JP2021078233A - 電力変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パワー半導体モジュールとコンデンサ素子の位置関係の選択の自由度を低下させることなく単走区間を短くしつつ、パワー半導体モジュールとコンデンサ素子との間の電流経路のループインダクタンスを低減可能な正極バスバ及び負極バスバの配置を提供する。
【解決手段】正極及び負極パワー端子は、コンデンサ素子と対向しないパワー端子配置面から突出するように配置されている。正極バスバ４０ｐ及び負極バスバ４０ｎは、正極バスバ及び負極バスバの少なくとも一方がコンデンサ素子の非電極面に沿って延びた後に合流し、その後にバスバ並走区間において並走している。正極バスバは、バスバ並走区間において負極バスバと並走した後、正極パワー端子の基端から先端に向けて正極パワー端子に沿って延びている。負極バスバは、バスバ並走区間において正極バスバと並走した後、負極パワー端子の基端から先端に向けて負極パワー端子に沿って延びている。
【選択図】図３

Description

この発明は、電力変換装置に関する。

例えば、特許文献１には、パワー半導体モジュールと、直流側バスバを介してパワー半導体モジュールに接続されたコンデンサ素子とを備える電力変換装置が開示されている。

特開２０１４−１２１１２１号公報

図１５は、特許文献１に記載の電力変換装置の構造（従来の構造）を簡略化して表した模式図である。図１５に示す構造では、パワー半導体モジュールの正極パワー端子及び負極パワー端子は、コンデンサ素子と対向する側のモジュール表面に配置されている。そして、これらのパワー端子は、それぞれ、正極バスバ及び負極バスバを介してコンデンサ素子に接続されている。図１５に示す構造では、正極バスバ及び負極バスバのそれぞれが単独で延びる単走区間が生じている。このような単走区間が長いと、パワー半導体モジュールとコンデンサ素子との間の電流経路のループインダクタンスが大きくなることが懸念される。

図１５に示す構造では、単走区間を短くするためには、パワー半導体モジュールとコンデンサ素子との距離を出来るだけ短くすることが要求される。しかしながら、当該距離の短縮には限界がある。また、単走区間を短くするために当該距離の短縮を求めることは、電力変換装置のケース内におけるパワー半導体モジュールとコンデンサ素子の位置関係の選択の自由度低下に繋がり得る。

本発明は、上述のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電力変換装置において、パワー半導体モジュールとコンデンサ素子の位置関係の選択の自由度を低下させることなく単走区間を短くしつつ、パワー半導体モジュールとコンデンサ素子との間の電流経路のループインダクタンスを低減可能な正極バスバ及び負極バスバの配置を実現することにある。

本発明に係る電力変換装置は、コンデンサ素子と、パワー半導体モジュールと、正極バスバ及び負極バスバとを備える。コンデンサ素子は、バッテリから供給される直流電圧を平滑化する。パワー半導体モジュールは、半導体スイッチング素子と、正極パワー端子と、負極パワー端子とを含み、コンデンサ素子からの直流電力を交流電力に変換する。正極バスバ及び負極バスバは、コンデンサ素子とパワー半導体モジュールとの間で直流電力を伝達する。
パワー半導体モジュールは、コンデンサ素子と対向しない表面であるパワー端子配置面を含む。
正極パワー端子及び負極パワー端子は、パワー端子配置面から突出するように配置されている。
正極バスバ及び負極バスバは、正極バスバ及び負極バスバの少なくとも一方がコンデンサ素子の非電極面に沿って延びた後に合流し、その後にバスバ並走区間において並走している。
正極バスバは、バスバ並走区間において負極バスバと並走した後、正極パワー端子の基端から先端に向けて正極パワー端子に沿って延びている。負極バスバは、バスバ並走区間において正極バスバと並走した後、負極パワー端子の基端から先端に向けて負極パワー端子に沿って延びている。

正極バスバは、バスバ並走区間において、負極バスバに第１絶縁体を介して接していてもよい。

正極バスバ及び負極バスバの少なくとも一方は、コンデンサ素子の非電極面に第２絶縁体を介して接していてもよい。

パワー半導体モジュールは、略直方体形状を有し、コンデンサ素子と対向する表面であるコンデンサ対向面を含んでもよい。パワー端子配置面は、コンデンサ対向面の反対側に位置していてもよい。バスバ並走区間は、パワー半導体モジュールの表面のうちで最も広い面の１つであってコンデンサ対向面とパワー端子配置面との間に位置する第１モジュール表面に沿っているモジュール並走区間を含んでもよい。そして、パワー半導体モジュールは、第１モジュール表面とその反対側に位置するモジュール表面とを繋ぐ辺の長さが、第１モジュール表面を構成する各辺の長さよりも短くなるように形成されていてもよい。

パワー半導体モジュールは、略直方体形状を有してもよく、コンデンサ素子と対向する表面であるコンデンサ対向面を含んでもよい。パワー端子配置面は、コンデンサ対向面と隣り合う面の１つであってもよい。そして、正極バスバ及び負極バスバの何れか一方が、コンデンサ対向面とこれに対向するコンデンサ素子の表面との間に介在していてもよい。

電力変換装置は、パワー半導体モジュールを冷却する冷却器をさらに備えてもよい。冷却器は、コンデンサ対向面に接する第１モジュール接触面を有する第１冷却部を含んでもよい。そして、第１冷却部は、第１モジュール接触面の反対側の表面において、正極バスバ及び負極バスバの何れか一方に第３絶縁体を介して接していてもよい。

パワー半導体モジュールは、交流パワー端子を含んでもよい。電力変換装置は、パワー半導体モジュールを冷却する冷却器と、交流パワー端子に接続される交流バスバと、交流バスバに取り付けられた電流センサとをさらに備えてもよい。冷却器は、コンデンサ対向面の反対側に位置するパワー半導体モジュールの第２モジュール表面に接する第２モジュール接触面を有する第２冷却部を含んでもよい。そして、第２冷却部は、第２モジュール接触面の反対側の表面において、交流バスバに第４絶縁体を介して接していてもよい。

本発明によれば、正極バスバ及び負極バスバは、それらの少なくとも一方がコンデンサ素子の非電極面に沿って延びた後に合流し、その後にバスバ並走区間において並走している。このようなバスバ配置によれば、正極及び負極バスバがコンデンサ素子から正極及び負極パワー端子に向かう過程において各バスバの単走区間を短縮させ易い。そして、このようなバスバ配置手法によれば、上記非電極面に対するパワー半導体モジュールの距離を長くしたとしても、バスバ並走区間は長くなるが単走区間は長くならない。したがって、パワー半導体モジュールとコンデンサ素子との位置関係の自由度を制限せずに単走区間の短縮を図れる。そして、バスバ並走区間では、正極バスバを流れる電流と負極バスバを流れる電流とが対向するので、これらの電流により生成される磁束が相殺される。これにより、正極及び負極バスバのインダクタンスを打ち消し合う効果が得られる。

さらに、本発明によれば、正極及び負極パワー端子は、コンデンサ素子と対向しないパワー端子配置面から突出するように配置されている。そして、正極バスバは、バスバ並走区間において負極バスバと並走した後、正極パワー端子の基端から先端に向けて正極パワー端子に沿って延びており、このことは負極バスバも同様である。このような構成によれば、正極パワー端子と正極バスバとの間、及び、負極パワー端子と負極バスバとの間で、インダクタンスを打ち消し合う効果が得られる。

以上のように、本発明によれば、パワー半導体モジュールとコンデンサ素子の位置関係の選択の自由度を低下させることなく単走区間を短くしつつ、パワー半導体モジュールとコンデンサ素子との間の電流経路のループインダクタンスを低減可能な正極バスバ及び負極バスバの配置を実現できる。

実施の形態１に係る電力変換装置の要部の構成を表した斜視図である。 図１中の各パワー端子周りの部位Ａの拡大図である。 図１中のＣ−Ｃ線断面を模式的に示す図である。 実施の形態１に対する第１比較例及び第２比較例に係るバスバ配置を表した模式図である。 実施の形態１における正極パワー端子と正極バスバとの接続手法の効果を説明するための模式図である。 実施の形態１に対する第１変形例及び第２変形例に係るバスバ配置を表した模式図である。 実施の形態２に係る電力変換装置の特徴部を表した模式図である。 実施の形態３に係る電力変換装置の特徴部を表した模式図である。 実施の形態４に係る電力変換装置の要部の構成を表した平面図である。 図９中のＧ−Ｇ線断面を模式的に示す図である。 実施の形態４に対する変形例に係るバスバ配置を表した模式図である 実施の形態５に係る電力変換装置が備える冷却器の構成例を示す模式図である。 図１０と同様の正極パワー端子の位置における実施の形態５に係る電力変換装置の要部の断面を模式的に示す図である。 交流パワー端子の位置における実施の形態６に係る電力変換装置の要部の断面を模式的に示す図である。 特許文献１に記載の電力変換装置の構造（従来の構造）を簡略化して表した模式図である。

以下に説明される各実施の形態において、各図において共通する要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略又は簡略する。また、以下に示す実施の形態において各要素の個数、数量、量、範囲等の数に言及した場合、特に明示した場合や原理的に明らかにその数に特定される場合を除いて、その言及した数に、この発明が限定されるものではない。また、以下に示す実施の形態において説明する構造等は、特に明示した場合や明らかに原理的にそれに特定される場合を除いて、この発明に必ずしも必須のものではない。

１．実施の形態１
図１〜図６を参照して、本発明の実施の形態１及びその変形例について説明する。

１−１．電力変換装置の構成
図１は、実施の形態１に係る電力変換装置１０の要部の構成を表した斜視図である。図２は、図１中のパワー端子２４ｐ、２４ｎ、２４ｏ周りの部位Ａの拡大図である。電力変換装置１０は、一例として、図示省略するモータジェネレータを含む駆動源を備える電動車両に搭載されている。

電力変換装置１０は、パワー半導体ユニット２０と、コンデンサユニット３０と、これらを接続する正極バスバ（「Ｐバスバ」とも称する）４０ｐ及び負極バスバ（「Ｎバスバ」とも称する）４０ｎとを備えている。これらのバスバ４０ｐ、４０ｎは、例えば、導電性の金属で構成されている。

パワー半導体ユニット２０は、図示省略するバッテリ（直流電源）から供給される直流電力を交流電力に変換する機能と、上記モータジェネレータが交流電力を生成した時に当該交流電力を直流電力に変換する機能とを有する。パワー半導体ユニット２０が制御する交流電力は、一例としてＵ相、Ｖ相、Ｗ相の３相交流電力である。図１に示す例では、パワー半導体ユニット２０は、相毎にパワー半導体モジュール（以下、単に「パワーモジュール」とも称する）２２を備えている。

各パワーモジュール２２は、一例として、図１に示すように略直方体形状に形成されている。より詳細には、パワーモジュール２２は、電力制御用の複数の半導体スイッチング素子（図示省略）を樹脂モールドした平板形状のパワーカードとして構成されている。また、図１に示す例では、３つのパワーモジュール２２は、基準面１２（後述の図３参照）の垂直方向の高さを抑えるために、各パワーモジュール２２の最も広い面（上面２２ａ）を基準面１２と平行にしつつ、１方向（「並び方向Ｂ」と称する）に並んで配置されている。ここでいう基準面１２とは、パワー半導体ユニット２０及びコンデンサユニット３０等の部品を収容する電力変換装置１０のケースの底面である。

各パワーモジュール２２は、３つのパワー端子２４ｐ、２４ｎ、２４ｏを備えている。パワー端子２４ｐ及び２４ｎは、それぞれ、直流電圧が印加される正極パワー端子及び負極パワー端子であり、パワー端子２４ｏは、交流電力を出力する交流パワー端子である。各パワー端子２４ｐ、２４ｎ、２４ｏは、一例として板状に形成されている。

コンデンサユニット３０は、一例として３つのコンデンサ素子３２を備えている。これら３つのコンデンサ素子３２は、Ｐバスバ４０ｐ及びＮバスバ４０ｎを用いて並列接続されている。また、各コンデンサ素子３２（コンデンサユニット３０）は、Ｐバスバ４０ｐ及びＮバスバ４０ｎとコネクタ（図示省略）を介して上述のバッテリに接続されており、バッテリから供給される直流電圧を平滑化する。

コンデンサ素子３２は、例えばフィルムコンデンサである。コンデンサ素子３２の両端面は、一対の電極面、すなわち、正極側の電極面３２ｐ及び負極側の電極面３２ｎとして機能する。一例として、コンデンサ素子３２は、図１に示すように略直方体形状を有する。より詳細には、コンデンサ素子３２は、電極面３２ｐ、３２ｎと平行な方向の断面として、四隅が丸みを帯びた長方形断面を有している。また、図１に示す例では、コンデンサユニット３０は、基準面１２（図３参照）の垂直方向の高さを抑えるために、各コンデンサ素子３２の正極側の電極面３２ｐを基準面１２と平行としつつ、並び方向Ｂに一列に並んで配置されている。

Ｐバスバ４０ｐ及びＮバスバ４０ｎは、コンデンサ素子３２（コンデンサユニット３０）とパワーモジュール２２（パワー半導体ユニット２０）との間で直流電力を伝達する。具体的には、上記モータジェネレータを用いて電動車両を駆動する時（力行時）には、上記バッテリの直流電力が、コンデンサ素子３２（コンデンサユニット３０）により平滑化されたうえでパワーモジュール２２（パワー半導体ユニット２０）に供給される。この際、電流は、コンデンサ素子３２の電極面３２ｐからＰバスバ４０ｐを介してパワー端子２４ｐに向けて流れる。パワーモジュール２２は、供給された直流電力に基づき交流電力を生成し、モータジェネレータに供給する。

一方、電動車両の回生制動時には、パワーモジュール２２は、モータジェネレータが生成した交流電力を直流電力に変換し、コンデンサ素子３２を介してバッテリに当該直流電力を供給する（バッテリを充電する）。この際、電流は、パワー端子２４ｐからＰバスバ４０ｐを介して電極面３２ｐに向けて流れる。

図２に示すように、パワーモジュール２２側のＰバスバ４０ｐの端部４０ｐ１はパワー端子２４ｐに溶接等により固定されている。同様に、Ｎバスバ４０ｎの端部４０ｎ１はパワー端子２４ｎに溶接等によって固定されている。また、交流電力をモータジェネレータに供給するための出力側の交流パワー端子２４ｏには、交流バスバ（図示省略）が溶接等により固定される。

１−１−１．Ｐバスバ及びＮバスバの配置
図３は、図１中のＣ−Ｃ線断面（並び方向Ｂから見た時のパワー端子２４ｐの位置の断面）を模式的に示す図である。パワーモジュール２２は、コンデンサ素子３２と対向するモジュール表面２２ｂと、モジュール表面２２ｂの反対側（換言すると、コンデンサ素子３２から遠い側）に位置するモジュール表面２２ｃとを有する。パワー端子２４ｐ及びパワー端子２４ｎ（図２参照）は、それぞれ、モジュール表面２２ｃから突出するように配置されている。なお、モジュール表面２２ｂ及び２２ｃは、それぞれ、本発明に係る「コンデンサ対向面」及び「パワー端子配置面」の一例に相当する。

図３に示すように、Ｎバスバ４０ｎは、電極面３２ｎに接した状態で電極面３２ｎに沿って延びた後に、モジュール表面（上面）２２ａの側において直線的にパワーモジュール２２に沿ってパワー端子２４ｎに向けて延びている。

一方、Ｐバスバ４０ｐは、電極面３２ｎの反対側の端に位置する電極面３２ｐに接した状態で電極面３２ｐに沿って延びた後に折り曲げられ、コンデンサ素子３２の非電極面３２ａに沿ってＮバスバ４０ｎに向けて延びている。より詳細には、Ｐバスバ４０ｐは、コンデンサ素子３２との絶縁性を確保しつつ、出来るだけ非電極面３２ａに近い位置において非電極面３２ａに沿って延びている。非電極面３２ａは、モジュール表面２２ｂと対向している。そして、Ｐバスバ４０ｐは、Ｎバスバ４０ｎと合流した後、バスバ並走区間４２においてＮバスバ４０ｎと並走している。

より詳細には、バスバ並走区間４２は、Ｐバスバ４０ｐとＮバスバ４０ｎとがモジュール表面２２ａに沿って並走する「モジュール並走区間」を含む。また、図３に示す例では、バスバ並走区間４２は、モジュール並走区間だけでなく、モジュール表面（パワー端子配置面）２２ｃに沿ってバスバ４０ｐ、４０ｎがパワー端子２４ｐ、２４ｎの付近まで延びる区間をも含んでいる。なお、図３に示す例では、このモジュール表面２２ａは、パワーモジュール２２の表面のうちで最も広い面の１つであってモジュール表面（コンデンサ対向面）２２ｂとモジュール表面（パワー端子配置面）２２ｃとの間に位置するため、本発明に係る「第１モジュール表面」の一例に相当する。付け加えると、パワーモジュール２２は、第１モジュール表面（モジュール表面２２ａ）とその反対側に位置するモジュール表面（モジュール表面２２ｄ）とを繋ぐ辺の長さが、当該第１モジュール表面を構成する各辺の長さよりも短くなるように形成されている。

Ｐバスバ４０ｐは、バスバ並走区間４２においてＮバスバ４０ｎと並走した後、パワー端子２４ｐの基端２４ｐ１から先端２４ｐ２に向けてパワー端子２４ｐに沿って延びている。同様に、Ｎバスバ４０ｎは、バスバ並走区間４２においてＰバスバ４０ｐと並走した後、パワー端子２４ｎ（図２参照）の基端２４ｎ１から先端２４ｎ２に向けてパワー端子２４ｎに沿って延びている。

１−２．効果
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、それぞれ、実施の形態１に対する第１比較例及び第２比較例に係るバスバ配置を表した模式図である。これらの第１及び第２比較例と対比しつつ、実施の形態１のバスバ配置の効果について説明する。

第１比較例では、図４（Ａ）に示すように、ＰバスバとＮバスバは合流して並走することなく、それぞれがパワー端子に向かって単独で延びている。この第１比較例によれば、コンデンサ素子からパワー端子までの区間のＰバスバ及びＮバスバの長さを短くすることはできるが、多くの単走区間が生じている。また、第２比較例では、ＰバスバとＮバスバとはパワーモジュールに至る前に合流し、その後に並走している。このため、第１比較例と比べると、単走区間を短くし易い構成が得られるが、Ｐバスバはコンデンサの非電極面に沿って延びていない。その結果、第２比較例においても、単走区間を十分に短縮できていない。

（単走区間の短縮）
一方、本実施形態に係る電力変換装置１０によれば、Ｐバスバ４０ｐは、コンデンサ素子３２の非電極面３２ａに沿ってＮバスバ４０ｎに向けて延びた後にＮバスバ４０ｎと合流し、かつ、その後はバスバ並走区間４２においてＮバスバ４０ｎと並走している。このようなバスバ配置によれば、第１及び第２比較例と比べて、バスバ４０ｐ、４０ｎがコンデンサ素子３２からパワー端子２４ｐ、２４ｎに向かう過程においてバスバ４０ｐ、４０ｎの単走区間を効果的に短くすることができる。そして、このようなバスバ配置手法によれば、仮にパワーモジュール２２のモジュール表面２２ｂとコンデンサ素子３２の非電極面３２ａとの距離を図３に示す例と比べて長くしたとしても、バスバ４０ｐ、４０ｎ（バスバ並走区間）は長くなるが単走区間は長くならない。したがって、パワーモジュール２２とコンデンサ素子３２との位置関係の自由度を制限せずに単走区間の短縮を図れる。

なお、図３に示す構成では、Ｐバスバ４０ｐが非電極面３２ａに沿って延びる部位は単走区間となるが、Ｐバスバ４０ｐの当該部位を流れる電流の向きは、コンデンサ素子３２内の電流の向きと逆になる。このため、これらの電流により生成される磁束が打ち消される。その結果、当該部位では、Ｐバスバ４０ｐとコンデンサ素子３２との間で、インダクタンスを打ち消し合う効果が得られる。また、この効果は、図３に示す例におけるＰバスバ４０ｐとＮバスバ４０ｎの配置を逆にし、Ｎバスバ４０ｎが非電極面３２ａに沿って延びた後にＰバスバ４０ｐと合流するバスバ配置が採用された場合にも、同様に得られる。

（ループインダクタンスの低減）
また、本実施形態のバスバ配置によれば、図３に示すバスバ並走区間４２、及び、パワー端子２４ｐ、２４ｎとバスバ４０ｐ、４０ｎとの接続部において、インダクタンスを打ち消し合う効果が得られ、その結果として、パワーモジュール２２とコンデンサ素子３２との間のループインダクタンスを低減できる。より詳細には、ここでいうループインダクタンスは、パワーモジュール２２内の半導体スイッチング素子からパワー端子２４ｎ、Ｎバスバ４０ｎ、コンデンサ素子３２、Ｐバスバ４０ｐ及びパワー端子２４ｐを順に通過した後に再び半導体スイッチング素子に戻るように形成される電流経路のループインダクタンスのことである。

具体的には、バスバ並走区間４２では、Ｐバスバ４０ｐを流れる電流とＮバスバ４０ｎを流れる電流とが対向するので、これらの電流により生成される磁束が相殺される。これにより、Ｐバスバ４０ｐとＮバスバ４０ｎとの間でインダクタンスを打ち消し合う効果が得られる。

さらに、本実施形態では、パワー端子２４ｐ、２４ｎは、非電極面３２ａと対向するモジュール表面（コンデンサ対向面）２２ｂの反対側のモジュール表面２２ｃから突出するように配置されている。そのうえで、Ｐバスバ４０ｐは、バスバ並走区間においてＮバスバ４０ｎと並走した後、パワー端子２４ｐの基端２４ｐ１から先端２４ｐ２に向けてパワー端子２４ｐに沿って延びており、このことは、Ｎバスバ４０ｎも同様である。このような構成によれば、次に図５を参照して説明するように、パワー端子２４ｐ、２４ｎとバスバ４０ｐ、４０ｎとの接続部においてインダクタンスを打ち消し合う効果が得られる。

図５は、実施の形態１におけるパワー端子２４ｐとＰバスバ４０ｐとの接続手法の効果を説明するための模式図である。パワー端子２４ｐに沿ってＰバスバ４０ｐを配置した場合、図５に示す範囲Ｅの全体においてパワー端子２４ｐとＰバスバ４０ｐとが均一に接していると、パワー端子２４ｐとＰバスバ４０ｐとの間の電流は最短距離で（すなわち、基端２４ｐ１の位置において）流れることになる。しかしながら、溶接等によってＰバスバ４０ｐと接続されるパワー端子２４ｐの面圧は、必ずしも均一とはならず、部位によってばらつきが生じる。このようなばらつきがあると、電流は流れ易い部位を介して両者の間で流れることになる。

図５に示す電流経路は、パワーモジュール２２からＰバスバ４０ｐに電流が流れる時（すなわち、回生制動時）に、位置Ｆを通って電流が流れた例を示している。このように基端２４ｐ１から比較的に遠い位置Ｆを通って電流が流れる場合であっても、図５に示すようにパワー端子２４ｐを流れる電流とＰバスバ４０ｐを流れる電流とを対向させられる。このため、上述のバスバ並走区間と同様の理由により、パワー端子２４ｐ付近においてパワー端子２４ｐとＰバスバ４０ｐとの間でインダクタンスを打ち消し合う効果が得られる。このことは、力行時も同様である。

そして、Ｐバスバ４０ｐは、基端２４ｐ１と先端２４ｐ２との途中の位置からではなく、基端２４ｐ１から先端２４ｐ２に向けて延びている。これにより、図５に示すような電流経路で電流が流れる場合に、インダクタンスの打ち消し効果を最大化できる。

図５を参照して上述した効果は、パワー端子２４ｎとＮバスバ４０ｎとの関係においても同様に得られる。付け加えると、本実施形態とは異なり、図１５に示す従来の構造例と同様にパワー端子２４ｐをコンデンサ対向面２２ｂから突出する配置を採用することが考えられる。しかしながら、そのような配置が採用されると、基端２４ｐ１から先端２４ｐ２に向かうようにＰバスバを配置するためには、コンデンサ素子３２側からパワー端子２４ｐに向けてＰバスバを一旦延ばした後に、Ｐバスバを再びコンデンサ素子３２側に向けて延ばすことが必要となる。その結果、Ｐバスバ形状が複雑化してしまう。これに対し、本実施形態のバスバ配置によれば、パワー端子２４ｐをモジュール表面２２ｃ（すなわち、コンデンサ対向面２２ｂの反対側の面）から突出する配置を採用することにより、そのようなＰバスバ形状の複雑化を回避しつつ、Ｐバスバ４０ｐが基端２４ｐ１から先端２４ｐ２に向けて延びるようにＰバスバ４０ｐを配置できる。このことは、Ｎバスバ４０ｎについても同様である。

（まとめ）
以上のように、本実施形態のバスバ配置によれば、電力変換装置１０のケース内のパワーモジュール２２とコンデンサ素子３２の位置関係の選択の自由度を低下させることなく単走区間を短くしつつ、パワーモジュール２２とコンデンサ素子３２との間の電流経路のループインダクタンスを低減させることができる。

（モジュール並走区間）
付け加えると、図３に示す例では、バスバ並走区間４２は、Ｐバスバ４０ｐとＮバスバ４０ｎとがモジュール表面２２ａに沿って並走する「モジュール並走区間」を含む。図５中の記号「Ｉｐｍ」は、回生制動時にパワーモジュール２２内をパワー端子２４ｐに向けて流れる電流（パワーモジュール２２内の電流の一部に相当）の向きを示している。図５に示すように、この電流Ｉｐｍの向きは、モジュール並走区間においてＰバスバ４０ｐを流れる電流Ｉｐｂの向きと逆になる。これにより、モジュール並走区間においてパワーモジュール２２とＰバスバ４０ｐとの間でインダクタンスを打ち消し合う効果が得られる。この効果も、上記ループインダクタンスの低減に繋がる。また、このような効果は、モジュール並走区間におけるＮバスバ４０ｎとパワーモジュール２２との間においても、パワー端子２４ｎからパワーモジュール２２内に流入した電流の向きがＮバスバ４０ｎを流れる電流の向きと逆になるので同様に得られる。また、ここで説明した効果は、力行時にも同様に得られる。

１−３．変形例
実施の形態１では、図３に示すように、Ｐバスバ４０ｐがコンデンサ素子３２の非電極面３２ａに沿って延びた後にＮバスバ４０ｎと合流している。しかしながら、図３に示す例におけるＰバスバ４０ｐとＮバスバ４０ｎの配置を逆にし、Ｎバスバ４０ｎが非電極面３２ａに沿って延びた後にＰバスバ４０ｐと合流するバスバ配置が採用されてもよい。このようにＰバスバとＮバスバの配置を逆にしてもよい点は、以下に説明する各実施の形態及び各変形例についても同様である。

図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、それぞれ、実施の形態１に対する第１変形例及び第２変形例に係るバスバ配置を表した模式図である。第１及び第２変形例は、以下に説明する点において、図３に示す例と相違している。

第１変形例では、図６（Ａ）に示すように、Ｐバスバ４４ｐ及びＮバスバ４４ｎの双方が、コンデンサ素子３２の非電極面３２ａに沿って互いに近づくように延びた後に合流し、その後にバスバ並走区間４６において並走している。このような構成によっても、実施の形態１と同様の効果が得られる。付け加えると、第１変形例のようにＰバスバ４４ｐ及びＮバスバ４４ｎの双方がコンデンサ素子３２の非電極面３２ａに沿っている場合には、コンデンサ素子３２との間でインダクタンスを打ち消し合う効果は、Ｐバスバ４０ｐ及びＮバスバ４０ｎの双方において得られる。

第２変形例では、図６（Ｂ）に示すように、コンデンサ素子３２の向きが図３に示す例と相違しており、非電極面３２ａではなく電極面３２ｐがパワーモジュール２２のモジュール表面２２ｂと対向している。そのうえで、第２変形例では、Ｎバスバ４８ｎが非電極面３２ａに沿って延びた後にＰバスバ４８ｐと合流し、その後にバスバ並走区間４２において並走している。このような構成によっても、実施の形態１と同様の効果が得られる。

なお、図３に示すＰバスバ４０ｐの端部４０ｐ１は、パワー端子２４ｐの基端２４ｐ１から先端２４ｐ２の位置にまで及ぶように形成されている。しかしながら、本発明に係る「正極バスバ」は、正極パワー端子の基端から先端に向けて当該正極パワー端子に沿って延びていればよく、必ずしも先端位置までは及んでいなくてもよい。このことは、「負極バスバ」についても同様である。

また、上述した実施の形態１では、複数（３つ）のパワーモジュール２２を備えるパワー半導体ユニット２０と、複数（３つ）のコンデンサ素子３２を備えるコンデンサユニット３０とがＰバスバ４０ｐ及びＮバスバ４０ｎによって接続される構成を例示した。しかしながら、本発明に係る電力変換装置は、上記の例以外の１つ又は複数のパワー半導体モジュールと１つ又は複数のコンデンサ素子とが正極バスバ及び負極バスバによって接続される構成を備えていてもよい。

２．実施の形態２
次に、図７を参照して、本発明の実施の形態２について説明する。図７は、実施の形態２に係る電力変換装置５０の特徴部を表した模式図である。この電力変換装置５０は、以下に説明する点において、実施の形態１の電力変換装置１０と相違している。

図７は、バスバ並走区間４２におけるＰバスバ５２ｐ及びＮバスバ４０ｎを示している。本実施形態におけるバスバ並走区間４２では、Ｐバスバ５２ｐは、Ｎバスバ４０ｎに絶縁体５４を介して接している（より詳細には、密着している）。絶縁体５４の一例は、電気絶縁紙である。なお、絶縁体５４は、本発明に係る「第１絶縁体」の一例に相当する。

上述した実施の形態２の構成によれば、バスバ並走区間４２におけるＰバスバ５２ｐとＮバスバ４０ｎとの距離（クリアランス）を最小化することにより、Ｐバスバ５２ｐを流れる電流とＮバスバ４０ｎを流れる電流とが対向することによる磁束の打ち消し効果を最大化できる。その結果、バスバ並走区間４２におけるバスバ５２ｐ、４０ｎのインダクタンスの打ち消し効果を最大化できるので、パワーモジュール２２とコンデンサ素子３２との間のループインダクタンスを効果的に低減できる。

３．実施の形態３
次に、図８を参照して、本発明の実施の形態３について説明する。図８は、実施の形態３に係る電力変換装置６０の特徴部を表した模式図である。この電力変換装置６０は、以下に説明する点において、実施の形態２の電力変換装置５０と相違している。

本実施形態では、Ｐバスバ６２ｐは、図８に示すように、コンデンサ素子３２の非電極面３２ａに絶縁体６４を介して接している（より詳細には、密着している）。絶縁体６４の一例も、電気絶縁紙である。なお、絶縁体６４は、本発明に係る「第２絶縁体」の一例に相当する。

上述した実施の形態３の構成によれば、Ｐバスバ６２ｐと非電極面３２ａとの距離（クリアランス）を最小化することにより、Ｐバスバ５２ｐを流れる電流Ｉｐｂとコンデンサ素子３２内を流れる電流Ｉｃとが対向することによる磁束の打ち消し効果を最大化できる。その結果、Ｐバスバ６２ｐと非電極面３２ａとの間でのインダクタンスの打ち消し効果を最大化できるので、パワーモジュール２２とコンデンサ素子３２との間のループインダクタンスを効果的に低減できる。

付け加えると、実施の形態３の構成は、図６（Ａ）に示す第１変形例のようにＰバスバ及びＮバスバの双方がコンデンサ素子の非電極面に沿って延びるバスバ配置と組み合わせてもよい。具体的には、Ｐバスバ及びＮバスバの双方が、当該非電極面に第２絶縁体を介して接していてもよい。また、図８に示す例とは異なり、バスバ並走区間４２については、図３に示す例と同様に絶縁体５４を備えていなくてもよい（すなわち、実施の形態３の構成は、実施の形態１と組み合わされてもよい）。

４．実施の形態４
次に、図９〜図１１を参照して、本発明の実施の形態４及びその変形例について説明する。

４−１．電力変換装置の構成
図９は、実施の形態４に係る電力変換装置７０の要部の構成を表した平面図（コンデンサ素子３２の電極面３２ｎの側から見た図）である。図１０は、図９中のＧ−Ｇ線断面（並び方向Ｂから見た時のパワー端子２４ｐの位置の断面）を模式的に示す図である。電力変換装置７０は、以下に説明する点において、実施の形態１の電力変換装置１０と相違している。

本実施形態のユニット配置例では、図９、１０に示すように、パワー半導体ユニット２０とコンデンサユニット３０とは、各パワーモジュール２２のモジュール表面２２ａがコンデンサ素子３２の非電極面３２ａと対向するように配置されている。このため、このユニット配置例では、モジュール表面２２ａが本発明に係る「コンデンサ対向面」の一例に相当する。

また、本実施形態では、パワー端子配置面に相当するモジュール表面２２ｃは、モジュール表面（コンデンサ対向面）２２ａと隣り合う面の１つに相当する。

図１０に示す例では、負極側の電極面３２ｎの高さとモジュール表面（パワー端子配置面）２２ｃの高さが近い。このため、Ｎバスバ７２ｎは、電極面３２ｎに沿って延びた後に、パワーモジュール２２に向けて直線的に延びている。

Ｐバスバ７２ｐは、図１０に示すように、図３に示すＰバスバ４０ｐと同様に、電極面３２ｐに沿って延びた後に折り曲げられ、非電極面３２ａに沿ってＮバスバ７２ｎに向けて延びている。その結果、Ｐバスバ７２ｐは、モジュール表面２２ａとこれに対向する非電極面３２ａとの間に介在している。なお、図１０に示す例とは逆に、Ｎバスバ７２ｎが非電極面３２ａに沿って延びるバスバ配置例では、Ｎバスバ７２ｎがモジュール表面２２ａと非電極面３２ａとの間に介在することになる。

本実施形態のバスバ配置においても、実施の形態１と同様に、バスバ並走区間７４を備えている。すなわち、Ｐバスバ７２ｐは、Ｎバスバ７２ｎと合流した後、バスバ並走区間７４においてＮバスバ７２ｎと並走している。より詳細には、図１０に示す例では、バスバ並走区間７４は、パワー端子配置面２２ｃに沿って延びている。バスバ並走区間７４を終えた後のパワー端子２４ｐ、２４ｎ周りのバスバ７２ｐ、７２ｎの構成は、実施の形態１と同様であるため、その説明を省略する。

付け加えると、実施の形態２（図７参照）と同様に、Ｐバスバ７２ｐは、バスバ並走区間７４において、Ｎバスバ７２ｎに第１絶縁体を介して接していてもよい（密着していてもよい）。また、実施の形態３（図８参照）と同様に、Ｐバスバ７２ｐは、コンデンサ素子３２の非電極面３２ａに第２絶縁体を介して接していてもよい（密着していてもよい）。

４−２．効果
以上説明したように、図９、１０に示すようなユニット配置を前提とする本実施形態のバスバ配置によっても、実施の形態１と同様に、Ｐバスバ７２ｐが非電極面３２ａに沿って延びた後にＮバスバ７２ｎと合流し、かつ、その後はバスバ並走区間７４においてＮバスバ７２ｎと並走している。また、本実施形態においても、パワー端子２４ｐ、２４ｎは、コンデンサ素子３２と対向しないモジュール表面２２ｃに配置されている。そして、並走後には、Ｐバスバ７２ｐは基端２４ｐ１から先端２４ｐ２に向けて延び、Ｎバスバ７２ｎは基端２４ｎ１から先端２４ｎ２に向けて延びている。これにより、電力変換装置７０のケース内のパワーモジュール２２とコンデンサ素子３２の位置関係の選択の自由度を低下させることなく単走区間を短くしつつ、パワーモジュール２２とコンデンサ素子３２との間の電流経路のループインダクタンスを低減させることができる。

また、本実施形態では、Ｐバスバ７２ｐがモジュール表面２２ａと非電極面３２ａとの間に介在するように、パワーモジュール２２（パワー半導体ユニット２０）とコンデンサ素子３２（コンデンサユニット３０）とが配置されている。その結果、図１０に示す例においても、図３に示す例と同様に、パワーモジュール２２内をパワー端子２４ｐに向けて流れる電流ＩｐｍとＰバスバ７２ｐを流れる電流Ｉｐｂとを対向させることができる。これにより、パワーモジュール２２とＰバスバ７２ｐとの間でインダクタンスを打ち消し合う効果が得られる。

付け加えると、図１０に示す構成によっても、図３に示す構成と同様に、Ｐバスバ７２ｐとコンデンサ素子３２との間で、インダクタンスを打ち消し合う効果も得られる。

４−３．変形例
図１１は、実施の形態４に対する変形例に係るバスバ配置を表した模式図である。この変形例では、図１１に示すように、コンデンサ素子３２の向きが図１０に示す例と相違しており、非電極面３２ａではなく電極面３２ｐがパワーモジュール２２のモジュール表面（コンデンサ対向面）２２ａと対向している。そのうえで、本変形例では、Ｎバスバ７６ｎが非電極面３２ａに沿って延びた後にＰバスバ７６ｐと合流し、その後にバスバ並走区間７４において並走している。

また、図１０に示す構成は、次のように変形されてもよい。すなわち、図１０に示す例と比べてパワー端子配置面２２ｃの高さ（図１０の紙面上下方向の位置）が低くされる場合には、図６（Ａ）に示す構成と同様に、Ｐバスバ７２ｐ及びＮバスバ７２ｎの双方が非電極面３２ａに沿って互いに近づくように延びた後に合流する構成が採用されてもよい。

５．実施の形態５
次に、図１２及び図１３を参照して、本発明の実施の形態５について説明する。図１２は、実施の形態５に係る電力変換装置８０が備える冷却器８２の構成例を示す模式図である。電力変換装置８０は、以下に説明する点において、実施の形態４の電力変換装置７０と相違している。なお、図１２では、コンデンサユニット３０、Ｐバスバ９２ｐ及びＮバスバ９２ｎの図示が省略されている。

電力変換装置８０は、各パワーモジュール２２を冷却する冷却器８２を備えている。冷却器８２は、一例として水冷式であり、冷却水入口８４と冷却水出口８６と第１冷却部８８と第２冷却部９０とを含む。冷却器８２は、図１２に示すように、冷却水入口８４から流入した冷却水が第１冷却部８８及び第２冷却部９０のそれぞれの流路８８ａ、９０ａ（後述の図１３参照）を通って冷却水出口８６に向けて流れるように構成されている。

第１冷却部８８は、モジュール表面（コンデンサ対向面）２２ａの側から各パワーモジュール２２を冷却する。第２冷却部９０は、コンデンサ対向面２２ａの反対側に位置するモジュール表面２２ｄの側から各パワーモジュール２２を冷却する。

図１３は、図１０と同様のパワー端子２４ｐの位置における電力変換装置８０の要部の断面を模式的に示す図である。本実施形態のバスバ９２ｐ、９２ｎの配置は、実施の形態４のそれと同様である。また、バスバ９２ｐ、９２ｎはバスバ並走区間９４を有する。

冷却器８２の第１冷却部８８は、コンデンサ対向面２２ａに接するモジュール接触面８８ｂを有する。そして、第１冷却部８８は、このモジュール接触面８８ｂの反対側の表面８８ｃにおいて、Ｐバスバ７２ｐに絶縁体９６を介して接している（より詳細には、密着している）。絶縁体９６の一例も、電気絶縁紙である。

なお、モジュール接触面８８ｂは本発明に係る「第１モジュール接触面」の一例に相当し、絶縁体９６は本発明に係る「第３絶縁体」の一例に相当する。

上述した実施の形態５の構成によれば、パワーモジュール２２の冷却のために設けられた冷却器８２を利用して、Ｐバスバ９２ｐ及びコンデンサ素子３２を冷却することができる。より詳細には、図１３に示すような構成が採用されない場合には冷却に利用されない第１冷却部８８の表面８８ｃを、Ｐバスバ９２ｐ及びコンデンサ素子３２の冷却に利用できる。これにより、耐熱性の観点でＰバスバ９２ｐ及びコンデンサ素子３２のサイズが大きくなることを抑制できるので、これらを小型化することが可能となる。

付け加えると、図１２に示す冷却器８２とは異なり、コンデンサ対向面２２ａの側の第１冷却部８８のみを備える冷却器を備える例においても、実施の形態５の構成を備えることにより、同様の効果が得られる。また、図１３に示す例とは異なり、Ｎバスバ９２ｎがコンデンサ素子３２の非電極面３２ａに沿って延びているバスバ配置の例では、第１冷却部８８は、表面８８ｃにおいて、Ｎバスバ９２ｎに絶縁体９６を介して接していてもよい（密着していてもよい）。

６．実施の形態６
次に、図１４を参照して、本発明の実施の形態６について説明する。図１４は、パワー端子２４ｏの位置における実施の形態６に係る電力変換装置１００の要部の断面を模式的に示す図である。電力変換装置１００は、以下に説明する点において、実施の形態４の電力変換装置７０（図１０参照）と相違している。

電力変換装置１００は、実施の形態５と同様に、各パワーモジュール２２を冷却する冷却器８２を備えている。また、図１４に示す例では、第１冷却部８８の表面８８ｃがＰバスバ９２ｐに絶縁体９６を介して接する構成までは備えていないが、実施の形態５と同様に、このような構成が追加的に備えられてもよい。

電力変換装置１００は、図１４に示すように配置される交流バスバ（出力バスバとも呼ばれる）１０２を備えている。交流バスバ（「Ｏバスバ」とも称する）１０２の一端は、パワー端子２４ｏに接続されている。Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の相毎にパワーモジュール２２を備えるパワー半導体ユニット２０の例では、Ｏバスバ１０２は、各パワーモジュール２２に設けられている。なお、Ｏバスバ１０２の他端は、導電線（図示省略）を介して上記モータジェネレータに接続される。

電力変換装置１００は、さらに、電流センサ１０４を備えている。電流センサ１０４は、３相のそれぞれの電流値を検出するために、一例として、Ｏバスバ１０２のそれぞれに取り付けられている。ただし、電流センサ１０４は、２相の電流値を検出するために、何れか２つのＯバスバ１０２にのみ備えられてもよい。そして、残りの１相の電流値は、２相の電流の検出値に基づいて算出されてもよい。

冷却器８２の第２冷却部９０は、コンデンサ対向面２２ａの反対側に位置するパワーモジュール２２のモジュール表面２２ｄに接するモジュール接触面９０ｂを有する。そのうえで、第２冷却部９０は、モジュール接触面９０ｂの反対側の表面９０ｃにおいて、Ｏバスバ１０２に絶縁体１０６を介して接している（より詳細には、密着している）。絶縁体１０６の一例も、電気絶縁紙である。

なお、モジュール表面２２ｄは本発明に係る「第２モジュール表面」の一例に相当し、
モジュール接触面９０ｂは本発明に係る「第２モジュール接触面」の一例に相当し、絶縁体１０６は本発明に係る「第４絶縁体」の一例に相当する。

より詳細には、図１４に示す例では、電流センサ１０４は、絶縁体１０６を介してパワーモジュール２２と接しているＯバスバ１０２の部位１０２ａに配置されている。

上述した実施の形態６の構成によれば、パワーモジュール２２の冷却のために設けられた冷却器８２を利用して、Ｏバスバ１０２及び電流センサ１０４を冷却することができる。より詳細には、図１４に示すような構成が採用されない場合には冷却に利用されない第２冷却部９０の表面９０ｃを、Ｏバスバ１０２及び電流センサ１０４の冷却に利用できる。これにより、耐熱性の観点でＯバスバ１０２のサイズが大きくなることを抑制できるので、これを小型化することが可能となる。また、電流センサ１０４の低耐熱化が可能となる。このことは、電流センサ１０４のコストダウンに繋がる。

また、電流センサ１０４の配置場所は、必ずしも部位１０２ａに限られず、Ｏバスバ１０２上であれば、Ｏバスバ１０２を介して電流センサ１０４を冷却する効果を期待できる。しかしながら、絶縁体１０６を介してパワーモジュール２２と接している部位１０２ａに電流センサ１０４を配置することにより、電流センサ１０４を効果的に冷却できる。

付け加えると、図１４に示す冷却器８２とは異なり、Ｏバスバ１０２の側の第２冷却部９０のみを備える冷却器を備える例においても、実施の形態６の構成を備えることにより、同様の効果が得られる。

以上説明した各実施の形態に記載の例及び他の各変形例は、明示した組み合わせ以外にも可能な範囲内で適宜組み合わせてもよいし、また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形してもよい。

１０、５０、６０、７０、８０、１００ 電力変換装置
２０ パワー半導体ユニット
２２ パワー半導体モジュール（パワーモジュール）
２２ａ モジュール表面（図１０では、コンデンサ対向面）
２２ｂ モジュール表面（図３では、コンデンサ対向面）
２２ｃ モジュール表面（パワー端子配置面）
２４ｎ 負極パワー端子
２４ｏ 交流パワー端子
２４ｐ 正極パワー端子
３０ コンデンサユニット
３２ コンデンサ素子
３２ａ コンデンサ素子の非電極面
３２ｎ コンデンサ素子の負極側の電極面
３２ｐ コンデンサ素子の正極側の電極面
４０ｎ、４４ｎ、４８ｎ、７２ｎ、７６ｎ、９２ｎ 負極バスバ（Ｎバスバ）
４０ｐ、４４ｐ、４８ｐ、５２ｐ、６２ｐ、７２ｐ、７６ｐ、９２ｐ 正極バスバ（Ｐバスバ）
４２、４６、７４、９４ バスバ並走区間
５４ 絶縁体（第１絶縁体）
６４ 絶縁体（第２絶縁体）
８２ 冷却器
８８ 第１冷却部
８８ｂ モジュール接触面（第１モジュール接触面）
９０ 第２冷却部
９０ｂ モジュール接触面（第２モジュール接触面）
９６ 絶縁体（第３絶縁体）
１０２ 交流バスバ（Ｏバスバ）
１０４ 電流センサ
１０６ 絶縁体（第４絶縁体）

Claims (7)

1. バッテリから供給される直流電圧を平滑化するコンデンサ素子と、
   半導体スイッチング素子と、正極パワー端子と、負極パワー端子とを含み、前記コンデンサ素子からの直流電力を交流電力に変換するパワー半導体モジュールと、
   前記コンデンサ素子と前記パワー半導体モジュールとの間で直流電力を伝達する正極バスバ及び負極バスバと、
   を備える電力変換装置であって、
   前記パワー半導体モジュールは、前記コンデンサ素子と対向しない表面であるパワー端子配置面を含み、
   前記正極パワー端子及び前記負極パワー端子は、前記パワー端子配置面から突出するように配置され、
   前記正極バスバ及び前記負極バスバは、前記正極バスバ及び前記負極バスバの少なくとも一方が前記コンデンサ素子の非電極面に沿って延びた後に合流し、その後にバスバ並走区間において並走し、
   前記正極バスバは、前記バスバ並走区間において前記負極バスバと並走した後、前記正極パワー端子の基端から先端に向けて前記正極パワー端子に沿って延びており、
   前記負極バスバは、前記バスバ並走区間において前記正極バスバと並走した後、前記負極パワー端子の基端から先端に向けて前記負極パワー端子に沿って延びている
   ことを特徴とする電力変換装置。
2. 前記正極バスバは、前記バスバ並走区間において、前記負極バスバに第１絶縁体を介して接している
   ことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
3. 前記正極バスバ及び前記負極バスバの少なくとも一方は、前記コンデンサ素子の前記非電極面に第２絶縁体を介して接している
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電力変換装置。
4. 前記パワー半導体モジュールは、略直方体形状を有し、前記コンデンサ素子と対向する表面であるコンデンサ対向面を含み、
   前記パワー端子配置面は、前記コンデンサ対向面の反対側に位置し、
   前記バスバ並走区間は、前記パワー半導体モジュールの表面のうちで最も広い面の１つであって前記コンデンサ対向面と前記パワー端子配置面との間に位置する第１モジュール表面に沿っているモジュール並走区間を含み、
   前記パワー半導体モジュールは、前記第１モジュール表面とその反対側に位置するモジュール表面とを繋ぐ辺の長さが、前記第１モジュール表面を構成する各辺の長さよりも短くなるように形成されている
   ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載の電力変換装置。
5. 前記パワー半導体モジュールは、略直方体形状を有し、前記コンデンサ素子と対向する表面であるコンデンサ対向面を含み、
   前記パワー端子配置面は、前記コンデンサ対向面と隣り合う面の１つであり、
   前記正極バスバ及び前記負極バスバの何れか一方が、前記コンデンサ対向面とこれに対向する前記コンデンサ素子の表面との間に介在している
   ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載の電力変換装置。
6. 前記電力変換装置は、前記パワー半導体モジュールを冷却する冷却器をさらに備え、
   前記冷却器は、前記コンデンサ対向面に接する第１モジュール接触面を有する第１冷却部を含み、
   前記第１冷却部は、前記第１モジュール接触面の反対側の表面において、前記正極バスバ及び前記負極バスバの前記何れか一方に第３絶縁体を介して接している
   ことを特徴とする請求項５に記載の電力変換装置。
7. 前記パワー半導体モジュールは、交流パワー端子を含み、
   前記電力変換装置は、
   前記パワー半導体モジュールを冷却する冷却器と、
   前記交流パワー端子に接続される交流バスバと、
   前記交流バスバに取り付けられた電流センサと、
   をさらに備え、
   前記冷却器は、前記コンデンサ対向面の反対側に位置する前記パワー半導体モジュールの第２モジュール表面に接する第２モジュール接触面を有する第２冷却部を含み、
   前記第２冷却部は、前記第２モジュール接触面の反対側の表面において、前記交流バスバに第４絶縁体を介して接している
   ことを特徴とする請求項５又は６に記載の電力変換装置。

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