JP2020517771A - 硬化性シリコーンゴム化合物 - Google Patents

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Abstract

少なくとも１つの金属シロキサンシラノール（−ａｔｅ）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物の組成物、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物の調製方法、および硬化性シリコーンゴムの使用 シーラント、接着剤、ポッティングコンパウンドおよび／またはコーティング剤として少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む化合物。ポッティングコンパウンドおよび／またはコーティング剤として少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む化合物。

Description

いわゆるＲＴＣ（室温架橋）シリコーンゴムコンパウンドと呼ばれる低温硬化シリコーンゴムコンパウンドは、弾性特性を有するテーラード材料としてかなり以前から知られています。それらは一般に、ガラス、アルミニウムなどの金属、ＰＶＣなどのプラスチック、（未）処理済みの木材、セラミック、石または磁器のシーリング化合物または接着剤として使用されます。この場合、それらは、例えば、建設および衛生分野のシーリングおよびジョイント充填コンパウンドとして、あるいは、例えば、電気産業のコーティング材料として使用されます（ＲoｍｐｐＣｈｅｍｉｅ、ＣＤ−ＲＯＭ、ｖｅｒｓｉｏｎ ２．０、ｅｄ。Ｅ 。Ｂａｒｔｈｏｌｏｍｅ、Ｖｅｒｌａｇ Ｃｈｅｍｉｅ、Ｗｅｉｎｈｅｉｍ １９８２、ｖｏｌｕｍｅ ２１、ｐ。５１１ ｆｆ。）。特に、ＲＴＣ １シリコーンゴムコンパウンドが使用されています。それらは、単一成分のＲＴＣシリコーンゴム化合物、例えば、それぞれ、ジヒドロキシポリオルガノシロキサンと適切な硬化剤または架橋剤の塑性成形可能な混合物を表します。大気中の水分または水の影響下で、それらは一
好ましくは、２つ以上の官能基を有するポリオルガノシロキサンは、重合生成物の所望の化学的および物理的特性ならびに所望の重合速度に応じて、様々な多官能性硬化剤とともに使用される。この場合、ジヒドロキシポリオルガノシロキサンは、二官能性ポリオルガノシロキサンとして非常に重要です。架橋剤または硬化剤はそれぞれ、加水分解脱離基によって放出される加水分解性ＳｉＸ基によって特徴付けられ、中性、酸性または塩基性系で硬化剤の分類を可能にします。既知の脱離基は、例えば、カルボン酸、アルコールおよびオキシムである。 ＥＰ ２ ０３０ ９７６ Ｂ１は、架橋時にα−ヒドロキシカルボン酸エステルを放出するシラン化合物を記載している。
ＤＥ ２０２０１５００９１２２ Ｕ１は、脱離基として１／３ヒドロキシカルボン酸アミドを有するシランを開示している。
大気中の水分の存在下、室温でのＲＴＣ １シリコーンゴムコンパウンドの重合は、適切な硬化触媒を添加することにより促進できます。
特に、この場合、スズ化合物は非常に重要です。 ＤＥ ６９５０１０６３ Ｔ２は、周囲温度で硬化するシリコーンエラストマー組成物におけるジブチルスズ−ビス（アセチルアセトネート）およびオクチル酸スズの使用を記載している。 ＥＰ ０２９８８７７ Ｂ１は、シリコーンエラストマー組成物用の酸化スズおよびαジカルボニル化合物を含むスズ触媒を記載している。 ＤＥ ４３３２０３７ Ａ１では、縮合架橋シリコーンの触媒としてジブチルジインジラウレートを使用しています。
スズ化合物は一般に、非常に高い触媒活性を特徴とします。ただし、その毒性のため、ＲＴＣシリコーンゴムコンパウンドにスズを含まない硬化触媒を使用することはしばしば避けられます。
適切なスズを含まない触媒は、例えば、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウム、およびチタン化合物を含む。 ＤＥ ４２１０３４９ Ａ１は、シリコーンゴムの調製における、テトラブチルチタネート、ジブチルビス（メチルアセトアセタト）チタネート、ジイソプロピルビス（メチルアセトアセタト）チタネートおよびジイソブチルビス（エチルアセトアセタト）チタネートの使用を記載している。 ＥＰ ０１０２２６８ Ａ１は、例えば有機ジルコニウム化合物を触媒として含む単一成分シリコーン樹脂化合物を開示している。
０００８
これまで、スズを含まない触媒の使用における主な欠点は、比較的低い触媒活性と、特にシリコーンゴムコンパウンドの引き裂き強度が低いことに基づく機械的特性の低下です。
したがって、本発明の目的は、スズ含有量が低い触媒を使用するか、スズを含まない触媒を使用してシリコーンゴムを生成する組成物を提供することである。
改善された機械的特性を特徴とする化合物。
したがって、本発明の本質は、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物の組成物、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）を含む硬化性シリコーンゴム化合物の調製方法である。 ）化合物、ならびに少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物の、シーラント、接着剤、ポッティング化合物および／またはコーティング剤としての使用。この場合、金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物は、シリコーンゴムコンパウンドにおいて触媒活性量で使用されることが好ましい。
したがって、本発明の目的は、請求項１に記載の組成物、請求項１６に指定の方法、請求項１４および１９に指定の使用、ならびに請求項１７に指定のシール材料によって達成される。有利な実施形態は主題である。それぞれの従属クレームの問題。
有利な一実施形態において、本発明の目的は、硬化性シリコーン組成物における触媒としての金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物の使用によって達成され、金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物のモル濃度は０．００００１■０．０１モル／シール材料１ｋｇの範囲、好ましくは０．００００５■０．００５モル／シール材料１ｋｇの範囲、より好ましくは０．００００７■０．００１９モル／シール材料１ｋｇの範囲。
好ましい実施形態では、金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物は硬化性シリコーン組成物の触媒として使用され、金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物のモル濃度は０．００００１■０．０１ｍｏｌ ／ ｋｇの範囲である。組成物１ｋｇ当たり、好ましくは組成物１ｋｇ当たり０．００００５■０．００５ｍｏｌの範囲、より好ましくは組成物１ｋｇ当たり０．００００７■０．００１９ｍｏｌの範囲である。
本発明の目的は、硬化性シリコーン組成物における触媒として少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−アテ）化合物を使用することにより有利に達成される。金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物は、原則として、当業者に知られており、例えば、
ＷＯ ２００５／０６０６７１ Ａ２およびＥＰ ２７９６４９３ Ａ１から。
さらに、本発明の目的は、硬化性シリコーン組成物の触媒として少なくとも１種の金属シロキサン−シラノール（−アート）化合物を使用することにより達成され、金属シロキサン−シラノール化合物の重量比は０．００１■０．５％、好ましくは０．００６■０．１７％の範囲。
本発明の目的のために、「シリコーンゴムコンパウンド」は、合成シリコーン含有ゴムコンパウンドであり、本発明の範囲において、硬化性シリコーン組成物とも交換可能に呼ばれ、ゴムポリマー、重縮合物、および重付加物を含む用語である。前記化合物または組成物は、それぞれ、適切な架橋剤で架橋することにより、高弾性の硬化状態に変換され得る。さらに、それらは可塑的に成形可能な混合物であり、例えば、それぞれ、ジヒドロキシポリオルガノシロキサンおよび適切な硬化剤または架橋剤を含み、湿気のない状態で保存することができる。ただし、これらのシリコーンゴム化合物は、水または大気中の水分の影響下で室温で重合します。
本発明の目的のために、「シラノール」は、少なくとも１つのヒドロキシル基（ＯＨ）がケイ素原子（■ＳｉＯＨ）に結合している有機ケイ素化合物である。
本発明の目的のために、「シラノレート」は、少なくとも１つの脱プロトン化ヒドロキシ官能基（ＲＯ−）がケイ素原子（■Ｓｉ−Ｏ−）に結合している有機ケイ素化合物であり、この負に帯電した酸素原子も結合できる例えば、金属などの他の化合物に対して、および／または調整することができる。
「金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）」という用語は、１つ以上のシラノールおよび／またはシラノレート基を含むすべての金属シロキサン化合物を指す。本発明の一実施形態では、金属シロキサン−シラノレートのみが存在することも可能である。これらの異なる星座を詳細に区別しない限り、すべての組み合わせが含まれます。金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）
化合物（＝金属シロキサン−シラノール／シラノレート化合物）は、今説明したように、以下「Ｍ３Ｓ」化合物とも呼ばれます。これらの用語は、以下で同じ意味で使用されます。
「触媒」という用語は、所定の反応の活性化エネルギーを低下させ、そうすることで反応速度を高める物質を指します。
特に、本発明の主題は、以下の成分を混合することにより得られる組成物である：
ａ。一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、ここでＲｌおよびＲｍは互いに独立して１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基を示し、ｏは５■４，０００の整数であり、
ｂ。特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属からなる群から選択される金属を含む少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む触媒。および半金属、および
ｃ。一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する少なくとも１つの架橋剤、ここで、各Ｒは、互いに独立して、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、任意に置換された直鎖または分岐鎖を示すＣ１■Ｃ１６アルキル基、置換されていてもよい、直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ１６アルケニル基、または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
ｍは０■２の整数です。
各Ｒａは、以下からなるグループから互いに独立して選択されます。
?一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル：

どこで
各Ｒｂは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
各Ｒｃは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
Ｒｄは、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
Ｒｅは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環状環系または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
ｎは１■１０の整数です。
?一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル：

どこで
各Ｒｎは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
各Ｒｏは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
ＲｐおよびＲｑは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、任意に置換Ｃ５■Ｃ１５アラルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
Ｒｒは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環系、または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
ｐは１■１０の整数です。
?カルボン酸ラジカルＯＣ（Ｏ）Ｒｆ、ここでＲｆはＨまたは１■２０の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■ Ｃ１４シクロアルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
・オキシムラジカルＯＮ ＝ ＣＲｇＲｈ、ここでＲｇおよびＲｈは互いに独立してＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換Ｃ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
・カルボン酸アミド基Ｎ（Ｒｉ）Ｃ（Ｏ）Ｒｊ、ここでＲｉはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する置換されていてもよい炭化水素基、特に置換されていてもよい直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基を示す。任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、ＲｊはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基、および
・アルコキシラジカルＯＲｋ、ここでＲｋは、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基。
驚くべきことに、請求項１で定義された金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物は、シリコーンゴムコンパウンドの触媒として使用される場合、特に高い触媒活性を示すことがわかった。特に、触媒としての金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物の高い触媒活性は、湿気硬化シリコーンゴムコンパウンドで発見されています。触媒活性が高いため、シリコーンゴムコンパウンドの触媒量を大幅に減らすことができます。触媒的に活性な金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を使用することにより、スズ触媒の使用を最小限に抑えたり、回避することさえ可能になります。
組成物は、一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有するシリコーン化合物と、プレポリマーの形態の一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する架橋剤とを含有してもよい。プレポリマーは、２つの成分の反応生成物です。これらの反応は既知であり、エンドキャッピングとも呼ばれます（たとえば、ＷＯ ２０１６／１４６６４８ Ａ１を参照）。
上記のようなプレポリマーの形成だけでなく、その後の重合または縮合もそれぞれ、水または大気中の水分の存在下で、および請求項１で定義された触媒の存在下で起こることが示されているＳｉ Ｏ Ｓｉ結合を形成します。つまり、Ｍ３Ｓコンパウンドは、エンドキャッピングだけでなく、シリコーンコンパウンドの硬化も促進します。さらに、好ましい実施形態では、ただ１つの作業工程でシリコーンゴムコンパウンドを得ることが可能である。
この場合、驚くべきことに、シリコーンゴムコンパウンドにＭ３Ｓを使用すると、機械的特性が改善され、特にシリコーンゴムコンパウンドの引き裂き強度が改■■善されることがわかった。
「引き裂き強度」は、さまざまな試験方法で決定できるポリマーの機械的特性の１つです。 「引き裂き強度」は、引張試験で試験片が引き裂かれる瞬間の引張応力によって決定できます。
「破断伸び」とは、試験片が破断した後の初期長さに対する長さの変化の比率です。前記破断点伸びは、割れることなく形状の変化に耐える材料の能力を表します。破断点伸びは、引張試験でＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９およびＤＩＮ ５３５０４に従って決定されます。
「引張応力値」は、シーリング材の１００％の伸びで、それぞれ接着面または隣接する建築材料にかかる応力を定義します。
「割線係数」とは、応力−ひずみ図の曲線の任意の点での応力とひずみの比を指します。これは、応力−ひずみ曲線の最初から任意の点までの曲線の勾配です。
「弾性回復」とは、拡張または変形を引き起こした力を解放した後、元の寸法のすべてまたは一部を再開する柔軟なサポートの傾向を表します。平均弾性回復は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９に従って決定されます。
「架橋剤」という用語は、特に、加水分解により分離可能な少なくとも２つの基を含む架橋性シラン化合物を意味するものとする。そのような架橋性シラン化合物の例は、Ｓｉ（ＯＣＨ３）４、Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）３およびＳｉ（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣＨ３）２です。架橋剤は硬化剤とも呼ばれます。特に、「架橋剤」は、特に、複数の架橋性シラン化合物を含むことがある「架橋剤系」も含む。
本発明の目的のために、「ケージ」またはオリゴマーまたはポリマーの「ケージ構造」は、鎖の個々の原子がコーナーストーンを形成する、鎖状金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物の三次元配列を意味するものとする。化合物の多面的な基本構造の。この場合、結果が共通の交差点になるように、少なくとも２つの表面が互いにリンクされた原子によって定義されます。化合物の一実施形態では、例えば、化合物の立方体形状の基本構造が形成される。
「シーラント」または「シーリングコンパウンド」とは、特に水、ガス、またはその他の媒体に対して表面をシールするために、液体で粘性のある形または柔軟なプロファイルまたはウェブとして適用される弾性材料を指します。
「接着材料」という用語は、表面の接着（接着）および／または内部強度（接着）を介して接合部材を接合する物質を指します。この用語は、特に、接着剤、ペースト、分散接着剤、溶剤ベースの接着剤、反応接着剤、接触接着剤を対象としています。
「コーティング剤」はすべて表面をコーティングする手段です。
本発明によれば、「ポッティングコンパウンド」または「ケーブルポッティングコンパウンド」は、ケーブルおよび／またはケーブルアクセサリをポッティングする目的のために高温または低温状態で処理される化合物である。
「アルキル基」という用語は、飽和炭化水素鎖を意味するものとする。アルキル基は、特に一般式ＣｎＨ２ｎ ＋ １を持っています。 「Ｃ１■Ｃ１６アルキル基」という用語は、特に、鎖内に１■１６個の炭素原子を有する飽和炭化水素鎖を指す。 Ｃ１■Ｃ１６アルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃブチル、ｔｅｒｔブチル、ｎペンチルおよびエチルヘキシルである。それに対応して、「Ｃ１■Ｃ８アルキル基」は、特に、鎖に１■８個の炭素原子を有する飽和炭化水素鎖を指す。特に、これが特に示されていなくても、アルキル基は置換されていてもよい。
「直鎖アルキル基」とは、分岐を含まないアルキル基を指します。直鎖アルキル基の例は、メチル、エチル、ｎプロピル、ｎブチル、ｎペンチル、ｎヘキシル、ｎヘプチルおよびｎオクチルである。
「分岐アルキル基」とは、直鎖ではないアルキル基を指し、したがって、特に、炭化水素鎖はフォークを有する。分枝アルキル基の例は、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃブチル、ｔｅｒｔブチル、ｓｅｃペンチル、３ペンチル、２メチルブチル、イソペンチル、３メチルブタ２イル、２メチルブタ２イル、ネオペンチル、エチルヘキシル、２エチルヘキシルです。
「アルケニル基」とは、鎖に沿って少なくとも１つの二重結合を含む炭化水素鎖を指します。例えば、二重結合を有するアルケニル基は、特に、一般式ＣｎＨ２ｎ１を有する。しかし、アルケニル基はまた、２つ以上の二重結合を有してもよい。 「Ｃ２■Ｃ１６アルケニル基」という用語は、特に、鎖内に２■１６個の炭素原子を有する炭化水素鎖を指す。この場合、水素原子の数は、アルケニル基の二重結合の数の関数として変化します。アルケニル基の例は、ビニル、アリル、２ブテニルおよび２ヘキセニルです。
「直鎖アルケニル基」とは、分岐を含まないアルケニル基を指す。直鎖アルケニル基の例は、ビニル、アリル、ｎ ２ブテニルおよびｎ ２ヘキセニルである。
「分岐アルケニル基」とは、直鎖ではないアルケニル基を指し、したがって、特に、炭化水素鎖はフォークを有する。分枝アルケニル基の例は、２メチル２プロペニル、２メチル２ブテニルおよび２エチル２ペンテニルである。
「アリール基」とは、単環式（例えば、フェニル）、二環式（例えば、インデニル、ナフタレニル、テトラヒドロナフチル、またはテトラヒドロインデニル）および三環式（例えば、フルオレニル、テトラヒドロフルオレニル、アントラセニル、またはテトラヒドロアントラセニル）環系を指す。環系または二環式または三環式環系の環の少なくとも１つは芳香族です。特に、Ｃ４■Ｃ１４アリール基は、４■１４個の炭素原子を有するアリール基を指す。特に指定されていない場合でも、アリール基は特に置換されていてもよい。
「芳香族基」とは、芳香族系を有する環状の平面炭化水素を指す。 ４■１４個の炭素原子を有する芳香族基は、特に、４■１４個の炭素原子を含む芳香族基を指す。芳香族基は、特に単環式、二環式または三環式であってもよい。さらに、芳香族基はまた、Ｎ、Ｏ、およびＳからなる群から選択される１■５個のヘテロ原子を含んでもよい。芳香族基の例は、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フラン、ピロール、チオフェン、イソオキサゾール、ピリジン、キノリン、
ここで、前述の例では、それぞれの場合に必要な数の水素原子が除去されて、対応する構造式に組み込まれています。
「シクロアルキル基」とは、芳香族ではない炭化水素環を指す。特に、４から１４個の炭素原子を有するシクロアルキル基は、４から１４個の炭素原子を有する非芳香族炭化水素環を指す。シクロアルキル基は飽和でも部分的に不飽和でもよい。飽和シクロアルキル基は芳香族ではなく、二重結合や三重結合もありません。飽和シクロアルキル基とは対照的に、部分不飽和シクロアルキル基は少なくとも１つの二重結合または三重結合を持っていますが、シクロアルキル基は芳香族ではありません。シクロアルキル基は、特に明記されていなくても、特に置換されていてもよい。
「アラルキル基」とは、アリール基で置換されたアルキル基を指す。 「Ｃ５■Ｃ１５アラルキル基」とは、特に、５■１５個の炭素原子を有するアラルキル基を指し、アルキル基およびアリール基の両方の炭素原子が含まれる。アラルキル基の例は、ベンジルおよびフェニルエチルである。特に示されていなくても、アラルキル基は特に置換されていてもよい。
「環式環系」とは、芳香族ではない炭化水素環を指す。特に、４■１４個の炭素原子を有する環状環系は、４■１４個の炭素原子を有する非芳香族炭化水素環系を指す。環式環系は、単一の炭化水素環（単環式）、２つの炭化水素環（二環式）、または３つの炭化水素環（三環式）で構成されます。特に、環状環系は、好ましくはＮ、Ｏ、およびＳからなる群から選択される１■５個のヘテロ原子を含んでもよい。
「飽和環系」は芳香族ではなく、二重結合や三重結合もありません。飽和環状環系の例は、シクロペンタン、シクロヘキサン、デカリン、ノルボルナン、および４Ｈピランであり、前述の例では、それぞれの場合に、必要な数の水素原子が除去され、対応する
構造式。たとえば、構造式ＨＯ Ｒ ＊ ＣＨ３（Ｒ ＊は６個の炭素原子を含む環状環系、特にシクロヘキサン）では、２つの水素原子が環状環系、特にシクロヘキサンから除去され、構造式への組み込みを許可します。
特に明記しない限り、Ｎは、特に窒素を示します。さらに、特に明記しない限り、Ｏは、特に酸素を示します。特に明記しない限り、Ｓは特に硫黄を示します。
「任意に置換された」とは、対応する基または対応するラジカルの水素原子がそれぞれ置換基で置き換えられてもよいことを意味する。置換基は、特に、Ｃ１■Ｃ４アルキル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ベンジル、ハロゲン、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ヒドロキシ、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、Ｃ１■ Ｃ４アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、シアノ、ニトロ、およびチオ。基が任意に置換されていると呼ばれる場合、その基の０■５０個、特に０■２０個の水素原子が置換基で置き換えられてもよい。基が置換される場合、少なくとも１つの水素原子が置換基で置き換えられます。
「アルコキシ」とは、酸素原子を介して主炭素鎖に結合しているアルキル基を指す。
「ポリシロキサン」という用語は、少なくとも１つの有機シリコーン化合物、好ましくは２つ、３つまたはそれ以上の異なる有機シリコーン化合物を含む本発明の組成物を説明する。組成物に含まれる有機シリコーン化合物は、好ましくはオリゴマーまたはポリマー化合物である。高分子有機シリコーン化合物は、好ましくは二官能性ポリオルガノシロキサン化合物であり、より好ましくはα、■ジヒドロキシル末端ポリオルガノシロキサンである。 ■、■−ジヒドロキシル末端ポリジオルガノシロキサン、特に■、■−ジヒドロキシル末端ポリジアルキルシロキサン、■、■−ジヒドロキシル末端ポリジアルケニルシロキサンまたは■、■−ジヒドロキシル末端ポリジアリールシロキサンが非常に強く優先されます。ホモポリマーの■、■ジヒドロキシル末端ポリジオルガノシロキサンに加えて、
異なる有機置換基を有するヘテロポリマー■、ｍｏｎｏｍｅｒｓジヒドロキシル末端ポリジオルガノシロキサンを使用するために、シリコン原子上に同一の有機置換基を有するモノマーのコポリマーだけでなく、様々な有機置換基を有するモノマーのコポリマーもシリコン原子に含まれる混合アルキル、アルケニルおよび／またはアリール置換基を持つ。好ましい有機置換基は、１■８個の炭素原子を有する直鎖および分岐アルキル基、特にメチル、エチル、ｎおよびイソプロピル、ならびにｎ、ｓｅｃおよびｔｅｒｔブチル、ビニルおよびフェニルを含む。この場合、個々のまたはすべての炭素結合水素原子は、個々の有機置換基において、ハロゲン原子などの従来の置換基またはヒドロキシルおよび／またはアミノ基などの官能基で置換されていてもよい。結果として、部分的にフッ素化または過フッ素化された有機置換基を有する■、■ジヒドロキシル末端ポリジオルガノシロキサン、またはケイ素原子にヒドロキシルおよび／またはアミノ基置換有機置換基を有する■、■−ジヒドロキシル末端ポリジオルガノシロキサンを使用することが可能である。
有機シリコーン化合物の特に好ましい例は、例えば、α、■ジヒドロキシル末端ポリジメチルシロキサン、■、■ジヒドロキシル末端ポリジエチルシロキサンまたは■、■ジヒドロキシル末端ポリジビニルシロキサンなどの■、ａｓジヒドロキシル末端ポリジアルキルシロキサン、および■、■ジヒドロキシル末端ポリジアルキルシロキサンである。ジヒドロキシル末端ポリジアリールシロキサン、例えば、α、ｈｙｄｒｏｘｙジヒドロキシル末端ポリジフェニルシロキサン。この場合、動粘度が５，０００から１２０，０００ ｃＳｔ（２５℃）のポリオルガノシロキサン、特に、粘度が２０，０００から１００，０００ ｃＳｔのポリオルガノシロキサン、より好ましくは粘度が４０，０００のポリオルガノシロキサンが好ましい。 ９０，０００ ｃＳｔまで異なる粘度を有するポリジオルガノシロキサンの混合物を使用することもできます。
本明細書で使用される「封止材料」という用語は、請求項のいずれか一項に記載の硬化した本発明の組成物を説明する。
本発明の有利な実施形態を以下に詳細に説明する。
本発明の一実施形態は、以下の成分を含む組成物を記載する：
ａ。一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、ここでＲｌおよびＲｍは互いに独立して１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基を示し、ｏは５■４，０００の整数であり、
ｂ。特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属からなる群から選択される金属を含む少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む触媒。および半金属、および
ｃ。一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する少なくとも１つの架橋剤、ここで、各Ｒは、互いに独立して、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、任意に置換された直鎖または分岐鎖を示すＣ１■Ｃ１６アルキル基、置換されていてもよい、直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ１６アルケニル基、または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
ｍは０■２の整数です。
各Ｒａは、以下からなるグループから互いに独立して選択されます。
?一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル：

