JP2021125689A - マルチビーム描画機におけるブラー変化の補正 - Google Patents
マルチビーム描画機におけるブラー変化の補正 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021125689A JP2021125689A JP2021012338A JP2021012338A JP2021125689A JP 2021125689 A JP2021125689 A JP 2021125689A JP 2021012338 A JP2021012338 A JP 2021012338A JP 2021012338 A JP2021012338 A JP 2021012338A JP 2021125689 A JP2021125689 A JP 2021125689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blur
- target
- exposure
- value
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/213—Exposing with the same light pattern different positions of the same surface at the same time
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
- H01J2237/30461—Correction during exposure pre-calculated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30477—Beam diameter
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
- H01J2237/31755—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques using ion beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】荷電粒子ビーム装置内においてターゲット上の所望のパターンの描画中に、該パターンは、ターゲット面の複数のセグメントの各々において、公称ターゲット面(150)からの該セグメントにおけるターゲット高さ(h)を決定すること;ターゲットの高さに対するブラーの依存性に関し、高さ(h)に対応するブラーの実際値を表す局所ブラー値を決定すること;局所ブラー値を与える点広がり関数を表す畳み込みカーネルを計算すること;及び該カーネルを該パターンに適用することによって公称露光パターンを再計算すること、によって再計算される。畳み込みカーネルは、付加的ブラーをセグメントのパターンへ導入すること、全てのセグメントについて一定である所与のターゲットブラー値へとブラーを増大することに対応する。
【選択図】図10
Description
・ベクトル型物理補正プロセス(ステップ160);
・ベクトルをピクセルデータへ変換するラスター化プロセス(ステップ161〜164);及び
・描画プロセスのための一時的保存(記憶)のためのピクセルデータのバッファリング(ステップ165及び166)
この方法は、該露光エリア内部の該ターゲットの該公称ターゲット面に対する相対的な高さ(高度:elevation)と、高さ依存関数(elevation dependence function)に応じた該ターゲットの当該高さに対する該ブラーの依存関係とを考慮し、
該所望のパターンは、該ターゲット上の該露光エリア内の該複数のピクセルに対応する複数の画像要素から構成されるグラフィック表示として提供され、
該パターン規定装置では、該複数のブランキングアパーチャは当該複数のブランキングアパーチャの相互位置を規定する所定の配置で配置されており、各ブランキングアパーチャは夫々の露光期間中に該ターゲット上に生成される対応するアパーチャ画像へと夫々のブランキングアパーチャを介して露光されるべきドーズ値に関し選択的に調節可能である。
該方法は、
(i)該露光エリア内部の基準点における該ターゲットの高さを決定すること、該高さは該基準点の位置における公称ターゲット面からの該ターゲットの局所的シフトを表すこと、
(ii)該高さ依存関数に基づいて、局所的ブラー値を決定すること、該局所的ブラー値は前記ステップ(ステップ(i))において決定された該ターゲットの高さに対応するブラーの実際値を表すこと、
(iii)該局所的ブラー値と所与のターゲットブラーレベルに基づいて、付加的な補正ブラー値を決定し、該補正ブラー値を用いて畳み込みカーネル(convolution kernel)を計算すること、該カーネルは該グラフィック表示の(1つの)画像要素から(1つの)ピクセル群へのマッピングを記述すること、該ピクセル群は該画像要素の公称位置を中心として配されており、該カーネルは該補正ブラー値を与える(具現する)点広がり関数(point spreading function)を表すこと、及び、
(iv)該基準点を含む該露光エリアの少なくとも1つの領域における畳み込みカーネルによる該グラフィック表示の畳み込み(convolution)によって、該複数のピクセルに規定されるピクセルラスタグラフィック(pixel raster graphics)として公称露光パターンを計算すること、該公称露光パターンは該ターゲットにおける公称ドーズ分布の生成に適すること;
を含み、
該ステップ(iv)において計算される畳み込み(convolution)は該公称露光パターンへの該補正ブラーの導入に対応し、該補正ブラーは該露光パターンのブラーを該局所的ブラー値から該ターゲットブラー値へ増大すること
を特徴とする(形態1)。
本発明の第2の視点により、荷電粒子マルチビーム処理装置においてターゲットに露光パターンを描画する方法が提供される。この方法は、粒子ビームを提供すること、該粒子ビームが貫通通過する複数のブランキングアパーチャから構成されるアパーチャアレイを含むパターン規定装置へ該粒子ビームを指向し、かくして、該露光パターンに従って、対応する複数のビームレットからなるパターン化ビームを形成すること、露光エリア内部の複数のピクセルを露光することによって前記所望のパターンを描画するために、該パターン規定装置から出射する該パターン化ビームを該ターゲット上の露光エリアへ指向すること、を含む。この方法は、該露光パターンを、該ターゲットへのその露光の前に、上記第1の視点及びこれに関連する形態の何れかの方法を用いて修正(ないし補正)することを更に含むことを特徴とする(形態14)。
