JP2021146417A - Grinding method for wafer - Google Patents

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Abstract

To prevent a long time from being taken for self-grinding and to prevent formation of a cylindrical recess around a wafer after grinding, in a grinding method for a wafer.SOLUTION: A method for grinding a wafer in a radius region of a holding surface parallel to a lower surface of a grinding stone 1644, includes: a step of aligning a center of the holding surface and a center of the wafer and holding the wafer on the holding surface; a first grinding step of forming, in a central portion of the wafer, a cylindrical projection 807 of a diameter smaller than a blade width of the grinding stone 1644, by grinding the wafer to a thickness greater by 1 μm to 3 μm than a finishing thickness after performing a first positioning step of positioning the wafer by displacing a rotation locus of the grinding stone 1644 from the center of the holding surface by a preset distance so that the rotation locus does not pass through the center of the holding surface; and a second grinding step of, after the first grinding step, performing a second positioning step of positioning the wafer relative to the grinding stone 1644 so that the rotation locus of the grinding stone 1644 passes through the center of the holding surface, and grinding the wafer to the finishing surface thereafter.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、半導体ウェーハ等を研削する研削方法に関する。 The present invention relates to a grinding method for grinding a semiconductor wafer or the like.

半導体ウェーハを研削する研削装置は、保持面にウェーハを保持させ保持面の中心を軸に回転するチャックテーブルと、環状の砥石の中心を軸に砥石を回転させ保持面に保持されたウェーハを研削する研削手段と、を備える。保持面は、その中心を頂点とする肉眼では目視できない程度の極めてなだらかな円錐状の斜面に形成されている。そして、きわめてなだらかな円錐斜面である保持面を傾き調整手段によって研削砥石の下面と平行になるように傾き調整した状態で、研削中の砥石は保持面の中心を通り、砥石の回転軌跡において保持面の外周から中心に至る範囲でウェーハを研削している。 The grinding device for grinding a semiconductor wafer is a chuck table that holds the wafer on the holding surface and rotates around the center of the holding surface, and a grindstone that rotates around the center of the annular grindstone to grind the wafer held on the holding surface. It is provided with a grinding means to be used. The holding surface is formed on an extremely gentle conical slope whose apex is the center thereof, which is invisible to the naked eye. Then, in a state where the holding surface, which is an extremely gentle conical slope, is tilted and adjusted so as to be parallel to the lower surface of the grinding wheel by the tilt adjusting means, the grindstone being ground passes through the center of the holding surface and is held in the rotation locus of the grindstone. The wafer is ground from the outer circumference to the center of the surface.

例えば、気孔を有するビトリファイドボンド砥石を保持面に接近する方向に所定の研削送り速度で移動させることによって、保持面に保持されたウェーハに砥石を押し付けて例えば６０Ｎの荷重を加えながらウェーハの被研削面である上面を研削している。そのため、研削中の保持面に保持されたウェーハの中心を通過する砥石は、中心の手前では研削荷重に抗するウェーハからの抗力により圧縮され、中心を通過した後は研削荷重が無くなる事によりウェーハからの抗力が無くなり膨張する。これにより砥石の回転軌跡エリアにおけるウェーハの中心は砥石が接触する割合が多くなりその他の部分よりも研削され、直径２ｍｍから４ｍｍの円柱状の空間である凹みができる場合がある。 For example, by moving a vitrified bond grindstone having pores in a direction approaching the holding surface at a predetermined grinding feed rate, the grindstone is pressed against the wafer held on the holding surface and the wafer is to be ground while applying a load of, for example, 60 N. The upper surface, which is the surface, is being ground. Therefore, the grindstone that passes through the center of the wafer held on the holding surface during grinding is compressed by the drag force from the wafer that resists the grinding load in front of the center, and the grinding load disappears after passing through the center. The drag from the wafer disappears and it expands. As a result, the center of the wafer in the rotation locus area of the grindstone becomes more in contact with the grindstone and is ground more than other parts, and a dent which is a columnar space having a diameter of 2 mm to 4 mm may be formed.

そのため、例えば特許文献１に開示にされているように、チャックテーブルの上面を研削して円柱状の凹みをウェーハに形成させないような適切な保持面を形成する（セルフグラインドする）発明がある。 Therefore, for example, as disclosed in Patent Document 1, there is an invention in which the upper surface of a chuck table is ground to form an appropriate holding surface (self-grinding) so as not to form a columnar recess in a wafer.

特開２０１９−１３６８０６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-136806

しかし、上記のようにチャックテーブルの上面をセルフグラインドして適切な保持面を形成するには、形成したい保持面の形状が複雑であることから、時間が掛かるという問題が有る。
よって、保持面に保持されたウェーハを砥石で研削するウェーハの研削方法においては、保持面をセルフグラインドにより形成する工程に時間をとられること無く、また、保持面で保持した状態で研削した研削後のウェーハの中心に円柱状の凹みを形成させないようにするという課題がある。 However, in order to self-grind the upper surface of the chuck table to form an appropriate holding surface as described above, there is a problem that it takes time because the shape of the holding surface to be formed is complicated.
Therefore, in the wafer grinding method in which the wafer held on the holding surface is ground with a grindstone, the process of forming the holding surface by self-grinding does not take time, and the grinding is performed while the wafer is held on the holding surface. There is a problem that a columnar recess is not formed in the center of the subsequent wafer.

中心を頂点とする円錐斜面の保持面でウェーハを保持し該保持面の中心を軸に回転可能な保持手段と、環状の研削砥石の中心を軸に該研削砥石を回転可能に装着し該保持面に保持されたウェーハを該研削砥石で研削する研削手段と、該研削砥石の下面に平行な水平方向に該保持手段と該研削手段とを相対的に移動させる水平移動手段と、該保持手段と該研削手段とを該保持面に垂直な方向に相対的に移動させる研削送り手段と、を備えた研削装置を用いて該研削砥石の下面と平行な該保持面の半径領域でウェーハを研削するウェーハの研削方法であって、該保持面の中心とウェーハの中心とを合致させて該保持面にウェーハを保持させる保持工程と、該水平移動手段を用いて該研削砥石の径方向の刃幅からなる該研削砥石の回転軌跡が該保持面に保持されたウェーハの回転中心を通らないように、該回転軌跡を該保持面の中心から予め設定した距離だけずらして該研削砥石に対してウェーハを位置づける第１位置づけ工程と、該第１位置づけ工程後、該研削送り手段で該研削砥石を該保持面に接近する方向に研削送りして予め設定した仕上げ厚みより予め設定した値（例えば、１μｍ〜３μｍ）だけ厚い厚みまでウェーハを研削することによって該研削砥石が通らないウェーハの中心部分に該刃幅よりも小さい直径の円柱凸部を形成させる第１研削工程と、該第１研削工程の後、該水平移動手段を用いて該研削砥石の該回転軌跡が該保持面の中心を通るように該研削砥石に対してウェーハを位置づける第２位置づけ工程と、該第２位置づけ工程後、該研削送り手段で該研削砥石を該保持面に接近する方向に移動させて該円柱凸部を除去すると共に予め設定した該仕上げ厚みまでウェーハを研削する第２研削工程と、を備えるウェーハの研削方法である。 A holding means that holds the wafer on a holding surface of a conical slope with the center as the apex and can rotate around the center of the holding surface, and the grinding wheel that is rotatably mounted and held around the center of the annular grinding wheel. A grinding means for grinding a wafer held on a surface with the grinding wheel, a horizontal moving means for relatively moving the holding means and the grinding means in a horizontal direction parallel to the lower surface of the grinding wheel, and the holding means. The wafer is ground in a radial region of the holding surface parallel to the lower surface of the grinding wheel by using a grinding device provided with a grinding feed means for moving the grinding means and the grinding means relative to the holding surface in a direction perpendicular to the holding surface. A method for grinding a wafer, which is a holding step of aligning the center of the holding surface with the center of the wafer to hold the wafer on the holding surface, and a radial blade of the grinding wheel using the horizontal moving means. With respect to the grinding wheel, the rotation trajectory is shifted by a preset distance from the center of the holding surface so that the rotation trajectory of the grinding wheel consisting of the width does not pass through the rotation center of the wafer held on the holding surface. After the first positioning step of positioning the wafer and the first positioning step, the grinding wheel is ground and fed in a direction approaching the holding surface by the grinding feed means, and a value preset from a preset finish thickness (for example, A first grinding step of grinding a wafer to a thickness as thick as 1 μm to 3 μm) to form a cylindrical convex portion having a diameter smaller than the blade width in the central portion of the wafer through which the grinding wheel does not pass, and the first grinding step. After that, a second positioning step of positioning the wafer with respect to the grinding wheel so that the rotation locus of the grinding wheel passes through the center of the holding surface using the horizontal moving means, and after the second positioning step, the step. A method for grinding a wafer, comprising a second grinding step of moving the grinding wheel in a direction approaching the holding surface by a grinding feed means to remove the cylindrical convex portion and grinding the wafer to a preset finish thickness. Is.

