layer 22 arranged on the catalyst layer 22. And the metal layer 23 including the metal conductive wire 232 disposed on the corresponding conductor pattern 222 of the catalyst layer 22; and at least partially overlapped with the metal grid 231 disposed on the metal layer 23. It comprises a silver nanowire layer 24;

本実施の形態の積層構造体２０は、金属導電性ワイヤ２３２が配置されるトレース領域ＴＡ；金属グリッド２３１内に画定されるが、銀ナノワイヤ層２４で覆われていない領域を含む第１の重ね合わせ領域２５；金属グリッド２３１内に画定され、銀ナノワイヤ層２４で覆われた不透明領域２７と、金属グリッド２３１の２つの対向するエッジに近接して配置され、銀ナノワイヤ層２４で覆われているが、金属グリッド２３１で覆われていない透明領域２８とを含む第２の重ね合わせ領域２６；金属グリッド２３１の一方のエッジに近接して配置され、銀ナノワイヤ層２４で覆われているが、金属グリッド２３１で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡ；を備える。 The laminated structure 20 of the present embodiment is defined in the trace region TA in which the metal conductive wire 232 is arranged; the metal grid 231 but is not covered with the silver nanowire layer 24. Alignment region 25; an opaque region 27 defined within the metal grid 231 and covered with a silver nanowire layer 24 and placed close to the two opposing edges of the metal grid 231 and covered with a silver nanowire layer 24. A second overlap region 26 that includes a transparent region 28 that is not covered by the metal grid 231; located close to one edge of the metal grid 231 and covered with a silver nanowire layer 24, but with metal. A visible region VA; including an region not covered by the grid 231;

本実施の形態の積層構造体２０における基板２１は、限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィン共重合体（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、及び／又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）を含む材料から作られる。 The substrate 21 in the laminated structure 20 of the present embodiment is not limited to, but is not limited to, polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COP), colorless polyimide (CPI), polyethylene naphthalate (PEN), and the like. Made from materials containing polycarbonate (PC) and / or polyether sulfone (PES).

本実施の形態において、触媒層２２が化学めっきによって金属層２３によってめっきされることが可能である限り、積層構造体２０における触媒層２２の構成要素は限定されない。例えば、触媒層２２は、触媒金属ワイヤ、金属粒子、金属イオン、及び／又は金属シートを含むが、これらに限定されない。触媒層２２は、アクリレート及び／又はエポキシ樹脂を含むが、これらに限定されない。 In the present embodiment, the components of the catalyst layer 22 in the laminated structure 20 are not limited as long as the catalyst layer 22 can be plated by the metal layer 23 by chemical plating. For example, the catalyst layer 22 includes, but is not limited to, catalyst metal wires, metal particles, metal ions, and / or metal sheets. The catalyst layer 22 includes, but is not limited to, an acrylate and / or an epoxy resin.

本実施の形態において、金属層２３が適切な導電性を有する限り、積層構造体２０における金属層２３の構成要素は限定されない。例えば、金属層２３は、限定されるものではないが、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金及び／又は銀－鉛合金を含む。 In the present embodiment, as long as the metal layer 23 has appropriate conductivity, the components of the metal layer 23 in the laminated structure 20 are not limited. For example, the metal layer 23 includes, but is not limited to, copper, copper-nickel alloys, copper-lead alloys, silver, silver-nickel alloys and / or silver-lead alloys.

