JP2021161206A - 樹脂組成物、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物を得ることができる樹脂組成物；並びに、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含む樹脂組成物であって、硬化物の平均線熱膨張係数αを、当該硬化物の架橋密度ｎで除した値Ｚ_ｉ（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）が１０＜Ｚ_ｉ＜１００を満たす、樹脂組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置に関する。

半導体装置用のプリント配線板は、絶縁層を含む。この絶縁層を構成する絶縁材料として樹脂組成物が用いられている。特許文献１には、熱硬化性化合物と、硬化剤とを含む絶縁材料が開示されている（請求項１参照）。このような絶縁層には、金属からなる導体が配線層として形成される場合がある。

特開２０１７−１８８６６７号公報

ここで、配線層を形成する工程において、薬品（例えば、ポジ型フォトレジスト用剥離液としての強アルカリ水溶液）が用いられる。そのため、樹脂組成物の硬化物には、優れた耐薬品性が求められる。

他方で、半導体チップを封止する場合（特に、半導体チップの片面を封止する場合）、応力の偏りに起因して、反りが発生することがある。そのため、反りを抑制することが求められる。

しかしながら、発明者の研究結果によれば、樹脂組成物において、硬化物の機械的強度を高める成分（例えば、無機充填材）の含有量を高めると、反りを抑制することがより困難となる傾向にあり、他方で、樹脂組成物に硬化物の柔軟性を高める成分を配合すると、耐薬品性が損なわれる傾向にあるとことが分かった。すなわち、優れた耐薬品性と反りの抑制とを両立させることは困難である。

本発明の課題は、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物を得ることができる樹脂組成物；並びに、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置を提供することにある。

本発明者は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含む樹脂組成物について鋭意検討した結果、樹脂組成物の硬化物の平均線熱膨張係数αと、当該硬化物の架橋密度ｎとをパラメーターとして用い、平均線熱膨張係数αを架橋密度ｎで除した値Ｚ_ｉ（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）が、１０＜Ｚ_ｉ＜１００を満たすことで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含む樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物を１５０℃で６０分硬化させることによって得られる硬化物の平均線熱膨張係数α（ｐｐｍ／Ｋ）を、当該硬化物の架橋密度ｎ（ｍｏｌ／ｃｍ^３）で除した値Ｚ_ｉ（ｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）が、下記式：
１０＜Ｚ_ｉ＜１００
を満たす、樹脂組成物。
［２］ さらに、（Ｃ）無機充填剤を含む、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、８０質量％以上である、［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ （Ｂ）成分が、酸無水物系硬化剤、マレイミド系硬化剤、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、アミン系硬化剤、及び、シアネートエステル系硬化剤から選ばれる１種以上の硬化剤を含む、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］ （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．５質量％以上である、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ （Ａ）成分が、（Ａ−１）液状エポキシ樹脂及び（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂から選択される１種以上である、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ （Ａ−２）固体状エポキシ樹脂の含有量が、（Ａ）成分の含有量を１００質量％とした場合、１０質量％以下である、［６］に記載の樹脂組成物。
［８］ （Ａ−１）成分の含有量の（Ａ−２）成分の含有量に対する質量比（（Ａ−１）：（Ａ−２））が、１：０〜１：０．１の範囲内にある、［６］又は［７］に記載の樹脂組成物。
［９］ 前記硬化物のガラス転移温度Ｔｇ（℃）が、１５０〜２４０℃の範囲内にある、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］ 前記硬化物の平均線熱膨張係数αが、２１ｐｐｍ／Ｋ以下である、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］ 前記硬化物の貯蔵弾性率Ｅ’が、１．００×１０^９Ｐａ超である、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］ 前記硬化物の架橋密度ｎが、０．５０ｍｏｌ／ｃｍ^３未満である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］ 前記硬化物の架橋密度ｎが、０．１６ｍｏｌ／ｃｍ^３以上である、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１４］ 絶縁層形成用である、［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１５］ ソルダーレジスト層形成用である、［１］〜［１４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１６］ ［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物を含んで形成された樹脂ペースト。
［１７］ ［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物又は［１６］に記載の樹脂ペーストの硬化物。
［１８］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
［１９］ ［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物若しくは［１６］に記載の樹脂ペーストの硬化物又は［１７］に記載の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
［２０］ ［１９］に記載のプリント配線板と、当該プリント配線板に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
［２１］ 半導体チップと、当該半導体チップを封止する［１］〜［１５］のいずれかに記載の樹脂組成物若しくは［１６］に記載の樹脂ペーストの硬化物又は［１７］に記載の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。
［２２］ ［１９］に記載のプリント配線板、又は、［２０］若しくは［２１］に記載の半導体チップパッケージを含む、半導体装置。

本発明によれば、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物を得ることができる樹脂組成物；並びに、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置を提供することができる。

以下、本発明の樹脂組成物、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置について詳細に説明する。

［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含む樹脂組成物であり、当該樹脂組成物を１５０℃で６０分硬化することによって得られる硬化物の平均線熱膨張係数αを、当該硬化物の架橋密度ｎで除した値Ｚ_ｉ（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）が後述する数値範囲内にある。この樹脂組成物によれば、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物を得ることができる。このような樹脂組成物を用いれば、樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置を提供することができる。

本発明の樹脂組成物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に組み合わせて、さらに任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤及び（Ｅ）その他の添加剤等が挙げられる。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。

＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂とは、分子中に１個以上のエポキシ基を有する樹脂をいう。樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂を含有することで、架橋構造を有する硬化物を得ることができる。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ樹脂は、分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、５０質量％以上は分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。

エポキシ樹脂は、（Ａ−１）液状エポキシ樹脂であってもよいし、（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂であってもよい。樹脂組成物は、（Ａ−１）液状エポキシ樹脂と、（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含んでいてもよい。

（（Ａ−１）液状エポキシ樹脂）
（Ａ−１）液状エポキシ樹脂とは、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂をいう。樹脂組成物は、（Ａ−１）液状エポキシ樹脂を含むことが好ましい。ここで、液状エポキシ樹脂は、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度を低下させる傾向にある成分の１つであるが、本発明によれば、樹脂組成物が斯かる成分を含んでいても平均線熱膨張係数が十分に低く耐熱性に優れる硬化物を得ることが可能である。

液状エポキシ樹脂としては、分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、分子中に２個以上のエポキシ基を有する芳香族系液状エポキシ樹脂がより好ましい。本発明において、芳香族系のエポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環を有するエポキシ樹脂を意味する。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂がより好ましい。

液状エポキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製「ＹＸ７４００」；ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ−４０３２−ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物中の（Ａ−１）成分の含有量は、（Ａ−１）成分を含むことによる効果（例えば、取り扱い性の向上、相溶性の向上）を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上、特に好ましくは２質量％以上である。（Ａ−１）成分の含有量の上限は、本発明の効果が過度に損なわれない限り特に限定されないが、４０質量％以下、３５質量％以下、３０質量％以下又は２５質量％以下とし得る。

（（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂）
固体状エポキシ樹脂とは、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂をいう。樹脂組成物は、（Ａ）成分として、（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂だけを含んでいてもよいが、架橋密度を高める観点から、（Ａ−１）液状エポキシ樹脂と組み合わせて（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂を含むことも好ましい。固体状エポキシ樹脂としては、分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましい。

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフトール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ７２００Ｌ」、「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」、「ＨＰ６０００Ｌ」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」；三菱ケミカル社製の「１５７Ｓ７０」（ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物中の（Ａ−２）成分の含有量は、（Ａ−２）成分を含むことによる効果（例えば、平均線熱膨張係数を低くする観点又は耐熱性向上、又は良好な架橋密度）を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上、特に好ましくは０．２質量％以上である。（Ａ−２）成分の含有量の上限は、本発明の効果が過度に損なわれない限り特に限定されないが、架橋密度を適度に抑える観点から、１０質量％以下、８質量％以下、５質量％以下、３質量％以下又は１質量％以下とし得る。

（Ａ）成分として、（Ａ−１）液状エポキシ樹脂と（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．０１〜１：０．８の範囲が好ましい。（Ａ−１）液状エポキシ樹脂と（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）樹脂組成物成形体の形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）樹脂組成物成形体の形態で使用する場合に取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果を得る観点及び架橋密度を適度に抑える観点から、（Ａ−１）液状エポキシ樹脂と（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．０１〜１：０．５の範囲がより好ましく、１：０．０１〜１：０．１の範囲がさらに好ましい。

樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量は、本発明の所期の効果を奏する観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上、特に好ましくは３質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、７０質量％以下、６０質量％以下、５０質量％又は３５質量％以下とし得る。

（Ａ）成分のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは７０ｇ／ｅｑ．〜２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは７０ｇ／ｅｑ．〜１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり強度及び耐熱性に優れる硬化物をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

（Ａ）成分の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

＜（Ｂ）硬化剤＞
樹脂組成物は、（Ｂ）硬化剤を含有する。（Ｂ）成分としては、（Ａ）成分を硬化する機能を有するものを用いることができる。樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂とともに（Ｂ）硬化剤を含有することで、耐熱性に優れる硬化物を得ることができる。（Ｂ）成分は、温度２０℃で液状の硬化剤（以下、「液状硬化剤」ともいう）であってもよいし、温度２０℃で固体状の硬化剤（以下、「固体状硬化剤」ともいう）であってもよいし、これらを組み合わせてもよい。好ましくは、（Ｂ）成分は、液状硬化剤を含み、必要に応じてさらに固体状硬化剤を含む。

（Ｂ）硬化剤としては、例えば、酸無水物系硬化剤、マレイミド系硬化剤、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、アミン系硬化剤、及び、シアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上の硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

中でも、本発明の所期の効果を高める観点から、（Ｂ）成分は、酸無水物系硬化剤を含むことが好ましい。

酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられ、１分子内中に２個以上の酸無水物基を有する硬化剤が好ましい。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。酸無水物系硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＨＮＡ−１００」、「ＭＨ−７００」、「ＭＴＡ−１５」、「ＤＤＳＡ」、「ＯＳＡ」、三菱ケミカル社製の「ＹＨ−３０６」、「ＹＨ−３０７」、日立化成社製の「ＨＮ−２２００」、「ＨＮ−５５００」等が挙げられる。

アミン系硬化剤としては、１分子内中に１個以上、好ましくは２個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−１００」、「カヤハードＡ−Ａ」、「カヤハードＡ−Ｂ」、「カヤハードＡ−Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」、住友精化社製「ＤＴＤＡ」等が挙げられる。

（マレイミド系硬化剤）
マレイミド系硬化剤としては、（Ｂ−２ａ）分子中に、置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキレン基の少なくともいずれかの炭化水素鎖を有するマレイミド化合物（以下、「脂肪族構造含有マレイミド化合物」ともいうことがある。）を挙げることができる。また、マレイミド系硬化剤としては、（Ｂ−２ｂ）（Ｂ−２ａ）成分以外のマレイミド系硬化剤を挙げることができる。マレイミド系硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。マレイミド系硬化剤は（Ｂ−２ａ）成分を含むことが好ましく、さらに組み合わせて（Ｂ−２ｂ）成分を含んでいてもよい。

