JP2020181871A - Substrate holding apparatus, lithography apparatus, and manufacturing method of article - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate holding device, a lithography device, and a method for manufacturing an article.
近年における半導体デバイスや液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウェハやガラスプレートなどの基板上に複数の層を堆積させたり、基板に対してストレスの強い膜や比較的厚い膜を形成したりすることがある。このような場合、基板に凹状の反りが生じうるため、リソグラフィ装置で基板上にパターンを形成する工程等において、基板保持装置(基板ステージ)に基板を正常に保持させることが困難になりうる。特許文献1には、チャック表面にウェハ吸着用の吸気溝と空気排出用の排気溝とを一定間隔で平行する渦巻状に形成し、排気溝の外周端を本体外縁に開口させることで、ウェハの適正な吸着と平面精度を向上させるウェハチャックプレートが開示されている。
In recent years, in the manufacturing process of semiconductor devices and liquid crystal display devices, a plurality of layers are deposited on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass plate, or a stressful film or a relatively thick film is formed on the substrate. Sometimes. In such a case, since the substrate may be warped in a concave shape, it may be difficult for the substrate holding device (board stage) to normally hold the board in a step of forming a pattern on the board by a lithography device. In
例えば凹状の反りが生じた基板は、外周部に向かうほど矯正しにくくなる。そのため、当該基板を基板保持装置で効率的に保持するには、基板の外周部に向かうほど、基板を吸引する力(吸引力)を大きくすることが好ましい。 For example, a substrate having a concave warp becomes more difficult to correct toward the outer peripheral portion. Therefore, in order to efficiently hold the substrate by the substrate holding device, it is preferable that the force for attracting the substrate (suction force) increases toward the outer peripheral portion of the substrate.
そこで、本発明は、反りが生じた基板を効率的に保持するために有利な技術を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide an advantageous technique for efficiently holding a warped substrate.
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての基板保持装置は、基板を保持する基板保持装置であって、保持された前記基板に対向する対向面に排気孔を有するベースと、前記ベースから突出して前記基板を支持する支持部材と、を含み、前記支持部材は、前記対向面の中心部の周りを少なくとも3周した一続きの渦巻形状を有し、前記中心部から外側に向かう方向において、n周目部分(nは自然数)とn+1周目部分との間隔より、前記n+1周目部分とn+2周目部分との間隔の方が狭くなるように構成されている、ことを特徴とする。 In order to achieve the above object, the substrate holding device as one aspect of the present invention is a substrate holding device that holds the substrate, and has a base having an exhaust hole on the facing surface facing the substrate and the above. The support member includes a support member protruding from the base and supporting the substrate, and the support member has a continuous spiral shape that circulates at least three times around the center portion of the facing surface, and extends outward from the center portion. In the direction, the distance between the n + 1 lap portion and the n + 2 lap portion is narrower than the distance between the n lap portion (n is a natural number) and the n + 1 lap portion. And.
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects or other aspects of the invention will be manifested in the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
本発明によれば、例えば、反りが生じた基板を効率的に保持するために有利な技術を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an advantageous technique for efficiently holding a warped substrate.
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments do not limit the invention according to the claims. Although a plurality of features are described in the embodiment, not all of the plurality of features are essential to the invention, and the plurality of features may be arbitrarily combined. Further, in the attached drawings, the same or similar configurations are designated by the same reference numbers, and duplicate description is omitted.
<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態の基板保持装置10aの構成について説明する。基板保持装置10aは、半導体ウェハやガラスプレートなどの基板Wを保持するための装置であり、例えば、ベース11と、隔壁部材12と、支持部材13とを含みうる。本実施形態では、半導体ウェハなどの円形の基板Wを保持する基板保持装置10aの構成例について説明する。図1は、本実施形態の基板保持装置10aを上方(+Z方向側)から見た図であり、図2は、図1に示す基板保持装置10aのA−A断面図である。また、各図では、水平面において互いに直交する方向をX方向およびY方向とし、鉛直方向をZ方向とする。
<First Embodiment>
The configuration of the
ベース11は、基板保持装置10aにより基板Wが正常に保持されたときに当該基板Wに対向する対向面(+Z方向側の面)を有し、当該対向面に排気孔11aを有する。排気孔11aは、図2に示すように、真空ポンプなどの排気装置30と連通しており、排気装置30を制御して排気孔11aから気体を排出することにより、ベース11の上に配置された基板Wをチャック(吸引)することができる。本実施形態の場合、図1に示すように、ベース11には、図1に示すように、基板Wの中心部が配置される位置に複数(3個)の排気孔11aが設けられている。なお、排気孔11aの数は3個に限られるものではなく、1〜2個または4個以上であってもよい。
The
隔壁部材12は、基板Wの外周部を支持するように、ベース1から+Z方向に突出した部材である。隔壁部材12は、基板保持装置10aにより基板Wが正常に保持されたときに基板Wとベース11との間に密閉空間が形成されるように、基板Wの外周部に沿った形状(本実施形態ではリング状)に構成されうる。
The
支持部材13は、隔壁部材12の内側において基板Wを支持するように、ベース11から+Z方向に突出した部材である。支持部材13は、図1に示すように、ベース上において、ベース11の対向面の中心部の周りを少なくとも3周した一続き(連続した)渦巻形状を有する。本実施形態の場合、排気孔11aを含む領域11b(以下では、「中央領域11b」と呼ぶことがある)を中心として少なくとも3周した一続きの渦巻形状を有する。そして、支持部材13の一方の端部は複数の排気孔11aの間(具体的には、ベース11の対向面の重心、隔壁部材12の重心)に位置し、支持部材13の他方の端部は隔壁部材12に接続される。このように支持部材13を渦巻形状に構成することで、排気孔11aから排出される気体の流路15が渦巻形状に構成されるため、基板Wを、その中心部から外周部に向かって徐々に保持(吸引)することができる。
The
また、基板保持装置10aは、保持後の基板Wの撓みを低減するため、図1に示すように、隔壁部材12の内側(例えば、支持部材13の間)におけるベース11上に、複数のピン形状や細長いリブ形状で構成された第2支持部材14を有してもよい。図1に示す例では、図を分かり易くするため、複数のピン形状で構成された第2支持部材14が、隔壁部材12の内側の一部にだけ設けられているが、第2支持部材14は隔壁部材12の内側の全体に対して設けられうる。
Further, in order to reduce the deflection of the substrate W after holding, the
このように渦巻形状に構成された支持部材13を有する基板保持装置10aでは、複数の層が堆積されたり比較的厚い膜が形成されたりして凹状の反りが生じた基板Wを、当該反りを矯正しながら保持することができる。例えば、凹状の反りが生じた基板Wは、基板保持装置10aに搬送された直後では、基板Wの中心部は支持部材13に接触しているが、基板Wの外周部は支持部材13に対して浮いた(離間した)状態である。この状態で排気装置30を制御し、排気孔11aにより基板Wとベース11との間の排気を開始すると、まず基板Wの中心部が保持(吸引)され、それから、支持部材13により渦巻形状に構成された流路15に沿って基板Wが徐々に保持(吸引)されていく。このように、基板保持装置10aは、渦巻形状に構成された流路15に沿って、基板Wの中心部から外周部に向かって徐々に吸引し、基板Wの反りを矯正しながら保持することができる。
In the
また、凹状の反りが生じている基板Wは、外周部に向かうほど矯正しにくくなる。そのため、基板保持装置10aにより基板Wの反りを矯正しながら基板Wを効率的に保持するためには、基板Wの外周部に向かうほど、基板Wを吸引する力(吸引力)を大きくすることが好ましい。吸引力を大きくする方法としては、例えば、排気装置30を増設したり排気装置30の排気量を増加させたりする方法が挙げられるが、これらの方法では装置が複雑化して大掛かりになりうる。
Further, the substrate W in which the concave warp is generated becomes more difficult to correct toward the outer peripheral portion. Therefore, in order to efficiently hold the substrate W while correcting the warp of the substrate W by the
そこで、本実施形態の基板保持装置10aでは、支持部材13は、図2に示すように、n周目部分とn+1周目部分との間隔(流路幅wn)より、n+1周目部分とn+2周目部分との間隔(流路幅wn+1)の方が狭くなるように構成されている。例えば、支持部材13は、n周目部分とn+1周目部分との間隔が外側に向かうにつれて狭くなるように構成されている。なお、「n」は、渦巻形状に構成された支持部材13の周回数を示しており、1以上の自然数である。このように構成された基板保持装置10aでは、凹状の反りが生じた基板Wを保持する際に、基板Wの外周部に向かうほど基板Wの吸引力を大きくすることができるため、基板Wの反りを矯正しながら基板Wを効率的に保持することができる。
Therefore, the
例えば、支持部材13は、n+1周目部分とn+2周目部分との間隔(流路幅wn+1)が、n周目部分とn+1周目部分との間隔(流路幅wn)に対して60〜95%の範囲内になるように構成されるとよい。より好ましくは、支持部材13は、n+1周目部分とn+2周目部分との間隔(流路幅wn+1)が、n周目部分とn+1周目部分との間隔(流路幅wn)に対して75〜85%の範囲内になる箇所を含むように構成されるとよい。
For example, in the
[基板Wの平面矯正の原理]
本実施形態の基板保持装置10aが基板Wを矯正しながら効率的に保持することができる原理について、リング形状の支持部材を有する従来の基板保持装置50と比較しながら説明する。
[Principle of plane correction of substrate W]
The principle that the
図3は、従来の基板保持装置50における基板Wの保持過程を示す図である。図3(a)は、従来の基板保持装置50を上方(+Z方向)から見た図であり、図3(b)〜(c)は、図3(a)に示す従来の基板保持装置50のB−B断面図である。従来の基板保持装置50は、図3(a)に示すように、例えば、ベース51と、基板Wの外周部を支持するリング状の隔壁部材52と、隔壁部材52の内側において基板Wを支持するリング状の複数の支持部材53とを有する。ベース51には、リング状の複数の支持部材53の間に排気孔51aが設けられている。
FIG. 3 is a diagram showing a holding process of the substrate W in the conventional
このように構成された従来の基板保持装置50では、凹状の反りを有する基板Wを、その中心部から外周部に向かって徐々に保持していく過程において、基板Wと基板保持装置50との隙間から気体が流入する。このような隙間の面積は、隙間の高さを「h」で規定すると、図3(b)に示すように半径r1の位置で基板Wを保持する場合には2π×r1×hとなる。また、図3(c)に示すように、半径r1より大きい半径r2の位置で基板Wを保持する場合には2π×r2×hとなる。この場合では、図3(b)のときより基板Wの保持位置での円周が大きくなることで隙間の面積が増えるため、その分、気体の流速が低下し、それに伴い基板Wの吸引力も低下しうる。つまり、基板Wの保持位置が基板Wの外周部に向かうほど、基板Wを矯正して保持することが困難になりうる。
In the conventional
一方、渦巻形状の支持部材13を有する本実施形態の基板保持装置10aでは、凹状の反りを有する基板Wを、その中心部から外周部に向かって徐々に保持していく過程において、ベース11と支持部材13と基板Wとで規定される流路15から気体が流入する。つまり、気体が流入する隙間の面積は、基板Wを保持する位置の半径に依存せずに、支持部材13のn周目部分とn+1周目部分との間隔(流路幅Wn)に依存することとなる。例えば、図4の一点鎖線で示す位置Pで基板Wの保持を行う場合、気体が流入する隙間の面積は(rn+1−rn)×hとなる。「rn」はn周目部分の半径を示し、「rn+1」はn+1周目部分の半径を示している。
On the other hand, in the
本実施形態の場合、支持部材13におけるn周目部分とn+1周目部分との間隔(流路幅Wn)は、外側に向かうにつれて狭くなっている。即ち、基板Wの保持位置が基板Wの外周部に向かうほど、n周目部分とn+1周目部分とで規定される流路15の断面積が小さくなる。そのため、基板Wの保持位置が基板Wの外周部に向かうほど、気体の流速を増加させ、それに伴い基板Wの吸引力も増加させることができる。これにより、凹状の反りが著しく生じている基板Wであっても、基板Wを矯正しながら外周部まで効率的に且つ確実に保持することができる。
In the case of the present embodiment, the distance (flow path width W n ) between the nth peripheral portion and the n + 1th peripheral portion of the
[支持部材の構成例]
次に、渦巻形状を有する支持部材13の具体的な構成例について説明する。
支持部材13の渦巻形状は、例えば渦巻曲線(螺旋曲線)によって表されうる。渦巻曲線は、図4に示すように、隔壁部材12の重心を原点とした極座標系におけるn周目部分までのベクトル長(半径ベクトル長)をrn、半径ベクトルの回転角をθとした場合、rn=a×θbの式で表される。この式において、定数aは、支持部材13の1周目部分の寸法(例えば、径の大きさ)を規定するための値である。また、定数bは、回転角θに対するn周目部分とn+1周目部分との間隔(流路幅Wn)の減少率を規定するための定数である。定数bは、0より大きく1より小さい場合(0<b<1)には、外側に向かうほど流路幅Wnが狭まり、1に等しい場合(b=1)には、半径方向において一定の流路幅Wnとなり、1より大きい場合(b>1)には、外側に向かうほど流路幅Wnが広がる。本実施形態の支持部材13は、外側に向かうにつれて流路幅Wnが狭くなるように構成されるため、定数bは、0<b<1を満たすように設定されうる。定数aおよび定数bは、任意に設定可能であるが、保持対象となる基板Wの反りの形状、反りの量、基板Wの大きさ、排気孔11aからの排気量に応じて適宜設定されうる。
[Structure example of support member]
Next, a specific configuration example of the
The spiral shape of the
例えば、a=25、b=0.5とした場合、支持部材13における渦巻形状の周回数は、図5に示すように5周となり、支持部材13におけるn周目部分とn+1周目部分と間隔(流路幅Wn)は、図6に示すように、外側に向かうほど減少する。ここで、図6に示す例では、半径ベクトル長rnが62.9[mm]以下となる範囲では流路幅Wnが単調増加しているが、これは、62.9[mm]までは1周目部分であり、その値から2周目部分が開始することを示している。本実施形態の支持部材13は、n周目部分とn+1周目部分との間隔(流路幅Wn)が外側に向かうにつれて狭くなる構成であり、「n」は1以上の自然数である。つまり、本実施形態の支持部材13では、2周目部分が開始して、1周目部分と2周目部分との間に流路15が形成される回転角θから、即ち、半径ベクトル長rn=62.9[mm]以降において流路幅Wnが徐々に減少するように構成される。
For example, when a = 25 and b = 0.5, the number of laps of the spiral shape in the
