JP2020191345A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020191345A JP2020191345A JP2019094948A JP2019094948A JP2020191345A JP 2020191345 A JP2020191345 A JP 2020191345A JP 2019094948 A JP2019094948 A JP 2019094948A JP 2019094948 A JP2019094948 A JP 2019094948A JP 2020191345 A JP2020191345 A JP 2020191345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wiring
- protective film
- emitting device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 135
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 126
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
p電極37の表面が露出している部分の幅(L2)の方が大きい(図6)。従って、第2の接合部材49は、p電極37の表面を広がる際に、より大きいスペースが存在する。第2の接合部材49は、p電極37の材料(例えば、Au)を取込みならがらp電極37表面の当該スペースを広がる。スペースが大きいため、より流動性が低下しやすく、開口部39OP内で停止する。従って、開口部39OP外へ流出し難い。
11 サブマウント
12 サブマウント基板
13 n配線電極
15 p配線電極
17、51 p配線保護膜
19、53 p配線保護膜
21 n配線保護膜
23 ストライプ部
30 半導体発光装置
31 成長基板
33 第1の半導体層(n型半導体層)
35 第1の電極(n電極)
37 第2の電極(p電極)
39 第1の保護膜(p電極保護膜)
39OP 第1の開口部(開口部)
40 発光部
41 n電極保護膜
43 活性層
45 第2の半導体層(p型半導体層)
47 第1の接合部材
49、55 第2の接合部材
Claims (9)
- 第1の導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上面の1の領域に形成された第1の電極と、
前記第1の半導体層の前記上面の他の領域に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、前記第1の導電型と反対の導電型の第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上に形成された第2の電極と、
前記第2の電極の表面に形成されかつ前記第2の電極の表面を露出する第1の開口部を有する絶縁体からなる第1の保護膜と、
前記第1の電極上に設けられた導電体からなる第1の接合部材と
前記第1の開口部によって露出された表面に設けられた導電体からなる第2の接合部材と、
前記第1の電極及び前記第2の電極に対向する1の面を有する基板と、
前記基板の前記1の面の前記第1の電極と対向する位置に形成され前記第1の接合部材に接合されている導電体からなる第1の配線と、
前記基板の前記1の面の前記第2の電極と対向する位置に前記第1の配線から離間して形成され、表面の第1の開口部と対向する所定の接合領域において前記第2の接合部材に接合されている導電体からなる第2の配線と、
前記第2の配線の表面に形成されかつ前記接合領域の前記第1の配線から遠い端部から前記第1の配線から離れる方向に延在している第2の保護膜と、を有することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第2の保護膜は、前記基板に垂直な方向において、前記第1の保護膜と重なる領域を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第2の保護膜は、前記第1の開口部の内側の領域まで延在していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記第2の配線の前記第1の配線から近い端部と前記接合領域との間に形成され、前記基板に垂直な方向において前記第1の保護膜と重なる領域を有する第3の保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第3の保護膜は、前記第1の開口部の内側の領域まで延在していることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。
- 前記第1の開口部によって露出された前記第2の電極の表面の面積は、前記第2の保護膜及び前記第3の保護膜によって露出された前記第2の配線の表面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体発光装置。
- 前記第2の接合部材は、台形の断面形状を有し、前記第2の電極と接する上底よりも前記第2の配線と接する下底の方が短いことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2の電極と前記第2の配線との距離は、前記第1の電極と前記第1の配線との距離よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1の導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上面の1の領域に形成された第1の電極と、
前記第1の半導体層の前記上面の他の領域に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、前記第1の導電型と反対の導電型の第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上に形成された第2の電極と、
前記第2の電極の表面に形成されかつ前記第2の電極の表面を露出する第1の開口部を有する絶縁体からなる第1の保護膜と、
前記第1の電極上に設けられた導電体からなる第1の接合部材と
前記第1の開口部によって露出された表面に設けられた導電体からなる第2の接合部材と、
前記第1の電極及び前記第2の電極に対向する1の面を有する基板と、
前記基板の前記1の面の前記第1の電極と対向する位置に形成され前記第1の接合部材に接合されている導電体からなる第1の配線と、
前記基板の前記1の面の前記第2の電極と対向する位置に前記第1の配線から離間して形成され、表面の第1の開口部と対向する所定の接合領域において前記第2の接合部材に接合されている導電体からなる第2の配線と、
前記第2の配線の表面に形成されかつ前記第2の配線の表面を部分的に露出する絶縁体からなる第2の保護膜と、を有し、
上面視において、前記第1の開口部は前記第2の配線の表面のうち前記第2の保護膜から露出している領域を包含するか、または、前記第2の配線の表面のうち前記第2の保護膜から露出している領域は前記第1の開口部を包含することを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019094948A JP7291537B2 (ja) | 2019-05-21 | 2019-05-21 | 半導体発光装置 |
PCT/JP2020/018597 WO2020235350A1 (ja) | 2019-05-21 | 2020-05-08 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019094948A JP7291537B2 (ja) | 2019-05-21 | 2019-05-21 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020191345A true JP2020191345A (ja) | 2020-11-26 |
JP7291537B2 JP7291537B2 (ja) | 2023-06-15 |
Family
ID=73453874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019094948A Active JP7291537B2 (ja) | 2019-05-21 | 2019-05-21 | 半導体発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7291537B2 (ja) |
WO (1) | WO2020235350A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150386A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5282287B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-09-04 | ヴィデオジェット テクノロジーズ インコーポレイテッド | 溶媒系インク組成物 |
JP2015073087A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-04-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP2017152504A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および発光装置 |
-
2019
- 2019-05-21 JP JP2019094948A patent/JP7291537B2/ja active Active
-
2020
- 2020-05-08 WO PCT/JP2020/018597 patent/WO2020235350A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150386A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5282287B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-09-04 | ヴィデオジェット テクノロジーズ インコーポレイテッド | 溶媒系インク組成物 |
JP2015073087A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-04-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP2017152504A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020235350A1 (ja) | 2020-11-26 |
JP7291537B2 (ja) | 2023-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7276740B2 (en) | Submount for light emitting device | |
JP5703523B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ、及び発光ダイオードパッケージモジュール | |
JP5363789B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP5585013B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5082710B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4626517B2 (ja) | 半導体レーザアセンブリ | |
JP7364971B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6848245B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6131555B2 (ja) | 発光装置の封止部材の取り外し方法および封止部材を取り外すことが可能な発光装置 | |
US9543280B2 (en) | Light emitting module and lighting device | |
JP5765981B2 (ja) | 発光装置 | |
US10546988B2 (en) | Light emitting device and solder bond structure | |
JP2005005681A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
WO2020235350A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
US11735687B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device having a light-shielding frame around a light emitting surface | |
JP6128267B2 (ja) | 半導体素子実装部材及び半導体装置 | |
JP7111957B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4951880B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
KR101138861B1 (ko) | 발광소자의 본딩 구조체 및 이를 이용한 본딩방법 | |
JP7202869B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6490788B2 (ja) | キャリアおよびキャリアを製造する方法 | |
JP2024040212A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP2016225435A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2023067026A (ja) | 発光装置 | |
JP2008270728A (ja) | 発光装置および照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230516 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230605 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7291537 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |