JP2021026232A - フレキシブル液晶表示装置 - Google Patents
フレキシブル液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021026232A JP2021026232A JP2020119918A JP2020119918A JP2021026232A JP 2021026232 A JP2021026232 A JP 2021026232A JP 2020119918 A JP2020119918 A JP 2020119918A JP 2020119918 A JP2020119918 A JP 2020119918A JP 2021026232 A JP2021026232 A JP 2021026232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- glass substrate
- display device
- crystal display
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 256
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 213
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 140
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 11
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 42
- -1 (4-amino) Phenoxy Chemical group 0.000 claims description 31
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 21
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 21
- WSNMPAVSZJSIMT-UHFFFAOYSA-N COc1c(C)c2COC(=O)c2c(O)c1CC(O)C1(C)CCC(=O)O1 Chemical class COc1c(C)c2COC(=O)c2c(O)c1CC(O)C1(C)CCC(=O)O1 WSNMPAVSZJSIMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 15
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 8
- GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical group C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QKTIWGQVLDYTAK-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-diformylphenoxy)phthalaldehyde Chemical compound C1=C(C=O)C(C=O)=CC=C1OC1=CC=C(C=O)C(C=O)=C1 QKTIWGQVLDYTAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 102100031503 Barrier-to-autointegration factor-like protein Human genes 0.000 claims description 5
- OVASAEXSPYGGES-UHFFFAOYSA-N C1C2C(C(OC3=O)=O)C3C1CC2(C1=O)CCC21CC1CC2C2C(=O)OC(=O)C12 Chemical compound C1C2C(C(OC3=O)=O)C3C1CC2(C1=O)CCC21CC1CC2C2C(=O)OC(=O)C12 OVASAEXSPYGGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical group C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 101000729827 Homo sapiens Barrier-to-autointegration factor-like protein Proteins 0.000 claims description 5
- YKNMIGJJXKBHJE-UHFFFAOYSA-N (3-aminophenyl)-(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(N)=C1 YKNMIGJJXKBHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NDXGRHCEHPFUSU-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)aniline Chemical group NC1=CC=CC(C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 NDXGRHCEHPFUSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QSPMTSAELLSLOQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenyl)aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC(N)=C1 QSPMTSAELLSLOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 3-[(4-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=CC(N)=C1 FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HIOSIQSHOMBNDE-UHFFFAOYSA-N 3-[1-(3-aminophenoxy)-4-phenylcyclohexa-2,4-dien-1-yl]oxyaniline Chemical group NC1=CC=CC(OC2(C=CC(=CC2)C=2C=CC=CC=2)OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 HIOSIQSHOMBNDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(N)C=C1 BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BOVVHULZWVFIOX-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 BOVVHULZWVFIOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WLDQMQOYNIAUGG-UHFFFAOYSA-N 4-[3-[2-[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(OC=2C=C(C(C(O)=O)=CC=2)C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C(C=1)=CC=CC=1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 WLDQMQOYNIAUGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(N)=CC=2)C=C1 QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BJKPPKGOOLEFNQ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methyl]phenoxy]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 BJKPPKGOOLEFNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XZOQPRNOAGCWNT-UHFFFAOYSA-N 4-[[(3,4-dicarboxyphenyl)-dimethylsilyl]oxy-dimethylsilyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 XZOQPRNOAGCWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- MRSWDOKCESOYBI-UHFFFAOYSA-N anthracene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C=C(C(C(=O)O)=C3)C(O)=O)C3=CC2=C1 MRSWDOKCESOYBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N bis(3-aminophenyl)methanone Chemical compound NC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NQZOFDAHZVLQJO-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(OC=3C=CC(OC=4C=C(N)C=CC=4)=CC=3)=CC=2)=C1 NQZOFDAHZVLQJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMMZSOGDIDWWJV-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenoxy)-dimethylsilyl]oxyphthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1O[Si](C)(C)OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AMMZSOGDIDWWJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ASNOFHCTUSIHOM-UHFFFAOYSA-N 4-[10-(4-aminophenyl)anthracen-9-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N)C=C1 ASNOFHCTUSIHOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KIFDSGGWDIVQGN-UHFFFAOYSA-N 4-[9-(4-aminophenyl)fluoren-9-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1(C=2C=CC(N)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 KIFDSGGWDIVQGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 5-[2-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BBTGUNMUUYNPLH-UHFFFAOYSA-N 