JP2020200534A - 背面処理電解銅箔及びそれを用いた銅箔基板 - Google Patents
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Abstract
Description
上記の技術的課題を解決するため、本発明が提供する別の技術的手段は銅箔基板である。上記銅箔基板は、基板、及び前記基板に配置される背面処理電解銅箔を有する銅箔基板であって、前記基板の片面には非平坦な微細粗化処理面が接合されており、前記微細粗化処理面は分布が不均等な複数の銅結晶を有し、数量の異なる前記銅結晶が積み重なることによって銅ウィスカーがそれぞれ形成され、数量の異なる前記銅ウィスカーが集まることによって銅結晶団がそれぞれ形成され、走査式電子顕微鏡により傾斜角度35度、拡大倍率1000倍の条件で前記微細粗化処理面を観察する場合、前記銅結晶、前記銅ウィスカー及び前記銅結晶団は、分布が不均等な垂れ流し条紋の模様を構成する。当該模様は、図24に示すように、人類頭髪の模様より考案したものである。電子顕微鏡の商品番号及び操作インターフェースは図25に示す。
非金属の他の添加剤は、ゼラチン、有機窒化物、ヒドロキシエチルセルロース(hydroxyethyl cellulose、HEC)、ポリエチレングリコール(Poly(ethylene glycol)、PEG)、3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸ナトリウム(Sodium 3−mercaptopropanesulphonate、MPS)、3,3´−ジチオビス(1−プロパンスルホン酸ナトリウム)(Bis−(sodium sulfopropyl)−disulfide、SPS)及びチオウレイド化合物が挙げられる。しかし、これらの条件は本実施形態の提供する実施可能な実施例であり、本発明はこれに制限されない。
Test Material:Low Loss EMC526 +(RG311/FT1−UP/RTF−3)
Test Design:Impedance:85Ω(Differential)
Line length:5/10inch
PCB Thinckness:77mil
本発明による1つの有益な効果は、本発明に係る背面処理電解銅箔の表面には、不均等に分布する複数の銅結晶の他に、数量の異なる銅結晶が積み重なることによって銅ウィスカーがそれぞれ形成され、数量の異なる銅ウィスカーが集まることによって銅結晶団がそれぞれ形成される。従って、銅箔の表面には顕著な凹凸がある。それによって、良好な剥離強度を維持しながら、信号完全性を高め、挿入損失(insertion loss)を抑えられる。それにより、信号伝送の高周波化、高速化に対応可能であり、5Gへの応用を実現させる。
11:背面処理電解銅箔
110:微細粗化処理面
110a:滑面領域
110b:粗面領域
111:銅結晶
111a:頂部銅結晶
W:銅ウィスカー
G:銅結晶団
112:凸部
113:凹部
114:充填空間
12:基板
2:連続式電解設備
21:フィードローラー
22:回収ローラー
23:電解槽
231:電極
24:電解ローラーセット
25:補助ローラーセット
Claims (19)
- 非平坦な微細粗化処理面を有する背面処理電解銅箔であって、前記微細粗化処理面は分布が不均等な複数の銅結晶を有し、数量の異なる前記銅結晶が積み重なることによって銅ウィスカーがそれぞれ形成され、数量の異なる前記銅ウィスカーが集まることによって銅結晶団がそれぞれ形成され、走査式電子顕微鏡により傾斜角度35度、拡大倍率1000倍の条件で前記微細粗化処理面を観察する場合、前記銅結晶、前記銅ウィスカー及び前記銅結晶団は、分布が不均等な垂れ流し条紋の模様を構成する、ことを特徴とする背面処理電解銅箔。
- 走査式電子顕微鏡により傾斜角度35度、拡大倍率10000倍の条件で前記前記微細粗化処理面を観察する場合、前記微細粗化処理面には、少なくとも2つの滑面領域および少なくとも1つ粗面領域があり、前記滑面領域は、縦方向の長さは500nmであり、横方向の長さは500nmであって、前記粗面領域は、縦方向の長さは1000nmであり、横方向の長さは1000nmであって、前記滑面領域には銅結晶、銅ウィスカー又は銅結晶団がなく、前記粗面領域には少なくとも6つの銅結晶及び/又は銅ウィスカー及び/又は銅結晶団がある、請求項1に記載の背面処理電解銅箔。