本実施の形態において、銀ナノワイヤ層２４が適切な導電性を達成することを条件として、積層構造体２０における銀ナノワイヤ層２４の厚さは限定されない。例えば、銀ナノワイヤ層２４は、０．３μｍより厚い。 In the present embodiment, the thickness of the silver nanowire layer 24 in the laminated structure 20 is not limited, provided that the silver nanowire layer 24 achieves appropriate conductivity. For example, the silver nanowire layer 24 is thicker than 0.3 μm.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、銀ナノワイヤ層２４と金属グリッド２３１との重なり部分の可視光に対する透過率（Ｔ％）は９０％未満である。 In one embodiment of the laminated structure 20, the transmittance (T%) of the overlapping portion of the silver nanowire layer 24 and the metal grid 231 with respect to visible light is less than 90%.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、透明領域２８は、第２の重ね合わせ領域２６の割合が不透明領域２７よりも小さい。積層構造体２０の１つの実施の形態では、透明領域２８は、銀ナノワイヤ層２４と金属グリッド２３１との重複部分の５０％未満を占める。 In one embodiment of the laminated structure 20, the transparent region 28 has a smaller proportion of the second superposed region 26 than the opaque region 27. In one embodiment of the laminated structure 20, the transparent region 28 occupies less than 50% of the overlap between the silver nanowire layer 24 and the metal grid 231.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、第１の重ね合わせ領域２５と第２の重ね合わせ領域２６との合計幅は５００μｍ未満であり、第２の重ね合わせ領域２６（第１の重ね合わせ領域２５から可視領域ＶＡまでの計測）の幅に対する第１の重ね合わせ領域２５（トレース領域ＴＡから第２の重ね合わせ領域２６までの計測）の比率は０．１－１０の範囲にある。 In one embodiment of the laminated structure 20, the total width of the first overlap region 25 and the second overlap region 26 is less than 500 μm, and the second overlap region 26 (first overlap region 26). The ratio of the first superposition region 25 (measurement from the trace region TA to the second superposition region 26) to the width of the region 25 (measurement from the visible region VA) is in the range of 0.1-10.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、第１の重ね合わせ領域２５と第２の重ね合わせ領域２６の合計幅は０．５ｍｍ－１．０ｍｍの範囲にあり、第２の重ね合わせ領域２６の幅に対する第１の重ね合わせ領域２５の幅の比率は０．０５－２０の範囲にある。 In one embodiment of the laminated structure 20, the total width of the first overlap region 25 and the second overlap region 26 is in the range of 0.5 mm-1.0 mm, and the second overlap region 26. The ratio of the width of the first superposition region 25 to the width of is in the range of 0.05-20.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、第１の重ね合わせ領域２５と第２の重ね合わせ領域２６の合計幅は１．０ｍｍ－１．５ｍｍの範囲にあり、第２の重ね合わせ領域２６の幅に対する第１の重ね合わせ領域２５の幅の比率は０．０３－３０の範囲にある。 In one embodiment of the laminated structure 20, the total width of the first overlap region 25 and the second overlap region 26 is in the range of 1.0 mm-1.5 mm, and the second overlap region 26. The ratio of the width of the first superposition region 25 to the width of is in the range of 0.03-30.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、第１の重ね合わせ領域２５と第２の重ね合わせ領域２６の合計幅は１．５ｍｍ－２．５ｍｍの範囲にあり、第２の重ね合わせ領域２６の幅に対する第１の重ね合わせ領域２５の幅の比率は０．０２－５０の範囲にある。 In one embodiment of the laminated structure 20, the total width of the first overlap region 25 and the second overlap region 26 is in the range of 1.5 mm-2.5 mm, and the second overlap region 26. The ratio of the width of the first superposition region 25 to the width of is in the range of 0.02-50.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、第１の重ね合わせ領域２５において、金属グリッド２３１のピッチは、金属導電性ワイヤ２３２のピッチの０．１－１０倍である。 In one embodiment of the laminated structure 20, in the first overlay region 25, the pitch of the metal grid 231 is 0.1-10 times the pitch of the metal conductive wire 232.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、金属導電性ワイヤ２３２は、２０μｍのピッチ、１０μｍの線幅、及び１０μｍの線間隔を有し、第１の重ね合わせ領域２５における金属グリッド２３１のピッチは、２μｍ－２００μｍの範囲内にある。 In one embodiment of the laminated structure 20, the metal conductive wire 232 has a pitch of 20 μm, a line width of 10 μm, and a line spacing of 10 μm, and the pitch of the metal grid 231 in the first overlap region 25. Is in the range of 2 μm-200 μm.

１つの実施の形態によると、第１の重ね合わせ領域２５において、金属グリッド２３１は、２μｍ－５０μｍの範囲の線幅、２μｍ－１０μｍの範囲の線間隔を有する。 According to one embodiment, in the first superposition region 25, the metal grid 231 has a line width in the range of 2 μm-50 μm and a line spacing in the range of 2 μm-10 μm.

１つの実施の形態によると、第１の重ね合わせ領域２５内の金属グリッド２３１は、４０μｍ／１０μｍ、３０μｍ／１０μｍ、２０μｍ／１０μｍ又は１０μｍ／１０μｍの線幅／線間隔を有する。 According to one embodiment, the metal grid 231 within the first superposition region 25 has a line width / line spacing of 40 μm / 10 μm, 30 μm / 10 μm, 20 μm / 10 μm or 10 μm / 10 μm.

積層構造体２０の１つの実施の形態では、金属導電性ワイヤ２３２は、３μｍ－３０μｍの線幅及び３μｍ－３０μｍの線間隔を有する。 In one embodiment of the laminated structure 20, the metal conductive wire 232 has a line width of 3 μm-30 μm and a line spacing of 3 μm-30 μm.

例えば、本実施の形態の積層構造体２０は、実施の形態１の方法により作製されたものであるが、これに限定されるものではない。
実施の形態３ For example, the laminated structure 20 of the present embodiment is manufactured by the method of the first embodiment, but is not limited thereto.
Embodiment 3

図８、図９、図１０、図１１及び図１２は、本開示の実施の形態３による積層構造体３０の概略図である。図８、図９、図１０、図１１及び図１２を参照すると、本実施の形態の積層構造体３０は、基板３１（図８には示されていない）；基板３１上に配置された、グリッドパターン３２１と、グリッドパターン３２１に接続された導線パターン３２２とを含む触媒層３２（図８には示されていない）；触媒層３２上に配置された、触媒層３２の対応するグリッドパターン３２１上に配置された金属グリッド３３１と、触媒層３２の対応する導線パターン３２２上に配置された金属導電性ワイヤ３３２とを含む金属層３３；及び、金属層３３上に配置された銀ナノワイヤ層３４であって、少なくとも部分的に、金属グリッド３３１と重なっている銀ナノワイヤ層３４；を備える。 8, FIG. 9, FIG. 10, FIG. 11 and FIG. 12 are schematic views of the laminated structure 30 according to the third embodiment of the present disclosure. With reference to FIGS. 8, 9, 10, 11 and 12, the laminated structure 30 of this embodiment is arranged on a substrate 31 (not shown in FIG. 8); Catalyst layer 32 (not shown in FIG. 8) comprising a grid pattern 321 and a wire pattern 322 connected to the grid pattern 321; a corresponding grid pattern 321 of the catalyst layer 32 disposed on the catalyst layer 32. A metal layer 33 including a metal grid 331 arranged above and a metal conductive wire 332 arranged on the corresponding conductor pattern 322 of the catalyst layer 32; and a silver nanowire layer 34 arranged on the metal layer 33. It comprises a silver nanowire layer 34; which at least partially overlaps the metal grid 331.

