JP2020170796A - Semiconductor module and manufacturing method thereof - Google Patents

Abstract

To provide a semiconductor module that is easy to be assembled, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: A semiconductor module includes a semiconductor element, a bus bar that is electrically connected to the semiconductor element, a substrate on which the semiconductor element is mounted, an upper case 50 with bottom and side surfaces, and a lower case 60 that has bottom and side surfaces and houses the semiconductor element, the bus bar, and the substrate in a housing portion R1 formed by being arranged so as to overlap with the upper case 50, and the bus bars 31 and 32 are inserted into through holes 57 and 67 provided on the side surfaces of the upper case 50 and the lower case 60 and project outward, and the end part 35 thereof is sealed with a resin 80.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor module and a method for manufacturing a semiconductor module.

半導体モジュールの構成として、ケース内に半導体素子を設け、半導体素子で発生する熱をケースから放熱するとともに電極をケースの外部に延出するようにした構造が知られている（例えば特許文献１）。 As a configuration of a semiconductor module, a structure is known in which a semiconductor element is provided in a case so that heat generated by the semiconductor element is radiated from the case and electrodes are extended to the outside of the case (for example, Patent Document 1). ..

特許第５６６３４６２号公報Japanese Patent No. 5663462

ところで、この種の半導体モジュールにおいて、電極構造はリードフレームタイプであり、トランスファモールドされた後にタイバーカットされケースに搭載される。タイバーカット後にケースを組み付けのため、電極付半導体素子とケース間はグリスや絶縁膜等の介在物が必要で熱抵抗が比較的高い。 By the way, in this type of semiconductor module, the electrode structure is a lead frame type, and after being transfer-molded, it is tie-bar cut and mounted on a case. Since the case is assembled after the tie bar cut, inclusions such as grease and insulating film are required between the semiconductor element with electrodes and the case, and the thermal resistance is relatively high.

上述したようなモジュール構造は、熱抵抗低減策として直冷（グリスや絶縁膜等の介在物がなく、基板をケースに直付け）構造をとることがある。この場合、ケースにリードフレームや半導体素子を接合する前に、タイバーカットが必要となり、タイバーを用いた支持・位置決めが出来ず、組み付け性が悪い。樹脂封止のための樹脂注入側開口からフレーム出しは出来るが、その他の部分からはフレーム出しが出来ず、電極のリードフレーム化が困難である。 As a measure to reduce thermal resistance, the module structure as described above may have a direct cooling structure (the substrate is directly attached to the case without inclusions such as grease and insulating film). In this case, a tie bar cut is required before joining the lead frame or the semiconductor element to the case, the support / positioning using the tie bar cannot be performed, and the assembling property is poor. Although the frame can be taken out from the resin injection side opening for resin sealing, the frame cannot be taken out from other parts, and it is difficult to make the electrode lead frame.

本発明の目的は、組み付け性に優れた半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor module having excellent assembling property and a method for manufacturing the semiconductor module.

上記課題を解決するための半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、前記半導体素子を搭載する基板と、底面と側面を有する上ケースと、底面と側面を有し、前記上ケースと重ねて配置されることにより形成された収容部に前記半導体素子、前記バスバー及び前記基板を収容する下ケースと、を備え、前記バスバーは、前記上ケース及び前記下ケースの側面に設けられた貫通孔に挿通されて外に突出し、その端部が樹脂で封止されていることを要旨とする。 A semiconductor module for solving the above problems includes a semiconductor element, a bus bar electrically connected to the semiconductor element, a substrate on which the semiconductor element is mounted, an upper case having a bottom surface and a side surface, and a bottom surface and a side surface. The semiconductor element, the bus bar, and the lower case for accommodating the substrate are provided in an accommodating portion formed by having the semiconductor element, the bus bar, and the substrate, and the bus bar is the upper case and the lower case. The gist is that the device is inserted through a through hole provided on the side surface of the device and protrudes outward, and the end portion thereof is sealed with a resin.

これによれば、バスバーは、上ケース及び下ケースの側面に設けられた貫通孔に挿通されて外に突出し、その端部が樹脂で封止されている。よって、ケースの貫通孔を通してリードフレーム状態のバスバーをケースに収容できるので組み付け性に優れたものとなる。 According to this, the bus bar is inserted into the through holes provided on the side surfaces of the upper case and the lower case and protrudes outward, and the end portion thereof is sealed with resin. Therefore, since the bus bar in the lead frame state can be accommodated in the case through the through hole of the case, the assembling property is excellent.

また、半導体モジュールは、半導体素子の上側にバスバー、基板、ケースが順に積層されているとともに半導体素子の下側にバスバー、基板、ケースが順に積層されているとよい。 Further, in the semiconductor module, it is preferable that the bus bar, the substrate, and the case are laminated in order on the upper side of the semiconductor element, and the bus bar, the substrate, and the case are laminated in order on the lower side of the semiconductor element.

また、半導体モジュールは、前記上ケース及び前記下ケースの側面に切欠きが形成されるとともに、前記切欠き内に前記貫通孔が配置され、前記切欠きが樹脂で埋まっているとよい。 Further, in the semiconductor module, it is preferable that notches are formed on the side surfaces of the upper case and the lower case, the through holes are arranged in the notches, and the notches are filled with resin.

また、半導体モジュールは、前記上ケースと前記下ケースとの間が樹脂でシールされているとよい。
上記課題を解決するための半導体モジュールの製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、前記半導体素子を搭載する基板と、底面と側面を有する上ケースと、底面と側面を有し、前記上ケースと重ねて配置されることにより形成された収容部に前記半導体素子、前記バスバー及び前記基板を収容する下ケースと、を備える半導体モジュールの製造方法であって、リードフレーム化したバスバーに半導体素子を搭載する第１工程と、前記上ケース及び前記下ケースの側面に設けられた貫通孔にリードフレーム化したバスバーを挿通して外に突出した状態で、前記上ケース及び前記下ケースを重ねて配置する第２工程と、リードフレーム化したバスバーにおける前記上ケース及び前記下ケースの側面から外に突出した部位をタイバーカットする第３工程と、タイバーカットした後のバスバーにおける露出部を樹脂で封止する第４工程と、を有することを要旨とする。 Further, in the semiconductor module, it is preferable that the upper case and the lower case are sealed with a resin.
A method for manufacturing a semiconductor module for solving the above problems is a semiconductor element, a bus bar electrically connected to the semiconductor element, a substrate on which the semiconductor element is mounted, an upper case having a bottom surface and side surfaces, and a bottom surface. A method for manufacturing a semiconductor module, which comprises a semiconductor element, a bus bar, and a lower case for accommodating the substrate in an accommodating portion formed by being arranged so as to overlap the upper case. In the first step of mounting a semiconductor element on a lead-framed bus bar, and in a state where the lead-framed bus bar is inserted into through holes provided on the side surfaces of the upper case and the lower case and protrudes outward, the upper case is described. A second step of arranging the case and the lower case in an overlapping manner, a third step of tie-bar-cutting a portion of the lead-framed bus bar protruding outward from the side surface of the upper case and the lower case, and a third step after the tie-bar cut. The gist is to have a fourth step of sealing the exposed portion of the bus bar with a resin.

これによれば、第１工程において、リードフレーム化したバスバーに半導体素子が搭載される。第２工程において、上ケース及び下ケースの側面に設けられた貫通孔にリードフレーム化したバスバーを挿通して外に突出した状態で、上ケース及び下ケースが重ねて配置される。第３工程において、リードフレーム化したバスバーにおける上ケース及び下ケースの側面から外に突出した部位がタイバーカットされる。第４工程において、タイバーカットした後のバスバーにおける露出部が樹脂で封止される。よって、組み付け性に優れたものとなる。 According to this, in the first step, the semiconductor element is mounted on the lead-framed bus bar. In the second step, the upper case and the lower case are arranged so as to be overlapped with each other in a state where the lead framed bus bar is inserted into the through holes provided on the side surfaces of the upper case and the lower case and protrudes outward. In the third step, the portions of the lead-framed bus bar protruding outward from the side surfaces of the upper case and the lower case are tie-bar cut. In the fourth step, the exposed portion of the bus bar after tie bar cutting is sealed with resin. Therefore, the assembling property is excellent.

本発明によれば、組み付け性に優れた半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor module having excellent assembling property and a method for manufacturing the semiconductor module.

実施形態における半導体モジュールの斜視図。The perspective view of the semiconductor module in an embodiment. 半導体モジュールの斜視図。Perspective view of the semiconductor module. （ａ）は半導体モジュールの正面図、（ｂ）は半導体モジュールの平面図。(A) is a front view of the semiconductor module, and (b) is a plan view of the semiconductor module. 図３（ｂ）のＡ−Ａ線での断面図。FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA. 図３（ｂ）のＢ−Ｂ線での断面図。FIG. 3 (b) is a cross-sectional view taken along the line BB. 半導体モジュールの製造工程を説明するための分解斜視図。An exploded perspective view for explaining a manufacturing process of a semiconductor module. 半導体モジュールの製造工程を説明するための斜視図。The perspective view for demonstrating the manufacturing process of a semiconductor module. 半導体モジュールの製造工程を説明するための斜視図。The perspective view for demonstrating the manufacturing process of a semiconductor module. （ａ）は半導体モジュールの製造工程を説明するための正面図、（ｂ）は平面図。(A) is a front view for explaining a manufacturing process of a semiconductor module, and (b) is a plan view. 図９（ｂ）のＣ−Ｃ線での断面図。FIG. 9 (b) is a cross-sectional view taken along the line CC. （ａ）は半導体モジュールの製造工程を説明するための正面図、（ｂ）は平面図。(A) is a front view for explaining a manufacturing process of a semiconductor module, and (b) is a plan view. 別例の半導体モジュールを説明するための平面図。The plan view for demonstrating another example semiconductor module.

以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図１１（ａ）、図１１（ｂ）に従って説明する。
なお、図面において、一平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、一平面（Ｘ−Ｙ平面）に直交する方向をＺ方向で規定している。 Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 11 (a) and 11 (b).
In the drawings, one plane is defined in the orthogonal X and Y directions, and the direction orthogonal to one plane (XY plane) is defined in the Z direction.

図１、図２、図３（ａ）、図３（ｂ）、図４に示すように、半導体モジュール１０は、半導体素子２０，２１と、半導体素子２０の主電源用取出電極（端子）としてのバスバー３０，３１と、半導体素子２１の主電源用取出電極（端子）としてのバスバー３２，３３と、半導体素子２０用の基板４０，４１と、半導体素子２１用の基板４２，４３と、上ケース５０と、下ケース６０と、半導体素子２０の制御用取出電極（端子）７０と、半導体素子２１の制御用取出電極（端子）７１を備えている。バスバー３０，３１は、半導体素子２０の電極に電気的に接続される。バスバー３２，３３は、半導体素子２１の電極に電気的に接続される。半導体素子２０は基板４０と基板４１との間に重ねられ、基板４０，４１は、半導体素子２０を搭載する。半導体素子２１は基板４２と基板４３との間に重ねられ、基板４２，４３は、半導体素子２１を搭載する。 As shown in FIGS. 1, 2, 3, 3 (a), 3 (b), and 4, the semiconductor module 10 serves as semiconductor elements 20 and 21 and take-out electrodes (terminals) for the main power supply of the semiconductor elements 20. Bus bars 30 and 31, bus bars 32 and 33 as main power supply extraction electrodes (terminals) of the semiconductor element 21, substrates 40 and 41 for the semiconductor element 20, and substrates 42 and 43 for the semiconductor element 21 above. The case 50, the lower case 60, the control take-out electrode (terminal) 70 of the semiconductor element 20, and the control take-out electrode (terminal) 71 of the semiconductor element 21 are provided. The bus bars 30 and 31 are electrically connected to the electrodes of the semiconductor element 20. The bus bars 32 and 33 are electrically connected to the electrodes of the semiconductor element 21. The semiconductor element 20 is superposed between the substrate 40 and the substrate 41, and the substrates 40 and 41 mount the semiconductor element 20. The semiconductor element 21 is superposed between the substrate 42 and the substrate 43, and the substrates 42 and 43 mount the semiconductor element 21.

上ケース５０は、底面５１と側面５２，５３，５４を有する。下ケース６０は、底面６１と側面６２，６３，６４を有する。上ケース５０と下ケース６０とは、重ねて配置され、上ケース５０と下ケース６０とが重ねて配置されることにより収容部Ｒ１が形成されている。収容部Ｒ１に、半導体素子２０，２１、バスバー３０，３１，３２，３３及び基板４０，４１，４２，４３が収容される。 The upper case 50 has a bottom surface 51 and side surfaces 52, 53, 54. The lower case 60 has a bottom surface 61 and side surfaces 62, 63, 64. The upper case 50 and the lower case 60 are arranged so as to be overlapped with each other, and the accommodating portion R1 is formed by the upper case 50 and the lower case 60 being arranged so as to be overlapped with each other. The semiconductor elements 20, 21, the bus bars 30, 31, 32, 33 and the substrates 40, 41, 42, 43 are accommodated in the accommodating portion R1.

上ケース５０及び下ケース６０は、アルミ等よりなる。上ケース５０及び下ケース６０は、全体の概略形状としてＺ方向に薄い扁平なる四角箱型をなしている。下ケース６０は上面が開口する箱型をなし、上ケース５０は下面が開口する箱型をなしている。下ケース６０の上に上ケース５０を重ねるようにして配置することによりケースが構成される。下ケース６０の下面には冷却フィン６５が形成されている。上ケース５０の上面には冷却フィン５５が形成されている。 The upper case 50 and the lower case 60 are made of aluminum or the like. The upper case 50 and the lower case 60 have a flat square box shape that is thin in the Z direction as an overall schematic shape. The lower case 60 has a box shape with an open upper surface, and the upper case 50 has a box shape with an open lower surface. The case is configured by arranging the upper case 50 so as to overlap the lower case 60. Cooling fins 65 are formed on the lower surface of the lower case 60. Cooling fins 55 are formed on the upper surface of the upper case 50.

下ケース６０におけるＹ方向での一端面には内外を連通する開口部６６が形成されている。同様に、上ケース５０におけるＹ方向での一端面には内外を連通する開口部５６が形成されている。下ケース６０の開口部６６と上ケース５０の開口部５６とは上下に重なるように配置され、これにより、ケースにおけるＹ方向での一端面には内外を連通する開口部が形成されている。ケースの開口部が、電極取り出し用の開口部となる。なお、ケース５０，６０の開口部側には取り付け用の鍔５０ａ，６０ａが設けられている。 An opening 66 that communicates inside and outside is formed on one end surface of the lower case 60 in the Y direction. Similarly, an opening 56 that communicates inside and outside is formed on one end surface of the upper case 50 in the Y direction. The opening 66 of the lower case 60 and the opening 56 of the upper case 50 are arranged so as to overlap each other vertically, whereby an opening communicating inside and outside is formed on one end surface of the case in the Y direction. The opening of the case serves as an opening for taking out the electrodes. The brims 50a and 60a for mounting are provided on the opening side of the cases 50 and 60.

半導体素子２０，２１としてＩＧＢＴが用いられる。半導体素子２０，２１としてＩＧＢＴを用いた場合には、主電極としてエミッタ電極及びコレクタ電極を有するとともに、制御電極としてゲート電極を有する。 IGBTs are used as the semiconductor elements 20 and 21. When an IGBT is used as the semiconductor elements 20 and 21, it has an emitter electrode and a collector electrode as main electrodes and a gate electrode as a control electrode.

半導体素子２０，２１のうちの一方は、上アーム用スイッチング素子を構成し、他方は、下アーム用スイッチング素子を構成している。つまり、インバータ回路での単相（例えばＵ相）における直列接続される上下のアームが半導体素子２０，２１で構成される。 One of the semiconductor elements 20 and 21 constitutes an upper arm switching element, and the other constitutes a lower arm switching element. That is, the upper and lower arms connected in series in a single phase (for example, U phase) in the inverter circuit are composed of the semiconductor elements 20 and 21.

図４に示すように、上ケース５０及び下ケース６０の内部において半導体素子２０，２１が配置されている。半導体素子２０の上面には平板状のバスバー３０を介して基板４０が配置され、リフロー半田付けされている。半導体素子２０の下面には平板状のバスバー３１を介して基板４１が配置され、リフロー半田付けされている。同様に、半導体素子２１の上面には平板状のバスバー３２を介して基板４２が配置され、リフロー半田付けされている。半導体素子２１の下面には平板状のバスバー３３を介して基板４３が配置され、リフロー半田付けされている。各基板４０，４１，４２，４３は、それぞれ、セラミック層を有し、上ケース５０及び下ケース６０にろう付けされている。半導体素子２０，２１は基板４０，４１，４２，４３により上ケース５０及び下ケース６０と電気的に絶縁されている。 As shown in FIG. 4, the semiconductor elements 20 and 21 are arranged inside the upper case 50 and the lower case 60. A substrate 40 is arranged on the upper surface of the semiconductor element 20 via a flat plate-shaped bus bar 30, and is reflow soldered. A substrate 41 is arranged on the lower surface of the semiconductor element 20 via a flat plate-shaped bus bar 31 and is reflow soldered. Similarly, a substrate 42 is arranged on the upper surface of the semiconductor element 21 via a flat plate-shaped bus bar 32, and is reflow soldered. A substrate 43 is arranged on the lower surface of the semiconductor element 21 via a flat plate-shaped bus bar 33, and is reflow soldered. Each of the substrates 40, 41, 42, 43 has a ceramic layer and is brazed to the upper case 50 and the lower case 60, respectively. The semiconductor elements 20 and 21 are electrically insulated from the upper case 50 and the lower case 60 by the substrates 40, 41, 42 and 43.

基板４０は上ケース５０の内壁と接している。基板４１は下ケース６０の内壁と接している。基板４２は上ケース５０の内壁と接している。基板４３は下ケース６０の内壁と接している。 The substrate 40 is in contact with the inner wall of the upper case 50. The substrate 41 is in contact with the inner wall of the lower case 60. The substrate 42 is in contact with the inner wall of the upper case 50. The substrate 43 is in contact with the inner wall of the lower case 60.