マレイミド系硬化剤は、下記式で表されるマレイミド基を少なくとも１つ分子中に含有する化合物であり、脂肪族構造含有マレイミド化合物であることが好ましい。下記式に示す構造において、窒素原子の３つの結合手のうち他の原子と結合していない１つの結合手は単結合を意味する。

マレイミド系硬化剤における１分子当たりのマレイミド基の数は、１個以上であり、本発明の所期の効果を高める観点から、好ましくは２個以上、より好ましくは３個以上であり、上限は限定されるものではないが、１０個以下、６個以下、４個以下、又は３個以下とし得る。

脂肪族構造含有マレイミド化合物が有する炭素原子数が５以上のアルキル基の炭素原子数は、好ましくは６以上、より好ましくは８以上、好ましくは５０以下、より好ましくは４５以下、さらに好ましくは４０以下である。このアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、中でも直鎖状が好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。炭素原子数が５以上のアルキル基は、炭素原子数が５以上のアルキレン基の置換基であってもよい。

炭素原子数が５以上のアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは６以上、より好ましくは８以上、好ましくは５０以下、より好ましくは４５以下、さらに好ましくは４０以下である。このアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、中でも直鎖状が好ましい。ここで、環状のアルキレン基とは、環状のアルキレン基のみからなる場合と、直鎖状のアルキレン基と環状のアルキレン基との両方を含む場合も含める概念である。このようなアルキレン基としては、例えば、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基、ヘプタデシレン基、ヘキサトリアコンチレン基、オクチレン−シクロヘキシレン構造を有する基、オクチレン−シクロヘキシレン−オクチレン構造を有する基、プロピレン−シクロヘキシレン−オクチレン構造を有する基等が挙げられる。

脂肪族構造含有マレイミド化合物は、本発明の所期の効果を高める観点から、（Ｂ−１ａ）分子中に、置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキレン基の少なくともいずれかの炭化水素鎖を有するマレイミド化合物であり、炭素原子数が５以上のアルキル基及び炭素原子数が５以上のアルキレン基の両方を有するマレイミド化合物であることが好ましい。

炭素原子数が５以上のアルキル基及び炭素原子数が５以上のアルキレン基は、鎖状であってもよいが、少なくとも一部の炭素原子が互いに結合して環を形成していてもよく、環構造は、スピロ環や縮合環も含む。互いに結合して形成された環としては、例えば、シクロヘキサン環等が挙げられる。

炭素原子数が５以上のアルキル基及び炭素原子数が５以上のアルキレン基は、置換基を有していなくても、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、−ＯＨ、−Ｏ−Ｃ_１−１０アルキル基、−Ｎ（Ｃ_１−１０アルキル基）_２、Ｃ_１−１０アルキル基、Ｃ_６−１０アリール基、−ＮＨ_２、−ＣＮ、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｃ_１−１０アルキル基、−ＣＯＯＨ、−Ｃ（Ｏ）Ｈ、−ＮＯ_２等が挙げられる。ここで、「Ｃ_ｘ−ｙ」（ｘ及びｙは正の整数であり、ｘ＜ｙを満たす。）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｘ〜ｙであることを表す。例えば、「Ｃ_１−１０アルキル基」という表現は、炭素原子数１〜１０のアルキル基を示す。これら置換基は、互いに結合して環を形成していてもよく、環構造は、スピロ環や縮合環も含む。ここで、置換基の炭素原子数は、炭素原子数が５以上のアルキル基及び炭素原子数が５以上のアルキレン基の炭素原子数には含めない。上述の置換基は、さらに置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。二次置換基としては、特に記載のない限り、上述の置換基と同じものを用いてよい。

脂肪族構造含有マレイミド化合物において、炭素原子数が５以上のアルキル基及び炭素原子数が５以上のアルキレン基は、マレイミド基の窒素原子に直接結合していることが好ましい。

脂肪族構造含有マレイミド化合物の１分子当たりのマレイミド基の数は、１個でもよいが、好ましくは２個以上であり、好ましくは１０個以下、より好ましく６個以下、特に好ましくは３個以下である。脂肪族構造含有マレイミド化合物が１分子当たり２個以上のマレイミド基を有することにより、本発明の所期の効果を高めることができる。

脂肪族構造含有マレイミド化合物は、下記一般式（Ｂ１）で表されるマレイミド化合物であることが好ましい。

Ｍは、置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキレン基を表す。Ｍのアルキレン基は、上記した炭素原子数が５以上のアルキレン基と同様である。Ｍの置換基としては、例えば、ハロゲン原子、−ＯＨ、−Ｏ−Ｃ_１−１０アルキル基、−Ｎ（Ｃ_１−１０アルキル基）_２、Ｃ_１−１０アルキル基、Ｃ_６−１０アリール基、−ＮＨ_２、−ＣＮ、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｃ_１−１０アルキル基、−ＣＯＯＨ、−Ｃ（Ｏ）Ｈ、−ＮＯ_２等が挙げられる。ここで、「Ｃ_ｘ−ｙ」（ｘ及びｙは正の整数であり、ｘ＜ｙを満たす。）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｘ〜ｙであることを表す。例えば、「Ｃ_１−１０アルキル基」という表現は、炭素原子数１〜１０のアルキル基を示す。これら置換基は、互いに結合して環を形成していてもよく、環構造は、スピロ環や縮合環も含む。上述の置換基は、さらに置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。二次置換基としては、特に記載のない限り、上述の置換基と同じものを用いてよい。Ｍの置換基は、好ましくは炭素原子数が５以上のアルキル基である。ここで、置換基の炭素原子数は、炭素原子数が５以上のアルキレン基の炭素原子数には含めない。

Ｌは単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^０−（Ｒ^０は水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基）、酸素原子、硫黄原子、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^０−、フタルイミド由来の２価の基、ピロメリット酸ジイミド由来の２価の基、及びこれら２種以上の２価の基の組み合わせからなる基等が挙げられる。アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、フタルイミド由来の２価の基、ピロメリット酸ジイミド由来の２価の基、及び２種以上の２価の基の組み合わせからなる基は、炭素原子数が５以上のアルキル基を置換基として有していてもよい。

フタルイミド由来の２価の基とは、フタルイミドから誘導される２価の基を表し、具体的には以下の一般式で表される基である。式中、「＊」は結合手を表す。

ピロメリット酸ジイミド由来の２価の基とは、ピロメリット酸ジイミドから誘導される２価の基を表し、具体的には以下の一般式で表される基である。式中、「＊」は結合手を表す。

Ｌにおける２価の連結基としてのアルキレン基は、炭素原子数１〜５０のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１〜４５のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数１〜４０のアルキレン基が特に好ましい。このアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチルエチレン基、シクロヘキシレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基、ヘプタデシレン基、ヘキサトリアコンチレン基、オクチレン−シクロヘキシレン構造を有する基、オクチレン−シクロヘキシレン−オクチレン構造を有する基、プロピレン−シクロヘキシレン−オクチレン構造を有する基等が挙げられる。

Ｌにおける２価の連結基としてのアルケニレン基は、炭素原子数２〜２０のアルケニレン基が好ましく、炭素原子数２〜１５のアルケニレン基がより好ましく、炭素原子数２〜１０のアルケニレン基が特に好ましい。このアルケニレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。このようなアルケニレン基としては、例えば、メチルエチレニレン基、シクロヘキセニレン基、ペンテニレン基、へキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基等が挙げられる。

Ｌにおける２価の連結基としてのアルキニレン基は、炭素原子数２〜２０のアルキニレン基が好ましく、炭素原子数２〜１５のアルキニレン基がより好ましく、炭素原子数２〜１０のアルキニレン基が特に好ましい。このアルキニレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。このようなアルキニレン基としては、例えば、メチルエチニレン基、シクロヘキシニレン基、ペンチニレン基、へキシニレン基、ヘプチニレン基、オクチニレン基等が挙げられる。

Ｌにおける２価の連結基としてのアリーレン基は、炭素原子数６〜２４のアリーレン基が好ましく、炭素原子数６〜１８のアリーレン基がより好ましく、炭素原子数６〜１４のアリーレン基がさらに好ましく、炭素原子数６〜１０のアリーレン基がさらにより好ましい。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基等が挙げられる。

Ｌにおける２価の連結基であるアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、及びアリーレン基は置換基を有していてもよい。置換基としては、一般式（Ｂ１）中のＭの置換基と同様であり、好ましくは炭素原子数が５以上のアルキル基である。

Ｌにおける２種以上の２価の基の組み合わせからなる基としては、例えば、アルキレン基、フタルイミド由来の２価の基及び酸素原子との組み合わせからなる２価の基；フタルイミド由来の２価の基、酸素原子、アリーレン基及びアルキレン基の組み合わせからなる２価の基；アルキレン基及びピロメリット酸ジイミド由来の２価の基の組み合わせからなる２価の基；等が挙げられる。２種以上の２価の基の組み合わせからなる基は、それぞれの基の組み合わせにより縮合環等の環を形成してもよい。また、２種以上の２価の基の組み合わせからなる基は、繰り返し単位数が１〜１０の繰り返し単位であってもよい。

中でも、一般式（Ｂ１）中のＬとしては、酸素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜２４のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素原子数が１〜５０のアルキレン基、炭素原子数が５以上のアルキル基、フタルイミド由来の２価の基、ピロメリット酸ジイミド由来の２価の基、又はこれらの基の２以上の組み合わせからなる２価の基であることが好ましい。中でも、Ｌとしては、アルキレン基；アルキレン基−フタルイミド由来の２価の基−酸素原子−フタルイミド由来の２価の基の構造を有する２価の基；アルキレン基−フタルイミド由来の２価の基−酸素原子−アリーレン基−アルキレン基−アリーレン基−酸素原子−フタルイミド由来の２価の基の構造を有する２価の基；アルキレン−ピロメリット酸ジイミド由来の２価の基の構造を有する２価の基がより好ましい。

脂肪族構造含有マレイミド化合物は、下記一般式（Ｂ２）で表されるマレイミド化合物であることが好ましい。

Ｍ^１はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキレン基を表す。Ｍ^１は、一般式（Ｂ１）中のＭと同様である。

Ａはそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキレン基又は置換基を有していてもよい芳香環を有する２価の基を表す。Ａにおけるアルキレン基としては、鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、中でも環状、即ち置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上の環状のアルキレン基が好ましい。アルキレン基の炭素原子数は、好ましくは６以上、より好ましくは８以上、好ましくは５０以下、より好ましくは４５以下、さらに好ましくは４０以下である。このようなアルキレン基としては、例えば、オクチレン−シクロヘキシレン構造を有する基、オクチレン−シクロヘキシレン−オクチレン構造を有する基、プロピレン−シクロヘキシレン−オクチレン構造を有する基等が挙げられる。

Ａが表す芳香環を有する２価の基における芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フタルイミド環、ピロメリット酸ジイミド環、芳香族複素環等が挙げられ、ベンゼン環、フタルイミド環、ピロメリット酸ジイミド環が好ましい。即ち、芳香環を有する２価の基としては、置換基を有していてもよいベンゼン環を有する２価の基、置換基を有していてもよいフタルイミド環を有する２価の基、置換基を有していてもよいピロメリット酸ジイミド環を有する２価の基が好ましい。芳香環を有する２価の基としては、例えば、フタルイミド由来の２価の基及び酸素原子との組み合わせからなる基；フタルイミド由来の２価の基、酸素原子、アリーレン基及びアルキレン基の組み合わせからなる基；アルキレン基及びピロメリット酸ジイミド由来の２価の基の組み合わせからなる基；ピロメリット酸ジイミド由来の２価の基；フタルイミド由来の２価の基及びアルキレン基の組み合わせからなる基；等が挙げられる。上記アリーレン基及びアルキレン基は、一般式（Ｂ１）中のＬが表す２価の連結基におけるアリーレン基及びアルキレン基と同様である。

Ａが表す、アルキレン基及び芳香環を有する２価の基は置換基を有していてもよい。置換基としては、一般式（Ｂ１）中のＭの置換基が表す置換基と同様である。

Ａが表す基の具体例としては、以下の基を挙げることができる。式中、「＊」は結合手を表す。

一般式（Ｂ２）で表されるマレイミド化合物は、下記一般式（Ｂ２−１）で表されるマレイミド化合物、及び下記一般式（Ｂ２−２）で表されるマレイミド化合物のいずれかであることが好ましい。

Ｍ^２及びＭ^３はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキレン基を表す。Ｍ^２及びＭ^３は、一般式（Ｂ１）中のＭが表す炭素原子数が５以上のアルキレン基と同様であり、ヘキサトリアコンチレン基が好ましい。

Ｒ^３０はそれぞれ独立に、酸素原子、アリーレン基、アルキレン基、又はこれら２種以上の２価の基の組み合わせからなる基を表す。アリーレン基、アルキレン基は、一般式（Ｂ１）中のＬが表す２価の連結基におけるアリーレン基及びアルキレン基と同様である。Ｒ^３０としては、２種以上の２価の基の組み合わせからなる基又は酸素原子であることが好ましい。

Ｒ^３０における２種以上の２価の基の組み合わせからなる基としては、酸素原子、アリーレン基、及びアルキレン基の組み合わせが挙げられる。２種以上の２価の基の組み合わせからなる基の具体例としては、以下の基を挙げることができる。式中、「＊」は結合手を表す。

Ｍ^４、Ｍ^６及びＭ^７はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキレン基を表す。Ｍ^４、Ｍ^６及びＭ^７は、一般式（Ｂ１）中のＭが表す置換基を有していてもよい炭素原子数が５以上のアルキレン基と同様であり、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が好ましく、オクチレン基がより好ましい。

Ｍ^５はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環を有する２価の基を表す。Ｍ^５は、一般式（Ｂ２）中のＡが表す置換基を有していてもよい芳香環を有する２価の基と同様であり、アルキレン基及びピロメリット酸ジイミド由来の２価の基の組み合わせからなる基；フタルイミド由来の２価の基及びアルキレン基の組み合わせからなる基が好ましく、アルキレン基及びピロメリット酸ジイミド由来の２価の基の組み合わせからなる基がより好ましい。

Ｍ^５が表す基の具体例としては、例えば以下の基を挙げることができる。式中、「＊」は結合手を表す。

Ｒ^３１及びＲ^３２はそれぞれ独立に炭素原子数が５以上のアルキル基を表す。Ｒ^３１及びＲ^３２は、上記した炭素原子数が５以上のアルキル基と同様であり、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基が好ましく、ヘキシル基、オクチル基がより好ましい。

ｕ１及びｕ２はそれぞれ独立に１〜１５の整数を表し、１〜１０の整数が好ましい。

脂肪族構造含有マレイミド化合物の具体例としては、以下の（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ３）及び（ｂ４）の化合物を挙げることができる。但し、脂肪族構造含有マレイミド化合物はこれら具体例に限定されるものではない。式（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ３）中、ｎ９、ｎ１０、ｎ１１は１〜１０の整数を表す。

脂肪族構造含有マレイミド化合物の具体例としては、デザイナーモレキュールズ社製の「ＢＭＩ−１５００」（式（ｂ１）の化合物）、「ＢＭＩ−１７００」（式（ｂ２）の化合物）、「ＢＭＩ−３０００Ｊ」（式（ｂ３）の化合物）及び「ＢＭＩ−６８９」（式（ｂ４）の化合物）等が挙げられる。中でも、液状のマレイミド化合物（例えば、「ＢＭＩ−６８９」）を用いることが好ましい。

マレイミド系硬化剤のマレイミド基当量は、本発明の所期の効果を高める観点から、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜２０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは１００ｇ／ｅｑ．〜１０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは１５０ｇ／ｅｑ．〜５００ｇ／ｅｑ．である。マレイミド基当量は、１当量のマレイミド基を含むマレイミド化合物の質量である。

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ―９４５１」、「ＥＸＢ―９４６０」、「ＥＸＢ―９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＨＰＣ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」、（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ―９４１６−７０ＢＫ」、「ＥＸＢ−８１００Ｌ−６５Ｔ」、「ＥＸＢ−８１５０−６５Ｔ」、「ＥＸＢ−８１５０Ｌ−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８１５０−６０Ｔ」、「ＨＰＣ−８１５０−６２Ｔ」、「ＨＰ−Ｂ−８１５１−６２Ｔ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）、スチリル基を含む活性エステル化合物として「ＰＣ１３００−０２−６５ＭＡ」（エア・ウォーター社製）等が挙げられる。

フェノール系硬化剤（活性エステル化合物を除く）及びナフトール系硬化剤（活性エステル化合物を除く）としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造又はクレゾールノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、「ＭＥＨ−８０００Ｈ」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ−４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」等が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０５」、「Ｖ−０７」、「Ｖ−０９」、「Ｅｌａｓｔｏｓｔａｂ Ｈ０１」等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ−ＯＰ１００Ｄ」、「ＯＤＡ−ＢＯＺ」、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。ベンゾオキサジン系硬化剤は、ベンゾオキサジン構造を有する化合物である。ベンゾオキサジン構造とは、置換若しくは非置換のベンゾオキサジン環（例えば、１，２−ベンゾオキサジン環、１，３−ベンゾオキサジン環）、又は、一部の二重結合が水素化されたベンゾオキサジン環（例えば、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１，３−ベンゾオキサジン環）をいう。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＵＬＬ−９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１〜１：２の範囲が好ましく、１：０．０５〜１：３がより好ましく、１：０．１〜１：１．５がさらに好ましい。ここで、（Ｂ）硬化剤の反応基とは、活性エステル基、活性水酸基等であり、（Ｂ）硬化剤の種類によって異なる。また、（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、（Ａ）エポキシ樹脂の各々の不揮発分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、（Ｂ）硬化剤の反応基の合計数とは、（Ｂ）硬化剤の各々の不揮発分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、本発明の所期の効果を高めることができる。

（Ｂ）成分の含有量は、上述した（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の量比の範囲を満たすように決定されることが好ましい。本発明の所期の効果を高める観点から、（Ｂ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、０．５質量％以上、１質量％以上、２質量％以上又は３質量％以上、５０質量％以下、４０質量％以下、３０質量％以下、２５質量％以下又は１７質量％以下としうる。

＜（Ｃ）無機充填材＞
樹脂組成物は、（Ｃ）無機充填材を含有していてもよい。樹脂組成物の硬化物の平均線熱膨張係数を小さくする観点からは、樹脂組成物が無機充填材を含むことが好ましい。

無機充填材の材料は無機化合物であれば特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。シリカの市販品として、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」、デンカ社製「ＵＦＰ−３０」、「ＵＦＰ−４０」等が挙げられる。

無機充填材の平均粒径は、通常、３０μｍ以下であり、本発明の所期の効果を高める観点から、好ましくは２５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１８μｍ以下である。平均粒径の下限は、１ｎｍ（０．００１μｍ）以上、５ｎｍ以上又は１０ｎｍ以上等とし得るが、本発明の所期の効果を高める観点から、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上、さらに好ましくは５．０μｍ以上又は１０μｍ超である。

無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２２００」等を使用することができる。

無機充填材は、埋め込み性を良好にする観点等から、表面処理剤で処理されていることが好ましく、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることがより好ましく、アミノシラン系シランカップリング剤で処理されていることがさらに好ましい。表面処理剤は、他の成分、例えば樹脂と反応する官能基、例えばエポキシ基、アミノ基又はメルカプト基を有することが好ましく、当該官能基が末端基に結合していることがより好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製シラン系カップリング剤「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製シラン系カップリング剤「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製シラン系カップリング剤「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製シラン系カップリング剤「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製シラン系カップリング剤「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製アルコキシシラン化合物「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製シラン系カップリング剤「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製シラン系カップリング剤「ＫＢＭ−７１０３」（３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。

表面処理剤による表面処理の程度は、埋め込み性を良好にする観点等から、（Ｃ）成分１００質量部に対して、０．２質量部〜５質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量部〜４質量部で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部〜３質量部で表面処理されていることが好ましい。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、埋め込み性を良好にする観点等から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、不揮発成分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

（Ｃ）成分の比表面積としては、好ましくは０．３ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは０．５ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは０．７ｍ^２／ｇ以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは６０ｍ^２／ｇ以下、５０ｍ^２／ｇ以下又は４０ｍ^２／ｇ以下である。比表面積は、ＢＥＴ法に従って、ＢＥＴ全自動比表面積測定装置（マウンテック社製「Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ−１２１０」）を使用して試料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて比表面積を算出することで得られる。

（Ｃ）成分の含有量は、樹脂組成物の硬化物の平均線熱膨張係数を小さくする観点等から、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは５０質量％以上、さらに好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上、７５質量％以上又は８０質量％以上である。上限は、特に限定されないが、通常９６質量％以下であり、９５質量％以下又は９４質量％以下とし得る。本発明では実施例で例証されたように、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、（Ｃ）成分の含有量が８０質量％以上であっても、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物が得られたことが確認されている。

＜（Ｄ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（Ｄ）硬化促進剤を含有し得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成社製イミダゾール化合物「１Ｂ２ＰＺ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」、四国化成社製「２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ」等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

樹脂組成物が（Ｄ）成分を含有する場合、（Ｄ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、通常０．００１質量％以上、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０２質量％以上である。上限は、好ましくは３質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。これにより、樹脂組成物の硬化を確実に促進することができる。

＜（Ｅ）任意の添加剤＞
一実施形態において、樹脂組成物は、さらに必要に応じて、（Ｅ）他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、シロキサン化合物、熱可塑性樹脂、有機充填材、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。（Ｅ）成分の含有量は、本発明の所期の効果を過度に損なわない限り、任意であるが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、例えば、０．１質量％以上、０．３質量％以上又は０．５質量％以上であり、例えば、１５質量％以下、１３質量％以下又は１０質量％以下とし得る。

