JP2021027201A - インダクタ - Google Patents

Abstract

【課題】実装された基板への固着強度に優れるインダクタを提供する。【解決手段】インダクタは巻回部および引き出し部を有するコイルと、コイルを内包し、磁性部からなる素体と、素体表面に配置される保護層と、外部電極を備える。素体は、実装面に対応する底面と、底面に対向する上面と、底面に略直交し互いに対向する２つの端面と、底面および端面に略直交し互いに対向する２つの側面と、端面および底面の稜線部に第１のＲ面取り部と、端面および側面の稜線部に第２のＲ面取り部を有する。外部電極は第１および第２の電極領域を含む。第１の電極領域は底面に配置され、引き出し部と電気的に接続する。第２の電極領域は端面に配置される保護層上に配置される。第１の電極領域に含まれる導電性粒子と底面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数は、第２の電極領域に含まれる導電性粒子と端面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数よりも多い。【選択図】図１ａ

Description

本発明は、インダクタに関する。

特許文献１には、冷間成形を経て得られるコアと、コアに巻き付けられるコイルセグメントとコイルセグメントから反対側に伸びる両端部を有するワイヤと、少なくともコアとコイルセグメントを被覆し、熱プレス成形を経て得られる磁気外装とを含むインダクタが記載されている。当該インダクタでは、ワイヤの両端部は磁気外装の側面から引き出され、底面に沿って折り曲げられて外部電極となっている。

中国特許出願公開第１０９５８５１４９号明細書

特許文献１に記載のインダクタでは、外部電極の面積が小さいため、実装時に十分な固着強度が得られない場合があった。本発明の一態様は、実装された基板への固着強度に優れるインダクタを提供することを目的とする。

導体が巻回されてなる巻回部および巻回部から引き出される引き出し部を有するコイルと、コイルを内包し、磁性粉および樹脂を含む磁性部からなる素体と、素体の表面に配置される保護層と、引き出し部と電気的に接続された外部電極と、を備えるインダクタである。素体は、実装面に対応する底面と、底面に対向する上面と、底面に略直交し互いに対向する２つの端面と、底面および端面に略直交し互いに対向する２つの側面と、端面および底面の稜線部に第１のＲ面取り部と、端面および側面の稜線部に第２のＲ面取り部とを有する。外部電極は、第１の電極領域および第２の電極領域を含む。第１の電極領域は、少なくとも底面の少なくとも一部の領域上に配置され、引き出し部と電気的に接続する。第２の電極領域は、少なくとも端面に配置される保護層の少なくとも一部の領域上に配置される。第１の電極領域に含まれる導電性粒子と底面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数は、第２の電極領域に含まれる導電性粒子と端面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数よりも多くなっている。

本発明の一態様によれば、実装された基板への固着強度に優れるインダクタを提供することができる。

インダクタを上面側から見た部分透過斜視図である。 実施例１のインダクタを実装面側からみた部分透視斜視図である。 実施例１のインダクタの外部電極の底面および端面に直交する面における部分断面図である。 曲率半径の測定方法を説明する部分断面図である。 第１の電極領域における平均交差粒子数の算出位置を示す斜視図である。 第２の電極領域における平均交差粒子数の算出位置を示す斜視図である。 実施例２のインダクタを上面側からみた斜視図である。 実施例２のインダクタを実装面側からみた斜視図である。 実施例３のインダクタを上面側からみた斜視図である。 実施例３のインダクタを実装面側からみた斜視図である。 実施例４のインダクタを上面側からみた斜視図である。 実施例４のインダクタを実装面側からみた斜視図である。 実施例５のインダクタを上面側からみた斜視図である。 実施例５のインダクタを実装面側からみた斜視図である。

インダクタは、導体が巻回されてなる巻回部および巻回部から引き出される引き出し部を有するコイルと、コイルを内包し、磁性粉および樹脂を含む磁性部からなる素体と、素体の表面に配置される保護層と、引き出し部と電気的に接続された外部電極と、を備える。素体は、実装面に対応する底面と、底面に対向する上面と、底面に略直交し互いに対向する２つの端面と、底面および端面に略直交し互いに対向する２つの側面と、端面および底面の稜線部に第１のＲ面取り部と、端面および側面の稜線部に第２のＲ面取り部と、を有する。外部電極は、第１の電極領域および第２の電極領域を含む。第１の電極領域は、少なくとも底面の少なくとも一部の領域上に配置され、引き出し部と電気的に接続する。第２の電極領域は、少なくとも端面に配置される保護層の少なくとも一部の領域上に配置される。第１の電極領域に含まれる導電性粒子と底面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数は、第２の電極領域に含まれる導電性粒子と端面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数よりも多い。

素体の底面および端面に、第１および第２の電極領域をそれぞれ配置して外部電極を形成することにより、基板に実装する際に基板との固着強度を向上することができる。また、第１の電極領域に含まれる導電性粒子と底面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数が多いことでコイルの引き出し部と基板上の配線パターンとの電気的接続における直流抵抗を低減することができる。一方、第２の電極領域に含まれる導電性粒子と端面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数が少ないことで、第２の電極領域における樹脂含有比を大きくすることができ、第２の電極領域と素体との機械的接合強度が向上して、結果としてインダクタと基板との機械的接合強度を向上させることができる。

例えば、第１の電極領域を粒子径の小さい導電性粒子を用いて形成することで、第１の電極領域に含まれる導電性粒子数を多くすることができる。また例えば、第２の電極領域を粒子径の大きい導電性粒子を用いて形成することで、第２の電極領域に含まれる導電性粒子数を少なくすることができる。粒子径の大きい導電性粒子を含む導電ペーストは粒子径の小さい導電性粒子を含む導電ペーストより安価なので、第１の電極領域にのみ高価な導電ペーストを用いて形成することで、コストが低減されて生産性の向上に寄与できる。

第２の電極領域は、端面に配置される保護層上と、端面と連続する第１のＲ面取り部上と、第１のＲ面取り部と連続する底面の一部の領域上と、端面と連続する第２のＲ面取り部上と、第２のＲ面取り部と連続する側面の一部の領域上とに延在してよい。第２の電極領域を素体の底面から端面および側面に亘って配置することで、基板に実装する際の基板との固着強度をより向上できる。

第２の電極領域は、端面に配置される保護層上と、端面と連続する第１のＲ面取り部上と、第１のＲ面取り部と連続する底面の一部の領域上と、端面と連続する第２のＲ面取り部の一部の領域上とに延在してよい。第２の電極領域の素体の側面側の先端部が第２のＲ面取り部に配置され、第２の電極領域が素体の側面に配置されないことで、側面が対向する方向へのより高密度の実装が可能になる。

