JP2020520041A - 表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2017年5月12日に中国特許庁に提出された中国特許出願第201710333740.0号の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
Claims (21)
- ベース基板と、
前記ベース基板上に位置する画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に位置する平坦化層と、
複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層とを備える表示基板であって、
前記表示基板は、前記平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含み、
前記表示基板は、前記溝内に位置する溝充填層を更に含み、
前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有することを特徴とする表示基板。 - 前記溝充填層は、前記ピクセル限定層に直接接触していることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層と一体化された一部であることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記ピクセル限定層は、ある深さまで前記溝内に延び、
前記深さと前記平坦化層の厚さの比は、約0.4:1乃至約1:1の範囲内にあることを特徴とする請求項3に記載の表示基板。 - 前記溝は、前記平坦化層を貫通するスルーホールであることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記溝は、部分的に前記平坦化層内に延びるブラインドビアホールであり、
前記ピクセル限定層は、前記平坦化層の前記複数の薄膜トランジスタから遠い側に位置することを特徴とする請求項1に記載の表示基板。 - 前記ピクセル限定層の前記ベース基板における正射投影は、前記溝の前記ベース基板における正射投影を実質的に覆うことを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記溝の前記ベース基板における正射投影は、前記ピクセル限定層の前記ベース基板における正射投影と実質的に重なることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記溝は、約1μm乃至約30μmの範囲内にある幅を有することを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- それぞれ前記複数のサブピクセル領域内に位置する複数の有機発光ダイオードを更に含み、
前記複数の有機発光ダイオードの各々は、前記平坦化層上に位置する第1電極と、前記第1電極の前記平坦化層から遠い側に位置する有機発光層と、前記有機発光層の前記第1電極から遠い側に位置する第2電極とを含むことを特徴とする請求項1に記載の表示基板。 - 前記表示基板は、ボトムエミッション型の表示基板であり、
前記有機発光層から出射された光は、前記平坦化層から離れる方向に沿って、前記ベース基板から前記表示基板の外部に出射されることを特徴とする請求項10に記載の表示基板。 - 前記平坦化層と前記ベース基板の間に位置するカラーフィルターを更に含み、
前記カラーフィルターは、それぞれ実質的に前記複数のサブピクセル領域の一つに位置する複数のカラーフィルターブロックを含み、
前記有機発光層から出射される光は、白色光であることを特徴とする請求項10に記載の表示基板。 - 前記ピクセル限定層は、遮光性材料からなることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 請求項1乃至13のいずれか一項に記載の表示基板を含む表示装置。
- 表示基板の製造方法であって、
ベース基板上に前記表示基板の画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に平坦化層を形成するステップと、
複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層を形成するステップとを含み、
前記表示基板は、前記平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含むように形成され、
前記方法は、
前記溝内に溝充填層を形成するステップを更に含み、
前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有するように形成されることを特徴とする方法。 - 前記溝充填層は、前記ピクセル限定層に直接接触するように形成されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層と一体化された一部として形成されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記平坦化層を形成するステップは、
前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に絶縁性材料層を形成するステップと、
前記絶縁性材料層の一部を除去することによって、前記溝及び前記平坦化層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記絶縁性材料層の一部をある深さまで除去して、前記深さと前記絶縁性材料層の厚さの比が約0.4:1乃至約1:1の範囲にあるようにすることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記溝は、部分的に前記平坦化層内に延びるブラインドビアホールであり、
前記絶縁性材料層の一部を除去するステップは、
第1区間及び第2区間を含むグレートーン又はハーフトーンマスクを用いて前記絶縁性材料層を露光し、且つ前記第1区間に対応する前記絶縁性材料層の第1部分は、部分的に露光され、前記第2区間に対応する前記絶縁性材料層の第2部分は、実質的に露光されないステップと、
前記絶縁性材料層を現像することによって、前記溝と前記平坦化層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 前記溝は、前記平坦化層を貫通するスルーホールであることを特徴とする請求項15に記載の方法。
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