JP2021500836A - 多層導波路、多層導波路構成、及びそれらの生産方法 - Google Patents

多層導波路、多層導波路構成、及びそれらの生産方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021500836A
JP2021500836A JP2020543457A JP2020543457A JP2021500836A JP 2021500836 A JP2021500836 A JP 2021500836A JP 2020543457 A JP2020543457 A JP 2020543457A JP 2020543457 A JP2020543457 A JP 2020543457A JP 2021500836 A JP2021500836 A JP 2021500836A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
layer
multilayer
intermediate layer
multilayer waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020543457A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7280884B2 (ja
Inventor
ヴォッソグフ アッバス
ヴォッソグフ アッバス
へー ジョンシア サイモン
へー ジョンシア サイモン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Metasum AB
Original Assignee
Metasum AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Metasum AB filed Critical Metasum AB
Publication of JP2021500836A publication Critical patent/JP2021500836A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7280884B2 publication Critical patent/JP7280884B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12Hollow waveguides
    • H01P3/121Hollow waveguides integrated in a substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/18Waveguides; Transmission lines of the waveguide type built-up from several layers to increase operating surface, i.e. alternately conductive and dielectric layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/2005Electromagnetic photonic bandgaps [EPB], or photonic bandgaps [PBG]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/001Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/001Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
    • H01P11/002Manufacturing hollow waveguides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/007Manufacturing frequency-selective devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/06Coaxial lines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12Hollow waveguides
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Waveguides (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

多層導波路デバイス、多層導波路構成、及びそれらを生産する方法であって、多層導波路は、多層導波路となるよう組み立てられる少なくとも3つの水平方向に分割した層を備える。これら層は、少なくとも頂部層(2a)、中間層(2c)、及び底部層(2e)であり、各層は、層全体に貫通する貫通孔(3)を有する。貫通孔(3)は隣接する層の隣接孔(3)に対しオフセットして配列され、漏洩抑制構造を創出するようにする。【選択図】図2

Description

本発明は、概して、生産する及び表面実装する上で費用対効果の高い多層導波路(MLW)に関する。
導波路(管)は、従来技術において周知であり、電磁波を起点から終点まで搬送するのに使用される共通コンポーネントである。最も一般には、導波路は中空金属管であり得る。
開放空間で伝播する波にとって、パワーは距離にわたり失われ、可能な伝送距離及び波品質の双方を低下させる。導波路は、したがって、波の拡散方向を少なくとも一方向に制限することによって波を案内し得る構体である。そのコンセプトは、波が特定方向に伝播するよう波を強制的に制限し、またこれにより損失を低減することにある。理想条件においては、これによりパワー損失が全くない波となるが、このような場合はまれ又は全くない。導波路設計に基づいて、漏洩が存在し、また波は導波路チャンネル端縁に結合してエネルギー損失を生ずる。導波路のコンセプトは、長い間にわたり知られるようになってきており、また例えば、信号、音、又は光を伝送するのに使用されている。
多くの異なる形態の導波路が従来既知であるが、現行解決策では欠点がある。現在解決策の開発中に、例えば、表面実装導波路を必要とする応用分野に適合する導波路を生産するのは困難であることが分かってきた。
電磁波による電波の一般的適用において、矩形断面を有するほぼ中空の金属構体である矩形導波路を使用することができる。これらは、例えば、導波路として組み立てられる2つの金属ブロックで生産することができる。このような導波路は、互いに組み立てられる頂部層及び底部層を有することができる。これら2つの層の一部を切除し、この切除は、ともに組み立てるときにこれら2つの層が導波路としての中空空間を形成するように行う。2つのブロックは、漏洩を低減する良好な接続性を有することを必要とする。しかし、層の僅かな部分しか切除されず、また機械的支持のためにのみ大きな部分が残存しているという事実に起因して、導波路ブロックは、概して嵩張り、また多くの場合重量があり、表面実装及び/又は軽量な用途には適さない。
他の解決策として、いわゆる誘電導波路が使用される。誘電導波路と空気充満金属表面導波路との間には相違がある。金属表面導波路においては、磁場が金属内に短い距離貫入するが、2つの層間のギャップが存在する場合、とくに、ギャップが水平方向である場合に、相当な量の漏洩を生ずる。この理由としては、電磁波が密に閉じ込められ、また極めて短い距離しか金属内に貫入できないことを意味するからである。誘電導波路に関して、問題の特徴は異なるものであり、これは伝播しない一過性の波に起因する。このことは、さらに、なぜ特許請求の範囲に記載の特徴を持たない金属表面導波路が漏洩を低減するために層間に高いレベルの伝導率を必要とするかの理由である。
導波路を製造することに関連する他の問題は、CNCミリング加工及び成形加工の現行レベルがレーザー切断又はエッチングのような他の方法に比べて、生産方法の製造公差が悪くなるという点である。このことは、とくに表面実装用途のための導波路構体の生産を困難及び/又は高価なものにする。この問題は、例えば、80GHz以下の周波数に適合する導波路の共通する生産方法であるCNCミリング加工及び成形加工の双方以外に何らかの周波数レンジに関してより歴然としている。110GHz〜170GHzのDバンド周波数レンジの導波路に関して、CNCミリング加工及び成形加工は、生産技術をどのように行うかに関連してすべてのものが極めて小さいものであるため、極めて費用がかかるものになる。ことによって、所望結果を得るには、幾つかのケースでは不適切であり、又は幾つかのケースでは不可能ですらある。
100GHzを十分に上回る周波数レンジに関して、例えば、使用されるシリコンウェハー(金属ブロックの代わりとして)上のエッチングが生産上の問題を部分的に解決する技術がある。しかし、導波路の特性に起因して、この生産方法は200GHzを下回る周波数レンジには適さない。この理由としては、シリコンウェハーに対するディープエッチング(例えば、300μmを超える)を実施するのは困難であるからである。
これにより、若干の導波路は、大き過ぎてシリコンチップには適さないが、成形加工又はCNCミリングのバージョンには小さすぎる。さらに、導波路漏洩及びパワー損失は共通の問題である。本願発明者は、多層を有する導波路は、概して、とくに、層を互いに頂部上に積み重ね、水平平面に配列される層間界面を作成する場合に高いレベルの漏洩を引き起こすということに気付いた。
さらにまた、例えば、銅の多層を使用してDバンド周波数レンジの周波数に対処できる導波路を作成する他の生産方法がある。このような方法に関しては、例えば、拡散境界付け(diffusing bounding)を使用して、導波路からの漏洩を減少する良好な層間伝導率を可能にする。しかし、この製造方法は、費用がかかりかつ実施するための特別な設備を必要とし、また大きな導波路構体の大量生産には適さない。
特許請求の範囲に記載のコンセプトを簡潔に記述すると、CNCミリング加工公差では不十分(及び上述したように、CNCミリング加工は大量生産に適していない)80〜200GHz周波数レンジあたりのギャップが存在し、導波路は、シリコンエッチング解決策で生産するのに適するよりも大きくする必要があり、また結合した銅の解決策は費用がかかり、かつ大量生産品を製造するのが困難である。さらに、すべてのタイプの層状化した導波路では、一般的に漏洩が問題であり、また多くの応用分野で導波路の重量は重要性がそれほど高くない二次要因となっていた。ドローン、宇宙応用、自動車用レーダー、航空機、及びこれらに類する用途にて、重量削減は、大量生産に対処する上で表面実装との両立性とともに、重要な要因である。
したがって、コンパクトかつ軽量であり、いかなる困難な生産方法をも必要としないで市場の性能要件を満たす表面実装導波路は有利である。さらに、少なくとも上述した周波数レンジに対して上述した解決策の限界なしに使用できるタイプの導波路は有益である。特許請求の範囲に記載の本発明解決策は、Dバンド周波数レンジ以外の周波数レンジにも使用することができ、したがって、任意な他の生産方法で生産される導波路にとって代わることができる点に留意すべきである。さらに、本発明解決策の構体はCNCミリング加工で生産することができ、また単独タイプの導波路を多くの異なる応用分野に使用することができる。
本発明の目的は、生産が容易な導波路を得るにある。
本発明の他の目的は、生産に費用対効果の高い導波路を得るにある。
本発明の他の目的は、ミリ波周波数帯域(30〜300GHz)に適した導波路を得るにある。
本発明の他の目的は、広範囲な周波数レンジに使用できる導波路解決策を得るにある。
本発明の他の目的は、漏洩を低減する多層導波路を得るにある。
本発明の他の目的は、漏洩を低減するよう層間の流電的(galvanic)接触を必要としない多層導波路を得るにある。
本発明の他の目的は、漏洩を低減するよう層間の接続性を必要としない多層導波路を得るにある。
本発明の他の目的は、従来技術の解決策より軽量な導波路を得るにある。
本発明の他の目的は、形状因子が低い導波路を得るにある。
本発明のさらに他の目的は、上述した目的による多層導波路の生産方法を得るにある。
したがって、本解決策は、多層導波路となるよう組み立てられる少なくとも3つの水平方向に分割した層を備える多層導波路デバイスに関する。前記層は、少なくとも頂部層、中間層、及び底部層である。各層は前記層の全体に貫通する貫通孔を有し、また前記貫通孔は隣接層における隣接貫通孔に対しオフセットして配列されて漏洩抑制構体を創出する。
本解決策による1つの利点は、孔が層全体に貫通しており生産が容易であるという点である。これら互いにオフセットして配列される隣接層の孔は、EBG(electromagnetic band gap:電磁気バンドギャップ)構体に基づく漏洩抑制構体を創出するということに起因してさらに有利である。
電磁気バンドギャップ(EBG)構体の材料又はEBG構体を創出する構体は指定帯域幅の周波数伝播を防止するよう設計され、本解決策において多層導波路における漏洩を低減するのに使用される。このことは、多くの層を有する導波路がこのような解決策が従来持っていた欠点なく使用することを可能にする。
さらに、例えば、層間に電気的及び流電的(electrical and galvanic)接触を必要とする他の解決策においては、垂直方向ではなく水平方向での漏洩がより多いことに留意されたい。
一実施形態によれば、孔は、EBG構体を創出する単位セルパターンのアレイで整列せずに配列される。
一実施形態によれば、多層導波路は、さらに、前記頂部層の頂部に配置した第2頂部層と、及び前記底部層の下側に配置した第2底部層とを有し、前記第2頂部層及び第2底部層は、前記層に部分的にのみ延在する孔を有する。
一実施形態によれば、孔は互いにより高次の対称性でオフセットされる。
一実施形態によれば、孔は、各孔が隣接層における2つ及び4つの孔間でオーバーラップするようオフセットして配列される。
一実施形態によれば、中間層の孔は、その中間層の上方に配置される隣接層及びその中間層の下方に配置される隣接層における2つ及び4つの孔間でオーバーラップするようオフセットして配列される。
一実施形態によれば、すべての第2層における孔は整列する。
多層導波路の実施形態によれば、層は同一材料又は異なる材料のいずれかから作成する。層は、例えば、金属材料、又は導電性表面でコーティングした非金属材料から作成することができる。
実施形態によれば、多層導波路は空気充満矩形導波路である。
実施形態によれば、多層導波路は金属導波路である。
実施形態によれば、多層導波路は金属表面導波路である。
実施形態によれば、多層導波路は金属矩形導波路である。
多層導波路の実施形態によれば、多層導波路の層は、導電性接着剤、絶縁性接着剤、及びねじのうちいずれか1つで互いに保持される。
本解決策の1つの利点は、任意な形態の結合又は取付け手段を使用して層を互いに保持することができる点である。この理由は、漏洩を抑制するために層間に何らの導電性をも必要としないことにある。しかし、導電性は性能に悪影響を与えるものではないことに留意すべきである。すなわち、本明細書記載の本解決策による多層導波路は、層間の導電特性に無関係にうまく機能する。
実施形態によれば、多層導波路は、3つより少ない取付け手段、好適には、ねじ又はリベットで互いに保持される。
実施形態によれば、層を分割するギャップが存在する。
本明細書記載の多層導波路による1つの利点は、層間の小さいギャップが導波路特性に影響を及ぼさない点である。このことは、ギャップが漏洩を大幅に増大させる多くの他の導波路とは正反対である。
実施形態によれば、各層は異なるパターンの孔及び/又は細長開孔を有する。
多層導波路の実施形態によれば、前記孔は任意の適当な形状、好適には、円形、三角形、正方形、五角形、矩形、長方形、四角形、六角形、又は任意な他の形状である。層における孔の形状はEBG特性が得られる限り機能性に影響を及ぼさないことを理解されたい。
多層導波路の実施形態によれば、層における孔は、材料に電磁気バンドギャップ構体を達成するよう配列される。
実施形態によれば、各層における孔間の距離は、多層導波路がそれ用に設計される波長よりも小さいものである。
実施形態によれば、孔の直径は0.4*λ〜0.6*λであり、孔間の間隔は0.8*λ〜1.2*λであり、ここでλは自由空間における波長である。
実施形態によれば、孔の直径は約0.4*λであり、孔間の間隔は約0.8*λであり、ここでλは自由空間における波長である。
実施形態によれば、孔の直径は約0.5*λであり、孔間の間隔は約1.2*λであり、ここでλは自由空間における波長である。
実施形態によれば、孔は反復パターンで再起する。
実施形態によれば、前記多層導波路は導波路チャンネルを有する。前記導波路チャンネルは少なくとも1つの中間層における細長開孔である。
1つの利点は、多層導波路の導波路チャンネルは1つ又はそれ以上の中間層における貫通細長開孔として生産することができる点である。生産上の観点から、層厚の一部分にのみ延在する溝孔を生産するよりも、層厚全体にわたり貫通する開孔を生産するのは格段に容易である。多重層を配置することによって、導波路チャンネルは、1つ又はそれ以上の細長開孔で作成される包囲空間として創出される。頂部層及び底部層は、一実施形態において細長開孔の側辺とともに、導波路チャンネルを創出する包囲部材である。
実施形態によれば、前記多層導波路は、前記導波路チャンネルの起点に整列する導波路チャンネル入口と、及び前記導波路チャンネルの終点に整列する導波路チャンネル出口とを有する。前記導波路チャンネル入口は前記頂部層に配置されるか、又は前記導波路チャンネル入口は前記底部層に配置されるかのいずれかである。出口に関しては、前記導波路チャンネル出口は前記頂部層に配置されるか、又は前記導波路チャンネル出口は前記底部層に配置されるかのいずれかである。
実施形態によれば、前記多層導波路は、前記導波路チャンネルの起点に整列する導波路チャンネル入口と、及び前記導波路チャンネルの終点に整列する導波路チャンネル出口とを有し、前記導波路チャンネル入口は、
・前記頂部層、
・前記底部層
のうちいずれか一方に配置され、また前記導波路チャンネル出口は、
・前記頂部層、
・前記底部層
のうちいずれか一方に配置される。
多層導波路の実施形態によれば、多層導波路は、中間層における前記導波路チャンネルの起点に整列する導波路チャンネル入口と、中間層における前記導波路チャンネルの終点に整列する導波路チャンネル出口とを有する頂部層を備える。
多層導波路の実施形態によれば、導波路は、前記導波路チャンネルの周りに配列される前記孔の少なくとも1つの列を備える。
多層導波路の実施形態によれば、導波路は、前記導波路チャンネルの周りに配列される前記孔の少なくとも2つの列を備える。
多層導波路の実施形態によれば、多層導波路の層は同一サイズを有する。