(形態2)形態1の方法において、該方法は前記露光エリア内部における前記公称ターゲット面に対し相対的な前記ターゲットの前記高さの空間的変化を考慮すること、該方法は該露光エリアを複数の重なり合わないサブ領域へ分割することを含むこと、前記ステップ(i)〜(iv)は前記サブ領域の各々について行われること、前記ステップ(i)において、前記複数のサブ領域の各々について、サブ領域の夫々の基準点における該ターゲットの夫々の高さが計算され、前記ステップ(ii)〜(iv)は夫々の局所的ブラー値を用いて実行され、前記ターゲットブラー値はすべてのサブ領域のうちの局所的ブラー値のセットにわたり最大値を下回らない値として選択されることが好ましい。
(形態3)形態2の方法において、前記複数のサブ領域は複数の平行なストライプとして構成されていること、各ストライプは全般的描画方向に実質的に平行に配向された長辺を有すること、該全般的描画方向は、前記荷電粒子マルチビーム処理装置における露光プロセス中に実行されるピクセルの順次の露光(複数)が沿うライン(複数)の方向を表すことが好ましい。
(形態4)形態3の方法において、前記ストライプの長辺は、前記全般的描画方向に沿って測定される場合、前記ターゲットに衝突する該粒子ビームの幅を超えて延伸することが好ましい。
(形態5)形態2〜4の何れかの方法において、前記パターン規定装置の前記アパーチャアレイは前記ターゲットへ画像化されてビームアレイフィールドを形成すること、及び、前記複数のサブ領域の少なくとも幾つかは、該ターゲットへ画像化される前記アパーチャアレイの画像の幅より小さい幅を有すること、該幅は全般的描画方向を横切る方向に(横切って)測定されることが好ましい。
(形態6)形態5の方法において、前記サブ領域の幅は、前記全般的描画方向に対する横方向に沿った前記ターゲット上のアパーチャ画像(複数)の距離であることが好ましい。
(形態7)形態2〜6の何れかの方法において、ブラーの計算は前記公称ターゲット面の2つの主軸について実行され、かくして、各主軸について、すべてのサブ領域の夫々の主軸に沿った局所的ブラー値のセットについての最大値を下回らない値としてターゲットブラー値を選択することによって、該2つの主軸の各々についてのターゲットブラー値を獲得することが好ましい。
(形態8)形態7の方法において、前記露光パターンのブラーを前記局所的ブラー値から前記2つの主軸の各々についてのターゲットブラー値へ別々に増大する補正ブラー値を導入することに対応する異方性(anisotropic)カーネルが計算されることが好ましい。
(形態9)形態7の方法において、前記露光パターンのブラーを前記局所的ブラー値から前記2つの主軸についての2つのターゲットブラー値のうちのより大きい値へ増大する補正ブラー値を導入することに対応する異方性カーネルが計算されることが好ましい。
(形態10)形態9の方法において、前記露光パターンのブラーの等方性(isotropic)ブラーへの補正を可能にする補正成分(コンポーネント)を含む異方性カーネルが計算されること、該補正成分(コンポーネント)は好ましくは該カーネル内に非対角(off-diagonal)補正成分(コンポーネント)を含むことが好ましい。
(形態11)形態2〜6の何れかの方法において、露光システムのトータルブラーに対する候補畳み込みカーネル(複数)のセットの効果(作用ないし影響)は、該候補畳み込みカーネル(複数)で試験構造体を露光すること、但し、該候補畳み込みカーネル(複数)は夫々所定の値範囲にわたる異なるカーネルブラー値(複数)と関連付けられていること;該試験構造体についての測定値から該トータルブラーを推定する(決定する)こと;及び前記ステップ(iii)において、該露光システムのトータルブラーが前記ターゲットブラーに一致するよう該所定の値範囲から1つのカーネルブラー値を選択すること、によって決定されることが好ましい。
(形態12)形態1〜11の何れかの方法において、前記カーネルは離散化された形で表された二次元ガウス関数として(二次元ガウス関数の離散化された具現化(discretized realization)として)ブラーを記述することが好ましい。
(形態13)形態1〜12の何れかの方法において、前記カーネルは、以下の少なくとも1つである付加的補正ブラーに対応すること:
高さ依存ブラーとベースブラーを含む合計、但し、該ベースブラーは夫々の基準点の周りのパターン密度の関数として計算される、及び、
前記荷電粒子マルチビーム処理装置の1つ以上の環境パラメータに基づいて決定されるブラー、但し、該環境パラメータは、大気圧、該荷電粒子マルチビーム処理装置の特定コンポーネントの温度、前記ターゲットの位置(location)における温度、前記粒子ビームの実際のビーム電流を含む、
が好ましい。
(形態14)上記本発明の第2の視点参照。
(形態15)形態14の方法において、前記ターゲット上の少なくとも1つの基準点の高さは、前記荷電粒子マルチビーム処理装置に設けられた表面測定装置(surface metrology device)によって決定されることが好ましい。
本発明のこの側面に応じた露光パターンの計算方法は以下のステップ:
(i)該露光エリア内部の(1つの)基準点(又は複数の基準点)における該ターゲットの高さを決定すること、該高さは該基準点の位置における公称ターゲット面からの該ターゲットの局所的シフトを表す、
(ii)該高さ依存関数に基づいて、局所的ブラー値を決定すること、該局所的ブラー値は前記ステップ(ステップ(i))において決定された該ターゲットの高さに対応するブラーの実際値を表す、
(iii)該局所的ブラー値と所与のターゲットブラーレベルに基づいて、付加的な補正ブラー値を決定し、該局所的[補正]ブラー値を用いて畳み込みカーネル(convolution kernel)を計算すること、該カーネルは該グラフィック表示の(1つの)画像要素から(1つの)ピクセル群へのマッピングを記述し、該ピクセル群は該画像要素の公称位置を中心として配されており、該カーネルは該局所的[補正]ブラー値を具現する(与える)点広がり関数(point spreading function)を表す、及び、
(iv)全露光領域における又は該基準点を含む該露光エリアの少なくとも1つの領域(「補正領域(correction region)」)における畳み込みカーネルによる該グラフィック表示の畳み込み(convolution)によって、該複数のピクセルに規定されるピクセルラスタグラフィックとして公称露光パターンを計算すること、このようにして得られる該公称露光パターンは該ターゲットにおける公称ドーズ分布を生成するために役立つ;
を含み、
上記ステップ(ステップ(iv))において計算される畳み込み(convolution)は該公称露光パターンへの該補正ブラー値に対応するブラーの導入に対応し、該付加的補正ブラーは該露光パターンのブラーを該局所的ブラー値から該所与のターゲットブラー値へ増大する。