第２の電極領域は、端面に配置される保護層上と、端面と連続する第１のＲ面取り部の一部の領域上と、端面と連続する第２のＲ面取り部の一部の領域上とに延在してよい。第２の電極領域の素体の底面側の先端部が第１のＲ面取り部に配置され、第２の電極領域が素体の底面に配置されないことで、インダクタの実装面における平坦性をより向上できる。

第１の電極領域は、底面の一部の領域上と、底面の一部の領域と連続する第１のＲ面取り部とに延在し、第２の電極領域は、第１の電極領域と第１のＲ面取り部上で電気的に接続してよい。第１の電極領域と第２の電極領域とが第１のＲ面取り部で電気的に接続することで、インダクタの実装面における平坦性をより向上しつつ、基板に実装する際の基板との固着強度をより向上できる。

第２の電極領域は、上面上に配置されなくてよい。これにより、インダクタの上方に金属製シールドを配置する場合でも短絡の虞が抑制される。

端面は、底面側の一部の領域上に第２の電極領域が配置され、上面側の一部の領域に保護層の露出部を有してよい。これにより、基板に実装する際の基板との固着強度を担保しつつ、インダクタの上方に金属製シールドを配置する場合でも短絡の虞がより確実に抑制される。

第２の電極領域は、端面に配置される保護層上と、端面と連続する第１のＲ面取り部上と、上面の一部の領域上とに延在してよい。これにより、インダクタの実装面における平坦性をより向上できる。また、第２の電極領域の面積を広くして基板に実装する際の基板との固着強度をより向上できる。

第１の電極領域が配置される底面の一部の領域における表面粗さが、第２の電極領域が配置される端面上の保護層における表面粗さよりも大きくてよい。第１の電極領域が配置される底面の表面粗さが大きいことでアンカー効果により、第１の電極領域と素体との機械的接合強度が向上し、実装されたインダクタの信頼性をより向上できる。

底面および端面に直交する断面における第１のＲ面取り部の外縁形状を円弧近似する場合の曲率半径が、端面および側面に直交する断面における第２のＲ面取り部の外縁形状を円弧近似する場合の曲率半径よりも小さくてよい。第１のＲ面取り部の曲率半径が小さいことで、実装時にインダクタの片側が浮き回転するツームストーン現象を効果的に抑制できる。また、第２のＲ面取り部の曲率半径が大きいことで、第２の電極領域をペーストで形成する際の側面方向への表面張力を低減でき、第２の電極領域の側面への延在量を低減できる。

本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための、インダクタを例示するものであって、本発明は、以下に示すインダクタに限定されない。なお特許請求の範囲に示される部材を、実施形態の部材に限定するものでは決してない。特に実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。実施例２以降では実施例１と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
実施例１のインダクタを図１ａ、図１ｂおよび図２ａを参照して説明する。図１ａはインダクタ１００を上面側から見た部分透過斜視図である。図１ｂはインダクタ１００を実装面側から見た部分透視斜視図である。図２ａは、インダクタの底面および端面に直交する面における外部電極近傍の部分断面図である。なお、図１ａおよび図１ｂでは、曲面を表すための補助線として破線を用いる場合があり、他の図面においても同様である。

図１ａおよび図１ｂに示すようにインダクタ１００は、導体が巻回されてなる巻回部２２および巻回部２２から引き出される引き出し部２４を有するコイル２０と、コイル２０を内包し、磁性部からなる素体１０と、素体１０の表面に配置される保護層１２と、コイル２０の引き出し部２４と電気的に接続する外部電極４０とを備える。素体１０は、実装面側の底面５５と、底面５５に対して高さＴ方向で対向する上面５６と、底面５５に略直交し、互いに長さＬ方向で対向する２つの端面５７と、底面５５および端面５７に略直交し、互いに幅Ｗ方向で対向する２つの側面５８とを有する。素体１０は、板状のベース部３４およびベース部３４に略直交して設けられる柱状部３２を備え、磁性粉を含んでなる磁性ベース３０と、柱状部３２に巻回されてなる巻回部２２を有するコイル２０と、磁性ベース３０の柱状部３２側およびコイル２０を被覆し、磁性粉を含んでなる磁性外装とから形成される。

コイル２０は、被覆層を有し、互いに対向する１対の幅広面と１対の幅広面に隣接する側面とを有する導線（いわゆる、平角線）を用いて形成される。コイル２０の巻回部２２は、磁性ベース３０の柱状部３２の周囲に、導線の両端部が最外周部に位置し、最内周部で互いに繋がった状態で、導線どうしが幅広面を互いに対向させて上下２段の渦巻き状（いわゆるα巻き）に巻回して形成される。巻回部２２の内周面は、柱状部３２の表面に接している。巻回部２２は、その巻回軸Ｎを底面５５と略直角に交差して配置される。１対の引き出し部２４は、巻回部２２の外周部に位置する導線の両端から連続して形成され、巻回部の外周部から一方の側面５８方向に、幅広面がベース部３４の面と平行になるように、異なる方向に略９０°捻られて引き出され、ベース部３４に設けられる切り欠き部３４Ａに収納されて、底面側に折り曲げられる。引き出し部２４の端部は、底面５５の凸部３６Ｂに沿って延在し、導線の線幅よりも広い幅を有し、導体の厚みよりも厚みが薄い平坦部２４ａを有する。平坦部２４ａは、被覆層が剥離されて底面５５に露出している。導線の平坦部２４ａが形成され始める根元部分が切り欠き部３４Ａに収納される。

コイル２０を構成する導線の長さ方向に略直交する断面は、例えば長方形であり、長方形の長辺に対応する幅広面の幅と、長方形の短辺に対応し幅広面間の距離である厚みで規定される。導線は、例えば銅等の導電性金属で形成され、その幅が、例えば１４０μｍ以上１７０μｍ以下、厚みが、例えば６７μｍ以上８５μｍ以下に形成される。また、導線の被覆層は、厚みが、例えば２μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは２μｍ、４μｍ、６μｍ、８μｍまたは１０μｍ程度のポリイミド、ポリアミドイミド等の絶縁性樹脂で形成される。被覆層の表面には、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂等の自己融着成分を含む自己融着層が更に設けられていてもよく、その厚みが１μｍ以上３μｍ以下に形成されていてもよい。

素体１０は、端面５７および底面５５の稜線部に第１のＲ面取り部５１と、端面５７および側面５８の稜線部に第２のＲ面取り部５２とを有する。素体１０の底面５５は、素体１０の長さＬ方向の中央部付近に、幅Ｗ方向を貫通するスタンドオフとなる凹部３６Ａを有する。底面５５の長さＬ方向の両端部には、凹部３６Ａを挟んで凸部３６Ｂが設けられる。インダクタ１００では、凹部３６Ａは、幅Ｗ方向から見て高さＴ方向の形状が矩形状に形成される。また凹部３６Ａの底部である平面部と凸部３６Ｂの先端部である平面部とは略平行に形成される。凹部３６Ａの深さは例えば、２０μｍ以上６０μｍ以下または２０μｍ以上５０μｍ以下に形成される。凹部の深さが２０μｍ以上であると、外部電極間における素体と基板の接触が抑制され、基板のたわみに対して強くなる。また６０μ以下であると、インダクタの体積が小さくなり過ぎず、インダクタの特性劣化が抑制される。

素体１０を構成する磁性ベース３０は、磁性粉と樹脂とを含む磁性部から形成され、ベース部３４の形状は、素体１０の底面と略等しい板状である。ベース部３４は略矩形状であり、その角部は第２のＲ面取り部に対応する曲面を有している。柱状部３２はベース部３４の面に平行な断面形状が長円形となっている。ベース部３４の素体の側面に対応する長辺の両端部にはコイル２０の引き出し部２４が収納される矩形状の切り欠き部３４Ａが設けられる。磁性外装は、磁性粉と樹脂とを含む磁性部から形成され、磁性ベース３０とコイル２０とを被覆して素体１０を形成する。

素体１０は、略直方体形状を有していてよい。素体１０の大きさは、長さＬが例えば１ｍｍ以上３．４ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、幅Ｗが例えば０．５ｍｍ以上２．７ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であり、高さＴが例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。素体の大きさとして具体的には、Ｌ×Ｗ×Ｔが例えば、１ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ、２ｍｍ×１．２ｍｍ×１ｍｍ、２．５ｍｍ×２ｍｍ×１．２ｍｍであってよい。

素体１０を構成する磁性部は、磁性粉と樹脂等の結着剤を含有する複合材料から形成される。磁性粉としては、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、等の鉄系の金属磁性粉、他の組成系の金属磁性粉、アモルファス等の金属磁性粉、表面がガラス等の絶縁体で被覆された金属磁性粉、表面を改質した金属磁性粉、ナノレベルの微小な金属磁性粉末が用いられる。また、結着剤の一例である樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂が用いられる。複合材料における磁性粉の充填率は、例えば５０質量％以上８５質量％以下、好ましくは６０質量％以上８５質量％以下または７０質量％８５質量％以下である。

素体１０の表面には、保護層１２が配置される。保護層１２は後述する第１の電極領域が形成される領域以外の素体の表面に配置される。保護層１２は例えば、樹脂を含んで構成される。保護層１２を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられる。保護層１２はフィラーを含んでいてもよい。フィラーとしては酸化ケイ素、酸化チタン等の非導電性フィラーが用いられる。保護層は例えば、樹脂とフィラーを含む樹脂組成物を、素体の表面に塗布、ディップ等の手段により付与し、必要に応じて、付与された樹脂を硬化することにより形成される。

素体１０にはマーカーが付与されていてもよい。マーカーは例えば、素体の上面５６の、巻回部２２の下段から引き出し部２４が引き出される側に付与され、インダクタの極性を示してよい。マーカーは例えば、印刷、レーザー刻印等で付与される。

外部電極４０は、少なくとも底面の凸部３６Ｂ上に設けられ、コイル２０の引き出し部２４と電気的に接続する第１の電極領域４２と、少なくとも端面５７の保護層１２上に配置される第２の電極領域４４とを含んで構成される。第１の電極領域４２は、素体１０の底面において、保護層１２が設けられていない凸部３６Ｂの少なくとも一部の領域であって引き出し部２４の平坦部２４ａが素体１０から露出する領域に配置される。これにより第１の電極領域４２は、凸部３６Ｂに延在する引き出し部２４の端部である平坦部２４ａと電気的に接続される。第２の電極領域４４は、素体１０の端面およびその周辺領域の保護層１２上に配置される。

外部電極４０は、第１の電極領域４２および第２の電極領域４４上にめっき層を有していてもよい。めっき層は例えば、第１の電極領域４２および第２の電極領域４４上にニッケルめっき層を設け、さらにスズめっき層を設けて形成されてよい。ニッケルめっき層の厚みは例えば、４μｍ以上７μｍ以下であってよい。またスズめっき層の厚みは例えば、６μｍ以上１２μｍ以下であってよい。

インダクタ１００では第１の電極領域４２が、素体１０の底面５５の凸部３６Ｂ上と、底面５５と連続する第１のＲ面取り部５１上とに延在して配置される。また、第２の電極領域４４は、素体の端面５７上と、端面５７に連続する第１のＲ面取り部５１上と、第１のＲ面取り部５１に連続する底面５５の一部の領域上と、端面５７の両側に連続する第２のＲ面取り部５２上と、第２のＲ面取り部５２に連続する側面５８の一部の領域上とに延在して配置される。第１の電極領域４２と第２の電極領域４４とが、底面５５および第１のＲ面取り部５１に重複して配置されることで、第１の電極領域４２と第２の電極領域４４とが電気的に接続される。また図１に示すように、第２の電極領域４４は、端面５７および上面５６の稜線部に設けられる第３のＲ面取り部５３上と、第３のＲ面取り部５３と連続する上面５６の一部の領域上とに延在して配置される。

第１の電極領域４２および第２の電極領域４４は、それぞれ、銀粒子、銅粒子等の導電性粒子を含む。導電性粒子は、フレーク状粒子、略球状粒子、フレーク状粒子および略球状粒子の混合物等であってよく、錯体還元反応を利用して粒子どうしが結合してなる導電性粒子であってよい。第１の電極領域４２および第２の電極領域４４は、導電性粒子に加えて樹脂等の結着剤をさらに含んでもよい。第１の電極領域４２が導電性粒子に加えて結着剤を含む場合、第１の電極領域における導電性粒子の体積比率は、例えば、３５％以上８５％以下であってよい。また、第２の電極領域４４が導電性粒子に加えて結着剤を含む場合、第２の電極領域における導電性粒子の体積比率は、例えば、３０％以上８０％以下であってよい。第１または第２の電極領域における導電性粒子の体積比率は、例えば、第１の電極領域および第２の電極領域をそれぞれ断面観察し、第１または第２の電極領域の面積に対する導電性粒子の面積の比として評価できる。

第１の電極領域４２の厚みは例えば、１μｍ以上１５μｍ以下であってよい。また第２の電極領域４４の厚みは例えば、２μｍ以上３０μｍ以下であってよい。第１の電極領域４２の厚みを薄く形成することで、直流抵抗を低減しつつ、第２の電極領域４４を厚く形成することで、基板への固着強度を向上させることができる。

第１の電極領域４２は、導電性粒子と樹脂とを含む導電ペーストを所望の領域に付与することで形成される。付与方法としては、塗布、印刷、転写、ジェットディスペンサ等を挙げることができる。付与された導電ペーストは必要に応じて硬化処理されてよい。第２の電極領域４４は、導電ペーストを所望の領域に付与することで形成される。付与方法としては、ディップ、塗布、転写、ジェットディスペンサ等を挙げることができる。付与された導電ペーストは必要に応じて硬化処理されてよい。

第１の電極領域に含まれる導電性粒子数は、第２の電極領域に含まれる導電性粒子数よりも多くなっている。このように第１の電極領域に含まれる導電性粒子数が多いことで、第１の電極領域の直流抵抗を低減でき、インダクタとしての直流抵抗を低減できる。また第２の電極領域に含まれる導電性粒子数が少ないことで、結着剤の相対的な含有率が高くなり、第２の電極領域の保護層への結着力が向上する。これによりインダクタの基板への固着強度が向上する。本明細書においては、第１の電極領域に含まれる導電性粒子数は、第１の電極領域において導電性粒子が底面に垂直な直線に単位長さあたりで交差する数として評価される。また第２の電極領域に含まれる導電性粒子数は、第２の電極領域において導電性粒子が端面に垂直な直線に単位長さあたりで交差する数として評価される。

第１の電極領域に含まれる導電性粒子数および第２の電極領域に含まれる導電性粒子数は、導電ペーストに含まれる導電性粒子の含有率によって調整してもよいし、導電性粒子の粒子径を変えることで調整してもよい。例えば、第１または第２の電極領域を形成する導電ペーストがそれぞれ同程度の体積比率で導電性粒子を含む場合、第１の電極領域に含まれる導電性粒子の粒子径を第２の電極領域に含まれる導電性粒子の粒子径よりも小さくすることで、第１の電極領域に含まれる導電性粒子数を第２の電極領域に含まれる導電性粒子数よりも多くできる。

ここで第１の電極領域において導電性粒子と底面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数および第２の電極領域において導電性粒子と端面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数は、以下のようにして評価できる。第１または第２の電極領域の厚み方向の断面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（例えば５０００倍）を撮影する。ＳＥＭ画像の任意の３カ所において電極領域の厚み方向に粒子数測定用の補助線を引いて、補助線と交差する粒子数を計測する。計測数を補助線の長さ１μｍあたりに換算した値について算術平均をとった値（以下、平均交差粒子数ともいう）を求めることで、それぞれの電極領域に含まれる導電性粒子数を評価できる。具体的に第１の電極領域における平均交差粒子数Ｐは、以下のようにして評価できる。図３ａに示すように、第１の電極領域を素体の幅Ｗ方向の長さＷ_１について４等分し、底面および端面に直交する３つの断面Ｓ_Ｗについて、断面ＳＥＭ画像をそれぞれ取得する。それぞれの断面ＳＥＭ画像において、図３ａに示すように、第１の電極領域を素体の長さＬ方向の長さＬ_１について２等分し、底面および側面に直交する断面Ｓ_Ｌと、断面Ｓ_Ｗとの交線上（図３ａの黒丸の位置）に第１の電極領域の厚み方向、すなわち底面に直交する方向に、所定の長さの粒子数測定用の補助線を設定する。補助線と交差する導電性粒子数を計測し、これを補助線の長さ１μｍあたりに換算した値を得る。３つの断面ＳＥＭ画像において得られた値の算術平均をとることで、第１の電極領域における平均交差粒子数Ｐが得られる。ここで、第１の電極領域の長さＷ_１は、底面側からの投射平面図から求め、長さＬ_１は、側面側からの投射平面図から求める。また、第２の電極領域における平均交差粒子数Ｑは、以下のようにして評価できる。図３ｂに示すように、第２の電極領域を素体の幅Ｗ方向の長さＷ_１について４等分し、底面および端面に直交する３つの断面Ｓ_Ｗについて、断面ＳＥＭ画像をそれぞれ取得する。それぞれの断面ＳＥＭ画像において、図３ｂに示すように、第２の電極領域を素体の高さＴ方向の長さＴ_１について２等分し、端面および側面に直交する断面Ｓ_Ｔと、断面Ｓ_Ｗとの交線上（図３ｂの黒丸の位置）に、第２の電極領域の厚み方向、すなわち端面に直交する方向に、所定の長さの粒子数測定用の補助線を設定する。補助線と交差する導電性粒子数を計測し、これを補助線の長さ１μｍあたりに換算した値を得る。３つの断面ＳＥＭ画像において得られた値の算術平均をとることで、第２の電極領域における平均交差粒子数Ｑが得られる。ここで、第２の電極領域の長さＷ_１は、底面側からの投射平面図から求め、長さＴ_１は、端面側からの投射平面図から求める。

平均交差粒子数Ｐは例えば、１個以上であり、好ましくは１．２個以上または１．３個以上である。平均交差粒子数Ｐの上限は例えば、３個以下であり、好ましくは２個以下または１．６個以下である。また平均交差粒子数Ｐは例えば、１個以上３個以下であってよい。平均交差粒子数Ｐが前記範囲であると、インダクタの直流抵抗をより低減できる。また平均交差粒子数Ｑは例えば、０．３個以上であり、好ましくは０．４個以上または０．５個以上である。平均交差粒子数Ｑの上限は例えば、１個未満であり、好ましくは０．９個以下または０．８個以下である。また平均交差粒子数Ｑは例えば、０．３個以上１個未満であってよい。平均交差粒子数Ｑが前記範囲であると、インダクタの基板への固着強度をより向上できる。さらに平均交差粒子数Ｐの平均交差粒子数Ｑに対する比は例えば、１．１以上であり、好ましくは１．２以上または１．５以上である。平均交差粒子数Ｐの平均交差粒子数Ｑに対する比は例えば、３．５以下であり、好ましくは２．５以下または２以下である。また平均交差粒子数Ｐの平均交差粒子数Ｑに対する比は例えば、１．１以上３．５以下であってよい。平均交差粒子数Ｐと平均交差粒子数Ｑの比が前記範囲であると、インダクタの直流抵抗の低減と基板への固着強度の向上をバランスよく達成できる。