前記保持工程を行う前に、前記回転軌跡が前記保持面の中心を通る前記研削砥石で試験用ウェーハを研削したことによって、該保持面に保持された該試験用ウェーハの中心に形成される円柱凹部の直径を測定する直径測定工程を備え、前記保持工程は、該試験用ウェーハを該保持面から搬出した後に実施し、前記第１位置づけ工程は、該直径測定工程で測定した測定直径を前記予め設定した距離として、該回転軌跡の前記刃幅の中心と該保持面の中心とが一致する位置から該回転軌跡を該測定直径だけずらして、該回転軌跡の外周又は内周と該保持面の中心との距離を該測定直径の半分としてもよい。 A cylinder formed at the center of the test wafer held on the holding surface by grinding the test wafer with the grinding wheel whose rotation locus passes through the center of the holding surface before performing the holding step. The holding step includes a diameter measuring step of measuring the diameter of the recess, the holding step is carried out after the test wafer is carried out from the holding surface, and the first positioning step is the measurement diameter measured in the diameter measuring step. As a preset distance, the rotation locus is shifted by the measurement diameter from the position where the center of the blade width of the rotation locus and the center of the holding surface coincide with each other, and the outer circumference or the inner circumference of the rotation locus and the holding surface are shifted. The distance from the center of the measurement may be half of the measured diameter.

前記第１位置づけ工程は、前記回転軌跡の外周又は内周と前記保持面の中心との距離が前記刃幅の半分になるように該回転軌跡を該保持面の中心からずらして該研削砥石に対してウェーハを位置づけてもよい。 In the first positioning step, the rotation locus is shifted from the center of the holding surface so that the distance between the outer circumference or the inner circumference of the rotation locus and the center of the holding surface is half the width of the blade, and the grinding wheel is used. The wafer may be positioned relative to the wafer.

本発明に係るウェーハの研削方法は、保持面の中心とウェーハの中心とを合致させて保持面にウェーハを保持させる保持工程と、水平移動手段を用いて研削砥石の回転軌跡が保持面の中心を通らないように研削砥石の径方向の刃幅からなる研削砥石の回転軌跡を保持面の中心から予め設定した距離だけずらして研削砥石に対してウェーハを位置づける第１位置づけ工程と、第１位置づけ工程後、研削送り手段で研削砥石を保持面に接近する方向に研削送りして予め設定した仕上げ厚みより予め設定された値（１μｍ〜３μｍ）だけ厚い厚みまでウェーハを研削することによって研削砥石が通らないウェーハの中心部分に研削砥石の刃幅よりも小さい直径の円柱凸部を形成させる第１研削工程とを実施する。そして、第１研削工程の後、水平移動手段を用いて研削砥石の回転軌跡が保持面の中心を通るように研削砥石に対してウェーハを位置づける第２位置づけ工程と、第２位置づけ工程後、研削送り手段で研削砥石を保持面に接近する方向に移動させて円柱凸部を消失させると共に予め設定した仕上げ厚みまでウェーハを研削する第２研削工程と、を実施することで、第２研削工程において、ウェーハの中心は研削砥石が接触する割合が多くなり、第１研削工程においてウェーハの被研削面に形成された円柱凸部がウェーハの被研削面のその他の部分よりも多く研削され、第２研削工程後のウェーハを、従来ウェーハの中心に形成されていた円柱凹部を有さない均一な厚みのウェーハにすることが可能となる。 The method for grinding a wafer according to the present invention includes a holding step in which the center of the holding surface and the center of the wafer are aligned to hold the wafer on the holding surface, and the rotation locus of the grinding wheel is the center of the holding surface using a horizontal moving means. The first positioning step and the first positioning step of positioning the wafer with respect to the grinding wheel by shifting the rotation locus of the grinding wheel, which consists of the blade width in the radial direction of the grinding wheel so as not to pass through, by a preset distance from the center of the holding surface. After the process, the grinding grind is fed by grinding the grinding grind in the direction approaching the holding surface by the grinding feed means, and the grinding grind is ground to a thickness thicker by a preset value (1 μm to 3 μm) than the preset finish thickness. The first grinding step is performed in which a cylindrical convex portion having a diameter smaller than the blade width of the grinding wheel is formed in the central portion of the wafer that does not pass through. Then, after the first grinding step, a second positioning step of positioning the wafer with respect to the grinding wheel so that the rotation locus of the grinding wheel passes through the center of the holding surface using the horizontal moving means, and after the second positioning step, grinding By carrying out the second grinding step of moving the grinding grindstone in the direction approaching the holding surface by the feeding means to eliminate the cylindrical convex portion and grinding the wafer to a preset finish thickness, in the second grinding step. In the first grinding process, the cylindrical convex portion formed on the surface to be ground of the wafer is ground more than the other parts of the surface to be ground of the wafer, and the second The wafer after the grinding process can be made into a wafer having a uniform thickness without the cylindrical recess formed in the center of the conventional wafer.

研削装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of a grinding apparatus. 保持工程、第１位置づけ工程、及び第１研削工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the holding process, the 1st positioning process, and 1st grinding process. 保持工程、第１位置づけ工程、及び第１研削工程を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the holding process, the 1st positioning process, and 1st grinding process. 第１位置づけ工程において、回転軌跡の外周と保持面の中心との距離が研削砥石の刃幅の半分になるようにずらして研削砥石に対してウェーハを位置づける場合を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the case where the wafer is positioned with respect to the grinding wheel by shifting the distance between the outer periphery of the rotation locus and the center of the holding surface by half the blade width of the grinding wheel in the 1st positioning step. 第１位置づけ工程において、回転軌跡の外周と保持面の中心との距離が研削砥石の刃幅の半分になるようにずらして研削砥石に対してウェーハを位置づける場合を説明する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating a case where the wafer is positioned with respect to the grinding wheel by shifting the distance between the outer circumference of the rotation locus and the center of the holding surface to half the blade width of the grinding wheel in the first positioning step. 本発明に係るウェーハの研削方法における研削時間と研削手段の高さとの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the grinding time and the height of a grinding means in the wafer grinding method which concerns on this invention. 第２位置づけ工程、及び第２研削工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the 2nd positioning process and 2nd grinding process. 第２位置づけ工程、及び第２研削工程を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the 2nd positioning process and 2nd grinding process. 試験用ウェーハを用いた直径測定工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the diameter measurement process using a test wafer. 直径測定工程において、試験用ウェーハの中心に形成された円柱凹部を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the columnar concave part formed in the center of the test wafer in the diameter measuring process. 直径測定工程において測定した円柱凹部の測定直径を用いて第１位置づけ工程を行う場合を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the case where the 1st positioning step is performed using the measured diameter of the cylindrical concave part measured in the diameter measuring step. 直径測定工程において測定した円柱凹部の測定直径を用いて第１位置づけ工程を行う場合を説明する平面図である。It is a top view explaining the case where the 1st positioning step is performed using the measured diameter of the cylindrical recess measured in the diameter measuring step.

図１に示す研削装置１は、チャックテーブル等の保持手段３０上に吸引保持されたウェーハ８０を研削手段１６によって研削加工する装置であり、研削装置１の装置ベース１０上の前方（−Ｙ方向側）は、保持手段３０に対してウェーハ８０の着脱が行われる着脱領域であり、装置ベース１０上の後方（＋Ｙ方向側）は、研削手段１６によって保持手段３０上に保持されたウェーハ８０の研削加工が行われる加工領域である。
なお、本発明に係る研削装置は、研削装置１のような研削手段１６が１軸の研削装置に限定されるものではなく、粗研削手段と仕上げ研削手段とを備え、回転するターンテーブルでウェーハ８０を粗研削手段又は仕上げ研削手段の下方に位置づけ可能な２軸の研削装置等であってもよい。 The grinding device 1 shown in FIG. 1 is a device for grinding a wafer 80 sucked and held on a holding means 30 such as a chuck table by the grinding means 16, and is a front (−Y direction) on the device base 10 of the grinding device 1. The side) is the attachment / detachment region where the wafer 80 is attached / detached to / from the holding means 30, and the rear side (+ Y direction side) on the apparatus base 10 is the wafer 80 held on the holding means 30 by the grinding means 16. This is the processing area where grinding is performed.
The grinding device according to the present invention is not limited to a single-axis grinding device such as the grinding device 1, but includes a rough grinding means and a finish grinding means, and is a rotating turntable wafer. A biaxial grinding device or the like in which 80 can be positioned below the rough grinding means or the finish grinding means may be used.

図１に示すウェーハ８０は、例えば、円柱状のシリコンインゴットをワイヤーソー等で薄く切断して形成された円形のアズスライスウェーハである。ウェーハ８０の図１において下側を向いている面を表面８０１とし、表面８０１に対してＺ軸方向（鉛直方向）において反対側の面を被研削面８０２とする。例えば、表面８０１は、図示しない保護部材が貼着されて保護されていてもよい。
なお、ウェーハ８０はアズスライスウェーハに限定されるものではない。 The wafer 80 shown in FIG. 1 is, for example, a circular asslice wafer formed by thinly cutting a cylindrical silicon ingot with a wire saw or the like. In FIG. 1 of the wafer 80, the surface facing downward is the surface 801 and the surface opposite to the surface 801 in the Z-axis direction (vertical direction) is the surface to be ground 802. For example, the surface 801 may be protected by attaching a protective member (not shown).
The wafer 80 is not limited to the asslice wafer.