を有すると考えられる。ここで、
は位置ベクトル
と、共分散行列
の逆行列によって与えられる行列Σ-1と、平均ベクトル
からなるガウス確率密度分布である。共分散行列Σ(z,t)は、主対角線におけるX方向及びY方向についての分散
及び
(これらは夫々xx分散及びyy分散という)と、非対角成分としての共分散
(ここでρはX方向及びY方向における補正係数)を含み、ガウス分布の形状及びスケールを記述するが、高さブラー成分Σeとベースブラー成分Σbから構成されると考えられる。即ち、
であり、パラメータは以下のとおりである:高さ成分Σeのxx分散及びyy分散はZ位置zx及びzyにおいてゼロになり(ブラースポットは1つの線になり)、共分散はZ位置zxyにおいてゼロになる;係数α、β、γは二次元1σ円錐(cone)角度分布100を記述する。ベースブラー成分Σbは、例えばビーム又はカラムにおける光学収差又は電子間相互作用によって生成される付加的エラー(複数)を記述するが、これらは正規分布に従うと考えられる。
のセット(集合)となる。ここで、sは補正領域Cにおける対象となる特定サブ領域を表し、Eは可能な環境条件(複数)e(環境条件eは簡潔のため記号Σsの中では表示されていない)のセットを表す。共分散行列のセットは、通常、有限であり(例えば補正領域における各サブ領域s毎に(1つの)推定された物理ブラー共分散行列)、該セット中の行列の各要素(instance)はサブ領域s及び環境条件eの特定値に対応する。代替的に、該セットは「無限」(例えば、補正領域における高さ変化と環境変化は予め知られていないが時間間隔(intervals)を置いて推定される必要がある場合における共分散行列(複数)のファミリー)であり得る;「無限」セットの場合には、行列(複数)は、周囲気圧の圧力範囲p[860mbar, 1080mbar]又は特定のコンポーネントの温度についての温度範囲T1[15℃, 110℃]のような、特定の時間間隔以内で変化し得る1つ以上のパラメータに対する行列要素(成分)の依存性によって記述される。パラメータに対するそのような依存性は、例えば区間演算を用いることによって、又は支持点間の補間を用いる適切な数値表現によって、シンボリックに反映され得る。ブラー値の範囲を決定するために、ブラー値は夫々のパラメータの範囲にわたって評価され、極値(複数)が決定され、そして、これらの極値はブラー範囲の境界値として使用される。
であり、上式において、Σsは(1つの)サブ領域sにおける物理ブラー(点広がり関数)の共分散行列であり、
は該サブ領域に割り当てられた補正ブラーの共分散行列であり、Tsは結果として得られる共分散行列であり、これはトータル(全)ブラースポットを記述する。既述のように、このようにして得られるトータルブラースポットは補正領域における特定の最大ブラーに一致することが望ましい。
は図9の例における有限セット111であるが、この考察は、夫々のパラメータに対する関数的依存性(依存関係)が計算の夫々の項(terms)に入る(該当する)場合、無限セットにも当て嵌まる。
ここで、最大(値)は、推定ブラー範囲について、即ち、補正領域Cにおけるすべてのサブ領域及び可能な露光及び環境条件Eの範囲(これは、当該高さが既知でない場合、サブ領域高さの範囲を含む)を考慮して、取られる。各サブ領域sについての対応する補正ブラー
は、露光において推定された物理ブラースポット(複数)111(共分散行列Σsを有する)が(4つのサブ領域からなる)補正領域110においてX方向及びY方向について別々に均一化されるよう、選択される。結果として得られる補正された点広がり関数は、X方向とY方向において等しい周辺分布を有するが、図9において補正されたブラースポット(複数)の1σレベルセット(複数)112(及び補正の例示的パラメータ及びトータル/補正ブラー)で示されるように、軸方向分布は異なるスケールを有し得、或るxy共分散(相関関係)は維持される。このアプローチ(DM_AX、CB_AX)は、不均一性補正の主要な目的(focus)が水平及び垂直のライン(複数)の限界寸法(ないし最小線幅)均一性(critical dimension uniformity)に関するものであり、水平ラインと垂直ラインの間のCDの差異及び対角線又は二次元構造の均一性については特別な関連性がない場合、有用であり得る。
に対応する。
で与えられ、結果として、等方性かつ等しいブラースポット(複数)114を生じる。
[付記1]荷電粒子マルチビーム処理装置においてターゲットに所望のパターンを露光するために露光パターンを計算する方法であって、該処理装置では、粒子ビームは複数のブランキングアパーチャから構成されるアパーチャアレイを含むパターン規定装置へ指向されて(これを)照射し、該粒子ビームは当該粒子ビームが公称ビーム方向に応じて該ターゲットに衝突することによって該ターゲット上の露光エリア内部の複数のピクセルを露光することにより該所望のパターンを描画するために該複数のブランキングアパーチャを貫通通過し、該ターゲットは該公称ビーム方向に対し実質的に直角をなす公称ターゲット面に沿って配向されている。
前記所望のパターンを描画するための描画プロセスは、一連の露光期間の各々において、該ターゲットへの該複数のブランキングアパーチャの画像化、従って、対応する複数のアパーチャ画像の生成を含み、但し、該ターゲットへの該複数のブランキングアパーチャの画像化はブラーを伴う。
この方法は、該露光エリア内部の該ターゲットの該公称ターゲット面に対する相対的な高さ(高度:elevation)と、高さ依存関数(elevation dependence function)に応じた該ターゲットの当該高さに対する該ブラーの依存関係とを考慮する。
該所望のパターンは、該ターゲット上の該露光エリア内の該複数のピクセルに対応する複数の画像要素から構成されるグラフィック表示として提供される。
該パターン規定装置では、該複数のブランキングアパーチャは当該複数のブランキングアパーチャの相互位置を規定する所定の配置で配置されており、各ブランキングアパーチャは夫々の露光期間中に該ターゲット上に生成される対応するアパーチャ画像へと夫々のブランキングアパーチャを介して露光されるべきドーズ値に関し選択的に調節可能である。
該方法は、
(i)該露光エリア内部の基準点における該ターゲットの高さを決定すること、該高さは該基準点の位置における公称ターゲット面からの該ターゲットの局所的シフトを表すこと、
(ii)該高さ依存関数に基づいて、局所的ブラー値を決定すること、該局所的ブラー値は前記ステップ(ステップ(i))において決定された該ターゲットの高さに対応するブラーの実際値を表すこと、