（シロキサン化合物）
シロキサン化合物とは、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合を有する化合物をいう。シロキサン化合物は、反応性を有する官能基を含むことが好ましい。反応性を有する官能基は、例えば、水酸基である。したがって、シロキサン化合物は、１個以上（好ましくは２個以上）の水酸基を有し且つ１個以上（好ましくは２個以上、特に好ましくは２個以上が繰り返し連続する）のシロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合を有する化合物（以下、「（Ｅ−１）成分」又は「水酸基含有シロキサン化合物」ともいう）であることが好ましい。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物は、環状シロキサン骨格を有するシロキサン化合物であっても、鎖状シロキサン骨格を有するシロキサン化合物であってもよいが、鎖状シロキサン骨格を有するシロキサン化合物であることが好ましい。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物における水酸基の数は、特に限定されないが、１分子中、好ましくは１０個以下、より好ましくは５個以下であり得る。（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物は、水酸基含有鎖状シロキサン化合物である場合、側鎖に水酸基を有する側鎖型、両末端に水酸基を有する両末端型、側鎖と末端の両方に水酸基を有する側鎖末端型のいずれであってもよい。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物におけるシロキサン結合を形成するケイ素原子の数は、特に限定されないが、１分子中、下限として、好ましくは２個以上、より好ましくは３個以上、特に好ましくは５個以上、上限として、好ましくは２，０００個以下、より好ましくは１，０００個以下、特に好ましくは５００個以下であり得る。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物におけるケイ素原子は、シロキサン結合形成に関与しない全ての置換可能部位が、水酸基を有するか又は有さない１価の有機基で置換されていることが好ましく、水酸基を有するか又は有さない任意置換の１価の炭化水素基で置換されていることがより好ましい。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物は、好ましくは、式（１）：

［式中、２ｎ＋２個のＲ^１及び２個のＲ^２のうち少なくとも２個が、独立して、１個以上の水酸基を有する任意置換の１価の炭化水素基を示し、且つその他が、独立して、任意置換の１価の炭化水素基を示すか；或いは２ｎ＋２個のＲ^１のうち少なくとも２個が、独立して、１個以上の水酸基を有する任意置換の１価の炭化水素基を示し、その他が、独立して、任意置換の１価の炭化水素基を示し、且つ２個のＲ^２が、一緒になって１個の−Ｏ−を示して互いに結合し、環状シロキサン骨格を形成する。ｎは、２以上の整数を示す。］
で表されるシロキサン化合物である。

「１価の炭化水素基」としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基又はこれらの組み合わせであり得、組み合わせとしては、アリール基、アルケニル基及び／又はアルキルで置換されたアリール基；アリール基置換のアルキル基；アリール基置換のアルケニル基等が挙げられるが特に限定されない。

「１個以上の水酸基を有する任意置換の１価の炭化水素基」とは、１個以上の任意の置換基を有していてもよい１価の炭化水素基であって、少なくとも１個の水酸基を有する基を意味する。「任意置換の１価の炭化水素基」とは、１個以上の任意の置換基を有していてもよい１価の炭化水素基を意味する（ただし、「１個以上の水酸基を有する任意置換の１価の炭化水素基」と区別して、水酸基を有しないことを意味する。）。

「アルキル（基）」とは、直鎖、分枝鎖及び／又は環状の１価の脂肪族飽和炭化水素基をいう。「アルキル（基）」は、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜６のアルキル基がより好ましい。「アルキル（基）」としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基等が挙げられる。

「アルケニル（基）」とは、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する直鎖、分枝鎖及び／又は環状の１価の脂肪族不飽和炭化水素基をいう。「アルケニル（基）」は、炭素原子数２〜１０のアルケニル基が好ましく、炭素原子数２〜６のアルケニル基がより好ましい。「アルケニル（基）」としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−メチル−１−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、４−メチル−３−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、２−シクロヘキセニル基等が挙げられる。

「アリール（基）」とは、１価の芳香族炭化水素基をいう。「アリール（基）」は、炭素原子数６〜１０のアリール基が好ましい。「アリール（基）」としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。

「任意置換の１価の炭化水素基」における任意の置換基としては、特に限定されるものではないが、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル−オキシ基、モノ又はジ（アルキル）−アミノ基、アルキル−カルボニル基、アルキル−オキシ−カルボニル基、モノ又はジ（アルキル）−アミノ−カルボニル基、アルキル−カルボニル−オキシ基、モノ又はジ（アルキル−カルボニル）−アミノ基、アルケニル−オキシ基、モノ又はジ（アルケニル）−アミノ基、アルケニル−カルボニル基、アルケニル−オキシ−カルボニル基、モノ又はジ（アルケニル）−アミノ−カルボニル基、アルケニル−カルボニル−オキシ基、モノ又はジ（アルケニル−カルボニル）−アミノ基、アリール−オキシ基、モノ又はジ（アリール）−アミノ基、アリール−カルボニル基、アリール−オキシ−カルボニル基、モノ又はジ（アリール）−アミノ−カルボニル基、アリール−カルボニル−オキシ基、モノ又はジ（アリール−カルボニル）−アミノ基、アリール−オキシ基、アリール−カルボニル基、アリール−オキシ−カルボニル基、アリール−カルボニル−オキシ基等、或いはこれらの組み合わせが挙げられる。置換基数としては、１〜３個であることが好ましい。

式（１）における、「１個以上の水酸基を有する任意置換の１価の炭化水素基」は、例えば、１個以上の水酸基を有するアルキル基、１個以上の水酸基を有するアルケニル基、１個以上の水酸基を有するアリール基、１個以上の水酸基を有するアリール基置換のアルキル基、１個以上の水酸基を有するアリール基置換のアルケニル基、１個以上の水酸基を有するアルキル基置換のアリール基、１個以上の水酸基を有するアルケニル基置換のアリール基、１個以上の水酸基を有するアリール基置換のアリール基等が挙げられ、１個以上の水酸基を有するアルキル基、又は１個以上の水酸基を有するアリール基置換のアルキル基であることが好ましい。「１個以上の水酸基を有する任意置換の１価の炭化水素基」における水酸基の数は、１〜３個であることが好ましく、特に好ましくは１個である。「１個以上の水酸基を有する任意置換の１価の炭化水素基」は、異なるケイ素原子に結合していることが好ましい。一実施形態では、水酸基は、アリール（基）上に存在することにより、フェノール性水酸基であることが好ましい。すなわち、一実施形態では、（Ｂ−１）水酸基含有シロキサン化合物は、（Ｃ）エポキシ樹脂との反応性の観点から、フェノール性水酸基含有シロキサン化合物であることが好ましい。

式（１）における、「任意置換の１価の炭化水素基」は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリール基置換のアルキル基、アリール基置換のアルケニル基、アルキル基置換のアリール基、アルケニル基置換のアリール基、アリール基置換のアリール基等が挙げられ、アルキル基であることが好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

式（１）において、好ましくは、２ｎ＋２個のＲ^１及び２個のＲ^２のうち少なくとも２個が、独立して、１個以上の水酸基を有する任意置換の１価の炭化水素基であり、且つその他が、独立して、任意置換の１価の炭化水素基であり、環状シロキサン骨格を形成せず、鎖状シロキサンである。より好ましくは、２ｎ＋２個のＲ^１及び２個のＲ^２のうち少なくとも２個が、独立して、１個以上の水酸基を有する１価の炭化水素基であり、且つその他が、独立して、１価の炭化水素基である。さらに好ましくは、２ｎ＋２個のＲ^１及び２個のＲ^２のうち少なくとも２個が、独立して、１個以上の水酸基を有するアルキル基、又は１個以上の水酸基を有するアリール基置換のアルキル基であり、且つその他が、独立して、アルキル基である。

式（１）における、ｎは、１以上の整数を示し、好ましくは２〜２，０００の整数であり、より好ましくは２〜１，０００の整数であり、さらに好ましくは５〜５００の整数である。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物の市販品としては、例えば、信越化学社製の「Ｘ−２２−１６０ＡＳ」、「ＫＦ−６００１」、「ＫＦ−６００２」、「ＫＦ−６００３」、「ＫＦ−６０１２」、「Ｘ−２２−４０３９」、「Ｘ−２２−４０１５」（カルビノール型水酸基含有シロキサン化合物）、信越化学社製の「ＫＦ−２２０１」、「Ｘ−２２−１８２１」（フェノール性水酸基含有シロキサン化合物）等が挙げられる。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは５０，０００以下、より好ましくは２０，０００以下であり得る。重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、好ましくは５００以上、より好ましくは１，０００以上であり得る。（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは５０，０００以下、より好ましくは２０，０００以下であり得る。数平均分子量（Ｍｎ）の下限は、好ましくは５００以上、より好ましくは１，０００以上であり得る。重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレン換算）で測定できる。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物の水酸基価は、好ましくは２００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、より好ましくは１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、さらに好ましくは１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、さらにより好ましくは１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、特に好ましくは８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であり得る。水酸基価の下限は、好ましくは１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、より好ましくは１５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、さらに好ましくは２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、さらにより好ましくは２５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、特に好ましくは３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であり得る。水酸基価は、化合物の水酸基を無水酢酸でアセチル化した際の遊離酢酸を中和するのに必要な水酸化カリウムの量（当該化合物１ｇあたりのｍｇ）を示す。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物の水酸基当量は、好ましくは１００００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは５０００ｇ／ｅｑ．以下、さらに好ましくは３０００ｇ／ｅｑ．以下、特に好ましくは２０００ｇ／ｅｑ．以下であり得る。水酸基当量の下限は、好ましくは１００ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは２００ｇ／ｅｑ．以上、さらに好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以上、特に好ましくは７００ｇ／ｅｑ．以上であり得る。水酸基当量は、水酸基１当量あたりの化合物の質量（ｇ）である。

（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物の粘度（２５℃）は、例えば、３０００ｍｍ^２／ｓ以下であり、好ましくは２０００ｍｍ^２／ｓ以下、より好ましくは１８００ｍｍ^２／ｓ以下である。粘度（２５℃）の下限は、例えば、１０ｍｍ^２／ｓ以上、３０ｍｍ^２／ｓ以上、５０ｍｍ^２／ｓ以上、又は６０ｍｍ^２／ｓ以上とし得る。

樹脂組成物中の（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分の不揮発成分を１００質量％とした場合、０質量％以上であり、本発明の所期の効果を高める観点から、０．５質量％以上であることが好ましく、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上、特に好ましくは２質量％以上である。樹脂組成物中の（Ｅ−１）水酸基含有シロキサン化合物の含有量の上限は、本発明の所期の効果が過度に損なわれない限り限定されるものではないが、樹脂成分の不揮発成分を１００質量％とした場合、例えば、２０質量％以下、１５質量％以下、１０質量％以下とし得る。樹脂成分とは、樹脂組成物に含まれる全成分から、（Ｃ）無機充填材を除外した成分をいう。

熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は、反応性を有する官能基を有することが好ましく、これにより、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分で構成される架橋構造に組み入れることが可能となる。なお、反応性官能基は、加熱又は光照射によって反応性が発現するものであってもよい。熱可塑性樹脂の含有量は、本発明の所期の効果を過度に損なわない限り、任意であるが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、例えば、０．１質量％以上、０．２質量％以上又は０．３質量％以上であり、架橋密度を高める観点からは、５質量％以下、３質量％以下又は１質量％以下とし得る。