- 前記銅ウィスカーは頂部銅結晶を有する、請求項2に記載の背面処理電解銅箔。
- 前記頂部銅結晶は、錐状、棒状及び/又は球状である、請求項3に記載の背面処理電解銅箔。
- 10000倍の拡大倍率において、少なくとも1つの前記粗面領域における前記頂部銅結晶の数量が、前記微細粗化処理面における前記頂部銅結晶の総数量の少なくとも10%を占める、請求項3に記載の背面処理電解銅箔。
- 前記微細粗化処理面の表面粗さRz(JIS94)は2.3マイクロメートル以下である、請求項1に記載の背面処理電解銅箔。
- 前記微細粗化処理面には、複数の凸部、及び前記複数の凸部の間に位置する複数の凹部があり、複数の前記微細銅結晶、複数の前記銅ウィスカー、及び複数の前記銅結晶団は複数の前記凸部に形成されている、請求項1に記載の背面処理電解銅箔。
- 前記凹部の断面は、U字形状又はV字形状である、請求項7に記載の背面処理電解銅箔。
- 基板、及び前記基板に配置される背面処理電解銅箔を有する銅箔基板であって、前記基板の片面には非平坦な微細粗化処理面が接合されており、前記微細粗化処理面は分布が不均等な複数の銅結晶を有し、数量の異なる前記銅結晶が積み重なることによって銅ウィスカーがそれぞれ形成され、数量の異なる前記銅ウィスカーが集まることによって銅結晶団がそれぞれ形成され、走査式電子顕微鏡により傾斜角度35度、拡大倍率1000倍の条件で前記微細粗化処理面を観察する場合、前記銅結晶、前記銅ウィスカー及び前記銅結晶団は、分布が不均等な垂れ流し条紋の模様を構成することを特徴とする銅箔基板。
- 走査式電子顕微鏡により傾斜角度35度、拡大倍率10000倍の条件で前記前記微細粗化処理面を観察する場合、前記微細粗化処理面には、少なくとも2つの滑面領域および少なくとも1つ粗面領域があり、前記滑面領域は、縦方向の長さは500nmであり、横方向の長さは500nmであって、前記粗面領域は、縦方向の長さは1000nmであり、横方向の長さは1000nmであって、前記滑面領域には銅結晶、銅ウィスカー又は銅結晶団がなく、前記粗面領域には少なくとも6つの銅結晶及び/又は銅ウィスカー及び/又は銅結晶団がある、請求項9に記載の銅箔基板。
- 前記銅ウィスカーは頂部銅結晶を有する、請求項10に記載の銅箔基板。
- 前記頂部銅結晶は、錐状、棒状及び/又は球状である、請求項11に記載の銅箔基板。
- 10000倍の拡大倍率において、少なくとも1つの前記粗面領域における前記頂部銅結晶の数量が、前記微細粗化処理面における前記頂部銅結晶の総数量の少なくとも10%を占めることが観察される、請求項11に記載の銅箔基板。
- 前記微細粗化処理面の表面粗さRz(JIS94)は2.3マイクロメートル以下である、請求項9に記載の銅箔基板。
- 前記微細粗化処理面には、複数の凸部、及び前記複数の凸部の間に位置する複数の凹部があり、複数の前記微細銅結晶、複数の前記銅ウィスカー、及び複数の前記銅結晶団は複数の前記凸部に形成されている、請求項9に記載の銅箔基板。
- 前記凹部の断面は、U字形状又はV字形状である、請求項15に記載の銅箔基板。
- 前記基板の材料はEM526プリプレグであり、Delta−Lに従いストリップライン法によって得られた、4GHzにおける前記銅箔基板の挿入損失は−0.36dB/in〜−0.44dB/inである、請求項9に記載の銅箔基板。
- 前記基板の材料はEM526プリプレグであり、Delta−Lに従いストリップライン法によって得られた、8GHzにおける前記銅箔基板の挿入損失は−0.59dB/in〜−0.72dB/inである、請求項9に記載の銅箔基板。
- 前記基板の材料はEM526プリプレグであり、Delta−Lに従いストリップライン法によって得られた、12.89GHzにおける前記銅箔基板の挿入損失は−0.85dB/in〜−1.05dB/inである、請求項9に記載の銅箔基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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