第１の電極領域に含まれる導電性粒子は、第２の電極領域に含まれる導電性粒子よりも小さい粒子径を有していてもよい。第１および第２の電極領域が導電性粒子を体積比率として同程度に含む場合、第１の電極領域に含まれる導電性粒子の粒子径が小さいことで、第１の電極領域における導電性粒子どうしの接触面積が大きくなり、インダクタの直流抵抗を低減できる。また第２の電極領域に含まれる導電性粒子の粒子径が大きいことで、結着剤の相対的な含有率が高くなり、第２の電極領域の保護層への結着力が向上する。これによりインダクタの基板への固着強度が向上する。さらに安価な粒子径の大きい導電性粒子を用いることで生産コストを低減できる。

第１または第２の電極領域に含まれる導電性粒子の粒子径は、粒子径分布測定装置ではなく、例えば以下のようにして評価される。導電性粒子が略球状の場合、第１または第２の電極領域の断面１０μｍ×１０μｍについて、ＳＥＭ画像を撮影し、観察される個々の粒子断面について断面積を測定し、各粒子の断面積について円とした場合の直径（円相当径）を算出することで評価することができる。また第１または第２の電極領域が導電性粒子としてフレーク状の導電性粒子を含む場合、上述した導電性粒子と補助線とが単位長さあたりで交差する数の評価方法と同様にして粒子径を間接的に評価できる。すなわち、粒子数が多いことは、粒子径が小さいことに対応する。

インダクタ１００では、第１の電極領域４２が配置される底面５５の表面粗さが、第２の電極領域４４が配置される端面上の保護層１２の表面粗さよりも大きくなっている。第１の電極領域が配置される領域の表面粗さが大きいことで、アンカー効果により第１の電極領域の素体１０に対する接合強度が向上し、基板に実装されるインダクタの信頼性がより向上する。

図２ａに示す外部電極近傍の部分断面図では、磁性粉１６と樹脂１４を含む磁性部からなる素体の底面において、保護層６０および磁性部を構成する樹脂の一部が除去されて、部分的に樹脂１４に埋設された磁性粉１６が露出している。磁性粉１６が部分的に露出することで、第１の電極領域４２が形成される領域の表面粗さが大きくなる。第１の電極領域が形成される領域の表面粗さは、素体の底面の凹部に平行な面を基準とする凹凸差の最大値Ｒ１として定義できる。凹凸差の最大値Ｒ１は、素体の高さＴ方向における素体底面の凹部を通る面からの距離が最も遠い点と最も近い点との距離の差として測定できる。

また図２ａでは、素体の端面は、厚みが不均一な保護層６０に被覆され、保護層６０上と第１のＲ面取り部上と第１の電極領域の一部の領域上に、第２の電極領域が形成されている。第２の電極領域が形成される領域の表面粗さは、保護層６０の厚み方向における凹凸差の最大値Ｒ２として定義される。凹凸差の最大値Ｒ２は、素体の長さＬ方向における素体の端面からの厚みが最も大きい位置における保護層の厚みと、厚みが最も小さい位置における保護層の厚みの差として測定できる。

第１または第２の電極領域が形成される領域における表面粗さは、具体的には以下のようにして評価できる。第１の電極領域が形成される領域の素体の底面および端面に直交する断面について、ＳＥＭ画像（例えば５００倍）を撮影する。任意の３つの断面ＳＥＭ画像において、素体の端面および側面に直交する１５０μｍの測定用補助線を引く。測定用補助線の範囲における断面形状について、素体の高さＴ方向における素体の底面の凹凸差の最大値を３つの断面についてそれぞれ測定し、これらの算術平均を第１の電極領域が形成される領域の表面粗さとする。具体的に、第１の電極領域が形成される領域の表面粗さは、図３ａに示すように、第１の電極領域を素体の幅Ｗ方向の長さＷ_１について４等分し、底面および端面に直交する３つの断面Ｓ_Ｗにおいて測定される。断面Ｓ_Ｗにおける測定位置は、図３ａに示すように、第１の電極領域を素体の長さＬ方向の長さＬ_１について２等分し、端面および側面に直交する断面Ｓ_Ｌと、断面Ｓ_Ｗとが交差する位置の近傍であってコイル導体以外の領域とする。また、第２の電極領域が形成される領域については、任意の３つの断面ＳＥＭ画像において、素体の底面および端面に直交する１５０μｍの測定用補助線を引く。測定用補助線の範囲における断面形状について、素体の長さＬ方向における保護層の凹凸差の最大値を３つの断面についてそれぞれ測定し、これらの算術平均を第２の電極領域が形成される領域の表面粗さとする。具体的に、第２の電極領域が形成される領域の表面粗さは、図３ｂに示すように、第２の電極領域を素体の幅Ｗ方向の長さＷ_１について４等分し、底面および端面に直交する３つの断面Ｓ_Ｗにおいて測定される。断面Ｓ_Ｗにおける測定位置は、図３ｂに示すように、第２の電極領域を素体の高さＴ方向の長さＴ_１について２等分し、端面および側面に直交する断面Ｓ_Ｔと、断面Ｓ_Ｗとが交差する位置の近傍とする。

第１の電極領域が形成される領域における表面粗さは例えば、５μｍ以上であり、好ましくは８μｍ以上または１０μｍ以上である。第１の電極領域が形成される領域における表面粗さは例えば、４０μｍ以下であり、好ましくは３５μｍ以下または３０μｍ以下である。また第１の電極領域が形成される領域における表面粗さは例えば、５μｍ以上４０μｍ以下であってよい。第１の電極領域が形成される領域における表面粗さが前記範囲であると、第１の電極領域の素体への接合強度がより向上する。

第２の電極領域が形成される領域における表面粗さは例えば、１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上または５μｍ以上である。第２の電極領域が形成される領域における表面粗さは例えば、２０μｍ以下であり、好ましくは１５μｍ以下または１０μｍ以下である。また第２の電極領域が形成される領域における表面粗さは例えば、１μｍ以上２０μｍ以下であってよい。第２の電極領域が形成される領域における表面粗さが前記範囲であると、第２の電極領域の保護層への接合強度が十分に得られ、インダクタの基板への固着強度がより向上する。

第１の電極領域が形成される領域における表面粗さの第２の電極領域が形成される領域における表面粗さに対する比は、例えば、１．５以上であり、好ましくは２．０以上または５．０以上であり、また例えば１０以下であり、好ましくは８．０以下または６．０以下である。表面粗さの比が前記範囲であると、第１の電極領域の素体への接合強度がより向上する。

