JP2020187984A - 同軸コネクタ - Google Patents

Abstract

【課題】高周波帯域での高周波性能を向上できる同軸コネクタを提供する。【解決手段】同軸コネクタ１０は、コンタクト１とハウジング３を備える。又、同軸コネクタ１０は、シェル５と短絡板７を備える。コンタクト１は、中心導体Ｗｃと接続する圧接片１１と相手側コンタクトと接続する弾性片１２を有する。ハウジング３は、円板部３２と方形部３３を有する。円板部３２は、コンタクト１と短絡板７を内部に配置している。シェル５は、ハウジング３を収容できる。又、シェル５は、ケーブルクランプ５１を有する。ケーブルクランプ５１がハウジング３を閉止した状態では、短絡板７は、外部導体Ｗｂと電気的に接続していると共に、シェル５の円筒部５２の内壁に接触している。短絡板７をコンタクト１の近傍に配置することで、信号の伝送線路とグラウンドの伝送線路を略並走できる。【選択図】図２

Description

本発明は、同軸コネクタに関する。特に、同軸ケーブルの端末に取り付けた同軸コネクタとプリント基板に実装した相手側コネクタを電気的に接続する同軸コネクタであって、同軸ケーブルからプリント基板に、又は、プリント基板から同軸ケーブルに高周波信号を伝送できる同軸コネクタの構造に関する。

例えば、同軸コネクタは、同軸ケーブルの端末に取り付けた同軸プラグと、プリント基板に実装したリセプタクルで構成している。同軸プラグをリセプタクルに接続することで、高周波信号を同軸ケーブルからプリント基板に伝送、又は、高周波信号をプリント基板から同軸ケーブルに伝送できる。

一般に、同軸ケーブルは、円形の中心導体、中心導体の周囲を囲うフッ素系樹脂などの誘電体、誘電体の周囲を囲う編組線などの外部導体、及び、外部導体を被覆保護する絶縁シースで構成している。

例えば、中心導体と圧接接続できるピアシング端子を端部に有するコンタクト、コンタクトを保持する絶縁性のハウジング、及び、コンタクトと電気的に絶縁した状態でハウジングを覆うと共に、同軸ケーブルの端末を固定自在なケーブルクランプを端部に有する導電性のシェルで構成した同軸コネクタが開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１８−１１３２２４号公報

図７は、従来技術による同軸コネクタの構成を示す図であり、図７（Ａ）は、同軸ケーブルの端末を結線した状態を示す同軸コネクタの斜視図、図７（Ｂ）は、同軸ケーブルの端末を結線した状態を示す同軸コネクタの右側面図である。なお、本願の図７（Ａ）と図７（Ｂ）は、特許文献１の図２７と図２８に相当している。

図８は、従来技術による同軸コネクタの構成を示す図であり、図８（Ａ）は、同軸ケーブルの端末を結線した状態を示す同軸コネクタの縦断面図、図８（Ｂ）は、同軸ケーブルの端末を同軸コネクタに結線する前の状態を示す同軸コネクタの斜視図である。なお、本願の図８（Ａ）と図８（Ｂ）は、特許文献１の図２９と図３０に相当している。

図９は、従来技術による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す図であり、図９（Ａ）は、従来技術による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す斜視図、図９（Ｂ）は、従来技術による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す縦断面図である。なお、本願の図９（Ａ）と図９（Ｂ）は、特許文献１の図３８と図３９に相当している。

図７から図９を参照すると、従来技術による同軸コネクタ９は、同軸ケーブルＣｂの端末を結線できる。同軸コネクタ９は、ピアシング型のコンタクト９１、前円後方形状のハウジング９２、及び、導電性のシェル９３を備えている。ハウジング９２は、帯板状の押え片９２ａを有している。シェル９３は、ケーブルクランプ９３１を有している。

図８（Ａ）を参照すると、コンタクト９１は、後述するリセプタクル８の中心部に配置した円筒状の中心コンタクト８１（相手側コンタクト）と、同軸ケーブルＣｂを電気的に接続できる（図９（Ｂ）参照）。

図８（Ｂ）を参照すると、コンタクト９１は、接続端子９１１と槍状のピアシング端子９１２を備えている。接続端子９１１は、略矩形に形成した天板９ｔと一対の接触片９ｓ・９ｓを有している（図８（Ａ）参照）。一対の接触片９ｓ・９ｓは、天板９ｔの両辺から湾曲し、先端部側をΩ字状に開口している。一対の接触片９ｓ・９ｓは、後述するリセプタクル８の中心部に配置した中心コンタクト８１を内部に導入できる（図９（Ｂ）参照）。

図８（Ａ）を参照すると、一対の接触片９ｓ・９ｓは、対向配置された一対の接点を接触片９ｓ・９ｓの先端部に有している。一対の接点は、図示しない中心コンタクト８１の外周に接触できる（図９（Ｂ）参照）。

図８（Ｂ）を参照すると、ピアシング端子９１２は、天板９ｔの後端部から帯状に延出し、天板９ｔの前端部に向かって反転している。そして、ピアシング端子９１２は、槍状の圧接刃９１ｐを先端部から突出している。又、圧接刃９１ｐの基端部には、一対の段差を形成している。

図８を参照して、コンタクト９１をハウジング９２に保持した状態で（図８（Ｂ）参照）、同軸ケーブルＣｂの端末を圧接刃９１ｐに向かって移動すると、圧接刃９１ｐは、同軸ケーブルＣｂに備わる中心導体Ｗｃを突き刺して中心導体Ｗｃに接触できる（図８（Ａ）参照）。

図８（Ｂ）を参照すると、ハウジング９２は、円板部９２１と方形部９２２を有している。円板部９２１は、その端部から押え片９２ａを起立している。押え片９２ａは、圧接刃９１ｐの突出方向と反対側からピアシング端子９１２を押さえている（図８（Ａ）参照）。方形部９２２は、円板部９２１からその一部が外周方向に突出している。円板部９２１は、第１収容室ｈ１を中心部に有している（図８（Ａ）参照）。

図８（Ａ）を参照すると、第１収容室ｈ１は、リセプタクル８の中心部に配置した中心コンタクト８１を導入自在に（図９（Ｂ）参照）、ハウジング９２の一方の面を矩形に開口している。そして、第１収容室ｈ１には、一対の接触片９ｓ・９ｓを内部に配置している。

図８（Ｂ）を参照すると、ハウジング９２は、第２収容室ｈ２を他方の面に矩形に開口している。第２収容室ｈ２は、その一部が第１収容室ｈ１に連通している。図８を参照すると、第２収容室ｈ２には、接触片９ｓの突出方向からコンタクト９１を導入できる。又、第２収容室ｈ２には、同軸ケーブルＣｂの端末を導入できる。

図８（Ｂ）を参照すると、方形部９２２は、樋状の溝９２ｄを底面に穿設している。溝９２ｄは、第２収容室ｈ２に連通している。溝９２ｄには、同軸ケーブルＣｂの端末を導入できる。より具体的には、第２収容室ｈ２及び溝９２ｄには、端末処理された誘電体Ｄｉを収容できる（図８（Ａ）参照）。

図７から図９を参照すると、シェル９３は、円筒部９３２と一対の延在片９３３・９３３を有している。円筒部９３２には、一対の接触片９ｓ・９ｓが突出する方向と同じ方向から、円筒部９３２の一方の面に向って、ハウジング９２の円板部９２１を収容できる（図８（Ｂ）参照）。

図８（Ｂ）を参照すると、一対の延在片９３３・９３３は、円筒部９３２の外周の一部が連続して略平行に延びている。そして、一対の延在片９３３・９３３には、その内部に方形部９２２を収容できる。

図８（Ｂ）を参照すると、延在片９３３は、槍状の突き刺し突起９３ｐを円筒部９３２の遠心方向に突出している。同軸ケーブルＣｂの中心導体Ｗｃを圧接刃９１ｐに突き刺した状態では（図８（Ａ）参照）、一対の突き刺し突起９３ｐ・９３ｐは、外部導体Ｗｂを突き刺すことができる。そして、延在片９３３と外部導体Ｗｂを導通でき、シェル９３と外部導体Ｗｂを電気的に接続できる。

図７又は図８（Ｂ）を参照すると、ケーブルクランプ９３１は、底板片９３ｂを有している。底板片９３ｂは、その一端部を円筒部９３２の一部と屈曲自在にヒンジ９３ｈで連結している。又、ヒンジ９３ｈを屈曲することで。底板片９３ｂは、その他端部側が円筒部９３２の他方の面を閉止できる（図７参照）。これにより、同軸ケーブルＣｂの端末をシールドできる。

図８（Ｂ）を参照すると、ケーブルクランプ９３１は、一対のクリンプバレル９３ｃ・９３ｃと一対のインシュレーショングリップ９３ｉ・９３ｉを含んでいる。一対のクリンプバレル９３ｃ・９３ｃは、一対の延在片９３３・９３３を圧着できる（図７参照）。そして、ケーブルクランプ９３１の底板片９３ｂが円筒部９３２の他方の面を閉止した状態を維持できる。

図７を参照すると、一対のインシュレーショングリップ９３ｉ・９３ｉは、絶縁シースＷｉを圧着できる。そして、一対のインシュレーショングリップ９３ｉ・９３ｉは、同軸ケーブルＣｂの端末に同軸コネクタ１０を固定できる。

次に、従来技術による同軸コネクタが接続されるリセプタクルの構成を説明する。図９を参照すると、従来技術によるリセプタクル８は、プリント基板９ｐに表面実装されている。リセプタクル８は、円筒状の中心コンタクト８１、円筒状の外部コンタクト８２、及び、誘電体からなるハウジング８３を備えている（図９（Ｂ）参照）。

図９（Ｂ）を参照すると、中心コンタクト８１は、円筒状の本体部８１ｂとリード部８１ｒで構成している。本体部８１ｂは、先端部が半球状に閉塞され、内部を中空に構成している。リード部８１ｒは、本体部８１ｂの底壁から外周方向に帯状に延びている。リード部８１ｒは、その底面をプリント基板９ｐの信号パターンにハンダ接合できる。

図９（Ｂ）を参照すると、外部コンタクト８２は、円筒部８２ｒと複数の鍔部８２ｆで構成している。円筒部８２ｒは、上面を開口している。又、円筒部８２ｒは、中心コンタクト８１の本体部８１ｂを囲うように、本体部８１ｂを同軸上に内部に配置している。鍔部８２ｆは、円筒部８２ｒの底壁から三方向に帯状に延びている。複数の鍔部８２ｆは、その底面をプリント基板９ｐのグラウンドパターンにハンダ接合できる。

図９を参照すると、ハウジング８３は、矩形の板状に形成している。ハウジング８３は、中心コンタクト８１及び外部コンタクト８２を一体成形することで、中心コンタクト８１と外部コンタクト８２を固定している。円筒部８２ｒの内部では、中心コンタクト８１と外部コンタクト８２を電気的に絶縁するように、ハウジング８３で充実している。

図９を参照して、同軸コネクタ９をリセプタクル８に接続すると、同軸ケーブルＣｂに内在する中心導体Ｗｃを中心コンタクト８１に接続でき、同軸ケーブルＣｂに内在する外部導体Ｗｂを外部コンタクト８２に接続できる。そして、同軸ケーブルＣｂから高周波信号をプリント基板９ｐに伝送でき、プリント基板９ｐから高周波信号を同軸ケーブルＣｂに伝送できる。

図９（Ａ）を参照すると、従来技術による同軸コネクタ９のグラウンドの伝送線路Ｌｇは、外部導体Ｗｂ→クリンプバレル９３ｃ→底板片９３ｂ→ヒンジ９３ｈ→円筒部９３２→鍔部８２ｆを経由して、プリント基板９ｐのグラウンドパターンに至っている。

一方、図９（Ｂ）を参照すると、従来技術による同軸コネクタ９の信号の伝送線路Ｌｓは、中心導体Ｗｃ→コンタクト９１→中心コンタクト８１の本体部８１ｂ→中心コンタクト８１のリード部８１ｒを経由して、プリント基板９ｐの信号パターンに至っている。

このように、従来技術による同軸コネクタ９は、信号の伝送線路Ｌｓに対して、グラウンドの伝送線路Ｌｇが並走することなく、遠回りになっている。これにより、従来技術による同軸コネクタ９は、高周波帯域での高周波性能の向上を困難にしている。

従来技術による同軸コネクタの構造を変えることで、高周波帯域での高周波性能、例えば、電圧定在波比（ＶＳＷＲ：Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ）を向上できる同軸コネクタが求められている。そして、以上のことが本発明の課題といってよい。

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、高周波帯域での高周波性能を向上させることができる同軸コネクタを提供することを目的とする。

本発明者は、外部導体とシェルを短絡させる短絡板を中心導体と接続するコンタクトの近傍に配置することで、信号の伝送線路とグラウンドの伝送線路を略並走でき、これにより、高周波帯域での高周波性能を向上させることができると考え、これに基づいて、以下のような新たな同軸コネクタを発明するに至った。

（１）本発明による同軸コネクタは、中心導体、この中心導体を包囲する誘電体、この誘電体を覆う外部導体、及び、この外部導体を被覆する絶縁シースを有する同軸ケーブルの端末を結線する同軸コネクタであって、前記誘電体を外周方向から導入して前記中心導体と圧接接続により結線する圧接片を一端部側に有し、相手側コンタクトを外周方向から接触自在な弾性片を他端部側に有するコンタクトと、相手側コンタクトを導入自在な穴部を一方の面に開口し、前記コンタクトを前記穴部の内部に配置した第１収容室を有する円板部、及び、この円板部から一部が外周方向に突出した方形部を有し、前記第１収容室に連通すると共に、前記外部導体を外周方向から導入自在な溝部を底部に形成した第２収容室を他方の面に開口した前円後方形状のハウジングと、前記コンタクトを前記円板部に収容した方向と同じ方向から、一方の面に向って前記円板部を収容自在な円筒部、及び、この円筒部の外周の一部が連続して略平行に延び、前記方形部を内部に収容自在な一対の延在片を有する導電性のシェルと、前記外部導体を外周方向から導入自在なスロットを切り欠き、前記穴部の近傍に前記穴部が貫通する方向と同じ方向から前記ハウジングの内部に取り付けた導電性の短絡板と、を備え、前記シェルは、一端部を前記円筒部の一部と屈曲自在に連結し、他端部側が少なくとも前記円筒部の他方の面を閉止できる底板片を有するケーブルクランプを有し、前記ケーブルクランプの底板片が前記ハウジングの第１収容室を閉止した状態では、前記短絡板は、前記外部導体と電気的に接続していると共に、前記円筒部の内壁に接触している。

（２）前記ハウジングは、一端部を前記円板部の一部と屈曲自在に連結し、他端部側が前記ケーブルクランプと連動して、前記第１収容室を閉止できる帯板状のリッドハウジングを更に有し、前記リッドハウジングは、一方の面から突出した突条部を有し、前記リッドハウジングが前記ハウジングの第１収容室を閉止した状態では、前記突条部は、前記誘電体を前記圧接片に向かって押圧していることが好ましい。

（３）前記ケーブルクランプは、一対の前記延在片を介して、前記方形部を圧着自在な一対の第１クリンプバレルと、前記外部導体を圧着自在な一対の第２クリンプバレルと、前記絶縁シースを圧着自在な一対のインシュレーショングリップと、を含んでいることが好ましい。

本発明による同軸コネクタは、外部導体とシェルを短絡させる短絡板を中心導体と接続するコンタクトの近傍に配置することで、信号の伝送線路とグラウンドの伝送線路を略並走でき、これにより、高周波帯域での高周波性能を向上させることができる。

本発明の一実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視図であり、図１（Ａ）は、同軸ケーブルの端末を同軸コネクタに結線する前の状態を一方の方向から観た状態図、図１（Ｂ）は、同軸ケーブルの端末を同軸コネクタに結線する前の状態を他方の方向から観た状態図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視分解組立図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す図であり、図３（Ａ）は、同軸ケーブルの端末を同軸コネクタに結線する前の状態を示す正面図、図３（Ｂ）は、同軸ケーブルの端末を同軸コネクタに結線する前の状態を示す右側面図、図３（Ｃ）は、同軸ケーブルの端末を同軸コネクタに結線する前の状態を示す背面図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す図であり、図４（Ａ）は、前記実施形態による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す斜視図、図４（Ｂ）は、前記実施形態による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す左側面図である。 前記実施形態による同軸コネクタと相手側コネクタが接続する前の状態を示す斜視図であり、図５（Ａ）は、同軸コネクタ及び相手側コネクタを一方の方向から観た状態図、図５（Ｂ）は、同軸コネクタ及び相手側コネクタを他方の方向から観た状態図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す図であり、図６（Ａ）は、前記実施形態による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す平面図、図６（Ｂ）は、前記実施形態による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す縦断面図である。 従来技術による同軸コネクタの構成を示す図であり、図７（Ａ）は、同軸ケーブルの端末を結線した状態を示す同軸コネクタの斜視図、図７（Ｂ）は、同軸ケーブルの端末を結線した状態を示す同軸コネクタの右側面図である。 従来技術による同軸コネクタの構成を示す図であり、図８（Ａ）は、同軸ケーブルの端末を結線した状態を示す同軸コネクタの縦断面図、図８（Ｂ）は、同軸ケーブルの端末を同軸コネクタに結線する前の状態を示す同軸コネクタの斜視図である。 従来技術による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す図であり、図９（Ａ）は、従来技術による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す斜視図、図９（Ｂ）は、従来技術による同軸コネクタと相手側コネクタが接続した状態を示す縦断面図である。

以下、図面を参照して本発明を実施するための形態を説明する。
［同軸コネクタの構成］
最初に、本発明の一実施形態による同軸コネクタの構成を説明する。

（全体構成）
図１から図６を参照すると、本発明の一実施形態による同軸コネクタ１０は、同軸ケーブルＣｂの端末を結線できる。同軸ケーブルＣｂは、中心導体Ｗｃ、中心導体Ｗｃを包囲する誘電体Ｄｉ、誘電体Ｄｉを覆う編組線などの外部導体Ｗｂ、及び、外部導体Ｗｂを被覆する絶縁シースＷｉを有している。

図１から図３又は図５及び図６を参照すると、同軸コネクタ１０は、ベローズ形のコンタクト１、前円後方形状のハウジング３、及び、導電性のシェル５を備えている。ハウジング３は、帯板状のリッドハウジング３１を有している。シェル５は、ケーブルクランプ５１を有している。

図２又は図５を参照すると、コンタクト１は、リセプタクル２０の中心部に配置した円筒状の中心コンタクト２（相手側コンタクト）と、同軸ケーブルＣｂを電気的に接続できる。

図２を参照すると、コンタクト１は、圧接片１１を一端部側に有し、弾性片１２を他端部側に有している。圧接片１１は、中心導体Ｗｃを導入自在な切り欠き溝１１ｄを有している。誘電体Ｄｉをその外周方向から圧接片１１に導入すると、切り欠き溝１１ｄの両側が誘電体Ｄｉを押し退けることで、中心導体Ｗｃを切り欠き溝１１ｄの内部に導入できる。そして、圧接片１１は、中心導体Ｗｃと圧接接続により結線できる。

図２を参照すると、弾性片１２は、後述するように、中心コンタクト２（相手側コンタクト）とその外周方向から接触できる（図６（Ｂ）参照）。

図２を参照すると、コンタクト１は、導電性を有する金属板からなることが好ましく、導電性を有する金属板を打ち抜き加工することで、所望の形状のベローズ形のコンタクトを得ることができる。コンタクト１は、銅合金からなることが好ましいが、銅合金に限定されない。

図１又は図２を参照すると、ハウジング３は、円板部３２と方形部３３を有している。方形部３３は、円板部３２からその一部が外周方向に突出している。円板部３２は、第１収容室３２１を中心部に有している（図２参照）。

図３（Ａ）又は図５（Ｂ）を参照すると、円板部３２は、穴部３２ｈを一方の面に開口している。穴部３２ｈは、第１収容室３２１に連通している（図２参照）。穴部３２ｈには、中心コンタクト２を導入できる（図６（Ｂ）参照）。又、穴部３２ｈの内部には、コンタクト１を配置している。

図１又は図２を参照すると、方形部３３は、ハウジング３の他方の面に開口した第２収容室３３１を有している。第２収容室３３１は、第１収容室３２１に連通している。又、方形部３３は、Ｕ字状の溝部３３ｄを底部に形成している。溝部３３ｄには、外部導体Ｗｂを外周方向から導入できる。

図１から図３を参照すると、シェル５は、円筒部５２と一対の延在片５３・５３を有している。円筒部５２には、コンタクト１を円板部３２に収容した方向と同じ方向から、一方の面に向って円板部３２を収容できる。

図１から図３を参照すると、一対の延在片５３・５３は、円筒部５２の外周の一部が連続して略平行に延びている。そして、一対の延在片５３・５３には、その内部に方形部３３を収容できる。

図１又は図２及び図６（Ｂ）を参照すると、同軸コネクタ１０は、導電性の短絡板７を更に備えている。短絡板７は、Ｕ字状のスロット７ｓを中央部に切り欠いている（図２参照）。スロット７ｓには、外部導体Ｗｂを外周方向から導入できる。又、短絡板７は、穴部３２ｈの近傍に、穴部３２ｈが貫通する方向と同じ方向からハウジング３の内部に取り付けている（図１参照）。

図１から図３を参照すると、ケーブルクランプ５１は、底板片５１１を有している。底板片５１１は、その一端部を円筒部５２の一部と屈曲自在にヒンジ５１ｈで連結している（図４（Ｂ）参照）。又、底板片５１１は、その他端部側がリッドハウジング３１と連動して、シェル５の他方の面を閉止できる（図２又は図４参照）。

図１又は図６を参照して、ケーブルクランプ５１の底板片５１１がハウジング３の第１収容室３２１を閉止した状態では、短絡板７は、外部導体Ｗｂと電気的に接続していると共に、円筒部５２の内壁に接触している。

実施形態による同軸コネクタ１０は、外部導体Ｗｂとシェル５を短絡させる短絡板７を中心導体Ｗｃと接続するコンタクト１の近傍に配置することで、信号の伝送線路とグラウンドの伝送線路を略並走でき、これにより、高周波帯域での高周波性能を向上させることができる。

（ハウジング及びリッドハウジングの構成）
次に、実施形態によるハウジング３及びリッドハウジング３１の構成を説明する。図１又は図２を参照すると、ハウジング３及びリッドハウジング３１は、絶縁性を有する合成樹脂からなることが好ましく、絶縁性を有する合成樹脂を成形して所望の形状のリッドハウジング３１付きハウジング３を得ることができる。

図１（Ａ）又は図２を参照すると、リッドハウジング３１は、その一端部を円板部３２の一部と屈曲自在にヒンジ３１ｈで連結している。そして、リッドハウジング３１は、ケーブルクランプ５１と連動して、他端部側が第１収容室３２１を閉止できる。

図１（Ａ）又は図２を参照すると、リッドハウジング３１は、一方の面から突出した突条部３１ｔを有している。そして、リッドハウジング３１がハウジング３の第１収容室３２１を閉止した状態では、突条部３１ｔは、誘電体Ｄｉを圧接片１１に向かって押圧している。これにより、コンタクト１のハウジング３からの飛び出しを抑制できる。

（シェル及びケーブルクランプの構成）
次に、実施形態によるシェル５及びケーブルクランプ５１の構成を説明する。図１から図６を参照して、シェル５及びケーブルクランプ５１は、導電性を有する金属板からなり、所定の外形に加工された導電性を有する展開板を成形加工して、所望の形状のケーブルクランプ５１付きシェル５を得ることが好ましい。シェル５は、導電性を有する展開板を折り曲げ加工して、円筒部５２と一対の延在片５３・５３を成形することが好ましい。

図１から図３を参照すると、ケーブルクランプ５１は、一対の第１クリンプバレル５１ｃ・５１ｃ、一対の第２クリンプバレル５１ｂ・５１ｂ、及び、一対のインシュレーショングリップ５１ｉ・５１ｉを含んでいる。ケーブルクランプ５１は、一対の第１クリンプバレル５１ｃ・５１ｃ、一対の第２クリンプバレル５１ｂ・５１ｂ、及び、一対のインシュレーショングリップ５１ｉ・５１ｉを開口した状態で、折り曲げ成形しておくことが好ましい。

図１から図６を参照すると、一対の第１クリンプバレル５１ｃ・５１ｃは、一対の延在片５３・５３を介して、方形部３３を圧着できる（図４又は図５参照）。これにより、底板片５１１がリッドハウジング３１と連動して、シェル５の他方の面を閉止した状態を維持できる。一対の第２クリンプバレル５１ｂ・５１ｂは、外部導体Ｗｂを圧着できる。

図１から図３を参照すると、一対のインシュレーショングリップ５１ｉ・５１ｉは、絶縁シースＷｉを圧着できる。そして、一対のインシュレーショングリップ５１ｉ・５１ｉは、同軸ケーブルＣｂの端末に同軸コネクタ１０を固定できる。

（相手側コネクタの構成）
次に、実施形態による同軸コネクタ１０が接続されるリセプタクル（相手側コネクタ）の構成を説明する。図４から図６を参照すると、実施形態によるリセプタクル２０は、プリント基板９ｐに表面実装されている。リセプタクル２０は、円柱状の中心コンタクト２、円筒状の外部コンタクト４、及び、誘電体からなるハウジング６を備えている。

図６（Ｂ）を参照すると、中心コンタクト２は、その基端部の底面をプリント基板９ｐの信号パターンＰｓにハンダ接合できる（図５（Ａ）参照）。

図５（Ａ）を参照すると、外部コンタクト４は、円筒部４ｒと複数の鍔部４ｆで構成している。円筒部４ｒは、上面を開口している。又、円筒部４ｒは、中心コンタクト２を囲うように、中心コンタクト２を同軸上に内部に配置している。鍔部４ｆは、円筒部４ｒの底壁から二方向に帯状に延びている。複数の鍔部４ｆは、その底面をプリント基板９ｐのグラウンドパターンＰｇにハンダ接合できる。

図５（Ａ）を参照すると、ハウジング６は、矩形の板状に形成している。ハウジング６は、中心コンタクト２及び外部コンタクト４を一体成形することで、中心コンタクト２と外部コンタクト４を固定している。円筒部４ｒの内部では、中心コンタクト２と外部コンタクト４を電気的に絶縁するように、ハウジング６で充実している。

図４又は図６を参照して、同軸コネクタ１０をリセプタクル２０に接続すると、同軸ケーブルＣｂに内在する中心導体Ｗｃを中心コンタクト２に接続でき、同軸ケーブルＣｂに内在する外部導体Ｗｂを外部コンタクト４に接続できる。そして、同軸ケーブルＣｂから高周波信号をプリント基板９ｐに伝送でき、プリント基板９ｐから高周波信号を同軸ケーブルＣｂに伝送できる。

［同軸コネクタの作用］
次に、実施形態による同軸コネクタ１０の組立順序を説明しながら、実施形態による同軸コネクタ１０の作用及び効果を説明する。

同軸コネクタ１０の組立に当たり、予め、同軸ケーブルＣｂを端末処理しておくことが好ましい。図２を参照して、同軸ケーブルＣｂの端面から外部導体Ｗｂを所定の長さで剥離しておくことが好ましい。又、図２を参照して、同軸ケーブルＣｂの端面から絶縁シースＷｉを所定の長さで剥離しておくことが好ましい。

最初に、図２を参照して、コンタクト１をハウジング３に挿入しておく。又、短絡板７をハウジング３に挿入しておく。次に、図３を参照して、コンタクト１及び短絡板７付きハウジング３をシェル５の一方の面からシェル５に挿入する（図１又は図３参照）。これにより、シェル５は、コンタクト１及び短絡板７付きハウジング３を保持できる。

次に、図３を参照して、同軸ケーブルＣｂの端末を第１収容室３２１及び第２収容室３３１に導入する（図１又は図３参照）。次に、図１又は図３に示すように、シェル５の円筒部５２に対して、ケーブルクランプ５１が起立した状態から、シェル５の他方の面に向って、ケーブルクランプ５１を屈曲する（図４又は図５参照）。

次に、図４又は図５を参照して、ケーブルクランプ５１の底板片５１１がシェル５の他方の面を閉鎖した状態では、リッドハウジング３１の突条部３１ｔが誘電体Ｄｉを圧接片１１に向かって押圧することで、同軸ケーブルＣｂの中心導体Ｗｃを切り欠き溝１１ｄに導入できる（図２参照）。これにより、コンタクト１と同軸ケーブルＣｂの中心導体Ｗｃを電気的に接続できる。

又、図４又は図５を参照して、ケーブルクランプ５１の底板片５１１がシェル５の他方の面を閉鎖した状態では、底板片５１１が短絡板７のスロット７ｓに向かって外部導体Ｗｂを押圧することで（図２参照）、短絡板７と同軸ケーブルＣｂの外部導体Ｗｂを電気的に接続できる。

次に、図１から図３を参照して、一対の延在片５３・５３を介して、一対の第１クリンプバレル５１ｃ・５１ｃを方形部３３に圧着することで、コンタクト１と中心導体Ｗｃが接続した状態、及び、短絡板７と外部導体Ｗｂが接続した状態を保持できる。

又、図１から図３を参照して、一対のインシュレーショングリップ５１ｉ・５１ｉを同軸ケーブルＣｂの端末に圧着することで、同軸ケーブルＣｂの端末に同軸コネクタ１０を固定できる。又、一対の第２クリンプバレル５１ｂ・５１ｂを外部導体Ｗｂに圧着することで、シェル５と外部導体Ｗｂを電気的に接続できる。そして、一連の組立作業を終了する。なお、インシュレーショングリップ５１ｉと第２クリンプバレル５１ｂは、工具又は冶具の工夫により、同時に圧着することもできる。

図９（Ａ）と図６（Ａ）を対比すると、外部導体とシェルを短絡する短絡板７を有さない従来技術による同軸コネクタ９に対して、同軸コネクタ１０は、外部導体Ｗｂとシェル５を短絡する短絡板７をコンタクト１の近傍に配置しているので、グラウンドの伝送線路Ｌｇを信号の伝送線路Ｌｓ（図９（Ｂ）参照）に略並走できる。これにより、実施形態による同軸コネクタ１０は、高周波帯域での高周波性能を向上できる。

例えば、短絡板７を有する実施形態による同軸コネクタ１０は、そのＶＳＷＲが「３０」Ｇｈｚ帯域まで、約「１．５」以下で安定しているのに対し、短絡板７を有さない従来技術による同軸コネクタ９は、そのＶＳＷＲが「２０」Ｇｈｚ帯域まで、約「１．５」以下で安定しているが、「２５」Ｇｈｚ帯域をピークに約「４．５」に上昇し、「３０」Ｇｈｚ帯域に向かって下降する高周波性能を確認できた。

実施形態による同軸コネクタ１０は、外部導体Ｗｂとシェル５の円筒部５２の内壁に当接する短絡板７を開示したが、短絡板７にばねを設けて外部導体Ｗｂとシェル５の円筒部５２の内壁接触するように構成してもよい。

又、本発明による同軸コネクタは、外部導体Ｗｂとシェル５を短絡する短絡板７を用いない低周波帯域専用の同軸コネクタと、外部導体Ｗｂとシェル５を短絡する短絡板７を用いた高周波帯域専用の同軸コネクタに仕様を使い分けることもできる。

１ コンタクト
２ 中心コンタクト（相手側コンタクト）
３ ハウジング
５ シェル
７ 短絡板
７ｓ スロット
１０ 同軸コネクタ
１１ 圧接片
１２ 弾性片
３２ 円板部
３２ｈ 穴部
３３ 方形部
３３ｄ 溝部
５１ ケーブルクランプ
５２ 円筒部
５３・５３ 一対の延在片
３２１ 第１収容室
３３１ 第２収容室
５１１ 底板片
Ｃｂ 同軸ケーブル
Ｄｉ 誘電体
Ｗｂ 外部導体
Ｗｃ 中心導体
Ｗｉ 絶縁シース

Claims (3)

1. 中心導体、この中心導体を包囲する誘電体、この誘電体を覆う外部導体、及び、この外部導体を被覆する絶縁シースを有する同軸ケーブルの端末を結線する同軸コネクタであって、
   前記誘電体を外周方向から導入して前記中心導体と圧接接続により結線する圧接片を一端部側に有し、相手側コンタクトを外周方向から接触自在な弾性片を他端部側に有するコンタクトと、
   相手側コンタクトを導入自在な穴部を一方の面に開口し、前記コンタクトを前記穴部の内部に配置した第１収容室を有する円板部、及び、この円板部から一部が外周方向に突出した方形部を有し、前記第１収容室に連通すると共に、前記外部導体を外周方向から導入自在な溝部を底部に形成した第２収容室を他方の面に開口した前円後方形状のハウジングと、
   前記コンタクトを前記円板部に収容した方向と同じ方向から、一方の面に向って前記円板部を収容自在な円筒部、及び、この円筒部の外周の一部が連続して略平行に延び、前記方形部を内部に収容自在な一対の延在片を有する導電性のシェルと、
   前記外部導体を外周方向から導入自在なスロットを切り欠き、前記穴部の近傍に前記穴部が貫通する方向と同じ方向から前記ハウジングの内部に取り付けた導電性の短絡板と、を備え、
   前記シェルは、一端部を前記円筒部の一部と屈曲自在に連結し、他端部側が少なくとも前記円筒部の他方の面を閉止できる底板片を有するケーブルクランプを有し、
   前記ケーブルクランプの底板片が前記ハウジングの第１収容室を閉止した状態では、前記短絡板は、前記外部導体と電気的に接続していると共に、前記円筒部の内壁に接触している、同軸コネクタ。
2. 前記ハウジングは、一端部を前記円板部の一部と屈曲自在に連結し、他端部側が前記ケーブルクランプと連動して、前記第１収容室を閉止できる帯板状のリッドハウジングを更に有し、
   前記リッドハウジングは、一方の面から突出した突条部を有し、
   前記リッドハウジングが前記ハウジングの第１収容室を閉止した状態では、前記突条部は、前記誘電体を前記圧接片に向かって押圧している、請求項１記載の同軸コネクタ。
3. 前記ケーブルクランプは、
   一対の前記延在片を介して、前記方形部を圧着自在な一対の第１クリンプバレルと、
   前記外部導体を圧着自在な一対の第２クリンプバレルと、
   前記絶縁シースを圧着自在な一対のインシュレーショングリップと、を含んでいる、請求項１又は２記載の同軸コネクタ。

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