一方、基板Wの反りの形状は、半導体製造工程で成膜・熱処理を行う過程において、一般的に放物面形状となる。放物面形状は、中心を通る平面状のある一軸で断面を切った場合に、高さz、半径r、反り形状の曲率をcとした場合、z=c×r2の式で表される。この場合、このような反り形状を有する基板Wは、基板保持装置10a(支持部材13)の上に配置しただけの状態では、図7に示すように、基板Wの外周部に向かうほど基板保持装置10aと基板Wとの隙間が大きくなる。つまり、基板Wを矯正することができる負圧を当該隙間に形成することが基板Wの外周部に向かうほど困難になり、基板Wの矯正を行いにくくなる。
On the other hand, the warped shape of the substrate W is generally a parabolic shape in the process of film formation and heat treatment in the semiconductor manufacturing process. The paraboloidal shape is expressed by the equation z = c × r 2 when the cross section is cut along a flat axis passing through the center and the height z, radius r, and curvature of the warped shape are c. To. In this case, when the substrate W having such a warped shape is simply arranged on the
このような反り形状を有する基板Wを矯正しながら保持する場合、基板Wの外周部に向かうほど、基板Wの吸引力を大きくすることが好ましい。しかしながら、排気装置30の排気量に制限があり、排気装置30を増設することは装置の複雑化や装置コストの増加を招いてしまう。そのため、本実施形態の基板保持装置10aでは、排気装置30の排気量に制限がある中で吸引力を増加させるため、基板Wの外周部に向かうにつれて流路幅Wnを狭めていくことにより、基板Wと基板保持装置10との間における気体の流速を増加させている。
When the substrate W having such a warped shape is held while being corrected, it is preferable that the suction force of the substrate W is increased toward the outer peripheral portion of the substrate W. However, the exhaust amount of the
基板Wと基板保持装置10aとの隙間は、図7に示すように、基板Wの外周部に向かうほど半径ベクトル長rnの二乗(r2)で広くなるため、当該隙間における気体の流速が1/r2に低下し、吸引力が1/r4に低下する。したがって、基板Wの外周部に向かっても吸引力を維持させるためには、流路幅を1/r2以上の比率で減少させることが好ましい。これにより、外周部に向かうほど低下する基板Wの吸引力を補償し(即ち、吸引力を維持させ)、基板Wを矯正しながら効率よく保持することができる。具体的には、流路幅Wnを、Wn=(rn+1−rn)と規定した場合、基板Wの吸引力を維持させるためには、Wn/(rn/k)2≦(a×(θ+2π)b−a×θb)の条件を満たす必要がある。上記の式において、「rn」は、n周目部分の半径ベクトル長を示し、「rn+1」は、n+1周目部分の半径ベクトル長を示している。また、「k」は、支持部材13の1周目部分の寸法(例えば半径ベクトル長)を示している。例えば、a=25、b=0.5とした場合、基板Wの吸引力を維持させるために必要な流路幅Wnは、図8に示すようになる。
The gap between the substrate W and the
上述したように、本実施形態の基板保持装置10aは、渦巻形状を有する支持部材13を有しており、支持部材13におけるn周目部分とn+1周目部分との間隔(流路幅Wn)が外側に向かうにつれて狭くなるように構成されている。これにより、凹状の反りが生じている基板Wであっても、基板Wの外周部に向かうにつれて吸引力を増加させ、当該基板Wを矯正しながら効率的に保持することができる。
As described above, the
<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態の基板保持装置10bについて説明する。本実施形態の基板保持装置10bは、第1実施形態の基板保持装置10aの構成を基本的に引き継ぐものであるが、隔壁部材12および支持部材13の形状が異なる。具体的には、第1実施形態の基板保持装置10aは、例えば半導体ウェハなどの円形の基板Wを保持するために円形状に構成されているが、本実施形態の基板保持装置10bは、例えばガラスプレートなどの矩形の基板Wを保持するために矩形状に構成されている。
<Second Embodiment>
The
図9は、本実施形態の基板保持装置10bを上方(+Z方向)から見た図である。図9に示すように、本実施形態の基板保持装置10bでは、隔壁部材12および支持部材13が矩形状に構成されている。この場合においても、第1実施形態と同様に、凹状の反りが生じている基板Wであっても、基板Wの外周部に向かうにつれて吸引力を増加させ、当該基板Wを矯正しながら効率的に保持することができる。
FIG. 9 is a view of the
<第3実施形態>
本発明に係る第3実施形態について説明する。本実施形態では、上記の基板保持装置をリソグラフィ装置に適用した例について説明する。リソグラフィ装置としては、例えば、基板を露光する露光装置、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置(インプリント装置、平坦化装置)、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを形成する描画装置などが挙げられる。以下では、上記の基板保持装置を露光装置に適用する例について説明する。
<Third Embodiment>
A third embodiment according to the present invention will be described. In this embodiment, an example in which the above-mentioned substrate holding device is applied to a lithography device will be described. Examples of the lithography apparatus include an exposure apparatus that exposes a substrate, a molding apparatus (imprinting apparatus, flattening apparatus) that forms a composition on a substrate using a mold, and a pattern formed on a substrate using a charged particle beam. For example, a drawing device for drawing. An example of applying the above-mentioned substrate holding device to an exposure device will be described below.
図10は、露光装置100の構成を示す概略図である。露光装置100は、例えば、照明光学系101と、マスクステージ102と、投影光学系103と、基板ステージ104と、制御部105とを含みうる。制御部105は、例えばCPUやメモリ等を有するコンピュータによって構成され、露光装置100の各部を制御する(基板Wの露光処理を制御する)。また、制御部105は、上述した排気装置30を制御するように構成されうる。
FIG. 10 is a schematic view showing the configuration of the
照明光学系101は、光源(不図示)から射出された照明光でマスクM(原版)の一部を照明する。照明光としては、例えば、i線(波長365nm)やg線(波長436nm)、KrF光(波長248nm)、ArF光(波長193nm)などが用いられうる。マスクステージ102は、マスクMを保持してXY方向に移動可能に構成される。投影光学系103は、マスクMに形成されたパターンのうち、照明光学系101によって照明された一部の像を基板Wに投影する。基板ステージ104は、基板Wを保持してXY方向に移動可能に構成される。基板ステージ104は、例えば、基板を保持する基板チャック104aと、基板チャック104a(基板W)をXY方向に駆動する基板駆動部104bとを含む。上述した第1実施形態の基板保持装置10aまたは第2実施形態の基板保持装置10bは、基板チャック104aとして適用されうる。
The illumination
マスクステージ102の位置は、第1計測部106によって計測される。第1計測部106は、例えばレーザ干渉計を含み、マスクステージ102に設けられたミラー107に光(レーザ光)を照射し、ミラー107からの反射光によってマスクステージ102の位置を計測する。また、基板ステージ104の位置は、第2計測部108によって計測される。第2計測部108は、例えばレーザ干渉計を含み、基板ステージ104に設けられたミラー109に光(レーザ光)を照射し、ミラー109からの反射光によって基板ステージ104の位置を計測する。
The position of the
マスクステージ102により保持されたマスクMと基板ステージにより保持された基板Wとは、投影光学系103を介して光学的に共役な位置(投影光学系103の物体面および像面)にそれぞれ配置される。制御部105は、第1計測部106および第2計測部108の計測結果に基づいて、マスクステージ102と基板ステージ104とを投影光学系103の投影倍率に応じた速度比で相対的に同期走査する。これにより、マスクMのパターンを基板上に転写することができる。
The mask M held by the
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置(露光装置)を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、形成工程でパターンが形成された基板を加工する加工工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment of manufacturing method of article>
The method for manufacturing an article according to the embodiment of the present invention is suitable for producing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The method for manufacturing an article of the present embodiment includes a forming step of forming a pattern on a substrate using the above-mentioned lithography apparatus (exposure apparatus) on a photosensitive agent applied to the substrate, and a substrate on which the pattern is formed in the forming step. Includes processing steps to be processed. Further, such a manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, flattening, etching, resist peeling, dicing, bonding, packaging, etc.). The method for producing an article of the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, a claim is attached to make the scope of the invention public.
10a、10b:基板保持装置、11:ベース、11a:排気孔、12:隔壁部材、13:支持部材、14:第2支持部材、15:流路 10a, 10b: Substrate holding device, 11: Base, 11a: Exhaust hole, 12: Partition member, 13: Support member, 14: Second support member, 15: Flow path
Claims (12)
保持された前記基板に対向する対向面に排気孔を有するベースと、
前記ベースから突出して前記基板を支持する支持部材と、
を含み、
前記支持部材は、前記対向面の中心部の周りを少なくとも3周した一続きの渦巻形状を有し、前記中心部から外側に向かう方向において、n周目部分(nは自然数)とn+1周目部分との間隔より、前記n+1周目部分とn+2周目部分との間隔の方が狭くなるように構成されている、ことを特徴とする基板保持装置。 A board holding device that holds a board
A base having an exhaust hole on the holding surface facing the substrate,
A support member that protrudes from the base and supports the substrate,
Including
The support member has a continuous spiral shape that circulates at least three times around the central portion of the facing surface, and in the direction from the central portion to the outside, the nth lap portion (n is a natural number) and the n + 1th lap. A substrate holding device characterized in that the distance between the n + 1th lap portion and the n + 2nd lap portion is narrower than the distance between the portions.
前記支持部材の一方の端部は、複数の前記排気孔の間に位置している、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板保持装置。 The base has a plurality of the exhaust holes.
The substrate holding device according to any one of claims 1 to 3, wherein one end of the support member is located between the plurality of exhaust holes.
前記支持部材の他方の端部は、前記隔壁部材に接続されている、ことを特徴とする請求項4に記載の基板保持装置。 It has a partition wall member that is arranged outside the support member and projects from the base to support the outer peripheral portion of the substrate.
The substrate holding device according to claim 4, wherein the other end of the support member is connected to the partition wall member.
定数aは、前記支持部材の1周目部分の寸法を規定するための値であり、
定数bは、回転角θに対する前記n周目部分と前記n+1周目部分との間隔の減少率を規定するための値であり、0より大きく1より小さい値に設定される、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板保持装置。 When the vector to the n peripheral portion in the polar coordinate system whose origin is a center of gravity of the opposing surfaces and r n, the rotation angle of the vector theta, spiral shape of the support member, r n = a × θ b Configured to meet
The constant a is a value for defining the size of the first peripheral portion of the support member.
The constant b is a value for defining the reduction rate of the interval between the nth lap portion and the n + 1th lap portion with respect to the rotation angle θ, and is set to a value larger than 0 and smaller than 1. The substrate holding device according to any one of claims 1 to 7.
wn/(rn/k)2≦(a×(θ+2π)b−a×θb)/(a×θb/k)2
を満たすように構成されている、ことを特徴とする請求項9に記載の基板保持装置。 When the distance between the nth lap portion and the n + 1th lap portion is w n and the dimension of the first lap portion of the support member is k, the support member is
w n / (r n / k ) 2 ≦ (a × (θ + 2π) b -a × θ b) / (a × θ b / k) 2
The substrate holding device according to claim 9, wherein the substrate holding device is configured to satisfy the above conditions.
前記基板を保持する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の基板保持装置を含む、ことを特徴とするリソグラフィ装置。 A lithography system that forms a pattern on a substrate.
A lithography apparatus comprising the substrate holding apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the substrate is held.
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 A forming step of forming a pattern on a substrate by using the lithography apparatus according to claim 11.
Including a processing step of processing the substrate on which a pattern is formed in the forming step.
A method for producing an article, which comprises producing an article from the substrate processed in the processing step.
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