JP2022014978A - スパッタリング装置及び金属化合物膜の成膜方法 - Google Patents
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Description
Claims (4)
- ターゲットが配置される真空チャンバと、真空チャンバ内にスパッタガスを導入するガス導入手段と、真空チャンバ内でその成膜面がターゲットに対向する姿勢で被処理基板を保持するステージと、ステージで保持された被処理基板にバイアス電位を印加するバイアス電源とを備えるスパッタリング装置において、
ステージの周囲に設けられる板状電極と、板状電極の表面電位を制御する電位制御電源とを更に備えることを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1記載のスパッタリング装置であって、前記ターゲットが金属製であり、前記スパッタガスが反応ガスを含み、前記被処理基板の成膜面に反応性スパッタリングにより金属化合物膜を成膜するものにおいて、
前記板状電極が、間隔を存して前記被処理基板の周囲を囲う環状の輪郭を有し、前記ターゲット側を向く板状電極の上面が被処理基板の成膜面と面一となる姿勢で配置され、前記電位制御電源が、板状電極の表面電位を正電位に制御することを特徴とするスパッタリング装置。 - 真空チャンバ内に金属製のターゲットと被処理基板とを対向配置し、真空チャンバ内に反応ガスを含むスパッタガスを導入し、ターゲットに電力投入してプラズマを形成し、反応性スパッタリングにより被処理基板の表面に金属化合物膜を成膜する成膜工程を含む金属化合物膜の成膜方法であって、成膜工程中、被処理基板にバイアス電位が印加されるものにおいて、
成膜工程は、被処理基板の周囲に設けられる板状電極の表面電位を制御する表面電位制御工程を含むことを特徴とする金属化合物膜の成膜方法。 - 請求項3記載の金属化合物膜の成膜方法であって、前記金属化合物膜が窒化アルミニウム膜であり、前記バイアス電位が-100~-10Vの範囲に設定されるものにおいて、
前記表面電位制御工程にて、前記表面電位が5~150Vの範囲に制御されることを特徴とする金属化合物膜の成膜方法。
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