JP2021022648A - 光電変換層、太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム - Google Patents
光電変換層、太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム Download PDFInfo
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Abstract
Description
第1実施形態は、光電変換層10に関する。図1に第1実施形態の光電変換層10の概念図を示す。光電変換層10は、例えば透明な電極が形成された基板上に設けられた半導体層である。光電変換層10は、p型で亜酸化銅(Cu2O)を主体(光電変換層10の90wt%以上がCu2Oで構成されている)とする半導体層である。
また、p型ドーパントの濃度が高すぎると光電変換層10がp+型化してしまうことや、バンドギャップが狭くなりやすいため、上記好適な範囲内であることが好ましい。光電変換層10中のp型ドーパント濃度のより好ましい範囲は、1×1015atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下である。
第2実施形態は、太陽電池に関する。太陽電池は、第1実施形態の光電変換層10を用いる。図3に、第2実施形態の太陽電池100の概念図を示す。図3に示すように、本実施形態に係る太陽電池100は、第1電極1と、第1電極1上に光電変換層10と、光電変換層10上にn型層2と、n型層2上に第2電極3と、を備える。第1電極1と光電変換層10との間やn型層2と第2電極3との間等には、図示しない中間層が含まれていてもよい。光は第1電極1側から入射しても第2電極10側から入射してもよい。光が太陽電池100に入射して発電することができる。
実施形態の第1電極1は、光電変換層10側に設けられた透明な導電層である。図3では、第1電極1は、光電変換層10と直接接している。第1電極1としては、透明導電膜、透明導電膜と金属膜を積層したものが好ましい。透明導電膜としては、酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxide;ITO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(Al-doped Zinc Oxide;AZO)、ボロンドープ酸化亜鉛(Boron-doped Zinc Oxide;BZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(Gallium-doped Zinc Oxide;GZO)、フッ素ドープ酸化スズ(Fluorine-doped Tin Oxide;FTO)、アンチモンドープ酸化スズ(Antimony-doped Tin Oxide;ATO)、チタンドープ酸化インジウム(Titanium-doped Indium Oxide;ITiO)、酸化インジウム酸化亜鉛(Indium Zinc Oxide;IZO)や酸化インジウムガリウム亜鉛(Indium Gallium Zinc Oxide;IGZO)、タンタルドープ酸化スズ(Ta-doped Tin Oxide;SnO2:Ta)、ニオブドープ酸化スズ(Nb-doped Tin Oxide;SnO2:Nb)、タングステンドープ酸化スズ(W-doped Tin Oxide;SnO2:W)、モリブデンドープ酸化スズ(Mo-doped Tin Oxide;SnO2:Mo)、フッ素ドープ酸化スズ(F-doped Tin Oxide;SnO2:F)、水素ドープ酸化インジウム(Hydrogen-doped Indium Oxide;IOH)など特に限定されない。透明導電膜は、複数の膜を持つ積層膜であってもよく、上記酸化物の他に酸化スズなどの膜が積層膜に含まれていてもよい。酸化スズなどの膜へのドーパントとしては、In、Si、Ge、Ti、Cu、Sb、Nb、F、Ta、W、Mo、F、Clなど特に限定されない。金属膜としては、Mo、Au、Cu、Ag、Al、TaやWの膜など特に限定されない。また、第1電極1は、透明導電膜の下にドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属を設けた電極でもよい。このとき、ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、透明導電膜の光電変換層10とは反対側に配置される。ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、透明導電膜に対して開口率が50%以上であることが好ましい。ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、Mo、Au、Cu、Ag、Al、TaやWなど特に限定されない。第1電極1に金属膜を用いる場合、透過性の観点から5nm以下程度の膜厚とすることが好ましい。
実施形態の光電変換層10は、第1実施形態の光電変換層である。
n型層2は、光電変換層10と第2電極3の間に配置された半導体層である。n型層2の光電変換層0を向く面は、光電変換層10のn型層2を向く面と直接的に接していることが好ましい。第2半導体層3は、n型層又はバッファー層とも言う。n型層2としては、酸化物又は硫化物のn型の半導体層であることが好ましい。n型層2はアモルファスの薄膜であることが好ましい。第2半導体層3に用いられる酸化物としては、特に限定されるものではないが、ZnxAyMzOw(AはSi、Ge及びSnからなる群より選ばれる1種以上の元素、Mは、B、Al、Ga、In及びGeからなる群から選ばれる1種以上の元素、0.90≦x+y≦1.00、0.00≦z≦0.30、0.90≦w≦1.10)、Cu(2−x)MxO(M=Mn、Mg、Ca、Zn、Sr、Ba、Al、Ga、In、Nb、ランタノイド)、Cu2O:F、Cu2O:N、Cu2O:B、Cu2O:Cl、Cu2O:Br及びCu2O:I、Al(2−x)GaxO3からなる群から選ばれる酸化物が好ましい。第2半導体層3に用いる硫化物としては、特に限定されるものではないが、ZnxIn(2−2x)S(3−2x)、ZnS及びInxGa(1−x)Sからなる群から選ばれる1種以上の硫化物が好ましい。xの範囲は0≦x≦1、yの範囲は0≦y≦2である。
実施形態の第2電極3は、n型層2上に設けられた透明な導電層である。第2電極3は、第1電極1で挙げた電極と同様の透明電極を用いることが好ましい。第2電極4は、透明導電膜の上にドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属を設けた電極でもよい。ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、透明導電膜に対して開口率が50%以上であることが好ましい。ドット状、ライン状もしくはメッシュ状の金属は、Mo、Au、Cu、Ag、Al、TaやWなど特に限定されない。第2電極4に金属膜を用いる場合、透過性の観点から5nm以下程度の膜厚とすることが好ましい。第2電極4は、第1電極1で挙げた電極と同様の透明電極を用いることが好ましい。第2電極3としては他にも金属ワイヤーを含む取出電極が設けられた多層グラフェン等の他の透明電極を採用することもできる。
実施形態の反射防止膜は、光電変換層10へ光を導入しやすくするための膜であって、第1電極1上又は第2電極3上の光電変換層10側とは反対側に形成されていることが好ましい。反射防止膜としては、例えば、MgF2やSiO2を用いることが望ましい。なお、実施形態において、反射防止膜を省くことができる。各層の屈折率に応じて膜厚を調整する必要があるが、70〜130nm(好ましくは、80〜120nm)程度の厚さの薄膜を蒸着することが好ましい。
第3実施形態は、多接合型太陽電池に関する。図4に第2実施形態の多接合型太陽電池200の断面概念図を示す。図4の多接合型太陽電池200は、光入射側に第2実施形態の太陽電池(第1太陽電池)100と、第2太陽電池201を有する。第2太陽電池201の光電変換層のバンドギャップは、第1実施形態の太陽電池100の光電変換層3よりも小さいバンドギャップを有する。なお、実施形態の多接合型太陽電池は、3以上の太陽電池を接合させた太陽電池も含まれる。
第4実施形態は、太陽電池モジュールに関する。図5に第4実施形態の太陽電池モジュール300の斜視概念図を示す。図5の太陽電池モジュール300は、第1太陽電池モジュール301と第2太陽電池モジュール302を積層した太陽電池モジュールである。第1太陽電池モジュール301は、光入射側であり、第2実施形態の太陽電池100を用いている。第2太陽電池モジュール302には、第2太陽電池201を用いることが好ましい。
第5実施形態は太陽光発電システムに関する。第4実施形態の太陽電池モジュール300は、第5実施形態の太陽光発電システムにおいて、発電を行う発電機として用いることができる。実施形態の太陽光発電システムは、太陽電池モジュールを用いて発電を行うものであって、具体的には、発電を行う太陽電池モジュールと、発電した電気を電力変換する手段と、発電した電気をためる蓄電手段又は発電した電気を消費する負荷とを有する。図7に実施形態の太陽光発電システム400の構成概念図を示す。図7の太陽光発電システムは、太陽電池モジュール401(300)と、電力変換装置402と、蓄電池403と、負荷404とを有する。蓄電池403と負荷404は、どちらか一方を省略しても良い。負荷404は、蓄電池403に蓄えられた電気エネルギーを利用することもできる構成にしてもよい。電力変換装置402は、変圧や直流交流変換などの電力変換を行う回路又は素子を含む装置である。電力変換装置402の構成は、発電電圧、蓄電池403や負荷404の構成に応じて好適な構成を採用すればよい。
実施例1では、基板に白板ガラス基板を用い、裏面側の第1電極としてSbドープしたSnO2を含む透明導電膜を用いる。第1電極上に酸素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中でGeとCuをターゲットに用いてスパッタリング法により基板を450℃で加熱して光電変換層としてGeがドープされた亜酸化銅化合物を成膜する。その後、原子層堆積法により光電変換層上にn型層としてZn−Ge−Oを形成する。その後表面側の第2電極としてAZO透明導電膜を堆積する。その上に反射防止膜としてMgF2を堆積して太陽電池を得る。
。また、太陽電池の透過率を測定し、フォトルミネッセンス法により光電変換層のバンドギャップを求める。また、得られる太陽電池の断面をSIMSで観察し各元素の濃度を求める。
光電変換層を成膜する際にGeの代わりにTaを用いたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGeの代わりにInを用いたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGeだけでなく、更にTaとInを用いたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGeだけでなく、更にTaを用いたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGeの代わりにTa及びInを用いたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGeのスパッタ量を多くしたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGeのスパッタ量を実施例7よりも多くしたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGeのスパッタ量を少なくしたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGeのスパッタ量を実施例9よりも少なくしたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるGe量の変動を少なくした以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるGe量の変動を実施例11よりも少なくした以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるGe量の変動を多くした以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるGe量の変動を多くした以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
実施例1と同様に光電変換層を成膜する。そして、n型層としてZn−Si−Oを成膜し、Siを光電変換層に拡散させること以外は、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行ない、更に、光電変換層のn型層側の表面から10nmまでの深さのp型ドーパント濃度を測定する。
実施例1と同様に光電変換層を成膜する。そして、n型層を成膜し、n型層からGeを光電変換層に拡散させること以外は、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行ない、更に、光電変換層のn型層側の表面から10nmまでの深さのp型ドーパント濃度を測定する。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるGe量を少なくした以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるTa量を少なくした以外は、実施例2と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるIn量を少なくした以外は、実施例3と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際に光電変換層の厚さ方向の中心部分におけるドーピングされるGe量を少なくした以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際に第1電極側にドーピングされるGe量を少なくした以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際に成膜速度を遅くしたこと以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にGe、Ta及びInのいずれも用いずに成膜した以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるGe量を非常に多くした以外は、実施例1と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるTa量を非常に多くした以外は、実施例2と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
光電変換層を成膜する際にドーピングされるIn量を少なくした以外は、実施例3と同様に光電変換層を成膜し、さらに、実施例1と同様に太陽電池を得る。そして、実施例1と同様に各種測定を行なう。
明細書中、一部の元素は、元素記号のみで表している。
Claims (10)
- Cu2Oを主体とし、Ge,Ta及びInからなる群より選ばれる1種以上のp型ドーパントを含み、バンドギャップが2.10eV以上2.30eV以下である光電変換層。
- 前記光電変換層中のp型ドーパントの濃度の最低値が1×1015atoms/cm3以上であり、
前記光電変換層中のp型ドーパントの濃度の最高値が1×1020atoms/cm3以下である請求項1に記載の光電変換層。 - 前記光電変換層中のp型ドーパントの濃度の平均値が1×1015atoms/cm3以上1×1019atoms/cm3以下である請求項1又は2に記載の光電変換層。
- 前記光電変換層中のp型ドーパントの濃度の最高値は、光電変換層10中のp型ドーパントの濃度の最低値の1倍以上10,000倍以下である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光電変換層。
- 前記光電変換層において、光電変換層10の表側から100nmの深さのp型ドーパント濃度は、光電変換層の厚さの半分の深さのp型ドーパント濃度の平均値の平均値の100倍以下で、また光電変換層の裏側から100nmの深さのp型ドーパント濃度の平均値は、光電変換層の厚さの半分の深さのp型ドーパント濃度の平均値の1,000倍以下である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光電変換層。
- 透明な第1電極と、
前記第1電極上に請求項1ないし5のいずれか1項に記載の光電変換層と、
前記光電変換層上にn型層と、
前記n型層上に透明な第2電極とを含む太陽電池。 - 前記光電変換層とn型層の界面から前記第1電極側に50nmまでの深さの領域のSi及び/又はGeの平均濃度が光電変換層のp型ドーパントの平均濃度の1倍以上100倍以下である請求項6に記載の太陽電池。
- 請求項6又は7に記載の太陽電池を用いた多接合型太陽電池。
- 請求項6又は7のいずれか1項に記載の太陽電池を用いた太陽電池モジュール。
- 請求項9に記載の太陽電池モジュールを用いて発電する太陽光発電システム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023181187A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG11202112678YA (en) * | 2019-06-10 | 2021-12-30 | Ricoh Co Ltd | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion element module, electronic device, and power supply module |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006124754A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Bridgestone Corp | Cu2O膜、その成膜方法及び太陽電池 |
JP2006124753A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Bridgestone Corp | Cu2O膜、その成膜方法及び太陽電池 |
JP2015520524A (ja) * | 2012-06-22 | 2015-07-16 | エピワークス インコーポレイテッド | 半導体ベースのマルチ接合光起電力デバイスの製造方法 |
JP2017054917A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 光電変換層及び光電変換層の製造方法 |
US20170271622A1 (en) * | 2016-06-03 | 2017-09-21 | Solar-Tectic, Llc | High efficiency thin film tandem solar cells and other semiconductor devices |
JP3221984U (ja) * | 2019-03-20 | 2019-07-04 | 有限会社ディアックス | 透光性太陽電池セル |