本実施の形態の積層構造体３０は、金属導電性ワイヤ３３２が配置されるトレース領域ＴＡ；金属グリッド３３１内に画定されるが、銀ナノワイヤ層３４で覆われていない領域を含む第１の重ね合わせ領域３５；金属グリッド３３１内に画定され、銀ナノワイヤ層３４で覆われた不透明領域３７と、金属グリッド３３１の対向する２つのエッジに近接して配置され、銀ナノワイヤ層３４で覆われているが、金属グリッド３３１で覆われていない透明領域３８とを含む第２の重ね合わせ領域３６；金属グリッド３３１の一方のエッジに近接して配置され、銀ナノワイヤ層３４で覆われているが、金属グリッド３３１で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡ；を備える。 The laminated structure 30 of the present embodiment is defined in the trace region TA in which the metal conductive wire 332 is arranged; the metal grid 331, but includes the region not covered by the silver nanowire layer 34. Alignment region 35; an opaque region 37 defined within the metal grid 331 and covered with a silver nanowire layer 34 and placed close to the two opposing edges of the metal grid 331 and covered with a silver nanowire layer 34. A second overlap region 36 that includes a transparent region 38 that is not covered by the metal grid 331; located close to one edge of the metal grid 331 and covered with a silver nanowire layer 34, but metal. It comprises a visible region VA; including an region not covered by the grid 331.

実施の形態２と比較して、本実施の形態は、積層構造体３０が、基板３１上に配置されたボンディングパッド３９をさらに含む点で異なる。ボンディングパッド３９は、基板３１上に配置された、ボンディンググリッドパターン３２１’を含むボンディング触媒層３２’；ボンディング触媒層３２’上に配置された、ボンディング触媒層３２’の対応するボンディンググリッドパターン３２１’上に配置されたボンディング金属グリッド３３１’を含むボンディング金属層３３’；を備える。 The present embodiment is different from the second embodiment in that the laminated structure 30 further includes a bonding pad 39 arranged on the substrate 31. The bonding pad 39 is a bonding catalyst layer 32'including a bonding grid pattern 321'arranged on the substrate 31; a corresponding bonding grid pattern 321'of the bonding catalyst layer 32'arposed on the bonding catalyst layer 32'. It comprises a bonding metal layer 33'; including a bonding metal grid 331' disposed above.

本実施の形態では、ボンディングパッド３９は、外部回路と接続するためのコンタクトとして機能する。 In this embodiment, the bonding pad 39 functions as a contact for connecting to an external circuit.

例えば、本実施の形態の積層構造体３０は、実施の形態１の方法により作製されたものであるが、これに限定されるものではない。本実施の形態では、積層構造体３０の触媒層３２とボンディング触媒層３２’との双方を単一のフレキソ印刷工程で印刷した後、積層構造体３０の金属層３３とボンディング金属層３３’との双方を単一の化学めっき工程でめっきする。
実施の形態４ For example, the laminated structure 30 of the present embodiment is manufactured by the method of the first embodiment, but is not limited thereto. In the present embodiment, both the catalyst layer 32 and the bonding catalyst layer 32'of the laminated structure 30 are printed by a single flexographic printing step, and then the metal layer 33 and the bonding metal layer 33'of the laminated structure 30 are formed. Both are plated in a single chemical plating process.
Embodiment 4

図１３は、本開示の実施の形態４に係る方法のタッチセンサ４０’及び方法の処理フローの概略図である。図１３を参照すると、本実施の形態のタッチセンサ４０’は、実施の形態２の積層構造体４０を有する。 FIG. 13 is a schematic diagram of the touch sensor 40'of the method according to the fourth embodiment of the present disclosure and the processing flow of the method. Referring to FIG. 13, the touch sensor 40'of the present embodiment has the laminated structure 40 of the second embodiment.

本実施の形態のタッチセンサ４０’における積層構造体４０は、基板４１；基板４１上に配置された、グリッドパターン４２１と、グリッドパターン４２１に接続された導線パターン４２２とを含む触媒層４２；触媒層４２上に配置された、触媒層４２の対応するグリッドパターン４２１上に配置された金属グリッド４３１と、触媒層４２の対応する導線パターン４２２上に配置された金属導電性ワイヤ４３２とを含む金属層４３；及び、金属層４３上に配置された、少なくとも部分的に、金属グリッド４３１と重なっている銀ナノワイヤ層４４；を備える。 The laminated structure 40 in the touch sensor 40'of the present embodiment is a substrate 41; a catalyst layer 42 including a grid pattern 421 arranged on the substrate 41 and a conductor pattern 422 connected to the grid pattern 421; a catalyst. A metal comprising a metal grid 431 arranged on the corresponding grid pattern 421 of the catalyst layer 42 arranged on the layer 42 and a metal conductive wire 432 arranged on the corresponding conductor pattern 422 of the catalyst layer 42. It comprises a layer 43; and a silver nanowire layer 44; which is disposed on the metal layer 43 and at least partially overlaps the metal grid 431.