つまり、下ケース６０の内部において下ケース６０の上面に基板４１，４３が並んで配置されるとともにその上にバスバー３１，３３が配置される。さらに、バスバー３１上に半導体素子２０が配置されるとともにバスバー３３上に半導体素子２１が配置される。さらには、半導体素子２０の上にはバスバー３０が配置されるとともに半導体素子２１の上にはバスバー３２が配置される。さらに、バスバー３０の上には基板４０が配置されるとともにバスバー３２の上には基板４２が配置される。その上に、上ケース５０が配置される。 That is, inside the lower case 60, the substrates 41 and 43 are arranged side by side on the upper surface of the lower case 60, and the bus bars 31 and 33 are arranged on the substrates 41 and 43. Further, the semiconductor element 20 is arranged on the bus bar 31, and the semiconductor element 21 is arranged on the bus bar 33. Further, the bus bar 30 is arranged on the semiconductor element 20, and the bus bar 32 is arranged on the semiconductor element 21. Further, the substrate 40 is arranged on the bus bar 30, and the substrate 42 is arranged on the bus bar 32. The upper case 50 is arranged on it.

このようにして、図４に示すように、Ｘ方向において、半導体素子２０と半導体素子２１とが並んで位置している。半導体素子２０の上に、順に、バスバー３０、基板４０、上ケース５０の底面５１が位置している。また、半導体素子２０の下に、順に、バスバー３１、基板４１、下ケース６０の底面６１が位置している。同様に、半導体素子２１の上に、順に、バスバー３２、基板４２、上ケース５０の底面５１が位置している。また、半導体素子２１の下に、順に、バスバー３３、基板４３、下ケース６０の底面６１が位置している。 In this way, as shown in FIG. 4, the semiconductor element 20 and the semiconductor element 21 are positioned side by side in the X direction. The bus bar 30, the substrate 40, and the bottom surface 51 of the upper case 50 are located on the semiconductor element 20 in this order. Further, below the semiconductor element 20, the bus bar 31, the substrate 41, and the bottom surface 61 of the lower case 60 are located in this order. Similarly, the bus bar 32, the substrate 42, and the bottom surface 51 of the upper case 50 are located on the semiconductor element 21 in this order. Further, below the semiconductor element 21, the bus bar 33, the substrate 43, and the bottom surface 61 of the lower case 60 are located in this order.

バスバー３０，３１，３２，３３は、所望の形状に成形した金属板が用いられている。バスバー３０，３１，３２，３３は、一端部において半導体素子２０，２１の主電極（パッド）に電気的に接続されている。主電極（パッド）は半導体素子２０，２１の上面及び下面に形成されている。また、バスバー３２はバスバー３１とケース内部で接合されており、これにより半導体素子２０と半導体素子２１が直列接続される。 For the bus bars 30, 31, 32, 33, a metal plate formed into a desired shape is used. The bus bars 30, 31, 32, 33 are electrically connected to the main electrodes (pads) of the semiconductor elements 20, 21 at one end. The main electrodes (pads) are formed on the upper and lower surfaces of the semiconductor elements 20 and 21. Further, the bus bar 32 is joined to the bus bar 31 inside the case, whereby the semiconductor element 20 and the semiconductor element 21 are connected in series.

制御用取出電極（端子）７０，７１としてピン（所望の方向に延在する金属棒）を用いて構成されている。制御用取出電極（端子）７０，７１は、ボンディングワイヤを介して半導体素子２０，２１の制御パッドに接続される。 It is configured by using pins (metal rods extending in a desired direction) as control take-out electrodes (terminals) 70 and 71. The control take-out electrodes (terminals) 70 and 71 are connected to the control pads of the semiconductor elements 20 and 21 via bonding wires.

バスバー３０，３１及びバスバー３２，３３は、ケース５０，６０の外部に向けて延出している。ケース内は封止樹脂が充填されている。
図６〜１０はバスバー３０，３１，３２，３３を後述するタイバーカットする前の状態を示す図である。図８に示すように、上ケース５０の側面５４には、３つの貫通孔５７が形成されている。下ケース６０の側面６４には３つの貫通孔６７が形成されている。各貫通孔５７は半円状をなし、各貫通孔６７は半円状をなしている。貫通孔５７と貫通孔６７とが対向配置されることによりケース側面に円形の貫通孔が形成され、当該貫通孔が樹脂の封入口になる。バスバー３０，３１，３２，３３は、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４に設けられた貫通孔５７，６７に挿通されて図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように外に突出し、その端部３５（図５参照）が樹脂８０（図５参照）で封止されている。樹脂８０は、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂を用いている。樹脂としてエポキシ樹脂を用いてもよい。 The bus bars 30, 31 and the bus bars 32, 33 extend toward the outside of the cases 50, 60. The inside of the case is filled with a sealing resin.
6 to 10 are diagrams showing a state before the tie bar cut of the bus bars 30, 31, 32, and 33, which will be described later. As shown in FIG. 8, three through holes 57 are formed on the side surface 54 of the upper case 50. Three through holes 67 are formed on the side surface 64 of the lower case 60. Each through hole 57 has a semicircular shape, and each through hole 67 has a semicircular shape. By arranging the through hole 57 and the through hole 67 so as to face each other, a circular through hole is formed on the side surface of the case, and the through hole serves as a resin sealing port. The bus bars 30, 31, 32, 33 are inserted through the through holes 57, 67 provided in the side surfaces 54, 64 of the upper case 50 and the lower case 60, as shown in FIGS. 11 (a) and 11 (b). It protrudes outward and its end 35 (see FIG. 5) is sealed with resin 80 (see FIG. 5). As the resin 80, a PPS (polyphenylene sulfide) resin is used. Epoxy resin may be used as the resin.

図４に示すように、半導体モジュール１０は直冷方式であり、発熱する半導体素子２０，２１とケース５０，６０との間が、樹脂やグリスを介さずに、基板４０，４１，４２，４３で繋がっており、上下のケース５０，６０で、半導体素子２０，２１、上下のバスバー３０，３１，３２，３３、上下の基板（セラミック基板）４０，４１，４２，４３を挟んだ構造をなしている。 As shown in FIG. 4, the semiconductor module 10 is of a direct cooling system, and the semiconductor elements 20, 21 and the cases 50, 60 that generate heat are between the substrates 40, 41, 42, 43 without using resin or grease. The upper and lower cases 50 and 60 sandwich the semiconductor elements 20, 21, the upper and lower bus bars 30, 31, 32, 33, and the upper and lower substrates (ceramic substrates) 40, 41, 42, 43. ing.

このように直冷方式であり、各バスバーの図７における第１方向側の端子部分と、第２方向側の貫通孔から突出した部分とで、全体を位置決めしながら上下のケース５０，６０を挟み込んで閉じることができる。このように、基板４０，４１，４２，４３が上ケース５０及び下ケース６０に直付けされている。 In this way, it is a direct cooling system, and the upper and lower cases 50 and 60 are positioned while positioning the entire bus bar with the terminal portion on the first direction side and the portion protruding from the through hole on the second direction side in FIG. It can be pinched and closed. In this way, the substrates 40, 41, 42, 43 are directly attached to the upper case 50 and the lower case 60.

図８に示すように、平面視において貫通孔５７，６７の開口部は窪んだ箇所（凹状の切欠き５８，６８）の底面に存在する。そして、図２に示すように、切欠き５８，６８は端部３５を包んで封止用の樹脂８０で平坦に埋められている。 As shown in FIG. 8, in a plan view, the openings of the through holes 57 and 67 exist on the bottom surface of the recessed portion (concave notch 58 and 68). Then, as shown in FIG. 2, the notches 58 and 68 wrap the end 35 and are flatly filled with the sealing resin 80.

このようにして、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４に切欠き５８，６８（図８参照）が形成され、この切欠き５８，６８内に貫通孔５７，６７が配置され、切欠き５８，６８が樹脂８０（図２参照）で埋まっている。 In this way, notches 58 and 68 (see FIG. 8) are formed on the side surfaces 54 and 64 of the upper case 50 and the lower case 60, and through holes 57 and 67 are arranged in the notches 58 and 68 to cut the cuts. The notches 58 and 68 are filled with resin 80 (see FIG. 2).

図４に示すように、ケース５０の側面５２の下面と、ケース６０の側面６２の上面とが、樹脂８０でシールされている。ケース５０の側面５３の下面と、ケース６０の側面６３の上面とが、樹脂８０でシールされている。ケース５０の側面５４の下面と、ケース６０の側面６４の上面とが、樹脂８０でシールされている。 As shown in FIG. 4, the lower surface of the side surface 52 of the case 50 and the upper surface of the side surface 62 of the case 60 are sealed with the resin 80. The lower surface of the side surface 53 of the case 50 and the upper surface of the side surface 63 of the case 60 are sealed with the resin 80. The lower surface of the side surface 54 of the case 50 and the upper surface of the side surface 64 of the case 60 are sealed with the resin 80.

このようにして、上ケース５０と下ケース６０との間が樹脂８０でシールされている。
次に、作用について説明する。
製造工程において、まず、図６に示すように、バスバー３０とバスバー３２とが繋がって一体化されリードフレーム化したものと、バスバー３１とバスバー３３とが繋がって一体化されリードフレーム化したものを用意する。そして、リードフレーム化したバスバーに半導体素子２０，２１を搭載する。 In this way, the space between the upper case 50 and the lower case 60 is sealed with the resin 80.
Next, the action will be described.
In the manufacturing process, first, as shown in FIG. 6, a bus bar 30 and a bus bar 32 are connected to form a lead frame, and a bus bar 31 and a bus bar 33 are connected to form a lead frame. prepare. Then, the semiconductor elements 20 and 21 are mounted on the lead-framed bus bar.

並行して、上ケース５０に基板４０，４２を搭載し、下ケースに基板４１，４３を搭載しておく。
次にリードフレーム化したバスバー３０とバスバー３２と、リードフレーム化したバスバー３１とバスバー３３と、基板を搭載したケース５０，６０を位置決めする。つまり、カットする時に位置決めが必要であり、上ケース５０、下ケース６０、２枚のリードフレームが独立して動くことが可能なので、上ケース５０、下ケース６０、２枚のリードフレームを位置決めする。 In parallel, the substrates 40 and 42 are mounted on the upper case 50, and the substrates 41 and 43 are mounted on the lower case.
Next, the lead-framed bus bar 30 and the bus bar 32, the lead-framed bus bar 31 and the bus bar 33, and the cases 50 and 60 on which the substrate is mounted are positioned. That is, positioning is required when cutting, and the upper case 50, the lower case 60, and the two lead frames can move independently, so that the upper case 50, the lower case 60, and the two lead frames are positioned. ..

図７、図８、図９（ａ）、図９（ｂ）に示すように、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４に設けられた貫通孔５７，６７にリードフレーム化したバスバー３０，３１，３２，３３を挿通して外に突出した状態で、上ケース５０及び下ケース６０を重ねて配置して接合する。詳しくは、図７に示すように、Ｙ方向においてケースから第１方向及び第２方向にフレームが取り出される。これにより、収容部Ｒ１に半導体素子２０，２１、バスバー３０，３１，３２，３３及び基板４０，４１，４２，４３を収容する。 As shown in FIGS. 7, 8, 9 (a) and 9 (b), the bus bar 30 is lead-framed in through holes 57 and 67 provided on the side surfaces 54 and 64 of the upper case 50 and the lower case 60. , 31, 32, 33 are inserted and projected outward, and the upper case 50 and the lower case 60 are arranged and joined in an overlapping manner. Specifically, as shown in FIG. 7, the frame is taken out from the case in the Y direction in the first direction and the second direction. As a result, the semiconductor elements 20, 21, the bus bars 30, 31, 32, 33 and the substrates 40, 41, 42, 43 are accommodated in the accommodating portion R1.

引き続き、図１０に示すように、リードフレーム化したバスバー３０，３１，３２，３３における上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４から外に突出した部位を、図１０でのカットラインＬｃでタイバーカットする。その結果、バスバー３０，３１，３２，３３の先端部はタイバーカットした後の端部３５が図３、図５、図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように切欠き５８，６８を埋める樹脂８０で埋まるように切り取られる。 Subsequently, as shown in FIG. 10, the portions of the lead-framed bus bars 30, 31, 32, 33 that protrude outward from the side surfaces 54, 64 of the upper case 50 and the lower case 60 are formed by the cut line Lc in FIG. Cut the tie bar. As a result, the tips of the bus bars 30, 31, 32, 33 have notches 58,68 as shown in FIGS. 3, 5, 11 (a), and 11 (b) at the ends 35 after the tie bar cut. It is cut out so as to be filled with the resin 80.

その後、図５に示すように、タイバーカットした後のバスバー３０，３１，３２，３３における露出部を樹脂８０で封止する。このとき、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４におけるバスバー３０，３１，３２，３３の露出部を樹脂８０で封止するとともに、上ケース５０と下ケース６０との突き合わせ面、及び、収容部Ｒ１内を樹脂８０で封止する。 Then, as shown in FIG. 5, the exposed portions of the bus bars 30, 31, 32, and 33 after the tie bar cut are sealed with the resin 80. At this time, the exposed portions of the bus bars 30, 31, 32, 33 on the side surfaces 54, 64 of the upper case 50 and the lower case 60 are sealed with the resin 80, and the abutting surface between the upper case 50 and the lower case 60 and the abutting surface of the lower case 60, and The inside of the accommodating portion R1 is sealed with the resin 80.

これにより、半導体モジュール１０が製造される。
上述した樹脂封止の際に、貫通孔５７，６７が樹脂封入時のゲート（樹脂封入口）であり、ここからリードフレーム化されたバスバーを取り出す。これにより、図５においてバスバー先端部がケース端面より外側にあり、フィン付ケースの端面より外側でタイバーカットするため、バスバー先端はケース端面の外側になる。そして、バスバー先端部が樹脂８０で覆われる。つまり、絶縁確保のため、バスバー先端部が樹脂８０で覆われる。 As a result, the semiconductor module 10 is manufactured.
At the time of resin sealing described above, the through holes 57 and 67 are gates (resin sealing ports) at the time of resin filling, from which the lead-framed bus bar is taken out. As a result, in FIG. 5, the tip of the bus bar is outside the end face of the case, and the tie bar is cut outside the end face of the case with fins, so that the tip of the bus bar is outside the end face of the case. Then, the tip of the bus bar is covered with the resin 80. That is, the tip of the bus bar is covered with the resin 80 to ensure insulation.

その結果、バスバーのリードフレーム化により、組み付け性が向上する。
また、アルミのケース５０，６０とリードフレーム化されたバスバーとの間、及び、リードフレーム化されたバスバー間（電極間）の位置ずれ低減が図られる。 As a result, the bus bar has a lead frame, which improves the ease of assembly.
Further, the positional deviation between the aluminum cases 50 and 60 and the lead-framed bus bar and between the lead-framed bus bar (between the electrodes) can be reduced.

また、組立時に、バスバー保持の簡易化を図ることができる。つまり、図７、図８、図９に示すように、リードフレーム化されたバスバーにおける両側がケース５０，６０から出ているので両持ちすることができ、リードフレーム化されたバスバーの両側からの支えが可能となる。 In addition, it is possible to simplify the holding of the bus bar at the time of assembly. That is, as shown in FIGS. 7, 8 and 9, both sides of the lead-framed bus bar protrude from the cases 50 and 60, so that both sides can be held, and both sides of the lead-framed bus bar can be held. Support is possible.

なお、ゲート（樹脂封入口）はトランスファモールド、インジェクション等の型による樹脂成型には必要なものである。
以上のごとく、上下一対のフィン付ケース５０，６０の構造において、樹脂封入用のゲート（貫通孔５７，６７）を持つ場合、ゲートよりバスバーを取り出すことでリードフレーム化が可能となる。また、リードフレーム化により組み付け性が向上する。特に、バスバー間の位置ずれが低減できるとともに、組立時のバスバーの保持が簡易化できる。 The gate (resin sealing port) is necessary for resin molding by a mold such as a transfer mold or an injection.
As described above, in the structure of the pair of upper and lower fin cases 50 and 60, when a gate for resin encapsulation (through holes 57 and 67) is provided, a lead frame can be formed by taking out the bus bar from the gate. In addition, the lead frame improves the ease of assembly. In particular, the displacement between the bus bars can be reduced, and the holding of the bus bars during assembly can be simplified.

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）半導体モジュール１０の構成として、半導体素子２０，２１と、半導体素子２０，２１と電気的に接続されるバスバー３０，３１，３２，３３と、半導体素子２０，２１を搭載する基板４０，４１，４２，４３と、底面５１と側面５２，５３，５４を有する上ケース５０と、底面６１と側面６２，６３，６４を有し、上ケース５０と重ねて配置されることにより形成された収容部Ｒ１に半導体素子２０，２１、バスバー３０，３１，３２，３３及び基板４０，４１，４２，４３を収容する下ケース６０と、を備える。バスバー３０，３１，３２，３３は、上ケース５０及び下ケース６０の側面に設けられた貫通孔５７，６７に挿通されて外に突出し、その端部３５が樹脂８０で封止されている。 According to the above embodiment, the following effects can be obtained.
(1) As a configuration of the semiconductor module 10, the semiconductor elements 20, 21 and the bus bars 30, 31, 32, 33 electrically connected to the semiconductor elements 20, 21 and the substrate 40 on which the semiconductor elements 20, 21 are mounted, It was formed by having 41, 42, 43, an upper case 50 having a bottom surface 51 and side surfaces 52, 53, 54, and having a bottom surface 61 and side surfaces 62, 63, 64, and being arranged so as to overlap the upper case 50. The accommodating portion R1 includes semiconductor elements 20, 21, bus bars 30, 31, 32, 33, and a lower case 60 accommodating substrates 40, 41, 42, 43. The bus bars 30, 31, 32, 33 are inserted into through holes 57, 67 provided on the side surfaces of the upper case 50 and the lower case 60 and project outward, and the end 35 thereof is sealed with the resin 80.

よって、バスバー３０，３１，３２，３３は、上下ケース５０，６０の側面５４，６４に設けられた貫通孔５７，６７に挿通されて外に突出し、その端部３５が樹脂８０で封止されているので、ケースの貫通孔５７，６７を通してリードフレーム状態のバスバーをケースに収容できるので組み付け性に優れたものとなる。つまり、バスバーが繋がった状態でケース内に収容でき、タイバーカットを経て１個ずつに分離して樹脂封止すればよく、バスバー間を繋いでリードフレーム化した状態で上下のケース５０，６０間に配置することができ、組み付け性に優れたものとなる。 Therefore, the bus bars 30, 31, 32, 33 are inserted through the through holes 57, 67 provided in the side surfaces 54, 64 of the upper and lower cases 50, 60 and project outward, and the end 35 thereof is sealed with the resin 80. Therefore, the bus bar in the lead frame state can be accommodated in the case through the through holes 57 and 67 of the case, so that the assembling property is excellent. In other words, it can be housed in the case with the busbars connected, and it is sufficient to separate them one by one through a tie bar cut and seal them with resin. With the busbars connected to form a lead frame, the upper and lower cases 50 and 60 It can be placed in, and it is easy to assemble.

（２）半導体素子２０，２１の上側にバスバー３０，３２、基板４０，４２、上ケース５０が順に積層されているとともに半導体素子２０，２１の下側にバスバー３１，３３、基板４１，４３、下ケース６０が順に積層されている。つまり、基板４０，４１，４２，４３が上ケース５０及び下ケース６０に直付けされている。よって、樹脂を介在させずグリスも介在させずにバスバーを位置決めしながら上下一対のケース５０，６０を閉じる必要があるが、この直冷方式の場合に有用である。 (2) Bus bars 30, 32, substrates 40, 42, and upper case 50 are laminated in this order on the upper side of the semiconductor elements 20, 21, and bus bars 31, 33, substrates 41, 43, on the lower side of the semiconductor elements 20, 21. The lower cases 60 are laminated in order. That is, the substrates 40, 41, 42, and 43 are directly attached to the upper case 50 and the lower case 60. Therefore, it is necessary to close the pair of upper and lower cases 50 and 60 while positioning the bus bar without interposing resin and grease, which is useful in the case of this direct cooling method.

（３）上ケース５０及び下ケース６０の側面に切欠き５８，６８が形成されるとともに、切欠き５８，６８内に貫通孔５７，６７が配置され、切欠き５８，６８が樹脂８０で埋まっている。この場合、ケース側面から樹脂を突出することなく樹脂封止しやすく、切欠き５８，６８を封止用樹脂で平坦に埋めやすい。 (3) Notches 58 and 68 are formed on the side surfaces of the upper case 50 and the lower case 60, through holes 57 and 67 are arranged in the notches 58 and 68, and the notches 58 and 68 are filled with the resin 80. ing. In this case, the resin can be easily sealed without the resin protruding from the side surface of the case, and the notches 58 and 68 can be easily filled flat with the sealing resin.

（４）上ケース５０と下ケース６０との間が樹脂８０でシールされている。この場合、シールがやりやすい。つまり、上下のケース５０，６０の合わせ面である側面５２，５３，５４，６２，６３，６４の端面は封止用の樹脂８０で封止している。これにより前述の（３）での樹脂８０でシールでき、上下のケース間の封止とバスバーの端部の封止とを一工程で行うことができる。 (4) The space between the upper case 50 and the lower case 60 is sealed with the resin 80. In this case, the seal is easy to do. That is, the end faces of the side surfaces 52, 53, 54, 62, 63, 64, which are the mating surfaces of the upper and lower cases 50, 60, are sealed with the sealing resin 80. As a result, the resin 80 described in (3) above can be used for sealing, and the sealing between the upper and lower cases and the sealing of the end portion of the bus bar can be performed in one step.

（５）半導体モジュールの製造方法として、リードフレーム化したバスバーに半導体素子２０，２１を搭載する第１工程と、上ケース５０及び下ケース６０の側面に設けられた貫通孔５７，６７にリードフレーム化したバスバーを挿通して外に突出した状態で、上ケース５０及び下ケース６０を重ねて配置する第２工程と、リードフレーム化したバスバーにおける上ケース５０及び下ケース６０の側面から外に突出した部位をタイバーカットする第３工程と、タイバーカットした後のバスバーにおける露出部を樹脂８０で封止する第４工程と、を有する。よって、組み付け性に優れたものとなる。 (5) As a method for manufacturing a semiconductor module, a first step of mounting the semiconductor elements 20 and 21 on a lead-framed bus bar and a lead frame in through holes 57 and 67 provided on the side surfaces of the upper case 50 and the lower case 60. The second step of arranging the upper case 50 and the lower case 60 in an overlapping manner with the bus bar made into a lead frame inserted and protruding outward, and the lead framed bus bar protruding outward from the side surfaces of the upper case 50 and the lower case 60. It has a third step of tie-bar cutting the formed portion and a fourth step of sealing the exposed portion of the bus bar after the tie-bar cutting with the resin 80. Therefore, the assembling property is excellent.

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 図７においてはゲート（樹脂封入口）とフレームの取り出し方向は２方向（第１方向及び第２方向）のみであったが、これに代わり、図１２に示すように、バスバー３６，３７についてゲートとフレームの取り出し方向が３方向（図１２において第１方向、第２方向、第３方向）以上ある構造としてもよい。図１２での符号５９は切欠きであり、樹脂で封止される。 The embodiment is not limited to the above, and may be embodied as follows, for example.
○ In FIG. 7, the gate (resin filling port) and the frame were taken out in only two directions (first direction and second direction), but instead, as shown in FIG. 12, the bus bars 36 and 37 The structure may have a structure in which the gate and the frame are taken out in three or more directions (first direction, second direction, and third direction in FIG. 12). Reference numeral 59 in FIG. 12 is a notch and is sealed with a resin.

○ ゲート（樹脂封入口）をフレーム取り出しの貫通孔に設けたが、別の箇所に設けても良い。ただし、ゲート（樹脂封入口）をフレーム取り出しの貫通孔に設けた方が、端部がある分、樹脂による封止面積が少なくて済むので、樹脂硬化時の収縮によるケースと樹脂の界面の密着性悪化を抑制できる。 ○ The gate (resin filling port) is provided in the through hole for taking out the frame, but it may be provided in another place. However, if the gate (resin sealing port) is provided in the through hole for taking out the frame, the sealing area by the resin can be reduced due to the presence of the end, so that the case and the resin interface adhere to each other due to shrinkage during resin curing. It can suppress sexual deterioration.

○ 上ケースと下ケースとは樹脂でシール接合したが、これに限ることなく、例えば、溶接で接合してもよい。この場合、上ケースと下ケースを溶接等で封止後に端部３５を封止すれば良い。 ○ The upper case and the lower case are sealed and joined with resin, but the present invention is not limited to this, and for example, they may be joined by welding. In this case, the upper case and the lower case may be sealed by welding or the like, and then the end portion 35 may be sealed.

○ 製造方法について、バスバー３０とバスバー３２とがリードフレーム化したものと、バスバー３１とバスバー３３とがリードフレーム化したものに半導体素子２０，２１を搭載したあと、基板を搭載した上ケース５０と下ケース６０を位置決めして接合したが、この構成に限らない。 ○ Regarding the manufacturing method, the bus bar 30 and the bus bar 32 are lead-framed, and the bus bar 31 and the bus bar 33 are lead-framed, and the semiconductor elements 20 and 21 are mounted, and then the substrate is mounted on the upper case 50. The lower case 60 is positioned and joined, but the configuration is not limited to this.

基板４０，４２を搭載した上ケース５０と、基板４１，４３を搭載した下ケースを用意し、上ケース５０の基板４０，４２上にバスバー３０とバスバー３２とがリードフレーム化したものを搭載し、下ケース６０の基板４１，４３上にバスバー３１とバスバー３３とがリードフレーム化したものを搭載し、次にバスバー３１とバスバー３３とがリードフレーム化したものに半導体素子２０，２１を搭載し、その後、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４に設けられた貫通孔５７，６７にリードフレーム化したバスバー３０，３１，３２，３３を挿通して外に突出した状態で、上ケース５０及び下ケース６０を重ねて配置し、収容部Ｒ１に半導体素子２０，２１、バスバー３０，３１，３２，３３及び基板４０，４１，４２，４３を収容するようにして接合してもよい。 An upper case 50 on which the boards 40 and 42 are mounted and a lower case on which the boards 41 and 43 are mounted are prepared, and a lead frame of the bus bar 30 and the bus bar 32 is mounted on the boards 40 and 42 of the upper case 50. , The bus bar 31 and the bus bar 33 are mounted on the boards 41 and 43 of the lower case 60 in a lead frame, and then the semiconductor elements 20 and 21 are mounted on the bus bar 31 and the bus bar 33 in a lead frame. After that, the bus bars 30, 31, 32, 33 which are lead frames are inserted into the through holes 57, 67 provided on the side surfaces 54, 64 of the upper case 50 and the lower case 60, and the upper case protrudes outward. The 50 and the lower case 60 may be arranged so as to accommodate the semiconductor elements 20, 21, the bus bars 30, 31, 32, 33 and the substrates 40, 41, 42, 43 in the accommodating portion R1.

１０…半導体モジュール、２０，２１…半導体素子、３０，３１，３２，３３…バスバー、３５…端部、４０，４１，４２，４３…基板、５０…上ケース、５１…底面、５２，５３，５４…側面、５７…貫通孔、５８…切欠き、６０…下ケース、６１…底面、６２，６３，６４…側面、６７…貫通孔、６８…切欠き、８０…樹脂、Ｒ１…収容部。 10 ... semiconductor module, 20, 21 ... semiconductor element, 30, 31, 32, 33 ... bus bar, 35 ... end, 40, 41, 42, 43 ... substrate, 50 ... upper case, 51 ... bottom surface, 52, 53, 54 ... side surface, 57 ... through hole, 58 ... notch, 60 ... lower case, 61 ... bottom surface, 62, 63, 64 ... side surface, 67 ... through hole, 68 ... notch, 80 ... resin, R1 ... accommodating part.

Claims (5)

半導体素子と、
前記半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、
前記半導体素子を搭載する基板と、
底面と側面を有する上ケースと、
底面と側面を有し、前記上ケースと重ねて配置されることにより形成された収容部に前記半導体素子、前記バスバー及び前記基板を収容する下ケースと、
を備え、
前記バスバーは、前記上ケース及び前記下ケースの側面に設けられた貫通孔に挿通されて外に突出し、その端部が樹脂で封止されていることを特徴とする半導体モジュール。 With semiconductor elements
A bus bar electrically connected to the semiconductor element,
A substrate on which the semiconductor element is mounted and
An upper case with a bottom and sides,
A lower case for accommodating the semiconductor element, the bus bar, and the substrate in an accommodating portion formed by having a bottom surface and a side surface and being arranged so as to overlap the upper case.
With
The bus bar is a semiconductor module characterized in that it is inserted into through holes provided on the side surfaces of the upper case and the lower case and protrudes outward, and the end portions thereof are sealed with a resin. 半導体素子の上側にバスバー、基板、ケースが順に積層されているとともに半導体素子の下側にバスバー、基板、ケースが順に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to claim 1, wherein the bus bar, the substrate, and the case are laminated in this order on the upper side of the semiconductor element, and the bus bar, the substrate, and the case are laminated in this order on the lower side of the semiconductor element. 前記上ケース及び前記下ケースの側面に切欠きが形成されるとともに、前記切欠き内に前記貫通孔が配置され、前記切欠きが樹脂で埋まっていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体モジュール。 The first or second claim is characterized in that notches are formed on the side surfaces of the upper case and the lower case, the through holes are arranged in the notches, and the notches are filled with resin. The semiconductor module described. 前記上ケースと前記下ケースとの間が樹脂でシールされていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。 The semiconductor module according to any one of claims 1 to 3, wherein the upper case and the lower case are sealed with a resin. 半導体素子と、
前記半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、
前記半導体素子を搭載する基板と、
底面と側面を有する上ケースと、
底面と側面を有し、前記上ケースと重ねて配置されることにより形成された収容部に前記半導体素子、前記バスバー及び前記基板を収容する下ケースと、
を備える半導体モジュールの製造方法であって、
リードフレーム化したバスバーに半導体素子を搭載する第１工程と、
前記上ケース及び前記下ケースの側面に設けられた貫通孔にリードフレーム化したバスバーを挿通して外に突出した状態で、前記上ケース及び前記下ケースを重ねて配置する第２工程と、
リードフレーム化したバスバーにおける前記上ケース及び前記下ケースの側面から外に突出した部位をタイバーカットする第３工程と、
タイバーカットした後のバスバーにおける露出部を樹脂で封止する第４工程と、
を有することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 With semiconductor elements
A bus bar electrically connected to the semiconductor element,
A substrate on which the semiconductor element is mounted and
An upper case with a bottom and sides,
A lower case for accommodating the semiconductor element, the bus bar, and the substrate in an accommodating portion formed by having a bottom surface and a side surface and being arranged so as to overlap the upper case.
It is a manufacturing method of a semiconductor module provided with
The first process of mounting a semiconductor element on a lead-framed busbar,
A second step of arranging the upper case and the lower case in an overlapping manner with the lead-framed bus bar inserted into the through holes provided on the side surfaces of the upper case and the lower case and protruding outward.
A third step of tie-bar-cutting a portion of the lead-framed bus bar that protrudes outward from the side surface of the upper case and the lower case.
The fourth step of sealing the exposed part of the bus bar after tie bar cutting with resin,
A method for manufacturing a semiconductor module, which comprises.