JP2020502779A - Ｑｆｎ表面実装型ｒｇｂ−ｌｅｄパッケージモジュール及びその製造方法 - Google Patents

Ｑｆｎ表面実装型ｒｇｂ−ｌｅｄパッケージモジュール及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

クワッドフラットリードなしパッケージ（ＱＦＮ）表面実装型の赤緑青発光ダイオード（ＲＧＢ−ＬＥＤ）パッケージモジュール及びその製造方を提供し、パッケージホルダとパッケージホルダに設けられた発光ユニットとを含み、発光ユニットの個数が少なくとも２個であり、パッケージホルダは金属製基体（１００）と絶縁フレーム（２００）とを含み、金属製基体（１００）には、各発光ユニットがある領域にダイボンディング及びワイヤボンディングするために用いられる支持電極（１０１）が設けられ、発光ユニットは金属製基体（１００）に固定されたＲＧＢＬＥＤチップ（３０１）と前記ＲＧＢＬＥＤチップ（３０１）と支持電極（１０１）を接続するボンディングワイヤ（３０２）とを含み、発光ユニット上に保護層（４００）が設けられ、支持電極（１０１）が金属製基体（１００）の裏面に設けられたパッド（１０２）を介して外部回路と接続される。金属製基体（１００）を介して直接プリント回路基板と接触させることで、チップの熱を速やかに導出できる。表面にカップ部（２０１）を形成する構造により、発光面を一つだけにし；複数の発光ユニットを一つのパッケージモジュール上に集積させることで、生産効率を更に向上させる。

Description

本発明は、ＳＭＤＬＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ、表面実装デバイス）パッケージ技術に関し、特に、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏ−ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅ、クワッドフラットリードなしパッケージ）表面実装型のＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール及びその製造方法に関する。
ディスプレイ産業の絶え間ない発展に伴い、ディスプレイ用ＬＥＤは、本来のＤＩＰ（ｄｕａｌ ｉｎｌｉｎｅ−ｐｉｎ ｐａｃｋａｇｅ、デュアルインラインパッケージ）構造からＳＭＤ構造への移行が急速に進んだ。ＳＭＤ構造のＬＥＤは、軽量、小型、自動実装、広照射角、均一な発光色、低光減衰等の利点を持つため、益々人々に受け入れられてきている。従来のＳＭＤＬＥＤは上記利点を持っているが、光減衰が比較的大きく、伝熱経路が長く、搬送電流が小さく、生産が複雑で、信頼性が低く、防湿性や耐候性に劣る。製品構造全体を変えないで、製品の信頼性を高めることは、今に至っても業界で未だ好ましい解決策がない。
従来の小ピッチＬＥＤディスプレイには、主に型番２１２１、１５１５、１０１０、０８０８等のパッケージングデバイスが用いられている。ＬＥＤディスプレイのピクセルピッチの縮小に伴い、単位面積上のパッケージングデバイスの個数が益々多くなることで、ディスプレイ全体のコストにおけるパッケージングデバイスの占める割合を上昇傾向にさせている。測算によると、小ピッチＬＥＤディスプレイＰ１．９及びこれより小さいピッチ型番の製品において、パッケージングデバイスコストの占める割合は７０％以上に達している。密度が１レベル上がると、ランプビーズの需要が５０％程度上昇し、すなわち、全てのランプビーズメーカーの生産能力を５０％以上増やす必要がある。現在小ピッチで用いられているフルカラーランプビーズは、主に単体（図１及び図２）であり、運用時の数量が多いことにより、生産効率が低く、同時に品質問題が容易に生じる。１個実装問題について、ＣＯＢ（ｃｈｉｐ Ｏｎ ｂｏａｒｄ）集積モジュールを用いることで生産効率は向上したが、ＣＯＢ集積モジュールにも同様に諸々の問題が存在し、例えば、モジュール内の異なるバッチのチップ中央値の差異或いは基板インクの差異により、発色に差異が生じて全ディスプレイの一致性が劣る。さらに、チップが回路基板に取り付けられるため、保護に欠けることで、信頼性を保証できず、かつ発光ユニットの不具合の修理コストも高い。
したがって、従来技術には、改良及び発展の必要がある。
本発明の目的は、従来の実装型ＲＧＢ−ＬＥＤの１個実装の生産効率が低く、パッケージ本体の機械的強度が低いこと等の問題を解決するためのＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール及びその製造方法を提供することにある。
上記問題を解決するため、本発明の技術的解決策は、
ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールであって、パッケージホルダと前記パッケージホルダに設けられた発光ユニットとを含み、前記発光ユニットの個数は、少なくとも２個であり、前記パッケージホルダは金属製基体と絶縁フレームとを含み、前記金属製基体の各発光ユニットがある領域にダイボンディング及びワイヤボンディングするために用いられる支持電極が設けられ、前記発光ユニットは前記金属製基体に固定されたＲＧＢＬＥＤチップと前記ＲＧＢＬＥＤチップと支持電極を接続するボンディングワイヤとを含み、前記発光ユニット上に保護層が設けられ、前記支持電極は金属製基体の裏面に設けられたパッドを介して外部回路と接続される。
前記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールにおいて、前記絶縁フレームは、前記発光ユニットの周囲でカップ部を形成する。
前記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールにおいて、前記金属製基体の表面及び／又は裏面にステップが設けられる。
前記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールにおいて、前記金属製基体に前記パッドの高さと面一となる支持領域が更に設けられる。
前記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールにおいて、前記保護層の表面は、ざらざらして光を反射しない。
上記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法であって、
金属製基体で導電ラインを形成する工程１と、
金属製基体を封止材で覆い、ダイボンディング及びワイヤボンディング用の支持電極を露出させて、パッケージホルダを形成する工程２と、
支持電極に金属をめっきする工程３と、
ＲＧＢＬＥＤチップを支持電極にダイボンディングすると共にワイヤボンディングして物理的・電気的な接続を形成する工程４と、
前記発光ユニットに保護層を射出圧縮成形する工程５と、
パッケージモジュール単体を切取る工程６と、
を含む。
前記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法において、前記工程１は、前記金属製基体の表面及び／又は裏面にステップを製作することを更に含む。
前記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法において、前記工程１は、前記金属製基体の裏面にパッドの高さと面一となる支持領域を製作することを更に含む。
前記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法において、前記工程２は、圧縮成形時に前記金属製基体上で複数のカップ部を形成する。
前記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法において、前記工程５の保護層の射出圧縮成形方法は、分注又は注入の方式で前記カップ部のキャビティ内に封止材を注入してから加熱方式で硬化させ、又はＭＧＰ型によって封止材をカップ部のキャビティ内に圧入することを含み、前記封止材は液状封止材或いはエポキシモールディングコンパウンドとする。
本発明に係るＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール及びその製造方法は、金属製基体で従来の電気めっき薄膜金属を代替する方法によって、導電性を向上し、金属製基体を介して直接プリント回路基板と接触させることで、放熱経路が比較的短くなり、チップの熱を速やかに導出できる。表面にカップ部構造を形成することにより、光線を集中させ、発光面を一つだけにすることで、ディスプレイの解像度、コントラスト等により優れ；金属製基体にステップを製作することにより、絶縁フレームと結合する密着性及びパッケージホルダの安定性を保証し；複数の発光ユニットをパッケージモジュール単体上に集積させることで、更に生産効率を向上させ、製造コストを削減する。また、複数の発光ユニットをパッケージモジュール単体上に集積させることで、ディスプレイ全体の外力に対する機械的強度を効果的に向上できる。従来の集積型パッケージモジュールと比較すると、その利点は本発明のパッケージモジュール単体に含まれる発光ユニットは比較的少なく、異なるバッチのチップ中央値の差異或いは基板インクの差異により、発色に差異が生じて全ディスプレイの一致性が劣る問題を効果的に防止でき、かつ従来の集積型パッケージモジュールに発光ユニットの不具合が生じると修理コストが高いが、本発明の修理コストが低いことである。
従来のＰＰＡホルダの構造を示す模式図である。 従来のＣＨＩＰタイプのパッケージホルダの構造を示す模式図である。 本発明に係るＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール構造の正面図である。 本発明に係るＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの断面図である。 本発明に係るＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール構造の背面図である。 本発明に係る１×２ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール構造の正面図である。 本発明に係る１×３ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール構造の正面図である。 本発明に係る１×３ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール構造の正面図である。 本発明に係る１×９ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール構造の正面図である。 本発明に係るＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造フローチャートである。 本発明に係る１×４ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの金属製基体構造の正面図である。 本発明に係る１×４ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの金属製基体構造の背面図である。 本発明に係る１×４ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの未切断金属製基体の構造の正面図である。
以下、本発明の目的、技術的解決策及び利点をより一層明確にするため、添付図面を参照し実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。
図１は、従来のＰＰＡ＋銅ピンのパッケージホルダの構造を示す図であり、このタイプのパッケージホルダは、射出成形機によって熱可塑性材料を金属と接触させ、一緒に付着しないため、熱膨張冷収縮の時、これらの間に容易に隙間が生じ、エンドユーザーの使用時に外部の水や水蒸気が隙間を介してパッケージ本体内に容易に入り込むことで、製品の不具合が生じていた。図２は、従来のＣＨＩＰタイプのパッケージホルダの構造を示す模式図であり、樹脂８０１でガラス繊維を取り囲んで締め固め、そして銅箔エッチングラインの含浸によって形成され、材料の隙間及び吸湿率はいずれも広くて高く、かつこの複数の材料の膨張率も異なり、次に後工程では平面上に保護層として一層の平坦樹脂８０２を圧縮成形し、このような方法は１つカップ形状の保護を形成できないため、諸々の問題が存在する。また、図１及び図２に示す製品は、いずれも製品単体であり、後続の実装時、生産効率が極めて低い。
図３乃至図５を参照すると、本発明に係るＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールは、パッケージホルダと前記パッケージホルダに設けられた発光ユニットとを含み、前記発光ユニットの個数は少なくとも２個であり、２〜１０００個とすることが好ましく、本実施例においては、前記発光ユニットの個数を４個とした。前記パッケージホルダは、金属製基体１００と絶縁フレーム２００とを含み、実際の運用において、金属製基体１００の材料は銅或いは鉄としてもよく、好ましくは金めっき表面或いは銀めっき表面とすることで導電性を向上させ、半田付けも容易となる。絶縁フレームの材料は、エポキシ樹脂、ＰＰＡ、ＰＣＴ等とすることができるが、本実施例においては、エポキシ樹脂とした。金属製基体１００の各発光ユニットがある領域にダイボンディング及びワイヤボンディングするために用いられる支持電極１０１が設けられ、実際の運用において、支持電極１０１数は４個で、金属製基体１００をエッチング或いはプレスして形成される。前記発光ユニットは、前記金属製基体に固定されたＲＧＢＬＥＤチップ３０１と、前記ＲＧＢＬＥＤチップと支持電極を接続するボンディングワイヤ３０２とを含み、前記発光ユニットに保護層４００が設けられ、金属製基体１００の裏面に設けられたパッド１０２を介して前記支持電極が外部回路と接続される。本発明は、金属製基体１００を介して直接プリント回路基板と接触させることで、放熱経路が短くなり、チップの熱を速やかに導出できる。特に、ＬＥＤディスプレイの単位面積上のパッケージングデバイスの個数が益々多くなるにつれ、密度が１レベル上がると、発生する熱量は非常に大量となるが、本発明の構造を用いることで、効果的に排熱できる。また、本発明のパッケージモジュールは、複数の発光ユニットを備え、実装効率がランプビーズ単体と比較してＮ倍（Ｎは、パッケージモジュール上の発光ユニットの個数である）高くなる。
図４を参照すると、絶縁フレーム２００は、前記発光ユニットの周囲でカップ部２０１を形成する。カップ部２０１の設置によって、ＲＧＢＬＥＤの光をより集中させ、発光面を一つだけにすることで、周囲その他の発光ユニットの影響を防止できることで、製造されたディスプレイの解像度、コントラスト等をより一層優れたものにする。同時に、カップ部２０１の設置により、発光ユニットへの機械的保護をより強化させ、外力の作用による表面保護層の脱落という問題を防止することもできる。
実際の製造において、図４を参照すると、金属製基体１００にステップ１０３が設けられ、金属製基体１００と絶縁フレーム２００の結合の密着性及び安定性を強化し、水及び水蒸気の侵入を防止し、同時にモジュールの機械的強度をより補強するために用いられる。好ましくは、ステップ１０３は、金属製基体１００の表面又は裏面に設けることができ、金属製基体１００の表裏面に同時に設けることもでき、ステップ１０３の具体的個数は本発明でも限定されない。
図５を参照すると、実際の製造において、金属製基体１００には、パッド１０２の高さと面一となる支持領域１０４が更に設けられる。支持領域１０４の設置は、前記パッケージモジュールの製造プロセス中の金属製基体１００の平坦性を保証し、絶縁フレームを圧縮成形する時に金属製基体１００の変形又は傾斜を防止できる。好ましくは、支持領域１０２は、円形、方形或いはその他の不規則な形状の支持領域或いは支柱とすることができる。支持領域１０２の個数は、１個でも複数個でもよく、本発明はこれを限定しない。
図４を参照すると、保護層４００の表面は、ざらざらして光を反射しないことが好ましく、更に保護層４００は拡散剤付き半透明のエポキシ樹脂である。保護層４００とカップ部２０１は、シームレス結合のため、水及び水蒸気の侵入を更に防止し、防水効果は従来の金属とプラスチックの接合と比較してより一層良い。また、保護層４００の表面は、ざらざらしているため、光を反射しないことで、外部光線の影響を減らし、更に前記半透明のエポキシ樹脂封止は拡散剤を有し、カップ部２０１の構造と結合して集光レンズを形成し、ＬＥＤ光をより集中させる。
図６乃至図９を参照すると、本発明に係る個数の異なる発光ユニットを備えたパッケージモジュールの実施例である。図６に示すように、本実施例においては、前記発光ユニットの個数は２個で、図７の発光ユニットの個数量は３個、図９の発光ユニットの個数は９個である。本発明において、前記発光ユニットの個数は、少なくとも２個であり、好ましくは前記発光ユニットの個数は２〜１６個である。図８を参照すると、前記発光ユニットの配置形態は、逆「Ｌ」字形とすることができる。前記発光ユニットの配置方式について、本発明はこれを制限せず、「一」字形に配置してもよく、Ｍ×Ｎ（Ｍ及びＮはいずれも整数）のマトリックスに配置してもよく、その他の不規則な配置形状にすることもできるが、本発明はこれを制限しない。なお、当業者であれば、上記説明に基づいて改良或いは変更することができ、それらの改良及び変更は本発明の添付する特許請求の範囲の保護範囲に属しなければならない。
図１０を参照すると、本発明は上記ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法を更に提供し、前記製造方法は、
金属製基体１００にエッチング或いはプレス方式で導電ラインを形成する工程１と、
圧縮成形機により金属製基体１００を封止材で覆い、ダイボンディング及びワイヤボンディング用の支持電極１０１を露出させて、パッケージホルダを形成する工程２と、
支持電極１０１に金属をめっきする工程３と、
ＲＧＢＬＥＤチップ３０１を支持電極１０１にダイボンディングすると共にワイヤボンディングして物理的・電気的な接続を形成する工程４と、
前記発光ユニットに保護層４００を射出圧縮成形する工程５と、
切断機でパッケージモジュール単体を切取る工程６と、
を含む。
図１１乃至図１３を参照すると、本発明に係る１×４（すなわち、パッケージモジュール単体が、４個の発光ユニットを備える）パッケージモジュールの金属製基体１００の構造略図である。実際の製造において、短絡を防止するため、支持電極１０１は互いに独立しなければならず、支持電極１０１を電気めっきする必要がある場合、全ての支持電極１０１を接続しなければならない。本発明は、先に金属製基体１００を導電ラインとして製作し、この時、全ての支持電極１０１がまだ共に接続され、電気めっきを実施した後に金属製基体１００を切断機で切断して全ての支持電極１０１の接続部を切り離すことで、上記問題を解決できる。図１３を参照すると、前記パッケージモジュールが個数の異なる発光ユニットを備えた状態について、全ての支持電極１０１の接続部を切断機による切断位置に設けることができ、こうして切断工程の時に全ての支持電極１０１の接続部を切断するよう保証できる。なお、本発明は、支持電極１０１の接続方向及び金属製基体１００のエッチング或いはプレスで形成した具体的形状及びラインについて限定していないが、当業者であれば、上記説明に基づいて改良或いは変更することができ、それらの改良及び変更は本発明の添付する特許請求の範囲の保護範囲に属しなければならない。
実際の運用において、前記工程１は、金属製基体１００の表面及び／又は裏面にステップ１０３を製作することを更に含む。更に、前記工程１は、金属製基体１００の裏面にパッド１０２の高さと面一となる支持領域１０４を製作することも含む。
実際の製造において、前記工程２は、圧縮成形時に金属製基体１００上で複数のカップ部２０１を形成する。カップ部２０１の設置によって、ＲＧＢＬＥＤの光をより集中させ、発光面を一つだけにすることで、周囲その他の発光ユニットの影響を防止できることで、製造されたディスプレイの解像度、コントラスト等をより一層優れたものにする。同時に、カップ部２０１の設置により、発光ユニットへの機械的保護をより強化させ、外力の作用による表面保護層の脱落という問題を防止することもできる。
実際の製造において、前記工程５の保護層４００の射出圧縮成形方法は、分注又は注入の方式で液状封止材をカップ部２０１のキャビティに注入することができ、好ましくは拡散剤付き半透明の液状エポキシ樹脂封止材を選択し、次に加熱方式で硬化させるが、加熱の温度は１００〜３００℃であることが好ましい。このような製作方法は、フルカップ保護層となり、保護層４００とカップ部２０１の高さが面一となり、カップ部２０１の高さを０．５〜０．７ｍｍとすることができ、そのような方法で製作された保護層４００の安定性はより一層高くなる。