有機充填材としては、プリント配線板の絶縁層を形成するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子等が挙げられる。ゴム粒子としては、市販品を用いてもよく、例えば、ダウ・ケミカル日本社製の「ＥＸＬ２６５５」、アイカ工業社製の「ＡＣ３４０１Ｎ」、「ＡＣ３８１６Ｎ」等が挙げられる。有機充填材の含有量は、本発明の所期の効果を過度に損なわない限り、任意であるが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、例えば、０．１質量％以上、０．３質量％以上又は０．５質量％以上であり、例えば、１０質量％以下、７質量％以下又は５質量％以下とし得る。

＜樹脂組成物の特性＞
（値Ｚ_ｉ）
本発明の樹脂組成物は、１５０℃で６０分硬化して得られる硬化物について、平均線熱膨張係数αを、架橋密度ｎで除した値Ｚ_ｉ（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）が、１０＜Ｚ_ｉ＜１００を満たす。これにより、本発明の樹脂組成物は、実施例の欄で実証されたとおり、比較例に比べて、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物を得ることができる。好ましくは、ここで、Ｚ_ｉは、後述する＜値Ｚ_ｉの取得＞にしたがって取得することができる。Ｚ_ｉは、通常、１０（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）超であり、好ましくは１０（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）以上であり、本発明の所期の効果（耐薬品性及び反りの抑制）を高める観点から、好ましくは１１（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）以上、より好ましくは１２（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）以上であり、通常、１００（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）未満であり、好ましくは１００（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）以下であり、本発明の所期の効果を高める観点から、好ましくは９０（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）以下、より好ましくは８０（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）以下である。ここで、値Ｚ_ｉは、例えば、樹脂組成物が含む（Ａ）成分及び（Ｂ）成分等の成分の種類及び量によって調整し得る。値Ｚ_ｉは、平均線熱膨張係数αと架橋密度ｎとの関係式で表されるパラメーターであって、耐薬品性及び反りの抑制に関するパラメーターであることから、（ｉ）一般に平均線熱膨張係数αを下げる成分である（Ｃ）成分の有無及びその含有量、（ｉｉ）エポキシ樹脂及び硬化剤によって形成される硬化物の耐薬品性を低下させ得る成分又は部位の有無及びその含有量、（ｉｉｉ）エポキシ樹脂及び硬化剤によって形成される架橋構造の形成を阻害するか又は架橋密度の高まりを抑え得る成分又は部位（例えば、（Ｄ）成分及び（Ｆ）成分）の有無及びその含有量、及び、（ｉｖ）前記架橋構造の形成を促進し得る成分（例えば、（Ｄ）成分）の有無及びその含有量に関するパラメーターが既に反映された指標の一つであると把握し得る。

（ガラス転移温度Ｔｇ）
本発明の樹脂組成物は、耐熱性に優れる硬化物を得る観点から、１５０℃で６０分硬化して得られる硬化物のガラス転移温度Ｔｇ（℃）が、１５０〜２４０℃の範囲内にあることが好ましい。ガラス転移温度Ｔｇ（℃）は、後述する＜動的弾性率の測定＞に際し取得することができる。ガラス転移温度Ｔｇ（℃）は、通常、１５０℃以上であり、耐熱性に優れる硬化物を得る観点から、好ましくは１７０℃以上、より好ましくは１８０℃以上である。ガラス転移温度Ｔｇ（℃）の上限は、通常、２４０℃以下であるが、例えば、取り扱い性に優れる硬化物を得る観点から、２３５℃以下、２３３℃以下又は２３０℃以下とし得る。

（平均線熱膨張係数α）
本発明の樹脂組成物は、本発明の所期の効果を高める観点から、１５０℃で６０分硬化して得られる硬化物の平均線熱膨張係数αが小さいことが好ましい。ここで、平均線熱膨張係数αの値は、例えば、樹脂組成物が含む（Ａ）成分及び（Ｂ）成分等の成分の種類及び量によって低下させる調整を行い得る。平均線熱膨張係数αは、後述する＜平均線熱膨張係数（ＣＴＥ）αの測定＞にしたがって測定することができる。斯かる硬化物の平均線熱膨張係数αは、通常、２３ｐｐｍ／Ｋ未満であり、より好ましくは２１ｐｐｍ／Ｋ以下であり、さらに好ましくは２０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、特に好ましくは１７ｐｐｍ／Ｋ以下であり、下限は限定されるものではないが、例えば、０ｐｐｍ／Ｋ以上又は１ｐｐｍ／Ｋ以上とし得る。斯かる硬化物の平均線熱膨張係数αは、上記値Ｚ_ｉが上記数値範囲を満たす観点からは、例えば、３ｐｐｍ／Ｋ以上又は４ｐｐｍ／Ｋ以上とし得る。

（所定の温度Ｔ（Ｋ）における貯蔵弾性率Ｅ’）
本発明の樹脂組成物は、１５０℃で６０分硬化して得られる硬化物につき、所定の温度Ｔ（Ｋ）における貯蔵弾性率Ｅ’が、通常、７．００×１０^９Ｐａ以下である。所定の温度Ｔ（Ｋ）は、所定の温度Ｔ（Ｋ）は、当該硬化物のガラス転移温度Ｔｇ（℃）と３５３（Ｋ）との和を示す温度（すなわち、ガラス転移温度Ｔｇ（℃）を単位Ｋに換算すべく２７３Ｋを加算しかつ８０Ｋを加算した値）である。ここで、所定の温度Ｔ（Ｋ）における貯蔵弾性率Ｅ’の値は、例えば、樹脂組成物が含む（Ａ）成分及び（Ｂ）成分等の成分の種類及び量によって調整し得る。本発明の所期の効果を高める観点からは、斯かる貯蔵弾性率Ｅ’は、好ましくは６．５０×１０^９Ｐａ未満、より好ましくは６．００×１０^９Ｐａ以下であり、通常、０．０５×１０^９Ｐａ以上であり、本発明の所期の効果を高める観点から、好ましくは０．５０×１０^９Ｐａ以上、より好ましくは１．００×１０^９Ｐａ超、さらに好ましくは１．５０×１０^９Ｐａ以上である。所定の温度Ｔ（Ｋ）は、例えば、４７３Ｋ〜６７３Ｋの範囲内にある。

（架橋密度ｎ）
本発明の樹脂組成物は、本発明の所期の効果を高める観点から、１５０℃で６０分硬化して得られる硬化物の架橋密度ｎが、好ましくは０．１５ｍｏｌ／ｃｍ^３超、より好ましくは０．１６ｍｏｌ／ｃｍ^３以上である。ここで、架橋密度ｎの値は、例えば、樹脂組成物が含む（Ａ）成分及び（Ｂ）成分等の成分の種類及び量によって調整し得る。架橋密度ｎは、後述する＜動的弾性率の測定＞における測定結果を用いることにより取得することができる。本発明の所期の効果を高める観点からは、斯かる架橋密度ｎは、好ましくは０．５０ｍｏｌ／ｃｍ^３未満、より好ましくは０．４６ｍｏｌ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは０．４２ｍｏｌ／ｃｍ^３以下である。平均線熱膨張係数αが２１ｐｐｍ／Ｋ以下であり、かつ、貯蔵弾性率Ｅ’が１．００×１０^９Ｐａ超であり、かつ、架橋密度ｎが、０．５０ｍｏｌ／ｃｍ^３未満であることが好ましい。

本発明の樹脂組成物は、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物で形成された絶縁層を得ることができる。したがって、本発明の樹脂組成物は、プリント配線板の絶縁層を形成するための樹脂組成物（プリント配線板の絶縁層形成用樹脂組成物）として好適に使用することができ、プリント配線板の層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（プリント配線板の層間絶縁層形成用樹脂組成物）としてより好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物は、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物で形成された絶縁層をもたらすことから、プリント配線板が部品内蔵回路板である場合にも好適に使用することができる。さらに、本発明の樹脂組成物は、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物で形成された絶縁層をもたらすことから、ソルダーレジスト層を形成するための樹脂組成物（プリント配線板のソルダーレジスト層形成用樹脂組成物）としてより好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物は、反りが抑制された硬化物で形成された絶縁層をもたらすことから、半導体チップパッケージ用の半導体チップを封止する封止層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの封止層形成用樹脂組成物）として好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの再配線形成層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージ用の再配線形成層形成用の樹脂組成物）として好適に使用することができる。

再配線形成層を含む半導体チップパッケージは、例えば、以下の（１）〜（６）工程を経て製造される。
（１）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（２）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（３）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（４）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（５）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、及び
（６）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程
また、封止層を含む半導体チップパッケージが製造される際、封止層上に更に再配線層が形成されてもよい。

＜樹脂組成物の製造方法＞
本発明の樹脂組成物の製造方法は、特に限定されるものではなく、例えば、配合成分を必要に応じて溶媒と混合し、回転ミキサーなどを用いて分散する方法などが挙げられる。一実施形態では、溶媒の量が少ないことが好ましく、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下がさらに好ましく、０質量％（不含）が特に好ましい。本発明の樹脂組成物を製造するにあたり、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の選択と、（Ａ）成分の含有量及び（Ｂ）成分の含有量を調整することにより、上記の値Ｚ_ｉを上述した範囲内に収めることが可能である。また、溶媒の量を少なくするために、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分から選択される少なくとも１種として、液状の成分を用いることが好ましい。

樹脂組成物は、例えば溶媒を含むことにより、樹脂ワニスとして得ることができる。一実施形態では、溶媒の量が少ないことが好ましく、溶媒の量は、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下がさらに好ましい。

＜樹脂組成物の硬化物の物性、用途＞
（耐薬品性）
本発明の樹脂組成物を熱硬化して得られる硬化物は、通常、耐薬品性に優れている。耐薬品性は、後述する＜耐薬品性の評価＞の記載に従って評価することができる。例えば、樹脂組成物を１５０℃で６０分間の条件で熱硬化して得られる厚さ１００μｍの硬化物は、強アルカリ水溶液（例えば、水酸化カリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、水酸化ナトリウム水溶液又は炭酸ナトリウム水溶液）に浸漬してもその前後における質量減少率が１質量％以下であり得る。

（反りの抑制）
本発明の樹脂組成物を熱硬化して得られる硬化物は、基板上に形成された場合、通常、基板の反りが抑制されている。反りは、後述する＜反りの評価＞の記載に従って評価することができる。例えば、樹脂組成物を１５０℃で６０分間の条件で熱硬化して得られる厚さ３００μｍの硬化物が形成された基板に生じ得る最大反り量が２０００μｍ以下であり得る。

（ガラス転移温度Ｔｇ）
本発明の樹脂組成物を熱硬化して得られる硬化物は、耐熱性に優れる観点から、ガラス転移温度Ｔｇ（℃）が、１５０〜２４０℃の範囲内にあることが好ましい。より好ましい範囲等は、樹脂組成物について先述したとおりである。

（平均線熱膨張係数α）
本発明の樹脂組成物を熱硬化して得られる硬化物は、本発明の所期の効果を高める観点から、平均線熱膨張係数αが小さいことが好ましい。より好ましい範囲等は、樹脂組成物について先述したとおりである。

（所定の温度Ｔ（Ｋ）における貯蔵弾性率Ｅ’）
本発明の樹脂組成物を熱硬化して得られる硬化物は、所定の温度Ｔ（Ｋ）における貯蔵弾性率Ｅ’が、通常、７．００×１０^９Ｐａ以下である。好ましい範囲等は、樹脂組成物について先述したとおりである。