5-[4-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]phenoxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC2=CC=C(C=C2)OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 BBTGUNMUUYNPLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- OSJKCAUAXQXHTR-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-diformylphenyl)phthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC(C=2C(=C(C=O)C=CC=2)C=O)=C1C=O OSJKCAUAXQXHTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WHZMNADTAVKJBU-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(3,4-dicarboxyphenyl)-9H-fluoren-2-yl]phthalic acid Chemical compound C(=O)(O)C=1C=C(C=CC=1C(=O)O)C1=C(C=2CC3=CC=CC=C3C=2C=C1)C1=CC(=C(C=C1)C(=O)O)C(=O)O WHZMNADTAVKJBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C3=CC=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1C(O)=O UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 16
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 13
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 8
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical group C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- FPHRTSFRLFDOHZ-UHFFFAOYSA-N 3-[[4-[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]phenyl]-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)C1=CC=C([Si](C)(C)CCCN)C=C1 FPHRTSFRLFDOHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGJAHBYJESEUHU-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(3,4-dicarboxyphenyl)phenyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=C(C(C(O)=O)=CC=2)C(O)=O)=C1 QGJAHBYJESEUHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARUZFZXWTWJCQS-UHFFFAOYSA-N 4-[3-[[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methyl]phenoxy]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=CC(CC=2C=C(OC=3C=C(C(C(O)=O)=CC=3)C(O)=O)C=CC=2)=C1 ARUZFZXWTWJCQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQMLTKRIXDVJQN-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C(C=1)=CC=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 FQMLTKRIXDVJQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHFFQXYMIIPHEX-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 JHFFQXYMIIPHEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQUSLIBGUTZKJZ-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenoxy]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=C(C(C(O)=O)=CC=2)C(O)=O)=C1 GQUSLIBGUTZKJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQAHXEQUBNDFGI-UHFFFAOYSA-N 5-[4-[2-[4-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC2=CC=C(C=C2)C(C)(C=2C=CC(OC=3C=C4C(=O)OC(=O)C4=CC=3)=CC=2)C)=C1 MQAHXEQUBNDFGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWLZEGRKCBALET-UHFFFAOYSA-N 6-(2,5-dioxooxolan-3-yl)-4-methyl-4,5,6,7-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)=C2C(C)CC1C1CC(=O)OC1=O UWLZEGRKCBALET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXMWOGVVLZOYOL-UHFFFAOYSA-N C=1(C(=CC=C2C3=CC=C(C(=C3C=CC12)C=O)C=O)C=O)C=O Chemical compound C=1(C(=CC=C2C3=CC=C(C(=C3C=CC12)C=O)C=O)C=O)C=O NXMWOGVVLZOYOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000862969 Stella Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
- G02F1/133723—Polyimide, polyamide-imide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】本発明の課題は、ポリイミドが形成された基板を有するフレキシブル液晶表示装置において、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、液晶表示装置の機械強度を向上し、曲げ耐性を有する表示装置を実現することである。【解決手段】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層（３００）、液晶層（５００）、カラーフィルター層（８００）、透明ポリイミド層（２００，９００）及びガラス基板（１００，１０００）を含むフレキシブル液晶表示装置（１）であって、ＴＦＴ配線層（３００）又はカラーフィルター層（８００）と、透明ポリイミド層（２００，９００）及びガラス基板（１００，１０００）の順序で積層された積層構造を有し、かつガラス基板（１００，１０００）の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置（１）が提供される。【選択図】図１
Description
本発明は、表示装置に関し、より詳細にはフレキシブル液晶表示装置に関する。
従来の表示装置は、フレキシブル性がなく、リジッドタイプのものであった。近年、フレキシブル性を有する表示装置が開発され、フレキシブル表示装置としては、有機発光素子を用いたもの（ＯＬＥＤ）と、液晶素子を用いたもの（ＬＣＤ）がある。
フレキシブル性を発現するためには、表示装置の基板として、ガラスに代替して樹脂を用いたものが提案されている。ここで、基板を樹脂のみで形成するために、ガラス基板上にポリイミド層を形成し、その後ディスプレイ形成プロセスを経た後、ガラス基板側からレーザーを照射することで、ガラス基板からポリイミド層を剥離することが検討されている（特許文献１）。しかしながら、この場合、ポリイミド層の機械強度が不十分なため、剥離する際に表示装置が破壊される問題、及び表示装置の巻き上げと巻き戻しを繰り返すうちに、表示装置が破壊される問題があった。
他方、リジッドタイプの表示装置では、ガラス基板をエッチング処理することで薄膜化を行なってきたが、この表示装置は、上述のとおり、フレキシブル性がないものであった（特許文献２）。
特許文献１に記載されるようなレーザー剥離を用いた場合、非常に高価なプロセスコストが必要となる。また、一般に、有機発光表示装置の製造プロセスは、液晶表示装置の製造プロセスに比べて、コストが高額である。したがって、液晶表示装置の従来の製造プロセスを活用し、かつコストを抑えることが求められている。
上記の要求に鑑みて、本発明は、ポリイミドが形成された基板を有するフレキシブル液晶表示装置において、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、液晶表示装置の機械強度を向上させ、かつ曲げ耐性を有する液晶表示装置を実現することを目的とする。
本発明者らは、フレキシブル液晶表示装置において、ＴＦＴ配線層又はカラーフィルター層のためのガラス基板を維持し、かつ薄くすることによって、上記課題を解決することができることを見出して、本発明を完成させた。本発明の一態様を以下に例示する。
［１］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［２］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、項目１に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［３］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、項目１又は２に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［４］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［５］
