JP2021070592A - シリカ粒子、樹脂組成物、樹脂フィルム及び金属張積層板 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一実施の形態のシリカ粒子は、3〜20GHzの周波数領域で用いられる。より具体的には、3〜20GHzの周波数領域で用いられる電気・電子機器における部品や部材の材料として用いられるシリカ粒子である。本実施の形態のシリカ粒子の形状は、球状であることが好ましい。なお、「球状」とは、形状が真球状に近い粒子で、平均長径と平均短径の比が1又は1に近いものをいう。
本発明の一実施の形態に係る樹脂組成物は、ポリアミド酸又はポリイミドと、無機フィラーである上記シリカ粒子と、を含有する樹脂組成物である。樹脂組成物は、ポリアミド酸を含有するワニス(樹脂溶液)であってもよく、溶剤可溶性のポリイミドを含有するポリイミド溶液であってもよい。
ポリイミドは、一般的に下記一般式(1)で表される。このようなポリイミドは、ジアミン成分と酸二無水物成分とを実質的に等モル使用し、有機極性溶媒中で重合させる公知の方法によって製造することができる。この場合、粘度を所望の範囲とするために、ジアミン成分に対する酸二無水物成分のモル比を調整してもよく、その範囲は、例えば0.980〜1.03のモル比の範囲内とすることが好ましい。
樹脂組成物におけるシリカ粒子の含有量は、ポリアミド酸又はポリイミドに対し30〜70体積%の範囲内であり、好ましくは30〜60体積%の範囲内である。シリカ粒子の含有割合が30体積%に満たないと、誘電正接を低下させる効果が十分に得られなくなる。また、シリカ粒子の含有割合が70体積%を超えると、樹脂フィルムを形成したときに脆くなり、折り曲げ性が低下するとともに、樹脂フィルムを形成しようとする場合、樹脂組成物の粘度が高くなり、作業性も低下する。
樹脂組成物の粘度は、樹脂組成粒を塗工する際のハンドリング性を高め、均一な厚みの塗膜を形成しやすい粘度範囲として、例えば3000cps〜100000cpsの範囲内とすることが好ましく、5000cps〜50000cpsの範囲内とすることがより好ましい。上記の粘度範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。
樹脂組成物の調製に際しては、例えばポリアミド酸の樹脂溶液にシリカ粒子を直接配合してもよい。あるいは、フィラーの分散性を考慮し、ポリアミド酸の原料である酸二無水物成分及びジアミン成分のいずれか片方を投入した反応溶媒に予めシリカ粒子を配合した後、攪拌下にもう片方の原料を投入して重合を進行させてもよい。いずれの方法においても、一回でシリカ粒子を全量投入してもよいし、数回分けて少しずつ添加してもよい。また、原料も一括で入れてもよいし、数回に分けて少しずつ混合してもよい。
本実施の形態の樹脂フィルムは、単層又は複数層のポリイミド層を有する樹脂フィルムであって、ポリイミド層の少なくとも1層が、上記樹脂組成物の硬化物からなるシリカ含有ポリイミド層であればよい。
まず、樹脂組成物を任意の支持基材上に直接流延塗布して塗布膜を形成する。次に、塗布膜を150℃以下の温度である程度溶媒を乾燥除去する。樹脂組成物がポリアミド酸を含有する場合は、その後、塗布膜に対し、更にイミド化のために100〜400℃、好ましくは130〜360℃の温度範囲で5〜30分間程度の熱処理を行う。このようにして支持基材上にシリカ含有ポリイミド層を形成することができる。2層以上のポリイミド層とする場合、第一のポリアミド酸の樹脂溶液を塗布、乾燥したのち、第二のポリアミド酸の樹脂溶液を塗布、乾燥する。それ以降は、同様にして第三のポリアミド酸の樹脂溶液、次に、第4のポリアミド酸の樹脂溶液、・・・というように、ポリアミド酸の樹脂溶液を、必要な回数だけ、順次塗布し、乾燥する。その後、まとめて100〜400℃の温度範囲で5〜30分間程度の熱処理を行って、イミド化を行うことがよい。熱処理の温度が100℃より低いとポリイミドの脱水閉環反応が十分に進行せず、反対に400℃を超えると、ポリイミド層が劣化するおそれがある。
まず、任意の支持基材上に、樹脂組成物を流延塗布してフィルム状成型する。このフィルム状成型物を、支持基材上で加熱乾燥することにより自己支持性を有するゲルフィルムとする。ゲルフィルムを支持基材より剥離した後、樹脂組成物がポリアミド酸を含有する場合は、更に高温で熱処理し、イミド化させてポリイミドの樹脂フィルムとする。
樹脂フィルムは、例えば、回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、高周波信号の伝送時における誘電損失を低減するために、フィルム全体として、スプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定したときの3〜20GHzにおける誘電正接(Tanδ)が、0.006以下であることが好ましく、0.004以下であることがより好ましい。回路基板の伝送損失を改善するためには、特に絶縁樹脂層の誘電正接を制御することが重要であり、誘電正接を上記範囲内とすることで、伝送損失を下げる効果が増大する。従って、樹脂フィルムを、例えば高周波回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合、伝送損失を効率よく低減できる。3〜20GHzにおける誘電正接が0.006を超えると、樹脂フィルムを回路基板の絶縁樹脂層として適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスが大きくなるなどの不都合が生じやすくなる。3〜20GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されないが、樹脂フィルムを回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合の物性制御を考慮する必要がある。
樹脂フィルムは、例えば回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、フィルム全体として、3〜20GHzにおける比誘電率が4.0以下であることが好ましい。3〜20GHzにおける比誘電率が4.0を超えると、樹脂フィルムを回路基板の絶縁樹脂層として適用した際に、誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスが大きくなるなどの不都合が生じやすくなる。
本実施の形態の金属張積層板は、絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層板であり、絶縁樹脂層の少なくとも1層が上記樹脂フィルムからなる。金属張積層板は、絶縁樹脂層の片面側のみに金属層を有する片面金属張積層板であってもよいし、絶縁樹脂層の両面に金属層を有する両面金属張積層板であってもよい。
金属層の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。この中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。金属層は、金属箔からなるものであってもよいし、フィルムに金属蒸着したものであってもよい。また、樹脂組成物を直接塗布可能な点から、金属箔でも金属板でも使用可能であり、銅箔若しくは銅板が好ましい。
レーザ回折式粒度分布測定装置(マルバーン社製、商品名;Master Sizer 3000)を用いて、水を分散媒とし粒子屈折率1.54の条件で、レーザ回折・散乱式測定方式による粒子径の測定を行った。
連続自動粉体真密度測定装置(セイシン企業社製、商品名;AUTO TRUE DENSERMAT‐7000)を用いて、ピクノメーター法(液相置換法)による真比重の測定を行った。
JIS Z 8830:2013に準拠し、BET比表面積測定法により比表面積測定装置(マウンテック社製、商品名;Macsorb210)を用いて、比表面積を測定した。
<シリカ粒子>
空洞共振器摂動法による関東電子応用開発社製の誘電率測定装置を用い、所定の周波数におけるシリカ粒子の比誘電率(ε1)及び誘電正接(Tanδ1)を測定した。なお、試料管チューブの内径は1.68mm、外径は2.28mm、高さは8cmである。
<樹脂フィルム>
ベクトルネットワークアナライザ(Agilent社製、商品名;ベクトルネットワークアナライザE8363C)およびSPDR共振器を用いて、所定の周波数における樹脂フィルム(硬化後の樹脂フィルム)の比誘電率(ε1)および誘電正接(Tanδ1)を測定した。なお、測定に使用した樹脂フィルムは、温度;24〜26℃、湿度;45〜55%の条件下で、24時間放置したものである。
樹脂溶液の粘度はE型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV−II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%〜90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから2分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら10℃/分の昇温速度で30℃から250℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数、CTE)を求めた。
1)180°折り曲げ性:
JISK5600−1に準拠し、5cm×10cmサイズの樹脂フィルムの長辺の中心を、5mmφの金属棒に巻きつけるように1〜2秒かけて均一に曲げ、樹脂フィルムが180℃折り曲がっても破断又はクラックが入らないものを「良」とし、破断又はクラックが発生するものを「不可」とした。
2)はぜ折り性:
5cm×5cmサイズの樹脂フィルムを、対角線に三角に折りたたんだ後、元に戻して、樹脂フィルムが破断又はクラックが入らないものを「可」とし、破断又はクラックが発生するものを「不可」とした。
m‐TB:2,2’‐ジメチル‐4,4’‐ジアミノビフェニル
TPE-R:1,3‐ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン
BAPP:2,2‐ビス(4‐アミノフェノキシフェニル)プロパン
TFMB:2,2'‐ビス(トリフルオロメチル)‐4,4'‐ジアミノビフェニル
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3’,4,4’‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
6FDA:2,2‐ビス(3,4‐ジカルボキシフェニル)‐ヘキサフルオロプロパン二無水物
DMAc:N,N‐ジメチルアセトアミド
フィラー1:日鉄ケミカル&マテリアル社製、商品名;SP40−10(球状非晶質シリカ粉末、真球状、シリカ含有率;99.9重量%、真比重;2.21、比表面積;8.6m2/g、D50;2.5μm、D100;30μm)
フィラー2:日鉄ケミカル&マテリアル社製。商品名;SPH507(球状非晶質シリカ粉末、真球状、シリカ含有率;99.99重量%、真比重;2.21、比表面積;6.4m2/g、D50;0.83μm、D100;8.7μm)
フィラー3:日鉄ケミカル&マテリアル社製。商品名;SPH516M(球状非晶質シリカ粉末、真球状、シリカ含有率;99.98重量%、真比重;2.21、比表面積;12.7m2/g、D50;0.64μm、D100;1.3μm)
フィラー4:アドマテック社製、商品名;SE4050(球状非晶質シリカ粉末、真球状、シリカ含有率;99.99重量%、真比重;2.2、比表面積;4.6m2/g、D50;1.5μm、D100;6.0μm)
<フィラー1>
1)3GHzにおける比誘電率ε1;3.05、誘電正接Tanδ1;0.0028
2)5GHzにおける比誘電率ε1;2.97、誘電正接Tanδ1;0.0028
3)10GHzにおける比誘電率ε1;2.78、誘電正接Tanδ1;0.003
<フィラー2>
1)3GHzにおける比誘電率ε1;2.98、誘電正接Tanδ1;0.0025
2)5GHzにおける比誘電率ε1;2.99、誘電正接Tanδ1;0.0026
3)10GHzにおける比誘電率ε1;2.88、誘電正接Tanδ1;0.0027
<フィラー3>
1)3GHzにおける比誘電率ε1;2.88、誘電正接Tanδ1;0.004
2)5GHzにおける比誘電率ε1;2.82、誘電正接Tanδ1;0.0039
3)10GHzにおける比誘電率ε1;2.76、誘電正接Tanδ1;0.004
<フィラー4>
1)3GHzにおける比誘電率ε1;3.10、誘電正接Tanδ1;0.0049
2)5GHzにおける比誘電率ε1;3.06、誘電正接Tanδ1;0.0049
3)10GHzにおける比誘電率ε1;2.92、誘電正接Tanδ1;0.0052
ポリアミド酸の溶液A〜Dを合成するため、窒素気流下で、3000mlのセパラブルフラスコの中に、表1で示した固形分濃度となるように溶剤のDMAcを加え、表1に示したジアミン成分及び酸無水物成分を10分間攪拌しながら室温で溶解させた。その後、溶液を室温で10時間攪拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸の粘稠な溶液A〜Dを調製した。
100.24gのポリアミド酸溶液A及び9.37gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸溶液1(粘度;27,500cps、ポリアミド酸に対するフィラーの含有率;30体積%)を調製した。
銅箔1(電解銅箔、厚み;12μm)の上にポリアミド酸溶液1を塗布し、130℃で3分間乾燥させた。その後、155℃から360℃まで段階的な熱処理を行ってイミド化し、金属張積層板1を調製した。
金属張積層板1の銅箔をエッチング除去し、樹脂フィルム1を調製した。樹脂フィルム1(厚み;40μm)のCTEは33ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム1の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0047
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0054
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0056
100.36gのポリアミド酸溶液A及び21.88gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸溶液2(粘度;28,400cps、ポリアミド酸に対するフィラーの含有率;50体積%)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板2及び樹脂フィルム2を調製した。樹脂フィルム2(厚み;42μm)のCTEは31ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は不可であった。また、樹脂フィルム2の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0043
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0047
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0049
99.92gのポリアミド酸溶液B及び9.33gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸溶液3(粘度;29,000cps、ポリアミド酸に対するフィラーの含有率;30体積%)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板3及び樹脂フィルム3を調製した。樹脂フィルム3(厚み;41μm)のCTEは35ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム3の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0029
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0033
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0035
100.00gのポリアミド酸溶液B及び21.81gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸溶液4(粘度;31,000cps、ポリアミド酸に対するフィラーの含有率;50体積%)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板4及び樹脂フィルム4を調製した。樹脂フィルム4(厚み;44μm)のCTEは30ppm/Kであり、180°折り曲げ性は可、はぜ折り性は不可であった。また、樹脂フィルム4の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0028
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0030
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0031
80.00gのポリアミド酸溶液C及び7.88gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸溶液5(粘度;24,000cps、ポリアミド酸に対するフィラーの含有率;30体積%)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板5及び樹脂フィルム5を調製した。樹脂フィルム5(厚み;46μm)のCTEは41ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム5の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0046
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0052
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0055
80.00gのポリアミド酸溶液D及び7.92gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸溶液6(粘度;23,000cps、ポリアミド酸に対するフィラーの含有率;30体積%)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板6及び樹脂フィルム6を調製した。樹脂フィルム6(厚み;45μm)のCTEは46ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム6の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0046
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0052
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0055
80.00gのポリアミド酸溶液D及び18.49gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸溶液7(粘度;31,000cps、ポリアミド酸に対するフィラーの含有率;50体積%)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板7及び樹脂フィルム7を調製した。樹脂フィルム7(厚み;48μm)のCTEは28ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム7の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0051
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0054
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0055
銅箔1の上にポリアミド酸溶液Aを塗布し、130℃で3分間乾燥させた。その後、155℃から360℃まで段階的な熱処理を行ってイミド化し、金属張積層板8を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板8及び樹脂フィルム8を調製した。樹脂フィルム8(厚み;42μm)のCTEは17ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム8の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0052
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0062
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0065
銅箔1の上にポリアミド酸溶液Bを塗布し、130℃で3分間乾燥させた。その後、155℃から360℃まで段階的な熱処理を行ってイミド化し、金属張積層板9を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板9及び樹脂フィルム9を調製した。樹脂フィルム9(厚み;43μm)のCTEは18ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム9の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0032
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0037
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0040
銅箔1の上にポリアミド酸溶液Cを塗布し、130℃で3分間乾燥させた。その後、155℃から360℃まで段階的な熱処理を行ってイミド化し、金属張積層板10を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板10及び樹脂フィルム10を調製した。樹脂フィルム10(厚み;41μm)のCTEは51ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム10の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0055
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0062
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0068
銅箔1の上にポリアミド酸溶液Dを塗布し、130℃で3分間乾燥させた。その後、155℃から360℃まで段階的な熱処理を行ってイミド化し、金属張積層板11を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板11及び樹脂フィルム11を調製した。樹脂フィルム11(厚み;42μm)のCTEは71ppm/Kであり、180°折り曲げ性は良、はぜ折り性は可であった。また、樹脂フィルム11の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0069
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0077
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0079
100.24gのポリアミド酸溶液A及び9.37gのフィラー4を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸溶液12(粘度;28,000cps、ポリアミド酸に対するフィラーの含有率;30体積%)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板12及び樹脂フィルム12を調製した。樹脂フィルム12(厚み;44μm)のCTEは34ppm/Kであり、180°折り曲げ性及びはぜ折り性はいずれも不可であった。また、樹脂フィルム12の誘電正接は、次のとおりであった。
1)5GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0051
2)10GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0054
3)20GHzにおける誘電正接Tanδ1;0.0055
Claims (5)
- 3〜20GHzの周波数領域で用いられるシリカ粒子であって、
レーザ回折散乱法による体積基準の粒度分布測定によって得られる頻度分布曲線における累積値が50%となる平均粒子径D50が0.3〜3μmの範囲内、比表面積が5m2/gを超え20m2/g以下の範囲内であり、空洞共振器摂動法によって測定される誘電正接が0.004以下であることを特徴とするシリカ粒子。 - 請求項1に記載のシリカ粒子と、ポリアミド酸又はポリイミドと、を含有する樹脂組成物であって、
前記シリカ粒子の含有量が、前記ポリアミド酸又はポリイミドに対し、30〜70体積%の範囲内であることを特徴とする樹脂組成物。 - 単層又は複数層のポリイミド層を有する樹脂フィルムであって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層が、請求項2に記載の樹脂組成物の硬化物からなるシリカ含有ポリイミド層であり、前記シリカ含有ポリイミド層の厚みが10〜200μmの範囲内であることを特徴とする樹脂フィルム。 - 樹脂フィルムの全体の厚みが10〜200μmの範囲内であり、前記シリカ含有ポリイミド層の厚みの割合が50%以上であることを特徴とする請求項3に記載の樹脂フィルム。
- 絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層板であって、
前記絶縁樹脂層が請求項3又は4に記載の樹脂フィルムからなることを特徴とする金属張積層板。
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