本実施の形態のタッチセンサ４０’における積層構造体４０は、金属導電性ワイヤ４３２が配置されたトレース領域ＴＡ；金属グリッド４３１内に画定されるが、銀ナノワイヤ層４４で覆われていない領域を含む第１の重ね合わせ領域４５；金属グリッド４３１内に画定され、銀ナノワイヤ層４４で覆われた不透明領域と、金属グリッド４３１の対向する２つのエッジに近接して配置され、銀ナノワイヤ層４４で覆われているが、金属グリッド４３１で覆われていない透明領域とを含む第２の重ね合わせ領域４６；金属グリッド４３１の一方のエッジに近接して配置され、銀ナノワイヤ層４４で覆われているが、金属グリッド４３１で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡ；を備える。 The laminated structure 40 in the touch sensor 40'of the present embodiment is defined in the trace region TA in which the metal conductive wire 432 is arranged; the metal grid 431, but is not covered with the silver nanowire layer 44. First overlay region 45 including; an opaque region defined within the metal grid 431 and covered with the silver nanowire layer 44 and placed close to the two opposing edges of the metal grid 431 at the silver nanowire layer 44. A second overlay region 46 that includes a transparent region that is covered but not covered by the metal grid 431; placed close to one edge of the metal grid 431 and covered with a silver nanowire layer 44. However, it comprises a visible region VA; including a region not covered by the metal grid 431.

実施の形態２と比較して、本実施の形態は、タッチセンサ４０’が、銀ナノワイヤ層４４上に配置された被覆層４７をさらに含む点で異なる。 The present embodiment is different from the second embodiment in that the touch sensor 40' further includes a covering layer 47 arranged on the silver nanowire layer 44.

図１３を参照すると、本実施の形態において、タッチセンサ４０’を製造するプロセスフローは、基板４１を提供するステップ；フレキソ印刷によって、グリッドパターン４２１と、グリッドパターン４２１に接続された導線パターン４２２とを含む触媒層４２を基板４１上に印刷するステップ；触媒層４２のグリッドパターン４２１に対応する位置に金属グリッド４３１を含み、かつ、触媒層４２の導線パターン４２２に対応する位置に金属導電性ワイヤ４３２を含む金属層４３を化学めっきによって触媒層４２上にめっきするステップ；フレキソ印刷によって、少なくとも部分的に、金属グリッド４３１と重なっている銀ナノワイヤ層４４を金属層４３上に印刷するステップ；被覆層４７を銀ナノワイヤ層４４上に設けるステップ；を備える。
実施の形態５ Referring to FIG. 13, in the present embodiment, the process flow for manufacturing the touch sensor 40'is a step of providing a substrate 41; a grid pattern 421 and a wire pattern 422 connected to the grid pattern 421 by flexo printing. The step of printing the catalyst layer 42 on the substrate 41; the metal grid 431 is included in the position corresponding to the grid pattern 421 of the catalyst layer 42, and the metal conductive wire is included in the position corresponding to the lead wire pattern 422 of the catalyst layer 42. The step of plating the metal layer 43 containing the 432 on the catalyst layer 42 by chemical plating; the step of printing the silver nanowire layer 44, which at least partially overlaps the metal grid 431, on the metal layer 43 by flexo printing; coating. A step of providing the layer 47 on the silver nanowire layer 44;
Embodiment 5

図１４は、本開示の実施の形態５に係るタッチセンサ５０’及び方法の処理フローの概略図である。図１４を参照すると、本実施の形態のタッチセンサ５０’は、実施の形態２の積層構造体５０を有する。 FIG. 14 is a schematic diagram of the processing flow of the touch sensor 50'and the method according to the fifth embodiment of the present disclosure. Referring to FIG. 14, the touch sensor 50'of the present embodiment has the laminated structure 50 of the second embodiment.

本実施の形態のタッチセンサ５０’における積層構造体５０は、基板５１；基板５１上に配置された、グリッドパターン５２１と、グリッドパターン５２１に接続された導線パターン５２２とを含む触媒層５２；触媒層５２上に配置された、触媒層５２の対応するグリッドパターン５２１上に配置された金属グリッド５３１と、触媒層５２の対応する導線パターン５２２上に配置された金属導電性ワイヤ５３２とを含む金属層５３；及び、金属層５３上に配置された、少なくとも部分的に、金属グリッド５３１と重なっている銀ナノワイヤ層５４；を備える。 The laminated structure 50 in the touch sensor 50'of the present embodiment is a substrate 51; a catalyst layer 52 including a grid pattern 521 arranged on the substrate 51 and a conductor pattern 522 connected to the grid pattern 521; a catalyst. A metal comprising a metal grid 531 arranged on the corresponding grid pattern 521 of the catalyst layer 52 arranged on the layer 52 and a metal conductive wire 532 arranged on the corresponding conductor pattern 522 of the catalyst layer 52. The layer 53; and the silver nanowire layer 54; which is arranged on the metal layer 53 and at least partially overlaps with the metal grid 531.