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記ＴＦＴ配線層の支持体である、項目１〜４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［６］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［７］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、項目６に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［８］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、項目６又は７に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［９］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１０］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１１］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、項目１０に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１２］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、項目１０又は１１に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１３］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１４］
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記カラーフィルター層の支持体である、項目６〜１３のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１５］
前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、及び９，９−ビス(４−アミノフェニル)フルオレン（ＢＡＦＬ）から成る群から選択される少なくとも一つである、項目１〜１４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１６］
前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ノルボルナン−２−スピロ−２’−シクロペンタノン−５’−スピロ−２’’−ノルボルナン−５，５’’，６，６’’−テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１−エチリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ−４，４’−ジフタル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、１，４−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２−ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びビシクロヘキシル−３，３’，９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物（ＢＰＡＦ）から成る群から選択される少なくとも一つである、項目１〜１５のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１７］
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層の間に、前記液晶層がある、項目１〜１６のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１８］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［１９］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、項目１８に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２０］
前記エッチング工程では、前記ＴＦＴ配線層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、項目１８又は１９に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２１］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２２］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、項目２１に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２３］
前記エッチング工程では、前記カラーフィルター層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、項目２１又は２２に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２４］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層を、シール材を介して接合する工程と、
前記積層構造Ｉ及びＩＩにおいて前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２５］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、項目２４に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［１］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［２］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、項目１に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［３］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、項目１又は２に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［４］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［５］
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記ＴＦＴ配線層の支持体である、項目１〜４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［６］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［７］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、項目６に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［８］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、項目６又は７に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［９］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１０］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１１］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、項目１０に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１２］
前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、項目１０又は１１に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１３］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１４］
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記カラーフィルター層の支持体である、項目６〜１３のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１５］
前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、及び９，９−ビス(４−アミノフェニル)フルオレン（ＢＡＦＬ）から成る群から選択される少なくとも一つである、項目１〜１４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１６］
前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ノルボルナン−２−スピロ−２’−シクロペンタノン−５’−スピロ−２’’−ノルボルナン−５，５’’，６，６’’−テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１−エチリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ−４，４’−ジフタル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、１，４−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２−ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びビシクロヘキシル−３，３’，９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物（ＢＰＡＦ）から成る群から選択される少なくとも一つである、項目１〜１５のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１７］
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層の間に、前記液晶層がある、項目１〜１６のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１８］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［１９］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、項目１８に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２０］
前記エッチング工程では、前記ＴＦＴ配線層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、項目１８又は１９に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２１］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２２］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、項目２１に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２３］
前記エッチング工程では、前記カラーフィルター層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、項目２１又は２２に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２４］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層を、シール材を介して接合する工程と、
前記積層構造Ｉ及びＩＩにおいて前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２５］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、項目２４に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
