JP2020170796A - 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】組み付け性に優れた半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子と、半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、半導体素子を搭載する基板と、底面と側面を有する上ケース５０と、底面と側面を有し、上ケース５０と重ねて配置されることにより形成された収容部Ｒ１に半導体素子、バスバー及び基板を収容する下ケース６０と、を備え、バスバー３１，３２は、上ケース５０及び下ケース６０の側面に設けられた貫通孔５７，６７に挿通されて外に突出し、その端部３５が樹脂８０で封止されている。【選択図】図５

Description

本発明は、半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法に関するものである。

半導体モジュールの構成として、ケース内に半導体素子を設け、半導体素子で発生する熱をケースから放熱するとともに電極をケースの外部に延出するようにした構造が知られている（例えば特許文献１）。

特許第５６６３４６２号公報

ところで、この種の半導体モジュールにおいて、電極構造はリードフレームタイプであり、トランスファモールドされた後にタイバーカットされケースに搭載される。タイバーカット後にケースを組み付けのため、電極付半導体素子とケース間はグリスや絶縁膜等の介在物が必要で熱抵抗が比較的高い。

上述したようなモジュール構造は、熱抵抗低減策として直冷（グリスや絶縁膜等の介在物がなく、基板をケースに直付け）構造をとることがある。この場合、ケースにリードフレームや半導体素子を接合する前に、タイバーカットが必要となり、タイバーを用いた支持・位置決めが出来ず、組み付け性が悪い。樹脂封止のための樹脂注入側開口からフレーム出しは出来るが、その他の部分からはフレーム出しが出来ず、電極のリードフレーム化が困難である。

本発明の目的は、組み付け性に優れた半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するための半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、前記半導体素子を搭載する基板と、底面と側面を有する上ケースと、底面と側面を有し、前記上ケースと重ねて配置されることにより形成された収容部に前記半導体素子、前記バスバー及び前記基板を収容する下ケースと、を備え、前記バスバーは、前記上ケース及び前記下ケースの側面に設けられた貫通孔に挿通されて外に突出し、その端部が樹脂で封止されていることを要旨とする。

これによれば、バスバーは、上ケース及び下ケースの側面に設けられた貫通孔に挿通されて外に突出し、その端部が樹脂で封止されている。よって、ケースの貫通孔を通してリードフレーム状態のバスバーをケースに収容できるので組み付け性に優れたものとなる。

また、半導体モジュールは、半導体素子の上側にバスバー、基板、ケースが順に積層されているとともに半導体素子の下側にバスバー、基板、ケースが順に積層されているとよい。

また、半導体モジュールは、前記上ケース及び前記下ケースの側面に切欠きが形成されるとともに、前記切欠き内に前記貫通孔が配置され、前記切欠きが樹脂で埋まっているとよい。

また、半導体モジュールは、前記上ケースと前記下ケースとの間が樹脂でシールされているとよい。
上記課題を解決するための半導体モジュールの製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、前記半導体素子を搭載する基板と、底面と側面を有する上ケースと、底面と側面を有し、前記上ケースと重ねて配置されることにより形成された収容部に前記半導体素子、前記バスバー及び前記基板を収容する下ケースと、を備える半導体モジュールの製造方法であって、リードフレーム化したバスバーに半導体素子を搭載する第１工程と、前記上ケース及び前記下ケースの側面に設けられた貫通孔にリードフレーム化したバスバーを挿通して外に突出した状態で、前記上ケース及び前記下ケースを重ねて配置する第２工程と、リードフレーム化したバスバーにおける前記上ケース及び前記下ケースの側面から外に突出した部位をタイバーカットする第３工程と、タイバーカットした後のバスバーにおける露出部を樹脂で封止する第４工程と、を有することを要旨とする。

これによれば、第１工程において、リードフレーム化したバスバーに半導体素子が搭載される。第２工程において、上ケース及び下ケースの側面に設けられた貫通孔にリードフレーム化したバスバーを挿通して外に突出した状態で、上ケース及び下ケースが重ねて配置される。第３工程において、リードフレーム化したバスバーにおける上ケース及び下ケースの側面から外に突出した部位がタイバーカットされる。第４工程において、タイバーカットした後のバスバーにおける露出部が樹脂で封止される。よって、組み付け性に優れたものとなる。