（架橋密度ｎ）
本発明の樹脂組成物を熱硬化して得られる硬化物は、本発明の所期の効果を高める観点から、架橋密度ｎが０．１５ｍｏｌ／ｃｍ^３超であることが好ましく、０．１６ｍｏｌ／ｃｍ^３以上がより好ましい。さらに好ましい範囲等は、樹脂組成物について先述したとおりである。

（値Ｚ_ｉ）
本発明の樹脂組成物を熱硬化して得られる硬化物は、前記平均線熱膨張係数αを、前記架橋密度ｎで除した値Ｚ_ｉ（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）が、１０＜Ｚ_ｉ＜１００を満たすことが好ましい。そのような硬化物は、実施例の欄で実証されたとおり、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制されている。より好ましい範囲等は、樹脂組成物について先述したとおりである。

本発明の樹脂組成物の硬化物は、耐薬品性に優れており、かつ、反りが抑制されている。そのため、本発明の樹脂組成物の硬化物は、プリント配線板の絶縁層として好適に使用することができ、プリント配線板の層間絶縁層としてより好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物の硬化物は、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された絶縁層をもたらすことから、プリント配線板が部品内蔵回路板である場合にも好適に使用することができる。さらに、本発明の樹脂組成物の硬化物は、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物で形成された絶縁層をもたらすことから、ソルダーレジスト層としてより好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物の硬化物は、反りが抑制された硬化物で形成された絶縁層をもたらすことから、半導体チップパッケージ用の半導体チップを封止する封止層として好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物の硬化物は、半導体チップパッケージの再配線層を形成するための再配線形成層（絶縁層）として好適に使用することができる。

［樹脂ペースト］
本発明の樹脂ペーストは、先述の樹脂組成物を含む。本発明の樹脂ペーストは、通常は、先述の樹脂組成物のみを含む。樹脂ペーストの２５℃における粘度は、２０Ｐａ・ｓ〜１０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましい。ボイド発生を抑制する為に樹脂ペーストの加熱減量は５％以下であることが好ましい。

［樹脂組成物成形体］
本発明の樹脂組成物を圧縮成型等によって樹脂組成物成形体としてもよい。また、樹脂組成物成形体の形状は、シート状に限られることはなく、樹脂組成物は任意の形状に加工されていてもよい。また、圧縮成型又は圧縮成型以外の方法によって、本発明の樹脂組成物から、粉末状、顆粒状、ペレット状の樹脂組成物成形体（それぞれを、樹脂粉末、樹脂顆粒、樹脂ペレットと称してもよい）を形成してもよい。

［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む。

樹脂シートの樹脂組成物層の厚さは、通常１５０μｍ以下であり、好ましくは１１０μｍ以下であり、プリント配線板の薄型化の観点から、５０μｍ以下又は４０μｍ以下とし得る。さらに厚さを小さくしてもよい。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上等とし得る。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理、帯電防止処理を施してあってもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

一実施形態において、樹脂シートは、さらに必要に応じて、その他の層を含んでいてもよい。斯かるその他の層としては、例えば、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）に設けられた、支持体に準じた保護フィルム等が挙げられる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。

樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。一実施形態においては、有機溶剤は、量が少ないほど好ましく（例えば樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合０．５質量％以下、０．１質量％以下、０．０１質量％以下）、含まないことが特に好ましい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

本発明の樹脂シートは、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物で形成された絶縁層をもたらす。したがって本発明の樹脂シートは、プリント配線板の絶縁層を形成するための樹脂シート（プリント配線板の絶縁層形成用樹脂シート）として好適に使用することができ、プリント配線板の層間絶縁層を形成するための樹脂シート（プリント配線板の層間絶縁層用樹脂シート）としてより好適に使用することができる。また、本発明の樹脂シートは、プリント配線板のソルダーレジスト層を形成するための樹脂シート（プリント配線板のソルダーレジスト層形成用樹脂シート）として好適に使用することができる。また、本発明の樹脂シートは、反りが抑制された硬化物で形成された絶縁層をもたらすことから、半導体チップパッケージ用の半導体チップを封止する封止層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの封止層形成用樹脂シート）として好適に使用することができる。また、本発明の樹脂シートは、半導体チップパッケージの再配線形成層（絶縁層）を形成するための樹脂シート（半導体チップパッケージ用の再配線形成層形成用樹脂シート）として好適に使用することができる。

＜プリント配線板＞
本発明のプリント配線板は、本発明の樹脂組成物の硬化物を含んで形成された絶縁層を含む。このプリント配線板は、例えば、下記の工程（１）及び工程（２）を含む製造方法によって、製造できる。
（１）基材上に、本発明の樹脂組成物を用いて、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を形成する工程。
（２）樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。

工程（１）では、基材を用意する。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられる。また、基材は、当該基材の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いてもよい。このような基材を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基材としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」が挙げられる。

また、基材の一方又は両方の表面には、導体層が形成されていてもよい。以下の説明では、基材と、この基材表面に形成された導体層とを含む部材を、適宜「配線層付基材」ということがある。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属を用いてもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅；及び、合金としてのニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金；が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属；及び、ニッケル・クロム合金；がより好ましく、銅の単金属が特に好ましい。

導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン加工されていてもよい。この際、導体層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は、特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、導体層の全体にわたって同一である必要はない。導体層の最小ピッチは、例えば、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。

導体層の厚さは、プリント配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜２０μｍ、特に好ましくは１５μｍ〜２０μｍである。

導体層は、例えば、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって導体層を形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって、形成できる。ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができ、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する基材と樹脂シートとの積層の条件と同様でありうる。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。

基材を用意した後で、基材上に、樹脂組成物層を形成する。基材の表面に導体層が形成されている場合、樹脂組成物層の形成は、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように行うことが好ましい。

樹脂組成物層の形成は、例えば、樹脂シートと基材とを積層することによって行われる。この積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール等）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

また、樹脂組成物層の形成は、例えば、圧縮成型法によって行うことができる。成型条件は、後述する半導体チップパッケージの封止層を形成する工程における樹脂組成物層の形成方法と同様な条件を採用してもよい。

基材上に樹脂組成物層を形成した後、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類によっても異なるが、硬化温度は通常１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２２０℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜２００℃の範囲）、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲（好ましくは１０分間〜１００分間、より好ましくは１５分間〜９０分間）である。

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を、通常５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）、予備加熱してもよい。

以上のようにして、絶縁層を有するプリント配線板を製造できる。また、プリント配線板の製造方法は、更に、任意の工程を含んでいてもよい。
例えば、樹脂シートを用いてプリント配線板を製造した場合、プリント配線板の製造方法は、樹脂シートの支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。支持体は、樹脂組成物層の熱硬化の前に剥離してもよく、樹脂組成物層の熱硬化の後に剥離してもよい。

プリント配線板の製造方法は、例えば、絶縁層を形成した後で、その絶縁層の表面を研磨する工程を含んでいてもよい。研磨方法は特に限定されない。例えば、平面研削盤を用いて絶縁層の表面を研磨することができる。

プリント配線板の製造方法は、例えば、導体層を層間接続する工程（３）、例えば、絶縁層に穴あけをする工程を含んでいてもよい。これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。ビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。ビアホールの寸法や形状はプリント配線板の出デザインに応じて適宜決定してよい。なお、工程（３）は、絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行ってもよい。

ビアホールの形成後、ビアホール内のスミアを除去する工程を行うことが好ましい。この工程は、デスミア工程と呼ばれることがある。例えば、絶縁層上への導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、湿式のデスミア処理を行ってもよい。また、絶縁層上への導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、プラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。さらに、デスミア工程によって、絶縁層に粗化処理が施されてもよい。

また、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層に対して、粗化処理を行ってもよい。この粗化処理によれば、通常、ビアホール内を含めた絶縁層の表面が粗化される。粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。

ビアホールを形成後、絶縁層上に導体層を形成してもよい。ビアホールが形成された位置に導体層を形成することで、新たに形成された導体層と基材表面の導体層とが導通して、層間接続が行われる。導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成する。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。形成される導体層の材料は、単金属でもよく、合金でもよい。また、この導体層は、単層構造を有していてもよく、異なる種類の材料の層を２層以上含む複層構造を有していてもよい。

ここで、絶縁層上に導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。絶縁層の表面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。

プリント配線板の製造方法は、基材を除去する工程（４）を含んでいてもよい。基材を除去することにより、絶縁層と、この絶縁層に埋め込まれた導体層とを有するプリント配線板が得られる。この工程（４）は、例えば、剥離可能な金属層を有する基材を用いた場合に、行うことができる。

＜半導体チップパッケージ＞
本発明の第一実施形態に係る半導体チップパッケージは、上述したプリント配線板と、このプリント配線板に搭載された半導体チップとを含む。この半導体チップパッケージは、プリント配線板に半導体チップを接合することにより、製造することができる。

プリント配線板と半導体チップとの接合条件は、半導体チップの端子電極とプリント配線板の回路配線とが導体接続できる任意の条件を採用できる。例えば、半導体チップのフリップチップ実装において使用される条件を採用できる。また、例えば、半導体チップとプリント配線板との間に、絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。

接合方法の例としては、半導体チップをプリント配線板に圧着する方法が挙げられる。圧着条件としては、圧着温度は通常１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は通常１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）である。

また、接合方法の他の例としては、半導体チップをプリント配線板にリフローして接合する方法が挙げられる。リフロー条件は、１２０℃〜３００℃の範囲としてもよい。

半導体チップをプリント配線板に接合した後、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填してもよい。このモールドアンダーフィル材として、上述した樹脂組成物を用いてもよく、また、上述した樹脂シートを用いてもよい。

本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを封止する前記樹脂組成物の硬化物とを含む。このような半導体チップパッケージでは、通常、樹脂組成物の硬化物は封止層として機能する。第二実施形態に係る半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰが挙げられる。

このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
（Ｇ）再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含みうる。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程
を含んでいてもよい。

（工程（Ａ））
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、プリント配線板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。

基材としては、例えば、シリコンウェハ；ガラスウェハ；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ−４基板等の、ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板；などが挙げられる。

仮固定フィルムは、半導体チップから剥離でき、且つ、半導体チップを仮固定することができる任意の材料を用いうる。市販品としては、日東電工社製「リヴァアルファ」等が挙げられる。

（工程（Ｂ））
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体チップパッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。

（工程（Ｃ））
工程（Ｃ）は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、上述した樹脂組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。

樹脂組成物層の形成は、圧縮成型法によって行うことが好ましい。圧縮成型法では、通常、半導体チップ及び樹脂組成物を型に配置し、その型内で樹脂組成物に圧力及び必要に応じて熱を加えて、半導体チップを覆う樹脂組成物層を形成する。

圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしうる。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。また、前記のように仮固定フィルム上に仮固定された半導体チップに、樹脂組成物を塗布する。樹脂組成物を塗布された半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に、下型に取り付ける。その後、上型と下型とを型締めして、樹脂組成物に熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。

また、圧縮成型法の具体的な操作は、例えば、下記のようにしてもよい。圧縮成型用の型として、上型及び下型を用意する。下型に、樹脂組成物を載せる。また、上型に、半導体チップを、基材及び仮固定フィルムと一緒に取り付ける。その後、下型に載った樹脂組成物が上型に取り付けられた半導体チップに接するように上型と下型とを型締めし、熱及び圧力を加えて、圧縮成型を行う。

成型条件は、樹脂組成物の組成により異なり、良好な封止が達成されるように適切な条件を採用できる。例えば、成型時の型の温度は、好ましくは７０℃以上、より好ましくは８０℃以上、特に好ましくは９０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。また、成型時に加える圧力は、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは２ＭＰａ以上、特に好ましくは３ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは２０ＭＰａ以下である。キュアタイムは、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、特に好ましくは３分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下、特に好ましくは２０分以下である。通常、樹脂組成物層の形成後、型は取り外される。型の取り外しは、樹脂組成物層の熱硬化前に行ってもよく、熱硬化後に行ってもよい。

樹脂組成物層の形成は、樹脂シートと半導体チップとを積層することによって行ってもよい。例えば、樹脂シートの樹脂組成物層と半導体チップとを加熱圧着することにより、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成することができる。樹脂シートと半導体チップとの積層は、通常、基材の代わりに半導体チップを用いて、プリント配線板の製造方法における樹脂シートと基材との積層と同様にして行うことができる。

半導体チップ上に樹脂組成物層を形成した後で、この樹脂組成物層を熱硬化させて、半導体チップを覆う封止層を得る。これにより、樹脂組成物の硬化物による半導体チップの封止が行われる。樹脂組成物層の熱硬化条件は、プリント配線板の製造方法における樹脂組成物層の熱硬化条件と同じ条件を採用してもよい。さらに、樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。この予備加熱処理の処理条件は、プリント配線板の製造方法における予備加熱処理と同じ条件を採用してもよい。

（工程（Ｄ））
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。

仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、紫外線を照射して仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ²〜１０００ｍＪ／ｃｍ²である。

（工程（Ｅ））
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。

再配線形成層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、この熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。

再配線形成層を形成した後、半導体チップと再配線層とを層間接続するために、再配線形成層にビアホールを形成してもよい。

再配線形成層の材料が感光性樹脂である場合のビアホールの形成方法では、通常、再配線形成層の表面に、マスクパターンを通して活性エネルギー線を照射して、照射部の再配線形成層を光硬化させる。活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、感光性樹脂に応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンを再配線形成層に密着させて露光する接触露光法、マスクパターンを再配線形成層に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法、などが挙げられる。

再配線形成層を光硬化させた後で、再配線形成層を現像し、未露光部を除去して、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。

再配線形成層の材料が熱硬化性樹脂である場合のビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。レーザー照射は、炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の光源を用いる適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。

ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。ここで、ビアホールのトップ径とは、再配線形成層の表面でのビアホールの開口の直径をいう。

（工程（Ｆ））
工程（Ｆ）は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、プリント配線板の製造方法における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。

（工程（Ｇ））
工程（Ｇ）は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。

また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなどの方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は、工程（Ｅ）と同様に行うことができる。

（工程（Ｈ））
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に、工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。

＜半導体装置＞
半導体装置は、半導体チップパッケージを備える。半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。

［実施例１］
＜樹脂ペーストＡの調製＞
（Ａ−１）成分としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、エポキシ当量：１８４〜１９４ｇ／ｅｑ．）１．５部、（Ａ−１）成分としてのナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ−４０３２」、エポキシ当量：１４４ｇ／ｅｑ．）１部、（Ａ−２）成分としてのビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量：２７６ｇ／ｅｑ．）０．５部、（Ａ−１）成分としてのグリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、エポキシ当量：９５ｇ／ｅｑ．）５部、（Ｂ）成分としての酸無水物系硬化剤（新日本理化社製「ＭＨ−７００」、酸無水物基当量：１６４ｇ／ｅｑ．）１０部、（Ｅ−１）成分としての水酸基含有シロキサン化合物（信越化学工業社製ポリエーテル変性シリコーン樹脂「ＫＦ−６０１２」、粘度（２５℃）：１５００ｍｍ^２／ｓ）１部、（Ｃ）成分としての無機充填材Ａ１４０部、並びに（Ｄ）成分としてのイミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ」）０．１部を混合し、ミキサーを用いて均一に分散した。

ここで、無機充填材Ａとして、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理された球形シリカであり、最大カット径が２５μｍのものを用いた。測定したところ、無機充填材Ａの平均粒径は１０μｍであり、無機充填材Ａの比表面積は３．６ｍ^２／ｇであった。

上述したようにして、ペースト状の樹脂組成物を調製した。以下、このようにペースト状に調製される樹脂組成物を総称して「樹脂ペーストＡ」ともいう。

＜評価用硬化物Ｂの作製＞
コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて、離型処理を施した１２インチ円盤状のシリコンウエハ上で、樹脂ペーストＡを圧縮成型した。これにより、シリコンウエハ上に、厚さ１００μｍの樹脂組成物成形体を形成した。その後、シリコンウエハから樹脂組成物成形体を剥がした。得られた樹脂組成物成形体を１５０℃で６０分間の条件で熱硬化させた。これにより、評価用硬化物を得た。以下、このように作製される評価用硬化物を総称して「評価用硬化物Ｂ」ともいう。

＜樹脂組成物の硬化物の各種パラメーターの取得及び評価＞
樹脂ペーストＡ又は評価用硬化物Ｂを用いて、樹脂組成物の硬化物につき、各種パラメーターを取得するとともに、耐薬品性及び反りの観点から、後述する評価方法に従って評価した。

［実施例２］
実施例１において、（Ｃ）成分としての無機充填材Ａ１４０部を、（Ｃ）成分としての無機充填材Ｃ１７０部に変更した。ここで、無機充填材Ｃとしては、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）で処理された球状アルミナであり、最大カット径が４５μｍのものを用いた。測定したところ、無機充填材Ｂの平均粒径は１５μｍであり、比表面積は０．９ｍ^２／ｇであった。

以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂ペーストＡを調製した。そして、樹脂ペーストＡを用いて、実施例１と同様にして、評価用硬化物Ｂを得て、樹脂ペーストＡ又は評価用硬化物Ｂを用いて実施例１と同様にして樹脂組成物の硬化物を評価に供した。

［実施例３］
実施例１において、（Ａ−１）成分としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）１．５部、（Ａ−１）成分としてのナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ−４０３２」）１部、（Ａ−２）成分としてのビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」）０．５部及び（Ａ−１）成分としてのグリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」）５部を、（Ａ−１）成分としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）２．５部、（Ａ−１）成分としてのグリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」）５部及び（Ａ−１）成分としてのエポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７４００」、エポキシ当量：４１８ｇ／ｅｑ．）０．５部に変更した。また、実施例１において、（Ｂ）成分としての酸無水物系硬化剤（新日本理化社製「ＭＨ−７００」）１０部を、（Ｂ）成分としてのフェノール系硬化剤（明和化成社製「ＭＥＨ−８０００Ｈ」、フェノール当量：２４０）５部に変更した。さらに、実施例１において、（Ｃ）成分としての無機充填材Ａ１４０部を、（Ｃ）成分としての無機充填材Ａ１１０部に変更した。また、実施例１において、（Ｄ）成分としてのイミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ」）０．１部を、（Ｄ）成分としての硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ」）０．１部に変更した。

以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂ペーストＡを調製した。そして、樹脂ペーストＡを用いて、実施例１と同様にして、評価用硬化物Ｂを得て、樹脂ペーストＡ又は評価用硬化物Ｂを用いて実施例１と同様にして樹脂組成物の硬化物を評価に供した。

［比較例１］
実施例１において、（Ａ−１）成分としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）１．５部、（Ａ−１）成分としてのナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ−４０３２」）１部、（Ａ−２）成分としてのビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」）０．５部及び（Ａ−１）成分としてのグリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」）５部を、（Ａ−１）成分としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）２部及び（Ａ−１）成分としてのグリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」）６部に変更した。また、実施例１において、（Ｅ−１）成分としての水酸基含有シロキサン化合物（信越化学工業社製ポリエーテル変性シリコーン樹脂「ＫＦ−６０１２」）１部を用いなかった。さらに、実施例１において、（Ｃ）成分としての無機充填材Ａ１４０部を、（Ｃ）成分としての無機充填材Ｂ２００部に変更した。さらに、実施例１において、（Ｄ）成分としてのイミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ」）０．１部を、（Ｄ）成分としての硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ」）０．１部に変更した。

ここで、無機充填材Ｂとして、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理された球形シリカであり、最大カット径が４５μｍのものを用いた。測定したところ、無機充填材Ｂの平均粒径は１５μｍであり、無機充填材Ａの比表面積は２．５ｍ^２／ｇであった。

以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂ペーストＡを調製した。そして、樹脂ペーストＡを用いて、実施例１と同様にして、評価用硬化物Ｂを得て、樹脂ペーストＡ又は評価用硬化物Ｂを用いて実施例１と同様にして樹脂組成物の硬化物を評価に供した。

［比較例２］
実施例３において、（Ａ−１）成分としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）２．５部、（Ａ−１）成分としてのグリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ６３０」）５部及び（Ａ−１）成分としてのエポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７４００」）０．５部を、（Ａ−１）成分としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）１部、（Ａ−１）成分としてのグリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」）３部及び（Ａ−１）成分としてのエポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７４００」）４部に変更した。また、実施例３において、（Ｅ−１）成分としての水酸基含有シロキサン化合物（信越化学工業社製ポリエーテル変性シリコーン樹脂「ＫＦ−６０１２」）１部を用いなかった。さらに、実施例３において、（Ｄ）成分としての硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ」）０．１部を、（Ｄ）成分としてのイミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ」）０．１部に変更した。

以上の事項以外は実施例３と同様にして、樹脂ペーストＡを調製した。そして、樹脂ペーストＡを用いて、実施例１と同様にして、評価用硬化物Ｂを得て、樹脂ペーストＡ又は評価用硬化物Ｂを用いて実施例１と同様にして樹脂組成物の硬化物を評価に供した。

［比較例３］
実施例３において、（Ｂ）成分としてのフェノール系硬化剤（明和化成社製「ＭＥＨ−８０００Ｈ」）５部を、（Ｂ）成分としての酸無水物系硬化剤（新日本理化社製「ＭＨ−７００」）１０部に変更した。また、実施例３において、（Ｅ−１）成分としての水酸基含有シロキサン化合物（信越化学工業社製ポリエーテル変性シリコーン樹脂「ＫＦ−６０１２」）１部を用いなかった。また、実施例３において、（Ｃ）成分としての無機充填材Ａ１１０部を、（Ｃ）成分としての無機充填材Ａ４０部に変更した。

以上の事項以外は実施例３と同様にして、樹脂ペーストＡを調製した。そして、樹脂ペーストＡを用いて、実施例１と同様にして、評価用硬化物Ｂを得て、樹脂ペーストＡ又は評価用硬化物Ｂを用いて実施例１と同様にして樹脂組成物の硬化物を評価に供した。

［評価方法］
上述した実施例及び比較例で得た樹脂ペーストＡの硬化物又は評価用硬化物Ｂを用いて、樹脂組成物の硬化物につき、各種パラメーターを取得するとともに、耐薬品性及び反りの観点から、下記の方法によって評価した。なお、表１には、取得したパラメーターのうち、評価に用いたパラメーターが記載されている。また、評価結果は表１に示されている。

＜各種パラメーターの取得＞
（平均線熱膨張係数（ＣＴＥ）αの測定）
評価用硬化物Ｂを、幅約５ｍｍ、長さ約１５ｍｍに切断して、試験片Ａを得た。試験片Ａにつき、熱機械分析装置（リガク社製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０」）を使用して、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片Ａを前記熱機械分析装置に装着した後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回熱膨張率を測定した。そして２回目の測定結果に基づき、２５℃（２９８Ｋ）から１５０℃（４２３Ｋ）までの範囲における平均線熱膨張係数α（ｐｐｍ／Ｋ）を算出した。

（動的弾性率の測定；ガラス転移温度Ｔｇ、貯蔵弾性率Ｅ’及び架橋密度ｎの取得）
評価用硬化物Ｂを幅５ｍｍ、長さ１５ｍｍに切断して、試験片Ｂを得た。この試験片Ｂについて、粘弾性測定装置（日立ハイテクサイエンス社製「ＤＭＡ７１００」）を用いて、引張加重法にて熱機械分析を行った。具体的には、試験片Ｅを前記熱機械分析装置に装着した後、荷重２００ｍＮ、昇温速度５℃／分の測定条件にて、貯蔵弾性率及び損失弾性率を測定した。

まず、測定結果として得られるｔａｎδ（貯蔵弾性率及び損失弾性率の比の温度依存曲線）のピークトップからガラス転移温度Ｔｇ（℃）を取得した。

続いて、所定の温度Ｔ（Ｋ）を決定した。具体的には、所定の温度Ｔ（Ｋ）を、取得済みのガラス転移温度Ｔｇ（℃）を単位Ｋに換算すべく２７３Ｋを加算しかつ８０Ｋを加算した温度とすることによって決定した。なお、所定の温度Ｔ（Ｋ）近傍の温度領域では、貯蔵弾性率の値は大きく変動しない傾向にあることから、決定した所定の温度Ｔ（Ｋ）に関し、−５℃〜＋５℃の範囲内において誤差が生じ得ることは許容される。そして、決定した所定の温度Ｔ（Ｋ）における貯蔵弾性率の測定値Ｅ’（単位：ＧＰａ、すなわち１０^９Ｐａ）を取得した。

次に、取得した貯蔵弾性率のＥ’（Ｐａ）を以下の式に代入することにより、架橋密度ｎ（ｍｏｌ／ｃｍ^３）を算出した。ここで、架橋密度ｎは、単位体積あたりに存在する架橋分子の数を示す指標として考えることが可能である。
ｎ＝Ｅ’／３ＲＴ
（上記式中、Ｔは、所定の温度Ｔ（Ｋ）であり、Ｅ’は、所定の温度Ｔ（Ｋ）における貯蔵弾性率の測定値（Ｐａ）であり、Ｒは、気体定数としての８３１００００（Ｐａ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）である。なお、Ｅ’／３として、所定の温度Ｔ（Ｋ）におけるせん断弾性率Ｇ’の測定値（１０^９Ｐａ）を用いてもよい。）

（値Ｚ_ｉの取得）
値Ｚ_ｉを、硬化物の平均線熱膨張係数α（ｐｐｍ／Ｋ）を、当該硬化物の架橋密度ｎ（ｍｏｌ／ｃｍ^３）で除した値として定義し、この値Ｚ_ｉ（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）を樹脂組成物の硬化物のパラメーターとして取得した。取得した値Ｚ_ｉを後述する各評価の評価結果と照らし合わせることにより、本発明の課題を解決し得る範囲を検討した。

＜反りの評価＞
（反り測定用の絶縁層付きシリコンウエハの作製）
コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて、１２インチ円盤状のシリコンウエハ（厚さ７７５μｍ）の上で、樹脂ペーストＡを圧縮成型した。これにより、シリコンウエハ上に、厚さ３００μｍの樹脂組成物成形体を形成した。その後、１５０℃で６０分加熱して、樹脂組成物成形体を熱硬化させた。これにより、硬化が進行した樹脂組成物成形体付きシリコンウエハ（即ち、絶縁層付きシリコンウエハ）を得た。
（反りの測定）
得られた絶縁層付きシリコンウエハの一端を平坦な台に押さえつけた状態で、絶縁層付きシリコンウエハの端部の下面と台の上面の間の鉛直方向における距離を反り量として測定し、最大反り量（μｍ）を示す端部を特定した。
（評価）
上述したように特定された最大反り量（μｍ）を以下の基準にしたがって評価した。
「○」：最大反り量が０μｍ以上２０００μｍ以下の範囲内にある場合、反りが小さく、反りが十分に抑制されている
「×」：最大反り量が２０００μｍ超である場合、反りが大きく、反りが十分に抑制されていない

＜耐薬品性の評価＞
（薬品浸漬試験）
評価用硬化物Ｂを１辺５ｃｍの正方形に切断することにより複数の試験片Ｃを得た。試験片Ｃを、７０℃の強アルカリ水溶液中に１時間浸漬した。強アルカリ水溶液としては、１質量％の水酸化カリウム水溶液を用いた。その後に、試験片Ｃを取り出して、蒸留水で洗浄し、１３０℃のオーブン内で１時間乾燥させた。これにより、薬品浸漬試験後の試験片Ｃ’を得た。

（薬品浸漬試験前後の質量の測定及び質量減少率の算出）
試験片Ｃの質量を測定し、これを薬品浸漬試験前の質量Ｍ_０とした。また、試験片Ｃ’の質量を測定し、これを薬品浸漬試験前の質量Ｍ_１とした。
続いて、薬品浸漬試験前後における質量減少率（％）を下記式に基づき算出した。
質量減少率（％）＝｛（Ｍ_０−Ｍ_１）／Ｍ_０｝×１００
（評価）
上述したように得られた質量減少率（％）を以下の基準にしたがって評価した。
「○」：質量減少率（％）が１質量％未満である場合、薬品に対して溶解した部分が十分に少なく、耐薬品性に優れている
「×」：質量減少率（％）が１質量％以上である場合、薬品に対して溶解した部分が多く、耐薬品性に劣る

［結果］
上述した実施例及び比較例の結果を、下記の表１に示す。下記の表１において、各成分の量は、不揮発成分換算量を表す。また、表１に示す「無機充填材含有割合」は、樹脂組成物中の樹脂成分を１００質量％とした場合、（Ｃ）成分の含有量を示している。また、αは、平均線熱膨張係数を表し、Ｔは、所定の温度を表し、Ｅ’は、所定の温度Ｔにおける貯蔵弾性率を表し、ｎは、架橋密度を表し、Ｚ_ｉは、平均線熱膨張係数αを所定の温度Ｔにおける貯蔵弾性率Ｅ’で除した値を表し、Ｔｇは、ガラス転移温度を表す。

＜検討＞
表１から分かるように、実施例と比較例の対比から、実施例においては、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含む樹脂組成物において、硬化物の平均線熱膨張係数α（ｐｐｍ／Ｋ）を、当該硬化物の架橋密度ｎ（ｍｏｌ／ｃｍ^３）で除した値Ｚ_ｉ（ｐｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）が、下記式：
１０＜Ｚ_ｉ＜１００
を満たすことにより、耐薬品性に優れ、かつ、反りが抑制された硬化物を得ることができる樹脂組成物を提供できる傾向にあることが分かった。

さらに、実施例に係る樹脂ペースト、硬化物、樹脂シート、プリント配線板、半導体チップパッケージ及び半導体装置を提供することも可能となることが分かった。

なお、実施例１〜３において、（Ｃ）成分〜（Ｅ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの、上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。また、実施例１〜３において、耐薬品性の評価に用いる強アルカリ水溶液を、水酸化カリウム水溶液に代えて、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、水酸化ナトリウム水溶液及び炭酸ナトリウム水溶液のいずれを用いても、上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。

Claims (22)

1. （Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含む樹脂組成物であって、
   当該樹脂組成物を１５０℃で６０分硬化させることによって得られる硬化物の平均線熱膨張係数α（ｐｐｍ／Ｋ）を、当該硬化物の架橋密度ｎ（ｍｏｌ／ｃｍ^３）で除した値Ｚ_ｉ（ｐｍ・ｃｍ^３／ｍｏｌ・Ｋ）が、下記式：
   １０＜Ｚ_ｉ＜１００
   を満たす、
   樹脂組成物。
2. さらに、（Ｃ）無機充填剤を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、８０質量％以上である、請求項２に記載の樹脂組成物。
4. （Ｂ）成分が、酸無水物系硬化剤、マレイミド系硬化剤、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、アミン系硬化剤、及び、シアネートエステル系硬化剤から選ばれる１種以上の硬化剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
5. （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．５質量％以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
6. （Ａ）成分が、（Ａ−１）液状エポキシ樹脂及び（Ａ−２）固体状エポキシ樹脂から選択される１種以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
7. （Ａ−２）固体状エポキシ樹脂の含有量が、（Ａ）成分の含有量を１００質量％とした場合、１０質量％以下である、請求項６に記載の樹脂組成物。
8. （Ａ−１）成分の含有量の（Ａ−２）成分の含有量に対する質量比（（Ａ−１）：（Ａ−２））が、１：０〜１：０．１の範囲内にある、請求項６又は７に記載の樹脂組成物。
9. 前記硬化物のガラス転移温度Ｔｇ（℃）が、１５０〜２４０℃の範囲内にある、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
10. 前記硬化物の平均線熱膨張係数αが、２１ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
11. 前記硬化物の所定の温度Ｔ（Ｋ）における貯蔵弾性率Ｅ’が、１．００×１０^９Ｐａ超であり、ここで、所定の温度Ｔ（Ｋ）は、当該硬化物のガラス転移温度Ｔｇ（℃）と３５３（Ｋ）との和を示す温度である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
12. 前記硬化物の架橋密度ｎが、０．５０ｍｏｌ／ｃｍ^３未満である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
13. 前記硬化物の架橋密度ｎが、０．１６ｍｏｌ／ｃｍ^３以上である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
14. 絶縁層形成用である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
15. ソルダーレジスト層形成用である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
16. 請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含んで形成された樹脂ペースト。
17. 請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物又は請求項１６に記載の樹脂ペーストの硬化物。
18. 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
19. 請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物若しくは請求項１６に記載の樹脂ペーストの硬化物又は請求項１７に記載の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
20. 請求項１９に記載のプリント配線板と、当該プリント配線板に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
21. 半導体チップと、当該半導体チップを封止する請求項１〜１５のいずれか１項に記載の樹脂組成物若しくは請求項１６に記載の樹脂ペーストの硬化物又は請求項１７に記載の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。
22. 請求項１９に記載のプリント配線板、又は、請求項２０若しくは２１に記載の半導体チップパッケージを含む、半導体装置。