外形が平面視円形状の保持手段３０は、例えば、ポーラス部材等からなりウェーハ８０を吸着する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。保持手段３０の吸着部３００は、エジェクター機構又は真空発生装置等の吸引源３７（図２参照）に連通し、吸引源３７が吸引することで生み出された吸引力が、吸着部３００の露出面と枠体３０１の上面とで構成される保持面３０２に伝達されることで、保持手段３０は保持面３０２上でウェーハ８０を吸引保持することができる。
保持面３０２は、保持手段３０の回転中心３０２２を頂点とし肉眼では判断できない程度の極めてなだらかな円錐斜面となっている。 The holding means 30 having a circular shape in a plan view includes, for example, a suction portion 300 which is made of a porous member or the like and sucks the wafer 80, and a frame body 301 which supports the suction portion 300. The suction unit 300 of the holding means 30 communicates with a suction source 37 (see FIG. 2) such as an ejector mechanism or a vacuum generator, and the suction force generated by the suction source 37 sucks the exposed surface of the suction unit 300. By transmitting the information to the holding surface 302 composed of the upper surface of the frame body 301, the holding means 30 can suck and hold the wafer 80 on the holding surface 302.
The holding surface 302 has an extremely gentle conical slope having the rotation center 3022 of the holding means 30 as an apex and cannot be judged by the naked eye.

保持手段３０は、カバー３９によって周囲から囲まれつつ、軸方向がＺ軸方向（鉛直方向）であり保持面３０２の中心３０２２を通る回転軸を軸に回転可能であり、カバー３９及びカバー３９に連結されＹ軸方向に伸縮する蛇腹カバー３９０の下方に配設された水平移動手段１３によって、装置ベース１０上をＹ軸方向に往復移動可能である。 The holding means 30 is surrounded by the cover 39 from the surroundings, and is rotatable about a rotation axis whose axial direction is the Z-axis direction (vertical direction) and passes through the center 3022 of the holding surface 302. The horizontal moving means 13 arranged below the bellows cover 390 which is connected and expands and contracts in the Y-axis direction can reciprocate on the device base 10 in the Y-axis direction.

研削手段１６の研削砥石１６４４の下面に平行な水平方向（Ｙ軸方向）に保持手段３０と研削手段１６とを相対的に移動させる水平移動手段１３は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ１３０と、ボールネジ１３０と平行に配設された一対のガイドレール１３１と、ボールネジ１３０の一端に連結しボールネジ１３０を回動させるモータ１３２と、内部のナットがボールネジ１３０に螺合し底部がガイドレール１３１に摺接する可動板１３３とを備えており、モータ１３２がボールネジ１３０を回動させると、これに伴い可動板１３３がガイドレール１３１にガイドされてＹ軸方向に直動し、可動板１３３上にテーブルベース３５を介して配設された保持手段３０をＹ軸方向に移動させることができる。
なお、水平移動手段１３は、ターンテーブルであってもよい。 The horizontal moving means 13 for relatively moving the holding means 30 and the grinding means 16 in the horizontal direction (Y-axis direction) parallel to the lower surface of the grinding grindstone 1644 of the grinding means 16 is a ball screw 130 having an axial center in the Y-axis direction. A pair of guide rails 131 arranged in parallel with the ball screw 130, a motor 132 connected to one end of the ball screw 130 to rotate the ball screw 130, an internal nut screwed into the ball screw 130, and a guide rail 131 at the bottom. When the motor 132 rotates the ball screw 130, the movable plate 133 is guided by the guide rail 131 and moves linearly in the Y-axis direction on the movable plate 133. The holding means 30 arranged via the table base 35 can be moved in the Y-axis direction.
The horizontal moving means 13 may be a turntable.

保持手段３０は、テーブルベース３５を介して可動板１３３上に配設されている。また、テーブルベース３５は、保持手段３０の周方向に等間隔を空けて複数配設された傾き調整手段３４によって傾きが調整可能となっており、テーブルベース３５の傾きが調整されることで、研削手段１６の研削砥石１６４４の下面に対する保持手段３０の保持面３０２の傾きを調整できる。
傾き調整手段３４は、本実施形態においては、例えば保持手段３０の周方向に１２０度間隔空けて配設された２つの昇降部３４０と、昇降部３４０から周方向に１２０度空けて配設された固定柱部３４１とを備えている。２つの昇降部３４０は、例えば、Ｚ軸方向に上下動可能な電動シリンダやエアシリンダ等である。 The holding means 30 is arranged on the movable plate 133 via the table base 35. Further, the inclination of the table base 35 can be adjusted by a plurality of inclination adjusting means 34 arranged at equal intervals in the circumferential direction of the holding means 30, and the inclination of the table base 35 is adjusted by adjusting the inclination of the table base 35. The inclination of the holding surface 302 of the holding means 30 with respect to the lower surface of the grinding wheel 1644 of the grinding means 16 can be adjusted.
In the present embodiment, the inclination adjusting means 34 is arranged, for example, two elevating portions 340 arranged at intervals of 120 degrees in the circumferential direction of the holding means 30, and elevating portions 340 arranged at intervals of 120 degrees in the circumferential direction. It is provided with a fixed pillar portion 341. The two elevating parts 340 are, for example, an electric cylinder or an air cylinder that can move up and down in the Z-axis direction.

加工領域には、コラム１１が立設されており、コラム１１の−Ｙ方向側の前面には保持手段３０と研削手段１６とを保持面３０２に垂直な方向（Ｚ軸方向）に相対的に移動させる研削送り手段１７が配設されている。研削送り手段１７は、軸方向がＺ軸方向であるボールネジ１７０と、ボールネジ１７０と平行に配設された一対のガイドレール１７１と、ボールネジ１７０の上端に連結しボールネジ１７０を回動させる昇降モータ１７２と、内部のナットがボールネジ１７０に螺合し側部がガイドレール１７１に摺接する昇降板１７３とを備えており、昇降モータ１７２がボールネジ１７０を回動させると、これに伴い昇降板１７３がガイドレール１７１にガイドされてＺ軸方向に往復移動し、昇降板１７３に固定された研削手段１６がＺ軸方向に研削送りされる。 A column 11 is erected in the processing region, and the holding means 30 and the grinding means 16 are placed on the front surface of the column 11 on the −Y direction side in the direction perpendicular to the holding surface 302 (Z-axis direction). A grinding feed means 17 for moving is arranged. The grinding feed means 17 includes a ball screw 170 whose axial direction is the Z-axis direction, a pair of guide rails 171 arranged in parallel with the ball screw 170, and an elevating motor 172 connected to the upper end of the ball screw 170 to rotate the ball screw 170. And an elevating plate 173 in which the internal nut is screwed into the ball screw 170 and the side portion is in sliding contact with the guide rail 171. When the elevating motor 172 rotates the ball screw 170, the elevating plate 173 guides the ball screw 170. Guided by the rail 171 and reciprocating in the Z-axis direction, the grinding means 16 fixed to the elevating plate 173 is grounded and fed in the Z-axis direction.

例えば、研削装置１は、研削送り手段１７により上下動する研削手段１６の高さ位置を検出する高さ位置検出手段１２を備えている。高さ位置検出手段１２は、一対のガイドレール１７１に沿ってＺ軸方向に延在するスケール１２０と、昇降板１７３に固定されスケール１２０に沿って昇降板１７３と共に移動しスケール１２０の目盛りを光学式にて読み取る読み取り部１２３とを備える。 For example, the grinding device 1 includes a height position detecting means 12 that detects the height position of the grinding means 16 that moves up and down by the grinding feed means 17. The height position detecting means 12 is fixed to the elevating plate 173 and moves together with the elevating plate 173 along the scale 120 and the scale 120 extending in the Z-axis direction along the pair of guide rails 171 to optically set the scale of the scale 120. A reading unit 123 for reading by an equation is provided.

保持手段３０の保持面３０２に保持されたウェーハ８０を研削加工する研削手段１６は、軸方向がＺ軸方向である回転軸１６０と、回転軸１６０を回転可能に支持するハウジング１６１と、回転軸１６０を回転駆動するモータ１６２と、回転軸１６０の下端に接続された円環状のマウント１６３と、マウント１６３の下面に着脱可能に装着された研削ホイール１６４と、ハウジング１６１を支持し研削送り手段１７の昇降板１７３に固定されたホルダ１６５とを備える。 The grinding means 16 for grinding the wafer 80 held on the holding surface 302 of the holding means 30 includes a rotating shaft 160 whose axial direction is the Z-axis direction, a housing 161 that rotatably supports the rotating shaft 160, and a rotating shaft. A motor 162 for rotationally driving the 160, an annular mount 163 connected to the lower end of the rotating shaft 160, a grinding wheel 164 detachably mounted on the lower surface of the mount 163, and a grinding feed means 17 supporting the housing 161. It is provided with a holder 165 fixed to the elevating plate 173 of the above.

研削ホイール１６４は、ホイール基台１６４３と、ホイール基台１６４３の底面に環状に配置された研削砥石１６４４とを備える。本実施形態において、研削砥石１６４４は、例えば、気孔を有するビトリファイドボンドでダイヤモンド砥粒等が固着されて、１本の環状の輪に成形されたコンテニュアス配列のビトリファイドボンド研削砥石である。環状の研削砥石１６４４の刃幅は、例えば、３ｍｍに設定されている。なお、研削砥石は、ホイール基台１６４３の下面に、略直方体形状の複数の研削砥石チップを研削砥石チップ間に所定の間隔を空けて環状に配列したセグメント砥石であってもよいし、砥粒を固定するボンドもビトリファイドボンドに限定されるものではなくレジンボンドでもよい。 The grinding wheel 164 includes a wheel base 1643 and a grinding wheel 1644 arranged in an annular shape on the bottom surface of the wheel base 1643. In the present embodiment, the grinding wheel 1644 is, for example, a vitrified bond grinding wheel having a continuous arrangement in which diamond abrasive grains or the like are fixed by a vitrified bond having pores and formed into one annular ring. The blade width of the annular grinding wheel 1644 is set to, for example, 3 mm. The grinding wheel may be a segment grinding wheel in which a plurality of grinding wheel tips having a substantially rectangular parallelepiped shape are arranged in an annular shape with a predetermined interval between the grinding wheels chips on the lower surface of the wheel base 1643, or the abrasive grains. The bond for fixing the wheel is not limited to the vitrified bond and may be a resin bond.