本実施の形態のタッチセンサ５０’における積層構造体５０は、金属導電性ワイヤ５３２が配置されたトレース領域ＴＡ；金属グリッド５３１内に画定されるが、銀ナノワイヤ層５４で覆われていない領域を含む第１の重ね合わせ領域５５；金属グリッド５３１内に画定され、銀ナノワイヤ層５４で覆われた不透明領域と、金属グリッド５３１の対向する２つのエッジに近接して配置され、銀ナノワイヤ層５４で覆われているが、金属グリッド５３１で覆われていない透明領域とを含む第２の重ね合わせ領域５６；金属グリッド５３１の一方のエッジに近接して配置され、銀ナノワイヤ層５４で覆われているが、金属グリッド５３１で覆われていない領域を含む可視領域ＶＡ；を備える。 The laminated structure 50 in the touch sensor 50'of the present embodiment is defined in the trace region TA in which the metal conductive wire 532 is arranged; the metal grid 531; the region not covered by the silver nanowire layer 54. First overlay region 55 including; an opaque region defined within the metal grid 531 and covered with the silver nanowire layer 54 and placed close to the two opposing edges of the metal grid 531 at the silver nanowire layer 54. A second overlay region 56 that includes a transparent region that is covered but not covered by the metal grid 531; placed close to one edge of the metal grid 531 and covered with a silver nanowire layer 54. However, it comprises a visible region VA; including a region not covered by the metal grid 531.

実施の形態２とは異なり、本実施の形態は、タッチセンサ５０’が、銀ナノワイヤ層５４上に配置された被覆層５７をさらに含む点で異なる。 Unlike the second embodiment, the present embodiment is different in that the touch sensor 50' further includes a coating layer 57 disposed on the silver nanowire layer 54.

実施の形態４とは異なり、本実施の形態は、タッチセンサ５０’が、基板５１の下方に配置された、第２のグリッドパターン５２１’と、第２のグリッドパターン５２１’に接続された第２の導線パターン５２２’とを含む第２の触媒層５２’；第２の触媒層５２’の下に配置され、第２の触媒層５２’の対応する第２のグリッドパターン５２１’の下に配置された第２の金属グリッド５３１’と、第２の触媒層５２’の対応する第２の導線パターン５２２’の下に配置された第２の金属導電性ワイヤ５３２’とを含む第２の金属層５３’；第２の金属層５３’の下に配置された、少なくとも部分的に第２の金属グリッド５３１’と重なっている第２の銀ナノワイヤ層５４’；第２の銀ナノワイヤ層５４’の下に配置された第２の被覆層５７’；をさらに備える点で異なる。 Unlike the fourth embodiment, in the present embodiment, the touch sensor 50'is connected to the second grid pattern 521'arranged below the substrate 51 and the second grid pattern 521'. Second catalyst layer 52'including the second conductor pattern 522'; placed under the second catalyst layer 52'and under the corresponding second grid pattern 521' of the second catalyst layer 52'. A second including a second metal grid 531'arranged and a second metal conductive wire 532' arranged beneath the corresponding second conductor pattern 522'of the second catalyst layer 52'. Metal layer 53'; second silver nanowire layer 54'located beneath the second metal layer 53'; at least partially overlapping the second metal grid 531'; second silver nanowire layer 54 It differs in that it further comprises a second covering layer 57'; placed under the'.

図１４に示されるように、本実施の形態のタッチセンサ５０’を製造する例示的なプロセスフローは、基板５１を提供するステップ；フレキソ印刷によって、グリッドパターン５２１及びグリッドパターン５２１に接続された導線パターン５２２を含む触媒層５２と、第２のグリッドパターン５２１’及び第２のグリッドパターン５２１’に接続された第２の導線パターン５２２’を含む第２の触媒層５２’とを基板５１の両面に同時に印刷するステップ；上側から、触媒層５２のグリッドパターン５２１に対応する位置にある金属グリッド５３１、及び触媒層５２の導線パターン５２２に対応する位置にある金属導電性ワイヤ５３２を含む金属層５３を触媒層５２上に化学めっきするとともに、下側から、第２の触媒層５２’の第２のグリッドパターン５２１’に対応する位置にある第２の金属グリッド５３１’、及び第２の触媒層５２’の第２の導線パターン５２２’に対応する位置にある第２の金属導電性ワイヤ５３２’を含む第２の金属層５３’を第２の触媒層５２’上に化学めっきするステップ；フレキソ印刷によって、上側から、少なくとも部分的に金属グリッド５３１と重なっている銀ナノワイヤ層５４を金属層５３上に印刷するとともに、下側から、少なくとも部分的に第２の金属グリッド５３１’と重なっている第２の銀ナノワイヤ層５４’を第２の金属層５３’上に印刷するステップ；被覆層５７を銀ナノワイヤ層５４上に設けるとともに、第２の被覆層５７’を第２の銀ナノワイヤ層５４’の下に設けるステップ；を備える。 As shown in FIG. 14, an exemplary process flow for manufacturing the touch sensor 50'of this embodiment is a step of providing a substrate 51; leads connected to the grid pattern 521 and the grid pattern 521 by flexo printing. The catalyst layer 52 including the pattern 522 and the second catalyst layer 52'including the second lead wire pattern 522'connected to the second grid pattern 521'and the second grid pattern 521' are formed on both sides of the substrate 51. Simultaneously printing on the metal grid 531 at the position corresponding to the grid pattern 521 of the catalyst layer 52 and the metal layer 53 including the metal conductive wire 532 at the position corresponding to the lead wire pattern 522 of the catalyst layer 52 from the upper side. Is chemically plated on the catalyst layer 52, and from the lower side, a second metal grid 531'and a second catalyst layer at positions corresponding to the second grid pattern 521'of the second catalyst layer 52'. A step of chemically plating a second metal layer 53'containing a second metal conductive wire 532' at a position corresponding to a second lead pattern 522'of 52'on a second catalyst layer 52'; flexo. By printing, the silver nanowire layer 54 that at least partially overlaps the metal grid 531 is printed on the metal layer 53 from the upper side, and at least partially overlaps the second metal grid 531'from the lower side. The step of printing the second silver nanowire layer 54'on the second metal layer 53'; the coating layer 57 is provided on the silver nanowire layer 54 and the second coating layer 57'is on the second silver nanowire layer 54. Provide a step provided under the'.

結論として、本開示によれば、積層構造体、積層構造体、及びタッチセンサを製造する方法は、少なくとも以下の利点を有する。 In conclusion, according to the present disclosure, the method of manufacturing a laminated structure, a laminated structure, and a touch sensor has at least the following advantages.

本開示によれば、積層構造体の製造方法は、フレキソ印刷による触媒層の印刷、化学めっきによる金属層のめっき、及びフレキソ印刷による銀ナノワイヤ層の印刷を含み、それによって、複雑で高価な従来のリソグラフィ及びエッチングプロセスを必要としない。従って、積層構造体の製造方法は簡便であり、積層構造体の製造コストの低減に寄与する。本発明の積層構造体の製造方法は、タッチセンサプロセスに適用可能であり、積層構造体を含むタッチセンサの製造コストの低減に寄与する。 According to the present disclosure, methods of manufacturing a laminated structure include printing a catalyst layer by flexographic printing, plating a metal layer by chemical plating, and printing a silver nanowire layer by flexographic printing, thereby complicating and expensive conventional methods. Does not require a lithography and etching process. Therefore, the method for manufacturing the laminated structure is simple and contributes to the reduction of the manufacturing cost of the laminated structure. The method for manufacturing a laminated structure of the present invention is applicable to the touch sensor process and contributes to the reduction of the manufacturing cost of the touch sensor including the laminated structure.

本開示によれば、積層構造体の金属層は、金属グリッドを含み、その結果、積層構造体及びその積層構造体を含むタッチセンサは、第１の重ね合わせ領域及び第２の重ね合わせ領域において個別な積層設計を有する。本発明の金属グリッドは、従来の金属板に比べて金属原料が少なくて済むため、積層構造体の製造コストを低減することができ、積層構造体を含むタッチセンサの製造コストを低減することができる。 According to the present disclosure, the metal layer of the laminated structure includes a metal grid, and as a result, the laminated structure and the touch sensor including the laminated structure are in the first overlapping region and the second overlapping region. Has a separate laminated design. Since the metal grid of the present invention requires less metal raw material than the conventional metal plate, the manufacturing cost of the laminated structure can be reduced, and the manufacturing cost of the touch sensor including the laminated structure can be reduced. can.

本開示は、特定の実施の形態によって説明されてきたが、当業者は、特許請求の範囲に記載された本開示の範囲及び精神から逸脱することなく、多くの修正及び変形を行うことができる。 Although this disclosure has been described by a particular embodiment, one of ordinary skill in the art can make many modifications and variations without departing from the scope and spirit of the disclosure described in the claims. ..

Claims (21)

基板の提供；
フレキソ印刷による、グリッドパターン及び前記グリッドパターンに接続された導線パターンを含む触媒層の基板上への印刷；
化学めっきによる、前記触媒層の前記グリッドパターンに対応する位置にある金属グリッド及び前記触媒層の前記導線パターンに対応する位置にある金属導電性ワイヤを含む金属層の前記触媒層上へのめっき；及び
フレキソ印刷による、前記金属グリッドと少なくとも部分的に重なる銀ナノワイヤ層の前記金属層上への印刷；
を備える、積層構造体の製造方法。 Substrate provision;
Printing of a catalyst layer containing a grid pattern and a lead pattern connected to the grid pattern on a substrate by flexographic printing;
Plating on the catalyst layer by chemical plating of a metal grid at a position corresponding to the grid pattern of the catalyst layer and a metal layer containing a metal conductive wire at a position corresponding to the conductor pattern of the catalyst layer; And printing on the metal layer of a silver nanowire layer that at least partially overlaps the metal grid by flexo printing;
A method for manufacturing a laminated structure. 前記触媒層が、触媒金属ワイヤ、金属粒子、金属イオン、又は金属シートのうちの少なくとも１つを含む、若しくは、前記触媒層が、アクリレート又はエポキシ樹脂のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。 1. The catalyst layer comprises at least one of a catalyst metal wire, metal particles, metal ions, or a metal sheet, or the catalyst layer comprises at least one of an acrylate or epoxy resin. The method described in. 前記金属層が、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金、又は銀－鉛合金のうちの少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の方法。 The method according to claim 1 or 2, wherein the metal layer comprises at least one of copper, a copper-nickel alloy, a copper-lead alloy, silver, a silver-nickel alloy, or a silver-lead alloy. 基板が、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィン共重合体（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）の少なくとも１つを含む、請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法。 The substrate comprises at least one of polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COP), colorless polyimide (CPI), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), or polyether sulfone (PES). The method according to any one of claims 1 to 3. 前記銀ナノワイヤ層は、０．３μｍより厚い、請求項１乃至４の何れか一項に記載の方法。 The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the silver nanowire layer is thicker than 0.3 μm. 基板；
基板上に配置された、グリッドパターンと、前記グリッドパターンに接続された導線パターンとを含む触媒層；
前記触媒層上に配置された、前記触媒層の前記グリッドパターン上に対応して配置された金属グリッドと、前記触媒層の前記導線パターン上に対応して配置された金属導電性ワイヤとを含む金属層；及び
前記金属層上に配置された、前記金属グリッドに少なくとも部分的に重なっている銀ナノワイヤ層；
を備える積層構造体。 substrate;
A catalyst layer including a grid pattern arranged on a substrate and a lead wire pattern connected to the grid pattern;
A metal grid arranged on the catalyst layer corresponding to the grid pattern of the catalyst layer and a metal conductive wire arranged corresponding to the conductor pattern of the catalyst layer are included. Metal layer; and a silver nanowire layer placed on the metal layer and at least partially overlapping the metal grid;
A laminated structure comprising. 前記触媒層が、触媒金属ワイヤ、金属粒子、金属イオン、又は金属シートのうちの少なくとも１つを含む、若しくは、前記触媒層が、アクリレート又はエポキシ樹脂のうちの少なくとも１つを含む、請求項６に記載の積層構造体。 6. The catalyst layer comprises at least one of a catalyst metal wire, metal particles, metal ions, or a metal sheet, or the catalyst layer comprises at least one of an acrylate or epoxy resin. The laminated structure described in. 前記金属層は、銅、銅－ニッケル合金、銅－鉛合金、銀、銀－ニッケル合金、又は銀－鉛合金のうちの少なくとも１つを含む、請求項６又は７に記載の積層構造体。 The laminated structure according to claim 6 or 7, wherein the metal layer contains at least one of copper, a copper-nickel alloy, a copper-lead alloy, silver, a silver-nickel alloy, or a silver-lead alloy. 前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、環状オレフィン共重合体（ＣＯＰ）、無色ポリイミド（ＣＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）の少なくとも１つを含む、請求項６乃至８の何れか一項に記載の積層構造体。 The substrate comprises at least one of polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COP), colorless polyimide (CPI), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), or polyether sulfone (PES). , The laminated structure according to any one of claims 6 to 8. 前記銀ナノワイヤ層は、０．３μｍより厚い、請求項６乃至９の何れか一項に記載の積層構造体。 The laminated structure according to any one of claims 6 to 9, wherein the silver nanowire layer is thicker than 0.3 μm. 前記積層構造体は、
前記金属導電性ワイヤが配置されているトレース領域；
前記金属グリッド内に画定され、前記銀ナノワイヤ層で覆われていない領域を含む第１の重ね合わせ領域；
前記金属グリッド内に画定され、前記銀ナノワイヤ層で覆われている不透明領域と、前記金属グリッドの２つの対向するエッジに近接して配置され、前記銀ナノワイヤ層で覆われているが、前記金属グリッドで覆われていない透明領域とを含む第２の重ね合わせ領域；及び
前記金属グリッドのエッジに近接して配置され、前記銀ナノワイヤ層で覆われているが、前記金属グリッドで覆われていない領域を含む可視領域；
を備える、請求項６乃至１０の何れか一項に記載の積層構造体。 The laminated structure is
Trace area where the metal conductive wire is arranged;
A first superposition region that includes a region defined within the metal grid and not covered by the silver nanowire layer;
An opaque region defined within the metal grid and covered with the silver nanowire layer and an opaque region located close to the two opposing edges of the metal grid and covered with the silver nanowire layer, the metal. A second overlay region that includes a transparent area that is not covered by the grid; and is located close to the edge of the metal grid and is covered by the silver nanowire layer but not by the metal grid. Visible area including area;
The laminated structure according to any one of claims 6 to 10. 前記透明領域は、前記不透明領域よりも前記第２の重ね合わせ領域のより小さい割合を占め、前記透明領域は、前記銀ナノワイヤ層と前記金属グリッドとの重なり部分の５０％未満を占める、請求項１１に記載の積層構造体。 Claim that the transparent region occupies a smaller proportion of the second superposed region than the opaque region, and the transparent region occupies less than 50% of the overlap of the silver nanowire layer and the metal grid. 11. The laminated structure according to 11. 前記第１の重ね合わせ領域と前記第２の重ね合わせ領域との合計幅が５００μｍ未満であり、前記第２の重ね合わせ領域の幅に対する前記第１の重ね合わせ領域の幅の比率が０．１－１０の範囲内にある、又は、前記第１の重ね合わせ領域と前記第２の重ね合わせ領域との合計幅が０．５ｍｍ－１．０ｍｍの範囲にあり、前記第２の重ね合わせ領域の幅に対する前記第１の重ね合わせ領域の幅の比率が０．０５－２０の範囲にある、又は、前記第１の重ね合わせ領域と前記第２の重ね合わせ領域との合計幅が１．０ｍｍ－１．５ｍｍの範囲にあり、前記第２の重ね合わせ領域の幅に対する前記第１の重ね合わせ領域の幅の比率が０．０３－３０の範囲にある、又は、前記第１の重ね合わせ領域と前記第２の重ね合わせ領域との合計幅が１．５ｍｍ－２．５ｍｍの範囲にあり、前記第２の重ね合わせ領域の幅に対する前記第１の重ね合わせ領域の幅の比率が０．０２－５０の範囲にある、請求項１１又は１２に記載の積層構造体。 The total width of the first superposition region and the second superposition region is less than 500 μm, and the ratio of the width of the first superposition region to the width of the second superposition region is 0.1. Within the range of -10, or the total width of the first superposition region and the second superposition region is in the range of 0.5 mm-1.0 mm, and the second superposition region. The ratio of the width of the first overlap region to the width is in the range of 0.05-20, or the total width of the first overlap region and the second overlap region is 1.0 mm-. It is in the range of 1.5 mm, and the ratio of the width of the first superposition area to the width of the second superposition area is in the range of 0.03-30, or with the first superposition area. The total width with the second overlap region is in the range of 1.5 mm-2.5 mm, and the ratio of the width of the first overlap region to the width of the second overlap region is 0.02-. The laminated structure according to claim 11 or 12, which is in the range of 50. 前記第１の重ね合わせ領域において、前記金属グリッドのピッチが、前記金属導電性ワイヤのピッチの０．１－１０倍である、請求項１１乃至１３の何れか一項に記載の積層構造体。 The laminated structure according to any one of claims 11 to 13, wherein in the first overlapping region, the pitch of the metal grid is 0.1-10 times the pitch of the metal conductive wire. 前記金属導電性ワイヤは、２０μｍのピッチ、１０μｍの線幅、及び１０μｍの線間隔を有し、前記第１の重ね合わせ領域内の前記金属グリッドは、２μｍ－２００μｍのピッチを有する、請求項１１乃至１３の何れか一項に記載の積層構造体。 11. The metal conductive wire has a pitch of 20 μm, a line width of 10 μm, and a line spacing of 10 μm, and the metal grid in the first superposition region has a pitch of 2 μm to 200 μm. The laminated structure according to any one of 13 to 13. 前記第１の重ね合わせ領域内の前記金属グリッドは、２μｍ－５０μｍの線幅及び２μｍ－１０μｍの線間隔を有する、請求項１５に記載の積層構造体。 The laminated structure according to claim 15, wherein the metal grid in the first overlapping region has a line width of 2 μm-50 μm and a line spacing of 2 μm-10 μm. 前記第１の重ね合わせ領域内の前記金属グリッドは、４０μｍ／１０μｍ、３０μｍ／１０μｍ、２０μｍ／１０μｍ又は１０μｍ／１０μｍの線幅／線間隔を有する、請求項１６に記載の積層構造体。 The laminated structure according to claim 16, wherein the metal grid in the first overlapping region has a line width / line spacing of 40 μm / 10 μm, 30 μm / 10 μm, 20 μm / 10 μm, or 10 μm / 10 μm. 前記金属導電性ワイヤは、３μｍ－３０μｍの線幅及び３μｍ－３０μｍの線間隔を有する、請求項１１乃至１３の何れか一項に記載の積層構造体。 The laminated structure according to any one of claims 11 to 13, wherein the metal conductive wire has a line width of 3 μm to 30 μm and a line spacing of 3 μm to 30 μm. 基板上に配置されたボンディングパッドをさらに備え、
前記ボンディングパッドは、
前記基板上に配置された、ボンディンググリッドパターンを含むボンディング触媒層；及び
前記ボンディング触媒層上に配置された、前記ボンディング触媒層の前記ボンディンググリッドパターン上に対応して配置されたボンディング金属グリッドを含むボンディング金属層；
を備える、
請求項１１乃至１８の何れか一項に記載の積層構造体。 Further equipped with a bonding pad placed on the board,
The bonding pad is
A bonding catalyst layer including a bonding grid pattern arranged on the substrate; and a bonding metal grid arranged on the bonding catalyst layer corresponding to the bonding grid pattern of the bonding catalyst layer are included. Bonding metal layer;
To prepare
The laminated structure according to any one of claims 11 to 18. 請求項６乃至１９の何れか一項に記載の前記積層構造体；及び
前記積層構造体の前記銀ナノワイヤ層上に配置された被覆層；
を備えるタッチセンサ。 The laminated structure according to any one of claims 6 to 19; and a coating layer arranged on the silver nanowire layer of the laminated structure;
A touch sensor equipped with. 前記積層構造体において前記基板の下に配置された、第２のグリッドパターン及び前記第２のグリッドパターンに接続された第２の導線パターンを含む第２の触媒層；
前記第２の触媒層の下に配置された、前記第２の触媒層の前記第２のグリッドパターンの下に対応して配置された第２の金属グリッド及び前記第２の触媒層の前記第２の導線パターンの下に対応して配置された第２の金属導電性ワイヤを含む第２の金属層；
前記第２の金属層の下に配置された、前記第２の金属グリッドに少なくとも部分的に重なっている第２の銀ナノワイヤ層；及び
前記第２の銀ナノワイヤ層の下に配置された第２の被覆層；
をさらに備える、請求項２０に記載のタッチセンサ。 A second catalyst layer, which is arranged under the substrate in the laminated structure and includes a second grid pattern and a second conductor pattern connected to the second grid pattern;
The second metal grid and the second catalyst layer of the second catalyst layer arranged below the second catalyst layer and correspondingly arranged under the second grid pattern of the second catalyst layer. A second metal layer containing a second metal conductive wire placed correspondingly under the second conductor pattern;
A second silver nanowire layer placed under the second metal layer that at least partially overlaps the second metal grid; and a second placed under the second silver nanowire layer. Coating layer;
The touch sensor according to claim 20, further comprising.
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