どこで
各Ｒｂは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
各Ｒｃは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
Ｒｄは、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
Ｒｅは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環状環系または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
ｎは１■１０の整数です。
?一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル：

どこで
各Ｒｎは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
各Ｒｏは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
ＲｐおよびＲｑは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、任意に置換Ｃ５■Ｃ１５アラルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
Ｒｒは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環系、または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
ｐは１■１０の整数です。
?カルボン酸ラジカルＯＣ（Ｏ）Ｒｆ、ここでＲｆはＨまたは１■２０の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■ Ｃ１４シクロアルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
・オキシムラジカルＯＮ ＝ ＣＲｇＲｈ、ここでＲｇおよびＲｈは互いに独立してＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換Ｃ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
・カルボン酸アミド基Ｎ（Ｒｉ）Ｃ（Ｏ）Ｒｊ、ここでＲｉはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する置換されていてもよい炭化水素基、特に置換されていてもよい直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基を示す。任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、ＲｊはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基、および
・アルコキシラジカルＯＲｋ、ここでＲｋは、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基。
本発明の一実施形態によれば、硬化性シリコーンゴムコンパウンドの組成物は、少なくとも１つの金属シロキサン?シラノール（?アテ）化合物を含み、金属シロキサン?シラノール（?アテ）化合物は、範囲内の重量割合で存在する。 ０．００１■０．５％、好ましくは０．００６■０．１７％の範囲。特に、金属シロキサンシラノール（−ａｔｅ）化合物は触媒活性を示します。本発明の組成物は
種々の実施形態は、０．００００１から０．０１ｍｏｌ ／ ｋｇ組成物の範囲、好ましくは０．００００５から０．００５ｍｏｌ ／組成物ｋｇの範囲、より好ましくは０．００００７から０．００１９ｍｏｌ ／ ｋｇの範囲のモル濃度でＭ３Ｓ触媒を含む。組成のｋｇ。
本発明の一実施形態では、Ｍ３Ｓ化合物はモノマー、オリゴマーおよび／またはポリマーの形態であってもよく、オリゴマーからポリマーへの転移は一般的な定義に従って流動性である。
好ましくは、オリゴマーおよび／またはポリマーＭ３Ｓ化合物中の金属は、末端および／または鎖内に存在する。
一実施形態では、鎖状Ｍ３Ｓ化合物は、線状、分岐状、および／またはケージである。
好ましい実施形態では、鎖状金属シロキサン−シラノール（−アテ）化合物はケージ構造を有する。
好ましくは、本発明のＭ３Ｓ化合物は、オリゴマー金属シルセスキオキサンを含む。
特に、本発明のＭ３Ｓ化合物は、多面体金属シルセスキオキサンを含む。
一実施形態では、本発明の組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式Ｒ ＊ ｑＳｉｒＯｓＭｔを有し、各Ｒ ＊は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意にからなる群から互いに独立して選択される置換Ｃ２■Ｃ２０アルケニル、任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリール、ＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、各Ｍは、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドからなる群から互いに独立して選択される特にアクチニド金属および半金属、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属からなるグループから、
好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群から；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
ｑは４■１９の整数です。
ｒは４■１０の整数です。
ｓは８■３０の整数であり、
ｔは１■８の整数です。
別の実施形態では、本発明による組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式Ｒ＃４Ｓｉ４Ｏ１１Ｙ２Ｑ２Ｘ４Ｚ３を有し、各Ｘは、Ｓｉ、Ｍ１、Ｍ３Ｌ１■、Ｍ３、またはＳｉ（Ｒ８）Ｏからなる群から互いに独立して選択されるＭ３Ｌ１■、ここでＭ１およびＭ３は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から、特に第１の金属からなる群から互いに独立して選択される、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１のサブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５のメイングループの金属、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから成るグループから、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から選択され、Ｌ１はＯＨおよびＯからなる群から選択され（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）、またはＬ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなるグループから選択され、Ｒ８は任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリールからなる群から選択され；
各Ｚは、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７からなる群から互いに独立して選択され、Ｌ２はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル）からなる群から選択されるまたはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ２がＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択される場合；
各Ｒ＃、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリールからなる群から互いに独立して選択される；各Ｙは互いに独立してＯ Ｍ２Ｌ３■を表すか、２つのＹが一緒になって一緒にＯ Ｍ２（Ｌ３■）ＯまたはＯを表します。
ここで、Ｌ３はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）からなる群から選択され、またはＬ３はＯＨからなる群から選択され、 Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチル、および
各Ｍ２は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群、特に、第１、第２、第３の金属からなる群から互いに独立して選択され、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅからなる群からの第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属、 Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
各Ｑは、互いに独立してＨ、Ｍ４Ｌ４■、ＳｉＲ８、−Ｍ３Ｌ１■、ＸのＭ３に結合した単結合、またはラジカルＳｉ（Ｒ８）ＯＭ３Ｌ１■のＳｉ原子に結合した単結合を表し、ここでＭ３、Ｒ８ Ｘに関しては、Ｌ１が定義されています。
ここで、Ｍ４はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから選択され、特に、１、２、３、４、５の金属からなるグループから選択されます。好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕからなる群からの、第８、第１０および第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属、 Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から選択され、Ｌ４はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）、またはＬ４がＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏ ｐｒｏからなる群から選択される場合
当業者には、Ｌ１■、Ｌ２■、Ｌ３■、Ｌ４■の可能な配位子の数（■）は、使用される金属原子の自由原子価の数から、価数で直接決定されることが知られている。金属の原子価を記述する。
さらなる実施形態において、本発明の組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式（Ｙ０．２５Ｒ＃ＳｉＯ１．２５）４（Ｚ０．７５Ｙ０．２５ＸＯ）４（ＯＱ）２を有し、各Ｘは、から独立して選択されるＳｉ、Ｍ１、Ｍ３Ｌ１■、Ｍ３、または
Ｓｉ（Ｒ８）ＯＭ３Ｌ１■、ここでＭ１およびＭ３は、特にｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから互いに独立して選択されます。第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄからなるグループ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から選択され、Ｌ１はＯＨおよびＯからなる群から選択され（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、
Ｒ８は、置換されていてもよいＣ１■Ｃ２０アルキル、置換されていてもよいＣ３■Ｃ６シクロアルキル、置換されていてもよいＣ２■Ｃ２０アルケニル、および置換されていてもよいＣ６■Ｃ１０アリールからなる群から選択され；
各Ｚは、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７からなる群から互いに独立して選択され、Ｌ２はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル）からなる群から選択されるまたはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ２がＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏ−プロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択される場合；
各Ｒ＃、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ６シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ６■Ｃ１０アリールからなる群から互いに独立して選択される；
各Ｙは互いに独立して−Ｏ Ｍ２Ｌ３■を表し、または２つのＹは一緒になって一緒にＯ Ｍ２（Ｌ３■）ＯまたはＯを表します。
ここで、Ｌ３はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）からなる群から選択され、またはＬ３はＯＨからなる群から選択され、 Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、Ｏイソブチル、および各Ｍ２は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドからなるグループから互いに独立して選択されますそして、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属からなる群からのアクチニド金属および半金属。 Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
各Ｑは、互いに独立してＨ、Ｍ４Ｌ４■、ＳｉＲ８、−Ｍ３Ｌ１■、ＸのＭ３に結合した単結合、またはラジカルＳｉ（Ｒ８）ＯＭ３Ｌ１■のＳｉ原子に結合した単結合を表し、ここでＭ３、Ｒ８ Ｘに関しては、Ｌ１が定義されています。
ここで、Ｍ４はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから選択され、特に、１、２、３、４、５の金属からなるグループから選択されます。好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕからなる群からの、第８、第１０および第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属、 Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から選択され、Ｌ４はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ４がＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択される場合、
ただし、少なくとも１つのＸがＭ３、−Ｍ３Ｌ１■、またはＳｉ（Ｒ８）ＯＭ３Ｌ１■を表すことを条件とします。
本発明の金属シルセスキオキサンは、好ましくは一般式Ｓｉ４Ｏ９Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｘ１Ｘ２Ｘ３Ｘ４ＯＱ１ＯＱ２Ｙ１Ｙ２Ｚ１Ｚ２Ｚ３を有し、ここでＸ１、Ｘ２およびＸ３はＳｉまたはＭ１から互いに独立して選択され、Ｍ１はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロックからなる群から選択される特に、１、２、３、４、５、８、１０、１１番目のサブグループの金属と、１、２、３、４、５番目の金属からなるグループからの遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属主群、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群から；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７からなる群から互いに独立して選択され、Ｌ２はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ２がＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択される場合；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルからなる群から互いに独立して選択される
場合により置換されたＣ５■Ｃ１０アリール。
Ｙ１とＹ２は互いに独立してＯ Ｍ２Ｌ３■を表し、Ｙ１とＹ２は一緒になって一緒にＯ Ｍ２（Ｌ３■）ＯまたはＯを表します。
ここで、Ｌ３はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）からなる群から選択され、またはＬ３はＯＨからなる群から選択され、 Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチル、およびＭ２は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから選択されます、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属からなる群から、好ましくは以下からなる群からＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群から、および
Ｘ４はＭ３Ｌ１■またはＭ３を表し、Ｑ１およびＱ２はそれぞれＨまたはＭ３に結合した単結合を表します。ここで、Ｌ１はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）、またはＬ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなるグループから選択され、Ｍ３はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから選択され、特に、１、２、３、４、５、８、１０の金属からなるグループから選択そして、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎからなる群からの第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属およびＢｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
または
Ｘ４はＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＨまたはＭ３に結合した単結合を表し、Ｑ１はＨ、Ｍ４Ｌ４■またはＳｉＲ８を表します。ここで、Ｍ４はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドからなるグループから選択されますそして、特に、第２、第３、第４、第５および第８のサブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５のメイングループの金属からなる群からのアクチニド金属および半金属、特に、群から選択される。 Ｚｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｓｎ、およびＢｉで構成され、Ｌ４はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル） ）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）、またはＬ４はグループから選択されます
ＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなり、Ｒ８は任意に置換されたＣ１からＣ２０アルキル、任意に置換されたＣ３からＣ８シクロアルキルからなる群から選択され、場合により置換されたＣ２からＣ２０アルケニルおよび場合により置換されたＣ５からＣ１０アリール、
または
Ｘ４、Ｑ１、およびＱ２は、互いに独立してＭ３Ｌ１■を表し、
または
Ｘ４はＳｉ（Ｒ８）−ＯＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＸ４のＳｉ原子に結合した単結合、Ｑ１はＭ４Ｌ４■、
または
Ｘ４はＳｉ（Ｒ８）−ＯＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＸ４のＳｉ原子に結合した単結合、Ｑ１はＸ４のＭ３原子に結合した単結合を示します。
さらなる実施形態において、金属シルセスキオキサンは、一般式（Ｘ４）（Ｚ１Ｙ１Ｘ２Ｏ）（Ｚ２Ｘ１Ｏ２）（Ｚ３Ｘ３Ｏ２）（Ｒ１Ｙ２ＳｉＯ）（Ｒ３ＳｉＯ）（Ｒ４ＳｉＯ２）（Ｒ２ＳｉＯ２）（Ｑ１）（Ｑ２）を有する。
Ｘ１、Ｘ２、およびＸ３は、ＳｉまたはＭ１から互いに独立して選択されます。
ここで、Ｍ１はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから選択され、特に、１、２、３、４、５の金属からなるグループから選択されます。好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕからなる群からの、第８、第１０および第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属、 Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７からなる群から互いに独立して選択され、Ｌ２はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ２がＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択される場合；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ６シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ６■Ｃ１０からなる群から互いに独立して選択されるアリール；
Ｙ１とＹ２は互いに独立してＯ Ｍ２Ｌ３■を表し、Ｙ１とＹ２は一緒になって一緒にＯ Ｍ２（Ｌ３■）ＯまたはＯを表します。
ここで、Ｌ３はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）からなる群から選択され、またはＬ３はＯＨからなる群から選択され、 Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチル、およびＭ２は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから選択されます、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属からなる群から、好ましくは以下からなる群からＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群から、および
Ｘ４はＭ３Ｌ１■またはＭ３を表し、Ｑ１およびＱ２はそれぞれＨまたはＭ３に結合した単結合を表します。ここで、Ｌ１はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）、またはＬ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなるグループから選択され、Ｍ３はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから選択され、特に、１、２、３、４、５、８、１０の金属からなるグループから選択そして、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎからなる群からの第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属およびＢｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群から、または
Ｘ４はＭ３Ｌ１■を表し、Ｑ２はＨまたはＭ３に結合した単結合を表し、Ｑ１はＨ、Ｍ４Ｌ４■またはＳｉＲ８を表します。ここで、Ｍ４はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよび特に、第２、第３、第４、第５および第８のサブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５のメイングループの金属からなる群からのアクチニド金属および半金属、特にＺｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｓｎ、およびＢｉのＬ４は、ＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル）からなるグループから選択されますまたはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ４はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、Ｒ８はグループ
任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ６シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニル、および任意に置換されたＣ６■Ｃ１０アリールからなり、
または
Ｘ４、Ｑ１、およびＱ２は、互いに独立してＭ３Ｌ１■を表し、
または
Ｘ４はＳｉ（Ｒ８）−ＯＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＸ４のＳｉ原子に結合した単結合、Ｑ１はＭ４Ｌ４■、
または
Ｘ４はＳｉ（Ｒ８）−ＯＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＸ４のＳｉ原子に結合した単結合、Ｑ１はＸ４のＭ３原子に結合した単結合を示します。
好ましい実施形態では、金属シルセスキオキサンは一般式（ＩＩＩ）を有する。

ここで、Ｘ１、Ｘ２、およびＸ３は、ＳｉまたはＭ１から互いに独立して選択され、Ｍ１は、特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択される第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属からなる群、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃからなる群から、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７からなる群から互いに独立して選択され、Ｌ２はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）、またはＬ２はグループから選択されます
ＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０からなる群から互いに独立して選択されるアリール；
Ｙ１とＹ２は互いに独立してＯ Ｍ２Ｌ３■を表し、Ｙ１とＹ２は一緒になって一緒にＯ Ｍ２（Ｌ３■）ＯまたはＯを表します。
ここで、Ｌ３はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）からなる群から選択され、またはＬ３はＯＨからなる群から選択され、 Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、Ｏイソブチル、およびＭ２はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属からなるグループから選択され、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属からなる群、好ましくは以下からなる群からの半金属Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉの；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、
Ｘ４はＭ３Ｌ１■またはＭ３を示し、Ｑ１およびＱ２はそれぞれＨまたはＭ３に結合した単結合を示し、Ｌ１はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、Ｍ３ ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択され、特に、１、２、３、４、５、８の金属からなる群から選択され、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａからなる群からの第１０および第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属、 ＳｎおよびＢｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、
または
Ｘ４はＭ３Ｌ１■を表し、Ｑ２はＨまたはＭ３に結合した単結合を表し、Ｑ１はＨ、Ｍ４Ｌ４■またはＳｉＲ８を表します。ここで、Ｍ４はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属からなるグループから選択されます。
特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属からなる群からのランタニドおよびアクチニド金属および半金属、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、より好ましくはＺｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖからなる群から、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉ、およびＬ４はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）、またはＬ４は、ＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、Ｒ８は、置換されていてもよいＣ１■Ｃ２０アルキル、置換されていてもよいアルキルからなる群から選択されるＣ３■Ｃ６シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニル、および任意に置換されたＣ６■Ｃ１０アリール、
または
Ｘ４、Ｑ１、およびＱ２は、互いに独立してＭ３Ｌ１■を表し、
または
Ｘ４はＳｉ（Ｒ８）−ＯＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＸ４のＳｉ原子に結合した単結合、Ｑ１はＭ４Ｌ４■、
または
Ｘ４はＳｉ（Ｒ８）−ＯＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＸ４のＳｉ原子に結合した単結合、Ｑ１はＸ４のＭ３原子に結合した単結合を示します。
追加の好ましい実施形態では、金属シルセスキオキサンは一般式（ＩＩＩ）を有し、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は互いに独立してＳｉを示す。
Ｘ４はＭ３Ｌ１■を表し、Ｑ１とＱ２はそれぞれＭ３に結合した単結合を表します。ここで、Ｌ１はＯＨとＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８アルキル）からなるグループから選択されます。 Ｏ（Ｃ１からＣ６アルキル）、またはＬ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなるグループから選択され、Ｍ３はグループから選択されます特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属からなるグループからのｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆからなる群からの第１、第２、第３、第４および第５主族の金属、
Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、それぞれ任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリールから互いに独立して選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリールから互いに独立して選択され、
Ｙ１とＹ２は一緒になり、一緒にＯを形成します。
一実施形態では、式（ＩＩＩ）による金属シルセスキオキサンは、モノマー、ダイマー、トリマー、マルチマーとしての金属の存在当量の関数として、本発明の金属シロキサン−シラノール（−アテ）化合物中に存在し得る。 ／またはそれらの混合物、したがって、例えば、式（ＩＩＩａ）から（ＩＩＩｃ）による構造が可能である。

式中、Ｍは、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択され、特に、第１、第２、第３、第４、第５の金属からなる群から選択され、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕからなる群からの、第８、第１０および第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属、 Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から選択され、各Ｒは、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキルからなる群から互いに独立して選択される、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニル、任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリール、ＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）。この場合、四価金属Ｍはいくつかのケージの共通部分を表します。同時に、金属Ｍへの結合の数が金属Ｍの原子価に依存することは当業者に知られている。必要に応じて、構造式（ＩＩＩａ）から（ＩＩＩｃ）を適宜適合させなければならない。 。
本発明の組成物の一実施形態では、式（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）および（ＩＩＩｃ）による金属シルセスキオキサンの混合物が存在する。
００７８
特に好ましい一実施形態では、金属シルセスキオキサンは一般構造式（ＩＶ）を有する。

ここで、Ｘ１、Ｘ２、およびＸ３は、ＳｉまたはＭ１から互いに独立して選択され、Ｍ１は、特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択される第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１サブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属からなる群、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃからなる群から、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７からなる群から互いに独立して選択され、Ｌ２はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ２がＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択される場合；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０からなる群から互いに独立して選択されるアリール；
ここで、Ｘ４はＭ３Ｌ１■を示し、Ｌ１はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）からなるグループから選択され、Ｌ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群、
そして、Ｍ３は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択され、特に、第１、第２、第３、第４、第５の金属からなる群から選択される、８、１０、１１番目のサブグループと、１、２、３、４、５番目の金属
主群、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群から；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群からのもの。
別の特に好ましい実施形態では、金属シルセスキオキサンは一般構造式（Ｖ）

ここで、Ｘ４はＭ３Ｌ１■を示し、Ｌ１はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ８アルキル）またはＯ（Ｃ１からＣ６アルキル）からなるグループから選択され、Ｌ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群、
そして、Ｍ３は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択され、特に、１、２、３、４、５の金属からなる群から選択される、第８、第１０、第１１サブグループ、および第１、第２、第３、第４、第５メイングループの金属、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕからなるグループから、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリールからなる群から互いに独立して選択される；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリールからなる群から互いに独立して選択される。
さらに、本発明は、一般構造式（Ｖ）の金属シルセスキオキサンに関し、Ｘ４はＭ３Ｌ１３を示し、Ｌ１はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８からなる群から選択される）アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、Ｍ３が選択される場合ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０の金属からなる群から好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎからなる群からの第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４および第５メイングループの金属Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７からなる群から互いに独立して選択され、Ｌ２はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ２はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０からなる群から互いに独立して選択されるアリール。
さらに、本発明のＭ３Ｓ化合物中の式（Ｖ）による金属シルセスキオキサンは、６回配位した金属中心を含むことができるため、式（Ｖａ）による構造が可能である。

ここで、各Ｍは、特に１、２、３番目の金属からなるグループから、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなるグループから互いに独立して選択されます、第４、第５、第８、第１０、第１１サブグループおよび第１、第２、第３、第４、第５メイングループの金属、好ましくはＮａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅからなるグループから、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から選択され、各Ｒは、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキルからなる群から互いに独立して選択される、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニル、任意に置換されたＣ５■Ｃ１０アリール、ＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）。
本発明の硬化性組成物において、金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物は、構造（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＩＩｃ）、（ＩＶ）、（Ｖ）および（Ｖａ）。
一実施形態では、Ｍ３Ｓ化合物で定義されるケージ構造は、未定義のオリゴマーおよび／またはポリマー構造および／またはそれらの混合物に加えて存在する。
好ましい実施形態では、Ｍ３Ｓ化合物中の金属はチタンである。
特に好ましい実施形態では、本発明のＭ３Ｓ化合物の金属シルセスキオキサンは、構造（ＶＩ）を有する。

ここで、チタンはＯＲに結合し、ＲはＨ、メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、イソプロピル、およびイソブチルからなる群から選択され、
Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３は、互いに独立して、Ｃ１■Ｃ２０アルキル、Ｃ３■Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２■Ｃ２０アルケニル、およびＣ５■Ｃ１０アリールを示し、特に、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルからなる群から選択される 、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニル、およびベンジル、および
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、互いに独立して、Ｃ１■Ｃ２０アルキル、Ｃ３■Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２■Ｃ２０アルケニル、およびＣ５■Ｃ１０アリールを示し、特に、メチル、エチル、プロピルからなる群から選択され、 イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニル、およびベンジル。
特に好ましい実施形態では、本発明のＭ３Ｓ化合物の金属シルセスキオキサンは、構造（ＶＩＩ）を有する。

ここで、各Ｓｉはイソブチルラジカルに結合しており、チタンにはエタノレート配位子があります。構造式（ＶＩＩ）の化合物は、本明細書ではＩＢＵ−ＰＯＳＳ−ＴＩ−ＯＥｔと呼ばれる。
特に好ましい実施形態では、金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物はＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔである。
別の特に好ましい実施形態では、Ｍ３Ｓ化合物はオクチルＰＯＳＳ Ｔｉ ＯＥｔであり、各Ｓｉはオクチルラジカルに結合しており、チタンはエタノレート配位子を担持している。
さらに、本発明は、一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨ（ここで、ｏは５■４，０００の整数である）のシリコーン化合物に関する。
好ましい実施形態では、シリコーン化合物のＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏ?Ｈは、特に、１００■３，０００、５００■２，５００、８００■２，０００または１，０００■１，６００の整数である。
別の実施形態では、シリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨは、４００■５，０００，０００、特に３，０００■２，５００，０００、１５，０００■１，０００，０００、３０，０００■７５０，０００、５０，０００■５００，０００、または７０，０００の重量平均分子量Ｍｗを有する。 １２０，０００まで。
さらに、この組成物は、２５℃で２０■５００，０００ｃＳｔの動粘度を有するシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏ−Ｈに関する。
好ましい実施形態では、シリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏ?Ｈは、２５℃で２０から３５０，０００ｃＳｔまたは２０，０００から１００，０００ｃＳｔまたは２０，０００から９０，０００ｃＳｔまたは２０，０００から８０，０００ｃＳｔの動粘度を有する。
さらなる好ましい実施形態において、本発明は、シリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨに関し、ここで、Ｒ１およびＲｍは、互いに独立して、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２またはＣ１■Ｃ８アルキル基、置換されていてもよい直鎖または
分岐Ｃ２■Ｃ１６アルケニル基、特に、任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ１２またはＣ２■Ｃ８アルケニル基、または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基、特に、任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基。
特に好ましい実施形態では、本発明はシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲｌＲｍＯ）ｏＨに関し、ここでＲｌおよびＲｍはメチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルからなる群から互いに独立して選択される。ナフチル。
特に好ましい実施形態において、本発明は、シリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏ?Ｈに関し、ここで、シリコーン化合物は、Ｎ、Ｎジヒドロキシジメチルポリシロキサンである。
さらに、本発明の組成物は、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの架橋剤に関し、ここで、各Ｒａは、以下からなる群から互いに独立して選択される。
?一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル：