実施形態によれば、多層導波路は、少なくとも第1中間層、第2中間層及び第3中間層を有し、また各中間層は、各中間層に対して同心状に配置される細長開孔を有する。
多層導波路の実施形態によれば、前記第1中間層における前記細長開孔は、前記第2中間層における前記細長開孔よりも長く、また前記第2中間層における前記細長開孔は、前記第3中間層における前記細長開孔よりも長い。
1つの利点は、各中間層における細長開孔の長さを変化させることによって、組み立てた多層導波路における導波路チャンネルの各端部に段差構造を得ることができる点である。
多層導波路の実施形態によれば、
・前記第1中間層、前記第2中間層及び前記第3中間層の各々は細長開孔を有し、また
・前記第2中間層は、さらに、前記細長開孔内に配置される中央部材を有する。
導波路の多層構体による1つの利点は、中間層の細長開孔内に中央部材を配置することによって同軸状導波路を効果的に生産できる点である。同軸状導波路の他の利点は、コンパクトな導波路構体を創出する点である。一実施形態における中央部材は、中間層における細長開孔の幅の一部分を充填する。
さらに他の利点は、本明細書記載の同軸状導波路のような矩形同軸状伝送ラインが1オクターブより広い帯域幅を有する導波路を創出する点である。
別の利点は、本明細書記載の同軸状導波路はアンテナ又はフィルタとして使用するのに適する。
本解決策による他の利点は、任意な導波路デバイスを設計するのに使用できる導波路伝送ライン、例えば、スロットアレイアンテナ、フィルタ、方形導波路、及び同軸状導波路が得られる点である。
多層導波路の実施形態によれば、導波路チャンネルは、前記導波路チャンネルの延在方向に直交する方向に延在する複数の側方フランジを有する。
側方フランジによる1つの利点は、端縁に結合して伝播する波の能力を最小化することによって漏洩を低減する点である。導波路の端縁に結合する波はエネルギーを損失し、このエネルギー損失の少なくとも一部分は本明細書記載のフランジにより防止される。
一態様によれば、多層導波路構成は、上述した実施形態のいずれかに記載の多層導波路を有し、能動コンポーネントが前記多層導波路の前記導波路チャンネルに配置される
1つの利点は、MMIC又は任意な他の形態である能動コンポーネントのような集積回路を導波路チャンネル内に配置することができる点である。
一態様によれば、多層導波路の層は、上述したような多層導波路及び/又は多層導波路構造に適合する層である。
一態様によれば、多層導波路デバイスを生産する方法において、
・層の中央領域における細長エリアを包囲する貫通孔の少なくとも1つの列を有する頂部層をエッチング又はレーザー切削するステップと、
・層の中央領域における細長エリアを包囲する貫通孔の少なくとも1つの列を有する少なくとも1つの中間層をエッチング又はレーザー切削し、かつ前記細長エリアに細長開孔をエッチング又はレーザー切削するステップと、及び
・層の中央領域における細長エリアを包囲する貫通孔の少なくとも1つの列を有する底部層をエッチング又はレーザー切削するステップと、
を備える。
一実施形態によれば、貫通孔の列は隣接層間でオフセットして配列される。
一態様によれば、多層導波路デバイスを生産する方法において、
・層の中央領域における細長エリアを包囲する貫通孔の少なくとも2つの列を有する頂部層をエッチング又はレーザー切削するステップと、
・層の中央領域における細長エリアを包囲する貫通孔の少なくとも2つの列を有する少なくとも1つの中間層をエッチング又はレーザー切削し、かつ前記細長エリアに細長開孔をエッチング又はレーザー切削するステップと、及び
・層の中央領域における細長エリアを包囲する貫通孔の少なくとも2つの列を有する底部層をエッチング又はレーザー切削するステップと、
を備える。
一実施形態によれば、生産方法は、さらに、
・前記頂部層に導波路チャンネル入口及び導波路チャンネル出口をエッチング又はレーザー切削するステップを備える。
一実施形態によれば、生産方法は、さらに、
・前記頂部層又は前記底部層のいずれか一方に導波路チャンネル入口をエッチング又はレーザー切削するステップと、及び
・前記頂部層又は前記底部層のいずれか一方に導波路チャンネル出口をエッチング又はレーザー切削するステップと、
を備える
一実施形態によれば、前記層は、導電性接着剤、絶縁性接着剤、又はねじのうちいずれか1つで互いに保持される。
本明細書記載の解決策は複数の利点を有し、例えば、溝孔よりも貫通孔は生産がより容易であり、任意な費用がかかる結合プロセスを必要とすることなく漏洩を低減する上で費用効率が高い。
本発明を以下に実施例として添付図面につき説明する。
多層導波路の多重層の一実施形態を示す。 図1に示す層を備える組み立てた多層導波路の一実施形態を示す。 多層導波路の層における2つの実施例を示す。 多層導波路の頂部層の孔パターンの一実施形態を示す。 多層導波路の一実施形態の縦断面図を示す。 多層導波路の多重層の一実施形態を示す。 同軸状多層導波路の一実施形態における縦断面図を示す。 同軸状多層導波路の一実施形態における縦断面図を示す。 多層導波路における層のための異なる実施形態の孔パターンを示す。 多層導波路における層のための異なる実施形態の孔パターンを示す。 多層導波路における層のための異なる実施形態の孔パターンを示す。 多層導波路2つの層を並置させて示す一実施形態を示す。 図10aに示す2つの層を上下に重ね合わせて示し、多層導波路の隣接層の孔間におけるオフセットを有する一実施形態を示す。 第2頂部及び底部層を有する多層導波路における多重層の一実施形態を示す。 図11に示す層を有する組み立てた多層導波路の一実施形態を示す。 図11及び12に示す実施形態の他表示図を示す。 フィルタとして使用するよう導波路チャンネルが配列される多層導波路デバイスの一実施例を示す。
以下の説明において、本発明の異なる実施形態の詳細な説明を添付図面につき開示する。本明細書におけるすべての実施例は概要の一部として示すべきであり、またしたがって、一般用語を任意なやり方で組み合わせることができる。種々の実施形態及び態様における個別の特徴は組み合わせる又は交換することができ、このような組合せ又は交換は、このような組合せ又は交換が多層導波路、多層導波路構成又はそれらの生産方法のすべての機能に明らかに矛盾しない限り可能である。
簡潔に説明すると、本発明解決策は、層間の電気的及び流電的(electrical and galvanic)接触の必要性を何ら持たない多層導波路に関する。多層導波路は、該導波路の層間での漏洩を低減する漏洩抑制構体を有する。この漏洩抑制構体は、導波路チャンネルを包囲する少なくとも1つの列として配列される複数の孔を有し、これら複数の孔はオフセットさせて配列し、EBG(electromagnetic band gap:電磁バンドギャップ)構体を創出する。
図1は多層導波路1の層2a、2b、2c、2d、2eの一実施形態を示す。図1に示す層の各々は異なる層間で、又は少なくとも隣接する層間でオフセットして配列される孔3を有する。図1は、さらに、頂部層2aが中間層2b、2c、2dの上方にあり、また中間層2b、2c、2dが底部層2eの上方にある本明細書記載の層の向きを示す。しかし、当然のことながら、任意な数の層を多層導波路内に使用することができ、また多層導波路は使用にあたり任意の向きに配列することができる。層の順序に関する向き及び方法は単に例示的な理由である。しかし、幾つかの実施形態において、多層導波路は本明細書で図解及び記載するように配置することができる。
図2は、図1の層を備える多層導波路1を示す。図2は、さらに、多層導波路1がどのようにして多層導波路1の頂部層2aにおけるこの実施形態の開孔、孔又は開口である導波路チャンネル入口4及び導波路チャンネル入口5を有するかを示す。
図3は、頂部層2a及び中間層2cの一実施形態を示し、これは、異なる層の孔、入口、出口、及び開孔のパターンがどのように見えるかの実施例を示す。図3は、さらに、細長開孔7を示し、この細長開孔7は、組み立てた多層導波路1においてその細長開孔自体で又は隣接する層における細長開孔とともに、のいずれかで導波路チャンネル77(例えば、図5参照)を形成する。
図3において、この実施形態における頂部層2aの細長エリア6を示す。この細長エリア6は層の中実部であるとともに、例えば、孔3、細長開孔7、入口4、5等は、層に貫通孔を創出するよう除去される材料である。
図4は層のパターンの一実施形態を示す。この層は、異なる実施形態において頂部層2a、底部層2e、又は中間層のいずれかであり得る。図4が中間層を示す場合の実施形態において、このような層を備える多層導波路は、さらに、同一場所に配列されるが、孔3に対しオフセットして配列される導波路入口4及び導波路入口5を有する頂部層2a又は底部層2bも有する。
図5は多層導波路1の一実施形態における断面を示し、この場合、孔3は異なる層における孔3a、3bとして示す。頂部層2aの孔3aは、図5で分かるように中間層2bの孔2bにオフセットして配列される。この断面は、図5ではっきりと見える導波路チャンネル77内にある。図5は、さらに、導波路チャンネル77の両側の各端部に配列される段差構造であって、電磁波を導波路チャンネル入口4から導波路チャンネル77内に、また導波路チャンネル77から導波路チャンネル出口5に向けてそれぞれ良好に導く、該段差構造を導波路チャンネル77が有する多層導波路1の実施形態を示す。
図6は、多層導波路1の層2a、2b、2c、2d、2eにおける一実施形態を示す。図1に示す層の各々は異なる層間で、又は少なくとも隣接する層間でオフセットして配列される孔を有する。図1は、さらに、頂部層2aが中間層2b、2c、2dの上方にあり、また中間層2b、2c、2dが底部層2eの上方にある本明細書記載の層の向きを示す。しかし、当然のことながら、任意な数の層を多層導波路内に使用することができ、また多層導波路は使用にあたり任意の向きに配列することができる。層の順序に関する向き及び方法は単に例示的な理由である。しかし、幾つかの実施形態において、多層導波路は本明細書で図解及び記載するように配置することができる。
図7は、同軸状導波路を創出するよう中央部材8を導波路チャンネル77内に配列した多層導波路1の一実施形態における断面を示す。中央部材8は任意な形態又は形状を有することができると理解されたい。中央部材8は、さらに、同軸状導波路の他の構体が望まれる場合、多重層内に配置することができる。
図8は、中央部材8が導波路チャンネル77の中心部分に配置される同軸状導波路の一実施形態における他の断面を示す。
図9a〜9cは、多層導波路1における層のための異なる実施形態の孔パターンを示し、この場合、開口3、導波路チャンネル入口4及び出口5、並びに細長開孔7を示す。入口4及び出口5は、導波路の全体機能に影響を与えることなく場所を入れ替えることができ、すなわち、導波路内で波を案内する方向を切り替えることができる。
図9aは矩形断面を有する多層同軸状導波路を示す。頂部層2aは細長エリア6を包囲する2つの列に配列した複数の孔3を有する。細長エリア6において導波路チャンネル入口4及び導波路チャンネル出口5が配置され、双方ともに頂部層2aに貫通する貫通孔である。
第1中間層2bは、細長開孔7周りに配列され、導波路チャンネル77の一部である多数のフランジ9を示す。細長開孔7は、図示のように、入口4及び出口5間に延在して、これら入口4及び出口5を接続する。第2中間層2cは、中実部材であり、導波路1を組み立てたとき導波路チャンネル77を同軸状にする部分を創出する中央部材8を有する。第3中間層2dはフランジ付きの細長開孔7を示す。
さらに、フランジ9につき説明すると、一実施形態においてこのフランジは反転させる、すなわち、導波路チャンネル77内に突入する。
側方フランジによれば、端縁と結合して伝播する波の能力を最小化することによる漏洩を減少するという1つの利点がある。このことは、端縁における不連続性に起因する。導波路の端縁に結合する波はエネルギーを損失させ、このエネルギー損失の少なくとも一部分は本明細書記載のフランジにより阻止される。
一実施形態によれば、フランジは反転させる、すなわち、導波路チャンネル77内に突入する。
図9aは、さらに、2列の孔3及び細長エリア6を有する底部層2eを示す。
図9bは、孔3が図9aにおけるような矩形の代わりに丸いものである多層導波路1における層の他の実施形態を示す。さらに、図9bは同軸状でない多層導波路1の層を示す。
図9cは、導波路チャンネル入口4を底部層2eに配置し、また導波路チャンネル出口5を頂部層2aに配置した他の実施形態の多層同軸状導波路を示す。
図10aは、並置させた頂部層2a及び中間層2bを孔3とともに示す。
図10bは、図10aに示す頂部層2a及び中間層2bを互いに上方に重ね合わせて示す。この図からは、一実施形態における孔3のオフセットがどのように見えるかが明らかである。しかし、この発明解決策は任意の特別な設計に限定されず、EBG構体を創出する孔の任意なパターンも発明解決策の範囲内にあることに留意されたい。
図11は多層導波路1の他の実施形態を示す。図11に示すこの実施形態において、導波路は1つの追加頂部層22a及び1つの追加底部層22bを備える。これら追加層は、層全体にわたり貫通しない孔33を有する。
図12は、図11の層を備える多層導波路1を示す。図12は、さらに、導波路1が、どのようにして、この実施形態において多層導波路1の追加頂部層における開孔、孔、又は開口である導波路チャンネル入口4及び導波路チャンネル入口5を備えるかを示す。
図13は図11及び12に示す実施形態の層を示す。
図14は、独立請求項で特許請求した多層導波路の他の実施形態を示す。この多層導波路は、幾つかの他の実施形態とは別の他の形態の導波路チャンネルを有し、図14に示す実施形態に関しては、導波路チャンネルは、層の延在方向に直交するよう延在する。

Claims (18)

  1. 多層導波路(1)となるよう組み立てられる少なくとも3つの水平方向に分割した層を備え、前記層は、少なくとも頂部層(2a)、中間層(2c)、及び底部層(2e)である多層導波路デバイスであって、各層は前記層の全体に貫通する貫通孔(3)を有し、また前記貫通孔(3)は隣接層における隣接貫通孔(3)に対しオフセットして配列されて漏洩抑制構体を創出する、ことを特徴とする多層導波路デバイス。
  2. 請求項1記載の多層導波路デバイスにおいて、前記孔(3)は、円形、三角形、正方形、五角形、矩形、長方形、四角形、六角形、又は角形のうち任意な1つの形状である、多層導波路デバイス。
  3. 請求項1又は2記載の多層導波路デバイスにおいて、前記多層導波路(1)は導波路チャンネル(77)を有し、前記導波路チャンネル(77)はすべての層にわたり貫通する開孔である、多層導波路デバイス。
  4. 請求項1又は2記載の多層導波路デバイスにおいて、前記多層導波路(1)は導波路チャンネル(77)を有し、前記導波路チャンネル(77)は少なくとも1つの中間層(2b)における細長開孔(7)である、多層導波路デバイス。
  5. 請求項4記載の多層導波路デバイスにおいて、前記多層導波路(1)は、前記導波路チャンネル(77)の起点に整列する導波路チャンネル入口(4)と、及び前記導波路チャンネル(77)の終点に整列する導波路チャンネル出口(5)とを有し、前記導波路チャンネル入口(4)は、
    ・前記頂部層(2a)、
    ・前記底部層(2a)
    のうちいずれか一方に配置され、また前記導波路チャンネル出口(5)は、
    ・前記頂部層(2a)、
    ・前記底部層(2a)
    のうちいずれか一方に配置される、多層導波路デバイス。
  6. 請求項3〜5のうちいずれか1項記載の多層導波路デバイスにおいて、前記孔(3)の少なくとも1つの列が前記導波路チャンネル(77)の周りに配列される、多層導波路デバイス。
  7. 請求項1〜2のうちいずれか1項、又は請求項4〜6のうちいずれか1項記載の多層導波路デバイスにおいて、前記多層導波路(1)は、少なくとも第1中間層(2b)、第2中間層(2c)及び第3中間層(2d)を有し、また各中間層(2b、2c、2d)は、各中間層(2b、2c、2d)に対して同心状に配置される細長開孔(7)を有する、多層導波路デバイス。
  8. 請求項7記載の多層導波路デバイスにおいて、前記第1中間層(2b)における前記細長開孔(7)は、前記第2中間層(2c)における前記細長開孔(7)よりも長く、また前記第2中間層(2c)における前記細長開孔(7)は、前記第3中間層(2d)における前記細長開孔(7)よりも長い、多層導波路デバイス。
  9. 請求項7又は8記載の多層導波路デバイスにおいて、
    ・前記第1中間層(2b)、前記第2中間層(2c)及び前記第3中間層(2d)の各々は細長開孔(7)を有し、また
    ・前記第2中間層(2c)は、さらに、前記細長開孔(7)内に配置される中央部材(8)を有する、多層導波路デバイス。
  10. 請求項3〜9のうちいずれか1項記載の多層導波路デバイスにおいて、前記導波路チャンネル(77)は、前記導波路チャンネル(77)の延在方向に直交する方向に延在する複数の側方フランジ(9)を有する、多層導波路デバイス。
  11. 請求項1〜10のうちいずれか1項記載の多層導波路デバイスにおいて、前記多層導波路(1)は、さらに、前記頂部層(2a)の頂部に配置した第2頂部層(22a)と、及び前記底部層(2e)の下側に配置した第2底部層(22b)とを有し、前記第2頂部層(22a)及び第2底部層(22b)のうち少なくとも一方は、前記層に部分的にのみ延在する孔(33)を有する、多層導波路デバイス。
  12. 請求項1〜11のうちいずれか1項記載の多層導波路デバイスにおいて、前記多層導波路は、スロットアレイアンテナ、フィルタ、方形導波路、及び同軸状導波路のうち任意なものとして配置する、多層導波路デバイス。
  13. 請求項3〜12のうちいずれか1項記載の多層導波路(1)を備える多層導波路構成において、能動コンポーネントが前記多層導波路(1)の前記導波路チャンネル(77)に配置される、多層導波路デバイス。
  14. 請求項1〜13のうちいずれか1項記載の多層導波路(1)のための層(2a、2b、2c、2d、2e)。
  15. 多層導波路デバイスを生産する方法において、
    ・層の中央領域における細長エリア(6)を包囲する貫通孔(3)の少なくとも1つの列を有する頂部層(2a)をエッチング又はレーザー切削するステップと、
    ・層の中央領域における細長エリア(6)を包囲する貫通孔(3)の少なくとも1つの列を有する少なくとも1つの中間層(2b、2c、2d、)をエッチング又はレーザー切削し、かつ前記細長エリア(6)に細長開孔(7)をエッチング又はレーザー切削するステップと、及び
    ・層の中央領域における細長エリア(6)を包囲する貫通孔(3)の少なくとも1つの列を有する底部層(2e)をエッチング又はレーザー切削するステップと、
    を備える、方法。
  16. 請求項15記載の方法において、さらに、
    ・前記頂部層(2a)又は前記底部層(2e)のいずれか一方に導波路チャンネル入口(4)をエッチング又はレーザー切削するステップと、及び
    ・前記頂部層(2a)又は前記底部層(2e)のいずれか一方に導波路チャンネル出口(5)をエッチング又はレーザー切削するステップと、
    を備える、方法。
  17. 請求項15又は16記載の方法において、前記層は、導電性接着剤、絶縁性接着剤、又はねじのうちいずれか1つで互いに保持される、方法。
  18. 請求項15〜17のうちいずれか1項記載の方法において、多層導波路デバイスは請求項1〜12のうちいずれか1項記載の多層導波路(1)である、方法。
JP2020543457A 2017-10-27 2018-10-26 多層導波路、多層導波路構成、及びそれらの生産方法 Active JP7280884B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE1751333A SE541861C2 (en) 2017-10-27 2017-10-27 Multi-layer waveguide, arrangement, and method for production thereof
SE1751333-4 2017-10-27
PCT/SE2018/051099 WO2019083439A1 (en) 2017-10-27 2018-10-26 MULTILAYER WAVE GUIDE, ARRANGEMENT, AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021500836A true JP2021500836A (ja) 2021-01-07
JP7280884B2 JP7280884B2 (ja) 2023-05-24

Family

ID=64110004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020543457A Active JP7280884B2 (ja) 2017-10-27 2018-10-26 多層導波路、多層導波路構成、及びそれらの生産方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11495871B2 (ja)
EP (1) EP3701587A1 (ja)
JP (1) JP7280884B2 (ja)
KR (1) KR102594157B1 (ja)
CN (1) CN111357152B (ja)
SE (1) SE541861C2 (ja)
WO (1) WO2019083439A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE541861C2 (en) 2017-10-27 2019-12-27 Metasum Ab Multi-layer waveguide, arrangement, and method for production thereof
CN110718730A (zh) * 2019-10-18 2020-01-21 成都航天科工微电子***研究院有限公司 一种e波段低损耗ebg多层集成带通滤波器
SE544108C2 (en) * 2019-10-18 2021-12-28 Metasum Ab Multi-layer filter, arrangement, and method for production thereof
SE544044C2 (en) * 2020-06-09 2021-11-16 Metasum Ab Multi-layer waveguide with metasurface, arrangement, and method for production thereof
US11757166B2 (en) 2020-11-10 2023-09-12 Aptiv Technologies Limited Surface-mount waveguide for vertical transitions of a printed circuit board
US11749883B2 (en) 2020-12-18 2023-09-05 Aptiv Technologies Limited Waveguide with radiation slots and parasitic elements for asymmetrical coverage
US11901601B2 (en) 2020-12-18 2024-02-13 Aptiv Technologies Limited Waveguide with a zigzag for suppressing grating lobes
US11444364B2 (en) 2020-12-22 2022-09-13 Aptiv Technologies Limited Folded waveguide for antenna
US11616306B2 (en) 2021-03-22 2023-03-28 Aptiv Technologies Limited Apparatus, method and system comprising an air waveguide antenna having a single layer material with air channels therein which is interfaced with a circuit board
US11962085B2 (en) 2021-05-13 2024-04-16 Aptiv Technologies AG Two-part folded waveguide having a sinusoidal shape channel including horn shape radiating slots formed therein which are spaced apart by one-half wavelength
US11616282B2 (en) 2021-08-03 2023-03-28 Aptiv Technologies Limited Transition between a single-ended port and differential ports having stubs that match with input impedances of the single-ended and differential ports
US11688918B1 (en) * 2022-04-05 2023-06-27 Software Defined Technologies, Inc. Devices based on wave localization and methods for their use
SE546092C2 (en) * 2022-06-21 2024-05-21 Trxmems Ab A multi-layer waveguide arrangement
SE2230199A1 (en) * 2022-06-21 2023-12-22 Trxmems Ab A waveguide arrangement

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01135102A (ja) * 1987-10-02 1989-05-26 American Teleph & Telegr Co <Att> セラミックパッケージ
JPH0884005A (ja) * 1994-03-08 1996-03-26 Hughes Aircraft Co 空洞内のスロットを通るストリップラインあるいはマイクロストリップの層間の相互接続
WO2009084697A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Kyocera Corporation 高周波伝送線路の接続構造、配線基板、高周波モジュールおよびレーダ装置
US20120206311A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-16 Korea University Research And Business Foundation Dielectric waveguide antenna
JP2012209655A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Mitsubishi Electric Corp 多層導波管、及びその製造方法
KR20140037416A (ko) * 2012-09-18 2014-03-27 한국전자통신연구원 기판 집적 도파관 결합기

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3292115A (en) * 1964-09-11 1966-12-13 Hazeltine Research Inc Easily fabricated waveguide structures
US5382931A (en) 1993-12-22 1995-01-17 Westinghouse Electric Corporation Waveguide filters having a layered dielectric structure
JP3366552B2 (ja) 1997-04-22 2003-01-14 京セラ株式会社 誘電体導波管線路およびそれを具備する多層配線基板
US6154106A (en) 1998-08-27 2000-11-28 Merrimac Industries, Inc. Multilayer dielectric evanescent mode waveguide filter
SE514630C2 (sv) 1999-07-09 2001-03-26 Ericsson Telefon Ab L M Metod för framställning av mikrovågsfilter, samt mikrovågsfilter framställt enligt denna metod
JP3346752B2 (ja) * 1999-11-15 2002-11-18 日本電気株式会社 高周波パッケージ
ITMI20021415A1 (it) 2002-06-27 2003-12-29 Siemens Inf & Comm Networks Filtro non sintonizzabile in guida d'onda dielettrica rettangolare
JP2004104816A (ja) * 2003-10-06 2004-04-02 Kyocera Corp 誘電体導波管線路および配線基板
DE102007028799A1 (de) * 2007-06-19 2008-12-24 Technische Universität Ilmenau Impedanzkontrolliertes koplanares Wellenleitersystem zur dreidimensionalen Verteilung von Signalen hoher Bandbreite
BRPI0914914B1 (pt) * 2008-07-07 2021-12-14 Gapwaves Ab Dispositivo de micro-ondas
CN101783336A (zh) * 2009-01-19 2010-07-21 庄晴光 互补式金属传输线结构
WO2010114079A1 (ja) * 2009-03-31 2010-10-07 京セラ株式会社 回路基板、ならびに、高周波モジュールおよびレーダ装置
WO2013139656A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 Danmarks Tekniske Universitet Folded waveguide resonator
EP3224899A4 (en) 2014-12-03 2018-08-22 Nuvotronics, Inc. Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines
FR3034262B1 (fr) 2015-03-23 2018-06-01 Thales Matrice de butler compacte, formateur de faisceaux bidimensionnel planaire et antenne plane comportant une telle matrice de butler
JP2017046344A (ja) 2015-08-26 2017-03-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 コネクタ装置及び通信装置
CN105958167B (zh) * 2016-07-01 2019-03-05 北京交通大学 垂直基片集成波导及包括该波导的垂直连接结构
CN206564313U (zh) * 2017-01-16 2017-10-17 华南理工大学 一种基于多层开槽介质板堆叠的环形腔体滤波器
CN106941203B (zh) 2017-03-14 2019-01-29 西安电子科技大学 基于超传输的高q值级联弯折波导腔体滤波器
US20180375185A1 (en) 2017-06-26 2018-12-27 WGR Co., Ltd. Electromagnetic wave transmission device
US11387529B2 (en) 2017-10-13 2022-07-12 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Waveguides interconnected by flanges having glide symmetrically positioned holes disposed therein
SE541861C2 (en) 2017-10-27 2019-12-27 Metasum Ab Multi-layer waveguide, arrangement, and method for production thereof
RU2696676C1 (ru) 2018-12-06 2019-08-05 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Гребневый волновод без боковых стенок на базе печатной платы и содержащая его многослойная антенная решетка
CN110646868B (zh) 2019-09-10 2021-04-02 武汉邮电科学研究院有限公司 一种基于石墨烯和三层超表面的耦合器结构及制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01135102A (ja) * 1987-10-02 1989-05-26 American Teleph & Telegr Co <Att> セラミックパッケージ
JPH0884005A (ja) * 1994-03-08 1996-03-26 Hughes Aircraft Co 空洞内のスロットを通るストリップラインあるいはマイクロストリップの層間の相互接続
WO2009084697A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Kyocera Corporation 高周波伝送線路の接続構造、配線基板、高周波モジュールおよびレーダ装置
US20120206311A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-16 Korea University Research And Business Foundation Dielectric waveguide antenna
JP2012209655A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Mitsubishi Electric Corp 多層導波管、及びその製造方法
KR20140037416A (ko) * 2012-09-18 2014-03-27 한국전자통신연구원 기판 집적 도파관 결합기

Also Published As

Publication number Publication date
JP7280884B2 (ja) 2023-05-24
KR20200066643A (ko) 2020-06-10
WO2019083439A1 (en) 2019-05-02
SE541861C2 (en) 2019-12-27
CN111357152A (zh) 2020-06-30
SE1751333A1 (en) 2019-04-28
KR102594157B1 (ko) 2023-10-25
CN111357152B (zh) 2021-10-29
EP3701587A1 (en) 2020-09-02
US20200251799A1 (en) 2020-08-06
US11495871B2 (en) 2022-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2021500836A (ja) 多層導波路、多層導波路構成、及びそれらの生産方法
EP3460908B1 (en) Phased array antenna
US10498000B2 (en) Microwave or millimeter wave RF part realized by die-forming
US8358185B2 (en) Waveguide connection between a dielectric substrate and a waveguide substrate having a choke structure in the dielectric substrate
JP5616338B2 (ja) 平行な伝導表面間のギャップにおける導波管と伝送ライン
US20230223671A1 (en) Multi-layer waveguide with metasurface, arrangement, and method for production thereof
SE513586C2 (sv) Metod för framställning av en antennstruktur och antennstruktur framställd medelst nämnda metod
KR20220141821A (ko) 가변 모듈형 안테나 장치
WO2018037911A1 (ja) 伝送線路
CN111095671B (zh) 电介质滤波器、阵列天线装置
CN114521305B (zh) 多层滤波器、布置及其生产方法
JP2011182039A (ja) 高周波用伝送線路基板
JP2014138191A (ja) コルゲートホーン
SE2130069A1 (en) Contactless millimetre-wave array antenna element
US7586455B2 (en) Method and apparatus for antenna systems
Wu et al. Artificially integrated synthetic rectangular waveguide
JP6723412B1 (ja) モード変換器
Bayat-Makou New Integrated Waveguides Concept and Development of Substrate Integrated Antennas with Controlled Boundary Conditions
WO2024128953A1 (en) Antenna array with filtering properties
KR20130008816A (ko) 주파수 선택 표면을 이용한 다중 대역 필터

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210630

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220809

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20221108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230418

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230512

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7280884

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350