前記封止材注入方式は、設計したＭＧＰ型によって封止材をカップ部２０１のキャビティ内に圧入し、前記封止材は液状封止材或いはエポキシモールディングコンパウンドとすることもできる。このような製作方法は、ハーフカップ保護層であり、カップ部２０１の高さを保護層４００の高さより少し低くし、カップ部２０１の高さを０．３〜０．５ｍｍとすることができ、この方法で支持する保護層のコストは比較的低い。
本発明は、金属製基体で従来の電気めっき薄膜金属を代替する方法によって、導電性を向上し、金属製基体を介して直接プリント回路基板と接触させることで、放熱経路が比較的短くなり、チップの熱を速やかに導出できる。表面にカップ部構造を形成することにより、光線を集中させ、発光面を一つだけにすることで、ディスプレイの解像度、コントラスト等により優れ；金属製基体にステップを製作することにより、絶縁フレームと結合する密着性及びパッケージホルダの安定性を保証し；複数の発光ユニットをパッケージモジュール単体上に集積させることで、更に生産効率を向上させ、製造コストを削減する。
なお、本発明の応用は、上記の実施例に限定されず、当業者であれば、上記説明に基づいて改良或いは変更することができ、それらの改良及び変更の全ては本発明の添付する特許請求の範囲の保護範囲に属しなければならない。
１００…金属製基体
１０１…支持電極
１０２…パッド
１０３…ステップ
１０４…支持領域
２００…絶縁フレーム
２０１…カップ部
３０１…ＲＧＢＬＥＤチップ
３０２…ボンディングワイヤ
４００…保護層
７０１…熱可塑性材料
７０２…金属
８０１…樹脂
８０２…平坦樹脂

Claims (10)

  1. パッケージホルダと前記パッケージホルダに設けられた発光ユニットとを含むＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールであって、前記発光ユニットの個数は、少なくとも２個であり、前記パッケージホルダは金属製基体と絶縁フレームとを含み、前記金属製基体の各発光ユニットがある領域にダイボンディング及びワイヤボンディングするために用いられる支持電極が設けられ、前記発光ユニットは前記金属製基体に固定されたＲＧＢＬＥＤチップと前記ＲＧＢＬＥＤチップと支持電極を接続するボンディングワイヤとを含み、前記発光ユニット上に保護層が設けられ、前記支持電極は金属製基体の裏面に設けられたパッドを介して外部回路と接続されることを特徴とする、ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール。
  2. 前記絶縁フレームは、前記発光ユニットの周囲でカップ部を形成することを特徴とする、請求項１に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール。
  3. 前記金属製基体の表面及び／又は裏面にステップが設けられることを特徴とする、請求項１に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール。
  4. 前記金属製基体に前記パッドの高さと面一となる支持領域が更に設けられることを特徴とする、請求項１に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール。
  5. 前記保護層の表面は、ざらざらして光を反射しないことを特徴とする、請求項１に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュール。
  6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法であって、
    金属製基体で導電ラインを形成する工程１と、
    前記金属製基体を封止材で覆い、ダイボンディング及びワイヤボンディング用の支持電極を露出させて、パッケージホルダを形成する工程２と、
    前記支持電極に金属をめっきする工程３と、
    ＲＧＢＬＥＤチップを前記支持電極にダイボンディングすると共にワイヤボンディングして物理的・電気的な接続を形成する工程４と、
    前記発光ユニットに保護層を射出圧縮成形する工程５と、
    パッケージモジュール単体を切取る工程６と、
    を含むことを特徴とする、ＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法。
  7. 前記工程１は、前記金属製基体の表面及び／又は裏面にステップを製作することを更に含むことを特徴とする、請求項６に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法。
  8. 前記工程１は、前記金属製基体の裏面にパッドの高さと面一となる支持領域を製作することを更に含むことを特徴とする、請求項６に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法。
  9. 前記工程２は、圧縮成形時に前記金属製基体上で複数のカップ部を形成することを特徴とする、請求項６に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法。
  10. 前記工程５の保護層の射出圧縮成形方法は、分注又は注入の方式で前記カップ部のキャビティ内に封止材を注入してから加熱方式で硬化させ、又はＭＧＰ型によって封止材をカップ部のキャビティ内に圧入することを含み、前記封止材は液状封止材或いはエポキシモールディングコンパウンドとすることを特徴とする、請求項９に記載のＱＦＮ表面実装型ＲＧＢ−ＬＥＤパッケージモジュールの製造方法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847800A (zh) * 2017-03-28 2017-06-13 山东晶泰星光电科技有限公司 Qfn表面贴装式rgb‑led封装模组及其制造方法
JP6799627B2 (ja) 2018-02-26 2020-12-16 山東捷潤弘光電科技有限公司 Ｒｇｂ−ｌｅｄパッケージモジュール及びそのディスプレイ
CN108807356B (zh) * 2018-06-05 2020-10-27 深圳市智讯达光电科技有限公司 一种四合一mini-LED模组、显示屏及制造方法
CN108807355A (zh) * 2018-06-05 2018-11-13 深圳市汉华光电子有限公司 一种双侧面发光的贴片式led
EP3582262B1 (en) 2018-06-14 2024-05-01 Shenzhen Zhixunda Optoelectronics Co., Ltd. Four-in-one mini-led module, display screen and manufacturing method
CN109860371A (zh) * 2019-01-23 2019-06-07 佛山市国星光电股份有限公司 支架结构、支架阵列和led器件
JP7231450B2 (ja) * 2019-03-18 2023-03-01 ローム株式会社 半導体発光装置
CN112447899B (zh) * 2019-08-30 2022-01-04 深圳Tcl数字技术有限公司 Led支架及其制备方法、背光模组及显示装置
CN112382713A (zh) * 2020-10-27 2021-02-19 浙江英特来光电科技有限公司 一种基于倒装工艺的smd全彩led封装结构
CN112863386B (zh) * 2021-02-10 2022-04-05 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置
CN114141912B (zh) * 2021-11-24 2023-05-23 东莞市中麒光电技术有限公司 Led显示模组及制作方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080258162A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Koung Chia-Yin Package for a high-power light emitting diode
JP2009038188A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Toyoda Gosei Co Ltd 表示装置用ｌｅｄランプ及びｌｅｄ表示装置
JP2013251422A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Apic Yamada Corp Ｌｅｄチップ実装用基板、ｌｅｄパッケージ、金型、並びに、ｌｅｄチップ実装用基板及びｌｅｄパッケージの製造方法
US20140353694A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
CN204289443U (zh) * 2014-12-25 2015-04-22 深圳市安普光光电科技有限公司 连体全彩发光二极管及led显示模组
JP2015532541A (ja) * 2012-10-17 2015-11-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造するための方法
JP2016006842A (ja) * 2014-05-29 2016-01-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016512344A (ja) * 2013-03-11 2016-04-25 深セン市奥拓電子股▲分▼有限公司 高解像度ｌｅｄディスプレイ及びその超微細ドットピッチを有する表面実装型ｌｅｄコンビネーションランプ

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101567411A (zh) * 2009-05-26 2009-10-28 晶科电子（广州）有限公司 发光二极管倒装焊集成封装结构及制作方法
JP5010716B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP2011165833A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Toshiba Corp Ｌｅｄモジュール
