JP2021197454A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の特性向上。【解決手段】実施形態の配線基板は、芯材を含まずに形成されている第１絶縁層と、第１絶縁層を介して互いに対向するように設けられている第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂと、第１絶縁層を貫通して第１導体層１ａと第２導体層１ｂとを接続する複数のビア導体１０ｃと、を含んでいる。第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂは第１絶縁層を介して隣接し、第１絶縁層内には、所定の形状を有する磁性体３が、第１導体層１ａ、第２導体層１ｂ、及び複数のビア導体１０ｃのいずれとも接しないように埋設されており、第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂそれぞれに含まれる配線パターン１０１、１０２、及び複数のビア導体１０ｃによって磁性体３の周囲にコイル１が形成されており、コイル１は、配線基板の積層方向Ｚと交差する方向に沿って延在している。【選択図】図２

Description

本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、インダクタ回路を備えるプリント配線板が開示されている。インダクタ回路は、ビルドアップ層の各絶縁層上の導体層に形成されている。各導体層においてインダクタ回路は、ビルドアップ層をその積層方向に貫通する開口部内の磁性体の周囲に形成されている。隣接する導体層のインダクタ回路同士がビア導体で接続され、プリント配線板の積層方向を軸方向とするコイルが形成されている。

特開２０１６−１００４５１号公報

特許文献１に開示のプリント配線基板のコイルの構造では、コイルを構成するインダクタ回路の数（コイルの巻き数）に応じた数の導体層が必要となる。従って、コイルインダクタに求められるインダクタンスが大きければ大きいほど、配線基板の層数が増加すると共に配線基板の厚さも増大すると考えられる。

本発明の配線基板は、芯材を含まずに形成されている第１絶縁層と、前記第１絶縁層を介して互いに対向するように設けられている第１導体層及び第２導体層と、前記第１絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する複数のビア導体と、を含んでいる。そして、前記第１導体層及び前記第２導体層は前記第１絶縁層を介して隣接し、所定の形状を有する磁性体が、前記第１導体層、前記第２導体層、及び前記複数のビア導体のいずれとも接しないように前記第１絶縁層内に埋設されており、前記第１導体層及び前記第２導体層それぞれに含まれる配線パターン、及び前記複数のビア導体によって前記磁性体の周囲にコイルが形成されており、前記コイルは、前記配線基板の積層方向と交差する方向に沿って延在している。

本発明の配線基板の製造方法は、並列する複数の配線パターンからなる第１配線群を含む第１導体層を形成することと、前記第１導体層を覆う第１絶縁層を形成することと、並列する複数の配線パターンからなる第２配線群を含む第２導体層を前記第１絶縁層の上に形成すると共に、前記第１絶縁層を貫通して前記第１配線群と前記第２配線群とを接続する複数のビア導体を形成することと、を含む配線基板の製造方法であって、前記第１絶縁層を形成することは、第１絶縁性材料を前記第１導体層上に積層して前記第１導体層を覆う下層絶縁層を形成することと、前記下層絶縁層上に所定の形状を有する磁性体を設けることと、前記磁性体及び前記下層絶縁層を第２絶縁性材料で覆うことと、を含んでいる。そして、前記第２導体層を形成すると共に前記複数のビア導体を形成することは、前記複数のビア導体を前記磁性体に沿って前記磁性体の両側に形成することによって、前記第１導体層と前記第１絶縁層との積層方向と交差する方向に沿って延在するコイルを形成することを含んでいる。

本発明の実施形態によれば、配線基板に内蔵されるインダクタのインダクタンスを導体層の層数に依存せずに高めることができる。また、本発明の実施形態によれば、導体層の層数に制約されずに高いインダクタンスを有し得るインダクタ内蔵の配線基板を製造することができる。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態に含まれるコイルの概略を示す斜視図。 本発明の一実施形態に含まれるコイルの一例の平面図。 図３のIVＡ−IVＡ線での断面図。 図３のIVＢ−IVＢ線での断面図。 本発明の一実施形態に含まれるコイルの配置形態の一例を示す平面図。 本発明の一実施形態に含まれるコイルの配置形態の他の例を示す平面図。 本発明の一実施形態に含まれるコイルの配置形態の他の例を示す平面図。 本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００の断面図が示されている。また、図２は、本実施形態の配線基板に形成されるコイル１を概略的に示す斜視図である。さらに、図３には、コイル１の平面図が示され、図４Ａには、図３のIVＡ−IVＡ線での断面図が示され、さらに図４Ｂには、図３のIVＢ−IVＢ線での断面図が示されている。

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板５と、コア基板５の両面それぞれに形成されているビルドアップ層５１及び５２を含んでいる。ビルドアップ層５１は、コア基板５の２つの主面（厚さ方向と直交する表面）のうちの第１面５ｆ上に形成され、第１面５ｆに対向する主面である第２面５ｓ上にビルドアップ層５２が形成されている。ビルドアップ層５１、５２は、それぞれ、コア基板５上に交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成されている。ビルドアップ層５１、５２それぞれに含まれる各絶縁層には、各絶縁層を貫通するビア導体４が形成されている。ビア導体４によって、各絶縁層の両側の導体層同士が接続される。ビルドアップ層５１、５２それぞれのコア基板５と反対側の表面上にはソルダーレジスト６が形成されている。

図１の例において、ビルドアップ層５１は、コア基板５側から順に積層されている、絶縁層２ｂ、導体層１ｃ、絶縁層２ｃ、導体層１ａ、絶縁層２ａ、導体層１ｂ、絶縁層２ｄ、及び導体層１ｄを含んでいる。導体層１ａ及び導体層１ｂは、それぞれ、「第１導体層１ａ」及び「第２導体層１ｂ」とも称される。また、絶縁層２ａは「第１絶縁層２ａ」とも称される。第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂは、第１絶縁層２ａの厚さ方向において第１絶縁層２ａを介して互いに隣接すると共に対向している。第１絶縁層２ａに形成されているビア導体４は、第１絶縁層２ａを貫通して第１導体層１ａと第２導体層１ｂとを接続している。

