JP2022031236A - 磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法 - Google Patents
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Abstract
Description
実施形態は、磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法に関する。
磁気ディスク装置において、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置決め精度を向上させるために、サーバラックのファンによる振動等(外乱)を抑圧する必要がある。
ところで、外乱を抑圧する技術の一つとして、通常のフィードバック系にNRRO外乱(回転非同期外乱)フィルタを付加するものが知られている。ここで、複数の振動周波数数のNRRO外乱に対応させるために複数のNRRO外乱フィルタを付加しても、NRROフィルタが相互に干渉し、磁気ヘッドの位置決め精度が向上しない。
実施形態は、複数の振動数の外乱を抑圧し、磁気ヘッドの位置決め精度を向上させることができる磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法を提供することを目的とする。
一実施形態に係る、磁気ディスク装置は、制御対象と、前記制御対象の動作を制御する制御器と、前記制御器とそれぞれ並列に接続される複数のループ整形フィルタと、を備える。さらに、前記複数のループ整形フィルタの出力から前記制御対象に作用する外乱の入力手前までの伝達関数を用いて前記ループ整形フィルタの第1の係数を決定する際、他の前記ループ整形フィルタの周波数特性を反映させて各前記ループ整形フィルタの第1の係数が決定され、決定された各前記ループ整形フィルタの第1の係数がそれぞれ各前記ループ整形フィルタに対して設定される。
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。
(第1実施形態)
図1は、磁気ディスク装置1の構成の一例を示すブロック図である。
磁気ディスク装置1は、ヘッド・ディスクアセンブリ(head-disk assembly:HDA)
10、ヘッドアンプ集積回路(以下、ヘッドアンプIC)16と、システム・オン・チップ(SOC)20とから構成されている。
図1は、磁気ディスク装置1の構成の一例を示すブロック図である。
磁気ディスク装置1は、ヘッド・ディスクアセンブリ(head-disk assembly:HDA)
10、ヘッドアンプ集積回路(以下、ヘッドアンプIC)16と、システム・オン・チップ(SOC)20とから構成されている。
HDA10は、磁気ディスク11と、スピンドルモータ(SPM)12と、アーム13と、ボイスコイルモータ(VCM)16とを有する。磁気ディスク11は、SPM12により回転する。アーム13の先端にロードビーム14が取り付けられ、ロードビーム14の先端に磁気ヘッド15が取り付けられる。アーム13はVCM16の駆動により磁気ヘッド15を磁気ディスク11上の指定の位置まで移動制御する。
磁気ヘッド15は、リードヘッド素子とライトヘッド素子とが、1つのスライダ上に分離して実装されている構造である。リードヘッド素子は、磁気ディスク11に記録されているデータを読出す。ライトヘッド素子は、磁気ディスク11にデータを書き込む。
ヘッドアンプIC16は、リードアンプ及びライトドライバを有する。リードアンプは、リードヘッド素子により読み出されたリード信号を増幅して、リード/ライト(R/W)チャネル22に伝送する。一方、ライトドライバは、R/Wチャネル22から出力されるライトデータに応じたライト電流をライトヘッド素子に伝送する。
SOC20は、マイクロプロセッサ(CPU)21と、R/Wチャネル22と、ディスクコントローラ23と、位置決めコントローラ24とを含む。CPU21は、ドライブのメインコントローラであり、位置決めコントローラ24を介して磁気ヘッド15の位置決めを行なうサーボ制御及びヘッドアンプIC16を介してデータのリード/ライト制御を実行する。R/Wチャネル22は、リードデータの信号処理を実行するリードチャネルと、ライトデータの信号処理を実行するライトチャネルとを含む。ディスクコントローラ23は、ホストシステム(図示せず)とR/Wチャネル22との間のデータ転送を制御するインタフェース制御を実行する。なお、位置決めコントローラ24はハードウェアとして実現してもよいし、ソフトウェア(ファームウェア)として実現してもよい。