WO2020059053A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3221984B2 (ja) | 1993-08-06 | 2001-10-22 | 株式会社東芝 | 電子ビーム描画評価方法 |
JP2000252485A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
JP3828029B2 (ja) | 2002-03-20 | 2006-09-27 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Cu2O薄膜及び太陽電池の製造方法 |
JP2005239526A (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Kanazawa Inst Of Technology | 亜酸化銅板の製造方法及び光起電力素子 |
KR20130101069A (ko) * | 2010-09-30 | 2013-09-12 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 산화제일구리 반도체를 포함하고 개선된 p-n 이종 접합을 갖는 미소전자 구조체 |
JP2012186415A (ja) | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Kanazawa Inst Of Technology | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子およびタンデム型光電変換素子 |
RU2456708C1 (ru) * | 2011-03-29 | 2012-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | Способ изготовления ячейки фотоприемного устройства |
US20130104985A1 (en) * | 2011-11-01 | 2013-05-02 | General Electric Company | Photovoltaic device with mangenese and tellurium interlayer |
US20170218264A1 (en) * | 2014-10-13 | 2017-08-03 | Los Alamos National Security, Llc | Luminescent solar concentrators comprising semiconductor nanocrystals |
CN106531827A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-03-22 | 株式会社东芝 | 光电转换元件、太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电*** |
JP6608257B2 (ja) | 2015-11-27 | 2019-11-20 | 学校法人金沢工業大学 | 光電変換素子、タンデム型光電変換素子および光充電型バッテリー装置 |
JP6764187B2 (ja) | 2016-09-15 | 2020-09-30 | 学校法人金沢工業大学 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
JP6834007B2 (ja) * | 2018-01-29 | 2021-02-24 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
JP2020145396A (ja) | 2019-02-28 | 2020-09-10 | 株式会社東芝 | 積層薄膜の製造方法、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
-
2019
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2020
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- 2020-03-10 WO PCT/JP2020/010292 patent/WO2021019819A1/en unknown
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-
2021
- 2021-02-26 US US17/186,049 patent/US11626528B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006124754A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Bridgestone Corp | Cu2O膜、その成膜方法及び太陽電池 |
JP2006124753A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Bridgestone Corp | Cu2O膜、その成膜方法及び太陽電池 |
JP2015520524A (ja) * | 2012-06-22 | 2015-07-16 | エピワークス インコーポレイテッド | 半導体ベースのマルチ接合光起電力デバイスの製造方法 |
JP2017054917A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 光電変換層及び光電変換層の製造方法 |
US20170271622A1 (en) * | 2016-06-03 | 2017-09-21 | Solar-Tectic, Llc | High efficiency thin film tandem solar cells and other semiconductor devices |
WO2020059053A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
JP3221984U (ja) * | 2019-03-20 | 2019-07-04 | 有限会社ディアックス | 透光性太陽電池セル |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023181187A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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