(iii)該局所的ブラー値と所与のターゲットブラーレベルに基づいて、付加的な補正ブラー値を決定し、該補正ブラー値を用いて畳み込みカーネル(convolution kernel)を計算すること、該カーネルは該グラフィック表示の(1つの)画像要素から(1つの)ピクセル群へのマッピングを記述すること、該ピクセル群は該画像要素の公称位置を中心として配されており、該カーネルは該補正ブラー値を与える(具現する)点広がり関数(point spreading function)を表すこと、及び、
(iv)該基準点を含む該露光エリアの少なくとも1つの領域における畳み込みカーネルによる該グラフィック表示の畳み込み(convolution)によって、該複数のピクセルに規定されるピクセルラスタグラフィック(pixel raster graphics)として公称露光パターンを計算すること、該公称露光パターンは該ターゲットにおける公称ドーズ分布の生成に適すること;
を含む。
該ステップ(iv)において計算される畳み込み(convolution)は該公称露光パターンへの該補正ブラーの導入に対応し、該補正ブラーは該露光パターンのブラーを該局所的ブラー値から該ターゲットブラー値へ増大する。
[付記2]上記の方法において、該方法は前記露光エリア内部における前記公称ターゲット面に対し相対的な前記ターゲットの前記高さの空間的変化を考慮し、該方法は該露光エリアを複数の重なり合わないサブ領域へ分割することを含み、前記ステップ(i)〜(iv)は前記サブ領域の各々について行われ、前記ステップ(i)において、前記複数のサブ領域の各々について、サブ領域の夫々の基準点における該ターゲットの夫々の高さが計算され、前記ステップ(ii)〜(iv)は夫々の局所的ブラー値を用いて実行され、前記ターゲットブラー値はすべてのサブ領域のうちの局所的ブラー値のセットにわたり最大値を下回らない値として選択される。
[付記3]上記の方法において、前記複数のサブ領域は複数の平行なストライプとして構成されており、各ストライプは全般的描画方向に実質的に平行に配向された長辺を有し、該全般的描画方向は、前記荷電粒子マルチビーム処理装置における露光プロセス中に実行されるピクセルの順次の露光(複数)が沿うライン(複数)の方向を表す。
[付記4]上記の方法において、前記ストライプの長辺は、前記全般的描画方向に沿って測定される場合、前記ターゲットに衝突する該粒子ビームの幅を超えて延伸する。
[付記5]上記の方法において、前記パターン規定装置の前記アパーチャアレイは前記ターゲットへ画像化されてビームアレイフィールドを形成し、及び、前記複数のサブ領域の少なくとも幾つかは、該ターゲットへ画像化される前記アパーチャアレイの画像の幅より小さい幅を有し、該幅は前記全般的描画方向を横切る方向に(横切って)測定される。
[付記6]上記の方法において、前記サブ領域の幅は、全般的描画方向に対する横方向に沿った前記ターゲット上のアパーチャ画像(複数)の距離である。
[付記7]上記の方法において、ブラーの計算は前記公称ターゲット面の2つの主軸について実行され、かくして、各主軸について、すべてのサブ領域の夫々の主軸に沿った局所的ブラー値のセットについての最大値を下回らない値としてターゲットブラー値を選択することによって、該2つの主軸の各々についてのターゲットブラー値を獲得する。
[付記8]上記の方法において、前記露光パターンのブラーを前記局所的ブラー値から前記2つの主軸の各々についてのターゲットブラー値へ別々に増大する補正ブラー値を導入することに対応する異方性(anisotropic)カーネルが計算される。
[付記9]上記の方法において、前記露光パターンのブラーを前記局所的ブラー値から前記2つの主軸についての2つのターゲットブラー値のうちのより大きい値へ増大する補正ブラー値を導入することに対応する異方性カーネルが計算される。
[付記10]上記の方法において、前記露光パターンのブラーの等方性(isotropic)ブラーへの補正を可能にする補正成分(コンポーネント)を含む異方性カーネルが計算され、該補正成分(コンポーネント)は好ましくは該カーネル内に非対角(off-diagonal)補正成分(コンポーネント)を含む。
[付記11]上記の方法において、露光システムのトータルブラーに対する候補畳み込みカーネル(複数)のセットの効果(作用ないし影響)は、該候補畳み込みカーネル(複数)で試験構造体を露光すること、但し、該候補畳み込みカーネル(複数)は夫々所定の値範囲にわたる異なるカーネルブラー値(複数)と関連付けられていること;該試験構造体についての測定値から該トータルブラーを推定する(決定する)こと;及び前記ステップ(iii)において、該露光システムのトータルブラーが前記ターゲットブラーに一致するよう該所定の値範囲から1つのカーネルブラー値を選択すること、によって決定される。
[付記12]上記の方法において、前記カーネルは離散化された形で表された二次元ガウス関数として(二次元ガウス関数の離散化された具現化(discretized realization)として)ブラーを記述する。
[付記13]上記の方法において、前記カーネルは、以下の少なくとも1つである付加的補正ブラーに対応する:
高さ依存ブラーとベースブラーを含む合計、但し、該ベースブラーは夫々の基準点の周りのパターン密度の関数として計算される、及び、
前記荷電粒子マルチビーム処理装置の1つ以上の環境パラメータに基づいて決定されるブラー、但し、該環境パラメータは、大気圧、該荷電粒子マルチビーム処理装置の特定コンポーネントの温度、前記ターゲットの位置(location)における温度、前記粒子ビームの実際のビーム電流を含む。
[付記14]荷電粒子マルチビーム処理装置においてターゲットに露光パターンを描画する方法。この方法は、粒子ビームを提供すること、該粒子ビームが貫通通過する複数のブランキングアパーチャから構成されるアパーチャアレイを含むパターン規定装置へ該粒子ビームを指向し、かくして、該露光パターンに従って、対応する複数のビームレットからなるパターン化ビームを形成すること、露光エリア内部の複数のピクセルを露光することによって前記所望のパターンを描画するために、該パターン規定装置から出射する該パターン化ビームを該ターゲット上の露光エリアへ指向すること、を含む。この方法は、該露光パターンを、該ターゲットへのその露光の前に、上記第1の視点及びこれに関連する形態の何れかの方法を用いて修正(ないし補正)することを更に含む。
[付記15]上記の方法において、前記ターゲット上の少なくとも1つの基準点の高さは、前記荷電粒子マルチビーム処理装置に設けられた表面測定装置(surface metrology device)によって決定される。