メモリ25は、揮発性メモリおよび不揮発性メモリを含む。例えば、メモリ25は、DRAMからなるバッファメモリ、及びフラッシュメモリを含む。メモリ25の不揮発性メモリには、CPU21の処理に必要なプログラム等を記憶すると記憶部(図示省略)と共に、後述するフィルタ係数設定処理が行われた場合にフィルタ係数を記憶する係数記憶部26を有する。係数記憶部26に記憶されるフィルタ係数については、後述する。なお、当該係数記憶部26はメモリ25に記憶されていなくても磁気ディスク装置1内のいずれかの記憶領域に記憶されていればよい。
ここで、NRRO外乱を抑圧するフィルタ(以下、単に、「フィルタ」と称する。)に関する技術につい、図2を参照して説明する。
図2は、外乱を抑圧する制御系の一例を示す図である。図2に示すように、フィルタA[z]40を制御器C[z]30と並列に配置するように構成され、その合成された出力が制御対象P[z]50に入力され、制御対象P[z]50が動作するようになっている。このようにフィルタA[z]40の入力を反映させて制御対象P[z]50を動作させることにより、外乱d[k]の影響を打ち消すように制御する。本実施形態の磁気ディスク装置1においては、制御器C[z]30、及びフィルタA[z]40は、位置決めコントローラ24に含まれ、制御対象P[z]50は、VCM16に相当する。なお、ライト素子、リード素子を微小に動作させるマイクロアクチュエータを磁気ヘッドに搭載するタイプの磁気ディスク装置であれば、VCM16と共にマイクロアクチュエータも制御対象に含めてもよい。
図2は、外乱を抑圧する制御系の一例を示す図である。図2に示すように、フィルタA[z]40を制御器C[z]30と並列に配置するように構成され、その合成された出力が制御対象P[z]50に入力され、制御対象P[z]50が動作するようになっている。このようにフィルタA[z]40の入力を反映させて制御対象P[z]50を動作させることにより、外乱d[k]の影響を打ち消すように制御する。本実施形態の磁気ディスク装置1においては、制御器C[z]30、及びフィルタA[z]40は、位置決めコントローラ24に含まれ、制御対象P[z]50は、VCM16に相当する。なお、ライト素子、リード素子を微小に動作させるマイクロアクチュエータを磁気ヘッドに搭載するタイプの磁気ディスク装置であれば、VCM16と共にマイクロアクチュエータも制御対象に含めてもよい。
フィルタA[z]40は、以下の(1)式が用いられる。
ここで、Tはサンプリング周期、η、μは設計パラメータである。
また、フィルタA[z]40の係数中にあるパラメータαとパラメータφとについては、それぞれ、以下の(2)式で表される。
ここで、パラメータα、及びパラメータφは、図2のフィルタ出力ud[k]から外乱d[k]の入力手前までの伝達関数Mudd[z]の抑圧対象角周波数ω0でのゲインと位相とでマッチングを取るためのパラメータである。これは、フィルタA[z]40で位置誤差信号から推定した外乱d[k]を抑制する推定値が外乱d[z]を打ち消すように、フィルタA[z]40から出力される信号ud[k]が外乱d[k]が入力されている位置に到達するまでのゲインと位相の変化を考慮してフィルタを設計していることを意味する。
図3は、このフィルタを複数段配置した制御系200の一例を示す図である。制御系200の詳細は後述する。
この場合、以下の(3)式のフィルタが用いられる。
この場合、以下の(3)式のフィルタが用いられる。
しかし、この図3に示す制御系200の構成において、抑圧対象角周波数ωiに対応するフィルタAi[z]のみで抑圧対象角周波数ωiにおける感度関数のゲイン目標を満たすように(3)式に基づいて設計されたフィルタA1[z]~フィルタAN[z]を単に並列しただけでは、他のフィルタの影響でマッチングゲインと位相とが変化する分が考慮されないため、意図した通りにNRRO外乱を抑圧することができない。
したがって、以下の実施形態では、制御対象となるP[z]50(磁気ディスク装置1においては、VCM16)の制御系200に複数段のフィルタを設ける際、各フィルタが他のフィルタのゲインと位相とのマッチングに及ぼす影響(フィルタの周波数特性)を考慮することで、磁気ディスク装置1が、複数の外乱に対して適切な制御を行い、設計者の意図した通りに外乱を抑圧し、磁気ヘッド15の位置決め精度を向上させるようにする。以下、当該方法について説明する。
まず、制御系200に複数段フィルタを設けた構成について詳細に説明する。
図3は、複数段のフィルタを設けた制御系200の構成の一例を示す図である。図3に示すように、制御系200は、複数のフィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nを制御器C[z]30と並列に配置するように構成され、それらの合成された出力が制御対象P[z]50に入力され、制御対象P[z]50が動作するようになっている。このように制御系200を構成した場合、複数の外乱が生じても、それぞれの外乱の影響を打ち消すように、複数のフィルタA[z]それぞれに異なるフィルタ係数を設定することにより、制御対象P[z]50の位置決めを正確に行うことが可能になる。
図3は、複数段のフィルタを設けた制御系200の構成の一例を示す図である。図3に示すように、制御系200は、複数のフィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nを制御器C[z]30と並列に配置するように構成され、それらの合成された出力が制御対象P[z]50に入力され、制御対象P[z]50が動作するようになっている。このように制御系200を構成した場合、複数の外乱が生じても、それぞれの外乱の影響を打ち消すように、複数のフィルタA[z]それぞれに異なるフィルタ係数を設定することにより、制御対象P[z]50の位置決めを正確に行うことが可能になる。
また、図4は、フィルタ係数を設定する処理の主要な流れの一例を示すフローチャートである。この図4を適宜参照しながら、複数のフィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nに設定されるフィルタ係数の設定処理について説明する。この処理は、例えば、ホストシステムの指示に基づいて、CPU21によって実行される。
各複数のフィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nが他のフィルタのゲインと位相とのマッチングに及ぼす影響を考慮する構成は、具体的には、複数のフィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nの各フィルタ出力uid[k]から外乱d[k]の入力手前までの伝達関数Muidd[z]と、ゲインと位相とのマッチングαi及びφiを以下の(4)式のようにする。
又は、全ての抑圧角周波数ωiに於いて、全てのフィルタA1[z]~フィルタAN[z]を用いたときの抑圧対象角周波数ωiでの感度関数のゲイン又は感度関数のゲインと位相が、抑圧対象角周波数ωiに対応するフィルタAi[z]のみで抑圧対象角周波数ωiにおける感度関数のゲイン目標を満たすように(3)式に基づいて設計された各フィルタAi[z]を単独で用いたときの抑圧対象角周波数ωiにおける感度関数のゲイン又は感度関数のゲインと位相とが同一となるようαi及びφiを求めても良い。
以下では、フィルタA[z]の段数が2段の例を用いて、上記(4)式で表されるαi及びφiの求め方の一例を示す。
まず、上記(4)式を以下の(5)式のように変形する。これにより、上記(1)式から(3)式とから求める場合との変更量を求めることができる(ST101)。
まず、上記(4)式を以下の(5)式のように変形する。これにより、上記(1)式から(3)式とから求める場合との変更量を求めることができる(ST101)。
なお、以下、fi:=exp(jωiT)とする。
ここで、Mudd[f2]A1[f2]、Mudd[f1]A2[f1]を以下の(7)式のように近似する(ST103)。
これらを用いると、Δα1、Δα2、Δφ1、Δφ2は、以下の(8)式で近似でき、Δα1、Δα2、Δφ1、Δφ2をそれぞれ求めることができる(ST104)。
これらを以下の(9)式に書き換えると、解の1つは、式(10)となる(ST105)。
以上のように、解を求めることにより、制御系200に、複数段の2つのフィルタA1[z]、A2[z]を設ける場合でも、各フィルタA1[z]、A2[z]がそれぞれ異なる外乱の影響を抑制するように係数記憶部26に、各フィルタA1[z]、A2[z]のフィルタ係数を設定することができる。したがって、磁気ディスク装置1の制御系200は、複数のフィルタA1[z]、A2[z]を設ける場合にも他のフィルタのゲインと位相とのマッチングに及ぼす出力(影響)を考慮することができる。これにより、磁気ディスク装置1は、計者の意図した通りにNRRO外乱を抑圧でき、制御対象P[z]50の位置決め精度を向上させることができる。
(第2実施形態)
第2実施形態は、Ai[z]、B[z]を以下の(11)式のようにパラメータの関数であることを明示する。なお、上記第1実施形態と同一の構成には同一の符号を付すこととする。
第2実施形態は、Ai[z]、B[z]を以下の(11)式のようにパラメータの関数であることを明示する。なお、上記第1実施形態と同一の構成には同一の符号を付すこととする。
Ai[z]、B[z]を以下の(11)式のようにする。
次に、複数段フィルタを配置したときの各抑圧対象角周波数ωiでの感度関数と、抑圧対象角周波数ωiに対応するフィルタAi[z]のみで抑圧対象角周波数ωiにおける感度関数のゲイン目標を満たすように(3)式に基づいて設計された各フィルタを単独で用いた時の抑圧対象角周波数ωiでの感度関数との差を目的関数とする。ここで、各フィルは、以下のように表される。
