JP2021086909A - 基板処理装置および基板搬送方法 - Google Patents

基板処理装置および基板搬送方法 Download PDF

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Abstract

【課題】インターフェースの構成をコンパクトにすることができる基板処理装置および基板搬送方法を提供する。【解決手段】第１処理ブロック３は、上下方向に配置された現像処理層３Ｂ，３Ｃとインターフェース層３Ａを備えている。そのため、インターフェース層３Ａは、インデクサブロック２に連結させることができる。また、インデクサブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は、基板バッファＢＦの所定の高さ位置にあるバッファ部から基板バッファＢＦの他の高さ位置にあるバッファ部へ基板を搬送する。そのため、インターフェース層３Ａは、インターフェース層３Ａの高さに対応したバッファ部ＢＵ１にアクセスすればよい。そのため、インターフェース層３Ａをコンパクトにすることができる。また、インターフェース層３Ａは、現像処理層３Ｂ，３Ｃの上下方向に配置されるので、フットプリントを減少させることができる。【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置および、この基板処理装置の基板搬送方法に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。
従来の基板処理装置は、インデクサブロック、塗布ブロック、現像ブロックおよびインターフェースブロックをこの順番で備えている（例えば、特許文献１参照）。なお、インデクサブロックは、以下適宜、「ＩＤブロック」と呼び、インターフェースブロックは、以下適宜、「ＩＦブロック」と呼ぶ。
ＩＤブロックは、キャリア載置台と基板搬送機構を備えている。基板搬送機構は、キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出して、その基板を塗布ブロックに送る。塗布ブロックは、基板に対して例えばフォトレジスト膜を形成する。フォトレジスト膜が形成された基板は、現像ブロックを通って、ＩＦブロックに送られる。ＩＦブロックは、露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う。
露光された基板は、ＩＦブロックから現像ブロックに送られる。現像ブロックは、露光された基板に対して現像処理を行う。現像処理が行われた基板は、塗布ブロックを通って、ＩＤブロックに送られる。ＩＤブロックの基板搬送機構は、現像処理が行われた基板を載置台上のキャリアに戻す。なお、塗布ブロックおよび現像ブロックは各々、２つの処理層を備えている。
また、特許文献２には、塗布処理ブロック、カセットステーション（ＩＤブロックに相当する）および現像処理ブロックをこの順番で備えた基板処理装置が開示されている。カセットステーションは、未処理の基板および処理済の基板のいずれかを収容する４個のカセットが配置できるように構成されている。また、塗布処理ブロックとカセットステーションとの境界部分には、基板の位置合わせ用の第１基板載置部が設けられていると共に、カセットステーションと現像処理ブロックとの境界部分には、基板の位置合わせ用の第２基板載置部が設けられている。なお、各ブロックは、上下方向に複数の処理層でなく単一の処理層で構成されている。
特開２０１４−１８７２７３号公報 特開平０９−０４５６１３号公報
しかしながら、従来装置には、次のような問題がある。従来装置は、ＩＦブロックを備え、ＩＦブロックは、露光装置に基板を実際に搬送する第１基板搬送機構と、２台の第２基板搬送機構とを備えている。第２基板搬送機構は、ＩＦブロックに隣接する現像ブロックと第１基板搬送機構との間に設けられている。第２基板搬送機構は、例えば基板載置部を介して第１基板搬送機構に基板を搬送する。また、第２基板搬送機構は、現像ブロックの上下方向に配置された２つの処理層間を昇降して、２つの処理層から基板Ｗを受け取り、また、その２つの処理層に基板を振り分けている。すなわち、ＩＦブロックは、２つの処理層間を昇降する機能を有する２台の基板搬送機構を更に備えている。そのため、ＩＦブロックは、大型なものとなっている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、インターフェースの構成をコンパクトにすることができる基板処理装置および基板搬送方法を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、基板を収納することが可能なキャリアを載置するためのキャリア載置台が設けられたインデクサブロックであって、基板を載置する複数のバッファ部を有する基板バッファおよび、基板を搬送するインデクサ機構を有する前記インデクサブロックと、外部装置に基板の搬入および搬出を行うインターフェース層、および前記インターフェース層の上側又は下側に配置された第１処理層を有する第１処理ブロックと、上下方向に配置された複数の第２処理層を有する第２処理ブロックと、を備え、前記第１処理ブロック、前記インデクサブロックおよび前記第２処理ブロックは、この順番で水平方向に連結されており、前記インデクサ機構は、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアと前記基板バッファの間で基板を搬送し、前記インデクサ機構は、前記基板バッファの所定の高さ位置にあるバッファ部から前記基板バッファの他の高さ位置にあるバッファ部へ基板を搬送し、前記複数の第２処理層は各々、前記基板バッファの中の前記複数の第２処理層の各々に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して基板の受け取りおよび引き渡しを行い、前記インターフェース層は、前記基板バッファの中の前記インターフェース層に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して少なくとも基板の受け取りを行い、前記第１処理層は、前記基板バッファの中の前記第１処理層に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して少なくとも引き渡しを行うことを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理装置によれば、第１処理ブロックは、上下方向に配置された第１処理層とインターフェース層を備えている。そのため、インターフェース層は、インデクサブロックに連結させることができる。また、インデクサブロックのインデクサ機構は、基板バッファの所定の高さ位置にあるバッファ部から基板バッファの他の高さ位置にあるバッファ部へ基板を搬送する。そのため、インターフェース層は、インターフェース層の高さに対応したバッファ部にアクセスすればよい。そのため、インターフェース層をコンパクトにすることができる。また、インターフェース層は、第１処理層の上側または下側に配置されるので、フットプリントを減少させることができる。
また、上述の基板処理装置の一例は、前記第１処理層は現像処理層であり、前記第２処理層は塗布処理層であり、前記外部装置は露光装置であることである。これらの場合において、インターフェース層をコンパクトにすることができる。また、フットプリントを減少させることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記インターフェース層は、前記インデクサブロックに連結する処理領域と、前記処理領域と連結するインターフェース領域と、を備え、前記処理領域は、塗布処理後でかつ現像処理前の基板に対して所定の処理を行う露光関連処理ユニットと、前記インデクサブロックの前記基板バッファ、前記露光関連処理ユニット、および前記前記インターフェース領域との間で基板を搬送する搬送機構とを備え、前記インターフェース領域は、前記露光装置と前記処理領域との間で基板を搬送する露光装置用搬送機構を備えていることが好ましい。
露光関連処理ユニットがインターフェース層に設けられる。そのため、他の処理層は、露光関連処理ユニットを備える個数を抑えることができる。そのため、他の処理層は、露光関連処理ユニット以外の処理ユニットを備えることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記インターフェース領域は、前記インターフェース領域の前記露光装置側の端が前記第１処理層の外側に突出するように配置されていることが好ましい。これにより、露光装置と基板処理装置との間に、空気層を形成することができる。そのため、基板処理装置の熱の影響を露光装置に与える可能性がある場合に、空気層によって熱の影響を遮断することができる。
また、上述の基板処理装置において、前記インターフェース領域は、前記インターフェース領域の前記露光装置側の端が前記第１処理層の内側に収まるように配置されていることが好ましい。これにより、基板処理装置のフットプリントを減少させることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記インターフェース領域は、基板を載置する基板載置部を備え、前記第１処理ブロックは、前記インターフェース層の前記処理領域から前記第１処理層に抜ける上下方向に延びる搬送スペースと、前記搬送スペースに配置された層間搬送機構とを備え、前記第１処理層は、前記搬送スペースに隣接して配置された隣接処理ユニットを備え、前記層間搬送機構は、前記インターフェース領域の前記基板載置部から基板を受け取り、その基板を、前記第１処理層の前記隣接処理ユニットに直接搬送することが好ましい。
インターフェース層からインデクサブロックに基板を搬送して、更に、インデクサブロックから第１処理層に基板を搬送する場合、多くの時間を必要とする可能性がある。また、インターフェース層の搬送機構に大きな負担がかかってしまう可能性がある。本発明によれば、インデクサブロックを介さずに、第１処理層の隣接処理ユニットに基板を直接搬送できる。そのため、第１処理層に早く基板を搬送することができると共に、インターフェース層の搬送機構の負担を軽減させることができる。また、層間搬送機構が配置される搬送スペースは、インターフェース層だけでなく第１処理層の領域内にも設けられる。そのため、インターフェース層のコンパクトさは維持される。
また、上述の基板処理装置において、前記処理領域は、前記露光関連処理ユニットであって、前記インターフェース領域に隣接して配置される隣接処理ユニットを備え、前記露光装置用搬送機構は、露光処理された基板を前記処理領域の前記隣接処理ユニットに直接搬送することが好ましい。インターフェース層において、例えばバッファ部を介してインターフェース領域から処理領域に基板を搬送する場合、処理領域の搬送機構は、バッファ部から隣接処理ユニットに基板を搬送しなければならない。本発明によれば、露光装置用搬送機構は、そのバッファ部を介さずに、露光処理が行われた基板を隣接処理ユニットに搬送することができる。そのため、処理領域の搬送機構の基板搬送の負荷を軽減させることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記キャリアを保管するキャリア保管棚と、前記キャリア載置台と前記キャリア保管棚との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構と、を更に備え、前記第２処理ブロックの高さは、前記第１処理ブロックの高さよりも低く、前記キャリア保管棚および前記キャリア搬送機構は、前記第２処理ブロック上に搭載されていることが好ましい。これにより、基板処理装置の高さを抑えることができる。
また、本発明に係る基板搬送方法は、基板処理装置の基板搬送方法である。基板処理装置は、基板を収納することが可能なキャリアを載置するためのキャリア載置台が設けられたインデクサブロックであって、基板を載置する複数のバッファ部を有する基板バッファおよび、基板を搬送するインデクサ機構を有する前記インデクサブロックと、第１処理層を有する第１処理ブロックと、上下方向に配置された複数の第２処理層を有する第２処理ブロックと、を備え、前記第１処理ブロック、前記インデクサブロックおよび前記第２処理ブロックは、この順番で水平方向に連結されている。この基板処理装置の基板搬送方法において、前記インデクサ機構によって、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアと前記基板バッファの間で基板を搬送する工程と、前記インデクサ機構によって、前記基板バッファの所定の高さ位置にあるバッファ部から前記基板バッファの他の高さ位置にあるバッファ部へ基板を搬送する工程と、前記複数の第２処理層の各々によって、前記基板バッファの中の前記複数の第２処理層の各々に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して基板の受け取りおよび引き渡しを行う工程と、前記第１処理層の上側又は下側に配置されたインターフェース層によって、前記基板バッファの中の前記インターフェース層に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して少なくとも基板の受け取りを行う工程と、前記第１処理層によって、前記基板バッファの中の前記第１処理層に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して少なくとも引き渡しを行う工程と、前記インターフェース層によって、外部装置に基板の搬入および搬出を行う工程と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係る基板搬送方法によれば、第１処理ブロックは、上下方向に配置された第１処理層とインターフェース層を備えている。そのため、インターフェース層は、インデクサブロックに連結させることができる。また、インデクサブロックのインデクサ機構は、基板バッファの所定の高さ位置にあるバッファ部から基板バッファの他の高さ位置にあるバッファ部へ基板を搬送する。そのため、インターフェース層は、インターフェース層の高さに対応したバッファ部にアクセスすればよい。そのため、インターフェース層をコンパクトにすることができる。また、インターフェース層は、第１処理層の上側または下側に配置されるので、フットプリントを減少させることができる。
本発明に係る基板処理装置および基板搬送方法によれば、インターフェースの構成をコンパクトにすることができる。
実施例１に係る基板処理装置を示す縦断面図である。 上層および中間層の現像処理層を横断面図で示した基板処理装置の平面図である。 インデクサブロックの基板搬送機構を示す図である。 ２つのハンドおよび進退駆動部の平面図である。 下層のインターフェース層並びに中層および下層の塗布処理層を示す横断面図である。 基板処理装置を右側から見た側面図である。 基板処理装置を左側から見た側面図である。 （ａ）、（ｂ）は、２つの基板搬入口を有する熱処理ユニットの構成を説明するための図である。 実施例１に係る、基板処理装置の処理工程の一例を示すフローチャートである。 実施例２に係る、基板処理装置の処理工程の一例を示すフローチャートである。 実施例３に係る基板処理装置を示す縦断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、実施例３に係るインターフェース層の構成および動作を示す横断面図である。 実施例４に係るインターフェース層を示す横断面図である。 実施例４に係る上層および中間層の現像処理層を示す横断面図である。 実施例４に係る基板処理装置の左側から見た側面図である。 （ａ）、（ｂ）は、実施例４の効果を説明するための図である。 変形例に係る基板処理装置の左側から見た側面図である。 変形例に係る基板処理装置の左側から見た側面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置１を示す縦断面図である。
（１）基板処理装置１の構成
図１を参照する。基板処理装置１は、ＩＤブロック２、第１処理ブロック３、第２処理ブロック５およびキャリアバッファ装置８を備えている。第１処理ブロック３、ＩＤブロック２、第２処理ブロック５は、この順番で水平方向に直線状に接続されている。
また、基板処理装置１は、制御部９と、操作部１０とを備えている。制御部９は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）を備えている。制御部９は、基板処理装置１の各構成を制御する。操作部１０は、表示部（例えば液晶モニタ）、記憶部および入力部を備えている。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。入力部は、キーボード、マウス、タッチパネルおよび各種ボタンの少なくとも１つを備えている。記憶部には、基板処理の各種条件および基板処理装置１の制御に必要な動作プログラム等が記憶されている。
（１−１）ＩＤブロック２の構成
ＩＤブロック２は、４つのオープナ１１〜１４（図１，図２参照）と、２つの基板搬送機構（ロボット）ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と、基板バッファＢＦとを備えている。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と基板バッファＢＦは、ＩＤブロック２の内部に配置されている。なお、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、本発明のインデクサ機構に相当する。
（１−１−１）４つのオープナ１１〜１４の構成
４つのオープナ１１〜１４は、ＩＤブロック２の外壁に設けられている。２つのオープナ１１，１２は、上下方向に配置されている。同様に、２つのオープナ１３，１４は、上下方向に配置されている。４つのオープナ１１〜１４は各々、図１に示すように、載置台１６、開口部１８、シャッタ部材（図示しない）、およびシャッタ部材駆動機構（図示しない）を備えている。載置台１６は、キャリアＣを載置するために用いられる。載置台１６は、本発明のキャリア載置台に相当する。なお、図１の丸枠内の上下方向に２段×水平方向に２列のオープナ１１〜１４は、矢印ＡＲ１の方向に見た様子を示している。
キャリアＣは、複数（例えば２５枚）の基板Ｗを収納することができる。キャリアＣは、例えば、フープ（ＦＯＵＰ：Front Open Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドが用いられる。キャリアＣは、例えば、基板Ｗを出し入れするための開口部が設けられ、基板Ｗを収納するキャリア本体と、キャリア本体の開口部を塞ぐための蓋部とを備えているものが用いられる。
開口部１８は、基板Ｗを通すために用いられる。シャッタ部材は、開口部１８の開閉を行うと共に、キャリアＣのキャリア本体に対して蓋部の着脱を行う。シャッタ部材駆動部は、電動モータを備えており、シャッタ部材を駆動する。シャッタ部材は、キャリア本体から蓋部を外した後、例えば開口部１８に沿って水平方向（Ｙ方向）、あるいは下方向（Ｚ方向）に移動される。
載置台１６は第２処理ブロック５の上方に配置されている。すなわち、４つのオープナ１１〜１４の各載置台１６は、第２処理ブロック５よりも上に配置されている。また、下側の２つの載置台１６は、第２処理ブロック５の上面または屋上に設けられていてもよい。
（１−１−２）基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の構成
図２に示すように、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は、基板バッファＢＦを挟み込むように、配置されている。また、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５とが並んで配置される方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に配置されている。
第１の基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのオープナ１１，１２の各々の載置台１６に載置されたキャリアＣと、基板バッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送することができる。第２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、２つのオープナ１３，１４の各々の載置台１６に載置されたキャリアＣと、基板バッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送することができる。
図３、図４を参照する。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、２つのハンド２１、進退駆動部２３、および昇降回転駆動部２５を備えている。２つのハンド２１は各々、基板Ｗを保持する。２つのハンド２１は個々に水平方向に進退可能である。そのため、キャリアＣから１枚の基板Ｗを取り出したり、２枚の基板Ｗを同時に取り出したりすることができる。
ハンド２１は、図４に示すように、１つの基礎部分２１Ａと、その基礎部分２１Ａから分かれた２つの先端部分２１Ｂ，２１Ｃとを有し、Ｙ字状、Ｕ字状または二叉フォーク状のように構成されている。基礎部分２１Ａおよび、２つの先端部分２１Ｂ，２１Ｃには、基板Ｗを吸着することで基板Ｗを保持するための吸着部２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃが設けられている。３つの吸着部２７Ａ〜２７Ｃは、例えば、配管を介して接続されるポンプによって吸着力が与えられるように構成されている。なお、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、２つのハンド２１を備えているが、３つ以上のハンド２１を備えていてもよい。
進退駆動部２３は、各ハンド２１を移動可能に支持すると共に、各ハンド２１を進退移動させる。進退駆動部２３は、１つのハンド２１を駆動するために、例えば、電動モータと、電動モータによって軸周りに回転する直線状のねじ軸と、ねじ軸と噛み合う孔部を有する可動部材と、可動部材をガイドするガイド部とを備えている。
昇降回転駆動部２５は、進退駆動部２３を昇降および回転させることで、２つのハンド２１を昇降および回転させる。昇降回転駆動部２５は、図３に示すように、支柱部２５Ａと回転部２５Ｂを備えている。支柱部２５Ａは、上下方向に延びるように設けられている。支柱部２５Ａは、ＩＤブロック２の床部に固定されている。そのため、支柱部２５Ａ、すなわち昇降回転駆動部２５の水平方向（ＸＹ方向）の位置は、移動されずに固定されている。回転部２５Ｂは、進退駆動部２３を鉛直軸ＡＸ１周りに回転させる。昇降回転駆動部２５による昇降および回転は、電動モータによって駆動される。
（１−１−３）基板バッファＢＦの構成
図１、図２、図５を参照する。基板バッファＢＦは、複数の基板Ｗを載置する。基板バッファＢＦは、図５に示すように、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５の中間（中央）に配置されている。これにより、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２だけでなく、第１処理ブロック３の基板搬送機構ＭＨＵ３および第２処理ブロック５の基板搬送機構ＭＨＵ４も、基板バッファＢＦに対して基板Ｗを出し入れできる。すなわち、基板バッファＢＦに載置されている基板Ｗは、４台の基板搬送機構ＭＨＵ１〜ＭＨＵ４によって４方向から取り合うことができる。
基板バッファＢＦは、図１に示すように、３つのバッファ部ＢＵ１〜ＢＵ３を備えている。３つのバッファ部ＢＵ１〜ＢＵ３は、上下方向に１列で配置されている。３つのバッファ部ＢＵ１〜ＢＵ３は各々、基板Ｗを載置するために、上下方向に配置された複数（例えば１５個）の基板載置部（図示しない）を備えている。
第１バッファ部ＢＵ１は、第１処理ブロック３のインターフェース層３Ａおよび第２処理ブロック５の塗布処理層５Ａと同じ階層（すなわち下層または１階）に設けられている。第２バッファ部ＢＵ２は、第１処理ブロック３の処理層３Ｂおよび第２処理ブロック５の処理層５Ｂと同じ階層（すなわち中層または２階）に設けられている。第３バッファ部ＢＵ３は、第１処理ブロック３の処理層３Ｃおよびキャリアバッファ装置８と同じ階層（すなわち上層または３階）に設けられている。例えば、インターフェース層３Ａは、中層の塗布処理層５Ｂと異なる階層に配置されている。
（１−２）処理ブロック３，５の構成
図１を参照する。第１処理ブロック３は、３つの処理層３Ａ，３Ｂ，３Ｃを備えている。この３つの処理層３Ａ〜３Ｃのうち、処理層３Ａは、本発明の特徴部分であるインターフェース層である。その他の処理層３Ｂ，３Ｃは、現像処理層である。一方、第２処理ブロック５は、２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂを備えている。なお、インターフェース層３Ａは、以下適宜「ＩＦ層３Ａ」と呼ぶ。ＩＦ層３Ａの詳細は後で説明する。
第１処理ブロック３の３つの処理層３Ａ〜３Ｃは、積み重ねるように上下方向に配置されている。第２処理ブロック５の２つの処理層５Ａ，５Ｂも積み重ねるように上下方向に配置されている。２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂは、基板Ｗに対して塗布処理を行う。２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは、基板Ｗに対して現像処理を行う。ＩＦ層３Ａは、外部装置である露光装置ＥＸＰに基板Ｗの搬入および搬出を行う。
２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、第３の基板搬送機構ＭＨＵ３、複数の液処理ユニット３６、複数の熱処理ユニット３７、および搬送スペース３９を備えている。２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂは各々、第４の基板搬送機構ＭＨＵ４、複数の液処理ユニット３６、複数の熱処理ユニット３７、および搬送スペース３９を備えている。搬送スペース３９は、平面視でＸ方向に長手の長方形の空間である。搬送スペース３９には、基板搬送機構ＭＨＵ３または基板搬送機構ＭＨＵ４が配置されている。液処理ユニット３６と熱処理ユニット３７は、搬送スペース３９を挟み込むように配置されている。更に、液処理ユニット３６と熱処理ユニット３７は各々、搬送スペース３９の長手方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。
（１−２−１）基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４の構成
基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は各々、基板Ｗを搬送する。図１に示すように、基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は各々、２つのハンド４１、進退駆動部４３、回転駆動部４５、第１移動機構４７および第２移動機構４８を備えている。２つのハンド４１、進退駆動部４３および回転駆動部４５はそれぞれ、例えば第１基板搬送機構ＭＨＵ１の２つのハンド２１、進退駆動部２３、回転部２５Ｂと同じように構成されている（図３、図４参照）。
２つのハンド４１は各々、進退駆動部４３に移動可能に取り付けられている。進退駆動部４３は、２つのハンド４１を個々に進退させる。回転駆動部４５は、進退駆動部４３を鉛直軸ＡＸ３周りに回転させる。これにより、２つのハンド４１の向きを変えることができる。第１移動機構４７は、回転駆動部４５を図１の前後方向（Ｘ方向）に移動させることができる。第２移動機構４８は、第１移動機構４７を図１の上下方向（Ｚ方向）に移動させることができる。２つの移動機構４７，４８により、２つのハンド４１および進退駆動部４３をＸＺ方向に移動させることができる。
進退駆動部４３、回転駆動部４５、第１移動機構４７および第２移動機構４８は各々、電動モータを備えている。
（１−２−２）液処理ユニット３６の構成
図６は、基板処理装置１を右側から見た側面図である。５つの処理層３Ａ〜３Ｃ，５Ａ，５Ｂは各々、６つの液処理ユニット３６を備えている。６つの液処理ユニット３６は、上下方向に２段×水平方向に３列で配置することができる。図６において、２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂは各々、３つの塗布ユニットＢＡＲＣと３つの塗布ユニットＰＲを備えている。２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、６つの現像ユニットＤＥＶを備えている。なお、液処理ユニット３６（ＩＦ層３Ａの液処理ユニット３６も含む）の個数および種類は、必要に応じて変更される。
図２、図５を参照する。液処理ユニット３６（塗布ユニットＢＡＲＣ，ＰＲおよび現像ユニットＤＥＶ）は各々、保持回転部５１、ノズル５２およびノズル移動機構５３を備えている。保持回転部５１は、例えば真空吸着によって基板Ｗの下面を保持して、保持した基板Ｗを鉛直軸（Ｚ方向）周りに回転させる。ノズル５２は、処理液（例えば反射防止膜を形成するための液、フォトレジスト液、または現像液）を基板Ｗに対して吐出する。ノズル５２は、配管を介して処理液供給源に接続されており、配管には、ポンプおよび開閉弁が設けられている。ノズル移動機構５３は、ノズル５２を任意の位置に移動させる。保持回転部５１およびノズル移動機構５３は各々、例えば電動モータを備えている。
（１−２−３）熱処理ユニット３７（および他の処理ユニット）の構成
図７は、基板処理装置１を左側から見た側面図である。５つの処理層３Ａ〜３Ｃ，５Ａ，５Ｂは各々、１６個の熱処理ユニット３７を備えることができる。１６個の熱処理ユニット３７は、４段×４列で配置される。熱処理ユニット３７は、基板Ｗを載置するプレート５５（図２、図５参照）を備え、基板Ｗに対して熱処理を行う。熱処理ユニット３７は、プレート５５を加熱するときは、例えば電熱器などのヒータを備えている。また、熱処理ユニット３７は、プレート５５を冷却するときは、例えば水冷式の循環機構またはペルチェ素子を備えている。熱処理ユニット３７の個数、種類および位置は適宜変更される。
図７において、２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂは各々、例えば、４つの冷却部ＣＰ、および８つの加熱処理部ＰＡＢを備えている。冷却部ＣＰは基板Ｗを冷却する。加熱処理部ＰＡＢは、塗布後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。なお、２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂの各々は、密着強化処理部ＡＨＰを備えていてもよい。密着強化処理部ＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の密着強化剤を基板Ｗに塗布して加熱する。
また、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、例えば、４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢ、４つの冷却部ＣＰ、６つのポストベーク部ＰＢ、および１つの検査部ＬＳＣＭ２を備えている。露光後ベーク処理部ＰＥＢは、露光後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。ポストベーク部ＰＢは、現像処理後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。検査部ＬＳＣＭ２および後述する検査部ＬＳＣＭ１は各々、ＣＣＤカメラまたはイメージセンサを備えている。検査部ＬＳＣＭ２は現像後の基板Ｗを検査する。なお、加熱処理部ＰＡＢ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、ポストベーク部ＰＢ、および密着強化処理部ＡＨＰは各々、冷却機能を有する。
（１−２−４）ＩＦ層（インターフェース層）３Ａの構成
ＩＦ層３Ａは、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの下側に配置されている。ＩＦ層３Ａは、図５に示すように、処理領域５７、インターフェース領域５８、バッファ部ＢＵ４（インターフェース用バッファ部）を備えている。処理領域５７は、ＩＤブロック２に連結する。
処理領域５７は、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃと同様に構成されている。すなわち、処理領域５７は、基板搬送機構ＭＨＵ３、複数の液処理ユニット３６、複数の熱処理ユニット３７、および搬送スペース３９を備えている。処理領域５７に設けられる液処理ユニット３６および熱処理ユニット３７は、露光関連処理ユニットである。露光関連処理ユニットは、塗布処理後でかつ現像処理前の基板Ｗに対して所定の処理を行うユニットである。なお、ＩＦ層３Ａの基板搬送機構ＭＨＵ３は、本発明の搬送機構に相当する。
処理領域５７は、液処理ユニット３６として、例えば、３つの裏面洗浄ユニットＢＳＳおよび３つの露光後洗浄ユニットＳＯＡＫを備えている（図５、図６参照）。洗浄ユニットＢＳＳ，ＳＯＡＫは、例えば基板Ｗを保持する保持回転部と、洗浄液を基板Ｗに吐出するノズルとを備えている。また、裏面洗浄ユニットＢＳＳは、ブラシを用いて基板Ｗの裏面を洗浄する。基板Ｗの裏面は、例えば回路パターンが形成された面の反対側の面である。
また、処理領域５７は、熱処理ユニット３７および他の処理ユニット（符号３７で示す）として、例えば、２つのエッジ露光部ＥＥＷ、１つの検査部ＬＳＣＭ１および４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢを備えている（図５、図７参照）。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗの周辺部の露光処理を行う。エッジ露光部ＥＥＷに代えて、全面一括露光（ＯＷＥ：overall wafer exposure）を行う処理ユニットであってもよい。検査部ＬＳＣＭ１は塗布膜（例えばフォトレジスト膜）を検査する。
バッファ部ＢＵ４は、基板載置部ＰＳ１と載置兼冷却部Ｐ−ＣＰを備えている。基板載置部ＰＳ１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、上下方向に配置されている。基板載置部ＰＳ１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは各々、１枚または複数枚の基板Ｗを載置する。バッファ部ＢＵ４（基板載置部ＰＳ１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ）は、図５において、フットプリント削減の目的から、処理領域５７の搬送スペース３９に設けられている。この点、バッファ部ＢＵ４は、インターフェース領域５８に設けられてもよい。すなわち、バッファ部ＢＵ４は、処理領域５７とインターフェース領域５８との間に設けられている。処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１、液処理ユニット３６、熱処理ユニット３７、他の処理ユニット（例えばエッジ露光部ＥＥＷ）、基板載置部ＰＳ１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で基板Ｗを搬送することができる。
インターフェース領域５８は、処理領域５７と連結する。インターフェース領域５８は、基板搬送機構ＭＨＵ５を備えている。基板搬送機構ＭＨＵ５は、露光装置ＥＸＰ、基板載置部ＰＳ１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で基板Ｗを搬送する。なお、基板搬送機構ＭＨＵ５は、インターフェース領域５８に隣接する４つの熱処理ユニット３７（露光後ベーク処理部ＰＥＢ、図５参照）のプレート５５Ａに直接搬送することもできる。基板搬送機構ＭＨＵ５は、２つのハンド２１等を備え、基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２とほぼ同様に構成されている。基板搬送機構ＭＨＵ５は、基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と異なり、２つの処理ブロック３，５が配置されるＸ方向と直交する水平なＹ方向に昇降回転駆動部２５が移動されるように構成されている。なお、基板搬送機構ＭＨＵ５は、本発明の露光装置用搬送機構に相当する。
また、インターフェース領域５８は、図１、図６、図７に示すように、インターフェース領域５８の露光装置ＥＸＰ側の端が２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの外側に突出するように配置されている。これにより、これにより、露光装置と基板処理装置１との間に、空気層を形成することができる。そのため、基板処理装置の熱の影響を露光装置に与える可能性がある場合に、空気層によって熱の影響を遮断することができる。
（１−２−５）隣接処理ユニットＡＤ１，ＡＤ２の構成
図７を参照する。２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、ＩＤブロック２に隣接して配置される４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢ（隣接処理ユニットＡＤ１）を備えている。この４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢは、図８（ａ）に示すように、２方向から基板Ｗの出し入れを行うために、例えば２つの基板搬入口６０Ａ，６０Ｂを備えている。すなわち、露光後ベーク処理部ＰＥＢは各々、搬送スペース３９側に開口する基板搬入口６０Ａと、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１側に開口する基板搬入口６０Ｂとを備えている。
例えば、現像処理層３Ｃにおいて、基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板搬入口６０Ａを介して、露光後ベーク処理部ＰＥＢのプレート５５Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、基板搬入口６０Ｂを介して、露光後ベーク処理部ＰＥＢのプレート５５Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
また、図７において、ＩＦ層３Ａの処理領域５７は、インターフェース領域５８に隣接して配置される４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢ（隣接処理ユニットＡＤ２）を備えている。この４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢは、図８（ｂ）に示すように、２方向から基板Ｗの出し入れを行うために、例えば２つの基板搬入口６０Ａ，６０Ｃを備えている。すなわち、露光後ベーク処理部ＰＥＢは各々、搬送スペース３９側に開口する基板搬入口６０Ａと、基板搬送機構ＭＨＵ５側に開口する基板搬入口６０Ｃとを備えている。
ＩＦ層３Ａにおいて、基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板搬入口６０Ａを介して、露光後ベーク処理部ＰＥＢのプレート５５Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、インターフェース領域５８の基板搬送機構ＭＨＵ５は、基板搬入口６０Ｃを介して、露光後ベーク処理部ＰＥＢのプレート５５Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。なお、隣接処理ユニットＡＤ１，ＡＤ２および後述する隣接処理ユニットＡＤ３は、露光関連ユニットでもある。
（１−３）キャリアバッファ装置８の構成
図１、図２を参照する。現像処理層５Ｃは、キャリアバッファ装置８およびバッファ部ＢＵ３と同じ階層（第３層）に配置されている。すなわち、第２処理ブロック５の高さは、第１処理ブロック３の高さよりも低い。キャリアバッファ装置８（キャリア搬送機構６１とキャリア保管棚６３）は、第２処理ブロック５上に搭載されている。これにより、基板処理装置１の高さを抑えることができる。
キャリアバッファ装置８は、キャリア搬送機構６１とキャリア保管棚６３を備えている。キャリア搬送機構６１は、４つのオープナ１１〜１４の各々の載置台１６とキャリア保管棚６３との間でキャリアＣを搬送する。キャリア保管棚６３は、キャリアＣを保管する。
図２を参照する。キャリア搬送機構６１は、２つの多関節アーム６５，６６を備えている。第１多関節アーム６５の一端には把持部６７が設けられ、第２多関節アーム６６の一端には把持部６８が設けられている。第１多関節アーム６５の他端は、支柱状の昇降駆動部６９に上下方向（Ｚ方向）に移動可能に支持され、第２多関節アーム６６の他端は、昇降駆動部６９に上下方向に移動可能に支持されている。
２つの把持部６７，６８は各々、例えば、キャリアＣの上面に設けられた突起部を把持するように構成されている。昇降駆動部６９は、２つの多関節アーム６５，６６を個別に昇降できるように構成されている。２つの把持部６７，６８、２つの多関節アーム６５，６６および昇降駆動部６９は各々、電動モータを備えている。
前後駆動部７０は、昇降駆動部６９を支持する支持部７０Ａと、前後方向（Ｘ方向）に長手に延びる長手部７０Ｂと、電動モータとを備えている。例えば、長手部７０Ｂがレール（ガイドレール）であり、支持部７０Ａが台車であってもよい。この場合、電動モータによって台車（支持部７０Ａ）がレール（長手部７０Ｂ）に沿って移動するように構成されていてもよい。
また、例えば電動モータ、複数のプーリ、ベルトおよびガイドレールが、長手部７０Ｂに内蔵され、支持部７０Ａがベルトに固定されていてもよい。この場合、電動モータによってプーリが回転し、複数のプーリに掛けられたベルトが移動することによって、ガイドレールに沿って支持部７０Ａを移動させるようにしてもよい。また、例えば電動モータ、ねじ軸およびガイドレールが、長手部７０Ｂに内蔵され、ねじ軸と噛み合うナット部が支持部７０Ａに設けられていてもよい。この場合、電動モータによってねじ軸が回転されることにより、ガイドレールに沿って支持部７０Ａを移動させるようにしてもよい。
キャリア保管棚６３の一部の上方には、外部搬送機構ＯＨＴ（Overhead Hoist Transport）のレール７７が設けられている。外部搬送機構ＯＨＴは、工場内でキャリアＣを搬送するものである。外部搬送機構ＯＨＴは、未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣをキャリア保管棚６３に搬送する。また、外部搬送機構ＯＨＴは、処理後の基板Ｗが収納されたキャリアＣをキャリア保管棚６３から受け取る。未処理の基板Ｗは、本実施例における基板処理装置１による基板処理が行われていない基板Ｗをいい、処理後の基板Ｗは、本実施例における基板処理装置１による基板処理が行われている基板Ｗをいう。キャリア搬送機構６１は、載置台１６および各棚６３の間でキャリアＣを自在に移動することができる。
（２）基板処理装置１の動作
次に、基板処理装置１の動作について説明する。図９は、基板処理装置１の処理工程の一例を示すフローチャートである。
図２に示すキャリア搬送機構６１は、外部搬送機構ＯＨＴにより搬送された未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣをオープナ１１，１２の一方に搬送する。この説明では、キャリアＣは、オープナ１１に搬送されるものとする。シャッタ部材およびシャッタ部材駆動機構（共に図示しない）は、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣの蓋部を外しつつ、開口部１８を解放する。
〔ステップＳ０１〕キャリアＣからの基板Ｗの搬送
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、オープナ１１の載置台１６上のキャリアＣから基板Ｗを取り出して、その基板Ｗを２つのバッファ部ＢＵ１，ＢＵ２の一方に搬送する。
キャリアＣから全ての基板Ｗを取り出した場合、キャリア搬送機構６１は、空になったキャリアＣを２つのオープナ１３，１４の一方に搬送する。２つのオープナ１３，１４のいずれにも空のキャリアＣを搬送できない場合、キャリア搬送機構６１は、空のキャリアＣをキャリア保管棚６３に搬送する。また、キャリア搬送機構６１は、空のキャリアＣに代えて、未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣをオープナ１１に搬送する。
また、オープナ１１の載置台１６上のキャリアＣから全ての基板Ｗを取り出した後、基板搬送機構ＭＨＵ１は、オープナ１２の載置台１６上のキャリアＣから基板Ｗを取り出す。オープナ１２のキャリアＣから全ての基板Ｗを取り出した後、基板搬送機構ＭＨＵ１は、オープナ１１に新たに載置されたキャリアＣから、再び、基板Ｗの取り出しを開始する。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのオープナ１１，１２のキャリアＣに対して交互に基板Ｗを取り出す。
〔ステップＳ０２〕塗布処理層５Ａ（５Ｂ）による反射防止膜の形成
例えば塗布処理層５Ａは、基板Ｗに対して反射防止膜とフォトレジスト膜を形成する。具体的に説明する。塗布処理層５Ａの基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ１から基板Ｗを取り出して、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＡＲＣ、加熱処理部ＰＡＢに、この順番で搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗ上に反射防止膜を形成する。
その後、塗布処理層５Ａの基板搬送機構ＭＨＵ４は、反射防止膜が形成された基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＰＲ、加熱処理部ＰＡＢ、バッファ部ＢＵ１に、この順番に搬送する。塗布ユニットＰＲは、基板Ｗ上（すなわち反射防止膜上）にフォトレジスト膜を形成する。
なお、塗布処理層５Ｂも、塗布処理層５Ａと同様の処理が行われる。塗布処理層５Ｂで塗布処理が行われる場合、塗布処理が行われた基板Ｗは、塗布処理層５Ｂの基板搬送機構ＭＨＵ４によって、バッファ部ＢＵ２に搬送される。この場合、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ２からバッファ部ＢＵ１に基板Ｗを搬送する。
〔ステップＳ０３〕インターフェース層３Ａによる処理
ＩＦ層３Ａは、塗布処理層５Ａ（５Ｂ）で塗布処理が行われた基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦ層３Ａは、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦ層３Ａに搬入する。具体的に説明する。
ＩＦ層３Ａの処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３（図５参照）は、バッファ部ＢＵ１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、検査部ＬＳＣＭ１、エッジ露光部ＥＥＷ、裏面洗浄ユニットＢＳＳ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（バッファ部ＢＵ４）に、この順番で搬送する。検査部ＬＳＣＭ１は、フォトレジスト膜（塗布膜）を検査および測定する。インターフェース領域５８の基板搬送機構ＭＨＵ５は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。搬出された基板Ｗに対して、露光装置ＥＸＰは、露光処理を行う。
基板搬送機構ＭＨＵ５は、露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗをインターフェース領域５８に搬入し、その基板Ｗを基板載置部ＰＳ１（バッファ部ＢＵ４、図１参照）に搬送する。処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板載置部ＰＳ１から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ、バッファ部ＢＵ１に、この順番で搬送する。
なお、露光装置ＥＸＰが液浸露光技術を採用して露光処理を行うものでない場合、図９の破線で示すように、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫによる洗浄処理を行わなくてもよい。この場合、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板載置部ＰＳ１から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗをバッファ部ＢＵ１にそのまま搬送する。
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ１から基板Ｗを受け取る。そして、基板搬送機構ＭＨＵ１は、図７、図８（ａ）に示すように、その基板Ｗを、例えば現像処理層３Ｂの４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢのいずれか１つに直接搬送する。この４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢは、隣接処理ユニットＡＤ１である。そのため、図８（ａ）に示すように、基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ２に基板Ｗを搬送せずに、基板搬入口６０Ｂを通じて、所定の露光後ベーク処理部ＰＥＢのプレート５５Ａに基板Ｗを直接搬送する。これにより、現像処理層３Ｂの基板搬送機構ＭＨＵ３がバッファ部ＢＵ２から基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを、基板搬入口６０Ａを通って、露光後ベーク処理部ＰＥＢのプレート５５Ａに搬送する動作を省略することができる。そのため、現像処理層５Ｂの基板搬送機構ＭＨＵ３の基板搬送の負荷を軽減することができる。
なお、現像処理層３Ｃの隣接処理ユニットＡＤ１である４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢのいずれか１つに基板Ｗを搬送する場合も、これと同様に行われる。また、露光処理が行われた基板Ｗは、ＩＦ層３Ａから２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃに交互に搬送される。
〔ステップＳ０４〕現像処理層３Ｂ（３Ｃ）による現像処理
現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、基板Ｗに対して現像処理を行う。具体的に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１によって直接搬送された基板Ｗは、露光後ベーク処理部ＰＥＢによって、熱処理される。現像処理層３Ｂの基板搬送機構ＭＨＵ３は、露光後ベーク処理部ＰＥＢから基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＰＢ、検査部ＬＳＣＭ２、バッファ部ＢＵ２の順番に搬送する。現像ユニットＤＥＶは、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板Ｗに対して現像処理を行う。検査部ＬＳＣＭ２は、現像後の基板Ｗを検査する。
なお、現像処理層３Ｃは、現像処理層３Ｂと同様の処理を行う。現像処理層３Ｃは、現像後の基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ３に搬送する。
〔ステップＳ０５〕キャリアＣへの基板搬送
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、２つのバッファ部ＢＵ２，ＢＵ３の一方から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、２つのオープナ１３，１４の一方（例えばオープナ１３）の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。なお、基板搬送機構ＭＨＵ２は、２つのバッファ部ＢＵ２，ＢＵ３から交互に基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。キャリアＣに全ての基板Ｗが戻されると、シャッタ部材およびシャッタ駆動機構は、キャリアＣに蓋を取り付けつつ、開口部１８を塞ぐ。その後、キャリア搬送機構６１は、外部搬送機構ＯＨＴに引き渡すため、オープナ１３から処理後の基板Ｗが収納されたキャリアＣを搬送する。
本実施例によれば、第１処理ブロック３は、上下方向に配置された現像処理層３Ｂ，３ＣとＩＦ層３Ａを備えている。そのため、ＩＦ層３Ａは、ＩＤブロック２に連結させることができる。また、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は、基板バッファＢＦの所定の高さ位置にあるバッファ部から基板バッファＢＦの他の高さ位置にあるバッファ部へ基板を搬送する。そのため、ＩＦ層３Ａは、ＩＦ層３Ａの高さに対応したバッファ部ＢＵ１にアクセスすればよい。そのため、ＩＦ層３Ａをコンパクトにすることができる。また、ＩＦ層３Ａは、現像処理層３Ｂ，３Ｃの上下方向に配置されるので、フットプリントを減少させることができる。
また、ＩＦ層３Ａは、ＩＤブロック２に連結する処理領域５７と、基板Ｗを載置するためのバッファ部ＢＵ４と、バッファ部ＢＵ４を介して処理領域５７と連結するインターフェース領域５８とを備えている。処理領域５７は、露光関連処理ユニット（例えば、裏面洗浄ユニットＢＳＳ、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ、エッジ露光部ＥＥＷ、検査部ＬＳＣＭ１および露光後ベーク処理部ＰＥＢ）と、基板搬送機構ＭＨＵ３とを備えている。なお、基板搬送機構ＭＨＵ３は、ＩＤブロック２の基板バッファＢＦ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、およびバッファ部ＢＵ４との間で基板Ｗを搬送する。インターフェース領域５８は、露光関連処理ユニット（例えば露光後ベーク処理部ＰＥＢ）を備えずに、露光装置ＥＸＰとバッファ部ＢＵ４との間で基板Ｗを搬送する基板搬送機構ＭＨＵ５（露光装置用搬送機構）を備えている。
露光関連処理ユニットがＩＦ層３Ａに設けられるため、他の処理層は、露光関連処理ユニットを備える個数を抑えることができる。これにより、他の処理層は、露光関連処理ユニット以外の処理ユニットを備えることができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図１０は、実施例２に係る基板処理装置１の処理工程の一例を示すフローチャートである。
実施例１では、露光処理が行われた基板Ｗは、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫによって基板Ｗに対する洗浄が行われた。この点、露光装置ＥＸＰが液浸露光技術を採用して露光処理を行うものでない場合、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫによる洗浄処理を行わなくてもよい。実施例２では、この場合の基板処理装置１の動作について説明する。特に、実施例１と異なる部分を説明する。
〔ステップＳ０３Ａ〕ＩＦ層３Ａによる処理
ＩＦ層３Ａは、塗布処理層５Ａ（５Ｂ）で塗布処理が行われた基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。搬出された基板Ｗに対して、露光装置ＥＸＰは、露光処理を行う。ここまでは実施例１と同じ動作であるので、具体的な説明を省略する。その後、ＩＦ層３Ａは、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦ層３Ａに搬入する。具体的に説明する。
基板搬送機構ＭＨＵ５は、露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗをインターフェース領域５８に搬入し、その基板Ｗを基板載置部ＰＳ１（バッファ部ＢＵ４）に搬送せずに、その基板Ｗを４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢのいずれか１つに搬送する（図７参照）。４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢは、インターフェース領域５８に隣接する隣接処理ユニットＡＤ２である。この場合、４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢの各々は、図８（ｂ）のように、２方向から基板Ｗの出し入れを行うために、２つの基板搬入口６０Ａ，６０Ｃを備えている。そのため、インターフェース領域５８の基板搬送機構ＭＨＵ５は、基板載置部ＰＳ１（バッファ部ＢＵ４）を介さずに、基板搬入口６０Ｃにハンド２１を進入させて、所定の露光後ベーク処理部ＰＥＢに基板Ｗを直接搬送する。
これにより、ＩＦ層３Ａの処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３が基板載置部ＰＳ１（バッファ部ＢＵ４）から基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを、基板搬入口６０Ａを通って、露光後ベーク処理部ＰＥＢのプレート５５Ａに搬送する動作を省略することができる。そのため、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３の基板搬送の負荷を軽減することができる。また、露光終了後から露光後ベーク処理開始までの時間が短縮されることにより、現像後のレジストパターンの寸法均一性が安定する。
その後、ＩＦ層３Ａの処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板搬入口６０Ａを通じて、露光後ベーク処理部ＰＥＢから基板Ｗを受け取る。そして、基板搬送機構ＭＨＵ３は、その基板Ｗをバッファ部ＢＵ１に搬送する。その後、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ１から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗをバッファ部ＢＵ２，ＢＵ３の一方に搬送する。
本実施例によれば、処理領域５７は、インターフェース領域５８に隣接して配置される４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢ（隣接処理ユニットＡＤ２）を備えている。インターフェース領域５８の第５の基板搬送機構ＭＨＵ５は、露光処理された基板Ｗを処理領域５７の露光後ベーク処理部ＰＥＢ（隣接処理ユニットＡＤ２）に直接搬送する。ＩＦ層３Ａにおいて、例えばバッファ部ＢＵ４を介してインターフェース領域５８から処理領域５７に基板Ｗを搬送する場合、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ４から４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢのいずれか（隣接処理ユニット）に基板Ｗを搬送しなければならない。本実施例によれば、基板搬送機構ＭＨＵ５は、そのバッファ部ＢＵ４を介さずに、露光処理が行われた基板Ｗを露光後ベーク処理部ＰＥＢに搬送することができる。そのため、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３の基板搬送の負荷を軽減させることができる。また、露光終了後から露光後ベーク処理開始までの時間が短縮されることにより、現像後のレジストパターンの寸法均一性が安定する。
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。
実施例１では、図１に示すように、ＩＦ層３Ａは、ＩＦ層３Ａの現像処理層３Ｂ，３Ｃの露光装置ＥＸＰ側の端が現像処理層３Ｂ，３Ｃの外側に突出するように配置されていた。この点、実施例３では、ＩＦ層３Ａは、ＩＦ層３Ａの露光装置ＥＸＰ側の端が現像処理層３Ｂ，３Ｃの内側に収まるように配置されてもよい。
図１１は、実施例３に係る基板処理装置１の縦断面図である。図１１において、インターフェース領域５８の露光装置ＥＸＰ側の端は、現像処理層３Ｂ，３Ｃの露光装置ＥＸＰ側の端と一致する。すなわち、インターフェース領域５８の露光装置ＥＸＰ側の側面ＳＦ１は、現像処理層３Ｂ，３Ｃの露光装置ＥＸＰ側の側面ＳＦ２に対して、段差が無く揃っている。
また、図１２（ａ）は、実施例３に係るＩＦ層３Ａの構成および動作を示す横断面図である。インターフェース領域５８が現像処理層３Ｂ，３Ｃの内側に入り込むので、処理領域５７の設置面積が減少する。そのため、裏面洗浄ユニットＢＳＳおよび露光後洗浄ユニットＳＯＡＫは、２段×２列の空間に配置される。また、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、エッジ露光部ＥＥＷおよび検査部ＬＳＣＭ１は、３段×４列の空間に配置される。
基板処理装置１の動作は、実施例１，２のステップＳ０３，Ｓ０３Ａに示すように行われる。例えば、図９のステップＳ０３に示すように、ＩＦ層３Ａの処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、検査部ＬＳＣＭ１、エッジ露光部ＥＥＷ、裏面洗浄ユニットＢＳＳ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（バッファ部ＢＵ４）に、この順番で搬送する。その後、インターフェース領域５８の基板搬送機構ＭＨＵ５は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。
その後、基板搬送機構ＭＨＵ５は、露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗをインターフェース領域５８に搬入し、その基板Ｗを基板載置部ＰＳ１（バッファ部ＢＵ４）に搬送する。処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板載置部ＰＳ１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ、バッファ部ＢＵ１に、この順番で搬送する。
本実施例によれば、インターフェース領域５８は、インターフェース領域５８の露光装置ＥＸＰ側の端が２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの内側に収まるように配置されている。これにより、基板処理装置１のフットプリントを減少させることができる。
なお、図１２（ｂ）に示すように、処理領域５７は、上下方向に配置されたエッジ露光部ＥＥＷおよび検査部ＬＳＣＭ１を備えている。このエッジ露光部ＥＥＷおよび検査部ＬＳＣＭ１は、インターフェース領域５８に隣接する。エッジ露光部ＥＥＷは、隣接処理ユニットＡＤ３である。エッジ露光部ＥＥＷ（隣接処理ユニットＡＤ３）と露光後ベーク処理部ＰＥＢ（隣接処理ユニットＡＤ２）は、搬送スペース８１を挟み込むように配置されている。隣接処理ユニットＡＤ３であるエッジ露光部ＥＥＷは、隣接処理ユニットＡＤ１，ＡＤ２と同様に、２方向から基板Ｗの出し入れを行うために、２つの基板搬入口６０Ａ，６０Ｄを備えている。基板搬入口６０Ｄは、インターフェース領域５８側に開口する。
例えば、裏面洗浄ユニットＢＳＳおよび露光後洗浄ユニットＳＯＡＫの処理が不要である場合、基板処理装置１は、次のように動作する。図１２（ｂ）において、ＩＦ層３Ａの処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、検査部ＬＳＣＭ１、エッジ露光部ＥＥＷに、この順番で搬送する。この際、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板搬入口６０Ａを通じて、エッジ露光部ＥＥＷに基板Ｗを搬送する。エッジ露光部ＥＥＷによる処理後、インターフェース領域５８の基板搬送機構ＭＨＵ５は、基板搬入口６０Ｄを通じて、エッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。これにより、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３がエッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを受け取り、バッファ部ＢＵ４に搬送する工程を省略することができる。そのため、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３の基板搬送の負担を軽減できる。
その後、基板搬送機構ＭＨＵ５は、露光装置ＥＸＰから露光処理された基板Ｗをインターフェース領域５８に搬入し、その基板Ｗを基板載置部ＰＳ１（バッファ部ＢＵ４）に搬送せずに、その基板Ｗを４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢのいずれか１つに直接搬送する。この搬送は、基板搬入口６０Ｃを通じて行われる。なお、４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢは、隣接処理ユニットＡＤ２である（図７参照）。露光後ベーク処理部ＰＥＢによる処理後、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板搬入口６０Ａを通じて、露光後ベーク処理部ＰＥＢから基板Ｗを受け取り、その基板Ｗをバッファ部ＢＵ１に搬送する。これにより、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３がバッファ部ＢＵ４から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを露光後ベーク処理部ＰＥＢに搬送する工程を省略することができる。そのため、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３の基板搬送の負担を軽減できる。
また、図１２（ｂ）に示すように、処理領域５７は、インターフェース領域５８に隣接し、エッジ露光部ＥＥＷの上側または下側に配置される検査部ＬＳＣＭ１を備えている。この検査部ＬＳＣＭ１も隣接処理ユニットＡＤ３であってもよい。この場合、処理領域５７の基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板搬入口６０Ａを通じて、基板Ｗを検査部ＬＳＣＭ１に搬送し、インターフェース領域５８の基板搬送機構ＭＨＵ５は、基板搬入口６０Ｄを通じて検査部ＬＳＣＭ１から基板Ｗを受け取ってもよい。また、裏面洗浄ユニットＢＳＳおよび露光後洗浄ユニットＳＯＡＫの処理が不要である場合、裏面洗浄ユニットＢＳＳおよび露光後洗浄ユニットＳＯＡＫを備えなくてもよい。また、バッファ部ＢＵ４が不要である場合、バッファ部ＢＵ４を備えなくてもよい。
次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、実施例１〜３と重複する説明は省略する。
実施例１のＩＦ層３Ａでは、基板Ｗは、バッファ部ＢＵ１から露光装置ＥＸＰに搬送され、露光処理後、露光装置ＥＸＰからバッファ部ＢＵ１に戻された。この点、露光処理後、バッファ部ＢＵ１に戻さず、また、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃに、基板Ｗを搬送してもよい。
図１３は、実施例４に係るＩＦ層３Ａを示す横断面図である。ＩＦ層３Ａは、搬送スペース８１、第６の基板搬送機構ＭＨＵ６、および基板載置部ＰＳ２を備えている。搬送スペース８１は、処理領域５７の熱処理ユニット３７が配置される領域であって、インターフェース領域５８に隣接するように設けられる。基板搬送機構ＭＨＵ６は、搬送スペース８１に配置される。基板搬送機構ＭＨＵ６は、基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と同様に構成されている。基板載置部ＰＳ２は、２つの基板搬送機構ＭＨＵ５，ＭＨＵ６が基板Ｗを受け渡しできるように、インターフェース領域５８または、インターフェース領域５８と搬送スペース８１の間に配置される。基板載置部ＰＳ２は、１枚または複数枚の基板Ｗを載置する。
裏面洗浄ユニットＢＳＳは、２段×２列の空間に配置される。また、エッジ露光部ＥＥＷおよび検査部ＬＳＣＭ１は、４段×２列の空間に配置される。第６の基板搬送機構ＭＨＵ６は、本発明の層間搬送機構に相当する。
図１４は、実施例４に係る２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃを示す横断面図である。２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、搬送スペース８１を備えている。搬送スペース８１は、熱処理ユニット３７とその他の処理ユニット３７が配置される領域に設けられている。図１４において、搬送スペース８１は、複数の露光後ベーク処理部ＰＥＢに挟まれている。複数の露光後ベーク処理部ＰＥＢは各々、２方向から進入できるように、２つの基板搬入口６０Ａ，６０Ｅを備えている。基板搬送機構ＭＨＵ６は、基板載置部ＰＳ２から取り出した基板Ｗを、基板搬入口６０Ｅを通じて、現像処理層３Ｂ，３Ｃの露光後ベーク処理部ＰＥＢに搬入する。現像処理層３Ｂ，３Ｃの基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板搬入口６０Ａを通じて、露光後ベーク処理部ＰＥＢのプレート５５に基板Ｗの受け渡しを行う。なお、現像ユニットＤＥＶは、２段×３列の空間に配置される。
図１５を参照する。図１５は、実施例４に係る基板処理装置１の左側から見た側面図である。搬送スペース８１は、ＩＦ層３Ａの処理領域５７から２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃに抜ける上下方向に延びる空間である。第６の基板搬送機構ＭＨＵ６は、その２つのハンド２１を、下層のＩＦ層３Ａから上層の現像処理層３Ｃまで移動させることできる。
２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは、隣接処理ユニットＡＤ４，ＡＤ５として、それぞれ８つの露光後ベーク処理部ＰＥＢを備えている。図１５に示すように、８つの露光後ベーク処理部ＰＥＢは、搬送スペース８１に隣接し、各４段の露光後ベーク処理部ＰＥＢで搬送スペース８１を挟み込むように配置されている。搬送スペース８１に配置された第６の基板搬送機構ＭＨＵ６は、各露光後ベーク処理部ＰＥＢの基板搬入口６０Ｅ（図１４参照）を通じて、各露光後ベーク処理部ＰＥＢに基板Ｗを搬送する。また、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、４つのポストベーク部ＰＢを備えている。
なお、熱処理ユニット３７とその他処理ユニットの個数および種類は、必要に応じて変更される。例えば、８つの露光後ベーク処理部ＰＥＢおよび４つのポストベーク部ＰＢの一部を、冷却部ＣＰに置き換えてもよい。また、図１４に示すように、ＩＤブロック２は、検査部ＬＳＣＭ２を備えていてもよい。この場合、検査部ＬＳＣＭ２とバッファ部ＢＵ２，ＢＵ３（基板バッファＢＦ）で基板搬送機構ＭＨＵ１を挟み込むように、検査部ＬＳＣＭ２が設けられていてもよい。また、検査部ＬＳＣＭ２とバッファ部ＢＵ２，ＢＵ３で基板搬送機構ＭＨＵ２を挟み込むように、検査部ＬＳＣＭ２が設けられていてもよい。検査部ＬＳＣＭ２は、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの各々の階層に設けられている。
次に、図１０を参照しつつ、基板処理装置１の動作を説明する。基板Ｗは、２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂの一方によって、塗布処理が行われ、バッファ部ＢＵ１に搬送されている。
〔ステップＳ０３Ａ〕ＩＦ層３Ａによる処理
ＩＦ層３Ａは、塗布処理層５Ａ（５Ｂ）で塗布処理が行われた基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。搬出された基板Ｗに対して、露光装置ＥＸＰは、露光処理を行う。ここまでは実施例１と同じ動作であるので、具体的な説明を省略する。その後、ＩＦ層３Ａは、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦ層３Ａに搬入する。具体的に説明する。
基板搬送機構ＭＨＵ５は、露光装置ＥＸＰで処理された基板Ｗをインターフェース領域５８に搬入し、その基板Ｗを基板載置部ＰＳ２に搬送する。基板搬送機構ＭＨＵ６は、基板載置部ＰＳ２から基板Ｗを取り出す。その後、基板搬送機構ＭＨＵ６は、図１５に示すように、その基板Ｗを、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの一方の８つの露光後ベーク処理部ＰＥＢのいずれか１つに搬送する。露光後ベーク処理部ＰＥＢへの基板Ｗの搬送は、基板搬入口６０Ｅを通じて行われる。
〔ステップＳ０４，Ｓ０５〕現像処理層３Ｂ（３Ｃ）による現像処理など
例えば、現像処理層３Ｂにおいて、基板搬送機構ＭＨＵ３は、基板搬入口６０Ａを通じて、露光後ベーク処理部ＰＥＢから熱処理が行われた基板Ｗを受け取る。その後、基板搬送機構ＭＨＵ３は、その基板Ｗを、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＰＢ、バッファ部ＢＵ２に、この順番で搬送する。なお、現像処理層３Ｂが冷却部ＣＰを備える場合、基板搬送機構ＭＨＵ３は、露光後ベーク処理部ＰＥＢで熱処理が行われた基板Ｗを、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＰＢ、バッファ部ＢＵ２に、この順番で搬送する。また、ポストベーク部ＰＢへの搬送は省略されてもよい。その後、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の一方は、バッファ部ＢＵ２から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを検査部ＬＳＣＭ２に搬送する。その後、第１の基板搬送機構ＭＨＵ１側の検査部ＬＳＣＭ２で基板Ｗが検査された場合は、基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのバッファ部ＢＵ２，ＢＵ３の一方に基板Ｗを搬送する。その後、第２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、第２の基板搬送機構ＭＨＵ２側の検査部ＬＳＣＭ２、バッファ部ＢＵ２、バッファ部ＢＵ３のいずれかから基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、２つのオープナ１３，１４の一方の載置台１６上のキャリアＣに搬送する。
本実施例によれば、インターフェース領域５８は、基板Ｗを載置する基板載置部ＰＳ２を備えている。第１処理ブロック３は、ＩＦ層３Ａの処理領域５７から２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃに抜ける上下方向に延びる搬送スペース８１と、搬送スペース８１に配置された第６の基板搬送機構ＭＨＵ６とを備えている。２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは、搬送スペース８１に隣接して配置された露光後ベーク処理部ＰＥＢ（隣接処理ユニットＡＤ４，ＡＤ５）を備えている。基板搬送機構ＭＨＵ６は、インターフェース領域５８の基板載置部ＰＳ２から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの露光後ベーク処理部ＰＥＢに直接搬送する。
ＩＦ層３ＡからＩＤブロック２に基板Ｗを搬送して、更に、ＩＤブロック２から２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃに基板Ｗを搬送する場合、多くの時間を必要とする可能性がある。また、ＩＦ層３Ａの搬送機構に大きな負担がかかってしまう可能性がある。本実施例によれば、ＩＤブロック２を介さずに、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの露光後ベーク処理部ＰＥＢに基板Ｗを直接搬送できる。そのため、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃに早く基板Ｗを搬送することができると共に、ＩＦ層３Ａの基板搬送機構ＭＨＵ３の負担を軽減させることができる。また、基板搬送機構ＭＨＵ６が配置される搬送スペース８１は、ＩＦ層３Ａだけでなく現像処理層３Ｂ，３Ｃの領域内にも設けられる。そのため、ＩＦ層３Ａのコンパクトさは維持される。
なお、効果を補足する。図１６（ａ）に示すように、露光装置ＥＸＰとＩＤブロック２との間で基板Ｗを往復移動させると、ＩＦ層３Ａの基板搬送機構ＭＨＵ３の基板搬送に大きな負担がかかる可能性がある。また、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の基板搬送にも負担がかかる。図１６（ｂ）に示すように、第１処理ブロック３内に設けられた基板搬送機構ＭＨＵ６により、露光装置ＥＸＰからＩＤブロック２への復路の基板搬送が省略されるだけでなく、ＩＤブロック２の基板搬送の負担も軽減する。
また、図１７に示すように、処理ユニットを変更してもよい。具体的に説明する。２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、隣接処理ユニットＡＤ５として４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢを備えている。この点、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢに代えて、２つの露光後洗浄ユニットＳＯＡＫを備えてもよい。この場合、次の動作を行わせてもよい。第６の基板搬送機構ＭＨＵ６は、インターフェース領域５８の基板載置部ＰＳ２から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの一方の２つの露光後洗浄ユニットＳＯＡＫの一方に直接搬送する。その後、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃ各々の基板搬送機構ＭＨＵ３、または基板搬送機構ＭＨＵ６は、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫから基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを、露光後ベーク処理部ＰＥＢに搬送する。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例４では、インターフェース領域５８は、インターフェース領域５８の露光装置ＥＸＰ側の端が２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの内側に収まるように配置されていた。この点、インターフェース領域５８は、実施例１のように、インターフェース領域５８の露光装置ＥＸＰ側の端が２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの外側に突出するように配置されていてもよい。この変形例の構成も、実施例４の効果と同様の効果を得ることができる。
図１８を参照する。第１処理ブロック３は、ＩＦ層３Ａの処理領域５７から２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃに抜ける上下方向に延びる搬送スペース８１と、搬送スペース８１に配置された第６の基板搬送機構ＭＨＵ６とを備えている。図１８に示すように、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃは各々、搬送スペース８１に隣接して配置される４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢ（隣接処理ユニットＡＤ４）を備えている。基板搬送機構ＭＨＵ６は、基板載置部ＰＳ２から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃの一方の４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢのいずれか１つに直接搬送する。
（２）上述した各実施例１，２では、第１処理ブロック３は、ＩＦ層３Ａと２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃを備え、第２処理ブロック５は、２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂを備えていた。この点、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃと２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂの配置は逆であってもよい。すなわち、第１処理ブロック３は、ＩＦ層３Ａと２つの塗布処理層５Ａ，５Ｂを備え、第２処理ブロック５は、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃを備えてもよい。
（３）上述した各実施例および各変形例では、第１処理ブロック３は、２つの現像処理層３Ｂ，３Ｃを備えていた。この点、第１処理ブロック３は、１つまたは３つ以上の現像処理層を備えていてもよい。また、第２処理ブロック５も、３つ以上の塗布処理層を備えてもよい。キャリアバッファ装置８が第２処理ブロック５に搭載されるために、塗布処理層の個数は、現像処理層の個数以下であることが好ましい。並行処理のバランスをよくするため、塗布処理層の個数は、現像処理層の個数と同じであることがより好ましい。
１ … 基板処理装置
２ … インデクサブロック（ＩＤブロック）
３ … 第１処理ブロック
３Ａ … インターフェース層（ＩＦ層）
３Ｂ，３Ｃ … 現像処理層
５ … 第２処理ブロック
５Ａ，５Ｂ … 塗布処理層
８ … キャリアバッファ装置
１６ … 載置台
２１，４１ … ハンド
ＢＦ … 基板バッファ
ＢＵ１〜ＢＵ４ … バッファ部
３６ … 液処理ユニット
３７ … 熱処理ユニット
ＥＸＰ … 露光装置
５７ … 処理領域
５８ … インターフェース領域
６０Ａ … 基板搬入口
６０Ｂ … 基板搬入口
８１ … 搬送スペース
ＢＳＳ … 裏面洗浄ユニット
ＳＯＡＫ … 露光後洗浄ユニット
ＰＥＢ … 露光後ベーク処理部
ＰＳ１ … 基板載置部
ＰＳ２ … 基板載置部
ＭＨＵ１〜ＭＨＵ６ … 基板搬送機構

Claims (9)

  1. 基板を収納することが可能なキャリアを載置するためのキャリア載置台が設けられたインデクサブロックであって、基板を載置する複数のバッファ部を有する基板バッファおよび、基板を搬送するインデクサ機構を有する前記インデクサブロックと、
    外部装置に基板の搬入および搬出を行うインターフェース層、および前記インターフェース層の上側又は下側に配置された第１処理層を有する第１処理ブロックと、
    上下方向に配置された複数の第２処理層を有する第２処理ブロックと、を備え、
    前記第１処理ブロック、前記インデクサブロックおよび前記第２処理ブロックは、この順番で水平方向に連結されており、
    前記インデクサ機構は、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアと前記基板バッファの間で基板を搬送し、
    前記インデクサ機構は、前記基板バッファの所定の高さ位置にあるバッファ部から前記基板バッファの他の高さ位置にあるバッファ部へ基板を搬送し、
    前記複数の第２処理層は各々、前記基板バッファの中の前記複数の第２処理層の各々に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して基板の受け取りおよび引き渡しを行い、
    前記インターフェース層は、前記基板バッファの中の前記インターフェース層に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して少なくとも基板の受け取りを行い、
    前記第１処理層は、前記基板バッファの中の前記第１処理層に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して少なくとも引き渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記第１処理層は現像処理層であり、
    前記第２処理層は塗布処理層であり、
    前記外部装置は露光装置であることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記インターフェース層は、前記インデクサブロックに連結する処理領域と、
    前記処理領域と連結するインターフェース領域と、を備え、
    前記処理領域は、塗布処理後でかつ現像処理前の基板に対して所定の処理を行う露光関連処理ユニットと、前記インデクサブロックの前記基板バッファ、前記露光関連処理ユニット、および前記インターフェース領域との間で基板を搬送する搬送機構とを備え、
    前記インターフェース領域は、前記露光装置と前記処理領域との間で基板を搬送する露光装置用搬送機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記インターフェース領域は、前記インターフェース領域の前記露光装置側の端が前記第１処理層の外側に突出するように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記インターフェース領域は、前記インターフェース領域の前記露光装置側の端が前記第１処理層の内側に収まるように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項３から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記インターフェース領域は、基板を載置する基板載置部を備え、
    前記第１処理ブロックは、前記インターフェース層の前記処理領域から前記第１処理層に抜ける上下方向に延びる搬送スペースと、前記搬送スペースに配置された層間搬送機構とを備え、
    前記第１処理層は、前記搬送スペースに隣接して配置された隣接処理ユニットを備え、
    前記層間搬送機構は、前記インターフェース領域の前記基板載置部から基板を受け取り、その基板を、前記第１処理層の前記隣接処理ユニットに直接搬送することを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項３から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理領域は、前記露光関連処理ユニットであって、前記インターフェース領域に隣接して配置される隣接処理ユニットを備え、
    前記露光装置用搬送機構は、露光処理された基板を前記処理領域の前記隣接処理ユニットに直接搬送することを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記キャリアを保管するキャリア保管棚と、
    前記キャリア載置台と前記キャリア保管棚との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構と、を更に備え、
    前記第２処理ブロックの高さは、前記第１処理ブロックの高さよりも低く、
    前記キャリア保管棚および前記キャリア搬送機構は、前記第２処理ブロック上に搭載されていることを特徴とする基板処理装置。
  9. 基板を収納することが可能なキャリアを載置するためのキャリア載置台が設けられたインデクサブロックであって、基板を載置する複数のバッファ部を有する基板バッファおよび、基板を搬送するインデクサ機構を有する前記インデクサブロックと、
    第１処理層を有する第１処理ブロックと、
    上下方向に配置された複数の第２処理層を有する第２処理ブロックと、を備え、
    前記第１処理ブロック、前記インデクサブロックおよび前記第２処理ブロックは、この順番で水平方向に連結された基板処理装置の基板搬送方法において、
    前記インデクサ機構によって、前記キャリア載置台に載置された前記キャリアと前記基板バッファの間で基板を搬送する工程と、
    前記インデクサ機構によって、前記基板バッファの所定の高さ位置にあるバッファ部から前記基板バッファの他の高さ位置にあるバッファ部へ基板を搬送する工程と、
    前記複数の第２処理層の各々によって、前記基板バッファの中の前記複数の第２処理層の各々に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して基板の受け取りおよび引き渡しを行う工程と、
    前記第１処理層の上側又は下側に配置されたインターフェース層によって、前記基板バッファの中の前記インターフェース層に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して少なくとも基板の受け取りを行う工程と、
    前記第１処理層によって、前記基板バッファの中の前記第１処理層に対応する高さ位置にあるバッファ部に対して少なくとも引き渡しを行う工程と、
    前記インターフェース層によって、外部装置に基板の搬入および搬出を行う工程と、
    を備えていることを特徴とする基板搬送方法。
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