(形態2)形態1の方法において、該方法は前記露光エリア内部における前記公称ターゲット面に対し相対的な前記ターゲットの前記高さの空間的変化を考慮すること、該方法は該露光エリアを複数の重なり合わないサブ領域へ分割することを含むこと、前記ステップ(i)〜(iv)は前記サブ領域の各々について行われること、前記ステップ(i)において、前記複数のサブ領域の各々について、サブ領域の夫々の基準点における該ターゲットの夫々の高さが計算され、前記ステップ(ii)〜(iv)は夫々の局所的ブラー値を用いて実行され、前記ターゲットブラー値はすべてのサブ領域のうちの局所的ブラー値のセットにわたり最大値を下回らない値として選択されることが好ましい。
(形態3)形態2の方法において、前記複数のサブ領域は複数の平行なストライプとして構成されていること、各ストライプは全般的描画方向に実質的に平行に配向された長辺を有すること、該全般的描画方向は、前記荷電粒子マルチビーム処理装置における露光プロセス中に実行されるピクセルの順次の露光(複数)が沿うライン(複数)の方向を表すことが好ましい。
(形態4)形態3の方法において、前記ストライプの長辺は、前記全般的描画方向に沿って測定される場合、前記ターゲットに衝突する該粒子ビームの幅を超えて延伸することが好ましい。
(形態5)形態2〜4の何れかの方法において、前記パターン規定装置の前記アパーチャアレイは前記ターゲットへ画像化されてビームアレイフィールドを形成すること、及び、前記複数のサブ領域の少なくとも幾つかは、該ターゲットへ画像化される前記アパーチャアレイの画像の幅より小さい幅を有すること、該幅は全般的描画方向を横切る方向に(横切って)測定されることが好ましい。
(形態6)形態5の方法において、前記サブ領域の幅は、前記全般的描画方向に対する横方向に沿った前記ターゲット上のアパーチャ画像(複数)の距離であることが好ましい。
(形態7)形態2〜6の何れかの方法において、ブラーの計算は前記公称ターゲット面の2つの主軸について実行され、かくして、各主軸について、すべてのサブ領域の夫々の主軸に沿った局所的ブラー値のセットについての最大値を下回らない値としてターゲットブラー値を選択することによって、該2つの主軸の各々についてのターゲットブラー値を獲得することが好ましい。
(形態8)形態7の方法において、前記露光パターンのブラーを前記局所的ブラー値から前記2つの主軸の各々についてのターゲットブラー値へ別々に増大する補正ブラー値を導入することに対応する異方性(anisotropic)カーネルが計算されることが好ましい。
(形態9)形態7の方法において、前記露光パターンのブラーを前記局所的ブラー値から前記2つの主軸についての2つのターゲットブラー値のうちのより大きい値へ増大する補正ブラー値を導入することに対応する異方性カーネルが計算されることが好ましい。
(形態10)形態9の方法において、前記露光パターンのブラーの等方性(isotropic)ブラーへの補正を可能にする補正成分(コンポーネント)を含む異方性カーネルが計算されることが好ましい。
(形態11)形態10の方法において、前記補正成分(コンポーネント)は前記カーネル内に非対角(off-diagonal)補正成分(コンポーネント)を含むことが好ましい。
(形態12)形態2〜6の何れかの方法において、露光システムのトータルブラーに対する候補畳み込みカーネル(複数)のセットの効果(作用ないし影響)は、該候補畳み込みカーネル(複数)で試験構造体を露光すること、但し、該候補畳み込みカーネル(複数)は夫々所定の値範囲にわたる異なるカーネルブラー値(複数)と関連付けられていること;該試験構造体についての測定値から該トータルブラーを推定する(決定する)こと;及び前記ステップ(iii)において、該露光システムのトータルブラーが前記ターゲットブラーに一致するよう該所定の値範囲から1つのカーネルブラー値を選択すること、によって決定されることが好ましい。
(形態13)形態1〜12の何れかの方法において、前記カーネルは離散化された形で表された二次元ガウス関数として(二次元ガウス関数の離散化された具現化(discretized realization)として)ブラーを記述することが好ましい。
(形態14)形態1〜13の何れかの方法において、前記カーネルは、以下の少なくとも1つである付加的補正ブラーに対応すること:
高さ依存ブラーとベースブラーを含む合計、但し、該ベースブラーは夫々の基準点の周りのパターン密度の関数として計算される、及び、
前記荷電粒子マルチビーム処理装置の1つ以上の環境パラメータに基づいて決定されるブラー、但し、該環境パラメータは、大気圧、該荷電粒子マルチビーム処理装置の特定コンポーネントの温度、前記ターゲットの位置(location)における温度、前記粒子ビームの実際のビーム電流を含む、
が好ましい。
(形態15)上記本発明の第2の視点参照。
(形態16)形態15の方法において、前記ターゲット上の少なくとも1つの基準点の高さは、前記荷電粒子マルチビーム処理装置に設けられた表面測定装置(surface metrology device)によって決定されることが好ましい。
Claims (15)
- 荷電粒子マルチビーム処理装置(1)においてターゲット(16)に所望のパターンを露光するために露光パターンを計算する方法であって、該処理装置では、粒子ビーム(lb、50)は複数のブランキングアパーチャ(24)から構成されるアパーチャアレイ(26)を含むパターン規定装置(4)へ指向されて照射し、該粒子ビーム(lb)は当該粒子ビームが公称ビーム方向に応じて該ターゲットに衝突することによって該ターゲット上の露光エリア内部の複数のピクセルを露光することにより該所望のパターンを描画するために該複数のブランキングアパーチャ(24)を貫通通過し、該ターゲットは該公称ビーム方向に対し実質的に直角をなす公称ターゲット面(150)に沿って配向されており、
前記所望のパターンを描画するための描画プロセスは、一連の露光期間(T1)の各々において、該ターゲット(16)への該複数のブランキングアパーチャ(24)の画像化、従って、対応する複数のアパーチャ画像(b1、bi0、bi1)の生成を含み、但し、該ターゲット(16)への該複数のブランキングアパーチャ(24)の画像化はブラーを伴い、
該方法は、該露光エリア内部の該ターゲットの該公称ターゲット面(150)に対する相対的な高さと、高さ依存関数に応じた該ターゲットの当該高さに対する該ブラーの依存関係とを考慮し、
該所望のパターンは、該ターゲット上の該露光エリア内の該複数のピクセルに対応する複数の画像要素から構成されるグラフィック表示(72、106)として提供され、
該パターン規定装置では、該複数のブランキングアパーチャ(24、33、43)は当該複数のブランキングアパーチャの相互位置を規定する所定の配置で配置されており、各ブランキングアパーチャは夫々の露光期間中に該ターゲット上に生成される対応するアパーチャ画像へと夫々のブランキングアパーチャを介して露光されるべきドーズ値に関し選択的に調節可能であり、
該方法は、
(i)該露光エリア内部の基準点における該ターゲットの高さ(h)を決定すること、該高さ(h)は該基準点の位置における公称ターゲット面(150)からの該ターゲット(141)の局所的シフトを表すこと、
(ii)該高さ依存関数に基づいて、局所的ブラー値を決定すること、該局所的ブラー値は前記ステップ(i)において決定された該ターゲットの高さ(h)に対応するブラーの実際値を表すこと、
(iii)該局所的ブラー値と所与のターゲットブラーレベルに基づいて、付加的な補正ブラー値を決定し、該補正ブラー値を用いて畳み込みカーネルを計算すること、該畳み込みカーネルは該グラフィック表示の画像要素からピクセル群へのマッピングを記述すること、該ピクセル群は該画像要素の公称位置を中心として配されており、該畳み込みカーネルは該補正ブラー値を与える点広がり関数を表すこと、及び、
(iv)該基準点を含む該露光エリアの少なくとも1つの領域における畳み込みカーネル(89’、121)による該グラフィック表示(72、106)の畳み込みによって、該複数のピクセルに規定されるピクセルラスタグラフィック(ps)として公称露光パターンを計算すること、該公称露光パターンは該ターゲットにおける公称ドーズ分布の生成に適すること;
を含み、
該ステップ(iv)において計算される畳み込みは該公称露光パターンへの該補正ブラーの導入に対応し、該補正ブラーは該露光パターンのブラーを該局所的ブラー値から該ターゲットブラー値へ増大すること
を特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
該方法は前記露光エリア内部における前記公称ターゲット面に対し相対的な前記ターゲットの高さの空間的変化を考慮すること、該方法は該露光エリアを複数の重なり合わないサブ領域(71)へ分割することを含むこと、
前記ステップ(i)〜(iv)は前記サブ領域の各々について行われること、
前記ステップ(i)において、前記複数のサブ領域の各々について、サブ領域の夫々の基準点における該ターゲットの夫々の高さが計算され、前記ステップ(ii)〜(iv)は夫々の局所的ブラー値を用いて実行され、前記ターゲットブラー値はすべてのサブ領域のうちの局所的ブラー値のセットにわたり最大値を下回らない値として選択されること
を特徴とする方法。 - 請求項2に記載の方法において、
前記複数のサブ領域は複数の平行なストライプとして構成されていること、
各ストライプは全般的描画方向に実質的に平行に配向された長辺を有すること、
該全般的描画方向は、前記荷電粒子マルチビーム処理装置における露光プロセス中に実行されるピクセルの順次の露光が沿うラインの方向を表すこと
を特徴とする方法。 - 請求項3に記載の方法において、
前記ストライプの長辺は、前記全般的描画方向に沿って測定される場合、前記ターゲットに衝突する該粒子ビームの幅を超えて延伸すること
を特徴とする方法。 - 請求項2〜4の何れかに記載の方法において、
前記パターン規定装置(4)の前記アパーチャアレイ(26)は前記ターゲットへ画像化されてビームアレイフィールドを形成すること、
前記複数のサブ領域の少なくとも幾つかは、該ターゲットへ画像化される前記アパーチャアレイ(2b)の画像の幅より小さい幅を有すること、該幅は全般的描画方向を横切る方向に測定されること
を特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法において、
前記サブ領域の幅は、前記全般的描画方向に対する横方向に沿った前記ターゲット上のアパーチャ画像(複数)の距離であること
を特徴とする方法。 - 請求項2〜6の何れかに記載の方法において、
ブラーの計算は前記公称ターゲット面(150)の2つの主軸について実行され、かくして、各主軸について、すべてのサブ領域の夫々の主軸に沿った局所的ブラー値のセットについての最大値を下回らない値としてターゲットブラー値を選択することによって、該2つの主軸の各々についてのターゲットブラー値を獲得すること
を特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記露光パターンのブラーを前記局所的ブラー値から前記2つの主軸の各々についてのターゲットブラー値へ別々に増大する補正ブラー値(DM_AX、CB_AX)を導入することに対応する異方性カーネルが計算されること
を特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記露光パターンのブラーを前記局所的ブラー値から前記2つの主軸についての2つのターゲットブラー値のうちのより大きい値へ増大する補正ブラー値(DM_XYEQ、CB_XYEQ)を導入することに対応する異方性カーネルが計算されること
を特徴とする方法。 - 請求項9に記載の方法において、
前記露光パターンのブラーの等方性ブラーへの補正を可能にする補正成分を含む異方性カーネル(DM_ISO、CB_ISO)が計算されること、該補正成分は好ましくは該カーネル内に非対角補正成分を含むこと
を特徴とする方法。 - 請求項2〜6の何れかに記載の方法において、
露光システムのトータルブラーに対する候補畳み込みカーネルのセットの効果は、
該候補畳み込みカーネルで試験構造体を露光すること、但し、該候補畳み込みカーネルは夫々所定の値範囲にわたる異なるカーネルブラー値と関連付けられていること;
該試験構造体についての測定値から該トータルブラーを推定すること;及び
前記ステップ(iii)において、該露光システムのトータルブラーが前記ターゲットブラーに一致するよう該所定の値範囲から1つのカーネルブラー値を選択すること、
によって決定されること
を特徴とする方法。 - 請求項1〜11の何れかに記載の方法において、
前記カーネルは離散化された形で表された二次元ガウス関数としてブラーを記述すること
を特徴とする方法。 - 請求項1〜12の何れかに記載の方法において、
前記カーネルは、以下の少なくとも1つである付加的補正ブラーに対応すること:
高さ依存ブラーとベースブラーを含む合計、但し、該ベースブラーは夫々の基準点の周りのパターン密度の関数として計算される、及び、
前記荷電粒子マルチビーム処理装置(1)の1つ以上の環境パラメータに基づいて決定されるブラー、但し、該環境パラメータは、大気圧、該荷電粒子マルチビーム処理装置(1)の特定コンポーネントの温度、前記ターゲットの位置における温度、前記粒子ビームの実際のビーム電流を含む、
を特徴とする方法。 - 荷電粒子マルチビーム処理装置においてターゲット(16)に露光パターンを描画する方法であって、
該方法は、粒子ビーム(lb、50)を提供すること、該粒子ビームが貫通通過する複数のブランキングアパーチャ(24)から構成されるアパーチャアレイ(26)を含むパターン規定装置(4)へ該粒子ビームを指向し、かくして、該露光パターンに従って、対応する複数のビームレットからなるパターン化ビーム(pb)を形成すること、露光エリア内部の複数のピクセルを露光することによって前記所望のパターンを描画するために、該パターン規定装置(4)から出射する該パターン化ビーム(pb)を該ターゲット上の露光エリアへ指向すること、を含み、
該方法は、該露光パターンを、該ターゲットへのその露光の前に、請求項1〜13の何れかに記載の方法を用いて修正することを更に含むこと
を特徴とする方法。 - 請求項14に記載の方法において、
前記ターゲット(16)上の少なくとも1つの基準点の高さ(h)は、前記荷電粒子マルチビーム処理装置に設けられた表面測定装置(19)によって決定されること
を特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP20155217 | 2020-02-03 | ||
EP20155217.1 | 2020-02-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021125689A true JP2021125689A (ja) | 2021-08-30 |
JP7183315B2 JP7183315B2 (ja) | 2022-12-05 |
Family
ID=69467466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021012338A Active JP7183315B2 (ja) | 2020-02-03 | 2021-01-28 | マルチビーム描画機におけるブラー変化の補正 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210240074A1 (ja) |
EP (1) | EP3859764A1 (ja) |
JP (1) | JP7183315B2 (ja) |
KR (1) | KR20210099516A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7196792B2 (ja) * | 2019-07-11 | 2022-12-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 |
US11929334B2 (en) * | 2020-03-17 | 2024-03-12 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Die-beam alignment for laser-assisted bonding |
JP2022114213A (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-05 | キオクシア株式会社 | 近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016058714A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ生成装置、エネルギービーム描画装置、及びエネルギービーム描画方法 |
JP2019075543A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-05-16 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | マルチビーム描画装置において露光される露光パターンにおける線量関連の特徴再形成 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6690473B1 (en) | 1999-02-01 | 2004-02-10 | Sensys Instruments Corporation | Integrated surface metrology |
US6768124B2 (en) * | 1999-10-19 | 2004-07-27 | Nikon Corporation | Reticle-focus detector, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same |
US6768125B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
JP3938694B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-06-27 | Necエレクトロニクス株式会社 | パターン形成方法 |
GB2399676B (en) | 2003-03-21 | 2006-02-22 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Apparatus for enhancing the lifetime of stencil masks |
US8306348B2 (en) * | 2007-04-24 | 2012-11-06 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Techniques for adjusting the effect of applying kernels to signals to achieve desired effect on signal |
EP2187427B1 (en) | 2008-11-17 | 2011-10-05 | IMS Nanofabrication AG | Method for maskless particle-beam exposure |
US8198601B2 (en) | 2009-01-28 | 2012-06-12 | Ims Nanofabrication Ag | Method for producing a multi-beam deflector array device having electrodes |
EP2228817B1 (en) * | 2009-03-09 | 2012-07-18 | IMS Nanofabrication AG | Global point spreading function in multi-beam patterning |
US8546767B2 (en) | 2010-02-22 | 2013-10-01 | Ims Nanofabrication Ag | Pattern definition device with multiple multibeam array |
JP2011199279A (ja) | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Ims Nanofabrication Ag | ターゲット上へのマルチビーム露光のための方法 |
NL2009612A (en) | 2011-11-21 | 2013-05-23 | Asml Netherlands Bv | Level sensor, a method for determining a height map of a substrate, and a lithographic apparatus. |
JP6013089B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014120746A (ja) | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Canon Inc | 描画装置、および物品の製造方法 |
EP2830083B1 (en) | 2013-07-25 | 2016-05-04 | IMS Nanofabrication AG | Method for charged-particle multi-beam exposure |
EP2913838B1 (en) | 2014-02-28 | 2018-09-19 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool |
EP2950325B1 (en) | 2014-05-30 | 2018-11-28 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of dose inhomogeneity using overlapping exposure spots |
JP6892214B2 (ja) | 2014-07-10 | 2021-06-23 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化 |
US9568907B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-02-14 | Ims Nanofabrication Ag | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer |
EP2993684B1 (en) | 2014-09-05 | 2017-03-08 | IMS Nanofabrication AG | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer |
US10325756B2 (en) * | 2016-06-13 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer |
JP6971933B2 (ja) * | 2018-08-07 | 2021-11-24 | 株式会社東芝 | 画像処理装置及び撮像装置 |
-
2021
- 2021-01-21 KR KR1020210008501A patent/KR20210099516A/ko active Search and Examination
- 2021-01-28 JP JP2021012338A patent/JP7183315B2/ja active Active
- 2021-02-01 EP EP21154494.5A patent/EP3859764A1/en active Pending
- 2021-02-03 US US17/166,812 patent/US20210240074A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016058714A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ生成装置、エネルギービーム描画装置、及びエネルギービーム描画方法 |
JP2019075543A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-05-16 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | マルチビーム描画装置において露光される露光パターンにおける線量関連の特徴再形成 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7183315B2 (ja) | 2022-12-05 |
KR20210099516A (ko) | 2021-08-12 |
US20210240074A1 (en) | 2021-08-05 |
EP3859764A1 (en) | 2021-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9373482B2 (en) | Customizing a particle-beam writer using a convolution kernel | |
JP6566727B2 (ja) | 重複する露光スポットを使用する線量不均一性の補償 | |
US9568907B2 (en) | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer | |
JP6681233B2 (ja) | 限界寸法が緩和されたパターンエリアのマルチビーム描画 | |
JP2021125689A (ja) | マルチビーム描画機におけるブラー変化の補正 | |
JP6587453B2 (ja) | マルチビーム描画装置における短距離転位の補正 | |
JP5576332B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 | |
JP7064831B2 (ja) | マルチビーム描画装置においてパターン露光密度の変化により生じるパターン位置決めエラーの補償方法 | |
JP7094112B2 (ja) | マルチビーム描画機のための改善されたドーズレベルの量子化 | |
JP6948765B2 (ja) | 斜めに配された露光ストライプを用いるマルチビーム描画 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210601 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7183315 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |