JP2021103219A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】光の利用効率の高い電気光学装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置１はトランジスター８と、トランジスター８に対応して設けられた画素電極７と、トランジスター８と画素電極７との間の層に、第１マイクロレンズアレイ３９と、第１マイクロレンズアレイ３９の曲面に沿って設けられ、トランジスター８と画素電極７とを電気的に接続するための第１コンタクトホール４１を有する第１層間絶縁層３７と、第１コンタクトホール４１内に設けられた第１コンタクト部材２７と、を備え、第１コンタクト部材２７は、光反射性を有する材料を含み、第１マイクロレンズアレイ３９側の側面に入射光４５ａを反射させる反射面２７ｄを有する。【選択図】図３

Description

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。

プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる電気光学装置では、光の利用効率を高める技術が提案されている。例えば、特許文献１及び特許文献２では、スイッチング素子を有する素子基板において、画素ごとにマイクロレンズを設けることで光の利用効率を高める技術が提案されている。マイクロレンズはスイッチング素子と画素電極との間に設けられていた。

特開２０１５−３４８６０号公報 特開２０１９−２８１４９号公報

しかしながら、特許文献１、特許文献２では、光の利用効率の観点で改善の余地があった。詳しくは、マイクロレンズがスイッチング素子と画素電極との間に設けられているため、スイッチング素子と画素電極との間には両者を電気的に接続する配線が必要となる。特許文献１、特許文献２のいずれにも、この配線に関する記載は見当たらず、光の利用効率の高い電気光学装置が求められていた。
他方、本来の集光方向と異なる方向に進む迷光は輝度ムラ等の表示品質低下に繋がる場合もあるため、光の利用効率の向上と表示品質の確保とを両立する技術も求められていた。

電気光学装置は、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間の層に、第１レンズ部材と、前記第１レンズ部材の曲面に沿って設けられ、前記トランジスターと前記画素電極とを電気的に接続するための第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁層と、前記第１コンタクトホール内に設けられた第１コンタクト部材と、を備え、前記第１コンタクト部材は、光反射性を有する材料を含み、前記第１レンズ部材側の側面に入射光を反射させる反射面を有する。

電気光学装置は、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間の層に、第１レンズ部材と、前記第１レンズ部材の曲面に沿って設けられ、前記トランジスターと前記画素電極とを電気的に接続するための第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁層と、前記第１コンタクトホール内に設けられた第１コンタクト部材と、前記トランジスターと前記第１コンタクト部材との間に、透光性の中継層と、前記トランジスターと前記中継層との間の層に、第２レンズ部材と、前記第２レンズ部材の曲面に沿って設けられ、前記トランジスターと前記中継層とを電気的に接続するための第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁層と、前記第２コンタクトホール内に設けられた第２コンタクト部材と、を備え、前記第１コンタクト部材及び前記第２コンタクト部材の側面にはそれぞれ光吸収部材が設けられている。

電子機器は、上記のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える。

第１の実施形態にかかわる液晶表示装置の構成を示す模式平面図。 液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶表示装置の構成を示す模式側断面図。 第１コンタクト部材による光の反射を説明するための要部模式平面図。 第１コンタクト部材による光の反射を説明するための概略斜視図。 第１コンタクト部材による光の反射を説明するための要部模式平面図。 第１コンタクト部材による光の反射を説明するための要部模式平面図。 第２の実施形態にかかわる第１コンタクト部材による光の反射を説明するための要部模式平面図。 第３の実施形態にかかわる液晶表示装置の構成を示す模式側断面図。 第４の実施形態にかかわる液晶表示装置の構成を示す模式側断面図。 コンタクト部材による光の反射を説明するための概略斜視図。 第５の実施形態にかかわるプロジェターの光学系を示す概略構成図。

第１の実施形態
本実施形態では電気光学装置の例としてアクティブマトリックス型の液晶表示装置について説明する。アクティブマトリックス型の液晶表示装置は画素をスイッチングする素子にトランジスターを備えている。トランジスターはＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）という。この液晶表示装置は、例えば、投射型表示装置としての液晶プロジェクターの光変調素子としての液晶ライトバルブに用いられる。

図１に示すように、電気光学装置としての液晶表示装置１は、対向基板３及び対向基板３と対向する素子基板２を備えている。そして、素子基板２と対向基板３との間には素子基板２の平面視で四角形の液晶層４が配置されている。液晶層４を囲んでシール材５が設けられている。シール材５は素子基板２と対向基板３との間に配置されている。シール材５は素子基板２と対向基板３とを接着して固定する。素子基板２から対向基板３に向かう方向を＋Ｚ方向とする。素子基板２の隣り合う２辺に沿う方向をＸ方向及びＹ方向とする。図中右側を＋Ｘ方向とし、上側を＋Ｙ方向とする。

素子基板２は第１基材６を備えている。第１基材６には透明基板が用いられる。＋Ｚ方向から見て素子基板２は対向基板３よりも面積が大きい基板である。第１基材６の＋Ｚ方向側の面には、透光性の画素電極７及びトランジスターとしてのトランジスター８（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）がマトリックス状に設けられている。

シール材５の内縁より内側には、複数の画素９がマトリックス状に配列した表示領域１１が設けられている。１つの画素９にはトランジスター８及び１つの画素電極７が設けられている。画素電極７はトランジスター８に対応して設けられる。

素子基板２の−Ｙ方向側の辺と−Ｙ方向側のシール材５との間にはデータ線駆動回路１２が設けられている。また、表示領域１１の＋Ｙ方向側と＋Ｙ方向側のシール材５との間には検査回路１３が設けられている。さらに、表示領域１１の＋Ｘ方向側と＋Ｘ方向側のシール材５との間には第１走査線駆動回路１４が設けられている。表示領域１１の−Ｘ方向側と−Ｘ方向側のシール材５との間には第２走査線駆動回路１５が設けられている。検査回路１３と＋Ｙ方向側のシール材５との間には第１走査線駆動回路１４と第２走査線駆動回路１５とを接続する配線１６が設けられている。

素子基板２の−Ｙ方向側の辺とデータ線駆動回路１２との間には辺に沿って外部接続用端子１７が配列されている。データ線駆動回路１２、検査回路１３、第１走査線駆動回路１４及び第２走査線駆動回路１５は外部接続用端子１７と配線１６により接続されている。

対向基板３は平面視で四角形の第２基材１８を備えている。第２基材１８には透明基板が用いられる。対向基板３の−Ｚ方向側の面には枠状の遮光層１９が設けられている。遮光層１９はシール材５の内側に表示領域１１を囲むように設けられる。遮光層１９にはハッチングが施されている。＋Ｚ方向から見た対向基板３の平面視で検査回路１３、第１走査線駆動回路１４、第２走査線駆動回路１５及び配線１６の一部と重なる位置に遮光層１９が設けられている。対向基板３側からこれらの回路に入射する光を遮光層１９が遮蔽して、回路が光によって誤動作することを遮光層１９が防止する。迷光が表示領域１１に入射しないように遮光層１９が迷光を遮蔽する。そして、遮光層１９は表示領域１１のコントラストを高くする。

対向基板３には−Ｚ方向側の面に対向電極２１が設けられている。対向電極２１には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜が用いられる。対向電極２１の四隅には上下導通部２２が設置され、上下導通部２２は対向電極２１と素子基板２側の配線１６とを電気的に接続する。

図２に示すように、表示領域１１に、複数の画素９がマトリックス状に配置されている。各画素９には画素電極７及びトランジスター８が設けられている。トランジスター８のソース領域はデータ線駆動回路１２から延在する第１遮光部材としてのデータ線２３と電気的に接続されている。各データ線２３にはデータ線駆動回路１２から画像信号２４が順次供給される。トランジスター８のゲート電極は、第１走査線駆動回路１４または第２走査線駆動回路１５から延在する第２遮光部材としての走査線２５と電気的に接続されている。各走査線２５には第１走査線駆動回路１４または第２走査線駆動回路１５から走査信号２６が順次供給される。トランジスター８のドレイン領域は、第１コンタクト部材２７を介して画素電極７と電気的に接続されている。

トランジスター８を一定期間だけオン状態とすることにより画像信号２４はデータ線２３を介して画素電極７に所定のタイミングで書き込まれる。画素電極７を介して液晶層４に印加された画像信号２４の電圧レベルは、画素電極７と対向基板３に設けられた対向電極２１との間に形成される電気容量で一定期間保持される。

保持された画像信号２４がリークするのを防止するため、画素電極７と第２遮光部材としての容量線２８との間に蓄積容量２９が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素９の液晶に電圧信号が印加される。印加された電圧レベルに応じて液晶の配向状態が変化することで、液晶層４に入射した光が変調される。従って、電圧信号により階調表示が可能となる。データ線２３、走査線２５及び容量線２８は遮光性の材料で構成されるので、遮光部材として機能する。

液晶表示装置１では素子基板２と対向基板３とがシール材５によって貼り合わされる。図３に示すように、液晶層４が素子基板２及び対向基板３に挟まれる。

素子基板２は第１基材６を備える。第１基材６はシリコン酸化物を含む石英基板である。第１基材６上には第２マイクロレンズアレイ３２が配置される。第２マイクロレンズアレイ３２はシリコン酸窒化物を含み、シリコン酸化物に覆われている。シリコン酸窒化物の屈折率は１．５８〜１．６８である。石英基板及びシリコン酸化物は屈折率が１．４６である。シリコン酸窒化物はシリコン酸化物より屈折率が大きいので第２マイクロレンズアレイ３２はレンズとして機能する。

第２マイクロレンズアレイ３２を構成する各レンズの間の＋Ｚ方向側には遮光部材３３が配置される。遮光部材３３は第１遮光層３４、トランジスター８、データ線２３、走査線２５、容量線２８、第２遮光層３５等が層間絶縁層３６を挟んで配置される。第２マイクロレンズアレイ３２と対向する部分には層間絶縁層３６と同じシリコン酸化物が配置される。

遮光部材３３の＋Ｚ方向側には第１層間絶縁層３７及び画素電極７が重ねて配置される。従って、トランジスター８と画素電極７との間に第１層間絶縁層３７が配置される。第１層間絶縁層３７には画素電極７と重なる位置に、第１レンズ部材としての凸状の第１マイクロレンズアレイ３９が設けられる。第１マイクロレンズアレイ３９の曲面に沿って第１層間絶縁層３７が設けられている。

第２マイクロレンズアレイ３２及び第１マイクロレンズアレイ３９は第１基材６上にフォトリソグラフィの技術を用いて製造されるので、光軸が精度良く一致している。第１マイクロレンズアレイ３９の材質はシリコン酸窒化物である。第１マイクロレンズアレイ３９はシリコン酸化物に囲まれているのでレンズとして機能する。

第１層間絶縁層３７にはトランジスター８と画素電極７とを電気的に接続するための第１コンタクトホール４１が配置される。第１層間絶縁層３７の第１コンタクトホール４１内には第１コンタクト部材２７が設けられる。遮光部材３３にはトランジスター８のドレイン領域と第１コンタクト部材２７とは電気的に接続されている。

第１コンタクトホール４１の深さは約２μｍである。第１コンタクトホール４１の形成方法にはフォトリソグラフィ法及びドライエッチング法が用いられる。第１コンタクト部材２７の材質は光反射性を有する材料を含む。本実施形態では、例えば、第１コンタクト部材２７の材質にアルミニウムやタングステンが用いられる。第１コンタクト部材２７の両端には窒化チタンの膜が形成される。第１コンタクト部材２７の形成方法にはスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が用いられる。

画素電極７の＋Ｚ方向側には液晶層４が配置される。液晶層４の＋Ｚ方向側には対向基板３が配置される。素子基板２及び対向基板３の液晶層４側の面には無機配向膜が形成される。無機配向膜は斜方蒸着膜である。無機配向膜の表面には＋Ｚ方向に対して斜めの柱状体が多数形成される。

液晶層４には液晶分子４ａが多数含まれる。液晶分子４ａの長軸方向は無機配向膜により＋Ｚ方向に対して約５度傾斜して配置される。従って、液晶表示装置１はＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードになっている。

対向基板３では第２基材１８の−Ｚ方向側に対向電極２１が配置される。対向電極２１はＩＴＯ膜等の透光性の膜である。対向電極２１は対向基板３の表示領域１１の全面に形成される。対向電極２１は無機配向膜によって覆われる。第２基材１８の＋Ｚ方向側には光学補償板４４が配置される。光学補償板４４では酸化シリコン層と窒化シリコン層とが積層されている。光学補償板４４は光４５の位相を調整する。

光４５は対向基板３側から入射される。光４５は対向基板３及び液晶層４を通過して第１マイクロレンズアレイ３９を照射される。第１マイクロレンズアレイ３９は凸レンズである。第１マイクロレンズアレイ３９は光４５を集光する。光４５は次に第２マイクロレンズアレイ３２を通過する。第２マイクロレンズアレイ３２は集光した光４５を平行光にする。第１マイクロレンズアレイ３９及び第２マイクロレンズアレイ３２は光４５が遮光部材３３に照射されて減衰することを抑制する。

図４に示すように、画素電極７がマトリックス状に配置される。データ線２３は隣り合う画素電極７の間を＋Ｙ方向に延びる。走査線２５及び容量線２８は隣り合う画素電極７の間を＋Ｘ方向に延びる。第１コンタクト部材２７は画素電極７に接している。第１コンタクト部材２７には四角形部材２７ａ、三角形部材２７ｂ及びアングル形部材２７ｃが含まれる。第１遮光層３４及び第２遮光層３５はデータ線２３、走査線２５及び容量線２８と重ねて配置されており、第１遮光部材及び第２遮光部材として機能する。

図４及び図５に示すように、第１コンタクト部材２７の１つである四角形部材２７ａの断面は四角形の各辺がへこんだ形状である。四角形の各辺がへこんだ形状を形成することが難しいときには、四角形の各辺がへこんでいない形状でも良い。第１コンタクト部材２７は第１マイクロレンズアレイ３９側の側面に入射光４５ａを反射させる反射面２７ｄを有する。第１コンタクト部材２７で反射する光４５は第１マイクロレンズアレイ３９を通過する。従って、第１マイクロレンズアレイ３９を通過する光４５には第１コンタクト部材２７で反射する光が含まれる為、液晶表示装置１は光利用効率を向上させることができる。

図４に示すように、画素電極７の隅部７ａと重なる位置に第１コンタクト部材２７が設けられている。画素電極７の隅部７ａに進行する光４５を第１コンタクト部材２７が反射させる。第１コンタクト部材２７は反射する光４５を第１マイクロレンズアレイ３９に好適に集光させることができる。

＋Ｙ方向を第１方向４６とし、＋Ｘ方向を第２方向４７とする。第２方向４７は第１方向４６と交差する。画素電極７に対応する画素９の１つを第１画素９ａとする。第１画素９ａと第１方向４６において隣り合う画素９を第２画素９ｂとする。第１画素９ａと第２方向４７において隣り合う画素９を第３画素９ｃとする。第２画素９ｂ及び第３画素９ｃと隣り合う画素９を第４画素９ｄとする。第１コンタクト部材２７は第１画素９ａ、第２画素９ｂ、第３画素９ｃ及び第４画素９ｄにそれぞれ入射光４５ａを反射させる反射面２７ｄを有する。

第１コンタクト部材２７の反射面２７ｄは第１画素９ａからの入射光４５ａを第１画素９ａに反射する。同様に、第１コンタクト部材２７の反射面２７ｄは第２画素９ｂ、第３画素９ｃ及び第４画素９ｄからの入射光４５ａをそれぞれ第２画素９ｂ、第３画素９ｃ及び第４画素９ｄに反射する。従って、各画素９を通過する光４５には第１コンタクト部材２７で反射する光４５が含まれる為、１つの第１コンタクト部材２７が４つの画素９に光４５反射させて光利用効率を向上させることができる。

図６に示すように、第４画素９ｄには第１コンタクト部材２７の１つである三角形部材２７ｂが配置される。画素電極７の＋Ｘ方向側の辺を第１辺７ｂとする。画素電極７の−Ｙ方向側の辺を第２辺７ｃとする。第１辺７ｂと第２辺７ｃとは交差する。三角形部材２７ｂは、画素電極７の第１辺７ｂに沿って設けられた第１反射面２７ｅと、画素電極７の第２辺７ｃに沿って設けられた第２反射面２７ｆと、を有する。

図７に示すように、第３画素９ｃには第１コンタクト部材２７の１つであるアングル形部材２７ｃが配置される。アングル形部材２７ｃは、画素電極７の第１辺７ｂに沿って設けられた第１反射面２７ｅと、画素電極７の第２辺７ｃに沿って設けられた第２反射面２７ｆと、を有する。

三角形部材２７ｂ及びアングル形部材２７ｃでは第１反射面２７ｅ及び第２反射面２７ｆの各面が光４５を反射する。２つの面に入射される光４５をそれぞれ画素９に向かって反射させて光利用効率を向上させることができる。

第２の実施形態
第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図８に示すように、電気光学装置としての液晶表示装置５１では第１方向４６にデータ線２３が延在する。第２方向４７に走査線２５や容量線２８が延在する。隣り合うデータ線２３の間に画素電極７の一辺に沿って第１コンタクト部材５２が設けられる。

本実施形態では第１の実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
第１コンタクト部材５２は画素電極７の一辺に沿って設けられる。従って、第１コンタクト部材５２は画素電極７の一辺に向かって進行する光４５の一部を第１マイクロレンズアレイ３９に向けて反射できる。

第３の実施形態
第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図９に示すように、電気光学装置としての液晶表示装置５５は素子基板５６及び対向基板３を備える。液晶層４が素子基板５６及び対向基板３に挟まれる。素子基板５６は遮光部材３３及び第１層間絶縁層３７を備える。遮光部材３３にはトランジスター８が配置される。第１層間絶縁層３７に設けられた第１コンタクトホール４１内には第１コンタクト部材２７が配置される。

トランジスター８と第１コンタクト部材２７との間の層に中継層５７が配置される。トランジスター８と中継層５７との間に第２層間絶縁層５８が配置される。第２層間絶縁層５８には第２コンタクトホール５９及び第２凹部６１が形成される。第２コンタクトホール５９はトランジスター８と中継層５７とを電気的に接続するために設けられる。第２凹部６１は画素電極７と重なる位置に形成される。中継層５７はＩＴＯ等の透光性の導電材により形成される。

第２コンタクトホール５９内には第２コンタクト部材６２が設けられる。第２層間絶縁層５８の第２凹部６１内には第２レンズ部材としての第２マイクロレンズアレイ６３が設けられる。第２層間絶縁層５８は第２マイクロレンズアレイ６３の曲面に沿って設けられる。第２コンタクト部材６２は、光反射性を有し、第２マイクロレンズアレイ６３側の側面に入射光４５ａを反射させる反射面６２ａを有する。第２コンタクト部材６２は第１コンタクト部材２７と同様の方法で形成される。第２マイクロレンズアレイ６３は第１マイクロレンズアレイ３９と同様の方法で形成される。

本実施形態では第１の実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
液晶表示装置５５は第１マイクロレンズアレイ３９及び第２マイクロレンズアレイ６３を備える。第２コンタクト部材６２で反射する光４５は第２マイクロレンズアレイ６３を通過する。従って、第２マイクロレンズアレイ６３を通過する光４５には第２コンタクト部材６２で反射する光４５が含まれる為、液晶表示装置５５は光利用効率を向上させることができる。

中継層５７に用いられるＩＴＯは屈折率が１．９０であり、消衰係数が０．３３であるので、低反射である。従って、中継層５７で反射する光４５は少ないので、迷光を低減できる。

第１コンタクト部材２７と第２コンタクト部材６２との間に中継層５７を配置することにより、第１コンタクト部材２７及び第２コンタクト部材６２を別々に形成できる。第１コンタクト部材２７と第２コンタクト部材６２とがつながったときに比べて＋Ｚ方向の長さを短くできる。第１コンタクトホール４１及び第２コンタクトホール５９が浅くなるので、各穴に品質良く金属を充填することができる。従って、品質良く第１コンタクト部材２７及び第２コンタクト部材６２を形成できる。

第４の実施形態
第１の実施形態及び第２の実施形態と同一の構成については同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図１０に示すように、電気光学装置としての液晶表示装置６５は素子基板６６及び対向基板３を備える。液晶層４が素子基板６６及び対向基板３に挟まれる。素子基板６６は遮光部材３３、第２層間絶縁層６７、中継層５７、第１層間絶縁層６８及び画素電極７を備える。遮光部材３３にはトランジスター８が配置される。画素電極７はトランジスター８に対応して設けられる。

第１層間絶縁層６８はトランジスター８と画素電極７との間の層に配置される。第１層間絶縁層６８には第１コンタクトホール６９及び第１凹部３８が形成される。第１コンタクトホール６９はトランジスター８と画素電極７とを電気的に接続するために設けられる。第１凹部３８は画素電極７と重なる位置に配置される。第１コンタクトホール６９内には第１コンタクト部材７１が設けられる。第１層間絶縁層６８の第１凹部３８内には第１マイクロレンズアレイ３９が設けられる。第１層間絶縁層６８は第１マイクロレンズアレイ３９の曲面に沿って設けられる。

中継層５７はトランジスター８と第１コンタクト部材７１との間に設けられる。中継層５７の材質はＩＴＯである。中継層５７は透光性を有する。

第２層間絶縁層６７はトランジスター８と中継層５７との間の層に設けられる。第２層間絶縁層６７には第２コンタクトホール７２及び第２凹部６１が形成される。第２コンタクトホール７２はトランジスター８と中継層５７とを電気的に接続するために設けられる。第２凹部６１は画素電極７と重なる位置に設けられる。第２コンタクトホール５９内には第２コンタクト部材７３が設けられる。第２凹部６１内には第２マイクロレンズアレイ６３が設けられる。第２層間絶縁層６７は第２マイクロレンズアレイ６３の曲面に沿って設けられる。

図１１に示すように、第１コンタクト部材７１及び第２コンタクト部材７３は円柱状である。第１コンタクト部材７１及び第２コンタクト部材７３は円柱状の軸部７４を備える。軸部７４の材質は導電性のあるアルミニウムである。軸部７４の両端には窒化チタンの膜が成膜されている。第１コンタクト部材７１及び第２コンタクト部材７３の側面にはそれぞれ光吸収部材７５が設けられている。光吸収部材７５の材質は光吸収性が良く成膜し易い材質であれば良く、本実施形態では、例えば、アモルファスシリコンを用いている。光吸収部材７５の膜厚は約１０〜３０ｎｍである。アモルファスシリコンの屈折率は４．０〜５．０であり、消衰係数は約２．１以下である。光吸収部材７５は光吸収性の良い材質になっている。

光吸収部材７５の材質は窒化チタンでも良い。光吸収部材７５の膜厚を約２０ｎｍにする。窒化チタンの屈折率は２．０であり、消衰係数は約１．３７である。光吸収部材７５の側面を光吸収性の良い面にできる。

第１コンタクト部材７１の形成方法としては、まず、第１コンタクトホール６９内に光吸収部材７５であるアモルファスシリコンの膜が形成される。光吸収部材７５の形成方法にはスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法が用いられる。次に、光吸収部材７５の内側にアルミニウムが配置されて軸部７４になる。軸部７４の形成方法にはスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法が用いられる。第２コンタクト部材７３も第１コンタクト部材７１と同様の方法で形成される。

光吸収部材７５に照射される入射光４５ａは光吸収部材７５に吸収される。従って、トランジスター８と画素電極７との間の層を斜めに進行する迷光の一部を低減することができる。光吸収部材７５の側面は湾曲している。従って、光吸収部材７５で反射する光４５を分散させることができる。その結果、液晶表示装置６５の表示品質を確保できる。

第５の実施形態
図１２に示すように、電子機器としての投射型表示装置８１は、前方に設けられたスクリーン８２に映像を投射する前方投影型のプロジェクターである。投射型表示装置８１は、光源部８３、第１ダイクロイックミラー８４、第２ダイクロイックミラー８５、赤色用ライトバルブ８６、緑色用ライトバルブ８７、青色用ライトバルブ８８、投射光学系８９と、クロスダイクロイックプリズム９１及びリレー光学系９２を備える。

光源部８３は赤色光９３、緑色光９４及び青色光９５を含む光源光を供給する超高圧水銀ランプを備える。第１ダイクロイックミラー８４は、光源部８３からの赤色光９３を透過させて緑色光９４及び青色光９５を反射する。第２ダイクロイックミラー８５は、第１ダイクロイックミラー８４で反射された緑色光９４及び青色光９５のうち青色光９５を透過させて、緑色光９４を反射する。第１ダイクロイックミラー８４及び第２ダイクロイックミラー８５は光源部８３から射出された光を赤色光９３と緑色光９４と青色光９５とに分離する。第１ダイクロイックミラー８４と光源部８３との間には、インテグレーター９６及び偏光変換素子９７が配置されている。インテグレーター９６は光源部８３から照射された光の照度分布を均一にする。偏光変換素子９７は光源部８３からの光をＳ偏光のような特定の振動方向を有する直線偏光に変換する。

第１ダイクロイックミラー８４を透過して反射ミラー９８で反射した赤色光９３を赤色用ライトバルブ８６が画像信号に応じて変調する。赤色用ライトバルブ８６は変調した赤色光９３をクロスダイクロイックプリズム９１に射出する。

第１ダイクロイックミラー８４で反射した後に第２ダイクロイックミラー８５で反射した緑色光９４を緑色用ライトバルブ８７が画像信号に応じて変調する。緑色用ライトバルブ８７は変調した緑色光９４をクロスダイクロイックプリズム９１に向けて射出する。

青色光９５は第１ダイクロイックミラー８４で反射し、第２ダイクロイックミラー８５を透過する。青色光９５はリレー光学系９２を経て青色用ライトバルブ８８に入射する。青色光９５を青色用ライトバルブ８８が画像信号に応じて変調する。青色用ライトバルブ８８は変調した青色光９５をクロスダイクロイックプリズム９１に向けて射出する。

リレー光学系９２は、第１リレーレンズ９９、第２リレーレンズ１０１、第１反射ミラー１０２、第２反射ミラー１０３を備えている。第１リレーレンズ９９及び第２リレーレンズ１０１は青色光９５の光損失を防止する。第１リレーレンズ９９は第２ダイクロイックミラー８５と第１反射ミラー１０２との間に配置される。

第２リレーレンズ１０１は第１反射ミラー１０２と第２反射ミラー１０３との間に配置される。青色光９５は第２ダイクロイックミラー８５及び第１リレーレンズ９９を透過して第１反射ミラー１０２で反射する。次に、青色光９５は第２リレーレンズ１０１を通過して第２反射ミラー１０３で反射する。次に、青色光９５は青色用ライトバルブ８８に向けて進行する。

クロスダイクロイックプリズム９１は第１ダイクロイック膜９１ａ及び第２ダイクロイック膜９１ｂをＸ字形に直交配置した色合成光学系である。第１ダイクロイック膜９１ａは青色光９５を反射して緑色光９４を透過する。第２ダイクロイック膜９１ｂは赤色光９３を反射して緑色光９４を透過する。

クロスダイクロイックプリズム９１は赤色光９３と緑色光９４と青色光９５とを合成して投射光学系８９に向けて射出する。投射光学系８９はクロスダイクロイックプリズム９１で合成された光をスクリーン８２に投射する。

赤色用ライトバルブ８６、緑色用ライトバルブ８７及び青色用ライトバルブ８８は電気光学装置としての液晶表示装置１０４、第１偏光板１０５及び第２偏光板１０６を備える。液晶表示装置１０４には液晶表示装置１、液晶表示装置５１、液晶表示装置５５または液晶表示装置６５のいずれかが用いられる。従って、投射型表示装置８１は液晶表示装置１、液晶表示装置５１、液晶表示装置５５または液晶表示装置６５のいずれかを備える。

液晶表示装置１、液晶表示装置５１、液晶表示装置５５は光利用効率が向上している。液晶表示装置６５は表示品質が確保されている。従って、投射型表示装置８１は、光利用効率が向上しているか、表示品質が確保されている液晶表示装置１０４を備えた機器とすることができる。

第６の実施形態
液晶表示装置１、液晶表示装置５１、液晶表示装置５５及び液晶表示装置６５は投射型のヘッドアップディスプレイや直視型のヘッドマウントディスプレイ、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器の表示部として用いても良い。他にも、液晶表示装置１、液晶表示装置５１、液晶表示装置５５及び液晶表示装置６５はビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ Ｏｆ Ｓａｌｅｓ ｓｙｓｔｅｍ）等の電子機器の表示部として用いても良い。

液晶表示装置１、液晶表示装置５１、液晶表示装置５５は光利用効率が向上している。液晶表示装置６５は表示品質が確保されている。従って、上記の電子機器は、光利用効率が向上しているか、表示品質が確保されている液晶表示装置１０４を備えた機器とすることができる。

１，５１，５５，６５，１０４…電気光学装置としての液晶表示装置、７…画素電極、７ａ…隅部、７ｂ…第１辺、７ｃ…第２辺、８…トランジスター、９ａ…第１画素、９ｂ…第２画素、９ｃ…第３画素、９ｄ…第４画素、２３…第１遮光部材としてのデータ線、２５…第２遮光部材としての走査線、２７，５２，７１…第１コンタクト部材、２７ｄ，６２ａ…反射面、２７ｅ…第１反射面、２７ｆ…第２反射面、２８…第２遮光部材としての容量線、３７，６８…第１層間絶縁層、３８…第１凹部、３９…第１レンズ部材としての第１マイクロレンズアレイ、４１，６９…第１コンタクトホール、４５ａ…入射光、４６…第１方向、４７…第２方向、５７…中継層、５８，６７…第２層間絶縁層、５９，７２…第２コンタクトホール、６１…第２凹部、６２，７３…第２コンタクト部材、６３…第２レンズ部材としての第２マイクロレンズアレイ、７５…光吸収部材、８１…電子機器としての投射型表示装置。

Claims (8)

1. トランジスターと、
   前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
   前記トランジスターと前記画素電極との間の層に、第１レンズ部材と、前記第１レンズ部材の曲面に沿って設けられ、前記トランジスターと前記画素電極とを電気的に接続するための第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁層と、
   前記第１コンタクトホール内に設けられた第１コンタクト部材と、を備え、
   前記第１コンタクト部材は、光反射性を有する材料を含み、前記第１レンズ部材側の側面に入射光を反射させる反射面を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記第１コンタクト部材は、前記画素電極の隅部と重なる位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記第１コンタクト部材は、前記画素電極に対応する第１画素と第１方向において隣り合う第２画素と、前記第１画素と前記第１方向と交差する第２方向において隣り合う第３画素と、前記第２画素及び前記第３画素と隣り合う第４画素とに、それぞれ入射光を反射させる前記反射面を有することを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１または２に記載の電気光学装置であって、
   前記第１コンタクト部材は、前記画素電極の第１辺に沿って設けられた第１反射面と、前記画素電極の前記第１辺と交差する第２辺に沿って設けられた第２反射面と、を有することを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   第１方向に延在する第１遮光部材と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２遮光部材と、を備え、前記第１コンタクト部材は、隣り合う前記第１遮光部材の間に前記画素電極の一辺に沿って設けられることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記トランジスターと前記第１コンタクト部材との間に中継層と、
   前記トランジスターと前記中継層との間の層に、第２レンズ部材と、前記第２レンズ部材の曲面に沿って設けられ、前記トランジスターと前記中継層とを電気的に接続するための第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁層と、
   前記第２コンタクトホール内に設けられた第２コンタクト部材と、を備え、
   前記第２コンタクト部材は、光反射性を有し、前記第２レンズ部材側の側面に入射光を反射させる反射面を有することを特徴とする電気光学装置。
7. トランジスターと、
   前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
   前記トランジスターと前記画素電極との間の層に、第１レンズ部材と、前記第１レンズ部材の曲面に沿って設けられ、前記トランジスターと前記画素電極とを電気的に接続するための第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁層と、
   前記第１コンタクトホール内に設けられた第１コンタクト部材と、
   前記トランジスターと前記第１コンタクト部材との間に、透光性の中継層と、
   前記トランジスターと前記中継層との間の層に、第２レンズ部材と、前記第２レンズ部材の曲面に沿って設けられ、前記トランジスターと前記中継層とを電気的に接続するための第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁層と、
   前記第２コンタクトホール内に設けられた第２コンタクト部材と、を備え、
   前記第１コンタクト部材及び前記第２コンタクト部材の側面にはそれぞれ光吸収部材が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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