インダクタ１００では、素体１０の端面５７と底面５５との稜線部に第１のＲ面取り部５１が形成され、素体１０の端面５７と側面５８との稜線部に第２のＲ面取り部５２が形成されている。第１のＲ面取り部５１が端面５７と底面５５とを繋ぐ外縁部の距離は、第２のＲ面取り部５２が端面５７と側面５８とを繋ぐ外縁部の距離よりも短くなっている。すなわち、インダクタ１００では、底面５５および端面５７に直交する断面における第１のＲ面取り部５１の外縁形状を円弧近似する場合の曲率半径ｒ_１が、端面５７および側面５８に直交する断面における第２のＲ面取り部５２の外縁形状を円弧近似する場合の曲率半径ｒ_２よりも小さくなっている。第１のＲ面取り部５１の曲率半径ｒ_１を小さくすることで、インダクタの実装時にインダクタの片側が浮き回転するツームストーン現象の発生を抑制できる。また第２のＲ面取り部５２の曲率半径ｒ_２を大きくすることで、第２の電極領域４４をディップによって形成する際の表面張力を小さくでき、素体の側面に形成される第２の電極領域４４を小さくできる。

第１のＲ面取り部の曲率半径ｒ_１は例えば、２０μｍ以上であり、好ましくは２５μｍ以上または３０μｍ以上である。曲率半径ｒ_１は例えば、１５０μｍ以下であり、好ましくは１００μｍ以下または８０μｍ以下である。また曲率半径ｒ_１は例えば、２０μｍ以上１５０μｍ以下であってよい。第１のＲ面取り部の曲率半径ｒ_１が前記範囲内であると、実装時にインダクタの片側が浮き回転するツームストーン現象をより効果的に抑制できる。

第２のＲ面取り部の曲率半径ｒ_２は例えば、５０μｍ以上であり、好ましくは８０μｍ以上または１００μｍ以上である。曲率半径ｒ_２は例えば、２００μｍ以下であり、好ましくは１８０μｍ以下または１６０μｍ以下である。曲率半径ｒ_２は例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下であってよい。第２のＲ面取り部の曲率半径ｒ_２が前記範囲内であると、後述する第２の電極領域をペーストで形成する際の側面方向への表面張力を低減でき、第２の電極領域の側面への延在量を低減できる。

第１のＲ面取り部の曲率半径ｒ_１に対する第２のＲ面取り部の曲率半径ｒ_２の比（ｒ_２／ｒ_１）は例えば、１より大きく、好ましくは１．５以上または２．５以上である。曲率半径の比（ｒ_２／ｒ_１）は例えば、１０以下であり、好ましくは５以下または３以下である。また曲率半径の比（ｒ_２／ｒ_１）は例えば、１より大きく１０以下であってよい。曲率半径の比が前記範囲内であると、ツームストーン現象の抑制と第２の電極領域の側面への延在量を低減とがバランスよく達成できる。

曲率半径は、以下のようにして評価できる。最初に曲率半径を測定する断面を、デジタルマイクロスコープ（例えば、ＶＨＸ−６０００；キーエンス社製）を用いて、例えば１０００倍の画像を撮影する。つぎに、付属のソフトウェアを用いて撮影した画像から曲率半径を求める。図２ｂは曲率半径の測定方法を説明する図である。図２ｂは端面５７および側面５８に直交する断面であり、第２のＲ面取り部５２近傍の拡大部分断面図である。まず、図２ｂに示すように、それぞれが素体の表面に平行で、互いに直交する２本の補助線Ｈ１、Ｈ２を、Ｒ面取り部において素体表面から最も高い位置に露出する磁性粉と接するように引く。補助線Ｈ１、Ｈ２とＲ面取り部との２つの接点Ｔ１、Ｔ２のうち、２本の補助線Ｈ１、Ｈ２の交点Ｈ０との距離が近い方の接点と交点Ｈ０との距離を、曲率半径Ｒとする。図２ｂでは第２のＲ面取り部における曲率半径の求め方を説明したが、第１および第３のＲ面取り部についても同様に求めることができる。

（インダクタの製造方法）
インダクタ１００の製造方法は、例えば、ベース部および柱状部を備え、磁性粉を含んでなる磁性ベースを準備するコア準備工程と、磁性ベースの柱状部に導線を巻回してコイルの巻回部を形成するコイル形成工程と、コイルの巻回部から引き出される引き出し部の先端部に平坦部を形成する引き出し工程と、引き出し部の平坦部を磁性ベースの底面側に配置するフォーミング工程と、コイルおよび磁性ベースを被覆する磁性外装を形成して素体を得る成形・硬化工程と、素体の稜線部を研磨する研磨工程と、素体の表面に保護層を形成する保護層形成工程と、素体の底面の一部から保護層を除去する保護層除去工程と、底面の保護層が除去される領域に第１の電極領域を形成する第１の電極領域形成工程と、素体の端面に第２の電極領域を形成する第２の電極領域形成工程と、第１および第２の電極領域にめっき層を形成する外部電極形成工程とを含む。

コア準備工程で準備される磁性ベースは、略矩形の板状のベース部およびベース部に略直交して設けられる柱状部を備える。磁性ベースは以下のようにして得られる。磁性粉と樹脂を含む磁性材料を、所望の形状を有する金型のキャビティ内に充填する。磁性材料を樹脂の軟化温度以上の温度（例えば、６０℃以上１５０℃以下）に加温し、この状態で１０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下程度の圧力で、数秒から数分の間、加圧・成形して予備成形体を得る。次いで樹脂の硬化温度以上の温度（例えば、１００℃以上２２０℃以下）に加熱処理して樹脂を硬化させて磁性ベースが形成される。ベース部の角部に対応する部分の金型の内部形状は、ベース部の厚み方向から見た場合に曲面になっている。コア準備工程では、樹脂を半硬化させて磁性ベースを形成してもよい。樹脂の半硬化は、加熱温度、熱処理時間を調整して実施できる。

コイル形成工程では、磁性ベースの柱状部に導線を巻回してコイルの巻回部を形成する。導線としては、被覆層および自己融着層を有し、断面が略長方形の平角線が用いられる。巻回部は、巻線の両端が最外周に位置し、最内周で互いに繋がる様に２段に巻回して形成される。引き出し工程では、コイルの巻回部の最外周から引き出される引き出し部の先端部を導線の厚み方向に押し潰して、巻回部を構成する導線の線幅よりも幅広の平坦部を形成する。フォーミング工程では、引き出し部を導線の幅広面がベース部に平行になるように、ベース部上で略９０°捻られ、次いでベース部の一辺に設けられた切り欠き部で折り曲げられてベース部の底面側に引き出されて、平坦部がベース部の底面側に配置される。

成形・硬化工程では、コイルおよび磁性ベースを被覆する磁性外装を以下のようにして形成する。コイルが取り付けられた磁性ベースを、ベース部の底面を下にした状態で、金型のキャビティ内に収容する。キャビティの底面には、素体の幅方向に亘る凸部が設けられており、凸部が引き出し部の平坦部の間に配置されるように収納し、ベース部の底面と金型のキャビティの底面とを接触させる。キャビティの側壁の角部には後述するバレル研磨で素体の稜線部に形成される曲面よりも曲率半径が大きな曲面が設けられ、第２のＲ面取り部が形成される。次いで、金型内に、磁性粉と樹脂を含有する磁性材料を充填する。金型のキャビティ内で、磁性粉と樹脂を含有する磁性材料を、樹脂の軟化温度（例えば、６０℃以上１５０℃以下）よりも高い温度に加温した状態で、加圧（例えば、１０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下程度）し、樹脂の硬化温度以上の温度（例えば、１００℃以上２２０℃以下）を加えて成形・硬化させる。これにより、実装面の外部電極の間に凹部（スタンドオフ）が形成され、磁性粉と樹脂を含有する磁性部にコイルが埋設された素体が形成される。なお、硬化は成形後に実施してもよい。

研磨工程では、得られる素体をバレル研磨して、素体の稜線部にＲ面取り部を形成する。このとき第２のＲ面取り部は、予め面取りした状態で成形されているので、第２のＲ面取り部の曲率半径は第１のＲ面取り部より大きくなる。保護層形成工程では、素体の全表面に保護層を形成する。保護層は、保護層形成用組成物を素体の表面に付与して形成される。付与方法としては、ディップ、スプレー、スクリーン印刷等が挙げられる。保護層形成用組成物は例えば、樹脂を含んでいてよい。樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂などが挙げられる。保護層形成用組成物は、樹脂に加えて、酸化ケイ素、酸化チタン等の非導電性フィラーをさらに含んでいてもよい。また、保護層形成用組成物は、樹脂の代わりに絶縁性の金属酸化物を含んで構成されてもよい。絶縁性の金属酸化物としては、水ガラスなどが挙げられる。

保護層除去工程では、素体の底面の第１の電極領域が形成される領域から保護層を除去する。このとき保護層から露出する導線の平坦部から導線の被覆層を併せて除去してもよく、さらに平坦部の周辺領域において磁性部を構成する樹脂の一部を除去してもよい。保護層と、磁性部を構成する樹脂の一部が除去されることで、第１の電極領域が配置される底面の表面粗さが、第２の電極領域が配置される端面の保護層の表面粗さよりも大きくなる。保護層の除去には、レーザー照射、ブラスト処理、研磨等の除去手段が用いられる。

第１の電極領域形成工程では、保護層が除去された素体の実装面側の外部端子が形成される領域に、導電性粒子と結着剤を含む第１の導電ペーストを付与して第１の電極領域を形成する。第１の導電ペーストが含む導電性粒子としては、銀、銅等の金属粒子が挙げられる。第１の導電ペーストの付与方法としては、スクリーン印刷、転写、ジェットディスペンサ等が挙げられる。付与された第１の導電ペーストには、必要に応じて硬化処理を行ってもよい。

第２の電極領域形成工程では、素体の端面およびその周辺の外部端子が形成される領域に、導電性粒子を含む第２の導電ペーストを付与して第２の電極領域を形成する。第２の電極領域は第１の電極領域と電気的に接続するように形成されてよい。第２の導電ペーストが含む導電性粒子としては、銀、銅等の金属粒子が挙げられる。第２の導電ペーストが含む導電性粒子には、第１の導電ペーストが含む導電性粒子よりも粒子径が大きい粒子が用いられる。第２の導電ペーストの付与方法としては、ディップ、スクリーン印刷等が挙げられる。付与された第２の導電ペーストには、必要に応じて硬化処理を行ってもよい。第２の導電ペーストの付与方法としてディップを用いる場合、ディップする深さに応じて、端面のみならず、端面に隣接する領域にも第２の電極領域を形成できる。

外部電極形成工程では、第１および第２の電極領域上にめっき層を形成して、外部電極を形成する。めっき層は例えば、ニッケルめっき処理した後に、スズめっき処理して形成される。めっき処理には、バレルめっき等が用いられる。なお、第１の電極領域は、導電ペーストを付与せず、素体の表面の一部に直接、銅めっきをして形成してもよい。

（実施例２）
実施例２のインダクタを、図４ａおよび図４ｂを参照して説明する。図４ａはインダクタ１１０を上面側から見た斜視図であり、図４ｂはインダクタ１１０を実装面側から見た斜視図である。図４ｂでは、図１ｂとは異なり、引き出し部の端部は透視して示していない。

インダクタ１１０は、第２の電極領域が、端面に配置される保護層上と、底面と端面との稜線部である第１のＲ面取り部上と、底面の少なくとも一部の領域上と、上面と端面との稜線部である第３のＲ面取り部上と、上面の少なくとも一部の領域上と、側面と端面との稜線部である第２のＲ面取り部の一部の領域上とに延在して配置され、側面上には配置されないこと以外は、インダクタ１００と同様に構成される。第２の電極領域が素体の側面に配置されないことで、側面が対向する方向へのより高密度の実装が可能になる。

インダクタ１１０は、第２の電極領域を導電ペーストへのディップで形成する際に、ディップする深さを端面および底面の一部が浸漬され、端面と側面との間の第２のＲ面取り部の一部の領域が浸漬される深さとすることで製造できる。

（実施例３）
実施例３のインダクタを、図５ａおよび図５ｂを参照して説明する。図５ａはインダクタ１２０を上面側から見た斜視図であり、図５ｂはインダクタ１２０を実装面側から見た斜視図である。図５ｂでは、図１ｂとは異なり、引き出し部の端部は透視して示していない。

インダクタ１２０は、第２の電極領域が、端面に配置される保護層上と、底面と端面との稜線部である第１のＲ面取り部の一部の領域上と、側面と端面との稜線部である第２のＲ面取り部の一部の領域上とに延在して配置され、底面上と、上面上と、側面上とには配置されないこと以外は、インダクタ１００と同様に構成される。第２の電極領域が素体の底面に配置されないことで、インダクタの実装面における平坦性をより向上できる。またインダクタの上方に金属製シールドを配置する場合でも短絡の虞が抑制される。

なお、インダクタ１２０では、第１の電極領域と第２の電極領域とが直接接続されていなくてもよく、めっき層で接続されていてもよい。第１の電極領域または第２の電極領域と素体と固着強度より、めっき層による密着強度が高いので、インダクタの基板への固着強度をより大きくできる。

インダクタ１２０は、第２の電極領域を導電ペーストへのディップで形成する際に、ディップする深さを端面と底面との間の第１のＲ面取り部の一部の領域が浸漬され、端面と側面との間の第２のＲ面取り部の一部の領域が浸漬される深さとすることで製造できる。

（実施例４）
実施例４のインダクタを、図６ａおよび図６ｂを参照して説明する。図６ａはインダクタ１３０を上面側から見た斜視図であり、図６ｂはインダクタ１３０を実装面側から見た斜視図である。図６ｂでは、図１ｂとは異なり、引き出し部の端部は透視して示していない。

インダクタ１３０は、第２の電極領域が、端面の底面側の部分領域上と、底面と端面との稜線部である第１のＲ面取り部の一部の領域上と、側面と端面との稜線部である第２のＲ面取り部の一部の領域上とに延在して配置されること、底面上と、上面上と、側面上とには配置されないこと、および端面の上面側の部分領域に保護層が露出していること以外は、インダクタ１００と同様に構成される。インダクタ１３０では、基板に実装する際の基板との固着強度を担保しつつ、インダクタの上方に金属製シールドを配置する場合でも短絡の虞がより確実に抑制される。

インダクタ１３０は、第２の導電ペーストをスクリーン印刷、転写を用いて所望の位置に付与して、第２の電極領域を形成することで製造できる。

（実施例５）
実施例５のインダクタを、図７ａおよび図７ｂを参照して説明する。図７ａはインダクタ１４０を上面側から見た斜視図であり、図７ｂはインダクタ１４０を実装面側から見た斜視図である。図７ｂでは、図１ｂとは異なり、引き出し部の端部は透視して示していない。

インダクタ１４０は、第２の電極領域が、端面に配置される保護層上と、底面と端面との稜線部である第１のＲ面取り部の少なくとも一部の領域上と、端面と上面の稜線部である第３のＲ面取り部上と、上面の一部の領域上と、側面と端面との稜線部である第２のＲ面取り部の一部の領域上と、側面の一部の領域上とに延在して配置され、底面上には配置されないこと以外は、インダクタ１００と同様に構成される。インダクタ１４０では、第２の電極領域が素体の底面に配置されないことで、実装面における平坦性をより向上できる。また、第２の電極領域の面積を広くすることで基板に実装する際の基板との固着強度をより向上できる。

インダクタ１４０は、第２の電極領域を導電ペーストへのディップで形成する際に、素体の端面を導電ペーストの液面に対して傾けて、底面側における端面から第２の電極領域の先端までの距離よりも、上面側における端面から第２の電極領域の先端までの距離の方が大きくなるように浸漬して導電ペーストを付与することで製造できる。

上記の実施例では、コイルを形成する導線は、断面形状が略矩形であるが、円、楕円等であってもよい。コイルの巻回部はいわゆるα巻き以外のエッジワイズ巻き等の形態であってもよい。素体は、複合材料にコイルを埋設して加圧成形により形成されてもよい。保護層は、フィラーと樹脂を含む樹脂組成物に代えて、水ガラス等の無機材料から形成されてもよい。素体底面に設けられる凹部は、幅Ｗ方向から見て高さＴ方向の形状が、半円形状であってもよい。磁性ベースの柱状部はベース部の面に平行な断面形状が、円形、楕円形、面取りされてもよい多角形状であってもよい。

１００，１１０，１２０，１３０，１４０ インダクタ
１０ 素体
２０ コイル
４０ 外部電極
４２ 第１の電極領域
４４ 第２の電極領域

Claims (10)

1. 導体が巻回されてなる巻回部および前記巻回部から引き出される引き出し部を有するコイルと、
   前記コイルを内包し、磁性粉および樹脂を含む磁性部からなる素体と、
   前記素体の表面に配置される保護層と、
   前記引き出し部と電気的に接続された外部電極と、を備え、
   前記素体は、実装面に対応する底面と、前記底面に対向する上面と、前記底面に略直交し互いに対向する２つの端面と、前記底面および前記端面に略直交し互いに対向する２つの側面と、前記端面および前記底面の稜線部に第１のＲ面取り部と、前記端面および前記側面の稜線部に第２のＲ面取り部と、を有し、
   前記外部電極は、第１の電極領域および第２の電極領域を含み、
   前記第１の電極領域は、少なくとも前記底面の少なくとも一部の領域上に配置され、前記引き出し部と電気的に接続し、
   前記第２の電極領域は、少なくとも前記端面に配置される前記保護層上の少なくとも一部の領域に配置され、
   前記第１の電極領域に含まれる導電性粒子と前記底面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数が、
   前記第２の電極領域に含まれる導電性粒子と前記端面に垂直な直線とが単位長さあたりで交差する数よりも多いインダクタ。
2. 前記第２の電極領域は、前記端面に配置される保護層上と、前記端面と連続する第１のＲ面取り部上と、前記第１のＲ面取り部と連続する前記底面の一部の領域上と、前記端面と連続する第２のＲ面取り部上と、前記第２のＲ面取り部と連続する前記側面の一部の領域上とに延在する請求項１に記載のインダクタ。
3. 前記第２の電極領域は、前記端面に配置される保護層上と、前記端面と連続する第１のＲ面取り部上と、前記第１のＲ面取り部と連続する前記底面の一部の領域上と、前記端面と連続する第２のＲ面取り部の一部の領域上とに延在する請求項１に記載のインダクタ。
4. 前記第２の電極領域は、前記端面に配置される保護層上と、前記端面と連続する第１のＲ面取り部の一部の領域上と、前記端面と連続する第２のＲ面取り部の一部の領域上とに延在する請求項１に記載のインダクタ。
5. 前記第１の電極領域は、前記底面の一部の領域上と、前記底面の領域と連続する前記第１のＲ面取り部とに延在し、
   前記第２の電極領域は、前記第１の電極領域と前記第１のＲ面取り部上で電気的に接続する請求項４に記載のインダクタ。
6. 前記第２の電極領域は、前記上面上に配置されない請求項１から５のいずれかに記載のインダクタ。
7. 前記端面は、前記底面側の一部の領域上に前記第２の電極領域が配置され、前記上面側の一部の領域に保護層の露出部を有する請求項１から６のいずれかに記載のインダクタ。
8. 前記第２の電極領域は、前記端面に配置される保護層上と、前記端面と連続する第１のＲ面取り部上と、前記上面の一部の領域上とに延在する請求項１に記載のインダクタ。
9. 前記第１の電極領域が配置される底面の一部の領域の表面粗さが、前記第２の電極領域が配置される端面上の保護層の表面粗さよりも大きい請求項１から８のいずれかに記載のインダクタ。
10. 前記底面および前記端面に直交する断面における前記第１のＲ面取り部の外縁形状を円弧近似する場合の曲率半径が、前記端面および前記側面に直交する断面における前記第２のＲ面取り部の外縁形状を円弧近似する場合の曲率半径よりも小さい請求項１から９のいずれかに記載のインダクタ。

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