図１に示す回転軸１６０の内部には、研削水供給源に連通し研削水の通り道となる図示しない流路が、回転軸１６０の軸方向（Ｚ軸方向）に貫通して設けられており、該図示しない流路は、さらにマウント１６３を通り、ホイール基台１６４３の底面において研削砥石１６４４に向かって研削水を噴出できるように開口している。 Inside the rotating shaft 160 shown in FIG. 1, a flow path (not shown) that communicates with the grinding water supply source and serves as a passage for the grinding water is provided so as to penetrate in the axial direction (Z-axis direction) of the rotating shaft 160. The flow path (not shown) further passes through the mount 163 and is opened at the bottom surface of the wheel base 1643 so that the grinding water can be ejected toward the grinding wheel 1644.

研削位置まで降下した状態の研削手段１６に隣接する位置には、例えば、ウェーハ８０の厚みを接触式にて測定する厚み測定手段３８が配設されている。なお、厚み測定手段３８は、非接触式のタイプであってもよいし、または、研削装置１は厚み測定手段３８が配設されていなくてもよい。 At a position adjacent to the grinding means 16 in a state of being lowered to the grinding position, for example, a thickness measuring means 38 for measuring the thickness of the wafer 80 by a contact method is arranged. The thickness measuring means 38 may be a non-contact type, or the grinding device 1 may not be provided with the thickness measuring means 38.

研削装置１は、上記のように説明した研削装置１の各構成要素を制御可能な制御手段９を備えている。ＣＰＵ及びメモリ等の記憶素子等で構成される制御手段９は、例えば、研削送り手段１７、研削手段１６、及び水平移動手段１３等に電気的に接続されており、制御手段９の制御の下で、研削送り手段１７による研削手段１６の研削送り動作、研削手段１６における研削ホイール１６４の回転動作、及び水平移動手段１３による保持手段３０の研削ホイール１６４に対する位置付け動作等が制御される。 The grinding device 1 includes a control means 9 capable of controlling each component of the grinding device 1 described above. The control means 9 composed of a storage element such as a CPU and a memory is electrically connected to, for example, a grinding feed means 17, a grinding means 16, a horizontal moving means 13, and the like, and is under the control of the control means 9. The grinding feed operation of the grinding means 16 by the grinding feed means 17, the rotation operation of the grinding wheel 164 by the grinding means 16, and the positioning operation of the holding means 30 with respect to the grinding wheel 164 by the horizontal moving means 13 are controlled.

昇降モータ１７２は、例えば、サーボモータであり、昇降モータ１７２の図示しないエンコーダは、サーボアンプとしての機能も有する制御手段９に接続されており、制御手段９の出力インターフェイスから昇降モータ１７２に対して動作信号が供給されることによって回転軸１６０が回転し、図示しないエンコーダが検知した回転数をエンコーダ信号として制御手段９の入力インターフェイスに対して出力する。そして、エンコーダ信号を受け取った制御手段９は、研削送り手段１７により研削送りされる研削手段１６の高さ位置を遂次認識できるとともに、研削手段１６の研削送り速度をフィードバック制御できる。
なお、制御手段９は、高さ位置検出手段１２が検出した研削手段１６の高さ位置情報を受け取り、該情報を基に研削手段１６の高さ位置を遂次認識できるものであってもよい。 The elevating motor 172 is, for example, a servomotor, and an encoder (not shown) of the elevating motor 172 is connected to a control means 9 which also has a function as a servo amplifier, and the elevating motor 172 is connected to the elevating motor 172 from the output interface of the control means 9. The rotation shaft 160 is rotated by the supply of the operation signal, and the rotation speed detected by the encoder (not shown) is output as an encoder signal to the input interface of the control means 9. Then, the control means 9 that has received the encoder signal can continuously recognize the height position of the grinding means 16 that is grounded by the grinding feed means 17, and can feedback control the grinding feed speed of the grinding means 16.
The control means 9 may receive the height position information of the grinding means 16 detected by the height position detecting means 12, and may be capable of sequentially recognizing the height position of the grinding means 16 based on the information. ..

水平移動手段１３のモータ１３２は、例えば、サーボモータであり、モータ１３２の図示しないエンコーダは、サーボアンプとしての機能も有する制御手段９に接続されており、制御手段９からモータ１３２に対して動作信号が供給されることによってボールネジ１３０が回転し、図示しないエンコーダが検知した回転数をエンコーダ信号として制御手段９に対して出力する。そして、エンコーダ信号を受け取った制御手段９は、水平移動手段１３によりＹ軸方向に水平移動される保持手段３０のＹ軸方向における位置を遂次認識し、所定の位置に位置づける制御が可能となる。 The motor 132 of the horizontal moving means 13 is, for example, a servomotor, and an encoder (not shown) of the motor 132 is connected to a control means 9 which also has a function as a servo amplifier, and the control means 9 operates with respect to the motor 132. When the signal is supplied, the ball screw 130 rotates, and the number of rotations detected by an encoder (not shown) is output to the control means 9 as an encoder signal. Then, the control means 9 that has received the encoder signal can continuously recognize the position of the holding means 30 that is horizontally moved in the Y-axis direction by the horizontal moving means 13 in the Y-axis direction, and can control the position of the holding means 30 at a predetermined position. ..

以下に、図１に示す研削装置１を用いて、本発明に係るウェーハ８０の研削方法を実施する場合の各工程について説明する。 Hereinafter, each step when the method for grinding the wafer 80 according to the present invention is carried out using the grinding device 1 shown in FIG. 1 will be described.

（１）保持工程
まず、着脱領域に位置づけられた保持手段３０の保持面３０２の中心３０２２とウェーハ８０の中心８０８とが合致するように、ウェーハ８０が被研削面８０２を上に向けた状態で保持面３０２上に載置される。そして、吸引源３７（図２参照）が作動して生み出された吸引力が、保持面３０２に伝達されることで、保持手段３０によりウェーハ８０が保持される。また、緩やかな円錐斜面である保持面３０２が図１に示す研削手段１６の研削砥石１６４４の研削面（下面）に対して平行になるように、図１に示す傾き調整手段３４によってテーブルベース３５及び保持手段３０の傾きが調整されることで、円錐斜面である保持面３０２にならって吸引保持されているウェーハ８０の上面である被研削面８０２が、研削砥石１６４４の下面に対して略平行になる。 (1) Holding Step First, in a state where the wafer 80 faces the surface to be ground 802 upward so that the center 3022 of the holding surface 302 of the holding means 30 positioned in the attachment / detachment region and the center 808 of the wafer 80 coincide with each other. It is placed on the holding surface 302. Then, the suction force generated by the operation of the suction source 37 (see FIG. 2) is transmitted to the holding surface 302, so that the wafer 80 is held by the holding means 30. Further, the table base 35 is provided by the inclination adjusting means 34 shown in FIG. 1 so that the holding surface 302, which is a gentle conical slope, is parallel to the grinding surface (lower surface) of the grinding wheel 1644 of the grinding means 16 shown in FIG. By adjusting the inclination of the holding means 30, the surface to be ground 802, which is the upper surface of the wafer 80 which is suction-held following the holding surface 302 which is a conical slope, is substantially parallel to the lower surface of the grinding wheel 1644. become.

（２）第１位置づけ工程
次いで、図２、３に示すように、ウェーハ８０を吸引保持した保持手段３０が、水平移動手段１３によって＋Ｙ方向に送られて、研削砥石１６４４の径方向の刃幅（例えば３ｍｍ）からなる回転軌跡が保持面３０２の中心３０２２、即ち、保持面３０２に保持されたウェーハ８０の回転中心８０８を通らないように研削砥石１６４４の回転軌跡を保持面３０２の中心３０２２から予め設定した距離だけずらして研削砥石１６４４に対してウェーハ８０を位置づける。即ち、研削砥石１６４４の回転中心が保持手段３０の保持面３０２の中心３０２２（即ち、ウェーハ８０の中心８０８）に対して所定の距離だけ水平方向（＋Ｙ方向、または−Ｙ方向）にずれ、また、従来においては、研削砥石１６４４の刃幅の中心（中点）が保持手段３０の保持面３０２の中心３０２２に合致するように研削手段１６が水平方向において位置づけられるが、本実施形態においては、例えば、研削砥石１６４４の刃幅の中心が、保持面３０２の中心３０２２から２．８ｍｍだけずれた状態となる。なお、第１位置づけ工程では、図２、３に示す研削砥石１６４４の回転軌跡の内周と保持面３０２の中心３０２２との距離が、研削砥石１６４４の刃幅３ｍｍの半分である１．５ｍｍになるように回転軌跡を保持面３０２の中心３０２２からずらして研削砥石１６４４に対してウェーハ８０を位置づけしてもよい。該位置付けは、例えば、制御手段９は移動する保持手段３０の保持面３０２の中心３０２２の逐次認識しているため、従来のような保持面３０２の中心３０２２と研削砥石１６４４の刃幅中心とを一度位置合わせした後、該ズレ量（オフセット量）分Ｙ軸方向に保持手段３０を移動させて行ってもよい。
なお、図２、図３においては、研削装置１の各構成を簡略化して示している。 (2) First Positioning Step Next, as shown in FIGS. 2 and 3, the holding means 30 that sucks and holds the wafer 80 is sent in the + Y direction by the horizontal moving means 13, and the blade width in the radial direction of the grinding wheel 1644. The rotation locus of the grinding wheel 1644 is moved from the center 3022 of the holding surface 302 so that the rotation locus composed of (for example, 3 mm) does not pass through the center 3022 of the holding surface 302, that is, the rotation center 808 of the wafer 80 held by the holding surface 302. The wafer 80 is positioned with respect to the grinding wheel 1644 by shifting it by a preset distance. That is, the center of rotation of the grinding wheel 1644 is displaced in the horizontal direction (+ Y direction or −Y direction) by a predetermined distance with respect to the center 3022 of the holding surface 302 of the holding means 30 (that is, the center 808 of the wafer 80). Conventionally, the grinding means 16 is positioned in the horizontal direction so that the center (midpoint) of the blade width of the grinding wheel 1644 coincides with the center 3022 of the holding surface 302 of the holding means 30, but in the present embodiment, the grinding means 16 is positioned. For example, the center of the blade width of the grinding wheel 1644 is deviated by 2.8 mm from the center 3022 of the holding surface 302. In the first positioning step, the distance between the inner circumference of the rotation locus of the grinding wheel 1644 shown in FIGS. 2 and 3 and the center 3022 of the holding surface 302 is 1.5 mm, which is half of the blade width of the grinding wheel 1644, which is 3 mm. The wafer 80 may be positioned with respect to the grinding wheel 1644 by shifting the rotation locus from the center 3022 of the holding surface 302 so as to be. In this positioning, for example, since the control means 9 sequentially recognizes the center 3022 of the holding surface 302 of the moving holding means 30, the center 3022 of the holding surface 302 and the center of the blade width of the grinding wheel 1644 as in the conventional case are positioned. After aligning once, the holding means 30 may be moved in the Y-axis direction by the amount of deviation (offset amount).
In addition, in FIG. 2 and FIG. 3, each configuration of the grinding apparatus 1 is shown in a simplified manner.

なお、第１位置づけ工程では、図４、図５に示すように、ウェーハ８０を吸引保持した保持手段３０が、水平移動手段１３によって＋Ｙ方向に送られて、研削砥石１６４４の径方向の３ｍｍの刃幅からなる回転軌跡が保持面３０２の中心３０２２を通らないように研削砥石１６４４の回転軌跡を保持面３０２の中心３０２２から予め設定した距離だけずらし、そして、研削砥石１６４４の回転軌跡の外周と保持面３０２の中心３０２２との距離が刃幅３ｍｍの半分である１．５ｍｍになるようにしてもよい。 In the first positioning step, as shown in FIGS. 4 and 5, the holding means 30 that sucks and holds the wafer 80 is sent in the + Y direction by the horizontal moving means 13, and is 3 mm in the radial direction of the grinding wheel 1644. The rotation locus of the grinding wheel 1644 is shifted from the center 3022 of the holding surface 302 by a preset distance so that the rotation locus consisting of the blade width does not pass through the center 3022 of the holding surface 302, and the outer circumference of the rotation locus of the grinding wheel 1644 The distance from the center 3022 of the holding surface 302 may be 1.5 mm, which is half of the blade width of 3 mm.

（３）第１研削工程
次いで、図２に簡略化して示す研削送り手段１７によって、研削砥石１６４４が保持面３０２に接近する−Ｚ方向に所定の研削送り速度で研削手段１６が研削送りされていく。具体的には、図６のグラフＧに示すように、例えば原点高さ位置に位置している研削手段１６が高速で下降していく。また、原点高さ位置から下降し始めた研削手段１６の高さ位置は、制御手段９によって常に把握されている。
そして、図６のグラフＧに示すように、研削手段１６がエアカット開始位置Ｚ１に到達する。なお、図６のグラフＧにおいて、横軸は研削時間Ｔを示し、縦軸は研削手段１６の高さ位置Ｈを示している。 (3) First Grinding Step Next, the grinding means 16 is grounded at a predetermined grinding feed rate in the −Z direction in which the grinding wheel 1644 approaches the holding surface 302 by the grinding feed means 17 simplified in FIG. go. Specifically, as shown in Graph G of FIG. 6, for example, the grinding means 16 located at the origin height position descends at high speed. Further, the height position of the grinding means 16 that has started to descend from the origin height position is always grasped by the control means 9.
Then, as shown in the graph G of FIG. 6, the grinding means 16 reaches the air cut start position Z1. In the graph G of FIG. 6, the horizontal axis represents the grinding time T, and the vertical axis represents the height position H of the grinding means 16.

研削手段１６がエアカット開始位置Ｚ１に到達すると、研削送り手段１７が、エアカット開始位置Ｚ１から研削砥石１６４４の研削面がウェーハ８０の被研削面８０２に接触するまでのエアカット（図６のグラフＧに示す時間Ｔ１から時間Ｔ２までのエアカット）におけるエアカット送り速度を、エアカット開始位置Ｚ１に到達する前の下降速度よりも低速で、例えば研削加工時の研削送り速度と同速度とする制御が制御手段９の下で行われる。エアカットを行うことで、ウェーハ８０に研削砥石１６４４がウェーハ８０を破損させる速度で突っ込むことが無いようになる。 When the grinding means 16 reaches the air cut start position Z1, the grinding feed means 17 air cuts from the air cut start position Z1 until the grinding surface of the grinding wheel 1644 comes into contact with the surface to be ground 802 of the wafer 80 (FIG. 6). The air cut feed rate at (air cut from time T1 to time T2) shown in Graph G is slower than the descending speed before reaching the air cut start position Z1, for example, the same speed as the grinding feed speed during grinding. Control is performed under the control means 9. By performing the air cut, the grinding wheel 1644 does not plunge into the wafer 80 at a speed that damages the wafer 80.

その後、研削手段１６が高さ位置Ｚ２まで下降すると、例えば図２、３に示すように＋Ｚ方向側から見て反時計回り方向に回転される研削砥石１６４４の研削面がウェーハ８０の被研削面８０２に接触して、被研削面８０２の研削が開始される。また、保持手段３０が所定の回転速度で例えば＋Ｚ方向側から見て反時計回り方向に回転するのに伴い保持面３０２上に保持されたウェーハ８０も回転するので、研削砥石１６４４がウェーハ８０の被研削面８０２全面の研削加工を行う。ウェーハ８０は保持手段３０の緩やかな円錐斜面である保持面３０２にならって吸引保持されているため、図３に示すように、研削砥石１６４４の回転軌跡中の矢印Ｒで示す範囲内、即ち、保持面３０２側から見ると研削砥石１６４４の下面と平行な保持面３０２の半径領域内において、研削砥石１６４４はウェーハ８０に当接し、例えば６０Ｎの押し付け荷重をウェーハ８０に加えつつ研削を行う。また、研削砥石１６４４の回転軌跡中において、主に研削砥石１６４４の内周側の内刃が加工点となる。研削加工中には、研削水が研削砥石１６４４とウェーハ８０の被研削面８０２との接触部位に供給されて、接触部位が冷却・洗浄される。 After that, when the grinding means 16 descends to the height position Z2, for example, as shown in FIGS. Upon contact with the 802, grinding of the surface to be ground 802 is started. Further, as the holding means 30 rotates at a predetermined rotation speed, for example, in the counterclockwise direction when viewed from the + Z direction side, the wafer 80 held on the holding surface 302 also rotates, so that the grinding grindstone 1644 is attached to the wafer 80. The entire surface of the surface to be ground 802 is ground. Since the wafer 80 is suction-held following the holding surface 302 which is the gentle conical slope of the holding means 30, as shown in FIG. 3, it is within the range indicated by the arrow R in the rotation locus of the grinding wheel 1644, that is, When viewed from the holding surface 302 side, the grinding wheel 1644 abuts on the wafer 80 within the radial region of the holding surface 302 parallel to the lower surface of the grinding wheel 1644, and grinding is performed while applying a pressing load of, for example, 60 N to the wafer 80. Further, in the rotation locus of the grinding wheel 1644, the inner blade on the inner peripheral side of the grinding wheel 1644 is mainly a machining point. During the grinding process, the grinding water is supplied to the contact portion between the grinding wheel 1644 and the surface to be ground 802 of the wafer 80, and the contact portion is cooled and cleaned.