ビルドアップ層５２は、コア基板５の第２面上に交互に積層されている、４つの絶縁層２ｅ及び４つの導体層１ｅによって構成されている。コア基板５からの階数として第１絶縁層２ａと同じ階数を有している絶縁層２ｅは、「第２絶縁層２ｅ」とも称される。なお「階数」は、ビルドアップ層５１、５２それぞれにおいて、積層されている各絶縁層にコア基板５側から１ずつ増加する数が１から順に付与されるときに各絶縁層に付与される数である。図１の例では、コア基板５側から３番目に位置する絶縁層２ｅが、「第２絶縁層２ｅ」とも称される。

コア基板５は、絶縁層５ａと、絶縁層５ａの両面それぞれに形成されている導体層５ｂとを含んでいる。絶縁層５ａには、絶縁層５ａを貫通し、絶縁層５ａの両側の導体層５ｂ同士を接続するスルーホール導体５ｃが形成されている。

なお、図１に示される配線基板１００の積層構造は、本実施形態の配線基板が有し得る積層構造の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板は、任意の積層構造を有し得る。例えば、実施形態の配線基板は、コア基板を有さない所謂コアレス多層配線基板であってもよい。また、実施形態の配線基板に含まれる導体層の層数は図１の例に限定されない。実施形態の配線基板は、少なくとも第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂを含む２以上の任意の数の導体層を含み得る。

下記の説明において、配線基板１００の積層方向において絶縁層５ａから遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層５ａに近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層５ａと反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層５ａ側を向く表面は「下面」とも称される。さらに、配線基板１００の積層方向は単に「Ｚ方向」とも称される。

絶縁層２ａ〜２ｅ及び絶縁層５ａそれぞれは、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。各絶縁層は、ガラス繊維やアラミド繊維で形成される芯材（補強材）を含んでいてもよいが、本実施形態において、第１絶縁層２ａは、芯材を含まずに形成されている。第１絶縁層２ａと同じ階数を有する第２絶縁層２ｅも、好ましくは、芯材を含んでいない。第２絶縁層２ｅが第１絶縁層２ａと同様に芯材を含んでいない場合、配線基板１００の反りが抑制されることがある。図１の例では、各絶縁層のうちコア基板５の絶縁層５ａは芯材５ｄを含んでおり、ビルドアップ層５１、５２に含まれる各絶縁層は、芯材を含んでいない。

絶縁層２ａ〜２ｅ及び絶縁層５ａそれぞれは、さらに、所定の含有率で無機フィラーを含んでいてもよい。無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどからなる微粒子が例示される。第１絶縁層２ａ、及び第１絶縁層２ａと同じ階数を有する第２絶縁層２ｅは、他の絶縁層の無機フィラー含有率と異なる無機フィラー含有率を有していてもよい。なお、絶縁層２ａ〜２ｅは、導体層１ａ〜１ｅとの密着性を高め得るように、その表面が過マンガン酸処理等で粗化され得る材料で形成されていることが好ましい。

絶縁層２ａ〜２ｅ及び絶縁層５ａは、それぞれ任意の厚さを有し得る。図１の例では、ビルドアップ層５１、５２に含まれる各絶縁層は、互いに略同じ厚さを有している。例えば、後述する磁性体３が埋設される第１絶縁層２ａは、ビルドアップ層５１、５２内の他の絶縁層（絶縁層２ｂ〜２ｅ）と略同じ厚さを有している。

導体層１ａ〜１ｅ、導体層５ｂ、スルーホール導体５ｃ、及びビア導体４それぞれは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。これら各導体層、並びにスルーホール導体５ｃ及びビア導体４は、それぞれ、複数の金属層を含み得る。例えば、各導体層、並びにスルーホール導体５ｃ及びビア導体４は、無電解めっき膜又はスパッタリング膜からなる金属膜層と、その金属膜層を給電層として用いる電解めっきによって形成されるめっき膜層とを含み得る。各導体層は、上記金属膜層の下に銅箔やニッケル箔などからなる金属箔層を備えていてもよい。

ソルダーレジスト６は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの任意の絶縁性材料を用いて形成される。ソルダーレジスト６には、各ビルドアップ層の最表層の導体層の一部を露出させる開口６１が形成されている。導体層１ｄにおいてソルダーレジスト６の開口６１に露出する部分には、導体パッド１ｄ１が設けられている。導体パッド１ｄ１は、例えば、配線基板１００が用いられる電子機器のマザーボードとの接続に用いられる。

一方、第２ビルドアップ層５２の最表層の導体層１ｅにおいて開口６１に露出する部分には、導体パッド１ｅ１が設けられている。導体パッド１ｅ１は、例えば、外部の電子部品Ｅとの接続に用いられる。そのため、図１の例において配線基板１００のビルドアップ層５２は、電子部品Ｅが配置される領域である部品実装領域Ａを有している。電子部品Ｅとしては、例えば、半導体集積回路装置、トランジスタ、又は、電気抵抗などが例示される。

図１〜図４Ｂに示されるように、本実施形態では、第１絶縁層２ａ内に磁性体３が埋設されている（図２では第１絶縁層２ａの図示が省略されているが、各導体層１ａ、１ｂ、磁性体３、及びビア導体１０ｃそれぞれの間には第１絶縁層２ａが介在している）。磁性体３は、少なくとも、第１絶縁層２ａよりも磁性を帯び易い材料を含んでいる。磁性体３は、好ましくは、例えば、鉄、酸化鉄、コバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料を含んでいる。磁性体３は、これらの強磁性を示す材料の他に、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂などの樹脂材料を含んでいてもよい。例えば、磁性体３は、６０％程度の含有率で鉄又は酸化鉄の粉末を含むエポキシ樹脂によって形成される。

なお各図面には示されていないが、第１絶縁層２ａと同じ階数を有する第２絶縁層２ｅにも、磁性体３と同様の材料で形成されていて磁性体３と略同じ形状及び各部の寸法を有する磁性体が埋設されていてもよい。第２絶縁層２ｅ中の磁性体は、配線基板１００の反りを抑制し得ることがある。

そして、本実施形態では、第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂそれぞれに含まれる配線パターン、及び複数のビア導体１０ｃによって、磁性体３の周囲にコイル１が形成されている。コイル１は、配線基板１００の積層方向（Ｚ方向）と交差する方向に沿って延在している。配線基板１００の積層方向は、各絶縁層及び各導体層が積み重ねられている方向である。図１などの例において配線基板１００の積層方向は、平板状の形体の配線基板１００の厚さが規定される方向である。図１などの例では、コイル１は、Ｚ方向と略直交する方向に沿って延在している。すなわちコイル１は、配線基板１００、及び配線基板１００を構成する各導体層及び各絶縁層の表面と略平行な方向に沿って延在しており、この方向に沿う長手方向を有している。

図２などに示されるビア導体１０ｃは、図１において第１絶縁層２ａ内に示されるビア導体４と同様に、第１絶縁層２ａを貫通して第１及び第２の導体層１ａ、１ｂ同士を接続するビア導体である。コイル１を構成する複数のビア導体は、他のビア導体と区別されて「ビア導体１０ｃ」とも称される。

コイル１は、具体的には、第１絶縁層２ａを介して磁性体３の周囲に巻かれている電路１０からなる。電路１０は、第１導体層１ａに含まれる複数の配線パターン１０１、第２導体層１ｂに含まれる複数の配線パターン１０２、及び複数のビア導体１０ｃによって形成されている。電路１０は、磁性体３の周囲に巻回されながら、全体として、Ｚ方向と交差する方向に沿って延びている。従って、電路１０からなるコイル１は、Ｚ方向と交差する方向に沿う軸方向Ｘを有している。

図１の例のコイル１は、コア基板５に関してビルドアップ層５２と反対側のビルドアップ層５１に形成されている。ビルドアップ層５２は、例えば電子部品Ｅなどが配置される部品実装領域Ａを有している。コイル１がビルドアップ層５１に形成されているので、コイル１に起因する、電子部品Ｅなどの実装部品への電磁ノイズの影響が小さいと考えられる。また、部品実装領域Ａを有するビルドアップ層５２には、多くの信号配線の高密度配置が求められることがある。図１のコイル１はビルドアップ層５１に形成されているので、ビルドアップ層５２において多くの信号配線の配置のための領域が確保され易いと考えられる。このように、コイル１が部品実装領域Ａを有するビルドアップ層５２と反対側のビルドアップ層５１に形成されることが好ましいことがある。

磁性体３は、所定の形状を有するように第１絶縁層２ａ内に設けられている。磁性体３は、好ましくは、Ｚ方向と略直交する任意の方向において長手方向を有し、所定の長さ、及び長手方向に直交する方向（幅方向）に沿う所定の幅を有している。磁性体３は、有限長の帯状、又は、短冊状の平面形状を有している。磁性体３が所定の形状を有しているので、その周囲に所定の巻き数で電路１０が形成され得る。磁性体３は、その電路１０からなるコイル１においてインダクタンスを高めるコアとして機能し得る。

磁性体３は、図１〜図４Ｂに示されるように、第１導体層１ａ、第２導体層１ｂ、及び複数のビア導体１０ｃのいずれとも接しないように第１絶縁層２ａ内に埋設されている。そのため、磁性体３とビア導体１０ｃなどの導電体との接触による、電路１０の電気的特性への干渉が防止されると考えられる。

コイル１の構造がさらに具体的に説明される。図２及び／又は図３に示されるように、第１導体層１ａは、並列する複数の配線パターン１０１からなる第１配線群１０ａを含み、第２導体層１ｂは、並列する複数の配線パターン１０２からなる第２配線群１０ｂを含んでいる。第１配線群１０ａの配線パターン１０１それぞれと、第２配線群１０ｂの配線パターン１０２それぞれとが、複数のビア導体１０ｃによって接続されている。

複数のビア導体１０ｃは、図２及び図３に示されるように、所定の方向（軸方向Ｘ）に沿って延在する磁性体３に沿って磁性体３の両側に並べられている。図３に示されるように複数のビア導体１０ｃは、磁性体３を挟んで互いに対向する第１ビア群１０ｃ１と第２ビア群１０ｃ２とを含んでいる。第１ビア群１０ｃ１は、磁性体３の幅方向において対向する２つの側面のうちの一の側面３ａの外側に、この一の側面３ａに沿って並んでいるビア導体１０ｃの一群からなる。第２ビア群１０ｃ２は、一の側面３ａと反対の他の側面３ｂの外側に、他の側面３ｂに沿って並んでいるビア導体１０ｃの一群からなる。図２などの例において、第１ビア群１０ｃ１及び第２ビア群１０ｃ２それぞれを構成するビア導体１０ｃの一群は、磁性体３の各側面に沿って一列に並べられている。また、各ビア群において複数のビア導体１０ｃは、一定の間隔で配置されている。

第１配線群１０ａを構成する各配線パターン１０１は、一端において第１ビア群１０ｃ１の１つによって第２配線群１０ｂのうちの一の配線パターン１０２（第１配線パターン）に接続される。そして各配線パターン１０１は、一端と反対の他端において第２ビア群１０ｃ２の１つによって、一端が接続される第２配線群１０ｂの一の配線パターン１０２（第１配線パターン）に隣接する配線パターン１０２（第２配線パターン）に接続される。このように第１導体層１ａの配線パターン１０１と第２導体層１ｂの配線パターン１０２とが複数のビア導体１０ｃによって接続され、１つの連続的な電路１０が、磁性体３の周囲に巻回された状態で形成される。その結果、Ｚ方向と交差する方向に沿って延在するコイル１が形成される。

本実施形態は、配線基板１００の積層方向（Ｚ方向）と交差（好ましくは略直交）する方向に沿って延在するコイル１を備える構造を有している。コイル１は、Ｚ方向と交差する方向に沿う軸方向Ｘを有している。そのため、コイル１の巻回数と配線基板１００の導体層の層数との間に相関は存在しない。従って、導体層の層数への依存なく、すなわち配線基板１００の厚さ又は導体層の層数による制約を受けずに、大きなインダクタンスを有するインダクタ（コイル１）を配線基板１００に内蔵させることができる。例えば、コイル１は配線基板１００の厚さを超える長さを有し得る。またコイル１は、配線基板１００に含まれる導体層の層数以上の巻き数を有していてもよい。従って、従来の配線基板に備えられるインダクタよりも高いインダクタンスを有するインダクタを、従来と同じか従来よりも薄い厚さの配線基板に内蔵させ得ることがある。すなわち、インダクタを内蔵する配線基板において所望の特性の具備と薄型化とを実現し得ることがある。

さらに本実施形態では、コイル１の１巻きの電路１０は２つのビア導体１０ｃ及び配線パターン１０１、１０２によって構成される。そのため、配線基板の積層方向に軸方向を有していて１巻きの電路が１つのビア導体及び配線パターンで形成されるコイルよりも本実施形態におけるコイルの方が、１巻きあたりの電気抵抗に関して小さいことがある。従って、良好なＱ値（Quality Factor）を有するコイル１が形成されると考えられる。

磁性体３が埋設されている第１絶縁層２ａは、前述したように芯材を含んでいない。そのため、ビア導体１０ｃとして小径のビア導体を容易に形成することができる。従って、複数の配線パターン１０１及び複数の配線パターン１０２の配置ピッチを小さくすることができ、その結果、コイル１の巻回数を多くし得ることがある。従って、小型でインダクタンスの高いインダクタを形成することができる。なおビア導体１０ｃの幅（ビア径）は、第１絶縁層２ａに設けられていてコイル１を構成しない他のビア導体４の幅よりも小さくてもよい。また、ビア導体１０ｃの幅は、第１絶縁層２ａ以外の絶縁層に設けられているビア導体４の幅よりも小さくてもよい。

図２及び図３に示されるように、第１配線群１０ａ及び第２配線群１０ｂそれぞれを構成する配線パターン１０１、１０２は、平面視で互いの間に所定の角度をなしている。また、配線パターン１０１、１０２は、平面視でコイル１の軸方向Ｘと交差している。「平面視」は、配線基板１００の積層方向に沿う視線で配線基板１００を見ることを意味している。各配線パターン１０１、１０２が、軸方向Ｘと適度な角度で交差しているので、配線パターン１０１、配線パターン１０２、及びビア導体１０ｃによってコイル１が形成され得る。図２などの例では、配線パターン１０２は、コイル１の軸方向Ｘと略直交している。配線基板１００では、コイル１を構成する配線パターン１０１及び配線パターン１０２のいずれかが、コイル１の軸方向Ｘと平面視で略直交していてもよい。

図２〜図４Ｂのコイル１において、配線パターン１０１と配線パターン１０２は、互いに略同じ幅Ｗ１を有している。また、配線パターン１０１同士、及び配線パターン１０２同士は、間隔Ｇ１を空けて均一なピッチで配置されている。磁性体３は、コイル１の長さＬよりも長い長さＬ２を有しており、軸方向Ｘにおけるコイル１の両端から僅かに突出している。第１絶縁層２ａがエポキシ樹脂からなり、そして磁性体３の透磁率が５〜１５である場合、コイル１において、例えば２〜５ナノヘンリー程度のインダクタンスが得られる。

前述したように、磁性体３は、第１導体層１ａ、第２導体層１ｂ、及び複数のビア導体１０ｃのいずれとも接しないように第１絶縁層２ａ内に埋設されている。磁性体３と、第１導体層１ａ、第２導体層１ｂ、及び複数のビア導体１０ｃそれぞれとの間隔は、２μｍ以上、１０μｍ以下である。磁性体３が、ビア導体１０ｃなどとの間にこのような範囲の間隔を設計上有していると、各種のばらつきが生じても磁性体３とビア導体１０ｃなどとが接触し難く、しかも、磁性体３によるインダクタンス向上の作用が効果的に得られると考えられる。

ビア導体１０ｃは、図４Ａ及び図４Ｂに示されるように、第２導体層１ｂから第１導体層１ａに向って先細りする形状を有している。コイル１を構成するビア導体１０ｃは、図４Ａ及び図４Ｂの例のように、第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂのいずれか一方から他方に向かって先細りするようにテーパーを付けられていてもよく、テーパーのない柱状体であってもよい。なお、磁性体３に沿って並ぶビア導体１０ｃの一群は、一直線上に並んでいなくてもよく、また、不均一な間隔で配置されていてもよい。その場合、第１配線群１０ａを構成する配線パターン１０１同士は、平行でなくてもよく、また互いの長さが異なっていてもよい。同様に、第２配線群１０ｂを構成する配線パターン１０２同士は、平行でなくてもよく、また互いの長さが異なっていてもよい。

図５Ａ〜図５Ｃには、平面視におけるコイル１の配置形態の各例が模式的に示されている。

図５Ａの例では、コイル１は、矩形の配線基板１００の一辺Ｓと直交する方向における配線基板１００の中央部に、一辺Ｓとコイル１の軸方向Ｘとが略平行になるように設けられている。コイル１は、全体として、一辺Ｓと平行な方向に直線状に延在している。図５Ａには前述した部品実装領域Ａが示されている。「部品実装領域」は電子部品Ｅ（図１参照）が実装されたときに、平面視において電子部品Ｅによって占められる領域である。図５Ａの例ではコイル１は部品実装領域Ａと平面視で重なっている。コイル１は、平面視でコイル１の両端において部品実装領域Ａから突出している。すなわち、コイル１の軸方向の長さは、コイル１の軸方向Ｘに沿う方向における部品実装領域Ａの長さよりも長い。従来の配線基板と比べて一層大きなインダクタンスが得られることがある。

図５Ｂの例のコイル１は、矩形の配線基板１００の第１辺Ｓ１に沿う区間と、第１辺Ｓ１と直交する第２辺Ｓ２に沿う区間とを有している。すなわち、コイル１は、曲折部１１を有しており、曲折部１１において軸方向を変化させている。図５Ｂの例では、コイル１は、曲折部１１において略９０°の角度で曲がっている。図５Ａの例よりもさらに高いインダクタンスが得られることがある。なお、コイル１は、曲折部１１において９０°以外の任意の角度で曲がり得る。

図５Ｃの例のコイル１は、矩形の配線基板１００の四辺それぞれに沿う区間からなる外周区間と、外周区間の内側に形成されている内周区間とを有している。図５Ｃの例のコイル１は渦巻き状の全体形状を有している。そのため、図５Ｃの例のコイル１は、同一方向に沿って並走する２以上の区間（例えば区間１２ａ、１２ｂ、１２ｃ及び１２ｄ）を有している。平面視において配線基板１００が有する領域をコイル１の形成に有効に用いることができる。極めて長いコイル１、すなわち極めて高いインダクタンスを有するインダクタを形成することができると考えられる。例えば、第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂ（図１参照）それぞれの全体に、コイル１を構成する配線パターンが形成されていてもよい。第１導体層１ａ及び第２導体層１ｂそれぞれが、コイル１を構成する配線パターンだけを含んでいてもよい。

図６には、本実施形態の配線基板の他の例である配線基板１００ａが示されている。配線基板１００ａは、図１の例の配線基板１００と同様の積層構造を有している。すなわち、配線基板１００ａは、コア基板５並びにビルドアップ層５１、５２を含み、ビルドアップ層５１は、導体層１ａ〜１ｄ及び絶縁層２ａ〜２ｄを含んでいる。そして、配線基板１００ａは、平面視においてコイル１と重なるシールドパターン７を含んでいる。シールドパターン７は、第１導体層１ａ又は第２導体層１ｂに第１絶縁層２ａと異なる絶縁層を介して隣接する導体層（第３導体層）に含まれている。図６の例では、シールドパターン７は、絶縁層２ｃを介して第１導体層１ａに隣接する導体層１ｃ、及び、絶縁層２ｄを介して第２導体層１ｂに隣接する導体層１ｄの両方に設けられている。

シールドパターン７は、平面視においてコイル１を包含し得る大きさ及び形状を有している。導体層１ｃに形成されているシールドパターン７は、配線基板１００ａの内層側においてコイル１を覆っており、導体層１ｄに形成されるシールドパターン７は、配線基板１００ａの外層側においてコイル１を覆っている。シールドパターン７は、例えば、配線基板１００の使用時に、グランドプレーンなどの安定した電位を有するインピーダンスの低い導体に接続される。シールドパターン７によって、コイル１で生成される磁束による、第１及び第２の導体層１ａ、１ｂ以外の導体層への磁気的影響が軽減されると考えられる。配線基板１００が用いられる電子機器において安定した動作が得られることがある。シールドパターン７を除いて、図６の配線基板１００ａの構造は図１の配線基板１００と同様である。図６の配線基板１００ａにおいて図１の配線基板１００と同様の構成要素には、適宜、図１に用いられている符号と同じ符号が付され、その説明は省略される。

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図７Ａ〜図７Ｈを参照して説明される。

図７Ａに示されるように、コア基板５の絶縁層５ａとなる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔を含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板５の導体層５ｂ及びスルーホール導体５ｃが形成される。例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザー光の照射によってスルーホール導体５ｃの形成位置に貫通孔が穿孔され、その貫通孔内及び金属箔上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜が形成される。そしてこの金属膜を給電層として用いる電解めっきによってめっき膜が形成される。その結果、３層構造の導体層５ｂ、及びスルーホール導体５ｃが形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層５ｂをパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板５が得られる。

図７Ｂに示されるように、コア基板５の第１面５ｆ及び第２面５ｓそれぞれの上に、絶縁層と導体層とが交互に積層される。第１面５ｆ上には、まず絶縁層２ｂが形成され絶縁層２ｂ上に導体層１ｃが形成される。第２面５ｓ上には、絶縁層２ｅが形成され、絶縁層２ｅ上に導体層１ｅが形成される。

絶縁層２ｂ及び絶縁層２ｅは、それぞれ、絶縁性の樹脂を用いて形成される。例えばフィルム状に成形されたエポキシ樹脂やＢＴ樹脂などの樹脂が、コア基板５の第１面５ｆ又は第２面５ｓ上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、絶縁層２ｂ及び絶縁層２ｅそれぞれが形成される。絶縁層２ｂ及び絶縁層２ｅには、ビア導体４を形成するための貫通孔が、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

導体層１ｃ及び導体層１ｅは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。導体層１ｃ及び導体層１ｅは、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、絶縁層２ｂ及び絶縁層２ｅそれぞれの表面の全面、並びに、絶縁層２ｂ及び絶縁層２ｅそれぞれに穿孔された貫通孔内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜が形成される。各絶縁層に穿孔された貫通孔内にはビア導体４が形成される。その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去されることによって、所定の導体パターンを含む２層構造の導体層１ｃ及び導体層１ｅがそれぞれ形成される。

さらに、第１面５ｆ側には、例えば絶縁層２ｂの形成方法と同様の方法で絶縁層２ｃが形成される。第２面５ｓ側には、さらに絶縁層２ｅが、先に形成された絶縁層２ｅと同様の方法で形成される。

本実施形態の配線基板の製造方法は、図７Ｂに示されるように、第１配線群１０ａを含む第１導体層１ａを形成することを含んでいる。図７Ｂに示されるように第１配線群１０ａは、並列する複数の配線パターン１０１からなる。第１導体層１ａは、例えば、導体層１ｃと同様に、セミアディティブ法を用いて形成される。セミアディティブ法を用いる第１導体層１ａの形成では、並列する複数の配線パターン１０１の形成に適した開口を有するめっきレジストが形成され、このめっきレジストを用いてパターンめっきが行われる。第１導体層１ａの形成方法はセミアディティブ法に限定されず、例えばサブトラクティブ法が用いられてもよい。その場合、並列する複数の配線パターン１０１の形成に適した開口を有するエッチングマスクが用いられる。第２面５ｓ側には、さらに導体層１ｅ及びビア導体４が形成される。

図７Ｃ〜図７Ｅに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、第１導体層１ａを覆う第１絶縁層２ａを形成することを含んでいる。コア基板５の第２面５ｓ側には、さらに絶縁層（第２絶縁層）２ｅが、第１絶縁層２ａの形成方法と同様の方法で形成される。

本実施形態において第１絶縁層２ａを形成することは、図７Ｃに示されるように、第１絶縁性材料２１を第１導体層１ａ及び絶縁層２ｃ上に積層して第１導体層１ａを覆う下層絶縁層２ａ１を形成することを含んでいる。積層された第１絶縁性材料２１からなる下層絶縁層２ａ１が形成される。第１絶縁性材料２１の構成物としては、芯材を含まないエポキシ樹脂やＢＴ樹脂などの樹脂が例示される。しかし、第１絶縁性材料２１の構成物はこれらの樹脂に限定されない。

第１絶縁性材料２１は、例えば、図７Ｃに示されるように、フィルム状又はシート状の状態で用意され、第１導体層１ａ及び絶縁層２ｃ上に配置される。第１導体層１ａなどの上に積層された第１絶縁性材料２１は、加熱されることによって本硬化又は仮硬化されてもよい。なお、図７Ｃの例では、コア基板５の第２面５ｓ側においても、下層絶縁層２ａ１と同様の形成方法で、下層絶縁層２ｅ１が形成されている。

図７Ｄに示されるように、本実施形態において第１絶縁層２ａを形成することは、下層絶縁層２ａ１上に磁性体３を設けることを含んでいる。磁性体３は、所定の形状を有するように設けられる。図１の配線基板１００が製造される場合、磁性体３は、有限長の帯状、又は短冊状の平面形状を有するように設けられる。磁性体３は、平面視で複数の配線パターン１０１と重なる位置に設けられる。磁性体３は、好ましくは長手方向を有するように形成され、その長手方向が複数の配線パターン１０１それぞれと交差するように設けられる。

磁性体３は、例えば、鉄、酸化鉄、コバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料からなる粉末と、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂などの樹脂材料とを主材として含む磁性材料によって構成される。磁性体３を設ける工程では、このような磁性材料が例えばペースト状の状態で用意される。そして、適切な開口を有するマスクを用いた印刷によって下層絶縁層２ａ１上に磁性材料が供給される。その後、磁性材料が加熱され、熱により硬化した磁性材料からなる磁性体３が形成されてもよい。

磁性体３を下層絶縁層２ａ１上に設ける方法は、印刷による方法に限定されない。磁性体３は任意の方法によって設けられ得る。例えば、予め所定の形状に成形されて硬化された磁性材料を下層絶縁層２ａ１上に配置することによって磁性体３が設けられてもよい。配置された磁性体３は、第１絶縁層２ａ（図７Ｅ参照）への埋設によって固定され得る。

図７Ｅに示されるように、本実施形態において第１絶縁層２ａを形成することは、磁性体３及び下層絶縁層２ａ１の上に第２絶縁性材料２２を積層して磁性体３及び下層絶縁層２ａ１を第２絶縁性材料２２で覆うことを含んでいる。磁性体３を覆う第２絶縁性材料２２と下層絶縁層２ａ１とによって構成される第１絶縁層２ａが形成される。

第２絶縁性材料２２の構成物は、例えば、第１絶縁性材料２１の構成物と同じである。従って、第２絶縁性材料２２の構成物としては、芯材を含まないエポキシ樹脂やＢＴ樹脂などの樹脂が例示される。しかし、第２絶縁性材料２２の構成物はこれらの樹脂に限定されない。

第２絶縁性材料２２は、例えば、図７Ｅに示されるように、フィルム状又はシート状の状態で用意され、磁性体３及び下層絶縁層２ａ１上に配置される。第１絶縁性材料２１（図７Ｃ参照）及び第２絶縁性材料２２がフィルム状又はシート状の状態で用意される場合、第２絶縁性材料２２の厚さは、第１絶縁性材料２１の厚さよりも厚くてもよい。磁性体３が適切に覆われ易いため、後工程で形成される第２導体層１ｂ及びビア導体１０ｃ（図７Ｇ参照）と磁性体３との接触が起こり難いと考えられる。

磁性体３などの上に積層された第２絶縁性材料２２は、加熱されることによって本硬化又は仮硬化されてもよい。その結果、下層絶縁層２ａ１と第２絶縁性材料２２とが一体化し、一体化した絶縁体からなる第１絶縁層２ａが形成されてもよい。図７Ｅの例では、コア基板２の第２面５ｓ側には、第１絶縁層２ａと同じ階数を有する第２絶縁層２ｅが形成されている。形成された第１絶縁層２ａ及び第２絶縁層２ｅには、ビア導体４（図７Ｆ参照）の形成用の貫通孔が炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

図７Ｆに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第２配線群１０ｂを含む第２導体層１ｂを第１絶縁層２ａの上に形成することを含んでいる。第２配線群１０ｂは、並列する複数の配線パターン１０２からなる。

本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、図７Ｇに示されるように、第２導体層１ｂの形成と共に、第１絶縁層２ａを貫通して第１配線群１０ａと第２配線群１０ｂとを接続する複数のビア導体１０ｃを形成することを含んでいる。なお、図７Ｇは、図７Ｆと同様に第２導体層１ｂの形成後の状態を示しており、先に参照された図４Ａと同様にビア導体１０ｃを通る切断線での断面を拡大して示している。

第２導体層１ｂは、例えば、第１導体層１ａと同様に、セミアディティブ法を用いて形成される。第２導体層１ｂの形成方法はセミアディティブ法に限定されず、例えばサブトラクティブ法などの任意の方法で形成され得る。セミアディティブ法又はサブトラクティブ法を用いる第２導体層１ｂの形成では、並列する複数の配線パターン１０２の形成に適した開口を有するめっきレジスト又はエッチングマスクを用いてパターンめっき又はエッチングが行われる。図７Ｆ及び図７Ｇに示されるように、第２導体層１ｂの形成と共に、第１絶縁層２ａ内にビア導体４及びビア導体１０ｃが形成される。なお、図７Ｆの例では、コア基板５の第２面５ｓ側に、第２導体層１ｂ及びビア導体１０ｃの形成方法と同様の方法で、さらに導体層１ｅ及びビア導体４が形成される。

複数の配線パターン１０２は、第１導体層１ａの複数の配線パターン１０１と平面視で所定の角度をなすように設けられる。また、複数の配線パターン１０２は、平面視で磁性体３と重なるように設けられる。さらに、複数の配線パターン１０２のそれぞれは、好ましくは、磁性体３の長手方向と交差するように設けられる。このように設けられる複数の配線パターン１０２それぞれと、第１導体層１ａの複数の配線パターン１０１それぞれとがビア導体１０ｃによって接続される。

本実施形態では、複数のビア導体１０ｃは、先に参照された図３などに示されるように平面視で磁性体３に沿って磁性体３の両側に形成される。複数の配線パターン１０１それぞれにおいて、その一端及び他端は、互いに異なる配線パターン１０２に、磁性体３の両側それぞれのビア導体１０ｃを介して接続される。各配線パターン１０１の一端は、その配線パターン１０１の他端が接続される配線パターン１０２に隣接する配線パターン１０２に接続される。

換言すると、複数の配線パターン１０２それぞれにおいて、その一端及び他端は、互いに異なる配線パターン１０１に、磁性体３の両側それぞれのビア導体１０ｃを介して接続される。各配線パターン１０２の一端は、その配線パターン１０２の他端が接続される配線パターン１０１に隣接する配線パターン１０１に接続される。

このように各配線パターン１０１と各配線パターン１０２とがビア導体１０ｃで接続されることによって、図７Ｇに示されるように、第１配線群１０ａ、第２配線群１０ｂ、及び複数のビア導体１０ｃからなる電路１０が形成される。電路１０は、複数の配線パターン１０１、１０２それぞれの数に応じた巻き数で磁性体３の周囲に巻回された状態で形成される。このように第２導体層１ｂを形成すると共に複数のビア導体１０ｃを形成することによって、磁性体３の周囲に巻かれている電路１０が形成される。その結果、第１導体層１ａと第１絶縁層２ａとの積層方向と交差する方向、すなわち配線基板１００の積層方向と交差する方向に沿って延在するコイル１が形成される。コイル１は電路１０によって構成されていて磁性体３に沿って延在している。

図７Ｈに示されるように、第２導体層１ｂの形成後、第２導体層１ｂの上に絶縁層２ｄ及び導体層１ｄが形成される。絶縁層２ｄ及び導体層１ｄは、それぞれ、例えば絶縁層２ｂ及び導体層１ｃと同様の方法で形成され得る。コア基板５の第２面５ｓ側には、さらに絶縁層２ｅ及び導体層１ｅが形成される。図７Ｈに示されるステップで形成される導体層１ｅには、導体パッド１ｅ１が設けられる。また導体層１ｄには、導体パッド１ｄ１が設けられる。

その後、導体層１ｄ及び絶縁層２ｄ上にソルダーレジスト６が形成される。コア基板５の第２面５ｓ側の最表層の導体層１ｅ及び絶縁層２ｅ上にもソルダーレジスト６が形成される。ソルダーレジスト６には導体パッド１ｄ１、１ｅ１を露出させる開口６１が設けられる。ソルダーレジスト６、及びその開口６１は、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

ソルダーレジスト６の開口６１に露出する導体パッド１ｄ１、１ｅ１上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経る事によって図１の例の配線基板１００が完成する。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、磁性体３が埋設される第１絶縁層は、配線基板を構成する絶縁層のうち、その二つの主面それぞれに導体層を備える任意の絶縁層であってよい。例えば、ビルドアップ層５２が、第１絶縁層並びに第１及び第２の導体層を含んでいてもよい。従って、コイルも、配線基板を構成する任意の導体層の配線パターンによって形成されていてもよい。また、コイルを構成する第１導体層の配線パターン及び第２導体層の配線パターンの両方が、コイルの軸方向と直交する方向に対して傾いていてもよい。また、ビルドアップ層５１、５２内の１以上の絶縁層（例えば第１絶縁層２ａ）が、ビルドアップ層５１、５２内の他の絶縁層と異なる厚さを有していてもよい。

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、第１絶縁層の形成時に、第１絶縁層と同じ階数を有する第２絶縁層は、１度の絶縁性材料の積層によって形成されてもよい。また、第１絶縁性材料及び第２絶縁性材料の積層方法は、フィルム状などに成形された成形品の配置に限定されず、任意の方法が用いられ得る。例えば、液状やペースト状の絶縁性材料が、塗布や印刷などの方法で第１導体層や磁性体の上に供給されてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

１００、１００ａ 配線基板
１ コイル
１ａ 導体層（第１導体層）
１ｂ 導体層（第２導体層）
１ｃ 導体層
１ｄ 導体層
１０ 電路
１０ａ 第１配線群
１０ｂ 第２配線群
１０ｃ ビア導体（コイルを構成するもの）
１０ｃ１ 第１ビア群
１０ｃ２ 第２ビア群
１０１、１０２ 配線パターン
１１ 曲折部
２ａ 絶縁層（第１絶縁層）
２ａ１ 下層絶縁層
２１ 第１絶縁性材料
２２ 第２絶縁性材料
３ 磁性体
５ コア基板
５１、５２ ビルドアップ層
７ シールドパターン
Ａ 部品実装領域
Ｅ 電子部品
Ｘ コイルの軸方向
Ｚ 配線基板の積層方向

Claims (14)

1. 芯材を含まずに形成されている第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層を介して互いに対向するように設けられている第１導体層及び第２導体層と、
   前記第１絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する複数のビア導体と、を含む配線基板であって、
   前記第１導体層及び前記第２導体層は前記第１絶縁層を介して隣接し、
   所定の形状を有する磁性体が、前記第１導体層、前記第２導体層、及び前記複数のビア導体のいずれとも接しないように前記第１絶縁層内に埋設されており、
   前記第１導体層及び前記第２導体層それぞれに含まれる配線パターン、及び前記複数のビア導体によって前記磁性体の周囲にコイルが形成されており、
   前記コイルは、前記配線基板の積層方向と交差する方向に沿って延在している。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記コイルは、前記配線パターン及び前記複数のビア導体によって形成されている電路からなり、
   前記電路は、前記第１絶縁層を介して前記磁性体の周囲に巻かれている。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記磁性体と、前記第１導体層、前記第２導体層、及び前記複数のビア導体それぞれとの間隔は、２μｍ以上、１０μｍ以下である。
4. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１導体層は、並列する複数の配線パターンからなる第１配線群を含み、
   前記第２導体層は、並列する複数の配線パターンからなる第２配線群を含み、
   前記複数のビア導体は、前記第１配線群と前記第２配線群とを接続している。
5. 請求項４記載の配線基板であって、
   前記複数のビア導体は、前記磁性体に沿って前記磁性体の両側に並べられており、且つ、前記磁性体を挟んで互いに対向する第１ビア群及び第２ビア群を含んでおり、
   前記第１配線群の各配線パターンは、一端において前記第１ビア群の１つによって前記第２配線群の一の配線パターンに接続され、他端において前記第２ビア群の１つによって前記第２配線群の前記一の配線パターンに隣接する配線パターンに接続されている。
6. 請求項４記載の配線基板であって、前記第１配線群の各配線パターン又は前記第２配線群の各配線パターンが前記コイルの軸方向と平面視で略直交している。
7. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記配線基板は、コア基板と、前記コア基板上に交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成されるビルドアップ層とを含んでおり、前記第１絶縁層は、前記ビルドアップ層に含まれている。
8. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、電子部品が配置される部品実装領域を有しており、
   前記コイルの軸方向の長さは、前記軸方向に沿う方向における前記部品実装領域の長さよりも長い。
9. 請求項１記載の配線基板であって、前記コイルは、前記コイルの軸方向が変化する曲折部を有している。
10. 請求項１記載の配線基板であって、前記コイルは、同一方向に並走する２以上の区間を有している。
11. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１導体層又は前記第２導体層に前記第１絶縁層と異なる絶縁層を介して隣接する第３導体層を含んでおり、
    前記第３導体層は、平面視において前記コイルと重なるシールドパターンを含んでいる。
12. 並列する複数の配線パターンからなる第１配線群を含む第１導体層を形成することと、
    前記第１導体層を覆う第１絶縁層を形成することと、
    並列する複数の配線パターンからなる第２配線群を含む第２導体層を前記第１絶縁層の上に形成すると共に、前記第１絶縁層を貫通して前記第１配線群と前記第２配線群とを接続する複数のビア導体を形成することと、を含む配線基板の製造方法であって、
    前記第１絶縁層を形成することは、
    第１絶縁性材料を前記第１導体層上に積層して前記第１導体層を覆う下層絶縁層を形成することと、
    前記下層絶縁層上に所定の形状を有する磁性体を設けることと、
    前記磁性体及び前記下層絶縁層を第２絶縁性材料で覆うことと、を含み、
    前記第２導体層を形成すると共に前記複数のビア導体を形成することは、
    前記複数のビア導体を前記磁性体に沿って前記磁性体の両側に形成することによって、前記第１導体層と前記第１絶縁層との積層方向と交差する方向に沿って延在するコイルを形成することを含んでいる。
13. 請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、
    前記第２導体層を形成すると共に前記複数のビア導体を形成することは、前記磁性体の周囲に巻かれていて前記コイルを構成する電路を形成することを含み、
    前記電路は、前記第１配線群、前記第２配線群、及び前記複数のビア導体からなる。
14. 請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、
    前記第１絶縁性材料及び前記第２絶縁性材料それぞれは、フィルム状又はシート状の状態で用意され、
    前記第２絶縁性材料の厚さは、前記第１絶縁性材料の厚さよりも厚い。

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