また、この目的関数は、以下の(12)式である。
また、この目的関数は、以下の(12)式である。
ここで、上記(12)式を最小にするパラメータαi及びφiを求める。例えば、以下の(13)式で|x[k+1]-x[k]|<δとなるまでパラメータを更新する。
図5は、このパラメータを更新する処理の一例を示すフローチャートである。この処理は、本実施形態では、CPU21によって実行される。
図5に示すように、CPU21は、パラメータαi及びφiの初期値を代入すると共に変数kを1に設定する(ST201)。次に、CPU21は、変数kに1を加算し(ST202)、(13)式の計算を行い(ST203)、この計算結果がδより小さくなるかを判定し(ST204)、当該計算結果がδより小さくなるまで、ステップST202からST204の処理を繰り返す。
図5に示すように、CPU21は、パラメータαi及びφiの初期値を代入すると共に変数kを1に設定する(ST201)。次に、CPU21は、変数kに1を加算し(ST202)、(13)式の計算を行い(ST203)、この計算結果がδより小さくなるかを判定し(ST204)、当該計算結果がδより小さくなるまで、ステップST202からST204の処理を繰り返す。
そして、CPU21は、収束したパラメータαi及びφiの近似値を使用し、上記(4)式からαiを求め直す。なお、以下の(14)式を用いてηiを更新してもよい。
図6は、周波数に対するゲインの関係の一例を示す図である。また、図6において、フィルタを用いない場合(w/o LS)、3kHzの周波数のフィルタを用いた場合、3.5kHzの周波数のフィルタを用いた場合、3kHz及び3.5kHzの周波数のフィルタを用いた場合、本実施形態2の場合を比較している。実施形態2のグラフが示すように、3kHz及び3.5kHzの周波数のフィルタを用いた場合のグラフと比較して、ゲインが安定していることが示されている。
また、図7は、α,φと、変数kとの関係の一例を示す図である。縦軸がα(3kHz,3.5kHz)、φ(3kHz,3.5kHz)であり、横軸が変数kを示している。図7に示すように、変数kが大きくなると、α(3kHz,3.5kHz)、φ(3kHz,3.5kHz)がそれぞれ一定値に収束することが示されている。
以上のように制御系200のフィルタ係数を求め、求めたフィルタ係数を係数記憶部26に設定しても、上記第1実施形態と同様な効果を奏することができる。
また、設計パラメータui、ηi、ωiを適応的に決める場合においては、適応後の設計パラメータui、ηi、ωiでの各抑圧対象角周波数ωiでの感度関数の値をメモリ25に記憶しておき、パラメータαiと、φiの近似値を求め直して上記実施形態2の手順を行うようにしてもよい。
(第3実施形態)
既述の実施形態においては、抑圧対象角周波数ωiが環境によって変化する場合に対応していない。このため、本第3実施形態では、抑圧対象角周波数ωiが環境によって変化する場合に対応した形態について説明する。なお、環境による変化は、例えば、外乱が変化する場合であり、既述の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、これらの構成については詳細な説明は省略する
既述の実施形態においては、抑圧対象角周波数ωiが環境によって変化する場合に対応していない。このため、本第3実施形態では、抑圧対象角周波数ωiが環境によって変化する場合に対応した形態について説明する。なお、環境による変化は、例えば、外乱が変化する場合であり、既述の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、これらの構成については詳細な説明は省略する
図8は、図3を用いて技術したフィルタを複数段配置した制御系200に、さらに、推定部60を追加した制御系300の一例を示す図である。推定部60は、位置誤差e[k]の入力と、外乱d[k]の入力とから抑圧対象角周波数ωiを推定する。また、推定部60は、推定した抑圧対象角周波数ωiをフィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nにそれぞれ入力する。なお、本実施形態では、推定部60が、位置誤差e[k]の入力と、外乱d[k]の入力とから抑圧対象角周波数ωiを推定するが、これに限るものではない。例えば、磁気ディスク装置1に回転センサを設け、磁気ディスク装置1の回転を検出できるように構成し、当該検出した回転値に基づいて、抑圧対象角周波数ωiを決定するようにしてもよい。