?一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル：

?カルボン酸ラジカルＯ Ｃ（Ｏ）Ｒｆ、
?オキシムラジカルＯ Ｎ ＝ ＣＲｇＲｈ、
?カルボン酸アミドラジカルＮ（Ｒｉ）Ｃ（Ｏ）Ｒｊ、
?アルコキシラジカルＯＲｋ。
好ましい実施形態において、架橋剤は、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍのラジカルＲを含み、各ラジカルＲは、互いに独立して、任意に置換された直鎖または分枝Ｃ１
Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、または任意に置換された直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ１２アルケニル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ８アルケニル基、または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１０アリール基。
特に好ましい実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの架橋剤の各ラジカルＲは、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ビニル、フェニルまたはアリルラジカルを表す。
一実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの架橋剤は、基ＲａＯＲｋを含み、Ｒｋは、置換されていてもよい直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、置換されていてもよいＣ４■Ｃ１０シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ８シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１１アラルキル基。
さらなる実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの架橋剤は、基Ｒａ ＯＲｋを含み、Ｒｋは、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピルからなる群から選択され、イソプロピル、ブチル、ｎブチル、ｓｅｃブチル、イソブチル、ｔｅｒｔブチル、ペンチル、ｎペンチル、ｓｅｃペンチル、３ペンチル、２メチルブチル、イソペンチル、３メチルブタ２イル、２メチルブタ２イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシル、および２エチルヘキシル。
好ましい実施形態では、本発明の組成物は、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの架橋剤を含み、各Ｒａは、からなる群から互いに独立して選択される。
?一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル：

?一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル：

（ＩＩ）、
?カルボン酸ラジカルＯ Ｃ（Ｏ）Ｒｆ、
?オキシムラジカルＯ Ｎ ＝ ＣＲｇＲｈ、
?カルボン酸アミドラジカルＮ（Ｒｉ）Ｃ（Ｏ）Ｒｊ、
どこで
各Ｒｂは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
各Ｒｃは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
Ｒｄは、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
Ｒｅは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環状環系または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
ｎは１■１０の整数です。
どこで
各Ｒｎは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
各Ｒｏは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
ＲｐおよびＲｑは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、任意に置換Ｃ５■Ｃ１５アラルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
Ｒｒは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環系、または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
ｐは１■１０の整数です。
どこで
Ｒｆは、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示すまたは置換されていてもよいＣ５からＣ１５のアラルキル基、
どこで
ＲｇおよびＲｈは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換Ｃ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
そしてどこに
Ｒは、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示すまたは任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、およびＲｊはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４を示すシクロアルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基。
好ましい実施形態では、架橋剤はラジカルＲを含み、各Ｒは互いに独立して、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、または任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ１２アルケニル基、特に、任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ８アルケニル基、または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基。
特に好ましい実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの架橋剤の各ラジカルＲは、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ビニル、フェニルまたはアリルラジカルである。
一実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカル中の各ＲｂおよびＲｃは、互いに独立して、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基であるグループ。
好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカル中の各ＲｂおよびＲｃは、Ｈ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎブチル、ｓｅｃブチル、イソブチルおよびｔｅｒｔブチルからなる群から互いに独立して選択される。 、特に、Ｈおよびメチルからなる群から。
一実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカル中のＲｄは、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、Ｃ４■Ｃ１０シクロアルキルである。基、Ｃ５■Ｃ１１アラルキル基またはＣ４■Ｃ１０アリール基。
好ましい実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステル基中のＲｄは、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃブチル、イソブチルからなる群から選択され、 ｔｅｒｔブチル、ペンチル、ｎペンチル、ｓｅｃペンチル、３ペンチル、２メチルブチル、イソペンチル、３メチルブタ２イル、２メチルブタ２イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシル、および２エチルヘキシル。
好ましい実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカル中のＲｅは、二価ベンゼンラジカルであるか、またはＲｅはＣであり、ＲｂおよびＲｃはＨであるか、ＲｅはＣであり、ＲｂはＨであり、Ｒｃはメチルである。
一実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステル基中のｎは、１■５、特に１■３、特に１の整数である。
特に好ましい実施形態では、ヒドロキシカルボン酸エステル基を有する架橋剤は、メチル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シランおよび／またはプロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シランである。
一実施形態では、本発明の組成物中の架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルの各ＲｎおよびＲｏは、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖であるまたは分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基。
好ましい実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカル中の各ＲｎおよびＲｏは、Ｈ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎブチル、ｓｅｃブチル、イソブチルおよびｔｅｒｔブチルからなる群から互いに独立して選択される。 、特に、Ｈおよびメチルからなる群から。
別の実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルのＲｐおよびＲｑは、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８であるアルキル基、または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、Ｃ５■Ｃ１１アラルキル基、またはＣ４■Ｃ１０アリール基。
好ましい実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカル中のＲｐおよびＲｑは、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎからなる群から互いに独立して選択される。ブチル、ｓｅｃブチル、イソブチル、ｔｅｒｔブチル、ペンチル、ｎペンチル、ｓｅｃペンチル、３ペンチル、２メチルブチル、イソペンチル、３メチルブタ２イル、２メチルブタ２イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシル、および２エチルヘキシル。
一実施形態では、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカル中のＲｒは、二価ベンゼンラジカルであるか、ＲｒはＣであり、ＲｎおよびＲｏはＨであるか、ＲｒはＣであり、ＲｎはＨであり、Ｒｏはメチルである。
さらなる実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルのｐは、１■５、特に１■３、特に１の整数である。
一実施形態では、本発明の組成物の架橋剤のカルボン酸基のＲｆは、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１０シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０であるアリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基、特に、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ８シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１１アラルキル基。
好ましい実施形態では、架橋剤のカルボン酸ラジカル中のＲｆは、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃブチル、イソブチルからなる群から選択される。 、ｔｅｒｔブチル、ペンチル、ｎペンチル、ｓｅｃペンチル、３ペンチル、２メチルブチル、イソペンチル、３メチルブタ２イル、２メチルブタ２イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシル、および２エチルヘキシル。
特に好ましい実施形態では、カルボン酸基を有する架橋剤は、エチルトリアセトキシシランおよび／またはメチルトリアセトキシシランおよび／またはプロピルトリアセトキシシランである。
別の実施形態において、本発明の架橋剤のオキシムラジカル中のＲｇおよびＲｈは、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１０シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４ ■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基、特にＨまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１
Ｃ８■Ｃ８アルキル基、置換されていてもよいＣ４■Ｃ８シクロアルキル基、置換されていてもよいＣ４■Ｃ１０アリール基、または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１１アラルキル基。
好ましい実施形態では、架橋剤のオキシムラジカル中のＲｇおよびＲｈは、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎブチルからなる群から互いに独立して選択される。 ｓｅｃブチル、イソブチル、ｔｅｒｔブチル、ペンチル、ｎペンチル、ｓｅｃペンチル、３ペンチル、２メチルブチル、イソペンチル、３メチルブタ２イル、２メチルブタ２イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシル、および２エチルヘキシル。
特に好ましい実施形態において、オキシムラジカルを有する架橋剤は、メチルトリス（２ペンタノノキシモ）シランおよび／またはビニルトリス（２ペンタノノキシモ）シランである。
一実施形態では、本発明の架橋剤のカルボン酸アミドラジカル中のＲ１およびＲ１は、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１０シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基、特にＨまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ８シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■ Ｃ１０アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１１アラルキル基。
好ましい実施形態では、架橋剤のカルボン酸アミドラジカル中のＲ １およびＲ １は、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎからなる群から互いに独立して選択される。ブチル、ｓｅｃブチル、イソブチル、ｔｅｒｔブチル、ペンチル、ｎペンチル、ｓｅｃペンチル、３ペンチル、２メチルブチル、イソペンチル、３メチルブタ２イル、２メチルブタ２イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシル、および２エチルヘキシル。
特に好ましい実施形態では、カルボン酸アミドラジカルを有する架橋剤は、メチルエトキシビス（Ｎメチルベンズアミド）シランである。
別の特に好ましい実施形態において、記載された架橋剤の混合物は、本発明による硬化性組成物に使用される。
さらに特に好ましい実施形態において、架橋剤は、上述のように、様々なラジカルＲａを担持する。
さらに、本発明は、接着促進剤を含む組成物に関する。
本発明の組成物で使用するのに好ましい接着促進剤は、１つ以上の反応性アミン基を有するオルガノシラン、１つ以上の反応性カルボン酸基を有するオルガノシラン、１つ以上の反応性エポキシ基を有するオルガノシラン、または１つ以上の反応性チオール基またはオルガノシランを有するオルガノシランを含む。 １つ以上の第三級アミン基、１つ以上の尿素基を有するオルガノシラン、１つ以上のアミド基を有するオルガノシラン、１つ以上のカルバメート基を有するオルガノシラン、および１つ以上のイソシアヌレート基を有するオルガノシラン；好ましくは、前記成分の混合物を使用することができる。
追加の好ましい実施形態では、本発明による組成物は接着促進剤を含み、接着促進剤は、特に、ジブトキシジアセトキシシラン、３アミノプロピルトリエトキシシラン、３アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ブチルアミノプロピルトリエトキシシラン、ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、プロピルアミノプロピルトリエトキシシラン、プロピルアミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択され、 Ｎシクロヘキシル３アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎシクロヘキシル３アミノプロピルトリエトキシシラン、ジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジプロピルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシプロピルシリルアセトキシプロピオンアミド、Ｎ、Ｎ ’ビス（トリメトキシシリルプロピル）尿素、Ｎ、Ｎ’ビス（トリエトキシシリルプロピル）尿素、トリス（トリエトキシシリルプロピル）ジアミノトリプロピル、シラン５トリス（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、Ｎメチル（３トリメトキシシリル）プロピル）カルバメート、Ｎエチル（３トリエトキシシリル）プロピル）カルバメート、および混合物ｓ、およびエボニックからＤｙｎａｓｙｌａｎ ＤＡＭＯとして入手可能なＮ（２アミノエチル）３アミノプロピルトリメトキシシラン。
特に好ましい実施形態において、接着促進剤と架橋剤の特定の組み合わせが、本発明による組成物のために選択される。その結果、次の組み合わせが有利であることが判明しました。
?ヒドロキシカルボン酸エステルラジカルまたはヒドロキシカルボン酸アミドラジカルとそれぞれの架橋剤と、第三アミン、尿素、アミドとの「非アミニック接着促進剤」（本明細書で使用する非アミニック、第一級および第二級アミン基を意味しない）の組み合わせカルバメートまたはイソシアヌレート基。そのような結合剤（接着促進剤）の具体例は、Ｎ、Ｎ ’ビス（トリエトキシシリルプロピル）尿素、トリス（トリエトキシシリルプロピル）ジエチレントリ尿素、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、１，３，５トリス（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、Ｎメチル（３トリメトキシシリル）プロピル）カルバメートおよびＮエチル（３トリエトキシシリル）プロピル）カルバメート。
?カルボン酸ラジカルおよびジｔｅｒｔブトキシジアセトキシシランと架橋剤の組み合わせ（ＢＤＡＣ、ＣＡＳ １３１７０ ２３ ５）
?オキシムラジカルと、３アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＭＥＯ）、３アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＭＭＯ）およびアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランを含むがこれらに限定されない市販のアミノシランとの架橋剤の組み合わせ。
?カルボン酸アミドラジカルと、３アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＭＥＯ）、３アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＭＭＯ）およびアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランを含むがこれらに限定されない市販のアミノシランとの架橋剤の組み合わせ。
本発明の目的のために、硬化性組成物は、可塑剤、充填剤、着色剤、チキソトロープ剤、湿潤剤またはＵＶ安定剤などの従来の添加剤の添加により、特性に関して任意に改変され得る。
好ましい実施形態では、ポリアルキルシロキサン、特に、好ましくはポリジメチルシロキサンが可塑剤として使用される。
別の好ましい実施形態では、シリカ、特に、ヒュームドシリカとも呼ばれる熱分解二酸化ケイ素が、充填剤として硬化性組成物に添加される。
一実施形態では、本発明は、少なくとも１つのＭ３Ｓ触媒、請求項１に記載の一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、および一般式Ｓｉを有する少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる組成物に関する。請求項１に従って（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ ｍ
一実施形態において、本発明の組成物は、構造式Ｖに従って、少なくとも１つの金属シルセスキオキサンを混合することにより得ることができる。少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨ、ここで、Ｒ１およびＲｍは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群から互いに独立して選択される；およびメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）からなる群から選択される少なくとも１つの架橋剤シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎメチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物。
一実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩに従って、少なくとも１つの金属シルセスキオキサンを混合することにより得ることができる。少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨ、ここで、Ｒ１およびＲｍは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群から互いに独立して選択される；およびメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）からなる群から選択される少なくとも１つの架橋剤シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎメチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物。
一実施形態では、本発明の組成物は、構造式ＶＩＩによる少なくとも１つの金属シルセスキオキサンを混合することにより得ることができる。少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨ、ここで、Ｒ１およびＲｍは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群から互いに独立して選択される；少なくとも１つのクロスリンカーが選択されている
メチル−トリス（エチルヘキシルサリシラート）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノノキシモ）シラン、メチルエトキシ−ビス（ Ｎメチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物。
一実施形態では、本発明の組成物は、オクチルＰＯＳＳ Ｔｉ ＯＥｔを混合することにより得ることができる。少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨ、ここで、Ｒ１およびＲｍは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群から互いに独立して選択される；およびメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）からなる群から選択される少なくとも１つの架橋剤シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎメチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物。
好ましい実施形態において、本発明の組成物は、構造式Ｖに従って少なくとも１つの金属シルセスキオキサンを混合することにより得ることができる。少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲｌＲｍＯ）ｏＨ、ここで、シリコーン化合物は、Ｎ、Ｎ−ジヒドロキシジメチルポリシロキサンである；およびメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）からなる群から選択される少なくとも１つの架橋剤シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎメチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物。
好ましい実施形態では、本発明の組成物は、構造式ＶＩによる少なくとも１つの金属シルセスキオキサンを混合することにより得ることができる。少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲｌＲｍＯ）ｏＨ、ここで、シリコーン化合物は、Ｎ、Ｎ−ジヒドロキシジメチルポリシロキサンである；およびメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）からなる群から選択される少なくとも１つの架橋剤シラン、
メチルエトキシ−ビス（Ｎメチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物。
好ましい実施形態では、本発明の組成物は、構造式ＶＩＩによる少なくとも１つの金属シルセスキオキサンを混合することにより得ることができる。少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲｌＲｍＯ）ｏＨ、ここで、シリコーン化合物は、Ｎ、Ｎ−ジヒドロキシジメチルポリシロキサンである；およびメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）からなる群から選択される少なくとも１つの架橋剤シラン、
メチルエトキシ−ビス（Ｎメチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物。
好ましい実施形態では、本発明の組成物は、オクチルＰＯＳＳ Ｔｉ ＯＥｔを混合することにより得ることができる。少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ（ＳｉＲｌＲｍＯ）ｏＨ、ここで、シリコーン化合物は、Ｎ、Ｎ−ジヒドロキシジメチルポリシロキサンである；およびメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラート）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）からなる群から選択される少なくとも１つの架橋剤シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎメチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物。
一実施形態では、本発明の組成物中の一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの架橋剤とＭ３Ｓ触媒のモル比は、２０■２，０００、好ましくは１００■２，０００、より好ましくは１２５■２，０００である。
本発明の組成物の好ましい実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍ（ここで、Ｒａはカルボン酸ラジカルの形態である）の架橋剤の式Ｖの触媒に対するモル比は３００である。 ■１，５００、好ましくは４００■１，３００、より好ましくは１，０００■１，５００。
本発明の組成物の好ましい実施形態では、一般式の架橋剤のモル比
式ＶＩによると、触媒に対するＳｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍは、カルボン酸ラジカルの形態であり、３００から１５００、好ましくは４００から１３００、より好ましくは１０００から１５００である。
本発明による組成物の特に好ましい実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍ（ここで、Ｒａはカルボン酸ラジカルの形態である）の架橋剤の触媒に対するモル比は、式ＶＩＩに対して、３００から１５００、好ましくは４００から１３００、より好ましくは１０００から１５００である。
本発明の組成物の一実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍ（ここで、Ｒａはオキシムラジカルの形態である）の架橋剤の、式Ｖによる触媒に対するモル比は、 １００■２，０００、好ましくは１２５■２，０００、より好ましくは１５０■２，０００。
本発明の組成物の好ましい実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍ（ここで、Ｒａはオキシムラジカルの形態である）の架橋剤の、式ＶＩによる触媒に対するモル比、 １００■２，０００、好ましくは１２５■２，０００、より好ましくは１５０■２，０００である。
本発明の組成物の特に好ましい実施形態では、一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍ（ここで、Ｒａはオキシムラジカルの形態である）の架橋剤の、式ＶＩＩによる触媒に対するモル比。 、は、１００■２，０００、好ましくは１２５■２，０００、より好ましくは１２５■２，０００である。
一実施形態では、本発明の組成物は、硬化後、ＤＩＮ ５３５０４に従って、４５０から１３００％、好ましくは５００から１３００％、より好ましくは７００から１３００％の破断点伸びを示す。
一実施形態では、本発明の組成物は、硬化後、ＤＩＮ ８３３９に従って、２１０％から１３００％、好ましくは５００から１３００％、より好ましくは７００から１３００％の破断点伸びを示す。
さらに、本発明は、以下を含む組成物を硬化させることにより得られるシーリング材料に関する。
私。一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、ここでｏおよび基Ｒ１およびＲｍは、請求項１に従って定義される。
ｉｉ。触媒、少なくとも１つのＭ３Ｓ化合物を含む触媒、および
ｉｉｉ。一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する少なくとも１つの架橋剤。ここで、ｍおよびラジカルＲおよびＲａは、請求項１に従って定義される。
さらに、本発明は、一般式ＨＯ（ＳｉＲｌＲｍＯ）ｏＨを有するシリコーン化合物を含む組成物を架橋するための触媒としての金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物の使用に関し、ここでｏおよび基ＲｌおよびＲｍ、ここで、それぞれのパラメータはすでに説明したように定義されます。
さらに、本発明は、組成物を調製する方法に関し、前記方法は以下のプロセスステップを含む。
ａ。含む組成物を提供する
私。一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、ここでｏおよび基Ｒ１およびＲｍは、請求項１に従って定義される。
ｉｉ。触媒、少なくとも１つのＭ３Ｓ化合物を含む触媒、および
ｉｉｉ。一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する少なくとも１つの架橋剤。ここで、ｍおよびラジカルＲおよびＲａは、請求項１に従って定義される。
ｂ。機械的および／または熱エネルギーを使用して、ａ。で提供される組成物を混合する。
本発明の組成物は、改善された触媒活性または触媒の効率を特徴とする。
本発明の組成物は、触媒としてのＭ３Ｓ化合物の改善された触媒活性または効率を特徴とする。
本発明の組成物は、改善された触媒活性または触媒の効率により特徴付けられ、その結果、スズ化合物の使用を回避することができる。
本発明の組成物は、改善された触媒活性または触媒の効率、使用を可能にする特徴によって特徴付けられる。
比較的少量の触媒（重量パーセントまたはシーリング材料１キログラムあたりのモル数）の触媒。
本発明の範囲内で使用されるＭ３Ｓ化合物およびそれらの調製は、従来のシリコーン樹脂調製方法から当業者に知られている。シリコーン樹脂は、例えば、加水分解可能な脱離基を有するシラン化合物の制御された加水分解とそれに続く縮合反応によって形成されます（例えば、Ｂ。Ｔｉｅｋｅ、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ：Ａｎ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ、２番目に完全に改訂および拡張された版、２．１．８．５シリコーンを参照）樹脂）。シランの加水分解可能な脱離基の数と水とシランのモル比により、シリコーン樹脂の架橋度と重合度が決まります。これらのシリコーン樹脂は、金属アルコラートを添加することにより、オリゴマーまたはポリマーのシリコーン化合物に組み込まれます（ＷＯ ２０１５１１４０５０ Ａ１を参照）。 （金属）シルセスキオキサンの一般的な調製方法も文献から知られています（例えば、ＰＧ Ｈａｒｒｉｓｏｎ、Ｊ． Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ。Ｃｈｅｍ。１９９７、５４２、１４１； ＪＤ Ｌｉｃｈｔｅｎｈａｎ、Ｃｏｍｍｅｎｔｓ Ｉｎｏｒｇ。Ｃｈｅｍ。１９９５、１７、１１５； Ｒ 。Ｍｕｒｕｇａｖｅｌ、Ａ． Ｖｏｉｇｔ、ＭＧ Ｗａｌａｗａｌｋａｒ、ＨＷ Ｒｏｅｓｋｙ、Ｃｈｅｍ。Ｒｅｖ． １９９６、９６、２２０５； ＷＯ ０１／１０８７１ Ａ１； ＷＯ ０７／０４１３４４ Ａ８）。
一般的な準備方法
５重量％としての［Ｔｉ（ＰＯＳＳ）１．５］の合成。イソプロポキシドを含むポリオール中のマスターバッチの調製
１９０ｍｌのトルエン中のイソブチルトリシラノールＰＯＳＳ（４７ｇ、５９ｍｍｏｌ）の溶液に、チタンイソプロポキシド（１２ｍｌ、４４ｍｍｏｌ）を加える。反応混合物を５０■６７℃に６０■１８０分間加熱する。次に、ダルトセルＦ ４２８（９５０ ｇ）を反応混合物に加える。 ８０■１５０℃でさらに３０■８０分間溶媒トルエンを除去すると、濃縮物（マスターバッチ）として不溶性残留物のない透明な液体が得られます。
トルエンに加えて、ヘキサンなどの従来の非プロトン性溶媒を使用することができます。さらに、ＰＯＳＳとチタンの比率を高めるために、チタンプロポキシドの量を変えるオプションがあります。溶媒交換は、減圧下で実施することもできます。
例に示されたデータは、特に明記しない限り、個々の成分の重量パーセントです。
５重量％としての［Ｔｉ（ＰＯＳＳ）１．５］の合成。テトラエチルオルトチタネートを含むポリオール中のマスターバッチの調製
１９０ｍｌのトルエン中のイソブチルトリシラノール−ＰＯＳＳ（４７ｇ、５９ｍｍｏｌ）の溶液に、オルトチタン酸テトラエチル（４４ｍｍｏｌ）を加える。反応混合物を５０■６７℃に６０■１８０分間加熱する。次に、ダルトセルＦ ４２８（９５０ ｇ）を反応混合物に加える。 ８０■１５０℃でさらに３０■８０分間溶媒トルエンを除去すると、濃縮物（マスターバッチ）として不溶性残留物のない透明な液体が得られます。
トルエンに加えて、ヘキサンなどの従来の非プロトン性溶媒を使用することができます。さらに、ＰＯＳＳとチタンの比率を高めるために、チタンプロポキシドの量を変えるオプションがあります。溶媒交換は、減圧下で実施することもできます。
例に示されたデータは、特に明記しない限り、個々の成分の重量パーセントです。
例１
■、■ジヒドロキシポリオルガノシロキサン（３０■７０重量％）。これは、■、■ジヒドロキシル末端ポリジメチルシロキサン、■、■ジヒドロキシル末端ポリジエチルシロキサン、または■、■ジヒドロキシル末端ポリジビニルシロキサン、ならびに■、■ジヒドロキシル−例えば、α、■ジヒドロキシル末端ポリジフェニルシロキサンなどの末端ポリジアリールシロキサン。この場合、動粘度が５，０００から１２０，０００ ｃＳｔ（２５℃）のポリオルガノシロキサン、特に、粘度が２０，０００から１００，０００ ｃＳｔのポリオルガノシロキサン、より好ましくは粘度が４０，０００のポリオルガノシロキサンが好ましい。 ９０，０００ ｃＳｔまで異なる粘度を有するポリジオルガノシロキサンの混合物、ポリジアルキルシロキサン５０■１５０ ｃＳｔ（１５■４５重量％）を使用することも可能である。一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの少なくとも１つのシラン（０．５から４．５重量％）および／または少なくとも２つのシランの混合物（０．５から９重量％）を含む架橋剤真空下で混合した。その後、充填剤、好ましくはシリカ（５■１５重量％）をその中に任意に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次に、０．００１から０．５重量％。
請求項１０に記載の金属シルセスキオキサン、および任意に、上記の接着促進剤（０．５■２重量％）を、真空下で混合することにより組み込んだ。
重量％
１■、■ジヒドロキシポリオルガノシロキサン
２０，０００■８０，０００ ｃＳｔ ３０■７０
２ポリアルキルシロキサン５０■１５０ ｃＳｔ １５■４５
３架橋剤１ ０．５から４．５
４架橋剤２ ０．５から４．５
５フィラー５■１５
６接着促進剤０．５■２
７ Ｍ３Ｓ触媒０．００１から０．５
例２
■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン８０，０００ ｃＳｔ（３０■７０重量％）、ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ（１５■４５重量％）、少なくとも１つのシラン（０．５■４．５重量％）を含む架橋剤、および／または 一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの少なくとも２つのシラン（０．５■９重量％）の混合物。ここで、各Ｒａは、からなる群から互いに独立して選択される。
?一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル：