CN102610602A (zh) * 2011-01-25 2012-07-25 四川柏狮光电技术有限公司 单一封装材质高解析度led光源及其制备工艺
CN202662602U (zh) * 2012-05-30 2013-01-09 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 多晶片led结构
DE102012215705B4 (de) * 2012-09-05 2021-09-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe
CN104681517A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 上海北京大学微电子研究院 一种适合于led照明应用的多芯片qfn封装
CN103762292A (zh) * 2014-01-17 2014-04-30 桂林电子科技大学 一种使用低反光的黑色emc塑封材料达到高反光效果的led封装工艺
CN105428496A (zh) * 2014-09-19 2016-03-23 深圳市晶台股份有限公司 一种新型基板封装led全彩方法
CN204045628U (zh) * 2014-09-23 2014-12-24 厦门多彩光电子科技有限公司 一种多碗杯结构的贴片led光源
CN205806998U (zh) * 2016-07-20 2016-12-14 山东晶泰星光电科技有限公司 一种带有热辐射材料的led充气球泡灯
CN106129221A (zh) * 2016-08-23 2016-11-16 湖南普斯赛特光电科技有限公司 一种led支架、led及led封装工艺
CN206340542U (zh) * 2017-03-28 2017-07-18 山东晶泰星光电科技有限公司 一种qfn表面贴装式rgb‑led封装模组
CN106876375A (zh) * 2017-03-28 2017-06-20 山东晶泰星光电科技有限公司 一种集成式rgb‑led显示屏
CN106876543A (zh) * 2017-03-28 2017-06-20 山东晶泰星光电科技有限公司 一种qfn表面贴装rgb‑led封装体及其制造方法
CN106847800A (zh) * 2017-03-28 2017-06-13 山东晶泰星光电科技有限公司 Qfn表面贴装式rgb‑led封装模组及其制造方法
CN106847803B (zh) * 2017-03-28 2023-09-15 山东捷润弘光电科技有限公司 一种集成ic的表面贴装式rgb-led封装模组

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080258162A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Koung Chia-Yin Package for a high-power light emitting diode
JP2009038188A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Toyoda Gosei Co Ltd 表示装置用ｌｅｄランプ及びｌｅｄ表示装置
JP2013251422A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Apic Yamada Corp Ｌｅｄチップ実装用基板、ｌｅｄパッケージ、金型、並びに、ｌｅｄチップ実装用基板及びｌｅｄパッケージの製造方法
JP2015532541A (ja) * 2012-10-17 2015-11-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造するための方法
JP2016512344A (ja) * 2013-03-11 2016-04-25 深セン市奥拓電子股▲分▼有限公司 高解像度ｌｅｄディスプレイ及びその超微細ドットピッチを有する表面実装型ｌｅｄコンビネーションランプ
US20140353694A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
JP2016006842A (ja) * 2014-05-29 2016-01-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN204289443U (zh) * 2014-12-25 2015-04-22 深圳市安普光光电科技有限公司 连体全彩发光二极管及led显示模组

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MINGYU HU ET AL.: ""Full-color LED display reserch based on chip on board (COB) package"", 2014 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY, JPN6020027249, 2014, pages 97 - 100, ISSN: 0004314368 *

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