事前に各抑圧対象角周波数ωiでの感度関数のゲインの値を所定の記憶部に保存しておく。位置誤差e[k]、外乱d[k]、又は位置誤差e[k]と外乱d[k]の両方から抑圧対象角周波数ωiを求める。抑圧対象角周波数ωiが変わるとαiとφiも変える必要がある。このため、抑圧対象角周波数ωiの決定後、既述の実施形態と同様に、αiとφiとを調整する。このとき、推定部60は、各フィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nの抑圧対象角周波数ωiでのゲインを変更前後で同じにするか、事前に記憶しておいた抑圧対象角周波数ωiでの感度関数値と同じになるように調整する。なお、図9は、推定した抑圧対象角周波数ωiに基づいてフィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nの係数を設定する処理の主要な流れの一例を示すフローチャートである。この処理は、本実施形態では、推定部60により実行される。また、図10は、図9の処理の変形例を示すフローチャートである。
上記(16)式のように、変化前の抑圧対象周波数チルダfiでの感度関数と、変化後の抑圧対象周波数fiでの感度関数との差を目的関数とする。
ここで、チルダxは、抑圧対象周波数変化前のパラメータであり、Δjは後述する安定か、不安定かを示す目標感度関数のゲイン変更に対応する項である。このようにして、抑圧対象角周波数ωiが決定される(ST301)。
ここで、チルダxは、抑圧対象周波数変化前のパラメータであり、Δjは後述する安定か、不安定かを示す目標感度関数のゲイン変更に対応する項である。このようにして、抑圧対象角周波数ωiが決定される(ST301)。
次に、パラメータα_iと、φiとを調整する(ST302)。より詳細には、推定部60は、上記(17)式を最小にするパラメータαiと、φiとを求める。例えば、以下の(18)式で、|x[k+1]-x[k]|<δとなるまでパラメータを更新する。
外乱等の影響を受け、抑圧対象角周波数ωiが変化すると制御系300が不安定になる場合がある。このため、推定部60は、安定か否かを判定する(ST303)。ここで、安定か否かの判定は、安定・不安定を示す指標(例えば感度関数の積分値、累積和、又は事前に求めた抑圧対象周波数毎のパラメータの範囲)に基づいて行われる。安定でない、つまり、不安定になると判定した場合には(ST303:NO)、推定部60は、Δiとηiとを変更する(ST304)。具体的には、推定部60は、抑圧対象角周波数ωの感度関数のゲインを大きくし、指標が小さくなるようにパラメータを変更する。ここで、パラメータは、フィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nの係数、及び変化前の抑圧対象角周波数ωiでの感度関数のゲインである。このように、安定でないと判定した場合、推定部60は、調整時の目標感度関数のゲイン、(上記(17)式のΔi)とηiとを制御系300が安定になるまで変えながら調整する。
なお、図10に示すように、まず、事前にηの上限Η(ω)を求め(ST401)、ηi<Η(2πfi)をチェックして、抑圧対象角周波数ωiを決定し(ST402)、ηi≦Η(ωi)か否かの判定に基づいて(ST403)、Δiとηiとを変更し(ST404)、パラメータαiと、φiとを調整してもよい(ST405)。
本実施形態では、磁気ディスク装置1は、抑圧対象角周波数ωiが環境によって変化する場合にも推定した抑圧対象角周波数ωiを用いて、ループ整形フィルタA1[z]401~フィルタAN[z]40Nに適切な係数を設定することができる。これにより、磁気ディスク装置1は、磁気ヘッド15の位置決め精度を向上させることができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…磁気ディスク装置、15…磁気ヘッド、16…ボイスコイルモータ、24位置決めコントローラ、25…メモリ、26…係数記憶部、30…制御器[Cz]、401~40N…フィルタA1[z]~AN[z]、50…制御対象P[z]、100,200,300…制御系
Claims (14)
- 磁気ディスク装置は、
制御対象と、
前記制御対象の動作を制御する制御器と、
前記制御器とそれぞれ並列に接続される複数のループ整形フィルタと、
を備え、
前記複数のループ整形フィルタの出力から前記制御対象に作用する外乱の入力手前までの伝達関数を用いて前記ループ整形フィルタの第1の係数を決定する際、他の前記ループ整形フィルタの周波数特性を反映させて各前記ループ整形フィルタの前記第1の係数が決定され、決定された各前記ループ整形フィルタの前記第1の係数がそれぞれ各前記ループ整形フィルタに対して設定される、
