JP2022096107A - 液晶装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】角シミの発生を抑え、表示特性の高い液晶装置を提供する。【解決手段】素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層１５を備える液晶装置１００であって、対向基板２０は、第一基板としての基板２０ａと、第一基板２０ａと液晶層１５との間に配置された絶縁層３３と、絶縁層３３と液晶層１５との間に配置された対向電極３１と、を備え、素子基板１０は、第二基板としての基板１０ａと、第二基板１０ａと液晶層１５との間に配置された複数の画素電極２７と、複数の画素電極２７のうち、平面視で隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間に重なる位置に配置された配線層４１と、を備え、対向基板２０の対向電極３１は、平面視で配線層４１と重なる位置に第一基板２０ａ側に向けて凹んだ第一凹部としての凹部６０を有し、凹部６０の深さは、１００Å以上１５００Å未満である。【選択図】図１２

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。

液晶装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。

液晶装置は、例えば、プロジェクターのレーザー光源などから強い光が照射されると、液晶層に含まれる液晶分子が分解され、液晶層の中にイオン性不純物が生成されることがある。このイオン性不純物は、画像表示領域の角に凝集して焼き付き、シミとして視認される、いわゆる角シミを発生させ、液晶装置の表示特性を劣化させる要因となっている。

このようなイオン性不純物に起因する表示特性の劣化を抑制することを目的として、特許文献１では、液晶装置の画素電極ないし対向電極に、深さが１５０ｎｍ以上の凹部を形成している。凹部の形成により、液晶分子の流動が阻害され、イオン性不純物が拡散されることで、表示に影響を及ぼさないようにする技術が開示されている。

また、特許文献２では、液晶装置の対向基板に、深さが数１００μｍ程度の凹部からなる液晶貯留部が設けられている。この液晶貯留部が設けられることで、光変調領域に加えて液晶の封入量を増加させ、液晶全体が劣化するまでの時間を延長させる技術が開示されている。

特開２０１３－３２８６号公報 特開２００７－１３９９２６号公報

しかしながら、特許文献１、及び特許文献２の液晶装置では、形成された凹部の深さが１５０ｎｍ以上、または数１００μｍ程度と深くなっているため、この段差により凹部の内面の側面、および底部に配向膜が成膜できにくい。このため、凹部の形成によって液晶の配向不良が発生し、液晶装置の表示特性を劣化させてしまうという課題があった。

液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層を備える液晶装置であって、前記対向基板は、第一基板と、前記第一基板と前記液晶層との間に配置された絶縁層と、前記絶縁層と前記液晶層との間に配置された対向電極と、を備え、前記素子基板は、第二基板と、前記第二基板と前記液晶層との間に配置された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のうち、平面視で隣り合う画素電極と画素電極との間に重なる位置に配置された配線層と、を備え、前記対向基板の前記対向電極は、平面視で前記配線層と重なる位置に前記第一基板側に向けて凹んだ第一凹部を有し、前記第一凹部の深さは、１００Å以上１５００Å未満である。

電子機器は、上述の液晶装置を備える。

第１実施形態の液晶装置の構成を示す平面図。 図１に示す液晶装置のＨ－Ｈ線断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の具体的な構造を示す断面図。 素子基板の表示領域Ｅの構成を示す概略平面図。 図５のＡ－Ａ線断面図。 対向基板の表示領域Ｅの構成を示す概略平面図。 図７のＢ－Ｂ線断面図。 図８のＣ部を示す部分断面図。 斜方蒸着膜の状態を示す断面図。 液晶分子の配向状態と速度分布とを示す断面図。 対向する複数の凹部を示す部分断面図。 第２実施形態の電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。

１．第１実施形態
１－１．液晶装置１００の概略構造
本実施形態にかかる液晶装置１００について、図１及び図２を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板２０と、一対の素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層１５を備える。素子基板１０を構成する第二基板としての基板１０ａと、対向基板２０を構成する第一基板としての基板２０ａは、石英基板、又はガラス基板を用いることができる。本実施形態では、石英基板によって構成されている。

素子基板１０と対向基板２０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。対向して接合された素子基板１０と対向基板２０の間には、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されており、液晶層１５を構成している。

シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。

液晶装置１００は、シール材１４が配置された内側に、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた周辺領域Ｅ１が配置されている。

素子基板１０は、平面視において対向基板２０よりも大きく、一辺部がせり出している。素子基板１０の一辺部側に設けられたシール材１４と一辺部との間には、データ線駆動回路２２が設けられている。

また、一辺部に対向する他の一辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、検査回路２５が設けられている。さらに、一辺部と直交し互いに対向する他の二辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路２４が設けられている。一辺部と対向する他の一辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８が設けられている。遮光膜１８は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。遮光膜１８としては、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、一辺部に沿って配列された複数の外部接続用端子７０に接続されている。以降、一辺部に沿った方向をＸ方向とし、一辺部と直交し互いに対向する他の二辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、Ｚ方向から対象物を見ることを平面視という。

図２に示すように、素子基板１０は、基板１０ａと液晶層１５との間に配置された複数の画素電極２７と、スイッチング素子である複数の薄膜トランジスター３０と、図示しないデータ線と、これらを覆う第１配向膜２８とが配置されている。素子基板１０は、基板１０ａから第１配向膜２８までを含むものである。

画素電極２７は、基板１０ａと液晶層１５との間において画素Ｐごとに設けられている。また、画素電極２７は電気伝導性を有し、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で形成されている。

対向基板２０は、基板２０ａの液晶層１５側の面に、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。対向基板２０は、基板２０ａから第２配向膜３２までを含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁層３３は、例えば、光透過性を有する酸化シリコンなどの無機材料からなり、基板２０ａと液晶層１５との間に配置されている。
図示は省略するが、絶縁層３３と基板２０ａとの間には、ＳｉＯＮ膜で形成されたマイクロレンズアレイ３４が形成されている。マイクロレンズアレイ３４は複数の画素Ｐに対応する複数の凸レンズ（図８参照）からなり、画素Ｐごとに透過する光を集光する。

絶縁層３３と液晶層１５との間には対向電極３１が配置されている。対向電極３１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示す対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。

画素電極２７を覆う第１配向膜２８、及び対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

１－２．液晶装置１００の等価回路
液晶装置１００の電気的な構成を示す等価回路を図３を示して説明する。
液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に沿って延在する。

走査線３ａ、データ線６ａ、及び容量線３ｂの信号線と、これらの信号線等により区分された領域に、画素電極２７と、薄膜トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられており、これらによって画素Ｐの画素回路が構成されている。

走査線３ａは薄膜トランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａは薄膜トランジスター３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、薄膜トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１～ＳＣｍを所定のタイミングでパルスで線順次に供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子である薄膜トランジスター３０が走査信号ＳＣ１～ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１～Ｄｎは、液晶層１５を介して対向配置された画素電極２７と対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１～Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列して容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。

１－３．表示領域Ｅ、及び周辺領域Ｅ１の積層構造
液晶装置１００の表示領域Ｅ、及び周辺領域Ｅ１の積層構造について、図４を示して説明する。
液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０と、を備えている。素子基板１０は、基板１０ａの液晶層１５側に、配線絶縁層４０及び配線層４１と、画素電極２７と、第１配向膜２８と、を備えている。

基板１０ａと画素電極２７との間に配置された配線絶縁層４０は、例えば、酸化シリコンで構成されており、第１絶縁層４０ａと、第２絶縁層４０ｂと、第３絶縁層４０ｃと、第４絶縁層４０ｄと、第５絶縁層４０ｅと、第６絶縁層４０ｆと、第７絶縁層４０ｇと、第８絶縁層４０ｈと、を有する。第１絶縁層４０ａと第２絶縁層４０ｂとの間には、平面視で四角形の枠状に形成された遮光膜４２が配置されている。

配線層４１は、走査線を兼ねる遮光膜４３と、薄膜トランジスター３０と、走査線３ａと、容量線３ｂと、データ線６ａと、その他の中継電極を含み、遮光領域となっている。配線層４１は、平面視で隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間と、重なる位置に設けられている。
遮光膜４３は、薄膜トランジスター３０と重なる位置に設けられていることにより、基板１０ａ側から薄膜トランジスター３０に入射する光Ｌを遮光し、薄膜トランジスター３０が光Ｌによって誤動作することを防止する役目を果たしている。

配線絶縁層４０の対向基板２０側には、画素電極２７が配置されている。画素電極２７の対向基板２０側には、酸化シリコンなどの無機材料を画素電極面に対して鉛直方向から蒸着した垂直蒸着膜と、さらに、その上に画素電極面に対して斜め方向から蒸着した斜方蒸着膜を積層した２層構造の第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８の対向基板２０側には、シール材１４により囲まれた領域に液晶等が封入された液晶層１５が配置されている。

一方、対向基板２０は、基板２０ａの液晶層１５側に、絶縁層３３と、対向電極３１と、第２配向膜３２と、を備えている。対向電極３１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電性膜からなる。第２配向膜３２は、第１配向膜２８と同様に、酸化シリコンなどの無機材料を画素電極面に対して鉛直方向から蒸着した垂直蒸着膜と、さらに、その上に画素電極面に対して斜め方向から蒸着した斜方蒸着膜を積層した２層構造からなる。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で第１配向膜２８、第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。後述するプロジェクター１０００の光Ｌは、素子基板１０側から入射する。

また、液晶装置１００の表示領域Ｅには、配線絶縁層４０に図示しない凹部５０が形成され、絶縁層３３に図示しない凹部６０が形成されている。凹部５０，６０は、液晶層１５で発生したイオン性不純物が凝集されるイオントラップとして機能する。

１－４．凹部の構成
次に、表示領域Ｅに設けられた凹部５０、および凹部６０について図５～図９を参照して説明する。
まず、素子基板１０の表示領域Ｅの構成について説明する。図５は液晶層１５側から素子基板１０を見た概略平面図であり、図６は、図５のＡ－Ａ線断面図である。図５、図６においては、第１配向膜２８の図示を省略する。
図５に示すように、素子基板１０の表示領域Ｅでは、画素Ｐを構成する複数の画素電極２７を備え、画素電極２７の角部にはコンタクトホール２７ｃが形成されている。隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間には、図示しない配線層４１と、第二凹部としての凹部５０が配置されている。凹部５０は、コンタクトホール２７ｃを避けた位置において、平面視が略Ｌ字型となるように形成されている。

図６に示すように、第８絶縁層４０ｈは、ＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）膜である絶縁層４０ｈ１と、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）膜である絶縁層４０ｈ２との積層膜である。隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間に設けられた凹部５０は、第８絶縁層４０ｈの絶縁層４０ｈ１に形成されている。

凹部５０の製造方法としては、例えば、ＴＥＯＳ膜である絶縁層４０ｈ１を成膜した後、フォトリソグラフィーにより絶縁層４０ｈ１に凹部５０１を形成する。その後、絶縁層４０ｈ１にＢＳＧ膜である絶縁層４０ｈ２を成膜し凹部５０が形成される。画素電極２７は、絶縁層４０ｈ２にＩＴＯ膜を成膜した後、フォトリソグラフィー等により形成される。
ＢＳＧ膜に形成された凹部５０の深さＨ１は、例えば、１００Å以上であればよく、１０００Åが好ましい。また、画素電極２７間における、凹部５０の幅Ｗ１は、例えば、０．５μｍ～０．８μｍが好ましい。

次に、対向基板２０の表示領域Ｅの構成について説明する。図７は液晶層１５側から対向基板２０を見た概略平面図である。また、図８は、図７のＢ－Ｂ線断面図であり、図９は、図８のＣ部を示す部分断面図である。図８においては、第２配向膜３２の図示を省略する。

図７に示すように、対向基板２０には、対向電極３１と、第一凹部としての凹部６０と、が設けられている。凹部６０は、平面視で遮光膜４３と重なる位置の絶縁層３３に、マス目状に形成され、一つに繋がっている。

図８に示すように絶縁層３３は、第一絶縁層としての絶縁層３３１と、絶縁層３３１に積層され、凹部６０が設けられた第二絶縁層としての絶縁層３３２とからなる。

凹部６０の製造方法としては、例えば、ＳｉＯＮ膜で形成されたマイクロレンズアレイ３４の凸レンズ側の面に、二層からなる絶縁層３３を成膜する。絶縁層３３の二層は酸素添加量が違うことで膜密度が異なっている。絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。詳しくは、ＳｉＯ膜である絶縁層３３１を成膜した面上に、高密度プラズマによって二酸化ケイ素：ＳｉＯ₂膜である絶縁層３３２が成膜される。なお、絶縁層３３１には、マイクロレンズアレイ３４の凸レンズ間と重なる部分に、空気を含む空間であるボイド３３ａが形成される。また、絶縁層３３は、三層以上の複数層としてもよい。

その後、絶縁層３３２に凹部６０を形成する。凹部６０は、フォトリソグラフィーなどにより形成することができる。絶縁層３３２に形成された凹部６０の深さＨ２は、例えば、１００Å以上１５００Å未満であればよく、１０００Å程度が好ましい。また、凹部６０の幅Ｗ２は、例えば、０．８μｍが好ましい。絶縁層３３２の凹部６０が形成された面には、ＩＴＯ膜が成膜され対向電極３１が形成される。ＩＴＯ膜の膜厚は、１０～１４０ｎｍ程であり、絶縁層３３２に形成された凹部６０の形状に沿って成膜される。

また、対向基板２０は、図９に示すように、対向電極３１と、液晶層１５と、の間には、第２配向膜３２が設けられている。第２配向膜３２は、垂直蒸着膜（図示しない）と斜方蒸着膜とからなり、凹部６０と液晶層１５と、の間には、斜方蒸着した際に蒸着方向の影となる部分に斜方蒸着膜が付いていない部分Ｎがある。
凹部６０では、凹部６０の底面の対向電極３１には第２配向膜３２が形成されているが、凹部６０の側面Ｎにおいては、片側の側面の部分に第２配向膜３２が形成されていない。これは斜方蒸着膜が付いていない部分Ｎである。

１－５．斜方蒸着膜
次に、斜方蒸着膜について図１０、図１１を参照して説明する。
図１０に示すように、素子基板１０、及び対向基板２０の対向面には、例えば、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により、基板面の鉛直方向から蒸着した垂直蒸着膜（図示しない）と、垂直蒸着膜上に基板面に対して斜め方向から蒸着した斜方蒸着膜の２層構造を有する第１配向膜２８及び第２配向膜３２が形成されている。

第１配向膜２８及び第２配向膜３２として形成される斜方蒸着膜は、第１方向に傾斜した複数の柱状構造体よりなる。斜方蒸着する蒸着角度θｂは、例えば、４５°である。蒸着により、素子基板１０及び対向基板２０の対向面には、第１方向に傾斜した酸化シリコンの結晶体が柱状に成長し、柱状構造体となる。この、柱状構造体をカラム２８ａ，３２ａと称する。第１配向膜２８は、カラム２８ａの集合体である。第２配向膜３２は、カラム３２ａの集合体である。

カラム２８ａ，３２ａの成長角度θｃは、蒸着角度θｂと必ずしも一致せず、例えば、７０°となっている。第１配向膜２８及び第２配向膜３２の表面において、略垂直配向する液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐは、例えば、８５°である。また、素子基板１０及び対向基板２０の基板面から見た液晶分子ＬＣのプレチルトの方向、即ち方位角方向は、第１配向膜２８及び第２配向膜３２における斜方蒸着における平面的な蒸着方向と同じである。

図１１に示すように、画素電極２７と対向電極３１との間に駆動電圧を印加して液晶層１５を駆動すると、液晶分子ＬＣがプレチルトの方位角方向に倒れる。液晶層１５の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣは、プレチルトの方位角方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。

このとき、液晶分子ＬＣの向きが変わることで、液晶層１５の中の液晶分子ＬＣが循環される。この循環に伴って、液晶層１５に生成されたイオン性不純物を、表示領域Ｅの全体に亘って分散させ、凹部５０，６０の中にトラップすることができる。

図１２に示すように、素子基板１０には、配線絶縁層４０の第８絶縁層４０ｈにおいて、隣り合う画素電極２７の間に第二凹部としての凹部５０が設けられ、対向基板２０には、平面視で遮光膜４３と重なる位置の絶縁層３３に第一凹部としての凹部６０が設けられている。凹部５０と凹部６０は、液晶層１５を介して向かいあって配置されており、平面視において、遮光膜４３と、凹部５０と、凹部６０と、は重なって配置される。なお、図１２においては、第１配向膜２８、第２配向膜３２は図示を省略する。

上述したように、第１実施形態の液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層１５を備える液晶装置であって、対向基板２０を構成する第一基板としての基板２０ａと液晶層１５との間に配置された絶縁層３３と、絶縁層３３と液晶層１５との間に配置された対向電極３１と、素子基板１０を構成する第二基板としての基板１０ａと液晶層１５との間に配置された複数の画素電極２７と、平面視で隣り合う複数の画素電極２７の間に位置する遮光領域としての遮光膜４３と、平面視で遮光膜４３と重なる位置の、絶縁層３３に設けられた第一凹部としての凹部６０と、を備え、凹部６０の深さＨ２は、１００Å以上１５００Å未満である。

このような液晶装置１００では、画素電極２７と画素電極２７との間の絶縁層４０ｈ２に凹部５０が設けられ、絶縁層３３に凹部６０が設けられているため、例えば、液晶層１５から生成されたイオン性不純物を凹部５０，６０の中に留めることが可能となる。言い換えれば、表示領域Ｅの中に設けられた複数の凹部５０，６０に、イオン性不純物を留めることができる。よって、イオン性不純物による表示不良、言い換えれば、角シミの発生を抑えることができ、表示特性の高い液晶装置１００を提供することができる。

また、上記実施形態の液晶装置１００では、凹部６０は深さＨ２が１００Å以上１５００Å未満であるため、従来の凹部の深さに比べると、凹部６０の内面に配向膜が付けやすい。そのため、配向膜に起因した配向不良などを減少させ表示特性を向上させることができる。

さらに、凹部５０、または凹部６０と、液晶層１５と、の間においては、斜方蒸着膜が付いていない部分があるため、凹部５０，６０にイオン性不純物を留めやすくなり、角シミ発生の減少と、配向不良の減少と、を両立した効果を得ることができる。

また、凹部６０は、絶縁層３３２に設けられているため、凹部６０によって絶縁層３３１のボイド３３ａを露出させることがない。このため、ボイド３３ａの露出による透過率、コントラストの低下や配向不良を低減させることができる。また、高密度プラズマで成膜した、二酸化ケイ素からなる絶縁層３３２は、ＩＴＯ膜からなる対向電極３１のモホロジーを整えるため、透過率を向上させ表示特性の高い液晶装置１００を提供することができる。

なお、本発明の凹部６０は、上述した形態に限定されない。
上述の実施形態では、絶縁層３３に溝状につながる一つの凹部６０が設けられていたが、連続しない溝状に形成された複数からなる凹部６０であっても良い。複数の凹部６０であった場合、一つの凹部６０に比べ表面積が増えるため、よりイオン性不純物を留めやすくなり、角シミの発生を減少させることができる。
また、凹部６０と凹部５０とは、向かい合うことなく設けられていても良く、凹部６０のみを設けていても良い。このような構成であっても、同様の効果を得られるため、表示特性の高い液晶装置を提供することができる。

２．第２実施形態
本実施形態の電子機器としてのプロジェクター１０００について、図１３を参照して説明する。
本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と、２つの反射ミラー１１０７，１１０８と、からなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器などに用いることができる。

上述したように、本実施形態のプロジェクター１０００は、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として上記実施形態の液晶装置１００を備えている。

この構成によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるため、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター１０００を提供することができる。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…基板、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２７ｃ…コンタクトホール、２８…第１配向膜、２８ａ…カラム、２９…配線、３０…薄膜トランジスター、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３２ａ…カラム、３３…絶縁層、３３ａ…ボイド、３４…マイクロレンズアレイ、４０…配線絶縁層、４０ａ…第１絶縁層、４０ｂ…第２絶縁層、４０ｃ…第３絶縁層、４０ｄ…第４絶縁層、４０ｅ…第５絶縁層、４０ｆ…第６絶縁層、４０ｇ…第７絶縁層、４０ｈ…第８絶縁層、４０ｈ１…絶縁層、４０ｈ２…絶縁層、４１…配線層、４２…遮光膜、４３…遮光膜、５０…凹部、６０…凹部、７０…外部接続用端子、１００…液晶装置、３３１…絶縁層、３３２…絶縁層、５０１…凹部、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４…ダイクロイックミラー、１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６…反射ミラー、１１０７…反射ミラー、１２０１…リレーレンズ、１２０４…リレーレンズ、１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０…液晶ライトバルブ、１２２０…液晶ライトバルブ、１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン、Ｄ１…画像信号、Ｅ１…周辺領域、Ｈ１…深さ、Ｈ２…深さ、Ｗ１…幅、Ｗ２…幅。

Claims (6)

1. 素子基板と対向基板との間に液晶層を備える液晶装置であって、
   前記対向基板は、
   第一基板と、
   前記第一基板と前記液晶層との間に配置された絶縁層と、
   前記絶縁層と前記液晶層との間に配置された対向電極と、を備え、
   前記素子基板は、
   第二基板と、
   前記第二基板と前記液晶層との間に配置された複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極のうち、平面視で隣り合う画素電極と画素電極との間に重なる位置に配置された配線層と、を備え、
   前記対向基板の前記対向電極は、平面視で前記配線層と重なる位置に前記第一基板側に向けて凹んだ第一凹部を有し、
   前記第一凹部の深さは、１００Å以上１５００Å未満である、
   ことを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記対向基板は、
   前記対向電極と前記液晶層との間に配置された斜方蒸着膜と、を備え、
   前記第一凹部には、前記斜方蒸着膜が付いていない部分があることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
   前記前記第一凹部は、前記絶縁層に設けられた凹部と、前記凹部に沿って配置された対向電極よりなることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記絶縁層は、複数層からなり、前記複数層のうちの最も前記対向電極側に位置する絶縁層は、二酸化ケイ素からなることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記素子基板は、
   前記遮光層と前記画素電極との間に配置された第ニ絶縁層、を備え、
   前記第二絶縁層は、平面視で前記画素電極の間と重なる位置に第二凹部を有し、
   前記第一凹部と、前記第二凹部と、は平面視で重なっている
   ことを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。

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