本発明によれば、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、液晶表示装置の機械強度を向上し、曲げ耐性を有するフレキシブル液晶表示装置を提供することができる。
以下に本発明に係る実施形態の詳細を説明する。
本発明に係るフレキシブル液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層、及び厚さが１０〜７０μｍのガラス基板を含み、かつ下記積層構造Ｉ及び／又は積層構造ＩＩ；
Ｉ．ＴＦＴ配線層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造；
ＩＩ．カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造；
を有する。本発明に係るフレキシブル液晶表示装置は、プロセスコストの低減と曲げ耐性を両立することができる。
本発明に係るフレキシブル液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層、及び厚さが１０〜７０μｍのガラス基板を含み、かつ下記積層構造Ｉ及び／又は積層構造ＩＩ；
Ｉ．ＴＦＴ配線層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造；
ＩＩ．カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造；
を有する。本発明に係るフレキシブル液晶表示装置は、プロセスコストの低減と曲げ耐性を両立することができる。
驚くべきことに、本発明によって、フレキシブル液晶表示装置は、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）と比べて、有意にプロセスコストが低く、かつ敢えて薄いガラス基板を維持することがプロセスコストの低減と曲げ耐性の両立に寄与し得ることが見出された。このような観点から、ガラス基板の厚さは、１０〜７０μｍであり、好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは１０〜２４μｍであり、更に好ましくは１０〜２０μｍである。同様の観点から、透明ポリイミド層及びガラス基板は、ＴＦＴ配線層の支持体としてＴＦＴ配線層基板を構成することが好ましく、かつ／又はカラーフィルター層の支持体としてカラーフィルター層基板を構成することが好ましい。
ここで、フレキシブル液晶表示装置の“フレキシブル”の意味は、液晶表示装置を破壊なく曲率半径１５０ｍｍ以下に折り曲げることが可能であり、好ましくは曲率半径３ｍｍまで折り曲げられることであり、併せて柔軟性を有しているため、落下しても破壊され難いことを意味する。これは、従来のガラスのみを基板とするリジッドな液晶表示装置にはない特徴である。
また、本発明では、ディスプレイの製造工程の途中で、透明ポリイミド層及びガラス基板の積層体におけるガラス基板をエッチングして薄膜化することもできる。そのため、エッチングする前の工程では、厚いガラス基板を用いてディスプレイの製造を行うため、安定製造が可能であり、歩留まりが向上する利点もある。
ここで、フレキシブル液晶表示装置の“フレキシブル”の意味は、液晶表示装置を破壊なく曲率半径１５０ｍｍ以下に折り曲げることが可能であり、好ましくは曲率半径３ｍｍまで折り曲げられることであり、併せて柔軟性を有しているため、落下しても破壊され難いことを意味する。これは、従来のガラスのみを基板とするリジッドな液晶表示装置にはない特徴である。
また、本発明では、ディスプレイの製造工程の途中で、透明ポリイミド層及びガラス基板の積層体におけるガラス基板をエッチングして薄膜化することもできる。そのため、エッチングする前の工程では、厚いガラス基板を用いてディスプレイの製造を行うため、安定製造が可能であり、歩留まりが向上する利点もある。
一実施形態では、積層構造Ｉ及び／又は積層構造ＩＩに含まれるガラス基板は、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであり、好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは１０〜２４μｍであり、より更に好ましくは１０〜２０μｍである。化学的エッチングされたガラス基板は、表面粗さ（Ｚ）が０．１〜１．０ｎｍ（ＡＦＭで測定）であることが好ましく、アルカリ溶出量が０超１．０ｍｇ以下（ＪＩＳ Ｒ３５０２に準拠）であることが好ましく、マイクロスクラッチ（μｍ単位の寸法を有する異物）を含まないことが好ましく、かつ／又は平均粒径８０ｎｍ以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。
所望により、フレキシブル液晶表示装置は、例えば配向膜、シール材、偏光膜、平面電極などの追加の構成要素を含んでよく、また積層構造Ｉ及びＩＩ以外の積層構造を画定したり、追加で有したりすることができる。
図１は、本発明の一実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の模式断面図である。フレキシブル液晶表示装置（１）において、液晶層（５００）の側部は、シール材（６００）によりシールされることによって、液晶表示ユニットが構成される。液晶表示ユニット一面には、ＴＦＴ配線層（３００）、透明ポリイミド層（２００）及びガラス基板（１００）の順序で積層された積層構造Ｉが、ＴＦＴ配線層（３００）とシール材（６００）を接触させるように設けられている。液晶表示ユニット他面には、カラーフィルター層（８００）、透明ポリイミド層（９００）及びガラス基板（１０００）の順序で積層された積層構造ＩＩが、カラーフィルター層（８００）とシール材（６００）を接触させるように設けられている。液晶層（５００）の上部及び下部には、配向膜（４００，７００）が接触するように設けられてもよい。
ＴＦＴ配線層（３００）とカラーフィルター層（８００）の間に液晶層（５００）がある。ガラス基板（１００）と透明ポリイミド層（２００）は、ＴＦＴ配線層基板として使用され、ガラス基板（１００）とＴＦＴ配線層（３００）の間に透明ポリイミド層（２００）がある。ガラス基板（１０００）と透明ポリイミド層（９００）は、カラーフィルター層基板として使用され、ガラス基板（１０００）とカラーフィルター層（８００）の間には透明ポリイミド層（９００）がある。フレキシブル液晶表示装置の各構成要素を以下に説明する。
＜液晶表示ユニット＞
液晶表示ユニットには液晶が封入されている。液晶層は、液晶で構成されており、その周縁部はシール材でシールされる。所望により、液晶層の上部及び下部は、配向膜で覆われていてもよい。液晶表示ユニットは、気体又は液体などの異物が内部に侵入しないようにシールされることが好ましい。シール材及び配向膜は、例えば、既知の紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂などから形成されることができ、その材料は、シール性、ＴＦＴ配線層又はカラーフィルター層との接合などに応じて決定されることができる。
液晶表示ユニットには液晶が封入されている。液晶層は、液晶で構成されており、その周縁部はシール材でシールされる。所望により、液晶層の上部及び下部は、配向膜で覆われていてもよい。液晶表示ユニットは、気体又は液体などの異物が内部に侵入しないようにシールされることが好ましい。シール材及び配向膜は、例えば、既知の紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂などから形成されることができ、その材料は、シール性、ＴＦＴ配線層又はカラーフィルター層との接合などに応じて決定されることができる。
＜ガラス基板＞
一実施形態では、少なくとも一対のガラス基板が、液晶表示ユニットを挟んで配置されている。一対のガラス基板は、フレキシブル液晶表示装置の製造プロセス及びコストの観点から、同一寸法を有することができる。ガラス基板材料は、例えば、無アルカリガラス基板などであることができる。所望により、ガラス基板は、例えば、疎水化、親水化、平滑化、粗面化、化学的エッチングなどの各種の処理に供されることができる。
一実施形態では、少なくとも一対のガラス基板が、液晶表示ユニットを挟んで配置されている。一対のガラス基板は、フレキシブル液晶表示装置の製造プロセス及びコストの観点から、同一寸法を有することができる。ガラス基板材料は、例えば、無アルカリガラス基板などであることができる。所望により、ガラス基板は、例えば、疎水化、親水化、平滑化、粗面化、化学的エッチングなどの各種の処理に供されることができる。
ガラス基板の厚さを１０〜７０μｍの範囲内に制御する手段としては、例えば、（ｉ）予め厚さ１０〜７０μｍのガラス基板を用意しておいて使用すること、（ｉｉ）７０μｍを超える厚さ（例えば、厚さ３００μｍ超）のガラス基板を用意しておいて製造プロセス中に化学的エッチングにより１０〜７０μｍの範囲内に調整することなどが挙げられる。中でも、上記（ｉｉ）は、ガラス基板の強度、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性などの観点から好ましい。
＜ＴＦＴ配線層＞
ＴＦＴ(thin-film-transistor)は薄膜トランジスタをスイッチング素子として使用する表示素子であり、液晶ディスプレイ又は薄型テレビに幅広く使用される。ＴＦＴは、基板上に形成され、従来のリジッドディスプレイの場合、基板として、ガラス基板を用いられてきた。近年、折り曲げ可能なディスプレイの検討に伴って、耐熱性ポリイミドの使用も検討されている。
ＴＦＴ(thin-film-transistor)は薄膜トランジスタをスイッチング素子として使用する表示素子であり、液晶ディスプレイ又は薄型テレビに幅広く使用される。ＴＦＴは、基板上に形成され、従来のリジッドディスプレイの場合、基板として、ガラス基板を用いられてきた。近年、折り曲げ可能なディスプレイの検討に伴って、耐熱性ポリイミドの使用も検討されている。
従来、ＴＦＴ基板として透明ポリイミドを用いる場合、ガラス基板上に透明ポリイミド層を形成し、さらにＴＦＴ配線層を形成した後、レーザー剥離を行ない、ポリイミドをガラス基板から剥離することが検討されてきた。しかしながら、レーザー剥離のプロセスが非常に高価であること、剥離後のＴＦＴ配線層及びポリイミドの機械強度が不十分であるため、破れが発生し、製造工程の歩留まりが悪いこと等の問題が報告された。
これらの問題への対策として、本発明は、ＴＦＴ配線層の基板として、透明ポリイミド層及び厚さ１０〜７０μｍのガラス基板を用いて、プロセスの低コスト化／歩留まり向上、及び良好な機械特性を両立するものである。ここで、ＴＦＴ配線層の基板としては、ガラス基板の厚さは、１０〜７０μｍであり、１０〜５０μｍが好ましく、２０〜５０μｍがより好ましい。
＜カラーフィルター層＞
カラーフィルターは、画像又は映像の色を生み出すフィルターであり、その基板上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色のカラーレジストで構成されるパターンが形成され、隣接し合うカラーレジスト同士の混色を防ぐため、ブラックマトリクス（ＢＭ）によって境界が格子状に区切られている。このカラーフィルターの基板としては、従来のリジッドディスプレイの場合、基板として、ガラス基板を用いられてきた。近年、折り曲げ可能なディスプレイが検討され、耐熱性があるポリイミドの使用も検討されている。
カラーフィルターは、画像又は映像の色を生み出すフィルターであり、その基板上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色のカラーレジストで構成されるパターンが形成され、隣接し合うカラーレジスト同士の混色を防ぐため、ブラックマトリクス（ＢＭ）によって境界が格子状に区切られている。このカラーフィルターの基板としては、従来のリジッドディスプレイの場合、基板として、ガラス基板を用いられてきた。近年、折り曲げ可能なディスプレイが検討され、耐熱性があるポリイミドの使用も検討されている。
カラーフィルターの基板としてポリイミドを用いる場合、ガラス基板上にポリイミドを形成し、さらにカラーフィルターを形成した後、レーザー剥離を行ない、ポリイミドをガラス基板から剥離することが検討されてきた。しかしながら、レーザー剥離のプロセスが非常に高価であること、剥離後のカラーフィルター層の機械強度が不十分であるため、破れが発生し、製造工程の歩留まりが悪いこと等の問題が報告された。
これらの問題への対策として、本発明は、カラーフィルター層の基板として、透明ポリイミド層及び厚さ１０〜７０μｍのガラス基板を用いて、プロセスの低コスト化／歩留まり向上、及び良好な機械特性を両立するものである。ここで、カラーフィルター層の基板としては、ガラス基板の厚さは、１０〜７０μｍであり、１０〜５０μｍが好ましく、２０〜５０μｍがより好ましい。
＜透明ポリイミド層＞
透明ポリイミド層は、ポリイミドを含有し、かつ可視光線に対して透明な層である。透明ポリイミド層は、フレキシブル液晶表示装置に使用される観点から、無色透明であることができる。具体的には、従来の褐色のポリイミド（例：カプトン等）にはない、可視光領域４００ｎｍ〜７５０ｎｍにおける、７０％以上（１０μｍ厚換算）の光線透過率を本実施形態に係る透明ポリイミド層が有することができる。透明ポリイミド層に含まれるポリイミドは、ジアミン化合物と酸二無水物化合物を反応して得られるポリイミド前駆体を加熱することにより得られる樹脂であり、液晶表示装置のプロセスに求められる高耐熱性の特性を有している。
透明ポリイミド層は、ポリイミドを含有し、かつ可視光線に対して透明な層である。透明ポリイミド層は、フレキシブル液晶表示装置に使用される観点から、無色透明であることができる。具体的には、従来の褐色のポリイミド（例：カプトン等）にはない、可視光領域４００ｎｍ〜７５０ｎｍにおける、７０％以上（１０μｍ厚換算）の光線透過率を本実施形態に係る透明ポリイミド層が有することができる。透明ポリイミド層に含まれるポリイミドは、ジアミン化合物と酸二無水物化合物を反応して得られるポリイミド前駆体を加熱することにより得られる樹脂であり、液晶表示装置のプロセスに求められる高耐熱性の特性を有している。
ジアミン化合物としては、例えば、ジアミノジフェニルスルホン（例えば４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホンなど）、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、及び１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、９，９−ビス(４−アミノフェニル)フルオレン（ＢＡＦＬ）等が挙げられる。
上記ジアミン化合物の中でも、ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、及びＢＡＦＬの少なくとも一つが好ましい。
ポリイミド前駆体及びそれから得られるポリイミドは、下記一般式（１）：
｛式中、Ｒ１は、複数ある場合にはそれぞれ独立に、炭素数１〜５の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数６〜１０の１価の芳香族基を示し、Ｒ２は、複数ある場合にはそれぞれ独立に、炭素数１〜５の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数６〜１０の１価の芳香族基を示し、そしてｍは、１〜２００の整数を示す｝
で表される構造単位を含んでよい。
で表される構造単位を含んでよい。
ポリイミド前駆体及びそれから得られるポリイミドは、一般式（１）の構造単位を分子中のいずれの部位に有してもよいが、シロキサンモノマーの種類、コストの観点、及び得られるポリイミド前駆体の分子量の観点から、一般式（１）の構造は、ケイ素含有化合物、例えばケイ素含有ジアミンに由来することが好ましい。ケイ素含有ジアミンとしては、例えば、下記式（２）：
｛式中、Ｐ５は、それぞれ独立に、二価の炭化水素基を示し、同一でも異なっていてもよく、Ｐ３及びＰ４は、それぞれ一般式（１）で定義されたＲ１及びＲ２と同じであり、かつｌは、１〜２００の整数を表す。｝
で表されるジアミノ（ポリ）シロキサンが好ましい。
で表されるジアミノ（ポリ）シロキサンが好ましい。
一般式（２）で表される化合物としては、具体的には、両末端アミン変性メチルフェニルシリコーンオイル（信越化学社製：Ｘ２２−１６６０Ｂ−３（数平均分子量４４００）、Ｘ２２−９４０９（数平均分子量１３４０））、両末端酸無水物変性メチルフェニルシリコーンオイル（信越化学社製：Ｘ２２−１６８−Ｐ５−Ｂ（数平均分子量４２００））、両末端エポキシ変性メチルフェニルシリコーンオイル（信越化学社製：Ｘ２２−２０００（数平均分子量１２４０））、両末端アミノ変性ジメチルシリコーン（信越化学社製：Ｘ２２−１６１Ａ（数平均分子量１６００）、Ｘ２２−１６１Ｂ（数平均分子量３０００）、ＫＦ８０２１（数平均分子量４４００）、東レダウコーニング製：ＢＹ１６−８３５Ｕ（数平均分子量９００）チッソ社製：サイラプレーンＦＭ３３１１（数平均分子量１０００））等が挙げられる。
酸二無水物化合物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ノルボルナン−２−スピロ−２’−シクロペンタノン−５’−スピロ−２’’−ノルボルナン−５，５’’，６，６’’−テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−シクロヘキセン−１，２ジカルボン酸無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１−エチリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ−４，４’−ジフタル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、１，４−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２−ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、及び１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロヘキシル−３，３’，９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物（ＢＰＡＦ）等が挙げられる。
上記酸二無水物化合物の中でも、ＢＰＤＡ、ＯＤＰＡ、ＣｐＯＤＡ、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６ＦＤＡ、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１−エチリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ−４，４’−ジフタル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、１，４−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２−ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びＢＰＡＦの少なくとも一つが好ましい。
＜フレキシブル液晶表示装置の製造方法＞
本発明の別の態様は、ＴＦＴ配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法である。フレキシブル液晶表示装置の製造方法には、特に言及しないのであれば、フレキシブル液晶表示装置について上記で説明された構成要素、原料及びプロセス条件を、単独で又は組み合わせて使用してよい。
本発明の別の態様は、ＴＦＴ配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法である。フレキシブル液晶表示装置の製造方法には、特に言及しないのであれば、フレキシブル液晶表示装置について上記で説明された構成要素、原料及びプロセス条件を、単独で又は組み合わせて使用してよい。
フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第一実施形態は、以下の工程：
（Ａ−Ｉ）ＴＦＴ配線層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
（Ｂ−Ｉ）積層構造Ｉにおいて、ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程と、
を含む。
（Ａ−Ｉ）ＴＦＴ配線層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
（Ｂ−Ｉ）積層構造Ｉにおいて、ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程と、
を含む。
第一実施形態では、工程（Ａ−Ｉ）及び（Ｂ−Ｉ）によって、レーザー剥離を用いることなく、プロセスのコスト低減と歩留まり向上を図ると共に、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性を確保し得る。また、工程（Ａ−Ｉ）前又は工程（Ａ−Ｉ）中、７０μｍを超える厚さ（例えば、厚さ３００μｍ超）のガラス基板をＴＦＴ配線層のために用意しておいて、工程（Ｂ−Ｉ）では、化学的エッチングによりガラス基板の厚さを１０〜７０μｍの範囲内に調整するため、ガラス基板の強度とフレキシブル液晶表示装置の機械強度を向上させることができる。このような観点から、工程（Ｂ−Ｉ）ではガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整することが好ましく、１０〜２４μｍの範囲内に調整することがより好ましく、１０〜２０μｍの範囲内に調整することが更に好ましい。
図２及び図３を参照して、工程（Ａ−Ｉ）及び（Ｂ−Ｉ）を説明する。図２は、工程（Ｂ−Ｉ）より前に、例えば工程（Ａ−Ｉ）中に、ＴＦＴ配線層（３００）、透明ポリイミド層（２００）及び厚さ３００μｍ超のガラス基板（１００）を用いて形成された積層構造Ｉの模式断面図である。厚さ３００μｍ超のガラス基板（１００）上の透明ポリイミド層（２００）の形成は、例えば、窒素雰囲気下、ポリイミド前駆体樹脂組成物の塗布又は噴霧（その後、加熱してポリイミド化）、及びガラス基板（１００）と透明ポリイミド層（２００）の接着などにより行われることができる。また、透明ポリイミド層（２００）上のＴＦＴ配線層（３００）の形成は、金属（例えばＡｌなど）スパッタリング、リソグラフィ・パターニング、化学蒸着などにより行われることができる。
図３は、例えば工程（Ｂ−Ｉ）中又は工程（Ｂ−Ｉ）後、ガラス基板（１００）の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるまでエッチングされた積層構造Ｉの模式断面図である。エッチングは、厚さ１０μｍ以上のガラス基板（１００）を残すという観点から、化学的エッチングが好ましく、フッ化水素酸溶液によるエッチングがより好ましい。また、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、エッチング液は、平均粒径８０ｎｍ以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。工程（Ｂ−Ｉ）では、積層構造ＩのＴＦＴ配線層（３００）と透明ポリイミド層（２００）とを例えばシール材などでマスキングして、露出したガラス基板（１００）をエッチングすることが好ましい。
フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第二実施形態は、以下の工程：
（Ａ−ＩＩ）カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
（Ｂ−ＩＩ）積層構造ＩＩにおいて、ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む。
（Ａ−ＩＩ）カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
（Ｂ−ＩＩ）積層構造ＩＩにおいて、ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む。
第二実施形態では、工程（Ａ−ＩＩ）及び（Ｂ−ＩＩ）によって、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性を確保し得る。また、工程（Ａ−ＩＩ）前又は工程（Ａ−ＩＩ）中、７０μｍを超える厚さ（例えば、厚さ３００μｍ超）のガラス基板をカラーフィルター層のために用意しておいて、工程（Ｂ−ＩＩ）では、化学的エッチングによりガラス基板の厚さを１０〜７０μｍの範囲内に調整するため、ガラス基板の強度とフレキシブル液晶表示装置の機械強度を向上させることができる。このような観点から、工程（Ｂ−ＩＩ）ではガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整することが好ましく、１０〜２４μｍの範囲内に調整することがより好ましく、１０〜２０μｍの範囲内に調整することが更に好ましい。
図４及び図５を参照して、工程（Ａ−ＩＩ）及び（Ｂ−ＩＩ）を説明する。図４は、工程（Ｂ−ＩＩ）より前に、例えば工程（Ａ−ＩＩ）中に、カラーフィルター層（８００）、透明ポリイミド層（９００）及び厚さ３００μｍ超のガラス基板（１０００）を用いて形成された積層構造ＩＩの模式断面図である。厚さ３００μｍ超のガラス基板（１０００）上の透明ポリイミド層（９００）の形成は、例えば、窒素雰囲気下、ポリイミド前駆体樹脂組成物の塗布又は噴霧（その後、加熱してポリイミド化）、及びガラス基板（１０００）と透明ポリイミド層（９００）の接着などにより行われることができる。また、透明ポリイミド層（９００）上のカラーフィルター層（８００）の形成は、既知のカラーフィルター及びブラックマトリクス製法に従って行われることができる。
図５は、例えば工程（Ｂ−ＩＩ）中又は工程（Ｂ−ＩＩ）後、ガラス基板（１０００）の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるまでエッチングされた積層構造ＩＩの模式断面図である。エッチングは、厚さ１０μｍ以上のガラス基板（１０００）を残すという観点から、化学的エッチングが好ましく、フッ化水素酸溶液によるエッチングがより好ましい。また、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、エッチング液は、平均粒径８０ｎｍ以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。工程（Ｂ−ＩＩ）では、積層構造ＩＩのカラーフィルター層（８００）と透明ポリイミド層（９００）とを例えばシール材などでマスキングして、露出したガラス基板（１０００）をエッチングすることが好ましい。
フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第三実施形態は、液晶表示ユニットを提供し、上記で説明された工程（Ａ−Ｉ）、（Ａ−ＩＩ）、（Ｂ−Ｉ）及び（Ｂ−ＩＩ）の全てを行ない、かつ液晶表示ユニットと積層構造Ｉと積層構造ＩＩとをシール材を介して接合して、積層構造ＩのＴＦＴ配線層と積層構造ＩＩのカラーフィルター層の間に液晶を注入し、液晶層を形成するものである。図６は、第三実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の製造方法のフロー概略図である。
また、上記で説明された工程（Ａ−Ｉ）、（Ｂ−Ｉ）を行い、かつ液晶表示ユニットと積層構造Ｉと積層構造ＩＩとをシール材を介して接合して、積層構造ＩのＴＦＴ配線層（３００）と積層構造ＩＩのカラーフィルター層（８００）の間に液晶を注入し、液晶層（５００）を形成することもできる（図６ａ）。その後、下記工程；
（Ｂ−ＩＩＩ）積層構造Ｉ及び積層構造ＩＩにおいて、ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程を経て、積層構造Ｉ及び積層構造ＩＩのガラス基板（１００，１０００）をエッチングすることで（図６ｂ）、上記同様のフレキブル液晶表示装置（１）を得ることができる。
また、上記で説明された工程（Ａ−Ｉ）、（Ｂ−Ｉ）を行い、かつ液晶表示ユニットと積層構造Ｉと積層構造ＩＩとをシール材を介して接合して、積層構造ＩのＴＦＴ配線層（３００）と積層構造ＩＩのカラーフィルター層（８００）の間に液晶を注入し、液晶層（５００）を形成することもできる（図６ａ）。その後、下記工程；
（Ｂ−ＩＩＩ）積層構造Ｉ及び積層構造ＩＩにおいて、ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程を経て、積層構造Ｉ及び積層構造ＩＩのガラス基板（１００，１０００）をエッチングすることで（図６ｂ）、上記同様のフレキブル液晶表示装置（１）を得ることができる。
工程（Ｂ−Ｉ）、（Ｂ−ＩＩ）、及び（Ｂ−ＩＩＩ）におけるガラス基板を薄膜化する方法としては、化学的エッチングと物理的研磨があるが、研磨の場合にはマイクロスクラッチが発生する可能性があり、光学補償の観点から、化学的エッチングの方が好ましい。
第一、第二及び第三実施形態に係る製造方法によって、図１に示されるフレキシブル液晶表示装置（１）を得ることができる。
（透明ポリイミド前駆体の合成）
＜合成例１＞
撹拌棒付き３Ｌセパラブルフラスコに、窒素ガスを導入しながらＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）２３３ｇを加え、ジアミンとしてＴＦＭＢ（２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン）３１．１ｇ、ケイ素含有化合物としてＸ−２２−１６６０Ｂ−３（両末端アミン変性メチルフェニルシリコーンオイル、数平均分子量４４００、信越化学社製）１３．２０ｇを撹拌しながら加え、続いて酸二無水物としてＢＰＡＦ（９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物）２２．９ｇ、ＰＭＤＡ（ピロメリット酸二無水物）１０．９ｇを加えた。ここでは、酸二無水物：ジアミンのモル比は、１００：９９であった。次に、オイルバスを用いてフラスコを８０℃に昇温し、３時間撹拌した後、オイルバスを外して室温に戻し、透明なポリアミド酸のＮＭＰ溶液（以下、ワニスＡとも記す）を得た。得られたワニスは冷凍庫で保管し、評価をする際は解凍して使用した。
＜合成例１＞
撹拌棒付き３Ｌセパラブルフラスコに、窒素ガスを導入しながらＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）２３３ｇを加え、ジアミンとしてＴＦＭＢ（２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン）３１．１ｇ、ケイ素含有化合物としてＸ−２２−１６６０Ｂ−３（両末端アミン変性メチルフェニルシリコーンオイル、数平均分子量４４００、信越化学社製）１３．２０ｇを撹拌しながら加え、続いて酸二無水物としてＢＰＡＦ（９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物）２２．９ｇ、ＰＭＤＡ（ピロメリット酸二無水物）１０．９ｇを加えた。ここでは、酸二無水物：ジアミンのモル比は、１００：９９であった。次に、オイルバスを用いてフラスコを８０℃に昇温し、３時間撹拌した後、オイルバスを外して室温に戻し、透明なポリアミド酸のＮＭＰ溶液（以下、ワニスＡとも記す）を得た。得られたワニスは冷凍庫で保管し、評価をする際は解凍して使用した。
＜合成例２＞
撹拌棒付き３Ｌセパラブルフラスコに、窒素ガスを導入しながらＮＭＰ（４０５ｇ）を加え、ジアミンとしてＴＦＭＢ（１２．６ｇ）、ＢＡＦＬ（１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン）２０．５ｇを撹拌しながら加え、続いて酸二無水物としてＣｐＯＤＡ（ルボルナン−２−スピロ−２’−シクロペンタノン−５’−スピロ−２’’−ノルボルナン−５，５’’，６，６’’−テトラカルボン酸二無水物）３８．４ｇを加えた。ここでは、酸二無水物：ジアミンのモル比は、１００：９８であった。次に、オイルバスを用いてフラスコを８０℃に昇温し、３時間撹拌した後、オイルバスを外して室温に戻し、透明なポリアミド酸のＮＭＰ溶液（以下、ワニスＢとも記す）を得た。得られたワニスは冷凍庫で保管し、評価をする際は解凍して使用した。
撹拌棒付き３Ｌセパラブルフラスコに、窒素ガスを導入しながらＮＭＰ（４０５ｇ）を加え、ジアミンとしてＴＦＭＢ（１２．６ｇ）、ＢＡＦＬ（１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン）２０．５ｇを撹拌しながら加え、続いて酸二無水物としてＣｐＯＤＡ（ルボルナン−２−スピロ−２’−シクロペンタノン−５’−スピロ−２’’−ノルボルナン−５，５’’，６，６’’−テトラカルボン酸二無水物）３８．４ｇを加えた。ここでは、酸二無水物：ジアミンのモル比は、１００：９８であった。次に、オイルバスを用いてフラスコを８０℃に昇温し、３時間撹拌した後、オイルバスを外して室温に戻し、透明なポリアミド酸のＮＭＰ溶液（以下、ワニスＢとも記す）を得た。得られたワニスは冷凍庫で保管し、評価をする際は解凍して使用した。
（試験サンプルの作製）
＜実施例１＞
縦３００ｍｍ×横３５０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス基板（以下、「ガラス基板」又は単に「基板」ともいう）に、ガラス基板の端から５ｍｍ内側のエリアに、合成例１のポリイミド前駆体組成物（ワニスＡ）を、イミド化後の膜厚が１０μｍになるように塗布した。塗布にはスリットコーター（ＬＣ−Ｒ３００Ｇ、ＳＣＲＥＥＮファインテックソリューションズ製）を用いた。得られた塗膜付きガラス基板から、減圧乾燥機（東京応化工業製）で８０℃、１００Ｐａ及び３０分間の条件下で溶媒を除去した。得られたポリイミド前駆体組成物の塗膜を有するガラス基板を、オーブン（ＩＮＨ−９Ｎ１ 光洋サーモシステム株式会社製）を用いて、窒素雰囲気下（酸素濃度３００ｐｐｍ以下）、４００℃で１時間加熱して、ガラス基板上にポリイミド層を形成し、ポリイミド層が透明なことを目視で確認した。
＜実施例１＞
縦３００ｍｍ×横３５０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス基板（以下、「ガラス基板」又は単に「基板」ともいう）に、ガラス基板の端から５ｍｍ内側のエリアに、合成例１のポリイミド前駆体組成物（ワニスＡ）を、イミド化後の膜厚が１０μｍになるように塗布した。塗布にはスリットコーター（ＬＣ−Ｒ３００Ｇ、ＳＣＲＥＥＮファインテックソリューションズ製）を用いた。得られた塗膜付きガラス基板から、減圧乾燥機（東京応化工業製）で８０℃、１００Ｐａ及び３０分間の条件下で溶媒を除去した。得られたポリイミド前駆体組成物の塗膜を有するガラス基板を、オーブン（ＩＮＨ−９Ｎ１ 光洋サーモシステム株式会社製）を用いて、窒素雰囲気下（酸素濃度３００ｐｐｍ以下）、４００℃で１時間加熱して、ガラス基板上にポリイミド層を形成し、ポリイミド層が透明なことを目視で確認した。
次に、ポリイミド層が形成されたガラス基板全体に、アルミニウムを１００ｎｍの厚さでスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、アルミニウムパターンを形成した。続いて、基板全体に、ＣＶＤ法によりＳｉＮ層を厚さ２００ｎｍで成膜した。
その後、基板のＳｉＮ層が形成された方の表面及び基板側面に、アクリル系のシール材を塗布した。