どこで
各Ｒｂは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
各Ｒｃは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
Ｒｄは、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、任意に置換された直鎖または
分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基、または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
Ｒｅは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環状環系または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
ｎは１■１０の整数です。
?一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル：

どこで
各Ｒｎは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
各Ｒｏは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
ＲｐおよびＲｑは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、任意に置換Ｃ５■Ｃ１５アラルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
Ｒｒは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環系、または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
ｐは１■１０の整数です。
?カルボン酸ラジカルＯ Ｃ（Ｏ）Ｒｆ。ここで、ＲｆはＨまたは１■２０の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカルを示し、
特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
・オキシムラジカルＯＮ ＝ ＣＲｇＲｈ、ここでＲｇおよびＲｈは互いに独立してＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換Ｃ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
・カルボン酸アミド基Ｎ（Ｒｉ）Ｃ（Ｏ）Ｒｊ、ここでＲｉはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する置換されていてもよい炭化水素基、特に置換されていてもよい直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基を示す。任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、ＲｊはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基または置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基、および
・アルコキシラジカルＯＲｋ、ここでＲｋは、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基を真空下で混合した。その後、充填剤、好ましくはシリカ（５■１５重量％）をその中に任意に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次に、０．００６■０．１７ ｗｔ％。触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔおよび任意に接着促進剤（０．５■２重量％）を真空下で混合することにより組み込んだ。
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ３０から７０
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ １５■４５
３架橋剤１ ０．５から４．５
４架橋剤２ ０．５から４．５
５シリカ５から１５
６接着促進剤０．５■２
７金属シルセスキオキサン０．００１から０．５
上記のシリコーンゴムコンパウンドのすべての成分は、１ステップで混合できます。
好ましい実施形態では、本発明のシリコーンゴムコンパウンドは、一段階で中間的に形成されたプレポリマーによって一段階で得られる。プレポリマーの形成およびその後のシリコーンゴムコンパウンドの形成は、追加の精製または中間ステップなしで、本発明の触媒の存在下で形成することができる。
以下に説明する例の場合、すべてのパラメーターは以下に説明するテスト方法によって決定されました。以下に説明するすべてのシーリング材料は透明で無色であり、２４時間後に適切な安定性とノッチ耐性を示しました。さらに、３つの試験片すべての次のシーリング材は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３４０、ガラスのコンディショニング方法Ａに従って、初期の長さの１００％の伸びで、伸びは２４時間維持されます。
本発明の触媒（実施例３および４）を従来の触媒（参考例）と使用した場合の引裂強さの比較：
例３
オキシム脱離基との架橋剤混合物
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ５３．５
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ ３０．４
３ビニルトリス（２−ペンタノノキシモ）シラン２．２
４メチルトリス（２−ペンタノノキシモ）シラン２．２
５発熱性シリカ、未処理ＢＥＴ表面１３０から１５０ ｍ２ ／ ｇ １０．６
Ｎ（２アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）１．０に基づく６接着促進剤
７触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ ０．０８
■、ｐｏｌｙジヒドロキシジメチルポリシロキサン８０，０００ ｃＳｔ、ＰＤＭＳ １００ ｃＳｔおよびビニルトリス（２ペンタノノキシモ）シランを真空下で混合しました。次に、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シランを真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）およびＮ（２アミノエチル）３アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を真空下で混合することにより組み込んだ。製品の特徴は、スキニング時間８分、タックフリー時間２０分でした。シーリング材は、テストされたすべての材料、すなわちガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、板金、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ ／ Ｍｇ合金に対して良好な接着性を示しました。
決定されたショアＡ硬度は２３でした。６０℃で４週間保管した後でも、シーリング材は安定しており（ショアＡ：２１）、無色でした。 ５ ｂａｒ、３０秒で直径２ ｍｍのダイを使用した押し出しは、１４．０ ｇでした。さらに、シーリング材は優れた特性を示しました。
特性シーリング材
早期耐荷重能力６０分
ガラス上で完全硬化（９ ｍｍ）３ ｄ
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
１００％伸び時の引張応力値（Ｎ ／ ｍｍ２）０．３３
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び時の割線係数（Ｎ ／ ｍｍ２）０．６３
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断伸び３８５％
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９
平均弾性回復９２％
ＤＩＮ ５３５０４
引裂強さ（Ｎ ／ ｍｍ２）０．８９
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ５３５０４
破断伸び７９０％
例４
オキシム脱離基との架橋剤混合物
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ５３．５
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ ３０．４
３ビニルトリス（２−ペンタノノキシモ）シラン２．２
４メチルトリス（２−ペンタノノキシモ）シラン２．２
５発熱性シリカ、未処理ＢＥＴ表面１３０から１５０ ｍ２ ／ ｇ １０．６
Ｎ（２アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）１．０に基づく６接着促進剤
７触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ ０．０８
■、ｐｏｌｙジヒドロキシジメチルポリシロキサン８０，０００ ｃＳｔ、ＰＤＭＳ １００ ｃＳｔおよびビニルトリス（２ペンタノノキシモ）シランを真空下で混合しました。次に、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シランを真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次に、触媒オクチル−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔおよび
Ｎ（２アミノエチル）３アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することにより組み込みました。製品の特徴は、スキニング時間８分、タックフリー時間２０分でした。シーリング材は、テストされたすべての材料、すなわちガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、板金、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ ／ Ｍｇ合金に対して良好な接着性を示しました。
決定されたショアＡ硬度は２４でした。６０℃で４週間保管した後でも、シーリング材は安定しており（ショアＡ：２１）、無色でした。 ５ ｂａｒ、３０秒で直径２ ｍｍのダイを使用した押し出しは１２．０ ｇでした。さらに、シーリング材は優れた特性を示しました。
特性シーリング材
早期耐荷重能力６０分
ガラス上で完全硬化（９ ｍｍ）４ ｄ
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
１００％伸び時の引張応力値（Ｎ ／ ｍｍ２）０．３８
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び時の割線係数（Ｎ ／ ｍｍ２）０．７１
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び３５０％
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９
平均弾性回復９４％
ＤＩＮ ５３５０４
引裂強度（Ｎ ／ ｍｍ２）０．９７
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ５３５０４
破断伸び７３０％
参考例Ａ
オキシム脱離基との架橋剤混合物
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ５３．０
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ ３１．４
３ビニルトリス（２−ペンタノノキシモ）シラン１．３
４メチルトリス（２−ペンタノノキシモ）シラン３．０
５発熱性シリカ、未処理ＢＥＴ表面１３０から１５０ ｍ２ ／ ｇ １０．５
Ｎ（２アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）０．６５に基づく６接着促進剤
７オクチルスズ触媒０．１２
■、ｐｏｌｙジヒドロキシジメチルポリシロキサン８０，０００ ｃＳｔ、ＰＤＭＳ １００ ｃＳｔおよびビニルトリス（２ペンタノノキシモ）シランを真空下で混合しました。次に、メチル−トリス（２アセトキシモ）シランも真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次に、オクチルスズ触媒と、Ｎ（２アミノエチル）３アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することにより組み込みました。製品の特徴は、スキニング時間９分、タックフリー時間２３分でした。シーリング材は、テストされたすべての材料、つまりガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、板金、鉄鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミド、およびＡｌ ／ Ｍｇ合金に対して良好な接着性を示しました。
決定されたショアＡ硬度は２６でした。６０℃で４週間保管した後でも、シーリング材は安定しており（ショアＡ：２３）、無色でした。 ５ ｂａｒ、３０秒で直径２ ｍｍのダイを使用した押し出しは１８．０ ｇでした。さらに、シーリング材は次の特性を示しました。
特性シーリング材
初期耐荷重能力１７０分
ガラスの完全硬化（９ ｍｍ）５ ｄ
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
１００％伸び時の引張応力値（Ｎ ／ ｍｍ２）０．３８
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び時の割線係数（Ｎ ／ ｍｍ２）０．５７
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断伸び２８０％
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９
平均弾性回復９６％
ＤＩＮ ５３５０４
引裂強度（Ｎ ／ ｍｍ２）０．９３
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ５３５０４
破断伸び６６０％
個々のシリコーンゴムコンパウンドの調製
例５
オキシム脱離基との架橋剤混合物
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ５３．５
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ ３０．４
３ビニル−トリス（２−ペンタノノキシモ）シラン０．８５
４エチル−トリス（アセトキシモ）シラン３．５５
５発熱性シリカ、未処理ＢＥＴ表面１３０から１５０ ｍ２ ／ ｇ １０．６
ＤＡＭＯ １．０に基づく６オリゴマー接着促進剤
７触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ ０．０８
■、ｐｏｌｙジヒドロキシジメチルポリシロキサン８０，０００ ｃＳｔ、ＰＤＭＳ １００ ｃＳｔ、エチルトリス（アセトキシモ）シランおよびビニルトリス（２ペンタノノキシモ）シランを真空下で混合しました。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。それから触媒
ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−Ｅｔ（ＶＩＩ）およびＮ（２アミノエチル）３アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することにより組み込みました。生成物は透明で無色でした。 １０分のスキニング時間と４０分のタックフリー時間で特徴付けられました。シーリング材は、テストされたすべての材料、つまりガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、板金、鉄鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミド、およびＡｌ ／ Ｍｇ合金に対して良好な接着性を示しました。
決定されたショアＡ硬度は２２でした。６０℃で４週間保管した後でも、シーリング材は安定しており（ショアＡ：２１）、無色でした。 ５ ｂａｒ、３０秒で直径２ ｍｍのダイを使用した押し出しは１２．０ ｇでした。さらに、シーリング材は優れた特性を示しました。
特性シーリング材
早期耐荷重能力７０分
ガラス上で完全硬化（９ ｍｍ）４ ｄ
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
１００％伸び時の引張応力値（Ｎ ／ ｍｍ２）０．３５
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び時の割線係数（Ｎ ／ ｍｍ２）０．６９
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断伸び４３５％
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９
平均弾性回復９３％
ＤＩＮ ５３５０４
引き裂き強度（Ｎ ／ ｍｍ２）０．８３
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ５３５０４
破断点伸び８３５％
実施例６
オキシム脱離基との架橋剤混合物
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ５３．５
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ ３０．４
３ビニルトリス（２−ペンタノノキシモ）シラン２．２
４メチルトリス（２−ペンタノノキシモ）シラン２．２
５発熱性シリカ、未処理ＢＥＴ表面１３０から１５０ ｍ２ ／ ｇ １０．６
ＤＡＭＯ １．０に基づく６オリゴマー接着促進剤
７触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ ０．００６
■、ｐｏｌｙジヒドロキシジメチルポリシロキサン８０，０００ ｃＳｔ、ＰＤＭＳ １００ ｃＳｔおよびビニルトリス（２ペンタノノキシモ）シランを真空下で混合しました。次に、メチル−トリス（２ペンタノノキシモ）シランを真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）およびＮ（２アミノエチル）３アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を真空下で混合することにより組み込んだ。生成物は透明で無色でした。スキニング時間は８分、タックフリー時間は３０分です。シーリング材は、テストされたすべての材料、つまりガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、板金、鉄鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミド、およびＡｌ ／ Ｍｇ合金に対して良好な接着性を示しました。
決定されたショアＡ硬度は２６でした。６０℃で４週間保管した後でも、シーリング材は安定しており（ショアＡ：２４）、無色でした。 ５ ｂａｒ、３０秒で直径２ ｍｍのダイを使用した押し出しは１２．０ ｇでした。さらに、シーリング材は優れた特性を示しました。
特性シーリング材
早期耐荷重能力６０分
ガラス（９ ｍｍ）での完全硬化３ ｄ
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
１００％伸び時の引張応力値（Ｎ ／ ｍｍ２）０．３８
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び時の割線係数（Ｎ ／ ｍｍ２）０．６８
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断伸び３４０％
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９
平均弾性回復９５％
ＤＩＮ ５３５０４
引裂強さ（Ｎ ／ ｍｍ２）０．６８
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ５３５０４
破断伸び５５５％
実施例７
カルボン酸脱離基を有する架橋剤
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ５５．４
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ ３１．１
３プロピルトリアセトキシシラン４．５
４ジ−ｔｅｒｔブトキシ−ジアセトキシシランＢＤＡＣ ０．２５
５発熱性シリカ、未処理ＢＥＴ表面１３０から１５０ ｍ２ ／ ｇ ８．５
６触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ ０．０４
ポリマー８０，０００ ｃＳｔ、ＰＤＭＳ １００ ｃＳｔ、およびプロピルトリアセトキシシランを真空下で混合しました。次に、接着促進剤ＢＤＡＣも真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次に、触媒ＩＢＵ−
ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）は、真空下で混合することにより組み込まれました。生成物は透明で無色でした。スキニング時間は８分、タックフリー時間は４０分です。シーリング材は、テストされたすべての材料、すなわちガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、板金、スチール、木、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミド、Ａｌ ／ Ｍｇ合金に対して良好な接着性を示しました。
決定されたショアＡ硬度は２３でした。６０℃で４週間保管した後でも、シーリング材は安定しており（ショアＡ：２３）、無色でした。 ５ ｂａｒ、３０秒で直径２ ｍｍのダイを使用した押し出しは２５．０ ｇでした。さらに、シーリング材は優れた特性を示しました。
特性シーリング材
早期耐荷重能力４０分
ガラス上で完全硬化（９ ｍｍ）３ ｄ
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
１００％伸び時の引張応力値（Ｎ ／ ｍｍ２）０．３７
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び時の割線係数（Ｎ ／ ｍｍ２）０．４９
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び２１０％
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３４０
ガラス上のコンディショニング方法Ａ、２４時間／ １００％破断伸び、３つの試験片すべてが合格
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９
平均弾性回復９７％
ＤＩＮ ５３５０４
引裂強度（Ｎ ／ ｍｍ２）１．２４
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ５３５０４
破断点伸び１１５０％
例８
カルボン酸脱離基を有する架橋剤
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ５５．４
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ ３１．１
３プロピルトリアセトキシシラン４．５
４ジ−ｔｅｒｔブトキシ−ジアセトキシシランＢＤＡＣ ０．２５
５発熱性シリカ、未処理ＢＥＴ表面１３０から１５０ ｍ２ ／ ｇ ８．５
６触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ ０．０１２５
■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン８０，０００ ｃＳｔ、ＰＤＭＳ １００ ｃＳｔ、およびプロピルトリアセトキシシランを真空下で混合しました。次に、接着促進剤ＢＤＡＣも真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次に、真空下で混合することにより、触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）を組み込んだ。生成物は透明で無色でした。スキニング時間は８分、タックフリー時間は４０分です。シーリング材は、テストされたすべての材料、つまりガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、板金、鋼鉄、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ ／ Ｍｇ合金に対して良好な接着性を示しました。
決定されたショアＡ硬度は２３でした。６０℃で４週間保管した後でも、シーリング材は安定しており（ショアＡ：２３）、無色でした。 ５ ｂａｒ、３０秒で直径２ ｍｍのダイを使用した押し出しは２５．０ ｇでした。さらに、シーリング材ショー
特性シーリング材
早期耐荷重能力４０分
ガラス上で完全硬化（９ ｍｍ）３ ｄ
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
１００％伸び時の引張応力値（Ｎ ／ ｍｍ２）０．３７
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び時の割線係数（Ｎ ／ ｍｍ２）０．４９
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び２１０％
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９
平均弾性回復９７％
ＤＩＮ ５３５０４
引裂強度（Ｎ ／ ｍｍ２）１．２４
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ５３５０４
破断点伸び１１５０％
実施例９
ヒドロキシカルボン酸脱離基を有する架橋剤
重量％
１■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン
８０，０００ ｃＳｔ ５５．０
２ポリジメチルシロキサン１００ ｃＳｔ ２６．７
３メチルトリスサリチル酸エチルヘキシルエステルシラン４．０
４プロピルトリスサリチル酸エチルヘキシルエステルシラン４．０
５ ３アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＭＥＯ）０．１
６発熱性シリカ、未処理ＢＥＴ表面１３０から１５０ ｍ２ ／ ｇ ８．５
７触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ ０．０７
８トリス（３トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート１．２
９ ＤＭＡＰＴＭＳ ０．４
ジヒドロキシジメチルポリシロキサン８０，０００ ｃＳｔ、ＰＤＭＳ １００ ｃＳｔ、メチル−トリスサリチル酸エチルヘキシルエステルシランおよびプロピル−トリスサリチル酸エチルヘキシルエステルシランを真空下で混合した。次に、ＡＭＥＯも真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）および接着促進剤トリス（３トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレートおよび接着促進剤ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＭＡＰＴＭＳ）を真空下で混合することにより組み込んだ。
製品の特徴は、スキニング時間７分、タックフリー時間１２０分でした。シーリング材は、試験したすべての材料、すなわちガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、板金、鋼、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ ／ Ｍｇ合金に対して良好な接着性を示しました。
決定されたショアＡ硬度は２７でした。６０℃で４週間保管した後でも、シーリング材は安定しており（ショアＡ：２４）、無色でした。 ５ ｂａｒ、３０秒で直径２ ｍｍのダイを使用した押し出しは１２．０ ｇでした。さらに、シーリング材は優れた特性を示しました。
特性シーリング材
初期の耐荷重能力２０分。
ガラスの完全硬化（９ ｍｍ）５ ｄ
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
１００％伸び時の引張応力値（Ｎ ／ ｍｍ２）０．３３
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断点伸び時の割線係数（Ｎ ／ ｍｍ２）０．５２
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ８３３９
破断伸び２８５％
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ７３８９
平均弾性回復９６％
ＤＩＮ ５３５０４
引裂強度（Ｎ ／ ｍｍ２）０．５７
ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ５３５０４
破断点伸び４６０％
参考例Ｂ
Ｉ）出発材料：
物質量（ｇ）
１ポリマー２０，０００ ｃＳｔ
（■、■ジヒドロキシジメチルポリシロキサン）３８０
２架橋剤：テトラ（グリコール酸ｎブチルエステル）シラン＊ ５
７触媒：アンバーライトＩＲＡ−６７（ゲル型アクリルマトリックス０．４を含む弱陰イオン交換樹脂
＊テトラ（グリコール酸ｎブチルエステル）シランの合成
窒素雰囲気下で、１，０００ｍｌの三つ口フラスコに、２２２ｇのトルエン、６７．６ｇのトリエチルアミンおよび９０．６ｇのグリコール酸ｎブチルエステルを充填する。次に、撹拌しながらテトラクロロシラン２６．８ ｇを計量供給します。この場合、水浴で冷却することにより、反応温度を３５℃未満に維持します。計量したら、混合物をさらに３０分間撹拌する。 ３０℃で、次いで、形成された塩酸塩を濾過により除去する。
最後に、溶媒トルエンを真空蒸留により分離します。主にＳｉ（ＯＣＨ２ＣＯＯ ｎ Ｃ４Ｈ９）４で構成される黄色がかった液体８６ ｇ（理論値の９８．５％）が得られます。
ＩＩ）準備：
ポリマー８０，０００、架橋剤および触媒を真空下で混合します。次に、大気中の水分を排除して、得られた混合物を叩きます。
空気にさらされた後のシーリング材の特性。
光学特性無色、透明
スキニング時間４０分
７日以上のタックフリー時間
混合物は完全には硬化しないため、より詳細な研究を行うことはできませんでした。
テストメソッドの一般的な実装：
１．シリコーンシーリング材のタックフリータイムの決定
タックフリー時間を決定するには、適切なデバイスを使用して、シーリング材料を供給する際の温度と大気水分を決定し、適切なプロトコルで記録する必要があります。使用準備が整った充填済みで密封されたカートリッジ（少なくとも２４時間配合した後のシーリング材の寿命）は、シリコンカートリッジ用のガンに挿入されます。次に、適切な量のシリコンをきれいなガラス板にスプレーします。シリコンはこてで速やかに広げられ、連続したシリコンストリップが形成されます。現在の時刻が読み取られます。適切な間隔で、決定するシーリング材のタックフリー時間は、きれいな指でシリコーン表面にそっと触れることにより決定されます。シーリング材がタックフリーの場合、現在の時刻が再度読み取られます。
２．シリコーンシーリング材の押し出しの決定
使用準備が整った充填済みの密封カートリッジ（少なくとも２４時間配合した後のシーリング材の寿命）をシリコンカートリッジ用の圧縮エアガンに挿入し、適切なカートリッジチップをねじ込みます。圧縮空気ガンは圧縮空気供給源に接続されています。圧力計は５ ｂａｒの圧力に設定されています。次に、シリコンカートリッジから少量のシリコンを拭き取り紙にスプレーして、カートリッジの先端が完全にシリコンで満たされるようにします。次に、アルミ製のボウルを天びんに載せて風袋引きします。これで、シリコンがボウルに正確に３０秒間吹き付けられ、最後にトップローディング天びんの重量が読み取られます。
３．シリコーンシーリング材の安定性の決定
安定性を判断するために、適切な装置を使用して、シーリング材料を分配する際の温度と大気水分を決定し、適切なプロトコルで記録する必要があります。使用準備が整った充填済みで密封されたカートリッジ（少なくとも２４時間配合した後のシーリング材の寿命）は、シリコンカートリッジ用のガンに挿入されます。次に、ワームの形状を円形に段ボール（直径約３ ｃｍ）に吹き付けます。これで、シリコンワームのある段ボールが垂直に配置され、現在の時間が読み取られます。
３０分後、シリコンワームが元の形状をしているか、またはワームが下向きに流れたかを観察します。ワームの形状が変化していない場合、シリコーンシーリング材は安定しています。
４．シリコーンシーリング材の完全硬化の決定
完全な硬化を判断するために、シーリング材を塗布する際の温度と大気水分を適切なデバイスを使用して決定し、適切なプロトコルで記録する必要があります。使用準備が整った充填済みで密封されたカートリッジ（少なくとも２４時間配合した後のシーリング材の寿命）は、シリコンカートリッジ用のガンに挿入されます。次に、適切な量のシリコンをきれいなガラス板にスプレーします。シリコンはこてで速やかに広げられ、連続したシリコンストリップが形成されます。適切な間隔（日数）で、小さなクロスピースをナイフで慎重にシリコーンから切り離し、シーリング材の硬化を評価します。シーリング材の本体の内側部分がまだ粘着性でゲル状である場合、シーリング材はまだ完全には硬化せず、決定手順が繰り返されます。シーリング材が完全に硬化した場合、硬化時間は日数で記録されます。ディスペンシング後７日を経過してもシーリング材がまだ粘着性がある場合、完全な硬化に関する基準は不十分であると判断されます。
５．シリコーンシーリング材の接着力の測定
接着力を決定するために、シーリング材を供給する際の温度と大気中の水分を適切なデバイスを使用して決定し、適切なプロトコルで記録する必要があります。使用準備が整った充填済みで密封されたカートリッジ（少なくとも２４時間配合した後のシーリング材の寿命）は、シリコンカートリッジ用のガンに挿入されます。次に、適切に洗浄されたキャリア材料（たとえば、ガラス、アルミニウム、木材、プラスチック、コンクリート、天然石など）にシリコンボタンをスプレーします。シーリング材が完全に硬化した後（約４８時間）、シリコンボタンを指で引っ張って、シリコンがキャリア材料から再び剥がれたかどうか、またはシリコンがキャリア材料と密接に結合したかどうかを確認します。シリコンボタンが簡単に剥がれるか、キャリア材料から簡単に剥がせるか、まったく剥がせない場合、接着性は悪い、平均、または良いと評価されます。
６．シリコーンシーリング材料の臭気の測定
満たされ、密封されたカートリッジ
カートリッジ。金型は、金属にシリコンが蓄積するのを防ぐために、洗剤で湿らせます。すぐに使用できる充填済みの密封されたカートリッジが、シリコンカートリッジ用のガンに挿入されます。カートリッジの先端が取り外されます。次に、シリコンを、金型の長さと高さにわたってダンベル試験片Ｓ １のダイにスプレーし、直ちにこてで滑らかにします。少なくとも２４時間後、ダイから試験片を持ち上げて、シリコーンの硬化をチェックします。表面がべたつかないようにする必要があります。ダンベル試験片は、エアポケットや異物の混入がなく、ひび割れがないように視覚的に完全でなければなりません。ダイから取り出した後、試験片に試験番号が付けられます。引張試験機Ｔ ３００では、ダンベル試験片Ｓ １に張力クランプを使用する必要があります。試験可能なダンベル試験片は、バーが測定する初期長さを正確に２６ ｍｍ示すように上下のクランプの間にクランプします。 。測定データ、またはより具体的には測定マークは、緩和状態でゼロにリセットされます。開始ボタンを押すと、試験片の伸び、より具体的には、測定値の表示が始まります。試験片が破れると、デバイスは自動的にオフになります。測定値は表示されたままで、直接読み取ることができます。
１０． ＤＩＮ ８３３９に準拠したＨ試験片による引張試験
テストするシリコンを決定するには、シリコンカートリッジの関連テスト番号とテスト日をプロトコルに記録する必要があります。配合後のシーリング材の寿命は、カートリッジ内で少なくとも２４時間でなければなりません。
すぐに使用できる充填済みの密封されたカートリッジが、シリコンカートリッジ用のガンに挿入されます。カートリッジの先端が取り外されます。その後、シリコンを金型に長さおよび高さにわたってミリングされた金型にスプレーし、直ちにこてで滑らかにします。その後、試験片は標準条件下で２８日間保管されます。引張試験の前に、試験片は目視検査によってチェックされます。試験片にエアポケットや亀裂が見られない場合があります。
引張試験機ＭＦＣ Ｔ ３００では、Ｈ試験片に張力クランプを使用する必要があります。試験片は、距離が１２ ｍｍになるように上下のクランプの間に固定されます。測定データ、またはより具体的には測定マークは、緩和状態でゼロにリセットされます。開始ボタンを押すと、試験片の伸び、より具体的には、測定値の表示が始まります。
試験片が破れると、デバイスは自動的にオフになります。測定値は表示されたままで、直接読み取ることができます。
１１． ＤＩＮ ８３４０に準拠したＨ試験片による引張試験
テストするシリコンを決定するには、シリコンカートリッジの関連テスト番号とテスト日をプロトコルに記録する必要があります。配合後のシーリング材の寿命は、カートリッジ内で少なくとも２４時間でなければなりません。すぐに使用できる充填済みの密封されたカートリッジが、シリコンカートリッジ用のガンに挿入されます。カートリッジの先端が取り外されます。次に、シリコンを金型の長さと高さにわたってダイにスプレーし、直ちにこてで滑らかにします。その後、試験片は標準条件下で２８日間保管されます。引張試験の前に、試験片は目視検査によってチェックされます。試験片にエアポケットや亀裂が見られない場合があります。
引張試験機ＭＦＣ Ｔ ３００では、Ｈ試験片に張力クランプを使用する必要があります。試験片は、距離が１２ ｍｍになるように上下のクランプの間に固定されます。測定データ、またはより具体的には測定マークは、緩和状態でゼロにリセットされます。開始ボタンを押すと、試験片の伸び、より具体的には、測定値の表示が始まります。試験片が破れると、デバイスは自動的にオフになります。測定値は表示されたままで、直接読み取ることができます。
１２．シリコーンシーリング材の貯蔵安定性の決定
すぐに使用できる充填済みの密封されたカートリッジを、加熱した乾燥オーブンに入れます。試験方法のプロトコルによれば、シリコーンシーリング材は、数週間の指定された期間、適切な温度の加熱乾燥オーブンに保管されます。保管時間が経過すると、カートリッジはシリコンカートリッジ用のガンに挿入されます。次に、適切な量のシリコンを、レイアウトされた吸収パッドにスプレーします。シリコンはこてで速やかに広げられ、連続したシリコンストリップが形成されます。次に、シリコーンシーリング材のＰＡ Ｅ０００２およびＰＡ Ｅ００１０を評価します。
１３．シリコーンシーリング材の初期耐荷重能力の決定
初期の耐荷重能力、温度および大気を決定するため
低温硬化シリコーンゴム化合物、いわゆるＲＴＣ（室温架橋）シリコーンゴム化合物は、弾性特性を有する目的に合わせた材料として、かなり以前から知られている。それらは、通常、ガラス、アルミニウムなどの金属、ＰＶＣなどのプラスチック、処理された（されていない）形態の木材、セラミックス、石材または磁器のためのシーリング化合物または接着材として使用される。この場合、それらは、例えば、建築および衛生部門などにおいてシーリング化合物および接合部充填化合物として、例えば、電気事業におけるコーティング材として使用される（Ｒｏｅｍｐｐ Ｃｈｅｍｉｅ，ＣＤ−ＲＯＭ，ｖｅｒｓｉｏｎ ２．０，ｅｄ．Ｅ．Ｂａｒｔｈｏｌｏｍｅ，Ｖｅｒｌａｇ Ｃｈｅｍｉｅ，Ｗｅｉｎｈｅｉｍ １９８２，ｖｏｌｕｍｅ ２１，ｐ．５１１ ｆｆ．）。特に、ＲＴＣ−１シリコーンゴム化合物が使用される。それらは、一成分ＲＴＣシリコーンゴム化合物、例えば、α，ω−ジヒドロキシポリオルガノシロキサンとそれぞれ適切な硬化剤または架橋剤との塑性成形可能な混合物である。大気中の水分または水の影響下では、それらは通常、室温で重合する。
好ましくは、２つまたはそれを超える官能基を有するポリオルガノシロキサンは、重合生成物の所望の化学的特性および物理的特性ならびに所望の重合速度に応じて、様々な多官能性硬化剤とともに使用される。この場合、α，ω−ジヒドロキシポリオルガノシロキサンは、二官能性ポリオルガノシロキサンとして非常に重要である。架橋剤または硬化剤はそれぞれ、加水分解脱離基によって放出される加水分解性のＳｉＸ基を特徴とし、それらは、中性、酸性または塩基性の系において硬化剤の分類を可能にする。公知の脱離基は、例えば、カルボン酸、アルコールおよびオキシムである。ＥＰ２０３０９７６Ｂ１には、架橋の際にα−ヒドロキシカルボン酸エステルを放出するシラン化合物が記載されている。
ＤＥ２０２０１５００９１２２Ｕ１には、脱離基としてα−ヒドロキシカルボン酸アミドを有するシランが開示されている。
大気中の水分の存在下での室温におけるＲＴＣ−１シリコーンゴム化合物の重合は、好適な硬化触媒を添加することによって加速され得る。
この場合、特に、スズ化合物が非常に重要である。ＤＥ６９５０１０６３Ｔ２には、周囲温度で硬化するシリコーンエラストマー組成物中でのジブチルスズ−ビス（アセチルアセトネート）およびオクチル酸スズの使用が記載されている。ＥＰ０２９８８７７Ｂ１には、シリコーンエラストマー組成物用の、酸化スズおよびβ−ジカルボニル化合物を含むスズ触媒が記載されている。ＤＥ４３３２０３７Ａ１では、縮合架橋シリコーンにおいてジラウリン酸ジブチル二スズが触媒として使用されている。
スズ化合物は、通常、非常に高い触媒活性を特徴とする。しかしながら、その有毒な特性のせいで、ＲＴＣシリコーンゴム化合物において、スズを含まない硬化触媒の使用は回避されることが多い。
