JP2020174143A - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 鏡筒
4 電子銃
6 照明レンズ
8 成形アパーチャアレイ部材
10 ブランキングアパーチャアレイ部材
12 縮小レンズ
14 制限アパーチャ部材
15 対物レンズ
16 コイル
17 主偏向器
20 描画室
22 XYステージ
40 検査アパーチャ
50 電流検出器
100 制御部
110 制御計算機
Claims (5)
- 複数の開口が形成され、前記複数の開口を荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイ部材と、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える複数のブランカが配置されたブランキングアパーチャアレイ部材と、
前記マルチビームが照射される基板を載置するステージと、
前記マルチビームの各ビームのビーム電流、又は前記ステージに設けられた反射マークから反射する荷電粒子の強度に基づいて、前記マルチビームの第1ビーム形状を測定する測定部と、
前記測定部が測定した前記第1ビーム形状に基づいて、前記マルチビームの縮小率及び回転角の調整量を算出する調整部と、
前記調整量に基づくビーム形状と前記第1ビーム形状との差分に基づいて、前記マルチビームの各ビームの位置ずれ量を求め、前記位置ずれ量を規定した第1補正マップを作成する補正マップ作成部と、
描画する図形パターンの情報が定義された描画データを変換し、前記マルチビームの各ビームの照射量を定義したショットデータを生成し、前記第1補正マップに基づいて前記ショットデータに定義された各ビームの照射量を補正する描画データ処理部と、
前記調整量に基づいて前記マルチビームの縮小率及び回転角を制御する制御部と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記調整量の条件を変えて複数の第1補正マップを作成し、
前記複数の第1補正マップのうち、照射量の補正量が最小となる第1補正マップに対応する調整量の条件を選択することを特徴とする請求項1に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記調整量に基づいて前記マルチビームの縮小率及び回転角を調整し、前記第1補正マップに基づいてマルチビームの各ビームの照射量を補正して前記基板に描画した評価パターンの描画結果から測定されたマルチビームの第2ビーム形状に基づいて、前記調整部が前記マルチビームの縮小率及び回転角を再調整し、
前記補正マップ作成部が、前記第2ビーム形状と、再調整した縮小率及び回転角に基づくビーム形状との差分を用いて前記マルチビームの各ビームの位置ずれ量を求め、この位置ずれ量を前記第1補正マップに加算して第2補正マップを作成し、
前記描画データ処理部が、前記第2補正マップに基づいて、前記ショットデータに定義された各ビームの照射量を補正することを特徴とする請求項1又は2に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 縮小率及び回転角の再調整量の条件を変えて複数の第2補正マップを作成し、
前記複数の第2補正マップのうち、前記描画データ処理部による照射量の補正量が最小となる第2補正マップに対応する再調整量の条件を選択することを特徴とする請求項3に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームを放出する工程と、
成形アパーチャアレイ部材の複数の開口を前記荷電粒子ビームが通過することにより、マルチビームを形成する工程と、
複数のブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える工程と、
前記マルチビームの各ビームのビーム電流、又は基板を載置するステージに設けられた反射マークから反射する荷電粒子の強度に基づいて、前記マルチビームのビーム形状を測定する工程と、
前記ビーム形状の測定結果に基づいて、前記マルチビームの縮小率及び回転角の調整量を算出する工程と、
前記調整量に基づくビーム形状と前記ビーム形状の測定結果との差分に基づいて、前記マルチビームの各ビームの位置ずれ量を求め、前記位置ずれ量を規定した補正マップを作成する工程と、
描画する図形パターンの情報が定義された描画データを変換し、前記マルチビームの各ビームの照射量を定義したショットデータを生成し、前記補正マップに基づいて前記ショットデータに定義された各ビームの照射量を補正する工程と、
前記調整量に基づいて前記マルチビームの縮小率及び回転角を制御する工程と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
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