JP2020202248A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の電気的特性向上。【解決手段】実施形態の配線基板１００は、コア基板２と、コア基板２の第１面２ａ上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含む第１積層体１と、第２面２ｂ上の第２積層体とを含んでいる。第１積層体１は、第１線路パターン１６ａ、及び第１線路パターン１６ａを挟む一対の層間絶縁層１４０を含み、第１線路パターン１６ａと一対の層間絶縁層１４０とを含む第１ストリップ線路１６が形成されており、コア基板２は、第１線路パターン１６ａの厚さ及び線路幅よりも厚い厚さ及び広い線路幅それぞれを有する第２線路パターン２６ａを含み、第２線路パターン２６ａは一対の層間絶縁層１４０よりも厚い一対のコア基板内絶縁層２４０に挟まれており、第２線路パターン２６ａと一対のコア基板内絶縁層１４０とを含む第２ストリップ線路２６がコア基板２内に形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、コア基板の両側の導体層の一方に電源層、他方にグランド層を含み、コア基板上にビルドアップされた導体層にマイクロストリップ線路パターンを含む配線基板が開示されている。

特開２００６−４９６４５号公報

しかしながら、特許文献１の配線基板は、所望の電気的特性を有し得るが、所望の電気的特性を有するストリップ線路を構成させる導体層及び絶縁層の選択に関する自由度が低い事がある。

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成されていて、交互に積層されている絶縁層及び導体層を含む第１積層体と、前記第２面上に形成されていて、交互に積層されている絶縁層及び導体層を含む第２積層体と、を含んでいる。そして、前記第１積層体は、第１線路パターンを含む第１導体層、及び、前記第１線路パターンを挟んでいる一対の層間絶縁層を含み、前記第１線路パターンと、前記一対の層間絶縁層と、前記一対の層間絶縁層を挟む一対の導体層とによって第１ストリップ線路が形成されており、前記コア基板は、第２線路パターンを含んでいる第２導体層を含む複数の導体層、及び、前記複数の導体層それぞれの間に介在するコア基板内絶縁層によって構成されており、前記第２線路パターンと、前記第２線路パターンを挟む２つの前記コア基板内絶縁層からなる一対のコア基板内絶縁層と、前記一対のコア基板内絶縁層を挟む一対の導体層とによって第２ストリップ線路が前記コア基板内に形成されており、前記一対のコア基板内絶縁層の厚さは前記一対の層間絶縁層の厚さよりも厚く、前記第２線路パターンの厚さは、前記第１線路パターンの厚さよりも厚く、前記第２線路パターンの線路幅は、前記第１線路パターンの線路幅よりも広い。

本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層と、金属箔を含む導体層とを積層することによって第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する多層構造のコア基板を形成することと、前記第１面及び前記第２面上にさらに、絶縁層と、金属箔を含まない導体層とを積層することによって絶縁層と導体層との積層体を形成することと、を含んでいる。そして、前記積層体を形成することは、前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方の上への前記積層体の形成において第１ストリップ線路を形成することを含み、前記第１ストリップ線路を形成することは、金属箔を用いないアディティブ法を用いて前記第１ストリップ線路の信号伝送路を構成すべき第１線路パターンを形成することを含み、前記コア基板を形成することは、前記コア基板内に第２ストリップ線路を形成することを含み、前記第２ストリップ線路を形成することは、サブトラクティブ法又は金属箔を用いるセミアディティブ法を用いて前記第２ストリップ線路の信号伝送路を構成すべき第２線路パターンを形成することを含んでいる。

本発明の実施形態によれば、プリント配線板におけるストリップ線路の配置に関する自由度が向上し、高周波信号の伝送特性を含むプリント配線板の電気的特性を向上させ得ることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１のIIＡ部の拡大図。 図１のIIＢ部の拡大図。 一実施形態の配線基板における第１及び第２の線路パターンの接続を概念的に示す斜視図。 一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。 一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における出発基板の形成後の状態の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法における第２導体層の形成後の状態の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法におけるコア基板の形成後の状態の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法における第１導体層の形成後の状態の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法における第１及び第２の積層体の形成後の状態の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００の断面図が示されている。また、図２Ａ及び図２Ｂには、図１のIIＡ部及びIIＢ部の拡大図がそれぞれ示されている。

図１に示されるように、配線基板１００は、第１面２ａ及び第１面２ａの反対面である第２面２ｂを有するコア基板２と、第１面２ａ上に形成されている第１積層体１と、第２面２ｂ上に形成されている第２積層体３と、を含んでいる。コア基板２は、第２導体層２２を含む複数の導体層（図１の例では第２導体層２２及び導体層２３ａ〜２３ｅ）、及び、複数の導体層それぞれの間に介在するコア基板内絶縁層（図１の例ではコア基板内絶縁層２４ａ〜２４ｆ）によって構成されている。図１の例においてコア基板内絶縁層２４ａは、コア基板２の形成において出発基板として用いられる絶縁基板からなるベース絶縁層である。第１及び第２の積層体１、３は、それぞれ、交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。具体的には、第１積層体１は、第１導体層１１を含む複数の導体層（図１の例では第１導体層１１、導体層１３ａ及び導体層１３ｂ）、及び複数の層間絶縁層（図１の例では層間絶縁層１４ａ〜１４ｃ）を含んでいる。第２積層体３は、図１の例では、３つの導体層３３及び３つの層間絶縁層３４を含んでいる。第１及び第２の積層体１、３は、配線基板１００において、コア基板２の第１面２ａ上及び第２面２ｂ上それぞれに形成されているビルドアップ層である。配線基板１００では、後述されるようにコア基板２内の第２導体層２２などの各導体層及び各コア基板内絶縁層も、コア基板内絶縁層２４ａの両面にビルドアップ製法によって形成されている。

なお、配線基板１００の説明では、配線基板１００の厚さ方向においてコア基板内絶縁層２４ａから遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、コア基板内絶縁層２４ａに近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、コア基板内絶縁層２４ａと反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板内絶縁層２４ａ側を向く表面は「下面」とも称される。従って第１積層体１及び第２積層体３の説明では、コア基板２から遠い側が「上側」、「上方」、又は単に「上」とも称され、コア基板２に近い側が「下側」、「下方」、又は単に「下」とも称される。また、配線基板１００の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。

図１に示されるように、ベース絶縁層（コア基板内絶縁層２４ａ）は、コア基板２の第１面２ａ側の第１ベース面Ｂ１及び第１ベース面Ｂ１の反対面である第２ベース面Ｂ２を有している。第１ベース面Ｂ１上に、順に、導体層２３ａ、コア基板内絶縁層２４ｂ、導体層２３ｂ、コア基板内絶縁層２４ｃ、第２導体層２２、コア基板内絶縁層２４ｄ、導体層２３ｃ、コア基板内絶縁層２４ｅ、及び導体層２３ｄが積層されている。第２ベース面Ｂ２上には、５つの導体層２３ｅが形成されており、５つの導体層２３ｅそれぞれの間に、コア基板内絶縁層２４ｆが介在している。コア基板内絶縁層２４ｅ及び導体層２３ｄそれぞれの上面が第１面２ａを構成している。導体層２３ｅ及びコア基板内絶縁層２４ｆのうちでコア基板内絶縁層２４ａから最も遠い導体層及びコア基板内絶縁層それぞれの上面が、第２面２ｂを構成している。

コア基板２の第１面２ａ上に、層間絶縁層１４ａ、導体層１３ａ、層間絶縁層１４ｂ、第１導体層１１、層間絶縁層１４ｃ、及び導体層１３ｂが順に積層されており、これらの導体層及び層間絶縁層によって第１積層体１が構成されている。導体層１３ｂは、外部の電子部品（図示せず）の実装に用いられる接続パッド１３ｂ１を含んでいる。第１積層体１の上にはソルダーレジスト層４１が形成されている。ソルダーレジスト層４１は、接続パッド１３ｂ１を露出させる開口を備えている。

コア基板２の第２面２ｂ上に、層間絶縁層３４と導体層３３とが交互に積層されており、３つの層間絶縁層３４及び３つの導体層３３を含む第２積層体３が形成されている。コア基板２から最も離れた導体層３３は、外部の配線基板又は部品との接続に用いられる接続パッド３３１を含んでいる。第２積層体３の上にはソルダーレジスト層４２が形成されている。ソルダーレジスト層４２は、接続パッド３３１を露出させる開口を備えている。接続パッド１３ｂ１及び接続パッド３３１の露出面には、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、ハンダ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されていてもよい。

ソルダーレジスト層４１、４２は、絶縁性を有する任意の材料を用いて形成され得る。ソルダーレジスト層４１、４２は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを主原料とする感光性樹脂を用いて形成される。

配線基板１００の各絶縁層は、ビア導体１５、ビア導体２５ｂ、ビア導体２５ｃ、ビア導体３５、又は、スルーホール導体２５ａを含んでいる。ビア導体１５は、第１積層体１内の層間絶縁層１４ａ〜１４ｃそれぞれに含まれ、ビア導体３５は、第２積層体３内の各層間絶縁層３４に含まれている。ビア導体２５ｂはコア基板内絶縁層２４ｂ〜２４ｅそれぞれに含まれ、ビア導体２５ｃはコア基板内絶縁層２４ｆに含まれ、スルーホール導体２５ａはベース絶縁層（コア基板内絶縁層２４ａ）に含まれている。各ビア導体、及びスルーホール導体２５ａは、各ビア導体又はスルーホール導体２５ａを包含する各絶縁層を貫通すると共に、その絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続している。

コア基板内絶縁層２４ａ〜２４ｆ、層間絶縁層１４ａ〜１４ｃ、及び層間絶縁層３４は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

図１の例では、コア基板内絶縁層２４ａ〜２４ｆのそれぞれは、補強材２４１を含んでいる。補強材２４１としては、前述したガラス繊維及びアラミド繊維、さらに、ガラス不織布及びアラミド不織布などが例示されるが、補強材２４１はこれらに限定されない。コア基板内絶縁層２４ａ〜２４ｆの厚さは、例えば、４０μｍ以上、２００μｍ以下である。

一方、図１の例では、層間絶縁層１４ａ〜１４ｃ及び層間絶縁層３４は、補強材を含んでいない、エポキシ樹脂などの先に例示した樹脂などで形成されている。層間絶縁層１４ａ〜１４ｃ及び層間絶縁層３４の厚さは、例えば、１０μｍ以上、４０μｍ未満である。

なお、コア基板内絶縁層２４ａ〜２４ｆ、層間絶縁層１４ａ〜１４ｃ、及び層間絶縁層３４それぞれの厚さは、各絶縁層を介して隣接する導体層それぞれの導体パターンに挟まれている領域における各絶縁層の厚さである。

第１及び第２の導体層１１、２２、導体層２３ａ〜２３ｅ、導体層１３ａ、導体層１３ｂ、並びに導体層３３は、例えば、銅、ニッケル、銀、又はパラジウムなどを含む金属箔、蒸着膜、又はめっき膜単独で、又はこれらの積層体で形成されている。

図１の例において第１積層体１内の第１導体層１１及び導体層１３ａ、１３ｂ、並びに、第２積層体３内の導体層３３は、金属箔を用いずに形成されている。第１導体層１１、及び導体層１３ａ、１３ｂ、３３は、それぞれ、図２Ａに示されるように、シード膜１３２及び電解めっき膜１３３を含んでいる。シード膜１３２は、電解めっき膜１３３の形成時に給電層として用いられる。図１の例の第１積層体１及び第２積層体３それぞれの各導体層は、例えば、金属箔を用いないセミアディティブ（ＳＡＰ：Semi-Additive Process）法で形成される。

第１積層体１内の各導体層及び第２積層体３内の導体層３３の厚さは、例えば、１０μｍ以上、２０μｍ未満である。このように、第１積層体１及び第２積層体３内の金属箔を含まない各導体層は、最小線幅／最小線間幅（Ｌ／Ｓ）に関して１０μｍ／１０μｍの配線ルールで配置された配線パターンを有し得る。従って、第１及び第２の積層体１、３には、以下に述べられる、金属箔を含む導体層を有するコア基板２内よりも微細なピッチで並ぶ、より細い配線を形成することができる。

一方、図１の例では、コア基板２内の第２導体層２２及び導体層２３ａ〜２３ｅは、図２Ｂに示されるように、金属箔２３１、シード膜２３２、及び電解めっき膜２３３を含んでいる。シード膜２３２は、電解めっき膜２３３の形成時に給電層として用いられる。図１の例のコア基板２内の各導体層は、例えば、サブトラクティブ法、又は、金属箔を用いるセミアディティブ（ＭＳＡＰ：Modified Semi-Additive Process）法を用いて形成される。このように金属箔２３１が含まれる場合、コア基板２内の各導体層の厚さは、例えば、２０μｍ以上、７０μｍ以下である。また、コア基板２内の第２導体層２２及び導体層２３ａ〜２３ｅそれぞれは、例えば、最小線幅／最小線間幅（Ｌ／Ｓ）に関して３０μｍ／３０μｍの配線ルールで配置された配線パターンを有し得る。

ビア導体１５、ビア導体２５ｂ、ビア導体２５ｃ、ビア導体３５それぞれは、各ビア導体を包含する各絶縁層を貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成されている所謂フィルドビアである。各ビア導体は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。各ビア導体は、例えば、前述したシード膜１３２又はシード膜２３２、及び、めっき膜１３３又はめっき膜２３３によって形成される。

スルーホール導体２５ａは、コア基板内絶縁層２４ａに設けられた貫通孔を、銅又はニッケルなどからなるシード膜２３２及びめっき膜２３３で充填することによって、導体層２３ａ、及び第２ベース面Ｂ２上の２３ｅと一体的に形成されている。

配線基板１００では、複数のビア導体２５ｂとスルーホール導体２５ａと複数のビア導体２５ｃとが平面視で重なるように積層されている。このように積層されている複数のビア導体２５ｂ、複数のビア導体２５ｃ、及びスルーホール導体２５ａによって、第１面２ａ上の導体層１３ｂと第２面２ｂ上の導体層２３ｅとを接続するスタックビア導体２５０が形成されている。コア基板２は、このように第１面２ａを構成する導体層２３ｄと第２面２ｂを構成する導体層２３ｅとを略最短の経路で接続するスタックビア導体２５０を有し得る。コア基板２の表裏の導体層を小さい電気抵抗を有する経路で電気的に接続することができる。コア基板２及び配線基板１００の平面サイズを小さくできることがある。

コア基板２、並びに第１及び第２の積層体１、３それぞれに含まれる各導体層は、任意の導体パターンを含み得る。図２Ａに示されるように、第１導体層１１は、少なくとも第１線路パターン１６ａを含んでいる。第１線路パターン１６ａは所定の線路幅Ｗ１を有し、線路幅Ｗ１と直交する方向に延在している。第１導体層１１の下側において層間絶縁層１４ｂを介して第１導体層１１に隣接する導体層１３ａは、少なくともシールドパターン１６１を含んでいる。第１導体層１１の上側において層間絶縁層１４ｃを介して第１導体層１１に隣接する導体層１３ｂは、少なくともシールドパターン１６２を含んでいる。第１線路パターン１６ａは、層間絶縁層１４ｂ及び層間絶縁層１４ｃからなる一対の層間絶縁層１４０によって挟まれている。また、一対の層間絶縁層１４０は、導体層１３ａ及び導体層１３ｂからなる一対の導体層１３０によって挟まれている。

シールドパターン１６１及びシールドパターン１６２は、導体層１３ａ及び導体層１３ｂそれぞれの一部である導体パターンである。シールドパターン１６１及びシールドパターン１６２それぞれは、第１線路パターン１６ａと平面視で重なっており、第１線路パターン１６ａの線路幅Ｗ１の方向において、線路幅Ｗ１よりも長い長さを有している。シールドパターン１６１及びシールドパターン１６２は、グランド用導体パターン又は電源用導体パターンなどの電位変動の少ない導体パターンであり、好ましくは、グランド電位に接続される導体パターンである。従って、シールドパターン１６１及びシールドパターン１６２は、第１線路パターン１６ａに対する電磁シールドとして機能し得る。すなわち、第１線路パターン１６ａと、一対の層間絶縁層１４０と、一対の導体層１３０（具体的には２つのシールドパターン１６１、１６２）とによってストリップ線路（第１ストリップ線路１６）が形成されている。図１及び図２Ａの例では、第１ストリップ線路１６は、第１積層体１に含まれている。

一方、コア基板２内の第２導体層２２は、図２Ｂに示されるように、少なくとも第２線路パターン２６ａを含んでいる。第２線路パターン２６ａは所定の線路幅Ｗ２を有し、線路幅Ｗ２と直交する方向に延在している。第２導体層２２の下側においてコア基板内絶縁層２４ｂを介して第２導体層２２に隣接する導体層２３ｂは、少なくともシールドパターン２６１を含んでいる。第２導体層２２の上側においてコア基板内絶縁層２４ｃを介して第２導体層２２に隣接する導体層２３ｃは、少なくともシールドパターン２６２を含んでいる。第２線路パターン２６ａは、２つのコア基板内絶縁層（コア基板内絶縁層２４ｂ及びコア基板内絶縁層２４ｃ）からなる一対のコア基板内絶縁層２４０によって挟まれている。そして、一対のコア基板内絶縁層２４０は、導体層２３ｂ及び導体層２３ｃからなる一対の導体層２３０によって挟まれている。

シールドパターン２６１及びシールドパターン２６２は、導体層２３ｂ及び導体層２３ｃそれぞれの一部である導体パターンである。シールドパターン２６１及びシールドパターン２６２は、それぞれ、第２線路パターン２６ａと平面視で重なっており、第２線路パターン２６ａの線路幅Ｗ２の方向において、線路幅Ｗ２よりも長い長さを有している。シールドパターン２６１及びシールドパターン２６２は、シールドパターン１６１などと同様に、グランド用導体パターンのような電位変動の少ない導体パターンである。従って、シールドパターン２６１及びシールドパターン２６２は第２線路パターン２６ａに対する電磁シールドとして機能し得る。すなわち、コア基板２には、第２線路パターン２６ａと、一対のコア基板内絶縁層２４０と、一対の導体層２３０（具体的には２つのシールドパターン２６１、２６２）とによって構成されるストリップ線路（第２ストリップ線路２６）が形成されている。コア基板２は第２ストリップ線路２６を含んでいる。

図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、第２線路パターン２６ａは、第１線路パターン１６ａの厚さＴ１よりも厚い厚さＴ２を有している。また、第２線路パターン２６ａは第１線路パターン１６ａの線路幅Ｗ１よりも広い線路幅Ｗ２を有している。一方、一対のコア基板内絶縁層２４０は、一対の層間絶縁層１４０の厚さＴ３よりも厚い厚さＴ４を有している。なお、一対の層間絶縁層１４０の厚さＴ３は、一対の導体層１３０を構成する導体層１３ａ及び導体層１３ｂ同士の間隔である。また、一対のコア基板絶縁層２４０の厚さＴ４は、一対の導体層２３０を構成する導体層２３ｂ及び導体層２３ｃ同士の間隔である。

このように、本実施形態では、コア基板２と、第１積層体１との両方に、ストリップ線路が設けられる。前述したように、第１積層体１は、コア基板２を構成する各導体層及び各絶縁層と異なる材料（例えば補強材２４１の有無）、及び異なる厚さを有し得る導体層及び絶縁層によって構成される。加えて、第１積層体１は、コア基板２を構成する各導体層と異なる配線ルールを有し得る各導体層によって構成される。しかし、本実施形態では、コア基板２内に構成される第２ストリップ線路２６の構成要素は、第１ストリップ線路１６の構成要素を幾何学上適切に拡大したような構造を有している。そのため、例えば、第１ストリップ線路１６の特性インピーダンスと、第２ストリップ線路２６の特性インピーダンスとを容易に近づけることができる。

すなわち、高周波信号の伝送において反射や減衰の少ない信号伝送路を、ファインピッチの配線形成が可能な第１積層体１の中だけでなく、コア基板２内にも形成することができる。そのように、コア基板２と、コア基板２上に形成される導体層及び絶縁層の積層体との両方に高周波信号の伝送路を設けても、良好なシグナルインティグリティが得られると考えられる。従って高周波信号の伝送路の配置に関する設計の自由度が向上すると考えられる。その結果、配線基板の層数を少なくしたり、配線基板の平面サイズを小さくしたりすることが可能なことがある。

例えば図１の例では、それぞれストリップ線路構造を有する第１線路パターン１６ａ及び第２線路パターン２６ａが平面視で重なる位置に配置されている。従ってストリップ線路構造を有する２つの線路パターンが同一の導体層に設けられる場合と比べて、配線基板１００のサイズを小さくし得ることがある。第１線路パターン１６ａ及び第２線路パタ−ン２６ａは、互いに同じ方向に沿って平面視で重なるように延在していてもよい。すなわち、高周波信号に適した複数の伝送路を、配線基板の厚さ方向に沿った断面において並走するように、互いに異なる構造を有する導体層それぞれに設けることも可能となり得る。

さらに、コア基板２は、前述したように、比較的厚い導体層を有し得る。従って、コア基板２内に第２ストリップ線路２６を配置することによって、高周波信号に適した特性インピーダンスを有すると共に比較的低い電気抵抗を有する伝送路を得ることができる。長い高周波信号の伝送路が設けられる場合でも、伝送路中の電圧降下及び発熱が少ないと考えられる。

第１ストリップ線路１６及び第２ストリップ線路２６それぞれの構成の一例が以下に示される。第１線路パターン１６ａの線路幅Ｗ１としては、２０μｍが例示される。第１線路パターン１６ａの厚さＴ１としては、１５μｍが例示される。一対の層間絶縁層１４０の厚さＴ３としては、７５μｍが例示される。第１ストリップ線路１６の各要素がこれら例示の条件を備えていて一対の層間絶縁層１４０の比誘電率が、例えば１ＧＨｚの周波数の信号に対して３．３である場合、第１ストリップ線路１６は、上記周波数の信号に対して５０Ω程度の特性インピーダンスを有し得る。

第１ストリップ線路１６が上記の条件を備えている場合、第２線路パターン２６ａの線路幅Ｗ２は、例えば３０μｍである。第２線路パターン２６ａの厚さＴ２は、例えば３５μｍである。一対のコア基板内絶縁層２４０の厚さＴ４は、例えば、１５５μｍである。第２ストリップ線路２６の各要素がこれらの条件を備えていて一対のコア基板内絶縁層２４０の比誘電率が、例えば１ＧＨｚの周波数の信号に対して３．７である場合、第２ストリップ線路２６は、上記周波数の信号に対して５０Ω程度の特性インピーダンスを有し得る。

第１及び第２の線路パターン１６ａ、２６ａそれぞれの線路幅及び厚さ、並びに、一対の層間絶縁層１４０及び一対のコア基板内絶縁層２４０それぞれの厚さ及び比誘電率を適切に選択することによって、各ストリップ線路において所望の特性インピーダンスを得ることができる。例えば、第１ストリップ線路１６の特性インピーダンスと第２ストリップ線路２６の特性インピーダンスとは略等しくてもよい。互いに同じ出力インピーダンスを有する高周波電子デバイスの複数の出力それぞれに接続される信号伝送路を、第１積層体１及びコア基板２それぞれに配置することができる。

一対の層間絶縁層１４０及び一対のコア基板内絶縁層２４０は、それぞれストリップ線路を構成するので、いずれも低い比誘電率及び低い誘電正接を有していることが好ましい。また、一対の層間絶縁層１４０及び一対のコア基板内絶縁層２４０との比較においては、一対のコア基板内絶縁層２４０の比誘電率は一対の層間絶縁層１４０の比誘電率も高くてもよい。また、一対のコア基板内絶縁層２４０の誘電正接は一対の層間絶縁層１４０の誘電正接よりも高くてもよい。その場合、比誘電率によるコア基板内絶縁層（例えばコア基板内絶縁層２４ｂ〜２４ｆ）の材料の制限が緩和され、その分、熱膨張係数及び／又はヤング率などの物性値の観点から材料を適宜選択することが可能になる。

第１線路パターン１６ａ及び第２線路パターン２６ａは、いずれも高周波信号の伝送路である。従って、第１線路パターン１６ａ及び第２線路パターン２６ａには、配線基板１００の使用時に表皮効果が現れ、実際の伝送路がそれぞれの表面近傍に限定され易くなる。一方、一般に、配線基板内の導体層には、その上に積層される絶縁層との密着性を向上させるべく粗化処理が施される。その場合、高周波信号の伝送において表皮効果の影響が表れ易くなることがある。そのような表皮効果による影響を軽減すべく、第１及び第２の線路パターン１６ａ、２６ａそれぞれの表面には、むしろ、面粗度を低くする低粗度表面処理が施されていることが好ましい。

従って、第１線路パターン１６ａを含む第１導体層１１におけるコア基板２と反対側の表面１１ａの面粗度は、第１積層体１内の第１導体層１１以外の導体層（導体層１３ａ及び導体層１３ｂ）におけるコア基板２と反対側の表面１３０ａの面粗度よりも低くてもよい。

同様に、第２線路パターン２６ａを含む第２導体層２２における第１導体層１１側の表面２２ａの面粗度は、コア基板２内の第２導体層２２以外の導体層（導体層２３ａ〜２３ｅ）における第１導体層１１側の表面２３０ａの面粗度よりも低くてもよい。特に、第２導体層２２の表面２２ａの面粗度は、コア基板２のベース絶縁層（コア基板内絶縁層２４ａ）よりも第１面２ａ側に積層されている導体層２３ａ〜２３ｄの表面２３０ａの面粗度よりも低くてもよい。

第１ストリップ線路１６の特性インピーダンスと第２ストリップ線路２６の特性インピーダンスとが略同じである場合、第１線路パターン１６ａと第２線路パターン２６ａとが電気的に接続されていてもよい。図３には、第１線路パターン１６ａと第２の線路パターン２６ａとの接続が概念的に示されている。なお、図３は、図１の配線基板１００において、第１線路パターン１６ａと第２線路パターン２６ａとが互いに直交する方向に沿って形成されており、平面視で互いに重なり合うそれぞれの端部で接続される例である。

図３の例では、第１線路パターン１６ａと第２線路パターン２６ａとが、スタックビア導体１５０によって接続されている。スタックビア導体１５０は、図３では概念的に円柱状に示されている。スタックビア導体１５０は、例えば、図１に示される層間絶縁層１４ａ、１４ｂそれぞれを貫通するビア導体１５と、コア基板内絶縁層２４ｄ、２４ｅそれぞれを貫通するビア導体２５ｂとを積層することによって形成され得る。各導体層内の導体パターンの配置状況による高周波の信号伝送路の配置の可否に応じて、電気的に一つの信号伝送路を、複数の導体層に渡って配置することができる。

図３の例と異なり、第１線路パターン１６ａと第２線路パターン２６ａとは、電気的に分離されていてもよい。そして、第１ストリップ線路１６と第２ストリップ線路２６とが互いに異なる特性インピーダンスをそれぞれ有していてもよい。その場合、例えば、互いに異なる出力インピーダンスを有する高周波電子デバイスの複数の出力それぞれに接続される各信号伝送路を配線基板１００に配置することができる。

図４Ａ〜図４Ｃには、本実施形態の配線基板の他の例である配線基板１００ａ〜１００ｃがそれぞれ示されている。図４Ａに示される配線基板１００ａでは、第２線路パターン２６ａを含む第２導体層２２が、コア基板２におけるベース絶縁層（コア基板内絶縁層２４ａ）の第１ベース面Ｂ１から２つめの導体層として設けられている。そのため、第２ストリップ線路２６のシールドパターン２６１は、第１ベース面Ｂ１上に形成されている導体層２３ａ内の導体パターンによって構成されている。このように、第２ストリップ線路２６の一部がコア基板２のベース絶縁層の表面上に設けられた導体パターンによって構成されていてもよい。

なお、実施形態の配線基板では、コア基板２のベース絶縁層（コア基板内絶縁層２４ａ）よりも、第２面２ｂ側の導体層として、第２導体層２２が設けられてもよい。すなわち、ベース絶縁層よりも第２面２ｂ側において、第２ストリップ線路２６が構成されてもよい。図４Ａの例の配線基板１００ａの構造は、第２ストリップ線路２６が設けられている階層を除いて図１の配線基板１００の構造と同様である。図１の配線基板１００の構成要素と同様の構成要素には図４Ａにおいて適宜図１に示される符号と同様の符号が付され、その説明は省略される。

図４Ｂに示される配線基板１００ｂでは、第２線路パターン２６ａを含む第２導体層２２は、コア基板２における第１面２ａ側（第１積層体１側）の最外層の導体層（導体層２３ｄ）から２つめの導体層として設けられている。そのため、導体層２３ｄ内の導体パターン２３ｄ１によって第２ストリップ線路２６におけるコア基板２の第１面２ａ側のシールドパターンが構成されている。

一方、第１ストリップ線路１６の第１線路パターン１６ａを含む第１導体層１１は、第１積層体１における最下層の導体層（最もコア基板２側に位置する導体層）として設けられている。そのため、コア基板２の導体層２３ｄ内の導体パターン２３ｄ１によって、第１ストリップ線路１６におけるコア基板２側のシールドパターンが構成されている。すなわち、導体層２３ｄの導体パターン２３ｄ１が、第１ストリップ線路１６と第２ストリップ線路２６とによって共用されている。換言すると、第１ストリップ線路１６を構成する一対の導体層１３０（図２Ａ参照）のうちのコア基板２側の導体層は、第２ストリップ線路２６を構成する一対の導体層２３０（図２Ｂ参照）のうちの第１導体層１１側の導体層（導体層２３ｄ）である。

実施形態の配線基板では、図４Ｂの例のように、第１ストリップ線路１６の一部を構成する導体層と第２ストリップ線路２６の一部を構成する導体層とが同一であってもよい。なお、図４Ｂの例のように導体層２３ｄが第１及び第２のストリップ線路１６、２６で共用される場合でも、図４Ｂの例と異なり、第１ストリップ線路１６と第２ストリップ線路２６とで、シールドパターンを構成する導体パターンが異なっていてもよい。図４Ｂの例の配線基板１００ｂの構造は、第１ストリップ線路１６及び第２ストリップ線路２６それぞれが設けられている階層を除いて図１の配線基板１００の構造と同様である。図１の配線基板１００の構成要素と同様の構成要素には図４Ｂにおいて適宜図１に示される符号と同様の符号が付され、その説明は省略される。

図４Ｃの例の配線基板１００ｃは、コア基板２０と、コア基板２０の第１面２０ａ上に形成されている第１積層体１０、とコア基板２０の第２面２０ｂ上に形成されている第２積層体３０とを含んでいる。コア基板２０は、ベース絶縁層（コア基板内絶縁層２４ａ）の第１ベース面Ｂ１側に、交互に積層された、３つの導体層（導体層２３ａ、第２導体層２２、導体層２３ｂ）及び２つのコア基板内絶縁層（コア基板内絶縁層２４ｂ、２４ｃ）を備えている。また、コア基板２０は、第２ベース面Ｂ２側に、交互に積層された、３つの導体層２３ｅ及び２つのコア基板内絶縁層２４ｆを備えている。

第１積層体１０には、コア基板２０側から、順に層間絶縁層１４ａ、第１導体層１１、層間絶縁層１４ｂ、及び、導体層１３ａが順に積層されている。第２積層体３０には、２つの層間絶縁層３４と２つの導体層３３とが交互に積層されている。

第１導体層１１は第１線路パターン１６ａを含んでいる。第１線路パターン１６ａと、第１線路パターン１６ａを挟み込む層間絶縁層１４ａ及び層間絶縁層１４ｂと、導体層２３ｂ及び導体層１３ａとによって、第１ストリップ線路１６が構成されている。一方、コア基板２０の第２導体層２２は、第２線路パターン２６ａを含んでいる。第２線路パターン２６ａと、第２線路パターン２６ａを挟み込むコア基板内絶縁層２４ｂ及びコア基板内絶縁層２４ｃと、導体層２３ａ及び導体層２３ｂとによって、第２ストリップ線路２６が構成されている。すなわち、配線基板１００ｃにおいても、コア基板２０の第１面２０ａ側の最外層の導体層（導体層２３ｂ）の導体パターンが、第１及び第２のストリップ線路１６、２６で共用されている。

配線基板１００ｃは、コア基板２０の第１ベース面Ｂ１側（配線基板１００ｃの厚さ方向における片側）に５つの導体層しか備えていない。しかし、配線基板１００ｃは、コア基板２０の第１ベース面Ｂ１側の異なる階層に２つのストリップ線路（第１及び第２のストリップ線路１６、２６）を備えている。第２ストリップ線路２６はコア基板２０内に構成されており、第１ストリップ線路１６の第１線路パターン１６ａは、第１積層体１０内に配置されている。すなわち、配線基板１００ｃでは、導体層及び絶縁層の層数は少ないが、互いに異なる構造を有する、導体層及び絶縁層の２つの積層体（第１積層体１０及びコア基板２０）それぞれにストリップ線路が構成されている。

図４Ｃの例の配線基板１００ｃの構造は、コア基板２０、第１及び第２の積層体１０、３０それぞれの層数を除いて図１の配線基板１００の構造と同様である。図１の配線基板１００の構成要素と同様の構成要素には図４Ｃにおいて適宜図１に示される符号と同様の符号が付され、その説明は省略される。

つぎに、図１に示される配線基板１００を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図５Ａ〜図５Ｅを参照して説明される。

本実施形態の配線基板の製造方法は、図５Ａ〜図５Ｅに示されるように、絶縁層と導体層とを積層することによって、第１面２ａ及び第１面２ａの反対面である第２面２ｂを有する多層構造のコア基板２を形成することを含んでいる。本実施形態の配線基板の製造方法は、第１面２ａ及び第２面２ｂ上にさらに、絶縁層と導体層とを積層することによって絶縁層と導体層との積層体（第１積層体１及び第２積層体３）を形成することを含んでいる。コア基板２の形成では、金属箔を含む導体層が積層され、第１積層体１及び第２積層体３の形成では、金属箔を含まない導体層が積層される。まず、コア基板２の形成方法が以下に説明される。

図５Ａに示されるように、コア基板２のベース絶縁層となる絶縁基板２４ａ０と、絶縁基板２４ａ０の両面それぞれに積層された金属箔とを有する出発基板が用意される。例えば銅箔を表裏両面に備える両面銅張積層板が出発基板として用意される。両面銅張積層板には、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、スルーホール導体２５ａを形成するための貫通孔が形成され、貫通孔の内壁及び両面銅張積層板の表面上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって導体膜が形成される。そして、この導体膜をシード層及び給電層として用いる電解めっき、及び、適切なマスクを用いるエッチングなどを含むサブトラクティブ法を用いて、所望の導体パターンをそれぞれ有する導体層２３ａ及び導体層２３ｅ、並びにスルーホール導体２５ａが形成される。なお、導体層２３ａ、２３ｅ、並びにスルーホール導体２５ａは、金属箔を用いるセミアディティブ法（ＭＳＡＰ法）を用いて形成されてもよい。

図５Ｂに示されるように、第２線路パターン２６ａが形成される。まず、導体層２３ａ上に、金属箔と、補強材２４１を含むプリプレグとが熱圧着され、コア基板内絶縁層２４ｂが形成される。コア基板内絶縁層２４ｂ及びその上の金属箔におけるビア導体２５ｂの形成箇所に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって貫通孔が形成される。そしてサブトラクティブ法又はＭＳＡＰ法を用いて、所望の導体パターンを有する導体層２３ｂ、及び、コア基板内絶縁層２４ｂを貫通するビア導体２５ｂが形成される。絶縁基板２４ａ０はコア基板２のベース絶縁層（コア基板内絶縁層２４ａ）を構成する。コア基板内絶縁層２４ａの第２ベース面Ｂ２側には一組のコア基板内絶縁層２４ｆ及び導体層２３ｅが形成される。

導体層２３ｂは、少なくともシールドパターン２６１を有するように形成される。すなわち、シールドパターン２６１に対応したマスク部を有するエッチングマスク、又は、シールドパターン２６１に対応した開口を有するめっきレジストを用いて導体層２３ｂが形成される。

さらに、導体層２３ｂの上に、コア基板内絶縁層２４ｃがコア基板内絶縁層２４ｂと同様の方法で形成される。さらに、第２導体層２２が導体層２３ｂと同様の方法で形成される。コア基板内絶縁層２４ｃを貫通するビア導体２５ｂが、第２導体層２２と共に形成される。サブトラクティブ法又はＭＳＡＰ法が用いられる。コア基板内絶縁層２４ａの第２ベース面Ｂ２側には、さらに一組のコア基板内絶縁層２４ｆ及び導体層２３ｅが形成される。

第２導体層２２は、少なくとも第２線路パターン２６ａを有するように形成される。すなわち、第２線路パターン２６ａに対応したマスク部を有するエッチングマスク、又は、第２線路パターン２６ａに対応した開口を有するめっきレジストを用いて第２導体層２２が形成される。第２線路パターン２６ａは、後述するように、第２ストリップ線路２６の信号伝送路を構成すべき導体パターンである。従って、第２線路パターン２６ａは、シールドパターン２６１が第２線路パターン２６ａの電磁シールドとして機能し得るように形成される。すなわち、第２線路パターン２６ａは、平面視でシールドパターン２６１と重なるように、又は平面視でシールドパターン２６１に包含されるように形成される。

第２導体層２２の形成は、その形成後に第２導体層２２の表面の面粗度を低下させることを含んでいてもよい。第２線路パターン２６ａ内を高周波信号が伝搬する際の表皮効果の影響を少なくすることができる。例えばソフトエッチングを行うことによって第２線路パターン２６ａの表面が低粗化される。このように第２線路パターン２６ａを設けることは、第２線路パターン２６ａの面粗度を、第２導体層２２の形成直後の状態よりも低くすることを含んでいてもよい。

図５Ｃに示されるように、さらに、第２導体層２２の上に、コア基板内絶縁層２４ｄ、導体層２３ｃ、コア基板内絶縁層２４ｅ、及び導体層２３ｄが形成される。コア基板内絶縁層２４ｄ、２４ｅは、コア基板内絶縁層２４ｃと同様の方法で形成される。導体層２３ｃ及び導体層２３ｄは、第２導体層２２と同様に、サブトラクティブ法又はＭＳＡＰ法を用いて形成される。コア基板内絶縁層２４ｄ、２４ｅそれぞれには、ビア導体２５ｂが形成される。コア基板内絶縁層２４ａの第２ベース面Ｂ２側には、さらに二組のコア基板内絶縁層２４ｆ及び導体層２３ｅが形成される。

導体層２３ｃには、適切なエッチングマスク又はめっきレジストを用いて、シールドパターン２６２が設けられる。シールドパターン２６２は、第２線路パターン２６ａの電磁シールドとして機能し得るように、すなわち、第２線路パターン２６ａと重なるように又は平面視で第２線路パターン２６ａを包含するように形成される。

図５Ａ〜図５Ｃに示される工程を経ることによってコア基板２が形成される。形成されたコア基板２には、第２線路パターン２６ａ、コア基板内絶縁層２４ｃ、２４ｄ、並びに、シールドパターン２６１、２６２によって第２ストリップ線路２６が形成されている。図５Ａ〜図５Ｃに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法においてコア基板２を形成することは、第２ストリップ線路２６をコア基板２内に形成することを含んでいる。そして、第２ストリップ線路２６を形成することは第２線路パターン２６ａを形成することを含んでいる。

図５Ｄに示されるように、第１線路パターン１６ａが形成される。まず、導体層２３ｄ及びコア基板内絶縁層２４ｅからなるコア基板２の第１面２ａ上にフィルム状の絶縁性樹脂（例えばエポキシ樹脂）が熱圧着され、層間絶縁層１４ａが形成される。層間絶縁層１４ａにおけるビア導体１５の形成箇所に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって貫通孔が形成される。貫通孔の内壁上及び層間絶縁層１４ａの表面上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって導体膜が形成される。この導体膜をシード層及び給電層として用いると共に、適切な開口を有するめっきレジストを用いる電解めっきによって、所望の導体パターンを有する導体層１３ａ、及びビア導体１５が形成される。すなわち、金属箔を用いないサブトラクティブ法（ＳＡＰ法）によって導体層１３ａ及びビア導体１５が形成される。コア基板２の第２面２ｂ上には一組の層間絶縁層３４及び導体層３３が形成される。

導体層１３ａは、少なくともシールドパターン１６１を有するように形成される。すなわち、シールドパターン１６１に対応した開口を有するめっきレジストを用いて導体層１３ａが形成される。

さらに、導体層１３ａの上に、層間絶縁層１４ｂが層間絶縁層１４ａと同様の方法で形成される。さらに、第１導体層１１、及び、層間絶縁層１４ｂを貫通するビア導体１５が、導体層１３ａなどと同様にＳＡＰ法を用いて形成される。コア基板２の第２面２ｂ側には、さらに一組の層間絶縁層３４及び導体層３３が形成される。

第１導体層１１は、少なくとも第１線路パターン１６ａを有するように形成される。すなわち、第１線路パターン１６ａに対応した開口を有するめっきレジストを用いて第１導体層１１が形成される。第１線路パターン１６ａは、後述するように、第１ストリップ線路１６の信号伝送路を構成すべき導体パターンである。従って、第１線路パターン１６ａは、シールドパターン１６１が第１線路パターン１６ａの電磁シールドとして機能し得るように形成される。すなわち、第１線路パターン１６ａは、平面視でシールドパターン１６１と重なるように、又は平面視でシールドパターン１６１に包含されるように形成される。

第１導体層１１の形成時には、前述した第２導体層２２の形成時と同様に、第１導体層１１の表面の面粗度が、ソフトエッチングなどによって低くされてもよい。すなわち、第１線路パターン１６ａを設けることは、第１線路パターン１６ａの面粗度を低下させることを含んでいてもよい。

図５Ｅに示されるように、さらに、第１導体層１１の上に、層間絶縁層１４ｃ、導体層１３ｂが形成される。層間絶縁層１４ｃは、層間絶縁層１４ｂと同様の方法で形成される。導体層１３ｂは、第１導体層１１と同様に、ＳＡＰ法を用いて形成される。層間絶縁層１４ｃには、ビア導体１５が形成される。コア基板２の第２面２ｂ側には、さらに一組の層間絶縁層３４及び導体層３３が形成される。

導体層１３ｂには、適切なめっきレジストを用いてシールドパターン１６２が設けられる。シールドパターン１６２は、第１線路パターン１６ａの電磁シールドとして機能し得るように、すなわち、平面視で第１線路パターン１６ａと重なるように又は平面視で第１線路パターン１６ａを包含するように形成される。

図５Ｄ及び図５Ｅに示される工程を経ることによってコア基板２の第１面２ａ上に、絶縁層と、金属箔を含まない導体層との積層体である第１積層体１が形成される。コア基板２の第２面２ｂ上には第２積層体３が形成される。第１線路パターン１６ａ、層間絶縁層１４ｂ、１４ｃ、並びに、シールドパターン１６１、１６２によって第１ストリップ線路１６が形成されている。図５Ｅの例では、第１ストリップ線路１６は、シールドパターン１６１も含めて第１積層体１内に形成されている。図５Ｄ及び図５Ｅ示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、第１積層体１の形成において、第１ストリップ線路１６を形成することを含んでいる。そして、第１ストリップ線路１６を形成することは、金属箔を用いないアディティブ法（ＳＡＰ法）を用いて第１線路パターン１６ａを形成することを含んでいる。

その後、第１積層体１上にソルダーレジスト層４１が形成され、第２積層体３上にソルダーレジスト層４２が形成される。ソルダーレジスト層４１、４２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１００が完成する。なお、ソルダーレジスト層４１、４２の開口に露出する接続パッド１３ｂ１及び／又は接続パッド３３１には、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、ハンダ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

以上の説明では、図１の配線基板１００を例に本実施形態の配線基板の製造方法が説明された。そのため、第１積層体１に第１線路パターン１６ａが形成されたが、第１線路パターン１６ａは、コア基板２の第２面２ｂへの第２積層体３の形成において、第２積層体３内に形成されてもよい。従って、第１ストリップ線路１６は、コア基板２の第２面２ｂ側に形成されてもよい。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、第１線路パターン１６ａ及び第２線路パターン２６ａは、それぞれ、平行に延びる２本の配線パターンを含むことによって差動伝送線路を形成していてもよい。第１ストリップ線路１６のシールドパターン１６２は、絶縁層上に導電性ペーストを用いて形成された導体層であってもよい。また、第１線路パターン１６ａは第２積層体３内に形成されていてもよく、第１ストリップ線路１６は、コア基板２の第２面２ｂ側に形成されてもよい。また、コア基板２は、ベース絶縁層の両側に導体層及び絶縁層が形成されたものでなくてもよく、例えば、一方向にのみ導体層と絶縁層とが積層された所謂コアレス多層基板であってもよい。また、ベース絶縁層（コア基板内絶縁層２４ａ）に含まれているスルーホール導体２５ａの代わりにビア導体が用いられてもよい。

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、コア基板２は、任意の支持板上に導体層及び絶縁層を積層し、支持板を除去することによって形成されてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

１００、１００ａ〜１００ｃ 配線基板
１、１０ 第１積層体
１１ 第１導体層
１１ａ 表面
１３ａ、１３ｂ 導体層
１３０ 一対の導体層
１４ａ〜１４ｃ 層間絶縁層
１４０ 一対の層間絶縁層
１５０ スタックビア導体
１６ 第１ストリップ線路
１６ａ 第１線路パターン
１６１、１６２ シールドパターン
２、２０ コア基板
２ａ、２０ａ 第１面
２ｂ、２０ｂ 第２面
２２ 第２導体層
２２ａ 表面
２３ａ〜２３ｅ 導体層
２３０ 一対の導体層
２３１ 金属箔
２４ａ コア基板内絶縁層（ベース絶縁層）
２４ｂ〜２４ｆ コア基板内絶縁層
２４０ 一対のコア基板内絶縁層
２４１ 補強材
２５０ スタックビア導体
２６ 第２ストリップ線路
２６ａ 第２線路パターン
２６１、２６２ シールドパターン
３、３０ 第２積層体
Ｔ１ 第１線路パターンの厚さ
Ｔ２ 第２線路パターンの厚さ
Ｔ３ 一対の層間絶縁層の厚さ
Ｔ４ 一対のコア基板内絶縁層の厚さ
Ｗ１ 第１線路パターンの線路幅
Ｗ２ 第２線路パターンの線路幅

Claims (12)

1. 第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有するコア基板と、
   前記第１面上に形成されていて、交互に積層されている絶縁層及び導体層を含む第１積層体と、
   前記第２面上に形成されていて、交互に積層されている絶縁層及び導体層を含む第２積層体と、
   を含む配線基板であって、
   前記第１積層体は、第１線路パターンを含む第１導体層、及び、前記第１線路パターンを挟んでいる一対の層間絶縁層を含み、
   前記第１線路パターンと、前記一対の層間絶縁層と、前記一対の層間絶縁層を挟む一対の導体層とによって第１ストリップ線路が形成されており、
   前記コア基板は、第２線路パターンを含んでいる第２導体層を含む複数の導体層、及び、前記複数の導体層それぞれの間に介在するコア基板内絶縁層によって構成されており、
   前記第２線路パターンと、前記第２線路パターンを挟む２つの前記コア基板内絶縁層からなる一対のコア基板内絶縁層と、前記一対のコア基板内絶縁層を挟む一対の導体層とによって第２ストリップ線路が前記コア基板内に形成されており、
   前記一対のコア基板内絶縁層の厚さは前記一対の層間絶縁層の厚さよりも厚く、
   前記第２線路パターンの厚さは、前記第１線路パターンの厚さよりも厚く、
   前記第２線路パターンの線路幅は、前記第１線路パターンの線路幅よりも広い。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記コア基板内絶縁層それぞれは、前記コア基板内絶縁層それぞれを貫通するビア導体を含んでおり、
   複数の前記ビア導体が積層されることによって前記第１面上の導体層と前記第２面上の導体層とを接続するスタックビア導体が形成されている。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記一対のコア基板内絶縁層の比誘電率は前記一対の層間絶縁層の比誘電率よりも高く、前記一対のコア基板内絶縁層の誘電正接は前記一対の層間絶縁層の誘電正接よりも高い。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層における前記コア基板と反対側の表面の面粗度は、前記第１積層体内の前記第１導体層以外の導体層における前記コア基板と反対側の表面の面粗度よりも低い。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記第２導体層における前記第１導体層側の表面の面粗度は、前記コア基板内の前記第２導体層以外の導体層における前記第１導体層側の表面の面粗度よりも低い。
6. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１積層体及び前記第２積層体を構成する各絶縁層は補強材を含まない樹脂で形成されており、前記コア基板内絶縁層は補強材を含む樹脂で形成されている。
7. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層は金属箔を用いずに形成されており、前記第２導体層は金属箔を含んでいる。
8. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１ストリップ線路の特性インピーダンスと前記第２ストリップ線路の特性インピーダンスとは略等しい。
9. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１ストリップ線路を構成する前記一対の導体層のうちの前記コア基板側の導体層は、前記第２ストリップ線路を構成する前記一対の導体層のうちの前記第１導体層側の導体層である。
10. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１線路パターンと前記第２線路パターンとが電気的に接続されている。
11. 絶縁層と、金属箔を含む導体層とを積層することによって第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する多層構造のコア基板を形成することと、
    前記第１面及び前記第２面上にさらに、絶縁層と、金属箔を含まない導体層とを積層することによって絶縁層と導体層との積層体を形成することと、
    を含む配線基板の製造方法であって、
    前記積層体を形成することは、前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方の上への前記積層体の形成において第１ストリップ線路を形成することを含み、
    前記第１ストリップ線路を形成することは、金属箔を用いないアディティブ法を用いて前記第１ストリップ線路の信号伝送路を構成すべき第１線路パターンを形成することを含み、
    前記コア基板を形成することは、前記コア基板内に第２ストリップ線路を形成することを含み、
    前記第２ストリップ線路を形成することは、サブトラクティブ法又は金属箔を用いるセミアディティブ法を用いて前記第２ストリップ線路の信号伝送路を構成すべき第２線路パターンを形成することを含んでいる。
12. 請求項１１記載の配線基板の製造方法であって、前記第２線路パターンを設けることは、前記コア基板の形成において、前記第２線路パターンの面粗度を低下させることを含んでいる。

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