ガラス基板をエッチングするため、シール材が塗布された基板を濃度５０ｗｔ％の高純度フッ化水素酸（ステラケミファ株式会社製）のエッチング漕に浸漬し、ガラス基板の膜厚が７０μｍになるまでエッチングを行い、超純水で洗浄を行った。ガラス基板の厚さは、基板を割断し、エポキシで包埋後、断面を光学顕微鏡で観察することにより評価した。
その後、エッチングされたサンプルをアルカリ剥離液（ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム））に浸漬することでシール材を除去し、評価サンプルを得た。
＜実施例２〜４、比較例１，２＞
エッチング条件を調整することで、表１に記載のガラス基板の厚さにすること以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。
エッチング条件を調整することで、表１に記載のガラス基板の厚さにすること以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。
＜実施例５〜７、比較例４，５＞
用いるワニスをワニスＢに変更し、かつ表１に記載のガラス基板の厚さにすること以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。
用いるワニスをワニスＢに変更し、かつ表１に記載のガラス基板の厚さにすること以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。
＜比較例３＞
実施例１において、ガラス基板のエッチング行う前のサンプルを用いて、ポリイミドが形成されたガラス基板のガラス基板の方から、エキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を照射し、ガラス基板からポリイミドを剥離した（ガラス基板なし）。
実施例１において、ガラス基板のエッチング行う前のサンプルを用いて、ポリイミドが形成されたガラス基板のガラス基板の方から、エキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を照射し、ガラス基板からポリイミドを剥離した（ガラス基板なし）。
＜比較例６＞
縦３００ｍｍ×横３５０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス基板（以下、「ガラス基板」又は単に「基板」ともいう）に、アルミニウムを１００ｎｍの厚さでスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、アルミニウムパターンを形成した。続いて、基板全体に、ＣＶＤ法によりＳｉＮ層を厚さ２００ｎｍで成膜し、ＰＩフィルム無しの基板を作製した。
縦３００ｍｍ×横３５０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス基板（以下、「ガラス基板」又は単に「基板」ともいう）に、アルミニウムを１００ｎｍの厚さでスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、アルミニウムパターンを形成した。続いて、基板全体に、ＣＶＤ法によりＳｉＮ層を厚さ２００ｎｍで成膜し、ＰＩフィルム無しの基板を作製した。
その後、基板のＳｉＮ層が形成された方の表面及び基板側面に、アクリル系のシール材を塗布して積層体を得た。
ガラス基板の薄膜化をエッチングに替えて研磨することにより行った。具体的には、前記積層体のシール材を塗布した側を研磨装置の研磨用ヘッドに固定し、研磨用ヘッドを回転するとともに、研磨パッドも回転することにより、研磨を行なった。研磨スラリーとして平均粒径８０ｎｍ以下のコロイダルシリカを用いて、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で研磨を行った。その後、上記の研磨パッドとスラリーを仕上げ用の研磨パッドとスラリーに変更して仕上げ研磨を行い、ガラス基板の厚さが２４μｍになるまでエッチングを行い、超純水で洗浄を行った。ガラス基板の厚さは、基板を割断し、エポキシで包埋した後、基板の断面を光学顕微鏡で観察することにより評価した。
その後、積層体をアルカリ剥離液（ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム））に浸漬することでシール材を除去し、評価サンプルを得た。
（アルミ表面光学顕微鏡観察）
実施例及び比較例で得られた基板のアルミ表面を、光学顕微鏡で観察した（以下「ＯＭ観察」ともいう）。観察結果を下記基準で評価した。
Ａ（可）： アルミ表面に侵食が観察されない。
Ｂ（不可）： アルミ表面に侵食が観察される。
実施例及び比較例で得られた基板のアルミ表面を、光学顕微鏡で観察した（以下「ＯＭ観察」ともいう）。観察結果を下記基準で評価した。
Ａ（可）： アルミ表面に侵食が観察されない。
Ｂ（不可）： アルミ表面に侵食が観察される。
侵食が観察されたのは、ガラス基板の厚さが５μｍ以下のサンプルであった。これは、ガラス基板に薄い箇所があり、そこでは、ポリイミドがフッ酸（ＨＦ）で侵食され、その後アルミニウムが侵食されたためと考えられる。
（折り曲げ耐性評価）
実施例及び比較例で得られた基板の折り曲げ評価を行った。具体的には、基板にクラックが発生しない、最小の曲率半径の評価を行った。曲率半径を測定することで、折り曲げ耐性評価を下記基準で行った。
Ａ（優）： 曲率半径が３０ｍｍ以下
Ｂ（良）： 曲率半径が３０ｍｍ超４０ｍｍ以下
Ｃ（可）： 曲率半径が４０ｍｍ超５０ｍｍ以下
Ｄ（不可）： 曲率半径が５０ｍｍ超
実施例及び比較例で得られた基板の折り曲げ評価を行った。具体的には、基板にクラックが発生しない、最小の曲率半径の評価を行った。曲率半径を測定することで、折り曲げ耐性評価を下記基準で行った。
Ａ（優）： 曲率半径が３０ｍｍ以下
Ｂ（良）： 曲率半径が３０ｍｍ超４０ｍｍ以下
Ｃ（可）： 曲率半径が４０ｍｍ超５０ｍｍ以下
Ｄ（不可）： 曲率半径が５０ｍｍ超
曲率半径が大きいのは、ガラス基板の厚さが１０μｍ以下のサンプルであった。これは、ガラス基板が厚いため、ガラスが割れたためと考えられる。
また、実施例７と比較例６の対比から、ガラス基板の厚さが同じ場合でも、ガラス基板のみでは折り曲げ耐性が無いが、ガラス基板とＰＩフィルムの複合材は、十分な折り曲げ耐性が確認された。
また、実施例７と比較例６の対比から、ガラス基板の厚さが同じ場合でも、ガラス基板のみでは折り曲げ耐性が無いが、ガラス基板とＰＩフィルムの複合材は、十分な折り曲げ耐性が確認された。
（カール評価）
実施例及び比較例で得られた基板のカール評価を行った。具体的には、得られたサンプルを一昼夜２３℃、５０Ｒｈ％の恒温室に静置保存した。その後、平滑なガラス板の上にガラス基板側が下になるよう更に３０分間で静置した。サンプルがガラス板から浮いている箇所の最大量をカール量として測定し、以下の基準で評価を行った。
Ａ（可）： カール量が１５ｍｍ以下
Ｂ（不可）： カール量が１５ｍｍを超える、または筒状である
実施例及び比較例で得られた基板のカール評価を行った。具体的には、得られたサンプルを一昼夜２３℃、５０Ｒｈ％の恒温室に静置保存した。その後、平滑なガラス板の上にガラス基板側が下になるよう更に３０分間で静置した。サンプルがガラス板から浮いている箇所の最大量をカール量として測定し、以下の基準で評価を行った。
Ａ（可）： カール量が１５ｍｍ以下
Ｂ（不可）： カール量が１５ｍｍを超える、または筒状である
カール量が大きいのは、ガラス基板の厚さが５μｍ以下のサンプル、又はガラス基板無しのサンプルであった。ポリイミドと無機膜の吸水による伸びの違い等により、カールが発生したと思われる。
ポリイミド前駆体のワニス種類、ガラス基板の厚さ、各種の評価結果について、下記表１に示す。
（フレキシブル液晶表示装置の製造）
上記実施例７（ガラス基板の厚さ：２４μｍ）のサンプルを用いて、ＳｉＮ膜上に１００ｎｍのＰｏｌｙ−Ｓｉ層をＣＶＤで形成した後、３８０℃でアニール処理を行った。さらに、ＴＦＴ配線層の上に配向膜を形成した。続いて、液晶セルの境界にアクリル系のシール材を形成し、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下することで、ＴＦＴ基板を作製した。
上記実施例７（ガラス基板の厚さ：２４μｍ）のサンプルを用いて、ＳｉＮ膜上に１００ｎｍのＰｏｌｙ−Ｓｉ層をＣＶＤで形成した後、３８０℃でアニール処理を行った。さらに、ＴＦＴ配線層の上に配向膜を形成した。続いて、液晶セルの境界にアクリル系のシール材を形成し、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下することで、ＴＦＴ基板を作製した。
他方、別のガラス基板（厚さ：７００μｍ）上に上記実施例と同様にポリイミド層を形成した後、ポリイミド層表面にブラックマトリクス及びカラーフィルターを形成した。その後、カラーフィルター上に配向膜を形成した。続いて、配向膜上に実施例７と同様にして、ガラス基板が厚さ２４μｍになるようにエッチングを行うことで、カラーフィルター基板を作製した。
シール材を介して、上記ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板を接着し、フレキシブル液晶表示装置を製造した。なお、このフレキシブル液晶表示装置は、厚さ２４μｍのガラス基板とポリイミド層を基板とするＴＦＴ基板と、厚さ２４μｍのガラス基板とポリイミド層を基板とするカラーフィルター基板を備え、機械強度と曲げ耐性とカール性に優れる。
１ フレキシブル液晶表示装置
１００ ガラス基板（ＴＦＴ配線層基板）
２００ 透明ポリイミド層（ＴＦＴ配線層基板）
３００ ＴＦＴ配線層
４００ 配向膜
５００ 液晶層
６００ シール材
７００ 配向膜
８００ カラーフィルター層
９００ 透明ポリイミド層（カラーフィルター層基板）
１０００ ガラス基板（カラーフィルター層基板）
１００ ガラス基板（ＴＦＴ配線層基板）
２００ 透明ポリイミド層（ＴＦＴ配線層基板）
３００ ＴＦＴ配線層
４００ 配向膜
５００ 液晶層
６００ シール材
７００ 配向膜
８００ カラーフィルター層
９００ 透明ポリイミド層（カラーフィルター層基板）
１０００ ガラス基板（カラーフィルター層基板）
Claims (25)
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。 - 前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、請求項１に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、請求項１又は２に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。 - 前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記ＴＦＴ配線層の支持体である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。 - 前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、請求項６に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、請求項６又は７に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。 - 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。 - 前記ガラス基板の厚さが、１０〜５０μｍである、請求項１０に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 前記ガラス基板の厚さが、１０〜２４μｍである、請求項１０又は１１に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０〜７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。 - 前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記カラーフィルター層の支持体である、請求項６〜１３のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、及び９，９−ビス(４−アミノフェニル)フルオレン（ＢＡＦＬ）から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ノルボルナン−２−スピロ−２’−シクロペンタノン−５’−スピロ−２’’−ノルボルナン−５，５’’，６，６’’−テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１−エチリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ−４，４’−ジフタル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、１，４−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２−ビス［３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びビシクロヘキシル−３，３’，９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物（ＢＰＡＦ）から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層の間に、前記液晶層がある、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。 - 前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、請求項１８に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
- 前記エッチング工程では、前記ＴＦＴ配線層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、請求項１８又は１９に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。 - 前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、請求項２１に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
- 前記エッチング工程では、前記カラーフィルター層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、請求項２１又は２２に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層を、シール材を介して接合する工程と、
前記積層構造Ｉ及びＩＩにおいて前記ガラス基板の厚さが１０〜７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。 - 前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０〜５０μｍの範囲内に調整する、請求項２４に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019146348 | 2019-08-08 | ||
| JP2019146348 | 2019-08-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021026232A true JP2021026232A (ja) | 2021-02-22 |
Family
ID=74357730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020119918A Pending JP2021026232A (ja) | 2019-08-08 | 2020-07-13 | フレキシブル液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021026232A (ja) |
| CN (1) | CN112346273A (ja) |
| TW (1) | TWI743925B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114141840A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性基板及其制备方法以及柔性显示器 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011227205A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| WO2014035942A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Corning Incorporated | Strengthened thin glass-polymer laminates |
| JP2015096313A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルム積層体および液晶パネルの製造方法 |
| WO2015194324A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | 旭硝子株式会社 | 複合体 |
| CN104765188B (zh) * | 2015-04-07 | 2018-01-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性液晶显示器 |
| CN107994134B (zh) * | 2017-11-09 | 2020-01-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法 |
| CN109839770A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 柔性显示面板及基于其的柔性液晶显示器 |
| CN108962028B (zh) * | 2018-07-10 | 2020-03-31 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示屏盖板、柔性显示模组和柔性显示装置 |
-
2020
- 2020-07-13 JP JP2020119918A patent/JP2021026232A/ja active Pending
- 2020-08-05 TW TW109126487A patent/TWI743925B/zh active
- 2020-08-07 CN CN202010786822.2A patent/CN112346273A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114141840A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性基板及其制备方法以及柔性显示器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202121024A (zh) | 2021-06-01 |
| TWI743925B (zh) | 2021-10-21 |
| CN112346273A (zh) | 2021-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7095024B2 (ja) | ポリイミド前駆体、樹脂組成物および樹脂フィルムの製造方法 | |
| JP7055832B2 (ja) | ポリイミド前駆体、樹脂組成物、樹脂フィルム及びその製造方法 | |
| JP6476278B2 (ja) | ポリイミド前駆体樹脂組成物 | |
| KR101994059B1 (ko) | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 폴리이미드 수지막, 수지 필름 및 그 제조 방법 | |
| JP6457168B2 (ja) | 表示装置支持基材用ポリイミドフィルム、及びその積層体、並びその製造方法 | |
| WO2015198970A1 (ja) | 空隙を有するポリイミドフィルム及びその製造方法 | |
| KR20190022487A (ko) | 폴리이미드 수지, 폴리이미드 수지 조성물, 그것을 사용한 터치 패널 및 그의 제조 방법, 컬러 필터 및 그의 제조 방법, 액정 소자 및 그의 제조 방법, 유기 el 소자 및 그의 제조 방법 | |
| JP7363142B2 (ja) | ポリイミド前駆体樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物およびその膜状物、それを含む積層体、ならびにフレキシブルデバイス | |
| TW201920485A (zh) | 聚醯亞胺前驅物樹脂組成物、聚醯亞胺樹脂組成物、聚醯亞胺樹脂膜、積層體的製造方法、彩色濾光片的製造方法、液晶元件的製造方法以及有機el元件的製造方法 | |
| JP2021026232A (ja) | フレキシブル液晶表示装置 | |
| WO2020241523A1 (ja) | ポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂組成物 | |
| JP7053807B2 (ja) | ケイ素含有化合物 | |
| JP7371813B2 (ja) | 積層基板、積層体、積層体の製造方法、電子デバイス用部材付き積層体、電子デバイスの製造方法 | |
| JP7483480B2 (ja) | ポリイミド前駆体、ポリイミド樹脂組成物、並びにポリイミド樹脂フィルム及びその製造方法 | |
| WO2024048740A1 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP7506152B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP2023008995A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP2023008992A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP2023016028A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP2024035165A (ja) | 樹脂組成物 | |
| WO2021193530A1 (ja) | 樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物、ディスプレイおよびその製造方法 | |
| JP2021024969A (ja) | ポリイミド前駆体樹脂組成物 | |
| JP2023008996A (ja) | 樹脂組成物 | |
| TW201245280A (en) | Novel photosensitive colorless poly (amic acid)-silica hybrid material and its preparation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230711 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240123 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240124 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240521 |