例えば、図１に示す高さ位置検出手段１２を用いた研削手段１６の高さ位置の検出が行われ、制御手段９が研削送り手段１７による研削手段１６の研削送り量を制御しつつ研削手段１６を図６のグラフＧに示す高さ位置Ｚ３まで降下させることで、制御手段９に予め設定された仕上げ厚みよりも１μｍ〜３μｍだけ厚い厚みまでウェーハ８０が研削（図６のグラフＧに示す時間Ｔ２から時間Ｔ３までの第１研削）された後、所謂スパークアウトと呼ばれる加工が実施される。また、仕上げ厚みよりも１μｍ〜３μｍだけ厚い厚みまで研削された研削砥石１６４４が通らないウェーハ８０の中心部分に、例えば研削砥石１６４４の刃幅（本実施形態おいては、３ｍｍ）よりも小さい直径（例えば、２．６ｍｍ）の図７、図８に示す円柱凸部８０７が形成された状態になる。
つまり、図２に示す回転軌跡の内側に円柱凸部８０７が形成される。なお、回転軌跡の外側に円柱凸部８０７を形成するように研削砥石１６４４をずらしてもよい。 For example, the height position of the grinding means 16 is detected by using the height position detecting means 12 shown in FIG. 1, and the controlling means 9 controls the grinding feed amount of the grinding means 16 by the grinding feed means 17 while grinding means. By lowering 16 to the height position Z3 shown in the graph G of FIG. 6, the wafer 80 is ground to a thickness 1 μm to 3 μm thicker than the finish thickness preset in the control means 9 (shown in the graph G of FIG. 6). After the first grinding from time T2 to time T3), a so-called spark-out process is performed. Further, in the central portion of the wafer 80 through which the grinding wheel 1644 ground to a thickness 1 μm to 3 μm thicker than the finish thickness does not pass, for example, a diameter smaller than the blade width of the grinding wheel 1644 (3 mm in this embodiment). The columnar convex portion 807 shown in FIGS. 7 and 8 (for example, 2.6 mm) is formed.
That is, the cylindrical convex portion 807 is formed inside the rotation locus shown in FIG. The grinding wheel 1644 may be shifted so as to form the cylindrical convex portion 807 on the outside of the rotation locus.

図６のグラフＧに示す時間Ｔ３から時間Ｔ４までのスパークアウトでは、研削送り手段１７による研削手段１６の下降が停止され、研削手段１６の高さ位置が、所定時間例えば高さ位置Ｚ３で保持された状態で、回転する研削砥石１６４４により、回転するウェーハ８０の被研削面８０２の削り残しが除去されて、被研削面８０２が整えられる。
なお、第１研削工程において、図１に示す厚み測定手段３８によるウェーハ８０の厚み測定が行われてもよい。 In the spark-out from time T3 to time T4 shown in the graph G of FIG. 6, the lowering of the grinding means 16 by the grinding feed means 17 is stopped, and the height position of the grinding means 16 is held at a predetermined time, for example, the height position Z3. In this state, the rotating grinding wheel 1644 removes the uncut portion of the surface to be ground 802 of the rotating wafer 80, and the surface to be ground 802 is prepared.
In the first grinding step, the thickness of the wafer 80 may be measured by the thickness measuring means 38 shown in FIG.

スパークアウト実施後に、研削送り手段１７により研削手段１６がエスケープカット（図６のグラフＧに示す時間Ｔ４から時間Ｔ５までのエスケープカット）される。エスケープカットにおいては、研削手段１６がウェーハ８０の被研削面８０２への悪影響を抑えるためにゆっくりと上昇する。ここで、研削加工中において、研削手段１６からウェーハ８０、ウェーハ８０を保持する保持手段３０、テーブルベース３５、及び傾き調整手段３４等に−Ｚ方向への例えば６０Ｎの押し付け荷重が掛かっており、研削手段１６がゆっくり上昇すると、押し付け荷重から上記ウェーハ８０等が解放される。その結果、いわゆるスプリングバック現象が生じて、ウェーハ８０の被研削面８０２も上昇するため、ウェーハ８０の被研削面８０２が研削砥石１６４４の下面に接した状態が例えば継続される。そして、例えば、ウェーハ８０の被研削面８０２が上昇する研削砥石１６４４の下面に追従するように接触しながら、研削手段１６が所定の高さ位置Ｚ４まで上昇して停止する。
なお、エスケープカット中は、研削手段１６の上昇速度を速めて研削砥石１６４４の下面にウェーハ８０の被研削面８０２が接触しないようにしてもよい。 After the spark-out is performed, the grinding means 16 is escape-cut (escape cut from time T4 to time T5 shown in the graph G of FIG. 6) by the grinding feed means 17. In the escape cut, the grinding means 16 slowly rises in order to suppress an adverse effect on the surface to be ground 802 of the wafer 80. Here, during the grinding process, a pressing load of, for example, 60 N is applied from the grinding means 16 to the wafer 80, the holding means 30 for holding the wafer 80, the table base 35, the inclination adjusting means 34, and the like in the −Z direction. When the grinding means 16 slowly rises, the wafer 80 and the like are released from the pressing load. As a result, a so-called springback phenomenon occurs and the surface to be ground 802 of the wafer 80 also rises, so that the state in which the surface 802 to be ground of the wafer 80 is in contact with the lower surface of the grinding wheel 1644 is continued, for example. Then, for example, the grinding means 16 rises to a predetermined height position Z4 and stops while contacting the surface 802 of the wafer 80 to follow the lower surface of the rising grindstone 1644.
During the escape cut, the ascending speed of the grinding means 16 may be increased so that the surface to be ground 802 of the wafer 80 does not come into contact with the lower surface of the grinding wheel 1644.

（４）第２位置づけ工程
第１研削工程後、水平移動手段１３によって保持手段３０が−Ｙ方向に移動されて、研削砥石１６４４の回転軌跡が保持面３０２の中心３０２２を通るように研削砥石１６４４に対してウェーハ８０が位置づけされる。即ち、研削砥石１６４４の回転軌跡が第１研削工程においてウェーハ８０の中心部分に形成された円柱凸部８０７の直上に位置するように研削砥石１６４４に対してウェーハ８０が位置づけされる。例えば、図６のグラフＧに示すように、時間Ｔ５から時間Ｔ６において行われる第２位置づけ工程では、研削手段１６の高さ位置Ｚ４は固定されており、ウェーハ８０の被研削面８０２から研削砥石１６４４が離間せずに、回転する研削砥石１６４４により円柱凸部８０７を水平方向に向かって研削しつつ、研削砥石１６４４に対してウェーハ８０が位置づけされてもよい。または、図６のグラフＧの二点鎖線で示すように、研削送り手段１７によって研削砥石１６４４を一度ウェーハ８０の被研削面８０２から少しだけ上方の高さ位置Ｚ５まで上昇退避させウェーハ８０から研削砥石１６４４を離間させ、その後、水平移動手段１３による先に説明したウェーハ８０の位置づけを行い、再び、研削送り手段１７により例えば第２研削工程における研削送り速度と略同様の下降速度で研削手段１６を下降させてもよい。 (4) Second Positioning Step After the first grinding step, the holding means 30 is moved in the −Y direction by the horizontal moving means 13, and the grinding wheel 1644 so that the rotation locus of the grinding wheel 1644 passes through the center 3022 of the holding surface 302. The wafer 80 is positioned with respect to. That is, the wafer 80 is positioned with respect to the grinding wheel 1644 so that the rotation locus of the grinding wheel 1644 is located directly above the cylindrical convex portion 807 formed in the central portion of the wafer 80 in the first grinding step. For example, as shown in Graph G of FIG. 6, in the second positioning step performed from time T5 to time T6, the height position Z4 of the grinding means 16 is fixed, and the grinding wheel is grounded from the surface to be ground 802 of the wafer 80. The wafer 80 may be positioned with respect to the grinding wheel 1644 while grinding the columnar convex portion 807 in the horizontal direction by the rotating grinding wheel 1644 without separating the 1644. Alternatively, as shown by the two-point chain line in Graph G of FIG. 6, the grinding wheel 1644 is once raised and retracted from the surface to be ground 802 of the wafer 80 to the height position Z5 slightly above by the grinding feed means 17 and ground from the wafer 80. The grindstones 1644 are separated from each other, and then the wafer 80 is positioned by the horizontal moving means 13 as described above. May be lowered.

（５）第２研削工程
次いで、図７に簡略化して示す研削送り手段１７によって、研削砥石１６４４が保持面３０２に接近する−Ｚ方向に所定の研削送り速度で研削手段１６が研削送りされていく。そして、回転する研削砥石１６４４がウェーハ８０の被研削面８０２に接触して、被研削面８０２が円柱凸部８０７と共に研削されていく。また、保持手段３０が所定の回転速度で回転するのに伴い保持面３０２上に保持されたウェーハ８０も回転して、研削水の供給が行われつつ研削砥石１６４４がウェーハ８０の被研削面８０２全面の研削加工を行う。 (5) Second Grinding Step Next, the grinding means 16 is grounded at a predetermined grinding feed rate in the −Z direction in which the grinding wheel 1644 approaches the holding surface 302 by the grinding feed means 17 simplified in FIG. go. Then, the rotating grinding wheel 1644 comes into contact with the surface to be ground 802 of the wafer 80, and the surface to be ground 802 is ground together with the cylindrical convex portion 807. Further, as the holding means 30 rotates at a predetermined rotation speed, the wafer 80 held on the holding surface 302 also rotates, and the grinding grind 1644 moves on the surface to be ground 802 of the wafer 80 while the grinding water is supplied. Grind the entire surface.

例えば、図１に示す高さ位置検出手段１２を用いた研削手段１６の高さ位置の検出が行われ、制御手段９が研削送り手段１７による研削手段１６の研削送り量を制御しつつ、制御手段９に予め設定された仕上げ厚みまでウェーハ８０が第２研削（図６のグラフＧに示す時間Ｔ６から時間Ｔ７に示す第２研削）された後、時間Ｔ７から時間Ｔ８においてスパークアウト、及び時間Ｔ８から時間Ｔ９においてエスケープカットが行われ、さらに、研削手段１６がウェーハ８０から上昇退避して第２研削工程が終了する。第２研削工程後のウェーハ８０は、第１研削工程において形成されていた円柱凸部８０７に対する研削が第２研削工程においてその他の被研削面８０２よりも割合が多くなされたことで、中心８０８に従来形成されていた円柱状の凹部が形成されていない均一な厚みのウェーハとなる。
なお、円柱凸部８０７は、刃幅の直径に対応した大きさで形成する。 For example, the height position of the grinding means 16 is detected by using the height position detecting means 12 shown in FIG. 1, and the control means 9 controls while controlling the grinding feed amount of the grinding means 16 by the grinding feed means 17. After the wafer 80 is second ground (second grinding shown in time T6 to time T7 shown in graph G of FIG. 6) to a finish thickness preset in means 9, spark-out and time from time T7 to time T8. Escape cutting is performed from T8 to time T9, and the grinding means 16 rises and retracts from the wafer 80 to complete the second grinding step. The wafer 80 after the second grinding step is centered on the center 808 because the grinding of the cylindrical convex portion 807 formed in the first grinding step is performed in a larger proportion than the other surfaces to be ground 802 in the second grinding step. The wafer has a uniform thickness without the cylindrical recesses that were conventionally formed.
The cylindrical convex portion 807 is formed in a size corresponding to the diameter of the blade width.

本発明に係るウェーハの研削方法は上記実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。また、添付図面に図示されている研削装置１の構成等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。 It goes without saying that the wafer grinding method according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented in various different forms within the scope of the technical idea. Further, the configuration and the like of the grinding apparatus 1 shown in the attached drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within the range in which the effects of the present invention can be exhibited.

例えば、上記実施形態においては、研削ホイール１６４と保持手段３０との回転方向を同一とし、回転する研削砥石１６４４がウェーハ８０の外周から入り中心８０８に向かって研削していく外内研削を行っているが、例えば、第１研削工程及び第２研削工程において、研削ホイール１６４と保持手段３０との回転方向を反対方向とし、回転する研削砥石１６４４がウェーハ８０の中心８０８から入り外周に向かって研削していく内外研削を行ってもよい。 For example, in the above embodiment, the grinding wheel 164 and the holding means 30 have the same rotation direction, and the rotating grinding grind 1644 enters from the outer periphery of the wafer 80 and grinds toward the center 808. However, for example, in the first grinding step and the second grinding step, the rotation direction of the grinding wheel 164 and the holding means 30 is opposite, and the rotating grinding grind 1644 enters from the center 808 of the wafer 80 and grinds toward the outer periphery. Internal and external grinding may be performed.

本発明に係るウェーハの研削方法は、先に説明した保持工程を行う前に、回転軌跡が保持手段３０の保持面３０２の中心３０２２を通る研削砥石１６４４で図９に示す試験用ウェーハ８０６を研削したことによって、保持面３０２に保持された試験用ウェーハ８０６の中心８０６２に形成される円柱凹部の直径を測定する直径測定工程を備えていてもよい。 In the wafer grinding method according to the present invention, the test wafer 806 shown in FIG. 9 is ground by a grinding wheel 1644 whose rotation locus passes through the center 3022 of the holding surface 302 of the holding means 30 before the holding step described above is performed. As a result, a diameter measuring step of measuring the diameter of the cylindrical recess formed in the center 8062 of the test wafer 806 held on the holding surface 302 may be provided.

（保持工程の前に実施する直径測定工程）
図９に示すように、まず、保持手段３０の保持面３０２の中心３０２２と試験用ウェーハ８０６の中心８０６２とが合致するように、試験用ウェーハ８０６が被研削面を上に向けた状態で保持面３０２上に載置され吸引保持される。なお、試験用ウェーハ８０６は、図１に示すウェーハ８０であってもよいし、ダミーウェーハであってもよい。試験用ウェーハ８０６を吸引保持した保持手段３０が、＋Ｙ方向に送られて、研削砥石１６４４の回転中心が保持手段３０の保持面３０２の中心３０２２（即ち、試験用ウェーハ８０６の中心８０６２）に対して所定の距離だけ水平方向（＋Ｙ方向）にずれ、研削砥石１６４４の径方向の刃幅（例えば、３ｍｍ）からなる回転軌跡が試験用ウェーハ８０６の回転中心８０６２を通るように行われる。即ち、例えば、研削砥石１６４４のＹ軸方向の刃幅の中心（中点）の位置に保持面３０２に保持されている試験用ウェーハ８０６の中心８０６２が合致せしめられる。 (Diameter measurement process performed before the holding process)
As shown in FIG. 9, first, the test wafer 806 is held with the surface to be ground facing upward so that the center 3022 of the holding surface 302 of the holding means 30 and the center 8062 of the test wafer 806 are aligned with each other. It is placed on the surface 302 and is sucked and held. The test wafer 806 may be the wafer 80 shown in FIG. 1 or a dummy wafer. The holding means 30 that sucks and holds the test wafer 806 is sent in the + Y direction, and the center of rotation of the grinding wheel 1644 is relative to the center 3022 of the holding surface 302 of the holding means 30 (that is, the center 8062 of the test wafer 806). The rotation locus is displaced in the horizontal direction (+ Y direction) by a predetermined distance and has a blade width (for example, 3 mm) in the radial direction of the grinding wheel 1644 so as to pass through the rotation center 8062 of the test wafer 806. That is, for example, the center 8062 of the test wafer 806 held on the holding surface 302 is aligned with the position of the center (midpoint) of the blade width in the Y-axis direction of the grinding wheel 1644.

次いで、図９に示す研削送り手段１７によって、研削砥石１６４４が保持面３０２に接近する−Ｚ方向に所定の研削送り速度で研削手段１６が研削送りされていく。例えば図９に示す＋Ｚ方向側から見て反時計回り方向に回転される研削砥石１６４４の研削面が試験用ウェーハ８０６の被研削面（上面）に接触して、被研削面の研削が開始される。また、保持手段３０が所定の回転速度で例えば＋Ｚ方向側から見て反時計回り方向に回転するのに伴い保持面３０２上に保持された試験用ウェーハ８０６も回転するので、研削砥石１６４４が試験用ウェーハ８０６の被研削面全面の研削加工を行う。そして、仕上げ厚みよりも１μｍ〜３μｍだけ厚い厚みまで研削された試験用ウェーハ８０６の中心８０６２には、背景技術の欄で説明したような現象によって、図１０に示す円柱凹部８０６８が形成された状態になる。 Next, the grinding feed means 17 shown in FIG. 9 grinds the grinding wheel 16 at a predetermined grinding feed rate in the −Z direction in which the grinding wheel 1644 approaches the holding surface 302. For example, the grinding surface of the grinding wheel 1644 rotated in the counterclockwise direction when viewed from the + Z direction side shown in FIG. 9 comes into contact with the surface to be ground (upper surface) of the test wafer 806, and grinding of the surface to be ground is started. NS. Further, as the holding means 30 rotates at a predetermined rotation speed, for example, in the counterclockwise direction when viewed from the + Z direction side, the test wafer 806 held on the holding surface 302 also rotates, so that the grinding wheel 1644 is tested. The entire surface of the wafer 806 to be ground is ground. Then, in the center 8062 of the test wafer 806 ground to a thickness 1 μm to 3 μm thicker than the finish thickness, a cylindrical recess 8068 shown in FIG. 10 is formed by a phenomenon as described in the background technology column. become.

次いで、例えば、保持手段３０の上方に位置づけされた図示しない撮像手段によって試験用ウェーハ８０６の被研削面が撮像され、さらに、形成された円柱凹部８０６８が写った撮像画像を用いた画像解析が、例えば、図１に示す研削装置１の制御手段９によって実施されて、円柱凹部８０６８の直径が測定される。例えば、円柱凹部８０６８の測定直径は約３ｍｍとなる。そして、円柱凹部８０６８の測定直径３ｍｍについての情報が、制御手段９の記憶素子に記憶される。 Then, for example, an image analysis using an image taken by an imaging means (not shown) positioned above the holding means 30 to image the surface to be ground of the test wafer 806 and further showing the formed cylindrical recess 8068 is performed. For example, the diameter of the cylindrical recess 8068 is measured by the control means 9 of the grinding device 1 shown in FIG. For example, the measured diameter of the cylindrical recess 8068 is about 3 mm. Then, the information about the measurement diameter of the cylindrical recess 8068 of 3 mm is stored in the storage element of the control means 9.

（直径測定工程後に実施する保持工程）
研削装置１の着脱領域において、保持手段３０の保持面３０２から試験用ウェーハ８０６が搬出され、代わりに図１に示す製品チップとなるウェーハ８０が、先に説明した保持工程における場合と同様に、保持面３０２の中心３０２２とウェーハ８０の中心８０８とを合致させて保持面３０２で保持される。 (Holding process performed after the diameter measurement process)
In the attachment / detachment region of the grinding device 1, the test wafer 806 is carried out from the holding surface 302 of the holding means 30, and the wafer 80, which is the product chip shown in FIG. The center 3022 of the holding surface 302 and the center 808 of the wafer 80 are aligned and held by the holding surface 302.

（直径測定工程で測定した測定直径を用いた第１位置づけ工程）
次いで、図１１、図１２に示すように、ウェーハ８０を吸引保持した保持手段３０が、水平移動手段１３によって＋Ｙ方向に送られて、研削砥石１６４４の径方向の刃幅（例えば３ｍｍ）からなる回転軌跡が保持面３０２の中心３０２２を通らないようにするために、直径測定工程で測定した測定直径３ｍｍを用いて、研削砥石１６４４の回転軌跡の刃幅の中心と保持面３０２の中心３０２２とが一致する位置から回転軌跡を測定直径３ｍｍだけずらして、研削砥石１６４４に対してウェーハ８０が位置づけされる。その結果、例えば、研削砥石１６４４の回転軌跡の内周と保持面３０２の中心３０２２との距離が測定直径３ｍｍの半分である１．５ｍｍになる。
なお、研削砥石１６４４の回転軌跡の外周と保持面３０２の中心３０２２との距離が測定直径３ｍｍの半分である１．５ｍｍになるように、ウェーハ８０を研削砥石１６４４に対して位置づけてもよい。 (First positioning step using the measured diameter measured in the diameter measuring step)
Next, as shown in FIGS. 11 and 12, the holding means 30 that sucks and holds the wafer 80 is sent in the + Y direction by the horizontal moving means 13 and has a blade width (for example, 3 mm) in the radial direction of the grinding wheel 1644. In order to prevent the rotation locus from passing through the center 3022 of the holding surface 302, the center of the blade width of the rotation locus of the grinding wheel 1644 and the center 3022 of the holding surface 302 are used by using the measurement diameter of 3 mm measured in the diameter measuring step. The wafer 80 is positioned with respect to the grinding wheel 1644 by shifting the rotation locus by a measurement diameter of 3 mm from the position where As a result, for example, the distance between the inner circumference of the rotation locus of the grinding wheel 1644 and the center 3022 of the holding surface 302 becomes 1.5 mm, which is half of the measured diameter of 3 mm.
The wafer 80 may be positioned with respect to the grinding wheel 1644 so that the distance between the outer circumference of the rotation locus of the grinding wheel 1644 and the center 3022 of the holding surface 302 is 1.5 mm, which is half of the measured diameter of 3 mm.

その後、先に説明した第１研削工程から第２研削工程を実施して、第２研削工程後のウェーハ８０を、中心８０８に従来形成されていた円柱凹部が形成されていない均一な厚みのウェーハとする。 After that, the first grinding step to the second grinding step described above are carried out, and the wafer 80 after the second grinding step is a wafer having a uniform thickness in which the cylindrical recesses conventionally formed in the center 808 are not formed. And.

８０：ウェーハ ８０２：被研削面 ８０１：表面 ８０７：円柱凸部
１：研削装置 １０：装置ベース
３０：保持手段 ３００：吸着部 ３０１：枠体 ３０２：保持面
３５：テーブルベース ３４：傾き調整手段 ３４０：昇降部 ３４１：固定柱部
３８：厚み測定手段 ３７：吸引源
１３：水平移動手段 １３０：ボールネジ １３２：モータ １３３：可動板
１１：コラム １７：研削送り手段 １７０：ボールネジ １７２：昇降モータ
１６：研削手段 １６０：回転軸 １６２：モータ １６４：研削ホイール
１６４３：ホイール基台 １６４４：研削砥石
９：制御手段
８０６：試験用ウェーハ ８０６２：試験用ウェーハの中心 ８０６８：円柱凹部 80: Wafer 802: Surface to be ground 801: Surface 807: Cylindrical convex part 1: Grinding device 10: Equipment base 30: Holding means 300: Adsorption part 301: Frame body 302: Holding surface
35: Table base 34: Tilt adjusting means 340: Elevating part 341: Fixed column part 38: Thickness measuring means 37: Suction source 13: Horizontal moving means 130: Ball screw 132: Motor 133: Movable plate 11: Column 17: Grinding feeding means 170: Ball screw 172: Lifting motor 16: Grinding means 160: Rotating shaft 162: Motor 164: Grinding wheel 1643: Wheel base 1644: Grinding grindstone 9: Control means 806: Test wafer 8062: Test wafer center 8068: Cylinder Recess

Claims (3)

中心を頂点とする円錐斜面の保持面でウェーハを保持し該保持面の中心を軸に回転可能な保持手段と、環状の研削砥石の中心を軸に該研削砥石を回転可能に装着し該保持面に保持されたウェーハを該研削砥石で研削する研削手段と、該研削砥石の下面に平行な水平方向に該保持手段と該研削手段とを相対的に移動させる水平移動手段と、該保持手段と該研削手段とを該保持面に垂直な方向に相対的に移動させる研削送り手段と、を備えた研削装置を用いて該研削砥石の下面と平行な該保持面の半径領域でウェーハを研削するウェーハの研削方法であって、
該保持面の中心とウェーハの中心とを合致させて該保持面にウェーハを保持させる保持工程と、
該水平移動手段を用いて該研削砥石の径方向の刃幅からなる該研削砥石の回転軌跡が該保持面に保持されたウェーハの回転中心を通らないように、該回転軌跡を該保持面の中心から予め設定した距離だけずらして該研削砥石に対してウェーハを位置づける第１位置づけ工程と、
該第１位置づけ工程後、該研削送り手段で該研削砥石を該保持面に接近する方向に研削送りして予め設定した仕上げ厚みより予め設定した値だけ厚い厚みまでウェーハを研削することによって該研削砥石が通らないウェーハの中心部分に該刃幅よりも小さい直径の円柱凸部を形成させる第１研削工程と、
該第１研削工程の後、該水平移動手段を用いて該研削砥石の該回転軌跡が該保持面の中心を通るように該研削砥石に対してウェーハを位置づける第２位置づけ工程と、
該第２位置づけ工程後、該研削送り手段で該研削砥石を該保持面に接近する方向に移動させて該円柱凸部を除去すると共に予め設定した該仕上げ厚みまでウェーハを研削する第２研削工程と、を備えるウェーハの研削方法。 A holding means that holds the wafer on the holding surface of a conical slope with the center as the apex and can rotate around the center of the holding surface, and the grinding grind is rotatably mounted and held around the center of the annular grinding grind. A grinding means for grinding a wafer held on a surface with the grinding wheel, a horizontal moving means for relatively moving the holding means and the grinding means in a horizontal direction parallel to the lower surface of the grinding wheel, and the holding means. Grinding a wafer in a radial region of the holding surface parallel to the lower surface of the grinding wheel using a grinding device provided with a grinding feed means for moving the grinding means and the grinding means relative to the holding surface in a direction perpendicular to the holding surface. This is a method of grinding wafers.
A holding step of aligning the center of the holding surface with the center of the wafer to hold the wafer on the holding surface,
Using the horizontal moving means, the rotation locus of the grinding wheel, which consists of the radial blade width of the grinding wheel, is set on the holding surface so that the rotation locus of the grinding wheel does not pass through the rotation center of the wafer held on the holding surface. The first positioning step of positioning the wafer with respect to the grinding wheel by shifting it by a preset distance from the center, and
After the first positioning step, the grinding wheel is grounded by the grinding feed means in a direction approaching the holding surface, and the wafer is ground to a thickness thicker than a preset finish thickness by a preset value. The first grinding step of forming a cylindrical convex portion having a diameter smaller than the blade width in the central portion of the wafer through which the grindstone does not pass, and
After the first grinding step, a second positioning step of positioning the wafer with respect to the grinding wheel so that the rotation locus of the grinding wheel passes through the center of the holding surface using the horizontal moving means.
After the second positioning step, the grinding wheel is moved in a direction approaching the holding surface by the grinding feed means to remove the cylindrical convex portion and grind the wafer to the preset finish thickness. And, a method of grinding a wafer. 前記保持工程を行う前に、前記回転軌跡が前記保持面の中心を通る前記研削砥石で試験用ウェーハを研削したことによって、該保持面に保持された該試験用ウェーハの中心に形成される円柱凹部の直径を測定する直径測定工程を備え、
前記保持工程は、該試験用ウェーハを該保持面から搬出した後に実施し、
前記第１位置づけ工程は、該直径測定工程で測定した測定直径を前記予め設定した距離として、該回転軌跡の前記刃幅の中心と該保持面の中心とが一致する位置から該回転軌跡を該測定直径だけずらして、該回転軌跡の外周又は内周と該保持面の中心との距離を該測定直径の半分とする請求項１記載のウェーハの研削方法。 A cylinder formed at the center of the test wafer held on the holding surface by grinding the test wafer with the grinding wheel whose rotation locus passes through the center of the holding surface before performing the holding step. Equipped with a diameter measuring step to measure the diameter of the recess
The holding step is carried out after the test wafer is carried out from the holding surface.
In the first positioning step, the measurement diameter measured in the diameter measuring step is set as the preset distance, and the rotation locus is set from a position where the center of the blade width of the rotation locus and the center of the holding surface coincide with each other. The method for grinding a wafer according to claim 1, wherein the distance between the outer circumference or the inner circumference of the rotation locus and the center of the holding surface is halved by the measurement diameter. 前記第１位置づけ工程は、前記回転軌跡の外周又は内周と前記保持面の中心との距離が前記刃幅の半分になるように該回転軌跡を該保持面の中心からずらして該研削砥石に対してウェーハを位置づける請求項１記載のウェーハの研削方法。 In the first positioning step, the rotation locus is shifted from the center of the holding surface so that the distance between the outer circumference or the inner circumference of the rotation locus and the center of the holding surface is half the width of the blade, and the grinding wheel is used. The method for grinding a wafer according to claim 1, wherein the wafer is positioned with respect to the wafer.
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