本発明によれば、組み付け性に優れた半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供することができる。

実施形態における半導体モジュールの斜視図。 半導体モジュールの斜視図。 （ａ）は半導体モジュールの正面図、（ｂ）は半導体モジュールの平面図。 図３（ｂ）のＡ−Ａ線での断面図。 図３（ｂ）のＢ−Ｂ線での断面図。 半導体モジュールの製造工程を説明するための分解斜視図。 半導体モジュールの製造工程を説明するための斜視図。 半導体モジュールの製造工程を説明するための斜視図。 （ａ）は半導体モジュールの製造工程を説明するための正面図、（ｂ）は平面図。 図９（ｂ）のＣ−Ｃ線での断面図。 （ａ）は半導体モジュールの製造工程を説明するための正面図、（ｂ）は平面図。 別例の半導体モジュールを説明するための平面図。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図１１（ａ）、図１１（ｂ）に従って説明する。
なお、図面において、一平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、一平面（Ｘ−Ｙ平面）に直交する方向をＺ方向で規定している。

図１、図２、図３（ａ）、図３（ｂ）、図４に示すように、半導体モジュール１０は、半導体素子２０，２１と、半導体素子２０の主電源用取出電極（端子）としてのバスバー３０，３１と、半導体素子２１の主電源用取出電極（端子）としてのバスバー３２，３３と、半導体素子２０用の基板４０，４１と、半導体素子２１用の基板４２，４３と、上ケース５０と、下ケース６０と、半導体素子２０の制御用取出電極（端子）７０と、半導体素子２１の制御用取出電極（端子）７１を備えている。バスバー３０，３１は、半導体素子２０の電極に電気的に接続される。バスバー３２，３３は、半導体素子２１の電極に電気的に接続される。半導体素子２０は基板４０と基板４１との間に重ねられ、基板４０，４１は、半導体素子２０を搭載する。半導体素子２１は基板４２と基板４３との間に重ねられ、基板４２，４３は、半導体素子２１を搭載する。

上ケース５０は、底面５１と側面５２，５３，５４を有する。下ケース６０は、底面６１と側面６２，６３，６４を有する。上ケース５０と下ケース６０とは、重ねて配置され、上ケース５０と下ケース６０とが重ねて配置されることにより収容部Ｒ１が形成されている。収容部Ｒ１に、半導体素子２０，２１、バスバー３０，３１，３２，３３及び基板４０，４１，４２，４３が収容される。

上ケース５０及び下ケース６０は、アルミ等よりなる。上ケース５０及び下ケース６０は、全体の概略形状としてＺ方向に薄い扁平なる四角箱型をなしている。下ケース６０は上面が開口する箱型をなし、上ケース５０は下面が開口する箱型をなしている。下ケース６０の上に上ケース５０を重ねるようにして配置することによりケースが構成される。下ケース６０の下面には冷却フィン６５が形成されている。上ケース５０の上面には冷却フィン５５が形成されている。

下ケース６０におけるＹ方向での一端面には内外を連通する開口部６６が形成されている。同様に、上ケース５０におけるＹ方向での一端面には内外を連通する開口部５６が形成されている。下ケース６０の開口部６６と上ケース５０の開口部５６とは上下に重なるように配置され、これにより、ケースにおけるＹ方向での一端面には内外を連通する開口部が形成されている。ケースの開口部が、電極取り出し用の開口部となる。なお、ケース５０，６０の開口部側には取り付け用の鍔５０ａ，６０ａが設けられている。

半導体素子２０，２１としてＩＧＢＴが用いられる。半導体素子２０，２１としてＩＧＢＴを用いた場合には、主電極としてエミッタ電極及びコレクタ電極を有するとともに、制御電極としてゲート電極を有する。

半導体素子２０，２１のうちの一方は、上アーム用スイッチング素子を構成し、他方は、下アーム用スイッチング素子を構成している。つまり、インバータ回路での単相（例えばＵ相）における直列接続される上下のアームが半導体素子２０，２１で構成される。

図４に示すように、上ケース５０及び下ケース６０の内部において半導体素子２０，２１が配置されている。半導体素子２０の上面には平板状のバスバー３０を介して基板４０が配置され、リフロー半田付けされている。半導体素子２０の下面には平板状のバスバー３１を介して基板４１が配置され、リフロー半田付けされている。同様に、半導体素子２１の上面には平板状のバスバー３２を介して基板４２が配置され、リフロー半田付けされている。半導体素子２１の下面には平板状のバスバー３３を介して基板４３が配置され、リフロー半田付けされている。各基板４０，４１，４２，４３は、それぞれ、セラミック層を有し、上ケース５０及び下ケース６０にろう付けされている。半導体素子２０，２１は基板４０，４１，４２，４３により上ケース５０及び下ケース６０と電気的に絶縁されている。

基板４０は上ケース５０の内壁と接している。基板４１は下ケース６０の内壁と接している。基板４２は上ケース５０の内壁と接している。基板４３は下ケース６０の内壁と接している。

つまり、下ケース６０の内部において下ケース６０の上面に基板４１，４３が並んで配置されるとともにその上にバスバー３１，３３が配置される。さらに、バスバー３１上に半導体素子２０が配置されるとともにバスバー３３上に半導体素子２１が配置される。さらには、半導体素子２０の上にはバスバー３０が配置されるとともに半導体素子２１の上にはバスバー３２が配置される。さらに、バスバー３０の上には基板４０が配置されるとともにバスバー３２の上には基板４２が配置される。その上に、上ケース５０が配置される。

このようにして、図４に示すように、Ｘ方向において、半導体素子２０と半導体素子２１とが並んで位置している。半導体素子２０の上に、順に、バスバー３０、基板４０、上ケース５０の底面５１が位置している。また、半導体素子２０の下に、順に、バスバー３１、基板４１、下ケース６０の底面６１が位置している。同様に、半導体素子２１の上に、順に、バスバー３２、基板４２、上ケース５０の底面５１が位置している。また、半導体素子２１の下に、順に、バスバー３３、基板４３、下ケース６０の底面６１が位置している。

バスバー３０，３１，３２，３３は、所望の形状に成形した金属板が用いられている。バスバー３０，３１，３２，３３は、一端部において半導体素子２０，２１の主電極（パッド）に電気的に接続されている。主電極（パッド）は半導体素子２０，２１の上面及び下面に形成されている。また、バスバー３２はバスバー３１とケース内部で接合されており、これにより半導体素子２０と半導体素子２１が直列接続される。

制御用取出電極（端子）７０，７１としてピン（所望の方向に延在する金属棒）を用いて構成されている。制御用取出電極（端子）７０，７１は、ボンディングワイヤを介して半導体素子２０，２１の制御パッドに接続される。

バスバー３０，３１及びバスバー３２，３３は、ケース５０，６０の外部に向けて延出している。ケース内は封止樹脂が充填されている。
図６〜１０はバスバー３０，３１，３２，３３を後述するタイバーカットする前の状態を示す図である。図８に示すように、上ケース５０の側面５４には、３つの貫通孔５７が形成されている。下ケース６０の側面６４には３つの貫通孔６７が形成されている。各貫通孔５７は半円状をなし、各貫通孔６７は半円状をなしている。貫通孔５７と貫通孔６７とが対向配置されることによりケース側面に円形の貫通孔が形成され、当該貫通孔が樹脂の封入口になる。バスバー３０，３１，３２，３３は、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４に設けられた貫通孔５７，６７に挿通されて図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように外に突出し、その端部３５（図５参照）が樹脂８０（図５参照）で封止されている。樹脂８０は、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂を用いている。樹脂としてエポキシ樹脂を用いてもよい。

図４に示すように、半導体モジュール１０は直冷方式であり、発熱する半導体素子２０，２１とケース５０，６０との間が、樹脂やグリスを介さずに、基板４０，４１，４２，４３で繋がっており、上下のケース５０，６０で、半導体素子２０，２１、上下のバスバー３０，３１，３２，３３、上下の基板（セラミック基板）４０，４１，４２，４３を挟んだ構造をなしている。

このように直冷方式であり、各バスバーの図７における第１方向側の端子部分と、第２方向側の貫通孔から突出した部分とで、全体を位置決めしながら上下のケース５０，６０を挟み込んで閉じることができる。このように、基板４０，４１，４２，４３が上ケース５０及び下ケース６０に直付けされている。

図８に示すように、平面視において貫通孔５７，６７の開口部は窪んだ箇所（凹状の切欠き５８，６８）の底面に存在する。そして、図２に示すように、切欠き５８，６８は端部３５を包んで封止用の樹脂８０で平坦に埋められている。

このようにして、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４に切欠き５８，６８（図８参照）が形成され、この切欠き５８，６８内に貫通孔５７，６７が配置され、切欠き５８，６８が樹脂８０（図２参照）で埋まっている。

図４に示すように、ケース５０の側面５２の下面と、ケース６０の側面６２の上面とが、樹脂８０でシールされている。ケース５０の側面５３の下面と、ケース６０の側面６３の上面とが、樹脂８０でシールされている。ケース５０の側面５４の下面と、ケース６０の側面６４の上面とが、樹脂８０でシールされている。

このようにして、上ケース５０と下ケース６０との間が樹脂８０でシールされている。
次に、作用について説明する。
製造工程において、まず、図６に示すように、バスバー３０とバスバー３２とが繋がって一体化されリードフレーム化したものと、バスバー３１とバスバー３３とが繋がって一体化されリードフレーム化したものを用意する。そして、リードフレーム化したバスバーに半導体素子２０，２１を搭載する。

並行して、上ケース５０に基板４０，４２を搭載し、下ケースに基板４１，４３を搭載しておく。
次にリードフレーム化したバスバー３０とバスバー３２と、リードフレーム化したバスバー３１とバスバー３３と、基板を搭載したケース５０，６０を位置決めする。つまり、カットする時に位置決めが必要であり、上ケース５０、下ケース６０、２枚のリードフレームが独立して動くことが可能なので、上ケース５０、下ケース６０、２枚のリードフレームを位置決めする。

図７、図８、図９（ａ）、図９（ｂ）に示すように、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４に設けられた貫通孔５７，６７にリードフレーム化したバスバー３０，３１，３２，３３を挿通して外に突出した状態で、上ケース５０及び下ケース６０を重ねて配置して接合する。詳しくは、図７に示すように、Ｙ方向においてケースから第１方向及び第２方向にフレームが取り出される。これにより、収容部Ｒ１に半導体素子２０，２１、バスバー３０，３１，３２，３３及び基板４０，４１，４２，４３を収容する。

引き続き、図１０に示すように、リードフレーム化したバスバー３０，３１，３２，３３における上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４から外に突出した部位を、図１０でのカットラインＬｃでタイバーカットする。その結果、バスバー３０，３１，３２，３３の先端部はタイバーカットした後の端部３５が図３、図５、図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように切欠き５８，６８を埋める樹脂８０で埋まるように切り取られる。

その後、図５に示すように、タイバーカットした後のバスバー３０，３１，３２，３３における露出部を樹脂８０で封止する。このとき、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４におけるバスバー３０，３１，３２，３３の露出部を樹脂８０で封止するとともに、上ケース５０と下ケース６０との突き合わせ面、及び、収容部Ｒ１内を樹脂８０で封止する。

これにより、半導体モジュール１０が製造される。
上述した樹脂封止の際に、貫通孔５７，６７が樹脂封入時のゲート（樹脂封入口）であり、ここからリードフレーム化されたバスバーを取り出す。これにより、図５においてバスバー先端部がケース端面より外側にあり、フィン付ケースの端面より外側でタイバーカットするため、バスバー先端はケース端面の外側になる。そして、バスバー先端部が樹脂８０で覆われる。つまり、絶縁確保のため、バスバー先端部が樹脂８０で覆われる。

その結果、バスバーのリードフレーム化により、組み付け性が向上する。
また、アルミのケース５０，６０とリードフレーム化されたバスバーとの間、及び、リードフレーム化されたバスバー間（電極間）の位置ずれ低減が図られる。

また、組立時に、バスバー保持の簡易化を図ることができる。つまり、図７、図８、図９に示すように、リードフレーム化されたバスバーにおける両側がケース５０，６０から出ているので両持ちすることができ、リードフレーム化されたバスバーの両側からの支えが可能となる。

なお、ゲート（樹脂封入口）はトランスファモールド、インジェクション等の型による樹脂成型には必要なものである。
以上のごとく、上下一対のフィン付ケース５０，６０の構造において、樹脂封入用のゲート（貫通孔５７，６７）を持つ場合、ゲートよりバスバーを取り出すことでリードフレーム化が可能となる。また、リードフレーム化により組み付け性が向上する。特に、バスバー間の位置ずれが低減できるとともに、組立時のバスバーの保持が簡易化できる。

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）半導体モジュール１０の構成として、半導体素子２０，２１と、半導体素子２０，２１と電気的に接続されるバスバー３０，３１，３２，３３と、半導体素子２０，２１を搭載する基板４０，４１，４２，４３と、底面５１と側面５２，５３，５４を有する上ケース５０と、底面６１と側面６２，６３，６４を有し、上ケース５０と重ねて配置されることにより形成された収容部Ｒ１に半導体素子２０，２１、バスバー３０，３１，３２，３３及び基板４０，４１，４２，４３を収容する下ケース６０と、を備える。バスバー３０，３１，３２，３３は、上ケース５０及び下ケース６０の側面に設けられた貫通孔５７，６７に挿通されて外に突出し、その端部３５が樹脂８０で封止されている。

よって、バスバー３０，３１，３２，３３は、上下ケース５０，６０の側面５４，６４に設けられた貫通孔５７，６７に挿通されて外に突出し、その端部３５が樹脂８０で封止されているので、ケースの貫通孔５７，６７を通してリードフレーム状態のバスバーをケースに収容できるので組み付け性に優れたものとなる。つまり、バスバーが繋がった状態でケース内に収容でき、タイバーカットを経て１個ずつに分離して樹脂封止すればよく、バスバー間を繋いでリードフレーム化した状態で上下のケース５０，６０間に配置することができ、組み付け性に優れたものとなる。

（２）半導体素子２０，２１の上側にバスバー３０，３２、基板４０，４２、上ケース５０が順に積層されているとともに半導体素子２０，２１の下側にバスバー３１，３３、基板４１，４３、下ケース６０が順に積層されている。つまり、基板４０，４１，４２，４３が上ケース５０及び下ケース６０に直付けされている。よって、樹脂を介在させずグリスも介在させずにバスバーを位置決めしながら上下一対のケース５０，６０を閉じる必要があるが、この直冷方式の場合に有用である。

（３）上ケース５０及び下ケース６０の側面に切欠き５８，６８が形成されるとともに、切欠き５８，６８内に貫通孔５７，６７が配置され、切欠き５８，６８が樹脂８０で埋まっている。この場合、ケース側面から樹脂を突出することなく樹脂封止しやすく、切欠き５８，６８を封止用樹脂で平坦に埋めやすい。

（４）上ケース５０と下ケース６０との間が樹脂８０でシールされている。この場合、シールがやりやすい。つまり、上下のケース５０，６０の合わせ面である側面５２，５３，５４，６２，６３，６４の端面は封止用の樹脂８０で封止している。これにより前述の（３）での樹脂８０でシールでき、上下のケース間の封止とバスバーの端部の封止とを一工程で行うことができる。

（５）半導体モジュールの製造方法として、リードフレーム化したバスバーに半導体素子２０，２１を搭載する第１工程と、上ケース５０及び下ケース６０の側面に設けられた貫通孔５７，６７にリードフレーム化したバスバーを挿通して外に突出した状態で、上ケース５０及び下ケース６０を重ねて配置する第２工程と、リードフレーム化したバスバーにおける上ケース５０及び下ケース６０の側面から外に突出した部位をタイバーカットする第３工程と、タイバーカットした後のバスバーにおける露出部を樹脂８０で封止する第４工程と、を有する。よって、組み付け性に優れたものとなる。

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 図７においてはゲート（樹脂封入口）とフレームの取り出し方向は２方向（第１方向及び第２方向）のみであったが、これに代わり、図１２に示すように、バスバー３６，３７についてゲートとフレームの取り出し方向が３方向（図１２において第１方向、第２方向、第３方向）以上ある構造としてもよい。図１２での符号５９は切欠きであり、樹脂で封止される。