スズを含まない好適な触媒としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウムおよびチタン化合物が挙げられる。ＤＥ４２１０３４９Ａ１には、縮合反応によって室温で架橋するシリコーンゴムの調製における、チタン酸テトラブチル、ジブチル−ビス（メチルアセトアセタト）チタネート、ジイソプロピル−ビス（メチルアセトアセタト）チタネートおよびジイソブチル−ビス（エチルアセトアセタト）チタネートの使用が記載されてい
る。ＥＰ０１０２２６８Ａ１には、例えば、有機ジルコニウム化合物を触媒として含む、単一成分のシリコーン樹脂化合物が開示されている。
現在までのところ、スズを含まない触媒の使用の主な欠点は、触媒活性が比較的低いこと、および特にシリコーンゴム化合物の引裂強度が低いことに基づいて、関連する力学的特性が不十分であることである。
欧州特許第０２９８８７７号明細書 欧州特許出願公開第０１０２２６８号明細書
ゆえに、本発明の目的は、スズ含有量が少ない触媒の使用またはスズを含まない触媒の使用が、改善された力学的特性を特徴とするシリコーンゴム化合物をもたらす組成物を提供することである。
ゆえに、本発明の本質は、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物の組成物、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物を調製するための方法、ならびにシーラント、接着材、ポッティング化合物および／またはコーティング剤としての、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物の使用である。この場合、金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物は、好ましくは、触媒的に活性な量でシリコーンゴム化合物において使用される。
したがって、本発明の目的は、請求項１に記載の組成物、請求項１６に明記された方法、請求項１４および１９に明記された使用、ならびに請求項１７に明記されたシーリング材によって達成される。好都合な実施形態が、それぞれの従属請求項の主題である。
１つの好都合な実施形態において、本発明の目的は、金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を硬化性シリコーン組成物中で触媒として使用することによって達成され、ここで、その金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物のモル濃度は、シーリング材１ｋｇあたり０．００００１ｍｏｌ〜０．０１ｍｏｌの範囲内、好ましくは、シーリング材１ｋｇあたり０．００００５ｍｏｌ〜０．００５ｍｏｌの範囲内、より好ましくは、シーリング材１ｋｇあたり０．００００７ｍｏｌ〜０．００１９ｍｏｌの範囲内である。
好ましい実施形態において、金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物は、硬化性シリコーン組成物中で触媒として使用され、ここで、その金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物のモル濃度は、組成物１ｋｇあたり０．００００１ｍｏｌ〜０．０１ｍｏｌの範囲内、好ましくは、組成物１ｋｇあたり０．００００５ｍｏｌ〜０．００５ｍｏｌの範囲内、より好ましくは、組成物１ｋｇあたり０．００００７ｍｏｌ〜０．００１９ｍｏｌの範囲内である。
本発明の目的は、有益なことに、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を硬化性シリコーン組成物中で触媒として使用することによって達成される。金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物は、例えば、ＷＯ２００５／０６０６７１Ａ２およびＥＰ２７９６４９３Ａ１から、原則として当業者に公知である。
さらに、本発明の目的は、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を硬化性シリコーン組成物中で触媒として使用することによって達成され、ここで、その金属シロキサン−シラノール化合物の重量基準の割合は、０．００１〜０．５％の範囲内、好ましくは、０．００６〜０．１７％の範囲内である。
本発明の目的として、「シリコーンゴム化合物」は、シリコーンを含有する合成ゴム化合物であり、本発明の範囲において、ゴムポリマー、ポリ縮合物およびポリ付加物を含む用語である硬化性シリコーン組成物と交換可能に称される。前記化合物または組成物はそれぞれ、好適な架橋剤による架橋によって、高度に弾性の硬化状態に変換され得る。さらに、それらは、塑性成形可能な混合物であり、その混合物は、例えば、α，ω−ジヒドロキシポリオルガノシロキサンおよび好適な硬化剤または架橋剤をそれぞれ含み、水分の非存在下において保存され得るが、しかしながら、これらのシリコーンゴム化合物は、水または大気中の水分の影響下では室温で重合する。
本発明の目的として、「シラノール」は、少なくとも１つのヒドロキシル基（ＯＨ）がケイ素原子に結合された有機ケイ素化合物（≡Ｓｉ−ＯＨ）である。
本発明の目的として、「シラノレート」は、少なくとも１つの脱プロトン化ヒドロキシ官能基（Ｒ−Ｏ − ）がケイ素原子に結合した有機ケイ素化合物（≡Ｓｉ−Ｏ − ）であり、ここで、この負に帯電した酸素原子は、例えば金属などの他の化合物にも結合され得、かつ／または配位結合され得る。
用語「金属シロキサン−シラノール（シラノレート）」とは、１つまたはそれを超えるシラノールおよび／またはシラノレート基を含むあらゆる金属シロキサン化合物を指す。本発明の１つの実施形態において、金属シロキサン−シラノレートだけが存在することも可能である。これらの異なる立体配座の間に詳細な区別がなされない限り、すべての組み合わせが含められる。すぐ前で説明したような金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物（＝金属シロキサン−シラノール／シラノレート化合物）は、下記では「Ｍ３Ｓ」化合物とも称される。これらの用語は、下記において交換可能に使用される。
用語「触媒」とは、所与の反応の活性化エネルギーを低下させる物質であって、そのように低下させるとき、反応速度を高める物質を指す。
特に、本発明の目的物は、以下の構成要素：
ａ．一般式ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、Ｒ ｌ およびＲ ｍ は、互いに独立して、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、ｏは、５〜４，０００の整数である、シリコーン化合物、
ｂ．触媒であって、前記触媒は、特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群より選択される金属を含む少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を含む、触媒、ならびに
ｃ．一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、各Ｒは、互いに独立して、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２〜Ｃ１６アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、ｍは、０〜２の整数であり、各Ｒ ａ は、互いに独立して、以下：
・一般構造式（Ｉ）：
を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカルであって、式中、
各Ｒ ｂ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ｃ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｄ は、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｅ は、Ｃ、または１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｎは、１〜１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：
を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカルであって、式中、
各Ｒ ｎ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ｏ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｐ およびＲ ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｒ は、Ｃ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｐは、１〜１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｆ であって、式中、Ｒ ｆ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸ラジカル、
・オキシムラジカル−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ ｇ Ｒ ｈ であって、式中、Ｒ ｇ およびＲ ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、オキシムラジカル、
・カルボン酸アミドラジカル−Ｎ（Ｒ ｉ ）−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｊ であって、式中、Ｒ ｉ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表し、Ｒ ｊ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸アミドラジカル、および
・アルコキシラジカル−ＯＲ ｋ であって、式中、Ｒ ｋ は、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、アルコキシラジカル
からなる群より選択される、架橋剤
を混合することによって取得され得る、組成物である。
驚くべきことに、請求項１において定義される金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物は、シリコーンゴム化合物において触媒として使用されるとき、特に高い触媒活性を示すことが見出された。特に、触媒としての金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物の高い触媒活性は、水分硬化シリコーンゴム化合物において見出された。高い触媒活性のおかげで、シリコーンゴム化合物中の触媒の量を有意に減少させることが可能である。触媒的に活性な金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を使用することによって、スズ触媒の使用を最小限に抑えることまたは使用を止めることすら可能である。
本組成物は、一般式ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈを有するシリコーン化合物および一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ を有する架橋剤を、プレポリマーの形態で含み得る。そのプレポリマーは、それら２つの構成成分の反応産物である。これらの反応は、公知であり、エンドキャッピングとも称される（例えば、ＷＯ２０１６／１４６６４８Ａ１を参照のこと）。
すぐ前で説明したようなプレポリマーの形成だけでなく、その後の重合または縮合も、それぞれ、水または大気中の水分の存在下および請求項１に定義される触媒の存在下において生じて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成することが示された。それは、Ｍ３Ｓ化合物が、エンドキャッピングだけでなく、シリコーン化合物の硬化も促進することを意味する。さらに、好ましい実施形態では、たった１つの作業工程でシリコーンゴム化合物を得ること
が可能である。
この場合、驚くべきことに、シリコーンゴム化合物においてＭ３Ｓを使用すると、シリコーンゴム化合物の力学的特性の改善、特に、引裂強度の改善がもたらされることが見出された。
「引裂強度」は、様々な試験方法によって決定され得るポリマーの力学的特性の１つである。「引裂強度」は、供試体が引張り試験において破損した瞬間の引張り応力によって決定され得る。
「破断点伸び」は、供試体が破断した後の、最初の長さに対する長さの変化の比である。前記破断点伸びは、材料が亀裂なく形状の変化に耐える能力のことを表す。破断点伸びは、引張り試験においてＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ８３３９およびＤＩＮ５３５０４に則って決定される。
「引張り応力値」は、シーリング材の１００％の伸びにおいて、それぞれ接着面または隣接する建材に対して作用される応力を定義する。
「割線係数」とは、応力−ひずみ線図の曲線の任意の点における応力とひずみとの比を指す。それは、応力−ひずみ曲線の始まりからその曲線上の任意の点までの曲線の傾きである。
「弾性回復」は、膨張または変形を引き起こした力を解除した後、元の寸法のすべてまたは一部を取り戻す可撓性支持体の傾向を記載する。平均弾性回復は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７３８９に則って決定される。
用語「架橋剤」は、特に、加水分解によって切り離され得る少なくとも２つの基を含む架橋可能なシラン化合物を意味するものとする。そのような架橋可能なシラン化合物の例は、Ｓｉ（ＯＣＨ ３ ） ４ 、Ｓｉ（ＣＨ ３ ）（ＯＣＨ ３ ） ３ およびＳｉ（ＣＨ ３ ）（Ｃ ２ Ｈ ５ ）（ＯＣＨ ３ ） ２ である。架橋剤は、硬化剤とも称されることがある。特に、「架橋剤」は、特に、１つより多い架橋可能なシラン化合物を含み得る「架橋剤系」も含む。
本発明の目的として、「ケージ」またはオリゴマーもしくはポリマーの「ケージ構造」は、鎖の形状の金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物の３次元配置を意味するものとし、ここで、その鎖の個々の原子は、当該化合物の多面体の基本構造の礎石を形成する。この場合、少なくとも２つの面が、互いに連結した原子によって定義され、その結果は、共通の交点である。その化合物の１つの実施形態において、例えば、その化合物の立方体の形状の基本構造が形成される。
「シーラント」または「シーリング化合物」とは、特に、水、気体または他の媒質に対して表面をシールするために、液体〜粘性の形態または可撓性のプロファイルもしくはウェブとして適用される弾性材料を指す。
用語「接着材」とは、表面粘着（接着）および／または内部強度（凝集）によって接合部材を結合する物質を指す。この用語は、特に、にかわ、ペースト剤、分散接着材、溶媒ベースの接着材、反応接着材および接触接着材を網羅する。
「コーティング剤」は、表面をコーティングするあらゆる手段である。
本発明によると、「ポッティング化合物」または「ケーブルポッティング化合物」は、
ケーブルおよび／またはケーブル付属品をポッティングする目的で高温状態または低温状態において処理される化合物である。
用語「アルキル基」は、飽和炭化水素鎖を意味するものとする。アルキル基は、特に、一般式−Ｃ ｎ Ｈ ２ｎ＋１ を有する。用語「Ｃ１〜Ｃ１６アルキル基」とは、特に、その鎖に１〜１６個の炭素原子を有する飽和炭化水素鎖を指す。Ｃ１〜Ｃ１６アルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチルおよびエチルヘキシルである。同様に、「Ｃ１〜Ｃ８アルキル基」とは、特に、その鎖に１〜８個の炭素原子を有する飽和炭化水素鎖を指す。特に、アルキル基は、置換されてもよいことが明確に示されていなくても、置換されてよい。
「直鎖アルキル基」とは、分枝を含まないアルキル基を指す。直鎖アルキル基の例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチルおよびｎ−オクチルである。
「分枝鎖アルキル基」とは、直鎖ではないアルキル基を指し、ゆえに、特に、その炭化水素鎖は、枝分かれを有する。分枝鎖アルキル基の例は、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ペンチル、３−ペンチル、２−メチルブチル、イソペンチル、３−メチルブタ−２−イル、２−メチルブタ−２−イル、ネオペンチル、エチルヘキシルおよび２−エチルヘキシルである。
「アルケニル基」とは、鎖に沿って少なくとも１つの二重結合を含む炭化水素鎖を指す。例えば、二重結合を有するアルケニル基は、特に、一般式−Ｃ ｎ Ｈ ２ｎ−１ を有する。しかしながら、アルケニル基は、１つより多い二重結合も有し得る。用語「Ｃ２〜Ｃ１６アルケニル基」は、特に、その鎖に２〜１６個の炭素原子を有する炭化水素鎖を指す。この場合、水素原子の数は、アルケニル基における二重結合の数に応じて変化する。アルケニル基の例は、ビニル、アリル、２−ブテニルおよび２−ヘキセニルである。
「直鎖アルケニル基」とは、分枝を含まないアルケニル基を指す。直鎖アルケニル基の例は、ビニル、アリル、ｎ−２−ブテニルおよびｎ−２−ヘキセニルである。
「分枝鎖アルケニル基」とは、直鎖ではないアルケニル基を指し、ゆえに、特に、その炭化水素鎖は、枝分かれを有する。分枝鎖アルケニル基の例は、２−メチル−２−プロペニル、２−メチル−２−ブテニルおよび２−エチル−２−ペンテニルである。
「アリール基」とは、単環式環系（例えば、フェニル）、二環式環系（例えば、インデニル、ナフタレニル、テトラヒドロナフチルまたはテトラヒドロインデニル）および三環式環系（例えば、フルオレニル、テトラヒドロフルオレニル、アントラセニルまたはテトラヒドロアントラセニル）を指し、ここで、単環式環系、または二環式もしくは三環式環系における環の少なくとも１つは、芳香族である。特に、Ｃ４〜Ｃ１４アリール基とは、４〜１４個の炭素原子を有するアリール基を指す。アリール基は、特に、置換されてもよいことが明確に示されていなくても、置換されてよい。
「芳香族基」とは、芳香族系を有する、環状で平面状の炭化水素を指す。４〜１４個の炭素原子を有する芳香族基は、特に、４〜１４個の炭素原子を含む芳香族基を指す。芳香族基は、特に、単環式、二環式または三環式であり得る。さらに、芳香族基は、Ｎ、ＯおよびＳからなる群より選択される１〜５個のヘテロ原子も含み得る。芳香族基の例は、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フラン、ピロール、チオフェン、イソオキサゾール、ピリジンおよびキノリンであり、ここで、上述の例では、対応する構造式への組み込みを可能にするために、必要な数の水素原子が、各場合において除去され
る。
「シクロアルキル基」とは、芳香族ではない炭化水素環を指す。特に、４〜１４個の炭素原子を有するシクロアルキル基とは、４〜１４個の炭素原子を有する非芳香族炭化水素環を指す。シクロアルキル基は、飽和または部分不飽和であり得る。飽和シクロアルキル基は、芳香族ではなく、また、二重結合も三重結合も有しない。飽和シクロアルキル基とは対照的に、部分不飽和シクロアルキル基は、少なくとも１つの二重結合または三重結合を有するが、そのシクロアルキル基は、芳香族ではない。シクロアルキル基もまた、特に、置換されてもよいことが明確に示されていなくても、置換されてよい。
「アラルキル基」とは、アリール基で置換されたアルキル基を指す。「Ｃ５〜Ｃ１５アラルキル基」とは、特に、５〜１５個の炭素原子を有するアラルキル基を指し、ここで、そのアルキル基とアリール基の両方の炭素原子が、その炭素原子数の中に含められる。アラルキル基の例は、ベンジルおよびフェニルエチルである。アラルキル基もまた、特に、置換されてもよいことが明確に示されていなくても、置換されてよい。
「環式環系」とは、芳香族ではない炭化水素環を指す。特に、４〜１４個の炭素原子を有する環式環系とは、４〜１４個の炭素原子を有する非芳香族炭化水素環系を指す。環式環系は、単一の炭化水素環（単環式）、２つの炭化水素環（二環式）または３つの炭化水素環（三環式）からなり得る。特に、環式環系は、好ましくはＮ、ＯおよびＳからなる群より選択される１〜５個のヘテロ原子も含み得る。
「飽和環式環系」は、芳香族ではなく、また、二重結合も三重結合も有しない。飽和環式環系の例は、シクロペンタン、シクロヘキサン、デカリン、ノルボルナンおよび４Ｈ−ピランであり、ここで、上述の例では、対応する構造式への組み込みを可能にするために、各場合において、必要な数の水素原子が除去される。例えば、構造式ＨＯ−Ｒ ＊ −ＣＨ ３ （式中、Ｒ ＊ は、６つの炭素原子を有する環式環系、特に、シクロヘキサンである）において、２つの水素原子が、その構造式への組み込みを可能にするために、その環式環系、特に、シクロヘキサンから除去され得る。
別段述べられない限り、Ｎは、特に窒素を表す。さらに、別段述べられない限り、Ｏは、特に酸素を表す。別段述べられない限り、Ｓは、特に硫黄を表す。
「必要に応じて置換される」は、それぞれ対応する基または対応するラジカルにおける水素原子が、置換基で置き換えられてもよいことを意味する。置換基は、特に、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ベンジル、ハロゲン、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ヒドロキシ、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、シアノ、ニトロおよびチオからなる群より選択され得る。ある基が、必要に応じて置換されると言及される場合、その基の０〜５０個、特に、０〜２０個の水素原子が、置換基によって置き換えられてもよい。ある基が置換される場合、少なくとも１つの水素原子が、置換基によって置き換えられる。
「アルコキシ」とは、主要な炭素鎖に酸素原子を介して連結されるアルキル基を指す。
用語「ポリシロキサン」は、少なくとも１つの有機シリコーン化合物、好ましくは、２つ、３つまたはそれを超える異なる有機シリコーン化合物を含む本発明の組成物を記載する。本組成物に含められる有機シリコーン化合物は、好ましくは、オリゴマーまたはポリマーの化合物である。ポリマーの有機シリコーン化合物は、好ましくは、二官能性ポリオルガノシロキサン化合物、より好ましくは、α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリオルガノシロキサンである。α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサン、特に、α
，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジアルキルシロキサン、α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジアルケニルシロキサンまたはα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジアリールシロキサンが、非常に強く優先される。ホモポリマーのα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサンに加えて、
異なる有機置換基を有する、ヘテロポリマーのα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサンを使用することも可能であり、ここで、ケイ素原子上に同一の有機置換基を有するモノマーのコポリマーだけでなく、様々な有機置換基を有するモノマーのコポリマー、例えば、混合されたアルキル、アルケニルおよび／またはアリール置換基を有するものも、ケイ素原子上に含められる。好ましい有機置換基は、１〜８個の炭素原子を有する直鎖および分枝鎖のアルキル基、特に、メチル、エチル、ｎ−およびｉｓｏ−プロピル、ならびにｎ−、ｓｅｃ−およびｔｅｒｔ−ブチル、ビニルおよびフェニルを含む。この場合、個々の有機置換基における、炭素に結合した個々のまたはすべての水素原子が、従来の置換基（例えば、ハロゲン原子または官能基、例えば、ヒドロキシルおよび／またはアミノ基）によって置換され得る。結果として、部分的にフッ素置換されたもしくは全フッ素置換された有機置換基を有するα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサン、またはケイ素原子上にヒドロキシルおよび／もしくはアミノ基で置換された有機置換基を有するα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサンを使用することが可能である。
有機シリコーン化合物の特に好ましい例は、α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジアルキルシロキサン（例えば、α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジメチルシロキサン、α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジエチルシロキサンまたはα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジビニルシロキサン）およびα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジアリールシロキサン（例えば、α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジフェニルシロキサン）である。この場合、５，０００〜１２０，０００ｃＳｔの動粘性率（２５℃において）を有するポリオルガノシロキサン、特に、２０，０００〜１００，０００ｃＳｔの粘度を有するもの、より好ましくは、４０，０００〜９０，０００ｃＳｔの粘度を有するものが優先される。異なる粘度を有するポリジオルガノシロキサンの混合物を使用することも可能である。
用語「シーリング材」は、本明細書中で使用されるとき、請求項のいずれか１項に記載の、硬化した本発明の組成物を記載する。
本発明の好都合な実施形態を、下記で詳細に説明する。
本発明の一つの実施形態は、以下の構成要素：
ａ．一般式ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、Ｒ ｌ およびＲ ｍ は、互いに独立して、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、ｏは、５〜４，０００の整数である、シリコーン化合物、
ｂ．触媒であって、前記触媒は、特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群より選択される金属を含む少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を含む、触媒、ならびに
ｃ．一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、各Ｒは、互いに独立して、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２〜Ｃ１６アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、ｍは、０〜２の整数であり、各Ｒ ａ は、互いに独立して、以下：
・一般構造式（Ｉ）：
を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカルであって、式中、
各Ｒ ｂ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ｃ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｄ は、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｅ は、Ｃ、または１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｎは、１〜１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：
を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカルであって、式中、
各Ｒ ｎ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ｏ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｐ およびＲ ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｒ は、Ｃ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｐは、１〜１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｆ であって、式中、Ｒ ｆ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸ラジカル、
・オキシムラジカル−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ ｇ Ｒ ｈ であって、式中、Ｒ ｇ およびＲ ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、オキシムラジカル、
・カルボン酸アミドラジカル−Ｎ（Ｒ ｉ ）−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｊ であって、式中、Ｒ ｉ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表し、Ｒ ｊ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸アミドラジカル、および
・アルコキシラジカル−ＯＲ ｋ であって、式中、Ｒ ｋ は、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、アルコキシラジカル
からなる群より選択される、架橋剤
を含む組成物を記載する。
本発明の１つの実施形態によると、硬化性シリコーンゴム化合物の組成物は、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を含み、ここで、その金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物は、０．００１〜０．５％の範囲内、好ましくは、０．００６〜０．１７％の範囲内の重量基準の割合で存在する。特に、その金属シロキサンシラノール（シラノレート）化合物は、触媒活性を示す。様々な実施形態における本発明の組成物は、組成物１ｋｇあたり０．００００１ｍｏｌ〜０．０１ｍｏｌの範囲内、好ましくは、組成物１ｋｇあたり０．００００５ｍｏｌ〜０．００５ｍｏｌの範囲内、より好ましくは、組成物１ｋｇあたり０．００００７ｍｏｌ〜０．００１９ｍｏｌの範囲内のモル濃度でＭ３Ｓ触媒を含む。
本発明の１つの実施形態において、Ｍ３Ｓ化合物は、モノマー、オリゴマーおよび／またはポリマーの形態であり得、ここで、オリゴマーからポリマーへの移行は、一般的な定義によると流動的である。
好ましくは、オリゴマーおよび／またはポリマーのＭ３Ｓ化合物における金属は、鎖の末端および／または内部に存在する。
１つの実施形態において、鎖の形状のＭ３Ｓ化合物は、直鎖状、分枝状および／またはケージである。
好ましい実施形態において、鎖の形状の金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物は、ケージ構造を有する。
好ましくは、本発明のＭ３Ｓ化合物は、オリゴマー金属シルセスキオキサンを含む。
特に、本発明のＭ３Ｓ化合物は、多面体金属シルセスキオキサンを含む。
一つの実施形態において、本発明の組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式Ｒ ＊ ｑ Ｓｉ ｒ Ｏ ｓ Ｍ ｔ を有し、式中、各Ｒ ＊ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニル、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリール、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）からなる群より選択され、
各Ｍは、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、
特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群
より選択され、
ｑは、４〜１９の整数であり、
ｒは、４〜１０の整数であり、
ｓは、８〜３０の整数であり、
ｔは、１〜８の整数である。
別の実施形態において、本発明に係る組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式Ｒ ＃ ４ Ｓｉ ４ Ｏ １１ Ｙ ２ Ｑ ２ Ｘ ４ Ｚ ３ を有し、式中、各Ｘは、互いに独立して、Ｓｉ、Ｍ １ 、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ 、Ｍ ３ または−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ からなる群より選択され、Ｍ １ およびＭ ３ は、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ８ は、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
各Ｚは、互いに独立して、Ｌ ２ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ２ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ２ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ ＃ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ の各々は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；各Ｙは、互いに独立して、−Ｏ−Ｍ ２ −Ｌ ３ Δ を表すか、または２つのＹが、一体となり、一体となって、−Ｏ−Ｍ ２ （Ｌ ３ Δ ）−Ｏ−または−Ｏ−を表し
、
Ｌ ３ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ３ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、
各Ｍ ２ は、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
各Ｑは、互いに独立して、Ｈ、Ｍ ４ Ｌ ４ Δ 、−ＳｉＲ ８ 、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ 、ＸのＭ ３ に連結する単結合、またはラジカル−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、ここで、Ｍ ３ 、Ｒ ８ およびＬ １ は、Ｘについての通りに定義され、
Ｍ ４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、Ｌ ４ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ４ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択されるが、
但し、少なくとも１つのＸは、Ｍ ３ 、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ または−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表すことを条件とする。
Ｌ １ Δ 、Ｌ ２ Δ 、Ｌ ３ Δ 、Ｌ ４ Δ に対して存在し得る配位子の数（Δ）は、使用される金属原子の自由原子価の数値から直接決定され、その原子価の数値は、その金属の原子価を記述していることは、当業者に公知である。
さらなる実施形態において、本発明の組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式（Ｙ ０．２５ Ｒ ＃ ＳｉＯ １．２５ ） ４ （Ｚ ０．７５ Ｙ ０．２５ ＸＯ） ４ （ＯＱ） ２ を有し、式中、各Ｘは、互いに独立して、Ｓｉ、Ｍ １ 、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ 、Ｍ ３ または−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ からなる群より選択され、Ｍ １ およびＭ ３ は、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ８ は、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
各Ｚは、互いに独立して、Ｌ ２ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ２ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ２
は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ ＃ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ の各々は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；各Ｙは、互いに独立して、−Ｏ−Ｍ ２ −Ｌ ３ Δ を表すか、または２つのＹが、一体となり、一体となって、−Ｏ−Ｍ ２ （Ｌ ３ Δ ）−Ｏ−または−Ｏ−を表し、
Ｌ ３ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ３ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、
各Ｍ ２ は、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
各Ｑは、互いに独立して、Ｈ、Ｍ ４ Ｌ ４ Δ 、−ＳｉＲ ８ 、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ 、ＸのＭ ３ に連結する単結合、またはラジカル−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、ここで、Ｍ ３ 、Ｒ ８ およびＬ １ は、Ｘについての通りに定義され、
Ｍ ４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、Ｌ ４ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ４ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択されるが、
但し、少なくとも１つのＸは、Ｍ ３ 、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ または−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表すことを条件とする。
本発明の金属シルセスキオキサンは、好ましくは、一般式Ｓｉ ４ Ｏ ９ Ｒ １ Ｒ ２ Ｒ ３ Ｒ ４ Ｘ １ Ｘ ２ Ｘ ３ Ｘ ４ ＯＱ １ ＯＱ ２ Ｙ １ Ｙ ２ Ｚ １ Ｚ ２ Ｚ ３ を有し、式中、
Ｘ １ 、Ｘ ２ およびＸ ３ は、互いに独立して、ＳｉまたはＭ １ から選択され、ここで、Ｍ １ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ １ 、Ｚ ２ およびＺ ３ は、互いに独立して、Ｌ ２ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ２ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ２ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ は、互いに独立して、必要に応じて置換
されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｙ １ およびＹ ２ は、互いに独立して、−Ｏ−Ｍ ２ −Ｌ ３ Δ を表すか、またはＹ １ およびＹ ２ は、一体となり、一体となって−Ｏ−Ｍ ２ （Ｌ ３ Δ ）−Ｏ−または−Ｏ−を表し、
ここで、Ｌ ３ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ３ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ２ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ またはＭ ３ を表し、Ｑ １ およびＱ ２ は、各場合において、ＨまたはＭ ３ に連結する単結合を表し、ここで、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択されるか、または
Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｈ、またはＭ ３ に連結する単結合を表し、
Ｑ １ は、Ｈ、Ｍ ４ Ｌ ４ Δ または−ＳｉＲ ８ を表し、ここで、Ｍ ４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第２、第３、第４、第５および第８亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、特に、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｐｔ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｌ ４ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、または
Ｌ ４ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ８ は、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択されるか、
または
Ｘ ４ 、Ｑ １ およびＱ ２ は、互いに独立して、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表すか、
または
Ｘ ４ は、−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｘ ４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ １ は、−Ｍ ４ Ｌ ４ Δ を表すか、
または
Ｘ ４ は、−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｘ ４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ １ は、Ｘ ４ のＭ ３ 原子に連結する単結合を表す。
さらなる実施形態において、金属シルセスキオキサンは、一般式（Ｘ ４ ）（Ｚ １ Ｙ １ Ｘ ２ Ｏ）（Ｚ ２ Ｘ １ Ｏ ２ ）（Ｚ ３ Ｘ ３ Ｏ ２ ）（Ｒ １ Ｙ ２ ＳｉＯ）（Ｒ ３ ＳｉＯ）（Ｒ ４ Ｓｉ
Ｏ ２ ）（Ｒ ２ ＳｉＯ ２ ）（Ｑ １ ）（Ｑ ２ ）を有し、式中、
Ｘ １ 、Ｘ ２ およびＸ ３ は、互いに独立して、ＳｉまたはＭ １ から選択され、ここで、Ｍ １ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ １ 、Ｚ ２ およびＺ ３ は、互いに独立して、Ｌ ２ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ２ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ２ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｙ １ およびＹ ２ は、互いに独立して、−Ｏ−Ｍ ２ −Ｌ ３ Δ を表すか、またはＹ １ およびＹ ２ は、一体となり、一体となって−Ｏ−Ｍ ２ （Ｌ ３ Δ ）−Ｏ−または−Ｏ−を表し、
ここで、Ｌ ３ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ３ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ２ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ またはＭ ３ を表し、Ｑ １ およびＱ ２ は、各場合において、ＨまたはＭ ３ に連結する単結合を表し、ここで、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択されるか、または
Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｈ、またはＭ ３ に連結する単結合を表し、
Ｑ １ は、Ｈ、Ｍ ４ Ｌ ４ Δ または−ＳｉＲ ８ を表し、ここで、Ｍ ４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第２、第３、第４、第５および第８亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、特に、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｐｔ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｌ ４ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、または
Ｌ ４ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−
Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ８ は、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６〜Ｃ１０アリールからなる群より選択されるか、
または
Ｘ ４ 、Ｑ １ およびＱ ２ は、互いに独立して、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表すか、
または
Ｘ ４ は、−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｘ ４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ １ は、−Ｍ ４ Ｌ ４ Δ を表すか、
または
Ｘ ４ は、−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｘ ４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ １ は、Ｘ ４ のＭ ３ 原子に連結する単結合を表す。
好ましい実施形態では、金属シルセスキオキサンは、一般式（ＩＩＩ）
を有し、式中、
Ｘ １ 、Ｘ ２ およびＸ ３ は、互いに独立して、ＳｉまたはＭ １ から選択され、ここで、Ｍ １ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ １ 、Ｚ ２ およびＺ ３ は、互いに独立して、Ｌ ２ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ２ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ２ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｙ １ およびＹ ２ は、互いに独立して、−Ｏ−Ｍ ２ −Ｌ ３ Δ を表すか、またはＹ １ およびＹ ２ は、一体となり、一体となって−Ｏ−Ｍ ２ （Ｌ ３ Δ ）−Ｏ−または−Ｏ−を表し、
ここで、Ｌ ３ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ３ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、
Ｍ ２ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉからなる群より選択され、
Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ またはＭ ３ を表し、Ｑ １ およびＱ ２ は、各場合において、ＨまたはＭ ３ に連結する単結合を表し、ここで、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉからなる群より選択されるか、または
Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｈ、またはＭ ３ に連結する単結合を表し、
Ｑ １ は、Ｈ、Ｍ ４ Ｌ ４ Δ または−ＳｉＲ ８ を表し、ここで、Ｍ ４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群、より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｌ ４ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、または
Ｌ ４ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ８ は、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６〜Ｃ１０アリールからなる群より選択されるか、
または
Ｘ ４ 、Ｑ １ およびＱ ２ は、互いに独立して、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表すか、
または
Ｘ ４ は、−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｘ ４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ １ は、−Ｍ ４ Ｌ ４ Δ を表すか、
または
Ｘ ４ は、−Ｓｉ（Ｒ ８ ）−Ｏ−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ ２ は、Ｘ ４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ １ は、Ｘ ４ のＭ ３ 原子に連結する単結合を表す。
追加の好ましい実施形態において、金属シルセスキオキサンは、一般式（ＩＩＩ）を有し、式中、Ｘ １ 、Ｘ ２ およびＸ ３ は、互いに独立して、Ｓｉを表し、
Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｑ １ およびＱ ２ は、各場合において、Ｍ ３ に連結する単結合を表し、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１
０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ １ 、Ｚ ２ およびＺ ３ は各々、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールから選択され、
Ｒ ｌ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ は各々、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールから選択され、
Ｙ １ およびＹ ２ は、一体となり、一体となって−Ｏ−を形成する。
１つの実施形態において、式（ＩＩＩ）に記載の金属シルセスキオキサンは、存在する金属当量に応じて、モノマー、ダイマー、トリマー、マルチマーおよび／またはそれらの混合物として、本発明の金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物に存在し得、例えば、式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）
に記載の構造が可能であり、式中、Ｍは、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、各Ｒは、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニル、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリール、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）からなる群より選択される。この場合、四価金属Ｍは、いくつかのケージの共通部分である。同時に、金属Ｍへの結合の数が金属Ｍの原子価に左右されることは、当業者に公知である。必要であれば、構造式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）は、しかるべく適合されるべきである。
本発明の組成物の１つの実施形態では、式（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）および（ＩＩＩｃ）に記載の金属シルセスキオキサンの混合物が存在する。
一つの特に好ましい実施形態では、金属シルセスキオキサンは、一般式（ＩＶ）
を有し、式中、
Ｘ １ 、Ｘ ２ およびＸ ３ は、互いに独立して、ＳｉまたはＭ １ から選択され、ここで、Ｍ １ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ １ 、Ｚ ２ およびＺ ３ は、互いに独立して、Ｌ ２ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ２ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ２ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、ここで、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択される。
別の特に好ましい実施形態において、金属シルセスキオキサンは、一般構造式（Ｖ）
を有し、式中、Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、
Ｍ ３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ １ 、Ｚ ２ およびＺ ３ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｒ ｌ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ およびＲ ４ は各々、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択される。
さらに、本発明は、一般構造式（Ｖ）の金属シルセスキオキサンに関し、式中、Ｘ ４ は、−Ｍ ３ Ｌ １ Δ を表し、Ｌ １ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ １ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ １ 、Ｚ ２ およびＺ ３ は、互いに独立して、Ｌ ２ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ からなる群より選択され、Ｌ ２ は、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）、特に、−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ８アルキル）または−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ２ は、−ＯＨ、−Ｏ−メチル、−Ｏ−エチル、−Ｏ−プロピル、−Ｏ−ブチル、−Ｏ−オクチル、−Ｏ−イソプロピルおよび−Ｏ−イソブチルからなる群より選択され、
Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリールからなる群より選択される。
さらに、本発明のＭ３Ｓ化合物における式（Ｖ）に記載の金属シルセスキオキサンは、６倍の配位金属中心を含むことができ、式（Ｖａ）
に記載の構造が可能であり、式中、各Ｍは、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、各Ｒは、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１〜Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２〜Ｃ２０アルケニル、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１０アリール、−ＯＨおよび−Ｏ−（Ｃ１〜Ｃ１０アルキル）からなる群より選択される。
本発明に係る硬化性組成物において、金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物は、構造（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＩＩｃ）、（ＩＶ）、（Ｖ）および（Ｖａ）を含む混合物であり得る。
１つの実施形態において、Ｍ３Ｓ化合物において定義されたケージ構造が、未定義のオリゴマーおよび／もしくはポリマー構造ならびに／またはそれらの混合物に加えて、存在する。
好ましい実施形態において、Ｍ３Ｓ化合物における金属は、チタンである。
特に好ましい実施形態において、本発明のＭ３Ｓ化合物の金属シルセスキオキサンは、構造（ＶＩ）
を有し、式中、チタンは、ＯＲに連結され、Ｒは、−Ｈ、−メチル、−エチル、−プロピル、−ブチル、−オクチル、−イソプロピルおよび−イソブチルからなる群より選択され、
Ｚ １ 、Ｚ ２ およびＺ ３ は各々、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルおよびＣ５〜Ｃ１０アリールを表し、特に、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニルおよびベンジルからなる群より選択され、Ｒ ｌ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ およびＲ ４ は各々、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルおよびＣ５〜Ｃ１０アリールを表し、特に、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニルおよびベンジルからなる群より選択される。
特に好ましい実施形態において、本発明のＭ３Ｓ化合物の金属シルセスキオキサンは、構造（ＶＩＩ）
を有し、式中、各Ｓｉは、イソブチルラジカルに連結され、チタンは、エタノラート配位子を有する。構造式（ＶＩＩ）の化合物は、本明細書中でＩＢＵ−ＰＯＳＳ−ＴＩ−ＯＥｔと称される。
特に好ましい実施形態において、金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物は、ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔである。
別の特に好ましい実施形態において、Ｍ３Ｓ化合物は、オクチル−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−Ｏ
Ｅｔであり、式中、各Ｓｉは、オクチルラジカルに連結され、チタンは、エタノラート配位子を有する。
さらに、本発明は、一般式ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈのシリコーン化合物に関し、式中、ｏは、５〜４，０００の整数である。
好ましい実施形態において、シリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈにおけるｏは、特に、１００〜３，０００、５００〜２，５００、８００〜２，０００または１，０００〜１，６００の整数である。
別の実施形態において、シリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈは、４００〜５，０００，０００、特に、３，０００〜２，５００，０００、１５，０００〜１，０００，０００、３０，０００〜７５０，０００、５０，０００〜５００，０００または７０，０００〜１２０，０００の重量平均分子量Ｍｗを有する。
さらに、本組成物は、２５℃において２０〜５００，０００ｃＳｔの動粘性率を有するシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈに関する。
好ましい実施形態において、シリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈは、２５℃において２０〜３５０，０００ｃＳｔまたは２０，０００〜１００，０００ｃＳｔまたは２０，０００〜９０，０００ｃＳｔまたは２０，０００〜８０，０００ｃＳｔの動粘性率を有する。
追加の好ましい実施形態において、本発明は、シリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ）ｏ−Ｈに関し、式中、Ｒ ｌ およびＲ ｍ は、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２またはＣ１〜Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ２〜Ｃ１６アルケニル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２〜Ｃ１２もしくはＣ２〜Ｃ８アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基、特に、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基を表す。
特に好ましい実施形態において、本発明は、シリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈに関し、式中、Ｒ ｌ およびＲ ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される。
特に好ましい実施形態において、本発明は、シリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈに関し、式中、そのシリコーン化合物は、α，ω−ジヒドロキシ−ジメチルポリシロキサンである。
さらに、本発明の組成物は、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の架橋剤に関し、式中、各Ｒ ａ は、互いに独立して、
・一般構造式（Ｉ）：
を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：
を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｆ 、
・オキシムラジカル−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ ｇ Ｒ ｈ 、
・カルボン酸アミドラジカル−Ｎ（Ｒ ｉ ）−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｊ 、
・アルコキシラジカル−ＯＲ ｋ
からなる群より選択される。
好ましい実施形態において、架橋剤は、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ のラジカルＲを含み、式中、各ラジカルＲは、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基または必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２〜Ｃ１２アルケニル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２〜Ｃ８アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基を表す。
特に好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の架橋剤の各ラジカルＲは、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ビニル、フェニルまたはアリルラジカルを表す。
１つの実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の架橋剤は、ラジカルＲ ａ −ＯＲ ｋ を含み、式中、Ｒ ｋ は、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１１アラルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１１アラルキル基である。
さらなる実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の架橋剤は、ラジカルＲ ａ −ＯＲ ｋ を含み、式中、Ｒ ｋ は、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、３−ペンチル、２−メチルブチル、イソペンチル、３−メチルブタ−２−イル、２−メチルブタ−２−イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２−エチルヘキシルからなる群より選択される。
好ましい実施形態において、本発明の組成物は、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の架橋剤を含み、各Ｒ ａ は、互いに独立して、以下：
・一般構造式（Ｉ）：
を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：
を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｆ 、
・オキシムラジカル−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ ｇ Ｒ ｈ 、
・カルボン酸アミドラジカル−Ｎ（Ｒ ｉ ）−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｊ 、
からなる群より選択され、式中、
各Ｒ ｂ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ｃ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｄ は、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｅ は、Ｃ、または１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｎは、１〜１０の整数である、
各Ｒ ｎ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ｏ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｐ およびＲ ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｒ は、Ｃ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族
基を表し、
ｐは、１〜１０の整数である、
Ｒ ｆ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、Ｒ ｇ およびＲ ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、
Ｒ ｉ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表し、Ｒ ｊ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す。
好ましい実施形態において、架橋剤は、ラジカルＲを含み、式中、各Ｒは、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基、または必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２〜Ｃ１２アルケニル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２〜Ｃ８アルケニル基、または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基を表す。
特に好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の架橋剤の各ラジカルＲは、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ビニル、フェニルまたはアリルラジカルである。
１つの実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ｂ およびＲ ｃ の各々は、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基である。
好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ｂ およびＲ ｃ の各々は、互いに独立して、Ｈ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチルおよびｔｅｒｔ−ブチルからなる群、特に、Ｈおよびメチルからなる群より選択される。
１つの実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ｄ は、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ４〜Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ５〜Ｃ１１アラルキル基またはＣ４〜Ｃ１０アリール基である。
好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ｄ は、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、３−ペンチル、２−メチルブチル
、イソペンチル、３−メチルブタ−２−イル、２−メチルブタ−２−イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２−エチルヘキシルからなる群より選択される。
好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ｅ は、二価のベンゼンラジカルであるか、またはＲ ｅ は、Ｃであり、Ｒ ｂ およびＲ ｃ は、Ｈであるか、またはＲ ｅ は、Ｃであり、Ｒ ｂ は、Ｈであり、Ｒ ｃ は、メチルである。
１つの実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるｎは、１〜５、特に、１〜３の整数、特に、１である。
特に好ましい実施形態において、ヒドロキシカルボン酸エステルラジカルを有する架橋剤は、メチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シランおよび／またはプロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シランである。
１つの実施形態において、本発明の組成物中の架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ｎ およびＲ ｏ の各々は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基である。
好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ｎ およびＲ ｏ の各々は、互いに独立して、Ｈ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチルおよびｔｅｒｔ−ブチルからなる群、特に、Ｈおよびメチルからなる群より選択される。
別の実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ｐ およびＲ ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基またはＣ５〜Ｃ１１アラルキル基またはＣ４〜Ｃ１０アリール基である。
好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ｐ およびＲ ｑ は、互いに独立して、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、３−ペンチル、２−メチルブチル、ｉｓｏ−ペンチル、３−メチルブタ−２−イル、２−メチルブタ−２−イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２−エチルヘキシルからなる群より選択される。
１つの実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ｒ は、二価のベンゼンラジカルであるか、またはＲ ｒ は、Ｃであり、Ｒ ｎ およびＲ ｏ は、Ｈであるか、またはＲ ｒ は、Ｃであり、Ｒ ｎ は、Ｈであり、Ｒ ｏ は、メチルである。
さらなる実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるｐは、１〜５、特に、１〜３の整数、特に、１である。
１つの実施形態において、本発明の組成物の架橋剤のカルボン酸ラジカルにおけるＲ ｆ は、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１１アラルキル基、特に
、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１１アラルキル基である。
好ましい実施形態において、架橋剤のカルボン酸ラジカルにおけるＲ ｆ は、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、３−ペンチル、２−メチルブチル、イソペンチル、３−メチルブタ−２−イル、２−メチルブタ−２−イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２−エチルヘキシルからなる群より選択される。
特に好ましい実施形態において、カルボン酸ラジカルを有する架橋剤は、エチルトリアセトキシシランおよび／またはメチルトリアセトキシシランおよび／またはプロピルトリアセトキシシランである。
別の実施形態において、本発明の架橋剤のオキシムラジカルにおけるＲ ｇ およびＲ ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１１アラルキル基、特に、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１１アラルキル基である。
好ましい実施形態において、架橋剤のオキシムラジカルにおけるＲ ｇ およびＲ ｈ は、互いに独立して、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、３−ペンチル、２−メチルブチル、イソペンチル、３−メチルブタ−２−イル、２−メチルブタ−２−イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２−エチルヘキシルからなる群より選択される。
特に好ましい実施形態において、オキシムラジカルを有する架橋剤は、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランおよび／またはビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランである。
１つの実施形態において、本発明の架橋剤のカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ｉ およびＲ ｊ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１１アラルキル基、特に、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１１アラルキル基である。
好ましい実施形態において、架橋剤のカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ｉ およびＲ ｊ は、互いに独立して、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、３−ペンチル
、２−メチルブチル、イソペンチル、３−メチルブタ−２−イル、２−メチルブタ−２−イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２−エチルヘキシルからなる群より選択される。
特に好ましい実施形態において、カルボン酸アミドラジカルを有する架橋剤は、メチルエトキシ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランである。
別の特に好ましい実施形態では、記載されている架橋剤の混合物が、本発明に係る硬化性組成物のために使用される。
さらに特に好ましい実施形態において、架橋剤は、上に記載されたような様々なラジカルＲ ａ を有する。
さらに、本発明は、接着促進剤を含む組成物に関する。
本発明の組成物において使用するための好ましい接着促進剤は、１つもしくはそれを超える反応性アミン基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超える反応性カルボン酸基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超える反応性エポキシ基を有するオルガノシランまたは１つもしくはそれを超える反応性チオール基を有するオルガノシランまたは１つもしくはそれを超える第三級アミン基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超える尿素基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超えるアミド基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超えるカルバメート基を有するオルガノシランおよび１つもしくはそれを超えるイソシアヌレート基を有するオルガノシランを含み；好ましくは、前記構成要素の混合物が使用され得る。
追加の好ましい実施形態において、本発明に係る組成物は、接着促進剤を含み、その接着促進剤は、特に、ジブトキシジアセトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ブチルアミノプロピルトリエトキシシラン、ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、プロピルアミノプロピルトリエトキシシラン、プロピルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−シクロヘキシル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−シクロヘキシル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジプロピルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシプロピルシリルアセトキシプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメトキシシリルプロピル）尿素、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリエトキシシリルプロピル）尿素、トリス（トリエトキシシリルプロピル）ジエチレン三尿素、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、１，３，５−トリス（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、Ｎ−メチル（３−トリメトキシシリル）プロピル）カルバメート、Ｎ−エチル（３−トリエトキシシリル）プロピル）カルバメートおよびそれらの混合物、ならびにＥｖｏｎｉｋからＤｙｎａｓｙｌａｎ ＤＡＭＯとして入手可能なＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群より選択される。
特に好ましい実施形態において、接着促進剤と架橋剤とのある特定の組み合わせが、本発明に係る組成物のために選択される。結果として、以下の組み合わせが、好都合であると判明した：
・ヒドロキシカルボン酸エステルラジカルまたはヒドロキシカルボン酸アミドラジカルをそれぞれ有する架橋剤と、第三級アミン、尿素、アミド、カルバメートまたはイソシアヌレート基を有する「非アミン接着促進剤」（本明細書中で使用されるとき、非アミンは、第一級および第二級アミン基でないことを意味する）との組み合わせ。そのような結合
剤（接着促進剤）の具体例は、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリエトキシシリルプロピル）尿素、トリス（トリエトキシシリルプロピル）ジエチレン三尿素、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、１，３，５−トリス（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、Ｎ−メチル（３−トリメトキシシリル）プロピル）カルバメートおよびＮ−エチル（３−トリエトキシシリル）プロピル）カルバメートである。
・カルボン酸ラジカルを有する架橋剤とジ−ｔｅｒｔブトキシジアセトキシシラン（ＢＤＡＣ、ＣＡＳ１３１７０−２３−５）との組み合わせ。
・オキシムラジカルを有する架橋剤と、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＭＥＯ）、３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＭＭＯ）およびアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランを含むがこれらに限定されない、商業的に入手可能なアミノシランとの組み合わせ。
・カルボン酸アミドラジカルを有する架橋剤と、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＭＥＯ）、３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＭＭＯ）およびアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランを含むがこれらに限定されない、商業的に入手可能なアミノシランとの組み合わせ。
本発明の目的として、硬化性組成物は、従来の添加物（例えば、可塑剤、充填剤、着色料、チキソトロープ剤、湿潤剤またはＵＶ安定剤）の添加によって、その特性に関して必要に応じて改変されてもよい。
好ましい実施形態において、ポリアルキルシロキサン、特に、好ましくは、ポリジメチルシロキサンが、可塑剤として使用される。
別の好ましい実施形態において、シリカ、特に、好ましくは、ヒュームドシリカとも称される発熱性二酸化ケイ素が、硬化性組成物に充填剤として加えられる。
１つの実施形態において、本発明は、少なくとも１つのＭ３Ｓ触媒、請求項１に記載の一般式ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、および請求項１に記載の一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる組成物に関する。
１つの実施形態において、本発明の組成物は、構造式Ｖに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、Ｒ ｌ およびＲ ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される）；ならびにメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。
１つの実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、Ｒ ｌ およびＲ ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される）；ならびにメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキ
シ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。
１つの実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩＩに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、Ｒ ｌ およびＲ ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される）；ならびにメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。
１つの実施形態において、本発明の組成物は、オクチル−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、Ｒ ｌ およびＲ ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される）；ならびにメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。
好ましい実施形態において、本発明の組成物は、構造式Ｖに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、シリコーン化合物はα，ω−ジヒドロキシ−ジメチルポリシロキサンである）；ならびにメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。
好ましい実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、シリコーン化合物はα，ω−ジヒドロキシ−ジメチルポリシロキサンである）；ならびにメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。
好ましい実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩＩに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、シリコーン化合物はα，ω−ジヒドロキシ−ジメチルポリシロキサンである）；ならびにメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセ
トキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。
好ましい実施形態において、本発明の組成物は、オクチル−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、シリコーン化合物はα，ω−ジヒドロキシ−ジメチルポリシロキサンである）；ならびにメチル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル−トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ−ビス（Ｎ−メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。
１つの実施形態において、本発明の組成物における一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の架橋剤とＭ３Ｓ触媒とのモル比は、２０対２，０００、好ましくは、１００対２，０００、より好ましくは、１２５対２，０００である。
本発明の組成物の好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ （式中、Ｒ ａ は、カルボン酸ラジカルの形態である）の架橋剤と式Ｖの触媒とのモル比は、３００対１，５００、好ましくは、４００対１，３００、より好ましくは、１，０００対１，５００である。本発明の組成物の好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ （式中、Ｒ ａ は、カルボン酸ラジカルの形態である）の架橋剤と、式ＶＩに記載の触媒とのモル比は、３００対１，５００、好ましくは、４００対１，３００、より好ましくは、１，０００対１，５００である。
本発明に係る組成物の特に好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ （式中、Ｒ ａ は、カルボン酸ラジカルの形態である）の架橋剤と式ＶＩＩに記載の触媒とのモル比は、３００対１，５００、好ましくは、４００対１，３００、より好ましくは、１，０００対１，５００である。
本発明の組成物の１つの実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ （式中、Ｒ ａ は、オキシムラジカルの形態である）の架橋剤と式Ｖに記載の触媒とのモル比は、１００対２，０００、好ましくは、１２５対２，０００、より好ましくは、１５０対２，０００である。
本発明の組成物の好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ （式中、Ｒ ａ は、オキシムラジカルの形態である）の架橋剤と式ＶＩに記載の触媒とのモル比は、１００対２，０００、好ましくは、１２５対２，０００、より好ましくは、１５０対２，０００である。
本発明の組成物の特に好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ （式中、Ｒ ａ は、オキシムラジカルの形態である）の架橋剤と式ＶＩＩに記載の触媒とのモル比は、１００対２，０００、好ましくは、１２５対２，０００、より好ましくは、１２５対２，０００である。
１つの実施形態において、本発明の組成物は、ＤＩＮ５３５０４に則ると、硬化後に、４５０〜１，３００％、好ましくは、５００〜１，３００％、より好ましくは、７００〜１，３００％の破断点伸びを示す。
１つの実施形態において、本発明の組成物は、ＤＩＮ８３３９に則ると、硬化後に、２１０％〜１，３００％、好ましくは、５００〜１，３００％、より好ましくは、７００〜１，３００％の破断点伸びを示す。
さらに、本発明は、以下：
ｉ．一般式ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、ｏならびにラジカルＲ ｌ およびＲ ｍ は、請求項１に従って定義される、シリコーン化合物、
ｉｉ．少なくとも１つのＭ３Ｓ化合物を含む、触媒、
ｉｉｉ．一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、ｍならびにラジカルＲおよびＲ ａ は、請求項１に従って定義される、架橋剤
を含む組成物を硬化させることによって取得され得るシーリング材に関する。
さらに、本発明は、一般式ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈ（式中、ｏならびにラジカルＲ ｌ およびＲ ｍ 、それぞれのパラメータは、すでに記載されたように定義される）を有するシリコーン化合物を含む組成物を架橋するための触媒として金属シロキサン−シラノール（シラノレート）化合物を使用することに関する。
さらに、本発明は、組成物を調製するための方法であって、前記方法は、以下のプロセス工程：
ａ．以下：
ｉ．一般式ＨＯ−（ＳｉＲ ｌ Ｒ ｍ Ｏ） ｏ −Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、ｏならびにラジカルＲ ｌ およびＲ ｍ は、請求項１に従って定義される、シリコーン化合物、
ｉｉ．少なくとも１つのＭ３Ｓ化合物を含む、触媒、
ｉｉｉ．一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、ｍならびにラジカルＲおよびＲ ａ は、請求項１に従って定義される、架橋剤
を含む組成物を提供する工程、
ｂ．ａ．において提供された前記組成物を、力学的エネルギーおよび／または熱エネルギーを用いて混合する工程
を含む、方法に関する。
本発明の組成物は、触媒の改善された触媒活性または触媒効率を特徴とする。
本発明の組成物は、触媒としてのＭ３Ｓ化合物の改善された触媒活性または触媒効率を特徴とする。
本発明の組成物は、触媒の改善された触媒活性または触媒効率を特徴とし、その結果として、スズ化合物の使用を回避できる。本発明の組成物は、触媒の改善された触媒活性または触媒効率を特徴とし、それは、比較的少量（シーリング材の１キログラムあたりの重量パーセントまたはモルパーセントを単位とする）の触媒の使用を可能にするという特徴である。
本発明の範囲において使用されるＭ３Ｓ化合物およびそれらの調製は、従来のシリコーン樹脂の調製方法から当業者に公知である。シリコーン樹脂は、例えば、加水分解性脱離基を有するシラン化合物の制御された加水分解およびその後の縮合反応によって形成される（例えば、Ｂ．Ｔｉｅｋｅ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ：Ａｎ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ，完全改訂第２版および増補版，２．１．８．５章のシリコーン樹脂を参照のこと）。シランの加水分解性脱離基の数および水とシランとのモル比
が、シリコーン樹脂の架橋および重合の程度を決定する。これらのシリコーン樹脂は、金属アルコラートを加えることによって、オリゴマーまたはポリマーのシリコーン化合物に組み込まれる（ＷＯ２０１５１１４０５０Ａ１を参照のこと）。（金属）シルセスキオキサンの一般的な調製方法は、文献からも公知である（例えば、Ｐ．Ｇ．Ｈａｒｒｉｓｏｎ，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１９９７，５４２，１４１；Ｊ．Ｄ．Ｌｉｃｈｔｅｎｈａｎ，Ｃｏｍｍｅｎｔｓ Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９５，１７，１１５；Ｒ．Ｍｕｒｕｇａｖｅｌ，Ａ．Ｖｏｉｇｔ，Ｍ．Ｇ．Ｗａｌａｗａｌｋａｒ，Ｈ．Ｗ．Ｒｏｅｓｋｙ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１９９６，９６，２２０５；ＷＯ０１／１０８７１Ａ１；ＷＯ０７／０４１３４４Ａ８を参照のこと）。
一般的な調製方法
チタンイソプロポキシドを含むポリオール中の５重量％のマスターバッチとしての［Ｔｉ（ＰＯＳＳ）１．５］の合成
１９０ｍｌのトルエン中のイソブチルトリシラノール−ＰＯＳＳ（４７ｇ，５９ｍｍｏｌ）の溶液に、チタンイソプロポキシド（１２ｍｌ，４４ｍｍｏｌ）を加える。その反応混合物を６０〜１８０分間、５０〜６７℃に加熱する。次いで、Ｄａｌｔｏｃｅｌ Ｆ４２８（９５０ｇ）をその反応混合物に加える。溶媒トルエンを８０℃〜１５０℃においてさらに３０〜８０分間除去することにより、不溶性残渣を含まない透明の液体が、濃縮物（マスターバッチ）として得られる。
トルエンに加えて、ヘキサンなどの従来の非プロトン性溶媒を使用することも可能である。さらに、より高いＰＯＳＳおよびチタンの比を得るために、チタンプロポキシドの量を変化させてもよいという選択肢がある。溶媒交換を減圧下で行うこともできる。
実施例に与えられるデータは、別段述べられない限り、個々の構成要素の重量パーセントを単位とする。
テトラエチルオルトチタネートを含むポリオール中の５重量％のマスターバッチとしての［Ｔｉ（ＰＯＳＳ）１．５］の合成
１９０ｍｌのトルエン中のイソブチルトリシラノール−ＰＯＳＳ（４７ｇ，５９ｍｍｏｌ）の溶液に、テトラエチルオルトチタネート（４４ｍｍｏｌ）を加える。その反応混合物を６０〜１８０分間、５０〜６７℃に加熱する。次いで、Ｄａｌｔｏｃｅｌ Ｆ４２８（９５０ｇ）をその反応混合物に加える。溶媒トルエンを８０℃〜１５０℃においてさらに３０〜８０分間除去することにより、不溶性残渣を含まない透明の液体が、濃縮物（マスターバッチ）として得られる。
トルエンに加えて、ヘキサンなどの従来の非プロトン性溶媒を使用することも可能である。さらに、より高いＰＯＳＳおよびチタンの比を得るために、チタンプロポキシドの量を変化させてもよいという選択肢がある。溶媒交換を減圧下で行うこともできる。
実施例に与えられるデータは、別段述べられない限り、個々の構成要素の重量パーセントを単位とする。
実施例１
α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジメチルシロキサン、α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジエチルシロキサンまたはα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジビニルシロキサン、ならびにα，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジアリールシロキサン（例えば、α，ω−ジヒドロキシル末端化ポリジフェニルシロキサン）から選択されるα，ω−ジヒドロキシポリオルガノシロキサン（３０〜７０重量％）。この場合、５，０００〜１２０，０００
ｃＳｔの動粘性率（２５℃において）を有するポリオルガノシロキサン、特に、２０，０００〜１００，０００ｃＳｔの粘度を有するもの、より好ましくは、４０，０００〜９０，０００ｃＳｔの粘度を有するものが優先される。異なる粘度を有するポリジオルガノシロキサンの混合物を使用することも可能であり、ポリジアルキルシロキサン５０〜１５０ｃＳｔ（１５〜４５重量％）；一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の少なくとも１つのシラン（０．５〜４．５重量％）および／または少なくとも２つのシランの混合物（０．５〜９重量％）を含む架橋剤を真空下で混合した。その後、充填剤、好ましくは、シリカ（５〜１５重量％）を必要に応じてその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、請求項１０に記載の０．００１〜０．５重量％の金属シルセスキオキサン、および必要に応じて、上に記載されたような接着促進剤（０．５〜２重量％）を、真空下で混合することによって組み込んだ。
実施例２
α，ω−ジヒドロキシジメチル−ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ（３０〜７０重量％）、ポリジメチルシロキサン１００ｃＳｔ（１５〜４５重量％）、一般式Ｓｉ（Ｒ） ｍ （Ｒ ａ ） ４−ｍ の少なくとも１つのシラン（０．５〜４．５重量％）および／または少なくとも２つのシランの混合物（０．５〜９重量％）を含む架橋剤（式中、各Ｒ ａ は、互いに独立して、以下：
・一般構造式（Ｉ）：
を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカルであって、式中、
各Ｒ ｂ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ｃ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｄ は、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｅ は、Ｃ、または１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部
分不飽和の環式環系または４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｎは、１〜１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：
を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカルであって、式中、
各Ｒ ｎ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ｏ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｐ およびＲ ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ｒ は、Ｃ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４〜１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｐは、１〜１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｆ であって、式中、Ｒ ｆ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸ラジカル、
・オキシムラジカル−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ ｇ Ｒ ｈ であって、式中、Ｒ ｇ およびＲ ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、オキシムラジカル、
・カルボン酸アミドラジカル−Ｎ（Ｒ ｉ ）−Ｃ（Ｏ）−Ｒ ｊ であって、式中、Ｒ ｉ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表し、Ｒ ｊ は、Ｈ、あるいは１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボ
ン酸アミドラジカル、および
・アルコキシラジカル−ＯＲ ｋ であって、式中、Ｒ ｋ は、１〜２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４〜Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５〜Ｃ１５アラルキル基を表す、アルコキシラジカル
からなる群より選択される）を真空下で混合した。その後、充填剤、好ましくは、シリカ（５〜１５重量％）を必要に応じてその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、０．００６〜０．１７重量％の触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔおよび必要に応じて接着促進剤（０．５〜２重量％）を、真空下で混合することによって組み込んだ。
上に記載されたシリコーンゴム化合物の構成成分のすべてを、１工程で共に混合することができる。
好ましい実施形態において、本発明のシリコーンゴム化合物は、ただ１つの工程において中間形成プレポリマーを経由して１工程で得られる。そのプレポリマーの形成、ならびにその後のシリコーンゴム化合物の形成は、さらなる精製工程または中間工程なしに、本発明の触媒の存在下において形成され得る。
下記に記載される実施例の場合において、パラメータのすべてを、下記に記載される試験方法によって決定した。下記に記載されるシーリング材のすべてが、無色透明であり、２４時間後に、適切な安定性および切欠き抵抗性を示した。さらに、以下の３つすべての供試体のシーリング材が、最初の長さの１００％伸長（その伸長は２４時間維持される）におけるガラス上でのコンディショニング方法ＡであるＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ８３４０に則って合格した。
本発明の触媒（実施例３および４）を用いたときと従来の触媒（参考実施例）を用いたときの引裂強度の比較：
実施例３
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物
α，ω−ジヒドロキシジメチル−ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。次いで、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランを真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）、およびＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、８分という皮張り時間および２０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験されたすべての材料、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。
決定されたショアＡ硬度は、２３であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２１）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１４．０ｇであった。さらに、そのシーリング材は、極めて優れた特性を示した：
実施例４
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物
α，ω−ジヒドロキシジメチル−ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。次いで、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランを真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒オクチル−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ、およびＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、８分という皮張り時間および２０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験されたすべての材料、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。
決定されたショアＡ硬度は、２４であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２１）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１２．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：
参考実施例Ａ
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物
α，ω−ジヒドロキシジメチル−ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。次いで、メチル−トリス（２−アセトンオキシモ）シランも、真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、オクチルスズ触媒、およびＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、９分という皮張り時間および２３分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。
決定されたショアＡ硬度は、２６であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２３）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１８．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、以下の特性を示した：
個々のシリコーンゴム化合物の調製
実施例５
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物
α，ω−ジヒドロキシジメチル−ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔ、エチル−トリス（アセトンオキシモ）シランおよびビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−Ｅｔ（ＶＩＩ）、およびＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、無色透明だった。これは、１０分という皮張り時間および４０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。
決定されたショアＡ硬度は、２２であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２１）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１２．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：
実施例６
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物
α，ω−ジヒドロキシジメチル−ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびビニル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。次いで、メチル−トリス（２−ペンタノンオキシモ）シランを真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）、およびＮ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、無色透明だった。これは、８分という皮張り時間および３０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。
決定されたショアＡ硬度は、２６であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２４）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１２．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：
実施例７
カルボン酸脱離基を有する架橋剤
ポリマー８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびプロピルトリアセトキシシランを真空下で混合した。次いで、接着促進剤ＢＤＡＣも、真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、無色透明だった。これは、８分という皮張り時間および４０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。
決定されたショアＡ硬度は、２３であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２３）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、２５．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：
実施例８
カルボン酸脱離基を有する架橋剤
α，ω−ジヒドロキシジメチル−ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびプロピルトリアセトキシシランを真空下で混合した。次いで、接着促進剤ＢＤＡＣも、真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ−ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、無色透明だった。これは、８分という皮張り時間および４０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。
決定されたショアＡ硬度は、２３であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２３）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、２５．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：
実施例９
ヒドロキシカルボン酸脱離基を有する架橋剤
α，ω−ジヒドロキシジメチル−ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔ、メチル−トリスサリチル酸エチルヘキシルエステルシランおよびプロピル−トリスサリチル酸エチルヘキシルエステルシランを真空下で混合した。次いで、ＡＭＥＯも、真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ ＰＯＳＳ−Ｔｉ−ＯＥｔ（ＶＩＩ）および接着促進剤トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレートおよび接着促進剤ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＭＡＰＴＭＳ）を、真空下で混合することによって組み込んだ。
生成物は、７分という皮張り時間および１２０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験されたすべての材料、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。
決定されたショアＡ硬度は、２７であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２４）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａ
ｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１２．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：
参考実施例Ｂ
Ｉ）出発材料：
＊ テトラ（グリコール酸ｎ−ブチルエステル）シランの合成
１，０００ｍｌの三口フラスコを、窒素雰囲気下において、２２２ｇのトルエン、６７．６ｇのトリエチルアミンおよび９０．６ｇのグリコール酸ｎ−ブチルエステルで満たす。次いで、２６．８ｇのテトラクロロシランを、撹拌しながら計量供給する。この場合、ウォーターバスを用いて冷却することによって、反応温度を＜３５℃で維持する。計量供給の際、混合物をさらに３０分間、３０℃で撹拌し、次いで、形成した塩酸塩を濾過によって除去する。
次いで、最後に、溶媒トルエンを真空中での蒸留によって分離する。８６ｇ（理論値の９８．５％）の黄色がかった液体（主としてＳｉ（ＯＣＨ２ＣＯＯ−ｎ−Ｃ４Ｈ９）４からなる）が得られる。
ＩＩ）調製：
ポリマー８０，０００、架橋剤および触媒を真空下で混合する。次いで、得られた混合物を、大気中の水分の排除下において軽くたたく。
空気に曝露した後のシーリング材の特性
この混合物は、完全に硬化しないので、より詳しい研究を行うことができなかった。
試験方法の一般的な実施：
１．シリコーンシーリング材のタックフリータイムの決定
タックフリータイムを決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。現在の時刻を読む。適切な間隔で、決定されるべきシーリング材のタックフリータイムを、清潔な指でシリコーン表面を軽く触れることによって決定する。シーリング材が粘着性ではない場合、現在の時刻を再度読む。
２．シリコーンシーリング材の押し出し成形の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用の圧縮空気ガンに挿入し、好適なカートリッジチップをねじで留める。その圧縮空気ガンを圧縮空気供給に接続し；圧力計を５ｂａｒの圧力に設定する。次いで、少量のシリコーンをシリコーンカートリッジから拭き取り紙にスプレーし、カートリッジチップをシリコーンで完全に満たす。次いで、アルミニウムボウルを上のせ式天秤の上に置き、風袋を計る。すぐに、シリコーンをそのボウルに正確に３０秒間スプレーし、次いで、最後に上のせ式天秤での重量を読む。
３．シリコーンシーリング材の安定性の決定
安定性を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、ウォーム形状を厚紙（直径およそ３ｃｍ）に円を描くようにスプレーする。すぐに、そのシリコーンウォームを有する厚紙を垂直に置き、現在の時刻を読む。
３０分後、そのシリコーンウォームが元の形状を有するか、またはそのウォームが下向きに流れたかを観察する。そのウォーム形状が変化しなかった場合、そのシリコーンシーリング材は、安定である。
４．シリコーンシーリング材の完全硬化の決定
完全硬化を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。適切な間隔（日数）で、小さな横材を、ナイフでそのシリコーンから慎重に切り離し、そのシーリング材の硬化を評価する。そのシーリング材の本体の内部が、まだ粘着性でゲル様である場合、そのシーリング材は、まだ完全に硬化しておらず、その決定手順を繰り返す。シーリング材が、完全に硬化した場合、硬化時間を、日数を単位として記録する。シーリング材が、分配の７日後もまだ粘着性である場合、完全硬化に関する判定基準に不備があると判断するものとする。
５．シリコーンシーリング材の接着の決定
接着を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、シリコーンボタンを、適切に清浄にされたキャリア材料（例えば、ガラス、アルミニウム、木材、プラスチック、コンクリート、天然石など）にスプレーする。シーリング材が、完全に硬化した後（約４８時間後）、そのシリコーンがキャリア材料から再度剥がれたか、またはそのシリコーンがそのキャリア材料と密接な結合を形成したかを判断するために、そのシリコーンボタンを指で引っ張る。シリコーンボタンが、容易に剥がれ得るか、またはキャリア材料から外すのが難しいか、もしくは全く外れない場合、接着特性は、不良、平均または良好として評定されるものとする。
６．シリコーンシーリング材の臭気の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。次いで、シリコーンシーリング材をその臭気に関して評価する。
７．シリコーンシーリング材の外観の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。次いで、そのシリコーンシーリング材を、外見、色および滑らかさについて目視検査によって評価する。
８．シリコーンシーリング材の皮張り時間の決定
皮張り時間を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。適切な間隔で、決定されるべきシーリング材の皮張りを、清潔な指でシリコーン表面にわずかな圧力を加えることによって決定する。そのシーリング材がその表面に皮張りを形成して、シリコーン残渣が指に貼り付かない場合、ストップウォッチに表示された計測時間を読む。
９．ＤＩＮ５３５０４に則ったダンベル状標本Ｓ１を用いる引張り試験
試験されるべきシリコーンを決定するために、シリコーンカートリッジの関連する試験番号および試験日をプロトコルに記録しなければならない。カートリッジにおける調合後のシーリング材の耐用寿命は、少なくとも２４時間でなければならない。モールドを洗剤で湿らせて、金属上にシリコーンが集積するのを防ぐ。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジをシリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。そのカートリッジの先端部を除去する。次いで、ダンベル状標本Ｓ１用のダイにシリコーンを、粉砕したモールドの長さおよび高さにわたってスプレーし、直ちにこてで平らにする。少なくとも２４時間後に、ダイから供試体を引き上げることによって、シリコーンの硬化を確認する。表面は、もはや粘着性ではないはずである。ダンベル状標本は、空気ポケットまたは異物混入なく、かつ亀裂なく、視覚的に完全でなければならない。ダイから取り出した後、供試体に試験番号を付ける。引張り試験機Ｔ３００では、ダンベル状標本Ｓ１のために張
力クランプを使用しなければならない。バーが、計測される２６ｍｍという初期長を正確に示すように、試験できるダンベル状標本を、上部クランプと下部クランプとの間で留める。計測されたデータ、またはより詳細には、計測マークを、弛緩状態においてゼロにリセットする。スタートボタンを押すことによって、供試体の伸長、またはより詳細には、計測値の表示が開始する。そのデバイスは、供試体が破損した後、自動的に停止する。計測値は、表示されたままであり、直接読むことができる。
１０．ＤＩＮ８３３９に則ったＨ供試体による引張り試験
試験されるべきシリコーンを決定するために、シリコーンカートリッジの関連する試験番号および試験日をプロトコルに記録しなければならない。カートリッジにおける調合後のシーリング材の耐用寿命は、少なくとも２４時間でなければならない。
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジをシリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。そのカートリッジの先端部を除去する。次いで、ダイにシリコーンを粉砕したモールドの長さおよび高さにわたってスプレーし、直ちにこてで平らにする。その後、供試体を標準的な条件下において２８日間貯蔵する。引張り試験の前に、供試体を目視検査によって確認する。供試体は、空気ポケットも亀裂も一切示さない場合がある。
引張り試験機ＭＦＣ Ｔ３００では、Ｈ供試体のために張力クランプを使用しなければならない。距離が１２ｍｍであるように、その標本を上部クランプと下部クランプとの間で留める。計測されたデータ、またはより詳細には、計測マークを、弛緩状態においてゼロにリセットする。スタートボタンを押すことによって、供試体の伸長、またはより詳細には、計測値の表示が開始する。
そのデバイスは、供試体が破損した後、自動的に停止する。計測値は、表示されたままであり、直接読むことができる。
１１．ＤＩＮ８３４０に則ったＨ供試体による引張り試験
試験されるべきシリコーンを決定するために、シリコーンカートリッジの関連する試験番号および試験日をプロトコルに記録しなければならない。カートリッジにおける調合後のシーリング材の耐用寿命は、少なくとも２４時間でなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジをシリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。そのカートリッジの先端部を除去する。次いで、ダイにシリコーンをモールドの長さおよび高さにわたってスプレーし、直ちにこてで平らにする。その後、供試体を標準的な条件下において２８日間貯蔵する。引張り試験の前に、供試体を目視検査によって確認する。供試体は、空気ポケットも亀裂も一切示さない場合がある。
引張り試験機ＭＦＣ Ｔ３００では、Ｈ供試体のために張力クランプを使用しなければならない。距離が１２ｍｍであるように、その標本を上部クランプと下部クランプとの間で留める。計測されたデータ、またはより詳細には、計測マークを、弛緩状態においてゼロにリセットする。スタートボタンを押すことによって、供試体の伸長、またはより詳細には、計測値の表示が開始する。そのデバイスは、供試体が破損した後、自動的に停止する。計測値は、表示されたままであり、直接読むことができる。
１２．シリコーンシーリング材の貯蔵安定性の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジを、加熱した乾燥オーブンに入れる。試験方法のプロトコルに従って、その加熱した乾燥オーブン内で好適な温度において数週間という特定の期間にわたってシリコーンシーリング材を貯蔵する。貯蔵時間が経過したら、そのカートリッジをシリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを、広げられた吸収剤パッドにスプレーする。直ちにそのシリコー
ンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。次いで、そのシリコーンシーリング材をＰＡ−Ｅ０００２およびＰＡ−Ｅ００１０について評価する。
１３．シリコーンシーリング材の初期耐荷能力の決定
初期耐荷能力を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、厚紙に３ｃｍ間隔で水平線を引き、次いで、切断する。次いで、適切な量のシリコーンをその厚紙にスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。現在の時刻を読む。１５分という等間隔で、第１の線から始めて、厚紙を曲げて直角を形成し、キンクポイントにおいてシリコーン表面を評価する。シリコーンが、キンクポイントにおいて完全にひびが入っているか、または部分的にだけひびが入っている場合、もう１５分後に、次の３ｃｍの線において決定手順を繰り返す。シリコーンが、キンクポイントにおいて弾性であり、かつ亀裂が検出できない場合、そのシリコーンは、初期段階における荷重に供され得る。現在時刻を再度読む。
１４．シリコーンシーリング材のショア硬度の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。完全に硬化したシーリング材の場合（ＰＡ−Ｅ０００８を参照のこと）、ショア硬度決定デバイスを両手で完全に平らにシリコーン表面の上に置き、ショア硬度の最大値を読む。その計測を、シリコーン表面上の様々な点において少なくとも５回繰り返し、個々の測定値の平均を得る。

Claims (19)

  1. １．次の成分を混合して得られる組成物：
    ａ。一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、ここで、Ｒ１およびＲｍは、互いに独立して、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基を示す。
    ｏは５■４，０００の整数です。
    ｂ。特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属からなる群から選択される金属を含む少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む触媒。および半金属、および
    ｃ。一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する少なくとも１つの架橋剤、ここで、各Ｒは、互いに独立して、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、任意に置換された直鎖または分岐鎖を示すＣ１■Ｃ１６アルキル基、置換されていてもよい、直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ１６アルケニル基、または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
    ｍは０■２の整数です。
    各Ｒａは、以下からなるグループから互いに独立して選択されます。
    ?一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル：

    ここで
    各Ｒｂは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
    各Ｒｃは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
    Ｒｄは、１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、任意に置換された直鎖または
    分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、置換されていてもよいＣ５■Ｃ１５アラルキル基、または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
    Ｒｅは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環状環系または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
    ｎは１■１０の整数です。
    ?一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル：

    ここで
    各Ｒｎは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
    各Ｒｏは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基を示し、
    ＲｐおよびＲｑは、互いに独立して、Ｈまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基、任意に置換Ｃ５■Ｃ１５アラルキル基または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１４アリール基、
    Ｒｒは、Ｃまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に、４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された飽和または部分不飽和環系、または４■１４個のＣ原子を有する任意に置換された芳香族基を示し、
    ｐは１■１０の整数です。
    ・カルボン酸基Ｏ Ｃ（Ｏ）Ｒｆ、ここでＲｆはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素基を示す。
    特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
    ・オキシムラジカルＯＮ ＝ ＣＲｇＲｈ、ここでＲｇおよびＲｈは互いに独立してＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基、置換Ｃ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、
    ・カルボン酸アミドラジカルＮ（Ｒｉ）Ｃ（Ｏ）Ｒｊ、ここでＲｉはＨまたは１■２０個の炭素原子を有する任意に置換された炭化水素ラジカル、特に任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６アルキル基を示す。任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１５アラルキル基、およびＲｊはＨまたは任意に置換された炭化水素基ｈを示す
  2. 金属シロキサン?シラノール（?アート）化合物が、０．００００１■０．０１モル／ ｋｇ、特に０．００００５■０．００５モル／ ｋｇの範囲のモル濃度であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。またはそれぞれ組成物の総重量に基づいて０．００００７■０．００１９ｍｏｌ ／ ｋｇ。
  3. 金属シロキサン?シラノール（?アート）化合物が０．００１■０．５重量％、好ましくは０．００６■０．１７重量％の重量割合で存在することを特徴とする請求項１または２に記載の組成物。
  4. 一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍの架橋剤のモル比であって、架橋剤混合物として存在してもよいことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の組成物、 Ｍ ３ Ｓ触媒は、２０■２，０００、好ましくは１００■２，０００、より好ましくは１２５■２，０００である。
  5. 金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物がモノマー、オリゴマーおよび／またはポリマーとして存在することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の組成物。 ／またはチェーン内。
  6. 前記金属シロキサン?シラノール（?アート）化合物が、オリゴマー金属シルセスキオキサン、特に多面体金属シルセスキオキサンを含むことを特徴とする、請求項１■５のいずれか一項に記載の組成物。
  7. 金属シルセスキオキサンが一般式Ｒ ＊ ｑＳｉｒＯｓＭｔを有し、各Ｒ ＊が任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■からなる群から互いに独立して選択されることを特徴とする、請求項６に記載の組成物。 Ｃ６シクロアルキル、置換されていてもよいＣ２■Ｃ２０アルケニル、置換されていてもよいＣ６■Ｃ１０アリール、ＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、
    各Ｍは、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から互いに独立して選択され、
    特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１のサブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５のメイングループの金属からなる群から、好ましくはＮａからなる群から、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
    ｑは４■１９の整数です。
    ｒは４■１０の整数です。
    ｓは８■３０の整数であり、
    ｔは１■８の整数です。
  8. 前記金属シルセスキオキサンが一般式（ＩＩＩ）を有することを特徴とする、請求項６または７に記載の組成物。

    ここで
    Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は、ＳｉまたはＭ１から互いに独立して選択され、Ｍ１は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択され、
    特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１のサブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５のメイングループの金属からなる群から、好ましくはＮａからなる群から、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
    Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３は、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７からなる群から互いに独立して選択され、Ｌ２はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ２はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、
    Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、任意に置換されたＣ１■Ｃ２０アルキル、任意に置換されたＣ３■Ｃ８シクロアルキル、任意に置換されたＣ２■Ｃ２０アルケニルおよび任意に置換されたＣ５■Ｃ１０からなる群から互いに独立して選択されるアリール；
    Ｙ１およびＹ２は、互いに独立してＯ Ｍ２ Ｌ３ ｏｒ、またはＹ１およびＹ２
    一緒に取られ、一緒にＯ Ｍ２（Ｌ３■）ＯまたはＯを示します、
    ここで、Ｌ３はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）からなる群から選択され、またはＬ３はＯＨからなる群から選択され、 Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチル、ここでＭ２はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属からなる群から選択され、半金属、
    特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１のサブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５のメイングループの金属からなる群から、好ましくはＮａからなる群から、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
    そして
    Ｘ４はＭ３Ｌ１■またはＭ３を表し、Ｑ１およびＱ２はＨまたはＭ３に結合した単結合を表し、Ｌ１はＯＨおよびＯ（Ｃ１からＣ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１からＣ Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）、またはＬ１はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、Ｍ３はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択され、
    特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１のサブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５のメイングループの金属からなる群から、好ましくはＮａからなる群から、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＢｉからなる群から、
    または
    Ｘ４はＭ３Ｌ１■を表し、Ｑ２はＨまたはＭ３に結合した単結合を表し、
    Ｑ１はＨ、Ｍ４Ｌ４■またはＳｉＲ８を示し、Ｍ４はｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属および半金属からなる群から選択され、
    特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１のサブグループの金属および第１、第２、第３、第４および第５のメイングループの金属からなる群から、好ましくはＮａからなる群から、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉ、より好ましくはＺｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群から、
    ここで、Ｌ４はＯＨおよびＯ（Ｃ１■Ｃ１０アルキル）、特にＯ（Ｃ１■Ｃ８アルキル）またはＯ（Ｃ１■Ｃ６アルキル）からなる群から選択され、または
    ここで、Ｌ４はＯＨ、Ｏメチル、Ｏエチル、Ｏプロピル、Ｏブチル、Ｏオクチル、Ｏイソプロピル、およびＯイソブチルからなる群から選択され、Ｒ８は置換されていてもよいＣ１■Ｃ２０アルキルからなる群から選択され、置換されていてもよいＣ３■Ｃ８シクロアルキル、置換されていてもよいＣ２■Ｃ２０アルケニル、および置換されていてもよいＣ５■Ｃ１０アリール、
    または
    Ｘ４、Ｑ１、およびＱ２は、互いに独立してＭ３Ｌ１■を表し、
    または
    Ｘ４はＳｉ（Ｒ８）−ＯＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＸ４のＳｉ原子に結合した単結合、Ｑ１はＭ４Ｌ４■、
    または
    Ｘ４はＳｉ（Ｒ８）−ＯＭ３Ｌ１■、Ｑ２はＸ４のＳｉ原子に結合した単結合、Ｑ１はＸ４のＭ３原子に結合した単結合を示します。
  9. 金属シルセスキオキサンが構造式（Ｖ）を有することを特徴とする、請求項６、７または８に記載の組成物。

    ここで
    Ｘ４、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３は、請求項８に従って定義されます。
  10. 前記金属シルセスキオキサンが構造式（ＶＩ）を有することを特徴とする、請求項６、７、８または９に記載の組成物。

    ここで
    チタンはＯＲに結合し、ＲはＨ、メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、イソプロピル、およびイソブチルからなる群から選択され、
    Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３は、互いに独立して、Ｃ１■Ｃ２０アルキル、Ｃ３■Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２■Ｃ２０アルケニル、およびＣ５■Ｃ１０アリールを示し、特に、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルからなる群から選択される 、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニル、およびベンジル、および
    Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、互いに独立して、Ｃ１■Ｃ２０アルキル、Ｃ３■Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２■Ｃ２０アルケニル、およびＣ５■Ｃ１０アリールを示し、特に、メチル、エチル、プロピルからなる群から選択され、 イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニル、およびベンジル。
  11. 金属シルセスキオキサンが構造（ＶＩＩ）を有することを特徴とする、請求項６、７、８、９または１０に記載の組成物。

    ここで
    各Ｓｉはイソブチルラジカルに結合しており、チタンにはエタノレート配位子があります。
  12. 一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有するシリコーン化合物において、Ｒ１およびＲｍが互いに独立して任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１６を表すことを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の組成物。アルキル基、特に、任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２またはＣ１■Ｃ８アルキル基、任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ１６アルケニル基、特に、任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ２ Ｃ１２またはＣ２■Ｃ８アルケニル基、または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４アリール基、特に、任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基。
  13. 一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する架橋剤において、各Ｒが互いに独立して、任意に置換された直鎖または分岐鎖を表すことを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の組成物。 Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、または任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ２■Ｃ１２アルケニル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ２■ Ｃ８アルケニル基、または置換されていてもよいＣ４■Ｃ１０アリール基、
    各Ｒａは、以下からなるグループから互いに独立して選択されます。
    ?一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル：

    ?一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル：

    ?カルボン酸ラジカルＯ Ｃ（Ｏ）Ｒｆ、
    ?オキシムラジカルＯ Ｎ ＝ ＣＲｇＲｈ、
    ?カルボン酸アミドラジカルＮ（Ｒｉ）Ｃ（Ｏ）Ｒｊ、
    ここで
    各ＲｂおよびＲｃは、互いに独立して、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基を示し、
    各ＲｂおよびＲｃは、互いに独立して、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基を示し、
    Ｒｄは、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、Ｃ４■Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ５■Ｃ１１アラルキル基またはＣ４■ Ｃ１０アリール基。
    Ｒｅは二価のベンゼンラジカル、またはＲｅはＣを示し、ＲｂおよびＲｃはＨを示し、またはＲｅはＣを示し、ＲｂはＨを示し、Ｒｃはメチルを示し、
    ｎは１■５、特に１■３、特に１の整数である。
    ここで
    各ＲｎおよびＲｏは、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基を示す。
    ＲｐおよびＲｑは、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、特に、任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、または任意に置換されたＣ４■Ｃ１４シクロアルキル基を示す。またはＣ５からＣ１１アラルキル基またはＣ４からＣ１０アリール基、
    Ｒｒは二価のベンゼンラジカル、またはＲｒはＣ、ＲｎとＲｏはＨ、またはＲｒはＣ、ＲｎはＨ、Ｒｏはメチル、
    ｐは、１■５、特に１■３、特に１の整数である。
    ここで
    Ｒｆは、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１０シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基、特にＨを示すか、または任意に置換された、直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ８シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基、
    ここで
    ＲｇおよびＲｈは、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１０シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基を示す、特に、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ８シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基、
    そして、
    Ｒ１およびＲ１は、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ１２アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ１０シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基を示す、特に、Ｈまたは任意に置換された直鎖または分岐Ｃ１■Ｃ８アルキル基、任意に置換されたＣ４■Ｃ８シクロアルキル基または任意に置換されたＣ４■Ｃ１０アリール基または任意に置換されたＣ５■Ｃ１１アラルキル基。
  14. 一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯを有するシリコーン化合物を混合することによって得られる組成物を架橋するための、金属シロキサン?シラノール（?アート）化合物を含有する触媒の使用（請求項１■１２に記載の触媒）。 ）ｏＨ、ここでｏおよび基Ｒ１およびＲｍは請求項１に従って定義され、架橋剤は一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有し、ｍおよび基ＲおよびＲａはクレーム１
  15. 一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有するシリコーン化合物と一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する架橋剤とを含むことを特徴とする、請求項１■１３の少なくとも１項に記載の組成物。は、プレポリマーの形態で存在し、プレポリマーは、シリコーン化合物と一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する架橋剤とを反応させることにより得られる。
  16. １６．組成物を調製する方法であって、この方法は以下のプロセスステップを含む：
    ａ。含む組成物を提供する
    私。一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、ここでｏおよび基Ｒ１およびＲｍは、請求項１に従って定義される。
    ｉｉ。触媒、少なくとも１つの金属シロキサン−シラノール（−ａｔｅ）化合物を含む触媒、
    ｉｉｉ。一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する少なくとも１つの架橋剤、ここで、ｍおよびラジカルＲおよびＲａは、請求項１に従って定義される。
    ｂ。機械的および／または熱エネルギーを使用して、ａ。で提供される組成物を混合する。
  17. さらに、本発明は、以下を含む組成物を硬化させることにより得られるシーリング材料に関する。
    私。一般式ＨＯ（ＳｉＲ１ＲｍＯ）ｏＨを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、ここでｏおよび基Ｒ１およびＲｍは、請求項１に従って定義される。
    ｉｉ。触媒、少なくとも１つのＭ３Ｓ化合物を含む触媒、および
    ｉｉｉ。一般式Ｓｉ（Ｒ）ｍ（Ｒａ）４ｍを有する少なくとも１つの架橋剤、ここで、ｍならびにラジカルＲおよびＲａは、請求項１に従って定義される。
  18. 請求項１６に記載の方法により得られる組成物。
  19. 請求項１■１３、１５および／または１８のいずれか１項に記載の組成物の、シーラント、接着剤、ポッティング化合物またはコーティング剤としての使用。
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