磁気ディスク装置。 - 前記ループ整形フィルタは各抑圧対象周波数に対して1つずつ用意され、前記ループ整形フィルタの第2の係数は、各抑圧対象周波数の第1の感度関数のゲインが前記ループ整形フィルタの第2の係数を使った各抑圧対象角周波数に対応する1つのループ整形フィルタのみで各抑圧対象角周波数における感度関数のゲイン目標を満たすよう予め設計され、各前記ループ整形フィルタの前記第1の係数は、各抑圧対象各周波数で、前記ループ整形フィルタの第1の係数を使った全てのループ整形フィルタを用いたときの感度関数のゲインが、各抑圧対象角周波数おける前記第1の感度のゲインと同一となるように決定される、
請求項1に記載の磁気ディスク装置。 - 前記ループ整形フィルタは各抑圧対象周波数に対して1つずつ用意され、前記ループ整形フィルタの第2の係数は、各抑圧対象周波数の第1の感度関数のゲインが前記ループ整形フィルタの第2の係数を使った各抑圧対象角周波数に対応する1つのループ整形フィルタのみで各抑圧対象角周波数における感度関数のゲイン目標を満たすよう予め設計され、第1の感度関数位相は、前記ループ整形フィルタの第2の係数を使った各抑圧対象角周波数に対応する1つのループ整形フィルタを使ったときの感度関数位相とし、各前記ループ整形フィルタの前記第1の係数は、各抑圧対象各周波数で、前記ループ整形フィルタの第1の係数を使った全てのループ整形フィルタを用いたときの感度関数のゲインと位相が、各抑圧対象角周波数における前記第1の感度関数のゲイン及び第1の感度関数の位相とそれぞれ同一となるように決定される、
請求項1に記載の磁気ディスク装置。 - 前記ループ整形フィルタの係数決定は、前記ループ整形フィルタを単独で用いたときのフィルタ係数が他の前記ループ整形フィルタの影響によって変化する分を近似して求める、
請求項2又は3に記載の磁気ディスク装置。 - 前記ループ整形フィルタの係数決定は、各抑圧周波数の感度関数のゲイン又は感度関数のゲインと位相が、複数のループ整形フィルタを用いたときと単独で用いたときで差が最小になるように係数を更新することで求める、
請求項2又は3に記載の磁気ディスク装置。 - 前記制御対象は、ボイスコイルモータである、
請求項1から5のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置。 - 前記制御対象は、マイクロアクチュエータである、
請求項1から5のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置。 - 前記制御対象は、ボイルコイルモータ、及びマイクロアクチュエータである、
請求項1から5のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置。 - 前記ループ整形フィルタの係数を決定する際、前記外乱の抑圧対象周波数が推定され、当該推定された抑圧対象周波数に基づいて、各前記ループ整形フィルタの前記第1の係数が決定される、請求項1に記載の磁気ディスク装置。
- 前記推定される抑圧周波数が変化した場合、変化前後の前記抑圧対象周波数の感度関数ゲインが同一になるように、各前記ループ整形フィルタの前記第1の係数が決定される、
請求項9に記載の磁気ディスク装置。 - 前記外乱の影響に基づいて、前記制御器が前記制御対象を制御する制御系が安定にならない場合、前記抑圧対象周波数の前記感度関数のゲインを大きくするように、パラメータを変更する、
請求項10に記載の磁気ディスク装置。 - 前記パラメータは、各前記ループ整形フィルタの前記第1の係数、及び前記変化前の前記抑圧対象角周波数での前記感度関数のゲインである、
請求項11に記載の磁気ディスク装置。 - 前記安定になるか否かの判定には、前記感度関数の積分値、累積値、又は事前に求めた抑圧対象周波数毎の前記パラメータの範囲を用いる、
請求項11に記載の磁気ディスク装置。 - 制御対象と、
前記制御対象の動作を制御する制御器と、
前記制御器とそれぞれ並列に接続される複数のループ整形フィルタと、
を備える磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法であって、
前記制御器は、
前記複数のフィルタの出力から前記制御対象に作用する外乱の入力手前までの伝達関数を用いて前記ループ整形フィルタの第1の係数を決定する際、他の前記ループ整形フィルタの周波数特性を反映させて前記ループ整形フィルタの前記第1の係数を決定し、
前記複数のループ整形フィルタに対して前記係数を決定する処理を繰り返し、
前記決定された各前記ループ整形フィルタの前記第1の係数をそれぞれ各前記ループ整形フィルタに対して設定する、
磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法。
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