○ ゲート（樹脂封入口）をフレーム取り出しの貫通孔に設けたが、別の箇所に設けても良い。ただし、ゲート（樹脂封入口）をフレーム取り出しの貫通孔に設けた方が、端部がある分、樹脂による封止面積が少なくて済むので、樹脂硬化時の収縮によるケースと樹脂の界面の密着性悪化を抑制できる。

○ 上ケースと下ケースとは樹脂でシール接合したが、これに限ることなく、例えば、溶接で接合してもよい。この場合、上ケースと下ケースを溶接等で封止後に端部３５を封止すれば良い。

○ 製造方法について、バスバー３０とバスバー３２とがリードフレーム化したものと、バスバー３１とバスバー３３とがリードフレーム化したものに半導体素子２０，２１を搭載したあと、基板を搭載した上ケース５０と下ケース６０を位置決めして接合したが、この構成に限らない。

基板４０，４２を搭載した上ケース５０と、基板４１，４３を搭載した下ケースを用意し、上ケース５０の基板４０，４２上にバスバー３０とバスバー３２とがリードフレーム化したものを搭載し、下ケース６０の基板４１，４３上にバスバー３１とバスバー３３とがリードフレーム化したものを搭載し、次にバスバー３１とバスバー３３とがリードフレーム化したものに半導体素子２０，２１を搭載し、その後、上ケース５０及び下ケース６０の側面５４，６４に設けられた貫通孔５７，６７にリードフレーム化したバスバー３０，３１，３２，３３を挿通して外に突出した状態で、上ケース５０及び下ケース６０を重ねて配置し、収容部Ｒ１に半導体素子２０，２１、バスバー３０，３１，３２，３３及び基板４０，４１，４２，４３を収容するようにして接合してもよい。

１０…半導体モジュール、２０，２１…半導体素子、３０，３１，３２，３３…バスバー、３５…端部、４０，４１，４２，４３…基板、５０…上ケース、５１…底面、５２，５３，５４…側面、５７…貫通孔、５８…切欠き、６０…下ケース、６１…底面、６２，６３，６４…側面、６７…貫通孔、６８…切欠き、８０…樹脂、Ｒ１…収容部。

Claims (5)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、
   前記半導体素子を搭載する基板と、
   底面と側面を有する上ケースと、
   底面と側面を有し、前記上ケースと重ねて配置されることにより形成された収容部に前記半導体素子、前記バスバー及び前記基板を収容する下ケースと、
   を備え、
   前記バスバーは、前記上ケース及び前記下ケースの側面に設けられた貫通孔に挿通されて外に突出し、その端部が樹脂で封止されていることを特徴とする半導体モジュール。
2. 半導体素子の上側にバスバー、基板、ケースが順に積層されているとともに半導体素子の下側にバスバー、基板、ケースが順に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
3. 前記上ケース及び前記下ケースの側面に切欠きが形成されるとともに、前記切欠き内に前記貫通孔が配置され、前記切欠きが樹脂で埋まっていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体モジュール。
4. 前記上ケースと前記下ケースとの間が樹脂でシールされていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
5. 半導体素子と、
   前記半導体素子と電気的に接続されるバスバーと、
   前記半導体素子を搭載する基板と、
   底面と側面を有する上ケースと、
   底面と側面を有し、前記上ケースと重ねて配置されることにより形成された収容部に前記半導体素子、前記バスバー及び前記基板を収容する下ケースと、
   を備える半導体モジュールの製造方法であって、
   リードフレーム化したバスバーに半導体素子を搭載する第１工程と、
   前記上ケース及び前記下ケースの側面に設けられた貫通孔にリードフレーム化したバスバーを挿通して外に突出した状態で、前記上ケース及び前記下ケースを重ねて配置する第２工程と、
   リードフレーム化したバスバーにおける前記上ケース及び前記下ケースの側面から外に突出した部位をタイバーカットする第３工程と、
   タイバーカットした後のバスバーにおける露出部を樹脂で封止する第４工程と、
   を有することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。